CN100407398C - 基板升降装置和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使在真空处理装置中，也不产生升降销的一端接触，可稳定地使基板升降的基板升降装置和基板处理装置。提升板(32)的围绕筒体(34)为中空状，在天井部(34a)中具有开口，在该开口中插入升降销基端部(9)的下部。在提升板(32)的上面(32a)中，配设球轴承(35)，在与提升板(32)相对的围绕筒体(34)的天井部内面(34b)中，配设球轴承(36)。球轴承(35)接触设置在升降销基端部(9)上的法兰(9a)的下面，球轴承(36)接触法兰(9a)的上面，由此以夹入升降销基端部(9)的法兰(9a)的方式支撑升降销(8)。

Description

基板升降装置和基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用于在处理室内使平板显示器(FPD)制造用玻璃基板等的被处理基板升降的基板升降装置，和具有该基板升降装置，对被处理基板实施干蚀刻等处理的基板处理装置。
背景技术
例如，在FPD制造过程中，对作为被处理基板的玻璃基板，大多采用干蚀刻、溅射、CVD(化学气相沉积)等的等离子体处理。这种等离子体处理例如可在腔室内配置有一对平行平板电极(上部和下部电极)的基板处理装置中进行。在这种基板处理装置中，在作为下部电极起作用的载置台上载置被处理基板，将处理气体导入腔室内，同时向电极的至少一方施加高频电力，在电极间形成高频电场，并利用该高频电场形成处理气体的等离子体，对被处理基板实施等离子体处理。
但是，在基板处理装置的载置台上，设置相对于基板载置面能够突出和没入的多个升降销，当将被处理基板搬入基板处理装置时，由于这些升降销上升，使被处理基板离开载置台的载置面，与搬运机构进行传递。另外，在由基板处理装置进行等离子体处理的情况下，升降销下降，将被处理基板载置到载置台的载置面上。
在插入形成于载置台中的孔的状态下，配设上述升降销。若该孔的直径大，则当对被处理基板进行蚀刻等处理时，有可能产生蚀刻不匀等处理不均匀，通常选择与升降销的间隙不太大的孔径。但是，当进行等离子体处理时，伴随载置台的温度变化，穿设于载置台中的孔的位置因热膨胀而偏移。若载置台的孔位置偏移，则孔壁(或配设在孔内的轴套等定位部件)与插入其中的升降销接触，引起一端接触，变为升降销不能升降的锁定状态，或在升降时产生磨损，成为颗粒的原因。
因此，提出有：在常压下进行加热处理等的装置中，在接触升降销的下端并提升升降销的提升部件中配设滑枕式滚珠(pillow ball)，利用弹簧的施力使升降销的下端与滑枕式滚珠接触，从而使升降销追随于由热膨胀引起的载置台的孔的位置偏移(例如、专利文献1)。
专利文献1：特开平10-308348号公报
在上述专利文献1中，其优点在于通过使用滑枕式滚珠具有横向游隙，使升降销追随于基于载置台的热膨胀的孔位置偏移。但是，在真空装置的情况下，若处理室内变为真空状态时，由于该吸引力会向上方吸引升降销，则在使升降销的下端与滑枕式滚珠接触的该专利文献1的方法中，升降销的下端与滑枕式滚珠变为非接触状态，无法实现滑枕式滚珠的功能。因此，在真空状态下的升降时，产生一端接触，变为锁定状态，或由于磨损而产生颗粒。
另外，FPD用玻璃基板的处理中所用的载置台，比半导体晶片处理中所用的载置台大，并且，近年来，伴随玻璃基板的大型化，载置台日益倾向于大型化，所以伴随热膨胀的孔位置偏移也必然变大，引起一端接触的频度增加。因此，即使在对FPD用玻璃基板进行真空处理这样的情况下，就确保稳定的升降销驱动的观点而言，现有技术留有进一步改良的余地。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种即使在真空处理装置中，也不产生升降销的一端接触，可使基板稳定升降的基板升降装置和基板处理装置。
