KR100756552B1 - 씬너 조성물 - Google Patents

씬너 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100756552B1
KR100756552B1 KR1020010036103A KR20010036103A KR100756552B1 KR 100756552 B1 KR100756552 B1 KR 100756552B1 KR 1020010036103 A KR1020010036103 A KR 1020010036103A KR 20010036103 A KR20010036103 A KR 20010036103A KR 100756552 B1 KR100756552 B1 KR 100756552B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ether
weight
thinner composition
resist
amine
Prior art date
Application number
KR1020010036103A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030000359A (ko
Inventor
박찬석
김길래
박춘호
김경아
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020010036103A priority Critical patent/KR100756552B1/ko
Publication of KR20030000359A publication Critical patent/KR20030000359A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100756552B1 publication Critical patent/KR100756552B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/044—Hydroxides or bases
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 TFT LCD 디바이스와 반도체 디바이스 제조 공정에서 기판 위에 코팅되는 레지스트 막의 가장자리 부분 또는 기판의 후면에 형성되는 불필요한 막 성분을 제거하기 위한 씬너 조성물에 관한 것으로서, a) 유기 아민 0.1 내지 5 중량%, b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%, c) 음이온계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어진 계면활성제 0.01 내지 5 중량%, 및 d) 물 60 내지 99 중량 %를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공한다. 상기 레지스트 제거용 씬너 조성물은 레지스트 제거 능력이 우수하며, 장비에 대한 부식의 우려가 없다.
TFT LCD, 반도체 디바이스, 씬너, 레지스트

