DE4016477C2 - Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns für monokristalline Teile in der Gießerei - Google Patents

Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns für monokristalline Teile in der Gießerei

Info

Publication number
DE4016477C2
DE4016477C2 DE4016477A DE4016477A DE4016477C2 DE 4016477 C2 DE4016477 C2 DE 4016477C2 DE 4016477 A DE4016477 A DE 4016477A DE 4016477 A DE4016477 A DE 4016477A DE 4016477 C2 DE4016477 C2 DE 4016477C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
vertical
grain
followed
selector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4016477A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4016477A1 (de
Inventor
Ghislaine Elisabeth Lamanthe
Jean-Louis Pierre Ragot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Safran Aircraft Engines SAS
Original Assignee
Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA
SNECMA SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA, SNECMA SAS filed Critical Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA
Publication of DE4016477A1 publication Critical patent/DE4016477A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4016477C2 publication Critical patent/DE4016477C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22DCASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045Directionally solidified castings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52Alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Molds, Cores, And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Valve Housings (AREA)
  • Cylinder Crankcases Of Internal Combustion Engines (AREA)
  • Supercharger (AREA)
  • Turbine Rotor Nozzle Sealing (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns, die bei einem Verfahren zur Herstellung mittels Gießen von monokristallinen Teilen verwendet ist, insbesondere von Schaufeln für Turbomaschinen aus Superlegierung.
Gemäß diesem an sich bekannten Verfahren wird eine Form mit geschmolzenem Metall an ihrem oberen Teil versorgt und wird eine gerichtete Verfestigung erreicht, deren Front vertikal von unten nach oben ausgehend von einer gekühlten Sohle fortschreitet. Um monokristalline Teile zu erhalten, erlaubt eine am Unterteil der Form angeordnete Vorrichtung zur Auswahl die Auswahl eines einzigen Kristall­ korns an ihrem Ausgang.
Die FR-A 14 81 366 und die FR-A 20 37 187 beschreiben beispielsweise derartige Gießerei-Herstellverfahren für monokristalline Teile.
Um eine bestimmte kristallographische Ausrichtung an dem Teil zu erhalten, ist auch eine sogenannte Verarbei­ tungstechnik bekannt, die ausgeht von einem Kristall­ keim, der durch ein festes Bruchstück gebildet ist, das die erwünschten Ausrichtungen besitzt. Diese Vorgehens­ weise kann jedoch für bestimmte Anwendungsfälle nur sehr schwierig umgesetzt werden.
Verschiedene Ausführungsformen von Korn-Wählern sind ebenfalls verwendet worden. Beispielsweise ist ein Wähler mit spiralförmigen Schikanen verwendet worden, wobei in der EP-A-0 105 823 eine Ausführungsform dieser Art erläutert ist. Die GB-A-20 30 233 erwähnt einen Wähler mit mehreren rechten Winkeln.
Aus der FR 14 81 366 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Gußkörpers bekannt, der aus einer Legierung in Form eines Einkristalls gebildet wird, wobei der Einkristall in seiner [001]-Richtung unter Ausbildung eines Winkels zur Längsachse des Körpers orientiert ist.
Aus der GB 20 30 233 ist eine Turbinenschaufel für eine Gasturbine bekannt, wobei das Blatt bzw. die Schaufel einen gewölbten Tragflächenbereich in Form mehrerer Einkristalle aus einer Legierung aufweist. Die Einkristalle erstrecken sich dabei in Längsrichtung der Tragfläche und weisen jeweils eine vorgegebene dreidimensionale Orientierung auf, die von der der weiteren Einkristalle verschieden ist. Zur Herstellung des Einkristalls wird eine Form mit geschmolzenem Metall befüllt, wobei die Form in einer Heizkammer mit Wärme beaufschlagt wird. Der Boden der Form ist mit einer Kühlplatte versehen. Die Form wird nachfolgend langsam aus der Heizkammer unter Verfestigung des Metalls entnommen, wobei ein Einkristall entsteht.
