WO2023100887A1 - 半導体発光装置および半導体発光ユニット - Google Patents

半導体発光装置および半導体発光ユニット Download PDF

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晃輝 坂本
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ローム株式会社
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
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    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management

Definitions

  • FIG. 9 is a circuit diagram of a laser system including the semiconductor light emitting device of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a graph showing the results of heat conduction analysis for the semiconductor light emitting device of the comparative example when the thickness of the substrate is 0.3 mm.
  • FIG. 11 is a graph showing the results of heat conduction analysis for the semiconductor light emitting device of Comparative Example when the thickness of the substrate is 0.6 mm.
  • FIG. 12 is a graph showing the results of heat conduction analysis for the semiconductor light emitting device of the comparative example when the thickness of the substrate is 0.8 mm.
  • FIG. 13 is a graph showing a thermal conductivity analysis result for the semiconductor light emitting device of the first embodiment when the thickness of the substrate is 0.3 mm.
  • FIG. 10 is a graph showing the results of heat conduction analysis for the semiconductor light emitting device of the comparative example when the thickness of the substrate is 0.3 mm.
  • FIG. 11 is a graph showing the results of heat conduction analysis for the semiconductor light emitting device of Compar
  • the sealing resin 80 is arranged closer to the device front surface 11 than the device back surface 12 of the semiconductor light emitting device 10A.
  • the sealing resin 80 constitutes the device front surface 11 and a part of each of the first to fourth device side surfaces 13 to 16 in the z direction.
  • first sealing side 83 is flush with the first substrate side 23
  • second sealing side 84 is flush with the second substrate side 24
  • third sealing side 85 is flush with the third substrate side 24 . It is flush with the substrate side surface 25 and the fourth sealing side surface 86 is flush with the fourth substrate side surface 26 .
  • the size of the third surface-side wiring 33 in the y-direction is equal to the size of the fourth surface-side wiring 34 in the y-direction.
  • the difference between the y-direction size of the third surface-side wiring 33 and the y-direction size of the fourth surface-side wiring 34 is, for example, within 10% of the y-direction size of the third surface-side wiring 33
  • the size of the third surface wiring 33 in the y direction is equal to the size of the fourth surface wiring 34 in the y direction.
  • the size of each of the third surface-side wiring 33 and the fourth surface-side wiring 34 in the y-direction is smaller than the size of the second surface-side wiring 32 in the y-direction.
  • the end face through holes 51A and 51B are provided at positions different from the position overlapping the semiconductor light emitting element 60 when viewed from the y direction. More specifically, when viewed from the z-direction, the two end face through-holes 51A are arranged dispersedly on both sides of the semiconductor light-emitting element 60 in the x-direction. When viewed from the z direction, each end face through hole 51A is provided at a position adjacent to the semiconductor light emitting element 60 in the x direction. In this embodiment, the x-direction distance DPH between the end face through hole 51A and the semiconductor light emitting element 60 is smaller than the opening width of the end face through hole 51A (opening width W of the end face through hole 51).
  • the first internal through holes 54 are provided closer to the second substrate side surface 24 than the end face through holes 51A and 51B.
  • the first internal through hole 54 is provided between the two end face through holes 51A in the x direction.
  • the end face through holes 52A and the end face through holes 52B have the same shape and size. Moreover, in the present embodiment, the end face through holes 52A and 52B have the same shape and size as the end face through holes 51A and 51B.
  • the second electrode 71B of the switching element 71 is electrically connected to the third surface wiring 33 (the third rear surface wiring 43).
  • the anode electrode of the diode D is electrically connected to the first backside wiring 41 (first front side wiring 31), and the cathode electrode of the diode D is connected to the third backside wiring 43 (third front side wiring 33). electrically connected. Thereby, the diode D is connected in antiparallel to the semiconductor light emitting element 60 .
  • a semiconductor light emitting device of a comparative example is a semiconductor light emitting device 10A in which the end face through holes 51 (51A, 51B), 52A, 52B are omitted.
  • the layout and electrical connection of the semiconductor light emitting element 60, the switching element 71, and the capacitors 72 and 73 of the semiconductor light emitting device 10B are the same as those of the semiconductor light emitting device 10A of the first embodiment.
  • a surface side insulating layer 144 is provided on the substrate surface 21 of the substrate 20 .
  • the surface-side insulating layer 144 is formed to cover the entire substrate surface 21 . That is, the surface-side insulating layer 144 covers the surface-side wiring 140 .
  • openings exposing the surface-side wiring 140 are provided in the surface-side insulating layer 144 at locations where the semiconductor light-emitting element 60, the switching element 71, and the capacitors 72 and 73 are mounted.
  • the surface-side insulating layer 144 is made of an insulating material such as silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the first to third internal through holes 161 to 163 are made of a conductive material (Cu in this embodiment). As shown in FIGS. 23 and 24, a heat dissipation material 164 is embedded inside the first to third internal through holes 161 to 163 . A heat dissipation material 164 is provided so as to fill the insides of the first to third internal through holes 161 to 163 .
  • Heat dissipation material 164 is made of, for example, a metal material. An example of a metallic material is Cu. That is, the heat dissipation material 164 may be made of the same material as the first to third internal through holes 161-164.
  • the number of each of the first to third internal through holes 161 to 163 can be changed arbitrarily.
  • the shape of each of the first to third internal through holes 161 to 163 as viewed from the z direction can be changed arbitrarily.
  • the shapes of the first to third internal through holes 161 to 163 viewed from the y direction may differ from each other.
  • the size of each of the first to third internal through holes 161 to 163 can be changed arbitrarily.
  • the sizes of the first through third internal through holes 161-163 may differ from each other.
  • the second wire W2 connects the end of the second electrode 71B (source electrode) of the switching element 71 in the z direction, which is closer to the lead pin 104A, and the connection portion 106A of the lead pin 104A. Connected. Thereby, the second electrode 71B of the switching element 71 and the lead pin 104A are electrically connected. Therefore, it can be said that the terminal portion 107A of the lead pin 104A constitutes a source terminal.
  • the fourth wire W4 connects the external connection wiring 143 and the connection portion 106C of the lead pin 104C.
  • the external connection wiring 143 is electrically connected to the second electrode 65 (cathode electrode) of the semiconductor light emitting element 60 via the third internal through-hole 163 , the first rear wiring 151 and the first front wiring 141 . there is Therefore, it can be said that the terminal portion 107C of the lead pin 104C constitutes a cathode terminal.
  • the intermediate wiring 300 has a first intermediate wiring 301, a second intermediate wiring 302, a third intermediate wiring 303, and a fourth intermediate wiring 304.
  • the first to fourth intermediate wirings 301 to 304 have the same shape as the first to fourth back side wirings 41 to 44 .
  • the first intermediate wiring 301 is provided at a position overlapping both the first rear surface wiring 41 and the first front surface wiring 31 when viewed in the z direction.
  • the second intermediate wiring 302 is provided at a position overlapping the second rear surface side wiring 42 when viewed in the z direction.
  • the third intermediate wiring 303 is provided at a position overlapping with both the third rear wiring 43 and the third front wiring 33 when viewed in the z direction.
  • the fourth intermediate wiring 304 is arranged at a position overlapping both the fourth rear surface wiring 44 and the fourth front surface wiring 34 when viewed in the z direction.
  • the shape of the fifth internal through-hole 310 viewed from the z-direction is circular.
  • the diameter of the fifth internal through hole 310 is equal to the diameters of the first through fourth internal through holes 54-57.
  • the maximum value of the difference between the diameter of the fifth internal through-hole 310 and the diameters of the first to fourth internal through-holes 54 to 57 is within 10% of the diameter of the fifth internal through-hole 310, the fifth internal through-hole 310 It can be said that the diameter of the internal through-hole 310 is equal to the diameter of the first to fourth internal through-holes 54-57.
  • end surface through holes 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51A, 51B is provided on the first substrate side surface 23 of the substrate 20.
  • end face through holes 51A and 51B penetrate both the front substrate 20A and the back substrate 20B in the z-direction, which is the thickness direction of the substrate 20, and extend through the first front wiring 31 and the first intermediate wiring. 301, and the first backside wiring 41 are connected.
  • the number of paths through which the heat of the semiconductor light emitting element 60 is released to the outside of the substrate 20 is increased by the end surface through holes 51C and 51D, so that the heat dissipation of the semiconductor light emitting device 10A can be further improved.
  • the volume of the heat transfer path for transferring heat from the semiconductor light emitting element 60 to the outside of the semiconductor light emitting device 10A can be increased by the heat dissipating material 59 embedded in the end face through holes 51C and 51D. Heat dissipation can be further improved.
  • the light emitting element control circuit 70 may be omitted.
  • the semiconductor light emitting devices 10A to 10C may include at least one of the diode D, the current limiting resistor R, and the driver circuit PM.
  • the light emitting element control circuit (70) has a switching element (71) for controlling current supplied to the semiconductor light emitting element (60),
  • the surface-side wiring (30) is a first surface wiring (31) on which the semiconductor light emitting device (60) is mounted; a second surface wiring (32) on which the switching element (71) is mounted; has
  • the backside wiring (40) is a first rear surface wiring (41) arranged at a position overlapping with the first surface wiring (31) when viewed from the thickness direction (z direction) of the substrate (20); a second rear surface wiring (42) arranged at a position overlapping with the second surface wiring (32) when viewed from the thickness direction (z direction) of the substrate (20); has The capacitor is connected between the first surface wiring (31) and the second surface wiring (32), 16.

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Abstract

半導体発光装置は、基板表面、基板表面とは反対側の基板裏面、および基板側面を有する基板と、基板表面に形成された表面側配線と、基板裏面に形成された裏面側配線と、所定方向に向けて光を出射する発光面としての発光素子側面を有し、表面側配線に実装された半導体発光素子と、を備えている。基板側面は、発光面となる発光素子側面と同じ側を向く第１基板側面と、第１基板側面とは反対側の第２基板側面と、を含んでいる。半導体発光素子は、第２基板側面よりも第１基板側面寄りに偏って配置されている。第１基板側面には、基板の厚さ方向において基板を貫通して表面側配線と裏面側配線とを繋ぐ端面スルーホールが設けられている。

Description

半導体発光装置および半導体発光ユニット
　本開示は、半導体発光装置および半導体発光ユニットに関する。
　半導体発光装置の種類の一つに、半導体発光素子をレーザ光源として備える半導体レーザ装置がある（たとえば特許文献１参照）。このような半導体レーザ装置は、様々な電子機器に搭載される光源装置として広く採用されている。
特開２０１６－２９７１８号公報
　ところで、半導体発光装置の放熱について改善の余地がある。
　本開示の一態様である半導体発光装置は、基板表面、前記基板表面とは反対側の基板裏面、および基板側面を有する基板と、前記基板表面に形成された表面側配線と、前記基板裏面に形成された裏面側配線と、所定方向に向けて光を出射する発光面を有し、前記表面側配線に実装された半導体発光素子と、を備え、前記基板側面は、前記発光面と同じ側を向く第１基板側面と、前記第１基板側面とは反対側の第２基板側面と、を含み、前記半導体発光素子は、前記第２基板側面よりも前記第１基板側面寄りに偏って配置されており、前記第１基板側面には、前記基板の厚さ方向において前記基板を貫通して前記表面側配線と前記裏面側配線とを繋ぐ端面スルーホールが設けられている。
　本開示の一態様である半導体発光ユニットは、導電性のベースと、前記ベース上に立設し、上記半導体発光装置が搭載された導電性のヒートシンクと、を含むステムと、前記半導体発光装置と前記ヒートシンクとを囲むように前記ベース上に設けられた包囲部材と、を備える。
　上記半導体発光装置および半導体発光ユニットによれば、放熱性を向上させることができる。
