CN102096259B - 有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收机 - Google Patents

有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收机 Download PDF

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Abstract

本发明涉及有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收机。一种有源矩阵基板，其具备通过设置在非显示区域(55)中的接触孔(48)连接的保持电容配线(18)和Cs主配线(50)、和与保持电容配线(18)设置在相同层上且在非显示区域(55)中与Cs主配线(50)交叉的扫描信号线(16)，保持电容配线(18)和Cs主配线(50)间的绝缘层具备用于形成接触孔(48)的挖通部、与挖通部相接的第一膜厚部(53)、和至少位于保持电容配线(18)和Cs主配线(50)交叉的部分且膜厚比第一膜厚部(53)大的第二膜厚部。由此能够实现保持电容配线(18)和Cs主配线(50)精度良好地连接，并且难以发生Cs主配线(50)与扫描信号线(16)的短路的有源矩阵基板。

Description

有源矩阵基板、液晶面板、显示装置、电视接收机
本申请是2007年3月30日提出的申请号为200780013043.1的同名申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及液晶显示装置、各种EL显示装置等显示装置、和在这些显示装置中所使用的有源矩阵基板。
背景技术
有源矩阵基板广泛用于液晶显示装置、EL(Electro Luminescence：电致发光)显示装置等有源矩阵型显示装置中。一般的有源矩阵基板在其显示区域具有多个扫描信号线、多个数据信号线、和在它们的各个交点设置的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)，通过该TFT从数据信号线向像素电极传送适当的电位信号。此外，也存在一种有源矩阵基板，其为了防止TFT断开期间中的自行放电和TFT断开电流引起的影像劣化，或者为了传送液晶驱动中的各种调制信号，在各个像素区域(显示区域)中具备保持电容配线。
但是，在显示区域中形成的多个保持电容配线在设置在显示区域的周围的非显示区域中与共用配线(主配线)连接。例如，在图37(a)、图37(b)所示的现有技术中，在非显示区域中，各个辅助电容线811通过接触孔808与利用和数据线804同一层的导电膜所形成的集合辅助电容线813(共用配线)连接(参照专利文献1、2)。其中，作为相关的公开文献，可以列举下述专利文献3、4。
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2002-6773号公报(平成14年(2002)1月11日公开)”
专利文献2：日本国公开专利公报“特开平10-319433号公报(平成10年(1998)12月4日公开)”
专利文献3：日本国公开专利公报“特开平7-114044号公报(平成7年(1995)5月2日公开)”
专利文献4：日本国公开专利公报“特开平7-287252号公报(平成7年(1995)10月31日公开)”
发明内容
此处，在上述现有技术中，各个辅助电容配线811与栅极线802形成在相同的层，集合辅助电容线813(共用配线)形成在它们的上层(与数据线804相同的层)，在非显示区域中，集合辅助电容线813与栅极线802(扫描信号线)交叉。因此，在该交叉部分，在栅极线802上隔着绝缘膜803形成有集合辅助电容线813，为了确实防止栅极线802与集合辅助电容线813的短路，对非显示区域的绝缘膜803也要求相应的厚度。
另一方面，如果绝缘膜803的厚度增加，则形成接触孔时的蚀刻深度增加，很容易发生因绝缘膜803的膜厚、膜质的偏差等引起的接触孔808的形成不良。例如，如果接触孔形成位置的膜厚增大，则在绝缘膜蚀刻时未切开孔，有可能存在导致各个辅助电容线811与集合辅助电容线813接触不良的情况。
此外，在非显示区域中，对于使各个扫描信号线通过接触孔与外部连接用的引出配线连接的部分也存在同样的问题。即，为了确实防止引出配线与其它配线(例如，集合辅助电容线)的短路，对非显示区域的绝缘膜也要求相应的厚度，如果该绝缘膜的厚度增加，则形成接触孔时的蚀刻深度增加，很容易发生因绝缘膜的膜厚、膜质的偏差等引起的接触孔的形成不良。
本发明鉴于上述问题点而完成，其目的在于，提供一种在非显示区域中，能够精度良好地连接两个配线(例如，保持电容配线及其主配线)，并且不易发生这些配线与其它配线(例如，扫描信号线)的短路的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板，其具备多个保持电容配线和覆盖它们的绝缘膜，其特征在于：各个保持电容配线在非显示区域中与位于绝缘膜的上层的主配线通过接触孔连接，上述绝缘膜在该接触孔内(接触孔的开口下)具有挖通部分，与该挖通部分相邻的区域的膜厚变小。此外，本有源矩阵基板也可以说，其具备通过设置在非显示区域中的接触孔连接的两个配线、和与这些配线中的一个配线在相同的层上设置且与另一个配线在非显示区域中交叉的交叉配线，其特征在于：位于上述两个配线间的绝缘层具备用于形成上述接触孔的挖通部、与挖通部相接的第一膜厚部、和至少位于上述另一个配线与交叉配线交叉的部分的膜厚比第一膜厚部大的第二膜厚部。例如，上述两个配线是保持电容配线及其主配线，交叉配线是扫描信号线。
上述结构可通过以下方式得到：在非显示区域中，在上述绝缘膜上预先形成局部膜厚变小的部分，并且挖通其一部分(例如中央部)形成上述接触孔(连接保持电容配线与主配线的接触孔)。
于是，对于非显示区域的绝缘膜，如果事先使接触孔形成位置及其附近薄，其它的部分厚，则不仅能够确实避免主配线与其它配线(例如，扫描信号线)的短路，同时能够精度良好地将该主配线与保持电容配线连接。
本发明的有源矩阵基板，其在显示区域的各个像素区域中包括第一和第二晶体管、与第一晶体管连接的第一像素电极、和与第二晶体管连接的第二像素电极，其特征在于：其具备通过各个像素区域的第一和第二保持电容配线、和覆盖该第一和第二保持电容配线的绝缘膜，在非显示区域中，上述第一保持电容配线与位于绝缘膜的上层的第一主配线通过第一接触孔连接，并且上述第二保持电容配线与位于绝缘膜的上层的第二主配线通过第二接触孔连接，上述绝缘膜在上述第一接触孔内(第一接触孔的开口下)具有挖通部分，与该挖通部分相邻的区域的膜厚变小，并且在上述第二接触孔内(第二接触孔的开口下)具有挖通部分，与该挖通部分相邻的区域的膜厚变小。
根据本有源矩阵基板，通过单独控制上述第一和第二保持电容配线的电位，能够在一个像素区域中形成亮度不同的多个区域(多像素驱动)，在此情况下也能期望上述效果。在此情况下，也可以上述第一和第二主配线的电位被控制成各自的电位波形的相位相互偏差180度。
此外，上述第一和第二主配线的电位可以分别控制成在第一和第二晶体管断开后电位上升或者下降，且该状态一直持续到在下一帧中这些晶体管被断开为止。即，上述第一保持电容配线的电位被控制成在上述各个晶体管断开后电位上升，且该状态一直持续到在下一帧中上述各个晶体管被断开为止，并且上述第二保持电容配线的电位被控制成在上述各个晶体管断开后电位下降，且该状态一直持续到在下一帧中上述各个晶体管被断开为止，或者，上述第一保持电容配线的电位被控制成在上述各个晶体管断开后电位下降，且该状态一直持续到在下一帧中上述各个晶体管被断开为止，并且上述第二保持电容配线的电位被控制成在上述各个晶体管断开后电位上升，且该状态一直持续到在下一帧中上述各个晶体管被断开为止。
在此情况下，也可以是上述第一保持电容配线的电位上升与第二保持电容配线的电位下降偏差一个水平期间，或者，上述第一保持电容配线的电位下降与第二保持电容配线的电位上升偏差一个水平期间。
在本有源矩阵基板中，上述绝缘膜是栅极绝缘膜，其具备与挖通部分相邻的第一膜厚部、和与该第一膜厚部相邻并且膜厚比之大的第二膜厚部，在各个接触孔中连接的两个配线形成在不同的层，这两个配线的交叉部整体位于上述第一膜厚部的外周内也可。这样，通过使各个主配线下的更多的部分作为第一膜厚部(栅极绝缘膜薄的部分)，则各个主配线与相对电极的距离扩大，能够降低两者间的寄生电容。由此能够抑制在各个主配线中传播的信号的钝化。在该结构中，进一步优选在非显示区域中，与第二主配线连接的第二保持电容配线也与第一主配线交叉，该第二保持电容配线与第一主配线交叉的部分位于上述第一膜厚部的外周内，该第二保持电容配线与第一主配线交叉的部分的栅极绝缘膜结构与上述第二膜厚部(栅极绝缘膜厚的部分)相同。这样不仅能获得上述效果，同时也能防止第二保持电容配线与第一主配线的短路。
本发明的有源矩阵基板，其具备多个扫描信号线和覆盖它们的绝缘膜，其特征在于：各个扫描信号线在非显示区域中与位于绝缘膜的上层的引出配线通过接触孔连接，上述绝缘膜在上述接触孔内(接触孔的开口下)具有挖通部分，与该挖通部分相邻的区域的膜厚变小。
上述结构通过如下方式获得：在非显示区域中，在上述绝缘膜上形成膜厚比周围小的部分，并且挖通其一部分(例如中央部)形成上述接触孔(连接扫描信号线与引出配线的接触孔)。
如上所述，对于非显示区域的绝缘膜，通过事先使上述接触孔的形成位置薄，其它部分厚，这样不仅能够确实避免引出配线与其它配线(例如，保持电容配线)的短路，同时能够精度良好地连接该引出配线与扫描信号线。
在本发明的有源矩阵基板中，上述绝缘膜具备相当于上述区域的第一膜厚部、和与该第一膜厚部相邻并且厚度比之大的第二膜厚部。上述结构通过如下方式获得：在位于显示区域的绝缘膜上形成膜厚比周围(第二膜厚部)小的第一膜厚部，并且挖通该第一膜厚部的一部分(例如，中央部)形成上述接触孔。此外，第一膜厚部优选按照围绕挖通部的方式形成，第二膜厚部至少在非显示区域中的主配线和其它配线的交叉部形成即可。
