BR102014004628A2 - componente eletrônico e aparelho eletrônico - Google Patents
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Abstract
componente eletrônico e aparelho eletrônico um corpo ferromagnético é fornecido em um lado da superficie frontal de um plano de referência e localizado do lado de fora de uma região que se sobrepõe a um dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência, e um condutor é fornecido em um lado da superfície traseira do plano de referência e que se sobrepõe ao dispositivo eletrônico na direção perpendicular ao plano de referência.
Description
“COMPONENTE ELETRÔNICO E APARELHO ELETRÔNICO” ANTECEDENTES DA INVENÇÃO Campo da invenção [0001] A presente invenção refere-se a uma estrutura de pacote de um componente eletrônico incluindo um dispositivo eletrônico.
Descrição da técnica relacionada [0002] Os aparelhos de captação de imagem incluídos em sistemas de captação de imagem, tais como câmeras, são geralmente expostos a um campo magnético gerado por várias causas. Quando um dispositivo de captação de imagem incluído em tal aparelho de captação de imagem é afetado pelo campo magnético, ruído é gerado nas imagens e a qualidade da imagem pode ser reduzida.
[0003] A patente japonesa submetida à inspeção pública, n° 11-284163 descreve uma configuração na qual um campo magnético contrário correspondendo ao campo magnético externo é formado por uma corrente induzida gerada em um circuito de um condutor, e no qual o campo magnético externo é cancelado por este campo magnético contrário. A patente japonesa submetida à inspeção pública - n° 2003-101042 descreve um aparelho semicondutor ótico incluindo uma corpo da estrutura metálico feito de um material metálico, tal como uma liga de ferro-níquel-cobalto ou uma liga de ferro-níquel. A patente japonesa submetida à inspeção pública n° 2008-245244 descreve um pacote de elemento de captação de imagem incluindo um membro de suporte ao qual um membro da porção principal feito de um material cerâmico sinterizado e um membro de anexação feito de Kovar são ligados.
[0004] O campo magnético contrário baseado na corrente induzida descrita na patente japonesa submetida à inspeção pública n°11-284163 é somente formado nas imediações do circuito. Por isso, em um dispositivo de captação de imagem incluindo uma porção de captação de imagem de grande área que é vantajosa para alcançar alta qualidade de imagem, o campo magnético aplicado ao dispositivo de captação de imagem não pode ser suficientemente reduzido. Consequentemente, a presente invenção fornece um componente eletrônico no qual o ruído gerado em um dispositivo eletrônico, tal como um dispositivo de captação de imagem, é suprimido.
SUMÁRIO DA INVENÇÃO
[0005] De acordo com um aspecto da presente invenção, um componente eletrônico compreende um dispositivo eletrônico, um plano que está localizado entre uma superfície frontal e uma superfície traseira do dispositivo eletrônico e se estende por uma superfície lateral do dispositivo eletrônico sem se estender através da superfície frontal ou da superfície traseira, é definido um plano de referência. O componente eletrônico compreende um corpo da tampa que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e que se sobrepõe ao dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência, um corpo base que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e ao qual o dispositivo eletrônico é fixado com um material de ligação, um corpo ferromagnético que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e localizado do lado de fora de uma região que se sobrepõe ao dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência e um condutor que é fornecido no lado superficial traseira do plano de referência e que se sobrepõe ao dispositivo eletrônico na direção perpendicular ao plano de referência.
[0006] Atributos adicionais da presente invenção se tornarão evidentes a partir da seguinte descrição das modalidades exemplares, com referência aos desenhos anexos.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
[0007] A fig. 1 é um diagrama esquemático ilustrando um exemplo de um dispositivo eletrônico.
[0008] As figs. 2A a 2C são diagramas esquemáticos ilustrando campos magnéticos aplicados ao componente eletrônico.
[0009] A fig. 3 é uma vista de plano esquemática ilustrando um exemplo de um dispositivo eletrônico.
[0010] As figs. 4A e 4B são vistas de plano esquemáticas ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0011] As figs. 5A e 5B são vistas secionais esquemáticas ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0012] As figs. 6A e 6B são vistas secionais esquemáticas ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0013] A fig. 7 é uma vista perspectiva esquemática explodida ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0014] As figs. 8A a 8D são diagramas esquemáticos ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0015] As figs. 9A e 9B são diagramas esquemáticos ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0016] A figs. 10A e 10B são diagramas esquemáticos ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
[0017] As figs. 11A e 11B são diagramas esquemáticos ilustrando um exemplo do componente eletrônico.
DESCRIÇÃO DAS MODALIDADES
[0018] Uma modalidade da presente invenção será descrita agora com referência aos desenhos. Nas figuras, os mesmos componentes são denotados pelos mesmos numerais de referência, e as descrições desses não serão dadas para cada figura. Cada figura mostra as direções X, Y, e Z.
[0019] Em primeiro lugar, a estrutura esquemática de acordo com a modalidade será descrita. A fig. 1 ilustra uma vista de plano X-Y e uma vista secional X-Z mostrando a relação posicionai entre os componentes incluídos em um componente eletrônico 100. O componente eletrônico 100 inclui um dispositivo eletrônico 10 e um corpo ferromagnético 44 O componente eletrônico 100 pode incluir ainda um corpo base 20 e um corpo da tampa 30. O componente eletrônico 100 pode incluir, ainda, um condutor 88, que será descrito detalhadamente abaixo. Com relação ao corpo base 20, o corpo da tampa 30 e o condutor 88, somente os contornos desses são mostrados na vista de plano. O corpo base 20 não é mostrado na vista secional. A forma específica do corpo base 20 será descrita abaixo.
[0020] O dispositivo eletrônico 10 inclui uma porção principal 1 que tem a função principal. O dispositivo eletrônico 10 é um membro em forma de placa tendo uma superfície frontal 101, uma superfície traseira 102, e superfícies laterais 105. O dispositivo eletrônico 10 é fixado ao corpo base 20. Na vista de plano da fíg. 1 somente o contorno do corpo base 20 é mostrado. O corpo da tampa 30 fica voltada para o dispositivo eletrônico 10. A superfície traseira 102 do dispositivo eletrônico 10 servem como uma superfície de fixação que é fixada ao corpo base 20 com outros membros. A fig. 1 mostra a um plano de referência RP, que é um plano imaginário que é localizado entre a superfície frontal 101 e as superfície traseira 102 e estende-se através das superfícies laterais 105. Dessa forma o plano de referência RP não se estende através da superfície frontal 101 e da superfície traseira 102. A superfície frontal 101 é localizada em um lado (lado da superfície frontal FS) do plano de referência RP e a superfície traseira 102 é localizada em outro lado (lado da superfície traseira BS) do plano de referência RP. O plano de referência RP estende nas direções X e Y e uma direção perpendicular ao plano de referência RP é a direção Z. No caso onde o dispositivo eletrônico 10 é um dispositivo semicondutor, o plano de referência RP pode ser estabelecido em uma interface entre uma camada semicondutora e uma camada de isolamento para conveniência.
[0021] Como ilustrado na vista secional, o corpo ferromagnético 44 está no lado FS da superfície frontal 101 do dispositivo eletrônico 10, com respeito ao plano de referência RP. Neste exemplo, o corpo ferromagnético 44 estende-se ao lado BS da superfície traseira 102 do dispositivo eletrônico 10, com respeito ao plano de referência RP. Como ilustrado na vista secional, o corpo ferromagnético 44 circunda pelo menos um de (1) uma região SR entre o dispositivo eletrônico 10 e o corpo da tampa 30 e (2) o dispositivo eletrônico 10 (ambos no exemplo ilustrado na fig. 1). Como é claro pela vista de plano, o corpo ferromagnético 44 pode ser um membro em forma de estrutura (corpo da estrutura). Neste exemplo, o corpo ferromagnético 44 é um membro em forma de placa tendo uma largura W maior do que a espessura T da mesma. Entretanto, o corpo ferromagnético 44 pode ser, em vez disso, um membro em forma de tubo tendo uma espessura T maior do que a largura w dessa. Aqui a espessura é uma dimensão do corpo ferromagnético 44 na direção Z, que é uma direção perpendicular às superfícies principais (a superfície frontal 101 e a superfície traseira 102) do dispositivo eletrônico 10. A largura W é uma dimensão do corpo ferromagnético 44 em um plano que se estende nas direções X e Y, que são direções paralelas às superfícies principais (a superfície frontal 101 e a superfície traseira 102) do dispositivo eletrônico 10. A largura do corpo ferromagnético 44, que é um corpo da estrutura, é a distância entre a borda externa e borda interna do corpo da estrutura. Pelo menos uma porção do corpo ferromagnético 44 é localizada em uma região de projeção ortogonal BR do corpo base 20. Neste exemplo, o corpo ferromagnético 44 estende uma região de projeção ortogonal BR do lado de fora do corpo base 20. A região de projeção ortogonal será descrita agora. Uma região de projeção ortogonal de um certo membro é uma região na qual o membro é projetado na direção Z, que é uma direção perpendicular ao plano de referência RP. No que diz respeito a uma relação posicionai entre dois membros arbitrários (por exemplo o primeiro e o segundo membros), quando pelo menos uma porção do primeiro membro é localizada na região de projeção ortogonal de um segundo membro, significa que o primeiro e o segundos membros ficam sobrepostos na direção Z. Em outras palavras, quando pelo menos uma porção do primeiro membro é localizada na região de projeção ortogonal do segundo membro, pode dizer-se que o primeiro membro é localizado em uma região que fica sobreposta ao segundo membro na direção Z. De modo inverso, quando pelo menos uma porção de um primeiro membro é localizada do lado de fora de uma região de projeção ortogonal de um segundo membro, pode ser dito que pelo menos uma porção do primeiro membro é localizada em uma região que não fica sobreposta ao segundo membro. Por exemplo, uma porção do corpo da tampa 30, que fica voltada para o dispositivo eletrônico 10, é localizada em uma região DR que fica sobreposta ao dispositivo eletrônico 10 na direção Z. A região DR é a região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10. Os limites entre o lado de dentro e o lado de fora de uma região de projeção ortogonal de um certo membro correspondem às bordas externas e internas do membro que definem o contorno do membro (pode haver um caso onde não haja borda interna).
[0022] O corpo ferromagnético 44 pode ser um corpo magnético macio em vez de um corpo magnético duro. Isto é porque embora o corpo ferromagnético 44 seja capaz de reduzir o campo magnético externo aplicado ao dispositivo eletrônico 10, não é desejável que o próprio corpo ferromagnético 44 seja uma fonte de um campo magnético.