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の斜視図である。 図２は、図１の半導体発光装置の平面図である。 図３は、図１の半導体発光装置の基板の平面図である。 図４は、図３の基板の裏面図である。 図５は、半導体発光装置における図２に示すＦ５－Ｆ５線で切った断面図である。 図６は、図２の半導体発光素子およびその周辺の拡大図である。 図７は、図１の半導体発光装置の側面図である。 図８は、図７とは異なる方向から視た半導体発光装置の側面図である。 図９は、第１実施形態の半導体発光装置を備えたレーザシステムの回路図である。 図１０は、比較例の半導体発光装置について、基板の厚さが０．３ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１１は、比較例の半導体発光装置について、基板の厚さが０．６ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１２は、比較例の半導体発光装置について、基板の厚さが０．８ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１３は、第１実施形態の半導体発光装置について、基板の厚さが０．３ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１４は、第１実施形態の半導体発光装置について、基板の厚さが０．６ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１５は、第１実施形態の半導体発光装置について、基板の厚さが０．８ｍｍの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図１６は、第２実施形態の半導体発光装置を備える半導体発光ユニットの斜視図である。 図１７は、図１６の半導体発光ユニットの概略断面図である。 図１８は、図１６の半導体発光ユニットのステムおよびリードピンを概略的に示す斜視図である。 図１９は、図１８とは反対側から視たステムおよびリードピンを概略的に示す斜視図である。 図２０は、第２実施形態の半導体発光装置を概略的に示す平面図である。 図２１は、図２０の半導体発光装置の基板の平面図である。 図２２は、図２１の基板の裏面図である。 図２３は、半導体発光装置を図２０に示すＦ２３－Ｆ２３線で切った断面図である。 図２４は、半導体発光装置を図２０に示すＦ２４－Ｆ２４線で切った断面図である。 図２５は、図２０の半導体発光素子およびその周辺の拡大図である。 図２６は、第３実施形態の半導体発光装置の斜視図である。 図２７は、図２６の半導体発光装置の概略的な側面図である。 図２８は、図２６の半導体発光装置の基板における表面側基板の平面図である。 図２９は、図２８の基板における裏面側基板の平面図である。 図３０は、図２９の裏面側基板の裏面図である。 図３１は、半導体発光装置を図２８に示すＦ３１－Ｆ３１線で切った概略的な断面図である。 図３２は、変更例の半導体発光装置における半導体発光素子およびその周辺を拡大した概略的な平面図である。 図３３は、変更例の半導体発光装置における半導体発光素子およびその周辺を拡大した概略的な平面図である。 図３４は、変更例の半導体発光装置における半導体発光素子およびその周辺を拡大した概略的な平面図である。 図３５は、変更例の半導体発光装置における半導体発光素子およびその周辺を拡大した概略的な平面図である。 図３６は、変更例の半導体発光装置の概略的な側面図である。 図３７は、変更例の半導体発光装置の概略的な平面図である。 図３８は、変更例の半導体発光装置の基板における表面側基板の平面図である。 図３９は、図３８の基板における裏面側基板の平面図である。 図４０は、図３９の裏面側基板の裏面図である。 図４１は、変更例の半導体発光装置の概略的な平面図である。 図４２は、変更例の半導体発光装置における基板を構成する材料がガラスエポキシ樹脂の場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図４３は、変更例の半導体発光装置における基板を構成する材料がアルミナの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。 図４４は、変更例の半導体発光装置における基板を構成する材料が窒化アルミニウムの場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。
　以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置および半導体発光ユニットの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
　以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は、本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
　［第１実施形態］
　図１～図８を参照して、第１実施形態の半導体発光装置の構成について説明する。なお、図２および図６～図８では、説明の便宜上、後述する封止樹脂８０を省略して示している。図１、図７、および図８では、説明の便宜上、後述する裏面側絶縁層４５を省略して示している。また、図６～図８では、説明の便宜上、後述する第１ワイヤＷ１を省略して示している。
　図１に示す半導体発光装置１０Ａは、たとえば３次元距離計測の一例であるＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）としてのレーザシステムに用いることができる。なお、半導体発光装置１０Ａは、２次元距離計測用のレーザシステムに用いられてもよい。
　図１に示すように、半導体発光装置１０Ａは、矩形平板状に形成されている。半導体発光装置１０Ａは、互いに反対側を向く装置表面１１および装置裏面１２と、装置表面１１および装置裏面１２の双方と交差する方向を向く第１～第４装置側面１３～１６と、を有している。本実施形態では、第１～第４装置側面１３～１６は、装置表面１１および装置裏面１２の双方と直交する方向を向いている。
　装置表面１１および装置裏面１２は、互いに離間して配置されている。本実施形態では、装置表面１１と装置裏面１２との配列方向をｚ方向とする。ｚ方向は、半導体発光装置１０Ａの高さ方向（厚さ方向）であるともいえる。なお、ｚ方向に直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とする。
　本実施形態では、第１装置側面１３および第２装置側面１４は半導体発光装置１０Ａのｘ方向の両端面を構成し、第３装置側面１５および第４装置側面１６は半導体発光装置１０Ａのｙ方向の両端面を構成している。ｚ方向から視て、第１装置側面１３および第２装置側面１４はｘ方向に沿った面であり、第３装置側面１５および第４装置側面１６はｙ方向に沿った面である。第１装置側面１３および第２装置側面１４はｙ方向において互いに反対側を向く面であり、第３装置側面１５および第４装置側面１６はｘ方向において互いに反対側を向く面である。本実施形態では、ｚ方向から視た半導体発光装置１０Ａの形状は、正方形である。
　図１に示すように、半導体発光装置１０Ａは、基板２０を備えている。基板２０は、電気的絶縁材料によって形成されている。本実施形態では、基板２０は、たとえばガラスエポキシ樹脂を含む材料によって形成されている。図１に示すとおり、基板２０は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。本実施形態では、ｚ方向から視た基板２０の形状は、正方形である。基板２０の厚さは、たとえば０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。ｚ方向において、基板２０は、半導体発光装置１０Ａのうち装置表面１１よりも装置裏面１２の近くに配置されている。基板２０は、第１～第４装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部を構成している。
　より詳細には、基板２０は、基板表面２１、基板表面２１とは反対側の基板裏面２２、および基板側面として第１～第４基板側面２３～２６を有している。基板表面２１は装置表面１１と同じ側を向き、基板裏面２２は装置裏面１２と同じ側を向いている。第１基板側面２３は第１装置側面１３と同じ側を向き、第２基板側面２４は第２装置側面１４と同じ側を向き、第３基板側面２５は第３装置側面１５と同じ側を向き、第４基板側面２６は第４装置側面１６と同じ側を向いている。第１基板側面２３は第１装置側面１３のｚ方向における装置裏面１２寄りの一部を構成し、第２基板側面２４は第２装置側面１４のｚ方向における装置裏面１２寄りの一部を構成し、第３基板側面２５は第３装置側面１５のｚ方向における装置裏面１２寄りの一部を構成し、第４基板側面２６は第４装置側面１６のｚ方向における装置裏面１２寄りの一部を構成している。
　本実施形態では、基板２０上に形成された封止樹脂８０をさらに備えている。このように、半導体発光装置１０Ａの外面は、基板２０と封止樹脂８０とによって構成されている。封止樹脂８０は、透光性の樹脂材料によって形成されている。封止樹脂８０を構成する材料の一例は、透光性を有するエポキシ樹脂である。なお、封止樹脂８０を構成する材料は、透光性を有するアクリル樹脂であってもよい。封止樹脂８０は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。本実施形態では、封止樹脂８０の厚さは、基板２０の厚さと等しい。ここで、封止樹脂８０の厚さと基板２０の厚さとの差がたとえば封止樹脂８０の厚さの１０％以内であれば、封止樹脂８０の厚さが基板２０の厚さと等しいといえる。なお、封止樹脂８０の厚さは任意に変更可能である。一例では、封止樹脂８０の厚さは、基板２０の厚さよりも厚くてもよい。また一例では、封止樹脂８０の厚さは、基板２０の厚さよりも薄くてもよい。
　ｚ方向において、封止樹脂８０は、半導体発光装置１０Ａのうち装置裏面１２よりも装置表面１１の近くに配置されている。封止樹脂８０は、装置表面１１と、第１～第４装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部と、を構成している。
　より詳細には、封止樹脂８０は、封止表面８１、封止表面８１とは反対側の封止裏面８２、および第１～第４封止側面８３～８６を有している。封止表面８１は基板表面２１と同じ側を向き、封止裏面８２は基板裏面２２と同じ側を向いている。封止表面８１は、装置表面１１を構成している。封止裏面８２は、基板表面２１と密着している。第１封止側面８３は第１装置側面１３と同じ側を向き、第２封止側面８４は第２装置側面１４と同じ側を向き、第３封止側面８５は第３装置側面１５と同じ側を向き、第４封止側面８６は第４装置側面１６と同じ側を向いている。第１封止側面８３は第１装置側面１３のｚ方向における装置表面１１寄りの一部を構成している。第２封止側面８４は第２装置側面１４のｚ方向における装置表面１１寄りの一部を構成している。第３封止側面８５は第３装置側面１５のｚ方向における装置表面１１寄りの一部を構成している。第４封止側面８６は第４装置側面１６のｚ方向における装置表面１１寄りの一部を構成している。つまり、第１装置側面１３は第１封止側面８３と第１基板側面２３とから構成されている。第２装置側面１４は第２封止側面８４と第２基板側面２４とから構成されている。第３装置側面１５は第３封止側面８５と第３基板側面２５とから構成されている。第４装置側面１６は第４封止側面８６と第４基板側面２６とから構成されている。
　本実施形態では、第１封止側面８３は第１基板側面２３と面一であり、第２封止側面８４は第２基板側面２４と面一であり、第３封止側面８５は第３基板側面２５と面一であり、第４封止側面８６は第４基板側面２６と面一である。
　図１～図４に示すように、半導体発光装置１０Ａは、基板表面２１に形成された表面側配線３０と、基板裏面２２に形成された裏面側配線４０（図４参照）と、表面側配線３０に実装された半導体発光素子６０と、を備えている。半導体発光装置１０Ａは、表面側配線３０に実装された発光素子制御回路７０をさらに備えている。発光素子制御回路７０は、半導体発光素子６０を発光させる回路であり、本実施形態ではスイッチング素子７１および２個のキャパシタ７２，７３を含んでいる。図１に示すとおり、表面側配線３０、半導体発光素子６０、および発光素子制御回路７０はそれぞれ、封止樹脂８０によって封止されている。ここで、キャパシタ７２は「第１キャパシタ」に対応し、キャパシタ７３は「第２キャパシタ」に対応している。
　図２に示すように、表面側配線３０は、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３と電気的に接続される配線である。表面側配線３０は、たとえば金属層と、金属層に積層されためっき層とによって構成されている。金属層は、たとえばＴｉ（チタン）層によって構成されたシード層と、Ｃｕ（銅）層によって構成された配線層との積層体によって構成されている。配線層はシード層上に形成されている。配線層上にはめっき層が形成されている。めっき層は、たとえばＮｉ（ニッケル）層、Ｐｄ（パラジウム）層、およびＡｕ（金）層の積層体によって構成されている。
　図２および図３に示すように、表面側配線３０は、第１表面側配線３１、第２表面側配線３２、第３表面側配線３３、および第４表面側配線３４を含んでいる。ｚ方向から視て、第１～第４表面側配線３１～３４は、互いに離間して配置されている。
　第１表面側配線３１は、半導体発光素子６０が搭載される配線である。第１表面側配線３１は、基板表面２１のｙ方向の両端部のうち第１基板側面２３に近い方の端部に配置されている。第１表面側配線３１は、ｘ方向において基板表面２１の大部分にわたり延びている。第１表面側配線３１のｙ方向の両端部のうち第２基板側面２４に近い方の端部は、そのｘ方向の中央においてｙ方向のうち第１基板側面２３に向けて凹む凹部３１Ａを有している。本実施形態では、凹部３１Ａは、そのｘ方向の大きさが第１基板側面２３に向けて徐々に小さくなるように形成されている。なお、凹部３１Ａの形状は任意に変更可能である。
　半導体発光素子６０は、第１表面側配線３１のｘ方向の中央に搭載されている。より詳細には、半導体発光素子６０は、はんだペーストまたはＡｇ（銀）ペーストなどの導電性接合材ＳＤ１によって第１表面側配線３１のｘ方向の中央に接合されている。これにより、半導体発光素子６０と第１表面側配線３１とは電気的に接続されている。
　図２に示すとおり、半導体発光素子６０は、第２基板側面２４よりも第１基板側面２３寄りに偏って配置されている。半導体発光素子６０は、基板表面２１のｙ方向の両端部のうち第１基板側面２３に近い方の端部に配置されているともいえる。
　第２表面側配線３２は、スイッチング素子７１が搭載される配線である。第２表面側配線３２は、基板表面２１のｙ方向の中央に配置されている。第２表面側配線３２は、ｘ方向において基板表面２１の大部分にわたり延びている。ｚ方向から視た第２表面側配線３２の面積は、ｚ方向から視た第１表面側配線３１、第３表面側配線３３、および第４表面側配線３４の面積よりも大きい。第２表面側配線３２は、そのｘ方向の中央において第１基板側面２３（第１表面側配線３１）に向けて突出する突出部３２Ａを有している。ｚ方向から視た突出部３２Ａの形状は、第１基板側面２３（第１表面側配線３１）に向かうにつれて先細る台形状である。突出部３２Ａは、第１表面側配線３１の凹部３１Ａに入り込むように形成されている。なお、突出部３２Ａの形状は、任意に変更可能である。
　スイッチング素子７１は、半導体発光素子６０に供給される電流を制御する半導体素子である。スイッチング素子７１は、たとえばトランジスタである。本実施形態では、スイッチング素子７１としてＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられている。
　スイッチング素子７１は、第２表面側配線３２のｘ方向の中央に搭載されている。より詳細には、スイッチング素子７１は、はんだペーストまたはＡｇペーストなどの導電性接合材ＳＤ２によって第２表面側配線３２のｘ方向の中央に接合されている。これにより、スイッチング素子７１と第２表面側配線３２とは電気的に接続されている。
　第３表面側配線３３はおよび第４表面側配線３４の双方は、スイッチング素子７１と電気的に接続される配線である。第３表面側配線３３および第４表面側配線３４の双方は、ｙ方向において第２表面側配線３２に対して第１表面側配線３１とは反対側に配置されている。第３表面側配線３３および第４表面側配線３４の双方は、基板表面２１において第２表面側配線３２よりも第２基板側面２４の近くに配置されているともいえる。本実施形態では、第３表面側配線３３および第４表面側配線３４の双方は、基板表面２１のｙ方向の両端部のうち第２基板側面２４に近い方の端部に配置されている。第３表面側配線３３および第４表面側配線３４は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。第３表面側配線３３は、ｘ方向において第４表面側配線３４よりも第３基板側面２５の近くに配置されている。
　本実施形態では、第３表面側配線３３のｙ方向の大きさは、第４表面側配線３４のｙ方向の大きさと等しい。ここで、第３表面側配線３３のｙ方向の大きさと第４表面側配線３４のｙ方向の大きさとの差がたとえば第３表面側配線３３のｙ方向の大きさの１０％以内であれば、第３表面側配線３３のｙ方向の大きさが第４表面側配線３４のｙ方向の大きさと等しいといえる。第３表面側配線３３および第４表面側配線３４のそれぞれのｙ方向の大きさは、第２表面側配線３２のｙ方向の大きさよりも小さい。また、第３表面側配線３３のｘ方向の大きさは、第４表面側配線３４のｘ方向の大きさよりも大きい。第３表面側配線３３のｘ方向の両端部のうち第４表面側配線３４に近い方の端部は、ｙ方向から視てスイッチング素子７１と重なる位置に配置されている。第４表面側配線３４のｘ方向の両端部のうち第３表面側配線３３に近い方の端部は、ｙ方向から視てスイッチング素子７１と重なる位置に配置されている。
　次に、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３の構成および配置態様について説明する。
　図１に示すように、半導体発光素子６０は、平板状に形成されている。図２に示すように、ｚ方向から視た半導体発光素子６０の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。図５に示すように、半導体発光素子６０は、ｚ方向において互いに反対側を向く発光素子表面６１および発光素子裏面６２と、発光素子表面６１および発光素子裏面６２を接続する４つの発光素子側面６３と、を有している。本実施形態では、各発光素子側面６３は、発光素子表面６１と発光素子裏面６２との双方に直交する面である。４つの発光素子側面６３のうち１つの発光素子側面６３Ａは、発光面を構成している。つまり、半導体発光素子６０は、発光素子側面６３Ａから光を出射するように構成されている。換言すると、半導体発光素子６０は、所定方向に向けて光を出射する発光面（発光素子側面６３Ａ）を有している。ｚ方向から視て、発光素子側面６３Ａは、基板２０の第１基板側面２３と同じ側を向いている。このため、第１基板側面２３は、半導体発光素子６０の光の照射方向を向いているといえる。つまり、第１基板側面２３は、半導体発光素子６０の発光面（発光素子側面６３Ａ）と同じ側を向いている。
　発光素子表面６１は、基板表面２１と同じ側を向く面である。発光素子表面６１にはアノード電極となる第１電極６４が形成されている。本実施形態では、第１電極６４は、発光素子表面６１の概ね全体にわたり形成されている。
　発光素子裏面６２は、基板裏面２２と同じ側を向く面である。発光素子裏面６２は、第１表面側配線３１と対面する面であるともいえる。発光素子裏面６２にはカソード電極となる第２電極６５が形成されている。本実施形態では、第２電極６５は、発光素子裏面６２の概ね全体にわたり形成されている。第２電極６５は、導電性接合材ＳＤ１を介して第１表面側配線３１と電気的に接続されている。
　図２に示すように、本実施形態では、半導体発光素子６０は、その長辺がｙ方向に沿い、その短辺がｘ方向に沿うように第１表面側配線３１に搭載されている。より詳細には、半導体発光素子６０は、発光面となる発光素子側面６３Ａが第１基板側面２３側を向くように第１表面側配線３１に搭載されている。このように、半導体発光装置１０Ａは、側面発光型の発光装置である。
　ｙ方向から視て、半導体発光素子６０は、第１表面側配線３１の凹部３１Ａと重なる位置に配置されている。本実施形態では、凹部３１Ａのｘ方向の大きさの最小値、換言すると、凹部３１Ａの底面のｘ方向の大きさは、半導体発光素子６０のｘ方向（短辺）の大きさよりも大きい。半導体発光素子６０のｙ方向（長辺）の長さは、第１表面側配線３１のｘ方向の中央におけるｙ方向の長さよりも僅かに小さい。
　図１に示すように、スイッチング素子７１は、平板状に形成されている。図５に示すように、スイッチング素子７１の厚さは、半導体発光素子６０の厚さよりも厚い。スイッチング素子７１は、ｚ方向において互いに反対側を向くスイッチング素子表面７１ｓおよびスイッチング素子裏面７１ｒを有している。
　スイッチング素子表面７１ｓは、基板表面２１と同じ側を向く面である。図２に示すように、スイッチング素子表面７１ｓには、第２電極７１Ｂおよび制御電極７１Ｃが形成されている。本実施形態では、第２電極７１Ｂはソース電極であり、制御電極７１Ｃはゲート電極である。第２電極７１Ｂは、スイッチング素子表面７１ｓの大部分にわたり形成されている。制御電極７１Ｃは、スイッチング素子表面７１ｓの四隅のうちの１つの隅に形成されている。本実施形態では、制御電極７１Ｃは、スイッチング素子表面７１ｓの四隅のうち第４表面側配線３４に最も近い隅に形成されている。
　図５に示すように、スイッチング素子裏面７１ｒは、基板裏面２２と同じ側を向く面である。スイッチング素子裏面７１ｒは、第２表面側配線３２と対面する面であるともいえる。スイッチング素子裏面７１ｒには、第１電極７１Ａが形成されている。本実施形態では、第１電極７１Ａは、ドレイン電極である。第１電極７１Ａは、導電性接合材ＳＤ２を介して第２表面側配線３２と電気的に接続されている。このように、本実施形態のスイッチング素子７１には、縦型構造のＭＯＳＦＥＴが用いられている。
　図２に示すように、ｚ方向から視たスイッチング素子７１の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。スイッチング素子７１の短辺の大きさは、半導体発光素子６０の短辺の大きさよりも大きい。スイッチング素子７１の長辺の大きさは、半導体発光素子６０の長辺の大きさよりも大きい。本実施形態では、スイッチング素子７１は、その長辺がｙ方向に沿い、その短辺がｘ方向に沿うように第２表面側配線３２に搭載されている。
　スイッチング素子７１は、ｘ方向において第２表面側配線３２の突出部３２Ａと同じ位置に配置されている。本実施形態では、スイッチング素子７１のｘ方向（短辺）の大きさは、突出部３２Ａのｘ方向の大きさの最大値よりも僅かに小さい。スイッチング素子７１のｘ方向の大きさは、突出部３２Ａのｘ方向の大きさの最小値、換言すると突出部３２Ａの先端縁のｘ方向の大きさよりも大きい。
　スイッチング素子７１は、ｙ方向から視て、半導体発光素子６０と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視て、半導体発光素子６０は、その全体がスイッチング素子７１と重なるように配置されている。スイッチング素子７１は、半導体発光素子６０に対して第２基板側面２４寄りに間隔をあけて配置されている。このように、ｙ方向は、半導体発光素子６０とスイッチング素子７１との配列方向であるといえる。このため、本実施形態では、ｙ方向は「第１方向」に対応している。また、ｘ方向は「第２方向」に対応している。
　半導体発光素子６０の第１電極６４とスイッチング素子７１の第２電極７１Ｂとは、１または複数本（本実施形態では４本）の第１ワイヤＷ１によって電気的に接続されている。複数本の第１ワイヤＷ１のうちｘ方向に隣り合う第１ワイヤＷ１の間の隙間は、ｚ方向から視て、半導体発光素子６０からスイッチング素子７１に向かうにつれて大きくなる。
　スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂと第３表面側配線３３とは、１または複数本（本実施形態では２本）の第２ワイヤＷ２によって電気的に接続されている。スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃと第４表面側配線３４とは、１または複数本（本実施形態では１本）の第３ワイヤＷ３によって電気的に接続されている。
　第１～第３ワイヤＷ１～Ｗ３は、ワイヤボンディング装置によって形成されるボンディングワイヤであり、たとえばＡｕ（金），Ａｌ（アルミニウム），Ｃｕ等の導体によって形成されている。本実施形態では、第１～第３ワイヤＷ１～Ｗ３は、互いに同一の材料（たとえばＣｕ）によって形成されている。なお、第１～第３ワイヤＷ１～Ｗ３を構成する材料はそれぞれ任意に変更可能である。たとえば、第１～第３ワイヤＷ１～Ｗ３は、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。
　キャパシタ７２，７３は、スイッチング素子７１と協働して半導体発光素子６０に電流を供給する電子部品である。図１に示すように、キャパシタ７２，７３は、略直方体状に形成されている。図２に示すように、ｚ方向から視たキャパシタ７２，７３の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。
　キャパシタ７２，７３は、第１電極７２Ａ，７３Ａおよび第２電極７２Ｂ，７３Ｂを有している。キャパシタ７２の第１電極７２Ａおよび第２電極７２Ｂは、ｚ方向から視て、キャパシタ７２の長辺方向の両端部に分散して形成されている。キャパシタ７３の第１電極７３Ａおよび第２電極７３Ｂは、ｚ方向から視て、キャパシタ７３の長辺方向の両端部に分散して形成されている。本実施形態では、キャパシタ７２，７３の形状およびサイズは互いに同一である。また、キャパシタ７２，７３の容量は、互いに等しい。
　キャパシタ７２，７３は、第１表面側配線３１と第２表面側配線３２との間を跨るように配置されている。キャパシタ７２，７３は、はんだペーストまたはＡｇペーストなどの導電性接合材ＳＤ３によって第１表面側配線３１と第２表面側配線３２との双方に接合されている。より詳細には、キャパシタ７２，７３は、長辺がｙ方向に沿い、短辺がｘ方向に沿うように配置されている。ｚ方向から視て、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａは、導電性接合材ＳＤ３によって第１表面側配線３１に接合されている。これにより、第１電極７２Ａ，７３Ａは、第１表面側配線３１と電気的に接続されている。ｚ方向から視て、キャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂは、導電性接合材ＳＤ３によって第２表面側配線３２に接合されている。これにより、第２電極７２Ｂ，７３Ｂは、第２表面側配線３２と電気的に接続されている。このように、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａは、第１表面側配線３１を通じて半導体発光素子６０の第２電極６５と電気的に接続されている。キャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂは、第２表面側配線３２を通じてスイッチング素子７１の第１電極７１Ａと電気的に接続されている。
　キャパシタ７２，７３は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の双方のｘ方向の両側に分散して配置されている。より詳細には、キャパシタ７２，７３は、ｘ方向から視て、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の双方と重なる位置に配置されている。キャパシタ７２は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１と第３基板側面２５とのｘ方向の間に配置されている。キャパシタ７３は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１と第４基板側面２６とのｘ方向の間に配置されている。
　キャパシタ７２とキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離は、スイッチング素子７１の第１基板側面２３に沿う方向であるｘ方向に沿う一辺（本実施形態ではスイッチング素子７１の短辺）よりも大きく、スイッチング素子７１のｙ方向に沿う一辺（本実施形態ではスイッチング素子７１の長辺）よりも小さい。ここで、スイッチング素子７１の短辺は「スイッチング素子の第１辺」に対応し、スイッチング素子７１の長辺は「スイッチング素子の第２辺」に対応している。
　図６に示すように、本実施形態では、キャパシタ７２は、ｘ方向において第３基板側面２５よりも半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の近くに配置されている。キャパシタ７３は、ｘ方向において第４基板側面２６よりも半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の近くに配置されている。より詳細には、キャパシタ７２と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離ＤＰＣ１は、キャパシタ７２と第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＢ１よりも小さい。キャパシタ７２とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１は、キャパシタ７２と第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＢ１よりも小さい。また、キャパシタ７２とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１は、キャパシタ７２と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離ＤＰＣ１よりも小さい。キャパシタ７３と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離ＤＰＣ２は、キャパシタ７３と第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＢ２よりも小さい。キャパシタ７３とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２は、キャパシタ７３と第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＢ２よりも小さい。また、キャパシタ７３とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２は、キャパシタ７３と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離ＤＰＣ２よりも小さい。
　本実施形態では、距離ＤＳＣ２は、距離ＤＳＣ１と等しい。ここで、距離ＤＳＣ２と距離ＤＳＣ１との差がたとえば距離ＤＳＣ１の１０％以内であれば、距離ＤＳＣ２が距離ＤＳＣ１と等しいといえる。また本実施形態では、距離ＤＰＣ１は、距離ＤＰＣ２と等しい。ここで、距離ＤＰＣ１と距離ＤＰＣ２との差がたとえば距離ＤＰＣ２の１０％以内であれば、距離ＤＰＣ１が距離ＤＰＣ２と等しいといえる。
　キャパシタ７２，７３は、ｙ方向において半導体発光素子６０に対して第２基板側面２４寄りにずれて配置されている。より詳細には、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａは、ｙ方向において半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３Ａに対して第２基板側面２４寄りにずれて配置されている。このため、第１電極７２Ａ，７３Ａと第１基板側面２３とのｙ方向の間の距離ＤＡ１，ＤＡ２は、発光素子側面６３Ａと第１基板側面２３とのｙ方向の間の距離ＤＰよりも大きい。換言すると、発光素子側面６３Ａと第１基板側面２３とのｙ方向の間の距離ＤＰは、第１電極７２Ａ，７３Ａと第１基板側面２３とのｙ方向の間の距離ＤＡ１，ＤＡ２よりも小さい。ここで、距離ＤＰは、半導体発光素子６０から出射した光が基板２０の基板表面２１に当たらないような距離に設定されている。
　図２に示すように、キャパシタ７２，７３は、ｙ方向においてスイッチング素子７１に対して第１基板側面２３寄りにずれて配置されている。より詳細には、キャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂの第２基板側面２４とのｙ方向の間の距離は、スイッチング素子７１と第２基板側面２４とのｙ方向の間の距離よりも大きい。
　このように、キャパシタ７２はスイッチング素子７１に対して第３基板側面２５寄りに隣り合う位置に配置される一方、キャパシタ７３はスイッチング素子７１に対して第４基板側面２６寄りに隣り合う位置に配置されている。これにより、スイッチング素子７１のうち第１基板側面２３寄りの部分をキャパシタ７２，７３のｘ方向の間に位置させたうえでスイッチング素子７１が半導体発光素子６０に近い位置に配置されている。このため、基板２０の基板表面２１上においてスイッチング素子７１と半導体発光素子６０との離間距離が短くなる。これにより、半導体発光素子６０とスイッチング素子７１とを結ぶ配線経路（第１ワイヤＷ１）の長さを短くすることができるので、この配線経路の寄生インダクタンスの影響を抑制できる。
　また、キャパシタ７２とキャパシタ７３とは、基板表面２１上で半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１に対して対称的に配置されている。これにより、キャパシタ７２からスイッチング素子７１を経て半導体発光素子６０に電流が流れるループ状の第１配線経路と、キャパシタ７３からスイッチング素子７１を経て半導体発光素子６０に電流が流れるループ状の第２配線経路とが半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１に対して対称的に形成されている。
　なお、図５および図６に示すように、第１配線経路は、キャパシタ７２の第２電極７２Ｂとスイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）とを接続する第１経路と、スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂ（ソース電極）と半導体発光素子６０の第１電極６４（アノード電極）とを接続する第１ワイヤＷ１と、半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）とキャパシタ７２の第１電極７２Ａとを接続する第２経路と、を含む。第１経路は、第２表面側配線３２、導電性接合材ＳＤ２、および導電性接合材ＳＤ３を含む。第２経路は、第１表面側配線３１、導電性接合材ＳＤ１、および導電性接合材ＳＤ３を含む。
　また、第２配線経路は、キャパシタ７３の第２電極７３Ｂとスイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）とを接続する第３経路と、スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂ（ソース電極）と半導体発光素子６０の第１電極６４（アノード電極）とを接続する第１ワイヤＷ１と、半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）とキャパシタ７３の第１電極７３Ａとを接続する第４経路と、を含む。第３経路は、第２表面側配線３２、導電性接合材ＳＤ２、および導電性接合材ＳＤ３を含む。第４経路は、第１表面側配線３１、導電性接合材ＳＤ１、および導電性接合材ＳＤ３を含む。
　このように、第１配線経路と第２配線経路とが対称的に配置されることによって、第１配線経路を流れる電流によって形成される磁束と、第２配線経路を流れる電流によって形成される磁束とが互いに打ち消し合うようになる。これにより、第１配線経路に存在する寄生インダクタンスおよび第２配線経路に存在する寄生インダクタンスの双方を低減することができる。
　図４に示すように、裏面側配線４０は、半導体発光装置１０Ａがたとえば回路基板に実装されるときに回路基板の配線等と電気的に接続するための外部端子となる配線である。裏面側配線４０は、装置裏面１２の一部を構成している。つまり、装置裏面１２は、半導体発光装置１０Ａがたとえば回路基板に実装されるときの実装面となる。このように、本実施形態では、半導体発光装置１０Ａは、表面実装型のパッケージ構造を有している。
　裏面側配線４０は、表面側配線３０と同様にたとえば金属層と、金属層に積層されためっき層とによって構成されている。基板２０の基板裏面２２には、裏面側配線４０を露出させた状態で基板裏面２２を覆う裏面側絶縁層４５が設けられている。裏面側絶縁層４５は、たとえば防水の絶縁コーティング材によって形成されている。絶縁コーティング材としては、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁材料が用いられる。裏面側絶縁層４５は、装置裏面１２の一部を構成している。つまり、装置裏面１２は、裏面側配線４０および裏面側絶縁層４５によって構成されている。
　裏面側配線４０は、第１裏面側配線４１、第２裏面側配線４２、第３裏面側配線４３、および第４裏面側配線４４を含んでいる。
　第１裏面側配線４１は、第１表面側配線３１（図２参照）と電気的に接続される配線である。つまり、第１裏面側配線４１は、半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）およびキャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａ（ともに図２参照）のそれぞれと電気的に接続される配線である。
　第１裏面側配線４１は、基板裏面２２のｙ方向の両端部のうち第１基板側面２３に近い方の端部に配置されている。ｚ方向から視て、第１裏面側配線４１は、第１表面側配線３１と重なる位置に配置されている。第１裏面側配線４１は、ｘ方向において基板表面２１の大部分にわたり延びている。ｚ方向から視た第１裏面側配線４１の形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。
　第２裏面側配線４２は、第２表面側配線３２（図２参照）と電気的に接続される配線である。つまり、第２裏面側配線４２は、スイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）およびキャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂ（ともに図２参照）のそれぞれと電気的に接続される配線である。
　第２裏面側配線４２は、基板裏面２２のｙ方向の中央に配置されている。ｚ方向から視て、第２裏面側配線４２は、第２表面側配線３２と重なる位置に配置されている。第２裏面側配線４２は、ｘ方向において基板裏面２２の大部分にわたり延びている。ｚ方向から視た第２裏面側配線４２の形状は、ｘ方向が長辺となり、ｙ方向が短辺となる矩形状である。ｚ方向から視た第２裏面側配線４２の面積は、ｚ方向から視た第１表面側配線３１、第３表面側配線３３、および第４表面側配線３４の面積よりも大きい。
　第３裏面側配線４３は、第３表面側配線３３（図２参照）と電気的に接続される配線である。つまり、第３裏面側配線４３は、スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂ（ソース電極、図２参照）と電気的に接続される配線である。
　第４裏面側配線４４は、第４表面側配線３４（図２参照）と電気的に接続される配線である。つまり、第４裏面側配線４４は、スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃ（ゲート電極、図２参照）と電気的に接続される配線である。
　第３裏面側配線４３および第４裏面側配線４４の双方は、基板裏面２２のｙ方向の両端部のうち第２基板側面２４に近い方の端部に配置されている。第３裏面側配線４３および第４裏面側配線４４は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。第３裏面側配線４３は、ｘ方向において第４裏面側配線４４よりも第３基板側面２５の近くに配置されている。ｚ方向から視て、第３裏面側配線４３は、第３表面側配線３３と重なる位置に配置されている。ｚ方向から視て、第４裏面側配線４４は、第４表面側配線３４と重なる位置に配置されている。
　本実施形態では、第３裏面側配線４３のｘ方向の大きさおよびｙ方向の大きさは、第３表面側配線３３のｘ方向の大きさおよびｙ方向の大きさと等しい。第４裏面側配線４４のｘ方向の大きさおよびｙ方向の大きさは、第４表面側配線３４のｘ方向の大きさおよびｙ方向の大きさと等しい。
　図５に示すように、本実施形態では、第１～第４裏面側配線４１～４４の外表面のそれぞれには、めっき層４６が形成されている。めっき層４６は、はんだまたはＡｇペーストなどの導電性接合材によって半導体発光装置１０Ａが回路基板に実装される場合、導電性接合材が接する部分となる。めっき層４６は、互いに積層された複数の金属層を含んでいる。これら金属層としては、たとえばＮｉ層、Ｐｄ層、およびＡｕ層である。
　図３および図４に示すように、半導体発光装置１０Ａは、表面側配線３０と裏面側配線４０とを繋ぐ内部スルーホール５３を備えている。ｚ方向から視て、内部スルーホール５３は、基板２０の第１～第４基板側面２３～２６よりも内方に設けられている。内部スルーホール５３は、第１内部スルーホール５４、第２内部スルーホール５５、第３内部スルーホール５６、および第４内部スルーホール５７を含んでいる。
　本実施形態では、ｚ方向から視た第１～第４内部スルーホール５４～５７の形状は、円形である。つまり、第１～第４内部スルーホール５４～５７は、円筒状に形成されている。また、本実施形態では、第１～第４内部スルーホール５４～５７の大きさ（第１～第４内部スルーホール５４～５７の直径）は互いに等しい。ここで、第１～第４内部スルーホール５４～５７の大きさの差の最大値がたとえば第１内部スルーホール５４の大きさの１０％以内であれば、第１～第４内部スルーホール５４～５７の大きさが互いに等しいといえる。
　第１～第４内部スルーホール５４～５７は、導電材料によって形成されている。本実施形態では、第１～第４内部スルーホール５４～５７は、Ｃｕによって形成されている。第１～第４内部スルーホール５４～５７の内部には、放熱材５８が設けられている。放熱材５８は、第１～第４内部スルーホール５４～５７の内部を埋めるように設けられている。放熱材５８は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材５８は、第１～第４内部スルーホール５４～５７と同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材５８を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材５８は、第１～第４内部スルーホール５４～５７を構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材５８は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　第１内部スルーホール５４は、第１表面側配線３１と第１裏面側配線４１とを繋ぐ配線である。第１内部スルーホール５４によって第１表面側配線３１と第１裏面側配線４１とが電気的に接続されている。本実施形態では、第１内部スルーホール５４は１個である。ｚ方向から視て、第１内部スルーホール５４は、半導体発光素子６０と重なる位置に配置されている。
　第２内部スルーホール５５は、第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とを繋ぐ配線である。第２内部スルーホール５５によって第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とが電気的に接続されている。第２内部スルーホール５５は、複数（本実施形態では６個）設けられている。ｚ方向から視て、各第２内部スルーホール５５は、スイッチング素子７１と重なる位置に配置されている。
　第３内部スルーホール５６は、第３表面側配線３３と第３裏面側配線４３とを繋ぐ配線である。第３内部スルーホール５６によって第３表面側配線３３と第３裏面側配線４３とが電気的に接続されている。第３内部スルーホール５６は、複数（本実施形態では３個）設けられている。ｚ方向から視て、第３内部スルーホール５６は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、複数の第３内部スルーホール５６は、ｙ方向において第３裏面側配線４３のうち第２基板側面２４寄りに配置されている。
　第４内部スルーホール５７は、第４表面側配線３４と第４裏面側配線４４とを繋ぐ配線である。第４内部スルーホール５７によって第４表面側配線３４と第４裏面側配線４４とが電気的に接続されている。第４内部スルーホール５７は、複数（本実施形態では２個）設けられている。ｚ方向から視て、第４内部スルーホール５７は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、複数の第４内部スルーホール５７は、ｙ方向において第４裏面側配線４４のうち第２基板側面２４寄りに配置されている。本実施形態では、ｘ方向から視て、複数の第４内部スルーホール５７は、複数の第３内部スルーホール５６と重なる位置に配置されている。
　なお、第１～第４内部スルーホール５４～５７のそれぞれの個数は任意に変更可能である。また、第１～第４内部スルーホール５４～５７のそれぞれのｚ方向から視た形状は任意に変更可能である。たとえば、第１～第４内部スルーホール５４～５７のｚ方向から視た形状が互いに異なっていてもよい。また、第１～第４内部スルーホール５４～５７のそれぞれの大きさは任意に変更可能である。たとえば、第１～第４内部スルーホール５４～５７の大きさは互いに異なっていてもよい。
　次に、図６～図８を参照して、半導体発光素子６０およびその周囲の詳細な構成について説明する。
　図６に示すように、基板２０の第１基板側面２３には、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール５１が設けられている。端面スルーホール５１は、第１表面側配線３１と第１裏面側配線４１（図４参照）とを繋いでいる。
　端面スルーホール５１は、ｚ方向から視て、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向けてｙ方向に凹む凹形状に形成されている。たとえば、ｚ方向から視た端面スルーホール５１の形状は、湾曲凹状である。本実施形態では、ｚ方向から視た端面スルーホール５１の形状は、半円状である。第１基板側面２３とともに第１表面側配線３１および第１裏面側配線４１の双方には、半円状の凹部が形成されている。第１基板側面２３、第１表面側配線３１、および第１裏面側配線４１のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面には、導電材料によって形成された接続配線としての端面スルーホール５１が設けられている。端面スルーホール５１は、上記半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。端面スルーホール５１の開口端５１ｕは、第１基板側面２３と対応する部分では第１基板側面２３と面一となり、第１表面側配線３１と対応する部分では第１表面側配線３１と面一となり、第１裏面側配線４１と対応する部分では第１裏面側配線４１と面一となる。このように、本実施形態では、端面スルーホール５１のｚ方向の両端部には、段差部が設けられている。端面スルーホール５１を構成する導電材料としては、たとえばＣｕが用いられる。つまり、端面スルーホール５１を構成する材料は、内部スルーホール５３を構成する材料と同じである。なお、端面スルーホール５１を構成する導電材料は、任意に変更可能である。
　本実施形態では、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈよりも大きい。ここで、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、ｚ方向から視て、端面スルーホール５１の開口端５１ｕにおけるｘ方向の間の距離によって定義できる。端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈは、端面スルーホール５１の開口端５１ｕと端面スルーホール５１の側面５１ｂとのｙ方向の間の最大距離によって定義できる。本実施形態のように端面スルーホール５１が半円状に形成されている場合、開口幅Ｗは、深さ寸法Ｈの２倍程度となる。また、深さ寸法Ｈは、半円状の端面スルーホール５１の半径として定義できる。
　本実施形態では、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、第１～第４内部スルーホール５４～５７（図３参照）の外径よりも大きい。端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈは、第１～第４内部スルーホール５４～５７の外径以上である。
　また、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、たとえば半導体発光素子６０のｘ方向の大きさと等しい。ここで、端面スルーホール５１の開口幅Ｗと半導体発光素子６０のｘ方向の大きさとの差がたとえば半導体発光素子６０のｘ方向の大きさの１０％以内であれば、端面スルーホール５１の開口幅Ｗが半導体発光素子６０のｘ方向の大きさと等しいといえる。
　第１基板側面２３には、端面スルーホール５１が複数（本実施形態では４個）設けられている。便宜上、４つの端面スルーホール５１のうち第１基板側面２３のｘ方向の中央寄りの２つの端面スルーホール５１を「端面スルーホール５１Ａ」とし、２つの端面スルーホール５１Ａに対して第３基板側面２５および第４基板側面２６寄りの２つの端面スルーホール５１を「端面スルーホール５１Ｂ」とする。各端面スルーホール５１Ａおよび各端面スルーホール５１Ｂは、互いに同一形状および同一サイズである。ここで、端面スルーホール５１Ａは「半導体発光素子の近くに設けられた第１端面スルーホール」に対応し、端面スルーホール５１Ｂは「半導体発光素子から遠くに設けられた第２端面スルーホール」に対応している。
　本実施形態では、４個の端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、４個の端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、基板表面２１のｘ方向の中央においてｙ方向に沿って延びる中心線ＣＬに対して対称に配置されている。本実施形態では、２個の端面スルーホール５１Ａのｘ方向の間の距離ＤＨ１は、端面スルーホール５１Ａと、この端面スルーホール５１Ａとｘ方向に隣り合う端面スルーホール５１Ｂとのｘ方向の間の距離ＤＨ２よりも大きい。
　距離ＤＨ１は、半導体発光素子６０のｘ方向の大きさよりも大きい。距離ＤＨ１は、キャパシタ７２，７３のそれぞれのｘ方向の大きさよりも大きく、スイッチング素子７１のｘ方向の大きさよりも小さい。
　ｙ方向から視て、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂは、半導体発光素子６０と重なる位置とは異なる位置に設けられている。より詳細には、ｚ方向から視て、２個の端面スルーホール５１Ａは、半導体発光素子６０のｘ方向の両側に分散して配置されている。ｚ方向から視て、各端面スルーホール５１Ａは、ｘ方向において半導体発光素子６０と隣り合う位置に設けられている。本実施形態では、端面スルーホール５１Ａと半導体発光素子６０との間のｘ方向の距離ＤＰＨは、端面スルーホール５１Ａの開口幅（端面スルーホール５１の開口幅Ｗ）よりも小さい。また、距離ＤＰＨは、半導体発光素子６０のｘ方向の大きさよりも小さい。ここで、距離ＤＰＨは、ｚ方向から視て、端面スルーホール５１Ａの側面５１ｂと半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離によって定義できる。距離ＤＰＨは、端面スルーホール５１Ａと半導体発光素子６０とのｘ方向の間の最小距離であるともいえる。
　端面スルーホール５１Ａは、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、半導体発光素子６０と重なる部分を有している。つまり、端面スルーホール５１Ａの側面５１ｂは、半導体発光素子６０の発光素子側面６３Ａよりも第２基板側面２４寄り（スイッチング素子７１寄り）に位置する部分を含んでいる。換言すると、第１基板側面２３と半導体発光素子６０の発光素子側面６３Ａ（発光面）とのｙ方向の間の距離ＤＰは、端面スルーホール５１Ａの深さ寸法（端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈ）よりも小さい。
　スイッチング素子７１およびキャパシタ７２の双方は、２つの端面スルーホール５１Ａのうち第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａよりも、第２基板側面２４（図３参照）寄りに配置されている。第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａは、キャパシタ７２の第１電極７２Ａよりも第１基板側面２３寄りに間をあけて設けられている。このため、第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａは、半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７２の第１電極７２Ａとの間の電流経路から外れた位置に設けられている。このように、キャパシタ７２の第１電極７２Ａは、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、半導体発光素子６０と重なる位置、かつ第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａよりも第２基板側面２４寄りに配置されている。ここで、電流経路とは、第１配線経路のうち実質的に電流が流れる経路であり、半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７２の第１電極７２Ａとを電気的に接続する第１表面側配線３１のうち電流が主に流れる箇所である。本実施形態では、電流経路は、第１表面側配線３１のうち半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７２の第１電極７２Ａとのｘ方向の間の部分である。
　第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａは、ｙ方向から視て、スイッチング素子７１およびキャパシタ７２の双方と重なる部分を有している。より詳細には、第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａは、キャパシタ７２のｘ方向の中央よりも半導体発光素子６０寄り、かつスイッチング素子７１のｘ方向の中央よりもキャパシタ７２寄りに設けられている。スイッチング素子７１とキャパシタ７２とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１は、端面スルーホール５１Ａの開口幅（端面スルーホール５１の開口幅Ｗ）よりも小さい。
　スイッチング素子７１およびキャパシタ７３の双方は、２つの端面スルーホール５１Ａのうち第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａよりも、第２基板側面２４（図３参照）寄りに配置されている。第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａは、キャパシタ７３の第１電極７３Ａよりも第１基板側面２３寄りに間をあけて設けられている。このため、第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａは、半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７３の第１電極７３Ａとの間の電流経路から外れた位置に設けられている。このように、キャパシタ７３の第１電極７３Ａは、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、半導体発光素子６０と重なる位置、かつ第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａよりも第２基板側面２４寄りに配置されている。ここで、電流経路とは、第２配線経路のうち実質的に電流が流れる経路であり、半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７３の第１電極７３Ａとを電気的に接続する第１表面側配線３１のうち電流が主に流れる箇所である。本実施形態では、電流経路は、第１表面側配線３１のうち半導体発光素子６０の第２電極６５とキャパシタ７３の第１電極７３Ａとのｘ方向の間の部分である。
　第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａは、ｙ方向から視て、スイッチング素子７１およびキャパシタ７３の双方と重なる部分を有している。より詳細には、第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａは、キャパシタ７３のｘ方向の中央よりも半導体発光素子６０寄り、かつスイッチング素子７１のｘ方向の中央よりもキャパシタ７３寄りに設けられている。スイッチング素子７１とキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２は、端面スルーホール５１Ａの開口幅（端面スルーホール５１の開口幅Ｗ）よりも小さい。
　端面スルーホール５１Ａと、この端面スルーホール５１Ａとｘ方向に隣り合う端面スルーホール５１Ｂとのｘ方向の間の距離ＤＨ２は、端面スルーホール５１の開口幅Ｗよりも小さい。距離ＤＨ２は、たとえば第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ｂの開口端５１ｕと第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＨ３よりも小さい。距離ＤＨ２は、たとえば第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ｂの開口端５１ｕと第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＨ４よりも小さい。本実施形態では、距離ＤＨ４は、距離ＤＨ３と等しい。ここで、距離ＤＨ４と距離ＤＨ３との差がたとえば距離ＤＨ３の１０％以内であれば、距離ＤＨ４が距離ＤＨ３と等しいといえる。距離ＤＨ３，ＤＨ４は、端面スルーホール５１Ｂの開口幅（端面スルーホール５１の開口幅Ｗ）よりも小さい。