在本有源矩阵基板中，上述绝缘层也可以是栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜也可以由多个栅极绝缘层构成，在上述薄膜部中，至少一个栅极绝缘层形成得薄。此外，也可以是上述栅极绝缘膜由多个栅极绝缘层构成，在薄膜部中具有一个以上的栅极绝缘层，在其它部分具有比这多的栅极绝缘层的结构。
在此情况下，也可使至少一个栅极绝缘层形成平坦化膜。这样，由于扫描信号线和数据信号线的交叉部的台阶差减小，数据信号线越过扫描信号线的台阶差降低，因此信号线交叉部中的数据信号线变得难以发生断线。此外，例如在一个栅极绝缘层中使用SiNx(氮化硅)膜的情况下，栅极电极的锥部的致密性与其它区域相比下降(膜质下降)，容易发生静电引起的SiNx损坏。此处，如果多个栅极绝缘层中的任意一个使用平坦化膜，则在上述锥部也可确保绝缘膜的厚度，能够防止SiNx膜的损坏。
在本有源矩阵基板中，上述栅极绝缘膜也可以包括包含有机物的栅极绝缘层。作为包含有机物的材料，有SOG(旋涂玻璃)材料和丙烯酸类树脂材料、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、聚硅氧烷类树脂、酚醛类树脂等。因这些材料能够涂布在基板上而形成，所以微米量级的厚膜化比较容易。因此，不仅能够增大与扫描信号线连接的导电层和保持电容配线与其它配线的距离，而且能够不易发生短路。
此外，优选在上述其它的部分中，使最下层的栅极绝缘层为平坦化膜。此外，上述平坦化膜的与基板面相接的部分的厚度优选大于在基板面上形成的栅极电极的厚度。这样，平坦化效果提高，能够进一步抑制各个信号线间短路的发生。此外，数据信号线的断线也变得更加难以发生。
此外，优选使该最下层的栅极绝缘层为由旋涂玻璃(SOG)材料构成的平坦化膜(SOG膜)。这样便可在作为第一栅极绝缘层的SOG膜上，利用CVD法等连续成膜第二栅极绝缘层、高电阻半导体层、和低电阻半导体层。由此，能够缩短制造工序。在此情况下，也可以是在上述薄膜部中先除去SOG膜，在其它部分的最下层形成SOG膜的结构。此外，如果将栅极绝缘膜中的上述薄膜部的边缘附近形成正锥形状(forward tapered shape)，则在其上层形成的各个电极变得不易断线。
在本有源矩阵基板中，上述接触孔也可以形成有多个。这样，通过形成多个接触孔，能够获得接触孔的冗长性，能够进一步抑制接触不良的发生。此外，也可以在上述接触孔内形成将保持电容配线与主配线连接的连接电极。这样，因为能够缩小接触孔部分的面积，因此能够缩小非显示区域的面积。由此能够使有源矩阵基板小型化。在此情况下，上述连接电极也可以用与显示区域的像素电极相同的材料形成。这样，由于能够在像素电极形成时同时形成连接电极，因此能够简化有源矩阵基板的制造工序。此外，上述主配线也可用与显示区域的数据信号线相同的材料形成。这样不仅能够在数据信号线形成时同时形成主配线，而且能够简化有源矩阵基板的制造工序。
本有源矩阵基板也可以在栅极绝缘层的上层具备第一和第二层间绝缘膜，上述接触孔贯通栅极绝缘膜与第一和第二层间绝缘膜。在此情况下，在各个像素区域形成有将晶体管与像素电极连接的像素内接触孔，像素内接触孔下面的栅极绝膜也可与第二膜厚部相同结构。这样，在像素区域中，晶体管(其漏极电极)与保持电容配线不易发生短路，能够抑制缺陷电极的发生。
在上述结构中，优选通过非显示区域的接触孔进行连接的两个配线形成在不同的层，这两个配线的交叉部整体位于第一膜厚部的外周内。这样，不仅能够缩小非显示区域的接触孔部分的第二层间绝缘膜的厚度与像素内接触孔部分的第二层间绝缘膜的厚度之差(膜厚差)，而且能够简化(缩短)制造工序。例如，在上述交叉部，两个配线中位于下层侧的配线的边缘与第一膜厚部的边缘的间隔为60μm以上。这样，由于能够使上述膜厚差为0.1～0.2μm左右，因此能够用相同的曝光量形成两个接触孔。由此能够降低第二层间绝缘膜残留而发生接触不良的可能性。
在本有源矩阵基板中，上述栅极绝缘膜也可以在各个像素区域中，在与保持电容配线重叠的区域中具备膜厚变小的薄膜部。这样，能够在保持电容配线与薄膜部重叠的位置支配性地决定电容，减小保持电容配线的完成情况对电容偏差的影响。
在本有源矩阵基板中，也可以是上述栅极绝缘膜在各个像素区域中，在与晶体管的栅极电极重叠的部分具有膜厚变小的薄膜部，上述薄膜部与晶体管的源极电极的重叠面积比上述薄膜部与晶体管的漏极电极的重叠面积小的结构。这样，不仅能维持晶体管的特性，同时能够抑制在不易修正的信号线间(数据信号线、扫描信号线间)发生短路。
本发明的液晶面板，其具备上述有源矩阵基板和与之相对的相对基板，并且在这两个基板之间设置有间隔物和液晶层，其特征在于：上述绝缘膜是栅极绝缘膜，上述间隔物包括配置在显示区域中的第一间隔物和配置在非显示区域中的第二间隔物，第一间隔物下面的栅极绝缘膜结构与第二间隔物下面的栅极绝缘膜结构相同。
这样，通过在非显示区域、显示区域间使间隔物下面的栅极绝缘膜结构一致，则第一和第二间隔物的高度设定变得容易，能够减小显示区域和非显示区域间的单元间隙之差。由此能够抑制在显示区域和非显示区域的交界附近发生亮度不均。
在本液晶面板中，优选上述栅极绝缘膜具有与上述挖通部分相邻的第一膜厚部、和与该第一膜厚部相邻且膜厚比该第一膜厚部大的第二膜厚部，位于第二间隔物下面的部分成为第二膜厚部。这是因为第二膜厚部的栅极绝缘膜厚，在栅极绝缘膜中使用SOG材料等能够获得平坦化的效果的缘故。再者，也可以上述栅极绝缘膜在上述第一膜厚部中具有一个以上的栅极绝缘层，并且在第二膜厚部具有比第一膜厚部多的栅极绝缘层，在上述第二膜厚部中，任意的栅极绝缘层为平坦化膜。
在本液晶面板中，第一和第二间隔物分别按照仅与被栅极绝缘膜覆盖的一个金属配线重叠的方式设置，该一个金属配线可以是扫描信号线或者保持电容配线。
这样，通过在非显示区域、显示区域间使间隔物下面的叠层结构类似，则第一和第二间隔物的高度设定变得容易，能够进一步减小显示区域和非显示区域间的单元间隙之差。
在本液晶面板中，也可以第一间隔物按照与位于栅极绝缘膜的上层的数据信号线和扫描信号线的交叉部分或者上述数据信号线和保持电容配线的交叉部分重叠的方式设置，第二间隔物按照与主配线和扫描信号线的交叉部分或者主配线和保持电容配线的交叉部分重叠方式设置。
这样，通过在非显示区域、显示区域间使间隔物下面的叠层结构类似，则第一和第二间隔物的高度设定变得容易，能够进一步减小显示区域和非显示区域间的单元间隙之差。
在本液晶面板中，优选至少第二间隔物的相对介电常数比液晶层内的液晶材料的平均相对介电常数小。这样，在任意一个主配线上设置第二间隔物的情况下，该主配线和相对基板(电极)间的寄生电容降低，能够抑制在主配线中传播的信号的钝化。
在本液晶面板中，在栅极绝缘膜与液晶层之间形成有层间绝缘膜，该层间绝缘膜也可包括包含有机物的层。与SiNx、SiO2等无机膜相比，包含有机物的层间绝缘膜具有弹性。因此，在显示区域与非显示区域的间隔物形成在相对基板侧且间隔物与有源矩阵基板相接的结构中，如果配置有包含有机物的层间绝缘膜，则利用其弹性变形，具有吸收相对基板侧的彩色滤光片层和黑色矩阵的厚度偏差、或者间隔物高度偏差、或者有源矩阵基板的膜厚偏差的效果。此外，作为包含有机物的层间绝缘膜，可以使用丙烯酸类树脂材料、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、聚硅氧烷类树脂、酚醛类树脂等。
本液晶面板，其具备上述有源矩阵基板和与之相对的相对基板，并且在这两个基板之间设置有间隔物和液晶层，其特征在于：上述间隔物包括配置在显示区域中的第一间隔物和配置在非显示区域中的第二间隔物，按照与第二保持电容配线和第一主配线交叉的部分重叠的方式设置有第二间隔物，并且第一间隔物下面的栅极绝缘膜结构与第二间隔物下面的栅极绝缘膜结构相同，上述第二间隔物的相对介电常数比液晶层内的液晶材料的小。
这样，通过在非显示区域、显示区域间使间隔物下面的叠层结构类似，则第一和第二间隔物的高度设定变得更容易，能够进一步减小显示区域和非显示区域间的单元间隙之差。
此外，如果为了防止第一主配线与第二保持电容配线的短路而使其交叉部作为第二膜厚部(栅极绝缘膜厚的部分)，则第一主配线和相对基板间的距离缩短，两者间的寄生电容增加。因此，通过在该交叉部分上配置具有比液晶材料的平均相对介电常数小的相对介电常数的间隔物，能够降低该寄生电容。
本液晶面板优选按照第一间隔物与位于栅极绝缘膜的上层的数据信号线与扫描信号线或者任意一个保持电容配线的交叉部分重叠的方式设置。
本液晶面板，其具备上述有源矩阵基板和与之相对的相对基板，并且在这两个基板之间设置有间隔物和液晶层，其特征在于：上述绝缘膜是栅极绝缘膜，上述间隔物包括配置在显示区域中的第一间隔物和配置在非显示区域中的第二间隔物，第一间隔物下面的栅极绝缘膜结构与第二间隔物下面的栅极绝缘膜结构相同。
这样，通过在非显示区域、显示区域间使间隔物下面的叠层结构类似，则第一和第二间隔物的高度设定变得更容易，能够进一步减小显示区域和非显示区域间的单元间隙之差。
此外，本发明的显示装置的特征在于，包括上述有源矩阵基板。
此外，本发明的电视接收机的特征在于，包括上述显示装置和接收电视播放的调谐部。
如上所述，对于非显示区域的绝缘膜，通过事先使连接保持电容配线及其主配线的接触孔的形成位置薄，其它部分厚，不仅能够确实避免主配线与其它配线的短路，而且能够精度良好地连接该主配线和保持电容配线。此外，通过事先使连接扫描信号线及其引出配线的接触孔的形成位置薄，其它部分厚，不仅能够确实避免引出配线与其它配线的短路，而且能够精度良好地连接该引出配线与扫描信号线。
附图说明
图1是表示本实施方式的有源矩阵基板的结构的平面图。
图2是图1的A1-A2截面的截面图。
图3是表示本有源矩阵基板的其它结构的平面图。
图4是表示图3的A3-A4截面的截面图。
图5是表示本有源矩阵基板的其它结构的平面图。
图6是表示本有源矩阵基板的其它结构的平面图。
图7是图6的B1-B2截面的截面图。
图8是图6的B3-B4截面的截面图。
图9是表示本有源矩阵基板的接触孔的结构的平面图。
图10是表示图7、8所示的距离d与T1和T2的差(膜厚差)的关系的图表。
图11是表示本实施方式的液晶面板的结构的截面图。
图12是表示本实施方式的液晶面板的控制结构的框图。
图13是表示本实施方式的电视接收机的结构的框图。
图14是表示本实施方式的电视接收机的结构的立体图。
图15是表示图5所示的有源矩阵基板的驱动方法的时序图。
图16是表示图5所示的有源矩阵基板的其它驱动方法的时序图。
图17是表示本有源矩阵基板的其它驱动方法的时序图。
图18是表示图5所示的有源矩阵基板的变形例子的平面图。
图19是表示使用图18所示的有源矩阵基板的液晶面板的结构的平面图。
图20是图19所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图21是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图22是图21所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图23是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图24是图23所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图25是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图26是图25所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图27是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图28是图27所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图29是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图30是图29所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图31是表示图19所示的液晶面板的变形例子的平面图。
图32是图31所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图33是表示使用图6所示的有源矩阵基板的液晶面板的结构的平面图。
图34是图33所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图35是表示使用图3所示的有源矩阵基板的液晶面板的结构的平面图。
图36是图35所示的液晶面板的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。
图37(a)是表示现有的有源矩阵基板的结构的平面图。
图37(b)是图37(a)所示的有源矩阵基板的截面图。
符号说明
7、漏极引出电极
8、漏极电极
9、源极电极
10、10x、10y、10z、有源矩阵基板
11、48、68、接触孔
12、TFT(晶体管)
15、数据信号线
16、扫描信号线
17、像素电极
18、保持电容配线
21、第一栅极绝缘层
22、第二栅极绝缘层
31、57、薄膜部
40、栅极绝缘膜
44、显示区域
50、Cs主配线
51、感光间隔物
52、62、92、挖通部
53、63、71、93、第一膜厚部
54、64、94、第二膜厚部
55、非显示区域
59x、栅极引出配线
61、感光间隔物
PA像素区域
具体实施方式
根据图1～图36说明本发明的实施方式1则如下所述。图1是表示本实施方式的有源矩阵基板(显示区域、非显示区域)的概略结构的平面图，图2是图1所示的A1-A2线向视截面图。
如图1所示，有源矩阵基板10在其显示区域44中具备：以相互正交的方式沿着图中左右方向形成的扫描信号线16和沿着图中上下方向形成的数据信号线15、在各个信号线(15、16)的交点附近形成的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)12、像素电极17、和沿着图中左右方向形成的保持电容配线(Cs配线)18。以下，图中左右方向表示沿着扫描信号线或者保持电容配线的方向，图中上下方向表示沿着数据信号线的方向。
TFT12的源极电极9与数据信号线15连接，其漏极电极8通过漏极引出配线37、漏极引出电极7和接触孔11与像素电极17连接。扫描信号线16兼TFT12的栅极电极。像素电极17是ITO等透明电极，使来自有源矩阵基板10下面的光线(背光源光)透过。
在有源矩阵基板10中，通过发送到扫描信号线16的扫描信号(栅极接通(ON)电压)，TFT12变成接通(源极电极9与漏极电极8变为导通状态)，在此状态下，发送到数据信号线15的数据信号(信号电压)通过源极电极9、漏极电极8、漏极引出配线37、漏极引出电极7和接触孔11写入像素电极17中。
保持电容配线18沿着图中左右方向横穿各个像素区域PA，该保持电容配线18作为保持电容的一个电极(保持电容下电极)，漏极引出电极7作为另一个电极(保持电容上电极)起作用。其中，该保持电容例如在下一个数据信号输入像素电极17中为止的期间，作为用于保持写入到像素电极17中的电位的电容C起作用。
另一方面，如图1所示，有源矩阵基板10在其非显示区域55中具备扫描信号线的端部16x、保持电容配线(Cs配线)的端部18x、和沿着图中上下方向形成的Cs主配线(共用配线)50。此处，各个保持电容配线的端部18x通过接触孔48与Cs主配线50连接，并且通过该Cs主配线50向各个保持电容配线18施加规定的电位。具体来讲，在非显示区域55中，各个保持电容配线的端部18x与Cs主配线50正交，在其交叉部P中形成有接触孔48。
此处，在图2中表示上述交叉部分及其附近的截面结构。如同图所示，在非显示区域中，在基板20上形成有保持电容配线的端部18x与扫描信号线的端部16x，并以覆盖它们的方式设置有栅极绝缘膜40。栅极绝缘膜40在与保持电容配线的端部18x重叠的区域中具备：作为接触孔48的一部分(位于接触孔48的开口下)的挖通部52、围绕该挖通部52的第一膜厚部53。而且，栅极绝缘膜40具备围绕该第一膜厚部53的第二膜厚部54，该第二膜厚部54例如与扫描信号线的端部16x重叠。此处，第二膜厚部54由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成，而第一膜厚部53仅由第二栅极绝缘层22构成。在制造工序中，在以覆盖保持电容配线18和扫描信号线16的方式形成第一栅极绝缘层21后，蚀刻除去其一部分(与第一膜厚部53和挖通部52对应的部分)，接着形成第二栅极绝缘层22，再蚀刻除去第二栅极绝缘层22的与挖通部52对应的部分。由此，形成第一和第二膜厚部53、54和挖通部52。
在栅极绝缘膜40上，在挖通部52以外的部分形成有Cs主配线50。即，成为在Cs主配线50上设置有与(栅极绝缘膜的)挖通部52整体重叠的金属除去部49的结构。
再者，在Cs主配线50上形成有第一层间绝缘膜25。在第一层间绝缘膜25上以与Cs主配线50重叠的方式设置有成为接触孔48的一部分的孔，成为在接触孔48内Cs主配线50的一部分露出的结构。而且，以掩埋栅极绝缘膜的挖通部52和金属除去部49以及第一层间绝缘膜25的孔的方式形成有连接电极38(ITO)，保持电容配线的端部18x与Cs主配线50通过该连接电极38连接。
如果俯视上述结构，则如图1所示，第一膜厚部53其整体与交叉部P(Cs主配线和保持电容配线的端部的交叉部)重叠，其外周(边缘)形成以图中上下方向为长边方向的长方形形状。金属除去部49是其整体收在第一膜厚部53的边缘内的以图中左右方向为长度方向的长方形形状。接触孔48是其整体收在第一膜厚部53的边缘内，且与金属除去部49直角交叉的以图中上下方向为长度方向的长方形形状。于是，通过使接触孔48与金属除去部49正交，能够增大两者间的移位裕度。
此外，连接Cs主配线50和保持电容配线的端部18x的接触孔48不需要如图1所示为一个，也可以是如图9所示的多个接触孔48m。
如上所述，对于非显示区域55的栅极绝缘膜，如果使接触孔48的形成位置薄，其它的部分厚，这样就能确实避免Cs主配线50与其它配线(例如扫描信号线的端部16x)的短路，同时能够精度良好地连接Cs主配线50和保持电容配线的端部18x。
本有源矩阵基板10的显示区域44如下所述。即，在覆盖保持电容配线18的栅极绝缘膜上依次形成有从TFT12的漏极电极8引出的漏极引出电极7和第一层间绝缘膜，在该第一层间绝缘膜上形成有像素电极17。
漏极引出电极7其整体与像素电极17和保持电容配线18重叠。此处，在各个像素区域PA中设置的栅极绝缘膜在与漏极引出电极7重叠的区域中具有膜厚比周围变小的薄膜部31。薄膜部31与图2的第一膜厚部53的结构相同，仅由第二栅极绝缘层22构成。此外，薄膜部31周围的栅极绝缘膜与第二膜厚部的结构相同(由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成)。俯视时，薄膜部31是以左右方向作为长边方向的长方形形状，其整体与保持电容配线18和漏极引出电极7重叠。这样就能在保持电容配线18和漏极引出电极7与薄膜部31的重叠部分支配性地决定上述电容C，因此，保持电容配线18的完成状况对电容C偏差的影响减小。而且，在各个像素区域PA中设置有整体与薄膜部31和漏极引出电极7重叠的接触孔11，通过该接触孔11漏极引出电极7与像素电极17连接。
此外，在各个像素区域PA的栅极绝缘膜上，在与TFT12重叠的部分也设置有膜厚比周围变小的薄膜部57。薄膜部57与第一膜厚部的结构相同，仅由第二栅极绝缘层构成。此处，以源极电极9与薄膜部57的重叠面积比漏极电极8与薄膜部57的重叠面积小的方式构成。这样便能维持TFT12的特性，同时能够抑制不易修正的信号线间(数据信号线15、扫描信号线16间)短路的发生。
此外，作为第一栅极绝缘层21，可以使用绝缘性的材料(例如包含有机物的材料)，例如，可以使用旋涂玻璃(SOG：spin on glass)材料。SOG材料是可利用旋涂法等涂布法形成玻璃膜(二氧化硅膜)的材料。在SOG材料中，优选例如包含有机成分的旋涂玻璃材料(所谓的有机SOG材料)。作为有机SOG材料，特别能够优选使用以Si-O-C键作为骨架的SOG材料、以Si-C键作为骨架的SOG材料。有机SOG材料的相对介电常数低，能够很容易形成厚的膜。即，如果使用有机SOG材料，能够降低第一栅极绝缘层21的相对介电常数，从而能够很容易地形成厚的第一栅极绝缘层21，并且还能进行平坦化。在本实施方式中，使第一栅极绝缘层21的厚度为1.5μm～2.0μm左右。再者，作为包含有机物的材料，除了上述SOG材料之外，还有丙烯酸类树脂材料、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、聚硅氧烷类树脂、酚醛类树脂等。
