CN100384858C - 双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法 - Google Patents

双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100384858C
CN100384858C CNB2004100018694A CN200410001869A CN100384858C CN 100384858 C CN100384858 C CN 100384858C CN B2004100018694 A CNB2004100018694 A CN B2004100018694A CN 200410001869 A CN200410001869 A CN 200410001869A CN 100384858 C CN100384858 C CN 100384858C
Authority
CN
China
Prior art keywords
tert
amine
butylamine
liquid
bis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB2004100018694A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1517352A (zh
Inventor
崔彦彭
T·E·泽林尔
R·K·阿加瓦尔
R·K·拉西曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Versum Materials US LLC
Original Assignee
Air Products and Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Products and Chemicals Inc filed Critical Air Products and Chemicals Inc
Publication of CN1517352A publication Critical patent/CN1517352A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100384858C publication Critical patent/CN100384858C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/025Silicon compounds without C-silicon linkages
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A62LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62CFIRE-FIGHTING
    • A62C2/00Fire prevention or containment
    • A62C2/06Physical fire-barriers
    • A62C2/08Water curtains
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A62LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62CFIRE-FIGHTING
    • A62C2/00Fire prevention or containment
    • A62C2/06Physical fire-barriers
    • A62C2/24Operating or controlling mechanisms
    • A62C2/246Operating or controlling mechanisms having non-mechanical actuators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Emergency Management (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种合成氨基硅烷化合物例如双(叔丁氨基)硅烷的方法。在本发明的一个方面,提供一种生产双(叔丁氨基)硅烷的方法,其中包括使超过化学计算量的叔丁胺与二氯硅烷在无水条件下充分反应,生成包括双(叔丁氨基)硅烷产品的液体。

Description

双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法
发明背景
本发明一般涉及生产氨基硅烷的方法和纯化方法。更具体而言,本发明涉及生产氨基硅烷--双(叔丁氨基)硅烷的方法和纯化方法。
采用硅-氮基化合物作为母体,通过化学蒸气沉积或类似的方法,沉积可用于半导体器件制造的氮化硅、碳氮化硅、和氧氮化硅膜。例如由于氮化硅具有优良的绝缘(barrier)性能和耐氧化性能,它在半导体器件制造方面具有许多用途。一般在接近800℃的温度下,利用化学蒸气沉积方法,采用NH3和Cl2SiH2混合物沉积氮化硅。挥发性的氯化铵(“NH4Cl”)和该反应的其它氯副产品,可能导致颗粒和雾膜(hazy film)的生成,它们还能沉积在反应器的排气管道中。这些沉积物可能引起晶片和泵的损坏。