　第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ｂは、スイッチング素子７１よりも第３基板側面２５寄りに配置されている。つまり、第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ｂの開口端５１ｕと第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＨ３は、キャパシタ７２と第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＢ１よりも小さい。ｙ方向から視て、第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ｂは、キャパシタ７２と重なる部分と、キャパシタ７２よりも第３基板側面２５寄りにはみ出す部分と、を有している。第３基板側面２５に近い端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの双方は、ｙ方向から視て、キャパシタ７２と重なる部分を有している。
　第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ｂは、スイッチング素子７１よりも第４基板側面２６寄りに配置されている。つまり、第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ｂの開口端５１ｕと第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＨ４は、キャパシタ７３と第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＢ２よりも小さい。ｙ方向から視て、第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ｂは、キャパシタ７３と重なる部分と、キャパシタ７３よりも第４基板側面２６寄りにはみ出す部分と、を有している。第４基板側面２６に近い端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの双方は、ｙ方向から視て、キャパシタ７３と重なる部分を有している。
　図３に示すように、第１内部スルーホール５４は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂよりも第２基板側面２４寄りに設けられている。第１内部スルーホール５４は、２個の端面スルーホール５１Ａのｘ方向の間に設けられている。
　図６に示すように、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂには、放熱材５９が埋め込まれている。放熱材５９は、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの開口端５１ｕの端面と面一となるように設けられている。放熱材５９のｚ方向の両端部には、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの開口端５１ｕと同様に段差部が設けられている。ｚ方向から視た放熱材５９の形状は、略半円状である。図７に示すように、放熱材５９のｚ方向の大きさは、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂのｚ方向の大きさと等しい。
　放熱材５９は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材５９は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂと同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材５９を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材５９は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂを構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材５９は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　図６に示すように、基板２０の第３基板側面２５には、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール５２Ａが設けられている。基板２０の第４基板側面２６には、ｚ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール５２Ｂが設けられている。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは、第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２（図４参照）とを繋いでいる。ここで、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは「制御回路側端面スルーホール」に対応している。
　端面スルーホール５２Ａは、ｚ方向から視て、第３基板側面２５から第４基板側面２６に向けてｘ方向に凹む凹形状に形成されている。端面スルーホール５２Ｂは、ｚ方向から視て、第４基板側面２６から第３基板側面２５に向けてｘ方向に凹む凹形状に形成されている。ｚ方向から視た端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの形状は、湾曲凹状である。本実施形態では、ｚ方向から視た端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの形状は、半円状である。
　第３基板側面２５および第４基板側面２６とともに第２表面側配線３２および第２裏面側配線４２の双方には、半円状の凹部が形成されている。第３基板側面２５、第２表面側配線３２、および第２裏面側配線４２のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面には、導電材料によって形成された接続配線としての端面スルーホール５２Ａが設けられている。端面スルーホール５２Ａは、上記半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。端面スルーホール５２Ａの開口端５２ｕは、第３基板側面２５と面一となる。端面スルーホール５２Ａを構成する導電材料としては、たとえばＣｕが用いられる。つまり、端面スルーホール５２Ａを構成する材料は、内部スルーホール５３（図３参照）を構成する材料と同じである。端面スルーホール５２Ａを構成する材料は、端面スルーホール５１を構成する材料と同じであるともいえる。なお、端面スルーホール５２Ａを構成する導電材料は、任意に変更可能である。また、端面スルーホール５２Ｂは、端面スルーホール５２Ａと同様に設けられているため、その詳細な説明を省略する。
　本実施形態では、端面スルーホール５２Ａおよび端面スルーホール５２Ｂは、互いに同一形状および同一サイズである。また、本実施形態では、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂと同一形状および同一サイズである。
　端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは、ｘ方向から視て、スイッチング素子７１と重なる位置に設けられている。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは、キャパシタ７２，７３に対して第２基板側面２４寄りにずれて設けられている。端面スルーホール５２Ａは、キャパシタ７２に対して第３基板側面２５寄りにずれて設けられている。端面スルーホール５２Ｂは、キャパシタ７３に対して第４基板側面２６寄りにずれて設けられている。このように、端面スルーホール５２Ａは、キャパシタ７２の第２電極７２Ｂとスイッチング素子７１の第１電極７１Ａとの間の電流経路から外れた位置に設けられている。端面スルーホール５２Ｂは、キャパシタ７３の第２電極７３Ｂとスイッチング素子７１の第１電極７１Ａとの間の電流経路から外れた位置に設けられている。
　キャパシタ７２は、ｘ方向において端面スルーホール５２Ａよりもスイッチング素子７１の近くに配置されている。端面スルーホール５２Ａの側面５２ｂとキャパシタ７２とのｘ方向の間の距離ＤＨＣ１は、キャパシタ７２とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１よりも大きい。
　キャパシタ７３は、ｘ方向において端面スルーホール５２Ｂよりもスイッチング素子７１の近くに配置されている。端面スルーホール５２Ｂの側面５２ｂとキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離ＤＨＣ２は、キャパシタ７３とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２よりも大きい。また、距離ＤＨＣ２は、距離ＤＨＣ１と等しい。ここで、距離ＤＨＣ２と距離ＤＨＣ１との差がたとえば距離ＤＨＣ１の１０％以内であれば、距離ＤＨＣ２が距離ＤＨ１と等しいといえる。
　端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂには、放熱材５９が埋め込まれている。放熱材５９は、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの開口端５２ｕの端面と面一となるように設けられている。ｚ方向から視た放熱材５９の形状は、略半円状である。図８に示すように、放熱材５９のｚ方向の大きさは、端面スルーホール５２Ａのｚ方向の大きさと等しい。なお、図示していないが、放熱材５９のｚ方向の大きさは、端面スルーホール５２Ｂのｚ方向の大きさと等しい。ここで、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂに埋め込まれた放熱材５９は、「制御回路側放熱材」に対応している。
　端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料は、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料と同じである。
　なお、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂに埋め込まれた放熱材５９は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料と異なっていてもよい。
　図１に示すように、封止樹脂８０は、基板２０の基板表面２１とともに半導体発光素子６０を覆っている。より詳細には、封止樹脂８０は、基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視て、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂを覆うように設けられている。封止樹脂８０は、ｚ方向から視て放熱材５９を覆うように設けられている。封止樹脂８０は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂおよび放熱材５９のそれぞれと接している。
　以上のとおり説明した構成の半導体発光装置１０Ａの回路構成について、図９を用いて説明する。図９は、半導体発光装置１０Ａが用いられたレーザシステムＬＳの回路構成を示している。図９に示すように、レーザシステムＬＳは、半導体発光装置１０Ａ、駆動電源ＤＶ、電流制限抵抗Ｒ、ダイオードＤ、およびドライバ回路ＰＭを備えている。
　駆動電源ＤＶは、正極および負極を有する直流電源であって、半導体発光装置１０Ａに電力を供給する。電流制限抵抗Ｒは、駆動電源ＤＶの正極と半導体発光装置１０Ａとの間に設けられており、駆動電源ＤＶから半導体発光装置１０Ａに流れる電流を制限する。ダイオードＤは、半導体発光素子６０と逆並列に接続されており、半導体発光素子６０への電流の逆流を防止する。ダイオードＤとしては、たとえばショットキーバリアダイオードが用いられる。ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子７１のオンオフを制御する制御信号をスイッチング素子７１の制御電極７１Ｃに出力する。ドライバ回路ＰＭは、たとえばパルス状の信号を生成する矩形波発振回路と、矩形波発振回路と半導体発光装置１０Ａとの間に設けられたゲートドライバＩＣとを含んでいる。ゲートドライバＩＣは、矩形波発振回路からの信号に基づいてスイッチング素子７１の制御信号を生成する。
　半導体発光素子６０とスイッチング素子７１とは直列に接続されている。より詳細には、半導体発光素子６０の第１電極６４（アノード電極）とスイッチング素子７１の第２電極７１Ｂ（ソース電極）とが電気的に接続されている。スイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）は、第２表面側配線３２（第２裏面側配線４２）と電気的に接続されている。半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）は、第１表面側配線３１（第１裏面側配線４１）と電気的に接続されている。
　キャパシタ７２，７３は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の直列体と並列に接続されている。より詳細には、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａが半導体発光素子６０の第２電極６５と電気的に接続されており、キャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂがスイッチング素子７１の第１電極７１Ａと電気的に接続されている。
　スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂは、第３表面側配線３３（第３裏面側配線４３）と電気的に接続されている。ダイオードＤのアノード電極は第１裏面側配線４１（第１表面側配線３１）に電気的に接続されており、ダイオードＤのカソード電極は第３裏面側配線４３（第３表面側配線３３）に電気的に接続されている。これにより、ダイオードＤは、半導体発光素子６０に対して逆並列に接続されている。
　スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃは、第４表面側配線３４（第４裏面側配線４４）と電気的に接続されている。ドライバ回路ＰＭは、第４裏面側配線４４（第４表面側配線３４）に電気的に接続されている。このため、ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃに電気的に接続されている。また、ドライバ回路ＰＭおよび駆動電源ＤＶの負極のそれぞれは、グランドに接続されている。
　このような構成のレーザシステムＬＳでは、次のように動作する。すなわち、ドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７１がオフ状態にされると、駆動電源ＤＶによってキャパシタ７２，７３が蓄電される。そしてドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７１がオン状態にされると、キャパシタ７２，７３が放電することによって半導体発光素子６０に電流が流れる。これにより、半導体発光素子６０はパルスレーザ光を出射する。
　（作用）
　本実施形態の半導体発光装置１０Ａの作用について説明する。以下の説明において、半導体発光装置１０Ａから端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）、５２Ａ，５２Ｂを省略した構成を比較例の半導体発光装置とする。
　図１０～図１２は、比較例の半導体発光装置の熱伝達係数と半導体発光素子６０の温度との関係を示している。図１３～図１５は、本実施形態の半導体発光装置１０Ａの熱伝達係数と半導体発光素子６０の温度との関係を示している。図１０～図１５のグラフでは、自然空冷を行った場合と、強制空冷を行った場合と、水冷を行った場合とについての熱伝導解析結果を示している。また、図１０～図１５のグラフでは、スイッチング素子７１を駆動する制御信号の周波数を１０ｋＨｚ、２０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、２００ｋＨｚ、および５００ｋＨｚと変更した場合の熱伝導解析結果を示している。なお、これら熱伝導解析では、スイッチング素子７１をオンする制御信号のパルス幅を２ｎＳとし、半導体発光素子６０のピーク光出力を１５０Ｗとしている。
　図１０～図１２は、比較例の半導体発光装置の基板２０の厚さを変更した場合のグラフである。
　図１０は、比較例の半導体発光装置の基板２０の厚さが０．３ｍｍの場合のグラフである。この場合、比較例の半導体発光装置の半導体発光素子６０から第１裏面側配線４１までの経路（以下、「熱伝導経路」）の熱抵抗は、８０Ｋ／Ｗとなる。図１１は、比較例の半導体発光装置の基板２０の厚さが０．６ｍｍの場合のグラフである。この場合、比較例の半導体発光装置の熱伝導経路の熱抵抗は、１１２Ｋ／Ｗとなる。図１２は、比較例の半導体発光装置の基板２０の厚さが０．８ｍｍの場合のグラフである。この場合、比較例の半導体発光装置の熱伝導経路の熱抵抗は、１３３Ｋ／Ｗとなる。図１０～図１２から分かるとおり、基板２０の厚さが厚くなるにつれて熱伝導経路が長くなるため、熱伝導経路の熱抵抗が高くなる。
　このように、比較例の半導体発光装置では、半導体発光素子６０からの熱は、第１表面側配線３１に加え、第１内部スルーホール５４を介して第１裏面側配線４１に伝達されるが、第１内部スルーホール５４が１個であるため、熱伝導経路における伝熱効率が低い。このため、図１０～図１２に示すとおり、比較例の半導体発光装置においては、半導体発光素子６０の温度を考慮した制御信号の周波数の許容値は、自然空冷で１００ｋＨｚであり、強制空冷で２００ｋＨｚであり、水冷で５００ｋＨｚである。
　図１３は、半導体発光装置１０Ａの基板２０の厚さが０．３ｍｍの場合のグラフである。この場合、半導体発光装置１０Ａの熱伝導経路の熱抵抗は、３３Ｋ／Ｗとなる。図１４は、半導体発光装置１０Ａの基板２０の厚さが０．６ｍｍの場合のグラフである。この場合、半導体発光装置１０Ａの熱伝導経路の熱抵抗は、４０Ｋ／Ｗとなる。図１５は、半導体発光装置１０Ａの基板２０の厚さが０．８ｍｍの場合のグラフである。この場合、半導体発光装置１０Ａの熱伝導経路の熱抵抗は、４６Ｋ／Ｗとなる。
　このように、本実施形態の半導体発光装置１０Ａでは、半導体発光素子６０からの熱が端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに伝達されるので比較例の半導体発光装置よりも熱抵抗が小さくなる。具体的には、半導体発光装置１０Ａの熱抵抗は、比較例の半導体発光装置の熱抵抗と比較して、１／２～１／３に減少する。その結果、図１３～図１５に示すように、比較例の半導体発光装置の半導体発光素子６０と比較して、各制御信号の周波数における半導体発光素子６０の温度が低下する。特に、制御信号の周波数が２００ｋＨｚおよび５００ｋＨｚにおける半導体発光素子６０の温度が大きく低下している。このため、図１３～図１５に示すとおり、半導体発光装置１０Ａにおいては、半導体発光素子６０の温度を考慮した制御信号の周波数の許容値は、自然空冷で１００ｋＨｚであり、強制空冷で５００ｋＨｚであり、水冷で５００ｋＨｚである。つまり、半導体発光装置１０Ａにおいては、強制空冷であれば制御信号の周波数が５００ｋＨｚであったとしても半導体発光素子６０の温度が過度に上昇することを抑制できる。
　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０Ａによれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）半導体発光装置１０Ａは、基板表面２１、基板表面２１とは反対側の基板裏面２２、および基板側面を有する基板２０と、基板表面２１に形成された表面側配線３０と、基板裏面２２に形成された裏面側配線４０と、所定方向に向けて光を出射する発光面としての発光素子側面６３Ａを有し、表面側配線３０に実装された半導体発光素子６０と、を備えている。基板側面は、発光面となる発光素子側面６３Ａと同じ側を向く第１基板側面２３と、第１基板側面２３とは反対側の第２基板側面２４と、を含んでいる。半導体発光素子６０は、第２基板側面２４よりも第１基板側面２３寄りに偏って配置されている。第１基板側面２３には、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通して表面側配線３０と裏面側配線４０とを繋ぐ端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）が設けられている。
　この構成によれば、表面側配線３０に実装された半導体発光素子６０が発生した熱は、表面側配線３０から端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）を介して裏面側配線４０に伝達される。このため、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）が設けられていない場合と比較して、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積が大きくなるため、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に放熱しやすくなる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。
　加えて、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、第１基板側面２３に設けられているため、半導体発光装置１０Ａの外部に露出するように構成されている。このため、半導体発光装置１０Ａの外部に露出しないように表面側配線３０と裏面側配線４０とを繋ぐスルーホールと比較して、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に放熱しやすくなる。したがって、半導体発光装置１０の放熱性をさらに向上させることができる。
　（１－２）基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視て、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、第１基板側面２３のうち半導体発光素子６０と重なる位置とは異なる位置に設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０の発光素子側面６３Ａから出射した光が端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）に当たって散乱することを回避できる。このため、半導体発光装置１０から外部へと出射するレーザ光の効率低下を抑制できる。したがって、この半導体発光装置１０Ａを用いた３次元距離計測のレーザシステムＬＳにおいて測距の検出性能の低下を抑制できる。
　（１－３）基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視て、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、第１基板側面２３に沿う方向であるｘ方向において半導体発光素子６０と隣り合う位置に設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０の近くに端面スルーホール５１（５１Ａ）が設けられることによって、半導体発光素子６０の熱が端面スルーホール５１（５１Ａ）に効率的に伝達できる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。
　（１－４）端面スルーホール５１（５１Ａ）と半導体発光素子６０との間の距離ＤＰＨは、端面スルーホール５１（５１Ａ）の開口幅Ｗよりも小さい。
　この構成によれば、半導体発光素子６０の近くに端面スルーホール５１（５１Ａ）を設けることができる。これにより、半導体発光素子６０の熱が端面スルーホール５１（５１Ａ）に効率的に伝達できる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。
　（１－５）第１基板側面２３には、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）が複数設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積を大きくすることができる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　（１－６）第１基板側面２３に沿う方向であるｘ方向から視て、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、半導体発光素子６０と重なる部分を有している。
　この構成によれば、半導体発光素子６０を第１基板側面２３の近くに配置することができる。したがって、半導体発光素子６０の光が基板２０の基板表面２１に当たることを抑制できる。
　また、ｚ方向から視て、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）が第１基板側面２３のうち半導体発光素子６０と重なる位置とは異なる位置に設けられている場合、半導体発光装置１０Ａのｙ方向（半導体発光装置１０Ａの長辺方向）の大きさを大きくすることなく、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）のサイズを大きくすることができる。したがって、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積を大きくすることができるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。
　（１－７）第１基板側面２３と半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３Ａとの間の距離ＤＰは、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の深さ寸法Ｈよりも小さい。この構成によれば、上記（１－６）と同様の効果が得られる。
　（１－８）端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）には、放熱材５９が埋め込まれている。
　この構成によれば、放熱材５９によって端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）を介する半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積をさらに大きくすることができるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　（１－９）基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視て、基板２０のうち半導体発光素子６０と重なる位置には、表面側配線３０と裏面側配線４０とを繋ぐ内部スルーホール５３（第１内部スルーホール５４）が設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０の放熱の経路が増加するため、半導体発光素子６０の熱がより効率的に裏面側配線４０に伝達される。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　ここで、第１内部スルーホール５４が半導体発光素子６０とキャパシタ７２，７３とのｘ方向の間に設けられた場合、第１内部スルーホール５４によって半導体発光素子６０の第２電極６５から第１表面側配線３１を介したキャパシタ７２，７３への電流の流れが阻害されるおそれがある。これにより、第２電極６５とキャパシタ７２，７３との間の導電経路の寄生インダクタンスが増加するおそれがある。これに対して、本実施形態では、ｚ方向から視て、１個の第１内部スルーホール５４が半導体発光素子６０と重なる位置に設けられている。したがって、半導体発光素子６０への電流の流れが第１内部スルーホール５４によって阻害されることを抑制できる。
　（１－１０）内部スルーホール５３には、放熱材５８が埋め込まれている。
　この構成によれば、放熱材５８によって内部スルーホール５３を介する半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積をさらに大きくすることができるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　（１－１１）半導体発光装置１０Ａは、半導体発光素子６０を発光させる発光素子制御回路７０を備えている。発光素子制御回路７０は、表面側配線３０に実装されている。
　この構成によれば、発光素子制御回路７０が半導体発光装置１０Ａの外部に設けられた構成と比較して、半導体発光素子６０と発光素子制御回路７０との間の配線経路を短くすることができる。これにより、配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（１－１２）発光素子制御回路７０は、表面側配線３０に実装されたキャパシタ７２，７３を有している。キャパシタ７２，７３は、第１基板側面２３に沿う方向であるｘ方向から視て、半導体発光素子６０と重なる位置、かつ端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）よりも第２基板側面２４寄りに配置されている。
　この構成によれば、キャパシタ７２，７３を半導体発光素子６０の近くに配置することができる。これにより、半導体発光素子６０とキャパシタ７２，７３との間の配線経路を短くすることができるため、配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（１－１３）発光素子制御回路７０は、半導体発光素子６０に供給する電流を制御するスイッチング素子７１を有している。ｚ方向から視た半導体発光素子６０の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。スイッチング素子７１は、その長辺が基板２０の長辺（ｙ方向）に沿うように配置されている。スイッチング素子７１は、ｙ方向から視て半導体発光素子６０と重なる位置であって、半導体発光素子６０よりも第２基板側面２４寄りに半導体発光素子６０から間隔をあけて配置されている。キャパシタ７２，７３は、スイッチング素子７１のｘ方向（スイッチング素子７１の短辺に沿う方向）の両側に分散して配置されている。ｚ方向から視たキャパシタ７２，７３の形状は、長辺および短辺を有する矩形状である。キャパシタ７２，７３は、その長辺が基板２０の長辺（ｙ方向）に沿うように配置されている。ｘ方向から視て、キャパシタ７２，７３は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の双方と重なる位置に配置されている。
　この構成によれば、基板２０の短辺に沿う方向であるｘ方向においてスイッチング素子７１およびキャパシタ７２，７３が配列され、かつスイッチング素子７１およびキャパシタ７２，７３のそれぞれの短辺がｘ方向に沿って配列されるため、半導体発光装置１０Ａのｘ方向における小型化を図ることができる。加えて、ｘ方向から視て、キャパシタ７２，７３が半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１の双方と重なる位置に配置されているため、キャパシタ７２，７３がたとえばスイッチング素子７１よりも第１基板側面２３の近くに配置された構成と比較して、半導体発光装置１０Ａのｙ方向における小型化を図ることができる。
　また、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３を互いに近づけて配置することができる。このため、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２を電流が流れるループ状の配線経路と、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７３を電流が流れるループ状の配線経路との双方を短くすることができる。したがって、これら配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（１－１４）キャパシタ７２は、ｘ方向において第３基板側面２５よりもスイッチング素子７１寄りに配置されている。キャパシタ７３は、ｘ方向において第４基板側面２６よりもスイッチング素子７１寄りに配置されている。
　この構成によれば、キャパシタ７２，７３とスイッチング素子７１との間の配線経路を短くすることができる。したがって、配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（１－１５）スイッチング素子７１は、縦型ＭＯＳＦＥＴである。
　この構成によれば、スイッチング素子７１のスイッチング素子表面７１ｓに第１電極７１Ａ、第２電極７１Ｂ、および制御電極７１Ｃが形成される横型ＭＯＳＦＥＴの場合と比較して、キャパシタ７２，７３からスイッチング素子７１を介して半導体発光素子６０に電流が流れる配線経路を短くすることができる。したがって、配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（１－１６）キャパシタ７２，７３は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１に対して対称的に配置されている。
　この構成によれば、キャパシタ７２からスイッチング素子７１および第１ワイヤＷ１を介して半導体発光素子６０に電流が流れる第１配線経路と、キャパシタ７３からスイッチング素子７１および第１ワイヤＷ１を介して半導体発光素子６０に電流が流れる第２配線経路とが、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７１に対して対称的に形成されるようになる。これにより、第１配線経路を流れる電流によって形成される磁束と、第２配線経路を流れる電流によって形成される磁束とが互いに打ち消し合うようになる。したがって、第１配線経路に存在する寄生インダクタンスおよび第２配線経路に存在する寄生インダクタンスの双方を低減することができる。
　（１－１７）表面側配線３０は、スイッチング素子７１が実装される第２表面側配線３２を有している。裏面側配線４０は、基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視て、第２表面側配線３２と重なる位置に配置された第２裏面側配線４２を有している。基板２０の基板側面のうち第１基板側面２３と第２基板側面２４とを結ぶ第３基板側面２５には、第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とを繋ぐ端面スルーホール５２Ａが設けられている。
　この構成によれば、スイッチング素子７１に生じる熱を第２表面側配線３２から端面スルーホール５２Ａを介して第２裏面側配線４２に伝達することができる。したがって、スイッチング素子７１から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積を大きくすることができる。したがって、半導体発光装置１０Ａ放熱性を向上させることができる。
　加えて、端面スルーホール５２Ａは、第３基板側面２５に設けられているため、半導体発光装置１０Ａの外部に露出するように構成されている。このため、半導体発光装置１０Ａの外部に露出しないように第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とを繋ぐスルーホールと比較して、スイッチング素子７１の熱を半導体発光装置１０Ａの外部に伝達しやすくなる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　また、基板２０の基板側面のうち第１基板側面２３と第２基板側面２４とを結ぶ第４基板側面２６には、第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とを繋ぐ端面スルーホール５２Ｂが設けられている。この構成によれば、上記効果と同様の効果が得られる。また、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂが設けられることによって、スイッチング素子７１から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積が大きくなるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　（１－１８）キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａは、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）よりも第２基板側面２４寄りに配置されている。基板２０の厚さ方向であるｚ方向から視た端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅Ｗは、内部スルーホール５３（５４～５７）の直径よりも大きい。
　ｚ方向から視て半導体発光素子６０と重なる位置に設けられた内部スルーホール５３（５４）の直径を大きくすると半導体発光素子６０に供給される電流への影響が大きくなる。一方、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａと半導体発光素子６０との配線経路から外れた位置に設けられているため、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅Ｗを大きくしても半導体発光素子６０に供給される電流への影響を回避できる。このため、半導体発光素子６０に供給される電流への影響を回避しつつ、半導体発光装置１０Ａの放熱性の向上させることができる。
　（１－１９）ｙ方向から視て、キャパシタ７２，７３は、端面スルーホール５１Ａと重なる位置に配置されている。端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅Ｗは、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の深さ寸法Ｈよりも大きい。
　この構成によれば、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の深さ寸法Ｈが小さいため、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａがｘ方向から視て半導体発光素子６０と重なる位置に配置することができる。一方、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅Ｗを大きくすることによって、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）の表面積を大きくすることができる。したがって、半導体発光素子６０とキャパシタ７２，７３との間の配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減しつつ、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。
　［第２実施形態］
　図１６～図２５を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０Ｂおよび半導体発光ユニット２００について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０Ｂは、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと比較して、封止樹脂８０を備えていない点、表面側配線１４０および裏面側配線１５０の構成、およびスイッチング素子７１の電気的な接続態様が異なる。以下の半導体発光装置１０Ｂの説明において、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　図１６に示すように、半導体発光ユニット２００は、ステム９０と、ステム９０に実装された半導体発光装置１０Ｂと、半導体発光装置１０Ｂを囲む包囲部材１３０と、を備えている。ステム９０は、平板状のベース１００と、ベース１００上に立設したヒートシンク１１０と、を含んでいる。半導体発光装置１０Ｂは、ヒートシンク１１０に実装されている。包囲部材１３０は、半導体発光装置１０Ｂとヒートシンク１１０とを囲んでいる。ステム９０および包囲部材１３０を用いて半導体発光装置１０Ｂをパッケージングした構造はＣＡＮパッケージ構造とも呼ばれる。
　ここで、本実施形態における以降の説明では、ベース１００の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をｘ方向およびｙ方向とする。
　包囲部材１３０は、ベース１００上に設けられている。これにより、包囲部材１３０は、半導体発光装置１０Ｂおよびヒートシンク１１０を収容する収容空間ＳＰをベース１００とともに形成している。包囲部材１３０は、ベース１００に固定されている。包囲部材１３０は、ベース１００とともに収容空間ＳＰを中空状態に気密して中空封止構造を形成している。
　図１７に示すように、包囲部材１３０は、キャップ１３１と透光板１３２とを有している。キャップ１３１は、たとえばＦｅ（鉄）またはＦｅ合金等の遮光性を有する金属材料によって形成されている。なお、キャップ１３１を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、キャップ１３１は、透光性を有する樹脂材料またはガラスによって形成されていてもよい。また、包囲部材１３０から透光板１３２を省略してもよい。
　キャップ１３１は、頂部１３１Ａ、筒部１３１Ｂ、およびフランジ部１３１Ｃを有している。本実施形態では、頂部１３１Ａ、筒部１３１Ｂ、およびフランジ部１３１Ｃはたとえば一体に形成されている。なお、頂部１３１Ａ、筒部１３１Ｂ、およびフランジ部１３１Ｃは、個別に形成されていてもよい。この場合、頂部１３１Ａ、筒部１３１Ｂ、およびフランジ部１３１Ｃは、たとえば溶着、接着等によって接合されている。
　筒部１３１Ｂは、たとえばｚ方向に延びる円筒状に形成されている。頂部１３１Ａは、筒部１３１Ｂのｚ方向の両端部のうちベース１００とは反対側の端部に設けられている。頂部１３１Ａには、半導体発光装置１０Ｂから出射された光を通過させる窓部１３１ＡＷが形成されている。ｚ方向から視た窓部１３１ＡＷの形状は、たとえば円形状である。
　フランジ部１３１Ｃは、筒部１３１Ｂのｚ方向の両端部のうちベース１００に近い端部に設けられている。フランジ部１３１Ｃは、たとえば溶接または接合材等によってベース１００に固定されている。
　透光板１３２は、キャップ１３１の頂部１３１Ａに接合材等によって固定されている。これにより、透光板１３２は、窓部１３１ＡＷを塞いでいる。透光板１３２は、たとえば透光性を有する樹脂材料またはガラス等の透明材料によって形成されている。透光板１３２は、窓部１３１ＡＷを通過する光を透過させる。また、透光板１３２は、ベース１００および包囲部材１３０によって囲まれた収容空間ＳＰを封止する封止部材としての役割を果たしている。
　図１８および図１９に示すように、本実施形態では、ステム９０におけるベース１００およびヒートシンク１１０は、一体に形成されている。ステム９０は、たとえばＣｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等の導電材料によって形成されている。つまり、ステム９０は、導電性のベース１００と導電性のヒートシンク１１０とを含んでいるともいえる。なお、ベース１００およびヒートシンク１１０は、個別に形成されていてもよい。この場合、ベース１００を構成する材料と、ヒートシンク１１０を構成する材料とが互いに異なっていてもよい。
　ｚ方向から視たベース１００の形状は、略円形状である。本実施形態では、ベース１００の直径は５．６ｍｍ程度であり、ベース１００の厚さは１．２ｍｍ程度である。なお、ベース１００の直径および厚さはそれぞれ任意に変更可能である。ベース１００は、ｚ方向において互いに反対側を向くベース表面１０１およびベース裏面１０２を有している。
　ヒートシンク１１０は、ベース１００の中心に対してｙ方向に偏った位置に設けられている。ｚ方向から視たヒートシンク１１０の形状は、略扇形状である。ヒートシンク１１０は、ベース１００からｚ方向に延びている。本実施形態では、ベース１００のベース表面１０１からのヒートシンク１１０の高さ（ヒートシンク１１０のｚ方向の大きさ）は、４．４５ｍｍ程度であり、ヒートシンク１１０の厚さ（ヒートシンク１１０のｙ方向の大きさ）は最も厚い部分において０．７５ｍｍ程度である。なお、ヒートシンク１１０の高さおよび厚さはそれぞれ任意に変更可能である。
　ヒートシンク１１０は、平面状の支持面１１１を有している。支持面１１１は、ｘｚ平面と平行な平面である。支持面１１１には、半導体発光装置１０Ｂ（図１６参照）が実装されている。たとえば、半導体発光装置１０Ｂは、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材（図示略）によって支持面１１１に接合されている。このため、本実施形態では、ｙ方向は基板２０の厚さ方向であるといえる。そして、本実施形態では、「ｙ方向から視て」とは、基板２０の厚さ方向から視ることを意味する。
　ベース１００には、ベース１００を厚さ方向（ｚ方向）に貫通する複数の貫通孔が設けられている。本実施形態では、複数の貫通孔としてたとえば３つの貫通孔１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃが設けられている。各貫通孔１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃは、ｙ方向においてベース１００の中心に対してヒートシンク１１０とは反対側に偏った位置に設けられている。ｚ方向から視た各貫通孔１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃの形状は、たとえば略円形状である。本実施形態では、各貫通孔１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃの直径は互いに等しく、たとえば１．０ｍｍ程度である。なお、各貫通孔１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃの直径は任意に変更可能である。
　半導体発光ユニット２００は、半導体発光ユニット２００が回路基板に実装される場合に半導体発光装置１０Ｂと回路基板とを電気的に接続する複数のリードピンを備えている。本実施形態では、複数のリードピンとしてたとえば４本のリードピン１０４Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃ，１０４Ｄを備えている。
　リードピン１０４Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃは、ベース１００を厚さ方向（ｚ方向）に貫通している。より詳細には、リードピン１０４Ａは貫通孔１０３Ａに挿入され、リードピン１０４Ｂは貫通孔１０３Ｂに挿入され、リードピン１０４Ｃは貫通孔１０３Ｃに挿入されている。これら貫通孔１０３Ａ～１０３Ｃの内部には、それぞれリードピン１０４Ａ～１０４Ｃをベース１００に対して電気的に絶縁する絶縁材１０５が充填されている。絶縁材１０５は、たとえば絶縁性の樹脂材料またはガラス材料等によって形成されている。
　各リードピン１０４Ａ～１０４Ｃは、ベース１００のベース表面１０１およびベース裏面１０２の双方からｚ方向に突出している。リードピン１０４Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃは、接続部１０６Ａ，１０６Ｂ，１０６Ｃと端子部１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃとを有している。接続部１０６Ａ～１０６Ｃは、リードピン１０４Ａ～１０４Ｃのうちベース表面１０１からｚ方向に突出した部分であり、半導体発光装置１０Ｂと電気的に接続する部分である。端子部１０７Ａ～１０７Ｃは、リードピン１０４Ａ～１０４Ｃのうちベース裏面１０２からｚ方向に突出した部分であり、半導体発光ユニット２００が回路基板に実装される場合に回路基板に電気的に接続される外部端子を構成している。
　図１７に示すように、リードピン１０４Ｄは、ベース１００のベース裏面１０２からｚ方向に突出している一方、ベース表面１０１からｚ方向に突出していない。リードピン１０４Ｄは、ｚ方向から視て、ヒートシンク１１０と重なる位置に設けられている。リードピン１０４Ｄは、接続部１０６Ｄおよび端子部１０７Ｄを有している。接続部１０６Ｄは、リードピン１０４Ｄのｚ方向の両端部のうちベース１００に近い端部に設けられている。接続部１０６Ｄは、ベース１００に接合されている。つまり、リードピン１０４Ｄは、ベース１００と電気的に接続されている。端子部１０７Ｄは、リードピン１０４Ｄのうち接続部１０６Ｄからｚ方向に突出した部分であり、半導体発光ユニット２００が回路基板に実装される場合に回路基板に電気的に接続される外部端子を構成している。
　図２０に示すように、半導体発光装置１０Ｂにおいては、スイッチング素子７１とリードピン１０４Ａ，１０４Ｂとが第２ワイヤＷ２および第３ワイヤＷ３によって電気的に接続されている。このため、半導体発光装置１０Ｂは、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと比較して、表面側配線３０の第３表面側配線３３および第４表面側配線３４（ともに図３参照）と裏面側配線４０の第３裏面側配線４３および第４裏面側配線４４（ともに図４参照）とが省略された構成となる。これにより、半導体発光装置１０Ｂの基板２０の長辺の大きさ（基板２０のｚ方向の大きさ）は、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａの基板２０の長辺の大きさ（基板２０のｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　半導体発光装置１０Ｂの半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３の配置態様および電気的な接続態様は、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと同じである。半導体発光装置１０Ｂでは、基板２０の基板表面２１には、表面側絶縁層１４４が設けられている。表面側絶縁層１４４は、基板表面２１の全体を覆うように形成されている。つまり、表面側絶縁層１４４は、表面側配線１４０を覆っている。一方、表面側絶縁層１４４のうち半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３が実装される箇所には、表面側配線１４０が露出する開口部が設けられている。表面側絶縁層１４４は、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁材料によって形成されている。
　半導体発光装置１０Ｂの基板２０では、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａの基板２０よりもｘ方向の長さが小さくなっている。たとえば、半導体発光装置１０Ｂでは、キャパシタ７２と第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＢ１は、キャパシタ７２とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１と等しい。キャパシタ７３と第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＢ２は、キャパシタ７３とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２と等しい。ここで、距離ＤＢ１と距離ＤＳＣ１との差がたとえば距離ＤＳＣ１の１０％以内であれば、距離ＤＢ１が距離ＤＳＣ１と等しいといえる。距離ＤＢ２と距離ＤＳＣ２との差がたとえば距離ＤＳＣ２の１０％以内であれば、距離ＤＢ２が距離ＤＳＣ２と等しいといえる。この構成によれば、キャパシタ７２，７３がスイッチング素子７１に隣り合うように配置することができ、かつ基板２０のｘ方向の小型化を図ることができる。
　なお、距離ＤＢ１は距離ＤＳＣ１よりも大きくてもよい。一例では、距離ＤＢ１は、距離ＤＳＣ１よりも大きくかつ距離ＤＳＣ１の２倍以下である。また、距離ＤＢ２は距離ＤＳＣ２よりも大きくてもよい。一例では、距離ＤＢ２は、距離ＤＳＣ２よりも大きくかつ距離ＤＳＣ２の２倍以下である。この構成によっても、キャパシタ７２，７３がスイッチング素子７１に隣り合うように配置することができ、かつ基板２０のｘ方向の小型化を図ることができる。
　また、距離ＤＢ１は距離ＤＳＣ１よりも小さくてもよい。距離ＤＢ２は距離ＤＳＣ２よりも小さくてもよい。この構成によれば、キャパシタ７２，７３がスイッチング素子７１に隣り合うように配置することができ、かつ基板２０のｘ方向のさらなる小型化を図ることができる。
　図２１は、基板２０の平面図を示している。図２１では、説明の便宜上、表面側絶縁層１４４を省略して示し、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、およびキャパシタ７２，７３を二点鎖線によって示している。
　図２１に示すように、表面側配線１４０は、第１表面側配線１４１、第２表面側配線１４２、および外部接続配線１４３を含んでいる。第１表面側配線１４１は、第１実施形態の第１表面側配線３１と同様の形状および配置態様であるため、その詳細な説明を省略する。
　第２表面側配線１４２は、ｚ方向において第１表面側配線１４１と隣り合う位置に配置されている。ｚ方向において、第２表面側配線１４２は、基板表面２１において第１基板側面２３よりも第２基板側面２４寄りに配置されている。第２表面側配線１４２のうち第４基板側面２６かつ第２基板側面２４寄りの部分には、窪み部１４２Ａが形成されている。窪み部１４２Ａは、ｚ方向から視て、キャパシタ７３と重なる位置に形成されている。
　外部接続配線１４３は、第２表面側配線１４２の窪み部１４２Ａに入り込むように形成されている。外部接続配線１４３は、第４ワイヤＷ４（図２０参照）によってリードピン１０４Ｃと電気的に接続されている。図２０に示すように、表面側絶縁層１４４には、外部接続配線１４３を露出する開口部が形成されている。第４ワイヤＷ４は、表面側絶縁層１４４の開口部を介して外部接続配線１４３に接続されている。ｙ方向から視た外部接続配線１４３は、ｚ方向が長辺となり、ｘ方向が短辺となる矩形状である。
　図２２は、基板２０の裏面図を示している。図２２では、説明の便宜上、裏面側絶縁層４５を省略して示している。
　図２２に示すように、裏面側配線１５０は、第１裏面側配線１５１および第２裏面側配線１５２を含んでいる。
　第１裏面側配線１５１は、第１表面側配線１４１および外部接続配線１４３（ともに図２１参照）の双方と電気的に接続される配線である。つまり、第１裏面側配線１５１は、半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）およびキャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａ（ともに図２０参照）と電気的に接続される配線である。ｙ方向から視た第１裏面側配線１５１の形状は、基板裏面２２の外周部のうち第１基板側面２３、第３基板側面２５、および第４基板側面２６に沿って延びる凹形状である。ｙ方向から視た第１裏面側配線１５１の形状は、第２基板側面２４を開口する凹形状であるともいえる。ｙ方向から視て、第１裏面側配線１５１は、第１表面側配線１４１および外部接続配線１４３の双方と重なる位置に配置されており、かつ第２表面側配線１４２（図２１参照）と部分的に重なるように形成されている。ｙ方向から視た第１裏面側配線１５１の面積は、ｙ方向から視た第１表面側配線１４１の面積よりも大きい。さらに、ｙ方向から視た第１裏面側配線１５１の面積は、ｙ方向から視た第１表面側配線１４１の面積と外部接続配線１４３の面積の合計よりも大きい。
　第２裏面側配線１５２は、第２表面側配線１４２と電気的に接続される配線である。つまり、第２裏面側配線１５２は、スイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）と電気的に接続される配線である。第２裏面側配線１５２は、凹形状となる第１裏面側配線１５１に入り込んでいる。ｙ方向から視て、第２裏面側配線１５２は、スイッチング素子７１と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視た第２裏面側配線１５２の面積は、ｙ方向から視た第１裏面側配線１５１の面積よりも小さい。
　図２３に示すように、裏面側絶縁層４５は、第１裏面側配線１５１を覆っている。一方、裏面側絶縁層４５には、第２裏面側配線１５２を露出する開口部４５Ａが設けられている。図２２の破線にて示すように、開口部４５Ａは、第２裏面側配線１５２の外周部以外を開口している。換言すると、裏面側絶縁層４５は、第２裏面側配線１５２の外周部を覆っている。
　図示していないが、開口部４５Ａを介して第２裏面側配線１５２には、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材が塗布されている。導電性接合材は、第２裏面側配線１５２とヒートシンク１１０の支持面１１１（図１８参照）とを接合している。これにより、半導体発光装置１０Ｂが支持面１１１に搭載される。また、導電性接合材によって第２裏面側配線１５２とヒートシンク１１０とが電気的に接続されている。一方、裏面側絶縁層４５は第１裏面側配線１５１を覆っているため、第１裏面側配線１５１とヒートシンク１１０とは絶縁されている。
　図２１および図２２に示すように、半導体発光装置１０Ｂは、表面側配線１４０と裏面側配線１５０とを繋ぐ内部スルーホール１６０を備えている。ｙ方向から視て、内部スルーホール１６０は、基板２０の第１～第４基板側面２３～２６よりも内方に設けられている。内部スルーホール１６０は、第１内部スルーホール１６１、第２内部スルーホール１６２、および第３内部スルーホール１６３を含んでいる。
　本実施形態では、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３のｙ方向から視た形状は、円形である。つまり、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３は、円筒状に形成されている。また、本実施形態では、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の大きさ（第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の直径）は互いに等しい。ここで、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の大きさの差の最大値がたとえば第１内部スルーホール１６１の大きさの１０％以内であれば、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の大きさが互いに等しいといえる。
