WO2020138194A1

WO2020138194A1 - 電波吸収体

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Publication number: WO2020138194A1
Application number: PCT/JP2019/050884
Authority: WO
Inventors: 勝紀武藤; 幸子中尾; 林　秀樹
Original assignee: 積水化学工業株式会社
Priority date: 2018-12-25
Filing date: 2019-12-25
Publication date: 2020-07-02
Also published as: JPWO2020138194A1; EP3905439A1; US20220071071A1; JP2021103785A; JP6901629B2; EP3905439A4; CN113273034A

Abstract

斜め入射、特に、７９ＧＨｚ付近の電波の斜め入射に対する電波吸収性が良好な電波吸収体を提供することを課題とし、該課題を（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、電波吸収体、により解決する。

Description

電波吸収体

　本発明は、電波吸収体等に関する。

　近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになり、これらから発生する電波・ノイズを原因とする電波障害、他の電子機器の誤動作等の問題が多発している。このような電波障害、誤動作等を防止する方策として、各種の電波吸収体が検討されている。例えば、特許文献１には、６０～９０ＧＨｚの周波数帯域において、電磁波吸収量が２０ｄＢ以上である周波数帯域の帯域幅が２ＧＨｚ以上である電磁波吸収体が開示されている。

特開第２０１８－０９８３６７号公報

　電波吸収体の用途によっては、電波吸収体を電波が法線方向から入射するように配置できない場合がある。このような場合には、斜め入射に対する電波吸収性が重要となる。本発明者はこの点に着目して研究を進めていたところ、従来の電波吸収体では、法線方向から入射する電波には対応できるが、斜め入射の電波を十分に吸収することができないことを見出した。

　そこで、本発明は、斜め入射に対する電波吸収性が良好な電波吸収体を提供することを課題とする。特に、７９ＧＨｚ付近の電波の斜め入射に対する電波吸収性が良好な電波吸収体を提供することを課題とする。

　本発明者は、研究を進める中で、４５度入射時の特性を最適化することにより、様々な角度からの入射に対して良好な電波吸収性を発揮することを見出した。そして、この知見に基づいて一層鋭意研究を進めた結果、本発明者は、（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、電波吸収体、であれば、上記課題を解決できることを見出した。本発明者はこの知見に基づいてさらに研究を進めた結果、本発明を完成させた。

　即ち、本発明は、下記の態様を包含する。

　項１．　（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は
（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、
電波吸収体。

　項２．　抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する、項１に記載の電波吸収体。

　項３．　前記特性Ａを備え、且つ前記抵抗膜の抵抗値が１７５～３６０Ω／□である、項２記載の電波吸収体。

　項４．　前記特性Ｂを備え、且つ前記抵抗膜の抵抗値が３５５～６９０Ω／□である、項２記載の電波吸収体。

　項５．　前記特性Ａを備え、且つ式（１Ａ）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、項２又は３に記載の電波吸収体。

　項６．　前記特性Ｂを備え、且つ式（１Ｂ）：６８２≦ｄ×√ε≦９６０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、項２又は４に記載の電波吸収体。

　項７．　前記誘電体層の比誘電率が１～１０である、項２～６のいずれかに記載の電波吸収体。

　項８．　前記抵抗膜がバリア層を含む、項２～７のいずれかに記載の電波吸収体。

　項９．　前記抵抗膜がモリブデンを含有する、項２～８のいずれかに記載の電波吸収体。

　項１０．　前記抵抗膜がさらにニッケル及びクロムを含有する、項９に記載の電波吸収体。

　項１１．　前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、項２～１０のいずれかに記載の電波吸収体。

　項１２．　さらに支持体を有し、電波吸収体の支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上である、項２～１１いずれかに記載の電波吸収体。

　項１３．　前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、項１２記載の電波吸収体。

　項１４．　抵抗膜及び誘電体層を有し、且つ、
（特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び／又は
（特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、
λ／４型電波吸収体用部材。

　本発明によれば、斜め入射、特に７９ＧＨｚ付近の電波の斜め入射に対する電波吸収性が良好な電波吸収体を提供することができる。

本発明の電波吸収体の一例を示す概略断面図である。上方の図は、本発明の電波吸収体用部材の一例を示す概略断面図である。下方は、該部材が接するように配置される、反射層として機能し得る被着体の一例を示す概略断面図である。本発明の電波吸収体の用途の一例（粘着剤を介して筐体上に配置されてなる形態の一例）を示す概略断面図である

　本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。

　本発明は、その一態様において、（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、電波吸収体（本明細書において、「本発明の電波吸収体」と示すこともある。）、に関する。以下に、これについて説明する。なお、特性Ａを備える本発明の電波吸収体を「本発明の電波吸収体Ａ」と示し、特性Ｂを備える本発明の電波吸収体を「本発明の電波吸収体Ｂ」と示すこともある。

　＜１．特性＞
　本発明の電波吸収体は、（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、という特性（本明細書において、「本発明の特性」と示すこともある。）を備える。この特性を備えることにより、様々な角度からの入射に対して良好な電波吸収性を発揮することが可能である。

　「周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲」とは、換言すれば、周波数帯域７５～８５ＧＨｚ中、吸収性能１５ｄＢ以上（＝反射減衰量が－１５ｄＢ以下）を示す周波数帯域の幅（単位ＧＨｚ）である。

　上記吸収範囲は、以下の方法により測定することができる。

　ＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザＮ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ－Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラＮ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナＦＳＳ－０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成する。この電波吸収測定装置を用いて、電波吸収体のＥバンド（６０～９０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳ　Ｒ１６７９に基づいて測定する。

　測定は測定試料前面に対して４５°で電波を入射させ、測定試料面心の垂線に対して，ホーンアンテナを等しい角度で設置して反射減衰量を測定する。また、特性Ａの測定の際は、入射波は電界が入射面に水平（ＴＭ波）になるような状態で測定する。また、特性Ｂの測定の際は、入射波は電界が入射面に垂直（ＴＥ波）になるような状態で測定する。反射減衰量の絶対値を吸収性能とする。