氨基硅烷--双(叔丁氨基)硅烷,是用于化学蒸气沉积(CVD)氮化硅、氧氮化硅、和二氧化硅均匀膜的液态化学母体。转让给本发明受让人的US-5,874,368和5,976,991,叙述了采用双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)制备包含硅和氧化物的膜的CVD方法。双(叔丁氨基)硅烷具有下列化学式:(t-C4H9NH)2SiH2。在较低的工艺温度即500-800℃下,采用BTBAS作为母体获得的沉积膜,不含氯化铵和氯污染物。BTBAS母体也不包含直接的Si-C键,获得的膜基本上不含碳或碳含量非常低。与此相反,包含正丁胺和四(二甲氨基)硅烷等配位体的类似氨基硅烷,在较低的操作温度下却不能沉积不含碳的膜,膜的均匀性也较差。
现有技术对氨基硅烷化合物--双(叔丁氨基)硅烷的生产方法尚无记述。然而,氨基硅烷化合物目前的生产方法一般包括一种或多种溶剂。在使用之前溶剂必须纯化和干燥,以防在最终产品中引入杂质,干燥能防止新生成的化合物水解成硅氧烷和其相应的胺。K.N.Radhamani等人的论文“对三(氨基)硅烷--(R2N)3SiH的高产率室温合成和光谱研究”,磷、硫、和硅(Phosphorous,Sulfur,and Silicon),Vol.66(1992),p297-300(“Radhamani I”)和K.N.Radhamani等人的“采用三(环己氨基)硅烷氨基交换高产率室温合成三(氨基)硅烷混合物的方便方法和它们的特性”,磷、硫、和硅,Vol.79(1993),p65-68(“Radhamani II”),分别叙述了合成三氨基硅烷和氨基硅烷混合物的类似反应。Radhamani I叙述了使仲胺(R2NH)与三氯硅烷反应,生成(R2N)3SiH和3R2NH·HCl盐。类似地,Radhamani II叙述了使二环己胺与三氯硅烷反应,生成三(二环己氨基)硅烷和二环己胺·HCl盐。这两个反应都是在接近室温的温度下,在氮气氛中采用苯/正己烷混合物作为溶剂进行的。苯和正己烷溶剂是采用蒸馏纯化的,是在反应中使用之前采用钠丝干燥的。
因此,在本领域需要提供氨基硅烷--双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法。在本领域还需要在产率高、循环时间短、工艺温度低、和挥发性小的条件下,在单个反应容器中生产和纯化氨基硅烷化合物--双(叔丁氨基)硅烷的安全的成本有效的工业方法。因此,能在不需要溶剂的情况下,以较高的产率,较低的操作温度生产氨基硅烷化合物--双(叔丁氨基)硅烷化合物是意外的和未曾料到的。
这里全文引入本申请援引的所有文献作为参考。
发明概述
本发明在某种程度上是针对着氨基硅烷--双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法的。具体而言,在本发明的一个方面,提供一种制备氨基硅烷化合物的方法,其中包括使至少一种超过化学计算量的胺,与至少一种具有化学式R3nSiCl4-n的氯硅烷在无水条件下充分反应,生成包含氨基硅烷产品和胺盐酸盐的液体,所述的胺选自具有化学式R12NH的仲胺、具有化学式R2NH2的伯胺、或它们的组合,式中R1和R2各自可以分别是具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基、或支链烷基;R3可以是氢原子、胺基、或具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基、或支链烷基;和n是1-3的数。
在本发明的另一个方面,提供一种生产双(叔丁氨基)硅烷产品的方法,其中包括:使叔丁胺与二氯硅烷在无水条件下充分反应,生成包含所述双(叔丁氨基)硅烷产品和叔丁胺盐酸盐的液体;使该液体通过过滤器,提供叔丁胺盐酸盐滤饼和滤液;和纯化该滤液,提供双(叔丁氨基)硅烷产品。
在本发明的另一个方面,提供一种生产氯化物含量≤15ppm的双(叔丁氨基)硅烷产品的方法,该方法包括:使叔丁胺与二氯硅烷在无水条件下充分反应,生成包含双(叔丁氨基)硅烷产品和叔丁胺盐酸盐的液体;使该液体通过过滤器,提供叔丁胺盐酸盐滤饼和滤液;用叔丁胺洗涤叔丁胺盐酸盐滤饼,其中采用至少一部分叔丁胺洗涤液作为反应步骤的至少一部分叔丁胺;和纯化该滤液,提供双(叔丁氨基)硅烷产品。
在本发明的另一个方面,提供一种生产双(叔丁氨基)硅烷产品的方法,该方法包括使超过化学计算量的叔丁胺与二氯硅烷在无水条件下充分反应,生成包含双(叔丁氨基)硅烷产品的液体。
根据下面的详细说明,本发明的这些和其它方面是显而易见的。
对附图中几个视图的简述
图1提供对本发明一个实施方案中所采用的系统的说明。
发明详述
本发明是针对着氨基硅烷化合物,特别是双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)的生产和纯化方法的。与使用溶剂生产氨基硅烷化合物的现有方法不同,本发明采用一种反应物胺作为反应的溶剂。本发明的某些方面还有利于从包含氨基硅烷的粗产品液体中除去反应副产物胺盐酸盐,所以减少了盐在后续工艺步骤中的升华。这使氨基硅烷化合物的纯度高于迄今所能达到的水平。此外,通过在随后的反应中再循环、回收、和重新使用反应物胺,本发明还可以提供一种成本更有效的生产氨基硅烷化合物的方法。
虽然不想受到理论的约束,但认为本发明包括至少一种反应物胺和至少一种分散在包含胺的反应混合物中的反应物氯硅烷之间的反应。胺的来源可以是仲胺R12NH或伯胺R2NH2,式中R1和R2可以是具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基、或支链烷基,或优选具有1-10个碳原子。所使用的胺优选在反应温度和压力下是液态的胺,并能生成不溶解在液态反应产物中的胺盐酸盐。典型的仲胺包括二烷基、二芳基、和芳基烷基胺。典型的伯胺包括叔丁胺。优选的烷基胺来源是伯胺--叔丁胺(TBA)。反应物氯硅烷可以是具有化学式(R3)nSiCl4-n的化合物,式中R3可以是氢原子、胺基、或具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基、或支链烷基,优选具有1-10个碳原子,n是1-3的数。优选的反应物氯硅烷是二氯硅烷(DCS)。
在某些实施方案中,优选在反应物胺和/或氯硅烷的取代基R1、R2、和/或R3中,至少一个是空间位阻较小的。这里采用的术语“有空间位阻的”取代基,系指能借助其大小阻止与另一个分子发生指定反应的自由基。有空间位阻的烷基的一些非限制性实施例,包括大的伯(1°)烷基,例如十八烷基或十九烷基;仲(2°)烷基,例如异丙基、异丁基、或异戊基;或叔(3°)烷基,例如叔丁基(“t-丁基”)或叔戊基(“t-戊基”)。
胺在反应混合物中的存在量超过化学计算量,胺在反应中可以起反应物和溶剂两种作用。胺作为溶剂和反应物的两种用途,比现有技术包括溶剂的方法具有许多优点。首先,胺的两种用途能确保推动反应进行完全。这避免了在反应完全后有未反应的反应物氯硅烷留在溶剂中的可能性。其次,从液态反应产物或后续操作步骤中除去的胺,可以在反应步骤中作为反应物重新使用。
胺和氯硅烷之间的反应产物是一种液态的粗产品,除了氨基硅烷化合物以外,其中还包含胺和胺盐酸盐。该反应迅速地进行,是放热反应,在生成氨基硅烷化合物的过程中是有选择性的。在本发明优选的实施方案中,使反应物TBA和DCS发生反应,生成包含BTBAS的液体。这里将这种液体称作“BTBAS粗产品”,除BTBAS之外,它还包含TBA和叔丁胺盐酸盐(TBA·HCl)。在BTBAS粗产品中BTBAS的预期产率≥理论产率的80%,更优选≥理论产率的90%。优选将BTBAS粗产品进一步加工,例如在作为例如化学蒸气沉积的母体使用之前进行纯化。当用作母体时,要求在纯化过的BTBAS中存在的氯化物量≤15ppm,以避免在CVD沉积的膜中引入氯化物污染物。
本发明的一个具体实施例的工艺化学的实例,可以用下列方程表示:
对于上述方程,BTBAS粗产品液体是由叔丁胺(TBA)和二氯硅烷(DCS)反应生成的。反应的每mol DCS消耗4mol TBA。采用超过化学计算量的TBA作为溶剂。BTBAS粗产品液体包含2mol的叔丁胺盐酸盐(TBA·HCl),它们是每mol二氯硅烷(DCS)发生反应生成的。
如前所述,氨基硅烷化合物是由至少一种胺反应物和至少一种氯硅烷反应物之间发生反应生成的,其中至少一种胺反应物是以超过化学计算量的量存在在反应混合物中。在本发明的一个方面,加入反应器中的至少一部分胺是从前面的反应返回的,例如洗涤前面反应产生的盐滤饼使用的胺洗液和从粗产品液体中分离的胺。在一些优选的实施方案中,反应物,特别是氯硅烷反应物,可以是高纯度的,优选纯度≥98%,以减少包含氨基硅烷的粗产品的杂质量。在氯硅烷反应物是DCS的实施方案中,DCS反应物可以包含杂质一氯硅烷和三氯硅烷,每一种的存在量都≤1重量%。
可以搅拌反应混合物,以增强胺和氯硅烷反应物之间的接触。搅拌可以采用例如超声波能量或机械搅拌进行。在机械搅拌混合物的实施方案中,反应器可以安装涡轮或夹带空气的叶轮搅拌器。
反应是在无水的条件下进行的,以避免氯硅烷反应物和氨基硅烷产品水解。在这种情况下,在进行反应之前,通过加热、真空、或其它方法彻底干燥反应器系统。反应是在温度-10-50℃下进行的,优选0-35℃。由于反应是放热反应,可以采用反应器夹套或类似的装置冷却反应器来维持温度。
在本发明优选的实施方案中,可以以液体或蒸气的形式将氯硅烷反应物加到反应混合物中。在以蒸气形式加入氯硅烷反应物的实施方案中,可以采用不起反应的气体例如氮或惰性气体作为载体气体,将蒸气送入反应混合物中。将氯硅烷反应物加入反应混合物中,直到胺对包含氨基硅烷产品的液体或粗产品液体达到所需的转化率为止。在某些实施方案中,转化率受粗产品液体中充分悬浮副产品胺盐酸盐能力的限制。在另一些实施方案中,通过补充氯硅烷和/或胺反应物和从反应器中除去反应产物例如副产品盐和粗产品液体,可以使反应以连续方式进行。
在本发明的一个方面,使反应器中的反应混合物通过至少一个过滤器,基本上从粗产品液体中除去副产品盐。适宜的过滤介质由与粗产品或其中包含的任何成分不起反应的材料,例如陶瓷、玻璃粉、或某些金属组成。优选孔眼较细的筛网过滤器,例如0.2-0.5μm的筛网过滤器,以减少副产品盐残留在滤液中的可能性。过滤步骤可以在真空下进行,有助于从粗产品液体中分离盐。优选过滤操作在温度0-30℃下进行,以防盐从粗产品液体中升华。在过滤器表面上形成的盐滤饼,可以用胺反应物例如TBA洗涤,进一步回收氨基硅烷产品,例如粗产品中包含的BTBAS。可以采用这种胺洗涤液作为以后反应的给料。在一些实施方案中,过滤后残留在粗产品中的胺盐酸盐量足够低,以致考虑采用包括较高操作温度即100-180℃的纯化方法。
如前所述,粗产品液体也可以包含一定量的胺。可以采用例如蒸发或其它方法将这些胺从粗产品液体中除掉或分离出去。在一个实施方案中,将粗产品液体加热到≥胺蒸发温度的温度,蒸发胺反应物并在收集容器中冷凝。可以采用收集容器中的胺作为反应步骤的胺反应物。采用真空有助于从粗产品液体中除掉胺。在蒸发和/或其它除胺方法之后,在粗产品液体中残留的胺量优选≤10重量%。粗产品液体可以在从粗产品中除胺之前和/或之后进行过滤。在一个具体的实施方案中,在过滤除去TBA·HCl副产品盐之前,从BTBAS粗产品液体中蒸发TBA。
