KR20070063450A - 기판 처리 장치 및 덮개 지지 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 목적은 메인터넌스의 작업효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.

본 발명에 있어서, 기판 처리 장치(1)는, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 여섯 개의 프로세스 챔버(100)를 구비하고, 프로세스 챔버(100)에는 상부에 개구부를 갖는 프로세스 챔버 박스체(110)를 밀폐하기 위한 상측 덮개로서의 챔버 리드(200)가 설치되고, 프로세스 챔버(100)에 있어서 챔버 리드(200)를 개폐하기 위하여, 에어 실린더(510)와, 에어 실린더(510)가 결합된 1개의 리니어 가이드(520)를 구비하는 크레인 유닛(500)이 장착된다.

Description

기판 처리 장치 및 덮개 지지 장치{A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND A LID SUPPORTING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도,

도 2는 도 1에서의 하나의 프로세스 챔버의 외관을 개략적으로 도시한 사시도,

도 3은 도 2의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도,

도 4는 도 3에서의 데포짓 실드 및 셔터의 외관을 도시한 사시도,

도 5는 도 2에서의 DC 필터 박스를 떼어 낸 후에 크레인 유닛이 장착된 프로세스 챔버의 외관을 도시한 사시도,

도 6a는 도 3의 프로세스 챔버를 메인터넌스(maintenance)하기 위하여, 도 5의 크레인 유닛을 장착하였을 때를 도시한 측단면도,

도 6b는 크레인 유닛에 의하여 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때를 도시한 측단면도,

도 6c는 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 화살표 A 방향으로(안쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한 측단면도,

도 7은 도 3의 프로세스 챔버를 메인터넌스하기 위하여 챔버 리드 및 상부 전극 어셈블리를 도 6b에 도시한 상태로부터 화살표 B 방향으로(자기쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한 측단면도,

도 8은 도 3에서의 챔버 리드, 상부 전극 어셈블리 및 데포짓 실드를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때의 프로세스 챔버의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도,

도 9는 본 발명의 실시형태의 변형례에서, 프로세스 챔버 내부의 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 위쪽으로 수직 이동시킬 때의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 처리 장치 100 : 프로세스 챔버(P/C)

110 : 프로세스 챔버 박스체(P/C 박스체) 130 : 데포짓 실드

140 : 탑재대 유닛 150 : 상부 전극 어셈블리

200 : 챔버 리드 500 : 크레인 유닛

510 : 에어 실린더 520 : 리니어 가이드

700 : 트랜스퍼 챔버(T/C)

본 발명은 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치에 관한 것으로서, 특히 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실(프로세스 챔버)을 구비하는 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치에 관한 것이다.

기판 처리 장치에는 반도체 디바이스를 제조하기 위하여, 피처리 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 「웨이퍼」라 함)에, 플라즈마를 이용한 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 프로세스 챔버를 구비하는 플라즈마 처리장치가 있다. 프로세스 챔버는 그 상부에 그 프로세스 챔버를 밀폐하기 위한 챔버 상측 덮개를 갖는다(예를 들어, 후술하는 특허문헌 1∼4 참조). 이와 같은 기판 처리 장치에서는 챔버 상측 덮개를 프로세스 챔버로부터 떼어 이동시킴으로써, 챔버 상측 덮개의 외면이나 챔버 내면의 클리닝(cleaning)이나 프로세스 챔버의 분해·개조 등의 메인터넌스(maintenance)를 행할 수 있다.

특허문헌 1에 기재된 챔버 상측 덮개는 전자 빔을 이용한 노광장치(EB 장치)에 있어서, 프로세스 챔버로부터 수직 방향으로 세워 설치한 네 개의 가이드 폴을 따라서 승강하도록 구성되어 있다.

특허문헌 2, 3에 기재된 챔버 상측 덮개는 수직 방향으로 세워 설치한 두 개의 가이드 부재에 의하여 상기 챔버 상측 덮개의 단부가 승강이 자유롭게 지지된, 소위 캔틸레버 상하 구동 방식인 것이며, 힌지부에 의하여 회전 가능하게 지지된다.

특허문헌 4에 기재된 챔버 상측 덮개로서의 플레이트부는 수직 방향으로 세워 설치한 한 개의 가이드 부재로서의 구동축의 상부 측면으로부터 수평 방향으로 뻗어 나온 아암부에 의하여 그 상면이 지지된 슬라이드식의 것이며, 수직 방향에 있어서의 상하 이동에 부가하여, 수평 방향에 있어서의 회전(슬라이드)이 가능하다.

특허문헌 1. 일본 공개 특허공보 제 2004-311887 호

특허문헌 2. 일본 공개 특허공보 제 2000-058523 호

특허문헌 3. 미국 특허 제 6,719,851 호 명세서

특허문헌 4. 국제공개 제 00/060653 호 팜플렛

그러나, 상기 특허문헌 1∼4에 기재된 기술에서는 챔버 상측 덮개를 지지하기 위한 적어도 한 개의 가이드 부재를 설치할 필요가 있으나, 이와 같은 가이드 부재는 프로세스 챔버 주위를 둘러싸기 위한 벽면을 설치하기 위한 프레임을 구성하는 기둥 부재나 인접하는 다른 프로세스 챔버에 간섭한다. 또, 특히 상기 특허문헌 1에 기재된 기술에서는 프레임으로서의 네 개의 가이드 폴이 챔버 상측 덮개와 간섭하기 때문에 챔버 상측 덮개를 수평 방향으로 이동시킬 수 없다. 그 때문에, 예를 들면 개조시에 프로세스 챔버 내부의 부품을 인출할 때에, 가령 가이드 폴의 가장 높은 위치에 챔버 상측 덮개를 상승시켰다고 하더라도 부품이 챔버 상측 덮개나 가이드 폴과 간섭한다.