其中，作为上述具有Si-O-C键的SOG材料，例如可以列举日本专利特开2001-98224号公报和日本专利特开平6-240455号公报中公开的材料、IDW’03预稿集第617页中公开的Dow Corning Toray Silicone株式会社制造的DD1100。此外，作为以Si-C键为骨架的SOG材料，例如可以列举日本专利特开平10-102003号公报中公开的材料。
此外，第一栅极绝缘层21也可以使用包含二氧化硅填充物的有机SOG材料。在此情况下，优选采用在由有机SOG材料形成的基材中分散有二氧化硅填充物的结构。这样，即使基板20大型化，也能不发生断裂地形成第一栅极绝缘层21。此外，二氧化硅填充物的粒径例如是10nm～30nm，其混入比例是20体积％～80体积％。作为包含二氧化硅填充物的有机SOG材料例如可以使用催化剂化学公司制造(触媒化学社製)的LNT-025。
第二栅极绝缘膜22是在第一栅极绝缘膜21上形成的绝缘性的膜。在本实施方式中，第二栅极绝缘层22是由氮化硅(SiNx)构成的膜，该氮化硅膜的厚度是300nm～500nm
Figure BSA00000410948000161
左右。
此外，数据信号线15、源极电极9、漏极电极8和Cs主配线50等例如可以形成由钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属或者这些金属的合金构成的单层膜或者叠层膜。它们的膜厚可以是100nm～300nm
Figure BSA00000410948000162
左右。
此外，作为第一层间绝缘膜25(沟道保护膜)，使用氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜或者它们的叠层膜等。在本实施方式中，使用200nm～500nm
Figure BSA00000410948000163
左右的膜厚的氮化硅。
此外，在第一层间绝缘膜25上形成的像素电极17(显示区域)和连接电极38(非显示区域)由例如ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜构成，膜厚是100nm～200nm
Figure BSA00000410948000164
左右。
下面，使用图1、图2说明本有源矩阵基板的制造方法的一个例子。
首先，在透明绝缘性基板20上，采用溅射法等方法成膜出钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属或者这些金属的合金。接着，采用光蚀刻法等将该金属膜或者合金膜图案化形成需要的形状，形成保持电容配线18和扫描信号线16(各个TFT的栅极电极)。再者，在非显示区域中形成保持电容配线的端部18x。
接着，利用旋涂法，以覆盖保持电容配线18和扫描信号线16上的方式涂布SOG材料等。由此，形成第一栅极绝缘层21(平坦化膜)。然后，在第一栅极绝缘层21上涂布光致抗蚀剂后，使用光掩模进行曝光，其后实施显像。接着，通过进行干蚀刻而除去第一栅极绝缘层21。干蚀刻例如可以使用四氟化氢(CF4)与氧(O2)的混合气体进行。此时，通过调整四氟化氢(CF4)与氧(O2)的混合比例，能够使第一栅极绝缘层除去部分的边缘附近形成为正锥形状。
如上所述，通过对第一栅极绝缘层21进行图案化，能够形成非显示区域的第一膜厚部53和显示区域的各个薄膜部(与保持电容配线18重叠的薄膜部31和TFT部的薄膜部57)。
接着，采用等离子体CVD(化学气相生长法)等连续成膜第二栅极绝缘层22、半导体层(高电阻半导体层和低电阻半导体层)之后，利用光蚀刻法等进行图案化形成。
接着，除了数据信号线15、源极电极9、漏极电极8、漏极引出配线37、漏极引出电极7之外，在非显示区域中形成Cs主配线50。它们均可利用同一工序形成。具体来讲，采用溅射法等方法成膜钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属或者这些金属的合金，并采用光蚀刻法等使该金属膜或者合金膜图案化形成需要的形状。
然后，在非晶硅膜等高电阻半导体层(i层)、n+非晶硅膜等低电阻半导体层(n+层)上，以数据信号线15、源极电极9和漏极电极8的图案作为掩模，采用干蚀刻进行沟道蚀刻。在该工艺中，i层的膜厚被优化，形成TFT12。即，未被数据信号线15、源极电极8和漏极电极9覆盖的半导体层被蚀刻除去，剩下对TFT12的能力所需的i层膜厚。
接着，形成保护TFT12的沟道(覆盖沟道)的第一层间绝缘膜25。在本实施方式中，利用等离子体CVD法等，成膜氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜。
再在显示区域中，根据接触孔11的位置，蚀刻第一层间绝缘膜25形成孔，并且在非显示区域中，根据接触孔48的位置，蚀刻第一层间绝缘膜25和第二栅极绝缘层22形成孔。此处，例如，采用光刻法(曝光和显像)对感光性抗蚀剂进行图案化，进行蚀刻。
接着，在第一层间绝缘膜上和各个绝缘层(25、22)的孔内，采用溅射法等方法成膜ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜，并采用光蚀刻法等方法将其图案化形成需要的形状。由此，在显示区域中形成像素电极17，并且在接触孔11中像素电极17和漏极引出电极7连接。此外，在非显示区域中形成连接电极38，并且在接触孔48中Cs主配线50和保持电容配线的端部18x连接。
本有源矩阵基板也可以按照图3的方式构成。如图3所示，有源矩阵基板10y在非显示区域55中具备沿着图中左右方向形成的扫描信号线的端部16x、沿着图中左右方向形成的栅极引出配线的端部59x、沿着图中左右方向形成的保持电容配线(Cs配线)的端部18x、和沿着图中上下方向形成的Cs主配线(共用配线)50。再者，显示区域44的结构与图1相同。此处，扫描信号线的端部16x通过接触孔68与栅极引出配线的端部59x连接。具体来讲，在非显示区域55中，扫描信号线的端部16x与栅极引出配线的端部59x重叠，在该重叠部P中形成接触孔68。
此处，图4表示上述重叠部P及其附近的截面结构(图3的A3-A4截面图)。如同图所示，在基板20上形成有扫描信号线的端部16x，并且以覆盖它的方式设置有栅极绝缘膜40。栅极绝缘膜40在与扫描信号线的端部16x重叠的区域中具备：作为接触孔68的一部分(位于接触孔68的开口下)的挖通部62、围绕该挖通部62的第一膜厚部63。再者，栅极绝缘膜40具备围绕该第一膜厚部63的第二膜厚部64，该第二膜厚部64例如与Cs主配线50重叠。此处，第二膜厚部64由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成，而第一膜厚部63仅由第二栅极绝缘层22构成。在制造工序中，在以覆盖保持电容配线18和扫描信号线16的方式形成第一栅极绝缘层21后，蚀刻除去它的一部分(与第一膜厚部63和挖通部62对应的部分)，接着，形成第二栅极绝缘层22，再蚀刻除去与第二栅极绝缘层22的挖通部62对应的部分。由此，形成第一和第二膜厚部63、64和挖通部62。
在栅极绝缘膜40上，在挖通部62以外的部分形成有栅极引出配线的端部59x。即，在栅极引出配线的端部59x上设置有整体与栅极绝缘膜的挖通部62重叠的金属除去部69。
在栅极引出配线的端部59x上形成有第一层间绝缘膜25。在第一层间绝缘膜25上，按照与栅极引出配线的端部59x重叠的方式设置有成为接触孔68的一部分的孔，成为在接触孔内，栅极引出配线的端部59x的一部分露出的结构。而且，以掩埋栅极绝缘膜的挖通部62和金属除去部69以及第一层间绝缘膜25的孔的方式形成有连接电极78(ITO)，扫描信号线的端部16x与栅极引出配线的端部59x通过该连接电极78连接。
如果俯视上述结构，则如图3所示，第一膜厚部63其整体与交叉部P(栅极引出配线的端部与扫描信号线的端部的交叉部)重叠，其外周(边缘)形成以图中上下方向为长边方向的长方形形状。金属除去部69是其整体收在第一膜厚部63的边缘内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔68是其整体收在第一膜厚部63的边缘内，且与金属除去部69直角交叉的以图中上下方向作为长边方向的长方形形状。
图35表示具备图3所示的本有源矩阵基板10y与彩色滤光片基板(CF基板)的液晶面板的结构。此处，在彩色滤光片基板的结构要素中，仅图示感光间隔物。如图35所示，在液晶面板504j中，在显示区域44中，按照与各个扫描信号线16重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与各个扫描信号线的端部16x重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。此外，图中并未表示，但是感光间隔物51按照与显示区域44的各个扫描信号线16重叠的方式沿图中左右方向隔开间隔配置。
此外，感光间隔物51、61是柱状的间隔物，被设置在CF基板侧，但也可以设置在有源矩阵基板侧。
图36表示图35的包括显示区域中的感光间隔物51的线向视截面图和包括非显示区域中的感光间隔物61的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线的端部16x、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25。
采用图35的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。
本有源矩阵基板也可以采用图5的方式构成。该有源矩阵基板被用于在一个子像素(与R、G、B中的任意一个对应)中形成有亮度不同的多个区域的多像素驱动。
如图5所示，有源矩阵基板10x在其显示区域44中具备：以相互正交的方式沿着图中左右方向形成的扫描信号线16和沿着图中上下方向形成的数据信号线15、在各个信号线(15、16)的交点附近形成的第一和第二TFT12a、12b、第一和第二像素电极17a、17b、和沿着图中左右方向形成的第一和第二保持电容配线(Cs配线)18a、18b。在一个像素区域PA中包括该第一和第二TFT12a、12b与第一和第二像素电极17a、17b。
第一TFT12a的源极电极9与数据信号线15连接，其漏极电极8a通过漏极引出配线37a、漏极引出电极7a和接触孔11a与第一像素电极17a连接。同样，第二TFT12b的源极电极9与数据信号线15连接，其漏极电极8b通过漏极引出配线37b、漏极引出电极7b和接触孔11b与第二像素电极17b连接。其中，扫描信号线16兼第一和第二TFT12a、12b的栅极电极。
在本有源矩阵基板中，第一保持电容配线18a与漏极引出电极7a重叠，第二保持电容配线18b与漏极引出电极7b重叠。而且，漏极引出电极7a作为电容C1的一个电极起作用，第一保持电容配线18a作为该电容C1的另一个电极起作用。同样，漏极引出电极7b作为电容C2的一个电极起作用，第二保持电容配线18b作为该电容C2的另一个电极起作用。这些电容C1、C2分别兼具作为各个像素电极电位的控制用电容和保持电容的功能。
即，在本有源矩阵基板中，来自数据信号线15的数据(信号电位)通过各个TFT(12a、12b)共用的源极电极9、漏极电极8a、8b等被分别赋予第一和第二像素电极17a、17b，相互相反相位的信号电压被施加在第一和第二保持电容配线18a、18b上，第一和第二像素电极17a、17b被分别控制在不同的电位。由此便可在一个像素区域内形成亮的区域与暗的区域，并且能够利用面积灰度等级来表现中间色调。结果，能够改善斜视角的泛白等，从而能够提高显示品质。
另一方面，有源矩阵基板10x在其非显示区域55中具备扫描信号线的端部16x、第一和第二保持电容配线(Cs配线)的端部18A、18B、沿着图中上下方向形成的第一和第二Cs主配线(共用配线)50a、50b。
此处，第一保持电容配线的端部18A通过接触孔48a与第一Cs主配线50a连接，信号电位通过该第一Cs主配线50a被赋予第一保持电容配线18a。具体来讲，在非显示区域55中，第一保持电容配线的端部18A与第一Cs主配线50a交叉，在其交叉部P1中形成有接触孔48a。同样，第二保持电容配线的端部18B通过接触孔48b与第二Cs主配线50b连接，(与第一保持电容配线18a相反相位的)信号电位通过该第二Cs主配线50b被赋予第二保持电容配线18b。具体来讲，在非显示区域55中，第二保持电容配线的端部18B与第二Cs主配线50b交叉，在其交叉部P2中形成有接触孔48b。
在本有源矩阵基板10x中，在与交叉部P1重叠的位置设置有第一膜厚部53a、金属除去部49a、连接电极38a和接触孔48a。第一膜厚部53a是栅极绝缘膜比周围变薄(仅由第一栅极绝缘层构成)的部分。栅极绝缘膜具有围绕第一膜厚部53a的膜厚大的第二膜厚部(图中未示)，该第二膜厚部例如与扫描信号线的端部16x、第二Cs主配线50b重叠。金属除去部49a是挖通第一Cs主配线50a的一部分的部分，栅极绝缘膜与挖通的部分重叠。
此处，第一膜厚部53a其整体与交叉部P1(第一Cs主配线50a与第一保持电容配线的端部18A的交叉部)重叠，其外周(边缘)形成以图中上下方向为长边方向的长方形形状。金属除去部49a是其整体收在第一膜厚部53a的边缘内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔48a是其整体收在第一膜厚部53a的边缘内，且与金属除去部49a直角交叉的以图中上下方向作为长边方向的长方形形状。此外，连接电极38a(ITO)按照与金属除去部49a和接触孔48a重叠的方式形成，用于连接第一Cs主配线50a与第一保持电容配线的端部18A。
在本有源矩阵基板10x中，在与交叉部P2重叠的位置设置有第一膜厚部53b、金属除去部49b、连接电极38b和接触孔48b。第一膜厚部53b是栅极绝缘膜比周围变薄(仅由第一栅极绝缘层构成)的部分。栅极绝缘膜具有围绕第一膜厚部53b的膜厚大的第二膜厚部(图中未示)，该第二膜厚部例如与扫描信号线的端部16x、第二Cs主配线50a重叠。
金属除去部49b是挖通第二Cs主配线50b的一部分的部分，栅极绝缘膜与挖通部重叠。此处，第一膜厚部53b其整体与交叉部P2(第二Cs主配线50b与第二保持电容配线的端部18B的交叉部)重叠，其外周(边缘)形成以图中上下方向为长边方向的长方形形状。金属除去部49b是其整体收在第一膜厚部53b的边缘内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔48b是其整体收在第一膜厚部53b的边缘内，且与金属除去部49b直角交叉的以图中上下方向作为长边方向的长方形形状。此外，连接电极38b(ITO)按照与金属除去部49b和接触孔48b重叠的方式形成，用于连接第二Cs主配线50b与第二保持电容配线的端部18B。
此外，显示区域44的结构如下所述。即，漏极引出电极7a其整体与第一像素电极17a和第一保持电容配线18a重叠。此处，在各个像素区域PA中设置的栅极绝缘膜在与漏极引出电极7a重叠的区域中具有膜厚比周围变小的薄膜部31a。薄膜部31a与第一膜厚部53a、53b(参照图5)的结构相同，仅由第二栅极绝缘层22构成。此外，薄膜部31a周围的栅极绝缘膜与第二膜厚部的结构相同(由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成)。
俯视时，薄膜部31a是以左右方向作为长边方向的长方形形状，其整体与第一保持电容配线18a和漏极引出电极7a重叠。由此能够在第一保持电容配线18a和漏极引出电极7a与薄膜部31a的重叠部分支配性地决定上述电容C1。而且，在各个像素区域PA中设置有整体与薄膜部31a重叠的接触孔11a，通过该接触孔11a，漏极引出电极7a与第一像素电极17a连接。
此外，漏极引出电极7b其整体与第二像素电极17b和第二保持电容配线18b重叠。此处，在各个像素区域PA中设置的栅极绝缘膜在与漏极引出电极7b重叠的区域中具有膜厚比周围变小的薄膜部31b。薄膜部31b与第一膜厚部53a、53b(参照图5)的结构相同，仅由第二栅极绝缘层22构成。此外，薄膜部31b周围的栅极绝缘膜与第二膜厚部的结构相同。俯视时，薄膜部31b是以左右方向作为长边方向的长方形形状，其整体与第二保持电容配线18b和漏极引出电极7b重叠。由此能够在第二保持电容配线18b和漏极引出电极7b与薄膜部31b的重叠部分支配性地决定上述电容C2。而且，在各个像素区域中设置有整体与薄膜部31b重叠的接触孔11b，通过该接触孔11b，漏极引出电极7b与第二像素电极17b连接。
此外，在有源矩阵基板10x应用在MVA液晶面板中的情况下，在第一和第二像素电极17a、17b中形成有例如横V字形状(使V字旋转90度的形状)的缝隙。
图15是表示图5的各个部分的动作的时序图。此处，Vg是扫描信号线16的电压、Vs是数据信号线15的电压(源极电压)、Vcs1是第一保持电容配线18a的电压、Vcs2是第二保持电容配线18b的电压、Vlc1是第一像素电极17a的电压、Vlc2是第二像素电极17b的电压。在液晶显示装置中，以使液晶不极化的方式，一般进行帧反转、线反转、点反转这样的交流驱动。即，在第n帧中，向源极电压的中央值Vsc施加正极极性的源极电压(Vsp)，在下一个(n+1)帧中向Vsc施加负极极性的源极电压(Vsn)，并且按照每个帧进行点反转。此外，使第一保持电容配线18a的电压和第二保持电容配线18b的电压分别以振幅电压Vad偏振，并且两者的相位偏差180度。即，以在T2时Vg变成“L”(各个TFT12a、12b断开)后，紧接着Vcs1变成“H”，Vcs2变成“L”的方式对两者进行控制。
此外，如图16所示，也可以将Vcs1作为紧接在T2时Vg变成“L”(各个TFT12a、12b断开)后的T3时变成“High”(或者变成“Low”)的波形，将Vcs2作为在从T3开始的一个水平期间(1H)后的T4变成“Low”(或者变成“High”)的波形。即，按照在各个晶体管被断开后，Vcs1上升并在该帧中维持该上升后的状态，并且从Vcs1上升后偏差1H期间使Vcs2下降，并在该帧中维持该下降后的状态的方式进行电位控制，或者按照在各个晶体管被断开后，使Vcs1下降并在该帧中维持该下降后的状态，并且从Vcs1下降后偏差1H期间使Vcs2上升，并在该帧中维持该上升后的状态的方式进行电位控制。这样，Vcs1和Vcs2波形的钝化(なまり)对漏极有效电位的影响减小，对降低亮度不均有效。
其中，图5所示的有源矩阵基板是上下(沿着数据信号线的方向)相邻的像素彼此共用各个保持电容配线的结构，但是，在上下相邻的像素彼此不共用各个保持电容配线的结构，则如图17所示，可以将Vcs1作为紧接在T2时Vg变成“L”(各个TFT12a、12b断开)后的T3时变成“High”(或者变成“Low”)的波形，同样也可以将Vcs2作为紧接在T2时Vg变成“L”后的T3时变成“Low”(或者变成“High”)的波形。即，可以按照在各个晶体管被断开后，使Vcs1上升并在该帧中维持该上升后的状态，并且与Vcs1的上升同步使Vcs2下降，并在该帧中维持该下降后的状态的方式进行电位控制，或者按照在各个晶体管被断开后，使Vcs1下降并在该帧中维持该下降后的状态，并且与Vcs1的下降同步使Vcs2上升，并在该帧中维持该上升后的状态的方式进行电位控制。在此情况下，Vcs1和Vcs2波形的钝化对漏极有效电位的影响减小，对降低亮度不均有效。
如图18所示，也可以对本有源矩阵基板10x进行变形。即，按照尽可能多的包含位于第一和第二Cs主配线50a、50b中的被相邻的两根扫描信号线夹着的区域的部分的方式形成第一膜厚部(栅极绝缘膜薄的部分)。
在图18所示的有源矩阵基板中，第一膜厚部71a的外周是包括交叉部P1的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。此处，沿着左右方向延伸的一边与夹着第一保持电容配线的端部18A的两根扫描信号线的一根接近，横穿第一Cs配线50a和第二Cs主配线50b，并且，沿着左右方向延伸的另一边与上述两个扫描信号线的另一根接近，横穿第一Cs主配线50a和第二Cs主配线50b。再者，金属除去部49a是其整体收在交叉部P1内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔48a其整体收在交叉部P1内，并且形成与金属除去部49a直角交叉的以图中上下方向为长边方向的长方形形状。
另一方面，图18所示的第一膜厚部71b(栅极绝缘膜厚的部分)的外周是包括交叉部P2和交叉部P3(第一Cs主配线50a与第二保持电容配线的端部18B的交叉部)的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。此处，沿着左右方向延伸的一边与夹着第一保持电容配线的端部18B的两根扫描信号线中的一根接近，横穿第一Cs主配线50a和第二Cs主配线50b，并且沿着左右方向延伸的另一边与上述两根扫描信号线的另一根接近，横穿第一Cs主配线50a和第二Cs主配线50b。但是，位于交叉部P3的部分是第二膜厚部36(栅极绝缘膜厚的部分)。再者，金属除去部49b是其整体收在交叉部P2内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔48b其整体收在交叉部P2内，并且形成与金属除去部49b直角交叉的以图中上下方向为长边方向的长方形形状。
在图18所示的有源矩阵基板中，由于第一Cs主配线50a的电位与在相对基板(CF基板，图中未示)上形成的共用电极的电位不同，因此，因两者间的寄生电容，存在导致第一Cs主配线50a(进而，第一保持电容配线18a)的电位波形变得钝化的情况，如上述结构那样，按照尽可能多的包含位于第一和第二Cs主配线50a、50b中的被相邻的两根扫描信号线所夹着的区域的部分的方式宽广地形成第一膜厚部71a(栅极绝缘膜薄的部分)，由此能够降低第一Cs主配线50a的更多部分的位置(玻璃基板侧)，扩大与相对基板(CF)的距离，从而能够降低上述寄生电容。这样便能使各个Cs主配线的电位波形锐化。对于第一膜厚部71b也同样如此，而且，位于交叉部P3的部分是第二膜厚部36(栅极绝缘膜厚的部分)，因此，也能够防止发生第一Cs主配线50a与第二保持电容配线的端部18B的短路。
图19表示具备图18所示的本有源矩阵基板与彩色滤光片基板(适当记作CF基板)的液晶面板的结构。此处，在CF基板的结构要素中，仅图示感光间隔物。如图19所示，在液晶面板504a中，在显示区域44中，按照与各个扫描信号线16重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与各个扫描信号线的端部16x重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。此外，图中并未表示，但是，感光间隔物51按照与显示区域44的各个扫描信号线16重叠的方式沿图中左右方向隔开间隔配置。
图20表示图19的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20一侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20一侧开始依次配置有扫描信号线的端部16x、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25。
如上所述，在非显示区域、显示区域间，通过使感光间隔物下面的结构(特别是栅极绝缘膜40的结构)一致，则各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。这样，便能抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。
此外，在使液晶层的取向为垂直取向的所谓VA模式的液晶显示装置中，相对于显示区域的单元间隙，非显示区域的单元间隙为-0.4μm至+0.2μm，优选是-0.2μm至+0.1μm。即，即便存在CF基板侧的彩色滤光片层、黑色矩阵的厚度偏差、或者感光间隔物的高度偏差、或者有源矩阵基板的厚度偏差等，在显示区域与非显示区域只要上述单元间隙之差在上述数值范围内即可。此外，负极侧的范围广的原因在于，在非显示区域的单元间隙比位于其内侧的显示区域的单元间隙小的情况下，与比显示区域的单元间隙大的情况相比，难以识别上述亮度不均的缘故。
此外，在能够将非显示区域设计成非常小的情况下，如图21和图22(图21中的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图)所示，通过使液晶面板504b的封口67内包含珠子状间隔物76，能够保持非显示区域55的单元间隙。在此情况下，也能够比感光间隔物51低地形成非显示区域55的感光间隔物61(感光间隔物61起到以下功能，当从外部向液晶面板施加压力时，非显示区域的单元间隙不会变成一定值以下)。
本实施方式的液晶面板也可以如图23所示进行构成。如图23所示，在液晶面板504c中，在显示区域44中，按照与扫描信号线16重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，而在非显示区域55中，在不与各个金属配线(扫描信号线的端部16x和各个保持电容配线的端部18A、18B)重叠的位置配置有感光间隔物61(第二间隔物)。图24表示图23中的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25。
在此情况下，虽然在非显示区域、显示区域之间感光间隔物下面的结构不一致，但是栅极绝缘膜40(第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22)的结构一致。此处，由于第一栅极绝缘层21是平坦化膜(SOG膜等)，因此，在感光间隔物51下透明绝缘性基板20上形成的各膜的总膜厚与在感光间隔物61下构造透明绝缘性基板20上形成的各膜的总膜厚几乎不变。因此，在图23、24所示的结构中，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。由此能够抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。
此外，显示区域44侧的感光间隔物51也不必设置在金属配线(扫描信号线等)上，但是优选配置在不与各个像素电极17a、17b重叠的位置。其原因在于，如果在与各个像素电极17a、17b重叠的位置配置感光间隔物51，则有可能因感光间隔物51引起液晶取向紊乱。
本实施方式的液晶面板也可以如图29所示进行构成。如图29所示，在液晶面板504f中，在显示区域44中，按照与第一保持电容配线18a重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与第一保持电容配线的端部18A重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。
图30表示图29的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有第一保持电容配线18a、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有第一保持电容配线的端部18A、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25。
采用图29的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。
本实施方式的液晶面板也可以如图31所示进行构成。如图31所示，在液晶面板504g中，在显示区域44中，按照与扫描信号线16重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与第一保持电容配线的端部18A重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。
图32表示图31的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有第一保持电容配线的端部18A、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22和第一层间绝缘膜25。
采用图31的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。
本实施方式的液晶面板也可以如图25所示进行构成。如图25所示，在液晶面板504d中，在显示区域44中，按照与扫描信号线16和数据信号线15的交叉部分重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与第一Cs主配线50a和各个扫描信号线的端部16x的交叉部分重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。图26表示图25中的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如图26所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、数据信号线15和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线的端部16x、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、第一Cs主配线50a和第一层间绝缘膜25。
采用图25的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。由此能够抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。由此能够抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。
此外，在非显示区域55中，能够缩小相当于第一Cs主配线50a的膜厚的感光间隔物61的高度，在显示区域44中，能够缩小相当于数据信号线15的膜厚的感光间隔物61的高度。因此，能够缩短对感光间隔物进行曝光、显像的时间，带动生产量的提高。此外，也能削减用于形成感光间隔物的材料。再者，第一Cs主配线50a与数据信号线15在同一工序中形成，并且配置在相同层(栅极绝缘膜40上)。
本实施方式的液晶面板也可以如图27所示进行构成。如图27所示，在液晶面板504e中，在显示区域44中，按照与扫描信号线16或者第二保持电容配线18b和数据信号线15的交叉部分重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与扫描信号线16的端部16x或者第二保持电容配线的端部18B和第一Cs主配线50a的交叉部分重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。图28表示图27的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如图28所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、数据信号线15和第一层间绝缘膜25，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有第二保持电容配线的端部18B、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、第一Cs主配线50a和第一层间绝缘膜25。
采用图27的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。由此能够抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。由此能够抑制在显示区域44和非显示区域55的交界附近发生亮度不均。
此外，由于在第二保持电容配线的端部18B与第一Cs主配线50a的交叉部分(P3)配置有感光间隔物61，因此，如果使感光间隔物61的相对介电常数低于(液晶层内的)液晶材料的平均相对介电常数，则能够抑制上述交叉部分P3中的第一Cs主配线50a和CF基板间的寄生电容。
如上所述，如果为了防止第一Cs主配线50a与第二保持电容配线的端部18B的短路而使交叉部P3在第二膜厚部36(栅极绝缘膜厚的部分)，则第一Cs主配线50a和CF基板间的距离缩短，两者间的寄生电容增加。因此，通过在该交叉部分P3上配置具有比液晶材料的平均相对介电常数低的相对介电常数的感光间隔物61，能够降低该寄生电容。由于一般的垂直取向用液晶的平均相对介电常数(ε‖与ε⊥的平均值)为6.0左右，因此，例如如果在感光间隔物61中使用相对介电常数4.3前后的丙烯酸类感光性树脂，则能够获得寄生电容降低的效果。此外，从寄生电容降低的观点来看，感光间隔物61也可不与有源矩阵基板接触，此外，感光间隔物61优选具有与交叉部P3的面积相等的底面积。其中，作为配置在交叉部P3上的感光间隔物61，能够使用相对介电常数3.5～4.0左右的酚醛类树脂、相对介电常数3～5的聚氨酯类、相对介电常数3前后的聚酯类树脂、相对介电常数2～3左右的聚烯烃类树脂等。
本有源矩阵基板也可以如图6所示进行构成。图6是表示本实施方式的有源矩阵基板(显示区域、非显示区域)的概略结构的图。如图6所示，有源矩阵基板10z在其非显示区域55中具备扫描信号线的端部16x、保持电容配线(Cs配线)的端部18x、和沿着图中上下方向形成的Cs主配线(共用配线)50。此处，各个保持电容配线的端部18x通过接触孔98与Cs主配线50连接，通过该Cs主配线50向各个保持电容配线18赋予规定的电位。具体来讲，在非显示区域55中，各个保持电容配线的端部18x与Cs主配线50交叉，在其交叉部P中形成有接触孔98。
此处，图7表示上述交叉部P及其附近的截面结构(图6的B 1-B2截面图)。如同图所示，在基板20上形成有保持电容配线的端部18x，并且以覆盖它的方式设置有栅极绝缘膜40。栅极绝缘膜40在与保持电容配线的端部18x重叠的区域中具备：作为接触孔98的一部分的挖通部92、围绕该挖通部92的第一膜厚部93。而且，栅极绝缘膜40还具备围绕该第一膜厚部93的第二膜厚部94。此处，第一和第二膜厚部93、94的交界K位于比保持电容配线的端部18x的边缘多出距离d的外侧，第二膜厚部94例如与扫描信号线的端部16x(参照图6)重叠。此处，第二膜厚部94由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成，而第一膜厚部93仅由第二栅极绝缘层22构成。在制造工序中，在按照覆盖保持电容配线18和扫描信号线16的方式形成第一栅极绝缘层21以后，蚀刻除去其一部分(与第一膜厚部93和挖通部92对应的部分)，接着形成第二栅极绝缘层22，再蚀刻除去第二栅极绝缘层22的与挖通部92对应的部分。由此，形成第一和第二膜厚部93、94和挖通部92。
在栅极绝缘膜40上，在挖通部92以外的部分形成有Cs主配线50。即，成为在Cs主配线50上设置有与(栅极绝缘膜的)挖通部92整体重叠的金属除去部79的结构。
在Cs主配线50上形成有第一层间绝缘膜25和第二层间绝缘膜26。在第一层间绝缘膜25和第二层间绝缘膜26上按照与Cs主配线50重叠的方式设置有成为接触孔98的一部分的孔，成为在接触孔内Cs主配线50的一部分露出的结构。而且以掩埋栅极绝缘膜的挖通部92、金属除去部79、第一层间绝缘膜25的孔、和第二层间绝缘膜26的孔的方式形成有连接电极95(ITO)，保持电容配线的端部18x与Cs主配线50通过该连接电极95连接。
如果俯视上述结构，则如图6所示，该第一膜厚部93的外周(边缘)形成以图中左右方向为长边方向的长方形形状，整个交叉部P(Cs主配线和保持电容配线的端部的交叉部)位于第一膜厚部93的外周内。金属除去部79是其整体收在第一膜厚部93的边缘内的以图中左右方向作为长边方向的长方形形状。接触孔98是其整体收在第一膜厚部93的边缘内，且与金属除去部79直角交叉的以图中上下方向作为长边方向的长方形形状。
如果利用图6、图7和图8(图6的B3-B4截面图)说明本有源矩阵基板10z的显示区域44，则如下所述。即，与TFT12的漏极电极8连接的漏极引出电极7整体与像素电极17和保持电容配线18重叠，各个像素区域的栅极绝缘膜在与漏极引出电极7重叠的区域中具有膜厚大的厚膜部81、和围绕厚膜部81的膜厚小的薄膜部91。厚膜部81具有与图7的第二膜厚部94相同的结构，由第一和第二栅极绝缘层构成。薄膜部91与图7的第一膜厚部93的结构相同，仅由第二栅极绝缘层构成。再者，薄膜部91的周围与第二膜厚部94的结构相同(由第一栅极绝缘层21和第二栅极绝缘层22构成)。俯视时，薄膜部91的外周是以左右方向作为长边方向的长方形形状，其外周整体与保持电容配线18和漏极引出电极7重叠。由此能够在保持电容配线18和漏极引出电极7与薄膜部91的重叠部分支配性地决定电容。在薄膜部91的内侧形成有以左右方向作为长边方向的长方形形状的厚膜部81。而且，在各个像素区域中形成有其整体与厚膜部81重叠的接触孔83，漏极引出电极7通过该接触孔83与像素电极17连接。
此外，在各个像素区域的栅极绝缘膜上，在与TFT12重叠的部分也设置有膜厚变小的薄膜部96。薄膜部96也与第一膜厚部93的结构相同，仅由第二栅极绝缘层构成。此处，按照源极电极9与薄膜部96的重叠面积比漏极电极8与薄膜部96的重叠面积小的方式构成。
此处，在第一和第二膜厚部93、94的交界K与保持电容配线的端部18x的边缘之间的距离d小的情况下，导致接触孔98(非显示区域)附近的第二层间绝缘膜26的厚度T1(参照图7)与接触孔83(显示区域)附近的第二层间绝缘膜26的厚度T2(参照图8)之差(膜厚差)变大。将其示于图10的图标中。图10的图表是在图7、8中，在第一栅极绝缘层21(SOG膜)为1.5μm，第二栅极绝缘层22为0.4μm，保持电容配线(18、18x)的膜厚为0.3μm，第一层间绝缘膜25的膜厚为0.3μm，第二层间绝缘膜26的膜厚为2.5μm，使用丙烯酸类感光性树脂的第二层间绝缘膜26的粘度为7.5cp(centipoise：厘泊)的情况下，调查上述距离d与上述膜厚差的关系的图。由图10的图表可知，如果使上述距离d为60μm(优选70μm)以上，则上述膜厚差在能够匹配曝光的范围(0.1～0.2μm)内。
图33表示具备图6所示的本有源矩阵基板10z与彩色滤光片基板(CF基板)的液晶面板的结构。如图33所示，在液晶面板504h中，在显示区域44中，按照与各个扫描信号线16重叠的方式配置有感光间隔物51(第一间隔物)，并且在非显示区域55中，按照与各个扫描信号线的端部16x重叠的方式配置有感光间隔物61(第二间隔物)。此外，图中并未表示，但是，感光间隔物51按照与显示区域44的各个扫描信号线16重叠的方式沿着图中左右方向隔开间隔设置。
图34表示图33的显示区域的线向视截面图和非显示区域的线向视截面图。如同图所示，在显示区域的感光间隔物51下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线16、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、第一层间绝缘膜25和第二层间绝缘膜26，在非显示区域的感光间隔物61下，从透明绝缘性基板20侧开始依次配置有扫描信号线的端部16x、第一栅极绝缘层21、第二栅极绝缘层22、第一层间绝缘膜25和第二层间绝缘膜26。
采用图33的结构，由于在非显示区域、显示区域间，感光间隔物下面的结构也一致，因此，各个感光间隔物51、61的高度设定变得容易，能够缩小显示区域44和非显示区域55间的单元间隙之差。
