WO2019135338A1 - 組成物及びエッチング方法 - Google Patents

組成物及びエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019135338A1
WO2019135338A1 PCT/JP2018/045797 JP2018045797W WO2019135338A1 WO 2019135338 A1 WO2019135338 A1 WO 2019135338A1 JP 2018045797 W JP2018045797 W JP 2018045797W WO 2019135338 A1 WO2019135338 A1 WO 2019135338A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
composition
mass
etching
copper
general formula
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/045797
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
祐次 正元
阿部　徹司
康太 齊藤
広之 千葉
Original Assignee
株式会社Adeka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Adeka filed Critical 株式会社Adeka
Priority to JP2019563948A priority Critical patent/JP7333755B2/ja
Priority to KR1020207022371A priority patent/KR102598530B1/ko
Priority to CN201880085360.2A priority patent/CN111542648A/zh
Publication of WO2019135338A1 publication Critical patent/WO2019135338A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants

Definitions

  • the present invention relates to a composition containing a compound having a specific structure, and an etching method using the same.
  • circuit formation methods such as printed circuit boards and semiconductor package substrates
  • additive method in which a circuit pattern is later added to a substrate
  • subtractive method in which unnecessary portions are removed from metal foil on a substrate to form a circuit pattern.
  • etching method a low manufacturing cost subtractive method
  • etching method is generally employed in the manufacture of printed circuit boards.
  • miniaturization of patterns is also required for printed circuit boards, and development of etching solutions capable of forming fine patterns on substrates has been promoted.
  • Patent Document 1 discloses an etching solution for copper or copper alloy containing iron chloride, oxalic acid, and ethylenediaminetetrapolyoxyethylene polyoxypropylene as an etching solution.
  • Patent Document 2 discloses an etching solution for a copper-containing material containing ferric chloride, a glycol ether compound, ethylenediaminetetrapolyoxyethylene polyoxypropylene, phosphoric acid, and hydrochloric acid.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and the problem to be solved is copper, which is capable of forming a fine pattern excellent in dimensional accuracy while suppressing the generation of a residual film.
  • An object of the present invention is to provide a composition useful for etching a metal layer such as a base layer.
  • Another object of the present invention is to provide an etching method using the above composition.
  • (A) 0.1 to 25% by mass of at least one component selected from cupric ions and ferric ions; (B) 0.1 to 30% by mass of chloride ions (C) an aqueous solution containing 0.01 to 10% by mass of a compound represented by the following general formula (1) and having a number average molecular weight of 550 to 1,400; and water; B) A composition is provided in which the mass ratio of chloride ion is (B) / (A) 0.5-2.
  • R 1 represents a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 and R 3 each independently represent 1 carbon atom
  • R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • n is Each independently represents a number such that the number average molecular weight of the compound represented by the general formula (1) is 550 to 1,400.
  • an etching method comprising the step of etching using the above composition.
  • a composition useful for etching a metal layer such as a copper-based layer which can form a fine pattern excellent in dimensional accuracy while suppressing the generation of a residual film.
  • an etching method using the above composition can be provided.
  • the composition of the present invention comprises (A) at least one component selected from cupric ions and ferric ions (hereinafter also referred to as “component (A)”); (B) chloride ions (hereinafter referred to as It is an aqueous solution containing a compound represented by "(B) component”; (C) (hereinafter also referred to as "(C) component”) represented by the general formula (1); and water as an essential component.
  • component (A) at least one component selected from cupric ions and ferric ions
  • B chloride ions
  • It is an aqueous solution containing a compound represented by "(B) component”
  • C (hereinafter also referred to as "(C) component") represented by the general formula (1)
  • water as an essential component.
  • the composition of the present invention is suitable as an etchant composition used to etch a metal layer such as a copper-based layer.
  • the copper-based layer examples include copper-copper alloys such as silver-copper alloys and aluminum-copper alloys; and layers containing copper and the like.
  • the composition of the present invention is suitable as an etchant composition used to etch a copper-based layer containing copper.
  • a cupric ion and a ferric ion are used alone or in combination.
  • a copper (II) compound cupric ions can be contained in the composition. That is, a copper (II) compound can be used as a source of cupric ions.
  • ferric ion can be contained in the composition by blending an iron (III) compound. That is, iron (III) compounds can be used as a source of ferric ions.
  • copper (II) compounds include copper (II) chloride, copper (II) bromide, copper (II) sulfate, and copper (II) hydroxide.
  • iron (III) compounds include iron (III) chloride, iron (III) bromide, iron (III) iodide, iron (III) sulfate, iron (III) nitrate, iron (III) acetate, etc. It can be mentioned. Among these compounds, copper (II) chloride and iron (III) chloride are preferred, and copper (II) chloride is more preferred. These compounds can be used singly or in combination of two or more.
  • the concentration of the component (A) in the composition of the present invention is 0.1 to 25% by mass, preferably 0.5 to 23% by mass, and more preferably 1 to 20% by mass.
