WO2020162266A1 - 抵抗器 - Google Patents

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WO2020162266A1
WO2020162266A1 PCT/JP2020/002960 JP2020002960W WO2020162266A1 WO 2020162266 A1 WO2020162266 A1 WO 2020162266A1 JP 2020002960 W JP2020002960 W JP 2020002960W WO 2020162266 A1 WO2020162266 A1 WO 2020162266A1
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pair
resistor
electrodes
intermediate layers
protective film
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PCT/JP2020/002960
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後藤 陽一
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ローム株式会社
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    • H01C3/00Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
    • H01C3/10Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration
    • H01C3/12Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration lying in one plane
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    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/288Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thin film techniques

Definitions

  • the present disclosure mainly relates to a resistor used for current detection.
  • Patent Document 1 discloses an example of a resistor including a resistor made of a metal plate.
  • the resistor includes a resistor, a pair of electrodes formed at both ends of the surface of the resistor facing one side in the thickness direction of the resistor, and a protective film covering the resistor. A part of the protective film covering the surface of the resistor is located between the pair of electrodes.
  • a measure may be taken to increase the surface area of each of the pair of electrodes.
  • a measure in order to suppress the enlargement of the dimensions of the resistor, a structure in which a part of the pair of electrodes overlaps the protective film when viewed along the thickness direction of the resistor may be adopted. is there.
  • the pair of electrodes based on this configuration can be formed by forming a metal thin film on the protective film by a sputtering method and then performing electrolytic barrel plating.
  • the portion of the pair of electrodes in contact with the protective film is affected by the thermal stress acting on the interface between each of the pair of electrodes and the protective film when the resistor is used. May peel off. When such peeling occurs, the heat dissipation of the resistor is deteriorated, so that the resistance value of the resistor varies. Therefore, in the resistor, a measure is required to prevent peeling of the pair of electrodes due to thermal stress.
  • an object of the present disclosure is to provide a resistor capable of suppressing peeling of a pair of electrodes overlapping with a protective film when viewed in the thickness direction of the resistor.
  • a resistor provided by the present disclosure includes a resistor having a first surface and a second surface facing opposite sides in a thickness direction, an insulating plate arranged on the first surface, and a resistor arranged on the second surface. And a pair of electrodes that are spaced apart from each other in a first direction orthogonal to the thickness direction and are in contact with the resistor, each of the pair of electrodes having the thickness of A bottom portion located on the opposite side to the insulating plate with respect to the resistor in the depth direction, the bottom portions of the pair of electrodes overlap a part of the protective film when viewed along the thickness direction.
  • a pair of intermediate layers that are electrically conductive and include a synthetic resin and that are separated from each other in the first direction, each of the pair of intermediate layers covering a part of the protective film.
  • a covering portion is provided, and each of the covering portions of the pair of intermediate layers is located between the protective film and one of the bottom portions of the pair of electrodes.
  • FIG. 4 is a bottom view corresponding to FIG. 3, in which a pair of electrodes is transparent.
  • FIG. 4 is a bottom view corresponding to FIG. 3, in which a pair of electrodes and a pair of intermediate layers are transmitted.
  • It is a right view of the resistor shown in FIG.
  • It is a front view of the resistor shown in FIG.
  • It is sectional drawing which follows the VIII-VIII line of FIG.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the resistor shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the resistor shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the resistor shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the resistor shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the resistor shown in FIG. 1. It is a bottom view of the resistor concerning a 2nd embodiment of this indication, and has penetrated a pair of electrodes. It is sectional drawing of the resistor shown in FIG.
  • FIG. 18 is a partially enlarged view of FIG. 17.
  • FIG. 17 is a partially enlarged view of FIG. 17.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view explaining the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 16.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view explaining the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 16.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view explaining the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 16.
  • FIG. 7 is a plan view of a resistor according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a plan view corresponding to FIG. 22, and shows through an insulating plate.
  • FIG. 23 is a bottom view of the resistor shown in FIG. 22.
  • FIG. 25 is a bottom view corresponding to FIG. 24, with a pair of electrodes being transmitted therethrough.
  • FIG. 25 is a bottom view corresponding to FIG.
  • FIG. 23 is a right side view of the resistor shown in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a front view of the resistor shown in FIG. 22.
  • FIG. 24 is a sectional view taken along line XXIX-XXIX in FIG. 23.
  • FIG. 30 is a partially enlarged view of FIG. 29.
  • FIG. 30 is a partially enlarged view of FIG. 29.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor illustrated in FIG. 22. It is a top view of a resistor concerning a modification of a 3rd embodiment of this indication, and has penetrated an insulating board.
  • FIG. 39 is a sectional view taken along line XXXIX-XXXIX in FIG. 38. It is a top view of a resistor concerning a 4th embodiment of this indication, and has penetrated an insulating board.
  • FIG. 41 is a bottom view of the resistor shown in FIG.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 40.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 40.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 40.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the resistor shown in FIG. 40.
  • a resistor A10 according to the first embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 1 to 10.
  • the resistor A10 is intended for a shunt resistor used for current detection.
  • the resistance value of the resistor A10 is approximately 5 m ⁇ or more and 220 m ⁇ or less.
  • the resistor A10 is surface-mounted on wiring boards of various electronic devices.
  • the resistor A10 includes a resistor 10, an insulating plate 20, a protective film 30, a pair of intermediate layers 40, and a pair of electrodes 50.
  • the insulating plate 20 is passed through.
  • the pair of electrodes 50 are shown as being transparent for ease of understanding.
  • the pair of intermediate layers 40 and the pair of electrodes 50 are respectively transmitted.
  • the pair of intermediate layers 40 and the pair of electrodes 50 that have been transmitted are shown by imaginary lines (two-dot chain lines).
  • the direction along the thickness of the resistor 10 is referred to as “thickness direction z” for convenience.
  • One direction orthogonal to the thickness direction z is called “first direction x”.
  • a direction orthogonal to both the thickness direction z and the first direction x is referred to as a “second direction y”.
  • the resistor A10 has a rectangular shape when viewed along the thickness direction z.
  • the first direction x corresponds to the longitudinal direction of the resistor A10.
  • the second direction y corresponds to the lateral direction of the resistor A10.
  • the resistor 10 is the functional center of the resistor A10.
  • the resistor 10 is a metal plate.
  • the material of the metal plate is, for example, a copper (Cu)-manganese (Mn)-nickel (Ni) alloy (manganin: registered trademark) or a copper-manganese-tin (Sn) alloy (zeranine: registered trademark).
  • the thickness of the resistor 10 is 50 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the resistor 10 has a first surface 10A, a second surface 10B, and a pair of first end surfaces 10C.
  • the first surface 10A faces one side in the thickness direction z.
  • the second surface 10B faces the side opposite to the first surface 10A. Therefore, the first surface 10A and the second surface 10B face the opposite sides in the thickness direction z.
  • the pair of first end faces 10C are separated from each other in the first direction x. Each of the pair of first end faces 10C is connected to both the first face 10A and the second face 10B.
  • the resistor 10 has a plurality of slits 11 and a plurality of grooves 12.
  • the plurality of slits 11 and the plurality of grooves 12 are provided to adjust the resistance value of the resistor 10 to a predetermined value.
  • each of the plurality of slits 11 penetrates the resistor 10 from the first surface 10A to the second surface 10B.
  • each of the plurality of slits 11 extends in the second direction y. Due to the plurality of slits 11, a part of both ends of the resistor 10 in the second direction y is open.
  • each of the plurality of slits 11 has a pair of side walls 111.
  • the pair of side walls 111 are separated from each other in the first direction x. Each of the pair of side walls 111 is connected to both the first surface 10A and the second surface 10B. Each of the pair of side walls 111 includes a portion that is concave in the first direction x. As shown in FIGS. 5 and 10, the plurality of grooves 12 are recessed from the second surface 10B and extend in a predetermined direction. In the example shown by the resistor A10, each of the plurality of grooves 12 extends in the second direction y. As shown in FIG. 10, the maximum width bmax of each of the plurality of grooves 12 is smaller than the minimum width Bmin (see FIG. 9) of each of the plurality of slits 11. The number of slits 11 can be freely set according to the resistance value required for the resistor 10.
  • the insulating plate 20 is arranged on the first surface 10A of the resistor 10, as shown in FIG.
  • the insulating plate 20 is made of a material containing synthetic resin.
  • the insulating plate 20 is a synthetic resin sheet containing an epoxy resin.
  • the insulating plate 20 has a pair of second end faces 20A.
  • the pair of second end faces 20A face opposite sides in the first direction x and are separated from each other in the first direction x.
  • Each of the pair of second end faces 20A is flush with any of the pair of first end faces 10C.
  • a part of the insulating plate 20 is inserted into the plurality of slits 11 of the resistor 10 in the thickness direction z.
  • the protective film 30 is disposed on the second surface 10B of the resistor 10 as shown in FIG.
  • the protective film 30 is made of a material having electrical insulation and containing synthetic resin.
  • the protective film 30 is made of a material containing an epoxy resin.
  • the protective film 30 contains a filler 31.
  • the filler 31 is made of a material containing ceramics.
  • the ceramic is preferably one having a relatively high thermal conductivity such as alumina (Al 2 O 3 ) or boron nitride (BN).
  • the protective film 30 is in contact with both the second surface 10B and the surface of the insulating plate 20 facing the same side as the second surface 10B. As shown in FIG.
  • the protective film 30 is located inward of the pair of first end faces 10C of the resistor 10 in the first direction x when viewed in the thickness direction z. As shown in FIG. 10, the protective film 30 meshes with the plurality of grooves 12 of the resistor 10.
  • the pair of intermediate layers 40 are located on the opposite side to the insulating plate 20 with respect to the resistor 10 in the thickness direction z.
  • the pair of intermediate layers 40 are separated from each other in the first direction x.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a material having conductivity and containing a synthetic resin.
  • the pair of intermediate layers 40 is electrically connected to the resistor 10.
  • Metal particles are contained in the pair of intermediate layers 40.
  • the metal particles include silver (Ag).
  • the synthetic resin contained in the pair of intermediate layers 40 is an epoxy resin.
  • the electrical resistivity of the pair of intermediate layers 40 is about 10 times the electrical resistivity of the resistor 10. Therefore, the electrical resistivity of the pair of intermediate layers 40 is higher than the electrical resistivity of the resistor 10.
  • each of the pair of intermediate layers 40 has a covering portion 41 and an extending portion 42.
  • the covering portion 41 is located on the opposite side of the resistor 10 with respect to the protective film 30 in the thickness direction z.
  • the covering portion 41 covers a part of the protective film 30.
  • the extending portion 42 extends from any one of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 to any one of the pair of first end surfaces 10C of the resistor 10.
  • the extending portion 42 is in contact with both the second surface 10B of the resistor 10 and the surface of the insulating plate 20 facing the same side as the second surface 10B.
  • the pair of intermediate layers 40 is electrically connected to the resistor 10. As shown in FIGS.
  • a recess 421 is formed in each of the extending portions 42 of the pair of intermediate layers 40.
  • the recess 421 is recessed in the first direction x from either of the pair of first end faces 10C.
  • the recess 421 has a rectangular shape when viewed along the thickness direction z.
  • the second surface 10 ⁇ /b>B of the resistor 10 is located between the protective film 30 and any one of the pair of first end surfaces 10 ⁇ /b>C when viewed in the thickness direction z.
  • Including an exposed region 13 located at. The exposed region 13 is not covered by the pair of intermediate layers 40. The exposed region 13 is exposed from the recess 421.
  • the pair of electrodes 50 are arranged apart from each other in the first direction x, as shown in FIGS. 1 to 3, 6 and 8. Each of the pair of electrodes 50 is in contact with the resistor 10. As a result, the pair of electrodes 50 is electrically connected to the resistor 10.
  • Each of the pair of electrodes 50 is composed of a plurality of metal layers. In the example shown by the resistor A10, the plurality of metal layers are a copper layer, a nickel layer, and a tin layer stacked in this order from the side closer to the resistor 10.
  • each of the pair of electrodes 50 has a bottom portion 51.
  • the bottom portion 51 is located on the opposite side of the insulating plate 20 with respect to the resistor 10 in the thickness direction z.
  • the bottom portion 51 overlaps a part of the protective film 30 when viewed in the thickness direction z.
  • each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is located between the protective film 30 and one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50.
  • each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is in contact with both the protective film 30 and the bottom portion 51 of the pair of electrodes 50.
  • each of the extending portions 42 of the pair of intermediate layers 40 is located between the resistor 10 and one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 is in contact with one of the extending portions 42 of the pair of intermediate layers 40.
  • each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 is in contact with the exposed region 13 of the second surface 10B of the resistor 10 and the protective film 30.
  • each of the pair of electrodes 50 has a side portion 52.
  • the side portion 52 is connected to either of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and stands upright in the thickness direction z.
  • Each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50 is in contact with one of the pair of first end surfaces 10C of the resistor 10.
  • each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50 is in contact with one of the pair of second end surfaces 20A of the insulating plate 20.
  • FIGS. 11 to 15 are the same as the cross-sectional positions shown in FIG.
  • a base material 82 is thermocompression bonded to a resistor 81 having a first surface 81A and a second surface 81B facing opposite sides in the thickness direction z.
  • the resistor 81 is made up of a plurality of resistors 10 of the resistor A10 arranged in the first direction x and the second direction y.
  • the first surface 81A corresponds to the first surface 10A of the resistor 10.
  • the second surface 81B corresponds to the second surface 10B of the resistor 10.
  • the base material 82 is made up of a plurality of insulating plates 20 of the resistor A10 arranged in the first direction x and the second direction y.
  • a plurality of slits 811 penetrating from the first surface 10A to the second surface 81B are formed in the resistor 81.
  • the plurality of slits 811 correspond to the plurality of slits 11 of the resistor A10.
  • the plurality of slits 811 are formed by wet etching.
  • the base material 82 is thermocompression-bonded to the first surface 81A by a laminating press. When the base material 82 is pressure-bonded to the first surface 81A, part of the base material 82 enters the plurality of slits 811 in the thickness direction z.
  • a plurality of grooves 812 recessed from the second surface 10B are formed in the resistor 81 while the probe for measuring the resistance value of the resistor 81 is in contact with the second surface 10B.
  • the plurality of grooves 812 correspond to the plurality of grooves 12 of the resistor A10.
  • the plurality of grooves 12 are formed by laser irradiation, for example. When the resistance value of the resistor 81 reaches a predetermined value, the formation of the plurality of grooves 812 is completed.
  • a protective film 30 is formed to cover the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • the protective film 30 is formed by applying a material containing an epoxy resin to the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing, and then thermally curing the material. ..
  • a pair of intermediate layers 40 covering the second surface 81B of the resistor 81, the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B, and a part of the protective film 30 are provided.
  • the pair of intermediate layers 40 is formed by applying a material containing silver particles and an epoxy resin to the second surface 81B, the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B, and the protective film 30 by screen printing, and then the material. Is formed by thermosetting.
  • the resistor 81 and the base material 82 are cut along a cutting line CL with a dicing blade to be divided into individual pieces including the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40.
  • the individual piece becomes a constituent element of the resistor A10 excluding the pair of electrodes 50. That is, the resistor 81 divided into pieces becomes the resistor 10 of the resistor A10. Together, the base material 82 divided into individual pieces becomes the insulating plate 20 of the resistor A10.
  • the pair of first end faces 10C of the resistor 10 and the pair of second end faces 20A of the insulating plate 20 are cut surfaces of the resistor 81 and the base material 82 formed in this step.
  • a pair of electrodes 50 in contact with the resistor 10 is formed.
  • the pair of electrodes 50 are formed by electrolytic barrel plating in the order of the copper layer, the nickel layer, and the tin layer.
  • Each of the pair of intermediate layers 40 is covered by one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 contacts the exposed region 13 of the second surface 10B of the resistor 10 and the protective film 30.
  • each of the pair of first end faces 10C of the resistor 10 and a part of each of the pair of second end faces 20A of the insulating plate 20 are covered by one of the side portions 52 of the pair of electrodes 50.
  • the pair of electrodes 50 is heat-treated under the condition of a temperature of 170° C. and 2 hours. This improves the bondability between each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and the resistor 10.
  • the resistor A10 is manufactured.
  • the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 overlap a part of the protective film 30 when viewed in the thickness direction z.
  • the resistor A10 has a covering portion 41 that covers a part of the protective film 30, and includes a pair of intermediate layers 40 that are separated from each other in the first direction x.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a material having conductivity and containing a synthetic resin.
  • Each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is located between the protective film 30 and one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50.
  • each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and one of the coating portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is thereby formed.
  • the bondability is good.
  • the thermal stress acting on the interface between each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and one of the coating portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is relaxed by the coating portion 41. It Thereby, the thermal stress transmitted to the interface between each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 and the protective film 30 is reduced. Therefore, the coating portions 41 of the pair of intermediate layers 40 are prevented from peeling off from the protective film 30 due to the influence of the thermal stress. Therefore, according to the resistor A10, it is possible to prevent the portion (bottom portion 51) of the pair of electrodes 50 overlapping the protective film 30 from peeling off when viewed in the thickness direction z.
  • the protective film 30 is made of a material containing synthetic resin. As a result, both the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 are configured to contain the same material, so that the bondability between the protective film 30 and the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 can be improved.
  • the pair of intermediate layers 40 contain metal particles. Thereby, even if the pair of intermediate layers 40 is made of a material containing a synthetic resin, it can be made to have a conductive physical property. In addition, the metal particles contain silver. As described in the step shown in FIG. 15, the pair of electrodes 50 formed by electrolytic barrel plating are heat-treated under predetermined conditions. Silver is relatively hard to be thermally oxidized. Therefore, the bondability between each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and one of the pair of intermediate layers 40 can be improved.
  • the electric resistivity of the pair of intermediate layers 40 is higher than that of the resistor 10. As a result, when the resistor A10 is used, it becomes difficult for the current flowing through the resistor 10 to flow through the pair of intermediate layers 40. Therefore, fluctuations in the resistance value of the resistor A10 due to the influence of the pair of intermediate layers 40 can be suppressed.
  • the protective film 30 contains a filler 31 made of a material containing ceramics. Thereby, the mechanical strength of the protective film 30 can be increased. Furthermore, the thermal conductivity of the protective film 30 can be increased by selecting the ceramic having a relatively high thermal conductivity, such as alumina or boron nitride. Thereby, the heat dissipation of the resistor A10 can be further improved.
  • the insulating plate 20 is made of a material containing synthetic resin. Thereby, in the step shown in FIG. 11, the base material 82 can be thermocompression bonded to the first surface 81A of the resistor 81 by a laminating press. Further, the resistor 10 has a plurality of slits 11 penetrating from the first surface 10A to the second surface 10B. A part of the insulating plate 20 is inserted into the plurality of slits 11 in the thickness direction z. As a result, an anchoring effect (anchor effect) is produced on the insulating plate 20 with respect to the resistor 10, so that the bondability between the resistor 10 and the insulating plate 20 can be improved.
  • anchor effect anchor effect
  • each of the plurality of slits 11 has a pair of side walls 111 that are separated in the first direction x.
  • Each of the pair of side walls 111 has a portion that is concave in the first direction x.
  • the resistor 10 has a plurality of grooves 12 recessed from the second surface 10B and extending in a predetermined direction.
  • the protective film 30 meshes with the plurality of grooves 12. As a result, an anchoring effect is produced on the protective film 30 with respect to the resistor 10, so that the bondability between the resistor 10 and the protective film 30 can be improved.
  • the insulating plate 20 has a pair of second end faces 20A facing the opposite sides in the first direction x and separated from each other in the first direction x.
  • Each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50 is in contact with either of the pair of second end faces 20A. Thereby, the dimension in the thickness direction z of each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50 can be made longer.
  • a solder fillet is formed on each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50. Therefore, according to this configuration, the volume of the solder fillet is further increased, so that the mountability of the resistor A10 on the wiring board can be further improved.
  • the protective film 30 is located inward of the pair of first end faces 10C of the resistor 10 in the first direction x when viewed along the thickness direction z.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 is an exposed region of the second surface 10B of the resistor 10 located between the protective film 30 and any one of the pair of first end surfaces 10C when viewed in the thickness direction z. It touches 13. Accordingly, when the resistor A10 is used, the current flowing through the resistor 10 easily flows from the exposed region 13 to the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50. Therefore, since the length of the current path in the resistor A10 is shortened, it is possible to suppress variation in the resistance value of the resistor A10 due to the influence of the pair of electrodes 50.
  • Each of the extended portions 42 of the pair of intermediate layers 40 is formed with a recess 421 that is recessed in the first direction x from either of the pair of first end faces 10C of the resistor 10.
  • the exposed region 13 of the second surface 10B of the resistor 10 is exposed from the recess 421.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 is in contact with both the exposed region 13 and one of the extending portions 42 of the pair of intermediate layers 40. Accordingly, it is possible to improve the contact area of each of the pair of intermediate layers 40 with one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 while suppressing the variation in the resistance value of the resistor A10.
  • FIGS. 16 to 18 A resistor A20 according to the second embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 16 to 18.
  • the same or similar elements as those of the resistor A10 described above are designated by the same reference numerals, and duplicated description will be omitted.
  • the pair of electrodes 50 are transmitted.
  • the pair of transparent electrodes 50 is shown by an imaginary line.
  • the sectional position shown in FIG. 17 is the same as the sectional position shown in FIG.
  • the configurations of the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 are different from those of the resistor A10 described above.
  • each of the pair of intermediate layers 40 includes a first layer 40A and a second layer 40B.
  • the first layer 40A has the extending portion 42 and is in contact with both the second surface 10B of the resistor 10 and the surface of the insulating plate 20 facing the same side as the second surface 10B.
  • the dimension of the first layer 40A in the thickness direction z is substantially uniform throughout.
  • the second layer 40B has a covering portion 41.
  • the second layer 40B is connected to any of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the second layer 40B is configured to cover a part of the first layer 40A.
  • each of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40 has an interposition part 43 extending from the extending part 42 toward the protective film 30.
  • the interposition part 43 includes a part located between the resistor 10 and the protective film 30.
  • each of both ends of the protective film 30 in the first direction x is covered with one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the interposition part 43 is in contact with both the resistor 10 and the protective film 30.
  • FIGS. 11, 14, 15, and 19 to 21 an example of a method of manufacturing the resistor A20 will be described based on FIGS. 11, 14, 15, and 19 to 21.
  • the cross-sectional positions shown in FIGS. 19 to 21 are the same as the cross-sectional positions shown in FIG.
  • a base material 82 is thermocompression bonded to a resistor 81 having a first surface 81A and a second surface 81B facing opposite sides in the thickness direction z. Since this step is the same as the step of the method for manufacturing the resistor A10, the description thereof is omitted here.
  • the first surface 40A of the pair of intermediate layers 40 covering the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 is formed by applying a material containing silver particles and epoxy resin to both the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing. .. At this time, the materials are applied in a state of being separated from each other in the first direction x. Then, the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 is formed by thermosetting the material.
  • a protective film 30 is formed to cover the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • a material including an epoxy resin is applied to the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing.
  • each of both ends of the material in the first direction x is covered with one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the protective film 30 is formed by thermosetting the material.
  • a second layer 40B of the pair of intermediate layers 40 that covers a part of the protective film 30 is formed.
  • a material containing silver particles and an epoxy resin is applied to the protective film 30 by screen printing. At this time, the materials are applied in a state of being separated from each other in the first direction x. In addition, the individual portions of the material, which are separated from each other, cover any one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40. Then, the material is heat-cured to form the second layer 40B of the pair of intermediate layers 40.
  • the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 are cut by cutting the resistor 81 and the base material 82 with a dicing blade along the cutting line CL. ) Is divided into pieces. Since this step is the same as the step of the method for manufacturing the resistor A10, the description thereof is omitted here.
  • a pair of electrodes 50 in contact with the resistor 10 is formed. Since this step is the same as the step of the method for manufacturing the resistor A10, the description thereof is omitted here. Through the above steps, the resistor A20 is manufactured.
  • the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 overlap a part of the protective film 30 when viewed in the thickness direction z.
  • the resistor A20 has a coating portion 41 that covers a part of the protective film 30, and includes a pair of intermediate layers 40 that are separated from each other in the first direction x.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a material having conductivity and containing a synthetic resin.
  • Each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is located between the protective film 30 and one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50. Therefore, the resistor A20 can also prevent the portion (bottom 51) of the pair of electrodes 50 overlapping the protective film 30 from peeling when viewed in the thickness direction z.
  • each of the pair of intermediate layers 40 includes a first layer 40A and a second layer 40B.
  • 40 A of 1st layers have the extending part 42.
  • the second layer 40B has a covering portion 41 and is connected to one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the dimension in the thickness direction z of each of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40 can be made substantially uniform throughout.
  • the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 is in contact with the second surface 10B of the resistor 10.
  • Each of the first layers 40 ⁇ /b>A of the pair of intermediate layers 40 has an interposition part 43 extending from the extending part 42 toward the protective film 30.
  • the interposition part 43 includes a part located between the resistor 10 and the protective film 30. This increases the contact area of the pair of intermediate layers 40 with respect to the protective film 30. Therefore, the bondability between the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 can be further improved as compared with the case of the resistor A10.
  • FIGS. 22 to 31 A resistor A30 according to the third embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 22 to 31.
  • the same or similar elements as those of the resistor A10 described above are designated by the same reference numerals, and duplicated description will be omitted.
  • FIG. 23 for convenience of understanding, the insulating plate 20 is passed through.
  • FIG. 25 a pair of electrodes 50 are transmitted for convenience of understanding.
  • FIG. 26 for convenience of understanding, the pair of intermediate layers 40 and the pair of electrodes 50 are respectively transmitted.
  • the pair of transparent intermediate layers 40 and the pair of electrodes 50 which are transparent are shown by imaginary lines.
  • the resistor 10 further has a pair of side surfaces 10D in addition to the first surface 10A, the second surface 10B, and the pair of first end surfaces 10C.
  • the pair of side surfaces 10D are separated from each other in the second direction y.
  • Each of the pair of side surfaces 10D is connected to both the first surface 10A and the second surface 10B.
  • the resistor 10 includes a pair of first resistance portions 101, a second resistance portion 102, and a pair of connection portions 103.
  • the pair of first resistance portions 101 are separated from each other in the first direction x.
  • the second resistance portion 102 is located between the pair of first resistance portions 101. Both ends of the second resistance portion 102 in the first direction x are connected to the pair of first resistance portions 101.
  • the pair of connecting portions 103 are separated from each other in the first direction x.
  • the pair of connecting portions 103 are connected to the pair of first resistance portions 101.
  • the pair of connecting portions 103 are located on the outermost side of the resistor 10 in the first direction x.
  • Each of the pair of connecting portions 103 includes one of the pair of first end faces 10C.
  • the maximum width w1max of the conductive path CP of each of the pair of first resistance parts 101 is smaller than the minimum width w2min of the conductive path CP of the second resistance part 102.
  • the conductive path CP refers to a path of a current flowing through the resistor 10 when a predetermined potential difference is applied to the pair of electrodes 50.
  • the width of the conductive path CP refers to the dimension of the resistor 10 in the direction orthogonal to the conductive path CP when viewed along the thickness direction z.
  • each of the pair of side surfaces 10D is opened by the plurality of slits 11.
  • the plurality of slits 11 are formed in the pair of first resistance portions 101.
  • the second resistance portion 102 is located next to the slit 11 that is located farthest from the one of the pair of electrodes 50 in the first direction x among the plurality of slits 11.
  • one of the pair of connecting portions 103 is located next to the slit 11 located closest to any of the pair of electrodes 50 in the first direction x.
  • the shape of the resistor 10 in which the plurality of slits 11 are formed is point-symmetrical when viewed in the thickness direction z.
