KR102061373B1 - 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법 - Google Patents

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Abstract

복수의 처리 챔버를 구비하는 경우에 있어서, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버, 반송 챔버, 프레임 구조체 및 승강부를 구비한다. 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버는 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성한다. 반송 챔버는 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버와 접속되고, 기판을 반송하기 위한 반송 기구가 수용되어 있다. 프레임 구조체는 한쌍의 지주부, 및 한쌍의 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비한다. 승강부는 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 장착되고, 덮개부를 수직 방향으로 이동시킨다. 비임부는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버 및 반송 챔버의 상방을 횡단해서 연장한다.

Description

기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR MAINTAINING SAME}
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법에 관한 것이다.
종래에, 구성 기기 등을 승강시키는 승강 기구를 갖는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 기재의 기판 처리 장치는 반응실 및 가열 장치를 구비한다. 반응실은 반도체 기판을 수용한다. 가열 장치는 반응실의 상부에 배치되고, 반응실에 수용된 반도체 기판을 가열한다. 반응실과 가열 장치는 거의 동일 수직선 상에 배치된다. 여기서, 특허문헌 1 기재의 기판 처리 장치는, 승강 프레임 및 접동 기구를 구비한다. 승강 프레임은, 반응실과는 수평 방향으로 이간된 위치에 있어서 승강 가능하게 설치되어 있다. 접동 기구는, 기단부가 승강 프레임에 연결되고, 선단부가 가열 장치에 연결되어 있다. 그리고, 접동 기구는 가열 장치를 승강 프레임 측에 수평 방향으로 이동시킨다. 메인터넌스 시에 있어서는, 승강 프레임을 이용해서 가열 장치를 반응실과는 수직 방향으로 이간된 위치로 이동시키고, 그 다음에 접동 기구를 이용해서 가열 장치를 반응실과는 수평 방향으로 이간된 메인터넌스 위치로 이동시킨다.
일본 특허 공개 제 2007-150108 호 공보
그런데, 기판 처리 장치에는, 작업원이 메인터넌스 작업을 행하기 위한 작업 스페이스를 반도체 장치의 주위에 확보할 필요가 있다. 작업 스페이스는 기판을 처리하는 복수의 처리 챔버에 인접한 영역에 확보된다. 작업 스페이스는 기판 처리 장치의 배치 스페이스에 포함된다. 이 때문에, 복수의 처리 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서는, 확보해야 하는 배치 스페이스도 확대되는 경향이 있다. 본 기술 분야에 있어서는, 복수의 처리 챔버를 구비하는 경우에 있어서, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법이 요망되고 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 1 처리 챔버와; 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 2 처리 챔버와; 상기 제 1 처리 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버와 접속되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 상기 제 2 처리 챔버에 수용되는 기판을 반송하도록 구성된 반송 기구가 수용되는 반송 챔버를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
상기 기판 처리 장치는 한쌍의 지주부, 및 상기 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비하는 프레임 구조체와; 상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 덮개부를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된 적어도 하나의 승강부를 더 포함한다.
상기 비임부는 상기 제 1 처리 챔버, 상기 반송 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버의 상방을 횡단해서 연장된다.
이 기판 처리 장치에서는, 복수의 챔버를 걸쳐서 배치된 비임이 한쌍의 지주부의 정부에 지지되어 있다. 이 때문에, 덮개부를 수직 방향으로 매달아 올리는 승강부를 안정되게 지지할 수 있다. 또한, 승강부가 수평 방향으로 이동 가능하게 비임에 설치되어 있기 때문에, 예를 들면 반송 챔버의 상방으로 덮개부를 이동시켜 처리 챔버 내의 메인터넌스를 실시하는 것이 가능해진다. 작업원이 작업하는 작업 스페이스에는 덮개부 등의 구성 기기를 대기시키기 위한 영역도 포함된다. 반송 챔버의 상방의 공간을 메인터넌스 시에 있어서 덮개부를 대기시키는 장소로서 활용할 수 있으므로, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용하는 것이 가능해진다.
상기 제 1 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 1 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 1 작업 스페이스가 설치되어 있다. 상기 제 2 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 2 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 2 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 2 작업 스페이스가 설치되어 있다.
상기 비임부는 상기 제 1 작업 스페이스 및 상기 제 2 작업 스페이스의 상방을 횡단해서 연장되어 있다. 이와 같이 구성하는 것에 의해, 승강부를 필요에 따라 제 1 작업 스페이스 또는 제 2 작업 스페이스로 이동시켜서 이들 상방에서 대기시키는 것이 가능해지기 때문에, 작업 스페이스를 효율적으로 이용하면서 작업 스페이스에서 덮개부의 메인터넌스 작업을 실시할 수 있다.
상기 제 1 작업 스페이스는, 수직 방향으로부터 보면, 적어도 상기 제 1 처리 챔버의 상기 덮개부가 내부에 수용되는 넓이의 영역이며, 상기 제 2 작업 스페이스는, 수직 방향으로부터 보면, 적어도 상기 제 2 처리 챔버의 상기 덮개부가 내부에 수용되는 넓이의 영역이다. 이와 같이 구성하는 것에 의해, 작업 스페이스의 상방에 확실하게 덮개부를 대기시킬 수 있다.
상기 승강부는 상기 제 1 작업 스페이스 및 상기 제 2 작업 스페이스 중 적어도 한쪽의 상방, 및 상기 반송 챔버의 상방을 이동 가능하게 상기 비임부에 결합되어 있다.
상기 제 1 처리 챔버와 상기 제 2 처리 챔버가 상기 반송 챔버를 사이에 두고 서로 대향해서 배치되어 있다. 이와 같이 구성하는 것에 의해, 덮개부를 수직 방향으로 매달아 올리는 승강부를 안정되게 지지할 수 있다.
상기 승강부 중 적어도 하나는 상기 비임부에 결합된 복수의 승강부를 포함한다. 이와 같이 구성하는 것에 의해, 예를 들면 제 1 처리 챔버의 덮개부와 제 2 처리 챔버의 덮개부를 동시에 매달아 올려 작업할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 처리 챔버 내의 부품을 수직 방향으로 이동시키는 보조 승강부를 더 포함한다. 이와 같이 구성하는 것에 의해, 예를 들면 덮개부를 매달아 올려 이동시켜 대기시킨 상태로, 처리 챔버에 배치된 부품을 반입출할 수 있다.
상기 승강부는 상기 덮개부와 연결하는 연결부와, 상기 연결부를 매달아 올리는 승강 기구를 구비한다. 또한, 상기 승강부는, 상기 덮개부에 고정되어, 상기 덮개부를 매달아 올리는 승강 기구를 구비하다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법이 제공되며, 상기 기판 처리 장치가: 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 1 처리 챔버와; 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 2 처리 챔버와; 상기 제 1 처리 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버와 접속되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 상기 제 2 처리 챔버에 수용되는 기판을 반송하도록 구성된 반송 기구가 수용되는 반송 챔버를 포함한다.
상기 기판 처리 장치는 한쌍의 지주부, 및 상기 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비하는 프레임 구조체와; 상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 덮개부를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된 적어도 하나의 승강부를 더 포함한다.
또한, 상기 제 1 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 1 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 1 작업 스페이스가 설치되어 있고, 상기 제 2 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 2 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 2 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 2 작업 스페이스가 설치되어 있다.
상기 비임부는 상기 제 1 작업 스페이스, 상기 제 1 처리 챔버, 상기 반송 챔버, 상기 제 2 처리 챔버 및 상기 제 2 작업 스페이스의 상방을 횡단해서 연장되어 있다.
상기 메인터넌스 방법은: 상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스 시에 있어서, 승강부에 의해, 상기 제 1 처리 챔버의 덮개부를 상승시키는 단계와; 상기 제 1 처리 챔버 내측의 메인터넌스를 실시하는 경우에는, 상기 덮개부를 상기 반송 챔버의 상방의 영역으로 이동시키고, 상기 제 1 처리 챔버의 상기 덮개부의 메인터넌스를 실시하는 경우에는, 상기 덮개부를 상기 제 1 작업 스페이스의 상부 위치로 이동시키는 단계를 포함한다.
상술한 메인터넌스 방법에 의하면, 상술한 기판 처리 장치와 동일한 효과를 달성한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 여러 가지의 측면 및 실시형태에 의하면, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용할 수 있다.
도 1은 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 프레임 구조체를 제외한 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 처리부의 개요도이다.
도 4는 프레임 구조체의 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 승강부의 일 예를 설명하는 개요도로서, 도 5a는 덮개부를 승강시키기 전의 상태이며, 도 5b는 덮개부를 승강시킨 상태이다.
도 6a 및 도 6b는 메인터넌스 방법을 설명하는 개요도로서, 도 6a는 덮개부의 이동 위치를 설명하는 개요도이며, 도 6b는 처리 챔버에 부품을 반입·반출하는 경우를 설명하는 개요도이다.
도 7은 보조 승강부를 추가하는 예이다.
도 8은 제 1 변형예에 관한 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 9는 제 2 변형예에 관한 기판 처리 장치의 평면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다. 또한, 도면의 치수 비율은 설명의 것과 반드시 일치하고 있지 않다.
본 실시형태에 관한 기판 처리 장치는 반도체 기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 도 1은 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리하는 장치부(2)와, 상기 장치부(2)를 둘러싸도록 배치된 프레임 구조체(3)를 구비한다. 또한, 이하에서는 도면 중 A 방향이 수평 방향, B 방향이 수평 방향으로서 A 방향에 직교하는 방향, C 방향이 수직 방향(연직 방향)으로서 설명한다.
최초에, 장치부(2)를 설명한다. 도 2는 기판 처리 장치(1)의 상부측에 배치된 프레임 구조체(3)를 제외한 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 장치부(2)는 반입출부(108), 로드록실(109), 반송 챔버(100), 복수의 처리 챔버(10A 내지 10F)를 구비하고 있다. 반입출부(108)는, 그 내부에 기판을 반송하는 반송 로봇을 구비하고 있고, 외부로부터 기판 처리 장치(1)로 기판을 반입하고, 또는 기판 처리 장치(1)로부터 외부로 기판을 반출한다. 반입출부(108)는 로드록실(109)과 접속되어 있다. 로드록실(109)은 진공 배기 가능하게 구성되어 있고, 반송 챔버(100)와 접속되어 있다.
반송 챔버(100)는 진공 배기 가능하게 구성되어 있고, 복수의 처리 챔버(10A 내지 10F)에 접속되어 있다. 반송 챔버(100)의 내부에는, 반송 아암(반송 기구)이 배치되어 있다. 반송 아암은 복수의 처리 챔버(제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버)(10A 내지 10F)에 수용되는 기판을 반송한다. 복수의 처리 챔버(10A 내지 10F)는 진공 배기 가능하게 구성되어 있고, 기판에 대해서 여러 가지의 처리를 실시한다. 복수의 처리 챔버(10A 내지 10F)는 2개 1조의 페어로 대향해서 배치되어 있다.
여기에서는, 처리 챔버(10A)와 처리 챔버(10D)가 반송 챔버(100)를 사이에 두고 대향해서 배치되어 있다. 즉, 처리 챔버(10A)와 처리 챔버(10D)는 도면 중 B 방향에 대향해서 병설되어 있다. 마찬가지로, 처리 챔버(10B)와 처리 챔버(10E)가 반송 챔버(100)를 사이에 두고 대향해서 배치되어 있고, 처리 챔버(10C)와 처리 챔버(10F)가 반송 챔버(100)를 사이에 두고 대향해서 배치되어 있다. 또한, 각 처리 챔버(10A 내지 10F)는 기판을 처리하는 처리부의 일부로서 구성되어 있지만, 도 1, 도 2에서는, 각 처리 챔버(10A 내지 10F)에 접속되어 있는 기기류는 생략하고 있다. 각 처리 챔버(10A 내지 10F)를 구비하는 각 처리부는, 예를 들면 성막 장치, 도핑 장치, 또는 에칭 장치이라도 좋다.
이와 같이 구성된 장치부(2)에서는, 기판이, 반입출부(108)로부터, 2개의 로드록실(109)을 거쳐서, 반송 챔버(100)에 반입되고, 또는 반송 챔버(100)로부터 반출된다. 그리고, 기판이, 반송 챔버(100)의 반송 아암에 의해서, 각 처리 챔버(10A 내지 10F)에 반입되고, 또는 각 처리 챔버(10A 내지 10F)로부터 반출된다.
또한, 도 2에서는, 처리 챔버(10A 내지 10F)를 구비하는 처리부의 메인터넌스 영역(제 1 작업 스페이스, 제 2 작업 스페이스)(R1 내지 R6)이 처리 챔버(10A 내지 10F) 마다 확보되어 있다. 예를 들면, 메인터넌스 영역(R1)은, 처리 챔버(10A) 및 반송 챔버(100)의 병설 방향(도면 중 B 방향)에 있어서, 처리 챔버(10A)에 인접하도록 위치한다. 메인터넌스 영역(R2 내지 R6)도, 메인터넌스 영역(R1)과 마찬가지로, 대응하는 처리 챔버(10B 내지 10F)에 따라서 설치된다. 이 메인터넌스 영역(R1 내지 R6)은, 작업원이 각 처리 챔버(10A 내지 10F)의 내부나 후술하는 덮개부를 메인터넌스하기 위한 작업 스페이스이다. 따라서, 각 처리 챔버(10A 내지 10F)에 각각 대응하는 메인터넌스 영역(R1 내지 R6)은, 수직 방향 상방(도면 중 C 방향)으로부터 보면, 적어도 대응하는 처리 챔버의 덮개부보다 넓은 영역이다. 즉, 각 처리 챔버(10A 내지 10F)에 각각 대응하는 메인터넌스 영역(R1 내지 R6)은, 수직 방향으로부터 보면 적어도 대응하는 처리 챔버의 덮개부가 수용되는 넓이의 영역으로 되어 있다.
다음에, 처리부의 상세를 설명한다. 또한, 각 처리부는 각각 동일한 구성으로 할 수 있다. 따라서, 여기에서는 처리 챔버(10A)를 구비하는 처리부를 예로 설명한다. 도 3은 기판 처리 장치(1)의 처리부의 개요도이다. 또한, 여기에서는 처리부가 플라스마 에칭 장치인 경우를 예로 설명한다. 도 3에 도시하는 처리부는 평행 평판 플라스마 에칭 장치이며, 대략 원통 형상의 처리 챔버(10A)를 구비하고 있다. 처리 챔버(10A)는, 예를 들면 그 표면은 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 이 처리 챔버(10A)는 접지되어 있다.
처리 챔버(10A)의 저부상에는, 세라믹스 등에 의해 구성된 절연판(12)이 설치되어 있다. 상기 절연판(12) 상에는 원주 형상의 서셉터 지지대(14)가 배치되어 있다. 이 서셉터 지지대(14) 위에는, 예를 들면 알루미늄제의 서셉터(16)가 설치되어 있다. 일 실시형태에 있어서는, 서셉터(16)는 하부 전극을 구성하고 있고, 그 위에 피처리 기체인 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대를 구성하고 있다. 플라스마 에칭 장치에서는, 이들 서셉터 지지대(14)의 측면 및 서셉터(16)의 측면에 따르도록, 통 형상의 내벽 부재(26)가 설치되어 있다. 내벽 부재(26)는, 예를 들면 석영제이다.
서셉터(16)의 상면에는, 정전력에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 보지하는 정전 척(18)이 설치되어 있다. 이 정전 척(18)은 도전막인 전극(20)을 한쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 배치한 구조를 갖고 있다. 전극(20)에는, 직류 전원(22)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(18)은 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의해 생긴 쿨롱력 등의 정전력에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 보지할 수 있다.
서셉터(16)의 상면에 있어서, 정전 척(18)의 주위에는, 포커스 링(보정 링)(24)이 배치되어 있다. 포커스 링(24)은 도전성을 갖는 것이며, 예를 들면 실리콘으로 구성될 수 있다. 이 포커스 링(24)은 에칭의 균일성을 향상시킬 수 있다.
서셉터 지지대(14)의 내부에는, 냉매실(28)이 설치되어 있다. 냉매실(28)에는, 외부에 설치된 칠러 유닛으로부터 배관(30a, 30b)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예를 들면 냉각수가 순환 공급된다. 이와 같이 순환되는 냉매의 온도를 제어하는 것에 의해, 서셉터(16) 상에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 온도가 제어된다.
또한, 플라스마 에칭 장치에는, 가스 공급 라인(32)이 설치되어 있다. 가스 공급 라인(32)은 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(18)의 상면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면 사이에 공급한다.
하부 전극인 서셉터(16)의 상방에는, 서셉터(16)와 대면하도록 상부 전극(34)이 설치되어 있다. 서셉터(16)와 상부 전극(34)은 서로 대략 평행으로 배치되어 있다. 이들 상부 전극(34)과 서셉터(16) 사이에는, 반도체 웨이퍼(W)에 플라스마 에칭을 행하기 위한 처리 공간(E)이 구획형성되어 있다. 상부 전극(34)은 하부 전극인 서셉터(16) 상의 반도체 웨이퍼(W)와 대면해서 플라스마 생성 공간인 처리 공간(E)과 접하는 면, 즉 대향면을 형성한다.
상부 전극(34)은 절연성 차폐 부재(42)를 거쳐서, 처리 챔버(10A)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(34)은 전극판(36) 및 전극 지지체(38)를 포함할 수 있다. 전극판(36)은 서셉터(16)와의 대향면을 구성하고, 복수의 가스 토출 구멍(37)을 구획형성하고 있다. 전극판(36)은 주울열이 적은 저 저항의 도전체 또는 반도체로 구성될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 레지스트를 강화하는 관점에서는, 전극판(36)은 실리콘이나 SiC라고 하는 실리콘 함유 물질로 구성되어 있어도 좋다.
전극 지지체(38)는 전극판(36)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄이라고 하는 도전성 재료로 구성되어 있다. 이 전극 지지체(38)는 수냉 구조를 갖고 있다. 전극 지지체(38)의 내부에는, 가스 확산실(40)이 설치되어 있다. 이 가스 확산실(40)에서는, 가스 토출 구멍(37)에 연통하는 복수의 가스 통류 구멍(41)이 하방으로 연장되어 있다. 또한, 전극 지지체(38)에는 가스 확산실(40)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(62)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(62)에는, 가스 공급관(64)이 접속되어 있다.
가스 공급관(64)에는 처리 가스 공급부(66)가 접속되어 있다. 가스 공급관(64)에는, 상류측으로부터 순서대로, 유량 제어기로서 예를 들면 매스 플로우 콘트롤러(MFC)(68), 가스 블록(GB)(99) 및 개폐 밸브(70)가 설치되어 있다. 가스 블록(99)은, 후술하는 덮개부의 분리(매달아 올림)시에, 가스 유로를 차단하는 기능을 갖는다. 처리 가스 공급부(66)는, 에칭을 위한 처리 가스로서 예를 들면 C4F8 가스와 같은 플루오르카본계 가스(CxFy)를 포함한 가스를 공급한다. 처리 가스 공급부(66)로부터의 처리 가스는 가스 공급관(64)으로부터 가스 확산실(40)에 도달하고, 가스 통류 구멍(41) 및 가스 토출 구멍(37)을 거쳐서 처리 공간(E)에 토출된다. 즉, 상부 전극(34)은 처리 가스를 공급하기 위한 샤워헤드로서 기능한다.
또한, 플라스마 에칭 장치는 접지 도체(92)를 더 구비하고 있다. 접지 도체(92)는 대략 원통 형상의 접지 도체이며, 처리 챔버(10A)의 측벽으로부터 상부 전극(34)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 설치되어 있다.
이 플라스마 에칭 장치는 전원 시스템(90)을 구비하고 있다. 전원 시스템(90)은 하부 전극인 서셉터(16)에 고주파 전력을 인가하고, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가한다.
또한, 플라스마 에칭 장치에서는, 처리 챔버(10A)의 내벽을 따라서 데포 실드(11)가 착탈 가능하게 설치되어 있다. 또한, 데포 실드(11)는 내벽 부재(26)의 외주에도 설치되어 있다. 데포 실드(11)는 처리 챔버(10A)에 에칭 부생물(데포)이 부착하는 것을 방지하는 것이다. 데포 실드(11)는 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복하는 것에 의해 구성될 수 있다.
처리 챔버(10A)의 저부측에 있어서는, 내벽 부재(26)와 처리 챔버(10A)의 내벽 사이에 배기 플레이트(83)가 설치되어 있다. 배기 플레이트(83)는, 예를 들면 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복하는 것에 의해 구성될 수 있다. 이 배기 플레이트(83)의 하방에 있어서 처리 챔버(10A)에는, 배기구(80)가 설치되어 있다. 배기구(80)에는, 배기관(82)을 거쳐서 배기 장치(84)가 접속되어 있다. 배기 장치(84)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있고, 처리 챔버(10A) 내를 소망의 진공도까지 감압할 수 있다. 또한, 처리 챔버(10A)의 측벽에는 반도체 웨이퍼(W)의 반입출구(85)가 설치되어 있다. 이 반입출구(85)는 게이트 밸브(86)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
또한, 처리 챔버(10A)의 내벽에는, 도전성 부재(GND 블록)(88)가 설치되어 있다. 도전성 부재(88)는, 높이 방향에 있어서 반도체 웨이퍼(W)와 대략 동일 높이에 위치하도록, 처리 챔버(10A)의 내벽에 장착되어 있다. 이 도전성 부재(88)는 그라운드에 DC적으로 접속되어 있고, 이상 방전 방지 효과를 발휘한다. 또한, 도전성 부재(88)는 플라스마 생성 영역에 설치되어 있으면 좋고, 그 설치 위치는 도 3에 도시하는 위치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도전성 부재(88)는 서셉터(16)의 주위에 설치되는 등 서셉터(16) 측에 설치되어도 좋다. 또한 도전성 부재(88)는 상부 전극 근방에 설치될 수 있다. 예를 들면, 도전성 부재(88)는 상부 전극(34)의 외측에 링 형상으로 설치될 수 있다.
플라스마 에칭 장치의 각 구성부, 예를 들면 가스 공급계, 구동계, 및 전원 시스템(90) 등은 마이크로프로세서(컴퓨터)를 포함한 주 제어 장치(60)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 또한, 주 제어 장치(60)에는, 오퍼레이터가 플라스마 에칭 장치를 관리하기 위해서 커멘드의 입력 조작 등을 실시하는 키 보드나, 플라스마 에칭 장치의 가동 상황을 가시화해 표시하는 디스플레이 등으로 이뤄지는 유저 인터페이스가 접속되어 있다.
또한, 주 제어 장치(60)에는, 플라스마 에칭 장치로 실행되는 각종 처리를 주 제어 장치(60)의 제어에서 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라스마 에칭 장치의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부가 접속되어 있다. 처리 레시피는 기억부의 내의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드 디스크나 반도체 메모리라도 좋고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 가반성의 것이어도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다.
필요에 따라서, 유저 인터페이스로부터의 지시 등에서 임의의 처리 레시피를 기억부로부터 호출해서 주 제어 장치(60)에 실행시킬 수 있다. 따라서, 주 제어 장치(60)의 제어하에서, 플라스마 에칭 장치로의 소망한 처리를 한다.
여기서, 처리 챔버(10A)는 본체부(10b)와 덮개부(10a)로 분리 가능하게 구성되어 있다. 덮개부(10a)는, 예를 들면 상부 전극(34), 절연성 차폐 부재(42), 가스 공급관(64) 또는 접지 도체(92)를 포함해도 좋다. 덮개부(10a)와 본체부(10b)의 접속 부분에는, O링(98)이 배치되어 있고, 덮개부(10a)와 본체부(10b)를 연결했을 때에 기밀성이 유지된다.
다음에, 프레임 구조체(3)의 상세에 대해서 도 1 및 도 4를 이용해 설명한다. 도 4는 프레임 구조체(3)의 평면도이다. 도 1 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 프레임 구조체(3)는 프레임 받침대(110A 내지 110C)를 구비한다. 프레임 받침대(110A 내지 110C)는 2개의 처리 챔버 마다 대응해서 설치된다. 즉, 프레임 받침대(110A)는 처리 챔버(10A 및 10D)와 대응해서 설치되어 있다. 프레임 받침대(110B)는 처리 챔버(10B 및 10E)와 대응해서 설치되어 있다. 프레임 받침대(110C)는 처리 챔버(10C 및 10F)와 대응해서 설치되어 있다. 각 프레임 받침대는 동일 구조이기 때문에, 이하에서는 프레임 받침대(110C)를 예로 설명한다.
프레임 받침대(110C)는 한쌍의 지주부와, 한쌍의 지주부의 정부에 지지된 비임부(115C)를 구비하고 있다. 지주부의 한쪽은, 수직 방향(도 1 중 C 방향)에 입설된 2개의 기둥 프레임(111C), 이들 2개의 기둥 프레임(111C)의 하방 단부를 연결하는 하부 프레임(113C), 및 이들 2개의 기둥 프레임(111C)의 상방 단부를 연결하는 상부 프레임(114C)을 구비하고 있다. 지주부는 수평 방향(도 1 및 도 4 중 B 방향)으로 이간해서 대향되어 배치되어 있다. 대향하는 한쌍의 지주부는, 이들 사이에 처리 챔버(10C), 처리 챔버(10F) 및 반송 챔버(100)가 위치하도록 배치된다. 즉, 대향하는 한쌍의 지주부는 처리 챔버(10C), 반송 챔버(100) 및 처리 챔버(10F)의 병설 방향(도 1 및 도 4 중 B 방향)에 배치된다. 또한, 대향하는 한쌍의 지주부는 처리 챔버(10C) 및 처리 챔버(10D)로 이간해서 배치되어 있다. 지주부와 처리 챔버(10C) 사이에 메인터넌스 영역(R3)이 위치하고, 지주부와 처리 챔버(10F) 사이에 메인터넌스 영역(R6)이 위치한다.
대향하는 한쌍의 지주부는 처리 챔버(10C), 반송 챔버(100) 및 처리 챔버(10F)의 병설 방향(도 1 및 도 4 중 B 방향)으로 연장되는 2개의 수평 프레임(116C)에 의해서, 상단부(정부)가 연결되어 있다. 따라서, 한쌍의 지주부 및 수평 프레임(116C)은 대략 직방체의 골조로 된다. 수평 프레임(116C) 각각은, 그 중간부와 반송 챔버(100)를 연결하는 보조 지주(118)에 의해서 지지되어 있어도 좋다. 또한, 수평 프레임(116C)과 각 지수 사이의 연결은 보강 부재(117)에 의해서 보강되어 있어도 좋다.
수평 프레임(116C) 사이에는, 처리 챔버(10C), 반송 챔버(100) 및 처리 챔버(10F)의 병설 방향(도 1 및 도 4 중 B 방향)으로 연장되는 비임부(115C)가 설치되어 있다. 비임부(115C)는 처리 챔버(10C), 처리 챔버(10F) 및 반송 챔버(100)의 상방을 횡단해서 연장한다. 또한, 비임부(115C)는 메인터넌스 영역(R3, R6)까지 연장되어 있다. 이 때문에, 비임부(115C)는 메인터넌스 영역(R3), 처리 챔버(10C), 처리 챔버(10F), 반송 챔버(100) 및 메인터넌스 영역(R6)의 상방을 횡단해서 연장한다.
비임부(115C)는, 예를 들면 레일부를 갖고 있다. 이 레일부에 승강부(120)가 이동 가능하게 장착되어 있다. 승강부(120)는 레일부를 자주하는 구동부를 구비하고 있고, 비임부(115C)에 따라서 수평 방향(도 1 및 도 4 중 B 방향)으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 또한, 레일부는 비임부(115C)의 한쪽의 단부로부터 다른쪽의 단부까지 연속해서 연장되어 있어도 좋고, 중간 부분에서 절단되어 있어도 좋다. 승강부(120)로서는 예를 들면 자주식 크레인이 이용된다.
승강부(120)는, 처리 챔버(10C 또는 10F)의 덮개부와 연결하는 연결부, 및 연결부를 매달아 올리는 승강 기구를 구비하고 있다. 따라서, 필요에 따라 연결부와 덮개부(10a)를 연결하고, 덮개부(10a)를 수직 방향(도 1 중 C 방향)으로 이동시킨다. 또한, 처리 챔버(10C 및 10F)의 각각 대응한 승강부(120)를 설치해도 좋다. 이 경우, 처리 챔버의 수에 따라서 장착되는 승강부(120)의 개수가 결정된다. 여기에서는 처리 챔버가 2개이므로, 2개의 승강부(120)가 장착되어 있는 예를 도시하고 있다. 또한, 처리 챔버(10C 및 10F)의 연결 부분을 공통화하는 것에 의해, 덮개부를 들어 올리기 위한 승강부(120)를 하나로 합쳐도 좋다.
도 5a 및 도 5b는 승강부(120)의 변형예이다. 도 5a는 덮개부를 승강시키기 전의 상태이다. 도 5b는 덮개부를 승강시킨 상태이다. 또한, 도 5a 및 도 5b에서는, 처리 챔버(10A)를 예로 설명한다. 다른 처리 챔버(10B 내지 10F)에서도 마찬가지의 구성으로 할 수 있다. 도 5a 및 도 5b에서 승강부(120)는 승강 기구로서 피스톤을 채용하고 있다. 승강부(120)의 본체부로부터 연장되는 피스톤 단부가 덮개부(10a)에 고정되어 있다. 피스톤이 신축 동작을 하는 것에 의해서, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 처리 챔버(10A)의 덮개부(10a)가 수직 방향으로 매달아 올릴 수 있고, 본체부(10b)로부터 분리된다.
도 6a 및 도 6b는 메인터넌스 방법을 설명하는 개요도이다. 메인터넌스 항목으로서는, 처리 챔버의 덮개부의 점검·조정, 처리 챔버 내의 청소, 처리 챔버 내에 배치된 부품의 청소·조정·교환 등이 있다. 우선, 처리 챔버의 덮개부의 점검·조정에 대해서 개략 설명한다. 또한, 도 6a 및 도 6b에서는, 처리 챔버(10A, 10D)를 예로 설명한다. 도 6a는 덮개부의 이동 위치를 설명하는 개요도이다. 승강부(120)는 덮개부(10a)를 매달아 올려 상승시킨 후, 메인터넌스 영역(R1)으로 이동한다. 메인터넌스 영역(R1) 상방에 덮개부(10a)를 대기시킨다. 작업원은 메인터넌스 영역(R1)에 들어가 덮개부(10a)의 점검·조정 등을 실시한다. 이 메인터넌스 방법은 승강부(120)가 자주식 크레인이라도, 승강부(120)가 피스톤을 구비하더라도 동일하다.
다음에, 처리 챔버 내의 청소나, 처리 챔버 내에 배치된 부품의 청소·조정·교환 등에 대해 설명한다. 이 경우, 승강부(120)는 덮개부(10a)를 매달아 올려 상승시킨 후, 반송 챔버(100) 측으로 이동한다. 반송 챔버(100)가 배치된 영역(S1) 상방에 덮개부(10a)를 대기시킨다. 작업원은 메인터넌스 영역(R1)에 들어가고, 처리 챔버 내의 청소나, 처리 챔버 내에 배치된 부품의 청소·조정·교환 등을 실시한다. 상술한 수법에서는, 작업원이 교환 대상의 부품을 반송하기 때문에, 중량이 비교적 가벼운 부품을 교환할 때에 채용된다. 또한, 이 메인터넌스 방법은 승강부(120)가 크레인이라도, 승강부(120)가 피스톤을 구비하더라고 동일하다.
도 6b는, 처리 챔버(10A)에 있어서, 승강부(120)를 2대 이용하는 경우를 설명하는 개요도이며, 예를 들면, 승강부(120)가 덮개부(10a)를 매달아 올리는 것 이외에 하나 더 필요로 되는 중량이 비교적 무거운 부품(130)을 교환하는 경우이다. 도 6b에 도시하는 바와 같이, 부품(130)을 처리 챔버(10A)에 반입하는 경우, 2대이 승강부(120) 중 하나의 승강부(120)는 덮개부(10a)를 매달아 올려 메인터넌스 영역(R1)에서 덮개부(10a)를 대기시키고, 다른 하나의 승강부(120)는 대향하는 메인터넌스 영역(R4)에서 부품(130)을 매달아 올려 처리 챔버(10A)로 향해 이동한다.
이와 같이, 2개의 승강부(120)를 이용하는 것에 의해, 처리 챔버 마다 설정된 메인터넌스 영역을 다른 처리 챔버를 위해서 이용할 수 있기 때문에, 스페이스를 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 도 6b에서는 부품의 반입을 예로 하고 있지만, 부품의 반출의 경우에는 반대의 순서를 거치는 것에 의해 실현할 수 있다. 교환 부품으로서는, 예를 들면, 데포 실드(11)나 서셉터(16) 등의 중량이 무거운 부품이 된다. 이러한 부품은 장치의 대형화에 수반해 중량이 증대하기 때문에, 작업원이 반송하는 것이 곤란해지는 부품이다. 본 수법을 채용하는 것에 의해, 효율적으로 부품 교환을 할 수 있다. 또한, 이 메인터넌스 방법은, 부품을 매달아 올리는 승강부(120)가 자주식 크레인이며, 덮개부(10a)를 매달아 올리는 승강부(120)는 자주식 크레인이라도 좋고, 피스톤을 구비하는 승강부(120)이어도 좋다.
메인터넌스 방법의 다른 예를 설명한다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 비임부(115A)의 레일부의 단부는, 보조적인 승강부(125)를 삽입 가능하게 구성되어 있어도 좋다. 즉, 비임부(115A)는 승강부를 나중에 추가 가능하게 구성되어 있어도 좋다. 보조적인 승강부(125)는 승강부(120)와 동일한 구조이며, 예를 들면 자주식 크레인이다. 도 6b에 도시하는 바와 같이, 중량이 비교적 무거운 부품(130)을 교환하는 경우에는, 덮개부(10a)를 메인터넌스 영역(R1) 상방에 대기시킬 필요가 있다. 이것에 대해서, 보조적인 승강부(125)를 이용하는 것에 의해, 덮개부(10a)의 대기 장소를 변경할 수 있다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 덮개부(10a)를 반송 챔버(100)가 배치된 영역(S1) 상방에 대기시키고, 그후 보조적인 승강부(125)를 비임부(115A)의 레일부에 장착해서 부품의 반입·반출을 실시할 수도 있다. 물론, 덮개부(10a)의 승강 작업의 전에 보조적인 승강부(125)를 메인터넌스 영역(R1)의 상방에 배치해 두어도 좋고, 항상 배치해 두어도 좋다.
도 8은 기판 처리 장치(1)의 제 1 변형예이다. 도 1 및 도 4에 도시하는 기판 처리 장치(1)와는 프레임 구조체(3) 만이 상이하다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 프레임 구조체(3)는 비임부(115A, 115B, 115C)에 직교하는 방향(도 8 중 A 방향)으로 연장되는 비임부(132)를 구비하고 있다. 비임부(132)는 연결부(140A, 140B, 140C)를 통해 비임부(115A, 115B, 115C)에 각각 연결되어 있다. 연결부(140A, 140B, 140C)는 도 8의 B 방향으로 자주하는 승강부(120)가 도 8의 A 방향으로 주행하기 위해서 방향 회전을 실시하는 개소가 된다. 이 때문에, 승강부(120)는 도 8의 B 방향 뿐만 아니라, 도 8의 A 방향으로 이동 가능해진다. 이 경우, 처리 챔버 마다 설정된 메인터넌스 영역을 대향하는 처리 챔버를 위해서 이용할 뿐만 아니라, 모든 처리 챔버를 위해서 이용할 수 있기 때문에, 스페이스를 유효하게 이용할 수 있다. 또한, 반송 챔버(100)에 인접하는 메인터넌스 영역도 유효 활용할 수 있다. 또한, 동일한 승강부(120)를 공유하는 것에 의해, 승강부(120)의 개수를 저감할 수 있다.
도 9는 기판 처리 장치(1)의 제 2 변형예이다. 도 1, 도 4 및 도 8에 도시하는 기판 처리 장치(1)와는 처리 챔버(10A 내지 10F)의 배치 위치 및 프레임 구조체(3)의 구성이 상이하고, 그 외는 동일하다. 도 9에서는, 처리 챔버(10A 내지 10E)가 반송 챔버(100)를 중심으로 방사상으로 배치되어 있고, 처리 챔버(10A 내지 10E)의 배치 위치에 맞춰서 프레임 구조체(3)가 변형되어 있다. 이러한 경우에서도, 프레임 구조체(3)를 이용해 메인터넌스 영역을 포함한 스페이스를 유효 활용할 수 있다.
이상, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)에서는, 복수의 처리 챔버(10A 내지 10F)를 걸쳐서 배치된 비임부(115A, 115B, 115C)가 한쌍의 지주부의 정부에 지지되어 있다. 이 때문에, 덮개부를 수직 방향으로 매달아 올리는 승강부를 안정되게 지지할 수 있다. 또한, 승강부(120)가 수평 방향으로 이동 가능하게 비임에 설치되어 있기 때문에, 예를 들면 반송 챔버(100)의 상방으로 덮개부를 이동시켜 처리 챔버(10A 내지 10F) 내의 메인터넌스를 실시하는 것이 가능해진다. 작업원이 작업하는 작업 스페이스에는 덮개부 등의 구성 기기를 대기시키기 위한 영역도 포함된다. 반송 챔버의 상방의 공간을 메인터넌스 시에 있어서 덮개부를 대기시키는 장소로서 활용할 수 있으므로, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용하는 것이 가능해진다. 또한, 승강부(120)를 필요에 따라 메인터넌스 영역(R1 내지 R6)으로 이동시켜서 그들의 상방으로 대기시키는 것이 가능해지기 때문에, 작업 스페이스를 효율적으로 이용하면서 작업 스페이스에서 덮개부의 메인터넌스 작업을 실시할 수 있다.
또한, 상술한 실시형태는 본 발명에 관한 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법의 일 예를 나타내는 것이다. 그러나, 실시형태에 관한 장치 및 방법으로 한정되는 것이 아니며, 변형하고, 또는 다른 것에 적용하는 것이어도 좋다.
예를 들면, 상술한 실시형태에서는, 5개 또는 6개의 처리 챔버를 구비하는 예를 설명했지만, 이 개수로 한정되는 일은 없고, 복수이면 좋다.
또한, 상술한 실시형태에서는, 처리부의 예로서 에칭 장치의 상세를 설명했지만, 성막 장치 등이어도 좋다.
1 : 기판 처리 장치
2 : 장치부
3 : 프레임 구조체
10A 내지 10F : 처리 챔버(제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버)
100 : 반송 챔버
115A 내지 115C : 비임부
120 : 승강부
R1 내지 R6 : 메인터넌스 영역(제 1 작업 스페이스, 제 2 작업 스페이스)

Claims (14)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 1 처리 챔버와;
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 2 처리 챔버와;
    상기 제 1 처리 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버와 접속되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 상기 제 2 처리 챔버에 수용되는 기판을 반송하도록 구성된 반송 기구가 수용되는 반송 챔버와;
    한쌍의 지주부, 및 상기 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비하는 프레임 구조체와;
    상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 제 1 처리 챔버또는 제 2 처리 챔버의 덮개부를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된 적어도 하나의 승강부를 포함하며,
    상기 비임부는 상기 제 1 처리 챔버, 상기 반송 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버의 상방을 횡단해서 연장되고,
    상기 프레임 구조체는 연결부를 통해서 상기 비임부에 연결된 추가 비임부를 더 포함하며,
    상기 승강부는 상기 비임부의 연장 방향으로부터 상기 추가 비임부의 연장 방향까지 상기 연결부에서 이동 방향을 변경시키는 것을 허용하는
    기판 처리 장치.
  2. 기판 처리 장치에 있어서,
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 1 처리 챔버와;
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 2 처리 챔버와;
    상기 제 1 처리 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버와 접속되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 상기 제 2 처리 챔버에 수용되는 기판을 반송하도록 구성된 반송 기구가 수용되는 반송 챔버와;
    한쌍의 지주부, 및 상기 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비하는 프레임 구조체와;
    상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 제 1 처리 챔버또는 제 2 처리 챔버의 덮개부를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된 적어도 하나의 승강부를 포함하며,
    상기 비임부는 상기 제 1 처리 챔버, 상기 반송 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버의 상방을 횡단해서 연장되고,
    상기 제 1 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 1 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 1 작업 스페이스가 설치되어 있고,
    상기 제 2 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 2 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 2 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 2 작업 스페이스가 설치되어 있고,
    상기 비임부는 상기 제 1 작업 스페이스 및 상기 제 2 작업 스페이스의 상방을 횡단해서 연장되는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 작업 스페이스는, 수직 방향으로부터 보면, 적어도 상기 제 1 처리 챔버의 상기 덮개부가 내부에 수용되는 넓이의 영역이며, 상기 제 2 작업 스페이스는, 수직 방향으로부터 보면, 적어도 상기 제 2 처리 챔버의 상기 덮개부가 내부에 수용되는 넓이의 영역인
    기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 승강부는 상기 제 1 작업 스페이스 및 상기 제 2 작업 스페이스 중 적어도 한쪽의 상방, 및 상기 반송 챔버의 상방을 이동 가능하게 상기 비임부에 결합되어 있는
    기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 챔버와 상기 제 2 처리 챔버가 상기 반송 챔버를 사이에 두고 서로 대향해서 배치되는
    기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 승강부 중 적어도 하나는 상기 비임부에 결합된 복수의 승강부를 포함하는
    기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 제 2 처리 챔버 내의 부품을 수직 방향으로 이동시키는 보조 승강부를 더 포함하는
    기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 승강부는 상기 덮개부와 연결하는 연결부와, 상기 연결부를 매달아 올리는 승강 기구를 구비하는
    기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 승강부는, 상기 덮개부에 고정되어, 상기 덮개부를 매달아 올리는 승강 기구를 구비하는
    기판 처리 장치.
  10. 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 장치가:
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 1 처리 챔버와;
    본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성하는 제 2 처리 챔버와;
    상기 제 1 처리 챔버 및 상기 제 2 처리 챔버와 접속되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 상기 제 2 처리 챔버에 수용되는 기판을 반송하도록 구성된 반송 기구가 수용되는 반송 챔버와;
    한쌍의 지주부, 및 상기 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비하는 프레임 구조체와;
    상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 결합되고, 상기 제 1 처리 챔버 또는 제 2 처리 챔버의 덮개부를 수직 방향으로 이동시키도록 구성된 적어도 하나의 제 1 승강부를 포함하며,
    상기 제 1 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 1 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 1 작업 스페이스가 설치되어 있고,
    상기 제 2 처리 챔버 및 상기 반송 챔버의 병설 방향에 있어서, 상기 제 2 처리 챔버에 인접하는 영역에, 상기 제 2 처리 챔버의 메인터넌스를 행하기 위한 제 2 작업 스페이스가 설치되어 있고,
    상기 비임부는 상기 제 1 작업 스페이스, 상기 제 1 처리 챔버, 상기 반송 챔버, 상기 제 2 처리 챔버 및 상기 제 2 작업 스페이스의 상방을 횡단해서 연장되어 있으며,
    상기 메인터넌스 방법이:
    상기 제 1 처리 챔버의 메인터넌스 시에 있어서, 상기 제 1 승강부에 의해, 상기 제 1 처리 챔버의 덮개부를 상승시키고, 상기 덮개부를 상기 제 1 작업 스페이스의 상방으로 이동시키는 단계를 포함하는
    메인터넌스 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 챔버의 메인터넌스 시에 있어서, 상기 제 1 승강부에 의해, 상기 제 2 처리 챔버의 덮개부를 상승시키고, 상기 덮개부를 상기 제 2 작업 스페이스의 상방으로 이동시키는
    메인터넌스 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 장착되고, 상기 덮개부를 수직 방향으로 이동시키는 제 2 승강부를 더 구비하며,
    상기 제 2 승강부에 의해 상기 제 2 작업 스페이스에 배치된 부품을 상승시키고, 상기 부품을 상기 제 1 처리 챔버의 상방으로 이동시키는
    메인터넌스 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임 구조체는 연결부를 통해서 상기 비임부에 연결된 추가 비임부를 더 포함하며,
    상기 제 1 승강부는 상기 비임부의 연장 방향으로부터 상기 추가 비임부의 연장 방향까지 상기 연결부에서 이동 방향을 변경시키는 것을 허용하는
    메인터넌스 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 추가 챔버를 더 포함하며,
    상기 제 1 처리 챔버, 상기 제 2 처리 챔버 및 상기 추가 처리 챔버는 상기 반송 챔버를 중심으로 원주방향으로 배치되어 있는
    기판 처리 장치.
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