JPH11137951A - 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 - Google Patents
半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法Info
- Publication number
- JPH11137951A JPH11137951A JP9322503A JP32250397A JPH11137951A JP H11137951 A JPH11137951 A JP H11137951A JP 9322503 A JP9322503 A JP 9322503A JP 32250397 A JP32250397 A JP 32250397A JP H11137951 A JPH11137951 A JP H11137951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- cracking
- cylinder
- cylinders
- decomposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程においてＣＶＤの操業に影
響を与えることなく排ガスの除害を継続して行うことを
可能とし、継続操業により半導体の生産性を高めるこ
と。 【解決手段】排ガスの導入部と処理後の放出部に夫々水
スクラバを有し、その導入部水スクラバと放出部水スク
ラバとの間に２個又は３個の電熱式酸化加熱の分解筒が
備えられており、排ガス処理のために稼働する分解筒を
切り換え可能である。
響を与えることなく排ガスの除害を継続して行うことを
可能とし、継続操業により半導体の生産性を高めるこ
と。 【解決手段】排ガスの導入部と処理後の放出部に夫々水
スクラバを有し、その導入部水スクラバと放出部水スク
ラバとの間に２個又は３個の電熱式酸化加熱の分解筒が
備えられており、排ガス処理のために稼働する分解筒を
切り換え可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体，液晶等の製
造に伴い発生する排ガスの除害装置及び除害方法に関す
るものである。
造に伴い発生する排ガスの除害装置及び除害方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造において発生する排ガスの除
害方法には乾式（吸着）、燃焼式（燃料使用による火炎
分解）、加熱酸化分解方式（電熱方式）、湿式（水又は
薬液使用による吸収溶解，乃至分解）があり、一長一短
の特徴や問題点を有するが、装置の安全性，除害性，コ
ンパクト性，制御性，コスト面から見て加熱酸化分解方
式の優位性が評価されている。
害方法には乾式（吸着）、燃焼式（燃料使用による火炎
分解）、加熱酸化分解方式（電熱方式）、湿式（水又は
薬液使用による吸収溶解，乃至分解）があり、一長一短
の特徴や問題点を有するが、装置の安全性，除害性，コ
ンパクト性，制御性，コスト面から見て加熱酸化分解方
式の優位性が評価されている。
【０００３】しかしながら、加熱酸化分解方式において
は例えばＳｉＨ4に対してはＳｉＯ2、ＰＨ3に対しては
Ｐ2Ｏ5のように、処理後には排ガスの酸化物としての粉
塵が分解筒内部に副生し、ガス通路の各所に滞積して通
気抵抗が高くなっていく。
は例えばＳｉＨ4に対してはＳｉＯ2、ＰＨ3に対しては
Ｐ2Ｏ5のように、処理後には排ガスの酸化物としての粉
塵が分解筒内部に副生し、ガス通路の各所に滞積して通
気抵抗が高くなっていく。
【０００４】それ故、通常は除害装置の稼働時間を決
め、所定時間稼働した後に一旦除害装置のヒータ通電を
停止し、分解筒内を降温せしめ（例えば100℃以下にし
てから）上部より水シャワーをかけてヒータ表面を含む
各所に滞積した粉塵を洗い落とすか、あるいは分解筒を
解体して内部を手動で洗浄していた。いずれにしても除
害機はその間停止するので、それに接続されたＣＶＤに
よる半導体生産はストップし、生産性の低下は明らかで
あった。
め、所定時間稼働した後に一旦除害装置のヒータ通電を
停止し、分解筒内を降温せしめ（例えば100℃以下にし
てから）上部より水シャワーをかけてヒータ表面を含む
各所に滞積した粉塵を洗い落とすか、あるいは分解筒を
解体して内部を手動で洗浄していた。いずれにしても除
害機はその間停止するので、それに接続されたＣＶＤに
よる半導体生産はストップし、生産性の低下は明らかで