Diese bekannten Lösungen sind jedoch noch nicht vollständig zufriedenstellend. Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Korn-Auswahl bereitzustellen, die mehrere Kriterien erfüllt:
  • - das am Ausgang des Wählers gewählte einzige säulenförmige Korn, das in dem monokristallinen Teil sich entwickelt hat, muß so eng wie irgend möglich der kristallographischen Richtung [001] entsprechen, die mit einer gewählten Achse des Teils übereinstimmt, wobei die sekundären Richtungen ebenfalls bestimmten Achsen entsprechen,
  • - bei jedem Gießvorgang muß eine gute Stücke sicherstellende ausreichende Erfolgsquote vorliegen, unabhängig von zulässigen Schwankungen bei den Durchführungs-Parametern, wie insbesondere Temperatur der Form, Gießtemperatur, Art und Volumen des Teils und, während eines Gießens in Trauben-Anordnung, Unabhängigkeit der Lage des Teils innerhalb der Traube oder der Geometrie der Traube,
  • - der Raumbedarf des Wählers, insbesondere dessen Höhe ist zu verringern.
Die Aufgabe wird durch Bereitstellung einer Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst.
Vorteilhaft weist der Wähler einen mit dem Basisstück verbundenen vertikalen ersten Stab auf, der von einem zweiten Stab gefolgt ist, der schräg ist, unter 120° gegenüber dem ersten Stab gerichtet ist und von einem dritten Stab gefolgt ist, der vertikal ist und von einem vierten Stab gefolgt ist, der ebenfalls schräg ist und unter 120° gegenüber dem dritten Stab ausgerichtet ist, wobei das Ende dieses vierten Stabes sich in Verlängerung des vertikalen ersten Stabes befindet und von einem vertikalen fünften Stab am Wählerausgang gefolgt ist.
Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 schematisch und perspektivisch eine Vorrichtung zur Korn-Wahl herkömmlicher Bauart,
Fig. 2 perspektivisch in einer Ansicht ähnlich Fig. 1 eine Vorrichtung zur Korn-Auswahl für monokristaline Gießerei gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Für Anwendungen der monokristallinen Gießerei insbesondere bei der Herstellung von Schaufeln für Turbinen ist es bekannt, eine Vorrichtung zur Korn-Auswahl mit der in Fig. 1 dargestellten Bauart zu verwenden. Diese Vorrichtung weist ein Basisstück 1 auf, das auf einer Sohle 2 oder einem Boden des Ofens angeordnet ist. Dieser Ofen, in dem eine mit geschmolzenem Metall an seinem oberen Teil versorgte Form angeordnet ist, weist alle an sich bekannten Einrichtungen auf, die für die Durchführung dieser Vorge­ hensweise an sich bekannt sind. Der Ofen ist in den Zeichnungen nicht dargestellt und muß auch nicht näher erläutert werden. Er weist insbesondere Heizeinrichtungen und Einrichtungen auf, um bestimmte Temperaturgradienten längs einer bevorzugten Verfestigungsrichtung des geschmol­ zenen Metalls zu erreichen, insbesondere eine gekühlte Sohle. In Kontakt mit der gekühlten Sohle 2 bilden sich säulenförmige Kristallisationskorne gemäß der Richtung [001] in diesem Basisstück 1. Das Basisstück 1 ist von einem Korn-Wähler 3 überbaut. Wenn die Sohle 2 als horizon­ tal angesehen wird und die zu dieser Sohle senkrechte Verfestigungsrichtung vertikal ist, weist der Korn-Wähler 3 Elemente in Form von geradlinigen Stäben auf, die alle eine gemeinsame Symmetrie-Mittelebene besitzen. Diese Elemente sind derart angeordnet, daß sie Schikanen bilden und weisen daher einen vertikalen ersten Stab 4 oberhalb des Basisstücks 1 auf, gefolgt von einem horizontalen zweiten Stab 5, gefolgt von einem vertikalen dritten Stab 6, gefolgt von einem horizontalen vierten Stab 7, der oberhalb des zweiten Stabes angeordnet ist und gefolgt von einem vertikalen fünften Stab 8, der in Verlängerung des ersten Stabes 4 angeordnet ist, der den Ausgang des Wähler bildet und der auf der eigent­ lichen Form Anschluß hat. Durch das Erreichen eines bestimmten Weges während des Aufbaus ausgehend von am Basisstück 1 befindlichen säulenförmigen Kornen ermöglicht es der Wähler 3 am Ausgang auf einem einzigen Korn zu münden, das sich anschließend fortsetzt in der Form des gewollten monokristallinen Teils innerhalb der Gießform.
