AT221588B - Metallumhüllung für ein halbleitendes Elektrodensystem - Google Patents

Description

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  Metallumhüllung für ein halbleitendes Elektrodensystem 
 EMI1.1 
 

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Wärmewiderstandesschicht   etwa 26p .   Hierauf wurde die Lackschicht entfernt. 



   Der Boden 3 des Gehäuses des Transistors ist mittels zweier Bolzen 4 an die oxydierte Seite 2 der
Tragplatte l unter Zwischenlage einer Bleischicht 5 mit einer Härte von 4 V. P. N. (Vicar's Pyramidal
Number) angedrückt. 



   Die Bolzen 4 sind mittels Röhren 6 und Scheiben 7 aus Isoliermaterial von der Tragplatte 1 ge- trennt. 



   Das Innere des Transistors, das übrigens für die Erfindung nicht von wesentlicher Bedeutung ist, besteht aus einer Halbleiterscheibe 10 aus z. B. Germanium, einem Basisanschluss 11, einer Emitterelektrode 12 und einer Kollektorelektrode 13. die zugleich die Halterung der Scheibe und die Verbindung mit dem Boden 3 bildet. Der Emitter- und der Basisanschluss sind als Stifte 14 mittels Glasperlen 15 isoliert durch den Boden 3   hindurchgeführt. Das   Ganze ist mit einem Deckel 16 abgeschlossen. 



   Die günstige Wirkung dieser Konstruktion ging aus folgenden Messungen hervor. 



   Wenn der Boden 3 des Transistors auf der Platte 1 mit einer   50 fi   starken Glimmerzwischenplatte, um eine Beschädigung der Oxydschicht 2 zu verhüten, angeordnet wurde, so betrug der Wärmewiderstand zwischen der Unterseite des Bodens 3 und der Platte 1 etwa 1,   5    C pro W. 



   Wurde die Glimmerschicht fortgelassen, so fiel der Wärmewiderstand auf etwa 1, 250 C pro W, aber in jenem Fall bestand die Gefahr für Beschädigung und   Kurzschluss   der Oxydschicht 2. 



   Wurde eine Bleichschicht 5 von 1 mm Stärke zwischengelegt, so wurde nicht nur die Gefahr der Beschädigung der Oxydschicht kleiner, sondern der Wärmewiderstand fiel auf etwa 0,   35    C pro W. 



   Es zeigte sich, dass eine weitere Herabsetzung noch dadurch möglich war, dass die Bleischicht mittels einer sehr dünnen Leim-oder Lackschicht, z. B. eines Lackes auf der Basis eines Zelluloseesters, auf der Oxydschicht festgeklebt wurde. Der Wärmewiderstand betrug dann etwa 0, 2  C pro W. Eine sol-   che   dünne Isolierschicht, die zum grössten Teil in die Aluminiumoxydschicht eingedrungen sein kann, verringert zugleich die   Möglichkeit   der Beschädigung der Oxydschicht. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Metallumhüllung für ein halbleitendes Elektrodensystem, wie einen Transistor oder eine Kristalldiode, welche auf einer Metalltragplatte angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer dieser Teile, nämlich die Umhüllung (3) oder die Tragplatte   (1)   aus Aluminium besteht, das mit einer genetischen Oxydschicht (2) mit einer Stärke von wenigstens lu versehen ist und unter Zwischenlage einer Metallschicht (5), deren Härte kleiner ist als diejenige des oxydierten Aluminiums, an den andern Teil angedrückt ist.

Claims (1)

1. 2. Metallumhüllung nach'Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht (5) aus Blei, Zinn, Indium, Kupfer oder Aluminium besteht.

   3. Metallumhüllung nach einem. der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydschicht (2) in an sich bekannter Weise durch eine Isolierlackschicht verstärkt ist.