WO2021212546A1 - 平坦化方法 - Google Patents
平坦化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2021212546A1 WO2021212546A1 PCT/CN2020/088777 CN2020088777W WO2021212546A1 WO 2021212546 A1 WO2021212546 A1 WO 2021212546A1 CN 2020088777 W CN2020088777 W CN 2020088777W WO 2021212546 A1 WO2021212546 A1 WO 2021212546A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- electrode layer
- passivation layer
- layer
- cavity
- inclined surface
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/02—Forming enclosures or casings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N35/00—Magnetostrictive devices
- H10N35/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Abstract
本发明提供了一种能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀的平坦化方法，待加工产品开设有填充氧化物的腔体，且其包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极包括位于第一电极层周边的第一斜面部，压电层在其表面形成第二斜面部，第二电极层包括位于第二电极层周边的第三斜面部，方法包括：在第二电极层沉积第一钝化层；对第一钝化层刻蚀以在第三斜面部的外周形成衬垫，衬垫在其表面形成第四斜面部的；在第二电极层沉积第二钝化层，第二钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第五斜面部和自第五斜面部延伸的第二平面部，第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体，第五斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外。
Description
本发明涉及平坦化加工方法技术领域，尤其涉及一种平坦化方法。
现有技术中，对需要平坦化加工的产品通常是通过CMP工艺来实现。
发明概述
CMP工艺存在以下问题：
1、CMP工艺比较复杂，成本较高。
2、CMP工艺对材料有要求，很多材料不适用CMP工艺，例如，氮化铝不是CMP工艺的常见材料，而氮化硅则对于CMP工艺来说是难以加工处理的。
3、常规CMP工艺在平坦化处理过程中是将待加工产品整个平坦化。
因此，有必要提供一种新的平坦化方法以解决以上问题。
问题的解决方案
本发明的目的在于提供一种平坦化方法，其用于使得待加工产品的表面部分平坦化，加工过程更容易控制，能够实现更好的局部平坦度。
本发明的技术方案如下：
一种平坦化方法，用于使得待加工产品的表面部分平坦化，所述待加工产品开设有填充氧化物的腔体，所述待加工产品包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层以及第二电极层，所述第一电极层覆盖所述腔体且包括位于所述第一电极层周边的第一斜面部，所述压电层覆盖所述第一电极层，且由于所述第一斜面部，所述压电层在其表面形成第二斜面部，所述第二电极层覆盖部分所述压电层且包括位于所述第二电极层周边的第三斜面部，所述第二电极层沿竖直方向的正投影落在所述腔体内，所述平坦化方法包括：
在所述第二电极层沉积第一钝化层，所述第一钝化层覆盖住所述第二电极层和 所述压电层；
对所述第一钝化层刻蚀以使所述第一钝化层在所述第二电极层周边的第三斜面部的外周形成衬垫，所述衬垫与所述第二电极层平齐，且由于所述第三斜面部，所述衬垫在其表面形成第四斜面部；
在所述第二电极层沉积第二钝化层，所述第二钝化层覆盖住所述第二电极层、所述衬垫和所述压电层，所述第二钝化层具有第一平面部、设于所述第一平面部外围的第五斜面部、以及自所述第五斜面部延伸的第二平面部，所述第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖所述腔体，且所述第五斜面部沿竖直方向的正投影落在所述腔体外。
作为一种改进方式，由于所述第四斜面部的存在，所述第二钝化层形成了所述第五斜面部，且由于所述第二斜面部的存在，所述第二钝化层还形成了设于所述第二平面部外围的第六斜面部。
作为一种改进方式，在所述第二电极层沉积第二钝化层之后，进行以下工序：
对所述第二钝化层全面刻蚀，直至所述第二钝化层的厚度减薄至所需厚度；
释放所述腔体内的氧化物，得到成品。
作为一种改进方式，在所述第二电极层沉积第二钝化层之后，进行以下工序：
释放所述腔体内的氧化物，得到成品。
作为一种改进方式，所述对所述第二钝化层全面刻蚀的实施方式为全面干刻蚀或全面湿刻蚀。
作为一种改进方式，所述第一钝化层与所述第二钝化层均采用氮化铝材料。
作为一种改进方式，所述待加工产品为滤波器。
发明的有益效果
本发明的有益效果在于：本发明提供的平坦化方法由于在沉积第二钝化层之前预先沉积了第一钝化层以在第二电极层的第三斜面部的外周形成衬垫，利用衬垫拓宽了第二电极层的实际宽度，这样，在沉积第二钝化层时，只需要沉积薄的一层第二钝化层即可使得第二钝化层的第五斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外，甚至，第二钝化层的厚度刚好为所需厚度，这样，就不需要对第二钝 化层进行后续处理就能实现待加工产品的表面部分(第一平面部)平坦化的目的，该方法操作简单，实用性强，在实施过程中更容易控制，能够实现更好的局部平坦度，而且该平坦化方法还不受限于待加工产品的材料，应用范围广。
对附图的简要说明
图1为本发明实施例的平坦化方法的流程图；
图2和图3为本发明实施例的平坦化方法的工艺示意图；
图4为本发明另一实施例的平坦化方法的流程图；
图5和图6为本发明另一实施例的平坦化方法的工艺示意图。
附图说明：
100、待加工产品；11、腔体；12、第一电极层；121、第一斜面部；13、压电层；131、第二斜面部；14、第二电极层；141、第三斜面部；15、氧化物；16、第一钝化层；17、衬垫；171、第四斜面部；18、第二钝化层；181、第一平面部；182、第五斜面部；183、第二平面部；184、第六斜面部。
发明实施例
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、内、外、顶部、底部......)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，该元件可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
实施例
如图1至图6所示，本发明实施例提供了一种平坦化方法，其用于平坦化待加工产品100，例如滤波器，待加工产品100开设有填充氧化物15的腔体11，待加工产品100包括叠设在腔体11上的第一电极层12、压电层13以及第二电极层14，第 一电极层12覆盖腔体11且包括位于第一电极层12周边的第一斜面部121，压电层13覆盖第一电极层12，且由于第一斜面部121，压电层13在其表面形成第二斜面部131，第二电极层14覆盖部分压电层13且包括位于第二电极层14周边的第三斜面部141，第二电极层14沿竖直方向的正投影落在腔体11内，平坦化方法包括：
步骤S100，在第二电极层14沉积第一钝化层16，第一钝化层16可采用氮化铝材料，沉积方式可采用PVD沉积法或CVD沉积法，采用哪种沉积方式取决于所需的薄膜类型和适用性。第一钝化层16覆盖住第二电极层14和压电层13。
