AT199702B - Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines einkristallinen Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang - Google Patents

Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines einkristallinen Halbleiterkörpers mit p-n-Übergang

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Siemens Ag
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1105069B (de) * 1959-04-25 1961-04-20 Siemens Ag AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1118363B (de) * 1960-01-20 1961-11-30 Siemens Ag Vorrichtung zum AEtzen von pn-UEbergaengen an Halbleiteranordnungen
DE1120602B (de) * 1959-08-03 1961-12-28 Siemens Ag Vorrichtung zur Durchfuehrung des anodischen Behandlungsverfahrens von Halbleiterkoerpern zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1105069B (de) * 1959-04-25 1961-04-20 Siemens Ag AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1120602B (de) * 1959-08-03 1961-12-28 Siemens Ag Vorrichtung zur Durchfuehrung des anodischen Behandlungsverfahrens von Halbleiterkoerpern zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung
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