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決し、半導体製造工程においてＣＶＤの操業に
影響を与えることなく排ガスの除害を安全に継続して行
うことを可能とし、継続操業により半導体の生産性を高
める手段が求められている。
題点を解決し、半導体製造工程においてＣＶＤの操業に
影響を与えることなく排ガスの除害を安全に継続して行
うことを可能とし、継続操業により半導体の生産性を高
める手段が求められている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体排ガスの
除害装置は、排ガスの導入部と処理後の放出部に夫々水
スクラバを有し、その導入部水スクラバと放出部水スク
ラバとの間に２個又は３個の電熱式酸化加熱の分解筒が
備えられており、排ガス処理のために稼働する分解筒を
切り換え可能であることを特徴とする。
除害装置は、排ガスの導入部と処理後の放出部に夫々水
スクラバを有し、その導入部水スクラバと放出部水スク
ラバとの間に２個又は３個の電熱式酸化加熱の分解筒が
備えられており、排ガス処理のために稼働する分解筒を
切り換え可能であることを特徴とする。
【０００７】又、本発明の半導体排ガスの除害方法は、
請求項１記載の半導体排ガスの除害装置を用い、稼働中
の分解筒に副生粉塵が滞積してガスの通過抵抗が所定値
以上となった際、又は分解筒を所定時間稼働させた後
に、稼働中の分解筒を待機中の分解筒に切り換え、稼働
を停止した分解筒は副生粉塵を除去して次回の分解筒切
換のために待機させることにより、継続して排ガスの除
害が行えるようにすることを特徴とする。
請求項１記載の半導体排ガスの除害装置を用い、稼働中
の分解筒に副生粉塵が滞積してガスの通過抵抗が所定値
以上となった際、又は分解筒を所定時間稼働させた後
に、稼働中の分解筒を待機中の分解筒に切り換え、稼働
を停止した分解筒は副生粉塵を除去して次回の分解筒切
換のために待機させることにより、継続して排ガスの除
害が行えるようにすることを特徴とする。
【０００８】本発明の除害装置は特開平7-323211号に記
載の除害装置のように、処理ガスの流れに沿って入口側
と出口側に夫々水スクラバを設け、その中央に電熱式酸
化加熱分解筒を備えている。更に、本発明では分解筒を
２個乃至３個設け、排ガス処理と副生粉塵除去とを夫々
別個の分解筒において同時並行的に行い、それを所定時
間毎に順次切換する。
載の除害装置のように、処理ガスの流れに沿って入口側
と出口側に夫々水スクラバを設け、その中央に電熱式酸
化加熱分解筒を備えている。更に、本発明では分解筒を
２個乃至３個設け、排ガス処理と副生粉塵除去とを夫々
別個の分解筒において同時並行的に行い、それを所定時
間毎に順次切換する。
【０００９】すなわち、副生粉塵除去を行う分解筒に対
しては排ガスの導入を遮断し、通電を停止の上、室温に
まで降温した後に加圧空気又はＮ2ガスのスプレー,水の
スプレーのいずれかによる粉塵除去し，必要なら分解筒
の内部解体による全面的清掃を行う。内部が充分乾燥し
た後、次の除害用分解筒として待機させる。除害機のこ
のような使用方法によりＣＶＤの操業停止すること排ガ
スを除害することができる。
しては排ガスの導入を遮断し、通電を停止の上、室温に
まで降温した後に加圧空気又はＮ2ガスのスプレー,水の
スプレーのいずれかによる粉塵除去し，必要なら分解筒
の内部解体による全面的清掃を行う。内部が充分乾燥し
た後、次の除害用分解筒として待機させる。除害機のこ
のような使用方法によりＣＶＤの操業停止すること排ガ
スを除害することができる。
【００１０】ＣＶＤでデポジットとクリーニングとを反
復せしめる工程において、両者のガス、例えばＳｉＨ4
とＮＦ3の如き相互に混合することにより爆発の危険性
がある場合には、例えば分解筒の３連方式とすることが
効果的である。
復せしめる工程において、両者のガス、例えばＳｉＨ4
とＮＦ3の如き相互に混合することにより爆発の危険性
がある場合には、例えば分解筒の３連方式とすることが
効果的である。
【００１１】その場合、各分解筒をＡ，Ｂ，Ｃとする
と、分解筒Ａをデポジット用，分解筒Ｂをクリーニング
用の排ガス処理させれば、分解筒Ｃはデポジット用の清
掃待機筒とすることができる。ＣＶＤの操業に合わせて
分解筒Ａと分解筒Ｂとに適宜排ガスをバルブ切り換えに
よって導入させて別個に除害を行う。
と、分解筒Ａをデポジット用，分解筒Ｂをクリーニング
用の排ガス処理させれば、分解筒Ｃはデポジット用の清
掃待機筒とすることができる。ＣＶＤの操業に合わせて
分解筒Ａと分解筒Ｂとに適宜排ガスをバルブ切り換えに
よって導入させて別個に除害を行う。
【００１２】粉塵発生はデポジット用排ガスを処理する
分解筒Ａのみに生じるので、分解筒Ｃは分解筒Ａ用の待
機筒となる。Ｂは通常は清掃作業の必要はない。このよ
うに分解筒Ａと分解筒Ｃを交互に用いてデポジット用排
ガスの除害と清掃作業を行うことによりＣＶＤの操業停
止することなく排ガスを除害することができる。
分解筒Ａのみに生じるので、分解筒Ｃは分解筒Ａ用の待
機筒となる。Ｂは通常は清掃作業の必要はない。このよ
うに分解筒Ａと分解筒Ｃを交互に用いてデポジット用排
ガスの除害と清掃作業を行うことによりＣＶＤの操業停
止することなく排ガスを除害することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を好適な実施例を用
いて説明する。 ［実施例］図１は本発明の除害装置の概念図である。キ
ャビネット(1)内に同一寸法，同一機能の加熱酸化分解
筒Ａ(A)及びＢ(B)が収納されている。排ガスは図の左側
から入り、処理されたガスが右側から放出される。分解
筒Ａ及びＢの処理量は1000リットル/minとした。(2)は
夫々の分解筒の水洗浄用の水スプレー部である。
いて説明する。 ［実施例］図１は本発明の除害装置の概念図である。キ
ャビネット(1)内に同一寸法，同一機能の加熱酸化分解
筒Ａ(A)及びＢ(B)が収納されている。排ガスは図の左側
から入り、処理されたガスが右側から放出される。分解
筒Ａ及びＢの処理量は1000リットル/minとした。(2)は
夫々の分解筒の水洗浄用の水スプレー部である。
【００１４】図２はこの除害装置の運転のタイミングを
説明する図である。分解筒Ａ，Ｂは交互に休止状態とな
り、洗浄水は分解筒Ａ，Ｂが休止状態にあるときに噴射
される。同図中Ｗは除害作業を示し、Ｍはメンテナンス
すなわち清掃作業を示す。ヒータ温度は除害作業時は７
００℃、メンテナンス時は１００℃となるようにしてい
る。切換に際しては待機している分解筒のヒータ温度を
７００℃に昇温させてから切換を行っているので、除害
作業はスムーズに切り換えられる。
説明する図である。分解筒Ａ，Ｂは交互に休止状態とな
り、洗浄水は分解筒Ａ，Ｂが休止状態にあるときに噴射
される。同図中Ｗは除害作業を示し、Ｍはメンテナンス
すなわち清掃作業を示す。ヒータ温度は除害作業時は７
００℃、メンテナンス時は１００℃となるようにしてい
る。切換に際しては待機している分解筒のヒータ温度を
７００℃に昇温させてから切換を行っているので、除害
作業はスムーズに切り換えられる。
【００１５】［実施例１］ＬＰーＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）
の使用においてＳｉＨ4が1.2リットル/min（ガス濃度は
１００％濃度。以下ことわりない限り同様）、ＮＨ3が
１リットル/min、ＰＨ3（Ｎ2バランスで0.5%）1.2リッ
トル/min、Ｈ2が１リットル/min 、Ｎ2が308リットル/m
inの混合ガスを供給し、それからの排気ガスを除害機に
排出させた。
の使用においてＳｉＨ4が1.2リットル/min（ガス濃度は
１００％濃度。以下ことわりない限り同様）、ＮＨ3が
１リットル/min、ＰＨ3（Ｎ2バランスで0.5%）1.2リッ
トル/min、Ｈ2が１リットル/min 、Ｎ2が308リットル/m
inの混合ガスを供給し、それからの排気ガスを除害機に
排出させた。
【００１６】この排ガスを供給水１０リットル／minの
水量によるスプレー部を通過させ、13.5kWの電気容量を
持ったヒーターを具備した酸化加熱分解筒に導入した。
ここには排ガス導入管とは別系統で外部空気をポンプで
52リットル／min供給し、分解筒内で混合して酸化除害
せしめた。分解後のガスは出口で入口と同じ条件での１
０リットル／min供給水でシャワー洗浄した後に外部に
放出した。電熱ヒータの表面温度は７００℃に設定し
た。
水量によるスプレー部を通過させ、13.5kWの電気容量を
持ったヒーターを具備した酸化加熱分解筒に導入した。
ここには排ガス導入管とは別系統で外部空気をポンプで
52リットル／min供給し、分解筒内で混合して酸化除害
せしめた。分解後のガスは出口で入口と同じ条件での１
０リットル／min供給水でシャワー洗浄した後に外部に
放出した。電熱ヒータの表面温度は７００℃に設定し
た。
【００１７】また、キャビネット内には、この分解筒と
同じ形状，能力を有する別個の分解筒を設置している。
同じ形状，能力を有する別個の分解筒を設置している。
【００１８】かかる状況下において１週間の継続使用を
続けたところ、除害に用いている分解筒内部の通気抵抗
の状況を表示する静圧計にて初期圧０．５kPaであった
のが、１kPaに達した。
続けたところ、除害に用いている分解筒内部の通気抵抗
の状況を表示する静圧計にて初期圧０．５kPaであった
のが、１kPaに達した。
【００１９】排ガス導入経路の内部を清掃し、ヒータの
温度を７００℃に保った待機用の分解筒に切り換え、Ｃ
ＶＤの操業は何ら変更しないまま除害装置を稼働せしめ
た。
温度を７００℃に保った待機用の分解筒に切り換え、Ｃ
ＶＤの操業は何ら変更しないまま除害装置を稼働せしめ
た。
【００２０】それまで除害に使用していた分解筒は通電
停止して室温にまで降温させ、その後分解筒の上部に設
置してある水スプレーノズルより水を噴射せしめて内部
に滞積した粉塵を洗い落とした。覗き窓より見て白色の
粉塵の滞積がなくなったことを確認後、加圧空気を通し
て乾燥させ、標準状態のガス流速下静圧測定した結果
０．５kPaとなっていることを確認した。
停止して室温にまで降温させ、その後分解筒の上部に設
置してある水スプレーノズルより水を噴射せしめて内部
に滞積した粉塵を洗い落とした。覗き窓より見て白色の
粉塵の滞積がなくなったことを確認後、加圧空気を通し
て乾燥させ、標準状態のガス流速下静圧測定した結果
０．５kPaとなっていることを確認した。
【００２１】このようにして洗浄された分解筒は、待機
筒として次回の切換に備える。１週間後、上記と同じ操
作にて分解筒の切り替えを行った。これらの作業中ＣＶ
Ｄは停止せず、生産性は全く低下させることはなかっ
た。尚、大気放出ガス中のＳｉＨ4は１ｐｐｍ以下、Ｐ
Ｈ3は全く検出されなかった。
筒として次回の切換に備える。１週間後、上記と同じ操
作にて分解筒の切り替えを行った。これらの作業中ＣＶ
Ｄは停止せず、生産性は全く低下させることはなかっ
た。尚、大気放出ガス中のＳｉＨ4は１ｐｐｍ以下、Ｐ
Ｈ3は全く検出されなかった。
【００２２】［実施例２］本実施例では実施例１と同じ
構成の除害機に３連の分解筒Ａ，Ｂ，Ｃを設置した装置
を使用した。
構成の除害機に３連の分解筒Ａ，Ｂ，Ｃを設置した装置
を使用した。
【００２３】ＰーＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）においてＴ
ＥＯＳ（テトラエトキシシラン）が１リットル/min、Ｎ
Ｈ3が４リットル/min、Ｈ2が５リットル/min、Ｎ2が95
リットル/minのデポジットガスを使用し、更にクリーニ
ングプロセスにおいてＮＦ3が４リットル/min、Ａｒが
0.5リットル/min、Ｎ2が80リットル/minの混合ガスを使
用した。
ＥＯＳ（テトラエトキシシラン）が１リットル/min、Ｎ
Ｈ3が４リットル/min、Ｈ2が５リットル/min、Ｎ2が95
リットル/minのデポジットガスを使用し、更にクリーニ
ングプロセスにおいてＮＦ3が４リットル/min、Ａｒが
0.5リットル/min、Ｎ2が80リットル/minの混合ガスを使
用した。
【００２４】分解筒Ａにはデポジット排ガスを、分解筒
Ｂにはクリーニング排ガスを導入した。尚、分解筒Ａ及
びＢのヒータ表面温度を800℃に設定した。分解筒Ａ，
Ｂへのガス導入経路切り換えはＣＶＤ出口におけるバル
ブの自動制御によった。
Ｂにはクリーニング排ガスを導入した。尚、分解筒Ａ及
びＢのヒータ表面温度を800℃に設定した。分解筒Ａ，
Ｂへのガス導入経路切り換えはＣＶＤ出口におけるバル
ブの自動制御によった。
【００２５】分解筒ＡにはＳｉＯ2粉塵が滞積したが、
分解筒Ｂには何ら粉塵の痕跡は認められなかった。ＮＨ
3はほとんどが入口側の水スクラバにおいて水中に溶存
除去された。
分解筒Ｂには何ら粉塵の痕跡は認められなかった。ＮＨ
3はほとんどが入口側の水スクラバにおいて水中に溶存
除去された。
【００２６】実施例１の場合と同様に１週間の継続運転
の後、分解筒Ａから待機している分解筒Ｃに切り換え、
分解筒Ｂはそのままで使用を継続した。その切り換えの
過程でＣＶＤの生産性には何ら影響を与えずに操業を継
続することができた。尚、放出ガス中のＴＥＯＳは１ｐ
ｐｍ以下、ＮＦ3は０．５ｐｐｍ以下であった。
の後、分解筒Ａから待機している分解筒Ｃに切り換え、
分解筒Ｂはそのままで使用を継続した。その切り換えの
過程でＣＶＤの生産性には何ら影響を与えずに操業を継
続することができた。尚、放出ガス中のＴＥＯＳは１ｐ
ｐｍ以下、ＮＦ3は０．５ｐｐｍ以下であった。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように本発明により、半導体
製造工程においてＣＶＤの操業に影響を与えることなく
排ガスの除害を継続して行うことが可能となり、継続操
業による半導体の生産性を高めることができた。
製造工程においてＣＶＤの操業に影響を与えることなく
排ガスの除害を継続して行うことが可能となり、継続操
業による半導体の生産性を高めることができた。
【図１】本発明の除害装置の概念図。
【図２】除害装置の運転のタイミングを説明する図。
(1) キャビネット (2) 水スプレー部 (A) 加熱酸化分解筒 (B) 加熱酸化分解筒
Claims (2)
- 【請求項１】 排ガスの導入部と処理後の放出部に夫々
水スクラバを有し、その導入部水スクラバと放出部水ス
クラバとの間に２個又は３個の電熱式酸化加熱の分解筒
が備えられており、排ガス処理のために稼働する分解筒
を切り換え可能であることを特徴とする半導体製造排ガ
スの除害装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造排ガスの除害
装置を用い、 稼働中の分解筒に副生粉塵が滞積してガスの通過抵抗が
所定値以上となった際、又は分解筒を所定時間稼働させ
た後に、稼働中の分解筒を待機中の分解筒に切り換え、
稼働を停止した分解筒は副生粉塵を除去して次回の分解
筒切換のために待機させることにより、継続して排ガス
の除害が行えるようにすることを特徴とする半導体製造
排ガスの除害方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32250397A JP3776576B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32250397A JP3776576B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11137951A true JPH11137951A (ja) | 1999-05-25 |
| JP3776576B2 JP3776576B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=18144385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32250397A Expired - Lifetime JP3776576B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3776576B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019186616A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| CN111939780A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-17 | 聊城鲁西聚酰胺新材料科技有限公司 | 一种尼龙6生产中裂解系统的废气回收系统及废气回收方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP32250397A patent/JP3776576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019186616A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| CN111837215A (zh) * | 2018-03-26 | 2020-10-27 | 株式会社国际电气 | 处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 |
| JPWO2019186616A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2021-04-08 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US11827982B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-11-28 | Kokusai Electric Corporation | Processing apparatus |
| CN111837215B (zh) * | 2018-03-26 | 2024-03-22 | 株式会社国际电气 | 处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 |
| CN111939780A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-17 | 聊城鲁西聚酰胺新材料科技有限公司 | 一种尼龙6生产中裂解系统的废气回收系统及废气回收方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3776576B2 (ja) | 2006-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3280173B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| US8246732B2 (en) | Exhaust gas cleaning apparatus | |
| KR101597008B1 (ko) | 배기 시스템 | |
| CN109821373B (zh) | 一种等离子体废气处理装置及方法 | |
| KR19990045278A (ko) | 과불화물의 처리 방법 및 그 처리 장치 | |
| JP6368458B2 (ja) | 除害機能付真空ポンプ | |
| JP2019527129A (ja) | 窒素酸化物、クロロフルオロカーボン類、ヒドロクロロフルオロカーボン類、ヒドロフルオロカーボン類、及び過フッ化化合物を含む複合廃ガスの統合処理システム | |
| CN112020766A (zh) | 用于气体副产品消除和前级管线清洁的设备 | |
| JP3215081B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 | |
| KR100711940B1 (ko) | 폐가스 정화처리장치용 습식유닛 | |
| JP2003010638A (ja) | プラズマ排ガス処理方法と該方法を利用した排ガス放電処理塔ならびに前記プラズマ排ガス処理塔を搭載した排ガス処理装置 | |
| KR200193208Y1 (ko) | 폐기가스 세정장치 | |
| JPH11137951A (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置及び除害方法 | |
| KR20070116498A (ko) | 배기가스 처리장치 | |
| KR20110064578A (ko) | 폐가스 처리용 스크러버의 챔버 자동 세척 장치 | |
| US5882366A (en) | Alternating wash/dry water scrubber entry | |
| KR101758108B1 (ko) | 촉매식 폐가스 처리 장치 및 방법 | |
| WO2017068609A1 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH118200A (ja) | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 | |
| JP3272986B2 (ja) | 半導体製造排ガスの除害装置 | |
| US6579379B2 (en) | Method of washing the media bed of a pollution abatement reactor | |
| JP2000197807A (ja) | 排気ガス処理装置 | |
| KR102363542B1 (ko) | 공기정화 처리장치 | |
| KR0156326B1 (ko) | 반도체 제조 장치의 가스세정기 | |
| JP2004253699A (ja) | 排ガスの熱酸化分解式除害装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041104 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060223 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090303 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |