KR20160081300A - 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법 - Google Patents

홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160081300A
KR20160081300A KR1020140194912A KR20140194912A KR20160081300A KR 20160081300 A KR20160081300 A KR 20160081300A KR 1020140194912 A KR1020140194912 A KR 1020140194912A KR 20140194912 A KR20140194912 A KR 20140194912A KR 20160081300 A KR20160081300 A KR 20160081300A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
atmosphere
space
discharge space
container
Prior art date
Application number
KR1020140194912A
Other languages
English (en)
Inventor
신경식
신원기
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140194912A priority Critical patent/KR20160081300A/ko
Publication of KR20160081300A publication Critical patent/KR20160081300A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 처리액을 토출하는 노즐이 대기하고, 노즐이 토출하는 처리액을 배출하는 홈포트 및 홈포트를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 홈포트는 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간 및 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 유닛을 포함한다. 분위기 조성 유닛은 분위기 조성액이 수용되는 용기 및 용기에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재를 포함한다. 초음파 인가 부재에 의해 분무화된 분위기 조성액은 토출 공간으로 공급된다.

Description

홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법{HOME PORT, APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THIS AND METHOD FOR COMPOSING ATMOSPHERE}
본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 HMDS(Hexamethyl disilazane) 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.
여기서 도포공정은 기판의 표면에 감광액을 도포하는 공정으로써, 감광액을 도포하는 노즐에 정전기가 발생된 경우, 극성 오염 물질에 의해 노즐이 오염되기 용이하므로 노즐 세척 주기가 짧아지고, 감광액에 정전기가 유도되어 기판에 직접 파티클이 흡착되기 용이하다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 홈포트(21)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 홈포트(21)에 대기하는 노즐의 정전기 발생을 방지하거나 정전기를 제거하기 위해 액 유입구(22)를 통해 홈포트(21)의 내부에 형성된 버퍼(23)로 신너 등 분위기 조성액을 공급하고, 버퍼(23)의 용량을 초과하는 분위기 조성액이 경사면(24)을 따라 흘러내려 배출 포트(25)로 배출되게 함으로써, 자연 기화 효과에 의해 홈포트(21) 내부에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성시킨다. 그러나, 이것 만으로는 분위기 정도가 약하여 정전기 발생 방지 및 정전기 제거가 용이하지 않다.
본 발명은 처리액을 분사하는 노즐의 정전기의 발생 방지 및 제거를 할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 노즐의 오염을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 오염을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛; 상기 하우징의 외부에 위치하며, 상기 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트;를 포함하되, 상기 홈포트는, 상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 및 상기 토출 공간에 분위기 조성액의 분무를 공급함으로써, 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 유닛;을 포함하고, 상기 분위기 조성 유닛은, 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 및 상기 액 수용 공간에 수용되는 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재;를 포함한다.
상기 용기는, 상기 토출 공간에 제공되고, 상기 액 수용 공간이 상기 토출 공간과 연통되도록 제공되며, 상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공된다.
상기 용기는, 상기 토출 공간의 하부 영역의 일 측부에 제공되고, 상기 액 수용 공간의 상부가 개방되게 제공되며, 상기 토출 공간의 하부 영역의 타 측부에는 배출 포트가 연결된다.
상기 용기는, 상기 바디의 외부에 제공되고, 상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되며, 상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간 및 상기 토출 공간을 연결하는 분무 공급 라인;을 더 포함한다.
상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간으로 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급 부재;를 더 포함한다.
상기 분위기 조성액은 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함한다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하는 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 홈포트는, 상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 및 상기 토출 공간에 분위기 조성액의 분무를 공급함으로써, 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 유닛;을 포함하고, 상기 분위기 조성 유닛은, 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 및 상기 액 수용 공간에 수용되는 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재;를 포함한다.
상기 용기는, 상기 토출 공간에 제공되고, 상기 액 수용 공간이 상기 토출 공간과 연통되도록 제공되며, 상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공된다.
상기 용기는, 상기 토출 공간의 하부 영역의 일 측부에 제공되고, 상기 액 수용 공간의 상부가 개방되게 제공되며, 상기 토출 공간의 하부 영역의 타 측부에는 배출 포트가 연결된다.
