KR101413526B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101413526B1
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 상측이 개방된 대기 공간을 갖는 챔버 몸체부와, 상기 챔버 몸체부와 착탈 가능하도록 배치되고 상기 대기 공간과 연통되는 반응 공간을 갖는 하측 리드와, 상기 하측 리드와 착탈 가능하도록 배치되고, 상기 하측 리드의 상측 영역을 차폐하여 상기 반응 공간과 상기 대기 공간을 밀봉시키는 상측 리드와, 일부가 상기 챔버 몸체부 및 하측 리드 중 어느 하나에 고정되고 상기 상측 리드를 개폐시키는 복수의 착탈 수단 및 상기 착탈 수단과 상기 상측 리드 간을 연결하고, 상기 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키는 복수의 위치 조정부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 이와 같이 본 발명은 하측 리드와 상측 리드로 분리된 챔버 리드에 위치 조정 수단을 두어 상측 리드의 위치를 자유롭게 조정하여 상측 리드에 고정된 차폐부의 위치를 자유롭게 조절할 수 있다.
플라즈마, 안테나부, 상측 리드, 하측 리드, 위치 조정, 이동, 에지, 식각

Description

기판 처리 장치{Substrate processing equipment}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 장치에서, 기판의 비 식각 영역 상측에 플라즈마 발생을 막는 차폐 수단을 두어 선택적으로 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 발생되는 플라즈마 방식과, 플라즈마가 적용되는 공정 단계에 따라 다양한 변형이 가능하다.
플라즈마 발생 방식으로 크게 용량성 결합에 의한 플라즈마 발생(CCP; Capacitively coupled plasma) 방식과, 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 방식이 있다. 이때, ICP 방식이 CCP 방식에 비하여 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마 처리 장치를 통해 박막 증착 공정과 박막 식각 공정을 수행할 수 있다.
그 일예로 반도체 기판의 에지 영역 식각을 위한 기판 처리 장치는 기판의 에지 영역에만 선택적으로 플라즈마를 발생시켜 에지 영역의 막 또는 파티클을 제 거한다. 이를 위해 기판 처리 장치는 기판의 에지 영역을 제외한 기판 상측 영역에 차폐 수단을 인접 배치시킨다. 이를 통해 차폐 수단과 이와 인접 배치된 기판 사이에서 플라즈마가 발생되는 것을 막는다. 즉, 차폐 수단으로 기판 에지 영역을 제외한 영역에서의 플라즈마 발생을 막아 기판 에지 영역에서만 선택적으로 플라즈마를 생성시킨다. 이를 통해 기판 에지 영역을 선택적으로 식각할 수 있다.
하지만, 이경우 기판과 차폐 수단 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 일정하게 유지하는 것이 매우 중요하다. 즉, 상기 간극이 일정 범위 이상일 경우에는 원치않는 영역에 플라즈마가 발생되는 문제가 있고, 간극이 일정범위 이하일 경우에는 기판 상에 형성된 반도체 패턴이 손상을 받게 되는 문제가 발생한다.
이뿐만 아니라, 기판과 차폐 수단 사이의 정렬 또한 매우 중요한 요인으로 작용하게 된다. 즉, 만일 차폐 수단과 기판 간의 정렬이 어긋난 경우에는 원치 않는 기판 영역에 플라즈마가 발생하게 되고, 이로인해, 식각되어야할 기판 에지 영역이 식각되지 않거나, 식각되지 않아야할 기판 영역이 식각되는 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 챔버 리드를 반응 공간을 형성하는 하측 리드와 상측 리드로 분리 제작하고, 상측 리드에 차폐부를 부착하고, 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 조절하여 차폐부와 기판 간의 간격과 위치를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명은 상측이 개방된 대기 공간을 갖는 챔버 몸체부와, 상기 챔버 몸체부와 착탈 가능하도록 배치되고 상기 대기 공간과 연통되는 반응 공간을 갖는 하측 리드와, 상기 하측 리드와 착탈 가능하도록 배치되고, 상기 하측 리드의 상측 영역을 차폐하여 상기 반응 공간과 상기 대기 공간을 밀봉시키는 상측 리드와, 일부가 상기 챔버 몸체부 및 하측 리드 중 어느 하나에 고정되고 상기 상측 리드를 개폐시키는 착탈 수단 및 상기 착탈 수단과 상기 상측 리드 간을 연결하고, 상기 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키는 위치 조정부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 위치 조정부는, 상기 착탈 수단에 결합 고정된 조정 몸체와, 상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 X축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부와, 상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 Y축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부 및 상기 상측 리드를 Z축 방향으로 이동시키는 축 방향 이동부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 X축 방향으로 절개된 복수의 제 1 관통홈과, 상기 제 1 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 1 축 체결부를 포함하고, 상기 제 2 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 Y축 방향으로 절개된 복수의 제 2 관통홈과, 상기 제 2 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 2 축 체결부를 포함하는 것이 효과적이다.
상기 제 1 관통홈과 제 2 관통홈은 각기 대략 타원 형으로 제작되고, 상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 장축 방향으로 이동가능하도록 체결되며, 상기 제 1 관통홈의 장축 방향은 X축 방향이고, 상기 제 2 관통홈의 장축 방향은 Y축 방향인 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각은 헤더와, 상기 헤더에서 연장되고 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장 몸체를 포함하고, 상기 헤더의 최소 직경이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 단축 방향의 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다.
상기 축 방향 이동부는 상기 조정 몸체에 마련된 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 내측에 마련된 복수의 핀부를 포함하는 것이 가능하다.
상기 조정 몸체는 상기 제 1 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 1 축 방향 고정 몸체와, 상기 제 2 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 2 축 방향 고정 몸체를 포함하는 것이 가능하다.
상기 위치 조정부는, 상기 착탈 수단에 결합된 제 1 블록과, 상기 제 1 블록의 하측에 결합된 제 2 블록과, 상기 제 2 블록의 측면과 상기 상측 리드에 결합된 제 3 블록을 구비하는 조정 몸체와, 상기 제 1 블록과 상기 제 2 블록 간을 결합 고정시키되, 상기 제 2 블록과 상기 상측 리드에 결합된 상기 제 3 블록을 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부 및 상기 제 3 블록과 상기 상측 리드 간을 결합 고정시키되, 상기 상측 리드를 제 2 축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부를 포함하는 것이 가능하다.
상기 착탈 수단은, 상기 챔버 몸체부에 고정된 제 1 고정판과, 상기 제 1 고정판의 일측에 마련된 제 1 힌지부와, 상기 제 1 힌지부에서 상기 상측 리드 방향으로 연장된 제 1 연장축과, 상기 제 1 연장축의 일측에 마련된 제 2 힌지부 및 상기 제 2 인지부에서 상기 위치 조정부 방향으로 연장되어 상기 위치 조정부에 고정된 제 2 연장축부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 힌지부는 상기 챔버 몸체부와 상기 하측 리드의 경계 영역에 마련되고, 상기 제 2 힌지부는 상기 하측 리드의 상측 표면 영역에 마련되는 것이 효과적이다.
상기 하측 리드의 내측에 마련된 안테나부 및 상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 하측 리드는 수평 단면이 띠 형상으로 상기 반응 공간의 일부를 둘러싸는 실드부와, 상기 실드부와 결합하여 안테나 배치 공간을 형성하는 커버부를 포함하고, 상기 실드부와 커버부 중 적어도 어느 하나가 판형상의 상기 상측 리드에 밀 착 고정되는 것이 효과적이다.
기판 하측의 비식각 영역을 지지하는 기판 지지부 및 상기 기판의 비식각 영역에 대응 되도록 상기 상측 리드에 장착된 차폐부를 구비하고, 상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 기판 상측의 비식각 영역을 상기 차폐부로 차폐하여 기판의 식각 영역을 반응 공간에 노출시키는 것이 바람직하다.
상기 차폐부와 상기 기판 사이의 간격을 측정하는 복수의 간극 감지 센서를 더 포함하고, 상기 간극 감지 센서는 상기 상측 리드 상에 배치된 감지 센서와 상기 감지 센서 하측에 위치하고, 상기 상측 리드와 상기 차폐부를 관통하여 배치된 센서창을 포함할 수 있다.
