KR20010085591A - 플라즈마 에칭 잔류물 제거 - Google Patents
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Abstract
전기 장치와 같은 기판로부터 플라즈마 에칭(etching) 중합체 잔류물을 제거하는데 유용한 조성물을 개시한다. 또한, 상기 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는 방법을 개시한다.
Description
본 발명은 일반적으로 기판으로부터 중합 물질을 제거하는 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전기 장치로부터 플라즈마 처리된 중합 물질을 제거하는 조성물 및 방법에 관한 것이다.
중합체 물질을 함유하는 수많은 물질이 전기 장치, 예를 들면, 회로, 디스크 드라이브, 저장 매체 장치 등의 제조에 이용된다. 이러한 중합 물질은 포토레지스트(photoresist), 솔더 마스크(solder mask), 반사 방지 코팅막(antireflective coatings) 등에서 발견된다. 상기 전기 장치를 제조하는 동안, 중합 물질은 상기 중합체 물질을 제거하는 것을 어렵게 만드는 조건을 거친다.
예를 들면, 현대 기술에서는 패턴을 리소그래피컬리하게(lithographically) 설계(delineation)하기위해 포지티브형 레지스트 물질을 이용하여 패턴이 추후 에칭되게 하거나, 다른 방법으로는 기판 물질내로 한정되게 한다. 레지스트 물질은 막으로서 증착되고, 원하는 패턴은 강력한 조사(radiation)에 노출시켜 한정된다. 그후, 노출된 영역은 적절한 현상액에 의해 용해된다. 따라서, 패턴이 기판에 한정되었을 때, 레지스트 물질을 기판로부터 완전히 제거하여 부작용을 일으키거나 추후 작동 또는 처리 단계를 방해하는 것을 피하도록 하여야 한다.
상기 포토리토그래픽(photolithographic) 공정에서, 패턴 설계 후, 포토레지스트 물질이 비노출된 영역으로부터 고르고 완전하게 제거되어 추가의 평판 작업이 가능하도록 하는 것이 필요하다. 일부의 레지스트가 추가로 패턴화되는 영역에 잔존하는 것은 바람직하지 못하다. 또한, 패턴된 라인 사이의 원치 않는 레지스트 잔류물은 추후 공정에서 금속화와 같은 부작용을 일으킬 수 있거나 바람직하지 못한 표면 상태 및 전하를 일으킨다.
공지된 포토레지스트 제거제 또는 스트리핑 제제는 전형적으로 강알칼리성 용액, 극성 유기 용매 또는 강산 및 산화제를 함유한다. 전형적인 극성 유기 용매는 N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, N-하이드록시에틸 피롤리돈 및 N-시클로헥실 피롤리돈과 같은 피롤리돈; 디메틸아세트아미드 또는 디메틸포름아미드를 포함하는 아미드; 페놀 및 그의 유도체를 포함한다. 상기 용매는 아민 또는 다른 알칼리성 물질과 배합되어 이용된다. 예를 들면, 5% 내지 50%의 하이드록실아민, 10% 내지 80%의 적어도 하나의 알카놀아민, 및 물을 함유하는, 에칭 잔류물을 제거하는 조성물이 미국 특허 제 5,334,332호(Lee)에 기재되어 있다. 30% 내지 90%의 2-피롤리디논 및 10% 내지 70%의 디알킬 설폰을 함유하는 스트리핑(stripping) 조성물이 미국 특허 제 4,401,747호(Ward et al.)에 기재되어 있다.
최근 5년내에, 저장 매체에 대한 기술은 기하급수적으로 성장하였고, 소형화 및 오늘날 20 Gb/in2를 능가하는 고지역밀도(higher area density)를 통해 자기성 전기 저항 해독 장치의 성능(magnetoresistive read-wrie device performance)을추진해왔다. 차세대 기술에 부응하기 위해, 해독 헤드(read-write head) 제작자들은 최신 포토레지스트 및 다중 성분 이온 에치 방법을 이용하여 원하는 박막 스택 패턴(thin film stack patterns)을 얻고 있다. 다중 막 스택을 정확한 자성 및 시그날 감광도를 갖는 서브-미크론(sub-micron) 선폭(feature)으로 성공적으로 통합시키기 위해 , 상기 장치내의 각층의 중합체, 이온성 및 다른 형태의 유기/무기 오염물 또는 잔류물이 세정되어야 한다. 상기 원치 않는 잔류물은 장치의 성능 및 신뢰성에 부작용을 일으킬 것이다.
선폭의 기하를 더욱 작게 하고, 패턴 밀도를 증가시키는 경우, 플라즈마 에칭, 반응성 이온 에칭 및 이온 밀링(milling)이 필요하다. 플라즈마 에칭 공정시, 포토레지스트 막은 다양한 선폭의 측벽(sidewall)상의 부식되는 유기 금속성 중합체 잔류물을 제거하기 위해 경질의 물질(hard)을 형성한다. 또한, 포토레지스트는 에치 챔버(etch chamber)내의 고진공도 및 고온 조건에 의해 넓게 가교 결합된다. 공지된 세정 공정에서 상기 중합체 잔류물은 제거되지 못한다. 예를 들면, 아세톤 또는 N-메틸 피롤리디논은 고온 및 장기간의 반복을 포함하는 극 조건에서 계속적으로 이용된다. 상기 이용 조건은 오퍼레이터 노출과 관련된 특정의 환경, 건강 및 안전성 문제를 일으키는 용매의 인화점 이상이다. 또한, 필요한 장기간의 반복된 공정은 생산 및 산출량에 부작용을 일으킨다. 상기 극도의 스트립핑 조건에서도, 미세한 선폭으로부터 인성의(tenacious) '래빗 이어(rabbit ear)" 타입의 중합체 잔류물을 제거하기 위해서는 장치는 매뉴얼 "스윕"(swabbibg) 또는 "브러싱"을 필요로 한다.
예를 들면, 물, 적어도 하나의 하이드록실암모늄 화합물 및 아민 및 4급 암모늄 하이드록사이드로부터 선택된 적어도 하나의 염기성 화합물을 포함하고 pH 2 내지 6을 갖는, 플라즈마 에칭 잔류물을 제거하는 조성물이 WO 98/10050(Honda et al.)에 기재되어있다.
또한, 공지된 스프리핑 조성물은 원치 않는 인화성, 독성, 휘발성, 악취, 100℃이상과 같은 승온된 온도에서의 이용, 및 조절 물질의 취급에 따른 높은 비용을 포함한 수많은 결점을 갖는다.
따라서, 효과적으로 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하고, 더욱 환경 친화적이며, 기판을 부식시키지 않는 스트립퍼가 계속적으로 요구된다.
놀랍게도, 알칼리성 시스템을 이용하여 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 기판으로부터 용이하고 완전하게 제거할 수 있는 것이 발견되었다. 본 발명에 따라, 상기 플라즈마 에칭 중합체 잔류물은 본래의 금속층을 부식시키지 않고 효과적으로 제거될 수 있다.
본 발명의 첫 번째 일면은 하나 이상의 어프로틱(aprotic) 극성 용매; 테트라(C1-C6)알킬암모늄 하이드록사이드, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 카보네이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 아세테이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 시트레이트 또는 콜린 하이드록사이드로부터 선택된 하나 이상의 제 1 중합체 용해 촉진 염기; 하이드록실아민, 하이드록실아민 포름에이트 또는 카르복시산으로 완충된 하이드록실아민으로부터 선택된 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기를 포함하는 기판으로부터 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는 조성물을 제공한다.
본 발명의 두번째 일면은, 제거하고자 하는 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 포함하는 기판을 상기 기술된 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 기판으로부터 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는 방법을 제공한다.
본 명세서에서 이용되는 바와 같이, 하기 약어는 달리 명시되지 않는 한, 다음의 의미를 갖도록 한다:
DMSO = 디메틸 설폭사이드(dimethyl sulfoxide);
TMAH = 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide);
DI = 탈이온(deionized);
%(중량) = 중량 퍼센트;
g = 그램;
℃ = 섭씨 온도;
min = 분.
모든 퍼센트는 중량으로 한다. 모든 수량이 포함된다.
본 명세서에서 용어 "스트리핑" 및 "제거"는 교환하여 사용될 수 있다. 유사하게, 용어 "스트립퍼(stripper)" 및 "제거제"도 교환하여 이용될 수 있다. "알킬"은 직쇄, 분지쇄 및 고리 알킬을 언급한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "어프로틱(aprotic)"은 양자를 수용하거나 생산하지 않는 화합물을 언급한다.용어 "측벽 중합체(side wall polymer)"는 플라스마 에칭 후 잔재하는 유기 금속성 중합체 잔류물을 언급한다.
본 발명의 조성물은 하나 이상의 어프로틱(aprotic) 극성 용매; 테트라(C1-C6)알킬암모늄 하이드록사이드, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 카보네이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 아세테이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 시트레이트 또는 콜린 하이드록사이드로부터 선택된 하나 이상의 제 1 중합체 용해 촉진 염기; 하이드록실아민, 하이드록실아민 포름에이트 또는 카르복시산으로 완충된 하이드록실아민으로부터 선택된 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기 및 임의로 하나이상의 유기 첨가제를 포함한다.
본 발명의 방법에 적절한 어프로틱 극성 용매는 특정한 것으로 제한되는 것은 아니지만, 디메틸 설폭사이드, 설폴란, 디메틸 설퍼디옥사이드 등을 포함한다. 어프로틱 극성 용매가 디메틸 설폭사이드 또는 설폴란인 것이 바람직하다. 전형적으로, 조성물의 전체 중량에 대하여 어프로틱 극성 용매의 양은 약 20%(중량) 내지 99%(중량)범위이고, 바람직하게는 약 40%(중량) 내지 약 98%(중량)이고, 더욱 바람직하게는 약 60%(중량) 내지 약 95%(중량)이다. 상기 어프로틱 극성 용매는 알리치 케미컬 컴퍼니(Aldrich Chemical Company)(Milwaukee, Wisconsin)와 같은 다양한 소스로부터 구입할 수 있고, 추가의 정제 없이 이용될 수 있다.
적절한 제 1 중합체 용해 촉진 염기는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드와 같은 테트라(C1-C6)알킬암모늄 하이드록사이드;테트라메틸암모늄 카보네이트와 같은 테트라(C1-C6)알킬암모늄 카보네이트; 테트라메틸암모늄 아세테이트와 같은 테트라(C1-C6)알킬암모늄 아세테이트; 테트라메틸암모늄 시트레이트와 같은 테트라(C1-C6)알킬암모늄 시트레이트; 테트라메틸암모늄 실리케이트와 같은 테트라(C1-C6)알킬암모늄 실리케이트; 또는 콜린 하이드록사이드로부터 선택된다. 본 발명의 테트라(C1-C4)알킬암모늄 화합물은 테트라(하이드록시알킬)암모늄 화합물과 같은 치환된 테트라알킬암모늄 화합물을 포함한다. 따라서, 테트라(C1-C4)알킬암모늄 하이드록사이드는 2-하이드록시에틸 트리메틸암모늄 하이드록사이드, 디(하이드록시(C1-C4)알킬)디(C1-C4)알킬암모늄 하이드록사이드, 트리(하이드록시(C1-C4)알킬)(C1-C4)알킬암모늄 하이드록사이드 및 테트라(하이드록시(C1-C4)알킬암모늄 하이드록시와 같은 하이드록시(C1-C4)알킬 트리(C1-C4)알킬암모늄 하이드록시를 포함한다. 제 1 중합체 용해 촉진 염기는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 카보네이트, 테트라메틸암모늄 아세테이트 또는 테트라메틸암모늄 시트레이트의 하나 이상으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 테트라메틸암모늄 하이드록사이드는 전형적으로 5수화물(pentahydrate)로 이용된다. 제 1 중합체 용해 촉진 염기는 금속 이온, 특히, 나트륨, 칼륨 등이 없는 것이 바람직하다. 상기 제 1 중합체 용해 촉진 염기는 보통 예를 들면, 알리치(Milwaukee, Wisconsin)로부터 구입할 수 있고, 추가의 정제 없이 이용될 수 있다.
