WO2020203327A1 - 熱可塑性樹脂フィルム - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a base film for an adhesive tape coated with an adhesive layer used in a semiconductor manufacturing process, and relates to a base film for an adhesive tape that can be used in a plurality of steps including a reflow step.
  • Polyetheretherketone resin which is a crystalline thermoplastic resin, has excellent heat resistance, rigidity, etc., and therefore can be used for electronic components such as printed wiring board substrates, carrier tapes for electronic components, and semi-conductive belts for image forming devices. It's being used.
  • a heat-resistant film made of a resin composition containing a polyether ether ketone and a polyether sulfone as a resin component for a semi-conductive belt of an image forming apparatus, in addition to heat resistance, excellent bending resistance is obtained. It has been proposed that a semi-conductive belt having fatigue resistance can be obtained (Patent Document 1).
  • a back grind process is performed to reduce the thickness of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is protected from the grind with a tape for the semiconductor manufacturing process.
  • an expanding step of spreading a tape for a semiconductor manufacturing process is usually performed before picking up in order to widen the distance between the semiconductor chips.
  • the adhesive layer applied to the tape for the semiconductor manufacturing process is cured by ultraviolet rays to reduce the adhesiveness of the adhesive layer.
  • the tape for the semiconductor manufacturing process which has been conventionally used in the semiconductor manufacturing process, uses a polyolefin / polyester resin having excellent elongation characteristics at the time of tension, ultraviolet transmission, scratch resistance, etc. as a base film. There were many things.
  • an object of the present invention is to provide a base film for an adhesive tape used in a semiconductor manufacturing process that can be used in a plurality of processes including a reflow process.
  • the gist of the structure of the present invention is as follows.
  • a resin composite of a first resin component which is a crystalline thermoplastic resin having a melting point of 290 ° C. or higher and a second resin component having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher, and the first resin.
  • a thermoplastic resin film in which the crystallinity of the components is more than 5.0% of the entire resin composite.
  • the first resin component contains at least one resin selected from the group consisting of polyetheretherketone, polyetherketone, polyetherketoneketone, polyetheretherketoneketone, and aliphatic polyketone [1]. ]
  • the thermoplastic resin film according to.
  • the resin composite comprises a matrix portion containing the first resin component and a domain portion containing the second resin component dispersed in the matrix portion [1] to [4]. ] The thermoplastic resin film according to any one of.
  • thermoplastic resin film according to [5] wherein the average diameter of the domain portion on the cut surface in the direction orthogonal to the flow direction of the thermoplastic resin film is 10 ⁇ m or less.
  • thermoplastic resin film of the present invention a resin of a first resin component which is a crystalline thermoplastic resin having a melting point of 290 ° C. or higher and a second resin component having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher. Since it is a composite and the crystallinity of the crystalline thermoplastic resin is more than 5.0% of the entire resin composite, it has heat resistance, elongation characteristics at the time of pulling, ultraviolet transmission, scratch resistance, and so on. Has excellent deformation resistance during heating. Therefore, it can be used as a base film for an adhesive tape used in a semiconductor manufacturing process that can be used in a plurality of processes including a reflow process.
  • the first resin component is selected from the group consisting of polyetheretherketone, polyetherketone, polyetherketoneketone, polyetheretherketoneketone and polyketonepolyketone.
  • thermoplastic resin film of the present invention the elongation property at the time of pulling is surely improved by containing the aromatic polyester resin or the amorphous thermoplastic resin having an ether bond as the second resin component. ..
  • the resin composite comprises a matrix portion containing a first resin component and a domain portion containing a second resin component dispersed and contained in the matrix portion. Elongation characteristics during tension, ultraviolet transmission, scratch resistance, and deformation resistance during heating are further improved.
  • the elongation characteristic at the time of tension is exhibited by the fact that the average diameter of the domain portion on the cut surface in the direction orthogonal to the flow direction of the thermoplastic resin film is 10 ⁇ m or less. Deformation resistance during heating is further reliably improved.
  • the thermoplastic resin film of the present invention is a resin composite of a first resin component which is a crystalline thermoplastic resin having a melting point of 290 ° C. or higher and a second resin component having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher. .. Therefore, the thermoplastic resin film of the present invention is a resin composite in which the first resin component and the second resin component are used in combination to form an alloy. In addition, the crystallinity of the first resin component is more than 5.0% of the entire alloyed resin composite.
  • the first resin component mainly imparts heat resistance to the thermoplastic resin film of the present invention.
  • the resin type of the first resin component is not particularly limited as long as it is a crystalline thermoplastic resin having a melting point of 290 ° C. or higher, and for example, polyetherketone, polyetheretherketone (PEEK), or polyetherketoneketone. , Polyetheretherketone Ketone and other polyarylene etherketone (PAEK) resins, aliphatic polyketone resins and the like can be mentioned. These resins may be used alone or in combination of two or more.
  • a polyarylene etherketone (PAEK) resin is preferable, and a polyetheretherketone (PEEK) resin is particularly preferable, because it is excellent not only in heat resistance but also in elongation characteristics during tension as a tape for a semiconductor manufacturing process.
  • the melting point of the first resin component is not particularly limited as long as it is 290 ° C. or higher, but the lower limit is preferably 300 ° C., particularly preferably 320 ° C., from the viewpoint that it can be reliably and continuously used in the reflow process of about 260 ° C.
  • the upper limit value of the melting point of the first resin component for example, 340 ° C. can be mentioned.
  • the crystallinity of the first resin component is not particularly limited as long as it exceeds 5.0% of the entire resin composite, but the lower limit thereof is that the heat resistance of the thermoplastic resin film is surely improved and the heat load is increased. 7% is preferable, and 9% is particularly preferable, from the viewpoint that deformation resistance can be surely obtained even if the film is subjected to.
  • the upper limit of the crystallinity of the first resin component is 30% of the entire resin composite from the viewpoint of surely preventing embrittlement of the thermoplastic resin film and ensuring better ultraviolet transparency. Is preferable, and 25% is particularly preferable.
  • the crystallinity of the first resin component can be calculated from the area ratio of the amorphous halo obtained by wide-angle X-ray diffraction and the diffraction peak due to the crystal.
  • the second resin component mainly imparts ultraviolet transmittance and deformation resistance during heating to the thermoplastic resin film of the present invention.
  • the second resin component may be a crystalline thermoplastic resin or an amorphous thermoplastic resin.
  • the resin type is not particularly limited as long as it is a resin having a glass transition temperature (Tg) of 150 ° C. or higher, and for example, polyetherimide, polyamideimide, polyethersulfon, polysulfone, polyarylate. , Polyphenylene ether, aromatic polyester and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • amorphous thermoplastic resins having ether bonds, polyarylates, and aromatic polyesters are preferable as tapes for semiconductor manufacturing processes from the viewpoint of improving ultraviolet transparency and deformation resistance during heating in a well-balanced manner.
  • polyether sulfone is particularly preferable as the amorphous thermoplastic resin having an ether bond.
  • the glass transition temperature of the second resin component is not particularly limited as long as it is 150 ° C. or higher, but the lower limit thereof prevents the second resin component from softening when the first resin component crystallizes. Therefore, 170 ° C. is preferable, and 180 ° C. is particularly preferable, from the viewpoint of further improving the elongation characteristics during tension and the deformation resistance during heating. On the other hand, as an upper limit value of the glass transition temperature of the second resin component, for example, 260 ° C. can be mentioned.
  • the blending ratio of the first resin component and the second resin component is not particularly limited, but has a good balance between heat resistance, elongation characteristics during tension, ultraviolet transmission, scratch resistance, and deformation resistance during heating. From the viewpoint of improvement, it is preferable that the second resin component is contained in an amount of 20 parts by mass or more and 160 parts by mass or less, and more preferably 30 parts by mass or more and 120 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the first resin component. It is preferably contained in an amount of 40 parts by mass or more and 100 parts by mass or less.
  • the alloyed resin composite has a structure composed of a matrix portion containing a first resin component and a domain portion containing a second resin component dispersed and contained in the matrix portion. Things can be mentioned. That is, examples of the resin composite include those having a sea-island structure composed of a sea phase of the first resin component and a plurality of island phases of the second resin component.
  • the alloyed resin composite of the present invention has a phase-separated structure in which the matrix portion and the domain portion are highly separable. A large number of independent island phases of the second resin component are dispersed in the sea phase of the first resin component, so that the tape for the semiconductor manufacturing process has a particularly good balance between ultraviolet transmission and deformation resistance during heating. In addition to being well improved, it also provides stretch properties and scratch resistance when pulled.
  • a structure consisting of a matrix portion containing the first resin component as a main component and a domain portion containing a second resin component dispersed in the matrix portion as a main component is preferable, and the first resin A structure composed of a matrix portion composed of components and a domain portion composed of a second resin component dispersed and contained in the matrix portion is particularly preferable.
  • the average diameter of the domain portion on the cut surface orthogonal to the flow direction of the thermoplastic resin film is not particularly limited, but due to the excellent dispersibility of the domain portion, the tape for the semiconductor manufacturing process has elongation characteristics at the time of tension and ultraviolet transmission. 10 ⁇ m or less is preferable, and 5.0 ⁇ m or less is particularly preferable, from the viewpoint of improving the property, scratch resistance, and deformation resistance at the time of heating in a particularly well-balanced manner. Further, the lower limit of the average diameter of the domain portion is preferably lower, and for example, 0.5 ⁇ m can be mentioned.
  • the sea-island structure composed of the sea phase of the first resin component and the island phase of the second resin component can be confirmed by observing with a scanning electron microscope (SEM) or the like, and the average diameter of the domain portion is ASTMD3576-. Determined according to 77.
  • SEM scanning electron microscope
  • the thickness of the thermoplastic resin film is not particularly limited, but the lower limit is set from the viewpoint of more reliably protecting the semiconductor wafer through processes other than the reflow process, the back grind process, the dicing process, the pickup process, and the like. 10 ⁇ m is preferable, and 25 ⁇ m is particularly preferable.
  • the upper limit of the thickness of the thermoplastic resin film is preferably 200 ⁇ m, particularly preferably 100 ⁇ m, from the viewpoint of facilitating the expanding process and reliably picking up the semiconductor chip.
  • the method for producing the thermoplastic resin film is not particularly limited, and a known film forming method can be used.
  • a known film forming method can be used.
  • it can be produced by a method in which a first resin component and a second resin component are mixed at a predetermined ratio and then extruded by an extruder. Further, after forming into a film, an annealing treatment may be performed.
  • thermoplastic resin film of the present invention has an excellent tensile elastic modulus at 260 ° C. as a tape for a semiconductor manufacturing process.
  • the tensile elastic modulus of the resin composite at 260 ° C. suppresses the occurrence of elongation of the thermoplastic resin film in the reflow process and reliably maintains the position accuracy of the work.
  • the higher the value, the more preferable, for example, the lower limit value thereof is preferably 1.0 ⁇ 10 4 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 6 Pa, and particularly preferably 1.0 ⁇ 10 7 Pa.
  • the upper limit of the tensile modulus of the resin complex at 260 ° C. is 2.0 ⁇ 10 9 Pa.
  • the tensile elastic modulus is a tensile elastic modulus measured according to JIS K7127.
  • thermoplastic resin film of the present invention described above has excellent ultraviolet transmittance as a tape for a semiconductor manufacturing process.
  • the transmittance of ultraviolet rays having a wavelength of 375 nm is preferably more than 0.50%, preferably 1.0% or more, from the viewpoint of facilitating the pickup of semiconductor chips. Is more preferable, and 2.0% or more is particularly preferable.
  • the maximum in-plane dimensional change rate at 260 ° C. is excellent as a tape for a semiconductor manufacturing process. That is, the thermoplastic resin film of the present invention has excellent deformation resistance at 260 ° C.
  • the maximum in-plane dimensional change rate at 260 ° C. is 2.0% from the viewpoint of surely preventing the work from falling off from the tape for the semiconductor manufacturing process during the reflow process. It is preferably less than or equal to, and particularly preferably 1.0% or less.
  • the dimensional change rate in the flow direction and the dimensional change rate in the direction orthogonal to the flow direction of the thermoplastic resin film are both reduced to 2.0% or less. It is preferably 1.0% or less, and particularly preferably 1.0% or less.
  • the tensile elongation at break is excellent as a tape for a semiconductor manufacturing process.
  • the lower limit of tensile elongation at break is preferably 50%, more preferably 75%, and particularly preferably 100% from the viewpoint of facilitating expansion when the semiconductor chip is picked up.
  • the tensile elongation at break is the tensile elongation at break measured according to JIS K6251.
  • the range of the elastic deformation region is excellent as a tape for a semiconductor manufacturing process.
  • the thermoplastic resin film of the present invention 4.0% or more is preferable, and 5.0% or more is particularly preferable, from the viewpoint of facilitating expansion at the time of picking up the semiconductor chip.
  • the range of the elastic deformation region was defined as the region up to the yield point.
  • thermoplastic resin film of the present invention is excellent as a tape for a semiconductor manufacturing process because it can be used in a dicing process in that it has scratch resistance.
  • thermoplastic resin film is extruded using 60% by mass of polyetheretherketone (PEEK, melting point 334 ° C.) as the first resin component and 40% by mass of polyarylate (glass transition temperature 195 ° C.) as the second resin component.
  • PEEK polyetheretherketone
  • polyarylate glass transition temperature 195 ° C.
  • the obtained thermoplastic resin film was crystallized in a float type film annealing furnace.
  • the structure of the thermoplastic resin film after the crystallization treatment was observed by SEM to confirm that it had a sea-island structure, and the average diameter of the dispersed phase was 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the crystallization treatment conditions in the float type film annealing furnace were as follows. Heating temperature: 220 ° C In-core tension: 1N (300mm width film) Linear speed: The speed at which the crystallization peak cannot be confirmed by differential scanning calorimetry (DSC).
  • Example 2 A thermoplastic resin film was produced in the same manner as in Example 1 except that a polyether sulphon (glass transition temperature of more than 200 ° C.) was used as the second resin component. It was confirmed that the obtained thermoplastic resin film had a sea-island structure, and the average diameter of the dispersed phase was 1.0 to 10 ⁇ m.
  • a polyether sulphon glass transition temperature of more than 200 ° C.
  • Example 3 Thermoplastic resin in the same manner as in Example 1 except that the first resin component was 40% by mass of polyetheretherketone (PEEK) and the second resin component was 60% by mass of polyarylate (glass transition temperature 195 ° C.). A film was made. It was confirmed that the obtained thermoplastic resin film had a sea-island structure, and the average diameter of the dispersed phase was 1.0 to 10 ⁇ m.
  • PEEK polyetheretherketone
  • polyarylate glass transition temperature 195 ° C.
  • Comparative Example 1 a resin film was produced in the same manner as in Example 1 using only the polyimide resin (PI).
  • PI polyimide resin
  • Comparative Example 2 a resin film was produced in the same manner as in Example 1 using only the polyolefin resin (PO).
  • Comparative Example 3 a resin film was produced in the same manner as in Example 1 using only polyethylene terephthalate (PET).
  • Comparative Example 4 a resin film was prepared in the same manner as in Example 1 using only polyethylene naphthalate (PEN).
  • Sepla crystallization grade (50 ⁇ m) which is a commercially available crystallization film made of polyetheretherketone, was used.
  • Comparative Example 6 10 parts by mass of talc was added to 90 parts by mass of polyethylene naphthalate (PEN) to prepare a resin film in the same manner as in Example 1.
  • Comparative Example 7 40 parts by mass of polycarbonate (PC) was added to 60 parts by mass of polyetheretherketone (PEEK) to prepare a resin film in the same manner as in Example 1.
  • the crystallization treatment was carried out in the same manner as in Example 1.
  • Comparative Example 8 a resin film was prepared in the same manner as in Example 1 using only polyetheretherketone (PEEK).
  • the evaluation items and evaluation methods are as follows.
  • Crystallinity (%) of the first resin component in the thermoplastic resin film Each resin film was determined by wide-angle X-ray diffraction. A diffraction pattern of 15 to 27 degrees was set as the analysis range with a two-dimensional measuring instrument, and the crystallinity was determined from the ratio of the diffraction peaks due to the amorphous part halo and the crystal.
  • the molded product was measured with a spectrophotometer (U-4100 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation)) under the condition of a spectroscopic slit (4 nm) at a light wavelength of 375 nm.
  • Examples 1 to 3 it was found that the 375 nm ultraviolet ray transmittance is 3.0% to 6.0%, which is excellent in the ultraviolet ray transmittance, so that it can be suitably used in the pick-up process of the semiconductor chip. Further, in Examples 1 and 2, since the elastic deformation region could be maintained at 5% and the tensile elongation at break could be maintained at 150%, it was found that the tape could be sufficiently expanded in the semiconductor manufacturing process at the time of picking up the semiconductor chip. However, in Example 3, since the elastic deformation region could be maintained at 5%, it was found that the expansion step can be supported. Further, it was found that in Examples 1 to 3, since the scratch resistance is excellent, it can be suitably used in the step of dicing a semiconductor wafer.
  • Comparative Example 1 in which only the polyimide resin was used, it was found that the 375 nm ultraviolet transmittance and scratch resistance were not obtained, the elastic deformation region and the tensile elongation at break were not improved, and the product could not be used in steps other than the reflow step. did. Further, in Comparative Example 2 in which only the polyolefin resin was used, it was found that the dimensional change rate at 260 ° C. was large and the tensile elastic modulus at 260 ° C. was low, so that it could not be used in the reflow step.
  • Comparative Example 3 in which only polyethylene terephthalate was used, scratch resistance could not be obtained and the dicing step could not be used.
  • Comparative Example 4 in which only polyethylene naphthalate was used, the film shrinks because it is too close to the melting point in an environment of 260 ° C., the dimensional change rate at 260 ° C. cannot be measured, and the film softens excessively. It was found that the tensile elastic modulus at 260 ° C. could not be measured and could not be used in the reflow process. Further, in Comparative Example 4, it was found that scratch resistance could not be obtained and the dicing step could not be used. Further, in Comparative Example 5, deformation resistance and 375 nm ultraviolet transmittance at 260 ° C. in the MD direction could not be obtained.

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Abstract

本発明は、リフロー工程を含む複数の工程に使用できる半導体製造工程に用いる粘着テープ用の基材フィルムを提供する。　２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体であり、前記第１の樹脂成分の結晶化度が、前記樹脂複合体全体の５．０％超である熱可塑性樹脂フィルム。

Description

熱可塑性樹脂フィルム
　本発明は、半導体の製造工程に用いる、粘着層が塗布されている粘着テープ用の基材フィルムであり、リフロー工程を含む複数の工程に使用できる粘着テープ用の基材フィルムに関するものである。
　結晶性熱可塑性樹脂であるポリエーテルエーテルケトン樹脂は、耐熱性、剛性等に優れているので、プリント配線板の基板、電子部品のキャリヤテープ、画像形成装置の半導電性ベルト等の電子部品に利用されている。例えば、樹脂成分としてポリエーテルエーテルケトンとポリエーテルサルフォンとを含有する樹脂組成物からなる耐熱性フィルムを画像形成装置の半導電性ベルトに用いることで、耐熱性に加えて、優れた耐屈曲疲労性を有する半導電性ベルトとすることができることが提案されている（特許文献１）。
　一方、半導体ウエハをダイシングする前には、半導体ウエハの薄型化のためにバックグラインド工程が行われ、半導体製造工程用テープにて半導体ウエハをグラインドから保護している。また、半導体ウエハをダイシングして得た半導体チップをピックアップする際には、通常、ピックアップ前に、半導体チップの間隔を広げるために、半導体製造工程用テープを広げるエキスパンド工程を行う。また、半導体チップをピックアップする際には、半導体製造工程用テープに塗布された粘着層を紫外線で硬化させて粘着層の粘着性を低下させる。これらの工程から、従来、半導体製造工程で使用されてきた半導体製造工程用テープは、引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性等に優れたポリオレフィン／ポリエステル系樹脂を基材フィルムとするものが多かった。
　一方で、近年、半導体デバイスはマルチチップ化が進んでおり、その製造工程内に、２６０℃程度の熱でワークを加熱処理するリフロー工程が導入されることがある。しかし、上記したポリオレフィン／ポリエステル系樹脂は、リフロー工程に耐える耐熱性を有していない。このため、リフロー工程に対応するために、耐熱性を有するポリイミドを基材フィルムとした半導体製造工程用テープが導入されている。しかし、ポリイミドフィルムは、引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性、吸水率等に問題があり、半導体製造工程においてリフロー工程以外の工程には適用できないという問題がある。
　このため、半導体製造工程では、リフロー工程と、バックグラインド工程、ダイシング工程及びピックアップ工程等のリフロー工程以外の工程との間で、半導体製造工程用テープの貼替操作が必要となる。半導体製造工程用テープの貼替操作は、半導体製造工程の工数増大及び煩雑化をもたらし、半導体デバイスの製造歩留まりの低下につながる。このため、リフロー工程の導入を必要とする半導体デバイスの製造では、製造コストの増大等の問題がある。
特開２００８－２６６４１８号公報
　上記事情に鑑み、本発明は、リフロー工程を含む複数の工程に使用できる半導体製造工程に用いる粘着テープ用の基材フィルムを提供することを目的とする。
　本発明の構成の要旨は、以下の通りである。
　［１］２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体であり、前記第１の樹脂成分の結晶化度が、前記樹脂複合体全体の５．０％超である熱可塑性樹脂フィルム。
　［２］前記第１の樹脂成分が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルエーテルケトンケトン及び脂肪族ポリケトンからなる群から選択される少なくとも１種の樹脂を含む［１］に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［３］前記第２の樹脂成分が、芳香族ポリエステル樹脂を含む［１］または［２］に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［４］前記第２の樹脂成分が、エーテル結合を有する非晶質熱可塑性樹脂を含む［１］または［２］に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［５］前記樹脂複合体が、前記第１の樹脂成分を含むマトリックス部と、該マトリックス部に分散して含まれる前記第２の樹脂成分を含むドメイン部と、からなる［１］乃至［４］のいずれか１つに記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［６］前記熱可塑性樹脂フィルムの流れ方向に対して直交方向の切断面における前記ドメイン部の平均直径が、１０μｍ以下である［５］に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［７］前記樹脂複合体の引張弾性率が、２６０℃において、１．０×１０４Ｐａ以上である［１］乃至［６］のいずれか１つに記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［８］前記樹脂複合体の波長３７５ｎｍの紫外線の透過率が、０．５０％超である［１］乃至［７］のいずれか１つに記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　［９］前記樹脂複合体の面内方向の最大寸法変化率が、２６０℃において、２．０％以下である［１］乃至［８］のいずれか１つに記載の熱可塑性樹脂フィルム。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムの態様によれば、２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体であり、結晶性熱可塑性樹脂の結晶化度が樹脂複合体全体の５．０％超であることにより、耐熱性を備えつつ、引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性、加熱時の耐変形性に優れている。従って、リフロー工程を含む複数の工程に使用できる半導体製造工程に用いる粘着テープ用の基材フィルムとして使用することができる。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムの態様によれば、第１の樹脂成分が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルエーテルケトンケトン及び脂肪族ポリケトンからなる群から選択される少なくとも１種の樹脂を含むことにより、耐熱性と引っ張り時の伸び特性が確実に向上する。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムの態様によれば、第２の樹脂成分が、芳香族ポリエステル樹脂またはエーテル結合を有する非晶質熱可塑性樹脂を含むことにより、引っ張り時の伸び特性が確実に向上する。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムの態様によれば、樹脂複合体が、第１の樹脂成分を含むマトリックス部とマトリックス部に分散して含まれる第２の樹脂成分を含むドメイン部からなることにより、引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性、加熱時の耐変形性がさらに向上する。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムの態様によれば、熱可塑性樹脂フィルムの流れ方向に対して直交方向の切断面における前記ドメイン部の平均直径が、１０μｍ以下であることにより、引っ張り時の伸び特性、加熱時の耐変形性がさらに確実に向上する。
　本発明の熱可塑性樹脂フィルムは、２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体である。従って、本発明の熱可塑性樹脂フィルムは、上記第１の樹脂成分と上記第２の樹脂成分とが併用されてアロイ化されている樹脂複合体である。また、第１の樹脂成分の結晶化度が、アロイ化されている樹脂複合体全体の５．０％超となっている。
　第１の樹脂成分は、主に、本発明の熱可塑性樹脂フィルムに耐熱性を付与する。第１の樹脂成分としては、２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂であれば、樹脂種は特に限定されず、例えば、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルエーテルケトンケトン等のポリアリーレンエーテルケトン（ＰＡＥＫ）樹脂、脂肪族ポリケトン樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。このうち、半導体製造工程用テープとして耐熱性だけではなく引っ張り時の伸び特性にも優れる点から、ポリアリーレンエーテルケトン（ＰＡＥＫ）樹脂が好ましく、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂が特に好ましい。
　第１の樹脂成分の融点は２９０℃以上であれば、特に限定されないが、その下限値は、約２６０℃のリフロー工程に確実に連続使用できる点から３００℃が好ましく、３２０℃が特に好ましい。一方で、第１の樹脂成分の融点の上限値としては、例えば、３４０℃が挙げられる。
　第１の樹脂成分の結晶化度は樹脂複合体全体の５．０％超であれば、特に限定されないが、その下限値は、熱可塑性樹脂フィルムの耐熱性が確実に向上して熱の負荷を受けても耐変形性が確実に得られる点から、７％が好ましく、９％が特に好ましい。一方で、第１の樹脂成分の結晶化度の上限値は、熱可塑性樹脂フィルムの脆化を確実に防止し、かつより優れた紫外線透過性を確保する点から、樹脂複合体全体の３０％が好ましく、２５％が特に好ましい。なお、第１の樹脂成分の結晶化度は広角Ｘ線回折によって得られる非晶ハローと結晶による回折ピークの面積比より算出できる。
　第２の樹脂成分は、主に、本発明の熱可塑性樹脂フィルムに紫外線透過性及び加熱時の耐変形性を付与する。第２の樹脂成分は、結晶性の熱可塑性樹脂でも非晶質の熱可塑性樹脂でもよい。第２の樹脂成分としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上の樹脂であれば、樹脂種は特に限定されず、例えば、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリアリレート、ポリフェニレンエーテル、芳香族ポリエステルなどが挙げられる。これらは、単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。このうち、半導体製造工程用テープとして紫外線透過性及び加熱時の耐変形性がバランスよく向上する点から、エーテル結合を有する非晶質熱可塑性樹脂、ポリアリレート、芳香族ポリエステルが好ましい。また、エーテル結合を有する非晶質熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルサルフォンが特に好ましい。
　第２の樹脂成分のガラス転移温度は１５０℃以上であれば、特に限定されないが、その下限値は、第１の樹脂成分が結晶化する際に第２の樹脂成分が軟化することを防止することで、引っ張り時の伸び特性と加熱時の耐変形性をさらに向上する点から１７０℃が好ましく、１８０℃が特に好ましい。一方で、第２の樹脂成分のガラス転移温度の上限値としては、例えば、２６０℃が挙げられる。
　第１の樹脂成分と第２の樹脂成分の配合割合は、特に限定されないが、耐熱性と、引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性及び加熱時の耐変形性と、をバランスよく向上させる点から、第１の樹脂成分１００質量部に対して、第２の樹脂成分が２０質量部以上１６０質量部以下含まれるのが好ましく、３０質量部以上１２０質量部以下含まれるのがより好ましく、４０質量部以上１００質量部以下含まれるのが特に好ましい。
　アロイ化されている樹脂複合体としては、第１の樹脂成分を含むマトリックス部と、該マトリックス部に分散して含まれる第２の樹脂成分を含むドメイン部と、からなる構造を有しているものが挙げられる。すなわち、樹脂複合体として、第１の樹脂成分の海相と第２の樹脂成分の複数個の島相とからなる海島構造を有しているものが挙げられる。本発明のアロイ化されている樹脂複合体は、マトリックス部とドメイン部との分離性が高い相分離構造を有している。第２の樹脂成分の独立した島相が、第１の樹脂成分の海相に、多数、分散していることにより、半導体製造工程用テープとして紫外線透過性及び加熱時の耐変形性が特にバランスよく向上するのに加えて、引っ張り時の伸び特性と耐擦傷性も得られる。
　このうち、第１の樹脂成分を主成分として含むマトリックス部と、該マトリックス部に分散して含まれる第２の樹脂成分を主成分として含むドメイン部と、からなる構造が好ましく、第１の樹脂成分からなるマトリックス部と、該マトリックス部に分散して含まれる第２の樹脂成分からなるドメイン部と、からなる構造が特に好ましい。
　熱可塑性樹脂フィルムの流れ方向に対して直交方向の切断面におけるドメイン部の平均直径は、特に限定されないが、ドメイン部の優れた分散性によって半導体製造工程用テープとして引っ張り時の伸び特性、紫外線透過性、耐擦傷性及び加熱時の耐変形性が特にバランスよく向上する点から、１０μｍ以下が好ましく、５．０μｍ以下が特に好ましい。また、ドメイン部の上記平均直径の下限値は、低ければ低いほど好ましいが、例えば、０．５μｍが挙げられる。
　なお、第１の樹脂成分の海相と第２の樹脂成分の島相とからなる海島構造は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等により観察することで確認でき、ドメイン部の上記平均直径はＡＳＴＭＤ３５７６－７７に準じて決定する。
　熱可塑性樹脂フィルムの厚みは、特に限定されないが、リフロー工程と、バックグラインド工程、ダイシング工程及びピックアップ工程等のリフロー工程以外の工程を通じて、半導体ウエハをより確実に保護する点から、その下限値は、１０μｍが好ましく、２５μｍが特に好ましい。一方で、熱可塑性樹脂フィルムの厚みの上限値は、エキスパンド工程をより円滑化して半導体チップを確実にピックアップできる点から、２００μｍが好ましく、１００μｍが特に好ましい。
　熱可塑性樹脂フィルムの製造方法は、特に限定されず、公知のフィルム形成方法を使用できる。例えば、第１の樹脂成分と第２の樹脂成分を所定割合で混合後、押出機で押出成形する方法により製造することができる。また、フィルム状に形成後、アニーリング処理をしてもよい。
　上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、２６０℃における引張弾性率が半導体製造工程用テープとして優れている。例えば、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、２６０℃における樹脂複合体の引張弾性率は、リフロー工程における熱可塑性樹脂フィルムの伸びの発生を抑えて、ワークの位置精度を確実に維持する点から、高いほど好ましく、例えば、その下限値は、１．０×１０４Ｐａが好ましく、１．０×１０６Ｐａがより好ましく、１．０×１０７Ｐａが特に好ましい。一方で、２６０℃における樹脂複合体の引張弾性率の上限値は、例えば、２．０×１０９Ｐａである。なお、引張弾性率とは、ＪＩＳ　Ｋ７１２７に準じて測定された引張弾性率である。
　上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、紫外線透過率が半導体製造工程用テープとして優れている。例えば、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、半導体チップのピックアップを円滑化する点から、波長３７５ｎｍの紫外線の透過率が、０．５０％超であることが好ましく、１．０％以上であることがより好ましく、２．０％以上であることが特に好ましい。
　上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、２６０℃における面内方向の最大寸法変化率が半導体製造工程用テープとして優れている。すなわち、本発明の熱可塑性樹脂フィルムは、２６０℃における耐変形性に優れている。例えば、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、リフロー工程時にワークが半導体製造工程用テープから脱落することを確実に防止する点から、２６０℃における面内方向の最大寸法変化率が、２．０％以下であることが好ましく、１．０％以下であることが特に好ましい。
　従って、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、熱可塑性樹脂フィルムの流れ方向の寸法変化率及び流れ方向に対して直交方向の寸法変化率は、いずれも低減されており、２．０％以下であることが好ましく、１．０％以下であることが特に好ましい。
　また、上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、引張破断伸びが半導体製造工程用テープとして優れている。例えば、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、引張破断伸びの下限値は、半導体チップのピックアップ時におけるエキスパンドを円滑化する点から、５０％が好ましく、７５％がより好ましく、１００％が特に好ましい。なお、引張破断伸びは、ＪＩＳ　Ｋ６２５１に準じて測定された引張破断伸びである。
　また、上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、弾性変形領域の範囲が半導体製造工程用テープとして優れている。例えば、本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、半導体チップのピックアップ時におけるエキスパンドを円滑化する点から、４．０％以上が好ましく、５．０％以上が特に好ましい。なお、弾性変形領域の範囲は降伏点までの領域とした。
　また、上記した本発明の熱可塑性樹脂フィルムでは、耐擦傷性を有する点でダイシング工程に使用できることから、半導体製造工程用テープとして優れている。
　次に、本発明の実施例を説明するが、本発明は、以下の実施例の態様に限定されるものではない。
　実施例１
　第１の樹脂成分としてポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ、融点３３４℃）６０質量％、第２の樹脂成分としてポリアリレート（ガラス転移温度１９５℃）４０質量％を用い、押出成形にて熱可塑性樹脂フィルムを作製した。得られた熱可塑性樹脂フィルムに対し、フロート式フィルムアニール炉にて結晶化処理を行った。結晶化処理後の熱可塑性樹脂フィルムは、ＳＥＭによる構造観察を行って海島構造を有することを確認し、また、分散相の平均直径は０．５～１．０μｍであった。なお、フロート式フィルムアニール炉での結晶化処理条件は、以下の通りとした。
加熱温度 ：２２０℃
炉内テンション：１Ｎ（３００ｍｍ幅フィルム）
線速 ：示差走査熱量測定（ＤＳＣ）にて結晶化ピークが確認できなくなる速度
　実施例２
　第２の樹脂成分としてポリエーテルスルフォン（ガラス転移温度２００℃超）を用いた以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂フィルムを作製した。得られた熱可塑性樹脂フィルムは、海島構造を有することを確認し、また、分散相の平均直径は１．０～１０μｍであった。
　実施例３
　第１の樹脂成分としてポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）４０質量％、第２の樹脂成分としてポリアリレート（ガラス転移温度１９５℃）６０質量％とした以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂フィルムを作製した。得られた熱可塑性樹脂フィルムは、海島構造を有することを確認し、また、分散相の平均直径は１．０～１０μｍであった。
　比較例１では、ポリイミド樹脂（ＰＩ）のみを用いて、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　比較例２では、ポリオレフィン樹脂（ＰＯ）のみを用いて、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　比較例３では、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のみを用いて、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　比較例４では、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のみを用いて、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　比較例５では、市販のポリエーテルエーテルケトン製結晶化フィルムであるＳｅｐｌａ結晶化グレード（５０μｍ）を使用した。
　比較例６では、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）９０質量部にタルク１０質量部を添加し、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　比較例７では、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）６０質量部にポリカーボネート(ＰＣ)４０質量部を添加し、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作成した。実施例１と同じく、結晶化処理を実施した。
　比較例８では、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のみを用いて、実施例１と同様にして樹脂フィルムを作製した。
　評価項目と評価方法は、以下の通りである。
　（１）熱可塑性樹脂フィルム中における第１の樹脂成分の結晶化度（％）
　各樹脂フィルムについて、広角Ｘ線回折により求めた。二次元測定器により１５度から２７度の回折パターンを解析範囲として設定し、非晶部ハローと結晶による回折ピークの比率より結晶化度を求めた。
　（２）２６０℃の寸法変化率（２６０℃の耐変形性）（％）
　２６０℃の恒温槽中に各樹脂フィルムを１０分間保管し、保管前後の各樹脂フィルムの長手方向（ＭＤ方向）及び長手方向に対して直交方向（ＴＤ方向）の寸法変化率を求めた。
　（３）２６０℃の引張弾性率（Ｐａ）
　各樹脂フィルムについて、ＴＡインスツルメンツ社製ＤＭＡ８５０の引張モードにより測定を行った。この測定方法は、ＪＩＳ　Ｋ７１２７に準じたものである。
　（４）３７５ｎｍ紫外線透過率（％）
　各樹脂フィルムについて、成形品を分光光度計（Ｕ－４１００（株式会社日立ハイテクノロジーズ製））で分光スリット（４ｎｍ）の条件で、光線波長３７５ｎｍでの光線透過率の測定を行った。
　（５）弾性変形領域（％）
　株式会社島津製作所製オートグラフ「ＡＧ－Ｘｐｌｕｓ」にて、各樹脂フィルムの引張試験を行い、降伏点までを弾性変形領域として測定した。
　（６）引張破断伸び（％）
　各樹脂フィルムについて、ＪＩＳ　Ｋ６２５１に準じて測定した。
　（７）耐擦傷性
　各樹脂フィルムについて、半導体製造工程のうちのダイシング工程を実施し、下記基準で評価した。
○：ブレード屑発生せず
×：ブレード屑が発生、またはフィルムが破断
　評価結果を下記表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記表１から、２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体であり、第１の樹脂成分の結晶化度が樹脂複合体全体の５．０％超である実施例１～３では、２６０℃の寸法変化率が低減され、２６０℃の引張弾性率が１．００×１０８Ｐａ～１．５０×１０８Ｐａであることから、リフロー工程に好適に使用できることが判明した。また、実施例１～３では、３７５ｎｍ紫外線透過率が３．０％～６．０％と紫外線透過率に優れるので、半導体チップのピックアップ工程に好適に使用できることが判明した。また、実施例１～２では、弾性変形領域が５％、引張破断伸びが１５０％を維持できたことから、半導体チップのピックアップ時における半導体製造工程用テープのエキスパンド工程に十分に対応できることが判明し、実施例３では、弾性変形領域が５％を維持できたことから、エキスパンド工程に対応できることが判明した。さらに、実施例１～３では、耐擦傷性に優れているので、半導体ウエハをダイシングする工程に好適に使用できることが判明した。
　一方で、ポリイミド樹脂のみを使用した比較例１では、３７５ｎｍ紫外線透過率と耐擦傷性が得られず、弾性変形領域と引張破断伸びも向上せず、リフロー工程以外の工程に使用できないことが判明した。また、ポリオレフィン樹脂のみを使用した比較例２では、２６０℃の寸法変化率が大きく、また、２６０℃の引張弾性率が低く、リフロー工程に使用できないことが判明した。さらに、ポリエチレンテレフタレートのみを使用した比較例３では、耐擦傷性が得られず、ダイシング工程に使用できないことが判明した。また、ポリエチレンナフタレートのみを用いた比較例４では、２６０℃環境下では融点に近すぎるためフィルムの収縮が発生して２６０℃の寸法変化率が計測できず、また、フィルムの軟化が過度に進行して２６０℃の引張弾性率が測定できず、リフロー工程に使用できないことが判明した。また、比較例４では、耐擦傷性が得られず、ダイシング工程に使用できないことが判明した。さらに、比較例５では、ＭＤ方向の２６０℃における耐変形性と３７５ｎｍ紫外線透過率が得られなかった。
　また、融点が２７０℃であるポリエチレンナフタレートにタルクを添加した比較例６では、やはり、２６０℃環境下では融点に近すぎるためフィルムの収縮が発生し寸法変化率は計測不能であった。弾性率についても同様にフィルムの軟化が過度に進行し測定不能であった。
　次に、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ)６０質量部にポリカーボネート(ＰＣ)４０質量部を添加した比較例７を成膜し結晶化処理を実施したところ、樹脂フィルムはアニール炉のテンションに耐えることができず延展／破断し結晶化フィルムを採取することができなかった。
　次に、ポリエーテルエーテルケトン(ＰＥＥＫ)を実施例１と同様に成膜した比較例８に結晶化処理を実施したところ、樹脂フィルムはアニール炉のテンションに耐えることができず延展／破断し結晶化フィルムを採取することができなかった。

Claims (9)

  1. 　２９０℃以上の融点を有する結晶性熱可塑性樹脂である第１の樹脂成分とガラス転移温度が１５０℃以上である第２の樹脂成分との樹脂複合体であり、
    前記第１の樹脂成分の結晶化度が、前記樹脂複合体全体の５．０％超である熱可塑性樹脂フィルム。
  2. 　前記第１の樹脂成分が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルエーテルケトンケトン及び脂肪族ポリケトンからなる群から選択される少なくとも１種の樹脂を含む請求項１に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  3. 　前記第２の樹脂成分が、芳香族ポリエステル樹脂を含む請求項１または２に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  4. 　前記第２の樹脂成分が、エーテル結合を有する非晶質熱可塑性樹脂を含む請求項１または２に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  5. 　前記樹脂複合体が、前記第１の樹脂成分を含むマトリックス部と、該マトリックス部に分散して含まれる前記第２の樹脂成分を含むドメイン部と、からなる請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  6. 　前記熱可塑性樹脂フィルムの流れ方向に対して直交方向の切断面における前記ドメイン部の平均直径が、１０μｍ以下である請求項５に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  7. 　前記樹脂複合体の引張弾性率が、２６０℃において、１．０×１０４Ｐａ以上である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  8. 　前記樹脂複合体の波長３７５ｎｍの紫外線の透過率が、０．５０％超である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
  9. 　前記樹脂複合体の面内方向の最大寸法変化率が、２６０℃において、２．０％以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の熱可塑性樹脂フィルム。
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