  • the point symmetry in this case means that when the resistor 10 is divided into two by the boundary B that passes through the center C of the resistor 10 shown in FIG. 23 and extends in the second direction y, one divided region and the other It means that the section area and the section area are symmetrical with respect to the center C.
  • the plurality of grooves 12 are formed in the second resistance section 102.
  • the plurality of grooves 12 may be formed in the pair of first resistance portions 101 in addition to the second resistance portion 102.
  • each of the pair of connecting portions 103 has a pair of protrusions 14.
  • the pair of protrusions 14 are separated from each other in the second direction y.
  • Each of the pair of protrusions 14 projects in the second direction y from either of the pair of side surfaces 10D.
  • Each of the pair of protrusions 14 is connected to one of the pair of first end faces 10C.
  • the first surface 10A of the resistor 10 and the pair of side surfaces 10D of the resistor 10 are covered with the insulating plate 20.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a metal thin film.
  • the metal thin film is made of, for example, a nickel-chromium (Cr) alloy.
  • the exposed region 13 includes one of the pair of first end faces 10C as viewed in the thickness direction z and the pair of intermediate layers 40 closest to the first end face 10C. Is located between any of the extending portions 42 of the.
  • each of the pair of electrodes 50 is in contact with one of the pair of connecting portions 103 of the resistor 10. As a result, the pair of electrodes 50 is electrically connected to the resistor 10.
  • each of the pair of first resistance portions 101 of the resistor 10 overlaps with one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 when viewed in the thickness direction z.
  • Each of the side portions 52 of the pair of electrodes 50 is in contact with one of the pair of first end surfaces 10C of the resistor 10.
  • FIGS. 32 to 37 an example of a method for manufacturing the resistor A30 will be described with reference to FIGS. 32 to 37.
  • the cross-sectional positions shown in FIGS. 32 to 36 are the same as the cross-sectional positions shown in FIG.
  • a base material 82 is thermocompression bonded to a resistor 81 having a first surface 81A and a second surface 81B facing opposite sides in the thickness direction z.
  • a plurality of slits 811 penetrating from the first surface 10A to the second surface 81B are formed in the resistor 81.
  • the plurality of slits 811 correspond to the plurality of slits 11 of the resistor A30.
  • the plurality of slits 811 are formed by wet etching.
  • the base material 82 is thermocompression-bonded to the first surface 81A by a laminating press.
  • a plurality of grooves 812 recessed from the second surface 10B are formed in the resistor 81 while the probe for measuring the resistance value of the resistor 81 is in contact with the second surface 10B.
  • the plurality of grooves 812 correspond to the plurality of grooves 12 of the resistor A30.
  • the plurality of grooves 12 are formed by laser irradiation, for example.
  • a protective film 30 is formed to cover the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • the protective film 30 is formed by applying a material containing an epoxy resin to the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing, and then thermally curing the material. ..
  • the second surface 81B of the resistor 81, the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B, and the metal thin film 83 covering the entire protective film 30 are formed.
  • a mask layer 89 that covers the second surface 81B of the resistor 81, the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B, and the protective film 30 is formed. To do.
  • the mask layer 89 is formed by screen printing.
  • the metal thin film 83 is formed.
  • the metal thin film 83 is made of a nickel-chromium alloy.
  • the metal thin film 83 is formed by a sputtering method. In this step, the mask layer 89 is covered with the metal thin film 83.
  • the mask layer 89 and a part of the metal thin film 83 covering the mask layer 89 are removed (lifted off).
  • the pair of intermediate layers 40 that covers the second surface 81B of the resistor 81, the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B, and the protective film 30 are formed. That is, the pair of intermediate layers 40 is composed of the metal thin film 83 remaining on the protective film 30 and the like.
  • the resistor 81 and the base material 82 are cut along a cutting line CL with a dicing blade to be divided into individual pieces including the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40.
  • the individual piece becomes a constituent element of the resistor A30 excluding the pair of electrodes 50. That is, the resistor 81 divided into pieces becomes the resistor 10 of the resistor A30.
  • the base material 82 divided into individual pieces becomes the insulating plate 20 of the resistor A30.
  • the pair of first end faces 10C of the resistor 10 and the pair of second end faces 20A of the insulating plate 20 are cut surfaces of the resistor 81 and the base material 82 formed in this step.
  • a pair of electrodes 50 contacting the resistor 10 is formed.
  • the pair of electrodes 50 are formed by electrolytic barrel plating in the order of the copper layer, the nickel layer, and the tin layer.
  • Each of the pair of intermediate layers 40 is covered by one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 contacts the exposed region 13 of the second surface 10B of the resistor 10 and the protective film 30.
  • each of the pair of first end faces 10C of the resistor 10 and a part of each of the pair of second end faces 20A of the insulating plate 20 are covered by one of the side portions 52 of the pair of electrodes 50.
  • the pair of electrodes 50 is heat-treated under the condition of a temperature of 170° C. and 2 hours. This improves the bondability between each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 and the resistor 10.
  • the resistor A30 is manufactured through the above steps.
  • a resistor A31 according to a modified example of the third embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 38 and 39.
  • the resistor A31 is different from the resistor A30 in the configuration described above in the configuration of the resistor 10.
  • the insulating plate 20 is passed through.
  • the resistor 10 of the resistor A31 has a plurality of auxiliary slits 15.
  • the plurality of auxiliary slits 15, together with the plurality of slits 11 and the plurality of grooves 12, are provided to adjust the resistance value of the resistor 10 to a predetermined value.
  • Each of the plurality of auxiliary slits 15 penetrates the resistor 10 from the first surface 10A to the second surface 10B.
  • Each of the plurality of auxiliary slits 15 extends in the second direction y. A part of each of the pair of side faces 10D is opened by the plurality of auxiliary slits 15.
  • the plurality of auxiliary slits 15 are formed in the second resistance portion 102.
  • each of the plurality of auxiliary slits 15 is smaller than the length (dimension in the second direction y) of each of the plurality of slits 11. Further, a part of the insulating plate 20 is inserted into the plurality of auxiliary slits 15 in the thickness direction z.
  • the number of the auxiliary slits 15 can be freely set according to the resistance value required for the resistor 10.
  • the resistor 10 includes a pair of first resistance portions 101 separated from each other in the first direction x, and a second resistance portion 102 located between the pair of first resistance portions 101.
  • Each of the pair of electrodes 50 in contact with the resistor 10 has a bottom portion 51 located on the opposite side of the resistor 10 in the thickness direction z from the insulating plate 20.
  • Each of the pair of first resistance portions 101 overlaps with one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 when viewed in the thickness direction z.
  • the maximum width w1max of the conductive path CP of each of the pair of first resistance parts 101 is smaller than the minimum width w2min of the conductive path CP of the second resistance part 102.
  • the resistance value of the second resistance portion 102 becomes relatively smaller than the resistance value of each of the pair of first resistance portions 101. Therefore, when the resistor A30 is used, the heat generation amount of the second resistance section 102 can be suppressed. On the other hand, when the resistor A30 is used, the heat generated from each of the pair of first resistance portions 101 is radiated via the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50. Therefore, according to the resistor A30, it is possible to uniformly suppress the temperature rise of the resistor 10 when the resistor A30 is used.
  • the resistor 10 has a plurality of slits 11 penetrating from the first surface 10A to the second surface 10B. Each of the plurality of slits 11 extends in the second direction y. The plurality of slits 11 are formed in the pair of first resistance portions 101. The second resistance portion 102 is located next to the slit 11 that is located farthest from the one of the pair of electrodes 50 in the first direction x among the plurality of slits 11. Accordingly, in the resistor 10, the pair of the first resistance portion 101 and the second resistance portion 102 can be distinguished from each other by the presence or absence of the plurality of slits 11.
  • the resistor 10 has an auxiliary slit 15 penetrating from the first surface 10A to the second surface 10B and extending in the second direction y.
  • the auxiliary slit 15 is formed in the second resistance portion 102.
  • the length of the auxiliary slit 15 is smaller than the length of each of the plurality of slits 11. Accordingly, even when the resistor 10 has the auxiliary slit 15, the minimum width w2min of the conductive path CP of the second resistance part 102 is the maximum width w1max of each conductive path CP of the pair of first resistance parts 101. It is possible to avoid becoming less than.
  • the shape of the resistor 10 is point-symmetrical when viewed along the thickness direction z. Thereby, the resistance value of the resistor 10 becomes constant regardless of the polarities of the pair of electrodes 50. Therefore, when mounting the resistor A30 on the wiring board, it is not necessary to confirm the polarities of the pair of electrodes 50.
  • the resistor A30 further includes a protective film 30 which is arranged on the second surface 10B of the resistor 10 and has an electric insulation property.
  • Each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 includes a portion that overlaps a part of the protective film 30 when viewed in the thickness direction z. Accordingly, when the resistor A30 is mounted on the wiring board, it is possible to prevent a short circuit between the pair of electrodes 50 due to the influence of solder bonding.
  • the surface area of each of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 as large as possible within the range in which the short circuit of the pair of electrodes 50 does not occur, the heat dissipation of the resistor A30 can be further improved.
  • the resistor A30 has a covering portion 41 that covers a part of the protective film 30, and further includes a pair of intermediate layers 40 that are separated from each other in the first direction x.
  • the pair of intermediate layers 40 is electrically connected to the resistor 10.
  • the pair of intermediate layers 40 are made of a metal thin film.
  • Each of the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 is located between the protective film 30 and one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50. Thereby, the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 that cover a part of the protective film 30 can be formed by electrolytic barrel plating in the step shown in FIG.
  • Each of the pair of connecting portions 103 has a protrusion 14 protruding from any of the pair of first end faces 10C in the second direction y.
  • the protrusion 14 is connected to one of the pair of first end faces 10C.
  • the cutting line CL can be set with the projection 14 as a target.
  • the area of the exposed region 13 is enlarged by the protrusion 14.
  • the bondability between the bottom portion 51 of the pair of electrodes 50 and the resistor 10 can be improved.
  • the pair of electrodes 50 is formed by electrolytic barrel plating in the step shown in FIG. 37, the bondability is improved, and thus the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 are less likely to be damaged.
  • FIGS. 40 to 44 A resistor A40 according to the fourth embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 40 to 44.
  • the same or similar elements as those of the resistor A10 described above are designated by the same reference numerals, and duplicated description will be omitted.
  • FIG. 40 for convenience of understanding, the insulating plate 20 is passed through.
  • FIG. 41 the pair of electrodes 50 are transmitted for convenience of understanding.
  • FIG. 41 the pair of transparent electrodes 50 is shown by an imaginary line.
  • the configurations of the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 are different from those of the resistor A30 described above.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a material having conductivity and containing synthetic resin. Metal particles are contained in the pair of intermediate layers 40. The metal particles include silver.
  • the synthetic resin contained in the pair of intermediate layers 40 is an epoxy resin.
  • the electrical resistivity of the pair of intermediate layers 40 is about 10 times the electrical resistivity of the resistor 10. Therefore, the electrical resistivity of the pair of intermediate layers 40 is higher than the electrical resistivity of the resistor 10.
  • each of the pair of intermediate layers 40 includes a first layer 40A and a second layer 40B.
  • the first layer 40A has the extending portion 42 and is in contact with both the second surface 10B of the resistor 10 and the surface of the insulating plate 20 facing the same side as the second surface 10B.
  • the dimension of the first layer 40A in the thickness direction z is substantially uniform throughout.
  • the second layer 40B has a covering portion 41.
  • the second layer 40B is connected to any of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the second layer 40B is configured to cover a part of the first layer 40A.
  • a recess 421 is formed in each of the extending portions 42 of the pair of intermediate layers 40.
  • the recess 421 is recessed in the first direction x from either of the pair of first end faces 10C.
  • the recess 421 has a rectangular shape when viewed along the thickness direction z.
  • the exposed region 13 of the second surface 10B is exposed from the recess 421.
  • each of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40 has an interposition part 43 extending from the extending part 42 toward the protective film 30.
  • the interposition part 43 includes a part located between the resistor 10 and the protective film 30.
  • each of both ends of the protective film 30 in the first direction x is covered with one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the interposition part 43 is in contact with both the resistor 10 and the protective film 30.
  • FIGS. 45 to 47 are the same as the cross-sectional positions shown in FIG.
  • a base material 82 is thermocompression bonded to a resistor 81 having a first surface 81A and a second surface 81B facing opposite sides in the thickness direction z. Since this step is the same as the step of manufacturing the resistor A30, description thereof will be omitted here.
  • the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 covering the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 is formed by applying a material containing silver particles and epoxy resin to both the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing. .. At this time, the materials are applied in a state of being separated from each other in the first direction x. Then, the first layer 40A of the pair of intermediate layers 40 is formed by thermosetting the material.
  • the protective film 30 is formed to cover the second surface 81B of the resistor 81 and a part of the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B.
  • a material including an epoxy resin is applied to the second surface 81B and the surface of the base material 82 facing the same side as the second surface 81B by screen printing.
  • each of both ends of the material in the first direction x is covered with one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40.
  • the protective film 30 is formed by thermosetting the material.
  • the second layer 40B of the pair of intermediate layers 40 that covers a part of the protective film 30 is formed.
  • a material containing silver particles and an epoxy resin is applied to the protective film 30 by screen printing. At this time, the materials are applied in a state of being separated from each other in the first direction x. In addition, the individual portions of the material, which are separated from each other, cover any one of the first layers 40A of the pair of intermediate layers 40. Then, the material is heat-cured to form the second layer 40B of the pair of intermediate layers 40.
  • the resistor 81 and the base material 82 are cut by a dicing blade along the cutting line CL, so that the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 (the first layer 40A and the second layer 40B). ) Is divided into pieces. Since this step is the same as the step of manufacturing the resistor A30, description thereof will be omitted here.
  • a pair of electrodes 50 contacting the resistor 10 is formed. Since this step is the same as the step of manufacturing the resistor A30, description thereof will be omitted here. Through the above steps, the resistor A40 is manufactured.
  • the resistor 10 includes a pair of first resistance portions 101 separated from each other in the first direction x, and a second resistance portion 102 located between the pair of first resistance portions 101.
