ES2330805T3 - Composiciones estabilizadas limpiadoras, no acuosas, para sustratos microelectronicos. - Google Patents

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Abstract

Una composición decapante y de limpieza no acuosa para la limpieza de dispositivos microelectrónicos, comprendiendo la composición: a) por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado como solvente de decapado, b) por lo menos una fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido, y c) por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador.

Description

Composiciones estabilizadas limpiadoras, no acuosas, para sustratos microelectrónicos.
Campo de la invención
Esta invención pertenece a composiciones estabilizadas limpiadoras y decapantes para sustratos microelectrónicas y, particularmente, para limpiar masas fotorresistentes, residuos poliméricos no reducidos a cenizas y residuos reducidos a cenizas procedentes de sustratos microelectrónicos modelados con la consecuente baja corrosión metálica o esencialmente sin corrosión metálica. Aunque la invención es especialmente efectiva para la limpieza de polímeros de componentes de dispositivos microelectrónicos basados en aluminio y basados en cobre sin ocasionar una corrosión indebida del aluminio y del cobre, ésta también es efectiva para eliminar polímeros de otras aplicaciones microelectrónicas al mismo tiempo que protege a los metales y sustratos de la corrosión. Entre los procesos en los que la invención es efectiva, la limpieza y protección son los utilizados en la fabricación de discos duros (con aleaciones de metales de Fe, Co, Ni y Cr), procesos de wafer bumping (tales como PbSn, InSn y otras soldaduras libres de Pb), etapa inicial avanzada de los procesos de recubrimiento (SiGe, diversas puertas de metal) y semiconductores compuestos. La invención además se refiere a composiciones de limpieza como tales que también son capaces de limpiar residuos posteriores a la reducción a cenizas procedente de otras vías y procedentes de líneas de metal, así como limpiar o decapar materiales fotorresistentes no reducidos a cenizas de sustratos microelectrónicos. Un aspecto adicional de esta invención es un proceso de limpieza y decapado de material fotorresistente y de residuo de componentes microelectrónicos, especialmente componentes microelectrónicos que contienen aluminio, sin ocasionar una indebida corrosión metálica a los metales que se encuentran en los numerosos procesos microelectrónicos.
Antecedentes de la invención
Se han propuesto muchos decapantes de material fotorresistente y eliminadores de residuos para el uso en la fabricación de componentes microelectrónicos. Muchas etapas en la construcción de los dispositivos microelectrónicos requieren una película delgada de material fotorresistente que es depositada sobre un material de sustrato y sobre la cual se forma la imagen para producir el diseño del circuito. La imagen resultante es utilizada para modelar el material subyacente, que podría ser una capa de metal o de dieléctrico, utilizando gases de grabado por plasma o grabado químico basado en solventes. A continuación de esta etapa de grabado, la máscara resistente debe ser eliminada del área protegida del sustrato para que pueda tener lugar la siguiente operación del proceso. El material fotorresistente puede ser eliminado directamente mediante decapantes químicos húmedos, o eliminado en su mayor parte mediante reducción a cenizas de la masa de material seguido de la eliminación del residuo. Encontrar una composición de limpieza para la eliminación de la masa de los materiales resistentes y de los residuos convertidos a cenizas puede constituir un reto. El proceso de grabado puede modificar el polímero masivo, incrementando los enlaces cruzados y haciendo más difícil de eliminar al material resistente. Los enlaces cruzados similares pueden orientarse cuando la etapa de reducción a cenizas es parcial o incompleta, y los residuos reducidos a ceniza sobre las paredes laterales con diseño pueden resultar difíciles de eliminar. Adicionalmente, la solución de limpieza debe proporcionar una limpieza adecuada a la vez que protección de todos los metales expuestos y de los dieléctricos contra la corrosión o el grabado. Esto es de particular interés en áreas de desarrollo de la microelectrónica que requieren compatibilidad con numerosos materiales simultáneamente, cada uno con requerimientos particulares de compatibilidad.