  • the concentration of the component (A) can be appropriately adjusted according to the thickness, width, etc. of the object to be etched.
  • the concentration of the component (A) means the concentration of the cupric ion or the concentration of the ferric ion when the cupric ion or the ferric ion is used alone.
  • the cupric ion and the ferric ion when used in combination (mixed), it means the sum of the concentration of the cupric ion and the concentration of the ferric ion.
  • the concentration of the component (A) is about 4.7% by mass.
  • the concentration of the component (A) is about 8.2 mass%.
  • concentration of a ferric ion is less than 5 mass%.
  • Hydrogen chloride sodium chloride, calcium chloride, potassium chloride, barium chloride, ammonium chloride, iron chloride (III), copper chloride (II), manganese chloride (II), cobalt chloride (II) as a source of component (B) , Cerium (III) chloride, zinc (II) chloride and the like can be used.
  • hydrogen chloride, iron (III) chloride and copper (II) chloride are preferable, and hydrogen chloride is more preferable, because it is easy to control the etching rate and to control the shape of the wiring pattern.
  • the concentration of the component (B) in the composition of the present invention is 0.1 to 30% by mass, preferably 0.5 to 28% by mass, and more preferably 1 to 25% by mass.
  • the concentration of the component (B) can be appropriately adjusted according to the thickness, width, etc. of the object to be etched. If the concentration of the component (B) is less than 0.1% by mass, the etching rate may be insufficient. On the other hand, even if the concentration of the component (B) exceeds 30% by mass, it is difficult to further improve the etching rate, and it may become more likely to cause problems such as corrosion of the device member.
  • the value of (B) / (A) is more than 2, it becomes impossible to form a fine wiring pattern excellent in dimensional accuracy.
  • the value of (B) / (A) is less than 0.5, the etching rate may be insufficient.
  • the component (C) is a compound represented by the following general formula (1) and having a number average molecular weight of 550 to 1,400.
  • R 1 represents a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 and R 3 each independently represent 1 carbon atom
  • R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • n is Each independently represents a number such that the number average molecular weight of the compound represented by the general formula (1) is 550 to 1,400.
  • a C1-C4 linear or branched alkylene group represented by R ⁇ 1 >, R ⁇ 2 > and R ⁇ 3 > a methylene group, ethylene group, a propylene group, methyl ethylene group, a butylene group, an ethyl ethylene group is mentioned And 1-methylpropylene and 2-methylpropylene.
  • the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4 and R 5 methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, secondary butyl group, A tertiary butyl group can be mentioned.
  • R 1 in the general formula (1) is an ethylene group
  • R 2 and R 3 are methyl ethylene groups
  • R 4 and R 5 are hydrogen atoms
  • the number average molecular weight A compound in which is from 650 to 1,300 is preferable because it is easy to control the etching rate and to easily suppress the side etching.
  • the number average molecular weight of the component (C) is particularly preferably 750 to 1,200.
  • n is each independently chemical formula No. 1 to No. It represents a number such that the number average molecular weight of the compound represented by 36 is 550 to 1,400.
  • the method for producing the component (C) is not particularly limited, and the component (C) can be produced by applying known reactions.
  • ethylenediamine and propylene oxide can be used as raw materials, and the reaction can be produced by the reaction represented by the following formula (2).
  • “Me” in the following formula (2) represents a methyl group.
  • the concentration of the component (C) in the composition of the present invention is 0.01 to 10% by mass, preferably 0.05 to 8% by mass, and more preferably 0.1 to 5% by mass. If the concentration of the component (C) is less than 0.01% by mass, the desired effect can not be obtained by blending the component (C). On the other hand, when the composition of the present invention is used as an etchant composition, if the concentration of the component (C) is more than 10% by mass, the etching rate tends to be reduced. In addition, the etching solution composition may easily penetrate into the interface between the metal layer such as the copper-based layer and the like and the resist, which may cause defects in the pattern shape.
  • composition of the present invention is an aqueous solution containing water as an essential component, in which each component is dissolved in water.
  • water it is preferable to use water from which ionizable substances and impurities such as ion exchanged water, pure water, and ultrapure water have been removed.
  • the composition of the present invention is used as an etching agent composition (etching solution) for etching a metal layer such as a copper-based layer, an additive for an electroless plating solution, an additive for metal electrorefining, a pesticide, an insecticide and the like. It can be used suitably. Among them, it is suitable as an etchant composition used to etch a metal layer.
  • the effect of the present invention is impaired as this etching liquid composition as components (A), (B), (C) and water other than water.
  • Well-known additives can be blended within the range.
  • a stabilizer for the etching solution composition a solubilizer for each component, an antifoamer, a pH regulator, a specific gravity regulator, a viscosity regulator, a wettability improver, a chelating agent, an oxidizing agent, a reducing agent And surfactants.
  • concentrations of these additives may be in the range of 0.001 to 50% by mass, respectively.
  • pH adjusters include inorganic acids such as sulfuric acid and nitric acid, and salts thereof; water-soluble organic acids and salts thereof; alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkaline earth metal hydroxides such as calcium hydroxide, strontium hydroxide and barium hydroxide; carbonates of alkali metals such as ammonium carbonate, lithium carbonate, sodium carbonate and potassium carbonate; alkalis such as sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate Metal bicarbonates; quaternary ammonium hydroxides such as tetramethyl ammonium hydroxide and choline; organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and hydroxyethylamine; ammonium hydrogen carbonate; ammonia; and the like.
  • These pH adjusters can be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the pH adjuster may be such that the pH of the etching solution composition becomes
  • a chelating agent for example, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetramine hexaacetic acid, tetraethylenepentamineheptaacetic acid, pentaethylenehexamine octaacetic acid, nitrilotriacetic acid, and alkali metal (preferably sodium) salts thereof, etc.
  • Aminocarboxylic acid based chelating agents such as hydroxyethylidene diphosphonic acid, nitrilotris methylene phosphonic acid, phosphonobutane tricarboxylic acid, and alkali metal (preferably sodium) salts thereof; oxalic acid, malonic acid , Succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, fumaric acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, their anhydrides, and divalent or higher carboxylic acids such as their alkali metal (preferably sodium) salts Acid compounds, Value or more carboxylic acid compounds can be mentioned an anhydride or dianhydride dehydrated.
  • the concentration of the chelating agent in the etching liquid composition is generally in the range of 0.01 to 40% by mass, preferably in the range of 0.05 to 30% by mass.
  • nonionic surfactants nonionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants can be used.
  • nonionic surfactant for example, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyalkylene alkenyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether (the addition form of ethylene oxide and propylene oxide may be either random or block) ), Polyethylene glycol propylene oxide adduct, polypropylene glycol ethylene oxide adduct, glycerine fatty acid ester and ethylene oxide adduct thereof, sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, alkyl polyglucoside, fatty acid monoethanolamide and ethylene oxide adduct thereof , Fatty acid-N-methyl monoethanolamide and its ethylene oxide adducts, fatty acid dieta And their ethylene oxide adducts, sucrose fatty acid esters, alkyl (poly) glycerin
  • cationic surfactants include mono- or dialkyl (including alkyl (alkenyl) trimethyl ammonium salts, dialkyl (alkenyl) dimethyl ammonium salts, alkyl (alkenyl) quaternary ammonium salts, ether groups, ester groups, or amide groups) Alkenyl) quaternary ammonium salt, alkyl (alkenyl) pyridinium salt, alkyl (alkenyl) dimethyl benzyl ammonium salt, alkyl (alkenyl) isoquinolinium salt, dialkyl (alkenyl) morpholinium salt, polyoxyethylene alkyl (alkenyl) amine, alkyl (alkenyl) Amine salts, polyamine fatty acid derivatives, amyl alcohol fatty acid derivatives, benzalkonium chloride, benzethonium chloride and the like can be mentioned.
  • amphoteric surfactants include carboxybetaine, sulfobetaine, phosphobetaine, amidoamino acids, imidazolinium betaine surfactants and the like.
  • concentration of the surfactant in the etching solution composition is generally in the range of 0.001 to 10% by mass.
  • the etching method of the present invention has a step of etching using the above-mentioned composition of the present invention (etching solution composition). Except using the above-mentioned etching solution composition, the etching method of the present invention can adopt the process of the well-known general etching method.
  • a copper-based layer is particularly preferable as the material to be etched. Examples of the copper-based layer include copper-copper alloys such as silver-copper alloys and aluminum-copper alloys; and layers containing copper and the like. Among them, copper is particularly preferred.
  • As a specific etching method for example, an immersion method, a spray method or the like can be adopted.
  • the etching conditions may be appropriately adjusted according to the composition of the etching solution composition to be used and the etching method. Furthermore, various known methods such as a batch method, a flow method, an oxidation-reduction potential or specific gravity of an etchant, and an automatic control method by an acid concentration may be adopted.
  • the etching conditions are not particularly limited, and can be set arbitrarily according to the shape, film thickness, etc. of the object to be etched.
  • the etchant composition is preferably sprayed at 0.01 to 0.2 MPa, and more preferably 0.01 to 0.1 MPa.
  • the etching temperature is preferably 10 to 50 ° C., and more preferably 20 to 50 ° C.
  • the temperature of the etching solution composition may rise due to the heat of reaction, and if necessary, the temperature may be controlled by a known means so as to be maintained within the above temperature range.
  • the etching time may be a time in which the material to be etched can be sufficiently etched.
  • the etching time may be about 10 to 300 seconds.
  • a fine pattern can be formed while suppressing the generation of a residual film. For this reason, it can be suitably used for a subtractive method for package substrates requiring a fine pitch other than a printed wiring board, COF and TAB applications.
  • the number average molecular weights of the component (C) used in the examples and comparative examples are shown in Table 1.
  • the c-1 to c-4 in Table 1 have chemical formula No. 17 is a compound represented by formula 17; N in 17 is a compound represented by the chemical formula No.
  • the number average molecular weight of the compound represented by 17 is a value as shown in Table 1.
  • c-5 and c-6 in Table 1 are compounds represented by the following general formula (3).
  • R 11 represents an ethylene group
  • R 12 and R 13 represent a methyl ethylene group
  • R 14 and R 15 represent an ethylene group
  • Example 1 and Comparative Example 1 Copper chloride (II), hydrochloric acid and component (C) were mixed so as to obtain the composition shown in Table 2, and etching solution composition No. 1 was prepared. I got 1 to 21. The balance in these etching solution compositions is water.
  • Example 2 and Comparative Example 2 A substrate was prepared by laminating a copper foil having a thickness of 8 ⁇ m on a resin substrate.
  • a dry film resist having a pattern with a line width of 14 ⁇ m and an opening of 6 ⁇ m was formed on the copper foil of the base to prepare a test substrate.
  • the prepared test substrate was subjected to wet etching in which the just etching time (50 to 130 seconds) was sprayed under the conditions of a processing temperature of 45 ° C. and a processing pressure of 0.1 MPa using the prepared etching solution composition.
  • the just etching time means a time calculated from the etching rate until the width of the lower portion of the thin line becomes 10 ⁇ m.
  • the resist pattern was removed using a stripping solution to form a fine pattern (thin line).
  • the following evaluations (1) to (5) were performed on the formed thin lines.
  • the evaluation results are shown in Table 3.
  • the smaller side etching width means that side etching is suppressed.
  • the absence of the remaining film means that disconnection or short circuit is unlikely to occur.
  • a cross-sectional view schematically showing the test substrate after etching is shown in FIG.
  • Examples 2-1 to 2-11 the width of the thin line upper portion is maintained as compared with Comparative Examples 2-1, 2-2, and 2-5 to 2-10. It can be seen that the difference between the width of the lower portion of the thin line and the width of the upper portion of the thin line is small, and the single side etch width is small. In Examples 2-1 to 2-3, 2-6 to 2-8, and 2-10, in particular, the difference between the width of the lower portion of the thin line and the width of the upper portion of the thin line is less than 2.0 ⁇ m, and the dimensional accuracy is high. It can be seen that a pattern is formed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

寸法精度に優れた微細なパターンを残膜の発生を抑制しつつ形成することが可能な、銅系層などの金属層のエッチングに有用な組成物を提供する。（Ａ）第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも１種の成分０．１～２５質量％；（Ｂ）塩化物イオン０．１～３０質量％；（Ｃ）下記一般式（１）（Ｒ１：単結合等、Ｒ２及びＲ３：炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキレン基、Ｒ４及びＲ５：水素原子等、ｎ：一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が５５０～１，４００となる数）で表される、数平均分子量５５０～１，４００の化合物０．０１～１０質量％；及び水を含有する水溶液であり、（Ａ）成分に対する（Ｂ）塩化物イオンの質量比率が、（Ｂ）／（Ａ）＝０．５～２である組成物。

Description

組成物及びエッチング方法
　本発明は、特定構造の化合物を含有する組成物、及びそれを用いたエッチング方法に関する。
　プリント基板や半導体パッケージ基板等の回路形成法として、回路パターンを後から基板に付け加えるアディティブ法や、基板上の金属箔から不要部分を除去して回路パターンを形成するサブトラクティブ法（エッチング法）が知られている。現在、製造コストの低いサブトラクティブ法（エッチング法）がプリント基板の製造に一般的に採用されている。そして、近年の電子デバイスの高度化及び小型化に伴い、プリント基板についてもパターンの微細化が要求されており、基板に微細なパターンを形成しうるエッチング液の開発が進められている。
　例えば、特許文献１には、エッチング液として、塩化鉄、シュウ酸、及びエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンを含有する銅又は銅合金用のエッチング液が開示されている。また、特許文献２には、塩化第二鉄、グリコールエーテル類化合物、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン、リン酸、及び塩酸を含有する銅含有材料用のエッチング液が開示されている。
特開２０１２－１０７２８６号公報 特開２００９－１６７４５９号公報
　しかしながら、上記の特許文献で開示されたエッチング液では、所望の寸法精度を有する微細なパターンを形成することが困難である、又は断線やショートの原因となる残膜が発生しやすくなるという問題があった。
　したがって、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、寸法精度に優れた微細なパターンを残膜の発生を抑制しつつ形成することが可能な、銅系層などの金属層のエッチングに有用な組成物を提供することにある。また、本発明の課題とするところは、上記組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
　本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の成分を含有する組成物が上記問題を解決し得ることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明によれば、（Ａ）第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも１種の成分０．１～２５質量％；（Ｂ）塩化物イオン０．１～３０質量％；（Ｃ）下記一般式（１）で表される、数平均分子量５５０～１，４００の化合物０．０１～１０質量％；及び水を含有する水溶液であり、前記（Ａ）成分に対する前記（Ｂ）塩化物イオンの質量比率が、（Ｂ）／（Ａ）＝０．５～２である組成物が提供される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
（前記一般式（１）中、Ｒ１は、単結合、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基を表し、ｎは、それぞれ独立に、前記一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が５５０～１，４００となる数を表す）
　また、本発明によれば、上記の組成物を用いてエッチングする工程を有するエッチング方法が提供される。
　本発明によれば、寸法精度に優れた微細なパターンを残膜の発生を抑制しつつ形成することが可能な、銅系層などの金属層のエッチングに有用な組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記組成物を用いたエッチング方法を提供することができる。
エッチング後の試験基板を模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明の組成物は、（Ａ）第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも１種の成分（以下、「（Ａ）成分」とも記す）；（Ｂ）塩化物イオン（以下、「（Ｂ）成分」とも記す）；（Ｃ）一般式（１）で表される化合物（以下、「（Ｃ）成分」とも記す）；及び水を必須成分として含有する水溶液である。本発明の組成物は、銅系層などの金属層をエッチングするために用いられるエッチング液組成物として好適である。銅系層としては、銀銅合金、アルミニウム銅合金等の銅合金；及び銅などを含む層を挙げることができる。なかでも、本発明の組成物は、銅を含む銅系層をエッチングするために用いられるエッチング液組成物として好適である。
　（Ａ）成分としては、第二銅イオン及び第二鉄イオンをそれぞれ単独で、又はこれらを組み合わせて用いる。銅（ＩＩ）化合物を配合することで、第二銅イオンを組成物に含有させることができる。すなわち、第二銅イオンの供給源として銅（ＩＩ）化合物を用いることができる。また、鉄（ＩＩＩ）化合物を配合することで、第二鉄イオンを組成物に含有させることができる。すなわち、第二鉄イオンの供給源として鉄（ＩＩＩ）化合物を用いることができる。
　銅（ＩＩ）化合物としては、例えば、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）、及び水酸化銅（ＩＩ）等を挙げることができる。鉄（ＩＩＩ）化合物としては、例えば、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、及び酢酸鉄（ＩＩＩ）等を挙げることができる。これらの化合物のなかでも、塩化銅（ＩＩ）及び塩化鉄（ＩＩＩ）が好ましく、塩化銅（ＩＩ）がさらに好ましい。これらの化合物は、一種単独又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
　本発明の組成物中の（Ａ）成分の濃度は、０．１～２５質量％であり、好ましくは０．５～２３質量％、さらに好ましくは１～２０質量％である。（Ａ）成分の濃度は、被エッチング物の厚さや幅などに応じて適宜調整することができる。（Ａ）成分の濃度は、第二銅イオン又は第二鉄イオンを単独で使用する場合には、第二銅イオンの濃度又は第二鉄イオンの濃度を意味する。また、第二銅イオン及び第二鉄イオンを組み合わせて（混合して）使用する場合には、第二銅イオンの濃度と第二鉄イオンの濃度との和を意味する。例えば、塩化銅（ＩＩ）を１０質量％含有する場合には、（Ａ）成分の濃度は約４．７質量％である。また、塩化銅（ＩＩ）を１０質量％含有し、塩化鉄（ＩＩＩ）を１０質量％含有する場合には、（Ａ）成分の濃度は約８．２質量％である。また、第二鉄イオンの濃度は５質量％未満であることが好ましい。
