WO2022201831A1 - 処理液キャビネットの排気制御方法および基板処理装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an exhaust control method for a processing liquid cabinet and a substrate processing apparatus.
- a substrate processing apparatus for processing substrates is known.
- the substrate processing apparatus is suitably used for processing semiconductor substrates.
- a substrate processing apparatus processes a substrate using a processing liquid such as a chemical liquid.
- Patent Literature 1 describes a substrate cleaning apparatus that supplies an organic substance-free gas with a controlled amount of organic contamination to a chemical solution preparation cabinet to prevent the chemical solution from coming into contact with the ambient atmosphere.
- the organic substance-free gas supplied to the space above the chemical liquid surface in the concentration and temperature adjustment container is exhausted through the exhaust duct from the pipe provided in the upper part of the concentration and temperature adjustment container.
- a chemical liquid pipe and a concentration temperature adjusting container are arranged in a chemical liquid preparation cabinet. If the chemical solution flowing through the chemical solution piping and the concentration and temperature adjustment container leaks into the chemical solution preparation cabinet, it is exhausted by the exhaust duct. However, if the amount of exhaust air flowing through the exhaust duct is low, the leaked chemical solution cannot be sufficiently exhausted. On the other hand, if the exhaust amount of the exhaust duct is set high, it will be necessary to drive the blower mechanism at high speed, which will impose an excessive load on the environment.
- the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an exhaust control method for a processing liquid cabinet capable of appropriately exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet according to the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet. to provide.
- an exhaust control method for a processing liquid cabinet exhausts an atmosphere in a space defined by a processing liquid cabinet in which processing liquid pipes through which a processing liquid supplied to a substrate processing unit flows is arranged.
- a method comprising: a standard exhaust step of exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet under standard exhaust conditions; a liquid leakage detection step of detecting liquid leakage that has occurred in the processing liquid cabinet; a liquid leakage state determination step of determining the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet based on the detection result; A forced exhaust condition determining step of determining a set forced exhaust condition, and a forced exhaust step of exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet under the forced exhaust condition determined in the forced exhaust condition determining step.
- the forced exhaust process shifts from the standard exhaust process to a first forced exhaust condition that is set to a first forced exhaust amount larger than the exhaust amount under the standard exhaust condition. and a first forced evacuation step of exhausting the atmosphere of the standard evacuation step, and if no liquid leakage is detected in the processing liquid cabinet after a predetermined time has passed since the shift from the standard evacuation step to the first forced evacuation step, the standard evacuation a second forced exhaust step of exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet under a second forced exhaust condition set to a second forced exhaust amount larger than the conditional exhaust amount and smaller than the first forced exhaust amount.
- the standard exhaust condition is set based on the type of the processing liquid flowing through the piping in the processing liquid cabinet or the flow rate of the processing liquid flowing through the piping.
- the forced exhaust step sets an exhaust condition for exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet based on a temporal change in the liquid leakage state in the processing liquid cabinet determined in the forced exhaust step. is returned to the standard exhaust condition.
- the processing liquid cabinet includes a first processing liquid housing and a second processing liquid housing connected to a common exhaust pipe common to the first processing liquid housing, and the liquid leakage detection is performed.
- the step when liquid leakage in the first processing liquid case is detected, in the forced exhaust step, the atmosphere in the first processing liquid case is exhausted under the forced exhaust condition.
- the amount of exhaust gas flowing through the common exhaust pipe is increased.
- the amount of exhaust gas flowing through the common exhaust pipe is not changed.
- the exhaust amount of the first processing liquid housing is increased.
- the liquid leakage state determination step determines the liquid leakage state by comparing a predetermined reference value with the detection result, and determines the liquid leakage state with the reference value in the determination corresponding to the first processing liquid housing.
- a certain first reference value is different from a second reference value, which is a reference value in determination corresponding to the second treatment liquid case.
- a first enclosure forced evacuation condition corresponding to the first treatment liquid enclosure and a second enclosure forced evacuation condition corresponding to the second treatment liquid enclosure are determined. is determined, and the condition for forced evacuation of the first enclosure is different from the condition for forced evacuation of the second enclosure.
- a dummy cabinet connected to a common exhaust pipe shared with the processing liquid cabinet is exhausted.
- the amount of exhaust gas is reduced below that of the standard exhaust process, and the exhaust amount of the processing liquid cabinet is increased above that of the standard exhaust process.
- a substrate processing apparatus includes a substrate processing unit for processing a substrate, a processing liquid cabinet in which a processing liquid pipe for circulating a processing liquid supplied to the substrate processing unit is arranged, and It comprises a liquid leakage detection section for detecting liquid leakage in the processing liquid cabinet, an exhaust section for exhausting the atmosphere within the processing liquid cabinet, and a control section for controlling the exhaust section.
- the control unit controls the exhaust unit so as to exhaust the atmosphere within the processing liquid cabinet under standard exhaust conditions, and the control unit causes the liquid leakage detection unit to detect liquid leakage generated within the processing liquid cabinet.
- the control unit Based on the detection result, the liquid leakage state in the processing liquid cabinet is determined, and the control unit sets an exhaust amount larger than the standard exhaust condition based on the determination result of the liquid leakage state.
- the forced exhaust condition is determined, and the control unit controls the exhaust unit to exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet under the forced exhaust condition.
- control unit removes the atmosphere in the processing liquid cabinet under a first forced exhaust condition that is shifted from the standard exhaust condition and set to a first forced exhaust amount larger than the exhaust amount under the standard exhaust condition. and if no liquid leakage is detected in the processing liquid cabinet after a predetermined time has elapsed since the standard exhaust condition was shifted to the first forced exhaust condition, the standard exhaust The exhaust unit is controlled to exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet under a second forced exhaust condition set to a second forced exhaust amount larger than the conditional exhaust amount and smaller than the first forced exhaust amount.
- control unit sets the standard exhaust condition based on the type of processing liquid flowing through the piping in the processing liquid cabinet or the flow rate of the processing liquid flowing through the piping.
- control unit releases the processing liquid based on a temporal change in the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet determined when the atmosphere within the processing liquid cabinet is exhausted under the forced exhaust condition. It is determined whether or not the exhaust condition for exhausting the atmosphere in the cabinet should be returned to the standard exhaust condition.
- the processing liquid cabinet includes a first processing liquid housing and a second processing liquid housing connected to a common exhaust pipe common to the first processing liquid housing, and the control unit comprises: and controlling the exhaust unit to exhaust the atmosphere in the first processing liquid case under the forced exhaust condition when the liquid leakage detection unit detects liquid leakage in the first processing liquid case.
- control unit increases the amount of exhaust gas flowing through the common exhaust pipe under forced exhaust conditions.
- the control section when the liquid leakage detection section detects liquid leakage in the first processing liquid housing, changes the amount of exhaust gas flowing through the common exhaust pipe under the forced exhaust condition. To increase the exhaust amount of the first processing liquid housing without reducing the pressure.
- control unit determines the liquid leakage state by comparing a detection result with a predetermined reference value, and determines the first liquid leakage state, which is the reference value in the determination corresponding to the first processing liquid housing.
- the reference value is different from the second reference value, which is the reference value in the determination corresponding to the second treatment liquid case.
- control unit sets, as the forced evacuation conditions, a first enclosure forced evacuation condition corresponding to the first treatment liquid enclosure and a second enclosure forced evacuation condition corresponding to the second treatment liquid enclosure.
- An exhaust condition is determined, and is different from the first casing forced exhaust condition and the second casing forced exhaust condition.
- the substrate processing apparatus further includes a dummy cabinet and a common exhaust pipe connected to each of the processing liquid cabinet and the dummy cabinet.
- the control unit reduces the exhaust amount of the dummy cabinet below the exhaust amount under the standard exhaust condition, and reduces the exhaust amount of the processing liquid cabinet. is increased from the displacement under the standard exhaust condition.
- the atmosphere inside the processing liquid cabinet can be appropriately exhausted according to the liquid leakage state inside the processing liquid cabinet.
- FIG. 3 is a schematic diagram of a substrate processing unit in the substrate processing apparatus of the present embodiment
- FIG. 3 is a schematic diagram of a processing liquid cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment
- FIG. It is a block diagram of the substrate processing apparatus of this embodiment.
- (a) to (c) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method for the treatment liquid cabinet according to the present embodiment.
- 4(a) and 4(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet according to the present embodiment.
- FIG. 4 is a flowchart of a method for controlling exhaust of a processing liquid cabinet according to the present embodiment; 4(a) and 4(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet according to the present embodiment.
- FIG. 4 is a flowchart of a method for controlling exhaust of a processing liquid cabinet according to the present embodiment; 4(a) and 4(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet according to the present embodiment.
- (a) to (c) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method for the treatment liquid cabinet according to the present embodiment.
- (a) to (c) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method for the treatment liquid cabinet according to the present embodiment.
- FIG. 3 is a schematic diagram of a processing liquid cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment
- FIG. (a) and (b) are schematic diagrams of a processing liquid cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
- (a) and (b) are schematic diagrams of a processing liquid cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
- 4(a) and 4(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet according to the present embodiment.
- (a) and (b) are schematic diagrams of a processing liquid cabinet and a common exhaust pipe in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
- (a) and (b) are schematic diagrams of a processing liquid cabinet and a common exhaust pipe in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
- FIG. (a) is a schematic diagram of a processing liquid cabinet, a dummy cabinet and a common exhaust pipe in the substrate processing apparatus of the present embodiment
- (b) is a schematic diagram of the processing liquid cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment
- (c) is a schematic diagram of a dummy cabinet in the substrate processing apparatus of this embodiment
- (d) is a schematic diagram of a processing liquid cabinet, a dummy cabinet, and a common exhaust pipe in the substrate processing apparatus of this embodiment.
- . 3 is a schematic diagram of a processing liquid cabinet, a dummy cabinet, and a common exhaust pipe in the substrate processing apparatus of this embodiment
- FIG. (a) and (b) are schematic diagrams of a dummy cabinet in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
- FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the substrate processing apparatus 100 processes substrates W.
- the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W such that the substrate W is subjected to at least one of etching, surface treatment, characterization, treatment film formation, removal of at least a portion of the film, and cleaning.
- the substrate W is used as a semiconductor substrate.
- the substrate W comprises a semiconductor wafer.
- the substrate W is substantially disc-shaped.
- the substrate processing apparatus 100 processes substrates W one by one.
- the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of substrate processing units 10, a processing liquid box 110, a processing liquid cabinet 120, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, and a center robot CR. , and a control device 101 .
- the control device 101 controls the load port LP, the indexer robot IR and the center robot CR.
- Control device 101 includes control unit 102 and storage unit 104 .
- Each of the load ports LP accommodates a plurality of substrates W stacked one on top of another.
- the indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR.
- the center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the substrate processing units 10 .
- Each of the substrate processing units 10 processes the substrate W by ejecting a processing liquid onto the substrate W.
- FIG. The processing liquid cabinet 120 contains processing liquids.
- the plurality of substrate processing units 10 form a plurality of towers TW (four towers TW in FIG. 1) arranged to surround the center robot CR in plan view.
- Each tower TW includes a plurality of vertically stacked substrate processing units 10 (three substrate processing units 10 in FIG. 1).
- Each processing liquid box 110 corresponds to a plurality of towers TW.
- the processing liquid in the processing liquid cabinet 120 is supplied to the tower TW corresponding to the processing liquid box 110 via one of the processing liquid boxes 110 . Gas may be supplied to the substrate processing unit 10 and the processing liquid cabinet 120 in addition to the processing liquid.
- the processing liquid may contain a so-called chemical liquid.
- the chemical contains hydrofluoric acid.
- hydrofluoric acid may be heated to 40° C. or higher and 70° C. or lower, or may be heated to 50° C. or higher and 60° C. or lower.
- hydrofluoric acid does not have to be heated.
- the chemical solution may contain water or phosphoric acid.
- the chemical solution may contain hydrogen peroxide.
- the chemical solution may also include SC1 (ammonia-hydrogen peroxide solution mixture), SC2 (hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution mixture), or aqua regia (a mixture of concentrated hydrochloric acid and concentrated nitric acid).
- the treatment liquid may contain a so-called rinse liquid.
- the rinse liquid can be deionized water (DIW), carbonated water, electrolytic ion water, ozone water, ammonia water, hydrochloric acid water with a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm), or reduced water (hydrogen water ).
- a specific space within the substrate processing apparatus 100 is defined by the processing liquid cabinet 120 .
- a boundary wall BW is arranged between an area where the center robot CR and the substrate processing units 10 are installed and an area where the processing liquid cabinet 120 is installed.
- the processing liquid cabinet 120 defines a part of the space outside the boundary wall BW of the substrate processing apparatus 100 .
- the processing liquid cabinet 120 partitions a specific space within the substrate processing apparatus 100 with a housing.
- the processing liquid cabinet 120 has processing liquid pipes through which the processing liquid flows within the housing.
- the processing liquid cabinet 120 also typically has a preparation bath (tank) for preparing the processing liquid.
- the processing liquid cabinet 120 may have a preparation tank for one type of processing liquid, or may have a preparation tank for a plurality of types of processing liquids.
- the processing liquid cabinet 120 may also have pumps, nozzles and/or filters for distributing processing liquids.
- the processing liquid cabinet 120 has a first processing liquid housing 122a and a second processing liquid housing 122b.
- the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are arranged to face each other.
- a specific space in the substrate processing apparatus 100 is defined by the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b.
- the processing liquid in the first processing liquid housing 122a corresponds to the processing liquid box 110 through one of the processing liquid boxes 110.
- the flow supplied to the tower TW is shown, and the flow of the processing liquid inside the second processing liquid housing 122b is omitted.
- Control device 101 controls various operations of the substrate processing apparatus 100 .
- Control device 101 includes control unit 102 and storage unit 104 .
- the control unit 102 has a processor.
- the control unit 102 has, for example, a central processing unit (CPU).
- the control unit 102 may have a general-purpose computer.
- the storage unit 104 stores data and computer programs.
- the data includes recipe data.
- Recipe data includes information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes defines the processing content and processing procedure of the substrate W.
- the data includes exhaust conditions for evacuating the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 .
- the evacuation conditions may include standard evacuation conditions and forced evacuation conditions.
- the control unit 102 exhausts the atmosphere inside the processing liquid cabinet 120 according to the exhaust conditions stored in the storage unit 104 .
- the control unit 102 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the standard exhaust condition or forced exhaust condition stored in the storage unit 104 .
- the storage unit 104 may have a table classified according to at least one of the type of processing liquid corresponding to the processing liquid cabinet 120 and the flow rate of the processing liquid. Further, the storage unit 104 has a table classified according to a combination of at least one of the type of processing liquid and the flow rate of the processing liquid corresponding to the processing liquid cabinet 120 and the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120. You may
- the storage unit 104 may store a predetermined reference value that serves as a reference when determining the exhaust condition.
- the predetermined reference value determines the leak condition within the processing liquid cabinet 120 by comparing it with the detected leak within the processing liquid cabinet 120 .
- the predefined reference value may be a threshold.
- the storage unit 104 includes a main storage device and an auxiliary storage device.
- the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
- Auxiliary storage devices are, for example, semiconductor memories and/or hard disk drives.
- Storage unit 104 may include removable media.
- the control unit 102 executes a computer program stored in the storage unit 104 to perform substrate processing operations.
- FIG. 2 is a schematic diagram of the substrate processing unit 10 in the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG.
- the substrate processing unit 10 includes a chamber 12 , a substrate holding section 20 and a processing liquid supply section 30 .
- the chamber 12 accommodates the substrate W.
- the substrate holding part 20 holds the substrate W. As shown in FIG.
- the chamber 12 has a substantially box shape with an internal space.
- the chamber 12 accommodates the substrate W.
- the substrate processing apparatus 100 is of a single substrate type that processes the substrates W one by one, and the substrates W are accommodated in the chamber 12 one by one.
- a substrate W is accommodated within the chamber 12 and processed within the chamber 12 .
- At least part of each of the substrate holding part 20 and the processing liquid supply part 30 is accommodated in the chamber 12 .
- the substrate holding part 20 holds the substrate W.
- the substrate holding part 20 holds the substrate W horizontally so that the upper surface (front surface) Wa of the substrate W faces upward and the back surface (lower surface) Wb of the substrate W faces vertically downward. Further, the substrate holding part 20 rotates the substrate W while holding the substrate W. As shown in FIG. The substrate holder 20 rotates the substrate W while holding it.
- the substrate holding part 20 may be of a clamping type that clamps the edge of the substrate W.
- the substrate holding part 20 may have any mechanism for holding the substrate W from the back surface Wb.
- the substrate holder 20 may be of a vacuum type. In this case, the substrate holding part 20 horizontally holds the substrate W by sucking the central portion of the back surface Wb of the substrate W, which is the non-device forming surface, onto the upper surface.
- the substrate holding unit 20 may be a combination of a clamping type in which a plurality of chuck pins are brought into contact with the peripheral edge surface of the substrate W and a vacuum type.
- the substrate holder 20 includes a spin base 21, a chuck member 22, a shaft 23, an electric motor 24, and a housing 25.
- the chuck member 22 is provided on the spin base 21 .
- the chuck member 22 chucks the substrate W.
- the spin base 21 is provided with a plurality of chuck members 22 .
- the shaft 23 is a hollow shaft.
- the shaft 23 extends vertically along the rotation axis Ax.
- a spin base 21 is coupled to the upper end of the shaft 23 .
- a substrate W is placed above the spin base 21 .
- the spin base 21 is disc-shaped and supports the substrate W horizontally.
- Shaft 23 extends downward from the central portion of spin base 21 .
- the electric motor 24 gives rotational force to the shaft 23 .
- the electric motor 24 rotates the shaft 23 in the rotational direction to rotate the substrate W and the spin base 21 about the rotation axis Ax.
- a housing 25 surrounds the shaft 23 and the electric motor 24 .
- the processing liquid supply unit 30 supplies the substrate W with the processing liquid. Typically, the processing liquid supply unit 30 supplies the processing liquid to the upper surface Wa of the substrate W. As shown in FIG.
- the treatment liquid supply unit 30 includes a pipe 32, a valve 34, and a nozzle 36.
- the nozzle 36 ejects the processing liquid onto the upper surface Wa of the substrate W.
- a nozzle 36 is connected to the pipe 32 .
- a processing liquid is supplied to the pipe 32 from a supply source.
- the valve 34 opens and closes the flow path inside the pipe 32 .
- the nozzle 36 is preferably configured to be movable with respect to the substrate W. As shown in FIG.
- the nozzle 36 can move horizontally and/or vertically according to a movement mechanism controlled by the controller 102 . It should be noted that the moving mechanism has been omitted in this specification to avoid over-complicating the drawings.
- the valve 34 adjusts the opening degree of the pipe 32 to adjust the flow rate of the processing liquid supplied to the pipe 32 .
- the valve 34 includes a valve body (not shown) in which a valve seat is provided, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator (not shown) that moves the valve body between an open position and a closed position. not shown).
- the substrate processing apparatus 100 further includes a cup 80.
- the cup 80 collects the processing liquid scattered from the substrate W. As shown in FIG. The cup 80 moves up and down. For example, the cup 80 rises vertically upward to the side of the substrate W while the processing liquid supply unit 30 supplies the substrate W with the processing liquid. In this case, the cup 80 collects the processing liquid that scatters from the substrate W as the substrate W rotates. Further, the cup 80 descends vertically downward from the side of the substrate W when the period during which the processing liquid supply unit 30 supplies the processing liquid to the substrate W ends.
- control device 101 includes the control unit 102 and the storage unit 104.
- the control section 102 controls the substrate holding section 20 , the processing liquid supply section 30 and/or the cup 80 .
- controller 102 controls electric motor 24 and valve 34 .
- the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment is suitably used for fabricating semiconductor elements provided with semiconductors. Typically, in a semiconductor device, a conductive layer and an insulating layer are laminated on a substrate.
- the substrate processing apparatus 100 is preferably used for cleaning and/or processing (e.g., etching, characteristic change, etc.) of conductive layers and/or insulating layers during the manufacture of semiconductor devices.
- the processing liquid supply section 30 can supply one type of processing liquid to the substrate W, but the processing liquid supply section 30 supplies a plurality of types of processing liquid to the substrate W. can be supplied to
- the treatment liquid supply unit 30 may include multiple pipes 32 , valves 34 and nozzles 36 .
- FIG. 3 is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the treatment liquid cabinet 120 has a housing 122 , an air inlet 123 , an exhaust section 124 , a liquid leakage detection section 130 , a treatment liquid pipe 132 and a preparation tank 134 .
- the housing 122 is provided with an intake port 123 and an exhaust section 124 . Further, the housing 122 accommodates the liquid leakage detector 130 . A housing 122 partitions the processing liquid cabinet 120 .
- the housing 122 has a door 122d that can be opened and closed. The operator can enter the housing 122 by opening the door 122d.
- a suction port 123 is provided in the housing 122 . Outside air is drawn into the housing 122 through the intake port 123 .
- the intake port 123 is provided in the door 122d.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere inside the housing 122 .
- the exhaust unit 124 can exhaust the atmosphere in the housing 122 by changing the exhaust amount per unit time.
- the exhaust amount per unit time may be simply referred to as "exhaust amount”.
- An airflow is formed in the housing 122 by the positions of the intake port 123 and the exhaust section 124 in the housing 122 .
- the gas sucked into the housing 122 through the intake port 123 is exhausted to the outside through the exhaust portion 124 .
- the intake port 123 and the exhaust section 124 are preferably arranged at positions separated from each other.
- the intake port 123 and the exhaust portion 124 are arranged on the facing wall surfaces, one of the intake port 123 and the exhaust portion 124 is arranged at a relatively high position, and the other of the intake port 123 and the exhaust portion 124 is arranged at a relatively low position. position is preferred.
- the intake port 123 is arranged at the same height as the bottom of the preparation tank 134
- the exhaust part 124 is arranged at a position higher than the upper part of the preparation tank 134 .
- the housing 122 may be provided with one exhaust section 124 and a plurality of intake ports 123 . As a result, stagnation of the gas within the housing 122 can be suitably suppressed.
- the exhaust section 124 may have an exhaust pipe 125 and an exhaust amount adjusting mechanism 126 .
- the exhaust pipe 125 When the atmosphere inside the housing 122 is exhausted, the gas inside the housing 122 flows through the exhaust pipe 125 and is discharged to the outside.
- the exhaust volume adjustment mechanism 126 adjusts the amount of gas flowing through the exhaust pipe 125 (exhaust volume).
- the exhaust volume adjustment mechanism 126 can increase or decrease the exhaust volume flowing through the exhaust pipe 125 .
- the exhaust amount adjusting mechanism 126 may be arranged inside the processing liquid cabinet 120 or may be arranged outside the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust amount adjustment mechanism 126 may be arranged at the end of the exhaust pipe 125 .
- the exhaust amount adjustment mechanism 126 may be arranged inside the exhaust pipe 125 .
- the exhaust volume adjustment mechanism 126 may include a damper that adjusts the opening of the exhaust pipe 125.
- the exhaust volume adjustment mechanism 126 may include a fan that determines the flow rate of exhaust gas flowing through the exhaust pipe 125 .
- the liquid leakage detection unit 130 detects liquid leakage in the treatment liquid cabinet 120 . Based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 , the control unit 102 determines the liquid leakage state inside the treatment liquid cabinet 120 .
- the liquid leakage detection unit 130 may include a liquid detection sensor. Typically, the liquid detection sensor detects leaked processing liquid within the processing liquid cabinet 120 .
- the liquid leakage detection unit 130 may include a gas detection sensor.
- the gas detection sensor detects liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 by detecting gas generated by vaporization of the processing liquid generated in the processing liquid cabinet 120 .
- the liquid leakage detection unit 130 may include a camera.
- a camera has an imaging element. Typically, the camera captures an image of the inside of the processing liquid cabinet 120 and performs image analysis on the captured image to detect liquid leakage that has occurred within the processing liquid cabinet 120 .
- the liquid leakage detection unit 130 may include two or more flowmeters. Typically, leaks occurring within the processing liquid cabinet 120 may be detected according to the difference between two or more flow meters.
- the liquid leakage detection unit 130 may acquire a detection amount obtained by quantifying the detection result.
- the control unit 102 may obtain a detection amount indicating the degree of liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 by quantifying the detection result from the liquid leakage detection unit 130 .
- the treatment liquid pipe 132 distributes the treatment liquid.
- the processing liquid pipe 132 communicates with the processing liquid supply section 30 of the substrate processing unit 10 and distributes the processing liquid to the processing liquid supply section 30 .
- the preparation tank 134 stores the processing liquid. Processing liquid flows through processing liquid line 132 to preparation vessel 134 and then out of preparation vessel 134 through processing liquid line 132 .
- control device 101 includes the control unit 102 and the storage unit 104.
- Control unit 102 controls exhaust unit 124 and liquid leakage detection unit 130 .
- the control unit 102 determines the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 .
- the control unit 102 determines exhaust conditions based on the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet 120, and controls the exhaust unit 124 according to the determined exhaust conditions.
- FIG. 4 is a block diagram of the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG.
- the control device 101 controls various operations of the substrate processing apparatus 100 .
- the control device 101 controls the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holding section 20 and the processing liquid supply section 30 .
- the control device 101 transmits control signals to the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holder 20, and the processing liquid supply unit 30, thereby causing the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holder 30 to 20, the processing liquid supply unit 30, the exhaust unit 124, and the liquid leakage detection unit 130 are controlled.
- control unit 102 controls the indexer robot IR to transfer the substrate W by the indexer robot IR.
- the control unit 102 controls the center robot CR to transfer the substrate W by the center robot CR.
- the center robot CR receives an unprocessed substrate W and loads the substrate W into one of the substrate processing units 10 .
- the center robot CR receives the processed substrate W from the substrate processing unit 10 and unloads the substrate W. As shown in FIG.
- the control unit 102 controls the substrate holding unit 20 to start rotation of the substrate W, change the rotation speed, and stop rotation of the substrate W.
- the controller 102 can control the substrate holder 20 to change the number of rotations of the substrate holder 20 .
- the controller 102 can change the rotation speed of the substrate W by changing the rotation speed of the electric motor 24 of the substrate holder 20 .
- the control unit 102 can control the valve 34 of the processing liquid supply unit 30 to switch the state of the valve 34 between an open state and a closed state. Specifically, the control unit 102 controls the valve 34 of the processing liquid supply unit 30 to open the valve 34, thereby allowing the processing liquid flowing through the pipe 32 toward the nozzle 36 to pass through. . Further, the control unit 102 can stop the supply of the processing liquid flowing through the pipe 32 toward the nozzle 36 by controlling the valve 34 of the processing liquid supply unit 30 to close the valve 34 . .
- the control unit 102 can control the exhaust of the exhaust unit 124 by switching exhaust conditions for exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 . Specifically, the control unit 102 can control the exhaust unit 124 by switching the exhaust condition to either the standard exhaust condition or the forced exhaust condition. Furthermore, the control unit 102 can determine any one of a plurality of forced exhaust conditions and control the exhaust unit 124 according to the determined forced exhaust condition. Note that the control unit 102 may stop the exhaust by the exhaust unit 124 .
- the control unit 102 can control the liquid leakage detection unit 130 to detect liquid leakage occurring inside the processing liquid cabinet 120 . Further, the control unit 102 can determine the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 based on the detection result from the liquid leakage detection unit 130 .
- the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is suitably used for forming semiconductor elements.
- the substrate processing apparatus 100 is preferably used to process a substrate W used as a semiconductor device having a laminated structure.
- the semiconductor device is a memory (storage device) having a so-called 3D structure.
- the substrate W is suitably used as a NAND flash memory.
- FIGS. 5A to 5C are schematic diagrams for explaining the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 of this embodiment. 5(a) to 5(c), the processing liquid pipe 132 and the preparation tank 134 are omitted for the purpose of simplifying the drawings.
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under the standard exhaust condition set to the standard exhaust amount.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition.
- the standard exhaust conditions are set based on the type of processing liquid flowing through the processing liquid piping 132 in the processing liquid cabinet 120 or the flow rate of the processing liquid flowing through the piping.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions. As the air is exhausted by the exhaust unit 124 , air is sucked into the processing liquid cabinet 120 through the intake port 123 .
- the standard exhaust can prevent the atmosphere inside the housing 122 from leaking to the outside of the housing 122 .
- the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to a forced exhaust rate larger than the standard exhaust rate. Exhaust under forced exhaust conditions. Specifically, when the processing liquid leaks within the processing liquid cabinet 120 , the liquid leakage detection unit 130 detects the liquid leakage within the processing liquid cabinet 120 . The control unit 102 determines the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 . The control unit 102 determines forced exhaust conditions according to the liquid leakage state.
- the forced exhaust condition is set based on a combination of the type of processing liquid flowing through the processing liquid pipe 132 in the processing liquid cabinet 120 or the flow rate of the processing liquid flowing through the processing liquid pipe 132 and the leakage state.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the determined forced exhaust conditions.
- the liquid leakage detection unit 130 detects a small amount of processing liquid inside the processing liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount according to the liquid leakage state.
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust conditions so that the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to a forced exhaust rate larger than the standard exhaust rate. Exhaust under forced exhaust conditions.
- the control unit 102 determines the forced evacuation condition set to a larger forced evacuation amount according to the liquid leakage state. .
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust conditions so that the exhaust unit 124 can forcibly exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust amount of the exhaust section 124 can be controlled according to the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 . Therefore, the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 can be appropriately exhausted according to the amount of the processing liquid that has leaked in the processing liquid cabinet 120 .
- liquid leakage state and the forced exhaust condition in the processing liquid cabinet 120 are divided into two stages, but the present embodiment is not limited to this. Leakage conditions and forced evacuation conditions within the processing liquid cabinet 120 may be divided into as many stages as three or more.
- FIGS. 6(a) and 6(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet 120 according to this embodiment.
- the horizontal axis indicates time
- the vertical axis indicates the detection amount obtained by quantifying the detection state. The larger the amount of leaked processing liquid in the processing liquid cabinet 120, the higher the detection amount.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate.
- the detection amount increases.
- the exhaust condition is changed from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition.
- the threshold t1 is used as a reference for the presence or absence of liquid leakage within the processing liquid cabinet 120 .
- Threshold t1 is an example of a predetermined reference value.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere inside the processing liquid cabinet 120 according to the forced exhaust condition.
- the displacement of the forced exhaust condition is larger than the standard displacement. After that, the detection amount starts to decrease due to the forced exhaust according to the forced exhaust conditions.
- the exhaust condition returns from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 causes the inside of the processing liquid cabinet 120 to decompress according to the standard exhaust condition. Evacuate the atmosphere.
- the exhaust volume under the standard exhaust condition is smaller than the forced exhaust volume.
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 can be efficiently exhausted by changing the forced exhaust condition according to the detection amount indicating the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust condition may be switched between the standard exhaust condition and the forced exhaust condition depending on whether or not the detected amount exceeds the threshold value t1.
- the detection amount indicating the amount of leakage of the processing liquid within the processing liquid cabinet 120 was relatively small, but a larger amount of processing liquid may leak within the processing liquid cabinet 120. For example, if a large amount of processing liquid leaks from the processing liquid pipe 132 in the processing liquid cabinet 120, the amount of detection cannot be reduced unless the exhaust amount is considerably increased.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate. Therefore, the detection amount is maintained at a low value.
- the detection amount increases. For example, when the detected amount exceeds the threshold value t1, the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the first forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 moves the inside of the processing liquid cabinet 120 according to the first forced exhaust condition. exhaust the atmosphere.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the first forced exhaust condition set to the first forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the first forced exhaust condition to the second forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 causes the processing liquid cabinet 120 to operate according to the second forced exhaust condition.
- Exhaust the atmosphere inside. Threshold t2 is an example of a predetermined reference value.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the second forced exhaust condition set to the second forced exhaust amount larger than the first forced exhaust amount.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the second forced exhaust condition to the third forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 operates the processing liquid cabinet according to the third forced exhaust condition.
- the atmosphere within 120 is evacuated.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the third forced exhaust condition set to the third forced exhaust amount.
- the third forced exhaust amount is smaller than the second forced exhaust amount and larger than the standard exhaust amount.
- the third forced exhaust amount may be equal to the first forced exhaust amount, and the third forced exhaust condition may be equal to the first forced exhaust condition.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the third forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 adjusts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the standard exhaust condition. to exhaust.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions set to a standard exhaust amount smaller than the third forced exhaust amount.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 can be efficiently adjusted according to the environment of the processing liquid cabinet 120. can be exhausted.
- FIG. 7 is a flowchart of the exhaust control method for the processing liquid cabinet 120 of this embodiment.
- step S102 the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under the standard exhaust condition set to the standard exhaust amount.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the standard exhaust condition.
- step S104 it is determined whether or not liquid leakage is detected within the processing liquid cabinet 120.
- the liquid leakage detection unit 130 detects the liquid leakage.
- the liquid leakage detection unit 130 detects the treatment liquid leaking from the treatment liquid pipe 132 .
- the liquid leakage detection unit 130 may detect the liquid amount of the treatment liquid that contacts the liquid detection sensor.
- the liquid leakage detection unit 130 detects gas generated inside the processing liquid cabinet 120 .
- the gas detection sensor may detect the gas concentration of the processing liquid generated within the processing liquid cabinet 120 .
- the liquid leakage detection unit 130 When the liquid leakage detection unit 130 includes a camera, the liquid leakage detection unit 130 takes an image of the inside of the processing liquid cabinet 120 .
- the camera or controller 102 may detect leaks in the processing liquid cabinet 120 by processing captured images.
- the leak detector 130 may include a temperature sensor. If the leak detector 130 includes a temperature sensor, the leak detector 130 measures the temperature inside the processing liquid cabinet 120 . In this case, if the processing liquid leaks in the processing liquid cabinet 120, the leak can be detected by the temperature sensor.
- the temperature sensor may be contact or non-contact. The temperature sensor may detect infrared rays emitted by the treatment liquid.
- step S104 If no liquid leakage is detected within the treatment liquid cabinet 120 (No in step S104), the process returns to step S102. As a result, the exhaust unit 124 can repeat detection and determination of liquid leakage while exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the standard exhaust conditions. On the other hand, if liquid leakage is detected within the treatment liquid cabinet 120 (Yes in step S104), the process proceeds to step S106.
- step S ⁇ b>106 the control unit 102 determines the liquid leakage state within the treatment liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 determines the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 .
- the control unit 102 may determine the liquid leakage state in the treatment liquid cabinet 120 according to the detection amount based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 .
- step S108 the control unit 102 determines forced exhaust conditions.
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition according to the liquid leakage state from a plurality of forced exhaust conditions.
- a plurality of forced exhaust conditions are set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition according to the liquid leakage state from two stages of forced exhaust conditions.
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition according to the liquid leakage state from three or more stages of forced exhaust conditions.
- step S110 the control unit 102 controls the exhaust unit 124 according to the determined forced exhaust condition to exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet 120. Therefore, the processing liquid cabinet 120 is forcibly evacuated.
- step S112 it is determined again whether or not liquid leakage is detected within the processing liquid cabinet 120. If the processing liquid has not been exhausted from the processing liquid cabinet 120, the liquid leakage detection unit 130 detects liquid leakage.
- step S112 When liquid leakage is detected within the treatment liquid cabinet 120 (Yes in step S112), the process returns to step S110. In this case, the exhaust unit 124 continues forced exhaust of the processing liquid cabinet 120 . If no liquid leakage is detected in processing liquid cabinet 120 (No in step S112), the process proceeds to step S114.
- step S114 it is determined whether or not to end the exhaust process.
- the controller 102 receives an instruction to end the exhaust process, it ends the exhaust process.
- the control unit 102 terminates the exhaust process.
- step S114 If the exhaust process is not to end (No in step S114), the process returns to S102. In this case, the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions. On the other hand, if it is determined to end the exhaust process (Yes in step S114), the process ends.
- the forced exhaust condition of the processing liquid cabinet 120 can be changed according to the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 .
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 can be exhausted according to the degree of liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust condition is changed immediately according to the change in the detected amount, but the present embodiment is not limited to this. It is not necessary to immediately change the exhaust condition according to the change in the detected amount.
- FIGS. 8(a) and 8(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet 120 according to this embodiment.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate. Therefore, the detection amount is maintained at a low value.
- the detection amount increases.
- the detection amount is controlled according to the detected amount after a predetermined time Ta has elapsed since the detected amount exceeded the threshold value t1.
- the control unit 102 changes the exhaust condition to the forced exhaust condition according to the detected amount, and the exhaust unit 124 , the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under forced exhaust conditions set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition. . Even if the exhaust condition is changed from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, the detection amount is further reduced. However, the slope of the decrease in the detection amount becomes smaller due to the change in the exhaust condition.
- the exhaust condition is changed so that the exhaust amount increases after the predetermined time has passed since the detected amount exceeded the threshold value t1. Not limited.
- the exhaust condition is changed so that the displacement increases after the detected amount reaches the threshold, and after a predetermined period of time has elapsed since the change in the exhaust condition, the exhaust condition is changed so that the displacement decreases. good too.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate. Therefore, the detection amount is maintained at a low value.
- the control unit 102 When the processing liquid starts to leak in the processing liquid cabinet 120 after a predetermined time has passed, the detection amount increases.