为了解决上述问题，本发明第一方面在于提供一种基板升降装置，配设在基板处理装置的基板载置台上，使基板升降，其特征在于，具有：
相对于上述基板载置台的基板载置面能够突出和没入地设置，与基板接触，并使其升降的升降销；
使上述升降销升降变位的驱动部；和
将来自上述驱动部的驱动力传递到上述升降销的多个球体。
根据上述第一方面，由于具有将来自驱动部的驱动力传递到升降销的多个球体，所以通过球体传递驱动力，从而即使在基板载置台热膨胀、插入升降销的孔的位置偏移的情况下，也可利用球体的旋转，容易地微调位置，防止升降销的一端接触。
另外，本发明的第二方面在于提供一种基板升降装置，配设在基板处理装置的基板载置台上，使基板升降，其特征在于，具有：
相对于上述基板载置台的基板载置面能够突出和没入地设置，与基板接触，并使其升降的升降销；
支撑上述升降销的支撑部；和
使上述升降销升降变位的驱动部，
上述升降销在其基端部，通过多个球体被支撑在上述支撑部上。
根据上述第二方面，升降销在其基端部通过多个球体被支撑，由此，即使在基板载置台热膨胀、插入升降销的孔的位置偏移的情况下，也可利用球体的旋转，容易地微调位置，防止升降销的一端接触。
在上述第二方面，优选在上述升降销的变位方向上配置有上述多个球体，使得上述基端部的全部或一部分被夹入其间。
这样，由于在升降销的变位方向上配置有多个球体、使得升降销的基端部被夹入，所以即使在真空装置中向升降销施加向上方的吸引力的情况下，也可通过基端部与配置在上侧的球体接触，不变为锁定状态地微调横向的位置。
另外，优选上述基端部具有在与上述升降销的升降方向正交的方向上扩展的法兰部，同时，将该法兰部被夹持在介于在上述支撑部中形成的相互相对的壁面间的上述球体中。
这样，由于在基端部设置法兰部，使球体介于该法兰部与支撑部的壁面间，支撑法兰部，所以可由简易的构成来利用球体的旋转、进行微调。
另外，在上述情况下，优选上述支撑部与上述驱动部连结。
另外，优选上述基端部具有在与上述升降销的升降方向正交的方向上扩展的法兰部，同时，具有通过施力部件与上述法兰部平行连结的施力板，通过上述球体，在由上述施力部件的施力按压该球体的状态下，上述法兰部和上述施力板被支撑在上述支撑部中形成的相互相对的壁面间。
这样，构成为在基端部设置法兰部的同时，配设有施力板，在利用施力按压介于它们与支撑部的壁面间的球体的状态下，支撑上述法兰部和施力板，所以球体与法兰部和施力板能够弹性且确实地接触，可利用球体的旋转进行微调。
另外，在上述情况下，优选还具有与上述驱动部连结，通过球体将来自上述驱动部的驱动力传递到上述基端部的传递部件。
另外，在上述第一方面和第二方面，优选在将基板搬入和搬出基板处理装置时，上述升降销在减压环境下升降变位。
本发明的第三方面提供一种基板处理装置，在处理室内对基板进行处理，其特征在于，具有：
载置基板的载置台；和
上述第一方面和第二方面的基板升降装置。
在上述第三方面的基板处理装置中，优选上述处理室是在真空状态下对基板进行处理的真空处理室。
另外，优选上述基板处理装置被用于制造平板显示器。此时，优选对基板进行等离子体蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。
根据本发明的基板升降装置，即使在真空处理装置中，也可确实防止升降销升降时、在形成于载置台中的孔内的一端接触。因此，可确实防止升降销因一端接触而变为锁定状态，或因磨损而产生颗粒。另外，通过可防止一端接触，可延长升降销的寿命。
由此，通过采用本发明的基板升降装置，可提供可靠性高的基板处理装置。
附图说明
图1是表示具有本发明第一实施方式的基板升降装置的等离子体蚀刻装置的大概截面图。
图2是用于说明第一实施方式的基板升降装置中的升降销的下降状态的等离子体蚀刻装置的主要部分截面图。
图3是用于说明第一实施方式的基板升降装置中的升降销的上升状态的等离子体蚀刻装置的主要部分截面图。
图4是表示具有本发明第二实施方式的基板升降装置的等离子体蚀刻装置的主要部分截面图。
图5是用于说明第二实施方式的基板升降装置中的升降销的下降状态的等离子体蚀刻装置的主要部分截面图。
图6是用于说明第二实施方式的基板升降装置中的升降销的上升状态的等离子体蚀刻装置的主要部分截面图。
符号说明
1  等离子体蚀刻装置
2  腔室
3  绝缘板
4  基座
5  介电性材料膜
6  绝缘膜
7  插通孔
8  升降销
9  升降销基端部
9a 法兰
10 波纹管
11 喷头
20 排气装置
25 高频电源
30 升降装置
31 驱动部
32 提升板
33 引导轴
34 围绕筒体
35 球轴承
36 球轴承
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的优选实施方式。图1是表示作为本发明一实施方式的基板处理装置一例的等离子体蚀刻装置的截面图。该等离子体蚀刻装置1构成为对FPD用玻璃基板(下面简称为“基板”)G进行蚀刻的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。这里，作为FPD，例示有液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、荧光显示管(VacuumFluorescent Display；VFD)、等离子体显示面板(PDP)等。另外，本发明的处理装置不仅限于等离子体蚀刻装置。
该等离子体蚀刻装置1具有由例如表面被氧化铝膜处理(阳极氧化处理)过的铝构成的、成形为方筒形状的腔室2。在该腔室2内的底部，设置有由绝缘材料构成的方柱状的绝缘板3，另外，在该绝缘板3上，设置用于载置作为被处理基板的FPD用玻璃基板G的基座4。该基座4构成为可载置例如1800mm×1500mm大小或比该大小大的基板G。基座4具有由导电性材料构成的基材4a，在其上面设置介电性材料膜5，同时，在基材4a的周缘设置绝缘膜6，周围被绝缘覆盖。
在基座4的基材4a上，连接有用于提供高频电力的馈电线23，该馈电线23连接匹配器24和高频电源25。从高频电源25向基座4供给例如13.56MHz的高频电力。
在腔室2的底壁2a、绝缘板3和基座4上，贯通这些的插通孔7设置在多个部位(例如16个部位)。用于使基板G升降的升降销8相对于基座4的基板载置面能够突出和没入地插入各插通孔7中。另外，图1中仅图示2个升降销8。升降销8通过在其下端与升降装置30连结，上下变位，使基板G升降。即，升降销8与升降装置30协动，用作基板升降装置。升降销8和升降装置30的细节如后所述。
在上述基座4的上方，与该基座4平行相对，设置作为上部电极起作用的喷头11。喷头11被支撑在腔室2的上部，在内部具有内部空间12，同时，在与基座4的相对面上，形成喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷头11被接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。
在喷头11的上面，设置气体导入口14，在该气体导入口14上连接有处理气体供给管15，在该处理气体供给管15上，经由阀16和质量流量控制器17，连接处理气体供给源18。从处理气体供给源18供给蚀刻用的处理气体。作为处理气体，可使用卤素类气体、O2气体、Ar气体等通常本领域中使用的气体。