상기 간극 감지 센서에 따라 상기 위치 조정부와 상기 상측 리드의 움직임을 제어하는 제어 구동부를 포함하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 챔버 리드를 안테나부가 위치한 하측 리드와 하측 리드에 개폐 가능하도록 장착된 판 형상의 상측 리드로 분리 제작하여 챔버의 유지 보수 공정 시 조립과 장착 시간을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 위치 조정 수단으로 판 형상의 상측 리드의 위치를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 조정하여 상측 리드에 고정된 차폐부의 위치를 자유롭게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명은 차폐부의 위치를 조정하여 차폐부와 기판 간의 이격 거리를 조절하고, 차폐부와 기판을 정렬하여, 기판의 식각 영역에서만 플라즈마가 발생되도록 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 일 실시예에 따른 챔버 리드부의 탈착을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 상측 리드의 평면 개념도이고, 도 5는 도 4의 A-A 선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 6은 도 4의 B-B 선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 7은 도 4의 C-C선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 8은 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 도 9는 일 실시예의 변형예에 따른 위치 조정부의 사시 개념도이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상측 리드(320)와 하측 리드(310)로 분리된 챔버 리드(300)와 상기 챔버 리드(300)와 결합 하여 내부 공간(R, S)을 형성하는 챔버 몸체부(200)를 구비하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 내부 공간(R, S)에서 기판(10)을 지지하는 기판 지지부(400)와, 상측 리드(320)의 내측면에 장착되어 상기 기판(10)의 비 식각 영역을 차폐하는 차폐부(500)와, 상기 상측 리드(320)의 X, Y, Z 및 θ 방향의 위치를 조절하여 차폐부(500)의 위치를 미세 조정하는 위치 조정부(4000)와, 상기 내부 공간(R, S)에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성부(800, 900)를 포함한다.
여기서, 플라즈마 생성부(800, 900)는 하측 리드(310) 내에 마련된 안테나부(800)와, 상기 안테나부(800)에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(900)를 포함한다. 그리고, 챔버(100)의 내부 공간(R, S)은 반응 공간(R)과 대기 공간(S)으로 분리된다. 이때, 반응 공간(R)은 챔버 리드(300) 영역에 마련되고, 대기 공간(S)은 챔버 몸체부(200) 영역에 마련된다. 여기서, 반응 공간(R)은 플라즈마가 발생하여 노출된 기판(10)영역을 식각하는 공간을 지칭하고, 대기 공간(S)은 플라즈마가 발생하지 않고, 기판(10)의 로딩과 언로딩을 위한 공간을 지칭한다.
여기서 챔버(100)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 소정의 공간을 갖는 챔버 몸체부(200)와, 안테나 배치 공간(K)을 갖고 상기 챔버 몸체부(200)에 착탈되도록 결합되는 하측 리드(310)와 상기 하측 리드(310)에 착탈되도록 결합되는 상측 리드(320)를 포함하는 챔버 리드(300)를 구비한다.
또한, 본 실시예에서는 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시키는 복수의 착탈 수단(3000)을 더 포함할 수 있다. 착탈 수단(3000)에 관한 설명은 후술한다.
상기의 챔버 몸체부(200)와 챔버 리드(300)간이 결합 장착하여 밀봉된 내부 공간(R, S)을 형성한다.
상술한 챔버 몸체부(200)는 상측이 개방되고, 내부가 비어 있는 대략 육면체 형태의 몸체(210)와, 적어도 몸체(210)의 측벽에 마련된 하측 가열 수단(220)을 구비한다. 여기서, 몸체(210)는 4개의 측벽을 구비하는 사각 기둥 형상으로 제작되고, 몸체(210)의 내부 빈 공간은 원형 기둥 형상으로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 몸체(201)는 원기둥 형태 및 다면체 형태를 가질 수 있고, 각 면의 형상 또한 다각형 형태로 제작될 수 있다.
몸체(210)는 바닥판과, 바닥판의 가장자리에서 상측 방향으로 연장된 복수의 측벽을 구비한다. 몸체(210)의 일측(즉, 측벽)에는 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 게이트 밸브(미도시)가 마련된다. 또한, 몸체(210)의 일측(즉, 바닥판)에는 챔버(100) 내부의 불순물을 배기하기 위한 배기부(미도시)가 마련될 수도 있다. 또한, 몸체(210)의 내부 빈 공간에 기판 지지부(400)가 위치하고, 몸체(210)의 바닥판에는 기판 지지부(400)의 승강을 위한 승강 수단이 관통하는 관통홈이 마련된다. 이때, 몸체(210)의 빈 공간은 챔버(100)의 내부 공간(R, S)이 되고, 이때, 내부 공간(R, S) 중 대기 공간(S)으로 작용한다.
상기 몸체(210)의 적어도 측벽의 일부 영역에는 챔버(100)를 가열하기 위한 하측 가열 수단(220)이 마련된다. 하측 가열 수단(220)은 도 1에 도시된 바와 같이 측벽 내에 위치한다. 이와 같이 하측 가열 수단(220)으로 몸체(210)를 가열하여 외부 영향에 의해 챔버(100) 내부 공간(R, S)의 온도가 급격하게 변화하는 것을 방지 할 수 있다.
여기서, 하측 가열 수단(220)으로 전기 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 하측 가열 수단(220)으로 램프 히터를 사용할 수도 있다. 이와 같이 몸체(220)의 측벽 내측 영역 또는 측벽의 내측면에 하측 가열 수단(220)을 위치시켜 기판(10)의 로딩 단계에서부터 기판(10)의 에지 영역(즉, 기판이 식각될 영역)을 집중적으로 가열할 수 있다. 이를 통해 기판 에지 영역 식각시 반응성을 향상시킬 수 있다. 더욱이 기판(10)의 에지 영역에 금속막이 형성된 경우 기판 에지 영역의 가열을 통해 금속막과 반응 가스 사이의 식각 반응을 향상시키며 식각반응으로 발생하는 식각 반응 부산물이 다시 퇴적되지 않고 용이하게 펌핑 배출될 수 있게 하여 플라즈마 공정으로 금속막을 용이하게 제거시킬 수 있게 된다. 물론 하측 가열 수단(220)은 몸체(210)의 바닥판에도 마련될 수 있다.
상술한 챔버 몸체부(200)는 챔버 리드(300)와 결합하여 챔버(100)의 내부 공간(R, S)을 형성한다.
챔버 리드(300)는 중심부가 상하로 관통된 통 형상으로 제작되고 챔버 몸체부(200)에 착탈되도록(즉, 탈부착이 용이하도록) 결합된 하측 리드(310)와, 대략 판 형상으로 제작되어 상기 하측 리드(310)에 착탈되도록(즉, 탈부착이 용이하도록) 결합된 상측 리드(320)를 구비한다.
여기서, 중심부가 상하로 관통된 통 형상의 하측 리드(210)의 상측 영역은 상측 리드(320)에 의해 차폐된다. 이때, 하측 리드(310) 내측 빈 공간은 챔버(100)의 내부 공간(R, S)이 되고, 내부 공간(R, S) 중 반응 공간(S)으로 작용한다. 이 때, 하측 리드(210)의 하측 영역은 도 2에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부(200)에 결합된다. 따라서, 하측 리드(310)의 내측 빈 공간과 챔버 몸체부(200)의 빈 공간이 연통되어 챔버(100)의 내부 공간(R, S)을 형성한다.
여기서, 본 실시예에서는 도 3에서와 같이 하측 리드(310)를 챔버 몸체부(200)에 고정시킨 상태에서 상측 리드(320) 만을 개방할 수 있다. 이를 통해 챔버(100)의 내부 공간(즉, 반응 공간(R)과 대기 공간(S))의 불순물 제거를 위한 유지 보수를 수행할 수 있게 된다. 또한, 챔버(100)의 유지 보수를 수행하는 동안 안테나부(800)가 마련된 하측 리드(310)가 고정되어있기 때문에 안테나부(800)의 이동을 방지할 수 있다. 이를 통해 종래의 챔버(100) 유지 보수시 안테나부(800)의 이동으로 인한 안테나부(800)의 위치 변동을 방지하여 플라즈마의 생성 위치를 일정하게 유지할 수 있다.
하기에서는 각기 착탈 가능한 하측 리드(310)와 상측 리드(320)에 관해 좀더 구체적으로 설명한다.
하측 리드(310)는 도 2에 도시된 바와 같이 중심부가 상하로 관통된 대략 원형 통 형상의 실드부(311)와, 실드부(311)과 결합하여 안테나 배치 공간(K)을 형성하는 커버부(312)를 구비한다.
이때, 실드부(311)의 내측 영역(실드부(311) 안쪽 공간)이 반응 공간(R)으로 작용한다. 도 2에 도시된 바와 같이 실드부(311)와 커버부(312) 사이에는 안테나 배치 공간(K)이 마련된다. 그리고, 안테나 배치 공간(K)에는 안테나부(800)가 배치된다. 따라서, 실드부(311)는 안테나부(800)에 제공된 고주파 에너지를 투과시켜 실드부(311) 안쪽 공간(즉, 반응 공간(R))에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 물질로 제작하는 것이 바람직하다. 예를 들어 절연체 즉, 알루미나(Al2O3)로 제조할 수 있다.
