CN100563014C - 显示基板、显示器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明包括一种柔性显示基板，其包括：在该柔性显示基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极，绝缘该栅极的栅绝缘层，在该栅绝缘层上的沟道层，与该沟道层连接的源极，和与该沟道层连接的漏极；在薄膜晶体管下面的第一应力吸收层；在第一应力吸收层上的第一保护层；在该薄膜晶体管上的第二应力吸收层；在该第二应力吸收层上的第二保护层；以及在第二应力保护层上的像素电极，该像素电极与漏极连接。
Description
本申请要求享有2007年2月5日提交的韩国专利申请No.10-2007-0011566的权益，在此引入其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示基板、显示器件及其制造方法，以及更尤其涉及可防止驱动器件裂化和破坏的显示基板和由基板挠曲引起的像素电极，以及其制造方法。
背景技术
近来，用于处理大量数据的信息处理器件和用于显示由信息处理器件处理的数据的显示器件也在发展中。另外，可折叠或弯曲的柔性显示器件也处于发展中。
为了实现可以折叠或弯曲的柔性显示器件，在其上设置驱动器件和显示图像的像素的基板可折叠或弯曲。为此，柔性显示器件主要包括甚薄基板或柔性合成树脂基板。
然而，当柔性显示基板的基板弯曲或折叠时，过量的应力施加到在基板上设置的器件或像素上。特别地，驱动器件诸如薄膜晶体管(TFT)或包括固体无机层的像素，由于过量的应力产生对驱动器件或像素的破坏。
发明内容
因此，本发明涉及一种显示器件及其制造方法，其基本消除了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题。
本发明的优点在于防止了设置在柔性基板上的驱动器件或像素的损坏。
本发明的其它特点和优点将在以下的说明书中阐明，并且部分将从说明书是显而易见的，或可以通过本发明的实施方式理解。本发明的目的和其它优点将通过书写说明书和权利要求书以及附图所指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，具体并宽泛地描述，柔性显示基板包括：在该柔性显示基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极，绝缘该栅极的栅绝缘层，在该栅绝缘层上的沟道层，与该沟道层连接的源极，和与该沟道层连接的漏极；在薄膜晶体管下面的第一应力吸收层；在第一应力吸收层上的第一保护层；在该薄膜晶体管上的第二应力吸收层；在该第二应力吸收层上的第二保护层；以及在第二应力保护层上的像素电极，该像素电极与漏极连接。
在本发明的另一方案中，一种制造柔性显示基板的方法包括：在柔性显示基板上形成第一应力吸收层；在第一应力吸收层上形成第一保护层；在第一保护层上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，绝缘该栅极的栅绝缘层，在该栅绝缘层上的沟道层，与该沟道层连接的源极，和与该沟道层连接的漏极；在薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；在第二应力吸收层上形成第二保护层；以及在第二保护层上形成像素电极，该像素电极与漏极连接。
在本发明的又一方案中，一种制造电泳墨(electrophoretic ink)柔性显示器件的方法包括：在柔性基板上形成第一应力吸收层；在第一应力吸收层上形成第一保护层；在该第一保护层上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，绝缘该栅极的栅绝缘层，在该栅绝缘层上的沟道层，与该沟道层连接的源极，和与该沟道层连接的漏极；在薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；在第二应力吸收层上形成第二保护层；在第二保护层上形成像素电极，该像素电极与漏极连接；以及在柔性基板上形成电泳墨薄膜。
在本发明的另一方案中，一种制造柔性液晶显示器件的方法包括：在第一柔性基板上形成第一应力吸收层；在第一应力吸收层上形成第一保护层；在该第一保护层上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，绝缘该栅极的栅绝缘层，在该栅绝缘层上的沟道层，与该沟道层连接的源极，和与该沟道层连接的漏极；在薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；在第二应力吸收层上形成第二保护层；在第二保护层上形成像素电极，该像素电极与漏极连接；形成第二柔性基板；以及在第一柔性基板和第二柔性基板之间形成液晶层。
应该理解本发明的上述概述和以下的详细描述都是示例性和解释性的并意欲对权利要求所要求的本发明提供进一步解释。
附图说明
