CH374868A - Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang - Google Patents

Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang

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CH374868A
CH374868A CH4719257A CH4719257A CH374868A CH 374868 A CH374868 A CH 374868A CH 4719257 A CH4719257 A CH 4719257A CH 4719257 A CH4719257 A CH 4719257A CH 374868 A CH374868 A CH 374868A
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CH4719257A
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Schink Norbert Dr Dipl-Chem
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Siemens Ag
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CH4719257A 1956-06-16 1957-06-12 Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang CH374868A (de)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3284333A (en) * 1962-05-22 1966-11-08 Ionics Stable lead anodes
US3351825A (en) * 1964-12-21 1967-11-07 Solitron Devices Semiconductor device having an anodized protective film thereon and method of manufacturing same
US3377258A (en) * 1965-03-02 1968-04-09 Westinghouse Electric Corp Anodic oxidation
US3419480A (en) * 1965-03-12 1968-12-31 Westinghouse Electric Corp Anodic oxidation
US3616380A (en) * 1968-11-22 1971-10-26 Bell Telephone Labor Inc Barrier layer devices and methods for their manufacture
GB1556778A (en) * 1977-03-11 1979-11-28 Post Office Preparation of semiconductor surfaces
JPS5462929A (en) * 1977-10-28 1979-05-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Surface treating method for aluminum and aluminum alloy
US4272351A (en) * 1978-10-27 1981-06-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for electrolytic etching
US4891103A (en) * 1988-08-23 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Anadization system with remote voltage sensing and active feedback control capabilities
EP0400387B1 (de) * 1989-05-31 1996-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum grossflächigen elektrischen Kontaktieren eines Halbleiterkristallkörpers mit Hilfe von Elektrolyten
JP3376258B2 (ja) 1996-11-28 2003-02-10 キヤノン株式会社 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL144803C (enExample) * 1948-02-26
DE823763C (de) * 1949-09-15 1951-12-06 Siemens Ag Verfahren zum elektrolytischen Polieren der Oberflaeche von Halbleiterkristallen
US2686279A (en) * 1949-09-28 1954-08-10 Rca Corp Semiconductor device
US2656496A (en) * 1951-07-31 1953-10-20 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
DE823470C (de) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Verfahren zum AEtzen eines Halbleiters
US2783197A (en) * 1952-01-25 1957-02-26 Gen Electric Method of making broad area semiconductor devices
US2669692A (en) * 1951-08-10 1954-02-16 Bell Telephone Labor Inc Method for determining electrical characteristics of semiconductive bodies
BE528756A (enExample) * 1953-05-11
US2806189A (en) * 1953-07-03 1957-09-10 Sylvania Electric Prod Alkaline titanate rectifiers
US2802159A (en) * 1953-10-20 1957-08-06 Hughes Aircraft Co Junction-type semiconductor devices
US2885608A (en) * 1954-12-03 1959-05-05 Philco Corp Semiconductive device and method of manufacture

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