Obgleich diese bekannte Lösung zu Ergebnissen geführt hat, die die vorliegende Erfindung zu verbessern beabsich­ tigt, soll insbesondere eine Verringerung der Ausfallquote bei der Auswahl einer vorgegebenen Quer-Ausrichtung und der Ausrichtung [001] erreicht werden, die sich mit der Vertikalen ausbildet, sowie eine geringere Empfind­ lichkeit im Hinblick auf Schwankungen und Änderungen bei den Betriebsparametern.
Die Vorrichtung zur Korn-Auswahl, die in Fig. 2 dargestellt ist, zeigt ein Beispiel des Wählers gemäß einem Ausführungs­ beispiel der Erfindung, die das Erreichen der verbesserten Ergebnisse ermöglicht. Das Basisstück 10 entspricht dem in Fig. 1 dargestellten. Auch das Prinzip eines Korn-Wählers 30 wird beibehalten, der Elemente in Form von geradlinigen Stäben aufweist, die alle eine gemeinsame Symmetrie-Mittelebene besitzen. Im wesentlichen Gegensatz dazu ist bei der Erfindung ein vertikaler erster Stab 34 oberhalb des Basisstücks 10 von einem zweiten Stab 35 gefolgt, der gegenüber der Horizontalen um einen Winkel a geneigt ist, dir zwischen 5 und 45° liegt, wobei der bevorzugte Wert des Winkels a bei der Darstellung gemäß Fig. 2 30° ist derart, daß die Mittelachsen der Stäbe 34 und 35, die in der gleichen Ebene liegen, unter sich einen Winkel von 120° einschließen. Der folgende dritte Stab 36 ist wiederum vertikal ausgerichtet und der folgende vierte Stab 37 ist wiederum gegenüber der Hoizontalen um einen Winkel b geneigt, der wie zuvor beim zweiten Stab 35 zwischen 5 und 45° ist, wobei der bevorzugte Wert des Winkels b bei 30° liegt derart, daß die beiden Mittelachsen der Stäbe 36 und 37, die stets in der gleichen Ebene liegen, unter sich einen Winkel von 120° einschließen. Der am Ausgang des Wählers 30 befindliche fünfte Stab 38, der an die Gießform 39 der Gießerei-Einrichtung für monokristalline Teile an­ schließt, ist wiederum vertikal und ist in Verlängerung des ersten Stabes 34 angeordnet.
Diese Wähleinrichtung ist in an sich bekannter Weise vollständig von einem Panzer 40 aus wärmeisolierendem und gegenüber hohen Temperaturen widerstandsfähigem keramischen Material umgeben. Die Abmessungsparameter des Korn-Wählers gemäß der Erfindung sind abhängig von den Abmessungen des verwendeten Ofens und der zu erhaltenden Teile sowie abhängig von den thermischen Gradienten gewählt, die sich aus den Durchführungsbedingungen beim Gießen der Teile ergeben. Das vorzugsweise zylindrische Basisstück 10 weist daher einen Durchmesser D auf, der derart gewählt ist, daß die Anzahl der Korne begünstigt wird, während die Stäbe des Wählers einen identischen Querschnitt besitzen, vorzugsweise rechteckförmigen Querschnitt mit Seiten e und f besitzen, um die Anzahl der Korne zu begrenzen und um die Grenzeffekte einzuschrän­ ken. Das Vorliegen von Winkeln a und b für die nicht horizontalen Stäbe 35 und 37 erlaubt die Vermeidung einer Beschädigung des Wählers durch Absenkung dieser Stäbe und das Auftreten während des Betriebes eines Winkels unter 90° zwischen den Stäben 35 und 37 und den jeweils zugeordneten vertikalen Stäben. Die nicht horizontale Anordnung dieser Stäbe 35 und 37 erlaubt vor allem und in besonders hervorzuhebender Weise nach der Erfindung die Beseitigung von vom Basisstück 1 ausgehen­ den Kornen, deren kristallographische Ausrichtung nicht zufriedenstellend ist, und daher die Sicherstellung verbes­ serter Qualität des am Ausgang des Wählers erhaltenen einzigen Korns. Die Länge der Stäbe 35 und 37 ist im übrigen derart bestimmt, um den Wärmegradienten (thermischen Gradienten) zu steuern. Für eine bestimmte Anwendung wurden daher die folgenden Abmessungsparameter der Wählvor­ richtung gemäß der Erfindung nach Darstellung gemäß Fig. 2 erhalten, und zwar in Millimetern:
D = 15 bis 20 mm; H1 = 10 bis 15 mm (Höhe des Basisstücks); H2 = 10 bis 15 mm (Höhe des ersten und des dritten Stabes);
g = 25 bis 30 mm (horizontale Länge); e = f = 4 bis 5 mm;
i = 5 mm (Höhe im Ausgang); H = 60 bis 70 mm (Gesamthöhe); a = b = 30°.

Claims (2)

1. Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns mit vorgegebener Querorientation und mit einer in die Vertikale fließenden Richtung [001], bestimmt für die Herstellung durch Gießen von monokristallinen Teilen, mit einem Basisstück (10) und einem bidimensionalen Wähler (30) mit Schikanen, von dem alle Elemente, die eine Folge geradliniger Stäbe bilden, eine gemeinsame Symmetrie-Mittelebene aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß der Wähler (30) einen mit dem Basisstück (10) verbundenen ersten Stab (34) aufweist, der vertikal ist, der von einem zweiten Stab (35) gefolgt ist, der schräg ist unter einem Winkel A zwischen 95° und 135° gegenüber dem ersten Stab (34), und der von einem dritten Stab (36) gefolgt ist, der vertikal ist und der von einem vierten Stab (37) gefolgt ist, der ebenfalls schräg ist unter einem Winkel A zwischen 95° und 135° gegenüber dem dritten Stab (36), wobei das Ende des vierten Stabes (37) sich in der Verlängerung des ersten vertikalen Stabes (34) befindet und von einem vertikalen fünften, Ausgangs-Stab (38) des Wählers (30) gefolgt ist.
2. Vorrichtung zur Auswahl nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel A 120° beträgt.
DE4016477A 1989-05-24 1990-05-22 Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns für monokristalline Teile in der Gießerei Expired - Fee Related DE4016477C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8906771A FR2734189B1 (fr) 1989-05-24 1989-05-24 Dispositif de selection d'un grain de cristallisation pour pieces monocristallines en fonderie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4016477A1 DE4016477A1 (de) 1997-02-06
DE4016477C2 true DE4016477C2 (de) 2000-07-13

Family

ID=9381948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4016477A Expired - Fee Related DE4016477C2 (de) 1989-05-24 1990-05-22 Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns für monokristalline Teile in der Gießerei

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE4016477C2 (de)
FR (1) FR2734189B1 (de)
GB (1) GB2330099B (de)
SE (1) SE510193C2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1076119A1 (de) 1999-08-11 2001-02-14 ABB Alstom Power (Schweiz) AG Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines säulenförmigen körnigen Gegenstandes durch gerichtete Erstarrung
FR2869327A1 (fr) * 2004-04-22 2005-10-28 Univ Claude Bernard Lyon Creuset et procede de croissance de cristaux massifs et, en particulier, de monocristaux du type caf2
DE102010021856A1 (de) * 2010-05-28 2011-12-01 Eto Magnetic Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-MSM-Körpers
FR3004366B1 (fr) 2013-04-10 2021-04-30 Snecma Moule de fonderie monocristalline
FR3020292B1 (fr) * 2014-04-24 2016-05-13 Snecma Moule pour fonderie monocristalline

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1481366A (fr) * 1965-05-27 1967-05-19 United Aircraft Corp Perfectionnements aux pièces de fonderie et procédé et dispositif de fabrication de ces pièces
GB2030233A (en) * 1978-09-16 1980-04-02 Rolls Royce Gas turbine engine blade
DE3151714C1 (de) * 1980-12-30 1996-05-30 Snecma Verfahren zur Herstellung von kristallinen Schaufeln
DE3334473C1 (de) * 1982-09-28 1997-01-30 Snecma Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Stücken
DE3235359C1 (de) * 1981-09-25 1997-01-30 Snecma Verfahren zur Herstellung monokristalliner Schaufeln

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3580324A (en) * 1969-03-13 1971-05-25 United Aircraft Corp Double-oriented single crystal castings
US4475582A (en) * 1982-01-27 1984-10-09 United Technologies Corporation Casting a metal single crystal article using a seed crystal and a helix
EP0100150A3 (de) * 1982-07-28 1984-08-29 Trw Inc. Metallische einkristalline Luftschaufel
US4550764A (en) * 1983-12-22 1985-11-05 Trw Inc. Apparatus and method for casting single crystal articles

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1481366A (fr) * 1965-05-27 1967-05-19 United Aircraft Corp Perfectionnements aux pièces de fonderie et procédé et dispositif de fabrication de ces pièces
GB2030233A (en) * 1978-09-16 1980-04-02 Rolls Royce Gas turbine engine blade
DE3151714C1 (de) * 1980-12-30 1996-05-30 Snecma Verfahren zur Herstellung von kristallinen Schaufeln
GB2301303A (en) * 1980-12-30 1996-12-04 Snecma Manufacture of monocrystalline aerodynamic blades
DE3235359C1 (de) * 1981-09-25 1997-01-30 Snecma Verfahren zur Herstellung monokristalliner Schaufeln
DE3334473C1 (de) * 1982-09-28 1997-01-30 Snecma Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Stücken

Also Published As

Publication number Publication date
SE9001856D0 (sv) 1990-05-23
GB9011282D0 (en) 1998-11-04
SE510193C2 (sv) 1999-04-26
DE4016477A1 (de) 1997-02-06
SE9001856L (de) 1900-01-01
GB2330099B (en) 1999-08-11
GB2330099A (en) 1999-04-14
FR2734189A1 (fr) 1996-11-22
FR2734189B1 (fr) 1997-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2949446C2 (de)
DE2853442C2 (de)
DE1533473B1 (de) Giessform zur Herstellung eines Einkristall-Gussstueckes,insbesondere einer Turbinenschaufel
DE3327934A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines gegenstandes mit einer vorgegebenen kristallinen orientierung
DE3246881A1 (de) Verfahren und giessform zur herstellung gegossener einkristallwerkstuecke
DE3312867A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines gegossenen metallgegenstandes
DE3329306A1 (de) Verfahren zur gerichteten verfestigung einer metallschmelze
DE10324674A1 (de) Einkristall-Ziehvorrichtung und -verfahren und Supraleitender Magnet
EP0275338A1 (de) Biegefedergelenk und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3151714C1 (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinen Schaufeln
DE2305019B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie
DE4016477C2 (de) Vorrichtung zur Auswahl eines Kristallisationskorns für monokristalline Teile in der Gießerei
DE2324376C2 (de) Gerichtet erstarrtes Superlegierungsgußstück
DE2417512A1 (de) Verfahren zum einbringen von stahl in eine stranggiesskokille und vorrichtung dazu
DE2555375A1 (de) Zusammengesetzter kristalliner metallgegenstand
DE2936481C2 (de) Schaufel für ein Gasturbinentriebwerk
DE2654999C2 (de)
EP1049549A1 (de) Gussteil, verfahren zur herstellung eines gussteils sowie gussform
DE4209227C1 (en) Single crystal superalloy components, e.g. turbine blade or artificial hip joint
EP0603738B1 (de) Vorrichtung zur gerichteten Erstarrung von Schmelzgut
DE2853049A1 (de) Vorrichtung zum kontinuierlichen giessen
DE3031747C2 (de) Vorrichtung zur Gruppenzüchtung von Einkristallen
DE3620763A1 (de) Einschnuer-flansch fuer giessverfahren
EP0467230B1 (de) Kalt-Schmelz-Tiegel
DE2648802A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von kugeln aus geschmolzenen material

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SNECMA MOTEURS, PARIS, FR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SNECMA, PARIS, FR

8339 Ceased/non-payment of the annual fee