전형적으로, 하나 이상의 제 1 중합체 용해 촉진 염기는 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.1%(중량) 내지 약 10%(중량)의 양으로 존재한다. 제 1 중합체 용해 촉진 염기가 약 1%(중량) 내지 약 5%(중량), 더욱 바람직하게는 약 2%(중량) 내지 약 4%(중량)의 양으로 존재하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 하나 이상의 제 1 중합체 용해 촉진 염기가 이용되는 경우, 그들 염기는 모든 비율로 배합될 수 있다.
적절한 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기는 하이드록실아민, 하이드록실아민 포름에이트 또는 카르복시산으로 완충된 하이드록실아민으로부터 선택된다. 상기 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기는 예를 들면, 알리치(Milwaukee, Wisconsin)로부터 구입할 수 있고, 추가의 정제 없이 이용될 수 있다. 하이드록실아민은 보통 물중의 50%(중량)로 이용될 수 있고, 본 발명에서도 이와 같이 이용될 수 있다.
전형적으로, 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기는 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.1%(중량) 내지 약 30%(중량)의 양으로 존재하고, 바람직하게는 약 10%(중량) 내지 약 15%(중량)이다. 본 발명에서 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기가 이용되는 경우, 그들 염기는 모든 비율로 배합될 수 있다.
본 발명에서 특히 유용한 조성물은 90%(중량) 디메틸 설폭사이드, 8%(중량) 내지 9%(중량) 하이드록실아민 포름에이트 및 1%(중량) 내지 2%(중량) 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 5수화물을 포함한다.
본 발명에서 유용한 조성물은 임의로 하나 이상의 유기 첨가제를 포함한다. 적절한 임의의 첨가제는, 제한되는 것은 아니지만, 공용매(cosolvent), 부식 억제제, 계면활성제, 킬레이트제(chelating agents) 등을 포함한다.
적절한 공용매는 제한되는 것은 아니지만, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸프로판디올 및 디프로필렌글리콜과 같은 (C1-C20)알칸디올; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트와 같은 (C1-C20)알칸디올 (C1-C6)알킬 에테르; 아미노에틸아미노에탄올과 같은 아미노알콜; N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-하이드록시에틸피롤리돈 및 N-시클로헥실피롤리돈과 같은 N-(C1-C10)알킬피롤리돈 등을 포함한다. 공용매는 하나 이상의 (C1-C20)알칸디올, (C1-C20)알칸디올 (C1-C6)알킬 에테르 및 아미노알콜이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 하나 이상의 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 아미노에틸아미노에탄올이다.
상기 공용매가 이용되는 경우, 조성물의 총 중량에 대하여 그들은 전형적으로 약 5%(중량) 내지 약 80%(중량) 범위의 양으로 존재하고, 바람직하게는 약 10%(중량) 내지 약 45%(중량)이다. 본 발명에서 하나 이상의 공용매가 이용되는 것이 바람직하다. 어프로틱 극성 용매와 공용매의 중량 비율은 50:50 내지 95:5의 범위로, 바람직하게는 60:40 내지 80:20이고 더욱 바람직하게는 75:25이다.
본 발명에서 유용한 적절한 부식 억제제는 제한되는 것은 아니지만, 카테콜; 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 t-부틸카테콜과 같은 (C1-C6)알킬카테콜; 벤조트리아졸; (C1-C10)알킬벤조트리아졸; (C1-C10)하이드록시알킬벤조트리아졸; 2-머캅토벤즈이미다졸; 갈산; 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트와 같은 갈산 에스테르 등을 포함한다. 부식 억제제로 카테콜, (C1-C6)알킬카테콜, 벤조트리아졸 또는 (C1-C10)알킬벤조트리아졸이 바람직하다.
상기 부식 억제제가 이용되는 경우, 조성물의 총 중량에 대하여 그들은 전형적으로 약 0.01%(중량) 내지 약 10%(중량) 범위의 양으로 존재한다. 부식 억제제의 양이 약 0.2%(중량) 내지 약 5%(중량)인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 약 0.5%(중량) 내지 약 3%(중량)이고, 가장 바람직하게는 약 1.5%(중량) 내지 약 2.5%(중량)이다. 본 발명의 조성물에서 적어도 하나의 부식 억제제가 이용되는 것이 바람직하다.
비이온 및 양이온 계면활성제가 본 발명의 스트리핑 조성물과 함께 이용될 수 있다. 비이온 계면활성제가 바람직하다. 상기 계면활성제를 보통 구입할 수 있다. 계면활성제는 조성물의 총 중량에 대하여 전형적으로 약 0.2%(중량) 내지 약 5%(중량)의 양으로 존재하고, 바람직하게는 약 0.5%(중량) 내지 약 3%(중량)이며, 더욱 바람직하게는 약 1%(중량) 내지 약 2.5%(중량)이다.
조성물은 하나 이상의 어프로틱 극성 용매 및 하나 이상의 제 1 및 제 2 중합체 용해 촉진 염기를 어떤 순서로든 배합하여 제조될 수 있다. 공용매가 이용되는 경우, 첫번째로 어프로틱 극성 용매 및 공용매를 혼합한 후, 하나 이상의 제 1 및 제 2 중합체 용해 촉진 염기를 혼합하고, 이어 다른 임의 첨가제를 혼합하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물은 드라이 플라즈마 에칭된 평판 디스플래이 플레이트 (flat panel display plate) 또는 실리콘 웨이퍼(wafer)와 같은 기판으로부터 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는데 적절하다. 본 발명으로 제거될 수 있는 적절한 플라즈마 에칭 중합체 잔류물은 포토레지스트, 솔더 마스크, 반사 방지 코팅막 등으로부터의 플라즈마 에칭 잔류물이다. 본 발명의 조성물은 물질의 반응성 이온 에칭 및 이온 밀링 후에 존재하는 중합체 잔류물을 제거하는데 특히 유용하다.
본 발명의 공정의 장점은 공지된 스트리핑 조성물을 이용할 때보다 저온에서 이용할 수 있다는 점이다. 전형적으로, 본 발명의 플라즈마 에칭 중합체 잔류물 제거 공정은 실온 내지 약 120℃, 바람직하게는 약 35℃ 내지 약 85℃, 더욱 바람직하게는 약 50℃ 내지 약 85℃, 가장 바람직하게는 약 70℃ 내지 약 85℃의 어느 온도에서 수행될 수 있다. 본 발명의 플라즈마 에칭 중합체 잔류물 조성물이 가열되는 것이 바람직하다. 본 분야에 당업자에게는 본 발명의 플라즈마 에칭 중합체 잔류물 조성물이 다양한 방법에 의해 가열될 수 있다는 것이 인지될 것이다.