步骤S200，对第一钝化层16刻蚀以使第一钝化层16在第二电极层14周边的第三斜面部141的外周形成衬垫17，衬垫17与第二电极层14平齐，且由于第三斜面部141，衬垫17在其表面形成第四斜面部171。衬垫17的设计是为了后续沉积第二钝化层18做准备，正常来说，待加工产品100的腔体11与第二电极层14之间存在间距(如图2中a所示)，该间距大小即为腔体11顶部边缘与第三斜面部141外侧边缘之间的水平距离，在该间距位置形成额外的间隔物，使得该间距具有更大的工艺裕度，间隔物的宽度拓展了第二电极层14的实际宽度，在后续沉积第二钝化层18时，沉积更薄的第二钝化层18即可满足加工需求，例如，沉积更薄的第二钝化层18就能够使得第五斜面部182沿竖直方向的正投影落在腔体11外。
步骤S300，在第二电极层14沉积第二钝化层18，沉积方式可采用PVD沉积法或CVD沉积法，采用哪种沉积方式取决于所需的薄膜类型和适用性。第二钝化层18覆盖住第二电极层14和压电层13，第二钝化层18第二钝化层18具有第一平面部181、设于第一平面部181外围的第五斜面部182、自第五斜面部182延伸的第二平面部183、以及设于第二平面部183外围的第六斜面部184，第一平面部181沿竖直方向上的投影覆盖腔体11，由于第四斜面部171的存在，第二钝化层18形成了第五斜面部182，第五斜面部182沿竖直方向的正投影落在腔体11外，而且，由于第二斜面部131的存在，第二钝化层18形成了第六斜面部184。在此工序中，第二钝化层18需要足够厚的厚度才可以使得第五斜面部182沿竖直方向的正投影落在腔体11外，例如，典型第二钝化层18的最终厚度一般是100nm-300nm范围内，假设不进行沉积第一钝化层16以形成衬垫17的工序，那么第二钝化层18的初始沉积厚度可能在300-1000nm范围内，而，预先进行了沉积第一钝化层16以 形成衬垫17的工序，则第二钝化层18的初始沉积厚度可能在100-500nm范围内就能够使得第五斜面部182沿竖直方向的正投影落在腔体11外，第二钝化层18初始沉积厚度大大减少，甚至，沉积的第二钝化层18的厚度刚好是所需厚度，这样，就不需要对第二钝化层18进行后续的蚀刻工序就能实现待加工产品100的表面部分(第一平面部181)平坦化的目的。而且滤波器如果存在改善声学性能的设计要求，则在第二电极层14和腔体11的尺寸上有更多的加工余地。可以理解地，第二钝化层18具体的厚度取决于叠层厚度(在本实施例中即为第一电极层12、压电层13和第二电极层14整体厚度)，而叠层的厚度根据实际需要决定。
可以理解地，步骤S400是非必要的，只有当沉积的第二钝化层18超过所需厚度，才需要进行步骤S400(如图4-图6所示)，如果沉积的第二钝化层18刚好为所需厚度，则不需要进行步骤S400(如图1-图3所示)。
步骤S400，对第二钝化层18全面刻蚀，直至第二钝化层18的厚度减薄至所需厚度，例如典型第二钝化层18所需厚度是100nm-300nm范围内，则需要将第二钝化层18的厚度减薄至100nm-300nm范围内。可以理解地，第二钝化层18最终所需的厚度取决于叠层厚度(在本实施例中即为第一电极层12、压电层13和第二电极层14整体厚度)，而叠层的厚度根据实际需要决定。对第二钝化层18全面刻蚀的实施方式为全面干刻蚀或全面湿刻蚀，此处所说全面刻蚀，指的是从上到下对第二钝化层18以同样的蚀刻速率进行蚀刻，即蚀刻前后，第二钝化层18的形状并没有改变，只是厚度改变了。如此，与CMP工艺相比，平坦化面积更小，在平坦化过程中能够实现更好的均匀性控制。
进一步地，全面刻蚀的方法对蚀刻材料没有太多的限制，例如，氮化铝材料和氮化硅材料对于CMP工艺来说是不太合适的，而全面刻蚀的方法则没有这个限制，因此第二钝化层18可采用氮化铝材料。
步骤S500，释放腔体11内的氧化物15，得到成品。
本实施例提供的平坦化方法操作简单，实用性强，在实施过程中更容易控制，能够实现更好的局部平坦度，而且该平坦化方法还不受限于待加工产品100的材料，应用范围广。
以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人 员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。
Claims (7)
- 一种平坦化方法，用于使得待加工产品的表面部分平坦化，所述待加工产品开设有填充氧化物的腔体，所述待加工产品包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层以及第二电极层，所述第一电极层覆盖所述腔体且包括位于所述第一电极层周边的第一斜面部，所述压电层覆盖所述第一电极层，且由于所述第一斜面部，所述压电层在其表面形成第二斜面部，所述第二电极层覆盖部分所述压电层且包括位于所述第二电极层周边的第三斜面部，所述第二电极层沿竖直方向的正投影落在所述腔体内，其特征在于，所述平坦化方法包括：在所述第二电极层沉积第一钝化层，所述第一钝化层覆盖住所述第二电极层和所述压电层；对所述第一钝化层刻蚀以使所述第一钝化层在所述第二电极层周边的第三斜面部的外周形成衬垫，所述衬垫与所述第二电极层平齐，且由于所述第三斜面部，所述衬垫在其表面形成第四斜面部；在所述第二电极层沉积第二钝化层，所述第二钝化层覆盖住所述第二电极层、所述衬垫和所述压电层，所述第二钝化层具有第一平面部、设于所述第一平面部外围的第五斜面部、以及自所述第五斜面部延伸的第二平面部，所述第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖所述腔体，且所述第五斜面部沿竖直方向的正投影落在所述腔体外。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，由于所述第四斜面部的存在，所述第二钝化层形成了所述第五斜面部，且由于所述第二斜面部的存在，所述第二钝化层还形成了设于所述第二平面部外围的第六斜面部。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，在所述第二电极层沉积第二钝化层之后，进行以下工序：对所述第二钝化层全面刻蚀，直至所述第二钝化层的厚度减薄至所需厚度；释放所述腔体内的氧化物，得到成品。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，在所述第二电极层沉积第二钝化层之后，进行以下工序：释放所述腔体内的氧化物，得到成品。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述对所述第二钝化层全面刻蚀的实施方式为全面干刻蚀或全面湿刻蚀。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述第一钝化层与所述第二钝化层均采用氮化铝材料。
- 根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述待加工产品为滤波器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010328322.4A CN111554800B (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 平坦化方法 |
| CN202010328322.4 | 2020-04-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2021212546A1 true WO2021212546A1 (zh) | 2021-10-28 |
Family
ID=72005739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2020/088777 WO2021212546A1 (zh) | 2020-04-23 | 2020-05-06 | 平坦化方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11482664B2 (zh) |
| CN (1) | CN111554800B (zh) |