Se han propuesto muchas composiciones de limpieza y decapantes alcalinas para microelectrónica, para la eliminación de material fotorresistente con enlaces cruzados y endurecidos y de otros residuos, tales como residuos posteriores al grabado, procedentes de tales sustratos microelectrónicos. Sin embargo, un problema de tales composiciones decapantes y de limpieza es la posibilidad de corrosión metálica que se produce como resultado del uso de dichas composiciones de limpieza. Tal corrosión da como resultado filamentos, erosión, muescas o líneas metálicas y pérdida selectiva del metal de las aleaciones debido, por lo menos en parte, a la reacción de los metales de los sustratos del dispositivo con los decapantes alcalinos empleados. Una de tales composiciones de limpieza y decapantes alcalinas para microelectrónica es la descrita en la Patente Norteamericana Nº 5.308.745. Aunque las composiciones de limpieza y decapantes de esta patente han sido empleadas comercialmente para despojar el material fotorresistente endurecido y con enlaces cruzados de los sustratos, se ha descubierto que los intentos de limpiar sustratos microelectrónicos que tienen diversas capas de metal expuestas con la composición de limpieza de esta patente ha dado como resultado una corrosión del metal significativa o una limpieza insuficiente del material resistente o de los residuos. Los documentos EP 1 128 222 y WO 2005/109 108 divulgan composiciones de limpieza y decapantes no acuosas para material fotorresistente. El documento WO 2005/043 245 divulga composiciones de limpieza y decapantes acuosas alcalinas para la industria de la microelectrónica.
Por lo tanto, es necesario que las composiciones de limpieza y decapantes para la microelectrónica puedan eliminar de forma efectiva masas de residuo de material resistente y residuos convertidos en cenizas, y llevarlo a cabo sin una corrosión significativa del metal o un ataque del sustrato resultante de la composición decapante y de limpieza. También es necesario que tales composiciones proporcionen protección contra la corrosión para los numerosos materiales presentes en la manufactura de componentes microelectrónicos expuestos a la química de limpieza en la misma etapa de limpieza.
Breve resumen de la invención
De acuerdo con esta invención, se proporcionan composiciones de limpieza y decapantes no acuosas para limpiar dispositivos microelectrónicos, comprendiendo la composición: por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado como solvente de decapado, por lo menos una fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido y por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador para inhibir las reacciones laterales perjudiciales. Otros componentes opcionales, tales como, por ejemplo, co-solventes, agentes surfactantes o tensioactivos, agentes quelantes o complejantes de los metales e inhibidores de la corrosión, pueden estar presentes también en las composiciones de limpieza y decapantes no acuosas de esta invención.
La composición de limpieza y decapante no acuosa de esta invención para limpiar dispositivos microelectrónicos preferentemente comprenderá de forma general un sulfóxido líquido tal como el dimetilsulfóxido (DMSO), una sulfona líquida tal como el sulfolano o mezclas de los mismos, como compuesto polar orgánico sulfurado actuante como solvente de decapado en una cantidad de entre el 20% en peso y el 99% en peso con base en el peso de la composición, un hidróxido metálico alcalino, hidróxido de amonio o hidróxidos de amonio cuaternario como la base fuerte de hidróxido en una cantidad de entre el 0,5% en peso y el 20% en peso con base en el peso de la composición, y
2-hidroxipiridina o 4-hidroxipiridina o mezclas de las mismas en una cantidad de entre el 0,01% en peso y el 5% en peso con base en el peso de la composición.
El método para limpiar dispositivos microelectrónicos según esta invención comprende un método para limpiar dispositivos microelectrónicos sin producir ninguna corrosión sustancial del metal, comprendiendo el proceso el contacto del dispositivo microelectrónico con una composición de limpieza no acuosa durante un tiempo suficiente para limpiar el dispositivo, en el cual la composición de limpieza comprende por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado como solvente de decapado, por lo menos una fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido y por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador y, opcionalmente, otros componentes adicionales tales como, por ejemplo, co-solventes, agentes surfactantes o tensioactivos, agentes complejantes o quelantes de los metales e inhibidores de la corrosión.