　第１～第３内部スルーホール１６１～１６３は、導電材料（本実施形態ではＣｕ）によって形成されている。図２３および図２４に示すように、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の内部には、放熱材１６４が埋め込まれている。放熱材１６４は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の内部を埋めるように設けられている。放熱材１６４は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材１６４は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６４と同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材１６４を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材１６４は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３を構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材１６４は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　図２１および図２３に示すように、第１内部スルーホール１６１は、第１表面側配線１４１と第１裏面側配線１５１とを繋ぐ配線である。第１内部スルーホール１６１によって第１表面側配線１４１と第１裏面側配線１５１とが電気的に接続されている。本実施形態では、第１内部スルーホール１６１は１個である。ｙ方向から視て、第１内部スルーホール１６１は、半導体発光素子６０と重なる位置に配置されている。
　第２内部スルーホール１６２は、第２表面側配線１４２と第２裏面側配線１５２とを繋ぐ配線である。第２内部スルーホール１６２によって第２表面側配線１４２と第２裏面側配線１５２とが電気的に接続されている。第２内部スルーホール１６２は、複数（本実施形態では６個）設けられている。ｙ方向から視て、各第２内部スルーホール１６２は、スイッチング素子７１と重なる位置に配置されている。
　図２１および図２４に示すように、第３内部スルーホール１６３は、外部接続配線１４３と第１裏面側配線１５１とを繋ぐ配線である。第３内部スルーホール１６３によって外部接続配線１４３と第１裏面側配線１５１とが電気的に接続されている。第３内部スルーホール１６３は１個である。本実施形態では、第３内部スルーホール１６３は、ｚ方向において外部接続配線１４３のうち第１基板側面２３寄りに配置されている。
　なお、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３のそれぞれの個数は任意に変更可能である。また、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３のそれぞれのｚ方向から視た形状は任意に変更可能である。たとえば、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３のｙ方向から視た形状が互いに異なっていてもよい。また、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３のそれぞれの大きさは任意に変更可能である。たとえば、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の大きさは互いに異なっていてもよい。
　図２０に示すように、基板２０の第１基板側面２３には、基板２０の厚さ方向であるｙ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール１７０が設けられている。端面スルーホール１７０は、第１表面側配線１４１と第１裏面側配線１５１（図２２参照）とを繋いでいる。
　端面スルーホール１７０は、ｙ方向から視て、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向けてｚ方向に凹む凹形状に形成されている。ｙ方向から視た端面スルーホール１７０の形状は、湾曲凹状である。本実施形態では、ｙ方向から視た端面スルーホール１７０の形状は半円状である。第１基板側面２３とともに第１表面側配線１４１および第１裏面側配線１５１の双方には、半円状の凹部が形成されている。第１基板側面２３、第１表面側配線１４１、および第１裏面側配線１５１のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面には、導電材料によって形成された接続配線としての端面スルーホール１７０が設けられている。端面スルーホール１７０は、上記半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。端面スルーホール１７０の開口端１７０ｕは、第１基板側面２３と対応する部分では第１基板側面２３と面一となり、第１表面側配線１４１と対応する部分では第１表面側配線１４１と面一となり、第１裏面側配線１５１と対応する部分では第１裏面側配線１５１と面一となる。このように、本実施形態では、端面スルーホール１７０のｙ方向の両端部には、段差部が設けられている。端面スルーホール１７０を構成する導電材料としては、たとえばＣｕが用いられる。つまり、端面スルーホール１７０を構成する材料は、内部スルーホール１６０（図２２参照）を構成する材料と同じである。なお、端面スルーホール１７０を構成する導電材料は、任意に変更可能である。
　図２５に示すように、本実施形態では、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡは、端面スルーホール１７０の深さ寸法ＨＡよりも大きい。ここで、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡは、ｙ方向から視て、端面スルーホール１７０の開口端１７０ｕにおけるｘ方向の間の距離によって定義できる。端面スルーホール１７０の深さ寸法ＨＡは、端面スルーホール１７０の開口端１７０ｕと端面スルーホール１７０の側面１７０ｂとのｚ方向の間の最大距離によって定義できる。本実施形態では、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡは、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３（図２２参照）の外径よりも大きい。また、端面スルーホール１７０の深さ寸法ＨＡは、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の外径以上である。
　半導体発光装置１０Ｂでは、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡは、たとえば半導体発光素子６０のｘ方向の大きさよりも大きい。なお、開口幅ＷＡの大きさは任意に変更可能である。一例では、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡは、半導体発光素子６０のｘ方向の大きさ以下であってもよい。
　端面スルーホール１７０は、複数（本実施形態では２個）設けられている。本実施形態では、２個の端面スルーホール１７０は、互いに同一形状および同一サイズである。２個の端面スルーホール１７０は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、２個の端面スルーホール１７０は、基板２０のｘ方向の中央においてｚ方向に沿って延びる中心線ＣＬＡに対して対称に配置されている。本実施形態では、２個の端面スルーホール１７０のｘ方向の間の距離ＤＨＡは、第３基板側面２５寄りの端面スルーホール１７０と第３基板側面２５とのｘ方向の間の距離ＤＨＬよりも大きい。また、距離ＤＨＡは、第４基板側面２６寄りの端面スルーホール１７０と第４基板側面２６とのｘ方向の間の距離ＤＨＲよりも大きい。
　距離ＤＨＡは、半導体発光素子６０のｘ方向の大きさよりも大きい。距離ＤＨＡは、キャパシタ７２，７３のそれぞれのｘ方向の大きさよりも大きく、スイッチング素子７１（図２０参照）のｘ方向の大きさよりも小さい。
　ｚ方向から視て、２個の端面スルーホール１７０は、半導体発光素子６０と重なる位置とは異なる位置に設けられている。より詳細には、ｙ方向から視て、２個の端面スルーホール１７０は、半導体発光素子６０のｘ方向の両側に分散して配置されている。ｙ方向から視て、各端面スルーホール１７０は、半導体発光素子６０とｘ方向に隣り合う位置に配置されている。本実施形態では、端面スルーホール１７０と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離ＤＰＨＡは、端面スルーホール１７０の開口幅ＷＡよりも小さい。また、距離ＤＰＨＡは、半導体発光素子６０のｘ方向の大きさよりも小さい。ここで、距離ＤＰＨＡは、ｙ方向から視て、端面スルーホール１７０の側面１７０ｂと半導体発光素子６０とのｘ方向の間の距離によって定義できる。距離ＤＰＨＡは、端面スルーホール１７０と半導体発光素子６０とのｘ方向の間の最小距離であるともいえる。
　端面スルーホール１７０は、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、半導体発光素子６０と重なる部分を有している。つまり、端面スルーホール１７０の側面１７０ｂは、半導体発光素子６０の発光素子側面６３Ａよりも第２基板側面２４寄り（スイッチング素子７１寄り）に位置する部分を含んでいる。換言すると、第１基板側面２３と半導体発光素子６０の発光素子側面６３Ａ（発光面）とのｚ方向の間の距離ＤＰＡは、端面スルーホール１７０の深さ寸法ＨＡよりも小さい。ここで、距離ＤＰＡは、半導体発光素子６０から出射した光が基板２０の基板表面２１に当たらないような距離に設定されている。
　２個の端面スルーホール１７０とスイッチング素子７１およびキャパシタ７２，７３との配置関係は、第１実施形態の２個の端面スルーホール５１Ａとスイッチング素子７１およびキャパシタ７２，７３との配置関係と同様である。このため、２個の端面スルーホール１７０とスイッチング素子７１およびキャパシタ７２，７３との配置関係の詳細な説明は省略する。
　各端面スルーホール１７０の外径ＲＨＡは、半導体発光素子６０とキャパシタ７２とのｘ方向の間の距離ＤＰＣＡ以上である。本実施形態では、各端面スルーホール１７０の外径ＲＨＡは、半導体発光素子６０とキャパシタ７２とのｘ方向の間の距離ＤＰＣＡよりも大きい。
　各端面スルーホール１７０の外径ＲＨＡは、半導体発光素子６０とキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離ＤＰＣＢ以上である。本実施形態では、各端面スルーホール１７０の外径ＲＨＡは、半導体発光素子６０とキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離ＤＰＣＢよりも大きい。
　各端面スルーホール１７０には、放熱材１７１が埋め込まれている。放熱材１７１は、各端面スルーホール１７０の開口端１７０ｕの端面と面一となるように設けられている。放熱材１７１のｙ方向の両端部には、各端面スルーホール１７０の開口端１７０ｕと同様に段差部が設けられている。ｙ方向から視た放熱材１７１の形状は、略半円状である。放熱材１７１のｙ方向の大きさは、各端面スルーホール１７０のｙ方向の大きさと等しい。
　放熱材１７１は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材１７１は、各端面スルーホール１７０と同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材１７１を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材１７１は、端面スルーホール１７０を構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材１７１は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　本実施形態では、第１実施形態とは異なり、第３基板側面２５および第４基板側面２６に端面スルーホールが設けられていない。つまり、基板２０に設けられた端面スルーホールは、第１表面側配線１４１と第１裏面側配線１５１とを繋ぐ端面スルーホール１７０であり、第３基板側面２５および第４基板側面２６には設けられず、第１基板側面２３にのみ形成されている。この場合、第２表面側配線１４２と第２裏面側配線１５２とは、第２内部スルーホール１６２によって電気的に接続されている。
　次に、半導体発光装置１０Ｂとリードピン１０４Ａ～１０４Ｄとの接続構成について説明する。
　図２０に示すとおり、第２ワイヤＷ２は、スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂ（ソース電極）のｚ方向の両端部のうちリードピン１０４Ａに近い方の端部と、リードピン１０４Ａの接続部１０６Ａとを接続している。これにより、スイッチング素子７１の第２電極７１Ｂとリードピン１０４Ａとが電気的に接続されている。このため、リードピン１０４Ａの端子部１０７Ａは、ソース端子を構成しているといえる。
　第３ワイヤＷ３は、スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃ（ゲート電極）と、リードピン１０４Ｂの接続部１０６Ｂとを接続している。これにより、スイッチング素子７１の制御電極７１Ｃとリードピン１０４Ｂとが電気的に接続されている。このため、リードピン１０４Ｂの端子部１０７Ｂは、ゲート端子を構成しているといえる。
　第４ワイヤＷ４は、外部接続配線１４３とリードピン１０４Ｃの接続部１０６Ｃとを接続している。外部接続配線１４３は、第３内部スルーホール１６３、第１裏面側配線１５１、および第１表面側配線１４１を介して半導体発光素子６０の第２電極６５（カソード電極）と電気的に接続されている。このため、リードピン１０４Ｃの端子部１０７Ｃは、カソード端子を構成しているといえる。
　第２裏面側配線１５２は、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材（図示略）によってヒートシンク１１０に接続されている。ヒートシンク１１０は、ベース１００を介してリードピン１０４Ｄと電気的に接続されているため、第２裏面側配線１５２はリードピン１０４Ｄと電気的に接続されている。第２裏面側配線１５２はスイッチング素子７１の第１電極７１Ａ（ドレイン電極）と電気的に接続されている。このため、リードピン１０４Ｄの端子部１０７Ｄは、ドレイン端子を構成しているといえる。
　以上説明した半導体発光装置１０ＢがレーザシステムＬＳ（図９）に適用される場合、駆動電源ＤＶ、電流制限抵抗Ｒ、ダイオードＤ、およびドライバ回路ＰＭと半導体発光装置１０Ｂとの電気的な接続構成は、第１実施形態の駆動電源ＤＶ、電流制限抵抗Ｒ、ダイオードＤ、およびドライバ回路ＰＭと半導体発光装置１０Ａとの電気的な接続構成と同様である。
　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０Ｂおよび半導体発光ユニット２００によれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
　（２－１）半導体発光ユニット２００は、半導体発光装置１０Ｂと、ステム９０と、包囲部材１３０と、を備えている。ステム９０は、導電性のベース１００と、ベース１００上に立設する導電性のヒートシンク１１０と、を有している。半導体発光装置１０Ｂは、ヒートシンク１１０に搭載されている。包囲部材１３０は、半導体発光装置１０Ｂとヒートシンク１１０とを囲むようにベース１００上に設けられている。半導体発光装置１０Ｂは、ヒートシンク１１０に搭載された基板２０と、基板２０上に実装された半導体発光素子６０および発光素子制御回路７０と、を有している。発光素子制御回路７０は、半導体発光素子６０への電流の供給を制御するスイッチング素子７１を有している。スイッチング素子７１は、縦型ＭＯＳＦＥＴとして設けられている。
　この構成によれば、スイッチング素子７１が横型ＭＯＳＦＥＴの場合と比較して、スイッチング素子７１の配線経路を短くすることができる。したがって、ステム９０に搭載される半導体発光装置１０Ｂの小型化を図ることができる。加えて、スイッチング素子７１が横型ＭＯＳＦＥＴの場合と比較して、キャパシタ７２，７３、スイッチング素子７１、および半導体発光素子６０によって形成される電流の配線経路を短くすることができる。これにより、配線経路に生じる寄生インダクタンスを低減することができる。
　（２－２）半導体発光ユニット２００は、複数のリードピン１０４Ａ～１０４Ｄによって、半導体発光ユニット２００が実装される回路基板と電気的に接続される。
　この構成によれば、リードピン１０４Ａ～１０４Ｄを介して回路基板に設けられたドライバ回路ＰＭによって半導体発光装置１０Ｂを制御することができる。また、半導体発光装置１０Ｂから回路基板への放熱経路をリードピン１０４Ａ～１０４Ｄによって形成することができる。
　（２－３）リードピン１０４Ｄは、ベース１００に固定されるとともに、ベース１００、ヒートシンク１１０、第２裏面側配線１５２、第２内部スルーホール１６２、および第２表面側配線１４２を介してスイッチング素子７１に電気的に接続されている。
　この構成によれば、スイッチング素子７１において発生した熱が第２表面側配線１４２、第２内部スルーホール１６２、第２裏面側配線１５２、ヒートシンク１１０、ベース１００、およびリードピン１０４Ｄを経て半導体発光ユニット２００の外部に放出される。これにより、スイッチング素子７１から半導体発光装置１０Ｂの外部に伝熱する伝熱経路の体積が大きくなるため、半導体発光装置１０Ｂの放熱性をさらに向上させることができる。
　［第３実施形態］
　図２６～図３１を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０Ｃについて説明する。本実施形態の半導体発光装置１０Ｃは、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと比較して、基板および内部スルーホールの構成が異なる。以下の半導体発光装置１０Ｃの説明において、第１実施形態の半導体発光装置１０Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。なお、説明の便宜上、図２６および図２７では、裏面側絶縁層４５および後述する中間絶縁層３０５を省略して示している。また、図２７では、説明の便宜上、封止樹脂８０を省略して示している。
　図２６に示すように、半導体発光装置１０Ｃの基板２０は、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂを有している。基板２０の厚さ方向（ｚ方向）において、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂは互いに積層されている。表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂの双方は、絶縁性の材料によって形成されている。本実施形態では、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂの双方は、ガラスエポキシ樹脂を含む材料によって形成されている。
　表面側基板２０Ａは、基板２０の基板表面２１を構成する基板である。図２７に示すように、表面側基板２０Ａは、ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１Ａおよび基板裏面２２Ａを有している。つまり、基板表面２１Ａは、基板２０の基板表面２１を構成している。このため、表面側基板２０Ａの基板表面２１Ａには、表面側配線３０が形成されている。図２８に示すとおり、本実施形態では、表面側配線３０は、第１実施形態と同様に第１～第４表面側配線３１～３４を有している。
　図２７に示すように、裏面側基板２０Ｂは、基板２０の基板裏面２２を構成する基板である。裏面側基板２０Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１Ｂおよび基板裏面２２Ｂを有している。つまり、基板裏面２２Ｂは、基板２０の基板裏面２２を構成している。このため、裏面側基板２０Ｂの基板裏面２２Ｂには、裏面側配線４０が形成されている。図３０に示すとおり、本実施形態では、裏面側配線４０は、第１実施形態と同様に第１～第４裏面側配線４１～４４を有している。
　図２６、図２７、および図２９に示すように、半導体発光装置１０Ｃは、表面側基板２０Ａと裏面側基板２０Ｂとに挟み込まれた中間配線３００および中間絶縁層３０５を備えている。中間配線３００は、表面側配線３０および裏面側配線４０と同じ材料によって形成されている。中間配線３００は、ＣｕまたはＣｕ合金によって形成されている。
　図２９に示すように、中間配線３００は、第１中間配線３０１、第２中間配線３０２、第３中間配線３０３、および第４中間配線３０４を有している。本実施形態では、第１～第４中間配線３０１～３０４は、第１～第４裏面側配線４１～４４と同一形状である。図２８～図３０に示すように、第１中間配線３０１は、ｚ方向から視て第１裏面側配線４１および第１表面側配線３１の双方と重なる位置に設けられている。第２中間配線３０２は、ｚ方向から視て第２裏面側配線４２と重なる位置に設けられている。第３中間配線３０３は、ｚ方向から視て第３裏面側配線４３および第３表面側配線３３の双方と重なる位置に設けられている。第４中間配線３０４は、ｚ方向から視て第４裏面側配線４４および第４表面側配線３４の双方と重なる位置に配置されている。
　中間絶縁層３０５は、裏面側基板２０Ｂの基板表面２１Ｂのうち中間配線３００以外の領域を覆っている。中間絶縁層３０５は、表面側基板２０Ａの基板裏面２２Ａと接している。中間絶縁層３０５は、表面側基板２０Ａまたは裏面側基板２０Ｂと同時に形成される。中間絶縁層３０５を構成する材料は、たとえば裏面側絶縁層４５を構成する材料と同じである。
　図２８、図２９、および図３１に示すように、半導体発光装置１０Ｃは、第１～第４内部スルーホール５４～５７に加え、第５内部スルーホール３１０を備えている。ここで、第５内部スルーホール３１０は、「基板の厚さ方向から視て第１内部スルーホールとは異なる位置において裏面側基板を貫通するとともに中間配線と裏面側配線とを繋ぐ第２内部スルーホール」に対応している。
　第５内部スルーホール３１０は、第１中間配線３０１と第１裏面側配線４１とを繋ぐ配線である。第５内部スルーホール３１０によって第１中間配線３０１と第１裏面側配線４１とが電気的に接続されている。第５内部スルーホール３１０は、裏面側基板２０Ｂを貫通するように設けられている。図３１に示すように、第５内部スルーホール３１０は、表面側基板２０Ａよりも基板裏面２２寄りに配置されている。第５内部スルーホール３１０のｚ方向の大きさは、第１内部スルーホール５４のｚ方向の大きさよりも小さい。
　図２８～図３０に示すように、ｚ方向から視た第５内部スルーホール３１０の形状は、円形である。第５内部スルーホール３１０の直径は、第１～第４内部スルーホール５４～５７の直径と等しい。ここで、第５内部スルーホール３１０の直径と第１～第４内部スルーホール５４～５７の直径との差の最大値が第５内部スルーホール３１０の直径の１０％以内であれば、第５内部スルーホール３１０の直径が第１～第４内部スルーホール５４～５７の直径と等しいといえる。
　第５内部スルーホール３１０は複数（本実施形態では６個）設けられている。ｚ方向から視て、複数の第５内部スルーホール３１０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、第５内部スルーホール３１０は、ｘ方向において第１内部スルーホール５４の両側に３個ずつ設けられている。複数の第５内部スルーホール３１０は、ｙ方向において第１内部スルーホール５４よりも第２基板側面２４寄りに設けられている。図２８に示すように、ｚ方向から視て、複数の第５内部スルーホール３１０の１個は、キャパシタ７２と重なる位置に配置されている。ｚ方向から視て、複数の第５内部スルーホール３１０の別の１個は、キャパシタ７３と重なる位置に配置されている。本実施形態では、第５内部スルーホール３１０を構成する材料は、第１～第４内部スルーホール５４～５７を構成する材料と同じである。なお、第５内部スルーホール３１０を構成する材料は任意に変更可能である。たとえば、第５内部スルーホール３１０を構成する材料は、第１～第４内部スルーホール５４～５７を構成する材料と異なっていてもよい。
　第５内部スルーホール３１０の内部には、放熱材３１１が設けられている。放熱材３１１は、第５内部スルーホール３１０の内部を埋めるように設けられている。放熱材３１１は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材３１１は、第５内部スルーホール３１０と同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材３１１を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材３１１は、第５内部スルーホール３１０を構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材３１１は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　図２８～図３０に示すように、基板２０の第１基板側面２３には、第１実施形態と同様に、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂが設けられている。本実施形態では、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂは、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂの双方を基板２０の厚さ方向であるｚ方向に貫通するとともに第１表面側配線３１、第１中間配線３０１、および第１裏面側配線４１を繋いでいる。本実施形態では、表面側基板２０Ａの第１基板側面２３、裏面側基板２０Ｂの第１基板側面２３、第１表面側配線３１、第１中間配線３０１、および第１裏面側配線４１のそれぞれに半円状の凹部が形成されている。端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂは、表面側基板２０Ａの第１基板側面２３、裏面側基板２０Ｂの第１基板側面２３、第１表面側配線３１、第１中間配線３０１、および第１裏面側配線４１のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。
　基板２０の第３基板側面２５および第４基板側面２６の双方には、第１実施形態と同様に、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通する端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂが設けられている。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂは、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂの双方を基板２０の厚さ方向であるｚ方向に貫通するとともに第２表面側配線３２、第２中間配線３０２、および第２裏面側配線４２を繋いでいる。
　本実施形態では、表面側基板２０Ａの第３基板側面２５、裏面側基板２０Ｂの第３基板側面２５、第２表面側配線３２、第２中間配線３０２、および第２裏面側配線４２のそれぞれに半円状の凹部が形成されている。端面スルーホール５２Ａは、表面側基板２０Ａの第３基板側面２５、裏面側基板２０Ｂの第３基板側面２５、第２表面側配線３２、第２中間配線３０２、および第２裏面側配線４２のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。
　本実施形態では、表面側基板２０Ａの第４基板側面２６、裏面側基板２０Ｂの第４基板側面２６、第２表面側配線３２、第２中間配線３０２、および第２裏面側配線４２のそれぞれに半円状の凹部が形成されている。端面スルーホール５２Ｂは、表面側基板２０Ａの第４基板側面２６、裏面側基板２０Ｂの第４基板側面２６、第２表面側配線３２、第２中間配線３０２、および第２裏面側配線４２のそれぞれの半円状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。
　本実施形態における端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの形状、サイズ、および配置態様は、第１実施形態の端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂ（図３参照）と同様である。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの形状、サイズ、および配置態様は、第１実施形態の端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂと同様である。
