TW200818094A - Plasma display and voltage generator thereof - Google Patents

Description

200818094 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本^明關於電漿顯示器及其電壓產生器。 【先前技術】 包水顯不裔包含電漿顯示面板（Plasma Display Pane卜 =DP)，其係利用由氣體放電過程產生的電漿來顯示字體或 影像。視尺寸而定，PDP包含超過多個至數百萬個像素排 列於陣列圖形中。

θ電漿顯示器的-個畫面可分割為多個具有比重值的子 :場。各個子圖場可包含：重定期、定址期與維持期。重 定：：使每一個放電單元初始化以促使定址動作操作於該 放電早凡。該定址期可選擇開啟或關閉 被關)。該維持其可使經定址的單元持續放電(以:::: 是使單元維持不動作。 —卸一飞 電極的 ^ Vnf 定址電 電壓的 由於在 因此可 低放電 激發。 :定期期間’為了始放電單元的狀態初始化，掃描 電屋會被逐漸增加i Vset電壓’且可能逐漸被降低 電壓。在定址期間’可在開啟的放電單元的掃描與 極各應用具有掃描電壓VseL的掃描脈衝與具有V 定址脈衝。-般來說，V-電壓與vnf電壓可相同。a vnf等於vseL時，可能不會適當地產生定址放電， 能產生低放電。此外’提高定址電壓的位階以避免 ’定址放電可㉟會產生於關閉的放電單元而造成誤 僅為了加強對於本發 以上所接露為背景部份的資訊， 5 200818094 明为景的了解，田a社 口此其可能包含不形成熟悉本技藝者於本 國已了解的先前技術的資訊。 【發明内容】 所“月因而係針對電漿顯示器與其電壓產生器，其實 貝上解决-或多個由相關技術的限制或缺點所造成的問 題。 口此本叙明貫施例的特徵為提供防止低放電的電漿顯 示器。 因此本發明實施例的另一種特徵為提供電壓產生器， 減少電漿顯示器中的多個電源以防止低放電。 本备明的上i至少-種特徵及其他特冑與優點可藉由 提供包含下列元件的電漿顯示器而實現：掃描電極、電源、 第-電晶體、第一電阻與第二電阻。該電源可將掃描電壓 :應至該掃描電極1第—電晶體可具有電性輕接至該掃 “电極的第-電極以及電性輕接至該電源的第二電極。該 弟-電阻可電性搞接於該掃描電極與該第一電晶體的控制 電極間。該第二電阻可電性輕接於該電晶體的控制電極與 該電源間。於此處，位該第一電晶體的第一電極的電壓可 $鬲於該掃描電壓的第一電壓，且該第一電壓為重定期間 最後施加至該掃描電極的最後電壓。 此外，該電漿顯示器可進一步包含第二電晶體，其係 電性耦接於第一電晶體的第二電極與電源間。該第二^曰、 豆；此處係作為斜波開關，且當第二電晶體開啟時，加於 該掃描電極的電壓在重定期可漸減至高於該掃描^壓的°第 6 200818094 一電壓。 5亥電漿顯示器可進一步包含第三電晶體，其係電性耦 接於該掃描電極與該電源間，且當該第三電晶體開啟時， 該掃描電壓可施加至該掃描電極。 此外，第一及第二電阻中的至少一者可為可變電阻， 如可為隨溫度變化的可變電阻。 根據本發明實施例的一種示範電壓產生器可自電源接 收第一電壓，並可產生高於第一電壓的第二電壓。該示範 電壓產生器可包含：電晶體、第一電阻與第二電阻。該電 晶體可具有電性耗接至電源的第一電極。該第一電阻可電 性耦接於該電晶體的第一電極與該電晶體的控制電極間。 忒第一笔阻可電性麵接於該電晶體的控制電極與該電晶體 的第二電極間。