- the control unit 102 does not immediately change the exhaust condition and continues acquiring the detection amount for a predetermined time. After that, the control unit 102 changes the exhaust condition after the detection amount exceeds the threshold value t2.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the first forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 causes the processing liquid cabinet 120 to operate according to the first forced exhaust condition. Exhaust the atmosphere inside.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the first forced exhaust condition set to the first forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the detected amount once increases even after the exhaust condition is changed from the standard exhaust condition to the first forced exhaust condition, and then begins to decrease.
- the control unit 102 continues acquiring the detection amount for a predetermined time without changing the exhaust condition immediately. After that, the control unit 102 controls the exhaust condition according to the detection amount acquired after a predetermined time Tb has elapsed since the detection amount reached the threshold value t2. In this embodiment, since the detected amount after the predetermined time Tb has passed is lower than the threshold value t1, the control unit 102 changes the exhaust condition from the first forced exhaust condition to the second forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 , the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under the second forced exhaust condition.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the second forced exhaust condition set to the second forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount and smaller than the first forced exhaust amount. Even if the exhaust condition is changed from the first forced exhaust condition to the second forced exhaust condition, the detection amount itself continues to decrease.
- the exhaust condition is controlled according to the detection amount acquired after a predetermined time Tc has passed since the first forced exhaust condition was changed to the second forced exhaust condition.
- the control unit 102 since the detected amount after the predetermined time Tc has passed is lower than the threshold value t1, the control unit 102 changes the exhaust condition from the second forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 2.
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under standard exhaust conditions set to a standard exhaust amount smaller than the forced exhaust amount.
- the detection amount is further reduced.
- the slope of the decrease in the detection amount becomes even smaller.
- FIG. 9 is a flowchart of the exhaust control method for the processing liquid cabinet 120 of this embodiment.
- the flow chart of FIG. 9 has the same processes as the flow chart shown in FIG. 7 except that the forced evacuation process (step S110) is divided into a plurality of steps, and is duplicated for the purpose of avoiding redundancy. Description is omitted.
- steps S102 to S106 are the same as steps S102 to S106 shown in FIG. 7, and description thereof will be omitted.
- step S108 the control unit 102 determines forced exhaust conditions.
- the control unit 102 determines forced exhaust conditions according to the liquid leakage state. For example, the control unit 102 determines the forced exhaust condition according to the leak state from two or more stages of forced exhaust conditions.
- step S110 the control unit 102 controls the exhaust unit 124 according to the determined forced exhaust condition to exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet 120. Therefore, the processing liquid cabinet 120 is forcibly exhausted under the forced exhaust condition set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- step S110a the exhaust condition is controlled based on the detected amount. For example, when the detected amount exceeds the threshold value t2, the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the first forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 changes the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to the first forced exhaust condition. to exhaust.
- the displacement under the first forced exhaust condition is larger than that under the standard exhaust condition.
- step S110b it is determined whether or not a predetermined time Tb has passed. If predetermined time Tb has not elapsed (No in step S110b), the process returns to step S110a. Therefore, the forced exhaust continues until the predetermined time Tb elapses. If predetermined time Tb has passed (Yes in step S110b), the process proceeds to step S110c.
- step S110c it is determined whether or not liquid leakage is detected within the treatment liquid cabinet 120.
- the liquid leakage detection unit 130 detects the liquid leakage. For example, the control unit 102 determines whether or not the detection amount is lower than the threshold value t1.
- step S110c When liquid leakage is detected within the treatment liquid cabinet 120 (Yes in step S110c), the process returns to step S110a. In this case, the controller 102 continues forced evacuation of the processing liquid cabinet 120 . If no liquid leakage is detected in the processing liquid cabinet 120 (No in step S110c), the process proceeds to step S110d.
- step S110d the exhaust condition is changed from the first forced exhaust condition to the second forced exhaust condition.
- the second forced exhaust amount set for the second forced exhaust condition is larger than the standard exhaust amount and smaller than the first forced exhaust amount.
- step S110e it is determined whether or not the predetermined time Tc has passed. If predetermined time Tc has not elapsed (No in step S110e), the process returns to step S110d. In this case, the exhaust unit 124 continues to exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the second forced exhaust condition until the predetermined time Tc elapses. If predetermined time Tc has passed (Yes in step S110e), the process proceeds to step S112.
- step S112 The steps after step S112 are the same as those described above with reference to FIG.
- the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 of the present embodiment the exhaust amount of the processing liquid cabinet 120 can be controlled according to the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust condition is changed based on the detected amount after the predetermined time has elapsed, so that it is possible to prevent the exhaust condition from being changed excessively according to the fluctuation of the detected amount.
- the exhaust condition is
- the exhaust condition may be changed based on the time change of the sensed state.
- 10(a) and 10(b) are graphs showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method for the processing liquid cabinet 120 according to this embodiment.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate. Therefore, the detection amount is maintained at a low value.
- the detection amount increases.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the forced exhaust condition.
- the displacement under the forced exhaust condition is larger than that under the standard exhaust condition.
- the amount of detection quickly decreases due to forced exhaust.
- the ratio ( ⁇ S/ ⁇ T) between the difference ( ⁇ S) between the peak value of the detection amount and the threshold value t1 and the time ( ⁇ T) from when the peak value of the detection amount is reached to when the threshold value t1 is reached is the ratio threshold bigger than
- the exhaust condition is returned from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions set to a standard exhaust amount smaller than the forced exhaust amount. Even if the exhaust condition is changed from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, the detection amount is further reduced. However, the slope of the decrease in the detection amount becomes smaller due to the change in the exhaust condition.
- the exhaust condition is changed when the detection amount becomes lower than the threshold value t1, but the present embodiment is not limited to this.
- the exhaust condition may be changed based not only on the detected amount but also on the temporal change of the detected amount.
- the processing liquid does not leak in the processing liquid cabinet 120 at first.
- the control unit 102 sets the exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the standard exhaust condition.
- the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 is exhausted at a standard exhaust rate. Therefore, the detection amount is maintained at a low value.
- the detection amount increases.
- the exhaust condition is changed from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition.
- the displacement of the forced exhaust condition is larger than the standard displacement. After that, the detection amount starts to decrease due to the forced exhaust according to the forced exhaust conditions.
- the amount of detection tends to decrease due to forced exhaust.
- the detection amount fluctuates greatly with the passage of time, and the detection amount gradually decreases while fluctuating.
- the ratio ( ⁇ S / ⁇ T) between the difference ( ⁇ S) between the peak value of the detection amount and the threshold t1 and the time ( ⁇ T) from the time when the peak value of the detection amount is reached to the threshold t1 is higher than the ratio threshold small.
- the control unit 102 does not return the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition. Therefore, even if the detected amount reaches the threshold value t1, the control unit 102 maintains the exhaust condition as the forced exhaust condition, and the exhaust unit 124 continues exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under the forced exhaust condition.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to the standard condition.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions set to a standard exhaust amount smaller than the forced exhaust amount. Even if the exhaust condition is changed from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, the detection amount is further reduced. However, the slope of the decrease in the detection amount becomes smaller due to the change in the exhaust condition.
- the condition for changing the exhaust condition may be changed based on the ratio ( ⁇ S/ ⁇ T) to the time ( ⁇ T) until reaching the point. In this manner, it may be determined whether or not to return the exhaust condition from the controlled exhaust condition to the standard exhaust condition based on the pattern of temporal change in the liquid leakage state.
- the exhaust amount adjustment mechanism 126 may be a damper that adjusts the opening degree of the exhaust pipe 125 .
- FIG. 11(a) to 11(c) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 according to this embodiment.
- the exhaust section 124 has an exhaust pipe 125 and a damper 127 .
- a damper 127 controls the opening of the exhaust pipe 125 .
- the damper 127 functions as an exhaust amount adjustment mechanism for the exhaust pipe 125 .
- the damper 127 may control the degree of opening by a cylinder or a motor. Alternatively, damper 127 may control the degree of opening by turning off the lock pin.
- the damper 127 is positioned outside the exhaust pipe 125 . Specifically, the damper 127 is arranged at a position covering the end of the exhaust pipe 125 . The opening degree of damper 127 is controlled by control unit 102 .
- FIG. 11(a) no liquid leakage is detected in the processing liquid cabinet 120.
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 is exhausted under the standard exhaust condition set to the standard exhaust amount.
- the control unit 102 controls the opening of the damper 127 to be relatively narrow, so that the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 under standard exhaust conditions. As the air is exhausted by the exhaust unit 124 , air is sucked into the processing liquid cabinet 120 through the intake port 123 .
- the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to a forced exhaust rate larger than the standard exhaust rate. Exhaust under forced exhaust conditions. Specifically, when the processing liquid leaks within the processing liquid cabinet 120 , the liquid leakage detection unit 130 detects the liquid leakage within the processing liquid cabinet 120 . The control unit 102 determines the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120 based on the detection result of the liquid leakage detection unit 130 . The control unit 102 determines forced exhaust conditions according to the liquid leakage state and widens the opening of the damper 127 . The exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 according to the determined forced exhaust conditions.
- the liquid leakage detection unit 130 detects a small amount of processing liquid inside the processing liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount according to the liquid leakage state.
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust conditions so that the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to a forced exhaust rate larger than the standard exhaust rate. Exhaust under forced exhaust conditions.
- the control unit 102 determines the forced evacuation condition set to a larger forced evacuation amount according to the liquid leakage state. . In this case, control unit 102 further widens the opening of damper 127 .
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust conditions so that the exhaust unit 124 can forcibly exhaust the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 .
- the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 of the present embodiment by adjusting the opening degree of the damper 127 according to the liquid leakage state in the processing liquid cabinet 120, the exhaust amount of the exhaust section 124 is can be controlled. Therefore, the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 can be appropriately exhausted according to the amount of the processing liquid that has leaked in the processing liquid cabinet 120 .
- air is sucked into the processing liquid cabinet 120 through the intake port 123 by exhausting the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 by the exhaust unit 124.
- This embodiment is not limited to this. Gas may be supplied into the processing liquid cabinet 120 as the exhaust unit 124 exhausts the gas.
- FIGS. 12(a) to 12(c) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 of this embodiment.
- the treatment liquid cabinet 120 further includes an air supply section 128 .
- the air supply unit 128 is arranged within the housing 112 .
- the gas supply unit 128 supplies gas to the processing liquid cabinet 120 .
- the processing liquid cabinet 120 does not have an air inlet 123 .
- the exhaust 124 exhausts the atmosphere within the processing liquid cabinet 120 while the processing liquid cabinet 120 is supplied with air by the air supply 128 .
- the air supply unit 128 may supply inert gas. Inert gases include nitrogen. Alternatively, the air supply section 128 may supply air. In this case, the air supply unit 128 may supply the air used for the downflow of the clean room.
- the processing liquid cabinet 120 does not have the intake port 123, even if the processing liquid leaks inside the processing liquid cabinet 120, the processing liquid can be prevented from leaking to the outside. In addition, it is possible to prevent external light from entering the processing liquid cabinet 120, and to prevent the characteristics of the processing liquid from fluctuating.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 at a standard exhaust amount, and the air supply unit 128 supplies the processing liquid cabinet 120 with a standard air supply amount. Thereby, the inside of the processing liquid cabinet 120 can be maintained at a constant atmospheric pressure.
- the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 with a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the liquid leakage detection unit 130 detects a small amount of liquid leakage within the processing liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 determines a forced exhaust condition set to a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount according to the liquid leakage state, and the exhaust unit 124 sets the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 to the forced exhaust condition. to exhaust. Further, the controller 102 sets a forced air supply amount larger than the standard air supply amount according to the liquid leakage state, and the air supply unit 128 supplies air into the processing liquid cabinet 120 at the forced air supply amount.
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust condition and controls the air supply unit 128 according to the set forced air supply amount, whereby the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120. can be cleaned.
- the exhaust unit 124 when a relatively large amount of the processing liquid leaks from the processing liquid cabinet 120, the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 with a larger exhaust rate than the standard exhaust rate. .
- the liquid leakage detection unit 130 detects a large amount of liquid leakage within the treatment liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 sets a forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount according to the liquid leakage state.
- the air supply unit 128 supplies a larger amount of air to the processing liquid cabinet 120 according to the liquid leakage state.
- the control unit 102 controls the exhaust unit 124 under the determined forced exhaust condition and controls the air supply unit 128 according to the set air supply amount, whereby the exhaust unit 124 exhausts the atmosphere in the processing liquid cabinet 120. can.
- the state of liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 is divided into two stages, but the present embodiment is not limited to this.
- a leak condition within the processing liquid cabinet 120 may be divided into many stages, three or more.
- FIG. 13 is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the processing liquid cabinet 120 includes a housing 122, an air inlet 123, an exhaust section 124, a liquid leakage detection section 130, a processing liquid pipe 132 and a preparation tank 134, as well as a pump 136a and a temperature controller 136b. and a filter 136c.
- the processing liquid pipe 132 supplies the processing liquid to the preparation tank 134 .
- the processing liquid pipe 132 flows the processing liquid from the preparation tank 134 to the outside.
- the processing liquid pipe 132 extends from the outside of the processing liquid cabinet 120 to the inside of the processing liquid cabinet 120 . Also, the processing liquid pipe 132 extends from the inside of the processing liquid cabinet 120 to the outside of the processing liquid cabinet 120 .
- the boundary portion of the processing liquid pipe 132 through which the processing liquid flows from the outside of the processing liquid cabinet 120 toward the inside of the processing liquid cabinet 120 is referred to as an inflow port 132p.
- a boundary portion through which the processing liquid flows toward the outside of the processing liquid cabinet 120 is referred to as an outflow port 132q.
- the portion of the processing liquid pipe 132 from the inlet 132p to the preparation tank 134 may be referred to as the upstream processing liquid pipe 132a, and the portion from the preparation tank 134 to the outlet 132q may be referred to as the downstream side. It may be described as a side treatment liquid pipe 132b.
- a pump 136 a , a temperature control device 136 b and a filter 136 c are attached to the treatment liquid pipe 132 .
- the pump 136a, the temperature controller 136b and the filter 136c are attached to the downstream processing liquid pipe 132b.
- the pump 136 a sends the processing liquid to the processing liquid pipe 132 .
- the temperature control device 136 b heats the processing liquid flowing through the processing liquid pipe 132 .
- the temperature of the treatment liquid is adjusted by the temperature controller 136b.
- the filter 136 c filters the processing liquid flowing through the processing liquid pipe 132 .
- the liquid leakage detection unit 130 may be arranged below the preparation tank 134 . Alternatively, the liquid leakage detector 130 may be arranged near the processing liquid pipe 132 .
- a space for arranging electrical components may be provided in the upper part of the housing 122 .
- liquid leakage detectors 130 may be arranged in the treatment liquid cabinet 120 .
- liquid leakage in the treatment liquid cabinet 120 may be determined based on the detection result of one of the multiple types of liquid leakage detection units 130 or a combination of multiple detection results.
- FIG. 14A is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the treatment liquid cabinet 120 shown in FIG. 14(a) has the same configuration as the treatment liquid cabinet 120 shown in FIG. redundant description is omitted for the purpose of avoiding redundancy.
- the liquid leakage detection unit 130 includes a liquid detection sensor 130a and a camera 130b.
- the liquid detection sensor 130 a is arranged below the housing 122 .
- Camera 130 b is arranged above housing 122 .
- the liquid leakage detection unit 130 may detect liquid leakage from the treatment liquid cabinet 120 based on the detection result of either the liquid detection sensor 130a or the camera 130b. Alternatively, the liquid leakage detection unit 130 may detect liquid leakage from the treatment liquid cabinet 120 based on detection results from both the liquid detection sensor 130a and the camera 130b.
- the liquid leakage detection unit 130 may detect liquid leakage from the processing liquid cabinet 120 based on the flow rate of the liquid flowing through the processing liquid pipe 132 .
- FIG. 14(b) is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the treatment liquid cabinet 120 shown in FIG. 14(b) is similar to that shown in FIG. 14(a) except that the liquid leakage detector 130 includes a flowmeter 136d and a flowmeter 136e instead of the liquid detection sensor 130a and the camera 130b. has the same configuration as the treatment liquid cabinet 120 shown in FIG.
- the processing liquid cabinet 120 further includes a flowmeter 136d and a flowmeter 136e.
- the flow meter 136d is attached to the upstream processing liquid pipe 132a and measures the flow rate of the processing liquid flowing through the upstream processing liquid pipe 132a.
- the flow meter 136e is attached to the downstream processing liquid pipe 132b and measures the flow rate of the processing liquid flowing through the downstream processing liquid pipe 132b.
- the flow rate measured by the flow meter 136d is equal to the flow rate measured by the flow meter 136e.
- the flow rate measured at flow meter 136d is equal to the flow rate measured at flow meter 136e.
- the flow meters 136 d and 136 e can detect liquid leakage in the processing liquid cabinet 120 , and the flow meters 136 d and 136 e can function as the liquid leakage detector 130 .
- processing liquid cabinet 120 has one partitioned space in the above description with reference to FIGS. 1 to 14, the processing liquid cabinet 120 may have a plurality of partitioned spaces. .
- FIG. 15(a) and 15(b) are schematic top views of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the processing liquid cabinet 120 has a first processing liquid housing 122a and a second processing liquid housing 122b.
- the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are arranged adjacent to each other.
- the processing liquid cabinet 120 is partitioned from other members.
- the first treatment liquid housing 122a and the second treatment liquid housing 122b are respectively partitioned. Thereby, the treatment liquid cabinet 120 has a plurality of partitioned spaces.
- a processing liquid pipe 132 and a preparation tank 134 are arranged in the first processing liquid housing 122a.
- a processing liquid pipe 132 and a preparation tank 134 are arranged in the second processing liquid housing 122b.
- the processing liquid flowing through the first processing liquid housing 122a may be the same as the processing liquid flowing through the second processing liquid housing 122b, or may be different.
- the processing liquid in the first processing liquid housing 122a may be of a different type than the processing liquid in the second processing liquid housing 122b.
- the concentration of the processing liquid in the first processing liquid housing 122a may be different from the concentration of the processing liquid in the second processing liquid housing 122b.
- one of the processing liquids in the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b supplies the processing liquid to the substrate processing unit 10, and the other one supplies the processing liquid to the substrate processing unit 10 before supplying the processing liquid to the substrate processing unit 10. may be circulated.
- the first processing liquid housing 122a has an exhaust section 124a.
- the exhaust section 124a has an exhaust pipe 125a and a damper 127a.
- the second treatment liquid housing 122b has an exhaust section 124b.
- the exhaust section 124b has an exhaust pipe 125b and a damper 127b.
- a common exhaust pipe 140 is attached to the treatment liquid cabinet 120 .
- the common exhaust pipe 140 is connected to the exhaust pipe 125a of the first processing liquid housing 122a and the exhaust pipe 125b of the second processing liquid housing 122b. Therefore, the atmosphere in the first processing liquid housing 122a is exhausted through the exhaust pipe 125a and the common exhaust pipe 140, and the atmosphere in the second processing liquid housing 122b is exhausted through the exhaust pipe 125b and the common exhaust pipe 140. exhausted through
- the common exhaust pipe 140 has a connecting pipe 142 and a main pipe 144 .
- the communication pipe 142 connects the exhaust pipe 125 a of the first processing liquid housing 122 a, the exhaust pipe 125 b of the second processing liquid housing 122 b, and the main pipe 144 .
- the atmosphere inside the first treatment liquid housing 122 a is exhausted via the exhaust pipe 125 a , the connecting pipe 142 and the main pipe 144 .
- the atmosphere in the second processing liquid housing 122b is exhausted via the exhaust pipe 125b, the connecting pipe 142 and the main pipe 144. As shown in FIG.
- the liquid leakage detection unit 130 of the first processing liquid housing 122a detects the liquid leakage in the processing liquid cabinet 120. do.
- the control unit 102 determines the liquid leakage state within the processing liquid cabinet 120 .
- the control unit 102 sets the forced exhaust amount according to the liquid leakage state.
- the controller 102 increases the opening degree of the damper 127a according to the leakage state.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b. Therefore, the liquid leakage detection unit 130 of the second processing liquid housing 122 b does not detect liquid leakage within the processing liquid cabinet 120 . Therefore, the controller 102 keeps the opening of the damper 127b constant according to the leakage state.
- the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are separated from each other with a relatively simple configuration.
- the atmosphere in the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b can be exhausted integrally.
- the processing liquids flowing through the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b may be different.
- the processing liquids flowing through the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are common in terms of either acidity, alkalinity, or organic solvent. In this case, the exhaust that has flowed through the common exhaust pipe 140 can be collectively treated.
- the volume of the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b, the type, temperature, and application of the processing liquid flowing through the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are different.
- the criteria for determining leakage and/or the criteria for determining leakage status in the first processing liquid enclosure 122a and the second processing liquid enclosure 122b may be different.
- the forced exhaust condition for the first processing liquid housing 122a may be different from the forced exhaust condition for the second processing liquid housing 122b.
- FIG. 16(a) is a graph showing temporal changes in the detected amount in the exhaust control method of the first processing liquid housing 122a of the processing liquid cabinet 120 according to this embodiment
- FIG. 2 is a graph showing temporal changes in the amount detected in the exhaust control method of the second processing liquid housing 122b of the processing liquid cabinet 120 according to FIG.
- the processing liquid does not leak in the first processing liquid housing 122a at first.
- the detection amount increases. For example, when the detected amount exceeds the threshold value t1a, the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the first forced exhaust condition, and the exhaust unit 124a operates the first processing liquid container according to the first forced exhaust condition.
- the atmosphere within body 122a is evacuated.
- the exhaust unit 124a exhausts the atmosphere in the first processing liquid housing 122a under the first forced exhaust condition set to the first forced exhaust amount larger than the standard exhaust amount.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the first forced exhaust condition to the second forced exhaust condition, and the exhaust unit 124a discharges the first processing liquid according to the second forced exhaust condition.
- the atmosphere inside the housing 122a is exhausted.
- the exhaust unit 124a exhausts the atmosphere in the first processing liquid housing 122a under the second forced exhaust condition set to the second forced exhaust amount larger than the first forced exhaust amount.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the second forced exhaust condition to the third forced exhaust condition, and the exhaust unit 124a performs the first process according to the third forced exhaust condition.
- the atmosphere in the liquid housing 122a is exhausted.
- the exhaust section 124a exhausts the atmosphere in the first processing liquid housing 122a under the third forced exhaust condition set to the third forced exhaust amount.
- control unit 102 changes the exhaust condition from the third forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124a moves the first processing liquid housing 122a according to the standard exhaust condition. Exhaust the atmosphere inside.
- the second processing liquid housing 122b may be set to an exhaust condition different from that of the first processing liquid housing 122a. Also, the threshold for determining the exhaust condition in the second processing liquid housing 122b may be different from the threshold for determining the exhaust condition in the first processing liquid housing 122a.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b at first.
- the detection amount increases. For example, when the detected amount exceeds the threshold value t1b, the control unit 102 changes the exhaust condition from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition, and the exhaust unit 124b causes the second treatment liquid case 122b to decompress according to the forced exhaust condition. Evacuate the atmosphere.
- the threshold t1b may be different from the threshold t1a.
- the forced exhaust condition by the exhaust part 124b may be different from the first forced exhaust condition by the exhaust part 124a.
- the control unit 102 maintains the forced exhaust condition as the exhaust condition, and the exhaust unit 124b exhausts the atmosphere in the second processing liquid housing 122b according to the forced exhaust condition.
- the threshold t2b may be different from the threshold t2a.
- the control unit 102 changes the exhaust condition from the forced exhaust condition to the standard exhaust condition, and the exhaust unit 124b causes the second processing liquid case 122b to decompress according to the standard exhaust condition. Evacuate the atmosphere.
- control unit 102 can individually set the liquid leakage detection, liquid leakage state determination, and/or exhaust conditions according to the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b. good.
- the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are arranged adjacent to each other, but the present embodiment is not limited to this.
- the first treatment liquid enclosure 122a and the second treatment liquid enclosure 122b may be arranged at different locations. Further, when the first processing liquid housing 122a and the second processing liquid housing 122b are connected to the common exhaust pipe 140, the amount of exhaust flowing through the common exhaust pipe 140 may be changed.
- FIGS. 1 to 17 are schematic diagrams of the processing liquid cabinet 120 and the common exhaust pipe 140 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- the processing liquid cabinet 120 is connected to a common exhaust pipe 140 .
- the treatment liquid cabinet 120 includes a first treatment liquid enclosure 122a, a second treatment liquid enclosure 122b, and a third treatment liquid enclosure 122c.
- the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c are positioned apart.
- the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c each have the same configuration.
- the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c may be arranged adjacent to each other.
- a blower mechanism 146 is arranged in the common exhaust pipe 140 .
- the blowing mechanism 146 blows air in the common exhaust pipe 140 so that the gas in the common exhaust pipe 140 flows away from the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c. Therefore, the gas in the common exhaust pipe 140 is circulated by the blower mechanism 146, and the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c are exhausted.
- blower mechanism 146 has a fan.
- FIG. 17A shows the exhaust amounts of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the common exhaust pipe 140, respectively.
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c are respectively 1.0, 1.0, and 1.0, and the exhaust volume of the common exhaust pipe 140 is 3.0.
- the liquid leakage detection unit 130 of the first processing liquid housing 122a detects the leakage in the first processing liquid housing 122a. Detect liquid.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c.
- the control unit 102 determines the state of liquid leakage in the first processing liquid housing 122a. After that, the control unit 102 determines forced exhaust conditions for the first processing liquid housing 122a according to the liquid leakage state, and the exhaust unit 124 of the first processing liquid housing 122a operates to control the inside of the first processing liquid housing 122a. The atmosphere is exhausted under forced exhaust conditions. Further, the control unit 102 maintains the standard exhaust conditions of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c, and the exhaust section of each of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c. 124 exhausts the atmosphere in the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c under standard exhaust conditions.
- the control unit 102 increases the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 by the blower mechanism 146 as the exhaust amount of the exhaust unit 124 of the first processing liquid housing 122a increases.
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c are 1.5, 1.0, and 1.0, respectively.
- the displacement is 3.5.
- control unit 102 increases the exhaust amount of the first processing liquid housing 122a and increases the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 according to the liquid leakage state in the first processing liquid housing 122a. . As a result, the leaked first processing liquid housing 122a can be efficiently exhausted.
- the air blowing mechanism 146 is controlled to adjust the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 according to the occurrence of liquid leakage, but the present embodiment is not limited to this. It is not necessary to adjust the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 regardless of the presence or absence of liquid leakage.
- FIGS. 18(a) and 18(b) are schematic diagrams for explaining the exhaust control method of the processing liquid cabinet 120 of this embodiment.
- the processing liquid cabinet 120 is connected to a common exhaust pipe 140 .
- the treatment liquid cabinet 120 includes a first treatment liquid enclosure 122a, a second treatment liquid enclosure 122b, and a third treatment liquid enclosure 122c.
- no liquid leakage is detected in each of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c.
- FIG. 18(a) shows the respective exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the common exhaust pipe 140.
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c are respectively 1.0, 1.0, and 1.0, and the exhaust volume of the common exhaust pipe 140 is 3.0.
- the liquid leakage detection unit 130 of the first processing liquid housing 122a detects the leakage in the first processing liquid housing 122a. Detect liquid.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c.
- the control unit 102 determines the state of liquid leakage in the first processing liquid housing 122a. After that, the control unit 102 determines forced exhaust conditions for the first processing liquid housing 122a according to the liquid leakage state, and the exhaust unit 124 of the first processing liquid housing 122a operates to control the inside of the first processing liquid housing 122a. The atmosphere is exhausted under forced exhaust conditions. In addition, the control unit 102 maintains the standard exhaust conditions of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c, and the exhaust section of each of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c. 124 exhausts the atmosphere in the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c under standard exhaust conditions.
- the control unit 102 does not increase the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 by the blower mechanism 146 . Therefore, the exhaust amount of the first processing liquid housing 122a increases, and the exhaust amounts of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c decrease.
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c are respectively 1.4, 0.8, and 0.8, and the exhaust volume of the common exhaust pipe 140 is is kept at 3.0.
- control unit 102 increases the exhaust amount of the first processing liquid housing 122a according to the liquid leakage state in the first processing liquid housing 122a, The exhaust amount of the processing liquid housing 122c is reduced. As a result, the leaked first processing liquid housing 122 a can be efficiently exhausted without increasing the load on the air blowing mechanism 146 .
- the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c have the same configuration, but the present embodiment is not limited to this. .
- the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c may have different configurations.
- the volumes of the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c may differ.
- the common exhaust pipe 140 is connected to the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c provided with the processing liquid pipe 132.
- This embodiment is not limited to this.
- a cabinet without the processing liquid pipe 132 may be connected to the common exhaust pipe 140 .
- FIG. 19(a) and 19(d) are schematic diagrams of the processing liquid cabinet 120, the common exhaust pipe 140 and the dummy cabinet 150 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- FIG. 19(b) is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment
- FIG. 19(c) is a schematic diagram of the dummy cabinet 150 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. .
- the common exhaust pipe 140 is connected to the processing liquid cabinet 120 and the dummy cabinet 150 .
- the atmosphere in the processing liquid cabinet 120 and the atmosphere in the dummy cabinet 150 can be exhausted by the common exhaust pipe 140 .
- the processing liquid cabinet 120 includes a first processing liquid housing 122a, a second processing liquid housing 122b, and a third processing liquid housing 122c.
- the first processing liquid housing 122 a , the second processing liquid housing 122 b , and the third processing liquid housing 122 c include at least processing liquid piping 132 .
- the dummy cabinet 150 does not have the processing liquid piping 132 .
- the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c have the same configuration. Therefore, the volumes of the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c are equal to each other. On the other hand, the volume of the dummy cabinet 150 is smaller than the volumes of the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c. Here, no liquid leakage is detected in each of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, and the third processing liquid housing 122c.
- FIG. 19(a) shows the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, the dummy cabinet 150, and the common exhaust piping 140.
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the dummy cabinet 150 are 1.0, 1.0, 1.0, and 0.5, respectively.
- the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 is 3.5.
- the first processing liquid housing 122a includes a housing 122, an air inlet 123, an exhaust section 124, a liquid leakage detection section 130, a processing liquid pipe 132, a preparation tank 134, and a pump. 136a, a temperature controller 136b, and a filter 136c.
- the configuration of the first processing liquid housing 122a is the same as that of the processing liquid cabinet 120 described above with reference to FIG. 13, and detailed description thereof will be omitted here. Further, the configurations of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c are similar to the configuration of the first processing liquid housing 122a.
- the dummy cabinet 150 includes a housing 152, an air inlet 153, and an air outlet 154.
- the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c no processing liquid flows through the dummy cabinet 150.
- the exhaust section 154 has an exhaust pipe 155 and an exhaust amount adjusting mechanism 156 .
- the exhaust pipe 155 When the atmosphere inside the housing 152 is exhausted, the gas inside the housing 152 flows through the exhaust pipe 155 and is discharged to the outside.
- the exhaust volume adjustment mechanism 156 adjusts the amount of gas flowing through the exhaust pipe 155 (exhaust volume).
- the exhaust volume adjustment mechanism 156 can increase or decrease the exhaust volume flowing through the exhaust pipe 155 .
- the dummy cabinet 150 may include the liquid leakage detector 130 .
- the dummy cabinet 150 includes the liquid leakage detection unit 130 , it can be detected that the treatment liquid has entered the dummy cabinet 150 through the intake port 153 .
- the liquid leakage detection unit 130 of the first processing liquid housing 122a detects the leakage in the first processing liquid housing 122a. Detect liquid.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c.
- the control unit 102 determines the state of liquid leakage in the first processing liquid housing 122a. After that, the control unit 102 determines forced exhaust conditions for the first processing liquid housing 122a according to the liquid leakage state, and the exhaust unit 124 of the first processing liquid housing 122a operates to control the inside of the first processing liquid housing 122a. The atmosphere is exhausted under forced exhaust conditions. Further, the control unit 102 maintains the standard exhaust conditions of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c, and the exhaust section of each of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c. 124 exhausts the atmosphere in the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c under standard exhaust conditions.
- control unit 102 stops driving the exhaust unit 154 of the dummy cabinet 150 as the exhaust condition of the first treatment liquid housing 122a is changed from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition. Therefore, the control unit 102 can increase the exhaust amount of the first processing liquid housing 122 a without increasing the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 by the blower mechanism 146 .
- the exhaust volumes of the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the dummy cabinet 150 are 1.5 and 1.5, respectively. 0, 1.0, 0.5, and the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 is maintained at 3.5.
- control unit 102 increases the displacement of the first treatment liquid housing 122a and reduces the displacement of the dummy cabinet 150 according to the state of liquid leakage in the first treatment liquid housing 122a. .
- the leaked first processing liquid housing 122 a can be efficiently exhausted without increasing the load on the air blowing mechanism 146 .
- processing liquid cabinet 120 is directly connected to the common exhaust pipe 140 in the substrate processing apparatus 100 shown in FIGS. 14 to 19, the present embodiment is not limited to this.
- the processing liquid cabinet 120 may be connected to a common exhaust line 140 via a dummy cabinet 150 .
- FIG. 20 is a schematic diagram of the processing liquid cabinet 120, the common exhaust pipe 140 and the dummy cabinet 150 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
- a dummy cabinet 150 is connected to the common exhaust pipe 140, and the treatment liquid cabinet 120 is connected to the dummy cabinet 150.
- the processing liquid cabinet 120 includes first processing liquid enclosures 122a to third processing liquid enclosures 122c.
- the first processing liquid housing 122 a to the third processing liquid housing 122 c are connected to the dummy cabinet 150 .
- 21(a) and 21(b) show a dummy cabinet 150 to which the exhaust pipes 125a to 125c of the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment are connected. It is a schematic diagram of.
- the dummy cabinet 150 is connected to the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c. Specifically, the dummy cabinet 150 is connected to the first processing liquid housing 122a to the third processing liquid housing 122c. Also, the dummy cabinet 150 is connected to the common exhaust pipe 140 .
- the exhaust section 154 has an exhaust pipe 155 and a damper 157 .
- the exhaust pipe 155 is arranged inside the housing 152 .
- a damper 157 controls the opening of the exhaust pipe 155 .
- the damper 157 functions as an exhaust amount adjustment mechanism for the exhaust pipe 155 .
- the exhaust amounts of the exhaust pipe 155 through the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the damper 157 are respectively 1.0, 1.0, 1.0, When it is 0.5, the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 is 3.5.
- the liquid leakage detection unit 130 of the first processing liquid housing 122a detects the leakage in the first processing liquid housing 122a. Detect liquid.
- the processing liquid does not leak inside the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c.
- the control unit 102 determines the state of liquid leakage in the first processing liquid housing 122a. After that, the control unit 102 determines forced exhaust conditions for the first processing liquid housing 122a according to the liquid leakage state, and the exhaust unit 124 of the first processing liquid housing 122a operates to control the inside of the first processing liquid housing 122a. The atmosphere is exhausted under forced exhaust conditions. Further, the control unit 102 maintains the standard exhaust conditions of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c, and the exhaust section of each of the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c. 124 exhausts the atmosphere in the second processing liquid housing 122b and the third processing liquid housing 122c under standard exhaust conditions.
- control unit 102 reduces the exhaust amount of the exhaust pipe 155 via the damper 157 as the exhaust condition of the first treatment liquid housing 122a is changed from the standard exhaust condition to the forced exhaust condition.
- the control unit 102 further narrows the opening of the damper 157 so that the exhaust unit 154 can maintain the overall exhaust volume, and the control unit 102 increases the exhaust volume of the common exhaust pipe 140 by the blower mechanism 146. It doesn't have to be.
- the exhaust amounts of the exhaust piping 155 through the first processing liquid housing 122a, the second processing liquid housing 122b, the third processing liquid housing 122c, and the damper 157 are respectively 1.4, 1.0, 1.0, 0.1, and the exhaust amount of the common exhaust pipe 140 may remain at 3.5.
- the leaked first processing liquid housing 122 a can be efficiently exhausted without increasing the load on the air blowing mechanism 146 .
- the present invention is suitably used for exhausting the processing liquid cabinet.
- substrate processing unit 12 chamber 20 substrate holder 30 processing liquid supply unit 100 substrate processing apparatus 110 processing liquid box 120 processing liquid cabinet W substrate
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Abstract
処理液キャビネット(120)の排気制御方法は、標準排気条件で処理液キャビネット(120)内の雰囲気を排気する標準排気工程と、処理液キャビネット(120)内で生じた漏液を検知する漏液検知工程と、漏液検知工程における検知結果に基づいて、処理液キャビネット(120)内の漏液状態を判定する漏液状態判定工程と、漏液状態判定工程における判定結果に基づき、標準排気条件の排気量よりも大きい排気量に設定された強制排気条件を決定する強制排気条件決定工程と、強制排気条件決定工程において決定された強制排気条件で処理液キャビネット(120)内の雰囲気を排気する強制排気工程とを包含する。
Description
本発明は、処理液キャビネットの排気制御方法および基板処理装置に関する。
基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の処理に好適に用いられる。典型的には、基板処理装置は、薬液等の処理液を用いて基板を処理する。
処理液を用いる場合、容器内において圧力変動等が生じると、薬液が周辺大気と触れてしまい、薬液の特性が変動することがある。このため、特定ガスを薬液キャビネットに供給することで薬液が周辺大気と触れることを抑制することが検討されている(特許文献1参照)。特許文献1には、有機汚染量を制御した有機物非含有ガスを薬液調製キャビネットに供給して薬液が周辺大気と触れることを抑制する基板洗浄装置が記載されている。特許文献1の基板洗浄装置では、濃度温度調整容器内の薬液液面上方の空間に供給された有機物非含有ガスは、濃度温度調整容器の上部に設けられた配管から排気ダクトを介して排気される。
特許文献1の基板洗浄装置では、薬液調製キャビネットに薬液配管および濃度温度調整容器が配置されている。薬液配管および濃度温度調整容器を流通する薬液が薬液調製キャビネット内に漏れた場合、排気ダクトによって排気される。しかしながら、排気ダクトを流れる排気の排気量が低いと、漏れた薬液を充分に排気できない。一方で、排気ダクトの排気量を高く設定してしまうと、送風機構を高速に駆動することが必要となり、環境に過剰な負荷をかけることになる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液キャビネット内の漏液状態に応じて処理液キャビネット内の雰囲気を適切に排気可能な処理液キャビネットの排気制御方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、処理液キャビネットの排気制御方法は、基板処理ユニットに供給される処理液が流通する処理液配管が配置された処理液キャビネットにより区画された空間内の雰囲気を排気する方法であって、標準排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する標準排気工程と、前記処理液キャビネット内で生じた漏液を検知する漏液検知工程と、前記漏液検知工程における検知結果に基づいて、前記処理液キャビネット内の漏液状態を判定する漏液状態判定工程と、前記漏液状態判定工程における判定結果に基づき、前記標準排気条件の排気量よりも大きい排気量に設定された強制排気条件を決定する強制排気条件決定工程と、前記強制排気条件決定工程において決定された前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する強制排気工程とを包含する。
ある実施形態では、前記強制排気工程は、前記標準排気工程から移行して、前記標準排気条件の排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する第1強制排気工程と、前記標準排気工程から前記第1強制排気工程に移行してから所定時間経過した後、前記処理液キャビネット内において漏液が検知されない場合、前記標準排気条件の排気量よりも大きく前記第1強制排気量よりも小さい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する第2強制排気工程とを含む。
ある実施形態では、前記標準排気工程において、前記標準排気条件は、前記処理液キャビネット内の配管を流れる処理液の種類または前記配管を流れる処理液の流量に基づいて設定される。
ある実施形態では、前記強制排気工程は、前記強制排気工程において判定された前記処理液キャビネット内の漏液状態の時間的変化に基づいて、前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するための排気条件を前記標準排気条件に戻すか否かを判定する工程を含む。
ある実施形態では、前記処理液キャビネットは、第1処理液筐体と、前記第1処理液筐体と共通する共通排気配管に接続された第2処理液筐体とを含み、前記漏液検知工程において、前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記強制排気条件で前記第1処理液筐体内の雰囲気を排気する。
ある実施形態では、前記強制排気工程において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を増加させる。
ある実施形態では、前記漏液検知工程において、前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を変更することなく前記第1処理液筐体の排気量を増加させる。
ある実施形態では、前記漏液状態判定工程は、既定の基準値と前記検知結果とを比較することによって前記漏液状態を判定し、前記第1処理液筐体に対応する判定における基準値である第1基準値と、前記第2処理液筐体に対応する判定における基準値である第2基準値は異なる。
ある実施形態では、前記強制排気条件決定工程において、前記第1処理液筐体に対応する第1筐体強制排気条件と、前記第2処理液筐体に対応する第2筐体強制排気条件とを決定し、前記第1筐体強制排気条件と、前記第2筐体強制排気条件とは異なる。
ある実施形態では、前記漏液検知工程において、前記処理液キャビネット内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記処理液キャビネットと共通する共通排気配管に接続されたダミーキャビネットの排気量を前記標準排気工程の排気量よりも低減させるとともに前記処理液キャビネットの排気量を前記標準排気工程の排気量よりも増加させる。
本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、基板を処理する基板処理ユニットと、前記基板処理ユニットに供給される処理液が流通する処理液配管が配置された処理液キャビネットと、前記処理液キャビネット内の漏液を検知する漏液検知部と、前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する排気部と、前記排気部を制御する制御部とを備える。前記制御部は、標準排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御し、前記制御部は、前記漏液検知部が前記処理液キャビネット内で生じた漏液を検知した検知結果に基づいて、前記処理液キャビネット内の漏液状態を判定し、前記制御部は、前記漏液状態の判定結果に基づき、前記標準排気条件の排気量よりも大きい排気量に設定された強制排気条件を決定し、前記制御部は、前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する。
ある実施形態では、前記制御部は、前記標準排気条件から移行して前記標準排気条件の排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御し、前記標準排気条件から前記第1強制排気条件に移行してから所定時間経過した後、前記処理液キャビネット内において漏液が検知されない場合、前記標準排気条件の排気量よりも大きく前記第1強制排気量よりも小さい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する。
ある実施形態では、前記制御部は、前記標準排気条件を、前記処理液キャビネット内の配管を流れる処理液の種類または前記配管を流れる処理液の流量に基づいて設定する。
ある実施形態では、前記制御部は、前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する際に判定された前記処理液キャビネット内の漏液状態の時間的変化に基づいて、前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するための排気条件を前記標準排気条件に戻すか否かを判定する。
ある実施形態では、前記処理液キャビネットは、第1処理液筐体と、前記第1処理液筐体と共通する共通排気配管に接続された第2処理液筐体とを含み、前記制御部は、前記漏液検知部が前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気条件で前記第1処理液筐体内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する。
ある実施形態では、前記制御部は、強制排気条件において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を増加させる。
ある実施形態では、前記制御部は、前記漏液検知部が前記第1処理液筐体内の漏液を検知した場合、前記強制排気条件において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を変更することなく前記第1処理液筐体の排気量を増加させる。
ある実施形態では、前記制御部は、既定の基準値と、検知結果とを比較することによって前記漏液状態を判定し、前記第1処理液筐体に対応する判定における基準値である第1基準値と、前記第2処理液筐体に対応する判定における基準値である第2基準値は異なる。
ある実施形態では、前記制御部は、前記強制排気条件として、前記第1処理液筐体に対応する第1筐体強制排気条件と、前記第2処理液筐体に対応する第2筐体強制排気条件とを決定し、前記第1筐体強制排気条件と、前記第2筐体強制排気条件とは異なる。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、ダミーキャビネットと、前記処理液キャビネットおよび前記ダミーキャビネットのそれぞれに接続された共通排気配管とをさらに備える。前記制御部は、前記漏液検知部が前記処理液キャビネット内の漏液を検知した場合、前記ダミーキャビネットの排気量を前記標準排気条件の排気量よりも低減させるとともに前記処理液キャビネットの排気量を前記標準排気条件の排気量よりも増加させる。
本発明によれば、処理液キャビネット内の漏液状態に応じて処理液キャビネット内の雰囲気を適切に排気できる。
以下、図面を参照して、本発明による処理液キャビネットの排気制御方法および基板処理装置の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載することがある。典型的には、X軸およびY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。
まず、図1を参照して、本発明による基板処理装置100の実施形態を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置100の模式的な平面図である。
基板処理装置100は、基板Wを処理する。基板処理装置100は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。
基板Wは、半導体基板として用いられる。基板Wは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Wは略円板状である。ここでは、基板処理装置100は、基板Wを一枚ずつ処理する。
図1に示すように、基板処理装置100は、複数の基板処理ユニット10と、処理液ボックス110と、処理液キャビネット120と、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、制御装置101とを備える。制御装置101は、ロードポートLP、インデクサーロボットIRおよびセンターロボットCRを制御する。制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。
ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと基板処理ユニット10との間で基板Wを搬送する。基板処理ユニット10の各々は、基板Wに処理液を吐出して、基板Wを処理する。処理液キャビネット120は、処理液を収容する。
具体的には、複数の基板処理ユニット10は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置された複数のタワーTW(図1では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の基板処理ユニット10(図1では3つの基板処理ユニット10)を含む。処理液ボックス110は、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。処理液キャビネット120内の処理液は、いずれかの処理液ボックス110を介して、処理液ボックス110に対応するタワーTWに供給される。なお、基板処理ユニット10および処理液キャビネット120には、処理液だけでなく気体が供給されてもよい。
処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、40℃以上70℃以下に加熱されてもよく、50℃以上60℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。また、薬液は、水または燐酸を含んでもよい。
さらに、薬液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、薬液は、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)または王水(濃塩酸と濃硝酸との混合物)を含んでもよい。
または、処理液は、いわゆるリンス液を含んでもよい。例えば、リンス液は、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。
処理液キャビネット120により、基板処理装置100内の特定の空間が区画される。基板処理装置100において、センターロボットCRおよび基板処理ユニット10の設置された領域と、処理液キャビネット120の設置された領域との間には、境界壁BWが配置される。処理液キャビネット120は、基板処理装置100のうちの境界壁BWの外側部分の領域の一部の空間を区画する。
処理液キャビネット120は、筐体によって、基板処理装置100内の特定の空間を区画する。処理液キャビネット120は、筐体内に、処理液が流通する処理液配管を有する。また、典型的には、処理液キャビネット120は、処理液を調製するための調製槽(タンク)を有する。処理液キャビネット120は、一種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット120は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび/またはフィルターを有してもよい。
ここでは、処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bとを有する。第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bは互いに対向して配置される。第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bにより、基板処理装置100内の特定の空間が区画される。なお、図1では、図面が過度に複雑になることを避けるために、第1処理液筐体122a内の処理液が、いずれかの処理液ボックス110を介して、処理液ボックス110に対応するタワーTWに供給される流れを示しており、第2処理液筐体122b内の処理液の流れを省略している。
制御装置101は、基板処理装置100の各種動作を制御する。制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。制御部102は、プロセッサーを有する。制御部102は、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、制御部102は、汎用演算機を有してもよい。
記憶部104は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容および処理手順を規定する。データは、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気するための排気条件を含む。排気条件は、標準排気条件および強制排気条件を含んでもよい。
制御部102は、記憶部104に記憶された排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。例えば、制御部102は、記憶部104に記憶された標準排気条件または強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
例えば、記憶部104は、処理液キャビネット120に対応する処理液の種類および処理液の流量の少なくとも一方に応じて分類されたテーブルを有してもよい。また、記憶部104は、処理液キャビネット120に対応する処理液の種類および処理液の流量の少なくとも一方と、処理液キャビネット120内の漏液状態との組合わせに応じて分類されたテーブルを有してもよい。
さらに、記憶部104は、排気条件を判定する際の基準となる既定の基準値を記憶してもよい。既定の基準値は、処理液キャビネット120内の漏液の検知結果と比較することによって処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。例えば、既定の基準値は、閾値であってもよい。
記憶部104は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部104はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部102は、記憶部104の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
次に、図2を参照して、本実施形態の基板処理装置100における基板処理ユニット10を説明する。図2は、基板処理装置100における基板処理ユニット10の模式図である。
基板処理ユニット10は、チャンバー12と、基板保持部20と、処理液供給部30とを備える。チャンバー12は、基板Wを収容する。基板保持部20は、基板Wを保持する。
チャンバー12は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー12は、基板Wを収容する。ここでは、基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー12には基板Wが1枚ずつ収容される。基板Wは、チャンバー12内に収容され、チャンバー12内で処理される。チャンバー12には、基板保持部20および処理液供給部30のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
基板保持部20は、基板Wを保持する。基板保持部20は、基板Wの上面(表面)Waを上方に向け、基板Wの裏面(下面)Wbを鉛直下方に向くように基板Wを水平に保持する。また、基板保持部20は、基板Wを保持した状態で基板Wを回転させる。基板保持部20は、基板Wを保持したまま基板Wを回転させる。
例えば、基板保持部20は、基板Wの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部20は、基板Wを裏面Wbから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部20は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部20は、非デバイス形成面である基板Wの裏面Wbの中央部を上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持する。あるいは、基板保持部20は、複数のチャックピンを基板Wの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
例えば、基板保持部20は、スピンベース21と、チャック部材22と、シャフト23と、電動モーター24と、ハウジング25とを含む。チャック部材22は、スピンベース21に設けられる。チャック部材22は、基板Wをチャックする。典型的には、スピンベース21には、複数のチャック部材22が設けられる。
シャフト23は、中空軸である。シャフト23は、回転軸Axに沿って鉛直方向に延びている。シャフト23の上端には、スピンベース21が結合されている。基板Wは、スピンベース21の上方に載置される。
スピンベース21は、円板状であり、基板Wを水平に支持する。シャフト23は、スピンベース21の中央部から下方に延びる。電動モーター24は、シャフト23に回転力を与える。電動モーター24は、シャフト23を回転方向に回転させることにより、回転軸Axを中心に基板Wおよびスピンベース21を回転させる。ハウジング25は、シャフト23および電動モーター24を取り囲んでいる。
処理液供給部30は、基板Wに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部30は、基板Wの上面Waに処理液を供給する。
処理液供給部30は、配管32と、バルブ34と、ノズル36とを含む。ノズル36は基板Wの上面Waに処理液を吐出する。ノズル36は、配管32に接続される。配管32には、供給源から処理液が供給される。バルブ34は、配管32内の流路を開閉する。ノズル36は、基板Wに対して移動可能に構成されていることが好ましい。ノズル36は、制御部102によって制御される移動機構にしたがって水平方向および/または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略していることに留意されたい。
バルブ34は、配管32の開度を調節して、配管32に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ34は、弁座が内部に設けられたバルブボディ(図示しない)と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ(図示しない)とを含む。
基板処理装置100は、カップ80をさらに備える。カップ80は、基板Wから飛散した処理液を回収する。カップ80は昇降する。例えば、カップ80は、処理液供給部30が基板Wに処理液を供給する期間にわたって基板Wの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ80は、基板Wの回転によって基板Wから飛散する処理液を回収する。また、カップ80は、処理液供給部30が基板Wに処理液を供給する期間が終了すると、基板Wの側方から鉛直下方に下降する。
上述したように、制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。制御部102は、基板保持部20、処理液供給部30および/またはカップ80を制御する。一例では、制御部102は、電動モーター24およびバルブ34を制御する。
本実施形態の基板処理装置100は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置100は、半導体素子の製造時に、導電層および/または絶縁層の洗浄および/または加工(例えば、エッチング、特性変化等)に好適に用いられる。
なお、図2に示した基板処理ユニット10において、処理液供給部30は、1種類の処理液を基板Wに供給可能であるが、処理液供給部30は、複数種類の処理液を基板Wに供給可能であってもよい。例えば、処理液供給部30は、配管32、バルブ34およびノズル36をそれぞれ複数含んでもよい。
次に、図1~図3を参照して、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120を説明する。図3は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式図である。
図3に示すように、処理液キャビネット120は、筐体122と、吸気口123と、排気部124と、漏液検知部130と、処理液配管132と、調製槽134とを有する。
筐体122には、吸気口123および排気部124が設けられる。また、筐体122は、漏液検知部130を収容する。筐体122により、処理液キャビネット120は区画される。
筐体122は、開閉可能な扉122dを有する。扉122dを開けることにより、作業者は、筐体122内に進入できる。
筐体122に吸気口123が設けられる。吸気口123から筐体122内に外気が吸い込まれる。ここでは、吸気口123は、扉122dに設けられる。
排気部124は、筐体122内の雰囲気を排気する。排気部124は、単位時間あたりの排気量を変化させて筐体122内の雰囲気を排気できる。なお、本明細書において、単位時間あたりの排気量を単に「排気量」と記載することがある。
筐体122内の吸気口123と排気部124との位置により、筐体122内に気流が形成される。吸気口123から筐体122内に吸気された気体は、排気部124から外部に排気される。筐体122内における気体の淀みを防ぐために、吸気口123および排気部124は、互いに離れた位置に配置されることが好ましい。例えば、吸気口123および排気部124を対向する壁面に配置する場合、吸気口123および排気部124の一方は、比較的高い位置に配置し、吸気口123および排気部124の他方は比較的低い位置に配置することが好ましい。ここでは、吸気口123は、調製槽134の底部と同程度の高さに配置され、排気部124は、調製槽134の上部よりも高い位置に配置される。
また、筐体122に、1つの排気部124を設けるとともに、複数の吸気口123を設けてもよい。これにより、筐体122内において気体の淀みを好適に抑制できる。
排気部124は、排気配管125と、排気量調整機構126とを有してもよい。筐体122内の雰囲気を排気する際に、筐体122内の気体は、排気配管125を流れて外部に排出される。
排気量調整機構126は、排気配管125を流れる気体の流通量(排気量)を調整する。排気量調整機構126により、排気配管125を流れる排気量を増加または低減できる。排気量調整機構126は、処理液キャビネット120内に配置されてもよく、処理液キャビネット120の外部に配置されてもよい。例えば、排気量調整機構126は、排気配管125の端部に配置されてもよい。または、排気量調整機構126は、排気配管125内に配置されてもよい。
例えば、排気量調整機構126は、排気配管125の開度を調整するダンパーを含んでもよい。あるいは、排気量調整機構126は、排気配管125内を流通する排気の流量を決定するファンを含んでもよい。
漏液検知部130は、処理液キャビネット120内の漏液を検知する。漏液検知部130の検知結果により、制御部102は、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。
漏液検知部130は、液検知センサーを含んでもよい。典型的には、液検知センサーは、処理液キャビネット120内において漏れた処理液を検知する。
漏液検知部130は、ガス検知センサーを含んでもよい。典型的には、ガス検知センサーは、処理液キャビネット120内において生じた処理液が気化することによって生じたガスを検知することにより、処理液キャビネット120内において生じた漏液を検知する。
漏液検知部130は、カメラを含んでもよい。カメラは、撮像素子を有する。典型的には、カメラは、処理液キャビネット120内を撮像して、撮像結果を画像解析することにより、処理液キャビネット120内において生じた漏液を検知する。
漏液検知部130は、2以上の流量計を含んでもよい。典型的には、2以上の流量計の差分に応じて処理液キャビネット120内において生じた漏液を検知してもよい。
漏液検知部130は、検知結果を数値化した検知量を取得してもよい。あるいは、制御部102は、漏液検知部130からの検知結果を数値化することによって処理液キャビネット120内の漏液の程度を示す検知量を取得してもよい。
処理液配管132は、処理液を流通する。典型的には、処理液配管132は、基板処理ユニット10の処理液供給部30に連絡し、処理液供給部30まで処理液を流通する。
調製槽134は、処理液を貯留する。処理液は、処理液配管132を介して調製槽134に流れ、その後、処理液配管132を介して調製槽134から流れる。
上述したように、制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。制御部102は、排気部124および漏液検知部130を制御する。一例では、制御部102は、漏液検知部130の検知結果に基づいて処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。制御部102は、処理液キャビネット120内の漏液状態に基づいて排気条件を決定し、決定した排気条件にしたがって排気部124を制御する。
次に、図1~図4を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図4は、基板処理装置100のブロック図である。
図4に示すように、制御装置101は、基板処理装置100の各種動作を制御する。制御装置101は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部20および処理液供給部30を制御する。具体的には、制御装置101は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部20および処理液供給部30に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部20、処理液供給部30、排気部124および漏液検知部130を制御する。
具体的には、制御部102は、インデクサーロボットIRを制御して、インデクサーロボットIRによって基板Wを受け渡しする。
制御部102は、センターロボットCRを制御して、センターロボットCRによって基板Wを受け渡しする。例えば、センターロボットCRは、未処理の基板Wを受け取って、基板処理ユニット10のうちのいずれかに基板Wを搬入する。また、センターロボットCRは、処理された基板Wを基板処理ユニット10から受け取って、基板Wを搬出する。
制御部102は、基板保持部20を制御して、基板Wの回転の開始、回転速度の変更および基板Wの回転の停止を制御する。例えば、制御部102は、基板保持部20を制御して、基板保持部20の回転数を変更することができる。具体的には、制御部102は、基板保持部20の電動モーター24の回転数を変更することによって、基板Wの回転数を変更できる。
制御部102は、処理液供給部30のバルブ34を制御して、バルブ34の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部102は、処理液供給部30のバルブ34制御して、バルブ34を開状態にすることによって、ノズル36に向かって配管32内を流れる処理液を通過させることができる。また、制御部102は、処理液供給部30のバルブ34を制御して、バルブ34を閉状態にすることによって、ノズル36に向かって配管32内を流れる処理液の供給を停止させることができる。
制御部102は、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気するための排気条件を切り替えて排気部124の排気を制御できる。具体的には、制御部102は、排気条件を標準排気条件または強制排気条件のいずれかに切り替えて、排気部124を制御できる。さらに、制御部102は、複数の強制排気条件のうちのいずれかの強制排気条件を決定し、決定した強制排気条件にしたがって排気部124を制御できる。なお、制御部102は、排気部124による排気を停止してもよい。
制御部102は、漏液検知部130を制御して、処理液キャビネット120内に生じた漏液を検知できる。また、制御部102は、漏液検知部130からの検知結果に基づいて、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定できる。
本実施形態の基板処理装置100は、半導体素子を形成するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置100は、積層構造の半導体素子として用いられる基板Wを処理するために好適に利用される。半導体素子は、いわゆる3D構造のメモリ(記憶装置)である。一例として、基板Wは、NAND型フラッシュメモリとして好適に用いられる。
次に、図1~図5を参照して、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図5(a)~図5(c)は、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明するための模式図である。なお、図5(a)~図5(c)では、図面を簡略化する目的で、処理液配管132および調製槽134を省略している。
図5(a)に示すように、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量に設定された標準排気条件で排気される。制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定する。例えば、標準排気条件は、処理液キャビネット120内の処理液配管132を流れる処理液の種類または配管を流れる処理液の流量に基づいて設定される。
排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。排気部124による排気に伴い、吸気口123から処理液キャビネット120内に空気が吸気される。標準排気により、筐体122内の雰囲気が筐体122の外部に漏れることを抑制できる。
図5(b)に示すように、処理液キャビネット120内において処理液が漏れると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも排気量の大きい強制排気量に設定された強制排気条件で排気する。詳細には、処理液キャビネット120内において処理液が漏れると、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において漏液を検知する。制御部102は、漏液検知部130の検知結果に基づいて、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。制御部102は、漏液状態に応じて強制排気条件を決定する。例えば、強制排気条件は、処理液キャビネット120内の処理液配管132を流れる処理液の種類または処理液配管132を流れる処理液の流量と、漏液状態との組合せに基づいて設定される。排気部124は、決定された強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
ここでは、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において少量の処理液を検知する。この場合、制御部102は、漏液状態に応じて標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件を決定する。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
図5(c)に示すように、処理液キャビネット120内において大量の処理液が漏れると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件で排気する。ここでは、漏液検知部130が、処理液キャビネット120内において大量の漏液を検知すると、制御部102は、漏液状態に応じてさらに大きい強制排気量に設定された強制排気条件を決定する。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を強制的に排気できる。
以上のように、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法によれば、処理液キャビネット120内の漏液状態に応じて排気部124の排気量を制御できる。このため、処理液キャビネット120内において漏れた処理液の量に応じて、処理液キャビネット120内の雰囲気を適切に排気できる。
なお、図5を参照した上述の説明では、処理液キャビネット120内の漏液状態および強制排気条件は、2段階に分けられたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液キャビネット120内の漏液状態および強制排気条件は、3以上の多くの段階に分けられてもよい。
次に、図1~図6を参照して、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化および排気条件の変更を説明する。図6(a)および図6(b)は、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化を示すグラフである。図6(a)および図6(b)のグラフにおいて、横軸は、時間を示し、縦軸は、検知状態を数値化した検知量を示す。処理液キャビネット120内で漏れた処理液の量が多いほど、検知量は高い値を示す。
図6(a)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。検知量が閾値t1を超えると、排気条件は、標準排気条件から強制排気条件に変更される。閾値t1は、処理液キャビネット120内における漏液の有無の基準として用いられる。閾値t1は、既定の基準値の一例である。
制御部102は、排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更し、排気部124は、強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。強制排気条件の排気量は、標準排気量よりも大きい。その後、強制排気条件に従った強制排気により、検知量は、減少し始める。
検知量が閾値t1よりも低くなると、排気条件は、強制排気条件から標準排気条件に戻る。詳細には、検知量が閾値t1よりも低くなると、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に変更して、排気部124は、標準排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。標準排気条件の排気量は、強制排気量よりも小さい。
本実施形態では、処理液キャビネット120内の漏液状態を示す検知量に応じて強制排気条件を変更することにより、処理液キャビネット120内の雰囲気を効率的に排気できる。以上のように、検知量が閾値t1を超えるか否かに応じて排気条件を標準排気条件および強制排気条件のいずれかに切り替えてもよい。
なお、図6(a)では、処理液キャビネット120内で処理液が漏れた量を示す検知量は、比較的少なかったが、処理液キャビネット120内でさらに多くの処理液が漏れることがある。例えば、処理液キャビネット120内の処理液配管132から多くの処理液が漏れると、排気量がかなり大きくしないと、検知量を低減できない。
図6(b)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。このため、検知量は、低い値に維持される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。例えば、検知量が閾値t1を超えると、制御部102は、排気条件を標準排気条件から第1強制排気条件に変更して、排気部124は、第1強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124は、標準排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件を標準排気条件から第1強制排気条件に変更することにより、検知量の増加の傾きは低減するが、検知量自体は増加する。
その後、検知量が閾値t2を超えると、制御部102は、排気条件を第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更し、排気部124は、第2強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。閾値t2は、既定の基準値の一例である。ここでは、排気部124は、第1強制排気量よりも大きい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件が第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更することにより、検知量自体も減少し始める。
その後、検知量が閾値t2よりも低くなると、制御部102は、排気条件を第2強制排気条件から第3強制排気条件に変更し、排気部124は、第3強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124は、第3強制排気量に設定された第3強制排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。第3強制排気量は、第2強制排気量よりも小さく標準排気量よりも大きい。なお、第3強制排気量は、第1強制排気量と等しくてもよく、第3強制排気条件は、第1強制排気条件と等しくてもよい。排気条件を第2強制排気条件から第3強制排気条件に変更することにより、検知量自体の減少は続くが、検知量の減少の傾きは低下する。
その後、検知量が閾値t1よりも低くなると、制御部102は、排気条件を第3強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124は、標準排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124は、第3強制排気量よりも小さい標準排気量に設定された標準排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件が第3強制排気条件から標準排気条件に変更することにより、検知量の減少の傾きはさらに低下する。
以上のように、処理液キャビネット120内の漏液状態を示す検知量に応じて強制排気条件を変更することにより、処理液キャビネット120の環境に応じて処理液キャビネット120内の雰囲気を効率的に排気できる。
次に、図1~図7を参照して、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図7は、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法のフロー図である。
図7に示すように、ステップS102において、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量に設定された標準排気条件で排気する。制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、標準排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
ステップS104において、処理液キャビネット120内で漏液が検知されるか否かを判定する。処理液キャビネット120内で処理液が漏れた場合、漏液検知部130は、漏液を検知する。
漏液検知部130が液検知センサーを含む場合、漏液検知部130は、処理液配管132から漏れた処理液を検知する。漏液検知部130は、液検知センサーに接触した処理液の液量を検知してもよい。
漏液検知部130がガス検知センサーを含む場合、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内に発生したガスを検知する。ガス検知センサーは、処理液キャビネット120内に発生した処理液のガスの濃度を検知してもよい。
漏液検知部130がカメラを含む場合、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内を撮像する。カメラまたは制御部102は、撮像した画像を処理することにより、処理液キャビネット120内の漏液を検知してもよい。
処理液として室温よりも高い温度の液体が用いられることがある。この場合、漏液検知部130は、温度センサーを含んでもよい。漏液検知部130が温度センサーを含む場合、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内の温度を測定する。この場合、処理液キャビネット120内で処理液が漏れると、温度センサーにより、漏液を検知できる。温度センサーは、接触型であってもよく、非接触型であってもよい。温度センサーは、処理液の発する赤外線を検知してもよい。
処理液キャビネット120内で漏液が検知されない場合(ステップS104においてNo)、処理は、ステップS102に戻る。これにより、排気部124は、標準排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気しながら、漏液の検知判定を繰り返すことができる。一方、処理液キャビネット120内で漏液が検知された場合(ステップS104においてYes)、処理は、ステップS106に進む。
ステップS106において、制御部102は、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。制御部102は、漏液検知部130の検知結果に基づいて処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。例えば、制御部102は、漏液検知部130の検知結果に基づく検知量に応じて、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定してもよい。
ステップS108において、制御部102は、強制排気条件を決定する。制御部102は、複数の強制排気条件から漏液状態に応じた強制排気条件を決定する。複数の強制排気条件は、標準排気量よりも大きい強制排気量に設定される。例えば、制御部102は、2段階の強制排気条件から漏液状態に応じた強制排気条件を決定する。または、制御部102は、3以上の段階の強制排気条件から漏液状態に応じた強制排気条件を決定する。
ステップS110において、制御部102は、決定された強制排気条件にしたがって排気部124を制御して処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。このため、処理液キャビネット120は、強制排気される。
ステップS112において、処理液キャビネット120内で漏液が検知されるか否かを再び判定する。処理液キャビネット120内で処理液の排気が完了していない場合、漏液検知部130は、漏液を検知する。
処理液キャビネット120内で漏液が検知された場合(ステップS112においてYes)、処理は、ステップS110に戻る。この場合、排気部124は、処理液キャビネット120の強制排気を継続する。処理液キャビネット120内で漏液が検知されない場合(ステップS112においてNo)、処理は、ステップS114に進む。
ステップS114において、排気処理を終了するか否かを判定する。制御部102は、排気処理を終了する旨の指示を受けた場合、排気処理を終了する。または、基板処理装置100全体のメンテナンスを行う場合、制御部102は、排気処理を終了する。
排気処理を終了しない場合(ステップS114においてNo)、処理は、S102に戻る。この場合、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。一方、排気処理を終了すると判定した場合(ステップS114においてYes)、処理は、終了する。
以上のようにして、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法によれば、処理液キャビネット120内の漏液状態に応じて処理液キャビネット120の強制排気条件を変更できる。これにより、処理液キャビネット120内の漏液の程度に応じて、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気できる。
なお、図6(a)および図6(b)のグラフを参照した上述の説明では、検知量の変化に応じて排気条件を即座に変更したが、本実施形態はこれに限定されない。検知量の変化に応じて排気条件を即座に変更しなくてもよい。
次に、図1~図8を参照して、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化および排気条件の変更を説明する。図8(a)および図8(b)は、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化を示すグラフである。
図8(a)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。このため、検知量は、低い値に維持される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。ここでは、検知量が閾値t1を超えても、すぐには排気条件を変更せずに所定時間にわたって検知量の取得を継続する。その後、検知量が閾値t1を超えてから所定時間Taが経過した後の検知量にしたがって排気条件を制御する。ここでは、所定時間Taが経過した後の検知量が閾値t1よりも高く閾値t2よりも低いため、制御部102は、排気条件を検知量に応じた強制排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも排気量の大きい強制排気量に設定された強制排気条件で排気する。排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更することにより、検知量自体が減少し始める。
その後、検知量が閾値t1よりも低くなると、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。排気条件が強制排気条件から標準排気条件に変更しても、検知量はさらに減少する。ただし、排気条件の変更により、検知量の減少の傾きは小さくなる。
なお、図8(a)に示したグラフでは、検知量が閾値t1を超えてから所定時間を経過した後で、排気量が増加するように排気条件を変更したが、本実施形態はこれに限定されない。検知量が閾値に達してから排気量が増加するように排気条件を変更し、排気条件を変更してから所定の期間を経過した後で、排気量が減少するように排気条件を変更してもよい。
図8(b)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。このため、検知量は、低い値に維持される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。ここでは、制御部102は、検知量が閾値t1を超えても、すぐには排気条件を変更せずに所定時間にわたって検知量の取得を継続する。その後、制御部102は、検知量が閾値t2を超えてから排気条件を変更する。この場合、制御部102は、検知量が閾値t2を超えると、排気条件を標準排気条件から第1強制排気条件に変更して、排気部124は、第1強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124は、標準排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。検知量は、排気条件が標準排気条件から第1強制排気条件に変更してからもいったん増加し、その後、減少し始める。
その後、検知量が減少して閾値t2に達しても、制御部102は、すぐには排気条件を変更せずに所定時間にわたって検知量の取得を継続する。その後、制御部102は、検知量が閾値t2に達してから所定時間Tbが経過した後に取得した検知量にしたがって排気条件を制御する。本実施形態では、所定時間Tbが経過した後の検知量が閾値t1よりも低いため、制御部102は、排気条件を第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を第2強制排気条件で排気する。ここでは、排気部124は、標準排気量よりも大きく第1強制排気量よりも小さい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件が第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更しても、検知量自体の減少は継続する。
その後、第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更してから所定時間Tcが経過した後に取得した検知量にしたがって排気条件を制御する。本実施形態では、所定時間Tcが経過した後の検知量が閾値t1よりも低いため、制御部102は、排気条件を第2強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124は、第2強制排気量よりも小さい標準排気量に設定された標準排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。典型的には、排気条件が第2強制排気条件から標準排気条件に変更しても、検知量はさらに減少する。ただし、排気条件の変更により、検知量の減少の傾きはさらに小さくなる。
次に、図1~図9(主として図8(b)および図9)を参照して、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図9は、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法のフロー図である。図9のフロー図は、強制排気工程(ステップS110)が複数のステップに分けられる点を除いて、図7に示したフロー図と同様の工程を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図9に示すように、ステップS102~ステップS106は、図7に示したステップS102~ステップS106と同様であり、説明を省略する。
ステップS108において、制御部102は、強制排気条件を決定する。制御部102は、漏液状態に応じて強制排気条件を決定する。例えば、制御部102は、漏液状態に応じて、2段階以上の強制排気条件から漏液状態に応じた強制排気条件を決定する。
ステップS110において、制御部102は、決定された強制排気条件にしたがって排気部124を制御して処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。このため、処理液キャビネット120は、標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件で強制排気される。
詳細には、ステップS110aにおいて、検知量に基づいて、排気条件を制御する。例えば、検知量が閾値t2を超えると、制御部102は、排気条件を標準排気条件から第1強制排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を第1強制排気条件で排気する。第1強制排気条件の排気量は、標準排気条件の排気量よりも大きい。
ステップS110bにおいて、所定時間Tbが経過した否かを判定する。所定時間Tbが経過していない場合(ステップS110bにおいてNo)、処理は、ステップS110aに戻る。このため、所定時間Tbが経過するまで強制排気が継続される。所定時間Tbが経過した場合(ステップS110bにおいてYes)、処理は、ステップS110cに進む。
ステップS110cにおいて、処理液キャビネット120内で漏液が検知されるか否かを判定する。処理液キャビネット120内で漏液が生じた場合、漏液検知部130は、漏液を検知する。例えば、制御部102は、検知量が閾値t1よりも低いか否かを判定する。
処理液キャビネット120内で漏液が検知された場合(ステップS110cにおいてYes)、処理は、ステップS110aに戻る。この場合、制御部102は、処理液キャビネット120の強制排気を継続する。処理液キャビネット120内で漏液が検知されない場合(ステップS110cにおいてNo)、処理は、ステップS110dに進む。
ステップS110dにおいて、排気条件を第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更する。ここでは、第2強制排気条件に設定された第2強制排気量は、標準排気量よりも大きく、第1強制排気量よりも小さい。
ステップS110eにおいて、所定時間Tcが経過した否かを判定する。所定時間Tcが経過していない場合(ステップS110eにおいてNo)、処理は、ステップS110dに戻る。この場合、所定時間Tcが経過するまで、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を第2強制排気条件で排気し続ける。所定時間Tcが経過した場合(ステップS110eにおいてYes)、処理は、ステップS112に進む。
ステップS112以降のステップは、図7を参照した上述の説明と同様である。以上のようにして、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法によれば、処理液キャビネット120内の漏液状態に応じて処理液キャビネット120の排気量を制御できる。また、本実施形態では、所定時間を経過した後の検知量に基づいて排気条件を変更するため、検知量の変動に応じて排気条件を過度に変更することを抑制できる。
なお、図6(a)、図6(b)、図8(a)および図8(b)に示したグラフを参照した上述の説明では、排気条件は、検知量および/または経過時間に基づいて変更されたが、本実施形態はこれに限定されない。排気条件は、検知状態の時間変化に基づいて変更されてもよい。
次に、図1~図10を参照して、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化および排気条件の変更を説明する。図10(a)および図10(b)は、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化を示すグラフである。
図10(a)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。このため、検知量は、低い値に維持される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。検知量が閾値t1を超えると、制御部102は、排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を強制排気条件で排気する。強制排気条件の排気量は、標準排気条件の排気量よりも大きい。その後、強制排気条件に従った強制排気により、検知量は、減少し始める。
ここでは、強制排気により、検知量は速やかに減少する。例えば、検知量のピーク値と閾値t1との差分(ΔS)と、検知量のピーク値に達した時間から閾値t1に達するまでの時間(ΔT)との比率(ΔS/ΔT)は、比率閾値よりも大きい。
この場合、検知量が閾値t1よりも低くなると、排気条件を、強制排気条件から標準排気条件に戻す。詳細には、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。ここでは、排気部124は、強制排気量よりも小さい標準排気量に設定された標準排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件が強制排気条件から標準排気条件に変更しても、検知量はさらに減少する。ただし、排気条件の変更により、検知量の減少の傾きは小さくなる。
なお、図10(a)に示したグラフを参照した上述の説明では、検知量が閾値t1よりも低くなると、排気条件を変更したが、本実施形態はこれに限定されない。排気条件は、検知量だけでなく検知量の時間的変化に基づいて変更されてもよい。
図10(b)に示すように、ここでは、はじめ処理液キャビネット120内で処理液は漏れていない。このとき、制御部102は、排気条件を標準排気条件に設定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。標準排気条件では、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量で排気される。このため、検知量は、低い値に維持される。
所定の時間が経過して処理液キャビネット120内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。検知量が閾値t1を超えると、排気条件は、標準排気条件から強制排気条件に変更される。強制排気条件の排気量は、標準排気量よりも大きい。その後、強制排気条件に従った強制排気により、検知量は、減少し始める。
ここでも、強制排気により、検知量は減少する傾向を示す。ただし、検知量は、時間の経過に伴い大きく変動しており、検知量は、変動しながら徐々に減少する。検知量のピーク値と閾値t1との差分(ΔS)と、検知量のピーク値に達した時間から閾値t1に達するまでの時間(ΔT)との比率(ΔS/ΔT)は、比率閾値よりも小さい。
この場合、検知量が閾値t1に達しても、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に戻さない。このため、検知量が閾値t1に達しても、制御部102は、排気条件を強制排気条件のまま維持し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を強制排気条件で排気し続ける。
ここでは、検知量が閾値t1よりも低い閾値t1sに達すると、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。この場合、排気部124は、強制排気量よりも小さい標準排気量に設定された標準排気条件で処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。排気条件が強制排気条件から標準排気条件に変更しても、検知量はさらに減少する。ただし、排気条件の変更により、検知量の減少の傾きは小さくなる。
なお、図10(a)および図10(b)を参照した上述したように、板検知量のピーク値と閾値t1との差分(ΔS)と、検知量のピーク値に達した時間から閾値t1に達するまでの時間(ΔT)との比率(ΔS/ΔT)に基づいて排気条件を変更するための条件を変更してもよい。このように、漏液状態の時間的変化のパターンに基づいて排気条件を制排気条件から標準排気条件に戻すか否かを判定してもよい。
なお、処理液キャビネット120において、排気量調整機構126は、排気配管125の開度を調整するダンパーであってもよい。
次に、図11を参照して実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図11(a)~図11(c)は、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法を説明するための模式図である。
図11(a)に示すように、排気部124は、排気配管125と、ダンパー127とを有する。筐体122内の雰囲気を排気する際に、筐体122内の空気は、排気配管125を流れる。ダンパー127は、排気配管125の開度を制御する。ダンパー127は、排気配管125の排気量調整機構として機能する。ダンパー127は、シリンダーまたはモーターによって開度を制御してもよい。あるいは、ダンパー127は、ロックピンをオフすることによって開度を制御してもよい。
ここでは、ダンパー127は、排気配管125の外側に位置する。詳細には、ダンパー127は、排気配管125の端部を覆う位置に配置される。ダンパー127の開度は、制御部102によって制御される。
図11(a)では、処理液キャビネット120内には漏液が検知されていない。このため、処理液キャビネット120内の雰囲気は、標準排気量に設定された標準排気条件で排気される。制御部102は、ダンパー127の開度を比較的狭く制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気条件で排気する。排気部124による排気に伴い、吸気口123から処理液キャビネット120内に空気が吸気される。
図11(b)に示すように、処理液キャビネット120内において処理液が漏れると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも排気量の大きい強制排気量に設定された強制排気条件で排気する。詳細には、処理液キャビネット120内において処理液が漏れると、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において漏液を検知する。制御部102は、漏液検知部130の検知結果に基づいて、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。制御部102は、漏液状態に応じて強制排気条件を決定してダンパー127の開度を広くする。排気部124は、決定された強制排気条件にしたがって処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
ここでは、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において少量の処理液を検知する。この場合、制御部102は、漏液状態に応じて標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件を決定する。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気する。
図11(c)に示すように、処理液キャビネット120内において大量の処理液が漏れると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件で排気する。ここでは、漏液検知部130が、処理液キャビネット120内において大量の漏液を検知すると、制御部102は、漏液状態に応じてさらに大きい強制排気量に設定された強制排気条件を決定する。この場合、制御部102は、ダンパー127の開度をさらに広くする。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を強制的に排気できる。
以上のように、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法によれば、処理液キャビネット120内の漏液状態に応じてダンパー127の開度を調整することにより、排気部124の排気量を制御できる。このため、処理液キャビネット120内において漏れた処理液の量に応じて、処理液キャビネット120内の雰囲気を適切に排気できる。
なお、図1~図11を参照した上述の説明では、排気部124が、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気することにより、吸気口123から処理液キャビネット120内に空気が吸気されたが、本実施形態はこれに限定されない。排気部124の排気にともなって処理液キャビネット120内に気体が供給されてもよい。
次に、図1~図12を参照して、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図12(a)~図12(c)は、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明するための模式図である。
図12(a)に示すように、処理液キャビネット120は、給気部128をさらに備える。給気部128は、筐体112内に配置される。給気部128は、処理液キャビネット120に気体を供給する。ここでは、処理液キャビネット120は、吸気口123を有しない。上述したように、排気部124が処理液キャビネット120内の雰囲気を排気するが、給気部128によって処理液キャビネット120に給気する。
給気部128は、不活性ガスを給気してもよい。不活性ガスは、窒素を含む。あるいは、給気部128は、空気を給気してもよい。この場合、給気部128は、クリーンルームのダウンフローに用いられる空気を給気してもよい。
処理液キャビネット120が吸気口123を有しないことにより、処理液キャビネット120内で処理液が漏れたとしても、処理液が外部に漏洩するすることを抑制できる。また、処理液キャビネット120内に外光が進入することを抑制でき、処理液の特性が変動することを抑制できる。
例えば、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量で排気し、給気部128は、処理液キャビネット120を標準給気量で給気する。これにより、処理液キャビネット120内を一定の気圧に維持できる。
図12(b)に示すように、処理液キャビネット120内において漏液が生じると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも大きい強制排気量で排気する。
ここでは、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において少量の漏液を検知する。この場合、制御部102は、漏液状態に応じて標準排気量よりも大きい強制排気量に設定された強制排気条件を決定し、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を強制排気条件で排気する。また、制御部102は、漏液状態に応じて標準給気量よりも大きい強制給気量に設定し、給気部128は、処理液キャビネット120内に強制給気量で給気する。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御するとともに設定された強制給気量で給気部128を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を清浄化できる。
図12(c)に示すように、処理液キャビネット120内において比較的多くの処理液が漏れると、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を標準排気量よりも大きい排気量で排気する。ここでは、漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において大量の漏液を検知する。この場合、制御部102は、漏液状態に応じて標準排気量よりも大きい強制排気量に設定する。また、給気部128は、漏液状態に応じて処理液キャビネット120にさらに大きい給気量で給気する。制御部102は、決定された強制排気条件で排気部124を制御するとともに設定された給気量で給気部128を制御することにより、排気部124は、処理液キャビネット120内の雰囲気を排気できる。
なお、図12を参照した上述の説明では、処理液キャビネット120内の漏液状態は、2段階に分けられたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液キャビネット120内の漏液状態は、3以上の多くの段階に分けられてもよい。
次に、図13を参照して、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120を説明する。図13は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式図である。
図13に示すように、処理液キャビネット120は、筐体122、吸気口123、排気部124、漏液検知部130、処理液配管132および調製槽134に加えて、ポンプ136a、温調機器136bと、フィルター136cとをさらに備える。処理液配管132は、調製槽134に処理液を供給する。また、処理液配管132は、調製槽134から処理液を外部に流す。
処理液配管132は、処理液キャビネット120の外部から処理液キャビネット120の内部に延びる。また、処理液配管132は、処理液キャビネット120の内部から処理液キャビネット120の外部に延びる。本明細書において、処理液配管132のうち、処理液キャビネット120の外部から処理液キャビネット120の内部に向かって処理液が流通する境界部分を流入口132pと記載し、処理液キャビネット120の内部から処理液キャビネット120の外部に向かって処理液が流通する境界部分を流出口132qと記載する。また、本明細書において、処理液配管132のうち、流入口132pから調製槽134までの部分を上流側処理液配管132aと記載することがあり、調製槽134から流出口132qまでの部分を下流側処理液配管132bと記載することがある。
ポンプ136a、温調機器136bおよびフィルター136cは、処理液配管132に取り付けられる。詳細には、ポンプ136a、温調機器136bおよびフィルター136cは、下流側処理液配管132bに取り付けられる。
ポンプ136aは、処理液配管132に処理液を送る。温調機器136bは、処理液配管132を流れる処理液を加熱する。温調機器136bにより、処理液の温度が調整される。フィルター136cは、処理液配管132を流れる処理液をろ過する。
漏液検知部130は、調製槽134の下方に配置されてもよい。あるいは、漏液検知部130は、処理液配管132の近傍に配置されてもよい。
筐体122の上部には、電装部品を配置するための空間が設けられてもよい。
また、処理液キャビネット120内に複数種類の漏液検知部130を配置してもよい。この場合、複数種類の漏液検知部130のいずれかの検知結果または複数の検知結果の組み合わせに基づいて処理液キャビネット120内の漏液が判定されてもよい。
次に、図14を参照して、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120を説明する。図14(a)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式図である。図14(a)に示した処理液キャビネット120は、漏液検知部130が液検知センサー130aおよびカメラ130bを含む点を除いて、図13に示した処理液キャビネット120と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図14(a)に示すように、漏液検知部130は、液検知センサー130aと、カメラ130bとを含む。液検知センサー130aは、筐体122の下方に配置される。カメラ130bは、筐体122の上方に配置される。
漏液検知部130は、液検知センサー130aおよびカメラ130bのいずれかの検知結果に基づいて処理液キャビネット120の漏液を検知してもよい。あるいは、漏液検知部130は、液検知センサー130aおよびカメラ130bの両方の検知結果に基づいて処理液キャビネット120の漏液を検知してもよい。
なお、漏液検知部130は、処理液配管132を流れる流量に基づいて処理液キャビネット120の漏液を検知してもよい。
図14(b)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式図である。図14(b)に示した処理液キャビネット120は、漏液検知部130が、液検知センサー130aおよびカメラ130bに代えて流量計136dおよび流量計136eを含む点を除いて、図14(a)に示した処理液キャビネット120と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する説明を省略する。
図14(b)に示すように、処理液キャビネット120は、流量計136dおよび流量計136eをさらに備える。流量計136dは、上流側処理液配管132aに取り付けられ、上流側処理液配管132aを流れる処理液の流量を測定する。流量計136eは、下流側処理液配管132bに取り付けられ、下流側処理液配管132bを流れる処理液の流量を測定する。
処理液配管132の流入口132pから流出口132qまで一定量の処理液が流れる場合、流量計136dにおいて測定された流量は、流量計136eにおいて測定された流量と等しい。典型的には、処理液が処理液キャビネット120を循環する場合、流量計136dにおいて測定された流量は、流量計136eにおいて測定された流量と等しい。
しかしながら、上流側処理液配管132aおよび下流側処理液配管132bのいずれかにおいて処理液が漏れると、流量計136dにおいて測定された流量は、流量計136eにおいて測定された流量と等しくならない。このため、流量計136dおよび流量計136eにより、処理液キャビネット120における漏液を検知でき、流量計136dおよび流量計136eは、漏液検知部130として機能できる。
なお、図1~図14を参照した上述の説明では、処理液キャビネット120は、1つの区画された空間を有したが、処理液キャビネット120は、複数に区画された空間を有してもよい。
次に、図15を参照して、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120を説明する。図15(a)および図15(b)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式的な上面図である。
図15(a)に示すように、処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bとを有する。ここでは、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bは互いに隣接して配置される。処理液キャビネット120は、他の部材と区画される。また、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bはそれぞれ区画される。これにより、処理液キャビネット120は、複数に区画された空間を有する。
第1処理液筐体122aには、処理液配管132および調製槽134が配置される。また、第2処理液筐体122bには、処理液配管132および調製槽134が配置される。
なお、第1処理液筐体122aを流通する処理液は、第2処理液筐体122bを流通する処理液と同じであってもよいし、異なってもよい。例えば、第1処理液筐体122aの処理液は、第2処理液筐体122bの処理液と異なる種類であってもよい。または、第1処理液筐体122aの処理液の濃度は、第2処理液筐体122bの処理液の濃度と異なってもよい。あるいは、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bの処理液の一方が基板処理ユニット10に処理液を供給し、他方が基板処理ユニット10に処理液を供給する前に処理液を循環させてもよい。
第1処理液筐体122aは、排気部124aを有する。排気部124aは、排気配管125aと、ダンパー127aとを有する。
第2処理液筐体122bは、排気部124bを有する。排気部124bは、排気配管125bと、ダンパー127bとを有する。
処理液キャビネット120には、共通排気配管140が取り付けられる。共通排気配管140は、第1処理液筐体122aの排気配管125aおよび第2処理液筐体122bの排気配管125bと接続する。このため、第1処理液筐体122a内の雰囲気は、排気配管125aおよび共通排気配管140を介して排気され、第2処理液筐体122b内の雰囲気は、排気配管125bおよび共通排気配管140を介して排気される。
共通排気配管140は、連絡配管142と、主配管144とを有する。連絡配管142は、第1処理液筐体122aの排気配管125aと、第2処理液筐体122bの排気配管125bと、主配管144とを接続する。第1処理液筐体122a内の雰囲気は、排気配管125a、連絡配管142および主配管144を介して排気される。第2処理液筐体122b内の雰囲気は、排気配管125b、連絡配管142および主配管144を介して排気される。
図15(b)に示すように、第1処理液筐体122a内において処理液が漏れると、第1処理液筐体122aの漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において漏液を検知する。制御部102は、処理液キャビネット120内の漏液状態を判定する。制御部102は、漏液状態に応じて強制排気量を設定する。ここでは、制御部102は、漏液状態に応じてダンパー127aの開度を増加させる。
一方で、第2処理液筐体122b内では処理液は漏れていない。このため、第2処理液筐体122bの漏液検知部130は、処理液キャビネット120内において漏液を検知しない。したがって、制御部102は、漏液状態に応じてダンパー127bの開度を一定に維持したままである。
このように、共通排気配管140を介して、互いに異なる第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122b内の雰囲気を排気することにより、比較的簡易な構成で、互いに区画された第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122b内の雰囲気を一体的に排気できる。なお、上述したように、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bをそれぞれ流通する処理液は異なってもよい。ただし、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bをそれぞれ流通する処理液は、酸性、アルカリ性および有機溶剤のいずれかの点で共通していることが好ましい。この場合、共通排気配管140を流通した排気をまとめて処理できる。
なお、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bの容積、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bを流れる処理液の種類、温度、用途のいずれかが異なる場合、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bにおける漏液の判定基準および/または漏液状態の判定基準は異なってもよい。また、第1処理液筐体122aの強制排気条件は、第2処理液筐体122bの強制排気条件と異なってもよい。
次に、図1~図16(主として、図15および図16)を参照して、本実施形態による処理液キャビネット120の排気制御方法における検知量の時間的変化および排気条件の変更を説明する。図16(a)は、本実施形態による処理液キャビネット120の第1処理液筐体122aの排気制御方法における検知量の時間的変化を示すグラフであり、図16(b)は、本実施形態による処理液キャビネット120の第2処理液筐体122bの排気制御方法における検知量の時間的変化を示すグラフである。
図16(a)に示すように、ここでは、はじめ第1処理液筐体122a内で処理液は漏れていない。
所定の時間が経過して第1処理液筐体122a内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。例えば、検知量が閾値t1aを超えると、制御部102は、排気条件を標準排気条件から第1強制排気条件に変更して、排気部124aは、第1強制排気条件にしたがって第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124aは、標準排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。
その後、検知量が閾値t2aを超えると、制御部102は、排気条件を第1強制排気条件から第2強制排気条件に変更し、排気部124aは、第2強制排気条件にしたがって第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124aは、第1強制排気量よりも大きい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。
その後、検知量が閾値t2aよりも低くなると、制御部102は、排気条件を第2強制排気条件から第3強制排気条件に変更し、排気部124aは、第3強制排気条件にしたがって第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。ここでは、排気部124aは、第3強制排気量に設定された第3強制排気条件で第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。
その後、検知量が閾値t1aよりも低くなると、制御部102は、排気条件を第3強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124aは、標準排気条件にしたがって第1処理液筐体122a内の雰囲気を排気する。
なお、第2処理液筐体122bは、第1処理液筐体122aとは異なる排気条件に設定されてもよい。また、第2処理液筐体122bにおける排気条件を判定するための閾値は、第1処理液筐体122aにおける排気条件を判定するための閾値とは異なってよい。
図16(b)に示すように、ここでは、はじめ第2処理液筐体122b内で処理液は漏れていない。
所定の時間が経過して第2処理液筐体122b内において処理液が漏れ始めると、検知量が増加する。例えば、検知量が閾値t1bを超えると、制御部102は、排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更して、排気部124bは、強制排気条件にしたがって第2処理液筐体122b内の雰囲気を排気する。なお、閾値t1bは、閾値t1aとは異なってもよい。また、排気部124bによる強制排気条件は、排気部124aによる第1強制排気条件とは異なってもよい。
その後、検知量が閾値t2bを超えないため、制御部102は、排気条件を強制排気条件に維持し、排気部124bは、強制排気条件にしたがって第2処理液筐体122b内の雰囲気を排気する。また、閾値t2bは、閾値t2aとは異なってもよい。
その後、検知量が閾値t1bよりも低くなると、制御部102は、排気条件を強制排気条件から標準排気条件に変更し、排気部124bは、標準排気条件にしたがって第2処理液筐体122b内の雰囲気を排気する。
以上のように、制御部102は、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bに応じて漏液の検知、漏液状態の判定および/または排気条件を個別に設定してもよい。
なお、図15に示した処理液キャビネット120では、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bは隣接して配置されたが、本実施形態はこれに限定されない。第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bは、異なる場所に配置されてもよい。また、第1処理液筐体122aおよび第2処理液筐体122bが共通排気配管140に接続される場合、共通排気配管140を流れる排気の排気量を変更してもよい。
次に、図1~図17(特に、図15~図17)を参照して、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120および共通排気配管140を説明する。図17(a)および図17(b)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120および共通排気配管140の模式図である。
図17(a)に示すように、処理液キャビネット120は、共通排気配管140に接続される。処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bと、第3処理液筐体122cとを含む。ここでは、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cは、離れて位置する。第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cは、それぞれ同じ構成を有する。なお、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cは、隣接して配置されてもよい。
共通排気配管140には送風機構146が配置される。送風機構146は、共通排気配管140内の気体が第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cから離れる方向に流れるように送風する。このため、送風機構146により、共通排気配管140内の気体が流通し、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cをそれぞれ排気である。例えば、送風機構146は、ファンを有する。
ここでは、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122c内のそれぞれにおいて漏液は検知されていない。図17(a)に、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122cおよび共通排気配管140のそれぞれの排気量を示す。第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量はそれぞれ1.0、1.0、1.0であり、共通排気配管140の排気量は3.0である。
図17(b)に示すように、第1処理液筐体122a内において処理液が漏れると、第1処理液筐体122aの漏液検知部130は、第1処理液筐体122a内において漏液を検知する。一方で、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内において処理液は漏れていない。
この場合、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態を判定する。その後、制御部102は、漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの強制排気条件を決定し、第1処理液筐体122aの排気部124は、第1処理液筐体122a内の雰囲気を強制排気条件で排気する。また、制御部102は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの標準排気条件を維持し、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cのそれぞれの排気部124は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内の雰囲気を標準排気条件で排気する。
このとき、制御部102は、第1処理液筐体122aの排気部124の排気量の増加に伴って送風機構146による共通排気配管140の排気量を増加させる。この場合、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量はそれぞれ1.5、1.0、1.0であり、共通排気配管140の排気量は3.5である。
本実施形態では、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの排気量を増加させるとともに、共通排気配管140の排気量を増加させる。これにより、漏液の生じた第1処理液筐体122aを効率的に排気できる。
なお、図17を参照して上述した説明では、漏液の発生に応じて送風機構146を制御して共通排気配管140の排気量を調整したが、本実施形態はこれに限定されない。漏液の発生の有無に関わらず共通排気配管140の排気量を調整しなくてもよい。
次に、図18を参照して、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明する。図18(a)および図18(b)は、本実施形態の処理液キャビネット120の排気制御方法を説明するための模式図である。
図18(a)に示すように、処理液キャビネット120は、共通排気配管140に接続される。処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bと、第3処理液筐体122cとを含む。ここでは、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122c内のそれぞれにおいて漏液は検知されていない。
図18(a)に、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122cおよび共通排気配管140のそれぞれの排気量を示す。第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量はそれぞれ1.0、1.0、1.0であり、共通排気配管140の排気量は3.0である。
図18(b)に示すように、第1処理液筐体122a内において処理液が漏れると、第1処理液筐体122aの漏液検知部130は、第1処理液筐体122a内において漏液を検知する。一方で、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内において処理液は漏れていない。
この場合、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態を判定する。その後、制御部102は、漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの強制排気条件を決定し、第1処理液筐体122aの排気部124は、第1処理液筐体122a内の雰囲気を強制排気条件で排気する。また、制御部102は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの標準排気条件を維持し、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cのそれぞれの排気部124は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内の雰囲気を標準排気条件で排気する。
ここでは、制御部102は、送風機構146による共通排気配管140の排気量を増加させない。このため、第1処理液筐体122aの排気量は増加し、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量は減少する。例えば、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量はそれぞれ1.4、0.8、0.8となり、共通排気配管140の排気量は3.0のまま維持される。
本実施形態では、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの排気量を増加させるとともに、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの排気量を低減する。これにより、送風機構146の負荷を増加させることなく漏液の生じた第1処理液筐体122aを効率的に排気できる。
なお、図17および図18を参照した上述の説明では、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cは、同様の構成を有していたが、本実施形態はこれに限定されない。第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cは、異なる構成を有してもよい。例えば、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの容積は異なってもよい。
また、図17および図18を参照した上述の説明では、共通排気配管140には、処理液配管132を備えた第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cが接続されたが、本実施形態はこれに限定されない。共通排気配管140には、処理液配管132を備えないキャビネットが接続してもよい。
次に、図19を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図19(a)および図19(d)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120、共通排気配管140およびダミーキャビネット150の模式図である。図19(b)は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120の模式図であり、図19(c)は、本実施形態の基板処理装置100におけるダミーキャビネット150の模式図である。
図19(a)に示すように、共通排気配管140には、処理液キャビネット120およびダミーキャビネット150に接続される。共通排気配管140により、処理液キャビネット120内の雰囲気およびダミーキャビネット150内の雰囲気を排気できる。
処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bと、第3処理液筐体122cとを含む。第1処理液筐体122aと、第2処理液筐体122bと、第3処理液筐体122cは、少なくとも処理液配管132を備える。一方で、ダミーキャビネット150は、処理液配管132を備えない。
ここでは、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cは、同じ構成を有する。このため、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの容積は互いに等しい。一方で、ダミーキャビネット150の容積は、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの容積よりも小さい。ここでは、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内のそれぞれにおいて漏液は検知されていない。
図19(a)に、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122c、ダミーキャビネット150および共通排気配管140のそれぞれの排気量を示す。例えば、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122c、ダミーキャビネット150の排気量はそれぞれ1.0、1.0、1.0、0.5であり、共通排気配管140の排気量は3.5である。
図19(b)に示すように、第1処理液筐体122aは、筐体122、吸気口123、排気部124、漏液検知部130、処理液配管132、調製槽134に加えて、ポンプ136a、温調機器136bと、フィルター136cを備える。なお、第1処理液筐体122aの構成は、図13を参照して上述した処理液キャビネット120と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。また、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの構成も第1処理液筐体122aの構成と同様である。
図19(c)に示すように、ダミーキャビネット150は、筐体152、吸気口153、排気部154を備える。ここでは、ダミーキャビネット150には、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cとは異なり、処理液が流れない。
排気部154は、排気配管155と、排気量調整機構156とを有する。筐体152内の雰囲気を排気する際に、筐体152内の気体は、排気配管155を流れて外部に排出される。
排気量調整機構156は、排気配管155を流れる気体の流通量(排気量)を調整する。排気量調整機構156により、排気配管155を流れる排気量を増加または低減できる。
ただし、ダミーキャビネット150は、漏液検知部130を備えてもよい。ダミーキャビネット150が漏液検知部130を備える場合、吸気口153を介してダミーキャビネット150内に処理液が進入したことを検知できる。
図19(d)に示すように、第1処理液筐体122a内において処理液が漏れると、第1処理液筐体122aの漏液検知部130は、第1処理液筐体122a内において漏液を検知する。一方で、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内において処理液は漏れていない。
この場合、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態を判定する。その後、制御部102は、漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの強制排気条件を決定し、第1処理液筐体122aの排気部124は、第1処理液筐体122a内の雰囲気を強制排気条件で排気する。また、制御部102は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの標準排気条件を維持し、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cのそれぞれの排気部124は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内の雰囲気を標準排気条件で排気する。
さらに、制御部102は、第1処理液筐体122aの排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更したことに伴い、ダミーキャビネット150の排気部154の駆動を停止する。このため、制御部102は、送風機構146による共通排気配管140の排気量を増加させなくても、第1処理液筐体122aの排気量を増加できる。例えば、図19(d)に示すように、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122cおよびダミーキャビネット150の排気量はそれぞれ1.5、1.0、1.0、0.5であり、共通排気配管140の排気量は3.5のまま維持される。
本実施形態では、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの排気量を増加させる一方で、ダミーキャビネット150の排気量を減少させる。これにより、送風機構146の負荷を増加させることなく漏液の生じた第1処理液筐体122aを効率的に排気できる。
なお、図14~図19に示した基板処理装置100では、処理液キャビネット120は共通排気配管140に直接的に接続されたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液キャビネット120は、ダミーキャビネット150を介して共通排気配管140に接続されてもよい。
次に、図20を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図20は、本実施形態の基板処理装置100における処理液キャビネット120、共通排気配管140およびダミーキャビネット150の模式図である。
図20に示すように、共通排気配管140には、ダミーキャビネット150が接続されており、ダミーキャビネット150に処理液キャビネット120が接続されている。ここでは、処理液キャビネット120は、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cを含む。第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cは、ダミーキャビネット150に接続される。このように、処理液キャビネット120が、ダミーキャビネット150を介して共通排気配管140に接続されることにより、共通排気配管140は、処理液キャビネット120およびダミーキャビネット150のそれぞれと接続してもよい。
次に、図1~図21(主として、図20および図21)を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図21(a)および図21(b)は、本実施形態の基板処理装置100における第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの排気配管125a~125cが接続されたダミーキャビネット150の模式図である。
図21(a)に示すように、ダミーキャビネット150は、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cに接続する。詳細には、ダミーキャビネット150は、第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cに接続される。また、ダミーキャビネット150は共通排気配管140に接続する。
排気部154は、排気配管155と、ダンパー157とを有する。排気配管155は、筐体152内に配置される。筐体152内の雰囲気を排気する際に、筐体152内の空気は、排気配管155を流れる。ダンパー157は、排気配管155の開度を制御する。ダンパー157は、排気配管155の排気量調整機構として機能する。
第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの排気配管125a~125cを流れた排気は、ダミーキャビネット150の筐体152内の排気配管155に流入する。このため、排気配管155は、ダンパー157を介して流入した気体とともに第1処理液筐体122a~第3処理液筐体122cの排気配管125a~125cを介して流入する気体を外部に排出する。
例えば、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122cおよびダンパー157を介する排気配管155の排気量はそれぞれ1.0、1.0、1.0、0.5であると、共通排気配管140の排気量は3.5である。
図21(b)に示すように、第1処理液筐体122a内において処理液が漏れると、第1処理液筐体122aの漏液検知部130は、第1処理液筐体122a内において漏液を検知する。一方で、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内において処理液は漏れていない。
この場合、制御部102は、第1処理液筐体122a内の漏液状態を判定する。その後、制御部102は、漏液状態に応じて第1処理液筐体122aの強制排気条件を決定し、第1処理液筐体122aの排気部124は、第1処理液筐体122a内の雰囲気を強制排気条件で排気する。また、制御部102は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cの標準排気条件を維持し、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122cのそれぞれの排気部124は、第2処理液筐体122bおよび第3処理液筐体122c内の雰囲気を標準排気条件で排気する。
さらに、制御部102は、第1処理液筐体122aの排気条件を標準排気条件から強制排気条件に変更したことに伴い、ダンパー157を介する排気配管155の排気量を減少する。制御部102は、ダンパー157の開度をさらに狭く制御することにより、排気部154は、全体の排気量を維持でき、制御部102は、送風機構146による共通排気配管140の排気量を増加させなくてもよい。例えば、第1処理液筐体122a、第2処理液筐体122b、第3処理液筐体122cおよびダンパー157を介する排気配管155の排気量はそれぞれ1.4、1.0、1.0、0.1であり、共通排気配管140の排気量は3.5のままでよい。これにより、送風機構146の負荷を増加させることなく漏液の生じた第1処理液筐体122aを効率的に排気できる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
本発明は、処理液キャビネットの排気に好適に用いられる。
10 基板処理ユニット
12 チャンバー
20 基板保持部
30 処理液供給部
100 基板処理装置
110 処理液ボックス
120 処理液キャビネット
W 基板
12 チャンバー
20 基板保持部
30 処理液供給部
100 基板処理装置
110 処理液ボックス
120 処理液キャビネット
W 基板
Claims (20)
- 基板処理ユニットに供給される処理液が流通する処理液配管が配置された処理液キャビネットにより区画された空間内の雰囲気を排気する方法であって、
標準排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する標準排気工程と、
前記処理液キャビネット内で生じた漏液を検知する漏液検知工程と、
前記漏液検知工程における検知結果に基づいて、前記処理液キャビネット内の漏液状態を判定する漏液状態判定工程と、
前記漏液状態判定工程における判定結果に基づき、前記標準排気条件の排気量よりも大きい排気量に設定された強制排気条件を決定する強制排気条件決定工程と、
前記強制排気条件決定工程において決定された前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する強制排気工程と
を包含する、処理液キャビネットの排気制御方法。 - 前記強制排気工程は、
前記標準排気工程から移行して、前記標準排気条件の排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する第1強制排気工程と、
前記標準排気工程から前記第1強制排気工程に移行してから所定時間経過した後、前記処理液キャビネット内において漏液が検知されない場合、前記標準排気条件の排気量よりも大きく前記第1強制排気量よりも小さい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する第2強制排気工程と
を含む、請求項1に記載の処理液キャビネットの排気制御方法。 - 前記標準排気工程において、前記標準排気条件は、前記処理液キャビネット内の配管を流れる処理液の種類または前記配管を流れる処理液の流量に基づいて設定される、請求項1または2に記載の処理液キャビネットの排気制御方法。
- 前記強制排気工程は、前記強制排気工程において判定された前記処理液キャビネット内の漏液状態の時間的変化に基づいて、前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するための排気条件を前記標準排気条件に戻すか否かを判定する工程を含む、請求項1から3のいずれかに記載の処理液キャビネットの排気制御方法。
- 前記処理液キャビネットは、
第1処理液筐体と、
前記第1処理液筐体と共通する共通排気配管に接続された第2処理液筐体と
を含み、
前記漏液検知工程において、前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記強制排気条件で前記第1処理液筐体内の雰囲気を排気する、請求項1から4のいずれかに記載の処理液キャビネットの排気制御方法。 - 前記強制排気工程において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を増加させる、請求項5に記載の処理液キャビネットの排気制御方法。
- 前記漏液検知工程において、前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を変更することなく前記第1処理液筐体の排気量を増加させる、請求項5に記載の処理液キャビネットの排気制御方法。
- 前記漏液状態判定工程は、既定の基準値と前記検知結果とを比較することによって前記漏液状態を判定し、
前記第1処理液筐体に対応する判定における基準値である第1基準値と、前記第2処理液筐体に対応する判定における基準値である第2基準値は異なる、請求項5から7のいずれかに記載の処理液キャビネットの排気制御方法。 - 前記強制排気条件決定工程において、前記第1処理液筐体に対応する第1筐体強制排気条件と、前記第2処理液筐体に対応する第2筐体強制排気条件とを決定し、
前記第1筐体強制排気条件と、前記第2筐体強制排気条件とは異なる、請求項5から8のいずれかに記載の処理液キャビネットの排気制御方法。 - 前記漏液検知工程において、前記処理液キャビネット内の漏液が検知された場合、前記強制排気工程において、前記処理液キャビネットと共通する共通排気配管に接続されたダミーキャビネットの排気量を前記標準排気工程の排気量よりも低減させるとともに前記処理液キャビネットの排気量を前記標準排気工程の排気量よりも増加させる、請求項1から9のいずれかに記載の処理液キャビネットの排気制御方法。
- 基板を処理する基板処理ユニットと、
前記基板処理ユニットに供給される処理液が流通する処理液配管が配置された処理液キャビネットと、
前記処理液キャビネット内の漏液を検知する漏液検知部と、
前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する排気部と、
前記排気部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、標準排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御し、
前記制御部は、前記漏液検知部が前記処理液キャビネット内で生じた漏液を検知した検知結果に基づいて、前記処理液キャビネット内の漏液状態を判定し、
前記制御部は、前記漏液状態の判定結果に基づき、前記標準排気条件の排気量よりも大きい排気量に設定された強制排気条件を決定し、
前記制御部は、前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する、基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記標準排気条件から移行して前記標準排気条件の排気量よりも大きい第1強制排気量に設定された第1強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御し、
前記標準排気条件から前記第1強制排気条件に移行してから所定時間経過した後、前記処理液キャビネット内において漏液が検知されない場合、前記標準排気条件の排気量よりも大きく前記第1強制排気量よりも小さい第2強制排気量に設定された第2強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する、請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記標準排気条件を、前記処理液キャビネット内の配管を流れる処理液の種類または前記配管を流れる処理液の流量に基づいて設定する、請求項11または12に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記強制排気条件で前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気する際に判定された前記処理液キャビネット内の漏液状態の時間的変化に基づいて、前記処理液キャビネット内の雰囲気を排気するための排気条件を前記標準排気条件に戻すか否かを判定する、請求項11から13のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液キャビネットは、
第1処理液筐体と、
前記第1処理液筐体と共通する共通排気配管に接続された第2処理液筐体と
を含み、
前記制御部は、前記漏液検知部が前記第1処理液筐体内の漏液が検知された場合、前記強制排気条件で前記第1処理液筐体内の雰囲気を排気するように前記排気部を制御する、請求項11から14のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、強制排気条件において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を増加させる、請求項15に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記漏液検知部が前記第1処理液筐体内の漏液を検知した場合、前記強制排気条件において、前記共通排気配管を流通する排気の排気量を変更することなく前記第1処理液筐体の排気量を増加させる、請求項15に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、既定の基準値と、検知結果とを比較することによって前記漏液状態を判定し、
前記第1処理液筐体に対応する判定における基準値である第1基準値と、前記第2処理液筐体に対応する判定における基準値である第2基準値は異なる、請求項15から17のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記強制排気条件として、前記第1処理液筐体に対応する第1筐体強制排気条件と、前記第2処理液筐体に対応する第2筐体強制排気条件とを決定し、
前記第1筐体強制排気条件と、前記第2筐体強制排気条件とは異なる、請求項15から18のいずれかに記載の基板処理装置。 - ダミーキャビネットと、
前記処理液キャビネットおよび前記ダミーキャビネットのそれぞれに接続された共通排気配管と
をさらに備え、
前記制御部は、前記漏液検知部が前記処理液キャビネット内の漏液を検知した場合、前記ダミーキャビネットの排気量を前記標準排気条件の排気量よりも低減させるとともに前記処理液キャビネットの排気量を前記標準排気条件の排気量よりも増加させる、請求項11から19のいずれかに記載の基板処理装置。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217162A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2005033135A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄装置 |
| JP2006019584A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006041255A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理システム |
| JP2009158786A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010045185A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 |
| JP2010056209A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板洗浄装置 |
| JP2020178075A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63188434U (ja) * | 1987-05-23 | 1988-12-02 | ||
| JP2937331B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1999-08-23 | 株式会社日立製作所 | シリンダーキャビネット |
| JP3493669B2 (ja) * | 1992-08-28 | 2004-02-03 | 関西日本電気株式会社 | ボンベボックス排気システム |
| JPH11166699A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-22 | Nippon Air Liquide Kk | シリンダキャビネットにおける排気ダクトの流量調節装置 |
| JP2005040712A (ja) | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Renesas Technology Corp | 排気装置 |
| JP5511190B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の運転方法 |
| FR2930675B1 (fr) * | 2008-04-24 | 2010-08-20 | Alcatel Lucent | Station de mesure de la contamination en particules d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs et procede de mesure correspondant |
| JP5627518B2 (ja) | 2011-03-16 | 2014-11-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および電源管理方法 |
| CN117174611A (zh) * | 2013-08-12 | 2023-12-05 | 应用材料公司 | 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法 |
| JP6406192B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体 |
| US10566216B2 (en) * | 2017-06-09 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Equipment front end module gas recirculation |
| US10179941B1 (en) * | 2017-07-14 | 2019-01-15 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
| JP6681452B1 (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| TWI679718B (zh) * | 2018-11-30 | 2019-12-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 基板處理系統 |
-
2022
- 2022-01-25 WO PCT/JP2022/002648 patent/WO2022201831A1/ja not_active Ceased
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217162A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| JP2005033135A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄装置 |
| JP2006019584A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006041255A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理システム |
| JP2009158786A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010045185A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 |
| JP2010056209A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板洗浄装置 |
| JP2020178075A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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