Descripción detallada de la invención y realizaciones preferidas
Las composiciones de limpieza y decapantes no acuosas de esta invención para limpiar dispositivos microelectrónicos comprenden por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado como solvente de decapado, por lo menos una fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido y por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador para inhibir las reacciones laterales perjudiciales. Otros componentes opcionales tales como, por ejemplo, co-solventes, agentes surfactantes o tensioactivos, agentes complejantes o quelantes de los metales e inhibidores de la corrosión pueden estar presentes también en las composiciones de limpieza y decapantes no acuosas de esta invención.
Puede emplearse en las composiciones de esta invención cualquier compuesto orgánico polar sulfurado solvente para decapado adecuado. Ejemplos de tales compuestos polares orgánicos sulfurados adecuados incluyen, pero no están limitados a, sulfóxidos de dialquilo líquidos, sulfonas líquidas y similares, especialmente dimetilsulfóxido y sulfolano. Tales compuestos incluyen, por ejemplo, sulfolanos de fórmula R^{1}-S(O)(O)-R^{2}, en la cual R^{1} y R^{2} son alquilos de 1 a 4 átomos de carbono, sulfóxidos líquidos de fórmula R^{1}-S(O)-R^{2}, en la cual R^{1} y R^{2} son alquilos de 1 a 4 átomos de carbono tales como dimetilsulfóxido (DMSO), y sulfóxidos cíclicos y compuestos de sulfona tales como sulfolano (tetrahidrotiofeno-1,1-dióxido) y similares. Tales compuestos polares orgánicos sulfurados estarán presentes en la composición en una cantidad de entre el 20% en peso y el 99% en peso, preferentemente entre el 25% y el 90% en peso, y más preferentemente aún entre el 50% en peso y el 90% en peso, con base en el peso de la composición.
Puede emplearse en las composiciones de esta invención cualquier base fuerte de hidróxido no acuosa adecuada. Ejemplos de tales bases fuertes de hidróxido no acuosas adecuadas incluyen, pero no están limitadas a, hidróxidos metálicos alcalinos, hidróxidos de amonio e hidróxidos de amonio cuaternarios. Se prefieren las bases no metálicas y se prefieren aún más las bases de amonio cuaternario especialmente los hidróxidos de tetra-alquilamonio tales como el hidróxido de tetrametilamonio y similares. Las bases son preferentemente hidróxidos de amonio cuaternarios tales como los hidróxidos de tetra-alquilamonio (incluyendo grupos alquilos que contienen radicales hidroxi- y alcoxi- generalmente de 1 a 4 átomos de carbono en el grupo alquilo o alcoxi, pero incluyendo también grupos bencilos). Los preferidos de éstos son el hidróxido de tetrametilamonio y el hidróxido de trimetil-2-hidroxietil-amonio (colina). Ejemplos de otros hidróxidos de amonio cuaternario útiles incluyen: hidróxido de trimetil-3-hidroxipropil-amonio, hidróxido de trimetil-3-hidroxibutil-amonio, hidróxido de trimetil-4-hidroxibutil-amonio, hidróxido de trietil-2-hidroxietil-amonio, hidróxido de tripropil-2-hidroxietil-amonio, hidróxido de tributil-2-hidroxietil-amonio, hidróxido de dimetil-etil-2-hidroxietil-amonio, hidróxido de dimetil-di-(2-hidroxietil) amonio, hidróxido de monometil-trietanol-amonio, hidróxido de tetraetil-amonio, hidróxido de tetrapropil-amonio, hidróxido de tetrabutil-amonio, hidróxido de tetraetanol-amonio, hidróxido de monometiltrietil-amonio, hidróxido de monometiltripropil-amonio, hidróxido de monometiltributil-amonio, hidróxido de monoetiltrimetil-amonio, hidróxido de monoetiltributil-amonio, hidróxido de dimetildietil-amonio, hidróxido de dimetildibutil-amonio, hidróxido de benciltrimetil-amonio y similares, y mezclas de los mismos. La cantidad de dicha al menos una base fuerte de hidróxido no acuosa empleada en la composición estará en general en una cantidad de entre el 0,5% en peso y el 20% en peso, preferentemente entre el 0,5% en peso y el 10% en peso, y más preferentemente aún entre el 0,5% en peso y el 5% en peso con base en el peso de la
composición.
Puede emplearse en las composiciones de esta invención cualquier compuesto de hidroxipiridina adecuado como el componente agente estabilizador. Como ejemplos de tales hidroxipiridinas adecuadas pueden mencionarse las 2-, 3- y 4-hidroxipiridinas. La hidroxipiridina es preferentemente la 2- ó 4-hidroxipiridina, más preferentemente aún la 2-hidroxipiridina. La cantidad del componente hidroxipiridina en las composiciones de esta invención estarán generalmente en una cantidad de entre el 0,01% en peso y el 5% en peso, preferentemente entre el 0,01% en peso y el 2% en peso, y más preferentemente aún, entre el 0,01% en peso y el 0,5% en peso, con base en el peso de la composición. El componente de hidroxipiridina de esta composición está presente como agente estabilizador y se considera que proporciona el efecto estabilizador sobre la composición bloqueando la reacción de la base fuerte de hidróxido con el componente solvente orgánico sulfurado. Sin la presencia de la hidroxipiridina como agente estabilizador, el pH de la composición, que en general es aproximadamente 12, caerá y la composición cambiará el color y perderá su efectividad para la limpieza.
Con el término "no acuoso" se quiere decir que en la composición no está presente más que un 2% de agua, preferentemente menos que un 1% de agua y, más preferentemente aún, entre un 0,5% hasta esencialmente nada de agua.
Opcionalmente puede incluirse en las composiciones de esta invención cualquier compuesto orgánico co-solvente adecuado, generalmente como portadores de las bases fuertes de hidróxido no acuosas o para mejorar las propiedades generales del solvente de las composiciones. Estos co-solventes incluyen, pero no están limitados a, alcoholes y polioles alifáticos y sus éteres tales como el metanol, etilenglicol, propilenglicol, dietilenglicol, éteres monoalquílicos de dietilenglicol tales como los de fórmula HOCH_{2}-CH_{2}-O-CH_{2}-CH_{2}-O-R en la cual R es un radical alquilo de 1 a 4 átomos de carbono, especialmente el dietilenlicol monoetil éter y similares, alquil ésteres tales como el 1-metoxi-2-propilacetato y la \gamma-butirolactona y similares, y otros solventes apróticos. El componente co-solvente, si está presente, puede comprender desde el 0,1% en peso hasta el 30% en peso, preferentemente hasta el 25% en peso y más preferentemente aún, hasta el 20% en peso del peso total de la composición.
Opcionalmente, las composiciones de esta invención pueden también contener otros componentes adicionales. Tales componentes adicionales opcionales incluyen agentes complejantes o quelantes de los metales, compuestos de resistencia a la corrosión y agentes surfactantes o tensioactivos.
No se requieren agentes complejantes o quelantes orgánicos o inorgánicos de los metales, pero pueden incluirse opcionalmente en las composiciones de esta invención y ofrecer beneficios sustanciales tales como, por ejemplo, una estabilidad mejorada del producto cuando se incorpora en las composiciones de limpieza no acuosas de esta invención. Ejemplos de agentes quelantes o complejantes adecuados incluyen, pero no están limitados a, ácido trans-1,2-ciclohexanodiamino tetraacético (CyDTA), ácido etilendiamino tetraacético (EDTA), estanatos, pirofosfatos, derivados del ácido alquiliden-difosfónico (por ejemplo, etano-1-hidroxi-1,1-difosfonato), fosfonatos que contienen grupos funcionales de etilendiamina, dietilentriamina o trietilentetramina (por ejemplo, ácido etilendiamina tetra (metileno fosfónico) (EDTMP), ácido dietilentriamina penta (metileno fosfónico), ácido trietilentetramina hexa (metileno fosfónico). El agente complejante o quelante del metal, si está presente en la composición, estará presente en una cantidad entre el 0,1% en peso y el 5% en peso y preferentemente entre el 0,1% en peso y el 2% en peso, con base en el peso de la composición.
Opcionalmente, las composiciones de limpieza no acuosas de esta invención también pueden contener otros inhibidores de la corrosión y componentes no corrosivos similares empleados en las composiciones de limpieza de elementos microelectrónicos. Los compuestos pueden incluir, pero no están limitados a, resorcinol, ácido gálico, galato de propilo, pirogalol, hidroquinona, benzotriazola y derivados de la benzotriazola. Estos otros inhibidores de la corrosión pueden estar presentes en cualquier cantidad adecuada, generalmente en una cantidad de entre el 0,1% en peso y el 5% en peso, preferentemente entre el 0,1% en peso y el 3% en peso y más preferentemente aún entre el 0,2% en peso y el 2% en peso con base en el peso de la composición.
Opcionalmente, las composiciones de la presente invención también pueden contener cualquier agente surfactante o tensioactivo anfotérico no inónico, catiónico o aniónico. La adición de un surfactante reducirá la tensión superficial de la formulación y mejorará el mojado de la superficie a ser limpiada y, por lo tanto, mejorará la acción limpiadora de la composición. Además, las propiedades surfactantes pueden ayudar a la dispersión de las partículas, facilitando una mejor limpieza. Puede emplearse en las composiciones de esta invención cualquier agente surfactante anfotérico catiónico o no inónico. Ejemplos de surfactantes especialmente adecuados incluyen, pero no están limitados a,
3,5-dimetil-1-hexen-3 ol (Surfinol-61), 2,4,7,9-tetrametil-5-decen-4,7-diol (Surfinol-465) etoxilado, politetrafluoroetileno cetoxipropil betaína (Zonyl FSK), Zonyl FSH, Tritón X-100, a saber, octilfenoxipolietoxietanol, y similares. El surfactante, si está presente en la composición, estará presente de forma general en una cantidad de entre el 0,1% en peso y el 5% en peso, preferentemente entre el 0,001% en peso y el 3% en peso con base en el peso de la
composición.
Una composición preferida de esta invención comprende una composición de aproximadamente un 72% en peso de DMSO, 18% en peso de sulfolano, 1,4% en peso de hidróxido de tetrametilamonio, 8,1% de propilenglicol y 0,5% en peso de 2-hidroxipiridina. Otra composición preferida de esta invención comprende una composición del 66% de DMSO, 17,4% de sulfolano, 14% de propilenglicol, 2,4% de TMAH (hidróxido de tetrametilamonio) y 0,5% de 2-hidroxipiridina.
Las composiciones de esta invención y su efectividad como composiciones de limpieza para limpiar dispositivos microelectrónicos se ilustran mediante los siguientes ejemplos.
Ejemplo 1
Las pruebas mostradas a continuación demuestran la necesidad del aditivo de estabilización hidroxipiridina para la formulación. La Solución 1 contenía, en peso: 66% de DMSO, 22% de sulfolano, 11,2% de propilenglicol y 0,8% de TMAH. La Solución 2 contenía 66% de DMSO, 22% de sulfolano, 10,2% de propilenglicol y 1,8% de TMAH. Para cada una de esas soluciones se agregó un 0,5% de 2-hidroxipiridina (HP), como se indica más abajo. Cada solución fue calentada hasta 85ºC y monitorizada en función del tiempo. En los baños no estabilizados (aquellos que no contenían hidroxipiridina) el pH decreciente fue indicado por un cambio de color del baño. En, o por debajo de ese punto, el baño no mostraría un desempeño de la limpieza eficiente.
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TABLA 1
1 
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Ejemplo 2
Las siguientes pruebas respaldan un aspecto novedoso e inesperado de la presente invención relativa a la divulgación hecha en las Patentes Norteamericanas Nos 6.599.370 y 6.585.825 de David Skee. En esas patentes de Skee se divulgaron varios compuestos como ampliadores de la vida útil del baño efectivos para soluciones acuosas que contienen TMAH y silicatos libres de metal. Los compuestos ampliadores de la vida útil del baño de esas patentes de Skee, fueron empleados como agentes amortiguadores en esas composiciones acuosas. Sin embargo, las composiciones de la presente invención son composiciones no acuosas y, de este modo, los compuestos estabilizadores de hidroxipiridina no son capaces de actuar como agentes amortiguadores. Por lo tanto, fue totalmente sorprendente que los compuestos de hidroxipiridina sean capaces de actuar como estabilizadores en las composiciones no acuosas de esta invención, mientras que los otros agentes amortiguadores de las patentes de Skee no son capaces de hacerlo, como se demostró mediante los resultados mostrados en la Tabla 2. Para cada prueba, la Solución 2 anterior (66% de DMSO, 22% de sulfolano, 10,2% de propilenglicol y 1,8% de TMAH) se combinó con diversos aditivos de forma tal que el aditivo fue del 1% del peso total de la solución. Las soluciones entonces fueron calentadas a 85ºC durante 24 hs. Se determinó que el desempeño de los aditivos era bueno si el baño no cambiaba de color o caía por debajo del valor de pH = 11 en 24 hs, era aceptable si ese baño era estable entre 7 - 24 hs y era malo si el baño cambiaba en menos de 7 hs.
TABLA 2
3 
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Ejemplo 3
Se preparó una solución de limpieza (Solución 3) que contenía aproximadamente: 66% de DMSO, 17,4% de sulfolano, 14% de propilenglicol, 2,4% de TMAH y 0,2% de 2-hidroxipiridina. Las muestras de obleas modeladas con tecnología al Al, con estructuras perforadas (grabadas mediante Si y TiN en una capa de Al) fueron situadas en esas soluciones y calentadas hasta las temperaturas descritas en la Tabla 3 durante 10 minutos, después de lo cual éstas fueron retiradas, aclaradas en agua desionizada durante dos minutos y secadas mediante soplado de nitrógeno. Por comparación, las mismas obleas fueron limpiadas en ALEG-625 (J.T. Baker), un producto semiacuoso disponible comercialmente, por otra parte, de composición similar (conteniendo DMSO, sulfolano, TMAH y agua). Las obleas limpiadas fueron entonces evaluadas en función de la eliminación de residuos de cenizas (0 - 100% de eliminación) y de la corrosión del aluminio (0 - 100% de pérdida de metal de Al expuesto).
TABLA 3
4
Ejemplo 4
Se preparó una solución de limpieza (Solución 3) que contenía aproximadamente: 66% de DMSO, 17,4% de sulfolano, 14% de propilenglicol, 2,4% de TMAH y 0,2% de 2-hidroxipiridina. Se determinaron los ratios de grabado para las obleas cubiertas con Al y Cu mediante la exposición de las obleas a los productos químicos durante intervalos fijados y la medición de los cambios en el espesor del metal mediante sondas en cuatro puntos. Por comparación, las mismas obleas fueron limpiadas con ALEG-625 (J.T. Baker) un producto semiacuoso disponible comercialmente, por otra parte, de composición similar. Los resultados a diversas temperaturas de operación representativas están tabulados a continuación.