기판상의 플라즈마 에칭 중합체 잔류물은 기판을 본 발명의 조성물과 접촉시켜 제거될 수 있다. 기판은 공지된 방법, 예를 들면, 본 발명의 조성물을 포함하는 용기에 기판을 위치시키거나 기판상에 본 발명의 조성물을 분무하여 본 발명의 조성물과 접촉될 수 있다. 기판을 용기에 위치시키는 경우, 기판상의 플라즈마 에칭 중합체 잔류물이 완전히 침지되도록 본 발명의 조성물의 수위를 충분히 하는 것이 바람직하다. 플라즈마 에칭 잔류물이 제거될 수 있도록 충분한 시간동안 기판을 본 발명의 조성물과 접촉시킨 후, 기판을 본 발명의 조성물과 접촉으로부터 제거하고, DI수로 헹구었다.
본 발명의 조성물의 장점은, 다른 통상의 스트립퍼가 포스트 플라즈마 에치 잔류물(post plasma etch residues), 즉, 측벽 폴리머를 제거할 수 없는 경우, 상기 잔류물을 제거하는데 매우 효과적이다는 점이다. 본 발명의 조성물은 또한, 금속 기판상에 부식과 같은 부작용을 일으키지 않고 측벽 중합체를 신속하게 제거할 수 있다.
하기 실시예는 본 발명의 다양한 일면을 설명하고자 하는 것이고, 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예는 평판 디스플레이(FPD 또는 TFT/LCD)의 제조를 설명한다.
금속 스택으로 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 및 질화티탄(Ti-N)을 갖고, 포지티브형 포토레지스트 층을 포함하는 액정 평판 디스플레이(liquid crystal flat panel display)를 고밀도의 플라즈마, 및 Cl2, CCl4, CHCl3또는 CF4중 어느 하나로 처리하여 금속 층을 부식시키고, 산소 플라즈마로 에싱(ashing)하였다. 구입한 3개의 포토레지스트 스트립퍼 및 중합체 제거제(비교 A-C) 및 2개의 본 발명의 조성물을 이용하여 생성된 플라즈마 에칭된 중합체 잔류물을 시험하였다. 시험한 조성물을 표 1에 기록하였다. 모든 퍼센트는 중량으로 한다.
표 1
| 샘플 | 조성물 |
| A(비교) | 30% 하이드록실아민/65% 디글리콜아민/5% 카테콜 |
| B(비교) | 30% 하이드록실아민/65% 모노에탄올아민/5%카테콜 |
| C(비교) | 70% DMSO/25% 아미노에틸아미노에탄올/5% t-부틸카테콜 |
| 1(발명) | 2.5% TMAH/ 17.5% 하이드록실아민/75% DMSO/5% t-부틸카테콜 |
| 2(발명) | 2.5% TMAH/ 15% 하이드록실아민/77.5% DMSO/5% 벤조트리아졸 |
제작자가 제안한 스트리핑 시간 및 온도를 사용하였고 하기 표에 기록하였다. 샘플을 JEOL-6320 SEM(주사 전자 현미경) 포토(photos)로 측정된 각 조성물의 중합체 잔류물 제거도 및 오프닝(opening)에 의한 접촉의 저항성/전도도의 측정값에 대해 평가하였다. 샘플을 또한 금속 층의 부식에 대해 평가하였다. 스트리핑 공정 전후로 스트리핑 용액중의 각 이온들의 농도를 이용하여 각 금속 기판의 부식량을 측정하였다. 이온 농도를 추가 방법을 사용하면서 콜드 플라즈마 기술(cold plasma technique)을 이용한 HP-4500 유도 연결된 플라즈마 방출 질량 분광계(ICP/MS)로 측정하였다. 금속 부식도 및 중합체 잔류물 제거 결과를 표 2에 기록하였다.
표 2
| 샘플 | 온도(℃) | 시간(분) | 잔류물 제거율(%) | 부식 |
| A | 75 | 60 | 70-80 | Cu,Mo,Ti-N,W |
| B | 75 | 60 | 70-80 | Cu,Mo,Ti-N,W |
| C | 90 | 90 | 60 | Cu,Mo,Ti-N,W |
| 1 | 85 | 15 | 100 | 없음 |
| 2 | 75 | 15 | 100 | 없음 |
상기 표에서, 발명의 조성물은 기판을 부식시키지 않고 플라스마 에칭 중합체 잔류물을 신속하고 완전히 제거하는데 고도로 효과적임을 나타낸다.
Claims (14)
- 하나 이상의 어프로틱 극성 용매; 테트라(C1-C6)알킬암모늄 하이드록사이드, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 카보네이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 아세테이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 시트레이트, 테트라(C1-C6)알킬암모늄 실리케이트 또는 콜린 하이드록사이드로부터 선택된 하나 이상의 제 1 중합체 용해 촉진 염기; 하이드록실아민, 하이드록실아민 포름에이트 또는 카르복시산으로 완충된 하이드록실아민으로부터 선택된 하나 이상의 제 2 중합체 용해 촉진 염기를 포함하는 기판으로부터 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 어프로틱 극성 용매가 디메틸 설폭사이드, 설폴란 또는 디메틸 설퍼디옥사이드로부터 선택된 조성물.
- 제 1항에 있어서, 어프로틱 극성 용매가 조성물의 총 중량에 대하여 약 20%(중량) 내지 약 99%(중량)의 양으로 존재하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 제 1 중합체 용해 촉진 염기가 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라메틸암모늄 카보네이트, 테트라메틸암모늄 아세테이트 또는 테트라메틸암모늄 시트레이트로의 하나 이상으로부터 선택된 조성물.
- 제 1항에 있어서, 제 1 중합체 용해 촉진 염기가 조성물의 총 중량에 대하여 약 0.1%(중량) 내지 약 10%(중량)의 양으로 존재하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 제 2 중합체 용해 촉진 염기가 조성물의 총 중량에 대하여 약 0.1%(중량) 내지 약 30%(중량)의 양으로 존재하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 공용매, 부식 억제제, 계면활성제 또는 킬레이트제로부터 선택된 하나 이상의 유기 첨가제를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 7항에 있어서, 공용매가 (C1-C20)알칸디올, (C1-C20)알칸디올 (C1-C6)알킬 에테르, 아미노알콜, 또는 N-(C1-C10)알킬피롤리돈으로부터 선택되는 조성물.
- 제 8항에 있어서, 공용매가 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸프로판디올, 디프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 아미노에틸아미노에탄올, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-하이드록시에틸피롤리돈 또는 N-시클로헥실피롤리돈으로부터 선택되는 조성물.
- 제 7항에 있어서, 공용매가 조성물의 총 중량에 대하여 약 5%(중량) 내지 약 80%(중량)의 양으로 존재하는 조성물.
- 제 7항에 있어서, 부식 억제제가 카테콜, (C1-C6)알킬카테콜, 벤조트리아졸, (C1-C10)알킬벤조트리아졸, (C1-C10)하이드록시알킬벤조트리아졸, 2-머캅토벤즈이미다졸, 갈산 또는 갈산 에스테르로부터 선택되는 조성물.
- 제 11항에 있어서, 부식 억제제가 메틸카테콜, 에틸카테콜, t-부틸카테콜 또는 벤조트리아졸로부터 선택되는 조성물.
- 제 7항에 있어서, 부식 억제제가 조성물의 총 중량에 대하여 약 0.01%(중량) 내지 약 10%(중량)의 양으로 존재하는 조성물.
- 제거하고자 하는 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 포함하는 기판을 제 1항의 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 기질로부터 플라즈마 에칭 중합체 잔류물을 제거하는 방법.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491386B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2005-05-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 산화 금속 박막 세정 방법 |
| KR100646793B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 씬너 조성물 |
| KR100756552B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2007-09-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 씬너 조성물 |
| KR101169332B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2012-07-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135445B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
| US6492308B1 (en) | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
| EP1138726B1 (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-12 | Shipley Company LLC | Polymer remover |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| JP2002367956A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-12-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の電極パッド及びその製造方法 |
| US20030139069A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-07-24 | Block Kelly H. | Planarization of silicon carbide hardmask material |
| US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| CA2488737A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Microelectronic cleaning and arc remover compositions |
| CN1774670A (zh) * | 2003-04-16 | 2006-05-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于印刷构图抗蚀剂层的组合物和方法 |
| US20040220066A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. | Stripper |
| US6951710B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
| US20040256354A1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-23 | Raluca Dinu | Method of removing etch veils from microstructures |
| US20050049162A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Schlosser Ted M. | Petroleum-free, ammonia-free cleaner for firearms and ordnance |
| KR101117939B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-02-29 | 사켐,인코포레이티드 | 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법 |
| US7498295B2 (en) | 2004-02-12 | 2009-03-03 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide |
| US7435712B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
| CN1690120A (zh) * | 2004-03-01 | 2005-11-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 具有高减震能力的树脂组合物 |
| JP4519512B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、除去方法 |
| US20060003910A1 (en) | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Hsu Jiun Y | Composition and method comprising same for removing residue from a substrate |
| JP3994992B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2007-10-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
| US20060094612A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Mayumi Kimura | Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum |
| KR101088568B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-12-05 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
| WO2007047365A2 (en) | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metals compatible photoresist and/or sacrificial antireflective coating removal composition |
| US8263539B2 (en) * | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
| US7632796B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US7674755B2 (en) * | 2005-12-22 | 2010-03-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC |
| JP5101046B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-12-19 | 三洋化成工業株式会社 | 液晶パネル用配向膜の剥離液 |
| JP5244916B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-07-24 | サッチェム，インコーポレイテッド | 損傷のない半導体の湿式洗浄のための高い負のゼータ電位の多面体シルセスキオキサン組成物および方法 |
| US20100041581A1 (en) * | 2008-02-13 | 2010-02-18 | Lubrication Technologies, Inc. | Aqueous cleaning composition |
| TWI450052B (zh) | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
| US8110535B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
| US8518865B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-08-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same |
| FR2965567B1 (fr) * | 2010-10-05 | 2013-12-27 | Arkema France | Composition de nettoyage de polymeres |
| US8889609B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
| CN102221791B (zh) * | 2011-04-29 | 2014-09-03 | 西安东旺精细化学有限公司 | 一种光致抗蚀剂的剥离液组合物 |
| US8987181B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
| US8815706B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-08-26 | Infineon Technologies Ag | Methods of forming semiconductor devices |
| US9158202B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| KR20160017477A (ko) * | 2014-08-06 | 2016-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 세정제 조성물 |
| KR102572751B1 (ko) * | 2016-03-15 | 2023-08-31 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
| US11175587B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-16 | Versum Materials Us, Llc | Stripper solutions and methods of using stripper solutions |
| CN111763573A (zh) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种碱性玻璃基板清洗液组合物 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4401747A (en) | 1982-09-02 | 1983-08-30 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
| US5279771A (en) | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
| DE69333877T2 (de) * | 1992-07-09 | 2006-06-14 | Ekc Technology Inc | Reinigungsmittelzusammensetzung, das einem Redox Aminverbindung enthält |
| US5407788A (en) * | 1993-06-24 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Photoresist stripping method |
| JP2911792B2 (ja) | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| US5780406A (en) | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
-
2000
- 2000-02-25 US US09/514,063 patent/US6475966B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-22 EP EP01301615A patent/EP1128221A3/en not_active Withdrawn
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756552B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2007-09-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 씬너 조성물 |
| KR100491386B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2005-05-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 산화 금속 박막 세정 방법 |
| KR100646793B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 씬너 조성물 |
| KR101169332B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2012-07-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR20070019604A (ko) | 중합체-스트리핑 조성물 |
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