在上述腔室2的侧壁底部上，连接有排气管19，在该排气管19上连接有排气装置20。排气装置20具有涡轮分子泵等的真空泵，由此可将腔室2内抽真空至规定的减压气氛。另外，在腔室2的侧壁上，设置有基板搬入搬出口21、和开闭该基板搬入搬出口21的闸阀22，在打开该闸阀22的状态下，与邻接的负载锁定室(未图示)之间搬运基板G。
如上所述，在贯通腔室2的底壁2a、绝缘板3和基座4而设置的各插通孔7中，插入升降销8，该升降销8通过升降装置30在铅直方向上变位，从而切换：将基板G载置于基座4上的载置状态；和在基座4的上方被升降销8支撑的间离状态。升降装置30中，作为主要构件具有：内置有步进电动机等的驱动部31、连结该驱动部31上、与各升降销8连结并使各升降销8同步升降变位的提升板32、和引导提升板32的引导轴33。
这里，参照图2和图3说明包含升降销8和升降装置30的本实施方式的基板升降装置的细节。图2表示升降销8退避到基座4的插通孔7内的非动作状态，图3表示升降销8从基座4的基板载置面突出的动作状态。
升降销8的顶端的相反侧、即升降销基端部9，形成为圆柱块状，在其缘端，具有在与其升降方向正交的方向(即圆柱块的周方向)上扩展的法兰9a。利用未图示的定位用轴套，将该升降销8的上部定位插入在插通孔7内。
另外，升降销8的下部从腔室2的底壁2a突出到大气侧，升降销基端部9的法兰9a容纳在作为支撑升降销8的支撑部的竖设在提升板32上面的围绕筒体34内。另外，腔室2的底壁2a与升降销基端部9之间被上下自由伸缩的波纹管10覆盖，所以插通孔7内保持为真空状态。
提升板32的围绕筒体34为中空状，在天井部34a中具有开口，在其开口中插入升降销基端部9的下部。另外，在提升板32的上面32a中，配设球轴承35，在平行且相对设置在提升板32上的围绕筒体34的天井部内面34b中，配设球轴承36。这样，球轴承35与法兰9a的下面接触，球轴承36与法兰9a的上面接触，从而夹入升降销基端部9的法兰9a而支撑升降销8。另外，球轴承35和球轴承36在法兰9a的周方向分别配设多个(图2和图3中仅各示出两个)。
如上所述，升降装置30具有驱动部31，提升板32利用轴31a与该驱动部31连结(参照图1)。例如在轴31a中刻设与提升板32接合的螺旋沟，当使驱动部31动作、向该轴31a提供规定的旋转时，提升板32上下升降。另外，在提升板32的贯通孔(未图示)中，贯装引导轴33、33，多个升降销8可高精度地同步升降变位。
在以上构成的升降装置30中，从图2所示的状态起，使驱动部31动作，使提升板32上升，由此通过球轴承35传递驱动力，升降销8在插通孔7内上升。之后，如图3所示，能够以规定高度使升降销8从基座4的基板载置面突出。
另外，从图3所示的状态起，使驱动部31动作，使提升板32下降，由此通过球轴承36传递驱动力，升降销8在插通孔7内下降。之后，如图2所示，可使升降销8的顶端退避至与基座4的基板载置面大致共面。
本实施方式的基板升降装置的优点为：相对于基端部9、在升降销8的变位方向(即法兰9a的上下两侧)配设有球轴承35和球轴承36，所以在升降销8动作时和非动作时，对伴随基座4的热膨胀、收缩的插通孔7的横向错位，利用球轴承35和球轴承36的旋转，升降销基端部9侧容易追随，从而可横向微调。尤其是腔室2内变为真空状态，即使在向升降销8施加其变位方向、即铅直方向的吸引力的情况下，也因为由上侧的球轴承36维持横向的运动(游动)，所以容易进行升降销8的定中心，不损害对插通孔7的横向错位的追随性。因此，可避免升降销8在插通孔7内产生一端接触，变为锁定状态，或因磨损而产生颗粒，具有高可靠性，使基板G升降。
下面，再参照图1说明等离子体蚀刻装置1中的处理动作。
首先，在开放闸阀22之后，从未图示的负载锁定室、经基板搬入搬出口21将作为被处理基板的基板G搬入室2内。此时，使升降装置30的驱动部31动作，使提升板32上升，由此，能够以规定高度使升降销8从基座4的基板载置面突出，从未图示的搬运单元接收基板G。之后，再使驱动部31动作，使提升板32下降，由此使升降销8下降，将基板G载置于基座4上。之后，关闭闸阀22，利用排气装置20将腔室2内抽真空至规定的真空度。
之后，开放阀16，在利用质量流量控制器17调整处理气体的流量的同时，从处理气体供给源18，通过处理气体供给管15、气体导入口14，将处理气体导入喷头11的内部空间12，再通过喷出孔13，均匀地喷出到基板G上，将腔室2内的压力维持在规定值。
在该状态下，若从高频电源25经由匹配器24向基座4施加高频电力，则在作为下部电极的基座4与作为上部电极的喷头11之间产生高频电场，处理气体离解，等离子体化，由此对基板G实施蚀刻处理。
在如此实施蚀刻处理之后，停止从高频电源25施加高频电力，并在停止气体导入后，将腔室2内减压至规定压力。之后，开放闸阀22，与上述一样，使升降装置30的驱动部31动作，使升降销8上升，将基板G传递到未图示的搬运元件。经由基板搬入搬出口21将基板G从腔室2内搬出到未图示的负载锁定室，对一个基板G的蚀刻处理结束。
下面，参照图4～图6说明本发明第二实施方式的基板处理装置。图4是表示作为基板处理装置一例的等离子体蚀刻装置100的主要部分构成的截面图。等离子体蚀刻装置100除基板升降装置外，与图1的等离子体蚀刻装置1一样构成，所以这里仅说明不同点，对相同的构成省略其说明和图示。
在等离子体蚀刻装置100的腔室2的底壁2a、绝缘板(省略图示)和基座4中，贯通它们的插通孔7设置在多个部位。由于在各插通孔7中使基板G升降，所以多个升降销80相对于基座4的基板载置面能够突出和没入地插入。另外，图4中，仅图示2个升降销。
升降销80通过在其下端与具有驱动部51的升降装置50连结，上下变位，使基板G升降。即，升降销80与升降装置50协动，用作基板升降装置。
升降装置50作为主要构件，具有驱动部51、连结该驱动部51上的驱动力传递部(主要包含传递负载52、引线54和提升负载57)、形成在一对引导轴64的端部中的止动器58、和连结于升降销80上作为支撑升降销80的支撑部的升降块59。
驱动部51具有未图示的气缸等驱动机构，该驱动机构被连结于个数对应于升降销80的数量的传递负载52上。即，各传递负载52的一端侧分别连结于驱动部51上，由此各传递负载52沿图4中箭头所示方向同步进退。另外，图4中，仅图示2个传递负载52。
传递负载52的另一端侧经由连结件53连结于挠性引线54上，经该引线54，连结于作为将来自驱动部51的驱动力传递到升降销基端部81的传递部件的提升负载57上。引线54以非固接状态被由合成树脂等构成的挠性管55覆盖，追随于传递负载52的动作，在管55内往复移动。在引线54的另一端侧，经由连结件56连结提升负载57，该提升负载57可对应于引线54的动作上下变位。
图5放大表示升降销80退避到基座4的插通孔7内的非动作状态，图6放大表示升降销80从基座4的基板载置面突出的动作状态。
升降销80的上部插入插通孔7内的未图示的定位用轴套中。升降销80的下部从腔室2的底壁2a突出到大气侧，具有升降销基端部81。另外，腔室2的底壁2a与升降销基端部81之间被上下自由伸缩的波纹管84覆盖，所以插通孔7内保持为真空状态。
升降销基端部81形成为上部闭塞的圆筒状，在其下端，具有在与升降方向正交的方向(即升降销基端部81的周方向)上扩展的法兰81a。另外，该升降销基端部81的内部变为中空，形成凹部81b，在该凹部81b内，形成有与后述的球轴承63接触的接触面81c。另外，在升降销基端部81中，设置作为施力单元的多个弹簧82(仅图示2个)，经由该弹簧82，与法兰81a平行地配设施力板83。