Description

씬너 조성물{Thinner composition}
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display: TFT LCD) 및 반도체 디바이스 제조 공정에서 사용되는 감광성 수지(레지스트)막 제거용 씬너(Thinner) 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 TFT LCD 디바이스와 반도체 디바이스 제조 공정에서 기판 위에 코팅되는 레지스트 막의 가장자리 부분 또는 기판의 후면에 형성되는 불필요한 막 성분을 제거하기 위한 씬너 조성물에 관한 것이다.
TFT LCD 회로 또는 반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포하고, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 레지스트 조성물을 노광하고, 스트리퍼를 이용하여 현상함으로서 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 다음으로 패턴된 레지스트 막을 마스크로 사용하여 상기 금속막 또는 절연막을 에칭한 다음, 남은 레지스트 막을 제거하여 기판 상에 미세 회로를 형성할 수 있다. 이와 같은 리쏘그래피법에 의해 TFT LCD 또는 반도체 디바이스를 제조하는 경우, 글라스, 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트 막을 필수적으로 형성하여야 하며, 형성된 레지스트 막의 가장자리에 불필요하게 도포된 레지스트 및 기판 하부에 형성될 수 있는 불필요한 막을 기판으로부터 제거하기 위하여, 레지스트 막의 노광 및 현상 공정 이전에 기판을 씬너로 세정하는 공정이 필요하다.
기판 상의 레지스트 막을 세정, 제거하는 씬너로는 물을 기본으로 하여 무기 및 유기 알카리계 씬너, 모노에탄올아민 등의 유기 아민계 씬너들이 공지되어 있다. 그러나 무기 알카리계 씬너는 불량막 제거 작업 후, 무기물이 잔류하여 공정 장비의 오염 우려가 있으며, 레지스트 제거효율이 낮은 단점이 있으므로, 근래에는 유기 알칼리 및 유기아민을 주성분으로 하는 씬너가 주로 사용되고 있다. 유기 알칼리 및 유기아민은 용제 휘발 후 잔존 이물질이 거의 없어 장비에 대한 부식이 없으며 레지스트에 대한 용해도가 우수하여 뛰어난 레지스트 제거 성능을 나타낸다. 또한 씬너 조성물로서 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기알칼리, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 유기 알칼리 및 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-부틸아세테이트 등의 유기용제를 혼합한 씬너 조성물이 사용되고 있으나, 상기 유기용제로는 충분한 레지스트 제거력을 기대할 수 없으며, 특히 무기알칼리의 함량이 증가할수록 휘발 후 장비 부식에 대한 우려가 커지게 된다. 따라서, 우수한 레지스트 제거력을 가짐과 동시에 장비 부식을 방지할 수 있는 레지스트 제거용 씬너 조성물이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명자들은 유기아민, 유기용제, 계면활성제 및 물을 특정 비율로 함유하는 씬너 조성물이 상기 요건을 충족시킬 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 따라서, 본 발명은 레지스트 제거 능력이 탁월하며, 장비에 대한 부식의 우려가 없는 TFT LCD 디바이스와 반도체 디바이스 레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 유기 아민 0.1 내지 5 중량%, b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%, c) 음이온계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어진 계면활성제 0.01 내지 5 중량%, 및 d) 물 60 내지 99 중량 %을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공한다. 여기서 상기 계면활성제는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, 폴리옥시프로필옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필옥틸페닐에테르 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비이온계 계면활성제와 음이온계 계면활성제로서 알킬 설페이트 나트륨(sodium alkyl sulfate)을 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 레지스트 제거용 씬너 조성물에 있어서, 상기 유기 아민 성분으로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌글리콜아민, 프로필렌글리콜아민, 부틸렌글리콜아민, 디에틸렌글리콜아민, 디프로필렌글리콜아민 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 상기 유기 아민의 함량은 전체 씬너 조성물에 대하여 0.1 내지 5 중량%인 것이 바람직하고, 1 내지 4 중량%이면 더욱 바람직하다. 상기 유기 아민 성분의 함량이 0.1 중량% 미만이면 레지스트의 고분자 성분 내로 침투력이 약화되어 씬너 조성물의 레지스트 용해 및 제거 속도가 늦어지며, 5 중량%를 초과하면 침투력이 너무 강하여 레지스트 제거 경계면에 누적(build-up) 되어 현상 후 공정에서 미현상되어 남기도 한다.
본 발명의 레지스트 제거용 씬너 조성물에 있어서, 상기 b) 유기 용제로는 물과 잘 혼용될 수 있으며, 레지스트 및 유기 아민계 화합물을 충분히 용해할 수 있는 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들면 에틸렌글리콜페닐에테르, 프로필렌글리콜페닐에테르, 부틸렌글리콜페닐에테르, 디에틸렌글리콜페닐에테르, 디프로필렌글리콜페닐에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸렌에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, N-메틸피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈(NEP), N-프로필 피롤리돈(NPP), N-하이드록시메틸 피롤리돈, N-하이드록시에틸 피롤리돈 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 유기 용제의 함량은 0.1 내지 30 중량%가 바람직하며, 1 내지 10 중량% 이면 더욱 바람직하다. 상기 유기 용제의 함량이 0.1 중량% 미만이면 레지스트 및 유기 아민계 화합물에 대한 용해력이 떨어지며, 30 중량%를 초과하면 폐액 처리가 쉽지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 씬너 조성물에 있어서, 상기 c) 계면활성제로는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, 폴리옥시프로필옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필옥틸페닐에테르, 이들의 혼합물 등의 비이온계 계면활성제와 소듐 라우레이트 설페이트, 알킬 설페이트 나트륨 등의 음이온계 계면활성제가 혼합된 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 계면활성제들은 물 및 유기용제에 잘 섞여 용해될 수 있어야 하며, 특히 음이온계 계면활성제는 유기용제와 물의 용해도를 높여주는 역할을 한다. 상기 계면활성제의 함량은 0.01 내지 5 중량%인 것이 바람직하며, 상기 음이온계 계면활성제와 상기 비이온계 계면활성제의 혼합비(중량비)는 1 : 5 내지 25 인 것이 바람직하다. 상기 계면활성제의 함량이 0.01중량% 미만인 경우에는 유기아민, 유기용제 및 물의 혼합이 원활하지 않고, 5중량%를 초과하는 경우에는 씬너 조성물의 레지스트 제거력이 저하되는 단점이 있으며, 상기 음이온계 계면활성제와 상기 비이온계 계면활성제의 혼합비가 1 : 5 미만인 경우에는 유기용제와 물의 용해도에 문제가 있으며, 1 : 25를 초과하는 경우에는 레지스트 제거능력이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 씬너 조성물에 있어서, 필수 구성 성분인 d) 물은 이온교환수지를 통해 여과한 순수를 사용하는 것이 바람직하며, 비저항이 18메가오옴(Ω) 이상인 초순수를 사용하면 더욱 바람직하다. 전체 씬너 조성물에 대하여 상기 물의 함량은 60 내지 99 중량%인 것이 바람직하며, 상기 물의 함량이 60 중량% 미만일 경우에는 폐액 처리 등에 문제가 있으며, 99 중량%를 초과하면 레지스트 제거력이 저하되는 문제점이 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의거하여 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.
[실시예]
시편제조: 크롬 블랙 매트릭스(Black Matrix)가 증착되어 있는 LCD 글라스(Glass)에 범용적으로 사용되는 칼라 레지스트(Color Resist) 조성물(FujiFilm Arch 사제, 상품명 : CR-8131L, CG-8130L, CB-8140L, CR-8100L, CG-8100L, CB-8100L)을 스핀 코팅하여, 최종 막 두께가 2㎛가 되도록 도포한 후, 챔버(chamber)에서 60초 동안 진공건조(0.5 torr)하였다.
씬너 조성물의 제조: 유기 아민, 유기용제, 계면활성제 및 물의 함량을 조절하여 하기 표 1의 성분비를 가지는 실시예 1 내지 6의 씬너 조성물 및 하기 표 2 의 성분비를 가지는 비교예 1 내지 4의 씬너 조성물을 제조하였다.
유기아민 유기 용제 계면활성제 물
MEA DEGA TEA TEOA NMP PPOH DPGME PGMEA POEO ES 물
실시예 1 1.3 0.5 1.0 1.0 1.0 0.1 95.5
실시예 2 1.3 0.5 1.0 3.0 1.0 0.1 93.1
실시예 3 1.3 0.5 1.0 3.0 1.0 0.1 93.1
실시예 4 2.6 0.5 1.0 5.0 1.0 0.1 64.3
실시예 5 2.6 0.5 1.0 5.0 2.0 0.1 88.8
실시예 6 2.6 0.5 3.0 1.0 2.0 0.1 90.8
실시예 7 2.6 0.5 3.0 5.0 2.0 0.1 86.8
실시예 8 2.6 0.5 3.0 5.0 2.0 0.1 86.8
유기알카리 유기 용제 물
TMAH n-BA PGME DPGME 물
비교예 1 0.6 5.0 5.0 89.4
비교예 2 0.6 5.0 5.0 89.4
비교예 3 0.6 5.0 5.0 89.4
비교예 4 0.6 5.0 5.0 89.4
상기 표 1 및 2에서, MEA는 모노에탄올아민, DEGA는 디에틸렌글리콜아민. TEA는 트리에틸아민, TEOA는 트리에탄올아민, NMP는 N-메틸피롤리돈, PPOH는: 프로필렌글리콜페닐에테르, DPGME는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, PGMEA는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, TMAH는 테트라메틸암모늄하이드록사이드, n-BA는 n-부틸아세테이트, PGME는 프로필렌글리콜모노메틸에테르, POEO는 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, ES는 소듐 라우레이트 설페이트를 각각 나타낸다.
상시 실시예 및 비교예의 씬너 조성물에 레지스트가 코팅된 글라스 기판을 2초간 침지한(dip) 후, 탈이온수 (D. I. Water)로 세정한 다음, 육안 및 광학전자현미경(LEICA사, 모델:FTM-200)으로 관찰하여 에지 부분의 불량막 제거상태의 양호, 불량을 관찰하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
레지스트 제거력 관찰 육안관찰 공학전자현미경관찰
실시예 1 양호 양호
실시예 2 양호 양호
실시예 3 양호 양호
실시예 4 양호 양호
실시예 5 양호 양호
실시예 6 양호 양호
실시예 7 양호 양호
실시예 8 양호 양호
비교예 1 양호 불량
비교예 2 양호 불량
비교예 3 불량 불량
비교예 4 불량 불량
상기 표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 씬너 조성물로 세정을 한 경우에는 육안관찰, 광학 전자 현미경 관찰의 경우 불량막 제거 상태가 모두 양호하였으나, 비교예의 씬너 조성물로 세정을 한 경우에는 불량막 제거 상태가 불량함을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 씬너 조성물은 종래에 사용되던 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기알카리, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등의 유기 알카리와 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-부틸아세테이트 등의 유기용제의 혼합물이 가지는 불완전한 세정성, 장비에 대한 오염성 등의 문제점을 해결하여 특히 미세한 레지스트 잔막까지 제거할 수 있는 뛰어난 성능을 가지고 있다.

Claims (5)

  1. a) 유기 아민 0.1 내지 5 중량%;
    b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%;
    c) 음이온계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어진 계면활성제 0.01 내지 5 중량%; 및
    d) 물 60 내지 99 중량 %
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌글리콜아민, 프로필렌글리콜아민, 부틸렌글리콜아민, 디에틸렌글리콜아민, 디프로필렌글리콜아민, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 용제는 에틸렌글리콜페닐에테르, 프로필렌글리콜페닐에테르, 부틸렌글리콜페닐에테르, 디에틸렌글리콜페닐에테르, 디프로필렌글리콜페닐에테르, N-메틸피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈(NEP), N-프로필 피롤리돈(NPP), N-하이드록시메틸 피롤리돈, N-하이드록시에틸 피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, 폴리옥시프로필옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필옥틸페닐에테르 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 상기 음이온계 계면활성제는 알킬 설페이트 나트륨(sodium alkyl sulfate)인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 음이온계 계면활성제와 상기 비이온계 계면활성제의 함량비(중량비)는 1 : 5 내지 25 인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 씬너 조성물.
KR1020010036103A 2001-06-23 2001-06-23 씬너 조성물 KR100756552B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036103A KR100756552B1 (ko) 2001-06-23 2001-06-23 씬너 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036103A KR100756552B1 (ko) 2001-06-23 2001-06-23 씬너 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030000359A KR20030000359A (ko) 2003-01-06
KR100756552B1 true KR100756552B1 (ko) 2007-09-07

Family

ID=27710826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010036103A KR100756552B1 (ko) 2001-06-23 2001-06-23 씬너 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100756552B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646793B1 (ko) * 2001-11-13 2006-11-17 삼성전자주식회사 씬너 조성물
KR100743680B1 (ko) * 2005-02-04 2007-07-30 환 규 최 바다낚시용 전유동찌
KR100945157B1 (ko) * 2008-01-04 2010-03-08 주식회사 켐트로닉스 티에프티 엘씨디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
KR102487250B1 (ko) * 2016-11-07 2023-01-13 동우 화인켐 주식회사 반도체 포토레지스트 패턴용 세정액 조성물

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000048300A (ko) * 1998-12-25 2000-07-25 나까네 히사시 포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 이용한 포토레지스트 박리방법
KR20000046480A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 이부섭 포토레지스트 리무버 조성물
JP2000206706A (ja) * 1998-10-05 2000-07-28 Agfa Gevaert Ag 濃縮液、およびそれから製造した、像様露光された記録材料用の水性現像剤
KR20010073408A (ko) * 2000-01-14 2001-08-01 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 리무버 조성물
KR20010085591A (ko) * 2000-02-25 2001-09-07 마티네즈 길러모 플라즈마 에칭 잔류물 제거

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206706A (ja) * 1998-10-05 2000-07-28 Agfa Gevaert Ag 濃縮液、およびそれから製造した、像様露光された記録材料用の水性現像剤
KR20000048300A (ko) * 1998-12-25 2000-07-25 나까네 히사시 포토 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 이용한 포토레지스트 박리방법
KR20000046480A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 이부섭 포토레지스트 리무버 조성물
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
KR20010073408A (ko) * 2000-01-14 2001-08-01 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 리무버 조성물
KR20010085591A (ko) * 2000-02-25 2001-09-07 마티네즈 길러모 플라즈마 에칭 잔류물 제거

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030000359A (ko) 2003-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100646793B1 (ko) 씬너 조성물
US6475966B1 (en) Plasma etching residue removal
EP1264216B1 (en) Method of reducing defects
CN101041794A (zh) 清洗液组成物和其用途
KR100840530B1 (ko) 포토레지스트 현상액 조성물
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
TWI323391B (en) Remover solution composition and use thereof
KR100485737B1 (ko) 레지스트 제거용 신너 조성물
KR100756552B1 (ko) 씬너 조성물
US20030144162A1 (en) Composition and method for removing copper-compatible resist
KR100655108B1 (ko) 양성 또는 음성 감광제 물질 세정용 조성물
KR101161051B1 (ko) 현상제 조성물
US20060177761A1 (en) Chemical rinse composition
US20050119142A1 (en) Cleaning agent composition for a positive or a negative photoresist
CN100595680C (zh) 用于除去感光树脂的稀释剂组合物
KR20050103377A (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR20050050346A (ko) 포토레지스트 제거용 세정용액
KR20050087357A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
TW201020696A (en) Photoresist removing composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130607

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee