CH474032A - Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium - Google Patents

Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium

Info

Publication number
CH474032A
CH474032A CH1429964A CH1429964A CH474032A CH 474032 A CH474032 A CH 474032A CH 1429964 A CH1429964 A CH 1429964A CH 1429964 A CH1429964 A CH 1429964A CH 474032 A CH474032 A CH 474032A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
crucible
quartz crucible
silicon
quartz
melting silicon
Prior art date
Application number
CH1429964A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Theodor Dr Rummel
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH474032A publication Critical patent/CH474032A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
CH1429964A 1964-01-13 1964-11-04 Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium CH474032A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0089028 1964-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH474032A true CH474032A (de) 1969-06-15

Family

ID=7514832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1429964A CH474032A (de) 1964-01-13 1964-11-04 Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium

Country Status (2)

Country Link
BE (1) BE658110A (en))
CH (1) CH474032A (en))

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4010064A (en) * 1975-05-27 1977-03-01 International Business Machines Corporation Controlling the oxygen content of Czochralski process of silicon crystals by sandblasting silica vessel
GB1577413A (en) * 1976-03-17 1980-10-22 Metals Research Ltd Growth of crystalline material
JPS6090890A (ja) * 1983-10-24 1985-05-22 Mitsubishi Monsanto Chem Co 無機化合物単結晶の成長方法及び単結晶成長用ボ−ト
USH520H (en) 1985-12-06 1988-09-06 Technique for increasing oxygen incorporation during silicon czochralski crystal growth
US4747774A (en) * 1987-02-09 1988-05-31 Westinghouse Electric Corp. Conforming crucible/susceptor system for silicon crystal growth
US5980629A (en) * 1995-06-14 1999-11-09 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for improving zero dislocation yield of single crystals
US5976247A (en) * 1995-06-14 1999-11-02 Memc Electronic Materials, Inc. Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance

Also Published As

Publication number Publication date
BE658110A (en)) 1965-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3329306A1 (de) Verfahren zur gerichteten verfestigung einer metallschmelze
CH644408A5 (de) Vorrichtung und verfahren zum giessen von gegenstaenden mit gelenkter kristall-lagerung.
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
CH474032A (de) Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium
DE7538536U (de) Vorrichtung zum wachsen von kristallen in form eines duennen streifens
DE2833515C2 (de) Präzisionsgießform aus Keramik und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3325242C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Verbindungshalbleiter-Einkristalls
DE2933761C2 (de) Verfahren zur Herstellung gerichtet erstarrter Gußstücke
DE1519836B1 (de) Vorrichtung zum ziehen von halbleiterkristallen aus einer schmelze
DE1941968C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
DE2546246C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines stabförmigen Einkristalls
DE2358300C3 (de) Vorrichtung zum senkrechten Halten eines Halbleiterkristallstabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2604351A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen, bei dem eine halbleitermaterialschicht auf einem substrat angebracht wird, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen
DE1508615A1 (de) Giesszapfen mit Behaelter
DE69711565T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Kristallzüchtung
DE1278413B (de) Verfahren zum Ziehen duenner stabfoermiger Halbleiterkristalle aus einer Halbleiterschmelze
DE4018924A1 (de) Verfahren zur herstellung von gerichtet erstarrten giessteilen
DE666720C (de) Verfahren zur Herstellung von Ziehsteinen aus Hartmetall
DE576341C (de) Verfahren und Vorrichtung zum fortlaufenden Erzeugen von Glasroehren
DE1141978B (de) Verfahren zum Herstellen duenner einkristalliner Halbleiterstaebe
EP0491656A1 (de) Giessverfahren zur Herstellung von gerichtet erstarrten oder einkristallinen Bauteilen
DE2060673C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Phosphiden
DE526901C (de) Verfahren zum Erzeugen vollkommen verglaster Bloecke aus geschmolzenem Quarz
DE1222903B (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium-dendriten und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1912379A1 (de) Verfahren zum Giessen von Materialien in Einkristallformen

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased