JPH0675650A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPH0675650A JPH0675650A JP4107156A JP10715692A JPH0675650A JP H0675650 A JPH0675650 A JP H0675650A JP 4107156 A JP4107156 A JP 4107156A JP 10715692 A JP10715692 A JP 10715692A JP H0675650 A JPH0675650 A JP H0675650A
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- Japan
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- collector
- power supply
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】出力電圧が温度に対してほとんど依存しない基
準電圧発生回路を得る。 【構成】正の温度係数をもつ電流源回路をシリーズ接続
された抵抗とダイオードに供給し、出力端子を抵抗と電
流源の接続点として、ダイオードにおける負の温度係数
を正の温度係数をもつ電流源で相殺して、ほとんど温度
に依存しない基準電圧を出力端子に発生させる。
準電圧発生回路を得る。 【構成】正の温度係数をもつ電流源回路をシリーズ接続
された抵抗とダイオードに供給し、出力端子を抵抗と電
流源の接続点として、ダイオードにおける負の温度係数
を正の温度係数をもつ電流源で相殺して、ほとんど温度
に依存しない基準電圧を出力端子に発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基準電圧発生回路に関
し、特にトランジスタのベース・エミッタ間電圧を用い
た基準電圧発生回路に関する。
し、特にトランジスタのベース・エミッタ間電圧を用い
た基準電圧発生回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４は従来の基準電圧発生回路
の回路図である。
の回路図である。
【０００３】図３に示す回路では、入力端に電源端子２
が接続された電流源７の出力端が抵抗５を介して、カソ
ードが電源端子１に接続されたダイオード６のアノード
に接続され、電流源７と抵抗５との接続点が出力端子３
に接続されている。
が接続された電流源７の出力端が抵抗５を介して、カソ
ードが電源端子１に接続されたダイオード６のアノード
に接続され、電流源７と抵抗５との接続点が出力端子３
に接続されている。
【０００４】このとき、電流源７の電流をＩA ，抵抗５
の抵抗値をＲA ，ダイオード６の飽和電流をＩS とし、
電源端子１は接地されているとすると、出力端子３に生
じる出力電圧Ｖout は、次のようになる。
の抵抗値をＲA ，ダイオード６の飽和電流をＩS とし、
電源端子１は接地されているとすると、出力端子３に生
じる出力電圧Ｖout は、次のようになる。
【０００５】 Ｖout ＝ＲA ＩA ＋（ｋＴ／ｑ）ｌn （ＩA ／ＩS ） ……（１） 但し、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑはキャリ
アの電荷である。
アの電荷である。
【０００６】次に図４に示す回路では、入力端に電源端
子２が接続された電流源７の出力端が、抵抗８の一端及
び、エミッタが電源端子１に接続され、ベースが抵抗８
の他端に接続されたトランジスタＱ6 のコレクタに接続
され、さらに抵抗８の他端は抵抗９を介して電源端子１
に接続され、トランジスタＱ6 のコレクタが出力端子３
に接続されている。
子２が接続された電流源７の出力端が、抵抗８の一端及
び、エミッタが電源端子１に接続され、ベースが抵抗８
の他端に接続されたトランジスタＱ6 のコレクタに接続
され、さらに抵抗８の他端は抵抗９を介して電源端子１
に接続され、トランジスタＱ6 のコレクタが出力端子３
に接続されている。
【０００７】ここで、抵抗８，９の抵抗値をそれぞれＲ
B ，ＲC とし、トランジスタＱ6 のベース・エミッタ間
電圧をＶBEとすると、出力端子３に生じる出力電圧Ｖ
out は、次のようになる。
B ，ＲC とし、トランジスタＱ6 のベース・エミッタ間
電圧をＶBEとすると、出力端子３に生じる出力電圧Ｖ
out は、次のようになる。
【０００８】 Ｖout ＝（１＋ＲB ／ＲC ）ＶBE …… （２）
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来の基準
電圧発生回路では、出力電圧Ｖout が温度Ｔの関数にな
っているため、温度変化によって出力電圧も変動し、安
定に動作しない、という問題があった。
電圧発生回路では、出力電圧Ｖout が温度Ｔの関数にな
っているため、温度変化によって出力電圧も変動し、安
定に動作しない、という問題があった。
【０００９】また図４に示す基準電圧発生回路では、出
力電圧Ｖout はトランジスタＱ6 のベース・エミッタ間
電圧ＶBEに依存しているが、ＶBEは約−２ｍＶ／℃の温
度特性を持つので、出力電圧も温度特性を持ち、安定な
動作が実現しにくいという問題があった。
力電圧Ｖout はトランジスタＱ6 のベース・エミッタ間
電圧ＶBEに依存しているが、ＶBEは約−２ｍＶ／℃の温
度特性を持つので、出力電圧も温度特性を持ち、安定な
動作が実現しにくいという問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、入力端
が第１の電源に接続され、出力端が抵抗の一端及び出力
端子に接続された、正の温度特性を持つ電流源と、カソ
ードが第２の電源に接続され、アノードが抵抗の他端に
接続された、負の温度特性を持つダイオードとを有する
基準電圧発生回路を得る。
が第１の電源に接続され、出力端が抵抗の一端及び出力
端子に接続された、正の温度特性を持つ電流源と、カソ
ードが第２の電源に接続され、アノードが抵抗の他端に
接続された、負の温度特性を持つダイオードとを有する
基準電圧発生回路を得る。
【００１１】
【実施例】次に図面を参照して本発明について説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例である基準電
圧発生回路の回路図である。
圧発生回路の回路図である。
【００１３】エミッタが電源端子２に接続されたＰＮＰ
トランジスタＱ1 のベース及びコレクタは共通にノード
Ｎ１に接続され、ＮＰＮトランジスタＱ2 のコレクタは
ノードＮ１に、ベースはノードＮ２に、エミッタは電源
端子１に接続され、ＮＰＮマルチエミッタトランジスタ
Ｑ4 のコレクタ及びベースは共通にノードＮ２に、複数
のエミッタは共通に接続されて抵抗４を介して電源端子
１に接続され、ＰＮＰトランジスタＱ3 のエミッタは電
源端子２に、ベースはノードＮ１に、コレクタはノード
Ｎ２に接続されている。そしてベースがノードＮ１に接
続されたＰＮＰトランジスタＱ5 のエミッタが電源端子
２に、コレクタが出力端子３に接続され、また出力端子
３は抵抗５を介して、カソードが電源端子１に接続され
たダイオード６のアノードに接続されている。
トランジスタＱ1 のベース及びコレクタは共通にノード
Ｎ１に接続され、ＮＰＮトランジスタＱ2 のコレクタは
ノードＮ１に、ベースはノードＮ２に、エミッタは電源
端子１に接続され、ＮＰＮマルチエミッタトランジスタ
Ｑ4 のコレクタ及びベースは共通にノードＮ２に、複数
のエミッタは共通に接続されて抵抗４を介して電源端子
１に接続され、ＰＮＰトランジスタＱ3 のエミッタは電
源端子２に、ベースはノードＮ１に、コレクタはノード
Ｎ２に接続されている。そしてベースがノードＮ１に接
続されたＰＮＰトランジスタＱ5 のエミッタが電源端子
２に、コレクタが出力端子３に接続され、また出力端子
３は抵抗５を介して、カソードが電源端子１に接続され
たダイオード６のアノードに接続されている。
【００１４】次に動作を説明する。トランジスタＱ4 の
エミッタ面積はトランジスタＱ2 のエミッタ面積のＮ倍
であるとし、また抵抗４の抵抗値をＲD 、各トランジス
タの、ベース・エミッタ接合部の飽和電流をＩS とす
る。また説明の簡単の為、すべてのトランジスタにつ
き、そのベース電流を無視する。このとき、トランジス
タＱ1 ，Ｑ3 ，Ｑ5 はカレントミラー構成になっている
ので、それぞれのコレクタ電流は等しく、これをＩ1 と
すると、ノードＮ２の電圧を考えて、次式が成り立つ。
エミッタ面積はトランジスタＱ2 のエミッタ面積のＮ倍
であるとし、また抵抗４の抵抗値をＲD 、各トランジス
タの、ベース・エミッタ接合部の飽和電流をＩS とす
る。また説明の簡単の為、すべてのトランジスタにつ
き、そのベース電流を無視する。このとき、トランジス
タＱ1 ，Ｑ3 ，Ｑ5 はカレントミラー構成になっている
ので、それぞれのコレクタ電流は等しく、これをＩ1 と
すると、ノードＮ２の電圧を考えて、次式が成り立つ。
【００１５】 （ｋＴ／ｑ）ｌn （Ｉ1 ／ＩS ）＝（ｋＴ／ｑ）ｌn （Ｉ1 ／ＮＩS ）＋ＲD Ｉ1 …… （３） 但し、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑはキャリ
アの電荷である。
アの電荷である。
【００１６】これよりＩ1 は次のようになる。
【００１７】 Ｉ1 ＝（ｋＴ／ｑＲD ）ｌn （Ｎ） …… （４） よって、抵抗５の抵抗値をＲE 、ダイオード６のアノー
ド・カソード間電圧をＶBE6 とすると、出力端子３に生
じる出力電圧Ｖout はＶout ＝ＲE Ｉ1 ＋ＶBE6 である
から、式（１）を用いて、次のように求められる。
ド・カソード間電圧をＶBE6 とすると、出力端子３に生
じる出力電圧Ｖout はＶout ＝ＲE Ｉ1 ＋ＶBE6 である
から、式（１）を用いて、次のように求められる。
【００１８】 Ｖout ＝（ｋＴＲE ／ｑＲD ）ｌn （Ｎ）＋ＶBE6 …… （５） 出力電圧Ｖout の温度依存性を考えるため、（５）式を
温度Ｔで微分すると、次のようになる。
温度Ｔで微分すると、次のようになる。
【００１９】
【数１】 ●Ｖout ／●Ｔ＝（ＲE ｋ／ＲD ｑ）ｌn （Ｎ）＋●ＶBE6 ／●Ｔ …（６） ここで、●ＶBE6 ／●Ｔ☆−２ｍＶ／℃及び、ｋ／ｑ☆
０．０８６ｍＶ／℃を代入すると、次式が得られる。
０．０８６ｍＶ／℃を代入すると、次式が得られる。
【００２０】 ●Ｖout ／●Ｔ☆（ＲE ／ＲD ）ｌn （Ｎ）・０．０８６−２ （ｍＶ／℃） …… （８） これより、出力電圧Ｖout が温度に依存しないために
は、出力電圧Ｖout の温度Ｔによる偏微分係数の値が
“０”となればよいから、式（８）より、（ＲE ／
ＲD ）ｌn （Ｎ）・０．０８２−２＝０となるように、
ＲE ，ＲD ，Ｎを選べばよい。例えばＮ＝２、ＲD ＝５
００Ω、ＲE ＝１６．８ｋΩとすれば、式（８）の右辺
はほぼ“０”となり、出力電圧Ｖout は、ほとんど温度
に依存しなくなる。
は、出力電圧Ｖout の温度Ｔによる偏微分係数の値が
“０”となればよいから、式（８）より、（ＲE ／
ＲD ）ｌn （Ｎ）・０．０８２−２＝０となるように、
ＲE ，ＲD ，Ｎを選べばよい。例えばＮ＝２、ＲD ＝５
００Ω、ＲE ＝１６．８ｋΩとすれば、式（８）の右辺
はほぼ“０”となり、出力電圧Ｖout は、ほとんど温度
に依存しなくなる。
【００２１】図２は本発明の第２の実施例である基準電
圧発生回路の回路図である。
圧発生回路の回路図である。
【００２２】エミッタが電源端子２に接続されたＰＮＰ
トランジスタＱ1 のベースはノードＮ３に、コレクタは
ノードＮ４に接続され、ＮＰＮトランジスタＱ2 のコレ
クタ及びベースはノードＮ４に、エミッタは電源端子１
に接続され、ＮＰＮマルチエミッタトランジスタＱ4 の
ベースはノードＮ４に、エミッタは抵抗４を介して電源
端子１に接続され、ＰＮＰトランジスタＱ3 のエミッタ
は電源端子２に、ベース及びコレクタはノードＮ３に接
続されている。そしてベースがノードＮ３に接続された
ＰＮＰトランジスタＱ5 のエミッタが電源端子２に、コ
レクタが出力端子３に接続され、また出力端子３は抵抗
５を介して、カソードが電源端子１に接続されたダイオ
ード６のアノードに接続されている。
トランジスタＱ1 のベースはノードＮ３に、コレクタは
ノードＮ４に接続され、ＮＰＮトランジスタＱ2 のコレ
クタ及びベースはノードＮ４に、エミッタは電源端子１
に接続され、ＮＰＮマルチエミッタトランジスタＱ4 の
ベースはノードＮ４に、エミッタは抵抗４を介して電源
端子１に接続され、ＰＮＰトランジスタＱ3 のエミッタ
は電源端子２に、ベース及びコレクタはノードＮ３に接
続されている。そしてベースがノードＮ３に接続された
ＰＮＰトランジスタＱ5 のエミッタが電源端子２に、コ
レクタが出力端子３に接続され、また出力端子３は抵抗
５を介して、カソードが電源端子１に接続されたダイオ
ード６のアノードに接続されている。
【００２３】動作については第１の実施例と同様であ
り、トランジスタＱ2 ，Ｑ4 のエミッタ面積比をＮ、抵
抗４，５の抵抗値をそれぞれＲD ，ＲE とすると、（Ｒ
E ／ＲD ）ｌn （Ｎ）・０．０８２−２＝０となるよう
にＮ，ＲD ，ＲE を選ぶことで、出力電圧Ｖout の温度
依存性を抑制することができる。
り、トランジスタＱ2 ，Ｑ4 のエミッタ面積比をＮ、抵
抗４，５の抵抗値をそれぞれＲD ，ＲE とすると、（Ｒ
E ／ＲD ）ｌn （Ｎ）・０．０８２−２＝０となるよう
にＮ，ＲD ，ＲE を選ぶことで、出力電圧Ｖout の温度
依存性を抑制することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基準電圧
発生回路では、ＰＮ接合の順方向電圧が負の温度特性を
持つダイオードと、その温度特性を打ち消す温度特性を
持つように設計された電流源のトランジスタとを、抵抗
を介して接続しているので、温度特性がほとんどない、
安定な定電圧を供給することができる。
発生回路では、ＰＮ接合の順方向電圧が負の温度特性を
持つダイオードと、その温度特性を打ち消す温度特性を
持つように設計された電流源のトランジスタとを、抵抗
を介して接続しているので、温度特性がほとんどない、
安定な定電圧を供給することができる。
【図１】本発明の第１の実施例である基準電圧発生回路
の回路図
の回路図
【図２】本発明の第２の実施例である基準電圧発生回路
の回路図
の回路図
【図３】従来の技術の第１の例である基準電圧発生回路
の回路図
の回路図
【図４】従来の技術の第２の例である基準電圧発生回路
の回路図
の回路図
１ 電源端子 ２ 電源端子 ３ 出力端子 ４，５ 抵抗 ６ ダイオード ７ 電流源 ８，９ 抵抗 Ｑ1 ，Ｑ3 ，Ｑ5 ＰＮＰトランジスタ Ｑ2 ，Ｑ4 ，Ｑ6 ＮＰＮトランジスタ Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４ ノード
Claims (3)
- 【請求項１】 入力端が第１の電源に接続され、出力端
が抵抗の一端及び出力端子に接続された、正の温度特性
を持つ電流源と、カソードが第２の電源に接続され、ア
ノードが前記抵抗の他端に接続された、負の温度特性を
持つダイオードとを有することを特徴とする基準電圧発
生回路。 - 【請求項２】 前記電流源は、エミッタが第１の電源に
接続され、ベース及びコレクタが共通に第１の接続点に
接続された第１の一導電型トランジスタと、コレクタが
第１の接続点に接続され、ベースが第２の接続点に接続
され、エミッタが第２の電源に接続された第１の他導電
型トランジスタと、エミッタが、他端が第２の電源に接
続された抵抗の一端に接続され、ベースとコレクタが共
通に第２の接続点に接続された第２の他導電型トランジ
スタと、コレクタが第２の接続点に接続され、エミッタ
が第１の電源に接続され、ベースが第１の接続点に接続
された第２の一導電型トランジスタと、ベースが前記第
１の接続点に接続された第３の一導電型トランジスタと
を有することを特徴とする請求項１記載の基準電圧発生
回路。 - 【請求項３】 前記電流源は、エミッタが第１の電源に
接続され、ベース及びコレクタが共通に第１の接続点に
接続された第１の一導電型トランジスタと、コレクタが
第１の接続点に接続され、ベースが第２の接続点に接続
され、エミッタが、他端が第２の電源に接続された抵抗
の一端に接続された第１の他導電型トランジスタと、エ
ミッタが、他端が第２の電源に接続され、ベースとコレ
クタが共通に第２の接続点に接続された第２の他導電型
トランジスタと、コレクタが第２の接続点に接続され、
エミッタが第１の電源に接続され、ベースが第１の接続
点に接続された第２の一導電型トランジスタと、ベース
が前記第１の接続点に接続された第３の一導電型トラン
ジスタとを有することを特徴とする請求項１記載の基準
電圧発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107156A JPH0675650A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107156A JPH0675650A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675650A true JPH0675650A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=14451927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4107156A Pending JPH0675650A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070856A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-27 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその電圧発生器 |
| JP2008276223A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその駆動方法 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107156A patent/JPH0675650A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070856A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-27 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその電圧発生器 |
| JP2008276223A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその駆動方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990622 |