　上記吸収範囲は、好ましくは５ＧＨｚ以上、より好ましくは６ＧＨｚ以上、さらに好ましくは８ＧＨｚ以上、よりさらに好ましくは９．５ＧＨｚ以上である。上記吸収範囲は、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける範囲であるので、その上限は１０ＧＨｚである。

　＜２．構成＞
　本発明の電波吸収体の構成は、上記本発明の特性を備えるものである限り特に制限されず、例えば電波吸収体の公知の構成を採用することができる。一実施形態において、本発明の電波吸収体は、抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する、という構成を備える。すなわち、一実施形態において、本発明の電波吸収体は、λ／４型電波吸収体である。以下に、この実施形態について説明する。

　＜２－１．抵抗膜＞
　抵抗膜は、電波吸収体において抵抗層として機能し得る層を含む限り特に制限されない。

　抵抗膜の抵抗値は、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。抵抗膜の抵抗値を調節することにより、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。

　本発明の電波吸収体Ａにおいて、抵抗膜の抵抗値は、例えば１６０～３７０Ω／□である。該範囲の中でも、さらに好ましくは１７５Ω／□以上、よりさらに好ましくは２００Ω／□以上、特に好ましくは２３０Ω／□以上である。該範囲の中でもさらに好ましくは３６０Ω／□以下、よりさらに好ましくは３２０Ω／□以下、特に好ましくは２９０Ω／□以下である。

　本発明の電波吸収体Ｂにおいて、抵抗膜の抵抗値は、例えば３２０～７２０Ω／□である。該範囲の中でも、さらに好ましくは３５５Ω／□以上、よりさらに好ましくは４００Ω／□以上、特に好ましくは４４０Ω／□以上、最も好ましくは４６０Ω／□以上である。該範囲の中でも、さらに好ましくは６９０Ω／□以下、よりさらに好ましくは６００Ω／□以下、特に好ましくは５４０Ω／□以下である。

　抵抗膜の抵抗値は、表面抵抗計（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ　ＣＨＥＭＩＣＡＬＡＮＡＬＹＴＥＣＨ社製、商品名「Ｌｏｒｅｓｔａ－ＥＰ」）を用いて、４端子法により測定することができる。

　抵抗膜の厚みは、本発明の特性を満たし得る抵抗値となるものである限り特に制限されない。抵抗膜の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

　抵抗膜の層構成は特に制限されない。抵抗膜は、１種単独の層から構成されるものであってもよいし、２種以上の層が複数組み合わされたものであってもよい。

　＜２－１－１．抵抗層＞
　＜２－１－１－１．ＩＴＯ含有抵抗層＞
　抵抗層としては、例えば酸化インジウムスズ（以下「ＩＴＯ」とする）が用いられる。なかでも、非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境下においても抵抗層のシート抵抗の変動を抑えることができる点から、１～４０重量％のＳｎＯ２、より好ましくは２～３５重量％のＳｎＯ２を含有するＩＴＯを含有するものが好ましく用いられる。上記ＩＴＯの含有量は抵抗層中、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

　＜２－１－１－２．モリブデン含有抵抗層＞
　抵抗層としては、耐久性、シート抵抗の調整が容易である観点から、モリブデンを含有する抵抗層が好ましく用いられる。モリブデンの含有量の下限は特に限定されないが、より耐久性を高める観点から、５重量％が好ましく、７重量％がより好ましく、９重量％が更に好ましく、１１重量％がより更に好ましく、１３重量％が特に好ましく、１５重量％が非常に好ましく、１６重量％が最も好ましい。また、上記モリブデンの含有量の上限は、表面抵抗値の調整の容易化の観点から、７０重量％が好ましく、３０重量％がより好ましく、２５重量％が更に好ましく、２０重量％が更により好ましい。

　上記抵抗層は、モリブデンを含有している場合、さらにニッケル及びクロムを含有することがより好ましい。抵抗層にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ－２、Ｂ－３、Ｃ－４、Ｃ－２０００、Ｃ－２２、Ｃ－２７６、Ｇ－３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。

　上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、モリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。

　上記抵抗層は、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属を含有してもよい。そのような金属としては、例えば、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、チタン等が挙げられる。上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の上限は、抵抗層の耐久性の観点から、好ましくは４５重量％、より好ましくは４０重量％、更に好ましくは３５重量％、より更に好ましくは３０重量％、特に好ましくは２５重量％、非常に好ましくは２３重量％である。上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の下限は、例えば１重量％以上である。

　上記抵抗層が鉄を含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は２５重量％、より好ましい上限は２０重量％、更に好ましい上限は１５重量％であり、好ましい下限は１重量％である。上記抵抗層がコバルト及び／又はマンガンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、それぞれ独立して、含有量の好ましい上限は５重量％、より好ましい上限は４重量％、更に好ましい上限は３重量％であり、好ましい下限は０．１重量％である。上記抵抗層がタングステンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は８重量％、より好ましい上限は６重量％、更に好ましい上限は４重量％であり、好ましい下限は１重量％である。

　上記抵抗層は、ケイ素及び／又は炭素を含有してもよい。抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、それぞれ独立して、１重量％以下であることが好ましく０．５重量％以下であることがより好ましい。また、抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、０．０１重量％以上であることが好ましい。

　抵抗層の抵抗値は、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。抵抗層の抵抗値を調節することにより、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。

　本発明の電波吸収体Ａにおいて、抵抗層の抵抗値は、例えば１６０～３７０Ω／□である。該範囲の中でも、さらに好ましくは１７５～３６０Ω／□、よりさらに好ましくは２００～３２０Ω／□、特に好ましくは２３０～２９０Ω／□である。

　本発明の電波吸収体Ｂにおいて、抵抗層の抵抗値は、例えば３２０～７２０Ω／□である。該範囲の中でも、さらに好ましくは３５５～６９０Ω／□、よりさらに好ましくは４００～６００Ω／□、特に好ましくは４４０～５４０Ω／□である。

　抵抗層の厚みは、本発明の特性を満たし得る抵抗値となるものである限り特に制限されない。抵抗層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