상기 실드부(311)는 원형 링 형상의 내측 실드판과, 내측 실드판 하측에서 외측 방향으로 연장된 대략 사각판 형상의 하측 실드판을 구비한다. 이를 통해 실드부(311)는 그 수직 방향 단면이 L 자 형상으로 제작된다. 이때, 하측 실드판이 챔버 몸체부(200)의 측벽에 밀착 고정된다. 여기서, 하측 실드판은 챔버 몸체부(200)의 형상에 따라 원 형상, 타원 형상 및 다각형 형상으로 제작될 수 있다.
상기 커버부(312)는 상측에서 상기 실드부(311)를 덮는 형상으로 제작된다. 즉, 커버부(312)는 그 중심이 상하로 관통되고 하측이 개방된 사각 통 형상으로 제작된다. 이때, 상기 커버부(312)는 상기 실드부(311)의 상측 가장자리에서 연장된 상부면과, 상부면의 가장자리 영역에서 실드부(311)의 하측 실드판 방향으로 연장된 측벽면을 구비할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 판 형상의 실드부(311)의 하측 실드판의 하측 표면은 챔버 몸체부(210)의 측벽에 밀착된다. 이때, 실드부(311)와 챔버 몸체부(210)의 측벽 사이에는 밀봉 부재가 마련될 수 있다. 그리고, 커버부(312)의 관통홀이 형성된 영역에 상측 리드(320)를 안착시킬 띠 형상의 수납 홈을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 관통홀 주변에 단턱을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 하측 리디의 커버부(312)와 실드부(311)가 결합하여 안쪽 중심 영역에 반응 공간(R)을 갖고, 측벽 영역 내측에 안테나 배치 공간(K)을 갖는 하측 리드(310)를 제작한다.
물론 본 실시예의 하측 리드(310)는 상술한 설명에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 즉, 실드부(311)의 하측 실드판(311b)이 커버부(312)와 일체로 제작될 수 있다. 이를 통해 커버부(312)의 단면이 [ 형상으로 제작될 수도 있다. 또한, 하측 리드(310) 전체가 동일 물질로 제작될 수 있다. 예를 들어 하측 리드(310) 전체가 실드부(311)로 제작될 수 있다.
상측 리드(320)는 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이 대략 원형의 판 형상으로 제작된다. 상측 리드(320)는 판부(321)와, 판부(321)의 하측 중심 영역에서 하측 방향으로 돌출된 돌출부(322)를 구비한다. 판부(321)와 돌출부(322)는 단일 몸체로 제작되는 것이 효과적이다. 그리고, 상측 리드(320)는 상측 가열 수단(330)을 구비한다. 상측 가열 수단(300)은 적어도 판부(321)에 배치되는 것이 효과적이다. 물론 돌출부(322)가 형성되지 않는 영역에 상측 가열 수단(330)이 집중되는 것이 효과적이다. 돌출부(322)가 형성되지 않는 판부(321) 영역 하측 공간에 플라즈마가 발생되고, 기판(10)의 에지 영역이 노출되기 때문이다. 여기서, 상기 돌출부(322)의 하측면에는 차폐부(500)가 고정 장착된다.
여기서, 본 실시예에서는 차폐부와 결합되는 면을 제외한 상측 리드(320)의 내측면을 반응 부산물의 흡착을 가능하게 하여 세정을 용이하게 수행할 수 있는 절연성 물질로 코팅하는 것이 효과적이다. 이때, 상기 절연성 물질로는 이트리 아(Y2O3)를 포함하는 것이 바람직하다.
도 2에 도시된 바와 같이 판부(321)의 가장자리 영역이 하측 리드(310)에 밀착 고정된다. 이를 통해 반응 공간(R)의 상측 영역을 밀폐시키고, 차폐부(500)를 반응 공간(R)의 중심 영역에 위치시킨다.
상술한 바와 같이 상측이 개방되고 대기 공간(S)을 갖는 챔버 몸체부(200)의 상측 영역에 상기 대기 공간(S)과 연통되는 반응 공간(R)을 갖는 하측 리드(310)를 배치하고, 하측 리드(310)의 상측 영역을 상측 리드(320)로 차폐하여 밀봉된 반응 공간(R)과 대기 공간(S)을 갖는 챔버(100)를 제작한다.
하기에서는 기판(10)을 챔버(100)의 반응 공간(R)과 대기 공간(S)간으로 이동시키는 기판 지지부(400)에 관해 설명한다.
기판 지지부(400)는 기판(10)을 지지하는 기판 지지척(410)과, 기판 지지척(410)을 승강시키는 구동부(420) 및 기판 지지척(410)에 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급부(430)를 구비한다. 그리고, 기판 지지부(400)는 도시되지 않았지만, 리프트 핀을 더 구비하고, 상기 기판 지지척(410)에는 리프트 핀이 승강하는 소정의 관통홀이 마련된다.
기판 지지척(410)은 기판(10)과 유사한 형상을 갖고, 기판(10)의 사이즈보다 더 작은 사이즈를 갖는 판 형상으로 제작된다. 이를 통해 기판 지지척(410) 상에 위치하는 기판(10)은 그 하측 에지 영역이 노출될 수 있다. 이때, 기판 지지척(410)의 끝단으로부터 노출되는 기판(10)의 폭은 0.1 내지 10mm 인 것이 효과적 이다.
기판 지지척(410) 내에는 기판 지지척(410)을 가열하기 위한 기판 가열 수단(440)이 마련된다. 기판 가열 수단(440)은 기판 지지척(410) 내에 마련된 열선(441)과, 상기 열선(441)에 전원을 공급하는 열선 전원 공급 장치(442)를 구비한다. 그리고, 기판 가열 수단(440)의 열선(441)이 기판 지지척(410)의 에지 영역에 집중 배치되는 것이 바람직하다. 이를 통해 기판 지지척(410) 상에 위치하는 기판 에지 영역을 가열하여 앞서 설명한 바와 같이 기판 에지 영역의 반응성을 향상시킬 수 있다. 상기 기판 가열 수단(440)의 가열 온도는 150 내지 550도인 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 기판 가열 수단(440)을 통해 기판 지지척(410)을 대략 350도 근방(약 ±15%)의 온도로 가열하는 것이 바람직하다.
바이어스 전원 공급부(430)는 10 내지 1000W의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 바이어스 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다. 이와 같이 바이어스 전원 공급부(430)는 바이어스 전원을 기판 지지척(410)에 인가하고, 이를 통해 기판 지지척(410) 상의 기판(10)에 바이어스 전원이 제공된다. 이러한 바이어스 전원에 의해 기판 지지척(410)과 차폐부(00) 외측으로 노출된 기판 에지 영역으로 플라즈마가 이동하도록 한다. 이를 통해 노출된 기판 에지 영역의 식각 특성을 향상시킬 수 있다.
구동부(420)는 챔버(100) 내측으로 연장되어 기판 지지척(410)을 승강시키는 구동축부(421)와, 상기 구동축부(421)를 이동시키는 구동부재(422)를 포함한다. 이때, 챔버 몸체부(200)의 바닥판에는 상기 구동 축부(421)가 관통하는 소정의 관통 홀이 마련된다. 그리고, 관통홀 주변에는 관통홀로 인한 챔버(100) 내부 공간(R, S)의 밀폐가 파괴되는 것을 방지하기 위한 밀봉 수단(예를 들어, 밸로우즈)이 마련된다. 본 실시예의 도면에서는 하나의 구동축부(421)를 통해 기판 지지척(410)을 승강시킴에 관해 도시되었다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 복수의 구동축부를 통해 기판 지지척(410)을 승강시킬 수 있다.
하기에서는 상기 기판 지지부(400)에 대응되도록 상기 챔버(100)의 반응 공간에 위치하고, 기판 지지부(400) 상에 위치한 기판(10)의 일부 영역에 인접 배치되어 플라즈마 발생을 차단하는 차폐부(500)에 관해 설명한다.
차폐부(500)는 기판 지지부(400) 상에 위치한 기판(10)의 비 식각 영역 즉, 기판(10)의 중심영역에서의 플라즈마 발생을 차폐하여 비 식각 영역에서의 기판(10)의 식각을 방지한다. 본 실시예의 차폐부(500)는 기판(10)의 에지 영역을 제외한 영역을 차폐한다. 이에 차폐부(500)는 기판(10)의 형상과 유사한 형상으로 제작되는 것이 효과적이다.
