WO2019186616A1 - 処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDF

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奥野　正則
利彦 米島
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株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
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Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and a program.
  • the exhausted gas since the exhausted gas may contain harmful gases, the exhaust gas should be detoxified by using a detoxification device so that it is rendered harmless and discharged into the atmosphere. (For example, refer to Patent Document 1).
  • the apparatus may stop even during production. As a result, the product substrate lots out, and the production process must be interrupted to maintain the abatement apparatus.
  • An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the operating rate of an apparatus by removing attached by-products at a predetermined timing using a plurality of abatement apparatuses.
  • a processing chamber configured in a processing furnace, an exhaust system that is connected to a plurality of abatement apparatuses and exhausts gas from the processing chamber, and a film is formed on a substrate that is carried into the processing chamber.
  • a control unit that executes a process recipe to be formed, and the control unit is configured to check an operating state of a detoxifying device other than the operating detoxifying device at the start or end of the process recipe If the operating status of the other abatement device is not under maintenance, the other abatement device is operated, and the operating status of the operating abatement device is switched to maintenance, and the operating status of the other abatement device is If maintenance is in progress, a technique is provided for controlling the abatement apparatus that is in operation to be used continuously.
  • the operation rate of the apparatus can be improved by removing the attached by-products at a predetermined timing using a plurality of abatement apparatuses.
  • the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube.
  • the process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof.
  • the inner tube 204 is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened.
  • a processing chamber 201 for processing the wafer 200 is formed in the hollow cylindrical portion in the inner tube 204.
  • the processing chamber 201 is configured to accommodate the boat 217.
  • a heater 206 is provided outside the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203.
  • the heater 206 has a cylindrical shape.
  • the heater 206 is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.
  • a manifold 209 is disposed as a furnace port portion formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened so as to be concentric with the outer tube 205.
  • the manifold 209 is provided so as to support the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, and engages with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, respectively.
  • An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205.
  • a seal cap 219 capable of airtightly closing the lower end opening of the manifold 209 is provided in a disk shape below the manifold 209.
  • an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209.
  • a rotating mechanism 254 for rotating the boat 217 is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201.
  • the rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below.
  • the rotation mechanism 254 is configured to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.
  • the seal cap 219 is configured to be moved up and down in the vertical direction by a boat elevator 115 provided outside the process tube 203.
  • the boat elevator 115, the boat 217, the rotation mechanism 254, and the like constitute a transport mechanism according to this embodiment.
  • the boat elevator 115 and the rotation mechanism 254 are electrically connected to the transport controller 11.
  • the boat 217 is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning a plurality of wafers 200 in a horizontal posture with the centers aligned.
  • a plurality of heat insulating plates 216 as heat insulating members are arranged in multiple stages in a horizontal posture.
  • a temperature sensor 263 is installed as a temperature detector.
  • the heater 206 and the temperature sensor 263 mainly constitute the heating mechanism according to this embodiment.
  • the temperature controller 12 is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263.
  • a nozzle 230 a and a nozzle 230 b are connected to the manifold 209 so as to communicate with the inside of the processing chamber 201.
  • Gas supply pipes 232a and 232b are connected to the nozzles 230a and 230b, respectively.
  • the gas supply pipes 232a and 232b are provided with a gas supply source (not shown), valves 245a and 245b, MFCs 241a and 241b, and valves 243a and 243b, respectively, in order from the upstream side of the gas flow.
  • Gas supply pipes 232c and 232d are connected to the gas supply pipes 232a and 232b on the downstream side of the valves 243a and 243b, respectively.
  • purge gas supply sources (not shown), valves 245c and 245d, MFCs 241c and 241d, and valves 243c and 243d are provided in order from the upstream side of the gas flow.
  • a processing gas supply system is mainly configured by a gas supply source (not shown), a valve 245a, an MFC 241a, a valve 243a, a gas supply pipe 232a, and a nozzle 230a.
  • the reactive gas supply system according to this embodiment is mainly configured by a gas supply source (not shown), the valve 245b, the MFC 241b, the valve 243b, the gas supply pipe 232b, and the nozzle 230b.
  • the purge gas supply system (not shown), valves 245c and 245d, MFCs 241c and 241d, valves 243c and 243d, gas supply pipes 232c and 232d, and nozzles 230a and 230b mainly constitute the purge gas supply system according to this embodiment. Yes.
  • the gas supply controller 14 is electrically connected to the MFCs 241a to 241d, the valves 243a to 243d, and the valves 245a to 245d.
  • a gas supply unit 300 as a gas supply device is configured by the processing gas supply system, the reaction gas supply system, and the purge gas supply system.
  • the manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 for exhausting the atmosphere of the processing chamber 201.
  • the exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205.
  • the exhaust pipe 231 communicates with the cylindrical space 250.
  • the exhaust pipe 231 includes a pressure sensor 245 as a pressure detector, an APC valve 242, an auxiliary pump 244, a main pump 246 as an exhaust device, a three-way valve 249a, an abatement device 248a as a first abatement device, and a three-way valve 249b.
  • the abatement apparatus 248b as a 2nd abatement apparatus is provided in order from the upstream of the gas flow.
  • the exhaust pipe 231, the pressure sensor 245, the APC valve 242 and the auxiliary pump 244 constitute an exhaust unit 310, and further includes a main pump 246, three-way valves 249 a and 249 b, an abatement device 248 a and an abatement device 248 b, An exhaust system is configured.
  • the pressure controller 13 is electrically connected to the APC valve 242 and the pressure sensor 245.
  • the exhaust controller 15 is electrically connected to the auxiliary pump 244, the main pump 246, the three-way valves 249a and 249b, and the abatement devices 248a and 248b.
  • the substrate processing apparatus 100 has a configuration including at least a casing 111 including a processing furnace 202, a gas supply unit 300, and an exhaust unit 310.
  • the controller 240 as a control unit is connected to the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, the gas supply controller 14, and the exhaust controller 15, respectively.
  • an abatement device 248a is connected to the downstream side of the main pump 246 via a three-way valve 249a, and an abatement device 248b is connected via three-way valves 249a and 249b. . Although not shown in the figure, these may be included in the exhaust unit 310.
  • the three-way valve 249a functions as a switching unit that switches the supply destination (delivery destination) of the exhaust gas exhausted from the main pump 246 to the abatement device 248a or the abatement device 248b side.
  • the three-way valve 249b functions as a switching unit that switches the supply destination (delivery destination) of the exhaust gas supplied (sent out) via the three-way valve 249a to, for example, the atmosphere that does not use the abatement apparatus 248b or the abatement apparatus. To do.
  • the exhaust gas is bypassed from the processing chamber 201 through the exhaust pipe 231, the APC valve 242, the auxiliary pump 244, the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b, and bypasses the detoxifying device 248a and the detoxifying device 248b. Exhausted into the atmosphere.
  • the gas exhausted from the main pump 246 is harmless gas
  • the three-way valve 249a and the three-way valve 249b are controlled to bypass the detoxifying device 248a and the detoxifying device 248b and the exhaust gas is exhausted into the atmosphere.
  • the abatement devices 248a and 248b are provided with combustion sections 312a and 312b for burning the exhaust gas exhausted from the main pump 246, respectively.
  • combustion units 312a and 312b By the combustion units 312a and 312b, the exhaust gas sent to the detoxifying devices 248a and 248b is burned and rendered harmless.
  • water is sprayed on the powder that is a by-product after combustion, scraped off with a scraper or the like, or both water and a scraper are used for removal. That is, in the non-operating detoxification device 248a or the detoxification device 248b, the accumulated powder is scraped off and the maintenance process is executed.
  • the controller 240 mainly includes a main control unit 25 such as a CPU (Central Processing Unit), a storage unit 28 such as a memory (RAM) and a hard disk, an input unit 29 such as a mouse and a keyboard, and a display unit 31 such as a monitor. , Is composed of.
  • the main control unit 25, the storage unit 28, the input unit 29, and the display unit 31 constitute an operation unit that can set each data.
  • the storage unit 28 includes a data storage area 32 for storing various data such as device data and a program storage area 33 for storing various programs.
  • control information of each device that is executing the process recipe is stored as data.
  • the data storage area 32 stores the operating state of the abatement apparatus 248a and the operating state of the abatement apparatus 248b.
  • information such as initialized, operating, maintenance (maintenance), maintenance end (maintenance end), waiting, abnormal stop, etc. is stored as the operation state.
  • the program storage area 33 stores various programs necessary for controlling the apparatus including a process recipe for controlling the apparatus according to the process procedure set by the user.
  • the process recipe is a recipe that includes a plurality of process processes and defines processing conditions, processing procedures, and the like for forming a film on the wafer 200.
  • the program storage area 33 stores a program for operating the abatement apparatus described later, and this program is configured to control the operation of the abatement apparatus in conjunction with the process recipe.
  • the display unit 31 is provided with a touch panel.
  • the touch panel is configured to display an operation screen that receives an input of an operation command to the above-described substrate transport system, substrate processing system, and the like.
  • the operation part should just be the structure containing the display part 31 and the input part 29 at least like operation terminals (terminal device), such as a personal computer and a mobile.
  • the main control unit 25 controls the temperature and pressure in the processing chamber 201, the flow rate of the processing gas introduced into the processing chamber 201, and the like so as to perform predetermined processing on the wafer 200 loaded in the processing chamber 201. It has a function to control.
  • the main control unit 25 executes the control program stored in the storage unit 28, and in accordance with an input from the input unit 29 or an instruction from a host controller such as an external host computer, a recipe (for example, as a substrate processing recipe) Process recipes).
  • a host controller such as an external host computer
  • a recipe for example, as a substrate processing recipe
  • the transfer controller 11 is configured to control the transfer operations of the boat elevator 115, the wafer transfer mechanism (not shown), the boat 217, and the rotation mechanism 254 that constitute a transfer mechanism for transferring a substrate.
  • the boat elevator 115, the wafer transfer mechanism (not shown), the boat 217, and the rotation mechanism 254 each have a built-in sensor.
  • the transport controller 11 is configured to notify the controller 240 when these sensors indicate predetermined values, abnormal values, or the like.
  • the temperature controller 12 adjusts the temperature in the processing furnace 202 by controlling the temperature of the heater 206 of the processing furnace 202.
  • the controller 240 notifies the controller 240 of the temperature. It is comprised so that a notice may be made.
  • the pressure controller 13 controls the APC valve 242 based on the pressure value detected by the pressure sensor 245 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing, and the pressure sensor 245 When a predetermined value, an abnormal value, or the like is indicated, the controller 240 is notified to that effect.
  • the gas supply controller 14 is configured to control the MFCs 241a to 241d so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing.
  • the gas supply controller 14 is configured to notify the controller 240 when a sensor (not shown) included in the MFCs 241a to 241d or the like indicates a predetermined value or an abnormal value.
  • the gas supply controller 14 is configured to control opening and closing of the valves 243a to 243d and the valves 245a to 245d.
  • the exhaust controller 15 controls the auxiliary pump 244, the main pump 246, the three-way valves 249a and 249b, and the abatement devices 248a and 248b so as to discharge the atmosphere in the processing chamber 201 to the outside of the processing chamber 201. It is configured.
  • the main control unit 25 is configured to execute a program for operating the abatement apparatus in conjunction with the above-described process recipe.
  • the main control unit 25 For each process recipe, the main control unit 25 outputs an execution start signal at the start of execution of the process recipe (or process processing as a film forming step) and an execution end signal at the end of execution of the process recipe (process processing). 15 to send.
  • the exhaust controller 15 acquires the execution start signal or the execution end signal of the process recipe (process process)
  • the exhaust controller 15 controls the three-way valve 249a and / or the three-way valve 249b to execute the combustion process in the abatement apparatus 248a or the abatement apparatus 248b. It is comprised so that it may control.
  • the main control unit 25 performs control so as to confirm the operating state of the other detoxifying device of the operating detoxifying device at the start or end of the process recipe (process processing). For example, when a process recipe is executed using the abatement apparatus 248a, control is performed to confirm the operating state of the abatement apparatus 248b at the start or end of the next process recipe.
  • the main control unit 25 operates the abatement apparatus 248b, stops the operating state of the abatement apparatus 248a, and removes the abatement apparatus 248a. Control is performed so that maintenance processing is executed by switching the operating state of the system during maintenance. Specifically, when the operation state of the abatement apparatus 248b is initialized, maintenance is completed (maintenance end), and is in standby, the abatement apparatus 248b is operated and the operation state of the abatement apparatus 248a is maintained. It is configured to switch to the inside and execute the maintenance process.
  • main control unit 25 is configured to control to use the abatement device 248a as it is when the operating state of the abatement device 248b is under maintenance (maintenance) or abnormally stopped. Yes.
  • the main control unit 25 performs operation (combustion process) and maintenance (maintenance process) for each of the abatement apparatus 248a and the abatement apparatus 248b while continuously executing the process recipe (process process). It is configured to control to repeat.
  • main control unit 25 controls to operate at least one of the abatement apparatus 248a and the abatement apparatus 248b. Further, the main control unit 25 is configured to control to operate at least one of the abatement apparatus 248a and the abatement apparatus 248b even during the standby time of the process recipe.
  • main control unit 25 is configured to perform control so that the operation state of the abatement apparatus for which maintenance has been completed is in a standby state when the maintenance of the abatement apparatus during maintenance is completed during the execution of the process recipe. Yes.
  • main control unit 25 is configured to control to stop the abatement apparatus that is in operation when the standby time of the process recipe exceeds a predetermined time.
  • the main control unit 25 controls the three-way valve 249a and / or the three-way valve 249b by a signal indicating the start of process processing or the end of process processing during execution of the process recipe, respectively, and the abatement devices 248a and 248b.
  • the exhaust gas is controlled to be exhausted to any one of the atmosphere.
  • the main control unit 25 controls to switch between the abatement apparatus that is in operation and another abatement apparatus at the end of the process recipe. It is configured.
  • the three-way valves 249a and 249b are respectively controlled so that the exhaust gas supplied to the abatement device 248a at the end of the process recipe is switched to the abatement device 248b.
  • the main control unit 25 performs control so that switching between the active abatement apparatus and another abatement apparatus is performed at the start of the next process recipe. It is configured as follows. For example, the three-way valves 249a and 249b are controlled so that the exhaust gas supplied to the abatement device 248a at the start of the next process recipe is switched to the abatement device 248b.
  • the exhaust controller 15 is configured to control the abatement devices 248a and 248b so that the gas exhausted from the processing chamber 201 is burned by the combustion units 312a and 312b to be rendered harmless.
  • the exhaust controller 15 is attached to the inner wall of the detoxifying device 248a or the detoxifying device 248b switched during maintenance when the operating detoxifying device is switched from operating to maintenance (during maintenance). Is configured to control the removal. For example, water is sprayed into the abatement apparatus 248a or the abatement apparatus 248b, scraped off with a scraper or the like, or both the water and the scraper are used to control by-products.
  • the main control unit 25 detects that the abatement apparatus 248a or the abatement apparatus 248b has stopped due to a failure or abnormality
  • the main abatement apparatus 248a or the abatement apparatus 248b stopped due to the failure or abnormality includes The three-way valves 249a and 249b are controlled so as not to switch the exhaust gas delivery.
  • the main control unit 25 controls the film forming operation of the substrate processing apparatus 100 by the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, the gas supply controller 14, and the exhaust controller 15 by executing a process recipe, and the exhaust controller 15.
  • the operation of the three-way valves 249a, 249b, the abatement device 248a, and the abatement device 248b by the exhaust controller 15 is monitored for each process recipe event, and the fluctuation is transmitted to the storage unit 28. Yes.
  • the main control unit 25 executes the process recipe stored in the program storage area 33 of the storage unit 28.
  • a film is formed on the wafer 200 by alternately supplying a first processing gas (raw material gas) and a second processing gas (reactive gas) to the wafer 200.
  • hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 , abbreviation: HCDS) gas is used as a source gas
  • ammonia (NH 3 ) gas is used as a reaction gas
  • SiN silicon nitride film
  • An example of forming a film is also described.
  • the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the controller 240.
  • a step of supplying HCDS gas to the wafer 200 in the processing chamber 201, a step of removing HCDS gas (residual gas) from the processing chamber 201, and a wafer in the processing chamber 201 The wafer 200 is subjected to a predetermined number of times (one or more times) in which the process of supplying the NH 3 gas to the process 200 and the process of removing the NH 3 gas (residual gas) from the processing chamber 201 are performed simultaneously.
  • a SiN film is formed thereon.
  • substrate is synonymous with the term “wafer”.
  • the processing chamber 201 that is, the space where the wafer 200 exists, is evacuated (reduced pressure) by the auxiliary pump 244 and the main pump 246 such that the space from the atmospheric pressure is changed to a predetermined pressure (degree of vacuum).
  • the exhaust gas is exhausted to the abatement device 248b.
  • the pressure in the processing chamber 201 is measured by the pressure sensor 245, and the APC valve 242 is feedback-controlled based on the measured pressure information.
  • the auxiliary pump 244, the main pump 246, and the detoxifying device 248a or the detoxifying device 248b maintain a state in which they are always operated at least until the processing on the wafer 200 is completed.
  • the wafers 200 in the processing chamber 201 are heated by the heater 206 so as to reach a predetermined temperature.
  • the power supply to the heater 206 is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor 263 so that the processing chamber 201 has a predetermined temperature distribution. Heating of the processing chamber 201 by the heater 206 is continuously performed at least until the processing on the wafer 200 is completed.
  • the rotation of the boat 217 and the wafers 200 by the rotation mechanism 254 is started.
  • the wafer 200 is rotated.
  • the rotation of the boat 217 and the wafers 200 by the rotation mechanism 254 is continuously performed at least until the processing on the wafers 200 is completed.
  • Step 1 In this step, HCDS gas is supplied to the wafer 200 in the processing chamber 201.
  • the valves 245a and 243a are opened, and HCDS gas is allowed to flow into the gas supply pipe 232a.
  • the flow rate of the HCDS gas is adjusted by the MFC 241 a, supplied into the processing chamber 201 through the nozzle 230 a, and exhausted to the exhaust unit 310.
  • the HCDS gas is supplied to the wafer 200.
  • the valves 245c and 243c are simultaneously opened, and N 2 gas is caused to flow into the gas supply pipe 232c.
  • the flow rate of the N 2 gas is adjusted by the MFC 241c, is supplied into the processing chamber 201 together with the HCDS gas, and is exhausted from the exhaust pipe 231.
  • the valves 245a and 243a are closed and the supply of HCDS gas is stopped.
  • the APC valve 242 is kept open, and the processing chamber 201 is evacuated by the auxiliary pump 244 and the main pump 246 to contribute to the formation of unreacted or first layer remaining in the processing chamber 201.
  • the HCDS gas is discharged from the processing chamber 201.
  • Step 2 After step 1 is completed, NH 3 gas is supplied to the wafer 200 in the processing chamber 201, that is, the first layer formed on the wafer 200. The NH 3 gas is activated by heat and supplied to the wafer 200.
  • the opening / closing control of the valves 245b, 243b, 245d, 243d is performed in the same procedure as the opening / closing control of the valves 245a, 243a, 245c, 243c in step 1.
  • the flow rate of the NH 3 gas is adjusted by the MFC 241b, supplied into the processing chamber 201 through the nozzle 230b, and exhausted from the exhaust pipe 231.
  • NH 3 gas is supplied to the wafer 200.
  • the NH 3 gas supplied to the wafer 200 reacts with at least a part of the first layer formed on the wafer 200 in Step 1, that is, the Si-containing layer.
  • the first layer is thermally nitrided by non-plasma and is changed (modified) into the second layer, that is, the silicon nitride layer (SiN layer).
  • the valves 245b and 243b are closed, and the supply of NH 3 gas is stopped. Then, the NH 3 gas and the reaction by-products remaining in the processing chamber 201 or contributed to the formation of the second layer are discharged from the processing chamber 201 by the same processing procedure as in Step 1. At this time, the gas remaining in the processing chamber 201 may not be completely discharged as in Step 1.
  • a SiN film having a predetermined thickness can be formed on the wafer 200.
  • the thickness of the second layer (SiN layer) formed when the above-described cycle is performed once is smaller than a predetermined thickness, and the SiN film formed by stacking the second layer is used.
  • the above cycle is preferably repeated a plurality of times until the film thickness reaches a predetermined film thickness.
  • combustion ash as a by-product after combustion is deposited in the abatement device 248 by the combustion treatment.
  • the Combustion ash is in the form of powder, adheres to and accumulates on the lower wall surface of the abatement device 248, and eventually clogs, so it must be removed.
  • scrapers or water or both are used simultaneously to remove the by-products adhering to the wall surface.
  • solidification of the by-products progresses, making it difficult to scrape with scrapers or water.
  • At least two abatement devices 248a and 248b are provided in a plurality of abatement devices on the downstream side of the main pump 246, and the main control unit is linked with the above-described substrate processing step as an example of a process recipe.
  • the exhaust controller 15 acquires, for example, an apparatus signal during execution of the process recipe in the substrate processing step described above (step S10).
  • the non-operating abatement apparatus 248 is displayed. Check the operating status of. Specifically, for example, it is determined whether or not the maintenance of the non-operating abatement apparatus 248 has been completed (step S13).
  • the exhaust controller 15 determines the state of the non-operating abatement apparatus 248 based on the information stored in the storage unit 28.
  • step S13 when it is determined that the maintenance of the non-operating detoxifying device 248b has been completed (Yes in step S13), the three-way valves 249a and 249b are switched to operate the detoxifying device 248b. At the same time, the operating detoxifying device 248a is switched to non-operating (step S14), and a maintenance process is performed on the detoxifying device 248a (step S15). When it is determined that the maintenance of the non-operating abatement apparatus 248b has not been completed (No in step S13), the abatement apparatus 248 is not switched.
  • the acquired signal is a signal indicating the end of the process process (or the end of the process recipe execution) of the film forming process in the substrate processing process (No in step S11, Yes in step S12), it is not operating.
  • Check the operating status of the abatement device Specifically, for example, it is determined whether or not the maintenance of the non-operating abatement apparatus 248 has been completed (step S13).
  • the exhaust controller 15 determines the state of the non-operating abatement apparatus 248 based on the information stored in the storage unit 28.
  • step S13 when it is determined that the maintenance of the non-operating detoxifying device 248b has been completed (Yes in step S13), the three-way valves 249a and 249b are switched to operate the detoxifying device 248b. At the same time, the operating detoxifying device 248a is switched to non-operating (step S14), and a maintenance process is performed on the detoxifying device 248a (step S15). When it is determined that the maintenance of the non-operating abatement apparatus 248b has not been completed (No in step S13), the abatement apparatus 248 is not switched.
  • the abatement apparatus 248a When the process recipe is started, simultaneously with the process processing (first time) of the substrate processing apparatus 100, for example, the abatement apparatus 248a is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 passes through the main pump 246 and the three-way valve 249a. To the abatement device 248a. In the abatement apparatus 248a, the combustion process is performed by the combustion unit 312a.
  • a process process end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main controller 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process process end signal It is determined whether the device 248b is undergoing maintenance.
  • the detoxifying device 248b When it is determined that the detoxifying device 248b is not under maintenance, the detoxifying device 248b is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is removed through the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b. 248b. In the abatement apparatus 248b, the combustion process is performed by the combustion unit 312b. At the same time, the abatement apparatus 248a is stopped, the operating state is switched during maintenance, and maintenance processing is executed.
  • a process processing start signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main control unit 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process processing start signal It is determined whether the device 248a is undergoing maintenance.
  • the abatement device 248b is operated as it is, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is removed via the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b. It is supplied to the harm device 248b and the combustion process is executed by the combustion unit 312b.
  • a process process end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main controller 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process process end signal It is determined whether the device 248a is undergoing maintenance.
  • the abatement apparatus 248a that has been on standby is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is supplied to the abatement apparatus 248a via the main pump 246 and the three-way valve 249a, and the combustion section A combustion process is performed by 312a.
  • a process processing start signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main control unit 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process processing start signal It is determined whether the device 248b is undergoing maintenance.
  • the abatement device 248a is operated as it is, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is sent to the abatement device 248a via the main pump 246 and the three-way valve 249a.
  • the combustion process is performed by the combustion unit 312a.
  • a process process end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main controller 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process process end signal It is determined whether the device 248b is undergoing maintenance.
  • control is performed so that the abatement apparatus 248a in operation and the abatement apparatus 248b in standby are switched. Specifically, the operating abatement apparatus 248a is stopped and switched to maintenance, and the maintenance process is executed. At the same time, the abatement apparatus 248b that has been on standby is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is supplied to the abatement apparatus 248b via the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b. Thus, the combustion process is performed by the combustion unit 312b.
  • the abatement apparatus 248a When the process recipe is started, simultaneously with the process processing (first time) of the substrate processing apparatus 100, for example, the abatement apparatus 248a is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 passes through the main pump 246 and the three-way valve 249a. To the abatement device 248a. In the abatement apparatus 248a, the combustion process is performed by the combustion unit 312a.
  • a process process end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main controller 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process process end signal It is determined whether the device 248b is undergoing maintenance.
  • the detoxifying device 248b When it is determined that the detoxifying device 248b is not under maintenance, the detoxifying device 248b is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is removed through the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b. 248b. In the abatement apparatus 248b, the combustion process is performed by the combustion unit 312b. At the same time, the abatement apparatus 248a is stopped, the operation state is switched to maintenance, and the maintenance process is executed.
  • a process processing start signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main control unit 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process processing start signal It is determined whether the device 248a is undergoing maintenance.
  • the abatement device 248b is operated as it is, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is removed via the main pump 246, the three-way valve 249a, and the three-way valve 249b. It is supplied to the harm device 248b and the combustion process is executed by the combustion unit 312b.
  • a process process end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main controller 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process process end signal It is determined whether the device 248a is undergoing maintenance.
  • the abatement apparatus 248a when the abatement apparatus 248a is under maintenance as shown in FIG. 6 (when the time required for maintenance of the abatement apparatus 248a is longer than the execution time of the process process), The process process waits, the maintenance process of the abatement apparatus 248a ends, and the next process process (third time) is started. Even if the next process processing does not start, if the standby time exceeds a predetermined time, the operating abatement apparatus may be stopped.
  • a process processing start signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main control unit 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the apparatus process processing start signal It is determined whether or not the harmful device 248a has completed maintenance.
  • the detoxification device 248a When it is determined that the detoxification device 248a is in a standby state after the maintenance is completed, the detoxification device 248a is operated, and the exhaust gas exhausted from the processing chamber 201 is detoxified via the main pump 246 and the three-way valve 249a. The fuel is supplied to the device 248a and the combustion process is performed by the combustion unit 312a. At the same time, the abatement apparatus 248b is stopped, the operation state is switched to maintenance, and maintenance processing is executed.
  • a process processing end signal is transmitted to the exhaust controller 15 via the main control unit 25, and the exhaust controller 15 that has acquired the process processing end signal is not operating. It is determined whether or not the state abatement apparatus 248b is under maintenance.
  • the abatement apparatus 248b when the abatement apparatus 248b is under maintenance, the maintenance process is executed until the maintenance process is completed, and the abatement apparatus 248a executes the combustion process until the combustion process is completed.
  • the main controller 25 collectively manages the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, the gas supply controller 14, and the exhaust controller 15, so that information on the apparatus, the main pump 246, the abatement apparatus 248, etc. Information can be acquired, and management with higher accuracy and control linked to each device can be performed.
  • the main control unit 25 and the exhaust controller 15 are interlocked so that the main control unit 25 determines the switching timing of the abatement device 248. Therefore, before reaching the maintenance threshold of the abatement device 248, Maintenance processing is performed. Thereby, the maintenance cycle of the abatement apparatus can be extended, the apparatus operating rate is improved, and the maintenance cost is reduced.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating another configuration example.
  • the exhaust pipe 231, the auxiliary pump 244, the main pump 246, and the abatement device 248 constitute the exhaust unit 310.
  • the abatement device 248 includes the above-described three-way valves 249a and 249b and the abatement devices 248a and 248b.
  • a casing 111 is installed on the third floor, and an auxiliary pump 244, a main pump 246, and an abatement apparatus 248 are installed on the first floor in order from the upstream side of the gas flow.
  • An auxiliary pump 244 on the first floor is connected by an exhaust pipe 231.
  • a casing 111, an auxiliary pump 244, and a main pump 246 are installed on the third floor in order from the upstream side of the gas flow, an abatement device 248 is installed on the first floor, and the main pump 246 on the third floor An exhaust pipe 231 is connected to the first floor abatement device 248.
  • the substrate processing apparatus 100 and the exhaust unit 310 are installed on the same floor, at least a part of the substrate processing apparatus 100 and the exhaust unit 310 is installed on different floors, such as the substrate processing apparatuses 100a and 100b. Even if it is such a structure, this invention can be applied suitably and the by-product adhering to the abatement apparatus 248a, 248b can be removed alternately, and the operating rate of an apparatus can be improved.
  • auxiliary pump 244, the main pump 246, the three-way valves 249a and 249b, and the exhaust controller 15 that controls the abatement devices 248a and 248b are connected to the main control unit 25.
  • the present invention is not limited to such an embodiment.
  • a pump control unit that controls the auxiliary pump 244 and the main pump 246 and an abatement control unit that controls the three-way valves 249a and 249b and the abatement devices 248a and 248b are individually connected to the main control unit 25. Also in this case, it can be suitably applied.
  • the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus that processes a semiconductor wafer such as the substrate processing apparatus according to the present embodiment, but also to an LCD (Liquid Crystal Display) manufacturing apparatus that processes a glass substrate.
  • a semiconductor manufacturing apparatus that processes a semiconductor wafer
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Abstract

除害装置に付着した副生成物を適切なタイミングで除去して、装置の稼働率を向上させることができる。　処理炉内に構成される処理室と、複数の除害装置と接続され該処理室からガスを排気する排気系と、処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、を少なくとも備え、該制御部は、プロセスレシピの開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認するように構成され、他の除害装置の稼働状態が保守中でなければ、他の除害装置を稼働させると共に、稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、他の除害装置の稼働状態が保守中であれば、稼働中の除害装置をそのまま継続して使用するように制御する。

Description

処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
　本発明は、処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。
　半導体装置の処理工程において、排出されるガスには有害ガスが含まれていることがあるため、除害装置を用いることにより排気ガスに除害処理を行って無害化して大気中等に排出するようにしている（例えば特許文献１参照）。
　しかしながら、除害装置内に副生成物が付着して堆積すると、生産途中であっても装置が停止してしまう場合がある。これにより、製品基板がロットアウトしてしまい、生産処理を中断して除害装置をメンテナンスしなければならない。
特開平１１－１９７４４０号公報
　本発明の目的は、複数の除害装置を用いて、付着した副生成物を所定のタイミングで除去することにより、装置の稼働率を向上させることができる技術を提供することにある。
　本発明の一態様によれば、処理炉内に構成される処理室と、複数の除害装置と接続され該処理室内からガスを排気する排気系と、処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、を少なくとも備え、該制御部は、プロセスレシピの開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認するように構成され、他の除害装置の稼働状態が保守中でなければ、他の除害装置を稼働させると共に、稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、他の除害装置の稼働状態が保守中であれば、稼働中の除害装置をそのまま継続して使用するように制御する技術が提供される。
　本発明によれば、複数の除害装置を用いて、付着した副生成物を所定のタイミングで除去することにより、装置の稼働率を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉を示す縦断面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置に用いられる除害装置を示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置に用いられる制御構成を示すブロック図である。 本発明に一実施形態に係る基板処理装置に用いられる排気コントローラの制御フローを示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理シーケンスを示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理シーケンスの変形例を示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の他の構成例を示す図である。
＜本発明の一実施形態＞
　以下に、本発明の一実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
　本発明の一実施形態に係る処理装置としての基板処理装置１００の処理炉２０２の構成について、図１を参照しながら説明する。
　図１に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ボート２１７を収容可能なように構成されている。
　プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、ヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に構成されている。ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
　アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、上端及び下端が開口した円筒形状に形成された炉口部としてのマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とを支持するように設けられ、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合している。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。
　マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能なシールキャップ２１９が円盤状に設けられている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
　シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。
　シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に設けられたボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。
　ボートエレベータ１１５、ボート２１７及び回転機構２５４等により、本実施形態に係る搬送機構が構成される。これらボートエレベータ１１５及び回転機構２５４等は、それぞれ搬送コントローラ１１に電気的に接続されている。
　ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の下部には、断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。
　プロセスチューブ２０３内には、温度検知器としての温度センサ２６３が設置されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ２６３により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度コントローラ１２が電気的に接続されている。
　マニホールド２０９には、ノズル２３０ａ及びノズル２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０ａ，２３０ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂがそれぞれ接続されている。
　ガス供給管２３２ａ，２３２ｂには、ガス流の上流側から順に、図示しないガス供給源、バルブ２４５ａ，２４５ｂ、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２４３ａ，２４３ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、ガス供給管２３２ｃ、２３２ｄがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄには、ガス流の上流側から順に、図示しないパージガス供給源、バルブ２４５ｃ，２４５ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄがそれぞれ設けられている。
　主に、ガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ガス供給管２３２ａ及びノズル２３０ａにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、ガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ガス供給管２３２ｂ及びノズル２３０ｂにより、本実施形態に係る反応ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源（図示しない）、バルブ２４５ｃ，２４５ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２４３ｃ，２４３ｄ、ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ及びノズル２３０ａ，２３０ｂにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄ、バルブ２４３ａ～２４３ｄ及びバルブ２４５ａ～２４５ｄには、ガス供給コントローラ１４が電気的に接続されている。
　また、処理ガス供給系、反応ガス供給系及びパージガス供給系により、ガス供給装置としてのガス供給ユニット３００が構成される。
　マニホールド２０９には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されている。排気管２３１は、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１には、圧力検知部としての圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、排気装置としてのメインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、第１除害装置としての除害装置２４８ａ、三方バルブ２４９ｂ及び第２除害装置としての除害装置２４８ｂがガス流の上流側から順に設けられている。
　排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、により排気ユニット３１０が構成され、更に、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，除害装置２４８ｂを含むことにより、排気系が構成される。
　また、ＡＰＣバルブ２４２、圧力センサ２４５には、圧力コントローラ１３が電気的に接続されている。また、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂには、排気コントローラ１５が電気的に接続されている。
　すなわち、基板処理装置１００は、図１に示すように、処理炉２０２を含む筐体１１１と、ガス供給ユニット３００と、排気ユニット３１０とを少なくとも含む構成である。
　また、制御部としてのコントローラ２４０は、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４、排気コントローラ１５にそれぞれ接続されている。
（２）除害装置２４８ａ，２４８ｂの構成
　図２を参照して、除害装置２４８ａ，２４８ｂの構成について説明する。
　図２に示されているように、メインポンプ２４６の下流側には、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａが接続され、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを介して除害装置２４８ｂが接続されている。図では除外されているが、これらも排気ユニット３１０に含むようにしてもよい。
　三方バルブ２４９ａは、メインポンプ２４６から排気される排気ガスの供給先（送出先）を、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂ側に切り替える切替部として機能する。また、三方バルブ２４９ｂは、三方バルブ２４９ａを介して供給（送出）される排気ガスの供給先（送出先）を、除害装置２４８ｂ又は除害装置を用いない例えば大気中に切り替える切替部として機能する。
　すなわち、処理室２０１から排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを経由して除害装置２４８ａ又は、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを経由して除害装置２４８ｂに排気ガスが送出される。
　また、処理室２０１から排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを経由して、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂをバイパスして排気ガスが大気中に排気される。メインポンプ２４６から排気されるガスが無害ガスである場合には、三方バルブ２４９ａ及び三方バルブ２４９ｂを制御して、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂをバイパスして排気ガスが大気中に排気される。
　除害装置２４８ａ，２４８ｂには、それぞれメインポンプ２４６から排気された排気ガスを燃焼する燃焼部３１２ａ，３１２ｂが設けられている。この燃焼部３１２ａ，３１２ｂにより、除害装置２４８ａ，２４８ｂにそれぞれ送出された排気ガスが燃焼され、無害化される。
　また、除害装置２４８ａ，２４８ｂでは、燃焼後の副生成物である粉体に対して水を散布するか、スクレーパ等で削り落とすか、或いは水とスクレーパ等の双方を使用し除去される。すなわち、非稼働状態の除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂにおいて、蓄積された粉体が削り落とされメンテナンス処理が実行される。
（３）コントローラ２４０の構成
　図３を参照して、コントローラ２４０の制御構成について説明する。
　コントローラ２４０は、主にＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ)等の主制御部２５と、メモリ(ＲＡＭ)やハードディスク等の記憶部２８と、マウスやキーボード等の入力部２９と、モニタ等の表示部３１と、から構成されている。尚、主制御部２５と、記憶部２８と、入力部２９と、表示部３１とで各データを設定可能な操作部が構成される。
　記憶部２８には、装置データ等の各種データ等が記憶されるデータ記憶領域３２と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。
　データ記憶領域３２には、プロセスレシピを実行中の各装置の制御情報がデータとして蓄積される。また、データ記憶領域３２には、除害装置２４８ａの稼働状態と、除害装置２４８ｂの稼働状態がそれぞれ記憶される。ここで、稼働状態として、初期化済、稼働中、メンテナンス中（保守中）、メンテナンス終了（保守終了）、待機中、異常停止等の情報が記憶される。
　プログラム格納領域３３には、ユーザが設定したプロセス手順に従って装置を制御するプロセスレシピを含む装置を制御するのに必要な各種プログラムが格納されている。ここで、プロセスレシピとは、複数のプロセス処理を含み、ウエハ２００に膜を形成する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。
　また、プログラム格納領域３３には、後述する除害装置を運用するプログラムが格納されており、このプログラムはプロセスレシピと連動して除害装置の運用を制御するように構成されている。
　また、レシピファイルには、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５等に送信する設定値（制御値）や送信タイミング等が、ステップ毎に設定されている。
　表示部３１には、タッチパネルが設けられている。タッチパネルは、上述の基板搬送系、基板処理系等への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示するように構成されている。なお、操作部は、パソコンやモバイル等の操作端末(端末装置)のように、少なくとも表示部３１と入力部２９を含む構成であればよい。
　主制御部２５は、処理室２０１内にローディングされたウエハ２００に対し、所定の処理を施すよう、処理室２０１内の温度や圧力、該処理室２０１内に導入される処理ガスの流量等を制御する機能を有している。
　つまり、主制御部２５は、記憶部２８に記憶された制御プログラムを実行し、入力部２９からの入力或いは外部にあるホストコンピュータ等の上位コントローラからの指示に従って、レシピ（例えば、基板処理レシピとしてのプロセスレシピ等）を実行する。
　搬送コントローラ１１は、基板を搬送する搬送機構を構成するボートエレベータ１１５、不図示のウエハ移載機構、ボート２１７及び回転機構２５４の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、ボートエレベータ１１５、不図示のウエハ移載機構、ボート２１７及び回転機構２５４には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ１１は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
　温度コントローラ１２は、処理炉２０２のヒータ２０６の温度を制御することで処理炉２０２内の温度を調節すると共に、温度センサ２６３が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
　圧力コントローラ１３は、圧力センサ２４５により検知された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣバルブ２４２を制御すると共に、圧力センサ２４５が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。
　ガス供給コントローラ１４は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄを制御するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、ＭＦＣ２４１ａ～２４１ｄ等の備えるセンサ（図示せず）が所定の値や異常な値等を示した際、コントローラ２４０にその旨の通知を行うように構成されている。また、ガス供給コントローラ１４は、バルブ２４３ａ～２４３ｄ、バルブ２４５ａ～２４５ｄの開閉を制御するように構成されている。
　排気コントローラ１５は、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御して、処理室２０１内の雰囲気を処理室２０１外に排出するように制御するように構成されている。
　主制御部２５は、上述のプロセスレシピと連動して除害装置を運用するプログラムを実行するように構成されている。
　主制御部２５は、プロセスレシピ毎に、プロセスレシピ（若しくは成膜ステップであるプロセス処理）の実行開始時の実行開始信号と、プロセスレシピ（プロセス処理）の実行終了時の実行終了信号を排気コントローラ１５に送信する。排気コントローラ１５は、プロセスレシピ（プロセス処理）の実行開始信号又は実行終了信号を取得すると、三方バルブ２４９ａ又は／及び三方バルブ２４９ｂを制御して除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂで燃焼処理を実行するよう制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピ（プロセス処理）の開始時または終了時に、稼働中の除害装置の他方の除害装置の稼働状態を確認するよう制御する。例えば、除害装置２４８ａを用いてプロセスレシピを実行していた場合には、次のプロセスレシピの開始または終了時に、除害装置２４８ｂの稼働状態を確認するよう制御するように構成されている。
　そして、主制御部２５は、除害装置２４８ｂの稼働状態がメンテナンス中（保守中）でなければ、除害装置２４８ｂを稼働させると共に、除害装置２４８ａの稼働状態を停止し、除害装置２４８ａの稼働状態をメンテナンス中に切り替えてメンテナンス処理を実行するよう制御する。具体的には、除害装置２４８ｂの稼働状態が、初期化済、メンテナンス終了（保守終了）、待機中である場合に、除害装置２４８ｂを稼働させると共に、除害装置２４８ａの稼働状態をメンテナンス中に切り替えてメンテナンス処理を実行するように構成されている。
　また、主制御部２５は、除害装置２４８ｂの稼働状態がメンテナンス中（保守中）又は異常停止である場合には、除害装置２４８ａをそのまま継続して使用するよう制御するように構成されている。
　つまり、主制御部２５は、プロセスレシピ（プロセス処理）を連続して実行している間、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのそれぞれに対して稼働（燃焼処理）とメンテナンス（メンテナンス処理）を繰り返すように制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのうち少なくともいずれか一つを稼働するように制御する。また、主制御部２５は、プロセスレシピの待機時間であっても、除害装置２４８ａと除害装置２４８ｂのうち少なくともいずれか一つを稼働するように制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行中にメンテナンス中の除害装置のメンテナンスを終了した場合、メンテナンスを終了した除害装置の稼働状態を待機中にするよう制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピの待機時間が所定時間を超えた場合、稼働中の除害装置を停止するように制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行中に、プロセス処理開始またはプロセス処理終了を示す信号により、三方バルブ２４９ａ又は／及び三方バルブ２４９ｂをそれぞれ制御して除害装置２４８ａ、除害装置２４８ｂ又は大気中のうちいずれか一つに排気ガスを排気させるように制御するように構成されている。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行時間がメンテナンスに係る時間よりも長い場合、プロセスレシピ終了時に稼働中の除害装置と他の除害装置との切替が行われるよう制御するように構成されている。例えば、プロセスレシピ終了時に除害装置２４８ａに供給されていた排気ガスが、除害装置２４８ｂに切り替えて供給されるように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。
　また、主制御部２５は、プロセスレシピの実行時間がメンテナンスに係る時間よりも短い場合、次のプロセスレシピ開始時に稼働中の除害装置と他の除害装置との切替が行われるよう制御するように構成されている。例えば次のプロセスレシピ開始時に除害装置２４８ａに供給されていた排気ガスが、除害装置２４８ｂに切り替えて供給されるように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。
　また、排気コントローラ１５は、処理室２０１から排気されるガスを燃焼部３１２ａ，３１２ｂにより燃焼させて無害化するよう除害装置２４８ａ，２４８ｂをそれぞれ制御するように構成されている。
　排気コントローラ１５は、稼働中の除害装置が稼働中から保守中(メンテナンス中)に切り換えられた場合に、メンテナンス中に切り換えられた除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂの内壁に付着した付着物を除去するように制御するように構成されている。例えば、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂ内に水を散布するか、スクレーパ等で削り落とすか、或いは水とスクレーパ等の双方を使用し副生成物を除去するように制御する。
　なお、主制御部２５は、除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂが故障、異常により停止したことを検出した場合には、故障、異常により停止した除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂには、排気ガスの送出を切り替えないように三方バルブ２４９ａ，２４９ｂをそれぞれ制御する。
　そして、主制御部２５は、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５による基板処理装置１００の成膜動作をプロセスレシピの実行により制御すると共に、排気コントローラ１５と連動して排気コントローラ１５による三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ、除害装置２４８ａ及び除害装置２４８ｂの動作をプロセスレシピのイベント毎に監視して、記憶部２８にその変動を送信するように構成されている。
（４）基板処理工程
　次に、基板処理装置１００の基板処理工程について詳述する。基板処理工程の実施をする場合には、主制御部２５は、記憶部２８のプログラム格納領域３３に格納されているプロセスレシピを実行する。
　ここでは、ウエハ２００に対して、第１の処理ガス（原料ガス）と第２の処理ガス（反応ガス）とを交互に供給することで、ウエハ２００上に膜を形成する例について説明する。
　以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ3）ガスを用い、ウエハ２００上にシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜、以下、ＳｉＮ膜ともいう）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
　本実施形態における基板処理工程では、処理室２０１内のウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室２０１内からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室２０１内のウエハ２００に対してＮＨ3ガスを供給する工程と、処理室２０１内からＮＨ3ガス（残留ガス）を除去する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ２００上にＳｉＮ膜を形成する。
　また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
（ボートロード工程）
　複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。
（準備工程）
　処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が大気圧から所定の圧力（真空度）となるように、補助ポンプ２４４及びメインポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）されて除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂに排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４２が、フィードバック制御される。補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６及び除害装置２４８ａ又は除害装置２４８ｂは、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
　また、処理室２０１内のウエハ２００が所定の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１が所定の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ２０６による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
　また、回転機構２５４によるボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。回転機構２５４によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくとも、ウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
（パージ工程）
　そして、バルブ２４５ｃ，２４３ｃ，２４５ｄ，２４３ｄを開き、ガス供給管２３０ａ，２３０ｂからＮ2ガスを処理室２０１内へ供給し、排気ユニット３１０から排気する。Ｎ2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされる。
（成膜工程）
　処理室２０１内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、次の２つのステップ、すなわち、ステップ１～２を順次実行する。
　［ステップ１］
　このステップでは、処理室２０１内のウエハ２００に対し、ＨＣＤＳガスを供給する。
　バルブ２４５ａ，２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内へＨＣＤＳガスを流す。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ２４１ａにより流量調整され、ノズル２３０ａを介して処理室２０１内へ供給され、排気ユニット３１０に排気される。このとき、ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる。このとき、同時にバルブ２４５ｃ，２４３ｃを開き、ガス供給管２３２ｃ内へＮ2ガスを流す。Ｎ2ガスは、ＭＦＣ２４１ｃにより流量調整され、ＨＣＤＳガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハ２００の最表面上に、第１の層として、例えば数原子層の厚さのシリコン（Ｓｉ）含有層が形成される。
　第１の層が形成された後、バルブ２４５ａ，２４３ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４２は開いたままとして、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排出する。
　［ステップ２］
　ステップ１が終了した後、処理室２０１内のウエハ２００、すなわち、ウエハ２００上に形成された第１の層に対してＮＨ3ガスを供給する。ＮＨ3ガスは熱で活性化されてウエハ２００に対して供給されることとなる。
　このステップでは、バルブ２４５ｂ，２４３ｂ，２４５ｄ，２４３ｄの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ２４５ａ，２４３ａ，２４５ｃ，２４３ｃの開閉制御と同様の手順で行う。ＮＨ3ガスは、ＭＦＣ２４１ｂにより流量調整され、ノズル２３０ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＮＨ3ガスが供給されることとなる。ウエハ２００に対して供給されたＮＨ3ガスは、ステップ１でウエハ２００上に形成された第１の層、すなわちＳｉ含有層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は、ノンプラズマで熱的に窒化され、第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと変化させられる（改質される）。
　第２の層が形成された後、バルブ２４５ｂ，２４３ｂを閉じ、ＮＨ3ガスの供給を停止する。そして、ステップ１と同様の処理手順により、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ3ガスや反応副生成物を処理室２０１内から排出する。このとき、ステップ１と同様に処理室２０１内に残留するガス等を完全に排出しなくてもよい。
（所定回数実施）
　上述した２つのステップを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ２００上に、所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。なお、上述のサイクルを１回行う際に形成される第２の層（ＳｉＮ層）の厚さを所定の膜厚よりも小さくし、第２の層を積層することで形成されるＳｉＮ膜の膜厚が所定の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
（パージ工程）
　成膜処理が完了した後、バルブ２４５ｃ，２４３ｃ，２４５ｄ，２４３ｄを開き、ノズル２３０ａ，２３０ｂからＮ2ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物が処理室２０１内から除去される（パージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
　ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、プロセスチューブ２０３の下端が開口される。そして、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態で、プロセスチューブ２０３の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハ２００は、ボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
　ここで、上述した基板処理工程において、除害装置２４８ａ、２４８ｂのうちどちらか一つの除害装置２４８では、燃焼処理により除害装置２４８内に燃焼後の副生成物である燃焼灰が堆積される。燃焼灰は、粉末状であり、除害装置２４８の下部の壁面に付着して堆積し、やがて詰まるため、除去する必要がある。また、この壁面に付着した副生成物を除去するためにスクレーパ、又は水、又は双方同時に使用するが、時間の経過によって、副生成物の固化が進行し、スクレーパや水で削り取ることが困難となり、やがて副生成物により閉塞してしまうという問題があった。
　本実施形態では、メインポンプ２４６の下流側に複数の除害装置に、少なくとも２つの除害装置２４８ａ，２４８ｂを設け、プロセスレシピの一例である上述した基板処理工程と連動させて、主制御部２５及び排気コントローラ１５により、除害装置２４８ａ，２４８ｂに付着した副生成物を除去させることにより、除害装置の閉塞による装置停止を避けることができる。
（５）排気コントローラ１５の動作
　排気コントローラ１５の動作について図４に基づいて説明する。
　排気コントローラ１５は、例えば上述した基板処理工程におけるプロセスレシピ実行中の装置信号を取得する（ステップＳ１０）。
　そして、取得した信号が、基板処理工程における成膜工程のプロセス処理開始（若しくは、プロセスレシピ実行開始）時を示す信号である場合には（ステップＳ１１においてＹｅｓ）、非稼働中の除害装置２４８の稼働状態を確認する。具体的には、例えば非稼働中の除害装置２４８のメンテナンスが終了しているか否かが判定される（ステップＳ１３）。
　このとき、排気コントローラ１５は、非稼働中の除害装置２４８の状態を記憶部２８に記憶された情報に基づいて判定する。
　そして、例えば非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していると判定された場合には（ステップＳ１３においてＹｅｓ）、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを切り替えて除害装置２４８ｂを稼働し、これと同時に稼働中の除害装置２４８ａを非稼働に切り替えて（ステップＳ１４）、除害装置２４８ａに対してメンテナンス処理を実行する（ステップＳ１５）。なお、非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していないと判定された場合には（ステップＳ１３においてＮｏ）、除害装置２４８の切り替えを行わない。
　また、取得した信号が、基板処理工程における成膜工程のプロセス処理終了（またはプロセスレシピ実行終了）時を示す信号である場合には（ステップＳ１１においてＮｏ、ステップＳ１２においてＹｅｓ）、非稼働中の除害装置の稼働状態を確認する。具体的には、例えば非稼働中の除害装置２４８のメンテナンスが終了しているか否かが判定される（ステップＳ１３）。
　このとき、排気コントローラ１５は、非稼働中の除害装置２４８の状態を記憶部２８に記憶された情報に基づいて判定する。
　例えば、例えば非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していると判定された場合には（ステップＳ１３においてＹｅｓ）、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂを切り替えて除害装置２４８ｂを稼働し、これと同時に稼働中の除害装置２４８ａを非稼働に切り替えて（ステップＳ１４）、除害装置２４８ａに対してメンテナンス処理を実行する（ステップＳ１５）。なお、非稼働中の除害装置２４８ｂのメンテナンスが終了していないと判定された場合には（ステップＳ１３においてＮｏ）、除害装置２４８の切り替えを行わない。
　つまり、プロセス処理開始時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置がメンテナンス中であった場合には、稼働状態であった除害装置をそのまま稼働し、プロセス処理終了時に、そのメンテナンス中であった除害装置のメンテナンスが終了していた場合には、稼働する除害装置の切り替えを実行する。
　また、プロセス処理開始時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置のメンテナンスが終了していた場合には、そのメンテナンスが終了した除害装置を稼働し、これと同時に稼働状態であった除害装置を非稼働に切り替えてメンテナンス処理を実行する。また、プロセス処理終了時に、稼働状態であった除害装置の他の非稼働状態の除害装置がメンテナンス中であった場合には、稼働状態であった除害装置をそのまま稼働する。
　つまり、プロセス処理の開始時と終了時において、複数の除害装置の稼働状態を確認し、非稼働状態の除害装置が初期化済、メンテナンス終了又は待機中である場合には、非稼働状態の除害装置を稼働し、これと同時に稼働状態の除害装置を非稼働に切り替えてメンテナンス処理を実行する。また、プロセス処理の開始時と終了時において、非稼働状態の除害装置が、メンテナンス中又は異常停止である場合には、稼働中の除害装置の切り替えは行わない。
（６）処理シーケンス
　次に、除害装置２４８ａ，２４８ｂのメンテナンス時間が基板処理装置１００のプロセス処理時間よりも短い場合の主制御部２５の処理シーケンスについて、図５を参照して説明する。
　プロセスレシピが開始されると、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）と同時に、例えば除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給される。除害装置２４８ａでは、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中か否かを判定する。
　除害装置２４８ｂがメンテナンス中でないと判定されると、除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給される。除害装置２４８ｂでは、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ａが停止されて、稼働状態がメンテナンス中に切り替えられて、メンテナンス処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中か否かを判定する。
　除害装置２４８ａがメンテナンス中であると判定されると、除害装置２４８ｂがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中か否かを判定する。
　ここで、除害装置２４８ａの稼働状態が、図５に示されているように、メンテナンス処理が終了し待機中である場合（除害装置のメンテナンスに係る時間がプロセス処理の実行時間よりも短い場合）には、除害装置の稼働状態は待機中に変更されている。そして、プロセス処理（２回目）の終了時に、稼働中の除害装置２４８ｂと待機中の除害装置２４８ａとの切替が行われるよう制御する。具体的には、稼働中の除害装置２４８ｂが停止されてメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。これと同時に、待機中となっていた除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中か否かを判定する。
　除害装置２４８ｂがメンテナンス中であると判定されると、除害装置２４８ａがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中か否かを判定する。
　そして、除害装置２４８ｂが、メンテナンス処理が終了し待機中である場合には、稼働中の除害装置２４８ａと待機中の除害装置２４８ｂとの切替が行われるよう制御する。具体的には、稼働中の除害装置２４８ａが停止されてメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。これと同時に、待機中となっていた除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。
　次に、除害装置２４８ａ，２４８ｂのメンテナンス時間が基板処理装置１００のプロセス処理時間よりも長い場合の主制御部２５の処理シーケンスについて、図６を参照して説明する。
　プロセスレシピが開始されると、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）と同時に、例えば除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給される。除害装置２４８ａでは、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（１回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ｂがメンテナンス中か否かを判定する。
　除害装置２４８ｂがメンテナンス中でないと判定されると、除害装置２４８ｂが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給される。除害装置２４８ｂでは、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ａが停止されて、稼働状態をメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中か否かを判定する。
　除害装置２４８ａがメンテナンス中であると判定されると、除害装置２４８ｂがそのまま稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ、三方バルブ２４９ｂを介して除害装置２４８ｂに供給されて、燃焼部３１２ｂにより燃焼処理が実行される。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（２回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス中か否かを判定する。
　ここで、除害装置２４８ａが、図６に示されているように、メンテナンス中である場合（除害装置２４８ａのメンテナンスに係る時間がプロセス処理の実行時間よりも長い場合）には、次のプロセス処理は待機され、除害装置２４８ａのメンテナンス処理が終了し、次のプロセス処理（３回目）が開始される。尚、次のプロセス処理が開始しなくても待機時間が所定時間を超えた場合、稼働中の除害装置を停止するようにしてもよい。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の開始時に、プロセス処理開始信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、装置プロセス処理開始信号を取得した排気コントローラ１５は、除害装置２４８ａがメンテナンス終了したか否かを判定する。
　除害装置２４８ａがメンテナンス終了して待機中であると判定されると、除害装置２４８ａが稼働され、処理室２０１から排気された排気ガスは、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａを介して除害装置２４８ａに供給されて、燃焼部３１２ａにより燃焼処理が実行される。これと同時に、除害装置２４８ｂが停止されて、稼働状態をメンテナンス中に切り替えて、メンテナンス処理を実行する。
　そして、基板処理装置１００のプロセス処理（３回目）の終了時に、プロセス処理終了信号が主制御部２５を介して排気コントローラ１５に送信され、プロセス処理終了信号を取得した排気コントローラ１５は、非稼働状態の除害装置２４８ｂがメンテナンス中か否かを判定する。
　そして、除害装置２４８ｂが、メンテナンス中である場合には、メンテナンス処理が終了するまでメンテナンス処理を実行し、除害装置２４８ａは、燃焼処理が終了するまで燃焼処理を実行する。
（７）本実施形態による効果
　本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
（ａ）主制御部２５と排気コントローラ１５を連動させて、除害装置に付着した副生成物を除去させるので、除害装置の閉塞による装置停止を避けることができ、装置の稼働率を向上させることができる。
（ｂ）主制御部２５により、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４及び排気コントローラ１５を一括管理することにより、装置の情報、メインポンプ２４６、除害装置２４８等の情報を取得して、より精度の高い管理や各装置と連動した制御が可能となる。
（ｃ）複数の除害装置をプロセスレシピ実行毎に、交互に使用することで、燃焼処理により発生した副生成物の固化が進行する前に、副生成物を除去することが可能である。
（ｄ）主制御部２５と排気コントローラ１５を連動させて、主制御部２５が除害装置２４８の切替タイミングを決定するようにしているので、除害装置２４８のメンテナンスの閾値に到達する前にメンテナンス処理が行われるようにしている。これにより、除害装置のメンテナンス周期が延伸でき、装置稼働率が向上されると共にメンテナンス費用が削減される。
（ｅ）主制御部２５が除害装置２４８の切替信号をプロセスレシピの開始時(または終了時)に排気コントローラ１５に出力するようにしているので、プロセスレシピの成膜工程実行中に除害装置２４８のメンテナンスの閾値に到達し、エラーが発生してもプロセスレシピが継続して実行され、プロセスレシピ実行後にメンテナンス処理が行われるようにしている。これにより、装置稼働率が向上される。
（８）他の構成例
　図７は、他の構成例を示す図である。本構成例では、排気管２３１、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６及び除害装置２４８により、排気ユニット３１０が構成される。除害装置２４８は、上述した三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ、除害装置２４８ａ，２４８ｂにより構成されている。
　基板処理装置１００ａは、筐体１１１が３階に設置され、１階に補助ポンプ２４４とメインポンプ２４６と除害装置２４８がガス流の上流側から順に設置されて、３階の筐体１１１と１階の補助ポンプ２４４とが排気管２３１で接続されている。
　基板処理装置１００ｂは、筐体１１１と補助ポンプ２４４とメインポンプ２４６がガス流の上流側から順に３階に設置され、１階に除害装置２４８が設置されて、３階のメインポンプ２４６と１階の除害装置２４８とが排気管２３１で接続されている。
　つまり、基板処理装置１００と排気ユニット３１０が同じフロアに設置される場合の他、基板処理装置１００ａ、１００ｂのように、基板処理装置１００と排気ユニット３１０の少なくとも一部が異なるフロアに設置されるような構成であっても、本発明を好適に適用でき、除害装置２４８ａ，２４８ｂに付着した副生成物を交互に除去して、装置の稼働率を向上させることができる。
　以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
　また、上述の実施形態では、補助ポンプ２４４、メインポンプ２４６、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御する排気コントローラ１５が主制御部２５に接続される構成について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、補助ポンプ２４４及びメインポンプ２４６を制御するポンプ制御部と、三方バルブ２４９ａ，２４９ｂ及び除害装置２４８ａ，２４８ｂを制御する除害制御部とが、それぞれ個別に主制御部２５に接続される場合にも、好適に適用可能である。
　また、上述の実施の形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の縦型装置である処理装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて薄膜を成膜する場合にも、好適に適用できる。
　また、本実施例に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置などに限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）製造装置にも適用することができる。
１００…基板処理装置
２００…ウエハ(基板)
２４８ａ，２４８ｂ…除害装置
２４９ａ，２４９ｂ…三方バルブ

Claims (13)

  1. 　処理炉内に構成される処理室と、
    　複数の除害装置と接続され前記処理室内からガスを排気する排気系と、
    　前記処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、を少なくとも備え、
    　前記制御部は、前記プロセスレシピの開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認するように構成され、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中でなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用するように制御する処理装置。
  2. 　前記複数の除害装置の稼働状態をそれぞれ記憶する記憶部を有し、
    　前記稼働状態は、初期化済、稼働中、保守中、保守終了、待機中、異常停止のいずれかである請求項１記載の処理装置。
  3. 　前記制御部は、前記プロセスレシピを連続して実行している間、前記複数の除害装置のそれぞれに対して稼働と保守を繰返すように制御する請求項１記載の処理装置。
  4. 　前記制御部は、前記プロセスレシピの待機時間であっても、前記複数の除害装置のうちの少なくとも一つを稼働するように制御する請求項１記載の処理装置。
  5. 　前記制御部は、前記プロセスレシピの実行中に保守中の除害装置の保守を終了した場合、保守を終了した前記除害装置の稼働状態を待機中に変更するように制御する請求項１記載の処理装置。
  6. 　前記制御部は、前記プロセスレシピの待機時間が所定時間を超えた場合、前記稼働中の除害装置を停止するように制御する請求項１記載の処理装置。
  7. 　前記排気系は、前記処理室から排気されるガスの供給先を切り替えることが可能な切替部を有し、
    　前記制御部は、前記プロセスレシピの実行中に、プロセス処理開始またはプロセス処理終了を示す信号により、前記切替部を制御して前記複数の除害装置のうちいずれか一つに前記ガスが供給されるように制御する請求項１記載の処理装置。
  8. 　前記制御部は、前記プロセスレシピの実行時間が前記保守に係る時間よりも長い場合、前記プロセスレシピ終了時に前記稼働中の除害装置と前記他の除害装置との切替が行われるよう制御する請求項１記載の処理装置。
  9. 　前記制御部は、前記プロセスレシピの実行時間が前記保守に係る時間よりも短い場合、前記プロセスレシピ開始時に前記稼働中の除害装置と前記他の除害装置との切替が行われるよう制御する請求項１記載の処理装置。
  10. 　前記制御部は、前記処理室から排気されるガスを前記除害装置に設けられた燃焼部により燃焼させて無害化するよう制御すると共に、前記稼働中の除害装置が稼働中から保守中に切り換えられた場合に、前記保守中に切り換えられた除害装置の内壁に付着した付着物を除去するように制御する請求項１記載の処理装置。
  11. 　前記排気系は、排気管と、前記排気管に接続される排気装置と、を備え、前記処理炉と前記排気系の少なくとも一部が同じフロアに設置され、前記複数の除害装置は他のフロアに設置される請求項１記載の処理装置。
  12. 　プロセスレシピを実行して処理室にガスを供給して基板を処理する工程を少なくとも有する半導体装置の製造方法であって、
    　前記基板を処理する工程の開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認する工程と、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中でなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  13. 　処理炉と、
    　前記処理炉内の処理室からガスを排気する排気管と、複数の除害装置に接続され前記排気管に設けられる排気装置と、から構成される排気系と、
    　前記処理室に搬入される基板に膜を形成するプロセスレシピを実行する制御部と、
    を少なくとも備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
    　前記基板を処理する工程の開始または終了時に、稼働中の除害装置以外の他の除害装置の稼働状態を確認する手順と、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中でなければ、前記他の除害装置を稼働させると共に、前記稼働中の除害装置の稼働状態を保守中に切替え、
    　前記他の除害装置の稼働状態が保守中であれば、前記稼働中の除害装置をそのまま継続して使用する手順と、
    を前記制御部に実行させるプログラム。
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