CH644408A5

CH644408A5 - Vorrichtung und verfahren zum giessen von gegenstaenden mit gelenkter kristall-lagerung.

Info

Publication number: CH644408A5
Application number: CH1086879A
Authority: CH
Inventors: Bruce E Terkelsen
Original assignee: United Technologies Corp
Priority date: 1978-12-13
Filing date: 1979-12-07
Publication date: 1984-07-31
Also published as: GB2037200A; FR2444092A1; NL185271C; BE880402A; DE2949446A1; IT1127731B; CA1142839A; DK529479A; GB2037200B; DK158629B; BR7908118A; NO794028L; NL185271B; IL58882A0; DK158629C; JPS6358669B2; NL7908785A; SE7910137L; IT7928074A0; FR2444092B1

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Giessen von Gegenständen mit gelenkter Kristall-Lagerung sowie ein Verfahren zum Giessen von Metall zu Gegenständen mit gelenkter Kristall-Lagerung mit der Vorrichtung unter Erzeugung epitaxiel gerichteter Erstarrung von einem Beimpfungsstück aus, dessen Temperatur vor dem Giessen wesentlich tiefer gehalten wird, als der Schmelzpunkt des zu giessenden Metalls.

Es ist gut bekannt, dass grosse Verbesserungen in der Leistungsfähigkeit von Metallstrukturen durch einseitig gerichtete Giesstechniken bewirkt werden können, welche Gegenstände mit säulenförmigem Gefüge oder Einzelkristalle liefern. Hierzu wird z.B. auf die technischen Lehren von Ver Snyder US-PS 3 260 505 und Piearcey US-PS 3 494 709 hingewiesen. Die Hauptaufgabe der bisherigen Vorrichtungen, Verfahren und Gegenstände ist es gewesen, Strukturen zur Verfügung zu stellen, die verbesserte Eigenschaften entlang der Hauptachse des Gegenstandes haben. Dies heisst, dass die Hauptachse des Gegenstandes typisch die Erstarrungs-Wachstumsachse oder die Achse ist, entlang der die Erstarrungsfront veranlasst wird, sich zu bewegen.

Wenn Metalle gerichtet zur Erstarrung kommen, erstarren oder wachsen sie häufig in natürlicher Weise in einer gelenkten Kristall-Lagerung schneller als in anderen Richtungen. Beispielsweise ist gefunden worden, dass in Nickelbasissuperlegierungen die <001 > Lagerung vorherrschend ist. Als ein Ergebnis besitzen Einzelkristallgussstücke, hergestellt mit Vorrichtungen, die in der US-PS 3 494 709 beschrieben sind, wie vorstehend schon ausgeführt ist, die <001 > Lagerung, die entlang der Wachstumsachse liegt. Daher müssen zur Herstellung einer anderen gelenkten Kri-stall-Lagerung entlang der Hauptachse der Erstarrung spezielle Techniken angewendet werden.

Die Lagerung von Kristallen in bezug auf die Fläche senkrecht zu der Achse der Erstarrung ist in den meisten gerichteten erstarrten Gegenständen dem Zufall überlassen, bis Massnahmen unternommen werden, um eine Steuerung zu bewirken. Die gelenkte Kristall-Lagerung entlang der Hauptachse eines Gussstückes gemessen, wird die primäre Lagerung genannt, während die polare Lagerung in der Fläche senkrecht zu der Hauptachse die sekundäre Lagerung genannt wird.

Die Eigenschaften eines Materials, wie ein säulenförmiges Gefüge oder Einzelkristallmaterial, werden durch seine gelenkte Kristall-Lagerung beeinflusst. Beispielsweise werden die elastischen Module in vielen Legierungen bedeutend variiert und die Leistungsfähigkeit von Teilen unter Belastung und Spannung werden dabei verändert. Daher ist es in mehr gekünstelten Anmeldungen von fortschrittlichen Materialien von steigender Wichtigkeit, beide Lagerungen, nämlich die primären und sekundären Lagerungen zu steuern. Die gelenkten Kristall-Lagerungen von Materialien sind durch herkömmliche zerstörungsfreie Laboratoriumsuntersuchungen bestimmbar. Röntgenbeugungs-Untersu-chungen, z.B. nach der Laue-Methode, sind sehr nützlich. Weiterhin können Wechsel in der gelenkten Struktur leicht durch übliche Kornätzungsprüfungen erkannt werden. Wenn die Lagerung an einem Platz in einem Teil bestimmt ist, wird die Lagerung in einer anderen Region in Abwesenheit einer dazwischenliegenden Gefügetrennungslinie und in Abwesenheit von scharfsinnigen Kristallvariationen jenseits des Bereichs dieser Diskussion die gleiche sein.

Eine erfolgreiche Technik zur Lenkung von Strukturen in Gussartikeln ist die Verwendung eines zuvor hergestellten Metallbeimpfungsstückes, welches die gewünschte Struktur aufweist. Wenn der gegossene Gegenstand von dem Beimpfungsstück aus zum epitaxielen Wachstum gebracht werden kann, wird die Beimpfungsstückstruktur reproduziert werden.

Die Herstellung von gewachsenen Gegenständen aus Beimpfungsstücken ist bekannt. Beispielsweise ist das Bridgman-Verfahren zur epitaxielen Einzelkristallbildung in der US-PS 1 793 672 beschrieben. Andere Veröffentlichungen datieren aus den 1920iger Jahren. Delano beschreibt in der US-PS 2 791 813 Strukturen mit gelenkten Kristall-Lage-rungen in denen Beimpfungskristalle verwendet werden, um das gewünschte Resultat zu erhalten. Barrow et al. beschreiben in der US-PS 3 759 310 eine Vorrichtung und eine elektrische Bogenmethode zur Herstellung von Einzelkristallgegenständen mit einer Verbrauchselektrode, in der ein Beimpfungskristall an dem Boden der Form verwendet wird. In neuerer Zeit gibt Petrov et al. in der US-PS 3 857 436 ein verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einzelkristallgegenständen an. Hierin sind Mittel und Methoden angegeben, um die Kristallisation in einem konisch geformten Bodenraum auszulösen, wo abrupte superabkühlende Bedingungen hervorgerufen werden. In Petrov's US-PS sind weitere Verbesserungsbehandlungen beschrieben. Copley gibt in der US-PS 3 598 169 das Giessen von relativ flachen Gegenständen unter Verwendung von Beimpfungskeilen an und bewirkt dadurch radiale auswärtsgehende Erstarrung.

Mit Ausnahme von Barrow vermeiden alle vorstehend genannten Techniken das Erhitzen der Form vor der Einführung des geschmolzenen Metalls. Praxis im Stand der Technik ist es, dass das Beimpfungsstück in der Form während des Erhitzens ist. Deshalb wird es mit der Form auf eine relativ hohe Temperatur gebracht, wobei in einigen Situationen ihre Anordnung ein geringeres Erhitzen anzeigt. Sobald das überhitzte geschmolzene Metall in die Form eingeführt ist und sich stabilisieren kann, berührt es das erhitzte Beimpfungsstück und bewirkt dessen teilweises Schmelzen. Hierbei ist es erforderlich, mindestens ein Teil des Beimpfungsstückes zu schmelzen, jedoch nur einen Teil des Beimpfungsstückes und dies erfordert eine Steuerung der Ausgangsund Ausgleichsbedingungen des Beimpfungsstückes, der Form, des geschmolzenen Metalls und anderer einflussreicher Faktoren.

Viele Beschreibungen zum Stand der Technik beziehen sich auf Laboratoriumstechniken und sie beziehen sich nicht auf Massenproduktionsverfahren. Jetzt ist ein Trend zu grösserer wirtschaftlicher Verwendung von Gegenständen mit gelenkter Struktur, wie säulenförmigem Gefüge und Einzel-kristallgasturbinenschaufeln, vorhanden. Dies hat die Entwicklung von automatisierten Gusstechniken hervorgerufen, um Gegenstände in Mengen auf einer wirtschaftlichen Basis herzustellen. Gemäss einer dieser Techniken, beschrieben von King et al. in der US-PS 3 895 672, wird eine erhitzte Form an eine Kühlplatte geklammert, gerade vor der Einfüh5