包含氨基硅烷的粗产品液体可以采用一种或多种方法进行纯化,基本上分离出其中包含的氨基硅烷产品。纯化粗产品的温度和压力反应条件,随所采用的纯化方法而改变。适宜的纯化方法的实例,包括但不限于蒸馏、蒸发、膜分离、提取、和它们的组合。在一个具体的实施方案中,采用蒸馏分离其中包含的BTBAS的方法纯化BTBAS粗产品。在这些实施方案中,压力可以发生很大的变化,从大气压力变化到高度真空,温度也可以发生很大的变化,从0℃变化到180℃,或优选70-90℃。在本发明的一个实施方案中,蒸馏是在压力40-100托,优选40-60托,和温度70-90℃下进行的。
图1对按照本发明方法的一个实施方案,使用TBA和DCS作为反应物合成BTBAS采用的系统10提供图解说明。系统10具有反应器容器20、接受器容器30、和闪蒸容器40。容器10、20、和30是流体相通的,每个容器分别安装有机械搅拌器22、32、和42,和分别安装有加热/冷却夹套24、34、和44。容器20和40与氮气源是流体相通的,以便为插入管26和容器40提供氮气吹扫。反应器容器20装入超过化学计算量的液态TBA,TBA由所示的给料槽60提供。至少一部分TBA反应物也可由容器30和40提供。DCS反应物装在一对气瓶50中,通过插入管26以蒸气形式供给反应器容器20。在开始加入DCS反应物时,优选用氮或其它不起反应的气体吹扫插入管26,以防插入管中的试剂和pluggage反应。在反应进行以后,使反应器容器中的粗产品液体通过过滤器70,以在过滤器表面上形成盐滤饼(未示出)的方式,在过滤器中收集TBA·HCl副产品盐,过滤出来的包含BTBAS和TBS的粗产品液体,可收集在闪蒸容器40内。使用真空泵90有利于粗产品滤液从滤床中过滤出来。从槽60提供的TBA洗涤液,可用来进一步洗涤盐滤饼中残留的BTBAS。也可以将这种TBA洗涤液收集在容器40中。在容器40中,过滤的粗产品液体可通过加热/冷却夹套44加热到TBA的蒸发温度或略高于蒸发温度,或45℃,以便蒸发其中所含的TBA。蒸发的TBA收集在接受容器槽30中,可以通过加热/冷却夹套34冷却,提供液态的TBA。真空泵100有助于从过滤的粗产品中除去蒸发的TBA。可以采用接受器槽30中的TBA作为反应器容器20的供给来源。在除去蒸发的TBA以后,可使残留在容器40中的过滤的粗产品通过过滤器80并收集起来。然后可以采用这里所述的任何方法纯化这种过滤的BTBAS粗产品,提取BTBAS产品。
采用下列实施例更详细地说明本发明,但应理解为本发明并不受这些实施例的限制。气体色谱(“GC”)分析是采用J&W Scientific制造的30mXT-5柱以及质量选择检测器界面进行的。
实施例
对比例:采用THF作为溶剂合成双(叔丁氨基)硅烷
将包含150ml四氢呋喃(THF)溶剂和50ml TBA的反应混合物,加到伊利诺斯州莫林的Parr仪器公司(Parr Instrument Co.of Moline)制造的300ml不锈钢反应器中,该反应器安装有电磁搅拌器。将反应器与不锈钢真空管线连接,管线上安装有二个300cc的不锈钢平衡器(ballasts)、压力表、苏打-石灰捕集器、和真空泵。用氮吹扫反应器,将其冷却到24℃,在反应过程中反应器温度始终保持在24℃。通过在液面下的插入管,以蒸气的形式将高纯度(例如99.8%)的二氯硅烷(DCS)连续加到反应混合物中。在反应过程中消耗的DCS总量为10.1g。将反应器密封,在搅拌下使其升温到室温。在反应完全以后,排出反应器中的气体,并用N2吹扫。
通过Ace Glass制造的0.45μm玻璃粉过滤器,排出反应器中的反应混合物,从包含BTBAS的液体中除去TBA·HCl盐。采用旋转式蒸发器从包含BTBAS的液体中除去溶剂,提供最终的浓缩产品。采用GC分析方法分析浓缩产品,确定其中包含下列成分:0.40%TBA,88.78%BTBAS,0.45%3-氮杂-2,2,8,8-四甲基-5-氧杂-4,6-disilanane,0.50%三(叔丁氨基)硅烷,0.94%双{[(叔丁基)氨基]硅杂甲基}(叔丁基)胺,1.8%的其它杂质,其余的假定是THF。
实施例1:采用TBA反应物作为溶剂合成双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)
将250ml无水的液态叔丁胺(TBA),加到伊利诺斯州莫林的Parr仪器公司制造的300ml不锈钢反应器中,该反应器安装有电磁搅拌器。在加入TBA反应物之前,用氮吹扫反应器。将反应器与不锈钢真空管线连接,真空管线上安装有二个300cc的不锈钢平衡器、压力表、苏打-石灰捕集器、和真空泵。用干冰/丙酮浴将反应器冷却到-5℃。通过在液面下的插入管,以蒸气的形式将高纯度(例如99.8%)的DCS连续加到TBA液体中,提供反应混合物。在反应过程中消耗的DCS总量为8.2g。在反应过程中始终搅拌反应混合物。将反应器密封,通过反应器器壁除去反应放出的热量。在反应完全以后,排出反应器中的气体,并用N2吹扫。
反应产物是包含BTBAS的粗产品液体,其中包含TBA·HCl盐。采用GC分析方法分析该液体,确定其中包含下列成分:91.90%TBA,7.34%BTBAS,0.13%3-氮杂-2,2,8,8-四甲基-5-氧杂-4,6-disilanane,0.012%三(叔丁氨基)硅烷,0.028%双{[(叔丁基)氨基]硅杂甲基}(叔丁基)胺,和0.064%少量存在的其它杂质。