| WO (1) | WO2021212546A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111554799A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-18 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 平坦化方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119643A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-25 | Ube Industries, Ltd. | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| US20070247260A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device |
| JP2013016738A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Ricoh Co Ltd | 強誘電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式画像形成装置 |
| CN109474255A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-15 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN110912528A (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-24 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法 |
| CN111010137A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-14 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459501A (en) * | 1993-02-01 | 1995-10-17 | At&T Global Information Solutions Company | Solid-state ink-jet print head |
| DE69739289D1 (de) * | 1996-10-17 | 2009-04-16 | Avago Technologies Wireless Ip | Chtoberflächenwellenresonatoren |
| JP3432472B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2003-08-04 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| WO2001075985A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Fujitsu Limited | Actionneur piezoelectrique, son procede de fabrication et tete a jet d'encre dotee de cet actionneur |
| TW506128B (en) * | 2001-06-15 | 2002-10-11 | Asia Pacific Microsystems Inc | Manufacturing method of high-quality thin film type bulk acoustic wave device |
| DE10301261B4 (de) * | 2003-01-15 | 2018-03-22 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| JP3945486B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
| JP4617936B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 圧電共振素子の製造方法および圧電共振素子 |
| DE102006008721B4 (de) * | 2006-02-24 | 2009-12-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels für einen piezoelektrischen Resonator und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Resonators |
| DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
| US8514033B2 (en) * | 2007-10-18 | 2013-08-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | BAW structure with reduced topographic steps and related method |
| US8854156B2 (en) * | 2009-02-20 | 2014-10-07 | Ube Industries, Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator and thin-film piezoelectric filter using the same |
| US8692631B2 (en) * | 2009-10-12 | 2014-04-08 | Hao Zhang | Bulk acoustic wave resonator and method of fabricating same |
| US9197185B2 (en) * | 2010-04-29 | 2015-11-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Resonator device including electrodes with buried temperature compensating layers |
| CN102339743B (zh) * | 2010-07-15 | 2012-12-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种多晶硅平坦化方法 |
| KR101945723B1 (ko) * | 2011-10-25 | 2019-02-11 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법 |
| KR101973423B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
| CN105680813B (zh) * | 2016-02-25 | 2018-12-07 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| KR20170122539A (ko) * | 2016-04-27 | 2017-11-06 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 이의 제조 방법 |
| JP7036487B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2022-03-15 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 弾性波フィルタ装置及びその製造方法 |
| US10554191B2 (en) * | 2016-07-14 | 2020-02-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave filter device and method for manufacturing the same |
| US10284168B2 (en) * | 2016-10-27 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Bulk acoustic wave resonator |
| CN110166014B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-09-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法 |
| CN110061712B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-10-20 | 天津大学 | 包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN110868177B (zh) * | 2019-04-23 | 2023-08-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 谐振器和滤波器 |
| CN110868170B (zh) * | 2019-04-23 | 2024-02-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种声谐振器 |
| CN110868174B (zh) * | 2019-04-23 | 2023-08-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 声学谐振器和滤波器 |
-
2020
- 2020-04-23 CN CN202010328322.4A patent/CN111554800B/zh active Active
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088777 patent/WO2021212546A1/zh active Application Filing
- 2020-12-29 US US17/136,051 patent/US11482664B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119643A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-25 | Ube Industries, Ltd. | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| US20070247260A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device |
| JP2013016738A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Ricoh Co Ltd | 強誘電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式画像形成装置 |
| CN110912528A (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-24 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法 |
| CN109474255A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-15 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN111010137A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-14 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210336125A1 (en) | 2021-10-28 |
| US11482664B2 (en) | 2022-10-25 |
| CN111554800B (zh) | 2022-07-26 |
| CN111554800A (zh) | 2020-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6207534B1 (en) | Method to form narrow and wide shallow trench isolations with different trench depths to eliminate isolation oxide dishing | |
| WO2021212546A1 (zh) | 平坦化方法 | |
| EP0609551A1 (en) | Method of planarizing semiconductor | |
| WO2022142227A1 (zh) | 半导体结构及其制备方法 | |
| US6555442B1 (en) | Method of forming shallow trench isolation with rounded corner and divot-free by using disposable spacer | |
| TWI464781B (zh) | A semiconductor wafer and a laminated structure having the same | |
| CN103854967A (zh) | 平坦化处理方法 | |
| WO2021212547A1 (zh) | 平坦化方法 | |
| EP3526824B1 (en) | Method of forming ultra-smooth bottom electrode surface for depositing magnetic tunnel junctions | |
| CN111684252B (zh) | 具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件 | |
| JP2002134466A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN102623340A (zh) | 沟槽型双层栅mos器件的制备方法 | |
| US20200373411A1 (en) | Bottom isolation by selective top deposition in gaa transistors | |
| CN110491831B (zh) | 一种制作通孔的方法及制得的器件 | |
| JPH10326779A (ja) | 半導体基板の平坦化方法 | |
| TW202004920A (zh) | 具有金屬閘極的半導體裝置及其形成方法 | |
| CN109795980A (zh) | Mems器件的制造方法 | |
| US11069774B2 (en) | Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same | |
| JP2002026117A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004063514A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| JP2803297B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6121132A (en) | Method for reducing stress on collimator titanium nitride layer | |
| US20120115322A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| JP2001110769A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| US20040023501A1 (en) | Method of removing HDP oxide deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 20932384 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 20932384 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |