CN100474506C

CN100474506C - 基板处理装置和该装置的盖吊支装置

Info

Publication number: CN100474506C
Application number: CNB2006101375503A
Authority: CN
Inventors: 小田岛章; 宫野真一; 加藤武宏
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-12-14
Filing date: 2006-10-25
Publication date: 2009-04-01
Anticipated expiration: 2026-10-25
Also published as: JP4355314B2; KR20070063450A; JP2007165659A; KR100854803B1; CN1983515A

Abstract

本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置(1)包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的6个处理腔室(100)，在处理腔室(100)上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体(110)的上盖的腔室盖(200)，在处理腔室(100)中，为了开关腔室盖(200)，安装有包括气缸(510)和与气缸(510)结合的1根直线导轨(520)的起重单元(500)。

Description

基板处理装置和该装置的盖吊支装置

技术领域

本发明涉及基板处理装置和该装置的盖吊支装置，特别涉及具备对被处理基板实施规定处理的处理室(处理腔室)的基板处理装置和该装置的盖吊支装置。

背景技术

在基板处理装置中，有具备处理腔室的等离子体处理装置，该处理腔室为了制造半导体器件而对作为被处理基板的半导体晶片(以下简称为“晶片”)实施使用等离子体的蚀刻处理等的等离子体处理。处理腔室在其上部具有用于密闭该处理腔室的腔室上盖(例如，参照后述的专利文献1～4)。在这样的基板处理装置中，通过将腔室上盖从处理腔室上卸下并使其移动，可以进行腔室上盖的外面和腔室内面的清洗、处理腔室的分解·改造等维修。

专利文献1中记载的腔室上盖构成为，在利用电子束的暴光装置(EB装置)中，从处理腔室沿着在铅垂方向上直立设置的4根导轨柱进行升降。

专利文献2、3中记载的腔室上盖，是利用在铅垂方向上直立设置的2根导轨部件升降自如地支撑该腔室上盖的端部的所谓悬臂上下驱动方式的部件，由铰链部能够旋转地枢轴支撑。

作为专利文献4中记载的腔室上盖的板部，是其上面由从在铅垂方向上直立设置的1根作为导轨部件的驱动轴的上部侧面向水平方向伸出的臂部支撑的滑动式的部件，除了铅垂方向的上下运动以外，在水平方向上能够旋转(滑动)。

【专利文献1】特开2004-311887号公报

【专利文献2】特开2000-058523号公报

【专利文献3】美国专利第6719851号说明书

【专利文献4】国际公开第00/060653号小册子

但是，在上述专利文献1～4记载的技术中，需要设置用于支撑腔室上盖的至少一根导轨部件，但这样的导轨部件会对构成用于设置将处理腔室周围包围的壁面的框架的柱部件或邻接的其它处理腔室产生干扰。另外，特别地，在上述专利文献1记载的技术中，由于作为框架的4根导轨柱和腔室上盖产生干扰，所以不能使腔室上盖在水平方向移动。因此，例如在改造时取出处理腔室内部的部件时，即使使腔室上盖上升到导轨柱的最高位置，部件也会与腔室上盖或导轨柱产生干扰。

此外，近年来，随着晶片的大直径化，基板处理装置也大型化。其结果，第一，由于处理腔室周围的空间变得更窄，所以，难以确保设置上述那样的导轨部件的空间和如上述专利文献4中记载的技术那样用于进行腔室上盖向水平方向旋转的空间。第二，由于随着基板处理装置的大型化、腔室上盖也大型化并且重量增大，所以，上述专利文献2～4中记载的根数的导轨部件和铰链部，难以平衡良好地支撑重的腔室上盖。

此外，在上述处理腔室内配置的腔室内部件，有：沿着处理腔室的侧壁内面配置以取代该内壁、作为堆积物(deposit)附着的内壁保护体而起作用的堆积物防护罩(deposit shield)；和由具有对晶片进行静电吸附的ESC(Electro Static Chuck：静电吸盘)功能的载置台及其相关部件构成的载置台单元。因为该堆积物防护罩高度方向的尺寸大，所以，要沿着铅垂方向从处理腔室中取出时，存在其下部和处理腔室的侧壁发生干扰的问题，另一方面，因为载置台单元非常重，所以，存在改造时难以取出的问题。