該第二電壓可產生於該第一電晶體的第二 電極。 此外，第一及第二電阻中的至少一者可為可變電阻， 如可為隨溫度變化的可變電阻。 該第一電壓可為掃描電壓，其係施加至電漿顯示器的 掃描電極，且該第二電壓可為最後電壓，其係於重定期最 後施加於該電漿顯示器。 【實施方式】 現參考繪示本發明示範實施例之附圖在下文將更完整 描述本發明。藉由參考附圖詳述本發明的示範實施例，熟 悉本技藝人士將可對本發明的上述及其他特徵與優點更清 楚了解。然而，本發明可以多種不同形式實行而不應視^ 7 200818094 又限於本文中採用的實施例。更確切地說，本文中的實施 例用於使揭示徹底與完整，並將對熟悉本技藝者完整傳 本發明。 本發明中相同的元件符號代表相同元件。 本說明書及其後的申請專利範圍中，當描述一元件「耦 接二至另一元彳，該元件彳「直接耦接」1其他元件或透 過第一兀4牛「電性耦接」至其他元件。此外，除非明確的 相反描述’ 「包含」_詞可理解為意謂包括所描述的元件 而非不包括所有其他元件。 ^此外，下文描述的壁電荷係指形成並累積至靠近放電 單兀的電極的壁上（如介電層）#電荷。雖然該壁電荷並 未實際接觸該電極’壁電荷可描述為「形成」《「累積」 於电極上。再者，壁電壓係指由壁電荷於該放電單元壁上 所形成的電位差。 當本說明書敘述電壓維持時，並非嚴格表示該電壓確 切維持在-預定電壓。相反的，即使兩點間的壓差改變， 右孩改、交在设計限制的許可範圍内或該改變是由常被熟悉 此技藝人士忽略的附加元件所造成的，則該壓差表示為維 持於預定電壓。此外，由於電晶體與二極體等半導體元件 的臨界電壓相較於放電電壓係相當低，將其視為qv。 根據本發明示範實施例的電漿顯示器、驅動方法及其 笔壓產生态現將參照附圖描述於下文。 圖1所示係根據本發明示範實施例的電漿顯示器的組 態示意圖。 8 200818094 如圖1中所示，該電聚顯示器可包含：電聚顯示面板 (PDP) 100、控制器200、定址電極驅動器3〇〇、掃描電 極驅動器400與維持電極驅動器500。 私

PDP⑽可包含數個定址電極A1^Am，其係延伸於 仃方向，ϋ包括數個成對的延伸於列方向的維持電極幻 至Xn及掃描電極Y1至Yn。該維持電極χι至可各自 對應於掃描電極Y1至Υη形成，且維持電極幻至以尾 端係共同連結。此外，肖PDP⑽可包含第—基板（未顯 示於圖中），其具有該等維持與掃描電極乂1至乂11與" 至Yn’並具有第二基板（未顯示於圖中），#具有定址電 極Α1至Am。此等兩個基板可相對排列，其間有放電空間 以使掃描電極Y1至Yn與維持電極χι至χη可跨越定址 電極Ai i Am。此處’於定址電極與又和γ電極的跨越 區域所提供的放電空間可形成放電單元。該清1〇〇僅為 範例，本發明實施例可使用於其他組態的pDp。 該控制器2GG可接收外部影像訊號，並可輸出定址驅 動控制信號、維持電極驅動控制信號與掃描電極驅動控制 信號。此外’該控制器200可將晝面分為數個子圖場。每 個子圖場可依序具有重定期、定址期與維持期。 定址電極驅動器300由控制器2〇〇接收定址驅動控制 信號後’可選定放電單元的顯示資料信號施加至相應的定 址電極Al 1 Am顯示。該維持電極驅動_ 5〇〇可自控制 器200接收掃描電極驅動控制信號，並可施加驅動電壓至 維持電極XI至Xn。該掃描電極驅動器彻可自控制器· 9 200818094 斤欠掃标包極驅動控制信號，並可將該驅動電壓施加至該 等掃描電極Y1至Yn。 根據本發明示範實施例的電漿顯示器驅動波形將參考 圖2描述。 、/圖2所示係根據本發明示範實施例的電漿顯示器驅動 \「圖〃為方便描述，將描述施加至掃描電極（之後描述 為Υ電極」）、維持電極（之後描述為「X電極」）與