  • Each of the pair of electrodes 50 in contact with the resistor 10 has a bottom portion 51 located on the opposite side of the resistor 10 in the thickness direction z from the insulating plate 20.
  • Each of the pair of first resistance portions 101 overlaps with one of the bottom portions 51 of the pair of electrodes 50 when viewed in the thickness direction z.
  • the maximum width w1max of the conductive path CP of each of the pair of first resistance parts 101 is smaller than the minimum width w2min of the conductive path CP of the second resistance part 102. Therefore, also by the resistor A40, it is possible to uniformly suppress the temperature rise of the resistor 10 when the resistor A40 is used.
  • the pair of intermediate layers 40 is made of a material containing a synthetic resin containing metal particles.
  • both the protective film 30 and the pair of intermediate layers 40 are configured to contain the same material, so that the bondability between the protective film 30 and the covering portions 41 of the pair of intermediate layers 40 can be improved.
  • the pair of intermediate layers 40 can be electrically connected to the resistor 10.
  • the electric resistivity of the pair of intermediate layers 40 is higher than that of the resistor 10.
  • the resistor A40 when used, it becomes difficult for the current flowing through the resistor 10 to flow through the pair of intermediate layers 40. Therefore, it is possible to suppress the variation in the resistance value of the resistor A40 due to the influence of the pair of intermediate layers 40.
  • Appendix 1A A resistor having a first surface and a second surface facing opposite sides in the thickness direction, An insulating plate disposed on the first surface, A protective film disposed on the second surface, A pair of electrodes that are arranged apart from each other in a first direction orthogonal to the thickness direction and that are in contact with the resistor, Each of the pair of electrodes has a bottom portion located on the side opposite to the insulating plate with respect to the resistor in the thickness direction, The bottom portions of the pair of electrodes overlap a part of the protective film when viewed along the thickness direction, Having a conductivity and made of a material containing a synthetic resin, further comprising a pair of intermediate layers separated from each other in the first direction, Each of the pair of intermediate layers has a covering portion that covers a part of the protective film, A resistor in which each of the coating portions of the pair of intermediate layers is located between the protective film and one of the bottom portions of the pair of electrodes.
  • the protective film is made of a material containing a synthetic resin, The resistor according to Appendix 1A, wherein the pair of intermediate layers contains metal particles.
  • Appendix 3A The resistor according to Appendix 2A, wherein the metal particles contain silver.
  • Appendix 4A The resistor according to Appendix 2A or 3A, wherein the electrical resistivity of the pair of intermediate layers is higher than the electrical resistivity of the resistor.
  • Appendix 5A The resistor according to any one of appendices 2A to 4A, wherein the protective film contains a filler made of a material containing ceramics.
  • the resistor is made of a metal plate,
  • the resistor has a slit penetrating from the first surface to the second surface,
  • the resistor according to any one of appendices 2A to 5A, wherein the slit extends in a second direction orthogonal to both the thickness direction and the first direction.
  • the insulating plate is made of a material containing a synthetic resin, The resistor according to Appendix 6A, wherein a part of the insulating plate enters the slit in the thickness direction.
  • the slit has a pair of side walls separated in the first direction, The resistor according to Appendix 7A, wherein each of the pair of side walls includes a portion that is concave toward the first direction.
  • the resistor has a plurality of grooves recessed from the second surface and extending in a predetermined direction, The resistor according to any one of appendices 6A to 8A, wherein the protective film engages with the plurality of grooves.
  • the resistor has a pair of first end faces that are connected to both the first surface and the second surface and are separated from each other in the first direction, Each of the pair of electrodes has a side portion that is connected to any of the bottom portions of the pair of electrodes and that stands in the thickness direction, The resistor according to any one of appendices 6A to 9A, wherein each of the side portions of the pair of electrodes is in contact with one of the pair of first end faces.
  • the insulating plate has a pair of second end faces facing away from each other in the first direction and separated from each other, The resistor according to Appendix 10A, wherein each of the side portions of the pair of electrodes is in contact with one of the pair of second end faces.
  • Appendix 12A The resistor according to Appendix 11A, wherein each of the pair of second end faces is flush with any one of the pair of first end faces.
  • Appendix 13A The protective film is located inward of the pair of first end faces in the first direction when viewed along the thickness direction,
  • the second surface is an exposed region that is located between one of the pair of first end surfaces and the protective film when viewed along the thickness direction and is not covered by the pair of intermediate layers.
  • Each of the pair of intermediate layers has an extending portion extending from any of the covering portions of the pair of intermediate layers to any of the pair of first end surfaces, The extending portion is in contact with the second surface, The resistor according to Appendix 13A, wherein each of the bottom portions of the pair of electrodes is in contact with one of the extending portions of the pair of intermediate layers.
  • Appendix 15A In each of the extending portions of the pair of intermediate layers, a recessed portion that is recessed from any of the pair of first end surfaces in the first direction is formed, The resistor according to Appendix 14A, wherein the exposed region is exposed from the recess.
  • Each of the pair of intermediate layers includes a first layer and a second layer, The first layer has the extending portion, The resistor according to appendix 14A or 15A, wherein the second layer has the covering portion and is connected to any one of the first layers of the pair of intermediate layers.
  • Each of the first layers of the pair of intermediate layers has an intervening portion extending from the extending portion toward the protective film,
  • Appendix 1B A resistor having a first surface facing the thickness direction, An insulating plate disposed on the first surface, A pair of electrodes that are arranged apart from each other in a first direction orthogonal to the thickness direction and that are in contact with the resistor, Each of the pair of electrodes has a bottom portion located on the side opposite to the insulating plate with respect to the resistor in the thickness direction, The resistor is in contact with the pair of first resistor portions separated from each other in the first direction, the second resistor portion positioned between the pair of first resistor portions, the pair of electrodes, and the pair of first resistor portions.
  • a pair of connecting portions connected to the first resistance portion Each of the pair of first resistance portions overlaps with any of the bottom portions of the pair of electrodes when viewed along the thickness direction, A resistor, wherein a maximum width of a conductive path of each of the pair of first resistance parts is smaller than a minimum width of the conductive path of the second resistance part.
  • the resistor has a second surface facing away from the first surface,
  • the resistor has a plurality of slits penetrating from the first surface to the second surface and extending in a second direction orthogonal to both the thickness direction and the first direction,
  • the plurality of slits are formed in the pair of first resistance portions,