由于以上原因，所以要求提高包含清洗和改造的维修的作业效率。

发明内容

本发明的目的在于提供能够提高维修的作业效率的基板处理装置和该装置的盖吊支装置。

为了达到上述目的，本发明的第一方面的基板处理装置，包括对被处理基板实施规定处理的处理室，该处理室在上部设置有用于密闭该处理室的处理室上盖，其特征在于：包括吊支上述处理室上盖的盖吊支机构，上述盖吊支机构由在上述处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持上述处理室上盖的垂直移动限制部、和在规定的水平方向上自由移动地保持上述处理室上盖的水平移动限制部构成，上述水平移动限制部通过上述垂直移动限制部吊支上述处理室上盖。根据本发明的第一方面所述的基板处理装置，因为吊支处理室上盖的盖吊支机构由在处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持处理室上盖的垂直移动限制部、和在规定的水平方向上自由移动地保持处理室上盖的水平移动限制部构成，所以，能够使处理室上盖在其上方、在铅垂方向上移动，而且能够使其在规定的水平方向上移动，因此，能够提高包含清洗和改造的维修的作业效率。

在一种优选的实施方式中，上述垂直移动限制部由在铅垂方向上伸缩自由的气缸构成。根据该优选的实施方式，因为垂直移动限制部由在铅垂方向上伸缩自由的气缸构成，所以，能够以高控制性使处理室上盖在铅垂方向上移动。

在另一种优选的实施方式中，上述水平移动限制部由在上述水平方向上延伸的直线导轨(linear guide)构成。根据该优选的实施方式，因为水平移动限制部由在水平方向上延伸的直线导轨构成，所以，能够以高控制性使处理室上盖在水平方向上移动。

在另一种优选的实施方式中，上述基板处理装置包括控制上述处理室上盖的移动位置的控制装置。根据该优选的实施方式，因为上述基板处理装置具备控制处理室上盖的移动位置的控制装置，所以，能够远程操纵处理室上盖的移动，从而能够进一步提高维修的作业效率。

在另一种优选的实施方式中，在上述处理室上盖上，形成有嵌插将该处理室上盖和配置在上述处理室内的处理室内部件结合的结合部件的至少一个孔。根据该优选的实施方式，因为在处理室上盖上形成有嵌插将处理室上盖和处理室内部件结合的结合部件的至少一个孔，所以，可以通过盖吊支机构使处理室内部件移动，从而可以显著地提高维修的作业效率。

在另一种优选的实施方式中，上述处理室内部件包括向上述处理室内供给上述规定的处理所需要的电力的上部电极和保护上述处理室内面上部的内壁保护体中的至少一方。根据该优选的实施方式，因为处理室内部件包括上部电极和内壁保护体中的至少一方，所以，可以用人手使移动困难的处理室内部件移动。

在另一种优选的实施方式中，上述垂直移动限制部被构成为：至少上述处理室上盖侧的端部能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，上述载置台单元包括设置在上述处理室内的用于载置上述被处理基板的载置台。根据该优选的实施方式，因为垂直移动限制部被构成为能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，所以，可以使用上述盖吊支机构取出非常重的载置台单元，从而能够显著地提高维修的作业效率。

为了达到上述目的，本发明的第二方面的基板处理装置，包括对被处理基板实施规定处理的处理室，该处理室在上部设置有用于密闭该处理室的处理室上盖，其特征在于：包括吊支上述处理室上盖的盖吊支机构，上述盖吊支机构由在上述处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持上述处理室上盖的在铅垂方向上伸缩自由的气缸、和在规定的水平方向上自由移动地保持上述处理室上盖的在上述水平方向上延伸的直线导轨构成，上述直线导轨通过上述气缸吊支上述处理室上盖。根据本发明的第二方面所述的基板处理装置，因为吊支处理室上盖的盖吊支机构由在处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持处理室上盖的在铅垂方向上伸缩自由的气缸、和在规定的水平方向上自由移动地保持处理室上盖的在上述水平方向上延伸的直线导轨构成，所以，能够以高控制性使处理室上盖在其上方、在铅垂方向上移动，而且能够以高控制性使处理室上盖在规定的水平方向上移动，因此，能够提高包含清洗和改造的维修的作业效率。

在一种优选的实施方式中，上述基板处理装置包括控制上述处理室上盖的移动位置的控制装置。根据该优选的实施方式，因为上述基板处理装置具备控制处理室上盖的移动位置的控制装置，所以，能够远程操纵处理室上盖的移动，从而能够进一步提高维修的作业效率。

在另一种优选的实施方式中，上述气缸被构成为：至少上述处理室上盖侧的端部能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，上述载置台单元包括设置在上述处理室内的用于载置上述被处理基板的载置台。根据该优选的实施方式，因为气缸被构成为能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，所以，可以使用上述盖吊支机构取出非常重的载置台单元，从而能够显著地提高维修的作业效率。

为了达到上述目的，本发明的第三方面的盖吊支装置，吊支为了将对被处理基板实施规定处理的基板处理装置的处理室密闭而设置在该处理室上部的处理室上盖，其特征在于：由在上述处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持上述处理室上盖的垂直移动限制部和在规定的水平方向上自由移动地保持上述处理室上盖的水平移动限制部构成，上述水平移动限制部通过上述垂直移动限制部吊支上述处理室上盖。根据本发明的第三方面所述的盖吊支装置，因为吊支处理室上盖的盖吊支机构由在处理室上盖的上方在铅垂方向上自由移动地保持处理室上盖的垂直移动限制部、和在规定的水平方向上自由移动地保持处理室上盖的水平移动限制部构成，所以，能够使处理室上盖在其上方、在铅垂方向上移动，而且能够使其在规定的水平方向上移动，因此，能够提高包含清洗和改造的维修的作业效率。

在另一种优选的实施方式中，上述水平移动限制部由在上述水平方向上延伸的直线导轨构成。根据该优选的实施方式，因为水平移动限制部由在水平方向上延伸的直线导轨构成，所以，能够以高控制性使处理室上盖在水平方向上移动。

在另一种优选的实施方式中，上述垂直移动限制部由在铅垂方向上伸缩自由的气缸构成，上述水平移动限制部由在上述水平方向上延伸的直线导轨构成。根据该优选的实施方式，因为垂直移动限制部由在铅垂方向上伸缩自由的气缸构成、水平移动限制部由在水平方向上延伸的直线导轨构成，所以，能够以高控制性使处理室上盖在铅垂方向和水平方向上移动。

附图说明

图1是概略地表示本发明的实施方式的基板处理装置的结构的平面图。

图2是概略地表示图1中的1个处理腔室的外观的立体图。

图3是沿着图2的线III-III的截面图。

图4是表示图3中的堆积物防护罩和闸门(shutter)的外观的立体图。

图5是表示在将图2中的DC滤箱拆下后、安装有起重单元(craneunit)的处理腔室的外观的立体图。

图6(a)是表示为了对图3的处理腔室进行维修而安装有图5的起重单元时的侧截面图。

图6(b)是表示利用起重单元使腔室盖(chamber lid)和上部电极组件向上方垂直移动时的侧截面图。

图6(c)是表示使腔室盖和上部电极组件向箭头A方向(向内部)水平移动时的侧截面图。

图7是表示为了对图3的处理腔室进行维修而使腔室盖和上部电极组件从图6(b)所示的状态向箭头B方向(向前面)水平移动时的侧截面图。

图8是示意性地表示使图3中的腔室盖、上部电极组件和堆积物防护罩向上方垂直移动时的处理腔室的状态的侧截面图。

图9是示意性地表示在本发明的实施方式的变形例中、使包括处理腔室内部的载置台的载置台单元向上方垂直移动时的状态的侧截面图。

符号说明

1 基板处理装置

100 处理腔室(P/C)

110 处理腔室框体(P/C框体)

130 堆积物防护罩

140 载置台单元

150 上部电极组件

200 腔室盖

500 起重单元

510 气缸

520 直线导轨

700 传递腔室(T/C)

具体实施方式

以下，参照附图，详细地说明本发明的实施方式。

在图1中，基板处理装置1包括：对作为被处理体的例如直径300mm的晶片每片实施RIE(Reactive Ion Etching：反应性离子蚀刻)处理和灰化处理等的等离子体处理的6个处理腔室(P/C)100；搬入搬出未处理的晶片并且搬入搬出在P/C100中被处理过的晶片的基板搬入搬出部600；和在P/C100与基板搬入搬出部600之间搬送晶片的传递腔室(transfer chamber)(T/C)700。各P/C100与T/C700连接。

基板搬入搬出部600包括：能够载置作为晶片贮存容器的前开式晶片盒的3个前开式晶片盒载置台610；与T/C700连接的负载锁定室(L/L室)620a、620b；配置在前开式晶片盒载置台610和L/L室620a、620b之间的大气搬送系统的装载单元(loader unit)630；作为进行晶片的定位(预对准(prealignment))的预对准部(P/A)的定向器640；和在L/L室620a、620b的下方、在装载单元630的前侧侧面上分别安装的2个非制品基板用前开式晶片盒(未图示)。前开式晶片盒载置台610的前开式晶片盒中收容例如25片晶片，非制品基板用前开式晶片盒收容规定片数的在基板处理装置1试运转时等使用的模拟(dummy)处理用的非制品基板(模拟晶片(dummy wafer))。

根据图1的基板处理装置1，因为具备6个P/C100，所以，可以同时进行晶片的基板处理。

图2是概略地表示图1中的P/C100的外观的立体图。

如图2所示，在P/C100中设置有：在上部具有开口部的P/C框体110、和作为用于密闭P/C框体110的上盖的腔室盖200。在P/C框体110上设置有EPP用窗111。另外，在P/C100的侧方配置有由用于包围P/C100周围的壁材和支撑该壁面的柱部件构成的框架400，为了形成顶面，在P/C100的上方也配置有这样的框架400。

在腔室盖200的上方，配置有用于向P/C100内供给处理气体的气体箱(gas box)310、在内部配设有用于阻止后述的RF电力向直流电源49泄漏以使得不损坏后述的供给DC电力的直流电源49并且使DC电力通过的DC滤波器的DC滤箱(filter box)320、和进行P/C100内部的压力测量的压力测量器330等部件。气体箱310具有用于将处理气体的流路分成2根处理气体供给管310a、310b的分流器(flow splitter)和控制向2根处理气体供给管310a、310b供给的处理气体流量的质量流量控制器(MFC)。处理气体供给管310a、310b分别以贯穿腔室盖200的方式与P/C100内部的空间连接。DC滤箱320与腔室盖200的上面连接。另外，在DC滤箱320的内部设置有通气孔(venthole)。

另外，在腔室盖200上形成有例如3个螺孔210a。形成的螺孔210a只要为2个以上即可。在各螺孔210a中，根据需要嵌插螺钉，该螺钉作为用于将腔室盖200和后述的图3的堆积物防护罩130结合的结合部件而起作用。

图3是沿着图2的线III-III的截面图，概略地表示P/C100的内部结构。

在图3中，P/C100具有：内面涂布有氧化铝膜的铝制的圆筒形状的侧壁10和沿着该侧壁10的内面配置的大致圆筒形状的堆积物防护罩130。在堆积物防护罩130的上面，配置有温度调整部和流水管等部件135。

在由堆积物防护罩130分隔成的空间(以下称为“反应空间”)的下方，配置有包括载置晶片的大致圆柱状的载置台(基座)11的载置台单元140，在该反应空间的上方，以与载置台单元140相面对的方式配置有后述的包含上部电极的上部电极组件150。上部电极组件150相对于腔室盖200能够装卸地与腔室盖200的底面接触。另外，P/C100电气接地，载置台11隔着配置在P/C100底部的绝缘性部件29而设置。

在P/C100中，由侧壁10的内面和载置台单元140的侧面，形成作为将载置台单元140上方的气体分子向P/C100之外排出的流路而起作用的排气通路12。在该排气通路12的中途，配置有防止等离子体泄漏的环状的挡板13。另外，排气通路12中位于挡板13下游的空间(排气室(集合管(manifold)))，通过在侧壁10上形成的排气孔10a与排气泵(未图示)等排气装置20连接。由此，能够进行将P/C100内减压至大致成为真空状态等的P/C100内的压力控制。

高频电源32通过供电棒33和匹配器(Matcher)34与载置台11连接，该高频电源32向载置台11供给较高频率、例如40MHz的高频电力(RF电力)。由此，载置台11作为下部电极而起作用。另外，匹配器34降低载置台11对RF电力的反射，使RF电力向载置台11的供给效率最大。载置台11向反应空间施加由高频电源32供给的40MHz的RF电力。此时，反应空间中产生由被施加的RF电力引起的电位(potential)。

另外，另一个高频电源37通过供电棒35和匹配器36与载置台11连接，该另一个高频电源37向载置台11供给较低频率、例如2MHz的RF电力。匹配器36具有与匹配器34同样的功能。

载置台11、特别是其表面，由于被供给的2MHz的RF电力而产生高频(2MHz)的电位。另外，该表面也由于被供给的40MHz的RF电力而产生电位。

在载置台单元140的上部，配置有包含导电膜的圆板状的ESC电极板14。ESC直流电源24与ESC电极板14电气连接。利用由从ESC直流电源24向ESC电极板14施加的直流电压产生的库仑力或约翰逊勒比克(Johnsen-Rahbek)力，将晶片吸附保持在ESC电极板14的上面。另外，在载置台单元140的侧部，以将被吸附保持在ESC电极板14上面的晶片的周围包围的方式配设有圆环状的聚焦环15等。该聚焦环15露出至反应空间，在该反应空间中，使等离子体向晶片表面会聚，从而使等离子体处理的效率提高。

另外，在载置台11的内部，例如设置有在圆周方向延伸的环状的制冷剂室25。从冷却器单元(chiller unit)(未图示)通过制冷剂用配管26，向该制冷剂室25循环供给规定温度的制冷剂、例如冷却水或Galden(注册商标)液，利用该制冷剂的温度控制被吸附保持在ESC电极板14上面的晶片的处理温度。

另外，在ESC电极板14(载置台单元140)上面的吸附保持晶片的部分(以下称为“吸附面”)，开设有多个传热气体供给孔27。这些多个传热气体供给孔27与传热气体供给部28连接，该传热气体供给部28将作为传热气体的氦气通过传热气体供给孔27供给至吸附面与晶片背面的间隙。

在载置台单元140的吸附面上，配置有例如3根作为从载置台单元140的上面自由突出的升降销(lift pin)的推出销(pusher pin)(未图示)。在为了对晶片实施等离子体处理而将晶片吸附保持在吸附面上时，这些推出销被收容在载置台单元140中，在将已实施等离子体处理的晶片从P/C100搬出时，这些推出销从载置台单元140的上面突出，使晶片离开ESC电极板14并将其向上方举起。

上部电极组件150包括：具有多个气孔23，与载置台单元140相面对的喷淋头23a；能够装卸地支撑该喷淋头23a的电极支撑体21；配置在与堆积物防护罩130的接触部的环状的屏蔽环(shield ring)151；以及将腔室盖200和上部电极组件150结合的多个螺钉152。供给规定的直流电力(DC电力)的直流电源49与喷淋头23a连接，由此，喷淋头23a作为上部电极而起作用。电极支撑体21在内部形成有与上述处理气体供给管310a、310b连接以供给处理气体的缓冲室22，并且具有将该缓冲室22的下部闭塞的冷却板21a。喷淋头23a将从处理气体供给管310a、310b向缓冲室22供给的处理气体，经由气孔23向P/C100内供给。

另外，在P/C100的侧壁10上，在与由上述推出销举起的晶片的高度对应的位置设置有晶片的搬入搬出口30，为了开关该搬入搬出口30，在搬入搬出口30上安装有构成为自由升降的闸门31。

在该P/C100内，如上所述，向起下部电极作用的载置台单元140供给RF电力，并且向起上部电极作用的上部电极组件150供给DC电力，通过向它们之间的反应空间施加这些电力，在该反应空间中，利用由喷淋头23a供给的处理气体产生高密度的等离子体，利用该等离子体对晶片实施等离子体处理。

具体地说，在对晶片实施等离子体处理时，首先将闸门31打开，将等离子体处理对象的晶片搬入P/C100内，再向ESC电极板14施加ESC电压，由此将搬入的晶片吸附保持在载置台11的吸附面上。另外，从喷淋头23a以规定的流量和流量比向P/C100内供给处理气体(例如由规定的流量比率的CF₄气体、O₂气体和Ar气体构成的混合气体)，并且将P/C100内的压力控制为规定值。从载置台单元140和上部电极组件150，向P/C100内的反应空间施加RF电力和DC电力。由此，使从喷淋头23a导入的处理气体在反应空间中成为等离子体，利用聚焦环15将该等离子体会聚到晶片的表面，对晶片表面进行物理蚀刻或化学蚀刻。