본 실시예의 차폐부(500)는 원형 판 형상으로 제작된다. 차폐부(500)는 기판(10)의 사이즈보다 작은 사이즈를 갖는 것이 바람직하다. 이를 통해 차폐부(500)에 의해 기판(10) 상측의 에지 영역을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 차폐부(500)의 직경은 기판 지지부(400)의 직경과 유사하거나 이보다 더 큰 것이 효과적이다. 이는 기판(10)의 하측 영역에는 반도체 소자나 박막이 형성되지 않고, 상측 영역에만 반도체 소자가 형성되기 때문이다. 상기의 차폐부(500)에 의해 노출되는 기판 에지 영역은 기판(10) 끝단을 기준으로 0.1 내지 5mm 인 것이 바람직하다.
이와 같은 차폐부(500)를 통해 막 또는 반도체 패턴이 형성되지 않는 기판(10) 상측의 에지 영역을 노출시킬 수 있다. 즉, 상기 범위보다 작을 경우에는 기판 에지 영역의 노출되는 면적이 줄어들게 되고, 상기 범위보다 클 경우에는 기판 중심 영역(즉, 비 식각 영역)의 막 또는 패턴이 노출되는 문제가 발생할 가능성이 있다.
그리고, 도 1에 도시된 바와 같이 차폐부(500)는 상측 리드(320)의 하측면 중심 영역에 위치하여, 실드부(311)를 갖는 하측 리드(310)의 반응 공간(R) 내에 위치한다. 즉, 차폐부(500)는 상측 리드(320)의 돌출부(322)의 하측면에 고정 장착된다. 차폐부(500)는 별도의 결합 부재(예를 들어, 볼트, 나사 등)를 통해 상기 상측 리드(320)에 체결되는 것이 효과적이다.
이때, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이를 이격시켜 소정의 공정 가스 이동 공간을 마련하는 것이 효과적이다. 이를 통해 상기 차폐부(500)와 상측 리드(320)의 이격 공간 즉, 공정 가스 이동 공간에 공정 가스를 제공하여 공정 가스가 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간에서 퍼져 나가 플라즈마가 발생되는 영역 즉, 기판(10)의 에지 영역이 노출된 영역으로 공정 가스를 분사할 수 있게 된다. 물론 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 차폐부(500) 내측으로 제공하여 차폐부(500)의 측벽면을 통해 분사시킬 수도 있다. 즉, 이는 차폐부(500)가 가스를 분사하는 샤워 헤드로서 동작할 수 있음을 의미한다.
그리고, 차폐부(500)의 내측 중심 영역에서 중심 가스가 분사되어 플라즈마화된 식각 가스가 차폐부(500) 하측의 기판 중심 영역(즉, 차폐부(500)와 기판(10) 사이 영역)으로 침투하는 것을 방지할 수도 있다.
이를 위해 차폐부(500)는 중심 몸체(510)와, 중심 몸체(510)의 하측 바닥면에 마련된 오목홈부(520)와, 상기 오목홈부(520)에 장착된 중심 가스 분사판(530)을 구비한다. 여기서, 오목홈부(520)와 중심 가스 판(530) 사이에는 소정의 이격 공간 즉, 중심 가스 분사 공간이 형성되고, 이 공간을 통해 중심 가스가 분사된다.
본 실시예의 기판 처리 장치는 상측 리드(320)를 관통하여 상기 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 이격 공간 즉, 공정 가스 이동 공간에 공정 가스를 분사하는 공정 가스 공급부(600)를 더 구비한다. 공정 가스 공급부(600)는 도 1에 도시된 바와 같이 공정 가스가 저장된 공정 가스 저장부(620)와 공정 가스 저장부(620)에서 연장되어 상기 상측 리드(320)의 중심 영역 일부를 관통하여 상측 리드(320) 하측면에 노출된 공정 가스 분사 유로(610)를 구비한다.
또한, 본 실시예의 기판 처리 장치는 상측 리드(320)와 차폐부(500)의 중심 몸체(510)를 관통하여 상기 오목홈부(520)와 중심 가스 분사판(530) 사이의 이격 공간 즉, 중심 가스 분사 공간에 중심 가스를 분사하는 중심 가스 공급부(700)를 더 구비한다. 중심 가스 공급부(700)는 중심 가스 저장부(720)와 상기 상측 리드(320)를 관통하고, 차폐부(500)의 오목홈부(520) 영역의 중심 몸체(510)의 하측면에 노출된 중심 가스 분사 유로(710)를 구비한다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이 중심 가스 분사 유로(710)는 상측 리드(320)를 관통하는 제 1 관통 유로와, 중심 몸체(510)를 관통하는 제 2 관통 유로 그리고, 상기 공정 가스 이동 공간을 관통하여 상기 제 1 및 제 2 관통 유로 간을 연결하는 연결 유로를 구비한다. 이때, 도시되지 않았지만, 연결 유로와 공정 가스 이동 공간의 분리를 위해 별도의 분리벽이 마련될 수 있다. 이를 통해 공정 가스가 상기 중심 가스 분사 유로(710)로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서는 기판 지지부(400)를 상승시켜 반응 공간(R) 내에서 차폐부(500)와 기판 지지부(400)에 의해 기판 중심 영역을 차폐하고, 기판 에지 영역을 노출시킨다.
이때, 기판(10)과 차폐부(500) 간의 이격 거리를 일정하게 유지하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 이격 거리를 0.01 내지 0.3mm 범위 내로 조절하는 것이 중요하다. 상기 범위보다 그 이격 거리가 짧을 경우에는 차폐부(500)에 의해 기판(10) 상측 중심 영역에 마련된 반도체 패턴이 손상을 받게 되는 문제가 발생하고, 상기 범위보다 클 경우에는 플라즈마가 발생하거나, 플라즈마화된 공정 가스가 상기 기판(10)과 차폐부(500) 사이 공간으로 침투하는 문제가 발생한다.
이에 본 실시예의 기판 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)과 차폐부(500) 간의 이격 거리를 조절하기 위한 복수의 간극 감지 센서(1000)를 구비한다. 도 1에서와 같이 본 실시예에서는 적어도 3개의 간극 감지 센서(1000)를 구비하는 것이 효과적이다. 이를 통해 기판(10)과 차폐부(500) 사이의 이격 거리(즉, 간극)를 정확하게 조절할 수 있다.
간극 감지 센서(1000)는 도시되지 않았지만, 상측 리드(320)에 배치된 감지 센서와, 감지 센서 하측에 배치되고 상측 리드(320)와 차폐부(500)를 관통하는 센서창을 구비한다. 이때, 감지 센서는 광을 이용하여 간극을 측정하는 센서인 것이 효과적이다. 즉, 센서창을 통해 광을 조사하고, 기판(10)을 통해 반사된 광을 이용하여 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 측정한다.
또한, 기판(10)과 차폐부(500) 간을 정확하게 정렬하는 것이 바람직하다. 즉, 만일 차폐부(500)와 기판(10) 간의 정렬이 어긋나는 경우에는 차폐부(500)에 의해 식각 영역인 기판(10)의 에지 영역이 차폐되고, 비 식각 영역인 기판(10)의 중심 영역이 노출되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 차폐부(500)를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시켜 기판(10)과 차폐부(500)간의 이격 거리를 일정하게 유지하고, 기판(10)과 차폐부(500)간의 정렬을 맞춘다. 이를 위해 본 실시예에서는 차폐부(500)가 고정되어 있는 상측 리드(320)를 미세 조정하여 차폐부(500)가 이동하도록 한다. 즉, 본 실시예에서는 챔버(100)의 리드가 측벽면 역할을 하는 하측 리드(310)와, 커버(즉, 상측면) 역할을 하는 상측 리드(320)로 분리 제작된다. 따라서, 챔버 리드(300) 전체를 이동시키지 않고, 단지 상측 리드(320) 만을 움직일 수 있다. 따라서, 앞서 언급한 바와 같이 본 실시예에서는 상측 리드(320)의 미세 조정을 통해 차폐부(500)를 이동시키는 복수의 위치 조정부(4000)를 더 구비한다.
여기서, 물론 상측 리드(320)를 고정시킨 상태에서 차폐부(500)를 이동시켜 차폐부(500)과 기판(10) 간의 이격 거리 조정과 정렬을 수행할 수 있다. 하지만, 앞서 언급한 바와 같이 본 실시예에서는 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간으로 공정 가스가 제공된다. 따라서, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 공간의 이격 거리를 일정하게 유지하여야 한다. 하지만, 기판(10)과 차폐부(500)사이의 이 격 거리 조절을 위해 차폐부(500)의 일부 영역만을 움직인 경우 일부 영역에서 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이의 이격 거리가 벌어지거나 줄어들게 된다. 이로인해 공정 가스의 균일한 분사가 어려워지는 단점이 발생할 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 위치 조정부(4000)로 상측 리드(320)를 이동시켜 차폐부(500)를 움직이는 것이 효과적이다. 위치 조정부(4000)는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결되는 것이 효과적이다.
상기 위치 조정부(4000)는 소정의 기준 고정 수단에 의해 고정되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 상기 복수의 위치 조정부(4000)가 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시키는 복수의 착탈 수단(3000)에 각기 고정 장착되는 것이 효과적이다.
착탈 수단(3000)은 그 일부가 상기 챔버(100)에 접속되어 있다. 따라서 상측 리드(320)를 챔버(100) 즉, 하측 리드(310)로부터 분리시키는 경우 상측 리드(320)가 챔버(100) 외측으로 완전히 분리되는 것을 막을 수 있다. 이를 통해 상측 리드(320)를 챔버(100)에 다시 장착시킬 경우의 공정을 단순화시킬 수 있다. 상기 착탈 수단(300)은 복수의 힌지를 구비하는 것이 효과적이다.
착탈 수단(3000)은 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부에 고정된 제 1 고정판(3100)과, 제 1 고정판(3100)의 일측에 마련된 제 1 힌지부(3200)와, 상기 제 1 힌지부(3200)에서 챔버(100)의 상측 영역(즉, 상측 리드(320)) 방향으로 연장된 제 1 연장축(3300)과, 상기 제 1 연장축(3300)의 일측에 마련된 제 2 힌지부(3400)와, 상기 제 2 힌지부(3400)에서 상기 위치 조정부(4000) 방향으로 연장되 어 상기 위치 조정부(4000)에 고정된 제 2 연장축(3500)을 구비한다.
물론 상기 제 1 고정판(3100)과 제 1 연장축(3300) 간의 연결 부분이 힌지 구조를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 제 1 연장축(3300)과 제 2 연장축(3500) 간의 연결 부분이 힌지 구조를 갖는 것이 효과적이다.
상기의 제 1 힌지부(3200)는 도 3에 도시된 바와 같이 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310)의 경계 선 상에 위치하는 것이 효과적이다. 이를 통해 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310) 간을 용이하게 착탈시킬 수 있다. 즉, 도 3에서 제 1 힌지부(3200)를 외측으로 절곡시킴으로 인해 하측 리드(310)를 분리시킬 수 있다.
제 2 힌지부(3400)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)의 상측 표면의 연장 선 또는 하측 리드(310)의 상측 표면의 연장 선 상에 위치하는 것이 효과적이다. 이를 통해 도 3에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)가 들어 올려질 경우 제 2 힌지부(3400)가 절곡됨으로 인해 상측 리드(320)를 챔버(100) 로 부터 쉽게 분리시킬 수 있게 된다. 또한, 위치 조정부(4000)에 접속된 제 2 연장축(3500)이 상측 리드(320)를 잡고 있게 되어 유지 보수 공정을 쉽게 수행할 수 있게 된다.
이와 같이 본 실시예에서는 상기 착탈 수단(3000)을 통해 하측 리드(310)와 상측 리드(320)를 각기 착탈 시킬 수 있게 된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 착탈 수단(3000)은 하측 리드(310)를 착탈 시키기 위한 하측 착탈 수단과 상측 리드(320)를 착탈 시키기 위한 상측 착탈 수단으로 분리될 수 있다. 이때, 하측 착탈 수단은 챔버 몸체부(200)와 하측 리드(310) 사이에 위치하여 하측 리드(310)가 챔버 몸체부(200)에 탈착 및 부착되도록 할 수 있다. 또한, 상측 착탈 수단은 하측 리드(310)와 상측 리드(320) 사이에 위치하여 상측 리드(320)가 하측 리드(310)에 탈착 및 부착되도록 할 수 있다. 이때, 하측 착탈 수단은 챔버 몸체부(200)에 고정되고, 상측 착탈 수단은 하측 리드(310)에 고정된다.
상술한 바와 같이 본 실시예의 착탈 수단(3000)은 챔버(100)에 고정되어 챔버 리드(300)를 개폐시키는 역할을 수행한다. 그리고, 착탈 수단(3000)은 위치 조정부(4000)를 고정시킨다. 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)은 소정의 체결 수단(예를 들어 볼트 또는 나사)를 통해 위치 조정부(4000)에 고정된다. 이를 통해 위치 조정부(4000)를 기준으로 하여, 상측 리드(320)와 위치 조정부(4000) 간의 체결시 상측 리드(320)의 움직임을 미세하게 조정함으로써, 차폐부(500)와 기판(10) 간의 이격 거리와 정렬을 할 수 있다.
위치 조정부(4000)는 복수의 축 방향 이동 체결부를 두어 상측 리드(320)를 X축 및 Y축 방향으로 이동가능하게 하고, 복수의 높이 조절용 핀부를 두어 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 이동 가능하게 한다.
이때, 위치 조정부(4000) 각각은 착탈 수단(3000)에 결합되는 조정 몸체(4100)와, 상측 리드(320)에 결합되어 상측 리드(320)를 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)와, 상측 리드(320)에 결합되어 상측 리드(320)를 상기 제 1 축 방향과 교차하는 제 2 축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300) 그리고, 상기 상측 리드(320)를 상기 제 1 및 제 2 축 방향에 대하여 직교하는 제 3 축 방향으로 이동시키는 축 방향 이동부(4400)를 구비한 다.
여기서, 제 1 축 방향은 X축 방향이고, 제 2 축 방향은 Y축 방향이고, 제 3 축 방향을 Z축 방향인 것이 효과적이다. 이는 도 4 내지 도 7에 도시된 방향으로 이는 사용자의 기준에 따라 바뀔 수 있다.
상기 조정 몸체(4100)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 사각 판 형상으로 제작된다. 그리고, 물론 상기 조정 몸체(4100)는 복수의 파트로 분리된 이후 상기 착탈 수단(3000)에 결합될 수 있다. 조정 몸체(4100)의 중심 영역을 가로지르는 방향으로 상기 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)이 결합된다. 이때, 제 2 연장축(3500)을 기준으로 좌측과 우측 방향에 각기 제 1 및 제 2 축 방향 이동 체결부(4200, 4300)가 위치한다.
제 1 축 방향 이동 체결부(4200)는 상기 조정 몸체(4100)에 마련되고 제 1 축 방향으로 절개된 복수의 제 1 관통홈(4210)과, 제 1 관통홈(4210)을 관통하여 상측 리드(320)에 체결되는 복수의 제 1 축 체결부(4220)를 구비한다.
이때, 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 축 체결부(4220)가 제 1 관통홈(4210) 내측을 따라 이동하여 상측 리드(320)를 제 1 축방향으로 이동시킨다.
제 1 관통홈(4210)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 타원 형의 홈 형태로 제작된다. 이때, 장축 방향이 제 1 축 방향 즉, X축 방향으로 연장된다. 제 1 축 체결부(4220)는 헤더와 헤더에서 연장되고 그 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장몸체를 구비한다. 즉, 제 1 축 체결부(4220)로 나사 또는 볼트 등과 같은 체결 수단을 사용하는 것이 효과적이다.
이때, 상기 헤더의 직경(헤더의 최소 직경)은 상기 제 1 관통홈(4210)의 단축의 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다. 이로인해 제 1 축 체결부(4220)가 제 1 관통홈(4210) 내측으로 들어가지 않고 제 1 관통홈(4210) 내측을 따라 이동할 수 있게 된다.
또한, 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)는 상기 조정 몸체(4100)에 마련되고 제 2 축 방향으로 절개된 복수의 제 2 관통홈(4310)과, 제 2 관통홈(4310)을 관통하여 상측 리드(320)에 체결되는 복수의 제 2 축 체결부(4320)를 구비한다.
이때, 도 6에 도시된 바와 같이 제 2 축 체결부(4320)가 제 2 관통홈(4310) 내측을 따라 이동하여 상측 리드(320)를 제 2 축방향으로 이동시킨다.
제 2 관통홈(4310)는 도 4에 도시된 바와 같이 대략 타원 형의 홈 형태로 제작된다. 이때, 장축 방향이 제 2 축 방향 즉, Y축 방향으로 연장된다. 제 2 축 체결부(4320)는 헤더와 헤더에서 연장되고 그 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장몸체를 구비한다. 즉, 제 2 축 체결부(4320)도 앞서 언급한 체결 수단을 사용할 수 있다. 또한, 제 2 축 체결부(4320)의 헤더 직경도 제 2 관통홈(4320)의 단축 최대 길이보다 큰 것이 효과적이다.
