BRPI0609587A2 - processo de decapagem e limpeza de feol, para remover o fotoresistor implantado com ìons, não-decapado de um substrato de láminas de silìcio - Google Patents

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Steven A Lippy
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Abstract

PROCESSO DE DECAPAGEM E LIMPEZA DE FEOL, PARA REMOVER O FOTORESISTOR IMPLANTADO COM ìONS, NãO-DECAPADO DE UM SUBSTRATO DE LáMINAS DE SìLICIO. A presente invenção refere-se a uma composição de decapagem e limpeza na extremidade frontal da linha, para remover fotoresistor implantado com lons, não-decapado, de um substrato de lâmina de silício, compreendendo: (a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem; (b) lons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amónio, bifluoreto de amónio ou fluoreto de hidrogênio; (c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidos inorgânicos ou orgânicos; e (d) água, sendo que um agente oxidante também está opcionalmente presente na composição.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "COMPOSIÇÕES PARA LIMPAR FOTORRESISTE IMPLANTADA POR ÍONS, NAEXTREMIDADE FRONTAL DE APLICAÇÕES EM LINHA".
CAMPO TÉCNICO DA INVENÇÃO
A presente invenção refere-se ao campo de composições delimpeza para limpar wafers expostas ao processo de dopagem de wafers emuma extremidade frontal da operação da linha na produção de dispositivosmicroeletrônicos. Esta invenção fornece composições e processos para re-mover foto/resiste implantado em massa e limpar wafers em uma extremida- de frontal da operação da linha.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
A implantação iônica através de wafers revestidos com resistesé empregada para controlar os níveis de dopagem na fabricação de circuitosintegrados. O número de etapas de limpeza ou raspagem, empregado naextremidade frontal da linha (FEOL) do processo de fabricação de semicon-dutores, aumentou consideravelmente nos últimos anos. O número crescen-te de etapas de implantação iônica necessárias no processo de fabricaçãode dispositivos impulsionou este aumento. As operações atuais de implanteem alta corrente ou alta energia (implantação em altas doses ou HDI) são asmais solicitadas pelo fato de que elas requerem que seja obtido um alto graude limpeza dos wafers, e ao mesmo tempo, minimizando ou eliminando oestouro do photoresist, resíduos superficiais, e contaminação metálica, e aomesmo tempo, não requerendo substancialmente qualquer perda de subs-trato/junção, ou perda de óxidos.
A razão pela qual a implantação de altas doses HDI apresentauma operação de limpeza de extremidade frontal da linha FEOL particular-mente desafiadora deve-se à estrutura física do resiste (resist) pós-implantado que fica endurecido e difícil de remover, como ela deve ficar an-tes que as etapas operacionais de estampagem seja realizadas, quando umphotoresist diferente é aplicado para a estampagem da linha. O processo deimplantação iônica elimina eficazmente hidrogênio da superfície do resiste eimpregna a película do resiste com a espécie do implante. Como resultadoda espécie implantada penetrar dentro do resiste, o resiste é transformadoem duas camadas distintas, uma camada externa de crosta carbonizada en-durecida, e uma camada interna hidrogenada em massa. Devido ao fato deque a camada externa carbonizada sofreu essencialmente depleção de hi-drogênio, ela pode decapar de uma forma cerca de 75% mais lenta do que acamada interna subjacente volumosa do photoresist. Adicionalmente, estacamada volumosa interna tem níveis relativamente altos de nitrogênio ligadoquimicamente e níveis marginais do solvente da fundição original, que rapi-damente desgaseifica e expande quando submetida a temperaturas eleva-das de decapagem. Este fenômeno causa o estouro do photoresistà medidaque a camada de crosta carbonizada externa expande em uma velocidademuito mais lenta do que os solventes subjacentes volatilizados, fazendo comque a crosta rompa ou "estoure". O estouro do photoresist é provavelmentea maior origem de defeitos de processo com um sistema de decapagem aplasma. Os efeitos dos resíduos da decapagem são um nível relativamentealto de partículas sobre wafers implantados, resíduos superficiais altamenteoxidados que requerem limpezas a úmido agressivas após a decapagem, eprocedimentos mais freqüentes de limpeza da câmara e de manutençãopreventiva. Além disso, à medida que os resíduos se acumulam na câmarado processo, a probabilidade de partículas depositarem novamente sobreoutros wafers também aumenta. Outro fator é que a implantação de altasdoses HDI pode estourar o silício ou dióxido de silício do substrato do wafere depositar resíduos sobre o topo do resiste.
Portanto, após a etapa ou etapas de implantação iônica, o resis-te e resíduos indesejados devem ser removidos completamente, deixando asuperfície do wafer isenta de resíduos, senão a remoção ineficaz dos resí-duos tem o potencial para criar altos níveis de defeitos do processo, e a qua-lidade da etapa de limpeza pode afetar diretamente o rendimento elétrico.Tem sido usada geralmente uma decapagem a seco, e em seguida, umalavagem química a úmido, por exemplo, plasma de oxigênio e uma aplicaçãode limpeza a úmido pela técnica "piranha", uma mistura de ácido sulfúrico eperóxido de hidrogênio ou ozônio, para remover o resiste endurecido e resí-duos. Este processo é oneroso e perigoso e também não remove eficazmen-te resíduos inorgânicos, tais como espécies implantadas, silício, dióxido desilício, e aditivos de resistes. Adicionalmente, outras técnicas químicas a ú-mido são então necessárias para remover esses resíduos inorgânicos. Alémdisso, essa decapagem a seco, seguida dessas lavagens químicas a úmido,causa dano indesejado aos wafers dopados, isto é, à fonte e áreas de dre-nagem do wafer dopado. Portanto, há uma necessidade de se obter compo-sições de limpeza da extremidade frontal em linha, que consigam removerpor limpeza, eficaz e eficientemente, photoresists e resíduos da implantaçãoiônica de wafers com implantação iônica, e obter composições de remoção elimpeza que não causem corrosão, isto é, alteração da estrutura do wafercom relação à fonte e ares de drenagem do wafer dopado.
BREVE SUMÁRIO DA INVENÇÃO
De acordo com esta invenção, são fornecidas composições paradecapar e limpar a extremidade frontal da linha (FEOL), a fim de removerphotoresist e outros resíduos de wafers com implantação iônica em uma o-peração da extremidade frontal da linha, sendo que as composições com-preendem: pelo menos um solvente orgânico de decapagem, íons fluoretode pelo menos um entre fluoreto de amônio, bifluoreto de amônio e ácidofluorídrico, pelo menos um ácido inorgânico ou orgânico, e água, e métodospara limpar na extremidade frontal da linha as superfícies de wafers comessas composições. As composições de limpeza/decapagem da extremida-de frontal da linha desta invenção têm também, de preferência, um agenteoxidante adicionado a elas, momentos antes da hora pretendida de uso dascomposições. As composições de decapagem e limpeza da extremidadefrontal da linha desta invenção essencialmente eliminam a necessidade dequalquer etapa de decapagem antes de uma limpeza química a úmido, e aoinvés disso, permite remover o photoresist e resíduos em uma única etapacom as composições desta invenção.
As composições de decapagem e limpeza da extremidade fron-tal da linha desta invenção, para decapar/limpar substratos de wafers comimplantação iônica, compreendem composições de:(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e
(d) água.
As composições de decapagem/limpeza da extremidade frontalda linha desta invenção compreendem também composições de:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos,
(d) água, e
(e) um agente oxidante.
Nestas últimas composições, o agente oxidante é adicionadogeralmente à composição anterior dos outros componentes em uma horageralmente momentos antes da hora pretendida de uso da composição. Ascomposições FEOL desta invenção podem compreender adicionalmente umou mais componentes, tais como compostos resistentes à formação de com-plexos metálicos e resistentes à corrosão, outros inibidores de corrosão etensoativos.
O método para decapar/limpar em FEOL substratos de waferscom implantação iônica, de acordo com esta invenção, compreende um mé-todo para limpar os substratos de wafers implantados com íons, sem produ-zir qualquer corrosão substancial de metais, sendo que o processo compre-ende colocar o substrato de wafer implantado com íons em contato com umacomposição de decapagem/limpeza FEOL desta invenção por um temposuficiente para limpar o substrato implantado com íons, onde as composi-ções de decapagem/limpeza FEOL compreendem:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e
(d) água.
As composições de decapagem/limpeza FEOL a serem usadasno método de decapagem/limpeza desta invenção compreendem tambémcomposições de:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos,
(d) água, e
(e) um agente oxidante.
Nestas últimas composições, o agente oxidante é adicionadogeralmente à composição anterior dos outros componentes em uma horageralmente momentos antes da hora pretendida de uso da composição. Ascomposições FEOL a serem usadas no método de decapagem/limpeza des-ta invenção podem compreender adicionalmente um ou mais componentes,tais como compostos resistentes à formação de complexos metálicos e re-sistentes à corrosão, outros inibidores de corrosão e tensoativos.
DESCRIÇÃO DETALHADA DA INVENÇÃO E MODALIDADES PREFERIDAS
As composições de decapagem e limpeza da extremidade fron-tal da linha desta invenção, para decapar/limpar substratos de wafers comimplantação iônica, compreendem composições de:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e
(d) água.As composições de decapagem/limpeza da extremidade frontalda linha desta invenção compreendem também composições de:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos,
(d) água, e
(e) um agente oxidante.
Nestas últimas composições, o agente oxidante é adicionadogeralmente à composição anterior dos outros componentes momentos antesda hora pretendida de uso da composição. As composições FEOL desta in-venção podem compreender adicionalmente um ou mais componentes, taiscomo compostos resistentes à formação de complexos metálicos e resisten-tes à corrosão, outros inibidores de corrosão e tensoativos.
O método para decapar/limpar em FEOL substratos de waferscom implantação iônica, de acordo com esta invenção, compreende um mé-todo para limpar os substratos de wafers implantados com íons, sem produ-zir qualquer corrosão substancial de metais, sendo que o processo compre-ende colocar o substrato de wafer implantado com íons em contato com umacomposição de decapagem/limpeza FEOL desta invenção por um temposuficiente para limpar o substrato implantado com íons, onde as composi-ções de decapagem/limpeza FEOL compreendem:
(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e
(d) água.
As composições de decapagem/limpeza FEOL a serem usadasno método de decapagem/limpeza desta invenção compreendem tambémcomposições de:(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,
(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,
(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos,
(d) água, e
(e) um agente oxidante.
Nestas últimas composições, o agente oxidante é adicionadogeralmente à composição anterior dos outros componentes em uma horageralmente momentos antes da hora pretendida de uso da composição. Ascomposições FEOL a serem usadas no método de decapagem/limpeza des-ta invenção podem compreender adicionalmente um ou mais componentes,tais como compostos resistentes à formação de complexos metálicos e re-sistentes à corrosão, outros inibidores de corrosão e tensoativos.
O pelo menos um solvente orgânico de decapagem deve estarpresente geralmente na composição em uma quantidade entre cerca de 8 ecerca de 90% em peso, de preferência em uma quantidade entre cerca de25 e cerca de 85% em peso, e mais preferivelmente, em uma quantidadeentre cerca de 45 e cerca de 82% em peso, baseado no peso total da com-posição. O solvente orgânico de decapagem deve ser geralmente um sol-vente orgânico polar. O solvente pode compreender um ou mais solventes.Os solventes apropriados incluem, porém sem limitações, dialquil-sulfonasda fórmula R1-S(0)(0)-R2, onde R1 e R2 são alquilas com 1 a 4 átomos decarbono, sulfóxido de dimetila (DMSO), compostos de 1,1-dióxido de tetrai-drotiofeno, tal como sulfolano, metil-sulfolano, e alquil-sulfolanos, dimetil-acetamida e dimetil-formamida. Mais preferivelmente, o solvente é sulfolano.
O componente ou componentes que fornecem o íon fluoreto nascomposições desta invenção devem estar presentes geralmente nas compo-sições em uma quantidade entre cerca de 0,1 e cerca de 2,0% em peso, depreferência entre cerca de 0,1 e cerca de 1,5% em peso, e mais preferivel-mente, entre cerca de 0,1 e cerca de 0,8% em peso, baseado no peso totalda composição. As fontes de íon fluoreto podem incluir ácido fluorídrico, fluo-reto de amônio e bifluoreto de amônio, mas não fluoretos de amônio quater-nário.