定址電極（之後描述為「A t極」）的驅動波形，此三種 電極形成一單元。 定址期與維持 如圖2所示，子圖場可包含：重定期 〃月而σ亥重疋期可包含上升期與下降期。 重定期的上升期間’Α與X電極可維持於預定電壓（圖 為V) Y電極的電壓可從vs電壓漸增為Vset電壓。 =中’ΥΊ極的電壓以斜波式上升。當Y電極的電壓增 ^ ’ Y與X電極間及μα電極間可能產生弱放電。因 ，（一）壁電荷可形成於Υ電極上，而（+ )壁電荷可 形成於X與Α電極上。咨γ 田Y電極的電壓如圖2漸漸變化， 發生於放電單元中的弓 盥 弱放電可產生壁電荷，使得外加電壓 ，、土電何的總和可維姓 了、准持於放電激發電壓（discharge firing votage)。此形成劈帝今 5 74, n8, D,攻土书何的過程已揭示於美國專利第 ，，〇86 5虎予Weber。由於每個單 化，L電壓要夠高以、…母：早^在重定期被初始 外，維持期間施加二=:情況的單元中的放電。此 壓可小於激…χ電極;=壓等於、電壓且該Vs電 ，、X電極間放電的電壓。 10 200818094 在重定區的下卩备i 降至負電严 功間，丫電極的電壓可自vs電壓逐漸 ^ nf，而A電極可維持於參考電壓，而X電極 則加Ve電壓的偏备

田γ電極的電壓降低時，γ電極與X 電極間以及γ雷 r 、 木/、A電極間可能發生弱放電。因此，負 2電何可形成於 γ

^ L H Y電極上，而形成於X電極與A 電極上的正Γ +、啟# ^ ^ ^ ^ ) 土電何可能被排除。一般來說，Vnf電壓 L X定為接近γ電極與χ電極間的放電激發電壓。接著， 〜私木/、X電極間的壁電壓可到達〇v，因此可防止未於 2』間、、、二歷定址放電的放電單元在維持期被誤激發（γ 私極铃X電極間誤激發）。I Α電極維持於參考電壓時， Y電極與A電極間的壁電壓可取決於Vnf電壓。 ^接著在定址期期間，γ電極上會施加負電壓掃描 脈衝，而A電極上會施加正電壓、定址脈衝以選定開啟 的放電單元，而X電極則維持於Ve電壓。未選定的γ電 極可偏壓於電壓VseH，VseH係高於電壓VseL，而參考電壓 係施加至關閉的單元（即要被關閉的單元）的A電極。選 定的Y電極可接收，VseL電壓，而選定的A電極可接收^ 電壓’因此選定放電單元產生定址放電。因此（+ )壁電 街了形成於選定γ電極上，而（_)壁電荷可形成於選定 放笔單元的A及X電極上。對於此操作，掃描電極驅動哭 40〇可自掃描電極Y1至Yn中選擇γ電極接收掃描電極V 的掃描脈衝。舉例來說，單一驅動方法中，γ電極的選擇 可能根據掃描電極Υ1至Υη在垂直方向中的排列順序。舍 選定Υ電極，定址電極驅動器300可自形成於選定γ電極 11 200818094 上的單元中選擇開啟的單元。也就是說，該定址電極驅動 為3〇〇可自定址電極A1至Am中選擇施加電壓I的定址 脈衝之A電極。 進一步的細節中’當VscL電壓的掃描脈衝施加至第— 列的掃描電極（圖i中的Y1)，、電壓的定址脈衝可施 加至位於第一列開啟放電單元的A電極。接著，第一列的 Y電極與接收Va電壓的A電極間可產生放電。因此，（+ ) 壁Z荷可形成於Y電極上，而（_)壁電荷可形成於八與 X電極上。因此，壁電壓Vwxy可形成於γ與χ電極間， 使得Υ電極的電位高於χ電極的電位。接著，當vseL電壓 的掃描脈衝施加至第二列的γ電極（圖i中的γ2 )時，Va 屯壓的定址脈衝可施加至位於第二列開啟放電單元上的A 電極。接著，定址放電可產生於放電單元中，該放電單元 係由接收Va電壓的A電極與第二列的γ電極形成，且該 壁電荷可如前述形成於放電單元中。類似地，當Vsa電壓 的掃榣脈衝接著施加至其他列的γ電極時，\電壓的定址 衝了 ％加至位於開啟放電單元上的A電極以形成壁電 荷。 根據本發明示範實施例的掃描電壓VseL可比vnf電壓 低Δ V包壓’該Vnf電壓是重定期中最後施加至Y電極的 :壓。此處’現將描述為何當施加va電壓以及施加低於Vnf 包壓的掃描電壓vseL時，放電單元可產生定址放電的解釋 以及為何防止低放電。 重定期間’當最後電壓Vnf施加到Y電極時，A與γ 12 200818094 電極間的壁電壓以及A與Y電極間外加電壓Vnf的總和可 設定為A與Y電極間之放電激發電壓Vfay。 在定址期間，當施加掃描電壓Vscl至γ電極並施加〇V 至A電極時，由於A與γ電極間形成高於v…電壓的電 壓，可產生放電。然而於前述狀況中，由於放電延遲可能 比掃描與定址脈衝的寬度來得長，可能不會產生放電。 相反的，g知加Va電壓至Α電極而施加掃描電壓vscL 至Y電極時，A與γ電極間會形成高於Vf^電壓的電壓， 放電延遲可能會縮短至比掃描與定址脈衝的寬度短，可能 產生放電。一般來說，將等於Vnf電壓的掃描電壓施加至 Y電極時，由於A與Y電極間會形成高於Vfay電壓的電壓， 可能產生放電。然而，如本發明示範實施例中，當比v【 電壓低AV電壓的VseL電壓施加至γ電極時，A與γ電極 間的電壓進一步增加，而放電延遲進一步減少，因此，可 能適當地產生放電。因此可避免低定址放電。 在維持期間，Υ電極與X電極可施加反向的維持脈衝 (如高階電壓Vs與低階電壓ον)。接著在定址期間於選 定的放電單元中可產生維持放電。維持脈衝的數量於此= 對應於相應子圖場的比重值。 μ 一般來說，為提供兩種不同的電壓（即重定期的最後 電壓vnf電壓與定址期的掃描電壓電壓），通常需要 兩種分開的電源（即產生Vnf電壓的電源與產生V :田 s c L電壓 的電源）。以下將描述利用單一電源來產生兩種電壓 描電極驅動器400。 ' $ 13 200818094 圖3所示係代表根據本發明示範實施例的掃描電極驅 動器400 。 如圖3中所示，掃描電極驅動器4〇〇可包含··數個掃 描積體電路（integrated circuit，1C ) 410、Δν電壓產生器 420、電晶體Yfr與Yscl、及其他Υ電極驅動電路430。圖 3中，所示各電晶體為n通道場效電晶體（特別是^通道 金氧半導體（n-channel metal oxide semiconduct〇r，NM〇s ) 電晶體），而主體二極體以源極至汲極的方向形成於各電 晶體中。其他有相似功能的電晶體可用以取代NMOS電晶 體。此外，雖圖3中所示各電晶體為單一電晶體，本發明 亚不限於此，例如各電晶體可由數個並聯耦接的電晶體組 成。 該等數個掃描1C 410可各包含：電晶體γΗ、電晶體 yl、終鳊Ta與共用終端Tb。電晶體Yh的汲極可耦接至 ^ a而電日日體Yl的源極可輕接至終端Tb。電晶體γΗ 的源極可耦接至電晶體Yl的汲極，而電晶體與Yl的1 即點可耦接至掃描電極γι至γη中的其中一者。藉由電源 Vsch可將電壓VseH施加至終端。 電晶體Yscl的汲極可耦接至掃描1C 410的終端Tb， 且其源極可耦接至供應入仏電壓的電源'a。