附图，其包括于本申请中用于提供对本发明进一步的理解并与说明书结合构成说明书的一部分，示出了说明书的实施方式并与说明书一起解释本发明的原理。
在附图中：
图1是根据实施方式的显示基板的平面视图；
图2是沿图1的线I-I’提取的横截面视图；
图3是当图2的基板挠曲时的横截面视图；
图4是根据另一实施方式的显示基板的横截面视图；
图5是根据本发明又一实施方式的显示基板的横截面视图；
图6是根据本发明再一实施方式的显示基板的横截面视图；
图7是示出根据再一实施方式制造显示基板的方法的横截面视图；
图8是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图；
图9是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图；
图10是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图；
图11是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图；
图12是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图；
图13是根据再一实施方式的显示基板的横截面视图；
图14是根据实施方式的显示器件的横截面视图；
图15是根据实施方式的显示器件的横截面视图。
具体实施方式
现在将参照本发明的实施方式详细描述本发明，其中在附图中示出了实施例。
在该说明书中参照“一个实施方式”、“实施方式”、“示例性实施方式”等指结合实施方式描述的特定部件、结构或属性包括于本发明的至少一个实施方式中。在说明书中各种地方出现的这些词语不必都指相同的实施方式。另外，当结合任何实施方式描述特定部件、结构或属性时，其在本领域普通技术人员的范围内以结合实施方式的其它部件实现这些部件、特征或属性。
尽管已经参照其多个示意性实施方式描述实施方式，但是应该理解本领域的普通技术人员可承认落入公开原理的精神和范围内的多个其它修正和实施方式。更特别地，在公开、附图和附属权利要求书范围内的主题组合设置的组成部件和/或配置中可能存在各种变型和修改。除了组成部件和/或配置中的变型和修改，可选使用将对于本领域的普通技术人员也是显而易见的。
在以下文中，将参照附图根据其实施方式详细描述显示器件及其制造方法，但是本公开不限于实施方式，本领域中的普通技术人员能以各种其它方式实现本公开而不脱离本公开的范围和精神。在附图中，为了简洁不再详述基板、薄膜晶体管、第一应力吸收层、第二应力吸收层、像素和其它结构的尺寸。在本公开中，应该理解当指衬底、薄膜晶体管、第一应力吸收层、第二应力吸收层、像素和其它结构在“至少”、“上方”或“下面”时，它们是直接位于另一基板、另一薄膜晶体管、另一第一应力吸收层、另一第二应力吸收层、其它像素和其它结构“至少”、“上方”或“下面”，或者也可存在其它中间结构。同样，应该理解当本公开的元件为例如“第一”、“第二”和“第三”时，附图标记不意欲限制元件但是不与它们区别。因此，可选择性地或交换性地使用标记“第一”、“第二”和“第三”。
图1是根据实施方式的显示基板的平面视图。图2是沿图1的线I-I’提取的横截面视图。
参照图1和图2，显示基板100包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20、第一应力吸收层30、第二吸收层40和像素电极50。
基板10可包括柔性基板。基板10是透明的。基板为柔性合成树脂。可用于基板10的材料的实施例包括聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘乙酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。可选地，基板10可为具有甚薄厚度的薄片(foil)。
TFT20包括栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27和漏极29。
栅极21沿基板10从栅线22延伸。在实施方式中，栅极21在基本垂直于栅线22的方向上延伸。在实施方式中，包括栅极21的栅线22由Al-Nd合金图案21a和Al-Nd合金图案21a上的Mo图案21b形成。
栅绝缘层23位于基板10上并覆盖包括栅极21的栅线22。在实施方式中，栅绝缘层23可以为无机层诸如SiNx层。
沟道层25位于栅绝缘层23上。在实施方式中，沟道层25可包括高浓度杂质注入其中的非晶硅图案25a和n+非晶硅图案25b。两个n+非晶硅图案25b位于非晶硅图案25a上。
源极27与一个n+非晶硅图案25b电性连接。源极27沿着基板10从在图1的第二方向中延伸的数据线28延伸。在实施方式中，包括源极27的数据线28由Al或Al合金形成。在实施方式中，源极27可具有矩形或马蹄形。漏极29可与沟道层25的其它n+非晶硅图案25b电连接。漏极29位于基本平行于源极27的方向上。
参照图1和图2，存储电容器结构24进一步设置在基板10上。存储电容器结构24包括栅线22、栅绝缘层23和覆盖栅线22的存储电容器电极24a。
第一应力吸收层30可位于薄膜晶体管下面。第一应力吸收层30可夹在基板10和栅绝缘层23之间。在实施方式中，第一应力吸收层30可为有机层。可用于第一应力吸收层30的材料的实施例包括保护膜材料和聚酰亚胺。当基板10挠曲以防止栅极21和/或栅绝缘层23被损坏时，第一应力吸收层30可吸收施加到栅极21和/或TFT的栅绝缘层23的过量应力。
第二应力吸收层40可位于薄膜晶体上。第二应力吸收层40可覆盖形成于基板10上的TFT 20。第二应力吸收层40可以为有机层。可用于第二应力吸收层40的材料的实施例包括光致丙烯酸(photo acryl)和苯丙环丁烯(BCB)。当基板10挠曲以防止源极27、漏极29和像素电极50被损坏时，第二应力吸收层40可吸收施加到TFT 20的源极27、漏极29和像素电极50的过量应力，其将在以下描述。
参照图1，第二应力吸收层40可以包括接触孔29a和第二接触孔29b。第一接触孔29a暴露漏极29，而第二接触孔29暴露存储电容器结构24的存储电容器电极24a。
像素电极50设置在由栅线22和数据线28限定的像素区域中。部分像素电极50与经由第一接触孔29a暴露的漏极29电连接。同样，部分像素电极50与经由第二接触孔29b暴露的存储电容器电极24a电连接。
可用于像素电极50的材料的实施例包括透明且导电的铟锡氧化物(IZO)、铟锌氧化物(IZO)或不定形ITO(a-ITO)。可选地，像素电极50可包括高反光率的金属，诸如Al或Al合金。
图3是当图2的基板挠曲时的横截面视图。
参照图3，当基板10挠曲时，过量的应力施加到TFT 20的栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27、漏极29和像素电极50。结果，栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27、漏极29和像素电极50被损坏。
然而，当第一应力吸收层30和第二应力吸收层40形成时，施加到栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27、漏极29和像素电极50的部分和/或全部过量应力被第一应力吸收层30和/或第二应力吸收层40吸收以防止栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27、漏极29和像素电极50被损坏。
特别地，可通过在TFT 20上和下面设置第一应力吸收层30和第二应力吸收层40显著降低栅极21、栅绝缘层23、沟道层25、源极27、漏极29和像素电极50的损伤。
图4是根据其它实施方式的显示结构的横截面视图。显示结构类似与根据之前实施方式的显示结构。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于与之前的实施方式相同的元件。
参照图4，显示器件100包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20、第一应力吸收层30、第二应力吸收层40和像素电极50。
在图4中，第一保护层32形成于第一应力吸收层30上。在实施方式中，第一应力吸收层30可包括有机层而第一保护层32可包括无机层。
第一应力吸收层30的有机层可包含保护膜(overcoat)或聚酰亚胺，而第一保护层32的无机层可包括氧化层或氮化层。
第一应力吸收层30可吸收施加到TFT 20的过量应力以防止TFT 20被损坏。在实施方式中，第一保护层32可防止来自第一应力吸收层30的有机层的挥发性溶剂流入显示器件的内部部分，例如，液晶显示器件的液晶层(未示出)。
图5是根据再一实施方式的横截面视图。显示基板类似于根据之前实施方式的显示基板。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于与之前的实施方式相同的元件。
参照图5，显示器件100包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20、第一应力吸收层30、第二应力吸收层40和像素电极50。
在实施方式中，第二保护层43形成于第二应力吸收层40上。第二应力吸收层40可包括有机层。第二保护层43可包括无机层。
在另一实施方式中，第三保护层41可形成在第二应力吸收层40和TFT之间。在再一实施方式中，第二保护层43可形成于第二应力吸收层40上而第三保护层41可形成在第二应力吸收层40和TFT之间。第三保护层41可包括无机层。
在图5中，第三保护层41接触在源极27和漏极29之间暴露的沟道层25的非晶硅图案25a。第二应力吸收层40设置在第三保护层41上，而第二保护层43设置在第二应力吸收层40上。
在实施方式中，第二保护层43和第三保护层41可包括氧化层或氮化层。第二应力吸收层40可包括光致丙烯酸和苯丙环丁烯(BCB)。
第三保护层41可防止第二应力保护层40的有机层与沟道层25的暴露部分直接接触。第二保护层43可吸收当挠曲基板10时施加到TFT 20的过量应力，以防止TFT 20被损坏。