图4是表示图3中的堆积物防护罩130和闸门31的外观的立体图。

在图4中，堆积物防护罩130形成为沿着P/C100的侧壁10的内面上部的外径670mm、高150mm的大致圆筒形状，通过防止堆积物附着在侧壁10的内面上，作为保护侧壁10的内壁保护体起作用。另外，在堆积物防护罩130下部的一部分，在宽度方向，形成有宽度比晶片直径大的凹口部131，该凹口部131的凹口面具有与闸门31的上面互补的形状。另外，闸门31和堆积物防护罩130由相同材料构成。

另外，在堆积物防护罩130的周边凸缘部134中，与腔室盖200的螺孔210a对应地形成有螺孔210b。这些螺孔210b以不贯通堆积物防护罩130的周边凸缘部134的方式形成。此外，在1个螺孔210b的上方，配置有图3所示的部件135。另外，在堆积物防护罩130的周边凸缘部134的内部，分成2段地配置有未图示的板状加热器。

图5是表示在将图2中的DC滤箱320拆下后、安装有起重单元的P/C100的外观的立体图。此外，在图5中，在箭头A的方向上配置有图1的T/C700，在箭头B的方向上配置有在用户进行维修时等使用的维修台(未图示)。

在图5中，在将配置在腔室盖200上方的DC滤箱320拆下后，将起重单元500与腔室盖200结合(安装)。由此，起重单元500在P/C100中开关腔室盖200。此外，根据需要也可拆下气体箱310等。

起重单元500包括：一端510a与腔室盖200结合的气缸510；和在轨道上自由滑动地与气缸510的另一端510b接合的1根直线导轨520。气缸510保持腔室盖200、直线导轨520保持气缸510，由此，起重单元500作为吊支腔室盖200的盖吊支机构而起作用。

直线导轨520在与晶片搬送方向平行的水平面上，以在图5的箭头A、B方向上延伸的方式被固定在框架400的顶面上。此外，顶面的高度在2000mm～2300mm之间。直线导轨520的轨道长度根据腔室盖200的直径等适当设定，例如为1600mm，使得腔室盖200在箭头A、B方向分别能够偏移与其直径(780mm)相当的长度。由此，直线导轨520作为在与在箭头A、B方向上延伸的轨道长度相应的范围内、自由移动地保持腔室盖200的水平移动限制部而起作用。

气缸510被构成为在铅垂方向伸缩自如，即以吊起方式、在从腔室盖200的上方直到顶面的高度的范围内，作为吊支腔室盖200的垂直移动限制部起作用。因为是吊起方式，所以，可以不用担心气缸510从上方受到加重而引起咬合。在使P/C100的尺寸、进而腔室盖200的直径适合于晶片的直径而变化时，因为是吊起方式，所以，可以不需要改变起重单元500的结构。换句话说，可以不降低晶片的直径改变或P/C100的尺寸改变的自由度。

另外，作为气缸510，可以使用任意的冲程长度的气缸，但优选选择腔室盖200不过度挤压P/C100的上面的冲程长度。

气缸510优选可以在任意的冲程长度使其动作中间停止的气缸，由此，用户能够在期望的高度进行腔室盖200和上部电极组件150的维修。另外，气缸510构成为在关闭腔室盖200之前以低速度进行动作，由此，可以防止遮挡腔室盖200和P/C框体100之间的空间的配线或用户的手等被夹入，从而使基板处理装置1的安全性提高。

气缸510的一端510a，在腔室盖200的上面，在错开其中央位置规定量的位置，通过规定的结合部件而结合。通过错开规定量，在吊支腔室盖200时，使该腔室盖200积极地倾斜。结果，使其具有间隙(backlash)，能够缓和在开关腔室盖200时产生的冲击，从而能够平稳地进行腔室盖200的开关。

另外，起重单元500包括：对气缸510的位置和动作、进而腔室盖200的移动位置进行远程控制的控制器530；以及与气缸510联动的定位箱540。在定位箱540中设置有定位销(未图示)，与此对应，在直线导轨520的轨道上，形成有多个，例如一端、中央、和另一端3处销孔，以与定位销嵌合，由此，构成锁定机构，能够提高基板处理装置1在起重单元500发生意想不到的动作时的安全性。通过在3处中的中央的销孔中嵌合定位销，可以容易地检测出气缸510的一端510a能够与腔室盖200的上面结合。此外，嵌合在销孔中的不限于定位销，也可以是锥形轴等。

在控制器530中设置有控制气缸510的铅垂(上下)方向的位置的上按钮531和下按钮532。上下按钮531、532优选构成为在定位箱540的定位销嵌合在销孔中时能够操作、并且在定位销未嵌合在销孔中时不能操作，由此，能够提高用户的操作性。上下按钮531、532还可以防止发生由于气缸510在期望的位置以外上下移动而造成的事故，从而可以提高基板处理装置1的安全性。此外，在解除定位销与销孔的锁定时，使用未图示的规定的操纵杆。另外，通过构成为在开关腔室盖200时发出规定的旋律等声音，可以引起用户注意腔室盖200处于开关时，同时可以避免起重单元500故障时的危险。

此外，在上述实施方式中，作为吊支腔室盖200的盖吊支机构，使用由气缸510和直线导轨520构成的起重单元500，但只要能够使腔室盖200在铅垂方向和规定的水平方向上移动，任何机构都可以，例如，可以使用滚珠丝杠等取代气缸510。另外，鉴于这些在无尘室(cleanroom)内使用，所以优选由不产生微粒的部件构成。

通过使用气缸510和直线导轨520组合而成的起重单元500，控制性变高，可以减小在开关腔室盖200时产生的音量，同时可以避免支撑腔室盖200的支撑部件的大型化。而且，可以将起重单元500拆下并在其它的P/C100中使用，所以，也能够实现成本降低和保管空间的狭窄化。

以下，对由图5的起重单元500和腔室盖200构成的盖组件的维修动作进行说明。作为维修，有清洗和分解·改造·修理等。在清洗中，由用户对P/C100内的腔室内部件的表面进行清洗。在分解·改造·修理中，将P/C100内的腔室内部件取出。

首先，使用图6(a)～图6(c)对清洗图3的P/C100内部时的步骤进行说明。此外，在图6(a)～图6(c)中，显示有：用于载置P/C100的台410、配置在P/C100前面的例如高度为300mm的上述维修台420、和被载置在框架400上面的框体450。在框体450内部设置有调温器和控制板等。

图6(a)表示安装有图5的起重单元500的情况，相当于图5的侧截面图。

图6(b)表示利用起重单元500使P/C100的腔室盖200和上部电极组件150向上方垂直移动的情况。如图6(b)所示，因为上部电极组件150、堆积物防护罩130和载置台单元140的表面露出，所以，用户可以从前面和两侧面有效地进行清洗。

图6(c)表示使腔室盖200和上部电极组件150向箭头A方向(向内部)水平移动的情况。在图6(c)的状态中，因为可确保P/C100上方的维修空间较大，所以，用户可以比图6(b)的状态更加有效地对堆积物防护罩130和载置台单元140的表面进行清洗。

另外，如图6(c)所示，因为腔室盖200以向作为T/C700上方的死区(dead space)的场所伸出的方式配置，所以，可以避免死区随着腔室盖200的移动而增大。特别地，在如图1所示具有6个P/C100的基板处理装置1中，通过利用T/C700上方的死区，可以多个P/C100的腔室盖200互不干扰地同时进行各P/C100的维修。

另外，如图7所示，在使腔室盖200和上部电极组件150从图6(b)所示的状态向箭头B方向(向前面)水平移动时，可以使上部电极组件150的表面在靠近用户的位置露出。由此，用户可以容易地进行上部电极组件150的分解·改造·修理·更换·检查等，并且可以有效地进行它们的清洗。

在图6和图7的说明中，使腔室盖200和上部电极组件150两者移动，但也可以通过预先拆除将这两者结合的螺钉152(图3、图5)而只使腔室盖200移动。

另外，如图8所示，通过在螺孔210a、210b(图3～图5)中嵌插规定的螺钉而将腔室盖200和堆积物防护罩130两者结合，可以使这两者和上部电极组件150一起移动。由此，可以正确地沿着铅垂方向取出堆积物防护罩130。另一方面，在现有技术中，因为堆积物防护罩的高度方向的尺寸大，所以，不能沿着铅垂方向正确地取出，存在其下部对P/C100侧壁10产生干扰的问题，但根据图8所示的技术，可以解决该问题，所以，可以显著地提高维修时用户的作业效率。

此外，在上述实施方式中，在载置台单元140重量轻时，通过规定的结合部件使其与腔室盖200结合，能够与图8的堆积物防护罩130同样地从P/C100中取出。但是，因为载置台单元140通常非常重、质量达100kg，所以难以取出。

图9是示意性地表示在本发明的实施方式的变形例中、使P/C100内部的载置台单元140向上方垂直移动时的状态的侧截面图。

在本变形例中，通过使用图9所示的搬送夹具900取代图5的起重单元500，将非常重的载置台单元140取出并进行搬送。

搬送夹具900具有替换起重单元500的气缸510的带有气缸的取出夹具510’，按照原样地利用起重单元500的直线导轨520。由此，能够容易地进行取出夹具510’的定位。此外，取出夹具510’优选只替换气缸510的一端510a，由此，可以直接使用气缸510，并且可以容易地进行取出夹具510’的安装。

首先，如图9所示，将腔室盖200、上部电极组件150和堆积物防护罩130取出后，安装取出夹具510’取代气缸510。接着，用金属线等高强度部件将取出夹具510’和载置台单元140结合。此后，与图6(b)同样地从P/C100中取出载置台单元140。

根据本变形例的搬送夹具900，能够不使用悬臂起重机(jib crane)和门式起重机(gantry crane)那样的大型维修夹具而容易地取出非常重的载置台单元140并进行搬送，所以，能够显著地提高维修时用户的作业效率。另外，本变形例在载置台单元140处于高温状态时也是有效的。

此外，在上述的实施方式中，被处理体基板是半导体晶片，但也可以是例如LCD和FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等的玻璃基板。

Claims

1.一种基板处理装置，包括对被处理基板实施规定处理的处理室，该处理室在上部设置有用于密闭该处理室的处理室上盖，其特征在于：

包括吊支所述处理室上盖的盖吊支机构，所述盖吊支机构由

在所述处理室上盖的上方，保持所述处理室上盖，使所述处理室上盖可在铅垂方向上自由移动的垂直移动限制部、和保持所述处理室上盖，使所述处理室上盖可在规定的水平方向上自由移动的水平移动限制部构成，所述水平移动限制部通过所述垂直移动限制部吊支所述处理室上盖，

在所述处理室上盖上，形成有至少一个孔，所述至少一个孔用于嵌插将该处理室上盖和配置在所述处理室内的处理室内部件结合的结合部件。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述垂直移动限制部由在铅垂方向上伸缩自由的气缸构成。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述水平移动限制部由在所述水平方向上延伸的直线导轨构成。

4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

包括控制所述处理室上盖的移动位置的控制装置。

5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述处理室内部件包括向所述处理室内供给所述规定的处理所需要的电力的上部电极和保护所述处理室内面上部的内壁保护体中的至少一方。

6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述垂直移动限制部被构成为：至少所述处理室上盖侧的端部能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，所述载置台单元包括设置在所述处理室内的用于载置所述被处理基板的载置台。

7.一种基板处理装置，包括对被处理基板实施规定处理的处理室，该处理室在上部设置有用于密闭该处理室的处理室上盖，其特征在于：

包括吊支所述处理室上盖的盖吊支机构，所述盖吊支机构由

在所述处理室上盖的上方，保持所述处理室上盖，使所述处理室上盖可在铅垂方向上自由移动的在铅垂方向上伸缩自由的气缸、和保持所述处理室上盖，使所述处理室上盖可在规定的水平方向上自由移动的在所述水平方向上延伸的直线导轨构成，所述直线导轨通过所述气缸吊支所述处理室上盖，

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

包括控制所述处理室上盖的移动位置的控制装置。

9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

10.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气缸被构成为：至少所述处理室上盖侧的端部能够替换为用于取出载置台单元的取出夹具，所述载置台单元包括设置在所述处理室内的用于载置所述被处理基板的载置台。

11.如权利要求1或7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述水平移动限制部被构成为能够使吊支的所述上盖从所述处理室的上部向传递腔室的上部侧移动。