实施例1表明,可以采用过量的TBA作为溶剂合成BTBAS。不需要任何外加的溶剂,这取消了与溶剂纯化和干燥有关的步骤。还能避免在反应后有未反应的DCS残留在溶剂中的可能性。
实施例2:BTBAS粗产品的蒸馏
按照在实施例1中所述的方法制备BTBAS粗产品。在约7段1in×7in的蒸馏塔中蒸馏BTBAS粗产品,塔内装有0.16″不锈钢PROPACKTM,操作温度<100℃,压力<100托,从粗产品液体获得纯的BTBAS。发现在蒸馏温度和压力下,在粗产品中包含的TBA·HCl盐发生离解,沉积在蒸馏系统的各种部件上,从而引起操作问题。发现不同馏分的馏出液都含有大量的氯化物,或氯化物>1,500ppm。因此,TBA·HCl盐的存在对蒸馏操作产生不利的影响,获得的BTBAS产品包含不希望有的残余氯化物杂质含量。
实施例3:过滤的BTBAS粗产品的蒸馏
按照在实施例1中所述的方法制备BTBAS粗产品。使BTBAS粗产品通过Ace Glass制造的0.45μm玻璃粉过滤器,从该液体中除去TBA·HCl盐。采用TBA洗涤,从TBA·HCl滤饼中除去残留的粗产品。捕集TBA洗涤液,在随后的反应中使用。
在过滤后,采用与在实施例2中所述相同的方法蒸馏BTBAS粗产品。观测到在蒸馏塔冷凝器中的TBA·HCl盐量可以忽略,这表明0.45μm过滤器只漏掉少量的氯化物沉淀物。然而,这么多的盐不会引起操作问题,所得产品的氯化物含量<15ppm。实施例3与实施例2对比表明,有效的过滤粗产品能除去包含在BTBAS粗产品中的大部分TBA·HCl盐,使BTBAS粗产品更有效地纯化。
实施例4:BTBAS粗产品在50托压力下的蒸馏
采用按实施例1中所述的方法制备的250ml BTBAS粗产品进行间歇蒸馏,再使其通过0.45μm玻璃粉过滤器。蒸馏是在与实施例2和3相同的蒸馏系统中进行的。蒸馏塔先在全回流下操作,在建立均衡条件之后,确定回流比为0.5。蒸馏塔是在50托压力下操作的。再沸器的温度从30℃提高到86℃,直到蒸馏结束为止。采用GC分析测定,所有产品馏分的BTBAS含量均>99.3重量%。未见有热分解发生。
实施例4表明,可以在不影响最终产品纯度和在减少BTBAS产品热分解的情况下,采用蒸馏纯化方法在较低的操作温度和真空条件下纯化BTBAS粗产品。
实施例5:前面反应的TBA的再循环
在安装有搅拌器的100gal不锈钢槽反应器中加入600lb叔丁胺(TBA)。大约装料的一半是再循环的叔丁胺,是从前面的合成反应回收的,其余的是新材料。将反应器冷却到5-10℃。通过液面下的插入管,在5.25h内将气态的二氯硅烷加到反应器中。使总共451b二氯硅烷发生反应。采用Rosenmund过滤器/干燥器过滤产品。滤饼采用下次反应装料使用的叔丁胺洗涤。在真空下干燥滤饼,收集获得的冷凝液。在采用真空捕集过量的叔丁胺时,产品收集在闪蒸容器中。产品先通过1μm聚丙烯袋式过滤器过滤,然后通过0.45μm聚丙烯滤筒过滤。最后在无叔丁胺的基础上测定,BTBAS是99.5%,TBA含量<10%。这种产品很容易进行最后的纯化蒸馏。
虽然参照本发明的具体实施例详细地叙述了本发明,但对本领域的技术人员而言,显然可以在不超出本发明的内容和范围的情况下,对本发明进行各种变动和改进。

Claims (20)

1.一种生产氨基硅烷的方法,该方法包括使至少一种超过化学计算量的胺,与至少一种具有化学式(R3)nSiCl4-n的氯硅烷,在不存在有机溶剂的无水条件下充分反应,生成包括氨基硅烷产品和胺盐酸盐的液体,所述的胺选自具有化学式(R1)2NH的仲胺、具有化学式R2NH2的伯胺、或它们的组合,式中R1和R2各自分别是具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基、或支链烷基;R3是氢原子、胺基、或具有1-20个碳原子的直链烷基、环烷基或支链烷基;和n是1-3的数。
2.权利要求1的方法,还包括:
使液体通过过滤器,提供胺盐酸盐滤饼和滤液;和
纯化该滤液,提供氨基硅烷产品。
3.权利要求2的方法还包括用胺洗涤胺盐酸盐滤饼。
4.权利要求3的方法,其中反应步骤中的至少一部分胺是胺洗涤液。
5.权利要求2的方法,其中纯化步骤是至少一种选自蒸馏、蒸发、膜分离、提取、和它们的组合的方法。
6.权利要求5的方法,其中纯化方法是蒸馏。
7.权利要求6的方法,其中蒸馏是在压力40-100托下进行的。
8.权利要求7的方法,其中蒸馏是在温度70-90℃下进行的。
9.权利要求1的方法,其中胺是仲胺。
10.权利要求1的方法,其中胺是伯胺。
11.权利要求10的方法,其中胺是叔丁胺。
12.权利要求1的方法,其中所述的氨基硅烷是双(叔丁氨基)硅烷产品,该方法包括:
使叔丁胺与二氯硅烷在不存在有机溶剂的无水条件下充分反应,生成包括双(叔丁氨基)硅烷产品和叔丁胺盐酸盐的液体;
使该液体通过过滤器,提供叔丁胺盐酸盐滤饼和滤液;和
纯化该滤液,提供双(叔丁氨基)硅烷产品。
13.权利要求1的方法,其中所述的氨基硅烷是氯化物含量≤15ppm的双(叔丁氨基)硅烷产品,该方法包括:
使叔丁胺与二氯硅烷在不存在有机溶剂的无水条件下充分反应,生成包括双(叔丁氨基)硅烷产品和叔丁胺盐酸盐的液体;
使该液体通过过滤器,提供叔丁胺盐酸盐滤饼和滤液;
用叔丁胺洗涤叔丁胺盐酸盐滤饼,其中使用至少一部分叔丁胺洗涤液作为反应步骤的至少一部分叔丁胺;和
纯化该滤液,提供双(叔丁氨基)硅烷产品。
14.权利要求13的方法,其中纯化步骤是至少一种选自蒸馏、蒸发、膜分离、提取、和它们的组合的方法。
15.权利要求14的方法,其中纯化方法是蒸馏。
16.权利要求15的方法,其中蒸馏是在压力40-100托下进行的。
17.权利要求16的方法,其中蒸馏是在温度70-90℃下进行的。
18.权利要求13的方法,其中反应步骤中的液体还包括叔丁胺。
19.权利要求18的方法,其中采用蒸发方法从该液体中除去叔丁胺。
20.权利要求1的方法,其中所述的氨基硅烷是双(叔丁氨基)硅烷产品,其中包括使超过化学计算量的叔丁胺与二氯硅烷在不存在有机溶剂的无水条件下充分反应,生成包括双(叔丁氨基)硅烷产品的液体。
CNB2004100018694A 2003-01-15 2004-01-15 双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法 Expired - Lifetime CN100384858C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/342930 2003-01-15
US10/342,930 US6963006B2 (en) 2003-01-15 2003-01-15 Process for the production and purification of bis(tertiary-butylamino)silane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1517352A CN1517352A (zh) 2004-08-04
CN100384858C true CN100384858C (zh) 2008-04-30

Family

ID=32594858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100018694A Expired - Lifetime CN100384858C (zh) 2003-01-15 2004-01-15 双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6963006B2 (zh)
EP (1) EP1439180B1 (zh)
JP (1) JP4031445B2 (zh)
KR (1) KR100582878B1 (zh)
CN (1) CN100384858C (zh)
AT (1) ATE358133T1 (zh)
DE (1) DE602004005505T2 (zh)
IL (1) IL159769A (zh)
SG (1) SG113493A1 (zh)
TW (1) TWI260326B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875556B2 (en) 2005-05-16 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films
US7875312B2 (en) * 2006-05-23 2011-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon oxide films for organoaminosilane precursors
US8530361B2 (en) 2006-05-23 2013-09-10 Air Products And Chemicals, Inc. Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors
US8318966B2 (en) * 2006-06-23 2012-11-27 Praxair Technology, Inc. Organometallic compounds
US20080044572A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Loeffler Stephen D Right-sized vacuum precursor (rsvp) distillation system
US7442822B2 (en) 2006-09-01 2008-10-28 Air Products And Chemicals, Inc. Stabilization of nitrogen-containing and oxygen-containing organosilanes using weakly basic ion-exchange resins
US20080145978A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp Deposition of silicon germanium nitrogen precursors for strain engineering
DE102008002181A1 (de) * 2008-06-03 2009-12-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur wässrigen Aufarbeitung eines Ammoniumhalogenide und/oder organische Aminhydrohalogenide enthaltenden aminofunktionellen Organosilans
DE102008002183A1 (de) * 2008-06-03 2009-12-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Aufarbeitung salzhaltiger Rückstände aus der Herstellung von aminofunktionellen Organosilanen
KR101040325B1 (ko) 2009-08-25 2011-06-10 (주)디엔에프 알킬아미노실란의 제조방법
CN102442672B (zh) * 2011-09-28 2013-07-24 洛阳晶辉新能源科技有限公司 一种将含杂质的氯硅烷净化回收的方法及其在多晶硅生产中的应用
JP6094994B2 (ja) * 2013-02-04 2017-03-15 大陽日酸株式会社 原料ガス生成供給方法
JP6086250B2 (ja) * 2014-04-25 2017-03-01 大陽日酸株式会社 気液反応方法及びアミノシランの製造方法
KR101525174B1 (ko) * 2014-06-30 2015-06-02 주식회사 유피케미칼 디클로로실란을 이용한 알킬아미노실란의 제조 방법
JP6812855B2 (ja) * 2017-03-10 2021-01-13 Jnc株式会社 ジアルキルアミノシランの製造方法
CN112110948B (zh) * 2020-09-29 2023-07-14 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种液态双氨基取代的乙硅烷制备方法及其产物的应用
CN112812134A (zh) * 2020-12-26 2021-05-18 浙江博瑞电子科技有限公司 一种双(叔丁基氨基)硅烷的精制方法
CN112661781A (zh) * 2020-12-26 2021-04-16 浙江博瑞电子科技有限公司 一种双(叔丁基氨基)硅烷的制备方法
CN114573628A (zh) * 2022-04-13 2022-06-03 洛阳中硅高科技有限公司 胺基硅烷的制备系统和方法
CN115073507A (zh) * 2022-07-04 2022-09-20 浙江博瑞电子科技有限公司 一种无溶剂参与制备二(二乙基氨基)硅烷的方法
CN116036630A (zh) * 2023-01-10 2023-05-02 贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司 一种电子级双-二乙氨基-硅烷的制造装置及制造方法
CN116036633B (zh) * 2023-02-13 2024-04-26 贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司 一种电子级硼酸三乙酯的环保节能制备方法及配套设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4304805A (en) * 1978-12-04 1981-12-08 Joseph J. Packo Sealing leaks by polymerization of volatilized aminosilane monomers
JPS61287930A (ja) * 1985-06-17 1986-12-18 Chisso Corp ポリシラザンの製造方法
US5874368A (en) 1997-10-02 1999-02-23 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon nitride from bis(tertiarybutylamino)silane
AU2569699A (en) * 1998-01-30 1999-08-16 Boulder Scientific Company Silylated and n-silylated compound synthesis
US5976991A (en) 1998-06-11 1999-11-02 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane
US7084080B2 (en) 2001-03-30 2006-08-01 Advanced Technology Materials, Inc. Silicon source reagent compositions, and method of making and using same for microelectronic device structure

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A Convenient High Yield Room Temperature Synthesis ofMixed Tri(amino)silanes by Transamination ofTris(dicyclohexylamino)silane and Their Characterisation.. K. N. RADHAMANI等人.PHOSPHORUS, SULFUR AND SILICON,Vol.79 . 1993
A Convenient High Yield Room Temperature Synthesis ofMixed Tri(amino)silanes by Transamination ofTris(dicyclohexylamino)silane and Their Characterisation.. K. N. RADHAMANI等人.PHOSPHORUS, SULFUR AND SILICON,Vol.79 . 1993 *
High Yield Room Temperature Synthesis and Spectral Studies of Tri(amino)silanes (R2N)3SiH. K. N. RADHAMANI等人.PHOSPHORUS, SULFUR AND SILICON,Vol.66 . 1992
High Yield Room Temperature Synthesis and Spectral Studies of Tri(amino)silanes (R2N)3SiH. K. N. RADHAMANI等人.PHOSPHORUS, SULFUR AND SILICON,Vol.66 . 1992 *

Also Published As

Publication number Publication date
ATE358133T1 (de) 2007-04-15
IL159769A (en) 2008-03-20
IL159769A0 (en) 2004-06-20
DE602004005505T2 (de) 2007-12-13
KR100582878B1 (ko) 2006-05-24
JP4031445B2 (ja) 2008-01-09
EP1439180A1 (en) 2004-07-21
TWI260326B (en) 2006-08-21
KR20040065165A (ko) 2004-07-21
SG113493A1 (en) 2005-08-29
TW200412348A (en) 2004-07-16
US20040138491A1 (en) 2004-07-15
US6963006B2 (en) 2005-11-08
CN1517352A (zh) 2004-08-04
EP1439180B1 (en) 2007-03-28
DE602004005505D1 (de) 2007-05-10
JP2004217659A (ja) 2004-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100384858C (zh) 双(叔丁氨基)硅烷的生产和纯化方法
KR101362903B1 (ko) 아미노실란 및 이를 제조하는 방법
WO2017106615A1 (en) Synthesis of disilanylamines and polysilanylamines
EP3275886B1 (en) Method for producing dialkylaminosilane
CN114751934A (zh) 新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途
KR101040325B1 (ko) 알킬아미노실란의 제조방법
US11028108B2 (en) Method for producing dialkylaminosilane
US20120165564A1 (en) Method for preparing purified aminosilane
US20230287015A1 (en) 1,1,1-tris(organoamino)disilane compounds and method of preparing same
CN101772510B (zh) 生产氨基有机硅烷的方法
US20190337968A1 (en) Method for producing halosilane compounds
US8981138B2 (en) Method for producing aminoorganosilanes
WO2019188103A1 (ja) アミノシラン化合物、前記アミノシラン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
US7030260B2 (en) Preparation of mixed-halogen halo-silanes
CN1417212A (zh) 在3-位官能化的丙基硅烷的制备方法
EP0774467B1 (en) Method for redistribution of trichlorosilane
JP3419153B2 (ja) 1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンの製造方法
KR20170005305A (ko) 트리스(알킬아미노)실란의 제조 방법
KR20210146329A (ko) 사이클로실란 제조 방법
KR20040026070A (ko) 고순도 알콕시실란의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170626

Address after: Arizona, USA

Patentee after: Versum Materials US, LLC

Address before: American Pennsylvania

Patentee before: Air Products and Chemicals, Inc.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20080430