[0023] Como descrito acima, o componente eletrônico 100 pode incluir ainda o condutor 88. Pelo menos uma porção do condutor 88 é localizada na região de projeção ortogonal DR do dispositivo eletrônico 10. O condutor 88 também se estende a uma região do lado de fora da região de projeção ortogonal DR do dispositivo eletrônico 10. Além disso, o condutor 88 estende-se para uma região de projeção ortogonal FR do corpo ferromagnético 44. Na região de projeção ortogonal DR do dispositivo eletrônico 10, o condutor 88 pode ser contínuo sobre 1/2 ou mais da área da região de projeção ortogonal DR do dispositivo eletrônico 10. O condutor 88 é um membro em forma de filme ou em forma de placa. Pelo menos uma porção do condutor 88 pode ser localizada em uma região de projeção ortogonal MR. da porção principal 1 do dispositivo eletrônico 10 e o condutor 88 pode ser contínuo sobre 1/4 ou mais da área da região de projeção ortogonal MR. Como ilustrado na vista secional, o condutor 88 é localizado no lado BS da superfície traseira 102 do dispositivo eletrônico 10, com relação ao plano de referência RP. Em outras palavras, o condutor 88 é arranjado de modo a estar voltado para o corpo da tampa 30 através do dispositivo eletrônico 10.
[0024] A permeabilidade magnética do condutor 88 pode ser menor do que aquela do corpo ferromagnético 44. O condutor 88 pode ser um corpo não ferromagnético. O corpo não ferromagnético pode ser um material que é paramagnético ou diamagnético (corpo paramagnético ou diamagnético). A permeabilidade magnética relativa do corpo ferromagnético 44 é tipicamente 100 ou mais. A permeabilidade magnética relativa do condutor 88 é tipicamente 10 ou menos, e mais tipicamente, 1.0. O material do condutor 88 não é particularmente limitado enquanto o material é condutivo, e pode ser, por exemplo, um material metálico, tal como alumínio, aço inoxidável ou uma liga de cobre ou um óxido metálico condutivo como ITO ou Sn02. O condutor 88 pode ser uma placa feita por fundição ou forjamento, um filme formado por deposição de vapor ou galvanização ou um filme obtido formando um filme de revestimento feito de pasta metálica ou pasta de oxido metálica e queimando o filme de revestimento. A condutividade elétrica do condutor 88 pode estar na faixa de 1x106 (S/m) ou mais, e preferencialmente 1x107 (S/m) ou mais. Em particular, o cobre pode ser usado, já que o cobre tem uma condutividade elétrica de aproximadamente 6x107 (S/m) e é diamagnético.
[0025] O condutor 88 pode estar tanto em contato quanto separado do dispositivo eletrônico 10. Por exemplo, a distância D entre o condutor 88 e o dispositivo eletrônico 10 pode ser 0,10 mm ou mais. A distância D entre o condutor 88 e o dispositivo eletrônico 10 pode ser 1,0 mm ou menos.
[0026] As figs. 2A a 2C são diagramas esquemáticos ilustrando as operações do corpo ferromagnético 44 e do condutor 88 no componente eletrônico 100. O componente eletrônico 100 pode ser exposto a um campo magnético externo. Embora o campo magnético externo possa ser devido ao ambiente no qual o aparelho eletrônico incluindo o componente eletrônico é usado, pode ser, em vez disso, devido a um campo magnético gerado no aparelho eletrônico. Neste caso, o dispositivo eletrônico 10 está perto da fonte do campo magnético e será provavelmente exposto a um forte campo magnético. Mais especificamente, um campo magnético que varia ao longo do tempo, que é gerado por um eletroímã incluído no aparelho eletrônico ou por uma mola de um componente de radiocomunicação, causa um problema, üm tal campo magnético é gerado por, por exemplo, uma mola de um motor de acionamento para mover uma lente da câmera durante a focagem automática ou uma mola de um atuador de acionamento usado para prevenir o motion blurring. Nas figs. 2A a 2C, supõe-se que uma fonte de um campo magnético externo seja um ponto. O campo magnético principalmente estende-se em uma direção perpendicular a uma superfície de recepção de luz (direção Z), mas também estende-se em direções paralelas à superfície de recepção de luz (direções X e Y). Dessa forma, o campo magnético inclui componentes de Direção-Y e de Direção-X. Na fig. 2A, as setas com linhas sólidas mostram as linhas magnéticas de força do campo magnético externo no caso onde nem o corpo ferromagnético 44 nem o condutor 88 são fornecidos. Nove de cada onze linhas magnéticas de força desenhadas na fig. 2A estendem-se pelo dispositivo eletrônico 10, e cinco de nove linhas magnéticas de força estendem-se através da porção principal 1. {0027] Ao contrário, como ilustrado na fig. 2B, quando o corpo ferromagnético 44 é fornecido, as linhas magnéticas de força são atraídas ao corpo ferromagnético 44 de modo que o número de linhas magnéticas de força que se estendem através do dispositivo eletrônico 10 seja reduzido a três e o número de linhas magnéticas de força que se estendem através da porção principal 1 seja reduzido a um. Em outras palavras, a densidade de fluxo magnético no dispositivo eletrônico 10 é reduzida pelo corpo ferromagnético 44. Como resultado, o ruído devido a uma força eletromotriz induzida, ou a uma corrente induzida gerada nos fios do dispositivo eletrônico 10, quando o campo magnético varia, pode ser reduzido.
[0028] O campo magnético varia de acordo com as formas das superfícies do corpo ferromagnético 44, em particular, as formas das superfícies superiores e laterais do corpo ferromagnético 44. As superfícies laterais do corpo ferromagnético 44, ou seja, as superfícies que ficam voltadas para a região SR, e as superfícies laterais 105 do dispositivo eletrônico 10, servem para aumentar os componentes de Direção-Y e de Direção-X do campo magnético na proximidade do dispositivo eletrônico 10, por meio disso, removendo o campo magnético do dispositivo eletrônico 10 e em direção ao corpo ferromagnético 44. A superfície superior do corpo ferromagnético 44 move para longe as linhas magnéticas de força da região SR enquanto suprime um aumento nos componentes de direção-X e de Direção-Y do campo magnético na proximidade do dispositivo eletrônico 10. Por isso, para formar uma distribuição do campo magnético apropriada, é eficaz reduzir a área de superfície do corpo ferromagnético 44 que se estende na direção Z, ou seja, as superfícies laterais do corpo ferromagnético 44. E também é eficaz aumentar uma área de superfície do corpo ferromagnético 44 que se estende nas direções X e Y, ou seja, a superfície superior do corpo ferromagnético 44. Por essa razão, o corpo ferromagnético 44 pode ser um corpo da estrutura em forma de placa tendo uma largura W maior do que a espessura T desse, como ilustrado na fig. 1. A quantidade pela qual o campo magnético externo é puxado é aumentada enquanto o volume do corpo ferromagnético 44 é aumentado. O volume de um corpo ferromagnético único 44 pode ser 10mm3 ou mais e é preferencialmente de 100 mm3 ou mais.
[0029] Naturalmente, quanto mais perto o corpo ferromagnético 44 está do dispositivo eletrônico 10, mais apropriadamente o campo magnético na proximidade do dispositivo eletrônico 10 pode ser atraído ao corpo ferromagnético 44. Por isso, pelo menos uma porção do corpo ferromagnético 44 pode ser disposta na região de projeção ortogonal do corpo base 20 (região que correspondente à região BR na fig. 1). Quando o corpo ferromagnético 44 se estende para uma região do lado de fora da região de projeção ortogonal do corpo base 20 (região correspondente à região BR na fig. 1), a densidade do fluxo magnético na proximidade do dispositivo eletrônico 10 pode ser eficientemente reduzida enquanto um aumento no tamanho do corpo base 20 é restringido.
[0030] Adicionalmente, como ilustrado na fig. 2C, quando o condutor 88 é fornecido, as três linhas magnéticas de força que se estendem através do dispositivo eletrônico 10 geram uma corrente parasita EC no condutor 88. A corrente parasita EC gera um campo magnético (campo magnético contrário) na orientação oposta à orientação do campo magnético externo na direção Z. As linhas magnéticas de força geradas pela corrente parasita EC são mostradas pelas setas com linhas tracejadas. O campo magnético externo e o campo magnético gerado pela corrente parasita EC cancelam um a outro, de modo que o campo magnético que se estende através do dispositivo eletrônico 10 possa ser reduzido. O campo magnético gerado pela corrente parasita EC somente estende-se na direção normal para o condutor 88. Por isso, o componente de direção-Z do campo magnético pode ser reduzido enquanto os componentes de direção X e de direção-Y do campo magnético são poucamente aumentados. Quando o condutor 88 se estende à região de projeção ortogonal do corpo ferromagnético 44 (região correspondente à região FR na fig. 1), a densidade do fluxo magnético no espaço entre o condutor 88 e o dispositivo eletrônico 10 pode ser efetivamente reduzida. Em particular, uma porção do condutor 88 pode ser localizada abaixo de condutores de conexão, tais como fios de ligação e terminais internos aos quais os condutores de conexão são conectados. Isto porque a geração de ruído magnético em sinais transmitidos através dos condutores de conexão e dos terminais internos pode ser suprimida pelo condutor 88 disposto abaixo dos condutores de conexão e dos terminais internos.
[0031] O tipo do dispositivo eletrônico 10 incluído no componente eletrônico 100 não é particularmente limitado. O dispositivo eletrônico 10 pode ser, por exemplo, um dispositivo ótico, tal como um dispositivo de captação de imagem ou um dispositivo de exibição. Neste exemplo, o dispositivo eletrônico 10 inclui a porção principal 1 e uma subporção 2. Tipicamente, a porção principal 1 é localizada em uma região central do dispositivo eletrônico 10 e a subporção 2 é localizada ao redor da porção principal 1. No caso onde o dispositivo eletrônico 10 é um dispositivo de captação de imagem, tal como um sensor de imagem CCD ou um sensor de imagem CMOS, a porção principal 1 é uma unidade de captação de imagem. No caso onde o dispositivo eletrônico 10 é um dispositivo de exibição, tal como um monitor de cristal líquido ou um monitor EL, a porção principal 1 é uma unidade de exibição. No caso de um dispositivo de captação de imagem, a superfície frontal 101 do dispositivo eletrônico 10, que fica voltada para o corpo da tampa 30, serve como uma superfície de luz incidente. A superfície de luz incidente pode ser uma superfície da camada mais externa de um filme multicamada disposto em um substrato semicondutor tendo uma superfície de recepção de luz. O filme multicamada inclui camadas tendo funções óticas, tal como uma camada de filtro de cores, uma camada de microlente, uma camada antirreflexão e uma camada de proteção contra a luz, camadas tendo funções mecânicas, tal como uma camada de alisamento e camadas tendo funções químicas, como uma camada de passivação. A subporção 2 inclui circuitos de acionamento para acionar a porção principal 1 e circuitos de processamento de sinal para processar sinais transmitidos da porção principal 1 (ou sinais transmitidos para a porção principal 1). No caso onde o dispositivo eletrônico 10 é um elemento semicondutor, estes circuitos podem ser facilmente formados em uma estrutura monolítica. A subporção 2 inclui, ainda, eletrodos 3 (almofadas de eletrodo) para comunicar sinais entre o dispositivo eletrônico 10 e um dispositivo externo. Um dispositivo de captação de imagem será descrito agora, como um exemplo do dispositivo eletrônico 10.