축 방향 이동부(4400)는 도 7에 도시된 바와 같이 조정 몸체(4100)에 마련된 복수의 관통홀(4410)과 상기 관통홀(4410) 내측에 마련된 복수의 핀부(4420)를 구비한다. 여기서, 핀부(4420)는 상측 리드(320)의 상측 표면에 접속된다. 따라서, 본 실시예에서는 관통홀(4410) 외측으로(즉, 상측 리드 방향으로) 돌출되는 핀부(4420)의 돌출 길이에 따라 상측 리드(320)을 제 3 축 방향 즉, Z축 방향으로 이 동시킨다. 본 실시예에서는 3개의 관통홀(4410)과 3개의 핀부(4420)를 구비한다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 3개보다 많거나 적은 개수의 관통홀(4410)과 핀부(4420)를 구비할 수 있다.
이에 한정되지 않고, 본 실시예의 조정 몸체(4100)는 제 1 축 방향 고정 몸체와, 제 2 축 방향 고정 몸체를 포함할 수 있다. 이는 상기 조정 몸체(4100)가 적어도 상기 두 개의 고정 몸체로 분리될 수 있다. 이때, 제 1 축 방향 고정 몸체에 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)가 마련되고, 제 2 축 방향 고정 몸체에 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)가 마련된다. 이와 같이 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)가 마련된 제 1 축 방향 고정 몸체와, 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)가 마련된 제 2 축 방향 고정 몸체를 통해 제 1 축 방향과 제 2 축 방향 별로 각기 위치 조정을 자유롭게 수행할 수 있다. 즉, 제 2 축 방향 고정 몸체를 고정시킨 상태에서 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)를 통해 제 1 축 방향으로 위치조정을 수행할 수 있다. 또한, 제 1 축 방향 고정 몸체를 고정시킨 상태에서 제 2 축 방향 이동 체결부(4100)를 통해 제 2 축 방향으로 위치조정을 수행할 수 있게 된다.
상기 제 1 및 제 2 축 방향 고정 몸체가 결합하여 상기 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)에 접속되는 것이 효과적이다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 축 방향 고정 몸체는 서로에 대하여 각기 독립적으로 이동할 수 있도록 제작될 수도 있다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 실시예에서는 제 1 및 제 2 축 방향 이동 체결부(4200, 4300)와 축 방향 이동부(4400)을 통해 상측 리드(320)를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시킬 수 있다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결된 제 1 축 체결부(4220)를 제 1 관통홈(4210)의 장축 방향(즉, X축 방향)으로 이동시켜 상측 리드(320)를 X축 방향으로 이동시킨다. 이를 위해 먼저 상측 리드(320)에 체결된 제 1 축 체결부(4220)를 느슨하게 푼다. 이어서, 이동하고자 하는 길이 만큼 상측 리드(320)를 제 1 축 방향 즉, X축 방향만큼 이동시킨다. 이어서, 제 1 축 체결부(4220)를 조여 상측 리드(320)를 조정 몸체(4100)에 고정 결합시킨다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 상측 리드(320)에 체결된 제 2 축 체결부(4220)를 제 2 관통홈(4210)의 장축 방향(즉, Y축 방향)으로 이동시켜 상측 리드(320)를 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이또한, 앞선 도 5의 설명과 유사하다.
상술한 바와 같이 본 실시예의 위치 조정부(4000)를 통해 상측 리드(320)를 X축 방향 및 Y축 방향 그리고, θ 방향으로 이동시켜 차폐부(500)와 기판(10) 간을 오차 범위 내에서 정렬시킬 수 있다.
즉, 도 8에 도시되어 있는 것과 같이 위치 조정부(4000)에 의해 상측 리드(320)가 X축 및 Y축 방향으로 이동한다. 이에 따라 상측 리드(320)에 체결 고정된 차폐부(500)도 X축 및 Y축 방향으로 이동하게 된다. 이와 같은 차폐부(500)의 이동에 따라 기판(10)과 차폐부(500)간을 정렬시킬 수 있다. 예를 들어, 차폐부(500)의 중심과 기판(10)의 중심이 정렬되지 않고 약간 틀어져 있는 경우 차폐부(500)의 일부가 비식각 영역이 아닌 식각 영역에 위치할 수 있다. 따라서, 앞선 도 5 및 도 6의 방법에서와 같이 차폐부(500)를 이동시켜 차폐부(500)의 중심과 기 판(10)의 중심을 정렬시킨다. 이로인해 차폐부(500) 전체가 기판(10)의 비 식각 영역 상에 위치될 수 있다.
그리고, 이에 한정되지 않고, 본 실시예의 위치 조정부(400)는 도 9의 변형예에서와 같이 복수의 블록으로 구성될 수 있다. 즉, 도 9에 도시된 바와 같이 위치 조정부는 착탈 수단(3000)에 결합된 제 1 블록(4110)과, 제 1 블록(4110)의 하측에 결합된 제 2 블록(4120)과, 제 2 블록(4120)의 측면과 상측 리드(320)에 결합된 제 3 블록(4130)을 구비하는 조정 몸체(4100)와, 상기 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120) 간의 결합하고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)을 제 1 축 방향으로 이동시켜 상측 리드(320)를 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)와, 제 3 블록(4130)과 상측 리드(320) 간을 결합시키고, 상측 리드(320)를 제 2 축 방향으로 이동 시키는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)를 구비한다. 여기서, 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120) 그리고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)은 이동 가능하게 결합된다.
도 9에서와 같이 제 1 블록(4110)은 착탈 수단(3000)의 제 2 연장축(3500)에 고정 결합되어 있다. 제 1 블록(4110)은 제 2 연장축(3500)에 접속된 상측 몸체와, 상측 몸체의 하측에서 외측 방향으로 연장된 연장 몸체를 구비한다. 그리고, 제 2 블록(4120)은 제 1 블록(4110)의 연장 몸체의 바닥면에 밀착된 수평 몸체와, 수평 몸체의 가장자리에서 상측 리드(320) 방향으로 연장된 수직 몸체를 구비한다. 이때, 제 1 블록(4110)의 연장 몸체와 제 2 블록(4120)의 수평 몸체에는 제 1 축 방향 이동 체결부(4200)의 제 1 관통홈(4210)이 마련된다.
따라서, 제 1 블록(4110)와 제 2 블록(4120)의 체결시 제 1 블록(4110)을 기준으로 제 2 블록(4120)을 제 1 축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 제 2 블록(4120)은 제 3 블록(4130)의 측면에 밀착되어 있다. 따라서, 제 2 블록(4120)이 제 1 축 방향으로 이동하는 경우, 제 3 블록(4130)도 함께 이동한다. 그리고, 제 3 블록(4130)은 상측 리드(320)에 고정되어 있기 때문에 상측 리드(320)가 제 1 축 방향(즉, X축 방향)으로 이동할 수 있게 된다.
또한, 제 3 블록(4130)은 상측 리드(320)에 결합된 결합 몸체와, 결합 몸체의 상측에서 연장되어 상기 제 2 블록(4120)의 측벽에 밀착된 밀착 몸체를 구비한다. 이때, 상기 제 3 블록(4130)의 결합 몸체에는 제 2 축 방향 이동 체결부(4300)의 제 2 관통홈(4310)이 마련된다. 따라서, 제 3 블록(4130)과 상측 리드(320)의 체결시 상측 리드(320)가 제 2 축 방향으로 이동할 수 있다.
즉, 제 1 축 방향(즉, X축 방향)으로 이동시에는 제 1 블록(4110) 하측의 제 2 및 제 3 블록(4120, 4130)이 동시에 이동되어 고정된다. 그리고, 제 2 축 방향(즉, Y축 방향)으로 이동시에는 제 2 블록(4120) 측면에서 제 3 블록(4130)이 이동되어 고정된다. 이를 통해 챔버의 상측 리드(320)를 제 1 축 방향과 제 2 축 방향으로 이동시킬 수 있다.
여기서, 상기 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120)의 결합 면 그리고, 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130)의 결합 면에는 블록들의 이탈과 미끄러짐을 용이하게 수행하기 위한 별도의 가이드 형상이 제작될 수 있다. 예를 들어 제 1 블록(4110)과 제 2 블록(4120)의 결합 면 중 제 2 블록(4120)에는 오목한 레일 형태 의 트랜치가 형성되고, 제 1 블록(4110)은 상기 레일 내측에 이동 가능하도록 장착된 프레임이 돌출 연장될 수 있다. 이를 통해 상기 프레임이 상기 트랜치 내부에서 제 1 축 방향으로 이동할 수 있다. 물론 제 2 블록(4120)과 제 3 블록(4130) 사이에도 상술한 구조가 적용될 수 있다.