　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０Ｃによれば、第１実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（３－１）基板２０は、表面側配線３０が形成された表面側基板２０Ａと、裏面側配線４０が形成された裏面側基板２０Ｂと、を有している。半導体発光装置１０Ｃは、表面側基板２０Ａと裏面側基板２０Ｂとに挟み込まれた中間配線３００を備えている。端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）は、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂの双方を基板２０の厚さ方向において貫通するとともに表面側配線３０（第１表面側配線３１）、中間配線３００（第１中間配線３０１）、および裏面側配線４０（第１裏面側配線４１）を繋いでいる。
　この構成によれば、半導体発光素子６０によって発生した熱は、端面スルーホール５１（５１Ａ，５１Ｂ）から中間配線３００（第１中間配線３０１）に移動する場合がある。中間配線３００（第１中間配線３０１）の熱は、第５内部スルーホール３１０を介して裏面側配線４０（第１裏面側配線４１）に移動する。これにより、半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ｃの外部に伝熱する伝熱経路の体積を大きくすることができる。したがって、半導体発光装置１０Ｃの放熱性を向上させることができる。また、半導体発光素子６０によって発生した熱は、中間配線３００（第１中間配線３０１）から端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに移動する場合がある。これにより、半導体発光装置１０Ｃの放熱性を向上させることができる。
　（３－２）半導体発光装置１０Ｃは、第１内部スルーホール５４と、第１中間配線３０１と第１裏面側配線４１とを繋ぐ第５内部スルーホール３１０と、を備えている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０から第１裏面側配線４１への放熱経路が増えるため、半導体発光装置１０Ｃの放熱性を向上させることができる。
　ところで、半導体発光装置１０Ｃにおけるスイッチング素子７１、キャパシタ７２，７３、および半導体発光素子６０のループ状の配線経路は、キャパシタ７２，７３の第１電極７２Ａ，７３Ａ、第１表面側配線３１、半導体発光素子６０、スイッチング素子７１、キャパシタ７２，７３の第２電極７２Ｂ，７３Ｂによって形成される。このため、第１中間配線３０１は、上記ループ状の配線経路から外れている。第５内部スルーホール３１０は、上記ループ状の配線経路から外れた位置に設けられている。したがって、半導体発光素子６０への電流の流れを阻害せずに半導体発光装置１０Ｃの放熱性を向上させることができる。
　（３－３）第５内部スルーホール３１０は複数設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子６０から第１裏面側配線４１への放熱経路がさらに増えるため、半導体発光装置１０Ｃの放熱性をさらに向上させることができる。
　（３－４）第５内部スルーホール３１０は、ｚ方向から視てキャパシタ７２，７３と重なる位置に配置されている。
　この構成によれば、第５内部スルーホール３１０は、ｚ方向から視て、スイッチング素子７１、キャパシタ７２，７３、および半導体発光素子６０のループ状の配線経路と重なる位置に設けられている。しかし、第５内部スルーホール３１０は、第１表面側配線３１に設けられていないため、ｚ方向から視て上記ループ状の配線経路と重なる位置に設けられたとしても上記ループ状の配線経路の電流の流れを阻害しない。このため、第５内部スルーホール３１０の配置の自由度を高めることができる。
　［変更例］
　上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。なお、変更例を説明するための図３２～図３６では、便宜上、第１ワイヤＷ１および封止樹脂８０を省略して示している。
　・第１実施形態において、端面スルーホール５１の配置位置、サイズ、形状等は任意に変更可能である。
　第１例では、図３２に示すように、端面スルーホール５１は、第３基板側面２５および第４基板側面２６にも設けられていてもよい。便宜上、第３基板側面２５に設けられた端面スルーホール５１を「端面スルーホール５１Ｃ」とし、第４基板側面２６に設けられた端面スルーホール５１を「端面スルーホール５１Ｄ」とする。端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄは、第１表面側配線３１と第１裏面側配線４１とを繋いでいる。端面スルーホール５１Ｃは、ｘ方向から視て、キャパシタ７２の第１電極７２Ａと重なる位置に設けられている。端面スルーホール５１Ｄは、ｘ方向から視て、キャパシタ７３の第１電極７３Ａと重なる位置に設けられている。つまり、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄは、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂよりも第２基板側面２４寄りに設けられている。図示された例においては、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄのサイズおよび形状は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂと同じである。また、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄを構成する材料は、たとえばＣｕである。端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄを構成する材料は、たとえば端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂを構成する材料と同じである。
　図示された例においては、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄには、放熱材５９が埋め込まれている。端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄに埋め込まれた放熱材５９のサイズおよび形状は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに埋め込まれた放熱材５９のサイズおよび形状と同じである。また、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料は、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに埋め込まれた放熱材５９を構成する材料と同じである。
　この構成によれば、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄによって半導体発光素子６０の熱を基板２０の外部に放出する経路が増えるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。加えて、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄに埋め込まれた放熱材５９によって半導体発光素子６０から半導体発光装置１０Ａの外部に伝熱する伝熱経路の体積を増加させることができるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。
　なお、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄのサイズは任意に変更可能である。一例では、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄの開口幅ＷＢは、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの開口幅Ｗよりも大きくてもよい。また、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄの深さ寸法ＨＢは、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂの深さ寸法Ｈよりも深くてもよい。
　第１例において、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄに埋め込まれた放熱材５９のうち少なくとも１つを省略してもよい。
　また、第１例において、２個の端面スルーホール５１Ｂを省略してもよい。この場合、端面スルーホール５１は、２個の端面スルーホール５１Ａおよび端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄを含んでいる。
　また、第１例において、２個の端面スルーホール５１Ａを省略してもよい。この場合、端面スルーホール５１は、２個の端面スルーホール５１Ｂおよび端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄを含んでいる。
　また、第１例において、２個の端面スルーホール５１Ａおよび２個の端面スルーホール５１Ｂの双方を省略してもよい。この場合、端面スルーホール５１は、端面スルーホール５１Ｃ，５１Ｄを含んでいる。つまり、端面スルーホール５１は、半導体発光素子６０が実装された第１表面側配線３１と、第１表面側配線３１に電気的に接続された第１裏面側配線４１とを繋ぐ端面スルーホールとなる。
　第２例では、図３３に示すように、端面スルーホール５１Ｂは、基板２０の厚さ方向から視て、基板２０の四隅のうち第１基板側面２３側の２つの隅に設けられていてもよい。２個の端面スルーホール５１Ｂのうち第３基板側面２５寄りの端面スルーホール５１Ｂは、第１基板側面２３および第３基板側面２５にわたり設けられている。２個の端面スルーホール５１Ｂのうち第４基板側面２６寄りの端面スルーホール５１Ｂは、第１基板側面２３および第４基板側面２６にわたり設けられている。図示された例においては、ｚ方向から視た端面スルーホール５１Ｂの形状は、１／４円形状である。
　なお、端面スルーホール５１Ｂのサイズは任意に変更可能である。一例では、端面スルーホール５１Ｂの半径は、端面スルーホール５１Ａの半径（端面スルーホール５１Ａの深さ寸法Ｈ）よりも大きくてもよい。
　第３例では、図３４に示すように、２個の端面スルーホール５１Ａの開口幅Ｗは、２個の端面スルーホール５１Ｂの開口幅Ｗよりも大きくてもよい。
　この構成によれば、半導体発光素子６０に近い２個の端面スルーホール５１Ａの体積が大きくなるため、半導体発光素子６０の熱を２個の端面スルーホール５１Ａに効率よく移動させることができる。したがって、半導体発光装置１０Ａの放熱性を向上させることができる。なお、第３例において、２個の端面スルーホール５１Ｂの開口幅Ｗが２個の端面スルーホール５１Ａの開口幅Ｗよりも大きくてもよい。
　第４例では、ｚ方向から視た端面スルーホール５１の形状は半円状に限られず、任意に変更可能である。一例では、図３５に示すように、ｚ方向から視た端面スルーホール５１の形状は、第１基板側面２３から第２基板側面２４に向けて先細りとなるように凹む台形凹状であってもよい。第１基板側面２３とともに第１表面側配線３１および第１裏面側配線４１の双方には、台形凹状の凹部が形成されている。第１基板側面２３、第１表面側配線３１、および第１裏面側配線４１のそれぞれの台形凹状の凹部を構成する側面には、導電材料によって形成された接続配線としての端面スルーホール５１が設けられている。端面スルーホール５１は、上記台形凹状の凹部を構成する側面に沿って設けられている。端面スルーホール５１の開口端５１ｕは、第１基板側面２３と面一となる。図示された例においては、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈよりも大きい。ここで、端面スルーホール５１の開口幅Ｗは、ｚ方向から視て、端面スルーホール５１の開口端５１ｕにおけるｘ方向の間の距離によって定義できる。端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈは、端面スルーホール５１の開口端５１ｕと端面スルーホール５１の側面５１ｂとのｙ方向の間の距離によって定義できる。
　なお、第１例～第４例のうち少なくとも２つは、互いに組み合わせることができる。また、第１例～第４例は、第３実施形態の半導体発光装置１０Ｃにも適用できる。この場合、端面スルーホール５１は、第１表面側配線３１、第１中間配線３０１、および第１裏面側配線４１を繋いでいる。また、第２実施形態の半導体発光装置１０Ｂにおいて、第４例のように端面スルーホール１７０の形状は、半円状に代えて台形凹状であってもよい。
　・第３実施形態において、図３６に示すように、基板２０の第１基板側面２３には、裏面側基板２０Ｂを貫通するとともに第１中間配線３０１と第１裏面側配線４１とを繋ぐ端面スルーホール５１Ｅが設けられていてもよい。端面スルーホール５１Ｅは、ｚ方向から視て、半導体発光素子６０と重なる位置に設けられている。端面スルーホール５１Ｅは、裏面側基板２０Ｂをその厚さ方向において貫通する一方、表面側基板２０Ａには設けられていない。このため、端面スルーホール５１Ｅのｚ方向の大きさは、端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂのｚ方向の大きさよりも小さい。ここで、端面スルーホール５１Ｅは「裏面側端面スルーホール」に対応している。
　この構成によれば、半導体発光素子６０の熱を基板２０の外部に放出する経路が増えるため、半導体発光装置１０Ａの放熱性をさらに向上させることができる。また、端面スルーホール５１Ｅは、裏面側基板２０Ｂに設けられ、表面側基板２０Ａに設けられていない。このため、端面スルーホール５１Ｅは、表面側基板２０Ａによってｚ方向から覆われている。これにより、半導体発光素子６０からの光が端面スルーホール５１に照射されることを抑制できる。
　・第２実施形態において、図３７に示すように、基板２０の第３基板側面２５に端面スルーホール１７２を設けてもよい。この場合、端面スルーホール１７２は、キャパシタ７２よりも第２基板側面２４寄りに設けられている。ここで、端面スルーホール１７２は、「制御回路側端面スルーホール」に対応している。
　ｙ方向から視た端面スルーホール１７２の形状は、たとえば半円状である。端面スルーホール１７２は、第３基板側面２５側に開口する開口端１７２ｕと、側面１７２ｂと、を有している。図示された例においては、端面スルーホール１７２の形状およびサイズは、端面スルーホール１７０の形状およびサイズと同じである。なお、端面スルーホール１７２の形状およびサイズはそれぞれ任意に変更可能である。たとえば端面スルーホール１７２の形状およびサイズは端面スルーホール１７０の形状およびサイズと異なっていてもよい。また、端面スルーホール１７２の個数は任意に変更可能である。一例では、端面スルーホール１７２は複数設けられていてもよい。
　端面スルーホール１７２には、放熱材１７１が埋め込まれていてもよい。端面スルーホール１７２に埋め込まれた放熱材１７１を構成する材料は、端面スルーホール１７０に埋め込まれた放熱材１７１を構成する材料と同じである。なお、端面スルーホール１７２に埋め込まれた放熱材１７１を構成する材料は任意に変更可能であり、たとえば端面スルーホール１７０に埋め込まれた放熱材１７１を構成する材料と異なっていてもよい。ここで、端面スルーホール１７２に埋め込まれた放熱材１７１は、「制御回路側放熱材」に対応している。
　・第２実施形態において、半導体発光装置１０Ｂの基板２０は、第３実施形態と同様に、表面側基板２０Ａおよび裏面側基板２０Ｂが基板２０の厚さ方向（ｙ方向）に積層された構成であってもよい。この場合、半導体発光装置１０Ｂは、表面側基板２０Ａと裏面側基板２０Ｂとに挟み込まれた中間配線４００（図３９参照）を備えている。
　図３８に示すように、表面側基板２０Ａの基板表面２１Ａには表面側配線１４０が形成されている。図４０に示すように、裏面側基板２０Ｂの基板裏面２２Ｂには裏面側配線１５０が形成されている。一例では、表面側配線１４０および裏面側配線１５０は第２実施形態の表面側配線１４０および裏面側配線１５０と同じである。つまり、図３８に示すように、表面側配線１４０は、第１表面側配線１４１、第２表面側配線１４２、および外部接続配線１４３を含んでいる。図４０に示すように、裏面側配線１５０は、第１裏面側配線１５１および第２裏面側配線１５２を含んでいる。
　図３９に示すように、中間配線４００は、第１中間配線４０１、第２中間配線４０２、および第３中間配線４０３を含んでいる。
　第１中間配線４０１は、第１表面側配線１４１と第１裏面側配線１５１との双方と電気的に接続される配線である。第１中間配線４０１は、ｙ方向から視て、第１表面側配線１４１および第１裏面側配線１５１の双方と重なる位置に形成されている。ｙ方向から視た第１中間配線４０１は、ｘ方向が長辺となり、ｚ方向が短辺となる矩形状である。
　第２中間配線４０２は、第２表面側配線１４２と第２裏面側配線１５２との双方と電気的に接続される配線である。第２中間配線４０２は、ｙ方向から視て、第２表面側配線１４２および第１裏面側配線１５１と重なる位置に形成されている。ｙ方向から視た第２中間配線４０２の形状は、たとえばｙ方向から視た第２表面側配線１４２の形状と同じである。
　第３中間配線４０３は、外部接続配線１４３と第１裏面側配線１５１との双方と電気的に接続される配線である。第３中間配線４０３は、ｙ方向から視て、外部接続配線１４３および第１裏面側配線１５１の双方と重なる位置に形成されている。ｙ方向から視た第３中間配線４０３の形状は、たとえばｙ方向から視た外部接続配線１４３の形状と同じである。
　図３８～図４０に示すように、半導体発光装置１０Ｂは、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３に加え、第４内部スルーホール１６５を備えている。ここで、第４内部スルーホール１６５は、「基板の厚さ方向から視て第１内部スルーホールとは異なる位置において裏面側基板を貫通するとともに中間配線と裏面側配線とを繋ぐ第２内部スルーホール」に対応している。
　第４内部スルーホール１６５は、第１中間配線４０１と第１裏面側配線１５１とを繋ぐ配線である。第４内部スルーホール１６５によって第１中間配線４０１と第１裏面側配線１５１とが電気的に接続されている。第４内部スルーホール１６５は、裏面側基板２０Ｂを貫通するように設けられている。基板２０の厚さ方向であるｙ方向において、第４内部スルーホール１６５は、表面側基板２０Ａよりも基板裏面２２寄りに配置されている。第４内部スルーホール１６５のｙ方向の大きさは、第１内部スルーホール１６１のｙ方向の大きさよりも小さい。
　ｙ方向から視た第４内部スルーホール１６５の形状は、円形である。第４内部スルーホール１６５の直径は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の直径と等しい。ここで、第４内部スルーホール１６５の直径と第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の直径との差の最大値が第４内部スルーホール１６５の直径の１０％以内であれば、第４内部スルーホール１６５の直径が第１～第３内部スルーホール１６１～１６３の直径と等しいといえる。
　図３９に示すように、第４内部スルーホール１６５は複数（本実施形態では４個）設けられている。ｙ方向から視て、複数の第４内部スルーホール１６５は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。本実施形態では、第４内部スルーホール１６５は、ｘ方向において第１内部スルーホール１６１の両側に２個ずつ設けられている。複数の第４内部スルーホール１６５は、ｚ方向において第１内部スルーホール１６１よりも第２基板側面２４寄りに設けられている。図３８に示すように、ｙ方向から視て、複数の第４内部スルーホール１６５の１個は、キャパシタ７２と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視て、複数の第４内部スルーホール１６５の別の１個は、キャパシタ７３と重なる位置に配置されている。本実施形態では、第４内部スルーホール１６５を構成する材料は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３を構成する材料と同じである。なお、第４内部スルーホール１６５を構成する材料は任意に変更可能である。たとえば、第４内部スルーホール１６５を構成する材料は、第１～第３内部スルーホール１６１～１６３を構成する材料と異なっていてもよい。
　第４内部スルーホール１６５の内部には、放熱材１６６が設けられている。放熱材１６６は、第４内部スルーホール１６５の内部を埋めるように設けられている。放熱材１６６は、たとえば金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、Ｃｕである。つまり、放熱材１６６は、第４内部スルーホール１６５と同一材料によって形成されていてもよい。
　なお、放熱材１６６を構成する材料は任意に変更可能である。一例では、放熱材１６６は、第４内部スルーホール１６５を構成する金属材料とは異なる金属材料によって形成されていてもよい。また、放熱材１６６は、金属材料に代えて、セラミック等の放熱性能の優れた絶縁材料によって形成されていてもよい。
　図３８～図４０に示すように、基板２０の第１基板側面２３には、第２実施形態と同様に、基板２０の厚さ方向であるｚ方向において基板２０を貫通する２個の端面スルーホール１７０が設けられている。２個の端面スルーホール１７０の形状、サイズ、および配置態様は、第２実施形態の端面スルーホール１７０（図２５参照）と同様である。各端面スルーホール１７０は、第１表面側配線１４１、第１中間配線４０１、および第１裏面側配線１５１を繋いでいる。この構成によれば、第３実施形態の効果と同様の効果が得られる。
　・第３実施形態において、基板２０の構成は任意に変更可能である。一例では、基板２０は、表面側基板２０Ａ、裏面側基板２０Ｂ、および中間基板を有していてもよい。中間基板は、表面側基板２０Ａと裏面側基板２０Ｂとに挟み込まれている。この場合、中間配線３００は、表面側基板２０Ａと中間基板とに挟み込まれる表面側中間配線と、裏面側基板２０Ｂと中間基板とに挟み込まれる裏面側中間配線と、を有していてもよい。なお、第２実施形態の半導体発光装置１０Ｂの基板２０についても同様に変更してもよい。
　・第３実施形態において、第５内部スルーホール３１０の個数は任意に変更可能である。一例では、第５内部スルーホール３１０は、１個以上３個以下であってもよいし、５個以上であってもよい。
　・第３実施形態において、第５内部スルーホール３１０を省略してもよい。
　・第３実施形態において、端面スルーホール５１は、第１中間配線３０１に繋がれていなくてもよい。また、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの少なくとも一方は、第２中間配線３０２に繋がれていなくてもよい。
　・第１および第３実施形態において、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの開口幅Ｗが端面スルーホール５１の開口幅Ｗと異なっていてもよい。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの深さ寸法Ｈが端面スルーホール５１の深さ寸法Ｈと異なっていてもよい。
　・第１および第３実施形態において、各端面スルーホール５１Ａ，５１Ｂに埋め込まれた放熱材５９の少なくとも１つを省略してもよい。また、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂに埋め込まれた放熱材５９の少なくとも一方を省略してもよい。
　・第１および第３実施形態において、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂを省略した場合、第２表面側配線３２と第２裏面側配線４２とは、第２内部スルーホール５５によって電気的に接続されている。この変更例においては、基板２０に設けられた端面スルーホールは、第１表面側配線３１と第１裏面側配線４１とを繋ぐ端面スルーホール５１である。つまり、端面スルーホールは、第３基板側面２５および第４基板側面２６には設けられず、第１基板側面２３にのみ形成されている。ここで、第２内部スルーホール５５は、「制御回路側内部スルーホール」に対応している。
　・第２実施形態において、端面スルーホール１７０に埋め込まれた放熱材１７１の少なくとも一方を省略してもよい。
　・第１および第３実施形態において、封止樹脂８０は、ｚ方向から視て、端面スルーホール５１と重ならないように設けられていてもよい。一例では、封止樹脂８０の第１封止側面８３には、ｚ方向から視て端面スルーホール５１と同様に半円状の凹部が設けられていてもよい。
　・第１および第３実施形態において、封止樹脂８０は、ｚ方向から視て、端面スルーホール５２Ａ，５２Ｂと重ならないように設けられていてもよい。一例では、封止樹脂８０の第３封止側面８５には、端面スルーホール５２Ａと同様に、ｚ方向から視て半円状の凹部が設けられていてもよい。封止樹脂８０の第４封止側面８６には、端面スルーホール５２Ｂと同様に、ｚ方向から視て半円状の凹部が設けられていてもよい。
　・第１および第３実施形態において、半導体発光装置１０Ａ，１０Ｃから封止樹脂８０が省略されていてもよい。
　・第１および第２実施形態において、内部スルーホール５３，１６０に埋め込まれた放熱材５８，１６４を省略してもよい。また、第３実施形態において、第５内部スルーホール３１０に埋め込まれた放熱材３１１を省略してもよい。
　・第１実施形態において、キャパシタ７２，７３のｘ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、基板２０の第３基板側面２５とキャパシタ７２とのｘ方向の間の距離がキャパシタ７２とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ１以下となるように、キャパシタ７２が基板２０に配置されていてもよい。一例では、基板２０の第４基板側面２６とキャパシタ７３とのｘ方向の間の距離がキャパシタ７３とスイッチング素子７１とのｘ方向の間の距離ＤＳＣ２以下となるように、キャパシタ７３が基板２０に配置されていてもよい。
　・第１および第３実施形態において、キャパシタ７２，７３のｙ方向の位置は任意に変更可能である。たとえば、キャパシタ７２，７３は、第１基板側面２３に沿う方向から視て、半導体発光素子６０に重ならない位置に配置されていてもよい。一例では、図４１に示すように、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、キャパシタ７２，７３は、半導体発光素子６０よりも第２基板側面２４寄りに配置されていてもよい。なお、第２実施形態についても同様に、キャパシタ７２，７３のｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、第１基板側面２３に沿う方向（ｘ方向）から視て、キャパシタ７２，７３が半導体発光素子６０よりも第２基板側面２４寄りに配置されていてもよい。
　・各実施形態において、キャパシタの個数は任意に変更可能である。一例では、キャパシタは１個であってもよい。キャパシタの個数は、半導体発光素子６０に供給する電流量に応じて設定されていればよい。
　・各実施形態において、発光素子制御回路７０のうちキャパシタ７２，７３を省略してもよい。
　・各実施形態において、発光素子制御回路７０のうちスイッチング素子７１を省略してもよい。
　・各実施形態において、発光素子制御回路７０を省略してもよい。
　・各実施形態において、半導体発光装置１０Ａ～１０Ｃは、ダイオードＤ、電流制限抵抗Ｒ、およびドライバ回路ＰＭの少なくとも１つを備えていてもよい。
　・各実施形態において、基板２０を構成する材料は任意に変更可能である。たとえば、基板２０は、ガラスエポキシ樹脂、アルミナ、および窒化アルミニウムのいずれかを含む材料によって形成されていてもよい。図４２～図４４は、基板２０を構成する材料を変更した場合の半導体発光素子６０の温度と熱伝達係数との関係を示すグラフである。図４２は基板２０を構成する材料としてガラスエポキシ樹脂を用いた場合のグラフである。図４３は基板２０を構成する材料としてアルミナを用いた場合のグラフである。図４４は基板２０を構成する材料として窒化アルミニウムを用いた場合のグラフである。
　図４２～図４４に示すように、基板２０を構成する材料がガラスエポキシ樹脂の場合の熱抵抗係数が１１７Ｋ／Ｗであり、アルミナの場合の熱抵抗係数が４２Ｋ／Ｗであり、窒化アルミニウムの場合の熱抵抗係数が２９Ｋ／Ｗである。このため、基板２０を構成する材料が窒化アルミニウムの場合がガラスエポキシ樹脂およびアルミナの場合よりも基板２０の放熱性能が向上する。このように、半導体発光装置１０Ａ～１０Ｃに要求される放熱性能に応じて、基板２０を構成する材料をガラスエポキシ樹脂に代えて、アルミナまたは窒化アルミニウムに変更してもよい。
　本明細書において、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１部材が第２部材上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１部材が第２部材に接触して第２部材上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１部材が第２部材に接触することなく第２部材の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１部材と第２部材との間に他の部材が形成される構造を排除しない。
　本開示で使用されるｚ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるｚ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはｙ方向が鉛直方向であってもよい。
　［付記］
　上記実施形態および変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のため、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
　（付記１）
　基板表面（２１）、前記基板表面（２１）とは反対側の基板裏面（２２）、および基板側面（２３～２６）を有する基板（２０）と、
　前記基板表面（２１）に形成された表面側配線（３０）と、
　前記基板裏面（２２）に形成された裏面側配線（４０）と、
　所定方向に向けて光を出射する発光面（６３Ａ）を有し、前記表面側配線（３０）に実装された半導体発光素子（６０）と、
を備え、
　前記基板側面（２３～２６）は、
　前記発光面（６３Ａ）と同じ側を向く第１基板側面（２３）と、
　前記第１基板側面（２３）とは反対側の第２基板側面（２４）と、
を含み、
　前記半導体発光素子（６０）は、前記第２基板側面（２４）よりも前記第１基板側面（２３）寄りに偏って配置されており、
　前記第１基板側面（２３）には、前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）において前記基板（２０）を貫通して前記表面側配線（３０）と前記裏面側配線（４０）とを繋ぐ端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）が設けられている
　半導体発光装置（１０Ａ）。
　（付記２）
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記第１基板側面（２３）のうち前記半導体発光素子（６０）と重なる位置とは異なる位置に設けられている
　付記１に記載の半導体発光装置。
　（付記３）
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記第１基板側面（２３）に沿う方向において前記半導体発光素子（６０）と隣り合う位置に設けられている
　付記２に記載の半導体発光装置。
　（付記４）
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）と前記半導体発光素子（６０）との間の距離（ＤＰＨ）は、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅（Ｗ）よりも小さい
　付記３に記載の半導体発光装置。
　（付記５）
　前記第１基板側面（２３）には、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）が複数設けられている
　付記１～４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記６）
　前記第１基板側面（２３）に沿う方向（ｘ方向）から視て、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記半導体発光素子（６０）と重なる部分を有する
　付記１～５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記７）
　前記第１基板側面（２３）と前記半導体発光素子（６０）の前記発光面（６３Ａ）との間の距離（ＤＰ）は、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）の深さ寸法（Ｈ）よりも小さい
　付記６に記載の半導体発光装置。
　（付記８）
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）には、放熱材（５９）が埋め込まれている
　付記１～７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記９）
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記基板（２０）のうち前記半導体発光素子（６０）と重なる位置には、前記表面側配線（３０）と前記裏面側配線（４０）とを繋ぐ内部スルーホール（５３／５４）が設けられている
　付記１～８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記１０）
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視た前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）の開口幅（Ｗ）は、前記内部スルーホール（５３／５４）の直径よりも大きい
　付記９に記載の半導体発光装置。
　（付記１１）
　前記内部スルーホール（５３／５４）は、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）よりも前記第２基板側面（２４）寄りに設けられている
　付記９または１０に記載の半導体発光装置。
　（付記１２）
　前記内部スルーホール（５３／５４）には、放熱材（５８）が埋め込まれている
　付記９～１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記１３）
　前記表面側配線（３０）に実装され、前記半導体発光素子（６０）を発光させる発光素子制御回路（７０）を備える
　付記１～１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記１４）
　前記発光素子制御回路（７０）は、前記表面側配線（３０）に実装されたキャパシタ（７２，７３）を有し、
　前記キャパシタ（７２，７３）は、前記第１基板側面（２３）に沿う方向（ｘ方向）から視て、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）よりも前記第２基板側面（２４）寄りの位置に配置されている
　付記１３に記載の半導体発光装置。
　（付記１５）
　前記キャパシタ（７２，７３）は、前記第１基板側面（２３）に沿う方向（ｘ方向）から視て、前記半導体発光素子（６０）と重なる位置に配置されている
　付記１４に記載の半導体発光装置。
　（付記１６）
　前記発光素子制御回路（７０）は、前記半導体発光素子（６０）に供給する電流を制御するスイッチング素子（７１）を有し、
　前記表面側配線（３０）は、
　前記半導体発光素子（６０）が実装された第１表面側配線（３１）と、
　前記スイッチング素子（７１）が実装された第２表面側配線（３２）と、
を有し、
　前記裏面側配線（４０）は、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１表面側配線（３１）と重なる位置に配置された第１裏面側配線（４１）と、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第２表面側配線（３２）と重なる位置に配置された第２裏面側配線（４２）と、
を有し、
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記第１表面側配線（３１）と前記第１裏面側配線（４１）とを繋いでいる
　付記１３～１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記１７）
　前記基板（２０）は、前記第１基板側面（２３）と前記第２基板側面（２４）とを結ぶ第３基板側面（２５）および第４基板側面（２６）を有し、
　前記第３基板側面（２５）と前記第４基板側面（２６）の少なくとも一方には、前記第２表面側配線（３２）と前記第２裏面側配線（４２）とを繋ぐ制御回路側端面スルーホール（５２Ａ，５２Ｂ）が設けられている
　付記１６に記載の半導体発光装置。
　（付記１８）
　前記基板（２０）には、前記第２表面側配線（３２）と前記第２裏面側配線（４２）とを繋ぐ制御回路側内部スルーホール（５５）が設けられている
　付記１６または１７に記載の半導体発光装置。
　（付記１９）
　前記発光素子制御回路（７０）は、前記半導体発光素子（６０）に供給する電流を制御するスイッチング素子（７１）を有し、
　前記表面側配線（３０）は、
　前記半導体発光素子（６０）が実装された第１表面側配線（３１）と、
　前記スイッチング素子（７１）が実装された第２表面側配線（３２）と、
を有し、
　前記裏面側配線（４０）は、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第１表面側配線（３１）と重なる位置に配置された第１裏面側配線（４１）と、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記第２表面側配線（３２）と重なる位置に配置された第２裏面側配線（４２）と、
を有し、
　前記キャパシタは、前記第１表面側配線（３１）と前記第２表面側配線（３２）との間に接続されており、
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記第１表面側配線（３１）と前記第１裏面側配線（４１）とを繋いでいる
　付記１４または１５に記載の半導体発光装置。
　（付記２０）
　前記基板（２０）は、
　前記表面側配線（３０）が形成された表面側基板（２０Ａ）と、
　前記裏面側配線（４０）が形成された裏面側基板（２０Ｂ）と、
を有し、
　前記半導体発光装置（１０Ｃ）は、前記表面側基板（２０Ａ）と前記裏面側基板（２０Ｂ）とに挟み込まれた中間配線（３００）を備え、
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、前記表面側基板（２０Ａ）および前記裏面側基板（２０Ｂ）の双方を前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）において貫通するとともに前記表面側配線（３０）、前記中間配線（３００）、および前記裏面側配線（４０）を繋いでいる
　付記１～１９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記２１）
　前記基板表面（２１）とともに前記半導体発光素子（６０）を覆う透光性の封止樹脂（８０）を備える
　付記１～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記２２）
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）には、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）を埋める放熱材（５９）が設けられており、
　前記封止樹脂（８０）は、前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）を覆うように設けられている
　付記２１に記載の半導体発光装置。
　（付記２３）
　導電性のベース（１００）と、前記ベース（１００）上に立設し、付記１～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置（１０Ｂ）が搭載された導電性のヒートシンク（１１０）と、を含むステム（９０）と、
　前記半導体発光装置（１０Ｂ）と前記ヒートシンク（１１０）とを囲むように前記ベース上に設けられた包囲部材（１３０）と、
を備える、半導体発光ユニット（２００）。
　（付記２４）
　前記複数の端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、同一のサイズかつ同一形状である
　付記５に記載の半導体発光装置。
　（付記２５）
　前記複数の端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）は、
　前記半導体発光素子（６０）の近くに設けられた第１端面スルーホール（５１Ａ）と、
　前記半導体発光素子（６０）から遠くに設けられた第２端面スルーホール（５１Ｂ）と、
を含み、
　前記第１端面スルーホール（５１Ａ）の開口幅（Ｗ）は、前記第２端面スルーホール（５１Ｂ）の開口幅（Ｗ）よりも大きい
　付記５に記載の半導体発光装置。
　（付記２６）
　前記端面スルーホール（５１Ｂ）は、前記基板（２０）の四隅のうち前記第１基板側面（２３）側の２つの隅に設けられている
　付記５に記載の半導体発光装置。
　（付記２７）
　前記基板表面（２１）とともに前記半導体発光素子（６０）を覆う透光性の封止樹脂（８０）を備え、
　前記制御回路側端面スルーホール（５２Ａ，５２Ｂ）には、前記制御回路側端面スルーホール（５２Ａ，５２Ｂ）を埋める制御回路側放熱材（５９）が設けられており、
　前記封止樹脂（８０）は、前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て、前記制御回路側端面スルーホール（５２Ａ，５２Ｂ）を覆うように設けられている
　付記１７に記載の半導体発光装置。
　（付記２８）
　前記基板は、
　前記表面側配線（３０）が形成された表面側基板（２０Ａ）と、
　前記裏面側配線（４０）が形成された裏面側基板（２０Ｂ）と、
を有し、
　前記半導体発光装置（１０Ｃ）は、前記表面側基板（２０Ａ）と前記裏面側基板（２０Ｂ）とに挟み込まれた中間配線（３００）を備え、
　前記制御回路側端面スルーホール（５２Ａ，５２Ｂ）は、前記表面側基板（２０Ａ）および前記裏面側基板（２０Ｂ）の双方を前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）において貫通するとともに前記表面側配線（３０）、前記中間配線（３００）、および前記裏面側配線（４０）を繋いでいる
　付記１７または２７に記載の半導体発光装置。
　（付記２９）
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視た前記端面スルーホール（５１／５１Ａ，５１Ｂ）の形状は、半円状である
　付記１～２２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記３０）
　前記基板（２０）は、
　前記表面側配線（３０）が形成された表面側基板（２０Ａ）と、
　前記裏面側配線（４０）が形成された裏面側基板（２０Ｂ）と、
を有し、
　前記半導体発光装置（１０Ｃ）は、前記表面側基板（２０Ａ）と前記裏面側基板（２０Ｂ）とに挟み込まれた中間配線（３００）を備え、
　前記内部スルーホール（５３／５４，３１０）は、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記半導体発光素子（６０）と重なる位置において前記基板（２０）を貫通するように設けられた第１内部スルーホール（５４）と、
　前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記第１内部スルーホール（５４）とは異なる位置において前記裏面側基板（２０Ｂ）を貫通するとともに前記中間配線（３００）と前記裏面側配線（４０）とを繋ぐ第２内部スルーホール（３１０）と、
を含む
　付記９～１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記３１）
　前記端面スルーホール（５１／５１Ａ、５１Ｂ）は、前記表面側基板（２０Ａ）および前記裏面側基板（２０Ｂ）の双方を前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）において貫通するとともに前記表面側配線（３０）、前記中間配線（３００）、および前記裏面側配線（４０）を繋いでいる
　付記３０に記載の半導体発光装置。
　（付記３２）
　前記第２内部スルーホール（３１０）は複数設けられている
　付記３０または３１に記載の半導体発光装置。
　（付記３３）
　前記第１基板側面（２３）には、前記裏面側基板（２０Ｂ）を貫通するとともに前記中間配線（３００）と前記裏面側配線（２０Ｂ）とを繋ぐ裏面側端面スルーホール（５１Ｅ）が設けられている
　付記２０に記載の半導体発光装置。
　（付記３４）
　前記基板（２０）は、ガラスエポキシ樹脂、アルミナ、および窒化アルミニウムのいずれかを含む材料によって形成されている
　付記１～２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
　（付記３５）
　前記発光素子制御回路（７０）は、
　前記表面側配線（３０）に実装されたキャパシタ（７２，７３）と、
　前記半導体発光素子（６０）に供給する電流を制御するスイッチング素子（７１）と、を有し、
　前記キャパシタは、第１キャパシタ（７２）および第２キャパシタ（７３）を含み、
　前記半導体発光素子（６０）と前記スイッチング素子（７１）との配列方向を第１方向（ｙ方向）とし、前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記第１方向（ｙ方向）と直交する方向を第２方向（ｘ方向）として、
　前記第１キャパシタ（７２）および前記第２キャパシタ（７３）は、前記半導体発光素子（６０）および前記スイッチング素子（７１）の双方と隣り合うように前記第２方向（ｘ方向）の両側に分散して配置されている
　付記１３に記載の半導体発光装置。
　（付記３６）
　前記スイッチング素子（７１）は、前記第２方向（ｘ方向）に延びる第１辺と、前記基板（２０）の厚さ方向（ｚ方向）から視て前記第１辺と直交する方向（ｙ方向）に延びる第２辺と、を有し、
　前記第１キャパシタ（７２）と前記第２キャパシタ（７３）との間の距離は、前記第１辺よりも大きく前記第２辺よりも小さい
　付記３５に記載の半導体発光装置。
　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲および付記を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
　１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…半導体発光装置
　１１…装置表面
　１２…装置裏面
　１３…第１装置側面
　１４…第２装置側面
　１５…第３装置側面
　１６…第４装置側面
　２０…基板
　２０Ａ…表面側基板
　２０Ｂ…裏面側基板
　２１，２１Ａ，２１Ｂ…基板表面
　２２，２２Ａ，２２Ｂ…基板裏面
　２３…第１基板側面
　２４…第２基板側面
　２５…第３基板側面
　２６…第４基板側面
　３０…表面側配線
　３１…第１表面側配線
　３１Ａ…凹部
　３２…第２表面側配線
　３２Ａ…突出部
　３３…第３表面側配線
　３４…第４表面側配線
　４０…裏面側配線
　４１…第１裏面側配線
　４２…第２裏面側配線
　４３…第３裏面側配線
　４４…第４裏面側配線
　４５…裏面側絶縁層
　４５Ａ…開口部
　４６…めっき層
　５１…端面スルーホール
　５１Ａ…端面スルーホール（第１端面スルーホール）
　５１Ｂ…端面スルーホール（第２端面スルーホール）
　５１Ｃ，５１Ｄ…端面スルーホール
　５１Ｅ…端面スルーホール（裏面側端面スルーホール）
　５１ｂ…側面
　５１ｕ…開口端
　５２Ａ，５２Ｂ…端面スルーホール（制御回路側端面スルーホール）
　５２ｂ…側面
　５２ｕ…開口端
　５３…内部スルーホール
　５４…第１内部スルーホール
　５５…第２内部スルーホール
　５６…第３内部スルーホール
　５７…第４内部スルーホール
　５８…放熱材
　５９…放熱材
　６０…半導体発光素子
　６１…発光素子表面
　６２…発光素子裏面
　６３…発光素子側面
　６３Ａ…発光素子側面（発光面）
　６４…第１電極
　６５…第２電極
　７０…発光素子制御回路
　７１…スイッチング素子
　７１ｓ…スイッチング素子表面
　７１ｒ…スイッチング素子裏面
　７１Ａ…第１電極
　７１Ｂ…第２電極
　７１Ｃ…制御電極
　７２…キャパシタ（第１キャパシタ）
　７３…キャパシタ（第２キャパシタ）
　７２Ａ，７３Ａ…第１電極
　７２Ｂ，７３Ｂ…第２電極
　８０…封止樹脂
　８１…封止表面
　８２…封止裏面
　８３…第１封止側面
　８４…第２封止側面
　８５…第３封止側面
　８６…第４封止側面
　９０…ステム
　１００…ベース
　１０１…ベース表面
　１０２…ベース裏面
　１０３Ａ～１０３Ｃ…貫通孔
　１０４Ａ～１０４Ｄ…リードピン
　１０５…絶縁材
　１０６Ａ～１０６Ｄ…接続部
　１０７Ａ～１０７Ｄ…端子部
　１１０…ヒートシンク
　１１１…支持面
　１３０…包囲部材
　１３１…キャップ
　１３１Ａ…頂部
　１３１ＡＷ…窓部
　１３１Ｂ…筒部
　１３１Ｃ…フランジ部
　１３２…透光板
　１４０…表面側配線
　１４１…第１表面側配線
　１４２…第２表面側配線
　１４２Ａ…窪み部
　１４３…外部接続配線
　１４４…表面側絶縁層
　１５０…裏面側配線
　１５１…第１裏面側配線
　１５２…第２裏面側配線
　１６０…内部スルーホール
　１６１…第１内部スルーホール
　１６２…第２内部スルーホール
　１６３…第３内部スルーホール
　１６５…第４内部スルーホール
　１６４，１６６…放熱材
　１７０…端面スルーホール
　１７２…端面スルーホール（制御回路側端面スルーホール）
　１７０ｕ，１７２ｕ…開口端
　１７０ｂ，１７２ｂ…側面
　１７１…放熱材
　２００…半導体発光ユニット
　３００…中間配線
　３０１…第１中間配線
　３０２…第２中間配線
　３０３…第３中間配線
　３０４…第４中間配線
　３０５…中間絶縁層
　３１０…第５内部スルーホール（第２内部スルーホール）
　３１１…放熱材
　４００…中間配線
　４０１…第１中間配線
　４０２…第２中間配線
　４０３…第３中間配線
　ＳＤ１…導電性接合材
　ＳＤ２…導電性接合材
　ＳＤ３…導電性接合材
　Ｗ１…第１ワイヤ
　Ｗ２…第２ワイヤ
　Ｗ３…第３ワイヤ
　Ｗ４…第４ワイヤ
　ＳＰ…収容空間
　ＬＳ…レーザシステム
　Ｄ…ダイオード
　ＤＶ…駆動電源
　Ｒ…電流制限抵抗
　ＰＭ…ドライバ回路
　ＣＬ，ＣＬＡ…中心線
　ＤＨ１…中央の２個の端面スルーホールの間の距離
　ＤＨ２…中央の端面スルーホールとそれに隣り合う端面スルーホールとの間の距離
　ＤＨ３…第３基板側面に近い端面スルーホールの開口端と第３基板側面との間の距離
　ＤＨ４…第４基板側面に近い端面スルーホールの開口端と第４基板側面との間の距離
　ＤＰ，ＤＰＡ…第１基板側面と半導体発光素子の発光面との間の距離
　ＤＰＨ，ＤＰＨＡ…半導体発光素子と端面スルーホールとの間の距離
　ＤＳＣ１…スイッチング素子とキャパシタとの間の距離
　ＤＳＣ２…スイッチング素子とキャパシタとの間の距離
　ＤＨＣ１…端面スルーホールとキャパシタとの間の距離
　ＤＨＣ２…端面スルーホールとキャパシタとの間の距離
　ＤＰＣ１，ＤＰＣＡ…半導体発光素子とキャパシタとの間の距離
　ＤＰＣ２，ＤＰＣＢ…半導体発光素子とキャパシタとの間の距離
　Ｈ，ＨＡ，ＨＢ…端面スルーホールの深さ寸法
　Ｗ，ＷＡ，ＷＢ…端面スルーホールの開口幅
　ＲＨＡ…端面スルーホールの外径
　ＤＢ１…第３基板側面とキャパシタとの間の距離
　ＤＢ２…第４基板側面とキャパシタとの間の距離
　ＤＨＡ…端面スルーホール間の距離
　ＤＨＬ…端面スルーホールと第３基板側面との間の距離
　ＤＨＲ…端面スルーホールと第４基板側面との間の距離

Claims (21)

  1. 　基板表面、前記基板表面とは反対側の基板裏面、および基板側面を有する基板と、
    　前記基板表面に形成された表面側配線と、
    　前記基板裏面に形成された裏面側配線と、
    　所定方向に向けて光を出射する発光面を有し、前記表面側配線に実装された半導体発光素子と、
    を備え、
    　前記基板側面は、
    　前記発光面と同じ側を向く第１基板側面と、
    　前記第１基板側面とは反対側の第２基板側面と、
    を含み、
    　前記半導体発光素子は、前記第２基板側面よりも前記第１基板側面寄りに偏って配置されており、
    　前記第１基板側面には、前記基板の厚さ方向において前記基板を貫通して前記表面側配線と前記裏面側配線とを繋ぐ端面スルーホールが設けられている
    　半導体発光装置。
  2. 　前記基板の厚さ方向から視て、前記端面スルーホールは、前記第１基板側面のうち前記半導体発光素子と重なる位置とは異なる位置に設けられている
    　請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 　前記基板の厚さ方向から視て、前記端面スルーホールは、前記第１基板側面に沿う方向において前記半導体発光素子と隣り合う位置に設けられている
    　請求項２に記載の半導体発光装置。
  4. 　前記端面スルーホールと前記半導体発光素子との間の距離は、前記端面スルーホールの開口幅よりも小さい
    　請求項３に記載の半導体発光装置。
  5. 　前記第１基板側面には、前記端面スルーホールが複数設けられている
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  6. 　前記第１基板側面に沿う方向から視て、前記端面スルーホールは、前記半導体発光素子と重なる部分を有する
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  7. 　前記第１基板側面と前記半導体発光素子の前記発光面との間の距離は、前記端面スルーホールの深さ寸法よりも小さい
    　請求項６に記載の半導体発光装置。
  8. 　前記端面スルーホールには、放熱材が埋め込まれている
    　請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  9. 　前記基板の厚さ方向から視て、前記基板のうち前記半導体発光素子と重なる位置には、前記表面側配線と前記裏面側配線とを繋ぐ内部スルーホールが設けられている
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  10. 　前記基板の厚さ方向から視た前記端面スルーホールの開口幅は、前記内部スルーホールの直径よりも大きい
    　請求項９に記載の半導体発光装置。
  11. 　前記内部スルーホールは、前記端面スルーホールよりも前記第２基板側面寄りに設けられている
    　請求項９または１０に記載の半導体発光装置。
  12. 　前記内部スルーホールには、放熱材が埋め込まれている
    　請求項９～１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  13. 　前記表面側配線に実装され、前記半導体発光素子を発光させる発光素子制御回路を備える
    　請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  14. 　前記発光素子制御回路は、前記表面側配線に実装されたキャパシタを有し、
    　前記キャパシタは、前記第１基板側面に沿う方向から視て、前記端面スルーホールよりも前記第２基板側面寄りの位置に配置されている
    　請求項１３に記載の半導体発光装置。
  15. 　前記キャパシタは、前記第１基板側面に沿う方向から視て、前記半導体発光素子と重なる位置に配置されている
    　請求項１４に記載の半導体発光装置。
  16. 　前記発光素子制御回路は、前記半導体発光素子に供給する電流を制御するスイッチング素子を有し、
    　前記表面側配線は、
    　前記半導体発光素子が実装された第１表面側配線と、
    　前記スイッチング素子が実装された第２表面側配線と、
    を有し、
    　前記裏面側配線は、
    　前記基板の厚さ方向から視て、前記第１表面側配線と重なる位置に配置された第１裏面側配線と、
    　前記基板の厚さ方向から視て、前記第２表面側配線と重なる位置に配置された第２裏面側配線と、
    を有し、
    　前記端面スルーホールは、前記第１表面側配線と前記第１裏面側配線とを繋いでいる
    　請求項１３～１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  17. 　前記基板は、前記第１基板側面と前記第２基板側面とを結ぶ第３基板側面および第４基板側面を有し、
    　前記第３基板側面および前記第４基板側面の少なくとも一方には、前記第２表面側配線と前記第２裏面側配線とを繋ぐ制御回路側端面スルーホールが設けられている
    　請求項１６に記載の半導体発光装置。
  18. 　前記基板は、
    　前記表面側配線が形成された表面側基板と、
    　前記裏面側配線が形成された裏面側基板と、
    を有し、
    　前記半導体発光装置は、前記表面側基板と前記裏面側基板とに挟み込まれた中間配線を備え、
    　前記端面スルーホールは、前記表面側基板および前記裏面側基板の双方を前記基板の厚さ方向において貫通するとともに前記表面側配線、前記中間配線、および前記裏面側配線を繋いでいる
    　請求項１～１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  19. 　前記基板表面とともに前記半導体発光素子を覆う透光性の封止樹脂を備える
    　請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  20. 　前記端面スルーホールには、前記端面スルーホールを埋める放熱材が設けられており、
    　前記封止樹脂は、前記基板の厚さ方向から視て、前記端面スルーホールを覆うように設けられている
    　請求項１９に記載の半導体発光装置。
  21. 　導電性のベースと、前記ベース上に立設し、請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置が搭載された導電性のヒートシンクと、を含むステムと、
    　前記半導体発光装置と前記ヒートシンクとを囲むように前記ベース上に設けられた包囲部材と、
    を備える、半導体発光ユニット。
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