[0032] A fig. 3 é um diagrama de blocos ilustrando um dispositivo de captação de imagem, como um exemplo do dispositivo eletrônico 10. A porção principal 1, que é como uma unidade de captação de imagem, inclui uma pluralidade de conversores fotelétricos 11 (fotodiodos) arranjados em um padrão de matriz. Cada conversor fotelétrico 11 inclui um circuito de geração de sinal (circuito de pixel) 12 incluindo uma porta de transferência, um transistor amplificador e um transistor de reinicialização. Os circuitos de geração de sinal 12 são sucessivamente acionados por um circuito de varredura horizontal 19 em unidades de linhas. Os sinais obtidos pelos circuitos de geração de sinal 12 são emitidos para os circuitos de leitura 14a e 14b através das linhas de saída de sinal 13. Os circuitos de leitura 14a e 14b incluem circuitos de amplificação de coluna e memórias que armazenam sinais amplificados pelos circuitos de amplificação de coluna. Os sinais dos circuitos de leitura 14a e 14b são transmitidos aos amplificadores de leitura 17a e 17b através dos transmissores de sinal 15a e 15b acionados pelos circuitos de varredura vertical 16a e 16b. Os sinais amplificados pelos amplificadores de leitura 17a e 17b são emitidos pelas almofadas de eletrodos apropriadas 3, através das unidades de saída 18a e 18b. Neste exemplo, dois grupos equivalentes de circuitos periféricos são arranjados acima e abaixo da porção principal 1. Os circuitos de leitura 14a e 14b e os amplificadores de leitura 17a e 17b estão incluídos nos acima descritos circuitos de processamento de sinal, e os circuitos de varredura vertical e horizontal estão incluídos nos acima descritos circuitos de acionamento.
[0033] Um exemplo do componente eletrônico 100 será descrito agora. A fig.4A é uma vista de plano esquemática do componente eletrônico 100 vista pela frente, e a fig. 4B é uma vista de plano esquemática do componente eletrônico 100 examinados vista por trás. As figs. 5A e 5B são vistas secionais esquemáticas do componente eletrônico 100. A fig. 5A é uma vista secional do componente eletrônico 100 tomada ao longo da linha VA-VA nas figs. 4A e 4B, e a fig. 5B é uma vista secional do componente eletrônico 100 tomada ao longo da linha VB-VB nas figs. 4A e 4B.
[0034] O componente eletrônico 100 inclui o dispositivo eletrônico 10 e um recipiente 50 que contém o dispositivo eletrônico 10. O recipiente 50 basicamente inclui o corpo base 20, o corpo da tampa 30 e um corpo da estrutura 40. Nesta modalidade, o corpo da estrutura 40 serve como o corpo ferromagnético acima descrito. Como descrito detalhadamente abaixo, o corpo base 20 e o corpo da estrutura 40 incluídos no recipiente 50 podem funcionar como membros de montagem. O corpo da tampa 30 pode funcionar como um membro ótico. O dispositivo eletrônico 10 é fixado ao corpo base 20 com outro membro fornecido entre eles. O corpo da tampa 30 é fixado ao corpo base 20 com o corpo da estrutura 40 fornecido entre eles e fica voltado para o dispositivo eletrônico 10 com um espaço interior 60 fornecido entre eles. O corpo da estrutura 40 circunda o espaço interior 60 entre o corpo da tampa 30 e o dispositivo eletrônico 10. O espaço interior 60 corresponde à região SR na fig. 1. Nesta modalidade, o condutor 88 ilustrado na fig. 1 é fornecido. Nesta modalidade, o condutor 88 ilustrado na Fig. 1 inclui os filmes condutivos 811,812, 813 e 814 integrados no corpo base 20.
[0035] A direção X e a direção Y são paralelas à superfície frontal 101 do dispositivo eletrônico 10 que fica voltada para corpo da tampa 30, à superfície traseira 102 no lado oposto ao lado da superfície frontal 101, à superfície externa 301 do corpo da tampa 30 e à superfície interna 302 do corpo da tampa 30. A direção Z é perpendicular à superfície frontal 101, à superfície traseira 102, à superfície externa 301 e à superfície interna 302. As projeções ortogonais do dispositivo eletrônico 10 e do componente eletrônico 100 em um plano incluindo as direções X e Y são tipicamente retangulares. As dimensões do dispositivo eletrônico 10 e do componente eletrônico 100 na direção Z são menores do que aquelas nas direções X e Y. Em outras palavras, o dispositivo eletrônico 10 e o componente eletrônico 100 é tipicamente em forma de placa. Na seguinte descrição, a dimensão na direção Z pode ser referida como uma espessura, ou altura, para conveniência.
[0036] Em uma projeção em um plano incluindo as direções X e Y, a borda externa do componente eletrônico 100 é definida por uma borda externa 205 do corpo base 20, uma borda externa 405 do corpo da estrutura 40 e uma borda externa 305 do corpo da tampa 30. O corpo da estrutura 40 tem uma borda interna 403 em adição à borda externa 405.
[0037] Pelo menos uma porção de uma região central do corpo base 20 serve como uma região de arranjo 210. O dispositivo eletrônico 10 é disposto acima da região de arranjo 210 e é fixado ao corpo base 20. Como ilustrado nas figs. 5A e 5B, o dispositivo eletrônico 10 é tipicamente fixado ao corpo base 20 por um material de ligação 52 interposto entre a região de arranjo 210 do corpo base 20 e a superfície traseira 102 do dispositivo eletrônico 10. O material de ligação 52 pode ser, ao invés disso, fornecido somente na borda externa 105, ou seja, nas superfícies laterais do dispositivo eletrônico 10. O material de ligação 52 pode ser condutivo ou isolante. O material de ligação 52 pode ter uma alta condutividade térmica e conter partículas metálicas. O material de ligação 52, que é condutivo, pode funcionar como o acima descrito condutor 88.
[0038] O corpo base 20 inclui terminais internos 5 que ficam voltados para o interior do recipiente 50 (espaço interior 60) e terminais externos 7 que ficam voltados para o exterior do recipiente 50. Os terminais internos 5 são arranjados um ao lado do outro para formar grupos de terminais internos. Neste exemplo, como ilustrado na fig. 4A, duas linhas (grupos) de terminais internos 5, cada linha incluindo dez terminais internos 5 que são alinhados na direção X, são arranjados na direção Y. O arranjo dos terminais internos 5 não é limitado a isto e duas linhas de terminais internos 5 alinhados na direção Y podem ser, em vez disso, arranjados na direção X. Alternativamente, duas linhas de terminais internos 5 alinhadas na direção Y e duas linhas de terminais internos 5 alinhadas na X direção podem ser fornecidas de modo que os terminais internos 5 circundem o dispositivo eletrônico 10. Como ilustrado na fig. 4B, os terminais externos 7 são arranjados um ao lado do outro para formar um grupo de terminais externos. Neste exemplo, o grupo de terminais externos inclui os terminais externos 7 arranjados nas direções X e Y em um padrão de matriz no lado de trás do componente eletrônico 100. O arranjo dos terminais externos 7 não é limitado a isto. Por exemplo, os terminais externos 7 podem ser alinhados na direção X e/ou na direção Y ao longo da borda externa 205 do corpo base 20.
[0039] Os terminais internos 5 e os terminais externos 7 são eletricamente conectados um ao outro por porções integradas 6 integradas no corpo base 20 como fios internos. Os eletrodos 3 do dispositivo eletrônico 10 incluídos no componente eletrônico 100 são eletricamente conectados aos terminais internos 5 do recipiente 50 por condutores de conexão 4. Neste exemplo, os eletrodos 3 são conectados aos terminais internos 5 pelo ligação de fios, e os condutores de conexão 4 são fios metálicos (fios de ligação). Os eletrodos 3 podem, em vez disso, serem conectados aos terminais internos 5 por uma conexão flíp-chip. Em tal caso, os eletrodos 3 são fornecidos na superfície traseira 102 do dispositivo eletrônico 10, e os terminais internos 5 e os condutores de conexão 4 são dispostos na região de arranjo 210. Neste exemplo, os terminais externos 7 são arranjados em um land grid array (LGA). Entretanto, os terminais externos 7 podem ser, em vez disso, arranjados em uma pin grid array (PGA), uma bali grid array (BGA) ou um leadless chip carrier (LCC). Em tal caso, os terminais externos 7 podem ser dispostos em uma superfície traseira 206 do corpo base 20 em uma região de projeção ortogonal do corpo da tampa 30 (região correspondente à região LR na fig. 1). Alguns dos terminais externos 7 podem ser dispostos em uma região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região DR na fig. 1). Os terminais internos 5, as porções integradas 6, e os terminais externos 7 podem estar integrados em conjunto pelo uso de uma estrutura guia. Os terminais internos 5 servem como fios guia internos, e os terminais externos 7 servem como fios guia externos. No caso onde a estrutura guia é usada, os terminais externos 7 são localizados do lado de fora da região de projeção ortogonal do corpo base 20 (região que correspondente à região BR na fig. 1). Os terminais externos 7 do componente eletrônico 100 são eletricamente conectados a terminais de conexão de um membro de fiação, como uma placa de circuito impressa, e o componente eletrônico 100 é fixados ao membro de fiação. Os terminais externos 7 dispostos na região de projeção ortogonal do corpo base 20 (a região correspondente à região BR na fig. 1} podem ser eletricamente conectados a um circuito externo por solda por refluxo usando uma pasta de solda. Dessa forma, o componente eletrônico 100 é secundariamente montado no membro de fiação para formar um módulo eletrônico. O método de montagem pode ser a montagem de superfície. O módulo eletrônico também pode ser considerado como um componente eletrônico. Um aparelho eletrônico é produzido instalando o módulo eletrônico em uma carcaça.
[0040] O corpo base 20 tem uma forma rebaixada. Mais especificamente, o corpo base 20 inclui uma porção em forma de placa que define o fundo de um rebaixo e uma porção em forma de estrutura fornecida em uma região periférica da porção em forma de placa define os lados do rebaixo. O corpo integrado do corpo base 20 pode ser formado empilhando um membro de placa e um membro estrutural, pelo corte ou moldagem do metal. O corpo base 20 pode ser condutor, tal como uma placa metálica, enquanto os terminais internos 5 e os terminais externos 7 podem ser isolados. Entretanto, o corpo base 20 é tipicamente formado de um isolante. Embora o corpo base 20 possa ser um substrato flexível, tal como um substrato de poliimida, o corpo base 20 pode ser, em vez disso, um substrato rígido, tal como um substrato de epóxi e vidro, um substrato de compósitos, um substrato de vidro compósito, um substrato de Baquelite ou um substrato de cerâmica. Em particular, um substrato de cerâmica pode ser usado, e o corpo base 20 pode ser formado de um corpo cerâmico multicamadas. O material cerâmico pode ser, por exemplo, carboneto de silício, nitreto de alumínio, safira, alumina, nitreto de silício, cermet, ítrios, mulita, forsterita, cordierita, zircônia ou esteatita.