본 실시예에서는 상측 리드(320)를 Z 축 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 관통홀(4410)을 통해 상측 리드(320)에 접속된 복수의 핀부(4420)를 Z축 방향으로 이동시켜 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 그리고, 도 7에서와 같이 각 핀부의 높낮이를 조절하여 상측 리드(320)의 경사를 조절할 수도 있다. 이를 위해 먼저 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)를 모두 느슨하게 푼다. 이이서, 핀부(4420)를 관통홀(4410) 하측 방향(즉, Z 축 방향)으로 해당 높이만큼 내린다. 이이서, 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)를 조여 상측 리드(320)를 조정 몸체(4100)에 고정 결합시킨다. 이를 통해 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 하강시킬 수 있다.
이와 같이 상측 리드(320)를 Z축 방향으로 하강시켜 상측 리드(320)에 체결 고정된 차폐부(500)의 적어도 일부 영역을 선택적으로 하강시킬 수 있다. 이를 통해 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리(즉, 간극)을 조절할 수 있다.
이때, 상측 리드(320)의 X 축, Y 축 및 Z 축의 이동 거리는 상측 리드(320)와 하측 리드(310) 사이의 이격 거리와 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)의 장축 길이에 따라 가변된다. 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)의 이격 거리는 상측 리드(320)의 측면과 이와 인접한 하측 리드의 측면 사이의 이격 거리의 2배 인 것이 효과적이다. 그리고, 상측 리드(320)의 바닥면과 이와 접속된 하측 리드(310)의 상측면 사이에는 밀폐수단(예를 들어 가스켓 또는 오링)이 마련된다. 이때, 상기 Z축 방향의 이동 거리는 상기 밀폐 수단에 의해 벌어진 간격만큼인 것이 바람직하다.
물론 도면에 도시되지 않았지만, 본 실시예에서는 간극 감지 센서(1000)의 출력 값을 이용하여 상기 상측 리드(320)를 이동시키고, 상기 위치 조정부(4000)의 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 4320)와 핀부(4420)의 움직임을 제어하는 제어 구동부를 더 구비할 수 있다. 이를 통해 상기 차폐부(500)와 기판(10) 사이의 이격 거리과 정렬을 자동화할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 차폐부(500)와 기판(10) 간의 정렬 및 이격 거리 조절이 완료된 이후, 상기 위치 조정부(4000)의 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310)과 관통홀(4410) 내측을 충진재로 매립할 수 있다. 이를 통해 상기 제 1 및 제 2 관통홈(4210, 4310) 내측의 제 1 및 제 2 축 체결부(4220, 430)가 움직이는 것을 막고, 관통홀(4410) 내측의 핀부(4420)가 밀리는 것을 방지할 수 있다. 물론 상기 충진재 대신 기구적 고정 수단(예를 들어, 링)을 통해 축체결부와 핀부가 이동하는 것을 막을 수도 있다.
이와 같이 본 실시예에서는 착탈 수단(3000)에 의해 고정되고, 상측 리드(320)에 체결된 위치 조정부(4000)를 통해 상측 리드(320)에 장착 고정된 차폐부(500)를 이동시켜 기판(10)의 비 식각 영역을 차폐하고, 식각 영역을 노출시킬 수 있다.
이를 통해 식각 영역에 플라즈마를 발생시켜 기판(10)의 식각 영역인 기판 에지 영역의 막 또는 파티클을 효과적으로 제거한다.
하기에서는 기판(10) 에지 영역이 노출된 반응 공간(R)에 플라즈마를 발생시키는 안테나부(800)와, 이에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(900)에 관해 설명한다.
본 실시예의 안테나부(800)는 하측 리드(310)의 안테나 배치 공간(K)에 위치한다. 안테나부(800)는 하측 리드(310)의 원통 형상의 실드부(311)의 외측 둘레를 따라 배치된다.
안테나부(800)는 적어도 하나의 코일을 구비하고, 코일이 실드부(311)의 내측 실드판(311a)을 N번 감싸는 형상(즉, 선회하는 형상)으로 제작된다. 즉, 도 1 내지 도 4에서는 코일이 실드부(311)를 4번 감싸는 형상으로 도시되었다. 하지만, 이에 한정되지 않고 이보다 많거나 적을 횟수로 감쌀 수 있다. 상기 코일은 수직 및/또는 수평 방향으로 서로 중첩, 적층 또는 교차 될 수도 있다.
본 실시예의 안테나부(800)가 하측 리드(310) 내측에 위치하여 챔버(100)의 유지 보수시 하측 리드(310)를 착탈시키지 않기 때문에 안테나부(800)가 고정된 상태에서 챔버(100)의 유지 보수를 수행할 수 있다. 이로인해 안테나부(800)를 실드부(311)에 근접(약 1cm 이하) 배치시킬 수도 있다. 물론 안테나부(800)를 실드부(311)에 밀착시킬 수도 있다. 이를 통해 안테나부(800)를 단단히 고정시킬 수 있다. 이를 통해 안테나부(800) 전체 코일에 균일하고 안정된 전력을 공급할 수 있다. 그리고, 안테나부(800)의 흔들림을 방지하여 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 챔버(100)의 측벽 영역에 가열 수단들이 배치되어 있다. 따라서, 이러한 가열 수단에 의해 안테나부(800)가 열적으로 손상을 받을 수 있다. 이에 하측 리드(310)는 안테나 배치 공간에 위치한 안테나부(800)를 냉각시키기 위한 냉각 수단을 더 구비할 수 있다. 예를 들어 하측 리드(310)는 냉각팬을 하측 리드(310)의 커버부(312)에 배치하여 안테나 배치 공간을 냉각시켜 안테나부(800)를 냉각시킬 수 있다.
상기 플라즈마 전원부(900)는 RF 전원을 공급하는 수단으로 안테나부(800)에 고주파를 공급한다. 이때, 전원 공급부(900)는 챔버(100)의 외측 영역에 위치하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 안테나부(800)와 전원 공급부(900)는 전원 공급 배선(901)에 의해 전기적으로 연결된다. 이때, 안테나부(800)가 하측 리드(310)의 안테나 배치 공간(K)에 위치하기 때문에 전원 공급 배선(901)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 하측 리드(310)의 일부를 관통하여 안테나부(800)에 접속된다.
이와 같이 본 실시예에서는 안테나부(410)을 하측 리드(310)의 실드부(311)에 밀착 고정시켜, 실드부(311) 내측의 반응 공간(R)에 플라즈마를 집중시킬 수 있다. 즉, 원형 링 형태의 실드부(200) 내측 반응 공간(R)에 원형 링 형상으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
여기서, 전원 공급부(900)는 100W 내지 3.0KW의 전력을 공급하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 전원의 주파수는 2 내지 13.56MHz인 것이 바람직하다.
즉, 안테나부(800)에 상기의 플라즈마용 전원(고주파 전원)이 인가되면 실드부(311) 내측의 반응 공간(K)에서 플라즈마가 발생하게 된다. 이때, 실드부(311)의 내측 영역에는 차폐부(500) 그리고, 기판 지지부(400)가 마련되어 있기 때문에 차폐부(500)와 실드부(311) 사이 영역 그리고, 기판 지지부(400)와 실드부(311) 사이 영역에 플라즈마가 집중 발생하게 된다.
이와 같이 본 실시예에서는 기판 지지부(500)에 의해 상승된 기판(10)의 측면 영역에 안테나부(800)를 고정 배치시켜, 노출된 기판 에지 영역에 플라즈마를 집중시킬 수 있어 기판 에지 영역의 식각능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 안테나부(800)를 실드부(311)에 밀착시켜 안테나부(800)를 반응 공간(R)에 인접 배치시킬 수 있고, 이를 통해 플라즈마 형성을 위한 전력 소모를 감소시키고, 반응성을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에서는 상측 리드(320)로 하측 리드(310)를 밀봉하여 반응 공간(R)을 밀봉시킨다. 그리고, 하측 리드(310)의 측벽면 내측 영역(즉, 안테나 배치 공간(K))에 안테나부(800)를 배치시켜 반응 공간(R)에 플라즈마를 발생시킨다. 그리고, 상측 리드(320)의 내측면에 차폐부(500)를 배치시켜, 차폐부(500)로 반응 공간(R)에 위치한 기판(10)의 상측 중심 영역에서의 플라즈마 발생을 방지한다. 또한, 차폐부(500)와 상측 리드(320) 사이 영역으로 공정 가스를 분사하여 플라즈마가 발생된 영역에 공정 가스를 공급할 수 있다. 이를 통해 상기 차폐부(500)에 의해 차폐되지 않은 기판(10)의 에지 영역을 식각할 수 있다.
이때, 본 실시예에서는 챔버(100)의 대기 공간(S)에 위치하는 기판 지지부(400)를 상승시켜 기판(10)과 차폐부(500) 간의 간격을 인접하게 배치시킨다. 이를 통해 기판(10)과 차폐부(500) 사이 영역에서의 플라즈마 발생을 방지한다. 이 때, 기판(10)과 차폐부(500) 간의 미세한 간격은 상측 리드(320)에 접속된 위치 조정부(4000)에 의해 조정될 수 있다.
그리고, 본 실시예에서는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 차폐부(500)와 하측 리드(310) 그리고, 기판 지지부(400)와 하측 리드(310) 사이(즉, 반응 공간(R))에 발생된 플라즈마를 확인하기 위한 복수의 뷰포트(2000)가 상측 리드(320)에 마련될 수 있다. 이때, 뷰포트(2000)는 차폐부(500)와 하측 리드(310) 사이의 상측 리드(320)에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀을 투광성의 물질(예를 들어, 유리, 쿼츠, 사파이어)로 매립하여 제작할 수 있다. 물론 앞서 언급한 센서창과 같이 상하측에 투광성 물질이 마련된 파이프 형태로 제작할 수도 있다. 이와 같은 다수의 뷰포트를 통해 플라즈마의 발생 유무와, 플라즈마의 균일성 유무를 판별할 수 있다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 3은 일 실시예에 따른 챔버 리드부의 탈착을 설명하기 위한 분해 사시도.
도 4는 일 실시예에 따른 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 상측 리드의 평면 개념도.
도 5는 도 4의 A-A 선에 대해 자른 단면 개념도.
도 6은 도 4의 B-B 선에 대해 자른 단면 개념도.
도 7은 도 4의 C-C선에 대해 자른 단면 개념도.
도 8은 차폐부 위치 조정부의 동작을 설명하기 위한 개념도.
도 9는 일 실시예의 변형예에 따른 위치 조정부의 사시 개념도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 챔버 200 : 챔버 몸체부
310 : 하측 리드 320 : 상측 리드
400 : 기판 지지부 500 : 차폐부
800 : 안테나부 900 : 플라즈마 전원부
1000 : 간극 감지 센서 2000 : 뷰포트
3000 : 착탈 수단 3200, 3400 : 힌지부
3300, 3500 : 연결축 4000 : 위치 조정부
4100 : 조정 몸체 4400 : 축 방향 이동부
4200, 4300 : 축 방향 이동 체결부

Claims (15)

  1. 상측이 개방된 대기 공간을 갖는 챔버 몸체부;
    상기 챔버 몸체부와 착탈 가능하도록 배치되고 상기 대기 공간과 연통되는 반응 공간을 갖는 하측 리드;
    상기 하측 리드와 착탈 가능하도록 배치되고, 상기 하측 리드의 상측 영역을 차폐하여 상기 반응 공간과 상기 대기 공간을 밀봉시키는 상측 리드;
    일부가 상기 챔버 몸체부 및 하측 리드 중 어느 하나에 고정되고 상기 상측 리드를 개폐시키는 착탈 수단; 및
    상기 착탈 수단과 상기 상측 리드 간을 연결하고, 상기 상측 리드를 X, Y, Z 및 θ 방향으로 이동시키는 위치 조정부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 위치 조정부는,
    상기 착탈 수단에 결합 고정된 조정 몸체;
    상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 X축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부;
    상기 상측 리드에 결합되어 상기 상측 리드를 Y축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부; 및
    상기 상측 리드를 Z축 방향으로 이동시키는 축 방향 이동부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 1 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 X축 방향으로 절개된 복수의 제 1 관통홈과, 상기 제 1 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 1 축 체결부를 포함하고,
    상기 제 2 축 방향 이동 체결부는 상기 조정 몸체에 마련되고 상기 Y축 방향으로 절개된 복수의 제 2 관통홈과, 상기 제 2 관통홈을 관통하여 상기 상측 리드에 체결되는 복수의 제 2 축 체결부를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 1 관통홈과 제 2 관통홈은 각기 타원 형으로 제작되고, 상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 장축 방향으로 이동가능하도록 체결되며, 상기 제 1 관통홈의 장축 방향은 X축 방향이고, 상기 제 2 관통홈의 장축 방향은 Y축 방향인 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 축 체결부 각각은 헤더와, 상기 헤더에서 연장되고 표면의 적어도 일부에 나사선을 갖는 연장 몸체를 포함하고,
    상기 헤더의 최소 직경이 상기 제 1 및 제 2 관통홈의 단축 방향의 최대 길이보다 큰 기판 처리 장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 축 방향 이동부는 상기 조정 몸체에 마련된 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 내측에 마련된 복수의 핀부를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 조정 몸체는 상기 제 1 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 1 축 방향 고정 몸체와, 상기 제 2 축 방향 이동 체결부가 마련된 제 2 축 방향 고정 몸체를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 위치 조정부는,
    상기 착탈 수단에 결합된 제 1 블록과, 상기 제 1 블록의 하측에 결합된 제 2 블록과, 상기 제 2 블록의 측면과 상기 상측 리드에 결합된 제 3 블록을 구비하는 조정 몸체;
    상기 제 1 블록과 상기 제 2 블록 간을 결합 고정시키되, 상기 제 2 블록과 상기 상측 리드에 결합된 상기 제 3 블록을 제 1 축 방향으로 이동시키는 제 1 축 방향 이동 체결부; 및
    상기 제 3 블록과 상기 상측 리드 간을 결합 고정시키되, 상기 상측 리드를 제 2 축 방향으로 이동시키는 제 2 축 방향 이동 체결부를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 착탈 수단은,
    상기 챔버 몸체부에 고정된 제 1 고정판;
    상기 제 1 고정판의 일측에 마련된 제 1 힌지부;
    상기 제 1 힌지부에서 상기 상측 리드 방향으로 연장된 제 1 연장축;
    상기 제 1 연장축의 일측에 마련된 제 2 힌지부; 및
    상기 제 2 인지부에서 상기 위치 조정부 방향으로 연장되어 상기 위치 조정부에 고정된 제 2 연장축부를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제 1 힌지부는 상기 챔버 몸체부와 상기 하측 리드의 경계 영역에 마련되고, 상기 제 2 힌지부는 상기 하측 리드의 상측 표면 영역에 마련된 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 하측 리드의 내측에 마련된 안테나부; 및
    상기 안테나부에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 하측 리드는 수평 단면이 띠 형상으로 상기 반응 공간의 일부를 둘러싸는 실드부와, 상기 실드부와 결합하여 안테나 배치 공간을 형성하는 커버부를 포함하고,
    상기 실드부와 커버부 중 적어도 어느 하나가 판형상의 상기 상측 리드에 밀착 고정되는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    기판 하측의 비식각 영역을 지지하는 기판 지지부; 및
    상기 기판의 비식각 영역에 대응 되도록 상기 상측 리드에 장착된 차폐부를 구비하고,
    상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 기판 상측의 비식각 영역을 상기 차폐부로 차폐하여 기판의 식각 영역을 반응 공간에 노출시키는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 차폐부와 상기 기판 사이의 간격을 측정하는 복수의 간극 감지 센서를 더 포함하고,
    상기 간극 감지 센서는 상기 상측 리드 상에 배치된 감지 센서와 상기 감지 센서 하측에 위치하고, 상기 상측 리드와 상기 차폐부를 관통하여 배치된 센서창을 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 간극 감지 센서에 따라 상기 위치 조정부와 상기 상측 리드의 움직임을 제어하는 제어 구동부를 포함하는 기판 처리 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000046184A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd フタ開閉装置
KR100512740B1 (ko) 2003-06-19 2005-09-07 삼성전자주식회사 반응장치
KR100717282B1 (ko) 2006-02-06 2007-05-15 삼성전자주식회사 반송장치의 위치 교정 방법 및 툴
KR20070063450A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 덮개 지지 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000046184A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd フタ開閉装置
KR100512740B1 (ko) 2003-06-19 2005-09-07 삼성전자주식회사 반응장치
KR20070063450A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 덮개 지지 장치
KR100717282B1 (ko) 2006-02-06 2007-05-15 삼성전자주식회사 반송장치의 위치 교정 방법 및 툴

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