이에 부가하여 최근에는 웨이퍼 직경의 대형화에 따라 기판 처리 장치가 대형화되고 있다. 그 결과, 첫째로, 프로세스 챔버 주위의 공간이 더 좁아졌기 때문에, 상술한 바와 같은 가이드 부재를 설치할 공간이나 상기 특허문헌 4에 기재된 기술과 같이 챔버 상측 덮개의 수평 방향으로의 회전을 행하기 위한 공간을 확보하 기가 곤란하다. 둘째로, 기판 처리 장치의 대형화에 따라 챔버 상측 덮개도 대형화되어 중량이 증대되기 때문에, 상기 특허문헌 2∼4에 기재되어 있는 바와 같은 개수의 가이드 부재나 힌지부로는 무거운 챔버 상측 덮개를 균형이 잘 잡히게 지지하기가 곤란하다.

또한, 상기 프로세스 챔버 내에 배치된 챔버 내 부품에는 프로세스 챔버의 측벽 내면을 따라서 배치되어 상기 내벽 대신에 데포짓(퇴적물 : deposit)이 부착하는 내벽 보호체로서 기능하는 데포짓 실드(이하, 「데포짓 실드」라 함)나, 웨이퍼를 정전기적으로 흡착(chuck)하는 ESC(Electro Static Chuck) 기능을 갖는 탑재대(서셉터 : susceptor) 및 그 관련 부품으로 구성되는 탑재대 유닛이 있다. 이 데포짓 실드는 높이 방향의 치수가 크기 때문에, 프로세스 챔버로부터 수직 방향으로 꺼내려고 하더라도 그 하부가 프로세스 챔버의 측벽과 간섭한다는 문제가 있고, 한편 탑재대 유닛은 매우 무겁기 때문에 개조시에 꺼내기가 곤란하다는 문제가 있다.

이상과 같은 점에서 클리닝이나 개조를 포함하는 메인터넌스의 작업 효율을 향상시키는 것이 요구되고 있다.

본 발명의 목적은 메인터넌스의 작업 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 그 장치의 덮개 지지 장치를 제공하는 데에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 당해 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 한다.

청구항 2에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 3에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 4에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

청구항 5에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개에는, 당해 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

청구항 6에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 5에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극, 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.

청구항 7에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개쪽의 단부가, 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하며, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 9에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.

청구항 10에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개에는, 당해 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

청구항 11에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 10에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극, 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.

청구항 12에 기재된 기판 처리 장치는, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개쪽의 단부가, 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치는, 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실을 밀폐하기 위하여 당해 처리실의 상부에 설치된 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동 이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 한다.

청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 15에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 16에 기재된 덮개 지지 장치는, 청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치에 있어서, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하에 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 1에 있어서, 기판 처리 장치(1)는 피처리체로서의, 예를 들면 직경이 300㎜인 웨이퍼에 대하여 매엽마다 RIE(Reactive Ion Etching) 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 여섯 개의 프로세스 챔버(P/C)(100)와, 처리하지 않은 웨이퍼를 반출입하는 동시에 P/C(100)에서 처리된 웨이퍼를 반출입하는 기판 반출입부(600)와, P/C(100)와 기판 반출입부(600) 사이에서 웨이퍼를 반송하는 트랜스 퍼 챔버(T/C)(700)를 구비한다. 각 P/C(100)는 T/C(700)에 연결되어 있다.

기판 반출입부(600)는 웨이퍼 저장 용기인 후프를 탑재 가능한 세 개의 후프 탑재대(610), T/C(700)에 연결된 로드 로크실(L/L실)(620a, 620b), 후프 탑재대(610)와 L/L실(620a, 620b) 사이에 배치된 대기 반송계의 로더 유닛(630), 웨이퍼의 위치결정(프리얼라이먼트)을 행하는 프리얼라이먼트부(P/A)로서의 오리엔터(640), L/L실(620a, 620b)의 아래쪽이고 로더 유닛(630)의 앞쪽 측면에 각각 장착되어 있는 두 개의 비제품 기판용 후프(도시하지 않음)를 갖는다. 후프 탑재대(610)의 후프는 예를 들어 25매의 웨이퍼를 수용하고, 비제품 기판용 후프는 기판 처리 장치(1)의 시운전시 등에 사용하는 더미 처리용의 비제품 기판(더미 웨이퍼)을 소정 매수를 수용한다.

도 1의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 여섯 개의 P/C(100)를 구비하므로, 웨이퍼의 기판 처리를 동시에 실행할 수 있다.