[0041] Referindo-se às figs. 5A e 5B, a região periférica do corpo base 2 0 tendo a forma rebaixada inclui porções de estágio e porções de etapa. As porções de estágio são porções que se estendem nas direções X e Y. As porções de etapa são porções que se estendem na direção Z entre duas porções de estágio em alturas diferentes na direção Z.
[0042] A porção de estágio fornecida com os terminais internos 5 é definida como uma porção de estágio de referência 202. Nesta modalidade, como mostrado na fig. 5A, uma porção de estágio superior 204 é localizada mais perto da borda externa do pacote 50, ou seja, mais perto da borda externa 205 do corpo base 20, do que os grupos de terminais internos na direção Y. A porção de estágio superior 204 projeta-se da porção de estágio de referência 202. Em outras palavras, a porção de estágio superior 204 é localizada mais perto do corpo da tampa 30 do que a porção de estágio de referência 202 na direção Z. Uma porção de etapa 203 é localizada entre a porção de estágio de referência 202 e a porção de estágio superior 204. A porção de etapa 203 fica voltada para os condutores de conexão 4 através de uma porção do espaço interior 60.
[0043] No exemplo mostrado nas figs. 5A e 5B, o corpo base 20 inclui uma porção de estágio inferior 200 em adição à porção de estágio de referência 202 e à porção de estágio superior 204. A porção de estágio inferior 200 é localizada mais longe da borda externa 205 do corpo base 20 do que os grupos de terminais internos. Em outras palavras, a porção de estágio inferior 200 é localizada mais em direção do centro do corpo base 20 do que os grupos de terminais internos. A porção de estágio inferior 200 é localizada abaixo da porção de estágio de referência 202, com uma porção de etapa 201 fornecida entre elas. Em outras palavras, a porção de estágio inferior 200 é localizada mais longe do corpo da tampa 30 do que os grupos de terminais internos na direção Z, e a porção de etapa 2 01 é fornecida entre elas. A porção de etapa 201 fica voltada para a borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10 através de uma porção do espaço interior 60. A porção de estágio de referência 202 é localizada entre a porção de estágio superior 204 e a porção de estágio inferior 200. Por isso, a porção de estágio de referência 202 pode ser mencionada como uma porção de estágio intermediária. Como mostrado na fig. 5B, a porção de estágio de referência 202 não é fornecida entre a porção de estágio inferior 200 e a porção de estágio superior 204 na direção X, na qual os terminais internos 5 não são fornecidos. Ao invés disso, a porção de etapa 203 é localizada entre a porção de estágio superior 204 e a porção de estágio inferior 200. Embora uma porção de estágio intermediária similar àquela na direção Y também possa ser fornecida entre a porção de estágio superior 204 e a porção de estágio inferior 200 na direção X, tal porção de estágio intermediária que é livre dos terminais internos 5 pode aumentar desnecessariamente o tamanho do pacote 50, e por isso pode ser omitida.
[0044] O corpo da tampa 30 que fica voltado para o dispositivo eletrônico 10 tem uma função de proteção do dispositivo eletrônico 10. Se o dispositivo eletrônico 10 for um dispositivo de captação de imagem ou um elemento de exibição que usa luz, requer-se que o corpo da tampa 30 seja transparente à luz (tipicamente, luz visível). O material do corpo da tampa 30 pode ser, por exemplo, plástico, vidro ou cristal de quartzo. O corpo da tampa 30 pode ter um revestimento antirreflexo ou um de corte(redução) infravermelho em um superfície desse.
[0045] Uma modificação do componente eletrônico 100 será descrita agora com referência às figs. 6A e 6B. As figs. 6A e 6B são vistas secionais correspondendo às figs. 5A e 5B, respectivamente. Na modificação ilustrada nas figs. 6A e 6B, o corpo base 20 tem uma forma plana e não tem porção de etapa. Por isso, nesta modificação, uma porção correspondendo à porção de estágio de referência nas figs. 5A e 5B também serve como as porções de estágio superiores e inferiores. O dispositivo eletrônico 10 e o corpo da estrutura 40 é fixado à porção de estágio de referência 202, na qual os terminais internos 5 são arranjados, e a porção de estágio inferior 200 e a porção de estágio superior 204 ilustradas nas figs. 5A e 5B não são fornecidas. À exceção deste ponto, a estrutura desta modificação é similar àquela do componente eletrônico 100 ilustrado nas figs. 5A e 5B.
[0046] A fig. 7 é uma vista perspectiva explodida do componente eletrônico 100. Como se torna claro a partir da fig. 7, o componente eletrônico 100 é formado empilhando o dispositivo eletrônico 10, o corpo base 20, o corpo da tampa 30 e o corpo da estrutura 40, que são preparados com antecedência, na direção Z. Na fig. 7, a relação entre o corpo base 20 e o corpo da estrutura 40 é mostrada por linhas tracejadas simples, a relação entre o dispositivo eletrônico 10 e o corpo base 20 é mostrada por linhas contínuas com um ponto único, e a relação entre o corpo da estrutura 40 e o corpo da tampa 30 é mostrada por linhas contínuas com um ponto duplo. Também, o contorno do corpo da tampa 30 é mostrado por linhas tracejadas simples no corpo da estrutura 40, o contorno do dispositivo eletrônico 10 é mostrado por linhas tracejadas simples no corpo base 20, e o contorno do corpo da estrutura 40 é mostrado por linhas quebradas simples no corpo base 20.
[0047] O corpo da tampa 30 é fixado ao corpo base 20 com o corpo da estrutura 40 fornecido entre eles. Mais especificamente, como mostrado nas figs. 5A e 5B, o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados um com outro por um material de ligação 51. Além disso, como mostrado nas figs. 5A e 5B, o corpo da estrutura 40 e o corpo da tampa 30 são ligados um com outro por um material de ligação 53. Nesta modalidade, o corpo da tampa 30 é localizado mais longe do dispositivo eletrônico 10 e o corpo base 20 do que o corpo da estrutura 40 na direção Z, e o material de ligação 53 é fornecido na superfície interna 302 do corpo da tampa 30 que fica voltada para o dispositivo eletrônico 10. Entretanto, como mostrado na fig. 3 da patente japonesa submetida à inspeção pública n°2003-101042, uma porção do corpo da estrutura 40 pode ser localizada mais longe do dispositivo eletrônico 10 e do corpo base 20 do que o corpo da tampa 30 na direção Z, e o material de ligação 53 pode ser fornecido na superfície externa 301 do corpo da tampa 30. A espessura dos materiais de ligação 51, 52, e 53 pode estar na faixa de 1 a 1000pm e está tipicamente na faixa de 10 a 100 pm.
[0048] Mais especificamente, o corpo da estrutura 40 e o corpo base 2 0 são ligados um com outro usando um adesivo, o dispositivo eletrônico 10 e o corpo base 20 são ligado um com outro usando um adesivo, e o corpo da tampa 30 e o corpo da estrutura 40 são ligados um com outro usando um adesivo. A ordem na qual estes membros são ligados não é particularmente limitada. Entretanto, a presente invenção é adequada para o caso no qual o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados em conjunto antes que o corpo da tampa 30 e o corpo da estrutura 40 sejam ligados em conjunto. Além disso, a presente invenção é adequada para o caso no qual o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados em conjunto antes que o dispositivo eletrônico 10 e o corpo base 20 sejam ligados em conjunto. Consequentemente, em primeiro lugar, o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados em conjunto para formar um membro de montagem. Então, o dispositivo eletrônico 10 é fixado ao membro de montagem, e o corpo da tampa 30 é ligado ao membro de montagem depois disto.
[0049] O corpo base 20 e o corpo da estrutura 40 podem ser ligados em conjunto pelo material de ligação 51 por toda a circunferência da superfície de ligação desse. O corpo da tampa 30 e o corpo da estrutura 40 também podem ser ligados em conjunto pelo material de ligação 53 por toda a circunferência de ligação alisa desse. Quando as regiões de ligação se estendem por toda a circunferência de modo que o espaço interior 60 ao redor do dispositivo eletrônico 10 seja hermeticamente vedado para o ar exterior, a intrusão de substâncias estranhas no espaço interior 60 pode ser suprimida e a confiabilidade pode ser aumentada. Uma quantidade suficiente de adesivo pode ser usada para assegurar hermeticidade suficiente.
[0050] Os acima descritos materiais de ligação 51, 52, e 53 são formados solidificando o adesivo aplicado. O adesivo pode ser, por exemplo, do tipo de solidificação a seco, que é solidificado evaporando um solvente, de um tipo de reação química, que é curada pela polimerização de moléculas com luz ou calor, ou de um tipo de fusão térmica (a quente) que é solidificado sendo fixado a partir de um estado de fusão. O adesivo é tipicamente uma resina fotocurável que é curada com um raio ultravioleta ou luz visível ou uma resina termoestável que é curada com o calor. Uma resina termoestável pode ser usada como um adesivo para formar o material de ligação 51 e o material de ligação 52, e uma resina fotocurável pode ser usada como um adesivo para formar o material de ligação 53.
[0051] O corpo da estrutura 40 inclui uma superfície de ligação 401 que fica voltada para o corpo base 20 e é ligada ao material de ligação 51, e uma superfície de ligação 402 que voltada para o corpo da tampa 30 e é ligada com o material de ligação 53. O corpo da estrutura 40 circunda o espaço interior 60 entre o dispositivo eletrônico 10 e o corpo da tampa 30. Uma superfície do corpo da estrutura 40 que fica voltada para o espaço interior 60 e circunda o espaço interior 60 é a borda interna 403. A borda externa 405 do corpo da estrutura 40 é exposta ao espaço exterior. Neste exemplo, o corpo da estrutura 40 inclui porções de extensão 404 que se estendem em direção ao espaço exterior na direção X, das regiões entre o corpo base 20 e o corpo da tampa 30. Cada porção de extensão 404 tem um buraco de passagem 406. O buraco de passagem 406 pode ser usado como um buraco de parafuso para fixar a porção estendida 404 a um carcaça, ou similares, de um aparelho eletrônico ou como um buraco de posicionamento.