同样，第二保护层43可防止来自第二应力吸收层40的有机层的挥发性溶剂流入显示器件的内部部分，例如，液晶显示器件的有机层(未示出)中。
图6是根据再一实施方式的显示基板的横截面视图。显示基板基本类似于根据之前实施方式的显示基板。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于与之前的实施方式相同的元件。
参照图6，显示器件100包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20、第一应力吸收层30、第二应力吸收层40、第三应力吸收层60和像素电极50。
第三应力吸收层60位于像素电极50上。第三应力吸收层60可覆盖像素电极50。在实施方式中，第三应力吸收层60包括有机层。可用于第三应力吸收层60的材料的实施例包括聚酰亚胺、保护膜、光致丙烯酸和BCB。
在实施方式中，第三应力吸收层60覆盖像素电极50。第三应力吸收层60可吸收当挠曲基板10时施加到TFT 20的像素电极50上的过量应力，其中该TFT 20的像素电极50设置在第三应力吸收层60下面，从而防止TFT 20被损坏。
图13是根据再一实施方式的显示基板的横截面视图。显示基板基本类似于根据之前实施方式的显示基板。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于与之前的实施方式相同的元件。
参照图13，显示器件100包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20、第一应力吸收层30、第二应力吸收层40和像素电极50。
在图13中，第一保护层32形成于第一应力吸收层30上。第二应力吸收层43形成于第二应力吸收层40上，而第三保护层41形成在第二应力吸收层40与TFT之间。在实施方式中，第三应力吸收层60可位于像素电极50上。
图7至图12是根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图。
参照图7，第一应力吸收层30形成于基板10上。在实施方式中，基板10可为透明且柔性合成树脂基板。可用于基板10的材料的实施例包括聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘乙酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。可选地，基板10可为具有甚薄厚度的薄片。
第一应力吸收层30可通过在基板10上涂覆溶解于溶剂中的有机材料形成，以形成有机层，并挥发包括于有机层中的溶剂。
可用于形成第一应力吸收层30的有机层的材料的实施例包括保护膜和PI。用于形成第一应力吸收层30的有机层可通过旋涂工艺或狭缝涂覆工艺形成。
在有机层形成于基板10上之后，第一应力吸收层30通过烘培工艺利用去除包括于有机层中的溶剂而形成。
参照图8，第一保护层32形成于第一应力吸收层30上。在实施方式中，第一保护层可包括有机层而第一保护层32可包括无机层。在实施方式中，有机层可包括保护膜或PI，而无机层可包括氧化层或氮化层。
为了形成第一应力吸收层30和第一保护层32，包括有机层和无机层，有机层形成于基板10上，而无机层形成于有机层上。在该点，在无机层形成于有机层上之前，去除包括于有机层中的溶剂。
在实施方式中，第一应力吸收层30吸收施加到TFT 20的部分或全部过量应力，其将在以下描述，以防止TFT 20被损坏。
参照图9，第一应力吸收层30形成于基板10上，TFT 20形成于第一应力吸收层30上。
为了在实施方式中形成TFT 20，栅金属层(未示出)可形成于第一应力吸收层30上。栅金属层包括Al-Nd合金层(未示出)和设置在Al-Nd合金层上的Mo层(未示出)。栅金属层可通过化学气相沉积(CVD)或溅射形成于第一应力吸收层30上。
为了在另一实施方式中形成TFT 20，栅金属层(未示出)可形成于第一保护层32上。栅金属层包括Al-Nd合金层(未示出)和设置在Al-Nd合金层上的Mo层(未示出)。栅金属层可通过化学气相沉积(CVD)或溅射形成于第一保护层32上。在实施方式中，在形成栅金属层期间，第一保护层32的无机层保护第一应力吸收层30的有机层不受损坏。
在栅金属层形成之后，可使用光刻工艺构图栅金属层以形成包括Al-Nd合金图案21a和Mo图案21b的栅极21，以及包括在第一应力吸收层30或第一保护层32上的栅极21的栅线。
在包括栅极21的栅线形成之后，栅绝缘层23形成于基板的整个表面上，从而包括栅极21的栅线由栅绝缘层23覆盖。在该实施方式中，栅绝缘层23为无机层诸如氧化层或氮化层。同样，栅绝缘层23可以使用CVD形成。
在栅绝缘层23形成之后，非晶硅层(未示出)和在其中诸如高浓度杂质的n+非晶硅层(未示出)相继形成于栅绝缘层23的整个表面上。
随后，使用光刻工艺构图非晶硅层和n+非晶硅层以在栅绝缘层23上形成包括非晶硅图案25a和n+非晶硅图案25b的沟道层25。
随后，覆盖沟道层25的源/漏金属层形成于栅绝缘层23上。在源/漏金属层形成之后，通过光刻工艺构图源/漏金属层以形成与沟道层25点连接的源极27、包括数据电极的数据线，和与沟道层25电连接并与栅绝缘层23上的源极27隔开的漏极29。
同时，当构图源/漏金属层以形成源极27和漏极29时，覆盖栅绝缘层23上的部分栅线的存储电容器电极24a形成。
参照图10，在源极27和漏极29形成之后，第二应力吸收层40形成于栅绝缘层23的整个表面上。第二应力吸收层40使用旋涂工艺或狭缝涂覆工艺形成。可用于第二吸收层40的材料的实施例包括光致丙烯酸和BCB。
第二应力吸收层40吸收施加到形成于第一应力吸收层30上的TFT 20的部分或全部过量应力，以防止TFT 20被损坏。
在第二应力吸收层40形成之后，通过光刻工艺构图第二应力吸收层40以在第二应力吸收层40中形成第一接触孔29a和第二接触孔29b。
第一接触孔29a暴露部分漏极29，而第二接触孔29b暴露存储电容器结构24的存储电容器电极24a。随后，透明导电电极层(未示出)形成于第二应力吸收层40的整个表面上。在该实施方式中，透明电极可使用溅射工艺或CVD工艺形成。可用于透明电极的材料的实施例包括ITO、IZO和不定形ITO。
在透明电极形成之后，使用光刻工艺构图透明电极以在第二应力吸收层40上形成像素电极50。部分像素电极50经由第一接触孔29a与漏极29电连接，而部分像素电极50经由第二接触孔24b与存储电容器电极24a电连接。
图11是示出根据再一实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图。显示结构与之前实施方式的显示器件基本类似。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于相同的元件。
参照图11，显示基板可包括第二保护层43和第三保护层41。
在源极27、漏极29形成之后，第三保护层41首先形成。第二应力吸收层40形成于第三保护层41上，而第二保护层43形成于第二应力吸收层40上。
在该实施方式中，第三保护层41形成于沟道层25上以防止由第二应力吸收层40的有机层和沟道层25之间的直接接触产生的界面属性降低。第二应力吸收层40吸收施加到TFT 20的部分或全部过量应力以防止TFT 20被损坏。第二保护层43可防止气体诸如溶剂从有机层流入显示器件中。第二保护层43可防止在像素电极50形成期间对第二应力吸收层40的损坏。
图12是示出根据再一实施方式制造显示器件的方法的横截面视图。显示器件与之前实施方式的显示器件基本类似。因此，相同的附图标记和相同的名称可用于相同的元件。
参照图12，在像素电极50形成之后，第三应力吸收层60可形成于基板10上以覆盖像素电极50。可用于第三应力吸收层60的材料的实施例包括光致丙烯酸和BCB。第三应力吸收层60吸收施加到由无机材料形成的像素电极50上的部分或全部过量应力，以防止像素电极50被损坏。
如上在实施方式中所述，应力吸收层防止显示基板被过量应力损坏。
图14示出了根据实施方式的电泳墨柔性显示器件。
参照图14，显示器件包括显示基板100和电泳墨膜101。
所示出的实施方式包括基板10、薄膜晶体管(TFT)20，第一保护层32形成于第一应力吸收层30上。第二应力吸收层43形成于第二应力吸收层40而第三保护层41形成在第二应力吸收层40和TFT之间。
电泳墨膜101可为E-INK薄膜。电泳墨膜包括保护层110、公共电极130和微囊层150。电泳墨膜可通过层压(laminating)形成于衬底10上。
图15示出了根据实施方式的液晶柔性显示器件。
参照图15，显示器件包括第一柔性基板201、第二柔性基板200和在第一柔性基板201与第二柔性基板200之间的液晶层250。
所示出的第一柔性基板201包括第一基板10、薄膜晶体管(TFT)20，第一保护层32形成于第一应力吸收层30上。第二保护层43形成于第二应力吸收层40上，而第三保护层41形成在第二应力吸收层40和TFT之间。
第二柔性基板200包括第二基板210、黑矩阵220、在黑矩阵220上的滤色片层230、在滤色片层230上的保护膜层240。同样，液晶层250夹在第一柔性基板201和第二柔性基板200之间。公共电极可暴露于第一柔性基板201(扭曲向列模式)或第二柔性基板200(平面扭转模式)中。
但是显然，对于熟悉本领域的技术人员来说可以在不脱离本发明的精神或范围的情形下对本发明可以进行各种修改和变形。从而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书及其等同物范围内的本发明的修改和变形。
Claims (17)
1、一种柔性显示基板，包含：
在所述柔性显示基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极，和与所述沟道层连接的漏极；
位于所述薄膜晶体管下面的第一应力吸收层；
位于所述第一应力吸收层上的第一保护层；
位于所述薄膜晶体管上的第二应力吸收层；
位于所述第二应力吸收层上的第二保护层；以及
位于所述第二保护层上的像素电极，所述像素电极与所述漏极连接。
2、根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间的第三保护层。
3、根据权利要求2所述的柔性显示基板，其特征在于，
其中所述第一应力吸收层包括有机层；
其中所述第一保护层包括无机层；
其中所述第二应力吸收层包括有机层；
其中所述第二保护层包括无机层；以及
其中所述第三保护层包括无机层。
4、根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，进一步包含在所述像素电极上的第三应力吸收层。
5、根据权利要求4所述的柔性显示基板，其特征在于，所述第三应力吸收层包括有机层。
6、一种制造柔性显示基板的方法，其特征在于，包含：
在所述柔性显示基板上形成第一应力吸收层；
在所述第一应力吸收层上形成第一保护层；
在所述第一保护层上薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极和与所述沟道层连接的漏极；
在所述薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；
在所述第二应力吸收层上形成第二保护层；以及
在所述第二保护层上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极连接。
7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间形成第三保护层。
8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
其中所述第一应力吸收层包括有机层；
其中所述第一保护层包括无机层；
其中所述第二应力吸收层包括有机层；
其中所述第二保护层包括无机层；以及
其中所述第三保护层包括无机层。
9、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述像素电极上的第三应力吸收层。
10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第三应力吸收层包括有机层。
11、一种制造电泳墨柔性显示器件的方法，包含：
在柔性基板上形成第一应力吸收层；
在所述第一应力吸收层上形成第一保护层；
在所述第一保护层上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极，以及与所述沟道层连接的漏极；
在所述薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；
在所述第二应力吸收层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成像素电极，该像素电极与所述漏极连接；以及
在所述柔性基板上形成电泳墨薄膜。
12、根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间形成第三保护层。
13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
其中所述第一应力吸收层包括有机层；
其中所述第一保护层包括无机层；
其中所述第二应力吸收层包括有机层；
其中所述第二保护层包括无机层；以及
其中所述第三保护层包括无机层。
14、一种制造柔性液晶显示器件的方法，包含：
在第一柔性基板上形成第一应力吸收层；
在所述第一应力吸收层上形成第一保护层；
在所述第一保护层上形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、绝缘所述栅极的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的沟道层、与所述沟道层连接的源极，以及与所述沟道层连接的漏极；
在所述薄膜晶体管上形成第二应力吸收层；
在所述第二应力吸收层上形成第二保护层；
在所述第二保护层上形成像素电极，该像素电极与所述漏极连接；
形成第二柔性基板；以及
在所述第一柔性基板和第二柔性基板之间形成液晶层。
15、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含：
在所述第二柔性基板上形成黑矩阵；
在所述黑矩阵上形成滤色片层；
在所述滤色片层上形成保护膜层；以及
在所述保护膜层上形成公共电极。
16、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述第二应力吸收层和所述薄膜晶体管之间形成第三保护层。
17、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，
其中所述第一应力吸收层包括有机层；
其中所述第一保护层包括无机层；
其中所述第二应力吸收层包括有机层；
其中所述第二保护层包括无机层；以及
其中所述第三保护层包括无机层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |