JP2004063514A - 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】集積度に影響することなく、フローティングゲート/コントロールゲートの層間膜の絶縁耐圧を向上できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板1の表面部に下地層であるSTI絶縁分離層2と第1の薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3とが互いに側方に形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲート4が形成され、このフローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部との上に第2の薄い絶縁膜であるONO膜5を介してコントロールゲート6が形成された不揮発性半導体記憶装置において、ONO膜5に臨むフローティングゲート4の上部コーナー部4aとコントロールゲート6の下部コーナー部6aとに丸みがつけられたことを特徴とする。両コーナー部に丸みをつけるようにしたことで、予め大きなリソグラフィー寸法を設定することなく、フローティングゲート/コントロールゲート間の電界集中を緩和することができ、その層間膜であるONO膜5の絶縁耐圧を向上させることができる。
【選択図】 図2
【解決手段】シリコン基板1の表面部に下地層であるSTI絶縁分離層2と第1の薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3とが互いに側方に形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲート4が形成され、このフローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部との上に第2の薄い絶縁膜であるONO膜5を介してコントロールゲート6が形成された不揮発性半導体記憶装置において、ONO膜5に臨むフローティングゲート4の上部コーナー部4aとコントロールゲート6の下部コーナー部6aとに丸みがつけられたことを特徴とする。両コーナー部に丸みをつけるようにしたことで、予め大きなリソグラフィー寸法を設定することなく、フローティングゲート/コントロールゲート間の電界集中を緩和することができ、その層間膜であるONO膜5の絶縁耐圧を向上させることができる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3は、フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。半導体基板1の所定領域にSTI(Shallow Trench Isolation)絶縁分離層2が形成され、前記所定領域間の半導体基板1上に薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3が形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたるようにフローティングゲート4が複数個形成されている。そして、フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部とを覆うように薄い層間絶縁膜であるONO膜5(酸化膜−窒化膜−酸化膜の積層膜)が形成され、このONO膜5の上にコントロールゲート6が形成されている。
【0003】
上記したフローティングゲート4を形成する際には従来、トンネル酸化膜3とSTI絶縁分離層2との上に多結晶シリコン膜を堆積させ、その上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記多結晶シリコン膜を異方性ドライエッチングしている。しかし通常のドライエッチング法では、フローティングゲート4のパターンの上部コーナー部が鋭角に形成されるため、この鋭角領域に、コントロールゲート6に印加された電界が集中することになり、ONO膜5を通じてリークが発生する要因となっていた。
【0004】
それを防止するために、例えば特開平1−241177号公報に記載された方法では、上記と同様にして異方性エッチングによってフローティングゲートのパターンを形成し、その後にCF4+O2ガスなどを用いる等方性ドライエッチングを行なって上部コーナー部に丸みをつけている。しかしこの方法では、上部コーナー部に丸みをつける際にパターン上面だけでなくパターン側面もかなりエッチングされるため、エッチング後に必要寸法を確保できるように、フローティングゲートのリソグラフィー寸法を大きく設定しておく必要がある。そのため、集積度を高めることは困難である。
【0005】
図4は、上記公報記載の方法とは別途の方法で製造された不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。この方法では、多結晶シリコン膜の極く表面層を等方性ドライエッチングで除去し、その後に多結晶シリコン膜の全体を異方性ドライエッチングすることによって、上部コーナー部に丸みを有するフローティングゲート4を形成している。この方法によれば、上部コーナー部の付近だけ側面エッチされるので、フローティングゲートのリソグラフィー寸法は上記公報記載の方法ほど大きくしなくてもよい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したようにしてフローティングゲート4の上部コーナー部に丸みをつけても、ONO膜5の絶縁耐圧が不充分なことがあった。それは、フローティングゲート4間に存在するコントロールゲート6の下部コーナー部が急峻であるため、この下部コーナー部に、コントロールゲート6に印加された電界が集中するからであり、それによりONO膜5を通じてリークが発生するのである。
【0007】
本発明は上記課題を解決するもので、集積度に影響することなく、フローティングゲート/コントロールゲートの層間膜の絶縁耐圧を向上できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板の表面部に下地層と第1の薄い絶縁膜とが互いに側方に形成され、前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートが形成され、前記フローティングゲートと前記下地層の残部との上に第2の薄い絶縁膜を介してコントロールゲートが形成された不揮発性半導体記憶装置において、前記第2の薄い絶縁膜に臨む前記フローティングゲートの上部コーナー部と前記コントロールゲートの下部コーナー部とに丸みがつけられたことを特徴とする。
【0009】
上記した不揮発性半導体記憶装置における下地層は例えば絶縁分離層である。また本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する際に、半導体基板の所定領域に下地層を形成するとともに、前記所定領域間の半導体基板上に第1の薄い絶縁膜を形成する工程と、前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程と、前記フローティングゲートをマスクとして前記下地層の表面部を等方性エッチングすることにより、前記下地層の表面部に底部周縁部が丸みをもった凹部を形成する工程と、前記フローティングゲートと前記下地層の表面部との上に第2の薄いゲート絶縁膜を形成し、この第2の薄い絶縁膜上に、前記下地層の凹部の底部周縁部に相応する丸みをもった下部コーナー部を有するコントロールゲートを形成する工程とを行なうことを特徴とする。
【0010】
上記した不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法において、フローティングゲートの上部コーナー部だけでなく、コントロールゲートの下部コーナー部にも丸みをつけるようにしたことで、フローティングゲート/コントロールゲート間の電界集中を緩和することができ、その層間膜である第2の薄い絶縁膜(たとえばONO積層膜)の絶縁耐圧を向上させることができる。
【0011】
フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程は、たとえば、前記フローティングゲートの上にこのフローティングゲートよりも幅が狭く内側に側面が位置するダミー膜を形成し、このダミー膜とフローティングゲートと下地層との上に第3の絶縁膜を堆積するとともに、堆積した第3の絶縁膜をエッチングすることによって、前記フローティングゲートの上部コーナー部のみ第3の絶縁膜から露出させて丸みをつけることを含む。
【0012】
フローティングゲートをマスクとして下地層の表面部を等方性エッチングする工程はウエットエッチング工程であることが好ましい。ウエットエッチングを用いることによって、フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける際の周囲部分の保護に用いた第3の絶縁膜の除去と、下地層の表面部のエッチングとを一工程で同時に行なうことができ、工程時間を短縮可能であるからである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態における不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。このメモリーセル部は、先に図3を用いて説明した従来のものとほぼ同様の構成を有している。すなわち、半導体基板としてのシリコン基板1の所定領域に下地層としてSTI絶縁分離層2が形成され、前記所定領域間のシリコン基板1上に第1の薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3が形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたるフローティングゲート4が複数個形成され、各フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部とを覆うように第2の薄い層間絶縁膜であるONO膜5が形成され、このONO膜5を介した各フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部との上にコントロールゲート6が形成されている。
【0014】
このメモリーセル部が従来のものと相違するのは、ONO膜5に臨むフローティングゲート4の上部コーナー部4aとコントロールゲート6の下部コーナー部6aとに丸みがつけられている点である。そしてそれにより、従来のものに比べてONO膜5に臨む急峻なコーナー形状がない分だけ、電界の集中を緩和することができ、ONO膜5の絶縁耐圧をより一層向上させることが可能となっている。
【0015】
図2は上記した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。図2(a)に示すように、シリコン基板1にSTI絶縁分離層2を埋め込むとともに、STI絶縁分離層2を除いたシリコン基板上1にトンネル酸化膜3を形成する。そして、STI絶縁分離層2およびトンネル酸化膜3の上に、フローティングゲート材料としての多結晶シリコン膜4′を200〜300nm程度堆積し、この多結晶シリコン膜4′の上にTEOS(Tetra−ethyl−olthosilicate)などのダミー酸化膜7′を50nm程度形成する。
【0016】
次に、図2(b)に示すように、フローティングゲートに相応するレジストパターン8を形成し、このレジストパターン8をマスクとしてダミー酸化膜7′を希弗化水素酸(HF)によってウェットエッチングすることにより、図2(c)に示すような、レジストパターン8およびフローティングゲート4よりも50〜60nm程度幅が狭く、内方に側面が位置するダミー酸化膜7をパターニングする。
【0017】
その後に、レジストパターン8をマスクとして多結晶シリコン膜4′を異方性ドライエッチングして、STI絶縁分離層2の表面まで除去することにより、図2(d)に示すようにトンネル酸化膜3とSTI絶縁分離層2の周縁部とにわたる複数のフローティングゲート4をパターニングする。そして、図2(e)に示すようにレジストパターン8を除去する。
【0018】
次に、高密度プラズマ化学気相堆積法(HDP−CVD)法を用いて第3の絶縁膜である保護酸化膜9を堆積しながら、アルゴン(Ar)スパッタによるエッチングを同時に行う。このように保護酸化膜9を堆積しながらスパッタエッチングを行うと、図2(f)に示すように、ダミー酸化膜7とフローティングゲート4とSTI絶縁分離層2との上面および側面を覆うように保護酸化膜9が堆積されながらも、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの付近はダミー酸化膜7との段差があるため保護酸化膜9の堆積量は小さくなる。またその一方で、アルゴンイオンの入射角はコーナー部4aとそうでない部分とで異なるため、フローティングゲート4の上部コーナー部4aに堆積された保護酸化膜9のスパッタエッチ効率が高くなる。その結果、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの保護酸化膜9が最も早くなくなり、それにより露出した上部コーナー部4aがエッチングされて丸みを帯びる。
【0019】
その後、図2(g)に示すように、保護酸化膜9およびダミー酸化膜7を希弗化水素酸によって全面ウエットエッチングする。このとき、故意にSTI絶縁分離層2が数10nm程度エッチングされるようにする。このことにより、ウエットエッチングによる等方性エッチングによって、STI絶縁分離層2の表面部に、底部周縁部が丸みを帯びた凹部2aが形成される。
【0020】
次いで、図2(h)に示すように、フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2とにわたるONO膜5を形成し、このONO膜5の上にコントロールゲート6となる多結晶シリコンを堆積させる。このようにすることにより、ONO膜5は、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの丸みおよびSTI絶縁分離層2の凹部2aの底部周縁部の丸みに沿って彎曲形状に形成され、このONO膜5に沿って形成されるコントロールゲート6は、STI絶縁分離層2の凹部2aの底部周縁部の丸みに相応する丸みを下部コーナー部6aに持つことになる。
【0021】
なお、上記した実施の形態では素子分離をおこなう下地層をSTI絶縁分離層2としたが、これに代えてLOCOS(Local Oxidation of Silicon)絶縁分離層を設ける場合も、上記と同様にしてコーナー部6aに丸みをつけることができ、それにより電界集中を緩和できる。LOCOS絶縁分離層はその酸化膜がシリコン基板1から上方に突出していて、STI絶縁分離層2よりも段差が大きくなる構造であるため、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの形状がSTI絶縁分離層2の場合よりも鋭角になる。したがって、コーナー部に丸みをつけることで得られる効果はより大きい。
【0022】
また上記した実施の形態では、高密度プラズマ化学気相堆積法(HDP−CVD法)を用いて保護酸化膜9を形成したが、シリコン基板1にバイアスを印加しない通常のCVD法によって保護酸化膜9を形成してもよい。ただし、通常のCVD法ではエッチングが伴われないので、保護酸化膜9の形成後にフローティングゲート4のコーナー部4aのみ削るためのエッチング工程を追加する必要がある。
【0023】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、フローティングゲートの上部コーナー部およびコントロールゲートの下部コーナー部に丸みをつけるようにしたので、コントロールゲートに電圧を印加した際のコーナー部への電界集中の発生を抑制することができ、フローティングゲート/コントロールゲート層間膜としてのONO積層膜などの絶縁耐圧を従来よりも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部を示す断面図
【図2】図1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図
【図3】従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリセル部を示す断面図
【図4】従来の別の不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部を示す断面図
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 STI絶縁分離層(下地層)
2a 凹部
3 トンネル酸化膜(第1の薄い絶縁膜)
4 フローティングゲート
4a 上部コーナー部
5 ONO膜(第2の薄い絶縁膜)
6 コントロールゲート
6a 下部コーナー部
7 ダミー酸化膜
9 保護酸化膜
【発明の属する技術分野】
本発明はフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3は、フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。半導体基板1の所定領域にSTI(Shallow Trench Isolation)絶縁分離層2が形成され、前記所定領域間の半導体基板1上に薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3が形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたるようにフローティングゲート4が複数個形成されている。そして、フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部とを覆うように薄い層間絶縁膜であるONO膜5(酸化膜−窒化膜−酸化膜の積層膜)が形成され、このONO膜5の上にコントロールゲート6が形成されている。
【0003】
上記したフローティングゲート4を形成する際には従来、トンネル酸化膜3とSTI絶縁分離層2との上に多結晶シリコン膜を堆積させ、その上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記多結晶シリコン膜を異方性ドライエッチングしている。しかし通常のドライエッチング法では、フローティングゲート4のパターンの上部コーナー部が鋭角に形成されるため、この鋭角領域に、コントロールゲート6に印加された電界が集中することになり、ONO膜5を通じてリークが発生する要因となっていた。
【0004】
それを防止するために、例えば特開平1−241177号公報に記載された方法では、上記と同様にして異方性エッチングによってフローティングゲートのパターンを形成し、その後にCF4+O2ガスなどを用いる等方性ドライエッチングを行なって上部コーナー部に丸みをつけている。しかしこの方法では、上部コーナー部に丸みをつける際にパターン上面だけでなくパターン側面もかなりエッチングされるため、エッチング後に必要寸法を確保できるように、フローティングゲートのリソグラフィー寸法を大きく設定しておく必要がある。そのため、集積度を高めることは困難である。
【0005】
図4は、上記公報記載の方法とは別途の方法で製造された不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。この方法では、多結晶シリコン膜の極く表面層を等方性ドライエッチングで除去し、その後に多結晶シリコン膜の全体を異方性ドライエッチングすることによって、上部コーナー部に丸みを有するフローティングゲート4を形成している。この方法によれば、上部コーナー部の付近だけ側面エッチされるので、フローティングゲートのリソグラフィー寸法は上記公報記載の方法ほど大きくしなくてもよい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したようにしてフローティングゲート4の上部コーナー部に丸みをつけても、ONO膜5の絶縁耐圧が不充分なことがあった。それは、フローティングゲート4間に存在するコントロールゲート6の下部コーナー部が急峻であるため、この下部コーナー部に、コントロールゲート6に印加された電界が集中するからであり、それによりONO膜5を通じてリークが発生するのである。
【0007】
本発明は上記課題を解決するもので、集積度に影響することなく、フローティングゲート/コントロールゲートの層間膜の絶縁耐圧を向上できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板の表面部に下地層と第1の薄い絶縁膜とが互いに側方に形成され、前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートが形成され、前記フローティングゲートと前記下地層の残部との上に第2の薄い絶縁膜を介してコントロールゲートが形成された不揮発性半導体記憶装置において、前記第2の薄い絶縁膜に臨む前記フローティングゲートの上部コーナー部と前記コントロールゲートの下部コーナー部とに丸みがつけられたことを特徴とする。
【0009】
上記した不揮発性半導体記憶装置における下地層は例えば絶縁分離層である。また本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する際に、半導体基板の所定領域に下地層を形成するとともに、前記所定領域間の半導体基板上に第1の薄い絶縁膜を形成する工程と、前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程と、前記フローティングゲートをマスクとして前記下地層の表面部を等方性エッチングすることにより、前記下地層の表面部に底部周縁部が丸みをもった凹部を形成する工程と、前記フローティングゲートと前記下地層の表面部との上に第2の薄いゲート絶縁膜を形成し、この第2の薄い絶縁膜上に、前記下地層の凹部の底部周縁部に相応する丸みをもった下部コーナー部を有するコントロールゲートを形成する工程とを行なうことを特徴とする。
【0010】
上記した不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法において、フローティングゲートの上部コーナー部だけでなく、コントロールゲートの下部コーナー部にも丸みをつけるようにしたことで、フローティングゲート/コントロールゲート間の電界集中を緩和することができ、その層間膜である第2の薄い絶縁膜(たとえばONO積層膜)の絶縁耐圧を向上させることができる。
【0011】
フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程は、たとえば、前記フローティングゲートの上にこのフローティングゲートよりも幅が狭く内側に側面が位置するダミー膜を形成し、このダミー膜とフローティングゲートと下地層との上に第3の絶縁膜を堆積するとともに、堆積した第3の絶縁膜をエッチングすることによって、前記フローティングゲートの上部コーナー部のみ第3の絶縁膜から露出させて丸みをつけることを含む。
【0012】
フローティングゲートをマスクとして下地層の表面部を等方性エッチングする工程はウエットエッチング工程であることが好ましい。ウエットエッチングを用いることによって、フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける際の周囲部分の保護に用いた第3の絶縁膜の除去と、下地層の表面部のエッチングとを一工程で同時に行なうことができ、工程時間を短縮可能であるからである。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態における不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部の断面図である。このメモリーセル部は、先に図3を用いて説明した従来のものとほぼ同様の構成を有している。すなわち、半導体基板としてのシリコン基板1の所定領域に下地層としてSTI絶縁分離層2が形成され、前記所定領域間のシリコン基板1上に第1の薄い絶縁膜であるトンネル酸化膜3が形成され、トンネル酸化膜3上とSTI絶縁分離層2の周縁部上とにわたるフローティングゲート4が複数個形成され、各フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部とを覆うように第2の薄い層間絶縁膜であるONO膜5が形成され、このONO膜5を介した各フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2の残部との上にコントロールゲート6が形成されている。
【0014】
このメモリーセル部が従来のものと相違するのは、ONO膜5に臨むフローティングゲート4の上部コーナー部4aとコントロールゲート6の下部コーナー部6aとに丸みがつけられている点である。そしてそれにより、従来のものに比べてONO膜5に臨む急峻なコーナー形状がない分だけ、電界の集中を緩和することができ、ONO膜5の絶縁耐圧をより一層向上させることが可能となっている。
【0015】
図2は上記した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図である。図2(a)に示すように、シリコン基板1にSTI絶縁分離層2を埋め込むとともに、STI絶縁分離層2を除いたシリコン基板上1にトンネル酸化膜3を形成する。そして、STI絶縁分離層2およびトンネル酸化膜3の上に、フローティングゲート材料としての多結晶シリコン膜4′を200〜300nm程度堆積し、この多結晶シリコン膜4′の上にTEOS(Tetra−ethyl−olthosilicate)などのダミー酸化膜7′を50nm程度形成する。
【0016】
次に、図2(b)に示すように、フローティングゲートに相応するレジストパターン8を形成し、このレジストパターン8をマスクとしてダミー酸化膜7′を希弗化水素酸(HF)によってウェットエッチングすることにより、図2(c)に示すような、レジストパターン8およびフローティングゲート4よりも50〜60nm程度幅が狭く、内方に側面が位置するダミー酸化膜7をパターニングする。
【0017】
その後に、レジストパターン8をマスクとして多結晶シリコン膜4′を異方性ドライエッチングして、STI絶縁分離層2の表面まで除去することにより、図2(d)に示すようにトンネル酸化膜3とSTI絶縁分離層2の周縁部とにわたる複数のフローティングゲート4をパターニングする。そして、図2(e)に示すようにレジストパターン8を除去する。
【0018】
次に、高密度プラズマ化学気相堆積法(HDP−CVD)法を用いて第3の絶縁膜である保護酸化膜9を堆積しながら、アルゴン(Ar)スパッタによるエッチングを同時に行う。このように保護酸化膜9を堆積しながらスパッタエッチングを行うと、図2(f)に示すように、ダミー酸化膜7とフローティングゲート4とSTI絶縁分離層2との上面および側面を覆うように保護酸化膜9が堆積されながらも、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの付近はダミー酸化膜7との段差があるため保護酸化膜9の堆積量は小さくなる。またその一方で、アルゴンイオンの入射角はコーナー部4aとそうでない部分とで異なるため、フローティングゲート4の上部コーナー部4aに堆積された保護酸化膜9のスパッタエッチ効率が高くなる。その結果、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの保護酸化膜9が最も早くなくなり、それにより露出した上部コーナー部4aがエッチングされて丸みを帯びる。
【0019】
その後、図2(g)に示すように、保護酸化膜9およびダミー酸化膜7を希弗化水素酸によって全面ウエットエッチングする。このとき、故意にSTI絶縁分離層2が数10nm程度エッチングされるようにする。このことにより、ウエットエッチングによる等方性エッチングによって、STI絶縁分離層2の表面部に、底部周縁部が丸みを帯びた凹部2aが形成される。
【0020】
次いで、図2(h)に示すように、フローティングゲート4とSTI絶縁分離層2とにわたるONO膜5を形成し、このONO膜5の上にコントロールゲート6となる多結晶シリコンを堆積させる。このようにすることにより、ONO膜5は、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの丸みおよびSTI絶縁分離層2の凹部2aの底部周縁部の丸みに沿って彎曲形状に形成され、このONO膜5に沿って形成されるコントロールゲート6は、STI絶縁分離層2の凹部2aの底部周縁部の丸みに相応する丸みを下部コーナー部6aに持つことになる。
【0021】
なお、上記した実施の形態では素子分離をおこなう下地層をSTI絶縁分離層2としたが、これに代えてLOCOS(Local Oxidation of Silicon)絶縁分離層を設ける場合も、上記と同様にしてコーナー部6aに丸みをつけることができ、それにより電界集中を緩和できる。LOCOS絶縁分離層はその酸化膜がシリコン基板1から上方に突出していて、STI絶縁分離層2よりも段差が大きくなる構造であるため、フローティングゲート4の上部コーナー部4aの形状がSTI絶縁分離層2の場合よりも鋭角になる。したがって、コーナー部に丸みをつけることで得られる効果はより大きい。
【0022】
また上記した実施の形態では、高密度プラズマ化学気相堆積法(HDP−CVD法)を用いて保護酸化膜9を形成したが、シリコン基板1にバイアスを印加しない通常のCVD法によって保護酸化膜9を形成してもよい。ただし、通常のCVD法ではエッチングが伴われないので、保護酸化膜9の形成後にフローティングゲート4のコーナー部4aのみ削るためのエッチング工程を追加する必要がある。
【0023】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、フローティングゲートの上部コーナー部およびコントロールゲートの下部コーナー部に丸みをつけるようにしたので、コントロールゲートに電圧を印加した際のコーナー部への電界集中の発生を抑制することができ、フローティングゲート/コントロールゲート層間膜としてのONO積層膜などの絶縁耐圧を従来よりも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部を示す断面図
【図2】図1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す工程断面図
【図3】従来の不揮発性半導体記憶装置のメモリセル部を示す断面図
【図4】従来の別の不揮発性半導体記憶装置のメモリーセル部を示す断面図
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 STI絶縁分離層(下地層)
2a 凹部
3 トンネル酸化膜(第1の薄い絶縁膜)
4 フローティングゲート
4a 上部コーナー部
5 ONO膜(第2の薄い絶縁膜)
6 コントロールゲート
6a 下部コーナー部
7 ダミー酸化膜
9 保護酸化膜
Claims (5)
- 半導体基板の表面部に下地層と第1の薄い絶縁膜とが互いに側方に形成され、前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートが形成され、前記フローティングゲートと前記下地層の残部との上に第2の薄い絶縁膜を介してコントロールゲートが形成された不揮発性半導体記憶装置において、
前記第2の薄い絶縁膜に臨む前記フローティングゲートの上部コーナー部と前記コントロールゲートの下部コーナー部とに丸みがつけられた不揮発性半導体記憶装置。 - 下地層が絶縁分離層であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- フローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する際に、
半導体基板の所定領域に下地層を形成するとともに、前記所定領域間の半導体基板上に第1の薄い絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の薄い絶縁膜上と前記下地層の周縁部上とにわたる複数のフローティングゲートを形成する工程と、
前記フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程と、
前記フローティングゲートをマスクとして前記下地層の表面部を等方性エッチングすることにより、前記下地層の表面部に底部周縁部が丸みをもった凹部を形成する工程と、
前記フローティングゲートと前記下地層の表面部との上に第2の薄いゲート絶縁膜を形成し、この第2の薄い絶縁膜上に、前記下地層の凹部の底部周縁部に相応する丸みをもった下部コーナー部を有するコントロールゲートを形成する工程と
を行なうことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - フローティングゲートの上部コーナー部に丸みをつける工程は、前記フローティングゲートの上にこのフローティングゲートよりも幅が狭く内側に側面が位置するダミー膜を形成し、このダミー膜とフローティングゲートと下地層との上に第3の絶縁膜を堆積するとともに、堆積した第3の絶縁膜をエッチングすることによって、前記フローティングゲートの上部コーナー部のみ第3の絶縁膜から露出させて丸みをつけることを含む請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- フローティングゲートをマスクとして下地層の表面部を等方性エッチングする工程がウエットエッチング工程であることを特徴とする請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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Cited By (4)
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CN107546227A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-01-05 | 上海华力微电子有限公司 | 一种通过提高ono电容改善闪存单元耦合率的方法 |
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CN108133938A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-08 | 上海华力微电子有限公司 | Nor闪存及其制作方法 |
-
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- 2002-07-25 JP JP2002215920A patent/JP2004063514A/ja active Pending
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