상기 용기는, 상기 바디의 외부에 제공되고, 상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되며, 상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간 및 상기 토출 공간을 연결하는 분무 공급 라인;을 더 포함한다.
상기 분위기 조성액은 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함한다.
또한, 본 발명은 분위기 조성 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 분위기 조성 방법은, 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 분위기 조성액을 분무화하여 홈포트의 토출 공간으로 공급함으로써 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성한다.
상기 분무화는, 상기 홈포트의 내부에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행될 수 있다.
상기 분무화는, 상기 홈포트의 외부에 제공된 용기에 머무는 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행되고, 분무화된 분위기 조성액은 상기 토출 공간으로 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 처리액을 분사하는 노즐의 정전기의 발생 방지 및 제거를 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 노즐의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치 및 방법은 기판의 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 홈포트를 나타낸 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 기판 처리 장치의 홈 포트를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 7의 홈 포트를 a-a' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 9는 도 7의 홈 포트를 b-b' 방향에서 바라본 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 홈포트를 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4은 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치로 제공된다. 도 5는 도 2의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(850), 기판 지지 유닛(810), 승강 유닛(880), 액 공급 유닛(890), 그리고 홈포트(900)를 포함한다.
하우징(850)은 내부에 도포공정이 수행되는 처리공간을 가진다. 하우징(850)은 그 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하우징(850)은 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 회수통(860)과 안내벽(870)의 사이공간은 처리액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공한다. 회수통(860)의 저면에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 처리액을 외부로 배출한다. 배출된 처리액은 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 지면과 수직하게 연장된다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 기판 지지 유닛(810)의 중심축을 향하는 방향으로 수평하게 연장된다.
안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판 지지 유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판 지지 유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862) 각각의 상단은 상하방향으로 일치되게 제공된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다.
기판 지지 유닛(810)은 상기 하우징(850) 내에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(820) 및 구동 부재(830)를 포함한다. 지지 플레이트(820)의 상면에는 기판을 지지하는 핀 부재들(822, 824)이 결합된다. 지지핀들(822)은 기판의 저면을 지지하고, 척핀들(824)은 기판의 측면을 지지한다. 지지 플레이트(820)는 구동 부재(830)에 의해 회전 가능하다. 구동 부재(830)는 구동축(832) 및 구동기(834)를 포함한다. 구동축(834)은 지지 플레이트(820)의 저면에 결합된다. 구동기(834)는 구동축(832)에 회전력을 제공한다. 예컨대, 구동기(834)는 모터일 수 있다.
승강 유닛(880)은 하우징(850)을 상하 방향으로 승강시키며, 하우징(850)과 기판 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 하우징(850)의 경사벽에 고정 설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(884)이 고정 결합된다.
액 공급 유닛(890)은 지지 플레이트(820)에 놓인 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(890)은 기판(W)에 처리액을 공급하는 노즐(892) 및 노즐 이동 부재(893)를 포함한다. 노즐(892)은 복수 개로 제공된다. 노즐(892)들 각각에는 처리액 공급 라인이 연결된다. 복수 개의 노즐(892)들은 홈 포트(900)에서 대기된다. 복수 개의 노즐(892)들 중 하나는 노즐 이동 부재(893)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 노즐(892)이 지지 플레이트(820)에 놓인 기판(W)과 대향된 위치이다. 대기 위치는 노즐(892)이 홈 포트(900)에 대기되는 위치이다. 예컨대, 처리액은 전기적 성질을 가지는 액일 수 있다. 처리액은 전하를 띠는 입자일 수 있다. 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
노즐 이동 부재(893)는 가이드 레일(894), 아암(896), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다. 가이드 레일(894)은 하우징(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(894)은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 가이드 레일(894) 상에는 아암(896)이 설치된다. 아암(896)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 아암(896)의 일단은 가이드 레일(894)에 고정 설치되고, 타단에는 노즐(892)이 탈착 가능하도록 제공된다. 구동기는 가이드 레일(894)에 구동력을 제공하여 아암(896) 및 노즐(892)을 제1방향(12) 또는 이의 반대 방향으로 왕복 이동시킬 수 있다. 아암(896) 및 이에 장착된 노즐(892)은 가이드 레일(894) 및 구동기에 의해 공정위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 예컨대, 구동기는 모터일 수 있다.
홈 포트(900)는 도포 공정을 수행하지 않는 노즐(892)들이 대기 및 보관되는 장소로 제공된다. 홈 포트(900)에는 대기 중인 각 노즐(892)들이 처리액을 지속적 또는 간헐적으로 토출한다. 홈포트(900)는 노즐(892)들이 토출한 처리액을 외부로 배출한다. 홈포트(900)는 하우징(850)의 외부에 위치한다. 각 노즐(892)들은 그 내부에 제공된 처리액이 고착되는 것을 방지하기 위해 처리액을 토출한다. 도 7은 도 5의 기판 처리 장치의 홈 포트를 보여주는 사시도이고, 도 8은 도 7의 홈 포트를 a-a' 방향에서 바라본 단면도이며, 도 9는 도 7의 홈 포트(900)를 b-b' 방향에서 바라본 단면도이다. 도 7 내지 도 9을 참조하면, 홈 포트(900)는 바디(910) 및 분위기 조성 유닛(920)을 포함한다.
바디(910)는 그 내부에 노즐(892)이 처리액을 토출하는 토출 공간(911)을 가진다. 바디(910)의 상벽에는 복수 개의 개구(932)가 형성된다. 개구(932)는 노즐(892)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 개구(932)는 공정에 사용되지 않은 노즐(892)들이 삽입되는 삽입홀로 기능한다. 개구(932)들은 제1방향(12)을 따라 일렬로 배열되게 형성된다. 각 개구(932)에는 노즐(892)이 일대일 대응되도록 삽입된다.
분위기 조성 유닛(920)은 토출 공간(911)에 분위기 조성액의 분무를 공급함으로써, 토출 공간(911)에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성한다. 분위기 조성액은 처리액을 희석시키고, 정전기를 흡수하는 액이다. 예를 들면, 분위기 조성액은 물, 유기용매(아세톤, 에탄올, 메탄올 등) 또는 신나 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 분위기 조성 유닛(920)은 용기(921) 및 초음파 인가 부재(923)를 포함한다.
용기(921)는 내부에 분위기 조성액이 머무는 액 수용 공간(921a)을 가진다. 용기(921)는 토출 공간(911)내에 제공된다. 용기(921)는 액 수용 공간(921a)이 토출 공간(911)과 연통 되도록 제공된다. 예를 들면, 용기(921)는 토출 공간(911)의 하부 영역의 일 측부에 제공된다. 용기(921)는 액 수용 공간(921a)의 상부가 개방되게 제공된다. 토출 공간(911)의 하부 영역의 타 측부에는 배출 포트(914)가 연결된다. 액 수용 공간(921a)의 용량을 초과하는 분위기 조성액 및 노즐(892)이 토출한 처리액은 배출 포트(914)를 통해 홈포트(900)의 외부로 배출된다.
초음파 인가 부재(923)는 액 수용 공간(921a)에 머무는 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가한다. 초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 제공된다. 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가함으로써 분위기 조성액의 분무화를 보다 활성화시킬 수 있다. 따라서, 토출 공간(911) 내의 분위기 조성 효율을 증대시킬 수 있다.
분위기 조성 유닛(920)은 액 수용 공간(921a)으로 분위기 조성액을 공급하는 액 공급 부재(922)를 더 포함할 수 있다. 액 공급 부재(922)는 용기(921)의 외부에 제공된다. 액 공급 부재(922)는 유입구(922a) 및 유입 라인(922b)을 통해 분위기 조성액을 액 수용 공간(921a)으로 공급한다.
홈포트(900)는 정전 제거 부재(950)을 더 포함할 수 있다. 정전 제거 부재(950)는 바디(910)에 발생된 정전기를 제거한다. 정전 제거 부재(950)는 바디(910)에 연결되는 접지를 포함한다. 상부 바디(930)로부터 발생된 정전기를 접지(950)를 통해 외부로 배출시킨다.
상술한 바와 같이, 초음파를 이용하여 분위기 조성액을 분무화시켜 토출 공간(911)에 공급함으로써, 분위기 조성액을 자연 기화시키는 것에 비해 분무화 효율이 높아진다. 따라서, 노즐(892)의 정전기의 발생 방지 및 제거의 효율이 높아지고, 잔류하는 처리액을 희석시키는 효율이 높아지므로 노즐(892) 및 기판(W)의 오염의 방지 효과를 높일 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 홈포트를 나타낸 단면도이다. 도 10을 참조하면, 분위기 조성 유닛(920)은 용기(921), 초음파 인가 부재(923) 및 분무 공급 라인(925)을 포함한다.
용기(921)는 바디(910)의 외부에 제공된다. 용기(921)는 내부에 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간(921a)을 가진다.
초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 제공된다. 초음파 인가 부재(923)는 액 수용 공간(921a)에 수용된 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하여 분위기 조성액을 분무화 한다.
분무 공급 라인(925)은 액 수용 공간(921a) 및 토출 공간(911)을 연결하여 초음파 인가 부재(923)에 의해 액 수용 공간(921a)에서 분무화된 분위기 조성액을 토출 공간(911)으로 공급한다.
분위기 조성 유닛(920)은 가압 가스 공급 부재(926)를 더 포함할 수 있다. 가압 가스 공급 부재(926)는 액 수용 공간(921a)으로 가압 가스를 공급하여 액 수용 공간(921a)의 압력을 높인다. 따라서, 액 수용 공간(921a) 내의 분무화된 분위기 조성액은 가압 가스에 의한 압력에 의해 분무 공급 라인(925)을 통해 토출 공간(911)으로 공급된다.
그 외, 홈포트(900)의 구조, 구성 및 기능 등은 도 8의 홈포트(900)와 유사하다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 의한 분위기 조성 방법을 설명한다.
분위기 조성 방법은 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 분위기 조성액을 분무화하여 홈포트의 토출 공간으로 공급함으로써 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성한다.
이하, 도 8의 홈포트(900)를 이용하여 토출 공간(911)에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성시키는 분위기 조성 방법에 대해 설명한다. 분위기 조성액의 분무화는 홈포트(900)의 내부에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행된다. 예를 들면, 분위기 조성액이 수용된 용기는 토출 공간(911)의 하부 영역의 일측부에 제공된다. 초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 제공되어 액 수용 공간(921a)에 수용된 초음파 진동을 인가함으로써, 분위기 조성액을 분무화 시킨다. 액 수용 공간(921a) 및 토출 공간(911)은 연통되므로 분무화 된 분위기 조성액은 토출 공간(911)으로 공급된다.
이하, 도 9의 홈포트를 이용하여 토출 공간(911)에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성시키는 분위기 조성 방법에 대해 설명한다. 도 8의 홈포트(900)를 이용하는 경우와 달리, 분위기 조성액의 분무화는 홈포트(900)의 외부에 제공된 용기(921)에 머무는 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행되고, 분무화된 분위기 조성액은 토출 공간(911)으로 공급된다. 예를 들면, 분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간(921a)을 가지는 용기(921)는 홈포트(900)의 외부에 제공된다. 초음파 인가 부재(923)는 용기(921)의 하부에 설치되어 액 수용 공간(921a)에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 분위기 조성액을 분무화 시킨다. 분무화된 분위기 조성액은 분무 공급 라인(925)을 통해 토출 공간(911)으로 공급된다.
20: 카세트 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 도포 및 현상 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 700: 인터페이스 모듈
810: 기판 지지 유닛 850: 하우징
890: 액 공급 유닛 892: 노즐
900: 홈포트 910: 바디
920: 분위기 조성 유닛 921: 용기
922: 액 공급 부재 923: 초음파 인가 부재
925: 분무 공급 라인 926: 가압 가스 공급 부재

Claims (14)

  1. 내부에 처리 공간을 가지는 하우징;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛;
    상기 하우징의 외부에 위치하며, 상기 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트;를 포함하되,
    상기 홈포트는,
    상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 및
    상기 토출 공간에 분위기 조성액의 분무를 공급함으로써, 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 유닛;을 포함하고,
    상기 분위기 조성 유닛은,
    분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 및
    상기 액 수용 공간에 수용되는 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 토출 공간에 제공되고, 상기 액 수용 공간이 상기 토출 공간과 연통되도록 제공되며,
    상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 토출 공간의 하부 영역의 일 측부에 제공되고, 상기 액 수용 공간의 상부가 개방되게 제공되며,
    상기 토출 공간의 하부 영역의 타 측부에는 배출 포트가 연결되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 바디의 외부에 제공되고,
    상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되며,
    상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간 및 상기 토출 공간을 연결하는 분무 공급 라인;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 분위기 조성 유닛은,
    상기 액 수용 공간으로 가압 가스를 공급하는 가압 가스 공급 부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 분위기 조성액은 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 기판에 처리액을 공급하는 노즐이 대기하고, 상기 노즐이 토출하는 처리액을 외부로 배출하는 홈포트에 있어서,
    상기 노즐이 처리액을 토출하는 토출 공간을 가지는 바디; 및
    상기 토출 공간에 분위기 조성액의 분무를 공급함으로써, 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 유닛;을 포함하고,
    상기 분위기 조성 유닛은,
    분위기 조성액이 수용되는 액 수용 공간을 가지는 용기; 및
    상기 액 수용 공간에 수용되는 분위기 조성액에 초음파 진동을 인가하는 초음파 인가 부재;를 포함하는 홈포트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 토출 공간에 제공되고, 상기 액 수용 공간이 상기 토출 공간과 연통되도록 제공되며,
    상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 토출 공간의 하부 영역의 일 측부에 제공되고, 상기 액 수용 공간의 상부가 개방되게 제공되며,
    상기 토출 공간의 하부 영역의 타 측부에는 배출 포트가 연결되는 기판 처리 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 용기는, 상기 바디의 외부에 제공되고,
    상기 초음파 인가 부재는, 상기 용기의 하부에 제공되며,
    상기 분위기 조성 유닛은, 상기 액 수용 공간 및 상기 토출 공간을 연결하는 분무 공급 라인;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 분위기 조성액은 물, 유기용매 또는 신나(Thinner) 중 어느 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 분위기 조성액에 초음파를 인가하여 분위기 조성액을 분무화하여 홈포트의 토출 공간으로 공급함으로써 상기 토출 공간에 분위기 조성액에 의한 분위기를 조성하는 분위기 조성 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 분무화는, 상기 홈포트의 내부에 수용된 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행되는 분위기 조성 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 분무화는, 상기 홈포트의 외부에 제공된 용기에 머무는 분위기 조성액에 초음파를 인가함으로써 수행되고,
    분무화된 분위기 조성액은 상기 토출 공간으로 공급되는 분위기 조성 방법.
KR1020140194912A 2014-12-31 2014-12-31 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법 KR20160081300A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140194912A KR20160081300A (ko) 2014-12-31 2014-12-31 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140194912A KR20160081300A (ko) 2014-12-31 2014-12-31 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160081300A true KR20160081300A (ko) 2016-07-08

Family

ID=56503561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140194912A KR20160081300A (ko) 2014-12-31 2014-12-31 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160081300A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190138902A (ko) 2018-05-11 2019-12-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11960236B2 (en) 2021-12-20 2024-04-16 Semes Co., Ltd. Home port and substrate processing apparatus using same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190138902A (ko) 2018-05-11 2019-12-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11960236B2 (en) 2021-12-20 2024-04-16 Semes Co., Ltd. Home port and substrate processing apparatus using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180049310A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102000019B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR20160057036A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101670455B1 (ko) 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법
KR20160081300A (ko) 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법
KR102299882B1 (ko) 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법
KR102493572B1 (ko) 기판 처리 장치 및 위치 안내 방법
KR20150076818A (ko) 기판처리장치
KR102299881B1 (ko) 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법
KR101757814B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102000023B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150049184A (ko) 기판처리방법
KR20170072390A (ko) 기판 처리 장치, 대기 유닛 및 노즐 세정 방법
KR20140050863A (ko) 기판처리장치
KR20180059639A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101935943B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
KR102371453B1 (ko) 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법
KR101721148B1 (ko) 노즐, 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
KR101914482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180121449A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170061749A (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20180049309A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180058390A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180061536A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190008458A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment