CH382294A - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers für Hochfrequenzdioden - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers für Hochfrequenzdioden

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CH382294A
CH382294A CH7453959A CH7453959A CH382294A CH 382294 A CH382294 A CH 382294A CH 7453959 A CH7453959 A CH 7453959A CH 7453959 A CH7453959 A CH 7453959A CH 382294 A CH382294 A CH 382294A
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diodes
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CH7453959A
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Heinz Dr Dorendorf
Ernst Dr Hofmeister
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Siemens Ag
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    • HELECTRICITY
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

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CH7453959A 1958-06-25 1959-06-17 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers für Hochfrequenzdioden CH382294A (de)

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CH382294A true CH382294A (de) 1964-09-30

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1021494B (de) * 1953-04-02 1957-12-27 Standard Elektrik Ag Verfahren zur Herstellung von Schichtkristallen aus Germanium, Silizium oder anderen Halbleitern fuer Gleichrichter und Transistoren durch thermische Behandlung und anschliessendes Abschrecken
US2871427A (en) * 1954-04-28 1959-01-27 Gen Electric Germanium current controlling devices
NL111649C (de) * 1956-10-29

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NL240387A (de)
GB877469A (en) 1961-09-13

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