[0052] Neste exemplo, as porções de extensão 404 estendem-se na direção Y e são fornecidas nos lados esquerdo e direito. Entretanto, as porções de extensão 404 podem, ao invés disso, estenderem-se na direção X e serem fornecidas nos lados superior e inferior. Além disso, embora as porções de extensão se estendam na direção Y, que é uma direção perpendicular à direção X, na qual os terminais internos 5 são arranjados, as porções de extensão 404 podem ser, ao invés disso, arranjadas para estenderem-se na direção na qual os terminais internos 5 são arranjados. Neste exemplo, as linhas de saída de sinal da porção principal 1 (linhas de saída de sinal 13 na fig. 3) estendem-se na direção Y. As porções de extensão 404, que são ferromagnéticas, podem reduzir efetivamente o campo magnético aplicado ao dispositivo eletrônico 10. Por isso, quando o dispositivo eletrônico 10 é um dispositivo de captação de imagem, as porções de extensão 404 podem ser arranjadas para estenderem-se na direção Y ao longo das linhas de saída de sinal 13 que se estendem na direção Y, na porção principal 1 ilustrada na fig. 3. Quando as porções de extensão 404, que são ferromagnéticas, são arranjadas para estenderem-se ao longo das linhas de produção de sinal da porção principal 1, o componente de direção-X do campo magnético, ou seja, um componente de campo magnético que cruza as linhas de saída de sinal, pode ser reduzido, de modo que o ruído possa ser reduzido.
[0053] O material do corpo da estrutura 40 pode ser tanto uma cerâmica quanto um metal contanto que material seja ferromagnético. Aqui, o metal não é limitado a um metal elementar e pode ser, ao invés disso, uma liga. Nesta modalidade, o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados em conjunto por um adesivo, e o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 podem ser feitos de materiais diferentes. Além disso, o corpo da estrutura 40 e o corpo da tampa 30 podem ser feitos de materiais diferentes. Em tal caso, por exemplo, o material do corpo base 20 é uma cerâmica não ferromagnética, o material do corpo da tampa 30 é vidro e o material do corpo da estrutura 40 é um metal ou uma cerâmica ferromagnética.
[0054] No caso onde o corpo da estrutura 40 tem alta condutividade térmica, o corpo da estrutura 40 pode ser usado como um dissipador de calor, e o calor do dispositivo eletrônico 10 pode ser dissipado pelas porções de extensão 404. Do ponto de vista da dissipação de calor, a condutividade térmica do corpo da estrutura 40 pode ser 1,0 W/m.K ou mais e é preferencialmente 10 W/m.K ou mais. A condutividade térmica de uma resina típica é menos de 1,0 W/m.K.
[0055] Para reduzir um estresse gerado no componente eletrônico 100, o coeficiente de expansão térmica (coeficiente da expansão linear) do corpo da estrutura 40 pode ser feito o mais baixo quanto possível. Especificamente, o coeficiente de expansão térmica do corpo da estrutura 40 pode ser 50 ppm/K ou menos.
[0056] Do ponto de vista da condução térmica e de expansão térmica, o material do corpo da estrutura 40 pode ser um metal. O material é tipicamente um aço inoxidável ou outra liga de ferro que contém cromo, níquel ou cobalto. Por exemplo, SUS430, que é um aço inoxidável ferrítico, uma liga magnética de nanocristais, tal como o Permalloy, liga 42, a Kovar, ou a Finemet (marca registrada) ou uma liga magnética amorfa podem ser usadas como o corpo ferromagnético. Um óxido metálico, tal como a ferrita, também pode ser, naturalmente, usado.
[0057] O corpo da estrutura 40 tem uma função de determinar uma lacuna entre o dispositivo eletrônico 10 e o corpo da tampa 30 e uma função de suportar o corpo da tampa 30. O corpo da estrutura 40 pode ter buracos para parafuso ou buracos de posicionamento, como descrito acima e também pode funcionar como um membro de dissipação de calor já que tem uma alta condutividade térmica. Por isso, o corpo base 20 e o corpo da estrutura 40 podem ser mencionados como membros de montagem.
[0058] Os filmes condutivos integrados no corpo base 20 podem ser usados como o condutor 88. Cada um entre o primeiro filme condutivo 811, o segundo filme condutivo 812, o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814 ilustrado nas figs. 5A, 5B, 6A, e 6B funciona como o condutor 88.
[0059] As figs. 8A a 8D ilustram padrões planares de condutores relacionados ao corpo base 20. A fig. 8A ilustra os terminais internos 5, e a fig. 8D ilustra os terminais externos 7. A fig. 8B ilustra o primeiro filme condutivo 811 e o segundo filme condutivo 812 como o condutor 88, e a fig. 8C ilustra o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814 como o condutor 88.
[0060] O primeiro filme condutivo 811 e o segundo filme condutivo 812 são igualmente espaçados do dispositivo eletrônico 10, e o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814 são igualmente espaçados do dispositivo eletrônico 10. O primeiro filme condutivo 811 e o segundo filme condutivo 812 estão mais perto do dispositivo eletrônico 10 do que o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814. As distâncias do dispositivo eletrônico 10 para o primeiro filme condutivo 811, o segundo filme condutivo 812, o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814 são menores do que a distância do dispositivo eletrônico 10 aos terminais externos 7. A distância do dispositivo eletrônico 10 ao corpo base 20 é menor do que as distâncias do dispositivo eletrônico 10 ao primeiro filme condutivo 811, o segundo filme condutivo 812, o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814. Embora dois filmes condutivos sejam fornecidos como os condutores que são igualmente espaçados do dispositivo eletrônico 10 neste exemplo, o número de filmes condutivos pode ser, ao invés disso, um ou três ou mais. Os filmes condutivos que são igualmente espaçados do dispositivo eletrônico 10 podem ser contínuos sobre 1/2 ou mais da área da região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região DR na fig. 1), ou seja, a área do dispositivo eletrônico 10, em total.
[0061] Como é claro a partir das figs. 5A, 5B, e 8A a 8D, pelo menos uma porção de cada um do primeiro ao quartos filmes condutivos é localizada na região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região DR na fig. 1). Além disso, cada um do primeiro ao quartos filmes condutivos estende-se na região de projeção ortogonal do corpo da estrutura 40, que é um corpo ferromagnético (região correspondente à região FR na fig. 1). O contorno do dispositivo eletrônico 10 é mostrado por linhas pontilhadas em cada um das figs. 8A a 8D. Como é claro a partir das figs. 8A a 8D, cada um dos filmes condutivos 811, 812, 813, e 814, que servem como o condutor 88, é somente localizado na região de projeção ortogonal do corpo base 20 (região correspondente à região BR na fig. 1) (região circundada pela borda externa 205 do corpo base 20) e não se estende a uma região do lado de fora da região de projeção ortogonal (região correspondente à região BR na fig. 1). Embora cada filme condutivo tenha uma estrutura em forma de folha única contínua, o filme condutivo pode ter buracos, fendas ou similares para formar vias ou padrões de fiação incluídos nas porções integradas 6. Estes buracos, fendas ou similares não afetam basicamente a acima descrita geração de corrente parasita. Referindo-se às figs. 8B e 8C, os filmes condutivos incluem porções densas 8111, 8121, e 8131 nas quais o número de buracos e fendas é relativamente pequeno e a densidade do condutor é alta e porções de luz 8112, 8122, e 8132 nas quais o número de buracos e fendas é relativamente grande e a densidade do condutor é baixa. A corrente parasita pode ser gerada em uma região na qual o condutor é contínuo sobre uma área tão grande o quanto possível. Por isso, as porções densas 8111, 8121, e 8131 podem ser arranjadas de modo que as porções grandes das mesmas, o tanto quanto possível, estejam localizadas na região de projeção ortogonal da porção principal 1 do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região MR. na fig. 1). Em tal caso, o ruído gerado nas linhas de sinal e similares da porção principal 1 pode ser reduzido.
[0062] Os terminais internos 5, as porções integradas 6, os terminais externos 7, o primeiro filme condutivo 811, o segundo filme condutivo 812, o terceiro filme 813 e o quarto filme condutivo 814 estão integrados com o corpo base 20. Os terminais internos 5 são fornecidos na porção de estágio de referência 202 do corpo base 20.
[0063] Para formar o corpo base 20 incluindo os acima descritos filmes condutivos, folhas verdes formadas por um método de formação de folhas como um método de lâmina de raspadeira ou um método de rolo de gofragem são submetidos a um processo de perfuração para formar folhas em forma de placa, e as folhas em forma de placa são empilhadas em conjunto para formar um membro de placa de cerâmica verde. Além disso, as folhas verdes formadas por um método similar são submetidas a um processo de perfuração para formar folhas da forma de estrutura, e as folhas em forma de estrutura são empilhadas em conjunto para formar um membro de estrutura de cerâmica verde. O membro de placa e o membro de estrutura são empilhados em conjunto e sinterizados, de modo que seja formado um corpo cerâmico multicamadas tendo uma forma rebaixada. Os terminais internos as porções integradas 6, os terminais externos 7, o primeiro filme condutivo 811, o segundo filme condutivo 812, o terceiro filme condutivo 813 e o quarto filme condutivo 814 podem ser formados sinterizando padrões de pasta condutivos que são formados por, por exemplo, um método de impressão de tela na etapa de empilhamento das folhas verdes. A pasta condutiva pode ser, por exemplo, pasta de tungstênio, pasta de cobre ou pasta de prata. Do ponto de vista da durabilidade térmica, a pasta de tungstênio pode ser utilizada. A espessura dos filmes condutivos formados desse modo, que funcionam como o condutor 88, é de aproximadamente 1 a 100pm, que é suficiente para formar a corrente parasita.
[0064] A presente modalidade será descrita agora detalhadamente com referência às figs. 9A e 9B.
[0065] A fig. 9A é uma vista secional da mesma porção daquela mostrada na fig. 5B, e a Fig. 9B é uma vista secional da mesma porção daquela mostrada na fig. 6B. Estas figuras mostram as dimensões de cada membro.
[0066] W1 representa a dimensão externa do dispositivo eletrônico 10 na direção X. W2 representa o comprimento de uma porção (primeira porção 410} do corpo da estrutura 40 na direção X, a porção estando mais perto da borda interna 403 do corpo da estrutura 40 do que a borda externa 205 do corpo base 20. A primeira porção 410 é uma porção do corpo da estrutura 40, que é ligada com o corpo base 20. No exemplo ilustrado na fig. 9A, como mostrado na fig. 5B, uma superfície da primeira porção 410 é uma região da superfície de ligação 401 do corpo da estrutura 40, a região que ficando voltada para o corpo base 20 (a porção de estágio superior 204 neste caso). W4 representa o comprimento de uma porção (segunda porção 420) do corpo da estrutura 40 na direção X, a porção estando mais perto da borda externa 405 do corpo da estrutura 40 do que a borda externa 205 do corpo base 20.
No exemplo ilustrado na fig. 9A, como mostrado na fig. 5B, uma superfície da segunda porção 420 é uma região da superfície de ligação 401 do corpo da estrutura 40, a região não ficando voltada para o corpo base 20 (a porção de estágio superior 204 neste caso). T4 representa a espessura do corpo da estrutura 40. Neste exemplo, a espessura T4 do corpo da estrutura 40 é substancialmente igual à distância entre uma região periférica do corpo base 20 e uma região periférica do corpo da tampa 30. A espessura dos materiais de ligação 51 e 53 é substancialmente insignificante. Nesta modalidade, a espessura T4 do corpo da estrutura 40 é menor do que o comprimento W2 da primeira porção 410. Em outras palavras, uma seção transversal de uma porção do corpo da estrutura 40 localizada no corpo base 20 tem uma forma retangular, na qual a direção do lado comprido é a direção X e a direção do lado curto é a direção Z. Neste exemplo, a primeira porção 410 e a segunda porção 420 têm a mesma espessura. Entretanto, a espessura da segunda porção 420 pode ser maior ou menor do que a espessura da primeira porção 410, enquanto a espessura da primeira porção 410 é menor do que o comprimento W2 da primeira porção 410. Para aumentar a condutividade térmica da segunda porção 420, a espessura de a segunda porção 420 pode ser maior do que a espessura da primeira porção 410.
[0067] O corpo da estrutura é conectado a uma carcaça, ou similares, de um aparelho eletrônico. Por isso, se o corpo da estrutura é demasiadamente fino, a rigidez suficiente não pode ser assegurada, e a função de posicionamento e a função como um membro de conexão será degradada. Além disso, se o corpo da estrutura é demasiadamente fino, a resistência térmica será aumentada e o desempenho da dissipação de calor será degradado. Se o corpo da estrutura for demasiadamente espesso, embora a rigidez possa ser aumentada e o desempenho de dissipação de calor pode ser melhorado, torna-se difícil reduzir a espessura do componente eletrônico. Consequentemente, a espessura T4 tem de ser estabelecida em um valor apropriado e pode ser de aproximadamente 0,5 mm a 1,2 mm.
[0068] Com respeito à espessura T4 da primeira porção 410 do corpo da estrutura 40, o comprimento W2 da primeira porção 410 é o comprimento de uma região na qual o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20 são ligados em conjunto pelo material de ligação 51 e a resistência térmica é relativamente alta nesta região, já que o material de ligação é um adesivo. Se o comprimento W2 é demasiadamente grande, a distância de transferência de calor da porção do corpo base ficar demasiadamente longa e o desempenho da dissipação de calor pode ser degradado. Se o comprimento W2 é demasiadamente o pequeno, a condutividade térmica da porção adesiva, que tem uma resistência térmica relativamente alta, como descrito acima, será reduzida e o desempenho da dissipação de calor será degradado. Além disso, se o comprimento W2 é demasiadamente pequeno, a adesão entre o corpo base 20 e o corpo da estrutura 40 será reduzido, o que leva a reduções na confiabilidade e na durabilidade térmica do componente eletrônico. Por isso, o comprimento W2 da primeira porção 410 também necessita ser estabelecido em um valor apropriado, e pode ser de aproximadamente 0,5 mm a 2,5 mm.
[0069] Quanto ao acima descrito, dois parâmetros W2 e T4 que se relacionam à forma do corpo da estrutura 40 e à relação posicionai entre o corpo da estrutura 40 e o corpo base 20, a condutividade térmica do corpo da estrutura 40 pode ser alta em termos de valor absoluto e pode ser mais alta do que aquela do corpo base 20. Isto porque, em tal caso, a espessura do corpo da estrutura 40 pode ser reduzida dentro de uma faixa na qual a rigidez suficiente pode ser assegurada, e a redução da espessura do componente eletrônico pode ser alcançada. A espessura T4 do corpo da estrutura 40 pode satisfazer qualitativamente T4<W2. Quando T4<W2 é satisfeito, a largura pode ser estabelecida de modo que a resistência térmica da porção adesiva possa ser reduzida e reduções na confiabilidade e na durabilidade térmica do aparelho eletrônico podem ser prevenidas.
[0070] Consequentemente, a eficiência da condução térmica pelo corpo da estrutura 40 pode ser aumentada enquanto um aumento na espessura T5 do componente eletrônico 100 é suprimido. Quando W2>T4 é satisfeito, as resistências térmicas do corpo base 20 e do corpo da estrutura 40 podem ser reduzidas, e o calor pode ser eficientemente transferido da primeira porção 410 à segunda porção 420. Em particular, no caso onde os terminais externos (LGA, LCC etc.) são fornecidos em um lado do corpo base, como nesta modalidade, a superfície traseira será provavelmente conectada a um substrato tendo uma condutividade térmica relativamente baixa (substrato de epóxi e vidro, substrato de poliimida, etc.). Por isso, dissipação de calor a partir da superfície traseira do substrato não pode ser esperada. Por essa razão, a configuração desta modalidade na qual o corpo da estrutura é utilizado, é particularmente eficaz.
[0071] Nesta modalidade, como descrito acima com referência às figs. 4A e 4B, as porções de extensão 404 são fornecidas em ambos os lados do dispositivo eletrônico 10 na direção X. Por isso, na direção X, a largura W4 da segunda porção 420 do corpo da estrutura 40 é maior do que a largura W2 da primeira porção 410 localizada entre cada porção de extensão 404 e a borda interna 403. A largura W4 da segunda porção 420 do corpo da estrutura 40 é a largura de uma porção conectada a um carcaça, ou similar, de um aparelho eletrônico por um método de conexão que pode ser selecionado a partir de vários métodos , tais como aqueles que usam um adesivo ou parafusos. A largura W4 da segunda porção 420 pode ser qualitativamente maior do que a largura W2 da primeira porção 410. Quando W4 é maior do que W2, a resistência térmica, pelo menos da porção tendo a largura W4, que é conectada à carcaça, ou similares, pode ser feita menor do que aquela na região tendo a largura W2, e o desempenho da dissipação de calor pode ser melhorado. Quando W4 é menor do que W2, a resistência térmica da porção tendo a largura W4, que é conectada à carcaça, ou similares, é aumentada, e consequentemente a temperatura na região tendo a largura W2 também é aumentada. Já que o adesivo é disposto na região tendo a largura W2, quando a temperatura é aumentada, a deterioração do adesivo pode ser acelerada. Nesta modalidade, a espessura T4 do corpo da estrutura 40 é menor do que a distância D6 entre o corpo da tampa 30 e o dispositivo eletrônico 10 (distância entre a superfície interna 302 e a superfície frontal 101). Entretanto, a espessura T4 pode ser, ao invés disso, maior do que a distância D6. No componente eletrônico 100, a distância D6 de deve ser tão grande quanto um certo valor, para formar um espaço interior suficientemente grande 60. Nesta modalidade, já que o corpo da estrutura 40 é arranjado para circundar o espaço interior 60, a espessura do componente eletrônico 100 não é aumentada devido ao corpo da estrutura 40. Ao contrário, em uma estrutura de acordo com a técnica relacionada, na qual uma placa de dissipação de calor é integrada no corpo base 20, a espessura do corpo base 20 é aumentada pela espessura da placa de dissipação de calor. Nesta modalidade, já que a espessura T4 do corpo da estrutura 40 serve também como a distância D6, um aumento na espessura do componente eletrônico 100 pode ser suprimido. Na fig. 9A, a espessura T2 do corpo base 20 é aumentada pela espessura T21 de um membro de estrutura que forma a porção de etapa 203. No caso onde a condutividade térmica do corpo base 20 é menor do que a condutividade térmica do corpo da estrutura 40, T21 pode ser tão pequeno quanto possível, e T21<T1 pode ser satisfeito. Em tal caso, o corpo da estrutura 40 circunda o dispositivo eletrônico 10.
[0072] O corpo da tampa 30 é ligado à primeira porção 410 do corpo da estrutura 40. Por isso, a condutividade térmica do corpo da tampa 30 pode ser menor do que a condutividade térmica do corpo da estrutura 40. Quando a condutividade térmica do corpo da tampa 30 é baixa, o calor transferido do corpo base 20 é mais facilmente transferido para a segunda porção 420 do que paracorpo da tampa 30 da primeira porção 410. Por isso, a eficiência da dissipação de calor na segunda porção 420 é aumentada. As condutividades térmicas do corpo base 20 e do corpo da estrutura 40 podem ser, naturalmente, altas, e podem ser maiores do que a condutividade térmica do corpo da tampa 30. Também, a condutividade térmica do corpo da estrutura 40 pode ser maior do que a condutividade térmica do corpo base 20. As condutividades térmicas do corpo base 20 e do corpo da estrutura 40 podem ser 2,0 W/m.K ou mais, para uso prático, e são preferencialmente 10 W/m.K ou mais. O espaço interior 60 é localizado entre a porção de etapa 201 mostrada na fig. 5A, que é fornecida entre a porção de estágio superior 204 e a porção de estágio inferior 200, e a borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10. A condutância térmica de uma porção entre a porção de etapa 201 e a borda externa 105 pode ser aumentada. Mais especificamente, um membro termícamente condutivo que está em contato com a porção de etapa 201 e a borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10 pode ser disposto entre a porção de etapa 201 e a borda externa 105 de modo a preencher o espaço interior 60 entre o dispositivo eletrônico 10 e a borda externa 105. O membro termicamente condutivo pode ser formado solidificando a pasta condutiva, tal como a pasta de prata ou a pasta de cobre. A pasta de prata tem uma condutividade elétrica de, por exemplo, 1x106 a 1x107 (S/m). Quando os terminais internos 5 são localizados entre a borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10 e a porção de etapa 201, pode ser difícil usar uma pasta tão condutiva do ponto de vista de garantir isolamento suficiente. Entretanto, neste exemplo, os terminais internos 5 são arranjados na porção de estágio de referência 202, como descrito acima com referência à fig. 5A. Por isso, a pasta condutiva pode ser facilmente utilizada.
[0073] Outro exemplo do componente eletrônico 100 de acordo com uma modalidade da presente invenção será descrito com referência às figs. 10A e 10B. A fig. 10A é uma vista de plano do exemplo do componente eletrônico 100, e a fig. 10B é uma vista secional do componente eletrônico 100 tomada ao longo da linha XB-XB.
[0074] Também nesta modalidade, um corpo da estrutura 41 é usado como o corpo ferromagnético 44. Uma estrutura guia estende-se através de um corpo base 20, que é feito de uma resina ou de uma cerâmica. A estrutura guia inclui fios guia internos que servem de terminais internos 5 e fios guia externos que servem de terminais externos 7. O corpo da estrutura 41 é disposto entre a estrutura guia e um corpo da tampa 30. O corpo da estrutura 41 é introduzido no corpo base 20 em uma região acima da estrutura guia. Por isso, o corpo da estrutura 41 é localizado somente na região de projeção ortogonal (região correspondente à região BR na fig. 1) do corpo base 20 e não se estende para o exterior da região de projeção ortogonal (região correspondente à região BR na fig. 1). Dessa forma, o corpo da estrutura 41, que serve como o corpo ferromagnético 44, pode ser coberto pelo corpo base 20 ao invés de ser exposto. Alternativamente, o corpo da estrutura 41 pode ser imprensado pelo corpo base 20 e pelo corpo da tampa 30.