此外，包含有机物的层间绝缘膜(第二层间绝缘膜26)与SiNx、SiO2等无机膜相比具有弹性。因此，在显示区域与非显示区域感光间隔物51、61形成在CF基板侧，且感光间隔物与有源矩阵基板相接的这种结构中，如果配置有包含有机物的层间绝缘膜(第二层间绝缘膜26)，则利用其弹性变形，也具有吸收CF基板侧的彩色滤光片层和黑色矩阵的厚度偏差、或者间隔物高度的偏差、或者有源矩阵基板的膜厚偏差的效果。再者，作为包含有机物的层间绝缘膜(第二层间绝缘膜26)可以使用丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、聚硅氧烷类树脂、酚醛类树脂等。
图11是表示具备本有源矩阵基板的液晶面板的具体结构的截面图。如同图所示，本液晶面板504从背光源光源一侧依次具备偏光板41、本有源矩阵基板10(10x～10z)、取向膜82、液晶层43、彩色滤光片基板(CF基板)84和偏光板85。彩色滤光片基板84从液晶层43一侧依次具备感光间隔物(图中未示)、取向膜85、共用(相对)电极86、彩色滤光片层87(包括黑色矩阵99)和玻璃基板88。
其中，在图11所示的MVA液晶面板中，在该共用(相对)电极86上设置有液晶分子取向控制用突起(肋)86x。液晶分子取向控制用突起86x例如采用感光性树脂等形成。作为肋86x的平面形状(从基板面垂直方向观看的形状)可以列举按照一定的周期弯曲成锯齿形的带状(例如，使V字旋转90度后的横V字形状)。此外，与CF基板84侧的肋86x对应，在有源矩阵基板10侧的像素电极中形成有按照一定的周期弯曲成锯齿形的带状(例如，使V字旋转90度后的横V字形状)的缝隙。即，在使用本有源矩阵基板构成MVA液晶面板的情况下，在图1、3、5等所示的像素电极17(第一和第二像素电极17a、17b)上形成有上述这种缝隙。
接着，对彩色滤光片基板(CF基板)的制造方法进行说明。如上所述，彩色滤光片基板在玻璃基板上具有由三原色(红、绿、蓝)的彩色滤光片(着色层)和黑色矩阵(BM)等构成的彩色滤光片层、相对电极(共用电极)、垂直取向膜、肋(取向控制用突起)和感光间隔物。
首先，在透明基板上，利用旋涂法涂布分散有碳微粒子的阴极型的丙烯酸类感光性树脂后，进行干燥，形成黑色感光性树脂层。接着，隔着光掩模对黑色感光性树脂层进行曝光后，进行显像从而形成黑色矩阵(BM)。此时，在形成第一着色层(例如红色层)、第二着色层(例如绿色层)、和第三着色层(例如蓝色层)的区域中按照分别形成第一着色层用开口部、第二着色层用开口部、第三着色层用开口部(各个开口部与各个像素电极对应)的方式形成BM。
接着，利用旋涂法涂布分散有颜料的阴极型的丙烯酸类感光性树脂后，进行干燥，并利用光掩模进行曝光和显像，形成红色层。之后，对于第二色层用(例如绿色层)和第三色层用(例如蓝色层)，也采用同样的方法形成，完成彩色滤光片。
进一步，利用溅射法形成由ITO等透明电极构成的相对电极，其后，利用旋涂法涂布阳极型的线型酚醛类感光性树脂后，进行干燥，并利用光掩模进行曝光和显像，形成取向控制用突起。
然后，涂布阴极型的丙烯酸类感光性树脂并使其干燥后，利用光掩模通过曝光和显像形成感光间隔物。
如上所述，完成彩色滤光片基板。
下面，说明制成液晶面板时的在有源矩阵基板与彩色滤光片基板之间封入液晶的方法。液晶的封入方法可以通过真空注入法等方法进行，即，在基板周边设置液晶注入用的注入口，在真空下使注入口浸在液晶中，通过开放大气将液晶注入后用UV固化树脂等密封注入口。但是，在垂直取向的液晶面板中，与水平取向面板相比，其注入时间变得非常长，因此，优选使用以下所示的液晶滴下粘合法。首先，在有源矩阵基板的周围涂布UV固化型密封树脂，利用滴下法在彩色滤光片上滴下液晶。以利用液晶滴下法由液晶形成所希望的单元间隙的方式，在封口的内部部分有规则地滴下最佳液晶量。接着，将如上所述进行过密封描绘和液晶滴下的彩色滤光片基板与有源矩阵基板导入粘合装置内以后，将该粘合装置内的气氛减压至1Pa，在该减压条件下粘合两个基板。其后，通过使装置内的气氛为大气压，于是感光间隔物的顶上部与有源矩阵基板接触，获得所希望的单元间隙。接着，用UV照射使密封树脂暂时固化后，为了进行密封树脂的最终固化而进行烘烤。此刻，液晶遍及密封树脂的内侧，成为液晶填充在单元内的状态。然后，烘烤结束后，分割成面板单位，并粘贴偏光板。由以上，完成图11所示的液晶面板。
下面，对本实施方式的液晶显示装置进行说明。
图12是表示本液晶显示装置509的概略结构的框图。如图12所示，液晶显示装置509具备Y/C分离电路500、视频色度电路501、A/D转换器502、液晶控制器503、具有本有源矩阵基板的液晶面板504、背光源驱动电路505、背光源506、微机507和灰度等级电路508。
在液晶显示装置509中显示的图像信号和影像信号被输入Y/C分离电路500中，分离成亮度信号和颜色信号。这些亮度信号和颜色信号在视频色度电路501中被转换成与光的三原色R、G、B对应的模拟RGB信号。而且，该模拟RGB信号在A/D转换器502中被转换成数字RGB信号，被输入液晶控制器503中。
被输入该液晶控制器503中的数字RGB信号从液晶控制器503被输入液晶面板504中。在液晶面板504中，在规定的时间从液晶控制器503输入数字RGB信号，并且从灰度等级电路508供给RGB各自的灰度等级电压。此外，利用背光源驱动电路505驱动背光源506，在液晶面板504上照射光。由此，液晶面板504显示图像和影像。此外，包括上述各个处理，整个液晶显示装置509的控制由微机507进行。
作为上述影像信号，可以列举基于电视播放的影像信号、由照相机拍摄的影像信号、通过互联网线路供给的影像信号等各种影像信号。
此外，如图13所示，本发明的液晶显示装置509与接收电视播放并输出影像信号的调谐部600连接，由此能够根据从调谐部600输出的影像信号进行影像(图像)显示。在此情况下，液晶显示装置509与调谐部600成为电视接收机601。
在使上述液晶显示装置作为电视接收机601时，例如，如图14所示，成为以第一框体801与第二框体806包入并夹持液晶显示装置509的结构。第一框体801形成有用于使在液晶显示装置509中显示的影像透过的开口部801a。此外，第二框体806用于覆盖液晶显示装置509的背面侧，设置有用于操作该液晶显示装置509的操作用电路805，并且在下方安装有支承用部件808。
产业上的可利用性
本发明的有源矩阵基板例如适用于液晶电视机。

Claims (15)

1.一种有源矩阵基板，其具备：配置在晶体管的栅极电极的形成层与晶体管的沟道形成层之间的栅极绝缘膜；和通过设置在非显示区域中的接触孔连接的2个配线，该有源矩阵基板的特征在于：
所述栅极绝缘膜具有：位于所述接触孔内的挖通部；与该挖通部相接的薄膜部；和膜厚比薄膜部的膜厚大的非薄膜部，
在非薄膜部中叠层有多个栅极绝缘层，在薄膜部，该多个栅极绝缘层的至少1个被除去，
所述有源矩阵基板具备在非显示区域中与所述2个配线中的一个交叉且与另一个形成在相同层的交叉配线，所述栅极绝缘膜在所述2个配线中的一个与交叉配线的交叉部分成为非薄膜部。
2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述2个配线中的一个是主配线，另一个是保持电容配线，交叉配线是扫描信号线。
3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在显示区域的各像素区域中，具备第一像素电极和第二像素电极。
4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述多个栅极绝缘层中的至少1个包含有机物。
5.如权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在薄膜部，包含有机物的栅极绝缘层被除去。
6.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述多个栅极绝缘层中的至少1个是平坦化膜。
7.如权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在薄膜部，平坦化膜被除去。
8.如权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在所述非薄膜部，最下层的栅极绝缘层是平坦化膜。
9.如权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述栅极绝缘膜具有在显示区域中与保持电容配线重叠且与所述薄膜部为同一结构的部分。
10.一种液晶面板，其特征在于：
具有权利要求1所述的有源矩阵基板。
11.一种显示装置，其特征在于：
具有权利要求1所述的有源矩阵基板。
12.一种电视接收机，其特征在于，包括：
权利要求11所述的显示装置、和接收电视播放的调谐部。
13.一种显示装置，其特征在于：
该显示装置具有有源矩阵基板，该有源矩阵基板在显示区域的1个像素区域中，设置有与第一晶体管连接的第一像素电极和与第二晶体管连接的第二像素电极，且具备：与第一晶体管和第二晶体管连接的扫描信号线；与第一像素电极形成电容的第一保持电容配线；与第二像素电极形成电容的第二保持电容配线；配置在各晶体管的栅极电极的形成层与各晶体管的沟道形成层之间的栅极绝缘膜；通过设置在非显示区域中的第一接触孔与第一保持电容配线连接的第一主配线；和通过设置在非显示区域中的第二接触孔与第二保持电容配线连接的第二主配线，
所述栅极绝缘膜具有：位于所述第一接触孔内的第一挖通部；与该第一挖通部相接的第一薄膜部；位于所述第二接触孔内的第二挖通部；与该第二挖通部相接的第二薄膜部；和膜厚比第一薄膜部和第二薄膜部的膜厚大的非薄膜部，
在该非薄膜部各自中叠层有多个栅极绝缘层，在第一薄膜部和第二薄膜部各自中，该多个栅极绝缘层中的至少1个被除去，
所述第一保持电容配线和第二保持电容配线被独立地进行电位控制。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
在非显示区域中，第一保持电容配线与第一主配线重叠的部分位于所述第一薄膜部的外周内，并且第二保持电容配线与第二主配线重叠的部分位于所述第二薄膜部的外周内。
15.一种电视接收机，其特征在于，包括：
权利要求13所述的显示装置；和
接收电视播放的调谐部。
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