TABLA 4
6 
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Ejemplo 5
La Solución de limpieza 3 del ejemplo anterior fue utilizada para eliminar el material fotorresistente de una oblea modelada con diseños de Cr expuesto y una oblea separada con puntos de soldadura de PbSn. La limpieza y compatibilidad de esta solución fue comparada con ALEG-625 como en el ejemplo previo. En cada caso, las muestras de obleas fueron expuestas a la solución durante un tiempo y temperatura fijados, después aclarados durante un minuto en agua desionizada y secada bajo soplado de N_{2}. Se realizó un análisis SEM (con microscopio electrónico de barrido) de las muestras para determinar la eficiencia y compatibilidad de limpieza. La eficiencia de limpieza es presentada como porcentaje del material fotorresistente eliminado, mientras que se determina si una solución es incompatible si se observa cualquier erosión o cambio en la forma del diseño.
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TABLA 5
7

Claims (9)

1. Una composición decapante y de limpieza no acuosa para la limpieza de dispositivos microelectrónicos, comprendiendo la composición:
a)
por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado como solvente de decapado,
b)
por lo menos una fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido, y
c)
por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador.
2. Una composición según la reivindicación 1 en la cual dicho por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado actuante como solvente de decapado está presente en la composición en una cantidad de entre 20% en peso y 99% en peso con base en el peso de la composición, la fuente anhidra de dicha base fuerte de hidróxido está presente en la composición en una cantidad de entre 0,5% en peso y 20% en peso con base en el peso de la composición, y la hidroxipiridina está presente en la composición en una cantidad de entre 0,01% en peso y 5% en peso con base en el peso de la composición.
3. Una composición según la reivindicación 2 en la cual dicho por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado presente como solvente de decapado es elegido del grupo consistente en sulfóxidos, sulfonas, sulfolanos y mezclas de los mismos; dicha fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido es elegida entre los hidróxidos alcalinos, hidróxidos de amonio, hidróxidos de amonio cuaternarios y mezclas de los mismos; y dicha por lo menos una hidroxipiridina es elegida entre la 2-hidroxipiridina, la 4-hidroxipiridina y mezclas de las mismas.
4. Una composición según la reivindicación 3 en la cual dicho por lo menos un compuesto polar orgánico sulfurado actuante como solvente de decapado es elegido del grupo consistente en dimetilsulfóxido, sulfolano y mezclas de los mismos; la fuente anhidra de una base fuerte de hidróxido es elegida entre los hidróxidos de tetraalquilamonio; y dicha por lo menos una hidroxipiridina como agente estabilizador es elegida de la 2-hidroxipiridina.
5. Una composición según la reivindicación 4 en la cual la composición comprende dimetilsulfóxido, sulfolano, hidróxido de tetrametilamonio y 2-hidroxipiridina.
6. Una composición según la reivindicación 5 en la cual la composición también comprende propilenglicol.
7. Una composición según la reivindicación 6 en la cual el dimetilsulfóxido está presente en una cantidad de aproximadamente el 66% en peso, el sulfolano está presente en una cantidad de aproximadamente el 17,4% en peso, el hidróxido de tetrametilamonio está presente en una cantidad de aproximadamente el 2,4% en peso, el propilenglicol está presente en una cantidad de aproximadamente el 14% y la 2-hidroxipiridina está presente en una cantidad de aproximadamente el 0,2%.
8. Una composición según la reivindicación 1 que adicionalmente comprende uno o más componentes elegidos del grupo consistente en agentes complejantes o quelantes de los metales, co-solventes, compuestos de resistencia a la corrosión y agentes surfactantes o tensioactivos.
9. Un método para limpiar sustratos de dispositivos microelectrónicos sin producir ninguna corrosión sustancial del metal, comprendiendo el proceso el contacto del dispositivo con una composición de limpieza durante un tiempo suficiente para limpiar el dispositivo, en el cual la composición de limpieza comprende una composición de una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8.
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