CN100481477C - 垂直cmos图像传感器的制造方法 - Google Patents

垂直cmos图像传感器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100481477C
CN100481477C CNB2005101351504A CN200510135150A CN100481477C CN 100481477 C CN100481477 C CN 100481477C CN B2005101351504 A CNB2005101351504 A CN B2005101351504A CN 200510135150 A CN200510135150 A CN 200510135150A CN 100481477 C CN100481477 C CN 100481477C
Authority
CN
China
Prior art keywords
epitaxial loayer
energy
photodiode
plug
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005101351504A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1819236A (zh
Inventor
李相基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DB HiTek Co Ltd
Original Assignee
DongbuAnam Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DongbuAnam Semiconductor Inc filed Critical DongbuAnam Semiconductor Inc
Publication of CN1819236A publication Critical patent/CN1819236A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100481477C publication Critical patent/CN100481477C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，以通过最小化径向扩散来减小像素尺寸以提高集成度，其中，在控制剂量和能量时，注入磷离子和砷离子，该方法包括：在半导体衬底中形成第一光电二极管；在半导体衬底上形成第一外延层；通过将第一和第二离子顺序地注入第一外延层，形成第一插头；在第一外延层中形成第二光电二极管；在第一外延层中形成第二外延层；在第二外延层中形成隔离区；以及在第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。

Description

垂直CMOS图像传感器的制造方法
相关技术及其交叉参考
本申请要求于2004年12月29日提交的韩国专利申请第P2004-114603号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，更特别地，涉及一种通过控制离子注入的种类(或元素)、剂量和能量来减小或最小化(注入)插头中的径向扩散的垂直CMOS图像传感器的制造方法。
背景技术
通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可被分为电荷耦合器件图像传感器CCD以及CMOS图像传感器。在CCD的情况下，金属氧化硅MOS电容器彼此相邻布置，并且将电载流子存储在MOS电容器中并且从该MOS电容器中传递。在CMOS图像传感器中，MOS晶体管的数量通常对应于像素的数量。CMOS技术通常用于形成作为外围电路的控制电路和信号处理电路，从而使用MOS晶体管顺序地输出输出信号。
在根据相关技术的垂直CMOS图像传感器中，通常通过以高能量和大剂量注入磷，来形成深约2μm的插头(其可被用于读出例如红色光电二极管的信号)。在非常大剂量的情况下，可存在相对严重的径向扩散。因而，相邻的光电二极管的隔离特性可能恶化。
在下文中，将描述一种根据相关技术的垂直CMOS图像传感器的制造方法。
图1是示出了根据相关技术的垂直CMOS图像传感器的制造方法的横截面图。
如图1所示，红色光电二极管11形成在第一外延层(未示出)中，并且第二外延层12在其上生长至大约2μm的厚度。随后，在第二外延层12上形成第一光刻胶图样(未示出)，其中，第一光刻胶图样(未示出)具有用于插头的开口部分。为了与红色光电二极管11电连接，使用第一光刻胶图样作为掩模，磷离子以高能量(例如，1200keV)以及以中等能量(例如，500keV)注入到第二外延层12中以形成插头13。在去除第一光刻胶图样后，第二光刻胶图样(未示出)形成在第二外延层12上。随后，通过离子注入，在第二外延层12中形成绿色光电二极管14，并且去除第二光刻胶图样。
接下来，在包括有绿色光电二极管14的第二外延层12上形成第三外延层15，并且在第三外延层15中形成STI(浅沟道隔离)层16。随后，第三光刻胶图样(未示出)形成在第三外延层15上，并且通过离子注入，在第三外延层15中形成第二插头17。
此外，在包括STI层16的第三外延层15上形成第四光刻胶图样(未示出)，并且通过离子注入形成蓝色光电二极管18。
在上述的根据相关技术的垂直CMOS图像传感器中，由于第一插头的径向扩散，相邻的光电二极管之间的隔离特性可能劣化。因此，由于隔离特性的恶化，很难减小单位像素的尺寸。
根据相关技术的垂直CMOS图像传感器的制造方法具有以下的缺点。
在可能形成注入插头的深度约为2μm的地方(例如，用于读出红色光电二极管的信号)，由于大剂量的磷注入(并且可能在某种程度上为大剂量与高能量结合)，径向扩散可能很严重。因此，由于隔离特性的恶化，可能具有关于减小单位像素尺寸的限制。结果，很难获得(或实现可能的)高集成的垂直CMOS图像传感器，并且很难降低生产成本。
发明内容
因此，本发明提供了一种用于垂直CMOS图像传感器的制造方法，其基本上消除了由于相关技术的局限性和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的在于提供一种用于垂直CMOS图像传感器的制造方法(其通常通过最小化插头注入的径向扩散来提高集成度以及减小单位像素的尺寸)，在该方法中，以控制的剂量和能量注入磷离子和砷离子。
本发明的其它优点、目的和特征将部分地在随后的说明书中阐述，部分地在本领域技术人员分析以下内容的基础上变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其它优点可通过在说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和达到。
为了实现这些目标和其它优点，并根据本发明的目的，如本文中所体现和概括描述的，一种用于垂直CMOS图像传感器的制造方法包括：在半导体衬底中形成第一光电二极管：在包括第一光电二极管的半导体衬底上形成第一外延层；通过将第一和第二离子顺序地注入第一外延层中，来形成第一插头；在第一外延层中形成第二光电二极管；在包括第二光电二极管的第一外延层上形成第二外延层；在第二外延层中形成隔离区；以及在第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。
此时，形成第一插头的过程包括：在第一外延层中形成限定第一插头区域的光刻胶图样；通过光刻胶图样，以1500keV的能量注入磷离子，以1200keV的能量注入砷离子，并且以500keV的能量注入砷离子。
此外，可以以小剂量注入磷离子，并且可以以大剂量注入砷离子。
根据本发明的另一方面，还提供了一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，包括：通过将具有相对低分子量的磷离子以第一剂量和第一能量注入第一外延层中并将具有相对高分子量的砷离子以第二剂量和第二能量注入所述第一外延层中，以在其中具有第一光电二极管的半导体衬底上的所述第一外延层中形成第一插头，其中，所述第一剂量小于所述第二剂量，以及所述第一能量高于所述第二能量；以及在所述第一外延层中形成第二光电二极管。
其中，形成所述第一插头的过程包括通过限定所述第一插头区域的光刻胶图样，将磷离子以相对高的能量注入所述第一外延层中以及将砷离子以相对低的能量注入所述第一外延层中。
该方法还包括：在所述第一外延层上形成第二外延层，以及在所述第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。
根据本发明的又一方面，还提供了一种垂直CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，在其中具有第一光电二极管；第一外延层，在所述半导体衬底上，具有在所述第一外延层中的第一插头，所述第一插头包括：(i)相对小剂量的磷离子，具有相对低的分子量和相对深的深度；以及(ii)相对大剂量的砷离子，具有相对高的分子量和相对浅的深度；以及在所述第一外延层中的第二光电二极管。
其中，还包括：在所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层在其中包括第三光电二极管和第二插头。
其中，所述磷离子包括剂量为5×1012至1×1013原子/cm2并且深度达到2μm的磷。
其中，所述砷离子包括剂量为5×1012至5×1013原子/cm2的砷。
应该理解，本发明的先前的概述和随后的详述都是示例性的和说明性的，目的在于提供对所要求的本发明的进一步说明。
附图说明
附图提供了对本发明的进一步理解，并入并且构成本申请的一部分。附图说明本发明的实施例，并与说明书一起解释本发明原理。在附图中：
图1示出了根据相关技术的垂直CMOS图像传感器的制造方法的横截面图；
图2至图5示出了根据本发明的垂直CMOS图像传感器的制造方法的横截面图；以及
图6和图7示出了根据相关技术和根据本发明的垂直CMOS图像传感器中的结合特性比较的二维仿真结果。
具体实施方式
以下将详细参照本发明的优选实施例，其实例在附图中示出。任何可能的情况下，在所有附图中将使用相同的附图标号表示相同或相似的部件。
在下文中，将参照附图对根据本发明的垂直CMOS图像传感器的制造方法进行说明。
图2至图5示出了根据本发明的垂直CMOS图像传感器的制造方法的横截面图。
参照图2，第一外延层可生长(通常通过传统的硅或硅-锗的外延生长)在半导体衬底30上，并且第一光刻胶涂覆在包括第一外延层的半导体衬底30上。(可选地，在没有首先形成外延层的情况下，可使用可能与这种外延层相似的具有一定预定性质或特性的单晶硅衬底。)随后，通过传统的光刻法和显影，在半导体衬底30上形成第一光刻胶图样32，其中，第一光刻胶图样32在对应红色光电二极管的衬底或外延层的预定部分或者区域中设置开口。然后，通常通过离子注入(例如，以适于形成这种光电二极管的能量，例如在此所述的相对低的能量，注入用于这种光电二极管的传统剂量的传统掺杂物)，来形成红色光电二极管31，并且去除第一光刻胶图样32。
如图3所示，在包括红色光电二极管31的半导体衬底30上形成2μm厚的第二外延层33(通常通过硅或硅-锗的传统外延生长而形成)。然后，在第二外延层33上涂覆第二光刻胶，随后，通过传统的光刻法和显影，在半导体衬底30上形成第二光刻胶图样34，其中，第二光刻胶图样34设置有通向对应第一插头(其提供了与红色光电二极管31的电连接)的外延层33的预定部分或区域的开口。通过使用第二光刻胶图样34作为掩模注入杂质离子，在对应开口的第二外延层33的预定部分中形成第一插头35。
在下文中，将详细地描述根据本发明的第一和第二实施例的第一插头的制造方法。
根据本发明的第一实施例，使用第二光刻胶图样34作为掩模，以相对高能量(例如，从大约1000keV至大约2000keV，优选地从大约1200keV至大约1800keV，以及在一个实施例中大约为1500keV)注入小剂量的磷离子(例如，从大约5×1012至大约1×1013个原子/cm2)。并随后，使用第二光刻胶图样34作为掩模，以相对高的能量(例如，从大约1000keV至大约1500keV，以及在一个实施例中大约为1200keV)注入一定剂量(例如，从大约5×1012至大约5×1013原子/cm2，优选地从大约7×1012至大约8×1012原子/cm2)的砷离子，从而形成第一插头35。
根据本发明的第二实施例，使用第二光刻胶图样34作为掩模，以相对高的能量(例如，从大约1000keV至大约2000keV，优选地从大约1200keV至大约1800keV，并且在一个实施例中大约为1500keV)注入小剂量的磷离子(例如，从大约5×1012至大约1×1013原子/cm2)。以相对高的能量(例如，从大约1000keV至大约1500keV，并且在一个实施例中大约为1200keV)注入一定剂量的(例如，从大约7×1012至大约8×1012原子/cm2)砷离子。并随后，以相对低的能量(例如，从大约300keV至大约1000keV，优选地从大约400keV至大约800keV并且在一个实施例中大约为500keV)注入一定剂量的(例如，从大约7×1012至大约8×1012原子/cm2)砷离子，从而形成第一插头35。在第一和第二实施例中，离子注入的顺序是可改变的。
在光刻胶图样34中的开口的尺寸可等于或小于用于形成图1所示的相关技术中的插头13的对应开口的尺寸。由此，可改进第一插头35的垂直连通性，并且即使光刻胶图样34中的开口尺寸与用于形成图1中插头13的对应开口尺寸相同，也可以通过减少插头35中的掺杂物(例如，磷)剂量来减少或防止来自第一插头35的掺杂物的径向扩散。
参照图4，在去除第二光刻胶图样34后，涂覆第三光刻胶。随后，通过传统的光刻法和显影形成第三光刻胶图样36，该第三光刻胶图样在对应绿色光电二极管的预定部分或区域中具有开口。然后，可使用第三光刻胶图样36作为掩模，通过注入离子(例如，以适于形成这种光电二极管的能量，例如在此所述的相对低的能量，注入用于这种光电二极管的传统剂量的传统掺杂物)，形成绿色光电二极管37，并随后去除第三光刻胶图样36。
参照5，在包括绿色光电二极管37的第二外延层33上形成第三外延层38(通常通过硅或硅-锗的传统外延生长而形成)。然后，通常通过湿和/或干热氧化(例如，在STI沟道中形成衬里氧化物(liner oxide))和/或块硅氧化物的传统化学气相沉积(其可为等离子增强型和/或等离子辅助型)来填充沟道，随后通过化学机械抛光和/或深蚀刻来从沟道以外的区域中去除氧化物，来进行传统的STI(浅沟道隔离)处理以部分蚀刻第三外延层38并且在其中形成绝缘层(例如，二氧化硅)，由此，形成隔离区39。
随后，在包括隔离区39的第三外延层38上形成第四光刻胶图样。此外，通过传统的离子注入(例如，以适于形成穿过第三外延层38的注入插头40的一个或多个能量注入中等至大剂量的磷和/或砷)，可形成第二插头40以提供与绿色光电二极管37的电连接。在去除第四光刻胶图样后，在第三外延层38上形成第五光刻胶图样，并且通过离子注入形成蓝色光电二极管41(例如，以适于形成这种光电二极管的能量，例如在此所述的相对低的能量，使用用于这种光电二极管的传统剂量的传统掺杂物进行注入)。可选地，除了在此所述的红、绿以及蓝光电二极管以外，可采用包括品红色、黄色、以及青色光电二极管的垂直光电传感器。
图6和图7示出了根据相关技术和根据本发明的垂直CMOS图像传感器中的结合特性比较的二维仿真结果。
在根据相关技术的垂直CMOS图像传感器(图6所示)中，广泛地产生径向扩散。其间，根据二维剖面图可以看出，在根据本发明的垂直CMOS图像传感器(图7所示)的情况下，即使在两种方法中在相同区域(例如，通过相同尺寸的光刻胶开口)中形成注入插头，也可减小或防止这种径向扩散，而不产生垂直特性中的问题。这样，可通过获得相邻光电二极管之间的足够间隔来改进隔离特性。也就是说，在根据本发明的垂直CMOS图像传感器中，利用磷和砷的扩散特性来改进第一插头35的隔离特性，从而通过减小单位像素的尺寸提高了图像传感器的集成度。
如上所述，根据本发明的垂直CMOS图像传感器的制造方法具有以下优势。
在根据本发明的垂直CMOS图像传感器的制造方法中，为了形成用于读出光电二极管的信号的插头，在控制掺杂物剂量和能量的同时，注入磷和/或砷离子。这样，可以通过减小或最小化插头中掺杂物的径向扩散来改进相邻光电二极管之间的隔离特性。结果，根据本发明，可以减少单位像素的尺寸并且可以提高垂直CMOS图像传感器的集成度。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (27)

1.一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，包括：
在半导体衬底中形成第一光电二极管；
在包括所述第一光电二极管的所述半导体衬底上形成第一外延层；
通过将磷离子和砷离子顺序地注入所述第一外延层中，形成第一插头；
在所述第一外延层中形成第二光电二极管；
在包括所述第二光电二极管的所述第一外延层上形成第二外延层；
在所述第二外延层中形成隔离区；以及
在所述第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一插头的过程包括：
在所述第一外延层中形成限定所述第一插头区域的光刻胶图样；以及
使用所述光刻胶图样作为掩模，将磷离子和砷离子注入所述第一外延层中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，以1200keV至1800keV的能量注入所述磷离子。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，以1500keV的能量注入所述磷离子。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，以1000keV至1500keV的能量注入所述砷离子。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，以1200keV的能量注入所述砷离子。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一插头的过程包括：
在所述第一外延层中形成限定所述第一插头区域的光刻胶图样；
使用所述光刻胶图样作为掩模，将磷离子注入所述第一外延层中；
使用所述光刻胶图样作为掩模，将砷离子以第一能量注入所述第一外延层中；以及
使用所述光刻胶图样作为掩模，将砷离子以第二能量注入所述第一外延层中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，以1200keV至1800keV的能量注入所述磷离子。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，以1500keV的能量注入所述磷离子。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一能量是从1000keV至1500keV。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一能量是1200keV。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二能量是400keV至800keV。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二能量是500keV。
14.一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，包括：
通过将具有相对低分子量的磷离子以第一剂量和第一能量注入第一外延层中并将具有相对高分子量的砷离子以第二剂量和第二能量注入所述第一外延层中，以在其中具有第一光电二极管的半导体衬底上的所述第一外延层中形成第一插头，其中，所述第一剂量小于所述第二剂量，以及所述第一能量高于所述第二能量；以及
在所述第一外延层中形成第二光电二极管。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第一插头的过程包括通过限定所述第一插头区域的光刻胶图样，将磷离子以相对高的能量注入所述第一外延层中以及将砷离子以相对低的能量注入所述第一外延层中。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，以1000keV至2000keV的能量注入所述磷离子。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，以1500keV的能量注入所述磷离子。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，以1000keV至1500keV的能量注入所述砷离子。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，以1200keV的能量注入所述砷离子。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，注入剂量为5×1012至1×1013原子/cm2的磷离子。
21.根据权利要求15所述的方法，其中，注入剂量为5×1012至5×1013原子/cm2的砷离子。
22.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述第一外延层上形成第二外延层，以及在所述第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。
23.一种垂直CMOS图像传感器，包括：
半导体衬底，在其中具有第一光电二极管；
第一外延层，在所述半导体衬底上，具有在所述第一外延层中的第一插头，所述第一插头包括：(i)相对小剂量的磷离子，具有相对低的分子量和相对深的深度；以及(ii)相对大剂量的砷离子，具有相对高的分子量和相对浅的深度；以及
在所述第一外延层中的第二光电二极管。
24.根据权利要求23所述的CMOS图像传感器，其中，所述磷离子包括剂量为5×1012至1×1013原子/cm2并且深度达到2μm的磷。
25.根据权利要求23所述的CMOS图像传感器，其中，所述砷离子包括剂量为5×1012至5×1013原子/cm2的砷。
26.根据权利要求23所述的CMOS图像传感器，还包括在所述第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层在其中包括第三光电二极管和第二插头。
27.根据权利要求23所述的CMOS图像传感器，所述第二外延层在其中还包括隔离结构。
CNB2005101351504A 2004-12-29 2005-12-27 垂直cmos图像传感器的制造方法 Active CN100481477C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114603 2004-12-29
KR1020040114603A KR100672664B1 (ko) 2004-12-29 2004-12-29 버티컬 씨모스 이미지 센서의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1819236A CN1819236A (zh) 2006-08-16
CN100481477C true CN100481477C (zh) 2009-04-22

Family

ID=36610434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101351504A Active CN100481477C (zh) 2004-12-29 2005-12-27 垂直cmos图像传感器的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7732246B2 (zh)
KR (1) KR100672664B1 (zh)
CN (1) CN100481477C (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100606918B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 버티컬 씨모스 이미지 센서의 핫 픽셀 및 그 제조방법
KR100767588B1 (ko) * 2006-12-15 2007-10-17 동부일렉트로닉스 주식회사 수직형 이미지 센서의 제조 방법
KR20080058841A (ko) * 2006-12-22 2008-06-26 동부일렉트로닉스 주식회사 수직형 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100851751B1 (ko) * 2006-12-27 2008-08-11 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 제조 방법
KR20080060560A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 버티칼 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100929349B1 (ko) * 2007-01-30 2009-12-03 삼성전자주식회사 유기물 컬러 필터를 포함하지 않는 컬러 픽셀, 이미지 센서, 및 컬러 보간방법
US20080258187A1 (en) * 2007-04-18 2008-10-23 Ladd John W Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors
KR100871973B1 (ko) * 2007-04-23 2008-12-08 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
DE102008039794A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-12 Dongbu Hitek Co., Ltd. Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101459184B (zh) * 2007-12-13 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在cmos上感测图像的系统和方法
US20090160981A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Micron Technology, Inc. Apparatus including green and magenta pixels and method thereof
KR101009394B1 (ko) * 2008-07-30 2011-01-19 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5538922B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2010206178A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP2010206181A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4239554A (en) * 1978-07-17 1980-12-16 Shunpei Yamazaki Semiconductor photoelectric conversion device
US4722910A (en) * 1986-05-27 1988-02-02 Analog Devices, Inc. Partially self-aligned metal contact process
US5162887A (en) * 1988-10-31 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Buried junction photodiode
JPH06132505A (ja) 1992-10-21 1994-05-13 Sony Corp 固体撮像素子及びその作製方法
US5494857A (en) * 1993-07-28 1996-02-27 Digital Equipment Corporation Chemical mechanical planarization of shallow trenches in semiconductor substrates
JPH08148665A (ja) 1994-11-22 1996-06-07 Nec Corp 固体撮像素子
KR0165376B1 (ko) 1995-03-31 1998-12-15 김광호 씨씨디용 이미지 센서 및 그 제조방법
JPH09222505A (ja) 1996-02-16 1997-08-26 Casio Comput Co Ltd マイクロレンズを有するデバイスおよびマイクロレンズの形 成方法
US6055460A (en) * 1997-08-06 2000-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor process compensation utilizing non-uniform ion implantation methodology
JP3770707B2 (ja) * 1997-08-26 2006-04-26 松下電器産業株式会社 減衰全反射測定装置およびそれを用いた特定成分の測定方法
US6194770B1 (en) * 1998-03-16 2001-02-27 Photon Vision Systems Llc Photo receptor with reduced noise
US6110788A (en) * 1998-09-16 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Surface channel MOS transistors, methods for making the same, and semiconductor devices containing the same
US6727521B2 (en) * 2000-09-25 2004-04-27 Foveon, Inc. Vertical color filter detector group and array
US6875558B1 (en) * 1999-08-16 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Integration scheme using self-planarized dielectric layer for shallow trench isolation (STI)
JP2001068658A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP4318007B2 (ja) * 1999-10-07 2009-08-19 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US6187684B1 (en) * 1999-12-09 2001-02-13 Lam Research Corporation Methods for cleaning substrate surfaces after etch operations
KR100477789B1 (ko) * 1999-12-28 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 제조 방법
US6746933B1 (en) * 2001-10-26 2004-06-08 International Business Machines Corporation Pitcher-shaped active area for field effect transistor and method of forming same
US6580109B1 (en) * 2002-02-01 2003-06-17 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit device including two types of photodiodes
JP2004022565A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 受光素子及びそれを用いたカラーセンサ装置
US6646318B1 (en) * 2002-08-15 2003-11-11 National Semiconductor Corporation Bandgap tuned vertical color imager cell
JP2004172335A (ja) 2002-11-20 2004-06-17 Sony Corp 固体撮像装置
JP2004221506A (ja) * 2002-11-22 2004-08-05 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US7279353B2 (en) * 2003-04-02 2007-10-09 Micron Technology, Inc. Passivation planarization
US6911712B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-28 Dialog Semiconductor Gmbh CMOS pixel using vertical structure and sub-micron CMOS process
JP4378108B2 (ja) 2003-05-28 2009-12-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US6949424B2 (en) * 2003-08-28 2005-09-27 Texas Instruments Incorporated Single poly-emitter PNP using DWELL diffusion in a BiCMOS technology
JP4555030B2 (ja) * 2004-09-02 2010-09-29 富士フイルム株式会社 マイクロレンズアレイおよび光学部材並びにマイクロレンズアレイの作製方法
US7029944B1 (en) * 2004-09-30 2006-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods of forming a microlens array over a substrate employing a CMP stop
KR100605814B1 (ko) * 2004-10-27 2006-08-01 삼성전자주식회사 반사 격자를 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100606906B1 (ko) * 2004-12-29 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 포토다이오드 및 그 제조방법
KR100660319B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서 및 그의 제조방법
US7419844B2 (en) * 2006-03-17 2008-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Real-time CMOS imager having stacked photodiodes fabricated on SOI wafer
KR100767588B1 (ko) * 2006-12-15 2007-10-17 동부일렉트로닉스 주식회사 수직형 이미지 센서의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7732246B2 (en) 2010-06-08
CN1819236A (zh) 2006-08-16
KR100672664B1 (ko) 2007-01-24
KR20060075722A (ko) 2006-07-04
US20060138531A1 (en) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100481477C (zh) 垂直cmos图像传感器的制造方法
CN101261957B (zh) 半导体装置的制造方法及影像感测装置
US8120062B2 (en) Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same
CN101371361B (zh) 具有改进的表面耗尽的图像传感器
US8237206B2 (en) CMOS image sensor, method of making the same, and method of suppressing dark leakage and crosstalk for CMOS image sensor
US20080012088A1 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
CN100461436C (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
KR20080019231A (ko) 안티-블루밍 절연을 가진 컬러 픽셀 및 형성 방법
CN101211940B (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20080277701A1 (en) High energy implant photodiode stack
US8766406B2 (en) Self-aligned implants to reduce cross-talk of imaging sensors
CN101211833B (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN107910343A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN101211951A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN109244097A (zh) 图像传感器及其形成方法
CN104934450B (zh) 图像传感器及其制作方法
KR20080058841A (ko) 수직형 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101392540B1 (ko) 패시베이션층 형성 방법
CN1941423B (zh) 突起的硅光电二极管及像素
CN100395883C (zh) 利用独立的源极形成的cmos图像传感器件和方法
KR20100138087A (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
CN101221967B (zh) Cmos图像传感器及其制备方法
CN104795414A (zh) 一种通过注入氮改性多晶硅层的方法
KR20060108017A (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
CN101471365B (zh) 图像传感器及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171215

Address after: South Korea 06194 Seoul Jiangnan District Tehran road 432

Patentee after: DB HiTek Corporation

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: Dongbuanam Semiconductor Inc.