  • the resistor has an auxiliary slit that extends from the first surface to the second surface and extends in the second direction, The auxiliary slit is formed in the second resistance portion, The resistor according to Appendix 2B, wherein the length of the auxiliary slit is smaller than the length of each of the plurality of slits.
  • Appendix 4B The resistor according to Appendix 2B or 3B, wherein the shape of the resistor is point-symmetrical when viewed along the thickness direction.
  • the resistor has a pair of end faces that are connected to both the first surface and the second surface and are separated from each other in the first direction, Each of the pair of electrodes has a side portion that is connected to any of the bottom portions of the pair of electrodes and that stands in the thickness direction, The resistor according to any one of appendices 2B to 4B, wherein each of the side portions of the pair of electrodes is in contact with one of the pair of end faces.
  • Appendix 6B The resistor according to Appendix 5B, wherein each of the side portions of the pair of electrodes is in contact with the insulating plate.
  • the resistor has a pair of side surfaces that are connected to both the first surface and the second surface and are separated from each other in the second direction,
  • the insulating plate is made of a material containing a synthetic resin,
  • Appendix 8B The resistor according to Appendix 7B, wherein a part of the insulating plate is inserted into the plurality of slits in the thickness direction.
  • Each of the plurality of slits has a pair of side walls separated from each other in the first direction, The resistor according to Appendix 8B, wherein each of the pair of side walls includes a portion that is recessed in the first direction.
  • Each of the pair of connecting portions has a protrusion protruding from any one of the pair of side surfaces in the second direction, The resistor according to any one of appendices 7B to 9B, wherein the protrusion is connected to any one of the pair of end faces.
  • Appendix 11B Further comprising a protective film disposed on the second surface,
  • the protective film is made of a material containing a synthetic resin, 11.
  • the resistor according to any one of appendices 5B to 10B, wherein each of the bottom portions of the pair of electrodes includes a portion that overlaps a portion of the protective film when viewed along the thickness direction.
  • Appendix 12B The resistor according to Appendix 11B, wherein the protective film contains a filler made of a material containing ceramics.
  • the resistor has a plurality of grooves recessed from the second surface and extending in a predetermined direction, The resistor according to Appendix 11B or 12B, wherein the protective film meshes with the plurality of grooves.
  • Appendix 14B A cover layer that covers a part of the protective film, and further comprises a pair of intermediate layers that are separated from each other in the first direction, The pair of intermediate layers is electrically connected to the resistor, The resistor according to any one of appendices 11B to 13B, wherein each of the coating portions of the pair of intermediate layers is located between the protective film and one of the bottom portions of the pair of electrodes.
  • Appendix 15B The protective film is located more inward in the first direction than the pair of end faces when viewed along the thickness direction,
  • the second surface includes an exposed region that is located between one of the pair of end surfaces and the protective film when viewed along the thickness direction and is not covered by the pair of intermediate layers,
  • the resistor according to appendix 14B wherein each of the bottom portions of the pair of electrodes is in contact with the exposed region.
  • Appendix 16B The resistor according to Appendix 15B, wherein the pair of intermediate layers are made of a metal thin film.
  • the pair of intermediate layers is made of a material containing a synthetic resin containing metal particles,

Abstract

抵抗器は、抵抗体、絶縁板、保護膜、および一対の電極を備える。前記抵抗体は、厚さ方向において互いに反対側を向く第1面および第2面を有する。前記絶縁板は、前記第1面に配置されている。前記保護膜は、前記第2面に配置されている。前記一対の電極は、前記厚さ方向に対して直交する第1方向において互いに離間して配置され、かつ前記抵抗体に接する。前記一対の電極の各々は、前記厚さ方向において前記抵抗体に対して前記絶縁板とは反対側に位置する底部を有する。前記一対の電極の前記底部は、前記厚さ方向に沿って視て前記保護膜の一部に重なる。前記抵抗器は、前記第1方向において互いに離間した一対の中間層をさらに備える。前記一対の中間層は、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。前記一対の中間層の各々は、前記保護膜の一部を覆う被覆部を有する。前記一対の中間層の前記被覆部の各々は、前記保護膜と、前記一対の電極の前記底部のいずれかと、の間に位置する。

Description

抵抗器
 本開示は、主に電流検出に用いられる抵抗器に関する。
 従来、金属板からなる抵抗体を備える抵抗器が知られている。このような抵抗器は、主に電流検出に用いられる。特許文献1には、金属板からなる抵抗体を備える抵抗器の一例が開示されている。当該抵抗器は、抵抗体と、当該抵抗体の厚さ方向の一方側を向く抵抗体の面の両端に形成された一対の電極と、抵抗体を覆う保護膜とを備える。抵抗体の当該面を覆う保護膜の一部は、一対の電極の間に位置する。
 当該抵抗器によって、より大きな電流を検出させる場合、抵抗体から発生する熱がより増加する。この熱によって抵抗体の温度がより上昇すると、当該抵抗器の抵抗値に変動が生じるおそれがある。このため、当該抵抗器の放熱性を向上させるため、一対の電極の各々の表面積を拡大させる方策を講じることがある。このような方策を講じる場合、抵抗器の寸法の拡大を抑制するため、当該抵抗体の厚さ方向に沿って視て、一対の電極の一部が保護膜に重なるような構成をとることがある。本構成に基づく一対の電極は、スパッタリング法により保護膜に金属薄膜を成膜した後、電解バレルめっきを施すことにより形成することができる。
 しかし、上記構成をとった抵抗器とすると、当該抵抗器の使用の際、一対の電極の各々と、保護膜との界面に作用する熱応力の影響により、保護膜に接する一対の電極の部分が剥離するおそれがある。このような剥離が起こると当該抵抗器の放熱性が低下するため、当該抵抗器の抵抗値に変動を来す。このため、当該抵抗器においては、熱応力に起因した一対の電極の剥離を抑止する方策が求められる。
特開2013-225602号公報
 本開示は上記事情に鑑み、抵抗体の厚さ方向に沿って視て、保護膜に重なる一対の電極の部分が剥離することを抑止可能な抵抗器を提供することをその課題とする。
 本開示によって提供される抵抗器は、厚さ方向において互いに反対側を向く第1面および第2面を有する抵抗体と、前記第1面に配置された絶縁板と、前記第2面に配置された保護膜と、前記厚さ方向に対して直交する第1方向において互いに離間して配置され、かつ前記抵抗体に接する一対の電極と、を備え、前記一対の電極の各々は、前記厚さ方向において前記抵抗体に対して前記絶縁板とは反対側に位置する底部を有し、前記一対の電極の前記底部は、前記厚さ方向に沿って視て前記保護膜の一部に重なり、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなるとともに、前記第1方向において互いに離間した一対の中間層をさらに備え、前記一対の中間層の各々は、前記保護膜の一部を覆う被覆部を有し、前記一対の中間層の前記被覆部の各々は、前記保護膜と、前記一対の電極の前記底部のいずれかと、の間に位置する。
 本開示の構成および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本開示の第1実施形態にかかる抵抗器の平面図である。 図1に対応する平面図であり、絶縁板を透過している。 図1に示す抵抗器の底面図である。 図3に対応する底面図であり、一対の電極を透過している。 図3に対応する底面図であり、一対の電極、および一対の中間層を透過している。 図1に示す抵抗器の右側面図である。 図1に示す抵抗器の正面図である。 図2のVIII-VIII線に沿う断面図である。 図8の部分拡大図である。 図8の部分拡大図である。 図1に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 本開示の第2実施形態にかかる抵抗器の底面図であり、一対の電極を透過している。 図16に示す抵抗器の断面図である。 図17の部分拡大図である。 図16に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図16に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図16に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 本開示の第3実施形態にかかる抵抗器の平面図である。 図22に対応する平面図であり、絶縁板を透過している。 図22に示す抵抗器の底面図である。 図24に対応する底面図であり、一対の電極を透過している。 図24に対応する底面図であり、一対の電極、および一対の中間層を透過している。 図22に示す抵抗器の右側面図である。 図22に示す抵抗器の正面図である。 図23のXXIX-XXIX線に沿う断面図である。 図29の部分拡大図である。 図29の部分拡大図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図22に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 本開示の第3実施形態の変形例にかかる抵抗器の平面図であり、絶縁板を透過している。 図38のXXXIX-XXXIX線に沿う断面図である。 本開示の第4実施形態にかかる抵抗器の平面図であり、絶縁板を透過している。 図40に示す抵抗器の底面図であり、一対の電極を透過している。 図40に示す抵抗器の正面図である。 図40のXLIII-XLIII線に沿う断面図である。 図43の部分拡大図である。 図40に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図40に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。 図40に示す抵抗器の製造工程を説明する断面図である。
 本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
 〔第1実施形態〕
 図1~図10に基づき、本開示の第1実施形態にかかる抵抗器A10について説明する。抵抗器A10は、電流検出に用いられるシャント抵抗器を対象としている。抵抗器A10の抵抗値は、概ね5mΩ以上220mΩ以下である。抵抗器A10は、様々な電子機器の配線基板に表面実装される。抵抗器A10は、抵抗体10、絶縁板20、保護膜30、一対の中間層40、および一対の電極50を備える。ここで、図2は、理解の便宜上、絶縁板20を透過している。図4は、理解の便宜上、一対の電極50を透過している。図5は、理解の便宜上、一対の中間層40、および一対の電極50をそれぞれ透過している。これらの図において透過した一対の中間層40、および一対の電極50を想像線(二点鎖線)で示している。
 抵抗器A10と、後述する抵抗器A20~抵抗器A40との説明においては、便宜上、抵抗体10の厚さに沿った方向を「厚さ方向z」と呼ぶ。厚さ方向zに対して直交する一方向を「第1方向x」と呼ぶ。厚さ方向zおよび第1方向xの双方に対して直交する方向を「第2方向y」と呼ぶ。図1に示すように、抵抗器A10は、厚さ方向zに沿って視て矩形状である。第1方向xは、抵抗器A10の長手方向に相当する。第2方向yは、抵抗器A10の短手方向に相当する。
 抵抗体10は、抵抗器A10の機能中枢をなしている。抵抗体10は、金属板である。当該金属板の材料は、たとえば銅(Cu)-マンガン(Mn)-ニッケル(Ni)合金(マンガニン:登録商標)、または銅-マンガン-錫(Sn)合金(ゼラニン:登録商標)である。抵抗体10の厚さは、50μm以上150μm以下である。
 図8に示すように、抵抗体10は、第1面10A、第2面10B、および一対の第1端面10Cを有する。第1面10Aは、厚さ方向zの一方を向く。第2面10Bは、第1面10Aとは反対側を向く。このため、第1面10Aおよび第2面10Bは、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く。一対の第1端面10Cは、第1方向xにおいて互いに離間している。一対の第1端面10Cの各々は、第1面10Aおよび第2面10Bの双方につながっている。
 図5に示すように、抵抗体10は、複数のスリット11、および複数の溝12を有する。複数のスリット11、および複数の溝12は、抵抗体10の抵抗値を所定の値に調整するために設けられている。図8に示すように、複数のスリット11の各々は、第1面10Aから第2面10Bにかけて抵抗体10を貫通している。図2に示すように、複数のスリット11の各々は、第2方向yに延びている。複数のスリット11により、抵抗体10の第2方向yの両端は、その一部が開口している。図9に示すように、複数のスリット11の各々は、一対の側壁111を有する。一対の側壁111は、第1方向xにおいて互いに離間している。一対の側壁111の各々は、第1面10Aおよび第2面10Bの双方につながっている。一対の側壁111の各々は、第1方向xに向けて凹状である部分を含む。図5および図10に示すように、複数の溝12は、第2面10Bから凹み、かつ所定の方向に延びている。抵抗器A10が示す例においては、複数の溝12の各々は、第2方向yに延びている。図10に示すように、複数の溝12の各々の最大幅bmaxは、複数のスリット11の各々の最小幅Bmin(図9参照)よりも小である。スリット11の数は、抵抗体10に求められる抵抗値に応じて自在に設定可能である。
 絶縁板20は、図8に示すように、抵抗体10の第1面10Aに配置されている。絶縁板20は、合成樹脂を含む材料からなる。抵抗器A10が示す例においては、絶縁板20は、エポキシ樹脂を含む合成樹脂シートである。絶縁板20は、一対の第2端面20Aを有する。一対の第2端面20Aは、第1方向xにおいて互いに反対側を向き、かつ第1方向xにおいて互いに離間している。一対の第2端面20Aの各々は、一対の第1端面10Cのいずれかと面一である。絶縁板20の一部が、厚さ方向zにおいて抵抗体10の複数のスリット11に入り込んでいる。
 保護膜30は、図8に示すように、抵抗体10の第2面10Bに配置されている。保護膜30は、電気絶縁性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。抵抗器A10が示す例においては、保護膜30は、エポキシ樹脂を含む材料からなる。図9および図10に示すように、保護膜30には、フィラー31が含有されている。フィラー31は、セラミックスを含む材料からなる。当該セラミックスは、たとえばアルミナ(Al23)や窒化ホウ素(BN)といった熱伝導率が比較的大であるものが好ましい。保護膜30は、第2面10Bと、第2面10Bと同じ側を向く絶縁板20の面との双方に接している。図5に示すように、保護膜30は、厚さ方向zに沿って視て抵抗体10の一対の第1端面10Cよりも第1方向xの内方に位置する。図10に示すように、保護膜30は、抵抗体10の複数の溝12と噛み合っている。
 一対の中間層40は、図8に示すように、厚さ方向zにおいて抵抗体10に対して絶縁板20とは反対側に位置する。一対の中間層40は、第1方向xにおいて互いに離間している。一対の中間層40は、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。一対の中間層40は、抵抗体10に導通している。一対の中間層40には、金属粒子が含有されている。当該金属粒子は、銀(Ag)を含む。抵抗器A10が示す例においては、一対の中間層40に含まれる合成樹脂は、エポキシ樹脂である。一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率の約10倍である。したがって、一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率よりも大である。
 図4および図8に示すように、一対の中間層40の各々は、被覆部41および延伸部42を有する。被覆部41は、厚さ方向zにおいて保護膜30に対して抵抗体10とは反対側に位置する。被覆部41は、保護膜30の一部を覆っている。延伸部42は、一対の中間層40の被覆部41のいずれかから、抵抗体10の一対の第1端面10Cのいずれかにかけて延びている。延伸部42は、抵抗体10の第2面10Bと、第2面10Bと同じ側を向く絶縁板20の面との双方に接している。これにより、一対の中間層40は、抵抗体10に導通している。図4および図7に示すように、一対の中間層40の延伸部42の各々には、凹部421が形成されている。凹部421は、一対の第1端面10Cのいずれかから第1方向xに向けて凹んでいる。厚さ方向zに沿って視て、凹部421は、矩形状である。一方、図4、図5および図8に示すように、抵抗体10の第2面10Bは、厚さ方向zに沿って視て一対の第1端面10Cのいずれかと、保護膜30との間に位置する露出領域13を含む。露出領域13は、一対の中間層40に覆われていない。凹部421から露出領域13が現れている。
 一対の電極50は、図1~図3、図6および図8に示すように、第1方向xにおいて互いに離間して配置されている。一対の電極50の各々は、抵抗体10に接している。これにより、一対の電極50は、抵抗体10に導通している。一対の電極50の各々は、複数の金属層により構成されている。抵抗器A10が示す例においては、当該複数の金属層は、抵抗体10に近い方から順に、銅層、ニッケル層、錫層が積層されたものである。
 図3、および図6~図8に示すように、一対の電極50の各々は、底部51を有する。底部51は、厚さ方向zにおいて抵抗体10に対して絶縁板20とは反対側に位置する。底部51は、厚さ方向zに沿って視て保護膜30の一部に重なっている。
 図6および図8に示すように、一対の中間層40の被覆部41の各々は、保護膜30と、一対の電極50の底部51のいずれかとの間に位置する。抵抗器A10においては、一対の中間層40の被覆部41の各々は、保護膜30と、一対の電極50の底部51のいずれかとの双方に接している。
 図6および図8に示すように、一対の中間層40の延伸部42の各々は、抵抗体10と、一対の電極50の底部51のいずれかとの間に位置する。一対の電極50の底部51の各々は、一対の中間層40の延伸部42のいずれかに接している。あわせて、一対の電極50の底部51の各々は、抵抗体10の第2面10Bの露出領域13と、保護膜30とに接している。
 図1~図3、および図6~図8に示すように、一対の電極50の各々は、側部52を有する。側部52は、一対の電極50の底部51のいずれかにつながり、かつ厚さ方向zに起立している。一対の電極50の側部52の各々は、抵抗体10の一対の第1端面10Cのいずれかに接している。あわせて、一対の電極50の側部52の各々は、絶縁板20の一対の第2端面20Aのいずれかに接している。
 次に、図11~図15に基づき、抵抗器A10の製造方法の一例について説明する。ここで、図11~図15が示す断面位置は、図8が示す断面位置と同一である。
 最初に、図11に示すように、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く第1面81Aおよび第2面81Bを有する抵抗体81に、基材82を熱圧着させる。抵抗体81は、抵抗器A10の抵抗体10が第1方向xおよび第2方向yに複数連なったものである。第1面81Aは、抵抗体10の第1面10Aに相当する。第2面81Bは、抵抗体10の第2面10Bに相当する。基材82は、抵抗器A10の絶縁板20が第1方向xおよび第2方向yに複数連なったものである。まず、第1面10Aから第2面81Bにかけて貫通する複数のスリット811を抵抗体81に形成する。複数のスリット811が、抵抗器A10の複数のスリット11に相当する。複数のスリット811は、ウエットエッチングにより形成される。次いで、第1面81Aに基材82を積層プレスにより熱圧着させる。第1面81Aに基材82を圧着させると、厚さ方向zにおいて複数のスリット811に基材82の一部が入り込む。最後に、第2面10Bに抵抗体81の抵抗値を測定するためのプローブを接触させた状態で、第2面10Bから凹む複数の溝812を抵抗体81に形成する。複数の溝812が、抵抗器A10の複数の溝12に相当する。複数の溝12は、たとえばレーザ照射により形成される。抵抗体81の抵抗値が所定の値になったとき、複数の溝812の形成を終了する。
 次いで、図12に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う保護膜30を形成する。保護膜30は、エポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面に塗布した後、当該材料を熱硬化させることにより形成される。
 次いで、図13に示すように、抵抗体81の第2面81B、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面、および保護膜30のそれぞれ一部ずつを覆う一対の中間層40を形成する。一対の中間層40は、銀粒子およびエポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81B、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面、および保護膜30に塗布した後、当該材料を熱硬化させることにより形成される。
 次いで、図14に示すように、抵抗体81および基材82を切断線CLに沿ってダイシングブレードで切断することにより、保護膜30および一対の中間層40を含む個片に分割する。当該個片が、一対の電極50を除く抵抗器A10の構成要素となる。すなわち、個片に分割された抵抗体81が、抵抗器A10の抵抗体10となる。あわせて、個片に分割された基材82が、抵抗器A10の絶縁板20となる。抵抗体10の一対の第1端面10C、および絶縁板20の一対の第2端面20Aは、本工程において形成される抵抗体81および基材82の切断面である。
 最後に、図15に示すように、抵抗体10に接する一対の電極50を形成する。一対の電極50は、銅層、ニッケル層、錫層の順に、それぞれ電解バレルめっきを施すことにより形成される。一対の中間層40の各々は、一対の電極50の底部51のいずれかに覆われる。一対の電極50の底部51の各々は、抵抗体10の第2面10Bの露出領域13と、保護膜30とに接する。あわせて、抵抗体10の一対の第1端面10Cの各々と、絶縁板20の一対の第2端面20Aの各々の一部とは、一対の電極50の側部52のいずれかに覆われる。次いで、温度170℃、かつ2時間の条件下で、一対の電極50を熱処理させる。これにより、一対の電極50の底部51の各々と、抵抗体10との結合性が向上する。以上の工程を経ることによって、抵抗器A10が製造される。
 次に、抵抗器A10の作用効果について説明する。
 抵抗器A10においては、一対の電極50の底部51は、厚さ方向zに沿って視て保護膜30の一部に重なっている。抵抗器A10は、保護膜30の一部を覆う被覆部41を有し、かつ第1方向xにおいて互いに離間した一対の中間層40を備える。一対の中間層40は、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。一対の中間層40の被覆部41の各々は、保護膜30と、一対の電極50の底部51のいずれかとの間に位置する。図15に示す工程において説明したとおり、一対の電極50は電解バレルめっきにより形成されるため、これにより一対の電極50の底部51の各々と、一対の中間層40の被覆部41のいずれかとの結合性は良好なものとなる。あわせて、抵抗器A10の使用の際、一対の電極50の底部51の各々と、一対の中間層40の被覆部41のいずれかとの界面に作用する熱応力は、当該被覆部41により緩和される。これにより、一対の中間層40の被覆部41の各々と、保護膜30との界面に伝達される当該熱応力が低減される。よって、当該熱応力の影響により、一対の中間層40の被覆部41が保護膜30から剥離することが抑止される。したがって、抵抗器A10によれば、厚さ方向zに沿って視て、保護膜30に重なる一対の電極50の部分(底部51)が剥離することを抑止可能となる。
 保護膜30は、合成樹脂を含む材料からなる。これにより、保護膜30および一対の中間層40は、ともに同種材料を含む構成となるため、保護膜30と、一対の中間層40の被覆部41との結合性を向上させることができる。
 一対の中間層40には、金属粒子が含有されている。これにより、一対の中間層40が合成樹脂を含む材料からなる場合であっても、導電性を有する物性とすることができる。あわせて、当該金属粒子は、銀を含む。図15に示す工程において説明したとおり、電解バレルめっきにより形成された一対の電極50は、所定の条件下にて熱処理される。銀は比較的、熱酸化されにくい物性を有する。したがって、一対の電極50の底部51の各々と、一対の中間層40のいずれかとの結合性を向上させることができる。
 一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率よりも大である。これにより、抵抗器A10の使用の際、抵抗体10を流れる電流が一対の中間層40には流れにくくなる。したがって、一対の中間層40の影響による抵抗器A10の抵抗値の変動を抑制することができる。
 保護膜30には、セラミックスを含む材料からなるフィラー31が含有されている。これにより、保護膜30の機械的強度を増加させることができる。さらに、当該セラミックスとして、アルミナや窒化ホウ素など、熱伝導率が比較的大であるものを選択することにより、保護膜30の熱伝導率を高くすることができる。これにより、抵抗器A10の放熱性を、より向上させることができる。
 絶縁板20は、合成樹脂を含む材料からなる。これにより、図11に示す工程において、抵抗体81の第1面81Aに基材82を、積層プレスにより熱圧着させることができる。また、抵抗体10は、第1面10Aから第2面10Bにかけて貫通する複数のスリット11を有する。絶縁板20の一部が、厚さ方向zにおいて複数のスリット11に入り込んでいる。これにより、抵抗体10に対して絶縁板20に投錨効果(アンカー効果)が生じるため、抵抗体10と絶縁板20との結合性を向上させることができる。さらに、複数のスリット11の各々は、第1方向xに離間した一対の側壁111を有する。一対の側壁111の各々は、第1方向xに向けて凹状である部分を有する。これにより、抵抗体10に対する絶縁板20の投錨効果が高まるため、抵抗体10と絶縁板20との結合性を、より向上させることができる。
 抵抗体10は、第2面10Bから凹み、かつ所定の方向に延びる複数の溝12を有する。保護膜30は、複数の溝12と噛み合っている。これにより、抵抗体10に対して保護膜30に投錨効果が生じるため、抵抗体10と保護膜30との結合性を向上させることができる。
 絶縁板20は、第1方向xにおいて互いに反対側を向き、かつ第1方向xにおいて互いに離間した一対の第2端面20Aを有する。一対の電極50の側部52の各々は、一対の第2端面20Aのいずれかに接している。これにより、一対の電極50の側部52の各々の厚さ方向zの寸法を、より長くすることができる。抵抗器A10を配線基板に実装した際、一対の電極50の側部52の各々には、はんだフィレットが形成される。したがって、本構成により、はんだフィレットの体積がより拡大するため、配線基板に対する抵抗器A10の実装性を、より向上させることができる。
 保護膜30は、厚さ方向zに沿って視て抵抗体10の一対の第1端面10Cよりも第1方向xの内方に位置する。一対の電極50の底部51の各々は、厚さ方向zに沿って視て一対の第1端面10Cのいずれかと、保護膜30との間に位置する抵抗体10の第2面10Bの露出領域13に接している。これにより、抵抗器A10の使用の際、抵抗体10を流れる電流は、露出領域13から一対の電極50の底部51に流れやすくなる。したがって、抵抗器A10における電流経路の長さが短縮されるため、一対の電極50の影響による抵抗器A10の抵抗値の変動を抑制することができる。
 一対の中間層40の延伸部42の各々には、抵抗体10の一対の第1端面10Cのいずれかから第1方向xに向けて凹む凹部421が形成されている。凹部421から抵抗体10の第2面10Bの露出領域13が露出している。一対の電極50の底部51の各々は、露出領域13と、一対の中間層40の延伸部42のいずれかとの双方に接している。これにより、抵抗器A10の抵抗値の変動を抑制しつつ、一対の中間層40の各々に対する一対の電極50の底部51のいずれかとの接触面積の向上を図ることができる。
 〔第2実施形態〕
 図16~図18に基づき、本開示の第2実施形態にかかる抵抗器A20について説明する。これらの図において、先述した抵抗器A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図16は、理解の便宜上、一対の電極50を透過している。図16において透過した一対の電極50を想像線で示している。図17が示す断面位置は、図8が示す断面位置と同一である。
 抵抗器A20においては、保護膜30および一対の中間層40の構成が、先述した抵抗器A10におけるこれらの構成と異なる。
 図16および図17に示すように、一対の中間層40の各々は、第1層40Aおよび第2層40Bを含む。第1層40Aは、延伸部42を有するとともに、抵抗体10の第2面10Bと、第2面10Bと同じ側を向く絶縁板20の面との双方に接している。第1層40Aの厚さ方向zの寸法は、全体にわたって略均一である。第2層40Bは、被覆部41を有する。第2層40Bは、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかにつながっている。第2層40Bは、当該第1層40Aの一部に覆い被さった構成となっている。
 図18に示すように、一対の中間層40の第1層40Aの各々は、延伸部42から保護膜30に向けて延びる介在部43を有する。介在部43は、抵抗体10と保護膜30との間に位置する部分を含む。これにより、保護膜30の第1方向xの両端の各々は、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかに覆い被さった構成となっている。抵抗器A20においては、介在部43は、抵抗体10および保護膜30の双方に接している。
 次に、図11、図14、図15、および図19~図21に基づき、抵抗器A20の製造方法の一例について説明する。ここで、図19~図21が示す断面位置は、図17が示す断面位置と同一である。
 最初に、図11に示すように、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く第1面81Aおよび第2面81Bを有する抵抗体81に、基材82を熱圧着させる。本工程は、抵抗器A10の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。
 次いで、図19に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う一対の中間層40の第1層40Aを形成する。一対の中間層40の第1層40Aは、銀粒子およびエポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81Bと、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面との双方に塗布する。この際、第1方向xにおいて互いに離間させた状態で当該材料を塗布する。その後、当該材料を熱硬化させることにより、一対の中間層40の第1層40Aが形成される。
 次いで、図20に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う保護膜30を形成する。まず、エポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面に塗布する。この際、当該材料の第1方向xの両端の各々が、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかに覆い被さるようにする。その後、当該材料を熱硬化させることにより、保護膜30が形成される。
 次いで、図21に示すように、保護膜30の一部を覆う一対の中間層40の第2層40Bを形成する。まず、銀粒子およびエポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により保護膜30に塗布する。この際、第1方向xにおいて互いに離間させた状態で当該材料を塗布する。あわせて、互いに離間させた当該材料の個々の部分が、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかの一部に覆い被さるようにする。その後、当該材料を熱硬化させることにより、一対の中間層40の第2層40Bが形成される。
 次いで、図14に示すように、抵抗体81および基材82を切断線CLに沿ってダイシングブレードで切断することにより、保護膜30および一対の中間層40(第1層40Aおよび第2層40B)を含む個片に分割する。本工程は、抵抗器A10の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。
 最後に、図15に示すように、抵抗体10に接する一対の電極50を形成する。本工程は、抵抗器A10の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。以上の工程を経ることによって、抵抗器A20が製造される。
 次に、抵抗器A20の作用効果について説明する。
 抵抗器A20においては、一対の電極50の底部51は、厚さ方向zに沿って視て保護膜30の一部に重なっている。抵抗器A20は、保護膜30の一部を覆う被覆部41を有し、かつ第1方向xにおいて互いに離間した一対の中間層40を備える。一対の中間層40は、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。一対の中間層40の被覆部41の各々は、保護膜30と、一対の電極50の底部51のいずれかとの間に位置する。したがって、抵抗器A20によっても、厚さ方向zに沿って視て、保護膜30に重なる一対の電極50の部分(底部51)が剥離することを抑止可能となる。
 抵抗器A20においては、一対の中間層40の各々は、第1層40Aおよび第2層40Bを含む。第1層40Aは、延伸部42を有する。第2層40Bは、被覆部41を有し、かつ一対の中間層40の第1層40Aのいずれかにつながっている。これにより、一対の中間層40の第1層40Aの各々の厚さ方向zの寸法を、全体にわたって略均一にすることができる。抵抗器A20においては、一対の中間層40の第1層40Aは、抵抗体10の第2面10Bに接している。したがって、一対の中間層40の第1層40Aの各々の厚さ方向zの寸法が全体にわたって略均一であると、一対の中間層40の影響による抵抗器A20の抵抗値の変動を、抵抗器A10の場合よりもさらに抑制することができる。
 一対の中間層40の第1層40Aの各々は、延伸部42から保護膜30に向けて延びる介在部43を有する。介在部43は、抵抗体10と保護膜30との間に位置する部分を含む。これにより、保護膜30に対する一対の中間層40の接触面積が増加する。したがって、保護膜30と一対の中間層40との接合性を、抵抗器A10の場合よりもさらに向上させることができる。
 〔第3実施形態〕
 図22~図31に基づき、本開示の第3実施形態にかかる抵抗器A30について説明する。これらの図において、先述した抵抗器A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図23は、理解の便宜上、絶縁板20を透過している。図25は、理解の便宜上、一対の電極50を透過している。図26は、理解の便宜上、一対の中間層40、および一対の電極50をそれぞれ透過している。これらの図において透過した一対の中間層40、および一対の電極50を想像線で示している。
 図29に示すように、抵抗器A30においては、抵抗体10は、第1面10A、第2面10B、および一対の第1端面10Cに加えて、一対の側面10Dをさらに有する。一対の側面10Dは、第2方向yにおいて互いに離間している。一対の側面10Dの各々は、第1面10Aおよび第2面10Bの双方につながっている。
 図23、図26および図29に示すように、抵抗器A30においては、抵抗体10は、一対の第1抵抗部101、第2抵抗部102、および一対の接続部103を含む。一対の第1抵抗部101は、第1方向xにおいて互いに離間している。第2抵抗部102は、一対の第1抵抗部101の間に位置する。第2抵抗部102の第1方向xの両端は、一対の第1抵抗部101につながっている。一対の接続部103は、第1方向xにおいて互いに離間している。一対の接続部103は、一対の第1抵抗部101につながっている。一対の接続部103は、抵抗体10において第1方向xの最も外方に位置する。一対の接続部103の各々は、一対の第1端面10Cのいずれかを含む。
 図23に示すように、一対の第1抵抗部101の各々の導電経路CPの最大幅w1maxは、第2抵抗部102の導電経路CPの最小幅w2minよりも小である。ここで、導電経路CPは、一対の電極50に所定の電位差を与えた際、抵抗体10を流れる電流の経路を指す。導電経路CPの幅は、厚さ方向zに沿って視て導電経路CPに対して直交する方向における抵抗体10の寸法を指す。
 図23および図26に示すように、複数のスリット11により、一対の側面10Dの各々は、その一部が開口している。複数のスリット11は、一対の第1抵抗部101に形成されている。複数のスリット11のうち、一対の電極50のいずれかから第1方向xにおいて最も離れて位置するスリット11の隣に、第2抵抗部102が位置する。あわせて、複数のスリット11のうち、一対の電極50のいずれかから第1方向xにおいて最も近くに位置するスリット11の隣に、一対の接続部103のいずれかが位置する。複数のスリット11が形成された抵抗体10の形状は、厚さ方向zに沿って視て点対称をなしている。この場合の点対称とは、図23に示す抵抗体10の中心Cを通過し、かつ第2方向yの延びる境界Bにより抵抗体10を2つに区分した際、一方の区分領域と、他方の区分領域とが中心Cに対して点対称の関係であることを指す。
 図26に示すように、複数の溝12は、第2抵抗部102に形成されている。複数の溝12は、第2抵抗部102に加えて、一対の第1抵抗部101に形成されていてもよい。
 図23、図25および図28に示すように、一対の接続部103の各々は、一対の突起14を有する。一対の突起14は、第2方向yにおいて互いに離間している。一対の突起14の各々は、一対の側面10Dのいずれかから第2方向yに向けて突出している。一対の突起14の各々は、一対の第1端面10Cのいずれかにつながっている。
 図22および図28に示すように、抵抗体10の第1面10Aと、抵抗体10の一対の側面10Dとは、絶縁板20に覆われている。
 抵抗器A30においては、一対の中間層40は、金属薄膜からなる。当該金属薄膜は、たとえばニッケル-クロム(Cr)合金からなる。
 図25に示すように、抵抗器A30においては、露出領域13は、厚さ方向zに沿って視て一対の第1端面10Cのいずれかと、当該第1端面10Cに最も近い一対の中間層40の延伸部42のいずれかとの間に位置する。
 図23および図29に示すように、一対の電極50の各々は、抵抗体10の一対の接続部103のいずれかに接している。これにより、一対の電極50は、抵抗体10に導通している。
 図23および図29に示すように、抵抗体10の一対の第1抵抗部101の各々は、厚さ方向zに沿って視て一対の電極50の底部51のいずれかに重なっている。一対の電極50の側部52の各々は、抵抗体10の一対の第1端面10Cのいずれかに接している。
 次に、図32~図37に基づき、抵抗器A30の製造方法の一例について説明する。ここで、図32~図36が示す断面位置は、図29が示す断面位置と同一である。
 最初に、図32に示すように、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く第1面81Aおよび第2面81Bを有する抵抗体81に、基材82を熱圧着させる。まず、第1面10Aから第2面81Bにかけて貫通する複数のスリット811を抵抗体81に形成する。複数のスリット811が、抵抗器A30の複数のスリット11に相当する。複数のスリット811は、ウエットエッチングにより形成される。次いで、第1面81Aに基材82を積層プレスにより熱圧着させる。第1面81Aに基材82を圧着させると、厚さ方向zにおいて複数のスリット811に基材82の一部が入り込む。最後に、第2面10Bに抵抗体81の抵抗値を測定するためのプローブを接触させた状態で、第2面10Bから凹む複数の溝812を抵抗体81に形成する。複数の溝812が、抵抗器A30の複数の溝12に相当する。複数の溝12は、たとえばレーザ照射により形成される。抵抗体81の抵抗値が所定の値になったとき、複数の溝812の形成を終了する。
 次いで、図33に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う保護膜30を形成する。保護膜30は、エポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面に塗布した後、当該材料を熱硬化させることにより形成される。
 次いで、図34に示すように、抵抗体81の第2面81B、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面、および保護膜30の全体を覆う金属薄膜83を形成する。金属薄膜83の形成にあたっては、まず、抵抗体81の第2面81B、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面、および保護膜30のそれぞれ一部ずつを覆うマスク層89を形成する。マスク層89は、スクリーン印刷により形成される。マスク層89を形成した後、金属薄膜83を形成する。金属薄膜83は、ニッケル-クロム合金からなる。金属薄膜83は、スパッタリング法により形成される。本工程において、マスク層89は、金属薄膜83に覆われる。
 次いで、図35に示すように、マスク層89と、マスク層89を覆う金属薄膜83の一部を除去(リフトオフ)する。本工程により、抵抗体81の第2面81B、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面、および保護膜30のそれぞれ一部ずつを覆う一対の中間層40が形成される。すなわち、一対の中間層40は、保護膜30などに残存した金属薄膜83により構成される。
 次いで、図36に示すように、抵抗体81および基材82を切断線CLに沿ってダイシングブレードで切断することにより、保護膜30および一対の中間層40を含む個片に分割する。当該個片が、一対の電極50を除く抵抗器A30の構成要素となる。すなわち、個片に分割された抵抗体81が、抵抗器A30の抵抗体10となる。あわせて、個片に分割された基材82が、抵抗器A30の絶縁板20となる。抵抗体10の一対の第1端面10C、および絶縁板20の一対の第2端面20Aは、本工程において形成される抵抗体81および基材82の切断面である。
 最後に、図37に示すように、抵抗体10に接する一対の電極50を形成する。一対の電極50は、銅層、ニッケル層、錫層の順に、それぞれ電解バレルめっきを施すことにより形成される。一対の中間層40の各々は、一対の電極50の底部51のいずれかに覆われる。一対の電極50の底部51の各々は、抵抗体10の第2面10Bの露出領域13と、保護膜30とに接する。あわせて、抵抗体10の一対の第1端面10Cの各々と、絶縁板20の一対の第2端面20Aの各々の一部とは、一対の電極50の側部52のいずれかに覆われる。次いで、温度170℃、かつ2時間の条件下で、一対の電極50を熱処理させる。これにより、一対の電極50の底部51の各々と、抵抗体10との結合性が向上する。以上の工程を経ることによって、抵抗器A30が製造される。
 〔第3実施形態の変形例〕
 図38および図39に基づき、本開示の第3実施形態の変形例にかかる抵抗器A31について説明する。抵抗器A31は、抵抗体10の構成が、先述した抵抗器A30における本構成と異なる。ここで、図38は、理解の便宜上、絶縁板20を透過している。
 図38および図39に示すように、抵抗器A31の抵抗体10は、複数の補助スリット15を有する。複数の補助スリット15は、複数のスリット11、および複数の溝12とともに、抵抗体10の抵抗値を所定の値に調整するために設けられている。複数の補助スリット15の各々は、第1面10Aから第2面10Bにかけて抵抗体10を貫通している。複数の補助スリット15の各々は、第2方向yに延びている。複数の補助スリット15により、一対の側面10Dの各々は、その一部が開口している。複数の補助スリット15は、第2抵抗部102に形成されている。複数の補助スリット15の各々の長さ(第2方向yの寸法)は、複数のスリット11の各々の長さ(第2方向yの寸法)よりも小である。また、絶縁板20の一部が、厚さ方向zにおいて複数の補助スリット15に入り込んでいる。補助スリット15の数は、抵抗体10に求められる抵抗値に応じて自在に設定可能である。
 次に、抵抗器A30の作用効果について説明する。
 抵抗器A30においては、抵抗体10は、第1方向xにおいて互いに離間した一対の第1抵抗部101と、一対の第1抵抗部101の間に位置する第2抵抗部102とを含む。抵抗体10に接する一対の電極50の各々は、厚さ方向zにおいて抵抗体10に対して絶縁板20とは反対側に位置する底部51を有する。一対の第1抵抗部101の各々は、厚さ方向zに沿って視て一対の電極50の底部51のいずれかに重なっている。一対の第1抵抗部101の各々の導電経路CPの最大幅w1maxが、第2抵抗部102の導電経路CPの最小幅w2minよりも小である。これにより、第2抵抗部102の抵抗値は、一対の第1抵抗部101の各々の抵抗値よりも相対的に小となる。よって、抵抗器A30の使用の際、第2抵抗部102の発熱量を抑制することができる。一方、抵抗器A30の使用の際、一対の第1抵抗部101の各々から発生した熱は、一対の電極50の底部51を介して放出される。したがって、抵抗器A30によれば、抵抗器A30の使用の際、抵抗体10の温度上昇を一様に抑制することが可能となる。
 抵抗体10は、第1面10Aから第2面10Bにかけて貫通する複数のスリット11を有する。複数のスリット11の各々は、第2方向yに延びている。複数のスリット11は、一対の第1抵抗部101に形成されている。複数のスリット11のうち、一対の電極50のいずれかから第1方向xにおいて最も離れて位置するスリット11の隣に、第2抵抗部102が位置する。これにより、抵抗体10において一対の第1抵抗部101と、第2抵抗部102との区別は、複数のスリット11の形成の有無により判別することができる。
 抵抗器A31においては、抵抗体10は、第1面10Aから第2面10Bにかけて貫通し、かつ第2方向yに延びる補助スリット15を有する。補助スリット15は、第2抵抗部102に形成されている。これにより、抵抗体10に求められる抵抗値が比較的大である場合であっても、当該抵抗体10の抵抗値を設定することができる。また、補助スリット15の長さは、複数のスリット11の各々の長さよりも小である。これにより、抵抗体10が補助スリット15を有する場合であっても、第2抵抗部102の導電経路CPの最小幅w2minが、一対の第1抵抗部101の各々の導電経路CPの最大幅w1max未満となることを回避できる。
 抵抗体10の形状は、厚さ方向zに沿って視て点対称をなしている。これにより、一対の電極50の極性にかかわらず、抵抗体10の抵抗値は一定となる。したがって、抵抗器A30を配線基板に実装する際、一対の電極50の極性を確認する必要がなくなる。
 抵抗器A30は、抵抗体10の第2面10Bに配置され、かつ電気絶縁性を有する保護膜30をさらに備える。一対の電極50の底部51の各々は、厚さ方向zに沿って視て保護膜30の一部に重なる部分を含む。これにより、抵抗器A30を配線基板に実装する際、はんだ接合の影響による一対の電極50の短絡を防止できる。あわせて、一対の電極50の当該短絡が発生しない範囲内で一対の電極50の底部51の各々の表面積をできるだけ大にすることにより、抵抗器A30の放熱性を、より向上させることができる。
 抵抗器A30は、保護膜30の一部を覆う被覆部41を有し、かつ第1方向xにおいて互いに離間した一対の中間層40をさらに備える。一対の中間層40は、抵抗体10に導通している。抵抗器A30においては、一対の中間層40は、金属薄膜からなる。一対の中間層40の被覆部41の各々は、保護膜30と、一対の電極50の底部51のいずれかとの間に位置する。これにより、保護膜30の一部を覆う一対の電極50の底部51を、図37に示す工程において電解バレルめっきにより形成することができる。
 一対の接続部103の各々は、一対の第1端面10Cのいずれかから第2方向yに向けて突出する突起14を有する。突起14は、一対の第1端面10Cのいずれかにつながっている。これにより、図36に示す工程において、突起14を目標として切断線CLを設定することができる。また、突起14により露出領域13の面積が拡大される。これにより、一対の電極50の底部51と、抵抗体10との結合性を向上させることができる。図37に示す工程において電解バレルめっきにより一対の電極50を形成する際、当該結合性の向上により、一対の電極50の底部51に欠損が発生しにくくなる。
 〔第4実施形態〕
 図40~図44に基づき、本開示の第4実施形態にかかる抵抗器A40について説明する。これらの図において、先述した抵抗器A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図40は、理解の便宜上、絶縁板20を透過している。図41は、理解の便宜上、一対の電極50を透過している。図41において透過した一対の電極50を想像線で示している。
 抵抗器A40においては、保護膜30および一対の中間層40の構成が、先述した抵抗器A30におけるこれらの構成と異なる。
 抵抗器A40においては、一対の中間層40は、導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなる。一対の中間層40には、金属粒子が含有されている。当該金属粒子は、銀を含む。抵抗器A40が示す例においては、一対の中間層40に含まれる合成樹脂は、エポキシ樹脂である。一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率の約10倍である。したがって、一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率よりも大である。
 図40、図41および図43に示すように、一対の中間層40の各々は、第1層40Aおよび第2層40Bを含む。第1層40Aは、延伸部42を有するとともに、抵抗体10の第2面10Bと、第2面10Bと同じ側を向く絶縁板20の面との双方に接している。第1層40Aの厚さ方向zの寸法は、全体にわたって略均一である。第2層40Bは、被覆部41を有する。第2層40Bは、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかにつながっている。第2層40Bは、当該第1層40Aの一部に覆い被さった構成となっている。
 図41および図42に示すように、一対の中間層40の延伸部42の各々には、凹部421が形成されている。凹部421は、一対の第1端面10Cのいずれかから第1方向xに向けて凹んでいる。厚さ方向zに沿って視て、凹部421は、矩形状である。凹部421から、第2面10Bの露出領域13が露出している。
 図44に示すように、一対の中間層40の第1層40Aの各々は、延伸部42から保護膜30に向けて延びる介在部43を有する。介在部43は、抵抗体10と保護膜30との間に位置する部分を含む。これにより、保護膜30の第1方向xの両端の各々は、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかに覆い被さった構成となっている。抵抗器A40においては、介在部43は、抵抗体10および保護膜30の双方に接している。
 次に、図32、図36、図37、および図45~図47に基づき、抵抗器A40の製造方法の一例について説明する。ここで、図45~図47が示す断面位置は、図43が示す断面位置と同一である。
 最初に、図32に示すように、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く第1面81Aおよび第2面81Bを有する抵抗体81に、基材82を熱圧着させる。本工程は、抵抗器A30の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。
 次いで、図45に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う一対の中間層40の第1層40Aを形成する。一対の中間層40の第1層40Aは、銀粒子およびエポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81Bと、第2面81Bと同じ側を向く基材82の面との双方に塗布する。この際、第1方向xにおいて互いに離間させた状態で当該材料を塗布する。その後、当該材料を熱硬化させることにより、一対の中間層40の第1層40Aが形成される。
 次いで、図46に示すように、抵抗体81の第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面のそれぞれ一部ずつを覆う保護膜30を形成する。まず、エポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により第2面81B、および第2面81Bと同じ側を向く基材82の面に塗布する。この際、当該材料の第1方向xの両端の各々が、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかに覆い被さるようにする。その後、当該材料を熱硬化させることにより、保護膜30が形成される。
 次いで、図47に示すように、保護膜30の一部を覆う一対の中間層40の第2層40Bを形成する。まず、銀粒子およびエポキシ樹脂を含む材料をスクリーン印刷により保護膜30に塗布する。この際、第1方向xにおいて互いに離間させた状態で当該材料を塗布する。あわせて、互いに離間させた当該材料の個々の部分が、一対の中間層40の第1層40Aのいずれかの一部に覆い被さるようにする。その後、当該材料を熱硬化させることにより、一対の中間層40の第2層40Bが形成される。
 次いで、図36に示すように、抵抗体81および基材82を切断線CLに沿ってダイシングブレードで切断することにより、保護膜30および一対の中間層40(第1層40Aおよび第2層40B)を含む個片に分割する。本工程は、抵抗器A30の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。
 最後に、図37に示すように、抵抗体10に接する一対の電極50を形成する。本工程は、抵抗器A30の製造方法にかかる工程と同一であるため、ここでの説明は省略する。以上の工程を経ることによって、抵抗器A40が製造される。
 次に、抵抗器A40の作用効果について説明する。
 抵抗器A40においては、抵抗体10は、第1方向xにおいて互いに離間した一対の第1抵抗部101と、一対の第1抵抗部101の間に位置する第2抵抗部102とを含む。抵抗体10に接する一対の電極50の各々は、厚さ方向zにおいて抵抗体10に対して絶縁板20とは反対側に位置する底部51を有する。一対の第1抵抗部101の各々は、厚さ方向zに沿って視て一対の電極50の底部51のいずれかに重なっている。一対の第1抵抗部101の各々の導電経路CPの最大幅w1maxが、第2抵抗部102の導電経路CPの最小幅w2minよりも小である。したがって、抵抗器A40によっても、抵抗器A40の使用の際、抵抗体10の温度上昇を一様に抑制することが可能となる。
 抵抗器A40においては、一対の中間層40は、金属粒子が含有された合成樹脂を含む材料からなる。これにより、保護膜30および一対の中間層40は、ともに同種材料を含む構成となるため、保護膜30と、一対の中間層40の被覆部41との結合性を向上させることができる。また、一対の中間層40の物性が導電性を有するものとなるため、一対の中間層40を抵抗体10に導通させることができる。
 抵抗器A40においては、一対の中間層40の電気抵抗率は、抵抗体10の電気抵抗率よりも大である。これにより、抵抗器A40の使用の際、抵抗体10を流れる電流が一対の中間層40には流れにくくなる。したがって、一対の中間層40の影響による抵抗器A40の抵抗値の変動を抑制することができる。
 本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
 本開示における種々の実施形態は、以下の付記として規定しうる。
 付記1A.厚さ方向において互いに反対側を向く第1面および第2面を有する抵抗体と、
 前記第1面に配置された絶縁板と、
 前記第2面に配置された保護膜と、
 前記厚さ方向に対して直交する第1方向において互いに離間して配置され、かつ前記抵抗体に接する一対の電極と、を備え、
 前記一対の電極の各々は、前記厚さ方向において前記抵抗体に対して前記絶縁板とは反対側に位置する底部を有し、
 前記一対の電極の前記底部は、前記厚さ方向に沿って視て前記保護膜の一部に重なり、
 導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなるとともに、前記第1方向において互いに離間した一対の中間層をさらに備え、
 前記一対の中間層の各々は、前記保護膜の一部を覆う被覆部を有し、
 前記一対の中間層の前記被覆部の各々は、前記保護膜と、前記一対の電極の前記底部のいずれかと、の間に位置する、抵抗器。
 付記2A.前記保護膜は、合成樹脂を含む材料からなり、
 前記一対の中間層には、金属粒子が含有されている、付記1Aに記載の抵抗器。
 付記3A.前記金属粒子は、銀を含む、付記2Aに記載の抵抗器。
 付記4A.前記一対の中間層の電気抵抗率は、前記抵抗体の電気抵抗率よりも大である、付記2Aまたは3Aに記載の抵抗器。
 付記5A.前記保護膜には、セラミックスを含む材料からなるフィラーが含有されている、付記2Aないし4Aのいずれかに記載の抵抗器。
 付記6A.前記抵抗体は、金属板からなり、
 前記抵抗体は、前記第1面から前記第2面にかけて貫通するスリットを有し、
 前記スリットは、前記厚さ方向および前記第1方向の双方に対して直交する第2方向に延びている、付記2Aないし5Aのいずれかに記載の抵抗器。
 付記7A.前記絶縁板は、合成樹脂を含む材料からなり、
 前記絶縁板の一部が、前記厚さ方向において前記スリットに入り込んでいる、付記6Aに記載の抵抗器。
 付記8A.前記スリットは、前記第1方向に離間した一対の側壁を有し、
 前記一対の側壁の各々は、前記第1方向に向けて凹状である部分を含む、付記7Aに記載の抵抗器。
 付記9A.前記抵抗体は、前記第2面から凹み、かつ所定の方向に延びる複数の溝を有し、
 前記保護膜は、前記複数の溝と噛み合っている、付記6Aないし8Aのいずれかに記載の抵抗器。
 付記10A.前記抵抗体は、前記第1面および前記第2面の双方につながり、かつ前記第1方向において互いに離間した一対の第1端面を有し、
 前記一対の電極の各々は、前記一対の電極の前記底部のいずれかにつながり、かつ前記厚さ方向に起立する側部を有し、
 前記一対の電極の前記側部の各々は、前記一対の第1端面のいずれかに接している、付記6Aないし9Aのいずれかに記載の抵抗器。
 付記11A.前記絶縁板は、前記第1方向において互いに反対側を向き、かつ互いに離間した一対の第2端面を有し、
 前記一対の電極の前記側部の各々は、前記一対の第2端面のいずれかに接している、付記10Aに記載の抵抗器。
 付記12A.前記一対の第2端面の各々は、前記一対の第1端面のいずれかと面一である、付記11Aに記載の抵抗器。
 付記13A.前記保護膜は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の第1端面よりも前記第1方向の内方に位置し、
 前記第2面は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の第1端面のいずれかと、前記保護膜と、の間に位置し、かつ前記一対の中間層に覆われていない露出領域を含み、
 前記一対の電極の前記底部の各々は、前記露出領域に接している、付記10Aないし12Aのいずれかに記載の抵抗器。
 付記14A.前記一対の中間層の各々は、前記一対の中間層の前記被覆部のいずれかから前記一対の第1端面のいずれかにかけて延びる延伸部を有し、
 前記延伸部は、前記第2面に接し、
 前記一対の電極の前記底部の各々は、前記一対の中間層の前記延伸部のいずれかに接している、付記13Aに記載の抵抗器。
 付記15A.前記一対の中間層の前記延伸部の各々には、前記一対の第1端面のいずれかから前記第1方向に向けて凹む凹部が形成され、
 前記凹部から前記露出領域が露出している、付記14Aに記載の抵抗器。
 付記16A.前記一対の中間層の各々は、第1層および第2層を含み、
 前記第1層は、前記延伸部を有し、
 前記第2層は、前記被覆部を有し、かつ前記一対の中間層の前記第1層のいずれかにつながっている、付記14Aまたは15Aに記載の抵抗器。
 付記17A.前記一対の中間層の前記第1層の各々は、前記延伸部から前記保護膜に向けて延びる介在部を有し、
 前記介在部は、前記抵抗体と前記保護膜との間に位置する部分を含む、付記16Aに記載の抵抗器。
 付記1B.厚さ方向を向く第1面を有する抵抗体と、
 前記第1面に配置された絶縁板と、
 前記厚さ方向に対して直交する第1方向において互いに離間して配置され、かつ前記抵抗体に接する一対の電極と、を備え、
 前記一対の電極の各々は、前記厚さ方向において前記抵抗体に対して前記絶縁板とは反対側に位置する底部を有し、
 前記抵抗体は、前記第1方向において互いに離間した一対の第1抵抗部と、前記一対の第1抵抗部の間に位置する第2抵抗部と、前記一対の電極に接し、かつ前記一対の第1抵抗部につながる一対の接続部と、を含み、
 前記一対の第1抵抗部の各々は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の電極の前記底部のいずれかに重なり、
 前記一対の第1抵抗部の各々の導電経路の最大幅が、前記第2抵抗部の前記導電経路の最小幅よりも小である、抵抗器。
 付記2B.前記抵抗体は、前記第1面とは反対側を向く第2面を有し、
 前記抵抗体は、前記第1面から前記第2面にかけて貫通し、かつ前記厚さ方向および前記第1方向の双方に対して直交する第2方向に延びる複数のスリットを有し、
 前記複数のスリットは、前記一対の第1抵抗部に形成され、
 前記複数のスリットのうち、前記一対の電極のいずれかから前記第1方向において最も離れて位置するものの隣に、前記第2抵抗部が位置する、付記1Bに記載の抵抗器。
 付記3B.前記抵抗体は、前記第1面から前記第2面にかけて貫通し、かつ前記第2方向に延びる補助スリットを有し、
 前記補助スリットは、前記第2抵抗部に形成され、
 前記補助スリットの長さは、前記複数のスリットの各々の長さよりも小である、付記2Bに記載の抵抗器。
 付記4B.前記抵抗体の形状は、前記厚さ方向に沿って視て点対称をなしている、付記2Bまたは3Bに記載の抵抗器。
 付記5B.前記抵抗体は、前記第1面および前記第2面の双方につながり、かつ前記第1方向において互いに離間した一対の端面を有し、
 前記一対の電極の各々は、前記一対の電極の前記底部のいずれかにつながり、かつ前記厚さ方向に起立する側部を有し、
 前記一対の電極の前記側部の各々は、前記一対の端面のいずれかに接している、付記2Bないし4Bのいずれかに記載の抵抗器。
 付記6B.前記一対の電極の前記側部の各々は、前記絶縁板に接している、付記5Bに記載の抵抗器。
 付記7B.前記抵抗体は、前記第1面および前記第2面の双方につながり、かつ前記第2方向において互いに離間した一対の側面を有し、
 前記絶縁板は、合成樹脂を含む材料からなり、
 前記一対の側面は、前記絶縁板に覆われている、付記5Bまたは6Bに記載の抵抗器。
 付記8B.前記絶縁板の一部が、前記厚さ方向において前記複数のスリットに入り込んでいる、付記7Bに記載の抵抗器。
 付記9B.前記複数のスリットの各々は、前記第1方向において互いに離間した一対の側壁を有し、
 前記一対の側壁の各々は、前記第1方向に向けて凹む部分を含む、付記8Bに記載の抵抗器。
 付記10B.前記一対の接続部の各々は、前記一対の側面のいずれかから前記第2方向に向けて突出する突起を有し、
 前記突起は、前記一対の端面のいずれかにつながっている、付記7Bないし9Bのいずれかに記載の抵抗器。
 付記11B.前記第2面に配置された保護膜をさらに備え、
 前記保護膜は、合成樹脂を含む材料からなり、
 前記一対の電極の前記底部の各々は、前記厚さ方向に沿って視て前記保護膜の一部に重なる部分を含む、付記5Bないし10Bのいずれかに記載の抵抗器。
 付記12B.前記保護膜には、セラミックスを含む材料からなるフィラーが含有されている、付記11Bに記載の抵抗器。
 付記13B.前記抵抗体は、前記第2面から凹み、かつ所定の方向に延びる複数の溝を有し、
 前記保護膜は、前記複数の溝と噛み合っている、付記11Bまたは12Bに記載の抵抗器。
 付記14B.前記保護膜の一部を覆う被覆部を有し、かつ前記第1方向において互いに離間した一対の中間層をさらに備え、
 前記一対の中間層は、前記抵抗体に導通し、
 前記一対の中間層の前記被覆部の各々は、前記保護膜と、前記一対の電極の前記底部のいずれかと、の間に位置する、付記11Bないし13Bのいずれかに記載の抵抗器。
 付記15B.前記保護膜は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の端面よりも前記第1方向の内方に位置し、
 前記第2面は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の端面のいずれかと、前記保護膜と、の間に位置し、かつ前記一対の中間層に覆われていない露出領域を含み、
 前記一対の電極の前記底部の各々は、前記露出領域に接している、付記14Bに記載の抵抗器。
 付記16B.前記一対の中間層は、金属薄膜からなる、付記15Bに記載の抵抗器。
 付記17B.前記一対の中間層は、金属粒子が含有された合成樹脂を含む材料からなり、
 前記一対の中間層の電気抵抗率は、前記抵抗体の電気抵抗率よりも大である、付記15Bに記載の抵抗器。

Claims (17)

  1.  厚さ方向において互いに反対側を向く第1面および第2面を有する抵抗体と、
     前記第1面に配置された絶縁板と、
     前記第2面に配置された保護膜と、
     前記厚さ方向に対して直交する第1方向において互いに離間して配置され、かつ前記抵抗体に接する一対の電極と、を備え、
     前記一対の電極の各々は、前記厚さ方向において前記抵抗体に対して前記絶縁板とは反対側に位置する底部を有し、
     前記一対の電極の前記底部は、前記厚さ方向に沿って視て前記保護膜の一部に重なり、
     導電性を有し、かつ合成樹脂を含む材料からなるとともに、前記第1方向において互いに離間した一対の中間層をさらに備え、
     前記一対の中間層の各々は、前記保護膜の一部を覆う被覆部を有し、
     前記一対の中間層の前記被覆部の各々は、前記保護膜と、前記一対の電極の前記底部のいずれかと、の間に位置する、抵抗器。
  2.  前記保護膜は、合成樹脂を含む材料からなり、
     前記一対の中間層には、金属粒子が含有されている、請求項1に記載の抵抗器。
  3.  前記金属粒子は、銀を含む、請求項2に記載の抵抗器。
  4.  前記一対の中間層の電気抵抗率は、前記抵抗体の電気抵抗率よりも大である、請求項2または3に記載の抵抗器。
  5.  前記保護膜には、セラミックスを含む材料からなるフィラーが含有されている、請求項2ないし4のいずれかに記載の抵抗器。
  6.  前記抵抗体は、金属板からなり、
     前記抵抗体は、前記第1面から前記第2面にかけて貫通するスリットを有し、
     前記スリットは、前記厚さ方向および前記第1方向の双方に対して直交する第2方向に延びている、請求項2ないし5のいずれかに記載の抵抗器。
  7.  前記絶縁板は、合成樹脂を含む材料からなり、
     前記絶縁板の一部が、前記厚さ方向において前記スリットに入り込んでいる、請求項6に記載の抵抗器。
  8.  前記スリットは、前記第1方向に離間した一対の側壁を有し、
     前記一対の側壁の各々は、前記第1方向に向けて凹状である部分を含む、請求項7に記載の抵抗器。
  9.  前記抵抗体は、前記第2面から凹み、かつ所定の方向に延びる複数の溝を有し、
     前記保護膜は、前記複数の溝と噛み合っている、請求項6ないし8のいずれかに記載の抵抗器。
  10.  前記抵抗体は、前記第1面および前記第2面の双方につながり、かつ前記第1方向において互いに離間した一対の第1端面を有し、
     前記一対の電極の各々は、前記一対の電極の前記底部のいずれかにつながり、かつ前記厚さ方向に起立する側部を有し、
     前記一対の電極の前記側部の各々は、前記一対の第1端面のいずれかに接している、請求項6ないし9のいずれかに記載の抵抗器。
  11.  前記絶縁板は、前記第1方向において互いに反対側を向き、かつ互いに離間した一対の第2端面を有し、
     前記一対の電極の前記側部の各々は、前記一対の第2端面のいずれかに接している、請求項10に記載の抵抗器。
  12.  前記一対の第2端面の各々は、前記一対の第1端面のいずれかと面一である、請求項11に記載の抵抗器。
  13.  前記保護膜は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の第1端面よりも前記第1方向の内方に位置し、
     前記第2面は、前記厚さ方向に沿って視て前記一対の第1端面のいずれかと、前記保護膜と、の間に位置し、かつ前記一対の中間層に覆われていない露出領域を含み、
     前記一対の電極の前記底部の各々は、前記露出領域に接している、請求項10ないし12のいずれかに記載の抵抗器。
  14.  前記一対の中間層の各々は、前記一対の中間層の前記被覆部のいずれかから前記一対の第1端面のいずれかにかけて延びる延伸部を有し、
     前記延伸部は、前記第2面に接し、
     前記一対の電極の前記底部の各々は、前記一対の中間層の前記延伸部のいずれかに接している、請求項13に記載の抵抗器。
  15.  前記一対の中間層の前記延伸部の各々には、前記一対の第1端面のいずれかから前記第1方向に向けて凹む凹部が形成され、
     前記凹部から前記露出領域が露出している、請求項14に記載の抵抗器。
  16.  前記一対の中間層の各々は、第1層および第2層を含み、
     前記第1層は、前記延伸部を有し、
     前記第2層は、前記被覆部を有し、かつ前記一対の中間層の前記第1層のいずれかにつながっている、請求項14または15に記載の抵抗器。
  17.  前記一対の中間層の前記第1層の各々は、前記延伸部から前記保護膜に向けて延びる介在部を有し、
     前記介在部は、前記抵抗体と前記保護膜との間に位置する部分を含む、請求項16に記載の抵抗器。
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