O agente ou agentes acidificantes que compreendem ácidos i-norgânicos ou orgânicos nas composições desta invenção devem estar pre-sentes geralmente na composição em uma quantidade entre cerca de 0,4 ecerca de 7% em peso, de preferência entre cerca de 0,6 e cerca de 5% empeso, e mais preferivelmente, entre cerca de 0,8 e cerca de 3% em peso,baseado no peso total da composição. Os ácidos inorgânicos e orgânicosapropriados para uso nas composições incluem, porém sem limitações, os ácidos clorídrico, fosfórico, sulfúrico, acético ou cítrico, e produzem uma so-lução ácida global (pH < 5). A seleção do ácido influencia a limpeza do polí-mero implantado e a compatibilidade global do material. Assim sendo, a es-colha do ácido pode permitir tempos de limpeza mais curtos ou temperaturasoperacionais mais baixas.
A água deve estar presente nas composições desta invençãoem uma quantidade entre cerca de 8 e cerca de 90% em peso, de preferên-cia entre cerca de 10 e cerca de 75% em peso, e mais preferivelmente, entrecerca de 15 e cerca de 50% em peso, baseado no peso total da composição.
Quando um agente oxidante é empregado nas composiçõesdesta invenção, a razão ponderai da totalidade dos outros componentes pa-ra o componente agente oxidante deve ser geralmente uma razão ponderaientre cerca de 1:1 e cerca de 20:1, de preferência uma razão ponderai entrecerca de 1:1 e cerca de 10:1, mais preferivelmente uma razão ponderai entrecerca de 2:1 e cerca de 5:1, e com a maior preferência, uma razão ponderaide cerca de 3:1. Qualquer agente oxidante apropriado pode ser empregadonas composições de decapagem/limpeza FEOL desta invenção. Os exem-plos de tal agente oxidante apropriado incluem, porém sem limitações, peró-xido de hidrogênio, peroxiácidos, peróxidos orgânicos, tal como peróxido debenzoíla, hipocloratos, dicromatos, permanganatos, ou ácido nítrico. O agen-te oxidante é de preferência peróxido de hidrogênio.
As composições desta invenção podem conter também opcio-nalmente outros componentes adicionais. Tais componentes adicionais op-cionais incluem agentes complexantes e vários agentes tensoativos.
Agentes quelantes ou complexantes de metais, orgânicos ouinorgânicos, ou inibidores de corrosão não são necessários, mas podem seropcionalmente incluídos nas composições desta invenção, mas proporcio-nam benefícios substanciais, tais como, por exemplo, melhor estabilidade doproduto quando incorporados nas composições de limpeza aquosas destainvenção. Os exemplos de agentes quelantes ou complexantes apropriadosincluem, porém sem limitações, ácido trans-1,2-ciclohexanodiaminote-tracético (CyDTA), ácido etilenodiaminotetracético (EDTA), estanatos, piro-fosfatos, derivados de ácidos alquilideno-difosfônicos (como por exemplo,etano-1-hidróxi-1,1-difosfonato), fosfonatos que contêm porções funcionaisetilenodiamina, dietilenotriamina ou trietilenotetramina (como por exemplo,ácido etilenodiamino-tetra(metileno-fosfônico) (EDTMP), ácido dietilenotria-mino-penta(metileno-fosfônico), ácido trietilenotetramino-hexa(metileno-fosfônico)). O agente quelante deve estar presente na composição em umaquantidade entre 0 e cerca de 5% em peso, de preferência entre cerca de0,1 e cerca de 2% em peso, baseado no peso total da composição.
As composições da presente invenção podem conter tambémopcionalmente qualquer tensoativo anfótero, não-iônico, catiônico ou aniôni-co, solúvel em água, apropriado. A adição de um tensoativo reduzirá a ten-são superficial da formulação e melhorará a umectação da superfície a serlimpada, e portanto, melhorará a ação de limpeza da composição. O tensoa-tivo pode ser adicionado também para reduzir as taxas de corrosão do alu-mínio, caso uma inibição adicional da corrosão do alumínio seja desejada.
Os tensoativos anfóteros úteis nas composições da presente invenção inclu-em betaínas e sulfobetaínas, tais como alquil-betaínas, amidoalquil-betaínas,alquil-sulfobetaínas e amidoalquil-sulfobetaínas; derivados de ácidos amino-carboxílicos, tais como anfoglicinatos, anfopropionatos, anfodiglicinatos, eanfodipropionatos; iminodiácidos tais como alcóxi-alquil-iminodiácidos oualcóxi-alquil imunodiácidos; óxidos de aminas, tais como óxidos de alquil-aminas e óxidos de alquilamido-alquil-aminas; sulfonatos de flúor-alquilas ealquilas fluoradas anfóteras; e misturas deles. De preferência, os tensoativosanfóteros são cocoamidopropil-betaína, cocoamidopropil-dimetil-betaína,cocoamidopropil-hidróxi-sultaína, capriloanfodipropionato, cocoamidodipro-pionato, cocoanfopropionato, cocoanfo-hidróxi-etil-propionato, ácido isodeci-lóxi-propil-imino-dipropiônico, lauril-imino-dipropionato, oxido de cocoamido-propil-amina e oxido de cocoamina e alquilas fluoradas anfóteras. Os ten-soativos não-iônicos úteis nas composições da presente invenção incluemdióis acetilênicos, dióis acetilênicos etoxilados, alcoxilatos de alquilas fluora-das, ésteres de alquilas fluoradas, polioxietileno-alcanóis fluorados, ésteresde álcoois poliidroxilados com ácidos alifáticos, monoalquil-éteres de polioxi-etileno, dióis de polioxietileno, tensoativos do tipo siloxano, e monoalquil-éteres de alquilenoglicóis. De preferência, os tensoativos não-iônicos sãodióis acetilênicos ou dióis acetilênicos etoxilados. Os tensoativos aniônicosúteis nas composições da presente invenção incluem carboxilatos, N-acil-sarcosinatos, sulfonatos, sulfatos, e mono- e diésteres do ácido ortofosfórico,tal como fosfato de decila. De preferência, os tensoativos aniônicos são ten-soativos isentos de metais. Os tensoativos catiônicos úteis nas composiçõesda presente invenção incluem etoxilatos de aminas, sais de dialquil-dimetil-amônio, sais de dialquil-morfolina, sais de alquil-benzil-dimetil-amônio, saisde alquil-trimetil-amônio, e sais de alquil-piridínio. De preferência, os tensoa-tivos catiônicos são tensoativos isentos de halogênios. Os exemplos de ten-soativos especialmente apropriados incluem, porém sem limitações, 3,5-dimetil-1-hexin-3-ol (Surfynol-61), 2,4,7,9-tetrametil-5-decino-4,7-diol etoxila-do (Surfynol-465), poli(tetraflúor-etileno)-cetóxi-propil-betaína (Zonyl FSK),Zonyl FSH, Triton X-100, a saber, octil-fenóxi-poli(etóxi-etanol), e similares.
O tensoativo deve estar presente geralmente em uma quantidade entre 0 ecerca de 5% em peso, de preferência 0,001 a cerca de 3% em peso, basea-do no peso da composição.
Os exemplos de composições de decapagem/limpeza FEOLdesta invenção, sem um agente oxidante, incluem, porém sem limitações, ascomposições enunciadas nas Tabelas 1 a 3 que se seguem, nas quais asquantidades dos componentes estão indicadas em partes em peso.Tabela 1
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Tabela 2
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Tabela 3
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Os exemplos de composições de decapagem/limpeza FEOLdesta invenção, com um agente oxidante, incluem, porém sem limitações, ascomposições enunciadas nas Tabelas 4, 5, 6 e 7 que se seguem, nas quaisas quantidades dos componentes estão indicadas em partes em peso. NaTabela 4, as composições são a Composição 1 da Tabela 1 misturada emrazões variadas com peróxido de hidrogênio a 30% (não-estabilizado). NaTabela 5, as composições são a Composição 2 da Tabela 1 misturada comrazões variadas de peróxido de hidrogênio a 30% (não-estabilizado). Na Ta-bela 6, as composições são as Composições 6, 7 e 8 da Tabela 2 mistura-das em razões variadas com peróxido de hidrogênio a 30% (não-estabilizado). Na Tabela 7, as composições são as Composições 9 a 13 daTabela 3 misturadas com peróxido de hidrogênio a 30% (não-estabilizado).Tabela 4
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Tabela 5 <table>table see original document page 13</column></row><table>
Tabela 6 <table>table see original document page 13</column></row><table>
Tabela 7 <table>table see original document page 13</column></row><table>
Exemplos de DecaDaaem/Limoeza As composições 1 a 5 descritas acima na Tabela 1 foram usadaspara remover photoresist não-decapado implantado com íons. Em todos oscasos as condições de limpeza foram 65 °C por 30 min, e em seguida, umenxágüe de 1 min com água desmineralizada e secagem com nitrogênio. Asamostras foram analisadas por SEM para determinar os níveis de remoçãodo photoresist. Os resultados estão resumidos abaixo na Tabela 8. Em todosos casos, uma maior limpeza pôde ser conseguida estendendo o tempo deexposição ou aumentando a temperatura.Tabela 8
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As composições 14-16 descritas na Tabela 4 acima foram usa-das para remover photoresist não-decapado implantado com íons. Em todosos casos as condições de limpeza foram 65 °C por 30 min, e em seguida,um enxágüe de 1 min com água desmineralizada e secagem com nitrogênio.As amostras foram analisadas por SEM para determinar os níveis de remo-ção do photoresist. Os resultados estão resumidos abaixo na Tabela 9.
Tabela 9
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As composições 17 a 20 descritas acima na Tabela 5 foram u-sadas para remover photoresist não-decapado implantado com íons. Emtodos os casos as condições de limpeza foram 65 °C por 30 min, e em se-guida, um enxágüe de 1 min com água desmineralizada e secagem com ni-trogênio. As amostras foram analisadas por SEM para determinar os níveisde remoção do photoresist. Os resultados estão resumidos abaixo na Tabela 10.
Tabela 10
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As composições 21 a 23 descritas acima na Tabela 6 foram u-sadas para remover photoresist não-decapado implantado com íons. Emtodos os casos as condições de limpeza foram 55 °C por 30 min, e em se-guida, um enxágüe de 1 min com água desmineralizada e secagem com ni-trogênio. As amostras foram analisadas por SEM para determinar os níveisde remoção do photoresist. Os resultados estão resumidos abaixo na Tabela 11.
Tabela 11
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As composições 24 a 28 descritas acima na Tabela 7 foram u-sadas para remover photoresist não-decapado implantado com íons. As a-mostras foram expostas às composições durantes os tempos e às tempera-turas listadas abaixo, e em seguida, um enxágüe de 1 min com água desmi-neralizada e secagem com nitrogênio. As amostras foram analisadas porSEM para determinar os níveis de remoção do photoresist. Os resultadosestão resumidos abaixo na Tabela 12. Quando a gravação realmente ocor-reu, ela foi em diferentes estruturas, dependendo da formulação usada. Istoimpede uma determinação numérica evidente da gravação, e relata-se aoinvés disso uma gravidade de dano global ao wafer. Uma gravação reduzida(isto é, Exemplos 18 e 20) pôde ser conseguida baixando a temperatura, otempo de exposição, ou modificando a razão de solução para oxidante.
Tabela 12
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As composições FEOL desta invenção são composições não-críticas e são isentas de C02 supercrítico.Embora a invenção tenha sido aqui descrita fazendo referênciaàs suas modalidades específicas, deve-se avaliar que mudanças, modifica-ções e variações podem ser feitas sem fugir do espírito e do âmbito do con-ceito inventivo aqui descrito. Conseqüentemente, pretende-se englobar to-das essas mudanças, modificações e variações que caiam dentro do espíritoe do âmbito das reivindicações apensadas.

Claims (20)

1. Composição de decapagem e limpeza da extremidade frontalda linha (FEOL), para decapar/limpar substratos de wafers com implantaçãoiônica, sendo que a composição compreende:(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e(d) água.
2. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 1, em que a composição compreende também pelo me-nos um agente oxidante.
3. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 2, em que o pelo menos um agente oxidante compreen-de peróxido de hidrogênio.
4. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 1, em que o pelo menos um solvente orgânico é sele-cionado no grupo que consiste em dialquil-sulfonas da fórmula R1-S(0)(0)-Ft2, onde R1 e R2 são alquilas com 1 a 4 átomos de carbono, sulfóxido dedimetila (DMSO), compostos de 1,1-dióxido de tetraidrotiofeno, dimetil-acetamida e dimetil-formamida.
5. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 3, em que o pelo menos um solvente orgânico é sele-cionado no grupo que consiste em dialquil-sulfonas da fórmula R1-S(0)(0)-R2, onde R1 e R2 são alquilas com 1 a 4 átomos de carbono, sulfóxido dedimetila (DMSO), compostos de 1,1-dióxido de tetraidrotiofeno, dimetil-acetamida e dimetil-formamida.
6. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 4, em que o pelo menos um solvente orgânico compre-ende sulfolano.
7. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 5, em que o pelo menos um solvente orgânico compre-ende sulfolano.
8. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 6, em que o pelo menos um ácido compreende ácidoclorídrico.
9. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 7, em que o pelo menos um ácido compreende ácidoclorídrico.
10. Composição de decapagem e limpeza de FEOL, de acordocom a reivindicação 3, compreendendo entre cerca de 45 e cerca de 82%em peso de sulfolano, cerca de 0,8 a cerca de 0,1% em peso de fluoreto deamônio, cerca de 0,8 a cerca de 3% em peso de ácido clorídrico, cerca de 15 a cerca de 50% em peso de água, e o peróxido de hidrogênio está pre-sente em uma quantidade tal que a razão ponderai dos outros componentespara o componente peróxido de hidrogênio é cerca de 2:1 a cerca de 5:1.
11. Método de decapagem e limpeza de FEOL, para removerphotoresist implantado com íons, não-decapado, sobre uma superfície dewafer, com uma composição de decapagem/limpeza de FEOL, por um tem-po suficiente para remover do substrato de wafer o photoresist implantadocom íons, não-decapado, onde a composição de decapagem/limpeza deFEOL compreende;(a) pelo menos um solvente orgânico de decapagem,(b) íons fluoreto de pelo menos um entre fluoreto de amônio, bi-fluoreto de amônio ou fluoreto de hidrogênio,(c) pelo menos um agente acidificante selecionado entre ácidosinorgânicos ou orgânicos, e(d) água.
12. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 11, em que a composição compreende também pelo menosum agente oxidante.
13. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 12, em que o pelo menos um agente oxidante na composiçãocompreende peróxido de hidrogênio.
14. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 11, em que o pelo menos um solvente orgânico na composiçãoé selecionado no grupo que consiste em dialquil-sulfonas da fórmula R1-S(0)(0)-R2, onde R1 e R2 são alquilas com 1 a 4 átomos de carbono, sulfó-xido de dimetila (DMSO), compostos de 1,1-dióxido de tetraidrotiofeno, dime-til-acetamida e dimetil-formamida.
15. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 13, em que o pelo menos um solvente orgânico na composiçãoé selecionado no grupo que consiste em dialquil-sulfonas da fórmula R1-S(0)(0)-R2, onde R1 e R2 são alquilas com 1 a 4 átomos de carbono, sulfó-xido de dimetila (DMSO), compostos de 1,1-dióxido de tetraidrotiofeno, dime-til-acetamida e dimetil-formamida.
16. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 14, em que o pelo menos um solvente orgânico na composiçãocompreende sulfolano.
17. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 15, em que o pelo menos um solvente orgânico na composiçãocompreende sulfolano.
18. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 16, em que o pelo menos um ácido na composição compreen-de ácido clorídrico.
19. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 17, em que o pelo menos um ácido na composição compreen-de ácido clorídrico.
20. Método de decapagem e limpeza de FEOL, de acordo com areivindicação 13, em que a composição compreende entre cerca de 45 e cercade 82% em peso de sulfolano, cerca de 0,8 a cerca de 0,1% em peso de fluoretode amônio, cerca de 0,8 a cerca de 3% em peso de ácido clorídrico, cerca de 15a cerca de 50% em peso de água, e o peróxido de hidrogênio está presente emuma quantidade tal que a razão ponderai dos outros componentes para o com-ponente peróxido de hidrogênio é cerca de 2:1 a cerca de 5:1.
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