[0075] No exemplo ilustrado nas figs. 10A e 10B, uma placa condutiva 72, que serve como o condutor 88 na fig. 1, estende-se de uma posição dentro da região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região DR na fig. 1) para uma posição dentro da região de projeção ortogonal do corpo da estrutura 41 (região correspondente à região FR na fig. 1). A placa condutiva 72 de acordo com a presente modalidade, é mais espessa do que os filmes condutivos 811,812, 813e814 ilustrados nas figs. 5A e 5B. A placa condutiva 72 é uma placa metálica tendo uma espessura de, por exemplo, 0,1 mm a 2,0 mm, e é suficientemente rígida. O material da placa condutiva 72 pode ser um metal não ferromagnético, como alumínio, cobre ou um aço inoxidável austenítico, tal como o SUS304. A placa condutiva 72, que é suficientemente rígida, estende-se para uma região do lado de fora da região de projeção ortogonal do corpo base 20 (região correspondente à região BR na fig. 1). A placa condutiva 72 inclui porções de extensão 404 que se projetam do corpo base 20, e buracos de fixação 406 que são formados nas porções de extensão 404. Os buracos de fixação 406 são usados para fixação de parafuso ou posicionamento para segurar o componente eletrônico 100.
[0076] Outro exemplo do componente eletrônico 100 de acordo com uma modalidade da presente invenção será descrito com referência às figs. 11A e 11B. A fig. 11A é uma vista de plano do exemplo do componente eletrônico 100, e a fig. 11B é uma vista secional do componente eletrônico 100 tomada ao longo da linha XIB-XIB.
[0077] Neste exemplo, o corpo ferromagnético 44 é localizado mais perto do dispositivo eletrônico 10 do que os terminais internos 5 fornecidos como fios guia internos. Membros de haste 42, que são fornecidos como o corpo ferromagnético 44, ficam voltados para superfícies laterais de um dispositivo eletrônico 10, e as superfícies superiores dos membros de haste 42 estão abaixo da superfície frontal 101 do dispositivo eletrônico 10. Neste exemplo, o corpo ferromagnético 44 não é um corpo da estrutura mas é um par de membros de haste 42 arranjados ao longo de dois lados opostos do dispositivo eletrônico 10. Entretanto um corpo da estrutura pode ser, ao invés disso, fornecido de modo a circundar o dispositivo eletrônico 10 em uma posição mais perto do dispositivo eletrônico 10 do que os terminais internos 5 que servem como fios guia internos. Neste caso, não é necessário que o ferromagnético o corpo 44 circunde a região entre o dispositivo eletrônico 10 e o corpo da tampa 30. Os dois membros de haste 42 são arranjados ao longo das linhas de saída de sinal (a linha de saída de sinal 13 ilustrada na fig. 3) que se estendem na direção Y. Quando os membros de haste 42, que servem como o corpo ferromagnético, estendem-se ao longo das linhas de saída de sinal da porção principal 1, o componente de direção-X do campo magnético, ou seja, um componente de campo magnético que atravessa as linhas de saída de sinal, pode ser reduzido, de modo que o ruído possa ser reduzido.
[0078] No exemplo ilustrado nas figs. 11Ae 11B, o filme condutivo 73, que serve como o condutor 88, estende-se de uma posição dentro da região de projeção ortogonal do dispositivo eletrônico 10 (região correspondente à região DR na fig. 1) para posições dentro das regiões de projeção ortogonais dos membros de haste 42 (regiões correspondentes à região FR na fig. 1). O filme condutor 73 é fornecido em uma placa de circuito 500 na qual o componente eletrônico 100 é montado. Dessa forma, o condutor 88 pode ser separado do corpo base 20. Quando a distância entre o condutor 88 e o dispositivo eletrônico 10 é aumentada, o campo magnético gerado pela corrente parasita é reduzido e se torna difícil alcançar efeito suficiente. Um corpo base 20 tendo pequena espessura pode ser usado de modo que a distância entre o condutor 88 e o dispositivo eletrônico 10 seja de 1,0 mm ou menos.
Exemplo [0079] Um exemplo da presente invenção será descrito agora. O componente eletrônico 100 ilustrados nas figs. 5A e 5B foi manufaturado. O componente eletrônico 100 tinha uma forma de placa retangular com a direção X sendo a direção do lado longo e a direção Y que sendo a direção do lado curto.
[0080] Um corpo base tendo um rebaixo retangular e no qual três camadas de cerâmica alumina foram empilhadas foi preparado como sendo o corpo base 20 do componente eletrônico 100. A condutividade térmica da cerâmica alumina foi 14 W/m.K. No corpo base 20, a espessura de uma primeira camada em forma de placa foi 0,8 mm, a espessura de uma segunda camada em forma de estrutura (altura da porção de etapa 201) foi 0,4 mm e a espessura de uma terceira camada em forma de estrutura (a altura da porção de etapa 203) foi 0,2 mm.
[0081] A dimensão externa da primeira camada na direção foi 32,0 mm. A dimensão externa da primeira camada na direção Y foi 26,4 mm. As dimensões externas e internas da segunda camada na direção X foram de 32,0 mm e 26,2 mm, respectivamente (a largura da estrutura foi 2,9 mm). As dimensões externas e internas da segunda camada na direção Y foram 26,4 mm e 19,6 mm, respectivamente (a largura da estrutura foi 3,4 mm). As dimensões externas e internas da terceira camada na direção X foram 32,0 mm e 26,2 mm, respectivamente (a largura da estrutura foi 2,9 mm). As dimensões externas e internas da terceira camada na direção Y foram 26,4 mm e 21,4 mm, respectivamente (a largura de estrutura foi 2,5 mm). A largura na direção Y da porção de estágio de referência 202 provida com os terminais internos 5 foi 0,9 mm.
[0082] Os filmes multicamadas formados galvanizando uma base de níquel com ouro foram usados como os terminais internos 5 e os terminais externos 7. Os terminais externos 7 foram do tipo LGA, e 125 terminais externos 7 foram fornecidos. Filmes metálicos tendo uma área relativamente grande, similar ao primeiro filme condutivo 811, ao segundo filme condutivo 812, ao terceiro filme condutivo 813 e ao quarto filme condutivo 814 ilustrados nas figs. 8A a 8D, foram formados na primeira camada. Os filmes metálicos foram feitos de filmes de tungstênio (permeabilidade relativa: 1, condutividade elétrica: 1.8x107 (S/m)) tendo uma espessura de 10pm. O primeiro filme condutivo 811 e o terceiro filme condutivo 813 estendem-se de uma posição que tem 1,0 mm, ou menos, até a borda externa 205 do corpo base 20.
[0083] Após, o corpo da estrutura 40, feito de SUS430 (aço inoxidável de cromo 18%), que é um aço inoxidável ferrítico, foi preparado como o corpo ferromagnético, e a resina termoestável foi aplicada como um adesivo a uma superfície do corpo da estrutura 40 por serigrafia. A condutividade térmica deoSUS430 é 26 W/m.K. O corpo da estrutura 40 foi montado na porção de estágio superior 204 do corpo base 20, e uma pressão foi aplicada. A pressão foi ajustada de modo que a espessura da resina termoestável fosse estabelecida entre 10 a 50μιπ Então, a resina termoestável, que serve como adesivo, foi endurecida aquecendo a resina termoestável até aproximadamente 12tfCa 150°C. Para aumentar a adesão entre a superfície frontal do corpo da estrutura 40 e a resina termoestável, a superfície frontal foi submetida a um processo de jateamento de areia para obter uma aspereza de superfície Ra de aproximadamente 0,1 a 0,2 μη, de modo que a superfície frontal tenha projeções e rebaixos. A espessura do corpo da estrutura 40 foi 0,8 mm, a dimensão externa desse na direção X foi 42,0 mm (a largura de cada uma das porções de extensão 404 fornecidas nos lados esquerdo e direito foi 4,5 mm), e a dimensão interna desse na direção X foi 27,4 mm. As dimensões externas e internas do corpo da estrutura 40 na direção Y foram 27,4 mm e 22,6 mm, respectivamente. A distância de compensação entre a borda interna 403 do corpo da estrutura 40 e a porção de etapa 203 do corpo base 20 foi 0,60 mm em cada um dos lados, esquerdo e direito, na direção X e 0,60 mm em cada um dos lados, superior e inferior, na direção Y. Já que a borda interna 403 foi maior do que a porção de etapa 203, a circunferência total da borda interna 403 foi localizada mais em direção ao lado de fora (lado da borda externa 205) do que a porção de etapa 203. Também, o corpo da estrutura 40 projeta-se da borda externa 205 do corpo base 20 por 0,50 mm no mínimo e 5,0 mm (distância correspondente à dimensão das porções de extensão 404) no máximo, em cada um dos lados, esquerdo e direito, na direção X, e por 0,50 mm em cada um dos lados, superior e inferior, na direção Y. Em outras palavras, W4 na direção X foi 0,50 mm no mínimo, mas foi 5,0 mm nas porções de extensão 404 de modo que W4> W2 fosse satisfeito. Já que a borda externa 405 foi maior do que a borda externa 205, a circunferência total da borda externa foi localizada mais em direção ao lado de fora (lado da borda externa 205) do que a borda externa 205. O comprimento W2 da primeira porção 410 foi 2,3 mm na X direção e 1,9 mm na direção Y. Deste modo, um membro de montagem foi obtido. Na direção X e na direção Y, T4<W2 foi satisfeito. Na direção X, T4 <W2<W4 foi satisfeito. Na direção Y, T4>W4 foi satisfeito.
[0084] Em seguida, um sensor de imagem CMOS tendo um, assim chamado, sistema de foto avançado Tipo-C (APS-C) foi preparado como o dispositivo eletrônico 10. A dimensão externa do dispositivo eletrônico 10 na direção Y foi 18,0 mm, e a espessura desse foi 0,75. Pode-se supor que a condutividade térmica do dispositivo eletrônico 10, que foi feito principalmente de silício, seja 160 W/m.K, e pode-se supor que o coeficiente de expansão térmica desse seja 2,5 ppm/K. Este dispositivo eletrônico 10 foi fixado a uma porção substancialmente central do corpo base 20 por um processo termoestável usando um adesivo preto cortado pela matriz. Então, os eletrodos 3 dispostos na região periférica do chip e os terminais internos 5 foram eletricamente conectados um ao outro com fios metálicos usando um aparelho de ligação de fios. A distância entre a borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10 e a borda interna 403 do corpo da estrutura 40 foi 1,5 mm na direção X e 2,3 mm na direção Y. A distância entre o dispositivo eletrônico 10 e a porção de etapa 203 foi 0,9 mm na direção X e 1,7 mm na direção Y. A distância dos terminais internos 5 à borda externa 105 do dispositivo eletrônico 10 foi 0,8 mm.
[0085] Após, um membro de placa à prova de raios a feito de vidro borossilicato tendo uma espessura de 0,5 mm foi preparado como o corpo da tampa 30. A condutividade térmica do vidro borossilicato é aproximadamente 1,4 W/m.K. As dimensões do corpo da tampa 30 na direção X e na direção Y foram 31,8 mm e 26,3 mm, respectivamente, e foram substancialmente iguais às dimensões externas do corpo base 20. Uma resina ultravioleta curável, como um adesivo, foi aplicada a uma superfície do corpo da tampa 30 com um dispensador para formar um padrão em forma de estrutura. O corpo da tampa 30 foi montado no corpo da estrutura 40 de modo que a superfície tendo o adesivo aplicado em si ficou voltada para a superfície de ligação 402 do corpo da estrutura 40, e uma pressão apropriada foi aplicada. Partículas esféricas tendo um diâmetro de 30pm foram misturadas no adesivo como espaçadores, para que a espessura da camada adesiva fosse estabelecida em aproximadamente 30pm. Neste processo, foi confirmado que o adesivo projetou-se do espaço entre o corpo da tampa 30 e o corpo da estrutura 40. Então, um processo de fotocura foi realizado radiando o adesivo com raios ultravioletas através do corpo da tampa 30. Então, como um processo de pós-cura, um processo de termoestabilização foi realizado para endurecer o adesivo e, dessa forma, o material de ligação 53 foi formado. A distância entre a superfície frontal 101 do dispositivo eletrônico 10 e a superfície interna 302 do corpo da tampa 30 foi 0,75 mm. Deste modo, o componente eletrônico 100 tendo uma espessura de 2,8 mm foi obtido.
[0086] Então, o membro de fiação 500 de um tamanho apropriado foi preparado, e uma pasta de solda foi aplicada a terminais de conexão no membro de fiação 500 por impressão. A pasta de solda foi fusionada em um forno de refusão e, dessa forma, o componente eletrônico 100 foi fixado ao membro de fiação 500. Deste modo, um módulo eletrônico (módulo de captação de imagem) foi obtido.
[0087] O módulo eletrônico foi disposto em um carcaça e foi fixado à carcaça com parafusos usando os buracos de passagem 406 formados nas porções de extensão 404 do componente eletrônico 100, de modo que as porções de extensão 404 estivessem em contato estreito com a carcaça. Deste modo, uma câmera foi manufaturada como um aparelho eletrônico. Quando a câmera foi operada, as imagens apropriadas com baixo ruído foram obtidas.
[0088] De acordo com a modalidade acima descrita, um componente eletrônico no qual a geração de ruído é suprimida pode ser fornecido.
[0089] Enquanto a presente invenção foi descrita com referência a modalidades exemplares, deve ser entendido que a invenção não é limitada às modalidades exemplares descritas. Ao escopo das seguintes reivindicações deve ser concedida a interpretação mais ampla de modo a englobar todas as tais modificações e estruturas equivalentes e funções.
REIVINDICAÇÕES
Claims (17)
1. Componente eletrônico caracterizado por compreender: um dispositivo eletrônico, em que um plano que é localizado entre uma superfície frontal e uma superfície traseira do dispositivo eletrônico e se estende por uma superfície lateral do dispositivo eletrônico sem estender-se através da superfície frontal ou da superfície traseira, é definido como um plano de referência; um corpo de tampa que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e que sobrepõe o dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência; um corpo base que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e ao qual o dispositivo eletrônico é fixado com um material de ligação interposto entre os mesmos; um terminal externo que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e que sobrepõe o corpo base na direção perpendicular ao plano de referência, o terminal externo sendo eletricamente conectado a um eletrodo do dispositivo eletrônico através de um terminal interno; um corpo ferromagnético que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e localizado fora de uma região que sobrepõe o dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência e um condutor que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e que sobrepõe o dispositivo eletrônico na direção perpendicular ao plano de referência, e em que o condutor é separado do dispositivo eletrônico e uma distância entre o condutor e o dispositivo eletrônico é menor do que uma distância entre o terminal externo e o dispositivo eletrônico.
2. Componente eletrônico de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o corpo ferromagnético sobrepõe o condutor na direção perpendicular ao plano de referência.
3. Componente eletrônico caracterizado por compreender: um dispositivo eletrônico, em que um plano que é localizado entre uma superfície frontal e uma superfície traseira do dispositivo eletrônico e se estende por uma superfície lateral do dispositivo eletrônico sem estender-se através da superfície frontal ou da superfície traseira, é definido como um plano de referência; um corpo de tampa que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e que sobrepõe o dispositivo eletrônico em uma direção perpendicular ao plano de referência; um corpo base que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e ao qual o dispositivo eletrônico é fixado, um corpo ferromagnético que é fornecido no lado da superfície frontal do plano de referência e localizado fora de uma região que sobrepõe o dispositivo eletrônico na direção perpendicular ao plano de referência; e um condutor que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e isto que sobrepõe o dispositivo eletrônico na direção perpendicular ao plano de referência; e em que o corpo ferromagnético sobrepõe o condutor na direção perpendicular ao plano de referência.
4. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que o corpo base é um corpo cerâmico multicamada, e o condutor é integrado no corpo base.
5. Componente eletrônico de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de que o corpo ferromagnético é um corpo de estrutura que circunda um espaço entre o corpo de tampa e o dispositivo eletrônico.
6. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo fato de que uma dimensão do corpo ferromagnético em um plano paralelo ao plano de referência é maior do que uma dimensão do corpo ferromagnético na direção perpendicular ao plano de referência.
7. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizado pelo fato de que o corpo ferromagnético se estende para uma região fora de uma região que sobrepõe o corpo base na direção perpendicular ao plano de referência.
8. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7, caracterizado pelo fato de que o condutor é paramagnético ou diamagnético, e uma permeabilidade magnética do condutor é menor do que uma permeabilidade magnética do corpo ferromagnético.
9. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 8, caracterizado pelo fato de que uma condutividade elétrica do condutor é 1x106 (S/m) ou mais.
10. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, caracterizado pelo fato de que o condutor é contínuo sobre 1/2 ou mais de uma área do dispositivo eletrônico na região que sobrepõe o dispositivo eletrônico.
11. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizado pelo fato de que uma distância entre o condutor e o dispositivo eletrônico é 1,0 mm ou menos.
12. Componente eletrônico de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo fato de que o condutor é separado do dispositivo eletrônico.
13. Componente eletrônico de acordo com a reivindicação 3, caracterizado por compreender um terminal externo que é fornecido no lado da superfície traseira do plano de referência e que sobrepõe o corpo base na direção perpendicular ao plano de referência, o terminal externo sendo eletricamente conectado a um eletrodo do dispositivo eletrônico através de um terminal interno.
14. Componente eletrônico de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fato de que uma distância entre o condutor e o dispositivo eletrônico é menor do que uma distância entre o terminal externo e o dispositivo eletrônico.
15. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 14, caracterizado pelo fato de que o corpo ferromagnético é um aço inoxidável.
16. Componente eletrônico de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 15, caracterizado pelo fato de que o dispositivo eletrônico é um dispositivo de captação de imagem.
17. Aparelho eletrônico caracterizado por compreender: o componente eletrônico do tipo definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 16; e uma mola.
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013243340A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-12-05 | Canon Inc | 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法 |
JP5885690B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 電子部品および電子機器 |
JP6296687B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2018-03-20 | キヤノン株式会社 | 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。 |
JP6111284B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2017-04-05 | エムテックスマツムラ株式会社 | 中空パッケージの製造方法、固体撮像素子の製造方法、中空パッケージおよび固体撮像素子 |
JP6711351B2 (ja) * | 2015-05-14 | 2020-06-17 | ソニー株式会社 | 回路基板、撮像素子、並びに電子機器 |
US10764478B2 (en) * | 2015-10-28 | 2020-09-01 | Kyocera Corporation | Camera module includes a lens unit that is fixed to a holding member having an image sensor via an engaging member of cured resin and manufacturing method thereof |
US20170290170A1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Delphi Technologies, Inc. | Method Of Making A Camera For Use On A Vehicle |
FR3060851B1 (fr) * | 2016-12-20 | 2018-12-07 | 3D Plus | Module optoelectronique 3d d'imagerie |
JP2018157074A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | キヤノン株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法及び電子機器 |
JP6745418B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2020-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 撮像ユニット及び撮像装置 |
CN111748763A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | Oppo广东移动通信有限公司 | 增强不锈钢被磁铁吸附能力的方法、支撑装置及电子设备 |
US10832993B1 (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Packaged multichip device with stacked die having a metal die attach |
CN113315893B (zh) * | 2021-05-17 | 2023-10-27 | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 | 摄像机及视频设备 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01299094A (ja) * | 1988-05-28 | 1989-12-01 | Ibiden Co Ltd | Icカード |
FI117224B (fi) | 1994-01-20 | 2006-07-31 | Nec Tokin Corp | Sähkömagneettinen häiriönpoistokappale, ja sitä soveltavat elektroninen laite ja hybridimikropiirielementti |
US5639989A (en) * | 1994-04-19 | 1997-06-17 | Motorola Inc. | Shielded electronic component assembly and method for making the same |
JPH11284163A (ja) | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2003101042A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用容器 |
US6906396B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-06-14 | Micron Technology, Inc. | Magnetic shield for integrated circuit packaging |
JP2003282754A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | 光デバイス収納用パッケージ |
US20030231093A1 (en) * | 2002-06-13 | 2003-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Microelectronic inductor structure with annular magnetic shielding layer |
JP2004022955A (ja) | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 赤外線センサ素子収納用パッケージおよび赤外線センサ装置 |
JP2004031815A (ja) | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 蓋体およびこれを用いた光デバイス収納用パッケージ |
JP4073821B2 (ja) * | 2003-05-06 | 2008-04-09 | セイコーインスツル株式会社 | 通信用デバイスパッケージおよびその製造方法 |
JP4418720B2 (ja) | 2003-11-21 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
JP2005353911A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4578312B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納容器 |
US7778039B2 (en) | 2006-05-08 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Substrates, systems, and devices including structures for suppressing power and ground plane noise, and methods for suppressing power and ground plane noise |
US7795708B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-09-14 | Honeywell International Inc. | Multilayer structures for magnetic shielding |
JP2008245244A (ja) | 2007-02-26 | 2008-10-09 | Sony Corp | 撮像素子パッケージ、撮像素子モジュールおよびレンズ鏡筒並びに撮像装置 |
JP5392533B2 (ja) | 2008-10-10 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、光学装置、信号処理装置及び信号処理システム |
WO2010146863A1 (ja) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | 日本電気株式会社 | Icパッケージ |
JP5277105B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | カメラモジュール |
JP5570163B2 (ja) | 2009-08-31 | 2014-08-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5550380B2 (ja) | 2010-02-25 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP5407936B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-02-05 | 日本電気株式会社 | 電磁ノイズ抑制体 |
KR101855294B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2018-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
KR20110135757A (ko) * | 2010-06-11 | 2011-12-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 칩 및 이를 포함하는 카메라 모듈 |
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