　抵抗層の層構成は特に制限されない。抵抗層は、１種単独の抵抗層から構成されるものであってもよいし、２種以上の抵抗層が複数組み合わされたものであってもよい。

　＜２－１－２．バリア層＞
　耐久性の観点から、抵抗膜はバリア層を含むことが好ましい。バリア層は、抵抗層の少なくとも一方の表面上に配置される。バリア層について以下に詳述する。

　バリア層は、抵抗層を保護し、その劣化を抑えることができる層である限り、特に制限されない。バリア層の素材としては、例えば金属化合物、半金属化合物、好ましくは金属又は半金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物等が挙げられる。バリア層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、上記素材以外の成分が含まれていてもよい。その場合、バリア層中の上記素材量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

　バリア層が含む金属元素としては、例えばチタン、アルミニウム、ニオブ、コバルト、ニッケル等が挙げられる。バリア層が含む半金属元素としては、例えばケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。

　上記酸化物としては、例えばＭＯ_Ｘ［式中、Ｘは式：ｎ／１００≦Ｘ≦ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

　上記窒化物としては、例えばＭＮ_ｙ［式中、Ｙは式：ｎ／１００≦Ｙ≦ｎ／３（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

　上記窒化酸化物としては、例えばＭＯ_ＸＮ_ｙ［式中、ＸとＹは、ｎ／１００≦Ｘ、ｎ／１００≦Ｙ、かつ、Ｘ＋Ｙ≦ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

　上記酸化物又は窒化酸化物の酸化数Ｘに関しては、例えばＭＯ_ｘ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭ－ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＯｘ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＯとの元素比率からＸを算出することにより、酸素原子の価数を算出することができる。

　上記窒化物又は窒化酸化物の窒素化数Ｙに関しては、例えばＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭ－ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＮとの元素比率からＹを算出することにより、窒素原子の価数を算出することができる。

　バリア層の素材の具体例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。

　バリア層の厚みは、特に制限されない。バリア層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

　バリア層の層構成は特に制限されない。バリア層は、１種単独のバリア層から構成されるものであってもよいし、２種以上のバリア層が複数組み合わされたものであってもよい。

　＜２－２．誘電体層＞
　誘電体層は、電波吸収体において目的の波長に対して誘電体として機能し得るものである限り、特に制限されない。誘電体層としては、特に制限されないが、例えば樹脂シート、粘着剤等が挙げられる。

　樹脂シートは、樹脂を素材として含むシート状のものである限り、特に制限されない。樹脂シートは、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。その場合、樹脂シート中の樹脂の合計量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

　樹脂としては、特に制限されず、例えばエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル、ウレタン、アクリル、アクリルウレタン、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴムおよびシリコーンゴム等の合成ゴム材料を樹脂成分として用いることが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

　誘電体層は、発泡体や粘着剤であってもよい。

　誘電体層は、粘着性を備えるものであってもよい。このため、粘着性を有しない誘電体を粘着剤層により他の層に積層させる場合、該誘電体と粘着剤層とを合わせたものが「誘電体層」となる。隣接する層と積層し易いという観点から、誘電体層は、好ましくは粘着剤層を含む。

　誘電体層の比誘電率は、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の比誘電率を調節することにより（特に、それにより後述の式（１）の値を調節することにより）、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。誘電体層の比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

　誘電体層の厚みは、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の厚みを調節することにより（特に、それにより後述の式（１）の値を調節することにより）、本発明の特性における吸収範囲を調節することが可能である。

　本発明の電波吸収体Ａにおいて、誘電体層の厚みは、例えば３００～１３００μｍ、好ましくは４７０～７６０μｍ、より好ましくは５２０～６８０μｍである。

　本発明の電波吸収体Ｂにおいて、誘電体層の厚みは、例えば２００～１２００μｍ、好ましくは４２０～６２０μｍ、より好ましくは４７０～５９０μｍである。

　誘電体層については、特性Ａにおける吸収範囲を調節する一手段として、式（１）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たすことが、好ましい。ｄ×√εは、好ましい下限は７５０、より好ましい下限は８２０、特に好ましい下限は８８０である。ｄ×√εの好ましい上限は１１５０、より好ましい上限は１０５０、特に好ましい上限は９８０である。

　また、誘電体層については、特性Ｂにおける吸収範囲を調節する一手段として、式（１）：６８２≦ｄ×√ε≦９６０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たすことが、好ましい。ｄ×√εの好ましい下限は７２０、より好ましい下限は７５０、特に好ましい下限は７７０であり、最も好ましい下限は７７５である。ｄ×√εの好ましい上限は９３０、より好ましい上限は９００、特に好ましい上限は８７０である。

　誘電体層が複数の層からなる場合は、それぞれの層についての値を出して合算して算出する。例えば、誘電体層が、誘電体層１及び誘電体層２（例えば粘着テープ等）からなる場合は、「ｄ×√ε」は、「誘電体層１の厚み×（誘電体層１の比誘電率）^０．５」と「誘電体層２の厚み×（誘電体層２の比誘電率）^０．５」とを合算して算出する。

　誘電体層の厚みは、Ｎｉｋｏｎ　ＤＩＧＩＭＩＣＲＯＳＴＡＮＤＭＳ－１１Ｃ＋Ｎｉｋｏｎ　ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ　ＭＦＣ－１０１によって測定することができる。

　誘電体層の比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができる。

　誘電体層の層構成は特に制限されない。誘電体層は、１種単独の誘電体層から構成されるものであってもよいし、２種以上の誘電体層が複数組み合わされたものであってもよい。例えば、粘着性を有しない誘電体とその両面に配置された粘着剤層とからなる３層構造の誘電体層、粘着性を有する誘電体からなる１層構造の誘電体層等が挙げられる。

　＜２－３．反射層＞
　反射層は、電波吸収体において電波の反射層として機能し得るものである限り、特に制限されない。反射層としては、特に制限されないが、例えば金属膜が挙げられる。

　金属膜は、金属を素材として含む層である限り、特に制限されない。金属膜は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、金属以外の成分が含まれていてもよい。その場合、金属膜中の金属の合計量は、例えば３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは９５質量％以上、非常に好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

　金属としては、特に制限されず、例えばアルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウム等が挙げられる。また、金属化合物、例えばＩＴＯ等も、金属膜の素材として使用することができる。これらは１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

　反射層の厚みは、特に制限されない。反射層の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは２μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下である。

　本発明の好ましい一態様においては反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。この範囲であることにより、誘電体層と反射層との良好な密着性を発揮し、かつ、より良好な電波吸収性を発揮することができる。該表面粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。

　本発明の好ましい一態様においては、反射層の誘電体層側とは反対側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上である。これにより、反射層の誘電体層側とは反対側に積層される層（例えば、粘着剤層）との良好な密着性を発揮することができ、本発明の電波吸収体を、他の部材（例えば、自動車内のデバイス等）により容易に取り付けることが可能になる。該表面粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは２μｍ以上１５μｍ以下である。

　反射層の表面粗さ（Ｒｚ）は次のようにして測定することができる。カラー３Ｄレーザー顕微鏡（ＶＫ８７１０（キーエンス社製）又はその同等品）により反射層表面の凹凸の測定を行い表面粗さ（Ｒｚ）を見積もることができる。具体的には、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１に準じて、対物レンズ５０倍を用いて、１０μｍ×１０μｍ範囲でのＲｚを反射層表面の任意の５か所で測定し、その平均値より求めることができる。

　反射層の表面粗さ（Ｒｚ）は、表面粗さを調整する公知の調整方法に従って又は準じて調節することが可能である。例えば、金属めっき技術による微細な金属粒子の付与や物理的・化学的手法により表面を削る方法等により調整することができる。

　反射層の層構成は特に制限されない。反射層は、１種単独の反射層から構成されるものであってもよいし、２種以上の反射層が複数組み合わされたものであってもよい。

　＜２－４．支持体＞
　本発明の電波吸収体が抵抗膜を有する場合、さらに支持体を有することが好ましい。これにより、抵抗膜を保護することができ、電波吸収体としての耐久性を高めることが可能である。支持体は、シート状のものである限り、特に制限されない。支持体としては、特に制限されないが、例えば樹脂基材が挙げられる。

　樹脂基材は、樹脂を素材として含む基材であって、シート状のものである限り、特に制限されない。樹脂基材は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。例えば、比誘電率を調整する観点から酸化チタン等が含まれていてもよい。その場合、樹脂基材中の樹脂の合計量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

　樹脂としては、特に制限されず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のポリビニルアセタール樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

　これらの中でも、生産性や強度の観点から、好ましくはポリエステル系樹脂、より好ましくはポリエチレンテレフタレートが挙げられる。

　支持体の比誘電率は、特に制限されない。支持体の比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

　支持体の厚みは、特に制限されない。支持体の厚みは、例えば５μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下である。

　本発明の好ましい一態様においては、電波吸収体の支持体側最表面（通常、支持体の抵抗膜側とは反対側の表面）の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であることが好ましい。表面張力がこのような値を採る場合、優れた防汚性を発揮することができる。この結果、汚れをふき取った後であっても、電波吸収性に優れる。該表面張力は３６ｄｙｎ／ｃｍ以上であることがより好ましい。
該表面張力の上限は、特に制限されないが、製造時に支持体同士のブロッキングを抑える観点から、好ましくは６０ｄｙｎ／ｃｍ以下、より好ましくは５７ｄｙｎ／ｃｍ以下、さらに好ましくは５５ｄｙｎ／ｃｍ以下である。

　表面張力は、ＪＩＳ　Ｋ　６７６８「プラスチック－フィルム及びシート－ぬれ張力試験方法」に準じ、ぬれ張力試験用液（和光純薬製、ぬれ張力試験用混合液）を用いて測定することができる。上記した表面張力は支持体の材料の選択、光反射剤や光吸収剤等の添加剤の配合により調整することができる。

　本発明の好ましい一態様においては、支持体の全光線透過率は３０％以下であることが好ましい。支持体の全光線透過率がこのような値を採る場合、優れた耐光性を発揮することができる。該全光線透過率のより好ましい上限は２０％、さらに好ましい上限は１６％である。該全光線透過率の下限は、特に制限されず、例えば０．０１％以上、好ましくは０．０５％以上、より好ましくは０．１％以上である。

　全光線透過率は、ヘーズメーター（日本電飾社製「ＮＤＨ－４０００」、又はその同等品）を用いて、ＪＩＳ　Ｋ７１０５に基づいて、測定することができる。
上記した全光線透過率は、支持体の材料の選択、光反射剤や光吸収剤等の添加剤の配合により調整することができる。

　支持体は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させるために、光反射剤を含有することが好ましい。光反射剤は、支持体材料（上記樹脂等）と混合された状態であってもよいし、支持体表面を構成するコーティング層に含まれていてもよい。好ましくは、光反射剤は、支持体材料（上記樹脂等）と混合された状態である。

　光反射剤としては、紫外線や可視光等（特に紫外線）を反射、散乱等可能なものであって、且つ支持体に含まれていても本発明の電波吸収体の電波吸収特性を著しく低下させない限り特に制限されず、例えば、無機粉体を使用することができる。

　無機粉体の平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０～４００ｎｍ、より好ましくは６０～３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０～３８０ｎｍである。

　無機粉体としては、例えば二酸化チタン、酸化亜鉛等の金属酸化物が挙げられる。これらの中でも、屈折率が大きく光の散乱が大きい為、全光線透過率を調整しやすいという観点から、二酸化チタンが好ましい。

　光反射剤として適用される酸化亜鉛の平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０～４００ｎｍ、より好ましくは６０～３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０～３８０ｎｍである。

　光反射剤として適用される酸化亜鉛の市販品の例としては、ＭＺ－３００（表面処理剤なし、粒径３０～４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－３０３Ｓ（メチコン処理、粒径３０～４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－３０３Ｍ（ジメチコン処理、粒径３０～４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－５００（表面処理剤なし、粒径２０～３０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－５０５Ｓ（メチコン処理、粒径２０～３０ｎｍ、テイカ（株）製）、ＭＺ－５０５Ｍ（ジメチコン処理、粒径２０～３０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－７００（表面処理剤なし、粒径１０～２０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ－７０７Ｓ（メチコン処理、粒径１０～２０ｎｍ、テイカ（株））、ＦＩＮＥＸ－２５（表面処理剤なし、粒径６０ｎｍ、堺化学（株）製）、ＦＩＮＥＸ－２５ＬＰ（ジメチコン処理、粒径６０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ－５０（表面処理剤なし、粒径２０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ－５０ＬＰ（ジメチコン処理、粒径２０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ－７５（表面処理剤なし、粒径１０ｎｍ、堺化学（株）製）などが挙げられる。

　光反射剤として適用される二酸化チタンの平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０～４００ｎｍ、より好ましくは６０～３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０～３８０ｎｍである。

　光反射剤として適用される二酸化チタンの具体例として、タイペークＣＲ－５０（酸化アルミニウム処理、粒径２５ｎｍ、石原産業（株）製）、バイエルチタンＲ－ＫＢ－１（酸化亜鉛処理、酸化アルミニウム処理、二酸化ケイ素処理、粒径３０ｎｍ～４０ｎｍ、バイエル社製）、タイペークＴＴＯ－Ｍ－１（酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム処理、粒径１０ｎｍ～２５ｎｍ、石原産業（株）製）、タイペークＴＴＯ－Ｄ－１（酸化ジルコニウム処理、酸化アルミニウム処理、粒径２０ｎｍ～３０ｎｍ、石原産業（株）製）、ソラベールＣＴ－１００、ソラベールＣＴ－２００、ソラベールＣＴ－３００、ソラベールＣＴ－４３４クローダージャパン（株）製）、ＳＴＲ－１００シリーズ、ＳＴＲ－４０（堺化学（株）製）が挙げられる。但し、これら例示に限定されるものでない。

　上述の表面張力及び全光線透過率を調整する方法としては、上記した光反射剤を配合する以外にも、例えば光吸収剤を含有する塗料により支持体表面を塗工する等の方法が挙げられる。また上述の表面張力を調整する方法としては、対象面に、コロナ放電処理、
外線照射処理、オゾン処理及びプラズマ処理等の処理を行う方法、コーティング剤を塗布する方法等が挙げられる。

　支持体の層構成は特に制限されない。支持体は、１種単独の支持体から構成されるものであってもよいし、２種以上の支持体が複数組み合わされたものであってもよい。

　＜２－５．層構成＞
　本発明の電波吸収体が抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する場合、各層は、電波吸収性能を発揮することができる順に配置される。一例として、抵抗膜、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。

　さらに、本発明の電波吸収体が支持体を有する場合、一例として、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。

　本発明の電波吸収体においては、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層以外に、他の層を含むものであってもよい。他の層は、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層それぞれの層の、どちらか一方の表面上に配置され得る。

　＜３．斜め入射に対する電波吸収性＞
　本発明の電波吸収体は、本発明の特性（４５度入射時の特定の特性）を備えるので、様々な角度からの入射（特性Ａを備える場合は、特に、ＴＭ偏波の入射であり、特性Ｂを備える場合は、特に、ＴＥ偏波の入射）、特に７９ＧＨｚ付近（例えば、７５～８５ＧＨｚ）の電波の斜め入射（特性Ａを備える場合は、特に、ＴＭ偏波の入射であり、特性Ｂを備える場合は、特に、ＴＥ偏波の入射）に対して良好な電波吸収性を発揮することが可能である。

　本発明の電波吸収体の電波吸収性の具体例は以下の通りである。

　なお、以下の具体例における吸収範囲は、以下の方法により測定することができる。

　測定は測定試料前面に対して２０°又は６０°で電波を入射させ、測定試料面心の垂線に対して，ホーンアンテナを等しい角度で設置して反射減衰量を測定する。また、特性Ａの測定の際は、入射波は電界が入射面に水平（ＴＭ波）になるような状態で測定する。また、特性Ｂの測定の際は、入射波は電界が入射面に垂直（ＴＥ波）になるような状態で測定する。反射減衰量の絶対値を吸収性能とする。

　本発明の電波吸収体Ａは、好ましくは、２０°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上（好ましくは１５ｄＢ以上）の吸収範囲が２ＧＨｚ以上である、という電波吸収性（電波吸収性１Ａ）を発揮する。電波吸収性１Ａにおける吸収範囲は、好ましくは４ＧＨｚ以上、より好ましくは６ＧＨｚ以上、さらに好ましくは８以上、よりさらに好ましくは９．５以上である。

　本発明の電波吸収体Ａは、好ましくは、６０°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上（好ましくは１５ｄＢ以上）の吸収範囲が２ＧＨｚ以上である、という電波吸収性（電波吸収性２Ａ）を発揮する。電波吸収性２Ａにおける吸収範囲は、好ましくは４ＧＨｚ以上、より好ましくは６ＧＨｚ以上、さらに好ましくは８以上、よりさらに好ましくは９．５以上である。

　本発明の電波吸収体Ｂは、好ましくは、２０°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上（好ましくは１５ｄＢ以上）の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、という電波吸収性（電波吸収性１Ｂ）を発揮する。電波吸収性１Ｂにおける吸収範囲は、好ましくは６ＧＨｚ以上、より好ましくは８ＧＨｚ以上、さらに好ましくは９ＧＨｚ以上、よりさらに好ましくは９．５ＧＨｚ以上である。

　本発明の電波吸収体Ｂは、好ましくは、６０°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上（好ましくは１５ｄＢ以上）の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、という電波吸収性（電波吸収性２Ｂ）を発揮する。電波吸収性２Ｂにおける吸収範囲は、好ましくは６ＧＨｚ以上、より好ましくは８ＧＨｚ以上、さらに好ましくは９ＧＨｚ以上、よりさらに好ましくは９．５ＧＨｚ以上である。

　上記吸収範囲は、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける範囲であるので、その上限は１０ＧＨｚである。

　＜４．製造方法＞
　本発明の電波吸収体は、その構成に応じて、様々な方法、例えば公知の製造方法に従って又は準じて得ることができる。例えば、本発明の電波吸収体が抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する場合であれば、支持体上に抵抗膜、誘電体層、及び反射層を順に積層させる工程を含む方法により、得ることができる。

　積層方法は特に制限されない。

　抵抗膜は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、パルスレーザーデポジション法等により行うことができる。これらの中でも、膜厚制御性の観点から、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、特に限定されないが、例えば、直流マグネトロンスパッタ、高周波マグネトロンスパッタ及びイオンビームスパッタ等が挙げられる。また、スパッタ装置は、バッチ方式であってもロール・ツー・ロール方式であってもよい。

　誘電体層や反射層は、例えば誘電体層が有する粘着性を利用して、積層することができる。

　＜５．λ／４型電波吸収体用部材＞
　本発明は、その一態様において、抵抗膜及び誘電体層を有し、且つ、（特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び／又は（特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、λ／４型電波吸収体用部材に関する。なお、厚さ１０μｍのアルミニウム板は、誘電体層と接する表面における表面粗さ（Ｒｚ）が４μｍであるアルミニウム板を用いる。

　λ／４型電波吸収体用部材は、抵抗膜、誘電体層をこの順に有し、誘電体層を金属等の反射層として機能しうる被着体に接するように配置することによりλ／４型電波吸収体を形成するための部材である。λ／４型電波吸収体用部材は、更に支持体を有しても良く、その場合、λ／４型電波吸収体用部材は、支持体、抵抗膜、誘電体層をこの順に有する。支持体、抵抗被膜、誘電体層、本発明の特性、その他の構成については、本発明の電波吸収体に関する説明と同様である。

　＜６．用途＞
　本発明の電波吸収体は、不要な電波を吸収する性能を有するため、例えば自動車、道路、人の相互間で情報通信を行う高度道路交通システム（ＩＴＳ）や自動車衝突防止システムに用いるミリ波レーダー等の、電波干渉抑制やノイズ低減の目的として好適に利用できる。また、その他の用途として光トランシーバや、次世代移動通信システム（５Ｇ）、近距離無線転送技術等における電波対策部材としても用いることができる。

　また、本発明の電波吸収体は、斜め入射に対して良好な電波吸収性を発揮するので、吸収対象の電波の入射方向に対して斜めに（例えば１０～８０度、２０～６０度）に配置するために、好適に使用することができる。

　本発明の電波吸収体が対象とする電波の周波数は、７５～８５ＧＨｚが好適である。

　以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。

　本発明の電波吸収体Ａに関する実施例は以下の通りである。

　（１Ａ）電波吸収体の製造
　（実施例１Ａ）
　支持体として、厚み１２５μｍの酸化チタン（平均粒径　２００μｍ）を練りこんだポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．４、ＴｉＯ_２；１０重量％）を用意した。

　上記ＰＥＴフィルム上に抵抗値２６０Ω／□の抵抗膜（バリア層１／抵抗層／バリア層２）を次の通りに形成した。まず、ＤＣパルススパッタリングによりＡｒとＯ２の比率を１：１に調整したがガスを導入して、０．２Ｐａになるように調整してＳｉＯ２層（バリア層１：厚さ１０ｎｍ）を成膜した。続いて、バリア層１上に、ＤＣパルススパッタリングにより抵抗値２５５Ω／□の抵抗層を形成した。スパッタリングは合金（組成：モリブデン１６．４重量％、ニッケル５５．２重量％、クロム１８．９重量％、鉄５．５重量％、タングステン３．５重量％、シリカ０．５重量％）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。最後に、バリア層１と同様にしてバリア層２（厚さ５ｎｍ）を形成した。

　次いで、形成したバリア層２上に厚み６００μｍ且つ比誘電率２．４のアクリル両面粘着テープからなる誘電体を積層し、更に誘電体上に厚さ１０μｍのアルミニウム（Ｒｚ＝４．０μｍ）からなる反射層を積層して電波吸収体を得た。

　（実施例２Ａ～５Ａ、７Ａ～１１Ａ、比較例１Ａ～４Ａ）
　抵抗膜の抵抗値及び／又は誘電体の厚みを表１及び表２のとおりに変更する以外は、実施例１Ａと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例６Ａ）
　バリア層を形成しない（抵抗層＝抵抗膜とする）以外は、実施例１Ａと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例１２Ａ）
　反射層を、厚さ１０μｍである銅板（Ｒｚ＝０．９μｍ）に変更する以外は、実施例５Ａと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例１３Ａ）
　反射層を、厚さ１０μｍである銅板（Ｒｚ＝１２μｍ）に変更する以外は、実施例５Ａと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例１４Ａ）
　支持体をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．２、表面張力３６ｄｙｎ／ｃｍ）に変更する以外は、実施例５Ａと同様にして電波吸収体を得た。なお大気圧プラズマ装置（積水化学工業株式会社製、「ＡＰ／ＴＯ２」、ダイレクト電極タイプ）にＮ_２ガスを処理ガスとして導入し、投入電力９００Ｗ（１４０Ｖ－６．４Ａ）でプラズマガスを発生させ、１５ｍ／分の速度で搬送し、プラズマ処理を行うことで、支持体表面の表面張力を調整した。なお、プラズマ処理を行うスリット面積は２００ｍｍ^２（フィルムの幅方向に２００ｍｍかつ長さ方向に１ｍｍ）とした。

　（実施例１５Ａ）
　酸化チタン（平均粒径　２００μｍ）を練りこんだ厚み１２５μｍポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴｉＯ２；７重量%）を用意した。支持体の抵抗層と接する面とは反対の面に液状のハードコート用材料をバーコーターで塗布し、さらにその塗工膜を、ドライヤーオーブンを用いて、１００℃×１分の条件で加熱乾燥した。次いで、乾燥後の塗工膜に対して紫外線を照射することにより（照射量：３００ｍＪ／ｃｍ^２）、支持体上に厚さ２μｍのハードコート層を配置した。ハードコート材料としては光重合剤含有アクリル系オリゴマーに、トルエンとメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とを５：５（重量比）の割合にて混合してなる混合溶媒を加えて、液状のハードコート用材料（固形分濃度：４０重量％）を調製したものを用いた。作製したハードコート層付きＰＥＴフィルム（比誘電率３．４、表面張力３２ｄｙｎ／ｃｍ）を支持体として用いる以外は、実施例５Ａと同様にして電波吸収体を得た。

　（２Ａ）特性の測定
　４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲を測定した。具体的には以下のようにして測定したＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザＮ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ－Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラＮ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナＦＳＳ－０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成した。この電波吸収測定装置を用いて、得られた電波吸収体のＥバンド（６０～９０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳ　Ｒ１６７９に基づいて測定した。

　測定は測定試料前面に対して４５°で電波を入射させ、測定試料面心の垂線に対して，ホーンアンテナを等しい角度で設置して反射減衰量を測定した。また、入射波は電界が入射面に水平（ＴＭ波）になるような状態で測定した。反射減衰量の絶対値を吸収性能とした。

　（３Ａ）斜め入射に対する電波吸収性評価
　斜め入射に対する電波吸収性を評価した。具体的には次のようにして行った。測定方法は、ＴＭ波の入射角とホーンアンテナの角度とをそれぞれ変更した以外は、４５°入射のＴＭ波測定と同様にして行った。周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上の吸収範囲を測定した。

　（４Ａ）粘着力（誘電体層／反射層）の評価
　得られた実施例５Ａ，１２Ａ及び１３Ａに係る電波吸収体を１０ｍｍ幅の短冊状に裁断して試験片を作製し、誘電体層の反射層に面する側とは反対側を露出させた。露出した面を、両面粘着テープ（９７０８、３Ｍ社製）により、測定装置の台座に固定した。この試験サンプルの反射層をＪＩＳ　Ｚ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／１０ｍｍ）を測定した。誘電体層／反射層間の粘着力が５Ｎ／１０ｍｍ以上を〇、５Ｎ／１０ｍｍ未満を×とした。

　（５Ａ）防汚性評価（油汚れふき取り後の電波吸収性）
電波吸収体の支持体の抵抗膜に面する側とは反対の表面にサラダ油をスポイトで１滴滴下した後、リグロインを含ませたワイパー（商品名：クリーンワイパー　ＳＦ３０Ｃ　クラレ社製）で２０往復ラビングした。その後、（２Ａ）特性の測定と同様にして測定した、４５°入射における７９ＧＨｚでの電波吸収量の変化量が５ｄＢ以内の場合を○、それ以上の場合を×とした。

　（６Ａ）耐光性の評価
電波吸収体をサンシャインウエザーメーター（Ｓ－８０、スガ試験機（株）製）を用いて、サンシャインカーボンアーク灯、相対湿度６０％の条件下、１０００時間の露光を行った。その後、（２Ａ）特性の測定と同様にして測定した、４５°入射における７９ＧＨｚでの電波吸収量の変化量が５ｄＢ以内の場合を○、それ以上の場合を×とした。

　結果を表１～４に示す。

　本発明の電波吸収体Ｂに関する実施例は以下の通りである。

　（１Ｂ）電波吸収体の製造
　（実施例１Ｂ）
　支持体として、厚み１２５μｍの酸化チタン（平均粒径　２００μｍ）を練りこんだポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．４、ＴｉＯ_２；１０重量％）を用意した。

　上記ＰＥＴフィルム上に抵抗値４９０Ω／□の抵抗膜（バリア層１／抵抗層／バリア層２）を次の通りに形成した。まず、ＤＣパルススパッタリングによりＡｒとＯ２の比率を１：１に調整したがガスを導入して、０．２Ｐａになるように調整してＳｉＯ２層（バリア層１：厚さ１０ｎｍ）を成膜した。続いて、バリア層１上に、ＤＣパルススパッタリングにより抵抗値４８５Ω／□の抵抗層を形成した。スパッタリングは合金（組成：モリブデン１６．４重量％、ニッケル５５．２重量％、クロム１８．９重量％、鉄５．５重量％、タングステン３．５重量％、シリカ０．５重量％）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。最後に、バリア層１と同様にしてバリア層２（厚さ５ｎｍを形成した。

　次いで、形成したバリア層２上に厚み５３０μｍ且つ比誘電率２．４のアクリル粘着テープからなる誘電体を積層し、更に誘電体上に厚さ１０μｍのアルミニウム（Ｒｚ＝４．０μｍ）からなる反射層を積層して電波吸収体を得た。

　（実施例２Ｂ～５Ｂ、７Ｂ～１２Ｂ、比較例１Ｂ～４Ｂ）
　抵抗膜の抵抗値及び／又は誘電体の厚みを表１及び表２のとおりに変更する以外は、実施例１Ｂと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例６Ｂ）
　バリア層を形成しない（抵抗層＝抵抗膜とする）以外は、実施例１Ｂと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例１３Ｂ）
　反射層を、厚さ１０μｍである銅板（Ｒｚ＝０．９μｍ）に変更する以外は、実施例４Ｂと同様にして電波吸収体を得た。

　（実施例１４Ｂ）
　反射層を、厚さ１０μｍである銅板（Ｒｚ＝１２μｍ）に変更する以外は、実施例４Ｂと同様にして電波吸収体を得た。

（実施例１５Ｂ）
　支持体をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．２、表面張力３６ｄｙｎ／ｃｍ）に変更する以外は、実施例４Ｂと同様にして電波吸収体を得た。なお大気圧プラズマ装置（積水化学工業株式会社製、「ＡＰ／ＴＯ２」、ダイレクト電極タイプ）にＮ_２ガスを処理ガスとして導入し、投入電力９００Ｗ（１４０Ｖ－６．４Ａ）でプラズマガスを発生させ、１５ｍ／分の速度で搬送し、プラズマ処理を行うことで、支持体表面の表面張力を調整した。なお、プラズマ処理を行うスリット面積は２００ｍｍ^２（フィルムの幅方向に２００ｍｍかつ長さ方向に１ｍｍ）とした。

　（実施例１６Ｂ）
　酸化チタン（平均粒径　２００μｍ）を練りこんだ厚み１２５μｍポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴｉＯ２；７重量%）を用意した。支持体の抵抗層と接する面とは反対の面に液状のハードコート用材料をバーコーターで塗布し、さらにその塗工膜を、ドライヤーオーブンを用いて、１００℃×１分の条件で加熱乾燥した。次いで、乾燥後の塗工膜に対して紫外線を照射することにより（照射量：３００ｍＪ／ｃｍ２）、支持体上に厚さ２μｍのハードコート層を配置した。ハードコート材料としては光重合剤含有アクリル系オリゴマーに、トルエンとメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とを５：５（重量比）の割合にて混合してなる混合溶媒を加えて、液状のハードコート用材料（固形分濃度：４０重量％）を調製したものを用いた。作製したハードコート層付きＰＥＴフィルム（比誘電率３．４、表面張力３２ｄｙｎ／ｃｍ）を支持体として用いる以外は、実施例４Ｂと同様にして電波吸収体を得た。

　（２Ｂ）特性の測定
　４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲を測定した。具体的には以下のようにして測定したＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザＮ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ－Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラＮ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナＦＳＳ－０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成した。この電波吸収測定装置を用いて、得られた電波吸収体のＥバンド（６０～９０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳ　Ｒ１６７９に基づいて測定した。

　測定は測定試料前面に対して４５°で電波を入射させて測定試料面心の垂線に対して，ホーンアンテナを等しい角度で設置して反射減衰量を測定した。この時、入射波は電界が入射面に垂直（ＴＥ波）になるような状態で測定した。反射減衰量の絶対値を吸収性能とした。

　（３Ｂ）斜め入射に対する電波吸収性評価
斜め入射に対する電波吸収性を評価した。具体的には次のようにして行った。測定方法は、ＴＥ波の入射角とホーンアンテナの角度とをそれぞれ変更した以外は、４５°入射のＴＥ偏波測定と同様にして行った。周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１０ｄＢ以上の吸収範囲を測定した。

　（４Ｂ）粘着力（誘電体層／反射層）の評価
　得られた実施例４Ｂ，１３Ｂ及び１４Ｂに係る電波吸収体を１０ｍｍ幅の短冊状に裁断して試験片を作製し、誘電体層の反射層に面する側とは反対側を露出させた。露出した面を、両面粘着テープ（９７０８、３Ｍ社製）により、測定装置の台座に固定した。この試験サンプルの反射層をＪＩＳ　Ｚ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／１０ｍｍ）を測定した。誘電体層／反射層間の粘着力が５Ｎ／１０ｍｍ以上を〇、５Ｎ／１０ｍｍ未満を×とした。

　（５Ｂ）防汚性評価（油汚れふき取り後の電波吸収性）
電波吸収体の支持体の抵抗膜に面する側とは反対の表面にサラダ油をスポイトで１滴滴下した後、リグロインを含ませたワイパー（商品名：クリーンワイパー　ＳＦ３０Ｃ　クラレ社製）で２０往復ラビングした。その後、（２Ｂ）特性の測定と同様にして測定した、４５°入射における７９ＧＨｚでの電波吸収量の変化量が５ｄＢ以内の場合を○、それ以上の場合を×とした。

　（６Ｂ）耐光性の評価
電波吸収体をサンシャインウエザーメーター（Ｓ－８０、スガ試験機（株）製）を用いて、サンシャインカーボンアーク灯、相対湿度６０％の条件下、１０００時間の露光を行った。その後、（２Ｂ）特性の測定と同様にして測定した、４５°入射における７９ＧＨｚでの電波吸収量の変化量が５ｄＢ以内の場合を○、それ以上の場合を×とした。

　結果を表５～８に示す。

　１　　支持体
　２　　抵抗膜
　３　　誘電体層
　４　　反射層
　５　　粘着剤層
　６　　筐体

Claims

（特性Ａ）４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、及び／又は
（特性Ｂ）４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上である、
電波吸収体。
抵抗膜、誘電体層、及び反射層を有する、請求項１に記載の電波吸収体。
前記特性Ａを備え、且つ前記抵抗膜の抵抗値が１７５～３６０Ω／□である、請求項２記載の電波吸収体。
前記特性Ｂを備え、且つ前記抵抗膜の抵抗値が３５５～６９０Ω／□である、請求項２記載の電波吸収体。
前記特性Ａを備え、且つ式（１Ａ）：７００≦ｄ×√ε≦１１５０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、請求項２又は３に記載の電波吸収体。
前記特性Ｂを備え、且つ式（１Ｂ）：６８２≦ｄ×√ε≦９６０（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）を満たす、請求項２又は４に記載の電波吸収体。
前記誘電体層の比誘電率が１～１０である、請求項２～６のいずれかに記載の電波吸収体。
前記抵抗膜がバリア層を含む、請求項２～７のいずれかに記載の電波吸収体。
前記抵抗膜がモリブデンを含有する、請求項２～８のいずれかに記載の電波吸収体。
前記抵抗膜がさらにニッケル及びクロムを含有する、請求項９に記載の電波吸収体。
前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２～１０のいずれかに記載の電波吸収体。
さらに支持体を有し、電波吸収体の支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上である、請求項２～１１いずれかに記載の電波吸収体。
前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、請求項１２記載の電波吸収体。
抵抗膜及び誘電体層を有し、且つ、
（特性Ａ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＭ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、及び／又は
（特性Ｂ）厚さ１０μｍのアルミニウム板を誘電体層の他方の面に積層した際の４５°入射のＴＥ偏波測定において、周波数帯域７５～８５ＧＨｚにおける吸収性能１５ｄＢ以上の吸収範囲が４ＧＨｚ以上となる、
λ／４型電波吸収体用部材。