도 2는 도 1에 있어서의 P/C(100)의 외관을 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 2에 도시한 바와 같이, P/C(100)에는 그 상부에 개구부를 갖는 P/C 박스체(110)와, P/C 박스체(110)를 밀폐하기 위한 상측 덮개로서의 챔버 리드(200)가 설치되어 있다. P/C 박스체(110)에는 EPP용 창(111)이 설치되어 있다. 또, P/C(100)의 측방에는 P/C(100)의 주위를 둘러싸기 위한 벽재 및 그 벽면을 지지하는 기둥 부재로 구성된 프레임(400)이 배치되어 있고, 이와 같은 프레임(400)은 P/C(100)의 위쪽에도 천장면을 형성하기 위하여 배치되어 있다.

챔버 리드(200)의 위쪽에는 P/C(100) 내에 처리가스를 공급하기 위한 가스 박스(310), 후술하는 DC 전력을 공급하는 직류 전원(49)을 고장내지 않도록 그 직류 전원(49)으로의 후술하는 RF 전력의 누출을 블로킹하는 동시에 DC 전력을 통과시키기 위한 DC 필터가 내부에 배치된 DC 필터 박스(320), P/C(100) 내부의 압력 계측을 행하는 압력 계측기(330) 등의 부품이 배치되어 있다. 가스 박스(310)는 처리가스의 유로를 두 개의 처리가스 공급관(310a, 310b)에 분기시키기 위한 플로우 스플리터와, 두 개의 처리가스 공급관(310a, 310b)에 공급하는 처리가스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)를 구비한다. 처리가스 공급관(310a, 310b)은 각각 챔버 리드(200)를 관통하도록 P/C(100) 내부의 공간과 접속된다. DC 필터 박스(320)는 챔버 리드(200)의 상면에 접속된다. 또, DC 필터 박스(320)의 내부에는 통기구멍(venthole)이 마련되어 있다.

또, 챔버 리드(200)에는 나사 구멍(210a)이 예를 들어 세 개 형성되어 있다. 또한, 형성되는 나사 구멍(210a)은 두 개 이상이면 된다. 각 나사 구멍(210a)에는 필요에 따라서 나사가 끼워져서, 그 나사는 챔버 리드(200)와 후술하는 도 3의 데포짓 실드(130)를 결합하기 위한 결합 부재로서 기능한다.

도 3은 도 2의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이며, P/C(100)의 내부의 구성을 개략적으로 나타낸다.

도 3에 있어서, P/C(100)는 내면이 알마이트 코팅되어 있는 알루미늄제의 원통 형상의 측벽(10)과, 이 측벽(10)의 내면을 따라서 배치된 거의 원통 형상인 데포짓 실드(130)를 구비한다. 데포짓 실드(130)의 상면에는 온도 조정부나 유수관 등의 부품(135)이 배치된다.

데포짓 실드(130)에 의해서 구획지어진 공간(이하, 「반응공간」이라 함)의 아래쪽에는, 웨이퍼가 탑재되는 거의 원기둥 형상의 탑재대(서셉터)(11)를 포함하는 탑재대 유닛(140)이 배치되어 있고, 그 반응공간의 위쪽에는, 후술하는 상부 전극을 포함하는 상부 전극 어셈블리(150)가 탑재대 유닛(140)과 대면하도록 배치되어 있다. 상부 전극 어셈블리(150)는 챔버 리드(200)에 대하여 착탈 가능하게 챔버 리드(200)의 바닥면과 맞닿는다. 또, P/C(100)는 전기적으로 접지하고, 탑재대(11)는 P/C(100)의 바닥부에 배치된 절연성 부재(29)를 개재하여 설치된다.

P/C(100)에서는, 측벽(10)의 내면과 탑재대 유닛(140)의 측면에 의해서, 탑재대 유닛(140) 위쪽의 기체 분자를 P/C(100) 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(12)가 형성된다. 이 배기로(12)의 도중에는 플라즈마의 누설을 방지하는 고리형상의 배플판(13)이 배치된다. 또, 배기로(12)에 있어서의 배플판(13)보다 하류의 공간[배기실(매니폴드)]는 측벽(10)에 형성된 배기구멍(10a)을 거쳐 배기펌프(도시하지 않음) 등의 배기장치(20)에 접속된다. 이에 따라, P/C(100) 내를 거의 진공상태가 될 때까지 감압하는 등의 P/C(100) 내의 압력 제어를 행할 수 있다.

탑재대(11)에는 고주파 전원(32)이 급전 막대(33) 및 정합기(Matcher)(34)를 개재하여 접속되어 있고, 이 고주파 전원(32)은 비교적 높은 주파수, 예를 들어 40㎒의 고주파 전력(RF 전력)을 탑재대(11)에 공급한다. 이에 의해, 탑재대(11)는 하부 전극으로서 기능한다. 또, 정합기(34)는 탑재대(11)로부터의 RF 전력의 반사를 저감하여 RF 전력의 탑재대(11)로의 공급 효율을 최대로 한다. 탑재대(11)는 고주파 전원(32)으로부터 공급된 40㎒의 RF 전력을 반응공간에 인가한다. 이 때, 반응공간에는 인가된 RF 전력에 기인하는 전위(포텐셜)가 발생한다.

또, 탑재대(11)에는 또 다른 고주파 전원(37)이 급전 막대(35) 및 정합기(36)를 개재하여 접속되어 있고, 그 다른 고주파 전원(37)은 비교적 낮은 주파수, 예를 들어 2㎒의 RF 전력을 탑재대(11)에 공급한다. 정합기(36)는 정합기(34)와 동일한 기능을 갖는다.

탑재대(11), 특히 그 표면에는 공급된 2㎒의 RF 전력에 기인하여 고주파(2㎒)의 전위가 발생한다. 또, 그 표면에는 공급된 40㎒의 RF 전력에도 기인하여 전위가 발생한다.

탑재대 유닛(140)의 상부에는 도전막을 내포하는 원판 형상의 ESC 전극판(14)이 배치되어 있다. ESC 전극판(14)에는 ESC 직류 전원(24)이 전기적으로 접속되어 있다. 웨이퍼는 ESC 직류 전원(24)으로부터 ESC 전극판(14)에 인가된 직류 전압에 의하여 발생하는 쿨롱력 또는 존슨 라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해서 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지된다. 또, 탑재대 유닛(140)의 측부에는 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지되는 웨이퍼의 주위를 둘러싸도록 원고리 형상의 포커스 링(15) 등이 배치된다. 이 포커스 링(15)은 반응공간에 노출되고, 이 반응공간에서 플라즈마를 웨이퍼의 표면으로 향하여 수속하여, 플라즈마 처리의 효율을 향상시킨다.

또, 탑재대(11)의 내부에는 예를 들어, 원주 방향으로 연장되는 고리형상의 냉매실(25)이 설치된다. 이 냉매실(25)에는 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(26)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예를 들어, 냉각수나 갈덴(등록상표)액이 순환 공급되어, 당해 냉매의 온도에 의해서 ESC 전극판(14)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼의 처리온도가 제어된다.

또한, ESC 전극판(14)[탑재대 유닛(140)]의 상면의 웨이퍼가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라 함)에는 복수의 전열가스 공급구멍(27)이 개구되어 있다. 이들 복수의 전열가스 공급구멍(27)은 전열가스 공급부(28)에 접속되고, 이 전열가스 공급부(28)는 전열가스로서의 헬륨 가스를, 전열가스 공급구멍(27)을 거쳐 흡착면 및 웨이퍼 이면의 간극에 공급한다.

탑재대 유닛(140)의 흡착면에는 탑재대 유닛(140)의 상면으로부터 돌출이 자유로운 리프트 핀으로서의 푸셔 핀(도시하지 않음)이 예를 들어 세 개 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀은 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시하기 위하여 웨이퍼를 흡착면에 흡착 유지할 때에는 탑재대 유닛(140)에 수용되고, 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼를 P/C(100)로부터 반출할 때에는 탑재대 유닛(140)의 상면으로부터 돌출하여 웨이퍼를 ESC 전극판(14)으로부터 이간시켜서 위쪽으로 들어 올린다.

상부 전극 어셈블리(150)는 다수의 가스 구멍(23)을 갖고 탑재대 유닛(140)과 대면하는 샤워헤드(20)와, 이 샤워헤드(20)를 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(21)와, 데포짓 실드(130)와의 접촉부에 배치된 고리 형상의 실드 링(151)과, 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 결합하는 복수의 나사(152)를 갖는다. 샤워헤드(20)에는 소정의 직류 전력(DC 전력)을 공급하는 직류 전원(49)이 접속되어 있고, 이에 따라, 샤워헤드(20)는 상부 전극으로서 기능한다. 전극 지지체(21)는 내부에, 상기 처리가스 공급관(310a, 310b)이 접속하여 처리가스가 공급 되는 버퍼실(22)이 형성되어 있는 동시에, 상기 버퍼실(22)의 하부를 폐색하는 쿨링 플레이트(21a)를 갖는다. 샤워헤드(20)는 처리가스 공급관(310a, 310b)으로부터 버퍼실(22)로 공급된 처리가스를 가스 구멍(23)을 경유하여 P/C(100) 내로 공급한다.

또, P/C(100)의 측벽(10)에는 상기 푸셔 핀에 의해서 들어 올려진 웨이퍼의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼의 반출입구(30)가 마련되고, 반출입구(30)에는 이 반출입구(30)를 개폐하기 위하여 승강이 자유롭게 구성된 셔터(31)가 장착되어 있다.

이 P/C(100) 내에서는, 상술한 바와 같이, 하부 전극으로서 기능하는 탑재대 유닛(140)에 RF 전력을, 또한 상부 전극으로서 기능하는 상부 전극 어셈블리(150)에 DC 전력을 공급하여, 그들 사이의 반응공간에 이들 전력을 인가함으로써, 상기 반응공간에서 샤워헤드(20)로부터 공급된 처리가스로부터 고밀도의 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해서 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시한다.

구체적으로는 웨이퍼에 플라즈마 처리를 실시할 때, 먼저 셔터(31)를 개구하고, 플라즈마 처리 대상인 웨이퍼를 P/C(100) 내에 반입하고, 또한 ESC 전압을 ESC 전극판(14)에 인가함으로써, 반입된 웨이퍼를 탑재대(11)의 흡착면에 흡착 유지한다. 또, 샤워헤드(20)로부터 처리가스(예를 들어, 소정의 유량 비율의 CF₄ 가스, O₂ 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합가스)를 소정의 유량 및 유량비로 P/C(100) 내에 공급하는 동시에, P/C(100) 내의 압력을 소정값으로 제어한다. 또한, 탑재대 유닛(140) 및 상부 전극 어셈블리(150)로부터 P/C(100) 내의 반응공간에 RF 전력 및 DC 전력을 인가한다. 이에 따라, 샤워헤드(20)로부터 도입된 처리가스를 반응공간에서 플라즈마로 하고, 이 플라즈마를 포커스 링(15)에 의해서 웨이퍼의 표면에 수속하여, 웨이퍼의 표면을 물리적 또는 화학적으로 에칭한다.

도 4는 도 3에서의 데포짓 실드(130) 및 셔터(31)의 외관을 도시한 사시도이다.

도 4에 있어서, 데포짓 실드(130)는 P/C(100)의 측벽(10)의 내면 상부를 따르는 외경 670㎜, 높이 150㎜의 거의 원통 형상을 이루고, 측벽(10)의 내면에 데포짓(퇴적물)이 부착되는 것을 방지함으로써 측벽(10)을 보호하는 내벽 보호체로서 기능한다. 또, 데포짓 실드(130)의 하부의 일부에는 폭 방향에 관하여 웨이퍼의 직경보다 큰 가로폭의 절결부(131)가 형성되어 있고, 이 절결부(131)의 절결면은 셔터(31)의 상면과 상보(相補)적인 형상을 갖는다. 또, 셔터(31)는 데포짓 실드(130)와 동일한 재로로 구성되어 있다.

또, 데포짓 실드(130)는 그 둘레 플랜지부(134)에 있어서, 챔버 리드(200)의 나사 구멍(210a)에 대응하도록 나사 구멍(210b)이 형성되어 있다. 이들 나사 구멍(210b)은 데포짓 실드(130)의 둘레 플랜지부(134)를 관통하지 않도록 형성되어 있다. 또한, 하나의 나사 구멍(210b)의 위쪽에는 도 3에 나타낸 부품(135)이 배치되어 있다. 또, 데포짓 실드(130)의 둘레 플랜지부(134)의 내부에는 도시하지 않은 플레이트 형상의 히터가 2단에 걸쳐서 배치되어 있다.

도 5는 도 2에서의 DC 필터 박스(320)를 떼어 낸 후에 크레인 유닛이 장착된 P/C(100)의 외관을 도시한 사시도이다. 또한, 도 5에서 화살표 A 방향에는 도 1의 T/C(700)가 배치되어 있고, 화살표 B 방향에는 사용자가 메인터넌스를 하는 경우 등에 사용하는 메인터넌스대(도시하지 않음)가 배치되어 있다.

도 5에 있어서, 크레인 유닛(500)은 챔버 리드(200)의 위쪽에 배치된 DC 필터 박스(320)를 떼어 낸 후에, 챔버 리드(200)와 결합(장착)된다. 이에 따라, 크레인 유닛(500)은 P/C(100)에 있어서 챔버 리드(200)를 개폐한다. 또한, 필요에 따라서 가스 박스(310) 등도 떼어 내진다.

크레인 유닛(500)은 일단(510a)이 챔버 리드(200)와 결합된 에어 실린더(510)와, 에어 실린더(510)의 타단(510b)이 레일 위를 슬라이딩이 자유롭게 되도록 맞물린 한 개의 리니어 가이드(520)를 구비한다. 에어 실린더(510)가 챔버 리드(200)를 유지하고, 리니어 가이드(520)가 에어 실린더(510)를 유지함으로써, 크레인 유닛(500)은 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구로서 기능한다.

리니어 가이드(520)는 웨이퍼의 반송 방향과 평행한 수평면 위에서 도 5의 화살표 A, B 방향으로 연장되도록 프레임(400)의 천장면에 고정되어 있다. 또한, 천장면의 높이는 2000㎜∼2300㎜ 사이에 있다. 리니어 가이드(520)의 레일 길이는 챔버 리드(200)의 직경 등에 따라서 적절하게 설정되고, 예를 들면 화살표 A, B 방향으로 각각 챔버 리드(200)를 그 직경(780㎜)에 상당하는 길이만큼 오프셋할 수 있도록 1600㎜이다. 이에 따라, 리니어 가이드(520)는 화살표 A, B 방향으로 연장되는 레일 길이에 따른 범위 내에서 챔버 리드(200)를 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로서 기능한다.

에어 실린더(510)는 수직 방향에 있어서 신축이 자유롭게 구성되어 있고, 챔버 리드(200)의 위쪽으로부터, 즉 매달아 올리는 방식으로, 천장면의 높이까지의 범위에서 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 수직 이동 규제부로서 기능한다. 매달아 올리는 방식이기 때문에, 에어 실린더(510)가 위쪽으로부터 하중을 받아 물려 들어갈 우려를 없앨 수 있다. 또한, 웨이퍼의 직경에 맞추어 P/C(100)의 사이즈, 나아가서는 챔버 리드(200)의 직경을 변화시키는 경우이더라도, 매달아 올리는 방식이기 때문에, 크레인 유닛(500)의 구성을 변화시킬 필요를 없앨 수 있다. 환언하면, 웨이퍼의 직경 변경이나 P/C(100)의 사이즈 변경의 자유도를 저하시키는 것을 없앨 수 있다.

또, 에어 실린더(510)로서는 임의의 스트로크 길이의 것을 사용할 수 있는데, 챔버 리드(200)가 P/C(100)의 상면에 대해서 과도하게 가압하는 일이 없는 스트로크 길이를 선택하는 것이 바람직하다.

에어 실린더(510)는 임의의 스트로크 길이에 있어서 그 동작을 중간 정지할 수 있는 것이 바람직하고, 이에 따라, 사용자는 원하는 높이에서 챔버 리드(200)나 상부 전극 어셈블리(150)의 메인터넌스를 행할 수 있다. 또, 에어 실린더(510)는 챔버 리드(200)를 닫기 직전에는 낮은 속도로 작동하도록 구성되어 있고, 이에 따라 챔버 리드(200)와 P/C 박스체(100) 사이의 공간을 가로막는 배선이나 사용자의 손 등이 끼이는 것을 방지하여, 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다.

에어 실린더(510)의 일단(510a)은 챔버 리드(200)의 상면에 있어서 그 중앙 위치로부터 소정량 뒤로 옮겨진 위치에서 소정의 결합 부재를 개재하여 결합된다. 소정량 뒤로 옮겨짐으로써 챔버 리드(200)를 매달아 지지하였을 때에, 상기 챔버 리드(200)를 적극적으로 기울게 한다. 그 결과, 덜거덕거림(backlash)을 갖게 하여, 챔버 리드(200)의 개폐시에 발생하는 충격을 완화할 수 있어, 원활하게 챔버 리드(200)의 개폐를 행할 수 있다.

또, 크레인 유닛(500)은 에어 실린더(510)의 위치나 동작, 나아가서는 챔버 리드(200)의 이동 위치를 원격적으로 제어하는 컨트롤러(530)와, 에어 실린더(510)와 연동하는 위치결정 박스(540)를 포함한다. 위치결정 박스(540)에는 위치결정 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있고, 이에 대응하여, 리니어 가이드(520)의 레일 위에는 복수의, 예를 들어 일단, 중앙, 타단의 세 부분의 핀 홀이 위치결정 핀과 끼워지도록 형성되어 있고, 이에 따라 잠금기구가 구성되어, 크레인 유닛(500)의 불의의 작동에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 세 부분 중 중앙의 핀 홀에 위치결정 핀이 끼워짐으로써, 에어 실린더(510)의 일단(510a)과 챔버 리드(200) 상면이 결합 가능하다는 것을 용이하게 검출할 수 있다. 또한, 핀 홀에 끼우는 것은 위치결정 핀에 한정되지는 않고, 테이퍼 샤프트 등이어도 된다.

컨트롤러(530)에는 에어 실린더(510)의 수직(상하) 방향에 있어서의 위치를 제어하는 상측 버튼(531) 및 하측 버튼(532)이 설치되어 있다. 상하측 버튼(531, 532)은 위치결정 박스(540)의 위치결정 핀이 핀 홀에 끼워진 경우에는 조작 가능하게, 또한 위치결정 핀이 핀 홀에 끼워져 있지 않은 경우에는 조작 불가능하게 구성 되어 있는 것이 바람직하고, 이에 따라, 사용자의 조작성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상하측 버튼(531, 532)은 에어 실린더(510)가 원하는 위치 이외에서 상하 이동하는 것에 의한 사고의 발생을 방지할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 위치결정 핀을 핀 홀의 잠금으로부터 해제할 때에는 도시하지 않은 소정의 레버를 이용한다. 또, 챔버 리드(200)의 개폐시에 소정의 멜로디 등의 소리를 내도록 구성함으로써, 사용자에게 챔버 리드(200)가 개폐시에 있다는 것을 주의 환기할 수 있는 동시에, 크레인 유닛(500)의 고장시의 리스크를 회피할 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 챔버 리드(200)를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구로서는 에어 실린더(510) 및 리니어 가이드(520)로 구성된 크레인 유닛(500)을 이용하였으나, 챔버 리드(200)를 수직 방향 및 소정의 수평 방향으로 이동시킬 수 있는 것이라면 어떤 것이어도 되며, 예를 들어, 에어 실린더(510) 대신에 볼 나사 등을 사용해도 된다. 또한, 이들은 클린 룸 내에서 사용하는 점을 감안하여 파티클이 발생하지 않는 부재로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

에어 실린더(510) 및 리니어 가이드(520)를 조합한 크레인 유닛(500)을 사용함으로써, 제어성이 높아지고, 챔버 리드(200)의 개폐시에 발생하는 음량을 작게 할 수 있는 동시에, 챔버 리드(200)를 지지하는 지지부재의 대형화를 회피할 수 있다. 또한, 크레인 유닛(500)은 떼어 내서 다른 P/C(100)에서도 사용할 수 있으므로, 비용 절감 및 보관 공간의 협소화를 도모하는 것도 가능하다.

이하에 도 5의 크레인 유닛(500) 및 챔버 리드(200)로 구성되는 덮개 어셈블 리의 메인터넌스 동작을 설명한다. 메인터넌스로서는 클리닝이나 분해·개조·수리 등이 있다. 클리닝에서는 P/C(100) 내의 챔버 내 부품의 표면이 사용자에 의하여 세정된다. 분해·개조·수리에서는 P/C(100) 내의 챔버 내 부품을 꺼내는 것이 행해진다.

먼저, 도 3의 P/C(100) 내부를 클리닝할 때의 순서를 도 6a∼도 6c를 이용하여 설명한다. 또한, 도 6a∼도 6c에는 P/C(100)를 탑재하기 위한 테이블(410)과, P/C(100)의 앞면에 배치된, 예를 들어 높이 300㎜의 상기 메인터넌스대(420)와, 프레임(400)의 상면에 탑재된 박스체(450)가 도시되어 있다. 박스체(450) 내부에는 온도조절기나 제어보드 등이 설치되어 있다.

도 6a는 도 5의 크레인 유닛(500)을 장착하였을 때를 도시하고 있고, 도 5의 측단면도에 해당한다.

도 6b는 크레인 유닛(500)에 의하여 P/C(100)의 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 위쪽으로 수직 이동시켰을 때를 도시하고 있다. 도 6b에 도시한 바와 같이, 상부 전극 어셈블리(150), 데포짓 실드(130), 및 탑재대 유닛(140)의 표면이 노출되기 때문에, 사용자는 앞면 및 양 측면으로부터 효율적으로 클리닝을 행할 수 있다.

도 6c는 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 화살표 A 방향으로(안쪽으로) 수평 이동시켰을 때를 도시한다. 도 6c의 상태에서는 P/C(100)의 위쪽에서의 메인터넌스 공간이 크게 확보되므로, 사용자는 데포짓 실드(130) 및 탑재대 유닛(140)의 표면을 도 6b의 상태보다 더 효율적으로 클리닝할 수 있다.

또, 도 6c에 도시한 바와 같이, 챔버 리드(200)는 T/C(700)의 위쪽의 데드 스페이스였던 장소로 튀어나오도록 배치되므로, 챔버 리드(200)의 이동에 따른 데드 스페이스의 증대를 없앨 수 있다. 특히, 도 1에 도시한 바와 같이 여섯 개의 P/C(100)를 구비하는 기판 처리 장치(1)에서는 T/C(700)의 위쪽의 데드 스페이스를 이용함으로써, 복수의 P/C(100)의 챔버 리드(200)가 서로 간섭하지 않고 동시에 각 P/C(100)의 메인터넌스를 행할 수 있다.

또, 도 7에 도시한 바와 같이, 도 6b에 나타낸 상태로부터, 화살표 B 방향으로(자기쪽으로) 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)를 수평 이동시켰을 경우에는 상부 전극 어셈블리(150)의 표면을 사용자에게 보다 가까운 위치에서 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 사용자는 상부 전극 어셈블리(150)의 분해·개조·수리·교환·검사 등을 용이하게 행할 수 있는 동시에, 이들의 클리닝을 효율적으로 행할 수 있다.

도 6 및 도 7의 설명에서는, 챔버 리드(200) 및 상부 전극 어셈블리(150)의 쌍방을 이동시켰으나, 이들 쌍방을 결합하는 나사(152)(도 3, 도 5)를 미리 떼어 놓음으로써, 챔버 리드(200)만을 이동시켜도 된다.

또, 도 8에 도시한 바와 같이, 나사 구멍(210a, 210b)(도 3 내지 도 5)에 소정의 나사를 끼움으로써 챔버 리드(200) 및 데포짓 실드(130)의 쌍방을 결합함으로써, 이들 쌍방과 상부 전극 어셈블리(150)를 이동시켜도 된다. 이에 의하여, 데포짓 실드(130)를 정확하게 수직 방향을 따라서 꺼낼 수 있다. 한편, 종래의 기술에서는 데포짓 실드의 높이 방향의 치수가 크기 때문에, 수직 방향을 따라서 정확하 게 꺼낼 수 없고, 그 하부가 P/C(100)의 측벽(10)에 간섭한다는 문제가 있었으나, 도 8에 도시한 바와 같은 기술에 의하면, 이것을 해결할 수 있으므로, 메인터넌스 시의 사용자의 작업효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 탑재대 유닛(140)이 가벼운 경우에는 챔버 리드(200)와 소정의 결합 부재를 개재하여 결합시킴으로써, 도 8의 데포짓 실드(130)와 마찬가지로 P/C(100)로부터 떼어 내는 것이 가능하다. 그러나, 탑재대 유닛(140)은 통상 질량이 100㎏으로 매우 무겁기 때문에 꺼내기는 곤란하다.

도 9는 본 발명의 실시형태의 변형례에 있어서, P/C(100) 내부의 탑재대 유닛(140)을 위쪽으로 수직 이동시킬 때의 상태를 모식적으로 도시한 측단면도이다.

본 변형례에서는 도 5의 크레인 유닛(500) 대신에 도 9에 도시한 반송 지그(900)를 사용함으로써, 매우 무거운 탑재대 유닛(140)을 꺼내서 반송한다.

반송 지그(900)는 크레인 유닛(500)의 에어 실린더(510)와 교환된 에어 실린더가 있는 인출 지그(510')를 구비하고, 크레인 유닛(500)의 리니어 가이드(520)를 그대로 이용한다. 이에 따라, 인출 지그(510')의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 인출 지그(510')는 에어 실린더(510)의 일단(510a)만을 교환한 것이 바람직하며, 이에 따라 에어 실린더(510)를 유용(流用)할 수 있는 동시에, 인출 지그(510')의 장착을 용이하게 행할 수 있다.

먼저, 도 9에 도시한 바와 같이, 챔버 리드(200), 상부 전극 어셈블리(150), 및 데포짓 실드(130)를 꺼낸 후에, 에어 실린더(510) 대신에 인출 지그(510')를 장착한다. 이어서, 인출 지그(510')와 탑재대 유닛(140)을 와이어 등의 높은 강도의 부재로 결합한다. 그 후에는 도 6b와 마찬가지로 탑재대 유닛(140)을 P/C(100)로부터 꺼낸다.

본 변형례의 반송 지그(900)에 의하면, 지그 크레인이나 도어형 크레인과 같은 대형의 메인터넌스 지그를 사용하지 않고, 매우 무거운 탑재대 유닛(140)을 용이하게 꺼내서 반송할 수 있으므로, 메인터넌스 시의 사용자의 작업효율을 현격하게 향상시킬 수 있다. 또, 본 변형례는 탑재대 유닛(140)이 고온 상태에 있을 때에도 유효하다.

또한, 상술한 실시형태에서는 피처리체 기판이 반도체 웨이퍼였으나, 예를 들어 LCD나 FPD(Flat Panel Display) 등의 유리기판이어도 된다.

청구항 1, 8에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 13에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구가, 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지므로, 처리실 상측 덮개를 그 위쪽에서 수직 방향으로 이동하고, 또한 소정의 수평 방향으로 이동할 수 있으며, 그 때문에 클리닝이나 개조를 포함하는 메인터넌스의 작업 효율을 향상시킬 수 있다.

청구항 2에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 14에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 수직 이동 규제부가 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어 지므로, 높은 제어성으로 처리실 상측 덮개를 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.

청구항 3에 기재된 기판 처리 장치 및 청구항 15, 16에 기재된 덮개 지지 장치에 의하면, 수평 이동 규제부가 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지므로, 높은 제어성으로 처리실 상측 덮개를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.

청구항 4, 9에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하므로, 처리실 상측 덮개의 이동을 원격 조작할 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

청구항 5, 10에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 상측 덮개와 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 처리실 상측 덮개에 형성되어 있으므로, 덮개 지지 기구에 의해서 처리실 내 부품도 이동시킬 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.

청구항 6, 11에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 처리실 내 부품이 상부 전극 및 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하므로, 사람의 손으로는 이동하기가 곤란한 처리실 내 부품을 이동시킬 수 있다.

청구항 7, 12에 기재된 기판 처리 장치에 의하면, 수직 이동 규제부가 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있으므로, 상기 덮개 지지 기구를 이용하여, 매우 무거운 탑재대 유닛을 꺼낼 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율을 현격하게 향상시킬 수 있다.

Claims (16)

1. 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,

   상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극, 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개쪽의 단부가 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
8. 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실로서, 상기 처리실을 밀폐하기 위한 처리실 상측 덮개가 상부에 설치된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,

   상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지는, 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 기구를 구비하며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하며,

   상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지며,

   상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 처리실 상측 덮개의 이동 위치를 제어하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는

   기판 처리 장치.
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 처리실 상측 덮개에는, 상기 처리실 상측 덮개와 상기 처리실 내에 배치된 처리실 내 부품을 결합하는 결합 부재가 끼워지는 적어도 하나의 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는

    기판 처리 장치.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 처리실 내 부품은 상기 소정의 처리에 필요한 전력을 상기 처리실 내로 향하여 공급하는 상부 전극, 및 상기 처리실의 내면의 상부를 보호하는 내벽 보호체 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는

    기판 처리 장치.
12. 제 8 항에 있어서,

    상기 수직 이동 규제부는, 적어도 상기 처리실 상측 덮개쪽의 단부가 상기 처리실 내에 설치된 상기 피처리 기판을 탑재하기 위한 탑재대를 포함하는 탑재대 유닛을 꺼내기 위한 인출 지그와 교환 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는

    기판 처리 장치.
13. 피처리 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실을 밀폐하기 위하여 상기 처리실의 상부에 설치된 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 덮개 지지 장치에 있어서,

    상기 처리실 상측 덮개를 위쪽에서 수직 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수직 이동 규제부와, 상기 처리실 상측 덮개를 소정의 수평 방향으로 이동이 자유롭게 유지하는 수평 이동 규제부로 이루어지며, 상기 수평 이동 규제부는 상기 수직 이동 규제부를 개재하여 상기 처리실 상측 덮개를 매달아 지지하는 것을 특징으로 하는

    덮개 지지 장치.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 수직 이동 규제부는 수직 방향으로 신축이 자유로운 에어 실린더로 이루어지는 것을 특징으로 하는

    덮개 지지 장치.
15. 제 13 항에 있어서,

    상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는

    덮개 지지 장치.
16. 제 14 항에 있어서,

    상기 수평 이동 규제부는 상기 수평 방향으로 연장되는 리니어 가이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는

    덮개 지지 장치.

Images