AT517055A2 - Wafer-Behandlungsvorrichtung und Dichtring für eine Wafer-Behandlungsvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Dichtring (24) zur Anbringung an einem Abdeckring (16) einer Wafer- Behandlungsvorrichtung (10), mit einem ringförmigen Träger (40) und einer Dichtlippe (42), die lösbar am Träger (40) angebracht ist, und Wafer-Behandlungsvorrichtung (10) mit einer Aufnahme (12) für einen Wafer (14), einem Abdeckring (16), der auf die Aufnahme (12) aufgesetzt ist, und einem Dichtring (24) der genannten Art, mit dem ein Wafer (14) auf der Aufnahme (12) abgedichtet werden kann, sowie Verfahren zur Herstellung eines Dichtrings (24) mittels der folgenden Schritte: Zunächst wird ein ringförmiger Träger (40) bereitgestellt, der auf seiner Oberseite mit einer Nut (50) und einer von der Oberseite radial nach innen abfallenden Anlagefläche versehen ist. Außerdem wird eine Dichtlippe (42) bereitgestellt, die mit einem Wulst (52) versehen ist, wobei der Durchmesser des Wulstes (52) im Ausgangszustand der Dichtlippe (42) kleiner ist als der Durchmesser der Nut (50). Dann wird die Dichtlippe (42) in die Nut (50) eingehängt, so dass sie sich entlang der Anlagefläche erstreckt und sich ihr freies Ende bis über die Unterseite des Trägers (40) hinaus erstreckt.
Description
Die Erfindung betrifft einen Dichtring zur Anbringung an einem Abdeckring einer Wafer-Behandlungsvorrichtung. Die Erfindung betrifft ferner eine Wafer-Behandlungsvorrichtung mit einer Aufnahme für einen Wafer, einem Abdeckring, der auf die Aufnahme aufgesetzt ist, und einem Dichtring. Die Erfindung betrifft schließlich ein Verfahren zur Herstellung eines Dichtrings.
Zum Behandeln von Wafern sind Behandlungsvorrichtungen bekannt, in denen der Wafer mit einer Flüssigkeit behandelt werden kann. Durch die Behandlung kann entweder der Wafer als solches modifiziert oder bearbeitet werden, oder die Flüssigkeit kann dazu verwendet werden, die Oberfläche des Wafers zu reinigen.
Die zum Behandeln des Wafers aufgebrachte Flüssigkeit muss wieder entfernt werden, wenn der Behandlungsschritt abgeschlossen ist. Hierfür kann die Aufnahme zusammen mit dem Wafer in Drehung versetzt werden, sodass die Flüssigkeit fliehkraftbedingt nach außen über einen Abdeckring abgeführt wird.
Um den Wafer in der Wafer-Behandlungsvorrichtung zu fixieren, wird ein Vakuum verwendet. Zusätzlich ist ein Abdeckring vorgesehen, der mittels einer Dichtung am Randbereich des Wafers oder an einem Bauteil angreift, an dem der Wafer temporär fixiert ist, beispielsweise an einer Trägerfolie, die wiederum von einem Rahmen gehalten wird. Um den Abdeckring am Wafer bzw. an der Trägerfolie zu fixieren, ist eine Unterdruckkammer zwischen dem Abdeckring und der Aufnahme vorgesehen, so dass eine Andruckkraft erzeugt werden kann, wenn an die Unterdruckkammer ein Unterdrück angelegt wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine zuverlässige Abdichtung zwischen dem Wafer und dem Abdeckring zu gewährleisten, sodass insbesondere keinerlei Flüssigkeit in die Unterdruckkammer oder in Bereiche des Wafers, die nicht behandelt werden sollen, oder in den Bereich gelangen kann, in dem der Rahmen der Trägerfolie aufgenommen ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß ein Dichtring zur Anbringung an einem Abdeckring einer Wafer-Behandlungsvorrichtung vorgesehen, mit einem ringförmigen Träger und einer Dichtlippe, die lösbar am Träger angebracht ist. Zur Lösung der oben genannten Aufgabe ist außerdem eine Wafer-Behandlungsvorrichtung mit einer Aufnahme für einen Wafer, einem Abdeckring, der auf die Aufnahme aufgesetzt ist, und einem Dichtring der vorstehend genannten Art vorgesehen, mit dem ein Wafer auf der Aufnahme abgedichtet werden kann. Zur Lösung der oben genannten Aufgabe ist schließlich ein Verfahren zur Herstellung eines Dichtrings vorgesehen, bei dem die folgenden Schritte ausgeführt werden: Zunächst wird ein ringförmiger Träger bereitgestellt, der auf seiner Oberseite mit einer Nut und einer von der Oberseite radial nach innen abfallenden Anlagefläche versehen ist. Weiterhin wird eine Dichtlippe bereitgestellt, die mit einem Wulst versehen ist, wobei der Durchmesser des Wulstes und vorzugsweise der gesamten Dichtlippe im Ausgangszustand der Dichtlippe kleiner ist als der Durchmesser der Nut bzw. der des ringförmigen Trägers. Die Dichtlippe wird in die Nut eingehängt, sodass sie sich entlang der Anlagefläche des Trägers erstreckt und sich ihr freies Ende bis über die Unterseite des Trägers hinaus erstreckt.
Die Erfindung beruht auf dem Grundgedanken, zur Abdichtung zwischen dem Abdeckring und dem Wafer eine zweiteilige Dichtung zu verwenden, die aus dem Träger und der Dichtlippe besteht. Der Träger sorgt dafür, dass die Dichtlippe großflächig abgestützt ist, sodass sie die gewünschte Form hat. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Dichtlippe austauschbar ist, wodurch sie mit geringem Aufwand ersetzt werden kann, falls sie verschlissen ist oder an eine andere Anwendung angepasst werden soll.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Dichtlippe in eine Nut im Träger eingehängt ist. Hierdurch ergibt sich eine gute Abdichtung zwischen dem Träger und der Dichtlippe.
Vorzugsweise ist die Dichtlippe auf der radial außen liegenden Seite mit einem Wulst versehen, der in die Nut eingehängt ist. Der Wulst ermöglicht es, die Dichtlippe selbsthaltend am Träger anzubringen, insbesondere wenn der Wulst einen Durchmesser hat, der etwas kleiner als der Durchmesser der Nut ist.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die Dichtlippe sich ausgehend von der Nut über einen Teil der Oberseite des Trägers und über eine konische Anlagefläche erstreckt, bis sie mit ihrem freien Ende über die Unterseite des Trägers hervorsteht. Bei dieser Ausgestaltung legt sich das freie Ende der Dichtung mit ihrer elastischen Vorspannkraft an die Oberfläche des Wafers oder der Trägerfolie an, sodass sie dort zuverlässig abdichtet. Die Dichtung wird dabei nicht mechanisch gegen den Wafer bzw. die Trägerfolie gepresst, sondern wird nur durch die Vorspannung, welche durch das Aufspannen entsteht, an den Wafer gedrückt, sodass keine unerwünscht hohen Kontaktkräfte auftreten können.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Raum zwischen der Anlagefläche des Trägers und der Dichtlippe mittels eines Kanals zu einem Punkt an der Oberseite des Trägers außerhalb der Dichtlippe entlüftet ist. Der Kanal gewährleistet, dass Flüssigkeit, die trotz des Kontakts zwischen der Dichtlippe und dem Wafer bzw. der Trägerfolie „hinter“ die Dichtung gelangt, von dort zuverlässig abgeführt werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Träger mit einer Dichtung versehen ist, die am Abdeckring anliegen kann. Die Dichtung gewährleistet eine zuverlässige Abdichtung zwischen dem ringförmigen Träger und dem Abdeckring der Wafer-Behandlungsvorrichtung und ermöglicht so die Bildung der Unterdruckkammer.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Abdeckring mit einem Entlüftungskanal versehen ist, der zu einer Anlagefläche für den Dichtring am Abdeckring geöffnet ist. Der Entlüftungskanal ermöglicht es, denjenigen Teil der Flüssigkeit abzuführen, der durch den Kanal zwischen der Anlagefläche des Trägers und der Dichtlippe abgeführt wurde.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Träger mit dem Abdeckring verschraubt ist. Dies ermöglicht es, die Dichtung mit geringem Aufwand vom Abdeckring zu lösen, um beispielsweise die Dichtlippe auszutauschen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Dichtlippe nach der Montage am Träger oder auch nach der Montage am Abdeckring auf Maß geschnitten wird. Dies ermöglicht es, sämtliche toleranzbedingten Maßänderungen der Dichtlippe nach der Montage „abzuschneiden“, sodass insbesondere die dem Wafer zugeordnete Kante der Dichtlippe sehr präzise den Vorgaben entspricht. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass durch das Zuschneiden die Dichtlippe mit geringem Aufwand kundenindividuell angepasst werden kann, ohne dass hierfür eine neue, kostenintensive Gussform hergestellt werden muss.
Vorzugsweise ist vorgesehen, dass das freie Ende der Dichtlippe so zugeschnitten wird, dass die vom Träger abgewandte Stirnseite der Dichtlippe sich senkrecht zur Oberseite des Trägers oder als ein sich nach oben erweiternder Konus erstreckt. Hierdurch ergibt sich, wenn die Dichtlippe am Wafer anliegt, ein sehr präzise bestimmter, ringförmiger Kontaktbereich mit kleiner Breite. Ferner wird die Stirnseite, wenn die Dichtlippe am Wafer anliegt, geringfügig verformt, sodass die Flüssigkeit unter der Wirkung der Fliehkraft gut über die Stirnseite der Dichtlippe nach außen strömen kann.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer Ausführungsform beschrieben, die in den beigefügten Zeichnungen dargestellt ist. In diesen zeigen:
Figur 1 schematisch eine Wafer-Behandlungsvorrichtung; - Figur 2 in vergrößertem Maßstab das Detail X von Figur 1; - Figur 3 in einer gegenüber der Darstellung von Figur 2 geringfügig verschobenen
Schnittebene das Detail X von Figur 1; - die Figuren 4a bis 4c schematisch verschiedene Schritte beim Herstellen des Dichtrings;
Figur 5 schematisch den Kontakt zwischen Dichtlippe und Wafer;
Figur 6 in einer schematischen Darstellung den Flüssigkeitsweg einer zweiten Dichtstufe; und
Figur 7 schematisch den Wirkungsbereich eines zwischen Abdeckring 16 und Aufnahme 12 angelegten Unterdrucks.
In Figur 1 ist schematisch eine Wafer-Behandlungsvorrichtung 10 gezeigt, in der ein Wafer mit einer Flüssigkeit behandelt werden kann.
Die Wafer-Behandlungsvorrichtung 10 weist eine Aufnahme 12 auf, in der ein Wafer 14 angeordnet werden kann. An der Aufnahme 12 kann der Wafer selbst oder eine Trägerfolie ("Tape"), auf der der Wafer 14 fixiert ist, mittels eines schematisch dargestellten Abdeckrings 16 abgedichtet werden. Dabei kann der Abdeckring 16 durch Anlegen eines Unterdrucks an eine Unterdruckkammer 18 gegen den Wafer oder gegen die Trägerfolie beaufschlagt werden.
Auf den Wafer 14 kann eine Flüssigkeit mittels einer hier schematisch gezeigten Dosiervorrichtung 20 aufgebracht werden. Die Flüssigkeit kann beispielsweise dazu verwendet werden, die Oberfläche des Wafers 14 chemisch oder physikalisch zu bearbeiten. Die Flüssigkeit kann auch dazu verwendet werden, die Oberfläche des Wafers 14 zu reinigen.
Um die Flüssigkeit wieder vom Wafer 14 entfernen zu können, kann die Aufnahme 12 in Drehung versetzt werden (angedeutet durch den Pfeil R), sodass die Flüssigkeit unter der Wirkung der Fliehkraft nach außen abgeschleudert wird. Sie wird dann in einem schematisch angedeuteten Gehäuse 22 aufgefangen.
Um zu verhindern, dass die Flüssigkeit in den Bereich unterhalb des Abdeckrings 16 gelangt, ist ein Dichtring 24 vorgesehen, der zwischen der Oberfläche des Wafers 14 und dem Abdeckrings 16 abdichtet.
Details der Abdichtung zwischen der Oberfläche des Wafers 14 oder einer Trägerfolie, auf der der Wafer 14 angeordnet ist, und dem Abdeckring 16 werden nachfolgend anhand der Figuren 2 und 3 erläutert.
Der (in den Figuren 2 und 3 nicht sichtbare) Wafer 14 ist zum Zwecke der besseren Handhabbarkeit auf einer Trägerfolie 30 angebracht (auch bezeichnet als „Tape“), die gespannt in einem Rahmen 32 gehalten ist. Die Trägerfolie 30 liegt über den größten Teil ihrer Fläche auf einer Unterlage 34 auf, in der ein ringförmiger Dichteinsatz 36 vorgesehen ist.
Zur Abdichtung zwischen dem Wafer 14 und dem Abdeckring 16, genauer gesagt zur Abdichtung zwischen der den Wafer 14 tragenden Trägerfolie 30 und dem Abdeckring 16, ist der Dichtring 24 vorgesehen, der aus einem Träger 40 und einer daran angebrachten Dichtlippe 42 besteht.
Der Träger 40 ist mittels mehrerer Schrauben 44 lösbar am Abdeckring 16 angebracht. Jeder Schraubenkopf der Schrauben 44 ist dabei mit einer Abdeckung 46 abgedeckt. Diese verhindern, dass im Bereich der Schraubenköpfe Flüssigkeit stehen bleibt.
Der Träger 40 ist auf seiner Oberseite, also der Seite, die am Abdeckring 16 anliegt, mit einer Dichtung 48 versehen, die ähnlich wie ein O-Ring ausgeführt sein kann und zwischen dem Träger 40 und dem Abdeckring 16 abdichtet.
Radial innerhalb der Dichtung 48 ist der Träger 40 mit einer umlaufenden Nut 50 (siehe auch Figur 4a) versehen, in die die Dichtlippe 42 lösbar eingesetzt ist. Zu diesem Zweck ist die Dichtlippe 42 mit einem Wulst 52 an ihrem radial außen liegenden Rand versehen.
Radial innerhalb der Nut 50 ist der Träger 40 mit einer konischen Anlagefläche 54 versehen, an der die Dichtlippe anliegt. Die Dichtlippe 42 erstreckt sich somit ausgehend von der Nut 50 des Trägers entlang der Anlagefläche 54 nach radial innen, bis sie zum Wafer 14 bzw. der Trägerfolie 30 hin über die Unterseite des Trägers 40 hervorsteht.
Der Träger 40 ist auf seiner Unterseite mit einer Andruckrippe 56 versehen, die dem Dichteinsatz 36 gegenüberliegt und die Trägerfolie 30 gegen den Dichteinsatz 36 drückt, sodass dort abgedichtet ist.
Der Träger 40 ist mit mehreren Kanälen 60 (siehe die Figuren 3 und 4a) versehen, die sich unterhalb der Dichtlippe 42 bis hinein in die Nut 50 erstrecken. Die Kanäle 60 sind dabei nach der Art von Schlitzen bis hinunter unmittelbar vor die Andruckrippe 56 geführt (siehe Figur 3).
Die Kanäle 60 dienen dazu, Flüssigkeit in die Nut 50 hin abzuleiten, die unter der Dichtlippe 42 hindurch in den Raum zwischen Dichtlippe 42 und Andruckrippe 56 gelangt ist. Aus der Nut 50 wird diese Flüssigkeit über einen Entlüftungskanal 62 (siehe Figur 3) abgeführt, der im Abdeckring 16 in (zumindest annähernd) radialer Richtung ausgebildet ist.
Der Dichtring 24 wird dadurch hergestellt, dass eine separat gefertigte Dichtlippe 42 (siehe Figur 4a) in die Nut 50 des Trägers 40 eingehängt wird. Dabei ist der Wulst 52 der Dichtlippe 42 so bemessen, dass er einen kleineren Durchmesser als die Nut 50 hat. Hierdurch wird die Dichtlippe 42 elastisch vorgespannt am Träger 40 eingehängt (siehe den in Figur 4b gezeigten Zustand).
In einem nächsten Schritt wird der radial innen liegende Rand der Dichtlippe 42 beschnitten (siehe den schematisch angedeuteten Schnitt S), sodass die in Figur 4c gezeigte Kontur der Dichtlippe 42 am radial innen liegenden Rand erhalten wird. Diese Kontur zeichnet sich dadurch aus, dass die innen liegende Stirnseite 64 etwa senkrecht zur Oberseite und auch zur Unterseite des Trägers 40 oder konisch nach oben öffnend verläuft.
Unabhängig von der Kontur der innen liegenden Stirnseite 64 lässt sich durch das Zuschneiden der Dichtlippe 42, nachdem diese am Träger 40 angebracht ist, eine besonders hohe Maßhaltigkeit gewährleisten. Die Toleranzen, die beim Herstellen der Dichtlippe 42 als solches auftreten, sind vergleichsweise groß. Durch das Zuschneiden der Dichtlippe 42 im fertig montierten Zustand werden alle herstellungsbedingten Ungenauigkeiten „einfach abgeschnitten“. Weiterhin können ausgehend von ein und demselben Dichtlippen- Rohling verschiedene Dichtlippen 42 entsprechend kundenspezifischen Vorgaben geschnitten werden, ohne dass jedes Mal eine neue Form zur Herstellung einer passenden Dichtlippe 42 bereitgestellt werden muss.
Im Betrieb wird der Abdeckring 16 durch Anlegen eines Unterdrucks an die Unterdruckkammer 18 gegen den Wafer 14 bzw. gegen die Trägerfolie 30 beaufschlagt. Dabei legt sich die Dichtlippe 42 mit ihrem radial innen liegenden Ende auf den Wafer 14 bzw. auf die Trägerfolie 30 auf. Hierdurch wird die Dichtlippe 42 geringfügig elastisch verformt, woraus die gewünschten Andruckkräfte auf der Trägerfolie 30 resultieren.
Aufgrund des speziellen Zuschnitts des innen liegenden Randes der Dichtlippe 42 ergibt sich (in der Theorie) eine linienförmige Berührung, woraus eine recht hohe Kontaktkraft resultiert. Weiterhin wird Stirnwand 64 der Dichtlippe 42, die je nach Beschnitt senkrecht zur Oberseite des Trägers 40 oder nach Art eines sich nach oben erweiternden Konus ausgerichtet ist, geringfügig verformt, sodass ein sich nach außen erweiternder Konus gebildet ist.
Die Dichtlippe 42 stellt eine erste Abdichtung zwischen dem Abdeckring 16 und dem Wafer 14 bzw. der Trägerfolie 30 (und damit auch zwischen dem Träger 40 und der Trägerfolie 30) dar.
Ein weiterer Kontakt zwischen dem Abdeckring 16 und dem Wafer 14 bzw. der Trägerfolie 30 ergibt sich durch die Andruckrippe 56. Diese drückt auf die Trägerfolie 30 im Bereich des Dichteinsatzes 36. Die Elastizität des Dichteinsatzes 36 verhindert, dass die Andruckrippe 56 unzulässig hohe Klemmkräfte auf die Trägerfolie 30 ausübt.
Die Andruckrippe 56 stellt eine zweite Abdichtung zwischen dem Abdeckring 16 und dem Wafer 14 bzw. der Trägerfolie 30 dar.
Wenn beim Betrieb der Wafer-Behandlungsvorrichtung 10 eine verwendete Flüssigkeit vom Wafer 14 entfernt werden soll, wird die Aufnahme 12 in Drehung versetzt. Geeignet sind Rotationsgeschwindigkeiten bis beispielsweise 1500 Umdrehungen je Minute. Dabei strömt die sich auf dem Wafer 14 bzw. der Trägerfolie 30 befindende Flüssigkeit fliehkraftbedingt nach außen, sodass sie über die Stirnseite 64, die Dichtlippe 42 und den sich oberhalb anschließenden Abschnitt des Abdeckrings 16 radial nach außen abgeführt wird. Den Abdeckring 16 kann die Flüssigkeit dann durch einen Ablauf 66 (siehe Figur 2) verlassen.
Falls Flüssigkeit im Bereich der Berührstelle zwischen der Dichtlippe 42 und der Trägerfolie 30 radial unter der Dichtlippe 42 hindurchtritt, gelangt sie in den Raum zwischen der Dichtlippe 42 und der Andruckrippe 56. Aus diesem Raum wird sie durch die Kanäle 60 und die Nut 50 hin zum Entlüftungskanal 62 abgeführt. Dies wird dadurch unterstützt, dass aufgrund der radialen Ausrichtung der Entlüftungskanäle 62 dort oberhalb einer Rotationsgeschwindigkeit von etwa 500 Umdrehungen je Minute ein Unterdrück erzeugt wird.
Die Kanäle 60 gewährleisten dabei, dass vor der Andruckrippe 56 keinerlei Flüssigkeit stehen bleibt, die bei längerem Kontakt möglicherweise die Trägerfolie 30 angreifen könnte. Weiterhin ist gewährleistet, dass keinerlei Flüssigkeit in den Bereich gelangen kann, in dem der Rahmen 32 angeordnet ist.
Das beschriebene zweistufige Dichtungssystem verhindert zuverlässig, dass Flüssigkeit bis in einen Bereich außerhalb des Dichtrings 24 gelangt. In der ersten Dichtungsstufe wird ein Großteil der Flüssigkeit mittels der Dichtlippe 42 abgeleitet. Flüssigkeit, die „hinter“ die Dichtlippe 42 gelangen kann, wird dann an der zweiten Dichtung (der Andruckrippe 56) aufgestaut und von dort mittels der Kanäle 60 abgeführt. Dies ist in Figur 6 gut zu sehen, in der der Bereich 62 kreuzschraffiert ist, in dem sich die Flüssigkeit befindet, die hinter die erste Abdichtung gelangt ist.
In Figur 7 ist die gesamte Unterdruckkammer 18 kreuzschraffiert dargestellt, also der Bereich, der dazu verwendet werden kann, die gewünschte Andruckkraft zwischen Abdeckring 16 und Aufnahme 12 zu erzeugen. Es ist zu sehen, dass sich die Unterdruckkammer 18 über eine sehr große Fläche vom Außenumfang der Aufnahme 12 bis hin zur Andruckrippe 56 erstreckt. Aufgrund des zweistufigen Dichtungssystems ist zuverlässig verhindert, dass Flüssigkeit in die Unterdruckkammer 18 gelangt.
Claims (14)
- Patentansprüche1. Dichtring (24) zur Anbringung an einem Abdeckring (16) einer Wafer-Behandlungsvorrichtung (10), mit einem ringförmigen Träger (40) und einer Dichtlippe (42), die lösbar am Träger (40) angebracht ist.
- 2. Dichtring (24) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtlippe (42) in eine Nut (50) im Träger (40) eingehängt ist.
- 3. Dichtring (24) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtlippe (42) auf der radial außenliegenden Seite mit einem Wulst (52) versehen ist, der in die Nut (50) eingehängt ist.
- 4. Dichtring (24) nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtlippe (42) sich ausgehend von der Nut (50) über einen Teil der Oberseite des Trägers (40) und über eine konische Anlagefläche (54) erstreckt, bis sie mit ihrem freien Ende über die Unterseite des Trägers (40) hervorsteht.
- 5. Dichtring (24) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Raum zwischen der Anlagefläche des Trägers (40) und der Dichtlippe (42) mittels eines Kanals (60) zu einem Punkt an der Oberseite des Trägers (40) außerhalb der Dichtlippe (42) entlüftet ist.
- 6. Dichtring (24) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (40) mit einer Andruckrippe (56) versehen ist, die radial außerhalb des freien Endes der Dichtlippe (42) liegt.
- 7. Dichtring (24) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (40) mit einer Dichtung (48) versehen ist, die am Abdeckring (16) anliegen kann.
- 8. Wafer-Behandlungsvorrichtung (10) mit einer Aufnahme (12) für einen Wafer (14), einem Abdeckring (16), der auf die Aufnahme (12) aufgesetzt ist, und einem Dichtring (24) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit dem ein Wafer (14) auf der Aufnahme (12) abgedichtet werden kann.
- 9. Wafer-Behandlungsvorrichtung (10) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Abdeckring (16) mit einem Entlüftungskanal (62) versehen ist, der zu einer Anlagefläche für den Dichtring (24) am Abdeckring (16) geöffnet ist.
- 10. Wafer-Behandlungsvorrichtung (10) nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (40) mit dem Abdeckring (16) verschraubt ist.
- 11. Wafer-Behandlungsvorrichtung (10) nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Abdeckring (16), der Aufnahme (12) und dem Träger (40) eine Unterdruckkammer (18) abgedichtet ist
- 12. Verfahren zur Herstellung eines Dichtrings (24), insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 7, mittels der folgenden Schritte: - es wird ein ringförmiger Träger (40) bereitgestellt, der auf seiner Oberseite mit einer Nut (50) und einer von der Oberseite radial nach innen abfallenden Anlagefläche versehen ist; es wird eine Dichtlippe (42) bereitgestellt, die mit einem Wulst (52) versehen ist, wobei der Durchmesser des Wulstes (52) im Ausgangszustand der Dichtlippe (42) kleiner ist als der Durchmesser der Nut (50), - die Dichtlippe (42) wird in die Nut (50) eingehängt, so dass sie sich entlang der Anlagefläche erstreckt und sich ihr freies Ende bis über die Unterseite des Trägers (40) hinaus erstreckt.
- 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtlippe (42) nach der Montage am Träger auf Maß geschnitten wird.
- 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende der Dichtlippe (42) so zugeschnitten wird, dass die vom Träger (40) abgewandte Stirnseite (64) der Dichtlippe (42) sich senkrecht oder konisch zur Oberseite des Trägers (40) erstreckt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2014625A NL2014625B1 (en) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device. |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT517055A2 true AT517055A2 (de) | 2016-10-15 |
| AT517055A3 AT517055A3 (de) | 2018-07-15 |
| AT517055B1 AT517055B1 (de) | 2019-03-15 |
Family
ID=56986203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ATA50309/2016A AT517055B1 (de) | 2015-04-13 | 2016-04-12 | Wafer-Behandlungsvorrichtung und Dichtring für eine Wafer-Behandlungsvorrichtung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10295063B2 (de) |
| JP (1) | JP6723765B2 (de) |
| KR (1) | KR102100535B1 (de) |
| CN (1) | CN106057705B (de) |
| AT (1) | AT517055B1 (de) |
| DE (1) | DE102016106289B4 (de) |
| NL (1) | NL2014625B1 (de) |
| TW (1) | TWI662208B (de) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2014625B1 (en) * | 2015-04-13 | 2017-01-06 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device. |
| JP6611565B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2019-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体 |
| NL2018243B1 (en) * | 2017-01-27 | 2018-08-07 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Suction apparatus for an end effector, end effector for holding substrates and method of producing an end effector |
| CN110246784B (zh) * | 2019-06-19 | 2021-05-07 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种支撑结构和具有其的热处理装置 |
| CN110552041B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-02-19 | 歌尔股份有限公司 | 金属材料的表面处理方法 |
| KR102738949B1 (ko) * | 2019-12-24 | 2024-12-09 | 주식회사 제우스 | 틸팅 제어 장치 |
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| KR102835057B1 (ko) | 2020-08-25 | 2025-07-18 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치 및 그 제어방법 |
| TWI821679B (zh) | 2020-08-25 | 2023-11-11 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| KR102835056B1 (ko) * | 2020-08-25 | 2025-07-18 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| KR102826478B1 (ko) | 2020-08-25 | 2025-06-30 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| KR20220135184A (ko) | 2021-03-26 | 2022-10-06 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치 및 이의 제어방법 |
| KR102913863B1 (ko) | 2021-04-21 | 2026-01-19 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| TWI831174B (zh) * | 2021-04-21 | 2024-02-01 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | 基板清洗裝置及其控制方法 |
| KR20220144989A (ko) | 2021-04-21 | 2022-10-28 | 주식회사 제우스 | 기판세정장치 |
| KR20230025233A (ko) | 2021-08-13 | 2023-02-21 | 주식회사 제우스 | 기판처리방법 |
| KR102929877B1 (ko) * | 2021-08-13 | 2026-02-26 | 주식회사 제우스 | 기판처리방법 |
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| NL2014625B1 (en) * | 2015-04-13 | 2017-01-06 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Wafer treating device and sealing ring for a wafer treating device. |
-
2015
- 2015-04-13 NL NL2014625A patent/NL2014625B1/en active
-
2016
- 2016-03-01 JP JP2016038695A patent/JP6723765B2/ja active Active
- 2016-03-02 TW TW105106325A patent/TWI662208B/zh active
- 2016-03-09 US US15/064,716 patent/US10295063B2/en active Active
- 2016-03-22 CN CN201610166588.7A patent/CN106057705B/zh active Active
- 2016-04-04 KR KR1020160040960A patent/KR102100535B1/ko active Active
- 2016-04-06 DE DE102016106289.8A patent/DE102016106289B4/de active Active
- 2016-04-12 AT ATA50309/2016A patent/AT517055B1/de active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL2014625A (en) | 2016-10-14 |
| JP6723765B2 (ja) | 2020-07-15 |
| US20160300751A1 (en) | 2016-10-13 |
| DE102016106289B4 (de) | 2020-03-19 |
| US10295063B2 (en) | 2019-05-21 |
| KR20160122067A (ko) | 2016-10-21 |
| TWI662208B (zh) | 2019-06-11 |
| AT517055A3 (de) | 2018-07-15 |
| JP2016200277A (ja) | 2016-12-01 |
| AT517055B1 (de) | 2019-03-15 |
| CN106057705B (zh) | 2021-04-30 |
| DE102016106289A1 (de) | 2016-10-13 |
| KR102100535B1 (ko) | 2020-04-14 |
| CN106057705A (zh) | 2016-10-26 |
| TW201708748A (zh) | 2017-03-01 |
| NL2014625B1 (en) | 2017-01-06 |
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