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rung von geschmolzenem Metall in die Form. Wenn der Impfkristall verwendet wird, ist er an der Kühlplatte befestigt, ist daher entsprechend kalt. Die kurze Dauer zwischen dem Eingreifen der heissen Form und der kalten Kühlplatte sieht wenig Zeit vor, die Temperatur des Beimpfungsstückes zu erhöhen. Die gleiche Schwierigkeit kann in einigen der bekannten Vorrichtungen und Verfahren auftreten. Wenn das Beimpfungsstück zu kalt ist, tritt ein ungenügendes Schmelzen ein und Epitaxie ist dadurch nicht zu erhalten. Ein Verfahren zur Überwindung dieser Schwierigkeiten besteht darin, das geschmolzene Metall erheblich zu überhitzen. Es ist jedoch unvorteilhaft, dies durchzuführen, da Überhitzung häufig erhöhte Zeiten und Kosten erfordert, unerwünschte Verdampfung von Elementen eintritt und ein erhöhter Abbau der Form eintritt. Das Beimpfungsstück separat zu erhitzen oder das Beimpfungsstück in die Form miteinzusetzen, wenn die Form erhitzt worden ist nach den Verfahren der älteren Art, ist ebenfalls unvorteilhaft sowohl von den mechanischen als auch den fertigungstechnischen Komplikationen aus gesehen und weil das Beimpfungsstück übermässig oxydiert oder anderweitig verunreinigt werden kann.

Weiterhin muss während der Fertigung von Gegenständen mit gesteuerter primärer und sekundärer gelenkter Kristall-Lagerung berücksichtigt werden, dass nach der Anfertigung die Kristall-Lagerung des Beimpfungsstückes zuerst genau durch geeignete Prüfmethoden bestimmt werden muss und zweitens präzise in bezug auf die Achsen des zu giessenden Gegenstandes gelenkt wird. Dadurch kann das Arbeiten mit Beimpfungsstücken für Gussstücke erhebliche Kosten hervorrufen. Es besteht daher der Wunsch, dass Beimpfungs-stücke aus dem Giessverfahren zurückgewonnen werden können, nachdem der Gegenstand gebildet worden ist und dadurch dessen Wiederverwendung möglich ist. Jedoch schwierig ist die Abtrennung zur Wiederverwendung, wenn das Beimpfungsstück während des Giessvorganges ziemlich weggeschmolzen ist oder durch eine grössere Menge an erstarrtem Metall mit Fremdorientierung umgeben ist.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren, Vorrichtung und Form für die Herstellung von Gussstücken mit gelenkter Kristall-Lagerung unter epitaxieler Kristallzüchtung aus Beimpfungsstücken mit einer bekannten Lagerung zur Verfügung zu stellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist, die Erhaltung, Wiedergewinnung und die Wiederverwendung von Beimpfungsstücken zu verbessern.

Gemäss der Erfindung wird die Vorrichtung zum Giessen von Gegenständen mit gelenkter Kristallagerung durch die folgende Kombination gekennzeichnet:

- eine Kühlplatte zum Kühlen des geschmolzenen Metalls während der gelenkten Erstarrung,

- ein Beimpfungsstück mit einer bekannten Kristallagerung zur Einleitung einer im Gegenstand erwünschten epitaxielen Erstarrung,

- Haltemittel zum Halten des Beimpfungsstückes in einer vorbestimmbaren Lage bezüglich der Giessform und in solcher Lage bezüglich der Kühlplatte, so dass eine gute Wärmeabfuhr vom Beimpfungsstück zur Kühlplatte sichergestellt ist,

- einen Giessraum zur Aufnahme des zu giessenden Gegenstandes und einen Starterteil, um sicherzustellen, dass das geschmolzene Metall um das Beimpfungsstück fliesst, wobei der Starterteil in Berührung mit der Kühlplatte steht und die beiden einen Starterraum festlegen, der zur Aufnahme des Beimpfungsstückes und eines Teils des über und um das Beimpfungsstück zu fliessen bestimmten geschmolzenen Metalls befähigt ist,

- und Befestigungsmittel zum Befestigen der Form an der

Kühlplatte und um die Kristallagerung des Gussgegenstandes in bezug auf das Beimpfungsstück sicherzustellen.

Eine Grenzschicht, wie z.B. ein keramischer Überzug,

kann an ausgewählten Stellen des Beimpfungsstückes angebracht sein, um seine Entfernung von dem festen Metallguss zur Wiederverwendung zu ermöglichen.

In einer Ausführungsform sind Isoliermittel für die Wärmedämmung eines Teils der Kühlplatte im Bereich des Beimpfungsstückes angeordnet, um Wärmeverluste von überschüssigem Metall, welches sich im Starterteil befindet, herabzusetzen, um sicherzustellen, dass epitaxiel erstarrtes Metall, welches von dem Beimpfungsstück ausgeht, in dem Gegenstand anwesend sein wird.

In einer Ausführungsform kann eine Form einen Giessraum, verbunden mit dem Starterraum, mittels eines verengten Abschnittes besitzen. Der Starterraum ist so ausgebildet, um das Beimpfungsstück aufzunehmen und ein Volumen zur Verfügung zu stellen, welches für einen Teil des über und um das Beimpfungsstück geflossenen geschmolzenen Metalls aufnahmefähig ist, um das Beimpfungsstück zu erhitzen und zu schmelzen. Der verengte Abschnitt ist in enger Nachbarschaft zu der Region im Starterraum, wo das Beimpfungsstück einsetzbar ist und nur dem Zweck dient, Metall epitaxiel erstarrt von dem Beimpfungsstück aus in den Giessraum einzutreten. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Form darauf angepasst, geschmolzenes Metall durch den Giessraum aufzunehmen und seine Abführung vom verengten Abschnitt zu übernehmen, in dem es gesteuert fliesst, um auf die Oberfläche des Beimpfungsstückes zu treffen und dass dadurch wirksam das Beimpfungsstück erhitzt und schmilzt.

Die Erfindung ist für die Herstellung des Giessraumes aus jeder Legierung und in jeder gewünschten gesteuerten Struktur geeignet, die mittels eines Beimpfungsstückes reproduzierbar ist. Eine besonders vorteilhafte Anwendung ist die Herstellung von säulenförmigem Gefüge oder Einzelkristallkomponenten aus Nickelsuperlegierungen.

Die Erfindung bewirkt das passende Schmelzen des Beimpfungsstückes, um davon das gewünschte epitaxiele Wachstum sicherzustellen und fehlerhafte Gusstücke zu vermeiden, die anfallen können, wenn das Beimpfungsstück nicht adäquat geschmolzen oder die Verunreinigungsschicht nicht voll entfernt worden ist. Weiterhin gestattet die Erfindung die Verwendung von Beimpfungskristallen, die substantiell nicht vor der Einführung des geschmolzenen Metalls in die Form erhitzt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform werden weiterhin die Kosten der Beimpfungs-stücke reduziert, da ihre leichte Abtrennung von erstarrten Gusstücken und der nachfolgende Wiedergebrauch sichergestellt ist. Die Verwendung von Beimpfungsstücken ist dadurch wirtschaftlicher und dadurch leichter durchführbar im Vergleich zur Erstarrung ohne Beimpfung. Es wird hierdurch möglich, die Vorteile der primären und sekundären Lenkung der Kristall-Lagerung zu verwirklichen. Die Einzelkristallformgestaltung kann vereinfacht und die Ausgangserstarrungsraten erhöht werden und dadurch wird die Produktionsausbeute gesteigert.

Die vorstehenden und anderen Aufgaben, Ausbildungen und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden noch deutlicher aus der ausführlichen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform und den beigefügten Zeichnungen hervorgehen.

Fig. 1 gibt eine Form im Querschnitt wieder, die ein Beimpfungsstück enthält, welches auf einer Kühlplatte montiert ist.

Fig. 2 zeigt einen querlaufenden Querschnitt des Giessraumes der Form in Fig. 1.