電壓產 生為420可輕接於終端Tb與電晶體Yfr的汲極之間，且該 電晶體Yfr的源極可耦接至供應電壓的電源。此 處，電晶體Yfr係可作為斜波開關，將其開啟可供應Υ電 極預定電流，且可將Y電極的電壓漸減。熟習本技藝者皆 14 200818094 知道用於供應Y電極預定電流的方法，其係透過電晶體 並逐漸減少γ電極的電壓，因此其細節將省略。該Δν電 壓產生器420可產生如圖2中所示電壓VnrVscL)， 而無額外提供其他的電源。下面將參考圖4至圖7描述Δν 電壓產生器420的各種不同組態。

C, 其他Υ電極驅動電路430可耦接至終端Tb與γ電極， 且可產生各種施加至γ電極的驅動波形（如重定期的上升 波形及維持脈衝）。其它γ電極驅動電路43〇的組態並不 直接與本發明的示範實施例相關，因此將省略其描述。 重定期的下降期間，該電晶體Yfr與數個掃描ι〇 41〇 中的各電晶體YL可被開啟，而γ電極的電壓可被Δν電壓 產生器420漸減至電壓Vnf (即VseL + Av)。當電晶體丫卜 開啟時，γ電極的電壓可漸減至VseL電壓，但加上由 電壓產生器420產生的電壓時，於選定γ電極的電壓 可減至電壓Vnf ( VseL + AV )。 疋址期間电晶體Ysci可被開啟。對應於選定的掃描電 極，掃描IC巾電晶體Yl可被開啟，而掃描電壓u可被 施加至相應的敎Y電極。對應於未選定的掃描電極，掃 描1C中電晶體γΗ可被開啟，巾電壓可被施加至對應 的未被選定的γ電極。 …以下將參考圖4至圖7詳述用以產生壓差的Λν 书壓產生器420的各種組態的進一步細節。 圖4所示係根據本發明第一 私π乐不乾實施例的Δν電壓產 生為420a的示意圖〇 △▽電壓產峰哭 座生420a可包含電晶體Q1 15 200818094 晶體Q1可為雙載子電晶體（bipolar 與電阻R1及R2。此處電 transistor) 〇 電晶體Q1的集極可福接至數個掃描1C 410的终端 几’而其射極可耦接至電晶體4的汲極。電阻的一端 可耦接至電晶體Q1的集極（即終端Tb)，而電晶體W 的另一端可㈣至電晶體Q1的基極。電阻们的―端可輛 接至電日日日體Q1的基極，而電阻R2的另—端可㈣至電晶

體Q1的射極。此外，電阻R1與R2可相互耗接，且其節 點可耦接至電晶體Q1的基極。 當電流10低時，電晶體Q1會關閉，而電流1〇會流向 電阻R1與R2。然而，當電流1〇流量足以開啟電晶體Q卜 則電流Ιο會流向電阻R1與R2及電晶體Q1。此種狀況中， 電晶體Q1的集極-射極電壓VCE會如方程式i。 VcE^I^Rl+n^Rl ( 1 ) 方私式1中，忽略電晶體Q丨的基極電流時，電流Η 可給定為1142。而電流12可給定為I2=Vbe/R2。因此， 電晶體Q1的集極-射極電壓VCE可如方程式2。 Vce=(1+R1/R2)* Vbe ( 2) 此處，電晶體Q1的集極-射極電壓VCE為由Δν電壓 產生器420a所產生的Δν電壓。參考方程式2，當電阻R1 與R2的尺寸比例經過調整之後，電晶體qi的集極_射極 % ( VCE-Δν )可没立為正比於電晶體qi的基極·射極電 壓 Vbe 的期望值（desired value ) 〇 也就是說’方程式2中所給定的電壓a v可能由根據 16 200818094 本發明第一示範實施例的Δν電壓產生器42〇a所產生，而 △v的值可藉由電晶體Q1的基極_射極電壓I以及電阻以 與R2的尺寸來決定。當電晶體Q1的基極-射極電壓Vbe 根據電晶體Q1的特性而定為預設值，所期望的可由變 化電阻RWR2的值而得。特別地是，根據本發明第一示 範實施例的Δν f壓產生器可改變電阻Ri與R2的值，使 AV設為多種不同的值。

此外，如圖5A、5B與5C中所示，電阻mR2可 使用可變電阻而非使用固定電阻。也就是可變電阻可用作 為R1及/或R2。當可變電阻作為R1與R2時，^的值可 於經過設計後藉由調整可變電阻而改變。因此可進一步改 善低放電。 此外，電阻R1及R2可使用根據溫度而變化的可變電 阻。即電阻R1及R2可設為具有正溫度係數（p〇sitive temperature coefficient，PTC )(即電阻會隨著溫度增加 而增加的特性），或其可設為具有負溫度係數 temperature coefficient，NTC )(即電阻會隨著溫度增加 而減低的特性）。當溫度降低時，放電單元中的壁電荷並 不會主動改變，且低定址放電會衰減。此狀況中，當電阻 R1設為具有NTC而電阻尺2設為具有pTC，則當溫度降低 時，Δν的值可藉方程式2進一步的增加。因此，可解決 低溫的低定址放電的問題。其他狀況中，由溫度造成的問 題可藉由適當的設定電阻R1與R2而解決，其中電阻Μ 與R2根據溫度而變化。 17 200818094 根據本發明第一示範實施例，電晶體Qi已描述過為 又載子電日日體，但本發明並不限於此。舉例來說，現將描 述可使用金氧半導體場效電晶體（metal-〇xide semiconductor field effect transistor，MOSFET)或絕緣閘 又極 i± 私日日體(lnsulated gate bipolar transist〇r，igbt)。 圖6所不為根據本發明第二示範實施例的電壓產 生裔420b示意圖。如圖6所示，根據本發明第二示範實 施例的ΔV電壓產生器42〇b與根據本發明第一示範實施例 的Δν電壓產生裔除了雙載子電晶體qi被取代為m〇sfet 電曰曰體Μ1之外，兩者相同，因此，將忽略已敘述過之部 分的描述。 由於根據本發明第二示範實施例的電壓產生器 420b使用電晶體M1，而Δν電壓即為電晶體μι的汲極_ 源極電壓VDS，如方程式3所給定。

Vds = (1+R1/R2)*Vgs ( 3) 方程式3中’ Vgs為電晶體Ml的閘極-源極電壓。如 方程式3中所示，當使用電晶體mi時，方程式2中電晶 體Q1的基極•射極電壓VBE可被電晶體Ml的閘極-源極電 壓VGS取代。 如前述根據本發明第二示範實施例的Δν電壓產生器 420b中’ Δν的值可如方程式3中所示，由電晶體mi的 問極-源極電壓（Vgs )與電阻R丨與r2的值所決定。 此外’根據本發明第二示範實施例的電壓產生器 420b中’電阻R1與R2如前述可為可變電阻或可為根據 18 200818094 溫度而改變的電阻。 圖7所不為根據本發明第三示範實施例的電壓產 生器420c的示意圖。如圖7中所示，根據本發明第三示範 貝施例的Δν電壓產生器42〇c與根據本發明示範實施例的 △V電壓產生器除了雙載子電晶體Q1被取代為IGBT電晶 體Z1之外相同，因此，將忽略已敘述過之部分的描述。 由於根據本發明第三示範實施例的Δν電壓產生器 420c使用IGBT電晶體Z1，而Δν電壓即為電晶體ζι的 集極-射極電壓VC£，如方程式4所給定。 Vce=(1+R1/R2)*Vge ( 4) 矛气 中 Vge為電晶體Z1的閘極-射極電壓。如 方程式4中所示，當電晶體Z1為IGBT時，方程式2中雙 載子電晶體Q1的基極-射極電壓Vbe可被電晶體ζι的閘 極-射極電壓VGE取代。 如前述根據本發明第三示範實施例的Δν電壓產生器 42〇C中，AV的值可由電晶體Ζ1的閘極-射極電壓（Vge) 與電阻R1與R2的值所決定。 此外，根據本發明第三示範實施例的Δν電壓產生器 420c中，電阻R1與R2如前述可為可變或可為根據溫度而 改變的電阻。 因此，由於固定電壓Δν電壓可利用根據本發明第一 到第三示範實施例的Δν電壓產生器42〇a、42〇b及42k 中任一者而產生，電壓可利用單一電源VscL而產生。 也就是利用根據本發明第一到第三示範實施例的Δν電壓 19 200818094 產生器42〇a、420b、420c與單一電源可供應具有不 同位階的vnf電壓與vse]L電壓。 一般說來，電晶體Q1的基極_射極電壓Vm、電晶體 Mi的閘極-源極電壓Vgs與電晶體Z1的閘極_射極電壓ν〇Ε 可展現NTC特性。即當溫度增加時，v郎、Vgs與ν〇Ε的 值會降低。參考方程式2、3與4, Δν的值會隨溫度增加 而降低。高溫時，由於放電單元中的壁電荷會主動移動， △V的值可能必須要低以避免低放電。因此，因為當溫度 升同％使用根據本發明第一到第三示範實施例的電壓 產生器，AV降低，則可進一步改進高溫時的低放電。此 外，由於當溫度減低時，vBE、Vgs與Vge的值可進一步增 加，AV的值可進一步增加。因此可避免低溫造成的低放 電。 根據本發明示範貫施例’利用單一電源可產生重定期 的最後電壓與掃描電壓。此外，單靠改變電阻R1與R2可 有不同的AV值。這些電阻可為可變或可隨溫度改變。近 一步可有效防止低定址放電。 本發明示範實施例已揭示於此，雖然採用特定用詞， 但僅應以一般性與描述性的意義來解釋而非用來加以限 制。因此熟習本技藝人士應了解在不偏離本發明如下面的 申請專利範圍所提出的精神與範疇之下可作各種形式與細 節上的變化。 【圖式簡單說明】 圖1所示係根據本發明示範實施例的電漿顯示器的組 20 200818094 態示意圖 的驅 圖2所不係根據本發明示範實施例的電漿顯 動波形。 、吻 圖3所示係根據本發 的示意圖 明示範實施例的掃描電極驅動 器 圖4所不係根據本發明第一示範實施例❸ 生器的示意圖。 產 壓產 圖5A、化與5C所示分別為具可變電阻的Δν電 生器的不同組態。 圖6所示係根據本發明第二示範實施例& Δν電麗產 生器的示意圖。 圖7所不係根據本發明第三示範實施例的電壓產 生器的示意圖。 明 主要元件符號說 100 電聚顯不面板（Plasma display pane卜PDP 200 控制器 300 定址電極驅動器 400 掃描電極驅動器 410 掃描積體電路 420、420a、420b、420r Λ ^ 0 ΙΌΌ 42Uc Δν電壓產生器 430 其他Υ電極驅動電路 500 維持電極驅動器 A、Α1〜Am 定址電極 ^LL、Ic 電流 21 200818094 、Qi 電晶體 R!、R2 電阻 Ta、Tb 終端 VBE 基極-射極電壓 V c E 集極-射極電壓 VDS 汲極-源極電壓 VGs 閘極-源極電壓 va、ve、Vnf、Vs、Vset、VscH、Vsc[、Δν 電壓 X、 XI〜Xn 維持電極 Y、 Y1〜Yn 掃描電極

Yfr、ΥΗ、YL、Yscl、Ζι 電晶體 22

Claims (1)

1. 200818094 十、申請專利範面： 1 · 一種電漿顯示器，其包括： 掃描電極； 電源， 第一電 一電極 該第 電源 :係用以供應掃描電壓至掃描電極； 曰曰體八具有第—電極、第二電極與控制電極， 電性輕接至掃描電極，而第二電極電性麵接至 第一電阻 的控制電極間 第二電阻 與該電源間。 其係電性#接於該掃描電極與第-電晶體 其係電性耦接於該第一電晶體的控制電極 2.如申請專利_ i項的電漿顯示器，其中該第一 日日體的弟一電極的電遷為高於掃描電壓的第一電壓。 =申請專利範圍…的電聚顯示器，其中該第一 d為重定期間施加至掃描電極的最後電壓。 人4·如申請專利_ 1項的電聚顯示器，其進一步包 電晶體’其係電性搞接於第-電晶體的第二電極與 電源間。 中曰t如中請專利範圍帛4項的電漿顯示器，其中該第二 二?：為斜坡開關，於重定期間當第二電晶體開啟 T㈣田電極的電壓會漸減至高於掃描電壓的第一電壓。 人—6.如申請專利範圍帛5項的電漿顯示器，其進一步包 晶體’其係電性輕接於掃描電極與電源間，其中 電晶體開啟時，掃描電壓會施加至掃描電極。 23 200818094 7·如申請專利範圍第1項的電漿顯示器，其中該第— 與第二電阻中至少一者為可變電阻。 8 ·如申請專利範圍第1項的電漿顯示器，其中該第_ 與第二電阻中至少一者為隨溫度改變的可變電阻。 9·如申請專利範圍第！項的電漿顯示器，其中該第— 笔日日體為雙載子電晶體（bip〇iar transistor ) 〇 10·如申請專利範圍第1項的電漿顯示器，其中該第— 笔日日體為金氧半導體（metal oxide semiconductor，M〇S ) % 效電日日體（field effect transistor ) 〇 11 ·如申請專利範圍第1項的電漿顯示器，其中該第_ 電晶體為絕緣閘雙極性電晶體（insulated gate Μρ〇1μ transistor) 〇 12·—種電壓產生器，其係用以接收來自電源的第一電 壓，其中該電源供應第一電壓，且該電壓產生器用以產生 高於第一電壓的第二電壓，該電壓產生器包含： ^ 電晶體’其係具有電性耦接至電源的第一電極； 第一電阻’其係電性耦接於該電晶體的第一電極與該 電晶體的控制電極間； 第一電阻，其係電性耦接於該電晶體的控制電極與該 電晶體的第二電極間， 其中該第二電壓係產生於該電晶體的第二電極。 13.如申睛專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一電阻與第二電阻中至少一者為可變電阻。 14·如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 24 200818094 一電壓與第二電壓係用以驅動電漿顯示器。 15. 如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一電壓為施加至電漿顯示器掃描電極的掃描電壓，而該第 二電壓為於電漿顯示器重定期間施加的最後電壓。 16. 如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一電晶體為雙載子電晶體。 17. 如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一電晶體為金氧半導體（MOS )場效電晶體。 18. 如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一電晶體為絕緣閘雙極性電晶體。 19. 如申請專利範圍第12項的電壓產生器，其中該第 一與第二電阻中至少一者為隨溫度改變的可變電阻。 十一、圖式： 如次頁 25