升降块59通过将引导轴64、64贯装于该贯通孔(未图示)中，在引导轴64、64中被引导、上下自由升降地被支撑。通过这些引导轴64、64，连结于升降块59上的升降销80可高精度地升降变位。在引导轴64、64的端部，设置止动器58，限制升降块59的最下降位置。另外，在升降块59的中央部中形成有开口59b，在止动器58的中央部形成有开口58a，在这些开口59b和开口58a内，插入提升负载57。
在升降块59中竖设围绕筒体60。该围绕筒体60为中空状，在天井部60a中具有开口，在该开口中插入升降销基端部81的下部。另外，在升降块59的上面59a中配设球轴承61，在与升降块59的上面59a平行且相对设置的围绕筒体60的天井部内面60中，配设球轴承62。即，球轴承61接触于与法兰81a平行设置的施力板83的下面，球轴承62接触于法兰81a的上面，从而升降销基端部81的法兰81a与施力板83具有弹力地从上下夹入球轴承61与球轴承62中，来支撑升降销80。另外，球轴承61和球轴承62在法兰81a的周方向分别配设多个(图5和图6中仅各示出2个)。
提升负载57在其一端侧由连结件56连结于引线54上(参照图4)，插入止动器58的开口58a和升降块59的开口59b内。在提升负载57的另一端侧，形成顶端块57a，并在其顶端配置有多个球轴承63。
在以上构成的升降装置50中，从图5所示的状态起，使驱动部51动作，使传递负载52进出，由此引线54在管55内整体地滑动，使提升负载57上升。之后，如图6所示，变为提升负载57的顶端块57a嵌入形成在升降销基端部81中的凹部81b内的状态，配设于顶端块57a中的球轴承63接触凹部81b内的接触面81c。这样，传递负载52的动作被传递到升降销80，升降销80在插通孔7内上升。由此，能够以规定高度使升降销80从基座4的基板载置面突出。
另外，从图6所示的状态起，使驱动部51动作，引入传递负载52，从而该动作经引线54传递到提升负载57，提升负载57下降。由此，解除配设于提升负载57的顶端块57a中的球轴承63与升降销基端部81的凹部81b内的接触面81c的接触，升降销80与升降块59由于自重，下降到升降块59的下端接触于止动器58的位置，如图5所示，可使升降销80的顶端退避至与基座4的基板载置面大致共面。
本实施方式的基板升降装置中，相对升降销基端部81，在其变位方向上配设球轴承61和62。即，在法兰81a的上侧配设球轴承62，在施力板83的下侧配设球轴承61，所以在升降销80动作时和非动作时，相对于伴随基座4的热膨胀、收缩的插通孔7的横向错位，利用球轴承61和62的旋转，升降销基端部81侧容易追随，从而可横向微调。尤其是腔室2内变为真空状态，即使在向升降销80施加其变位方向、即铅直方向的吸引力的情况下，也因为由上侧的球轴承62维持横向的运动(游动)，所以容易执行升降销80的定中心，不损害对插通孔7的横向错位的追随性。
另外，即使在升降销80动作时，插入升降销基端部81的凹部81b内的提升负载57的顶端块57a通过球轴承63提升接触面81c，所以确保升降销基端部81的横向动作(游动)，保证对插通孔7的横向错位的追随性。
并且，升降销基端部81的法兰81a与施力板83利用介于其间的弹簧82，经常向升降销80的变位方向施力按压，所以球轴承61和62经常接触，升降销基端部81不会在围绕筒体60内沿上下方向动荡不稳，稳定地在横向上微调。
因此，可避免升降销80在插通孔7内产生一端接触，变为锁定状态，或因磨损而产生颗粒，具有高可靠性，使基板G升降。
以上举出代表性的实施方式来说明本发明，但本发明不限于上述实施方式，可进行各种变形。
例如，图1中，示例向下部电极施加高频电力的RIE型电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，但不限于此，也可以是向上部电极供给高频电力的类型，另外，不限于电容耦合型，也可以是电感耦合型。并且，不限于蚀刻装置，也可适用于灰化、CVD成膜等其它等离子体处理装置。
另外，被处理基板不限于FPD用玻璃基板G，也可以是半导体晶片。
另外，在第一实施方式的图1的等离子体蚀刻装置1的升降装置30中，构成为在提升板32的上面32a的球轴承35和与提升板32相对的围绕筒体34的天井部内面34b的球轴承36之间，夹持升降销基端部9的法兰9a，支撑升降销8，但也可与第二实施方式的等离子体蚀刻装置100的升降装置50中的升降销基端部81一样，配设施力板，在升降销8的变位方向上按压球轴承35和球轴承36。
另外，在第一实施方式和第二实施方式中，在升降销基端部的与法兰平行相对的壁面侧，配设球轴承，但不限于此。例如，在图1的升降装置30中，也可代替在提升板32的上面32a与围绕筒体34的天井部内面34b中配设球轴承35和36，而在升降销基端部9侧(即法兰9a的上下两面)中配设球轴承。或者，也可在法兰9a中配设上侧球轴承，在提升板32中配设下侧球轴承，也可相反，在围绕筒体34中配设上侧球轴承，在法兰9a中配设下侧球轴承。并且，球轴承也可介在配设于法兰9a与围绕筒体34之间和提升板32与法兰9a之间。
另外，在上述实施方式中，在升降销基端部中设置法兰或施力板，使之与球轴承接合，但不限于法兰或施力板，只要是与球轴承接合后可横向调整位置的构造，均可采用。

Claims (10)

1.一种基板升降装置，配设在基板处理装置的基板载置台上，使基板升降，其特征在于，具有：
相对于所述基板载置台的基板载置面能够突出没入地设置，与基板接触，并使其升降的升降销；
支撑所述升降销的支撑部；和
使所述升降销升降变位的驱动部，
所述升降销在其基端部，通过多个球轴承被支撑在所述支撑部上，
所述多个球轴承配置在所述升降销的变位方向上，使得所述基端部的全部或一部分被夹入其间。
2.如权利要求1所述的基板升降装置，其特征在于：
所述基端部具有在与所述升降销的升降方向正交的方向上扩展的法兰部，并将该法兰部夹持在介于在所述支撑部中形成的相互相对的壁面间的所述球轴承中。
3.如权利要求2所述的基板升降装置，其特征在于：
所述支撑部与所述驱动部连结。
4.如权利要求1所述的基板升降装置，其特征在于：
所述基端部具有在与所述升降销的升降方向正交的方向上扩展的法兰部，同时具有通过施力单元与所述法兰部平行连结的施力板，
通过所述球轴承，在由所述施力单元的施力按压该球轴承的状态下，所述法兰部和所述施力板被支撑在所述支撑部中形成的相互相对的壁面间。
5.如权利要求4所述的基板升降装置，其特征在于：
还具备与所述驱动部连结、通过球轴承将来自所述驱动部的驱动力传递到所述基端部的传递部件。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板升降装置，其特征在于：
在将基板搬入和搬出基板处理装置时，所述升降销在减压环境下升降变位。
7.一种基板处理装置，在处理室内处理基板，其特征在于，具有：
载置基板的载置台；和
权利要求1所述的基板升降装置。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理室是在真空状态下处理基板的真空处理室。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：
用于制造平板显示器。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
该基板处理装置是对基板进行等离子体蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。
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