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PATENTANSPRÜCHE

1. Vorrichtung zum Giessen von Gegenständen mit gelenkter Kristallagerung, gekennzeichnet durch die folgende Kombination:

- eine Kühlplatte (22) zum Kühlen des geschmolzenen Metalls während der gelenkten Erstarrung,

- ein Beimpfungsstück (28) mit einer bekannten Kristallagerung zur Einleitung einer im Gegenstand erwünschten epita-xielen Erstarrung,

- Haltemittel (46,48) zum Halten des Beimpfungsstückes (28) in einer vorbestimmbaren Lage bezüglich der Giessform (20) und in solcher Lage bezüglich der Kühlplatte (22), so dass eine gute Wärmeabfuhr vom Beimpfungsstück (28) zur Kühlplatte (22) sichergestellt ist,

- einen Giessraum (24) zur Aufnahme des zu giessenden Gegenstandes und einen Starterteil (33), um sicherzustellen, dass das geschmolzene Metall um das Beimpfungsstück (28) fliesst, wobei der Starterteil (33) in Berührung mit der Kühlplatte (22) steht und die beiden einen Starterraum (32) festlegen, der zur Aufnahme des Beimpfungsstückes (28) und eines Teils des über und um das Beimpfungsstück (28) zu fliessen bestimmten geschmolzenen Metalls befähigt ist,

- und Befestigungsmittel (37) zum Befestigen der Form (20) an der Kühlplatte (22) und um die Kristallagerung des Gussgegenstandes in bezug auf das Beimpfungsstück (28) sicherzustellen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Form (20) einen als Führungsmittel (34) dienenden Verengungsabschnitt aufweist, der den Giessraum (24) mit dem Starterraum (32) der Form (20) verbindet, um sicherzustellen, dass nur epitaxiel erstarrtes Material im Giessraum (24) gebildet wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Führungsmittel (34) zwecks Auftreffen geschmolzenen Metalls auf die Oberfläche (38) des Beimpfungsstückes (28) angeordnet sind, um dessen (28) Temperatur zu erhöhen und Oberflächen-Verunreinigungsfilme, welche eine epitaxiele Erstarrung stören, zu entfernen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beimpfungsstück (28) sich in den Starterteil (33) erstreckt, so dass in den Starterteil (33) fliessendes Metall das Beimpfungsstück (28) an seiner Oberfläche (38) bespült, mit Ausnahme desjenigen Teils (40), von dem aus epitaxiele Erstarrung in den Gegenstand stattfindet, derart, dass eine höhere Temperatur des Beimpfungsstückes (28) bewirkt wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Schutzmittel (40) zur Verhütung des Anhaftens von geschmolzenem Metall an vorbestimmbaren Orten des Beimpfungsstückes (22) angeordnet sind, um dessen Entfernen vom erstarrten Gussstück zu erleichtern.
6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass Isoliermittel (44) für die Wärmedämmung eines Teils der Kühlplatte (22) im Bereich des Beimpfungsstückes (28) angeordnet sind, um Wärmeverluste von überschüssigem Metall, welches sich im Starterteil (33) befindet, herabzusetzen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beimpfungsstück (28) aus einem Einzelkristall besteht.
8. Verfahren zum Giessen von Metall zu Gegenständen mit gelenkter Kristallagerung mit der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, unter Erzeugung epitaxiel gerichteter Erstarrung von einem Beimpfungsstück (28) aus, dessen Temperatur vor dem Giessen wesentlich tiefer gehalten wird, als der Schmelzpunkt des zu giessenden Metalls, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

Auftreffen und Fliessen geschmolzenen Metalls über die Oberfläche (38) des Beimpfungsstückes (28), um einen Teil des Beimpfungsstückes (28) zu erhitzen und zu schmelzen und die Oberflächenverunreinigungen, welche die von dem Beimpfungsstück ausgehende epitaxiele Erstarrung stören, zu entfernen.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Beimpfungsstück (28) auf der Kühlplatte (22) in eine hierzu steuerbare Kristallagerung gebracht wird, die erhitzte Form (20) zur Aufnahme des Beimpfungsstückes (28) und des geschmolzenen Metalls auf der Kühlplatte (22) befestigt wird, die Form (20) mit geschmolzenem Metall gefüllt wird, unter Verwendung eines Führungsmittels (34), welches sicherstellt, dass ein Teil des geschmolzenen Metalls über die Oberfläche (38) des Beimpfungsstückes (28) zu einem Beimpfungsraum (32) fliesst, um einen Teil des Beimpfungsstückes (28) zu erhitzen und teilweise zu schmelzen und Verunreinigungsfilme davon zu entfernen, und epitaxiel das geschmolzene Metall erstarren zu lassen, um einen Gegenstand zu bilden, der durch das Beimpfungsstück (28) eine Kristallagerung besitzt, die durch das Beimpfungsstück (28) vorbestimmbar ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass ein gegen geschmolzenes Metall widerstandsfähiger Schild (40) um einen Teil des Beimpfungsstückes (28) angeordnet wird, um das Anhaften von geschmolzenem Metall am Beimpfungsstück (28) zu verhüten, ohne aber dessen Überflutung durch geschmolzenes Metall zu ermöglichen, zum Zwecke, das Entfernen des Beimpfungsstückes aus dem Gussstück nach Erstarrung des Metalls zu erleichtern.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Form (20) mit einem Aufnahmeende (26) zur Aufnahme von geschmolzenem Metall sowie mit einem Starterteil (33) mit einem Beimpfungsraum (32) ausgebildet ist,

wenn die Form (20) auf der Kühlplatte (22) liegt, und dass ein Giessraum (24) für den Gussgegenstand bzw. zur Aufnahme und ICristallagerung geschmolzenen Metalls und ein als Verengungsabschnitt ausgebildetes Führungsmittel (34) gebildet wird, der zwischen dem Starterteil (33) und dem Giessraum (24) verläuft, dass man die Form erhitzt, in die Kühlplatte (22) das Beimpfungsstück (28) einsetzt, welches wesentlich kleiner ist als der Starterraum (32), und dass der Starterteil (33) mit der Kühlplatte (22) in einer solchen Weise in Berührung gebracht wird, dass beide das Beimpfungsstück (28) und geschmolzenes Metall im Starterraum (32) aufzunehmen in der Lage sind, die Form durch Eingiessen von geschmolzenem Metall in das Aufnahmeende (26) gefüllt wird, so dass das geschmolzene Metall, unter Überfluten des Beimpfungsstückes (28) zum Starterteil (33) gelangt, zwecks Erhitzen und Schmelzen eines Teils des Beimpfungsstückes (28), die Form (20) gekühlt wird, so dass das geschmolzene Metall epitaxiel, vom Starterteil (33) ausgehend, im Giessraum (24) erstarrt, um einen Gegenstand mit einer Kristallagerung zu bilden, die durch das Beimpfungsstück (28) bestimmt ist.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Form (20) einen Giessraum (24) für den Gussgegenstand und einen Verengungsabschnitt (34) aufweist, der in Verbindung mit dem Giessraum (24) zur Steuerung der Kristallagerung von Metall steht, wobei durch Erstarrung des Metalls im Starterraum (32) diese Lagerung in den Giessraum (24) hineinwächst und der Starterraum (32) eine Querschnittsfläche aufweist, die wesentlich grösser ist, als diejenige des als Verengungsabschnitt ausgebildeten Führungsmittels (34) und ein Volumen, welches ermöglicht, das Beimpfungsstück (28) und in die Form eingeführtes geschmolzenes Metall zum Erhitzen des Beimpfungsstückes (28) aufzunehmen und mit Mitteln (26) zur Einführung von

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geschmolzenem Metall in die Form (20), so dass es über das Beimpfungsstück (28) in den Starterraum (32) fliesst.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die als Verengungsabschnitt ausgebildeten Führungsmittel (34) im wesentlichen ein gerader Kanal ist, der zwischen dem Starterraum (32) und dem Giessraum (24) angeordnet ist, wobei dessen Kanalachse im wesentlichen parallel zur Hauptachse des in der Form gegossenen Gegenstandes verläuft.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass man den Starterteil (33) derart ausgestaltet, dass Wärmeverluste an der Kühlplatte (22) im Bereich des Beimpfungsstückes (28) verringert werden.