　（Ｂ）成分の供給源として、塩化水素、塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化カリウム、塩化バリウム、塩化アンモニウム、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、塩化マンガン（ＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩ）、塩化セリウム（ＩＩＩ）、及び塩化亜鉛（ＩＩ）等を用いることができる。なかでも、エッチング速度を制御しやすい、及び配線パターンの形状を制御しやすい等の理由から、塩化水素、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）が好ましく、塩化水素がさらに好ましい。
　本発明の組成物中の（Ｂ）成分の濃度は、０．１～３０質量％であり、好ましくは０．５～２８質量％、さらに好ましくは１～２５質量％である。（Ｂ）成分の濃度は、被エッチング物の厚さや幅などに応じて適宜調整することができる。（Ｂ）成分の濃度が０．１質量％未満であると、エッチング速度が不十分になることがある。一方、（Ｂ）成分の濃度が３０質量％を超えても、エッチング速度をさらに向上させることは困難になるとともに、かえって装置部材の腐食等の不具合が生じやすくなることがある。
　本発明の組成物中、（Ａ）成分に対する（Ｂ）成分の質量比率は、（Ｂ）／（Ａ）＝０．５～２であり、好ましくは、０．６～１．８であり、特に好ましくは０．６５～１．７であり、最も好ましくは０．７～１．４である。（Ｂ）／（Ａ）の値が２超であると、寸法精度に優れた微細な配線パターンを形成することができなくなる。一方、（Ｂ）／（Ａ）の値が０．５未満であると、エッチング速度が不十分になることがある。
　（Ｃ）成分は、下記一般式（１）で表される、数平均分子量５５０～１，４００の化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
（前記一般式（１）中、Ｒ１は、単結合、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基を表し、ｎは、それぞれ独立に、前記一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が５５０～１，４００となる数を表す）
　Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３で表される炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、メチルエチレン基、ブチレン基、エチルエチレン基、１－メチルプロピレン基、及び２－メチルプロピレン基を挙げることができる。Ｒ４及びＲ５で表される炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基を挙げることができる。
　（Ｃ）成分としては、一般式（１）中のＲ１がエチレン基であり、Ｒ２及びＲ３がメチルエチレン基であり、Ｒ４及びＲ５が水素原子であり、かつ、数平均分子量が６５０～１，３００である化合物が、エッチング速度を制御しやすく、サイドエッチングを抑制しやすくなるために好ましい。なかでも、（Ｃ）成分の数平均分子量は、７５０～１，２００であることが特に好ましい。
　一般式（１）で表される化合物の好ましい具体例としては、下記化学式Ｎｏ．１～Ｎｏ．３６で表される化合物を挙げることができる。下記化学式Ｎｏ．１～Ｎｏ．３６中、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「Ｅｔ」はエチル基を表し、「ｉＰｒ」はイソプロピル基を表す。また、ｎは、それぞれ独立に、化学式Ｎｏ．１～Ｎｏ．３６で表される化合物の数平均分子量が５５０～１，４００となる数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
　（Ｃ）成分を製造する方法は特に限定されず、周知の反応を応用して製造することができる。例えば、エチレンジアミンとプロピレンオキサイドを原料として使用し、下記式（２）で表される反応により製造することができる。下記式（２）中の「Ｍｅ」は、メチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000007
　本発明の組成物中の（Ｃ）成分の濃度は、０．０１～１０質量％であり、好ましくは０．０５～８質量％、さらに好ましくは０．１～５質量％である。（Ｃ）成分の濃度が０．０１質量％未満であると、（Ｃ）成分を配合することによる所望の効果を得ることができない。一方、（Ｃ）成分の濃度が１０質量％超であると、本発明の組成物をエッチング液組成物として用いる場合、エッチング速度が低下しやすくなる。また、銅系層などの金属層とレジストとの界面にエッチング液組成物が浸透しやすくなり、パターン形状に不良等が生じやすくなる場合がある。
　本発明の組成物は、水を必須成分として含有する、各成分が水に溶解した水溶液である。水としては、イオン交換水、純水、及び超純水等の、イオン性物質や不純物を除去した水を用いることが好ましい。
　本発明の組成物は、銅系層等の金属層をエッチングするためのエッチング剤組成物（エッチング液）、無電解めっき液用添加剤、金属電解精錬用添加剤、農薬、及び殺虫剤等として好適に用いることができる。なかでも、金属層をエッチングするために用いられるエッチング剤組成物として好適である。
　本発明の組成物がエッチング液組成物である場合、このエッチング液組成物には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水以外の成分として、本発明の効果を損なわない範囲で周知の添加剤を配合することができる。添加剤としては、エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、ｐＨ調整剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、界面活性剤等を挙げることができる。これらの添加剤の濃度は、それぞれ０．００１～５０質量％の範囲とすればよい。
　ｐＨ調整剤としては、例えば、硫酸、硝酸などの無機酸、及びそれらの塩；水溶性の有機酸、及びその塩；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類；水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウムなどの水酸化アルカリ土類金属類；炭酸アンモニウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩類；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の炭酸水素塩類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどの４級アンモニウムヒドロキシド類；エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ヒドロキシエチルアミンなどの有機アミン類；炭酸水素アンモニウム；アンモニア；等を挙げることができる。これらのｐＨ調整剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。ｐＨ調整剤の含有量は、エッチング液組成物のｐＨが所望とするｐＨとなる量とすればよい。
　キレート剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、テトラエチレンペンタミン七酢酸、ペンタエチレンヘキサミン八酢酸、ニトリロ三酢酸、及びそれらのアルカリ金属（好ましくはナトリウム）塩等のアミノカルボン酸系キレート剤；ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、及びそれらのアルカリ金属（好ましくはナトリウム）塩等のホスホン酸系キレート剤；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、それらの無水物、及びそれらのアルカリ金属（好ましくはナトリウム）塩等の２価以上のカルボン酸化合物、２価以上のカルボン酸化合物が脱水した一無水物や二無水物を挙げることができる。エッチング液組成物中のキレート剤の濃度は、一般的に、０．０１～４０質量％の範囲であり、好ましくは０．０５～３０質量％の範囲である。
　界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤、カチオン性活性剤、及び両性界面活性剤を用いることができる。ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル（エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの付加形態は、ランダム状及びブロック状のいずれでもよい）、ポリエチレングリコールプロピレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、グリセリン脂肪酸エステル及びそのエチレンオキサイド付加物、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、アルキルポリグルコシド、脂肪酸モノエタノールアミド及びそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸－Ｎ－メチルモノエタノールアミド及びそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸ジエタノールアミド及びそのエチレンオキサイド付加物、ショ糖脂肪酸エステル、アルキル（ポリ）グリセリンエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸メチルエステルエトキシレート、Ｎ－長鎖アルキルジメチルアミンオキサイド等を挙げることができる。カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキル（アルケニル）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（アルケニル）ジメチルアンモニウム塩、アルキル（アルケニル）四級アンモニウム塩、エーテル基、エステル基、又はアミド基を含むモノ又はジアルキル（アルケニル）四級アンモニウム塩、アルキル（アルケニル）ピリジニウム塩、アルキル（アルケニル）ジメチルベンジルアンモニウム塩、アルキル（アルケニル）イソキノリニウム塩、ジアルキル（アルケニル）モルホニウム塩、ポリオキシエチレンアルキル（アルケニル）アミン、アルキル（アルケニル）アミン塩、ポリアミン脂肪酸誘導体、アミルアルコール脂肪酸誘導体、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム等を挙げることができる。両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン、ホスホベタイン、アミドアミノ酸、イミダゾリニウムベタイン系の界面活性剤等を挙げることができる。エッチング液組成物中の界面活性剤の濃度は、一般的に、０．００１～１０質量％の範囲である。
　本発明のエッチング方法は、上記の本発明の組成物（エッチング液組成物）を用いてエッチングする工程を有する。上記のエッチング液組成物を用いること以外、本発明のエッチング方法は、周知一般のエッチング方法の工程を採用することができる。被エッチング物としては、金属層のなかでも、特に銅系層が好適である。銅系層としては、銀銅合金、アルミニウム銅合金等の銅合金；及び銅などを含む層を挙げることができる。なかでも、特に銅が好適である。具体的なエッチング方法としては、例えば、浸漬法やスプレー法等を採用することができる。エッチング条件についても、使用するエッチング液組成物の組成やエッチング方法に応じて適宜調整すればよい。さらに、バッチ式、フロー式、エッチャントの酸化還元電位や比重、酸濃度によるオートコントロール式等の周知の様々な方式を採用してもよい。
　エッチング条件は特に限定されるものではなく、被エッチング物の形状や膜厚などに応じて任意に設定することができる。例えば、０．０１～０．２ＭＰａでエッチング液組成物を噴霧することが好ましく、０．０１～０．１ＭＰａで噴霧することがさらに好ましい。また、エッチング温度は１０～５０℃が好ましく、２０～５０℃がさらに好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがあるので、必要に応じて、上記温度範囲内に維持されるように公知の手段により温度制御してもよい。エッチング時間は、被エッチング物を十分にエッチングすることができる時間とすればよい。例えば、膜厚１μｍ程度、線幅１０μｍ程度、及び開口部１００μｍ程度の被エッチング物を上記の温度範囲でエッチングする場合には、エッチング時間を１０～３００秒程度とすればよい。
　本発明のエッチング液組成物を用いるエッチング方法によれば、残膜の発生を抑制しながら、微細なパターンを形成することができる。このため、プリント配線基板の他、微細なピッチが要求されるパッケージ用基板、ＣＯＦ、ＴＡＢ用途のサブトラクティブ法に好適に使用することができる。
　以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
　実施例及び比較例で使用した（Ｃ）成分の数平均分子量を表１に示す。表１中のｃ－１～ｃ－４は、化学式Ｎｏ．１７で表される化合物であり、化学式Ｎｏ．１７中のｎは、化学式Ｎｏ．１７で表される化合物の数平均分子量が表１に示す値となる数である。また、表１中のｃ－５及びｃ－６は、下記一般式（３）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000008
（前記一般式（３）中、Ｒ１１は、エチレン基を表し、Ｒ１２及びＲ１３は、メチルエチレン基を表し、Ｒ１４及びＲ１５は、エチレン基を表し、ｎ１及びｎ２は、前記一般式（３）で表される化合物の数平均分子量が表１に示す値となる数を表す。但し、ｎ１／（ｎ１＋ｎ２）＝０．２である）
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000009
（実施例１及び比較例１）
　表２に示す組成となるように、塩化銅（ＩＩ）、塩酸、及び（Ｃ）成分を混合して、エッチング液組成物Ｎｏ．１～２１を得た。なお、これらのエッチング液組成物における残部は水である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000010
（実施例２及び比較例２）
　樹脂基体上に厚さ８μｍの銅箔を積層した基体を用意した。この基体の銅箔上に線幅１４μｍ、開口部６μｍのパターンのドライフィルムレジストを形成して試験基板を作製した。作製した試験基板に対し、調製したエッチング液組成物を用いて、処理温度４５℃、処理圧力０．１ＭＰａの条件下で、ジャストエッチング時間（５０～１３０秒）スプレーするウェットエッチングを行った。ジャストエッチング時間とは、細線下部の幅が１０μｍになるまでの時間をエッチング速度から算出した時間を意味する。その後、剥離液を用いてレジストパターンを除去し、微細なパターン（細線）を形成した。
　形成した細線につき、以下に示す（１）～（５）の評価を行った。評価結果を表３に示す。なお、片側サイドエッチ幅が小さいほど、サイドエッチングが抑制されたことを意味する。また、残膜（エッチング部分の残り）がないことは、断線やショートが発生しにくいことを意味する。エッチング後の試験基板を模式的に示す断面図を図１に示す。
（１）細線上部の幅
　レーザー顕微鏡を使用し、断面観察して測定した。単位は「μｍ」である。
（２）細線下部の幅
　レーザー顕微鏡を使用し、断面観察して測定した。単位は「μｍ」である。
（３）細線下部の幅と細線上部の幅との差
　下記式から算出した。単位は「μｍ」である。
　「細線下部の幅と細線上部の幅との差」＝「細線下部の幅の測定値」－「細線上部の幅の測定値」
（４）片側サイドエッチ幅
　下記式から算出した。単位は「μｍ」である。
　「片側サイドエッチ幅」＝｛「レジストの線幅」－「細線上部の幅の測定値」｝／２
（５）残膜の有無
　レーザー顕微鏡を使用し、エッチング部分の残りが観察されたものを「あり」、観察されなかったものを「なし」とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000011
　表３に示すように、実施例２－１～２－１１では、比較例２－１、２－２、及び２－５～２－１０に比べて、細線上部の幅が維持されているとともに、細線下部の幅と細線上部の幅との差が小さく、かつ、片側サイドエッチ幅が小さいことがわかる。特に、実施例２－１～２－３、２－６～２－８、及び２－１０では、細線下部の幅と細線上部の幅との差が２．０μｍ未満であり、寸法精度の高いパターンが形成されることがわかる。一方、比較例２－３及び２－４では、エッチング速度が不十分であったためにパターンが形成されず、評価項目（１）～（４）を測定することができなかった。実施例２－１～２－１１及び比較例２－１～２－４の結果から、一般式（１）で表される化合物を含有する組成物を用いてエッチングする場合であっても、組成物の（Ｂ）／（Ａ）の値が特定の範囲から外れていると、寸法精度が低下する又はパターンが形成されなくなることがわかる。また、実施例２－１～２－１１、並びに比較例２－５及び２－６では残膜（エッチング部分の残り）が観察されなかったのに対して、比較例２－１～２－４及び２－７～２－１０では残膜が観察された。以上の通り、本発明によれば、断線やショートの原因となる残膜が発生しにくく、所望とする寸法精度の微細なパターンを形成することが可能なエッチング用の組成物及びエッチング方法を提供することができる。
１：銅箔
２：レジスト
３：樹脂基体
４：細線上部の幅
５：細線下部の幅
６：レジストの線幅

Claims (5)

  1. （Ａ）第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも１種の成分０．１～２５質量％；
    （Ｂ）塩化物イオン０．１～３０質量％；
    （Ｃ）下記一般式（１）で表される、数平均分子量５５０～１，４００の化合物０．０１～１０質量％；及び
    水を含有する水溶液であり、
    　前記（Ａ）成分に対する前記（Ｂ）塩化物イオンの質量比率が、（Ｂ）／（Ａ）＝０．５～２である組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
    （前記一般式（１）中、Ｒ１は、単結合、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、炭素原子数１～４の直鎖又は分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１～４の直鎖若しくは分岐状のアルキル基を表し、ｎは、それぞれ独立に、前記一般式（１）で表される化合物の数平均分子量が５５０～１，４００となる数を表す）
  2. 　前記一般式（１）中、Ｒ２及びＲ３が、メチルエチレン基である請求項１に記載の組成物。
  3. 　金属層をエッチングするために用いられるエッチング液組成物である請求項１又は２に記載の組成物。
  4. 　前記金属層が、銅系層である請求項３に記載の組成物。
  5. 　請求項３又は４に記載の組成物を用いてエッチングする工程を有するエッチング方法。
PCT/JP2018/045797 2018-01-05 2018-12-13 組成物及びエッチング方法 WO2019135338A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019563948A JP7333755B2 (ja) 2018-01-05 2018-12-13 エッチング液組成物及びエッチング方法
KR1020207022371A KR102598530B1 (ko) 2018-01-05 2018-12-13 조성물 및 에칭 방법
CN201880085360.2A CN111542648A (zh) 2018-01-05 2018-12-13 组合物和蚀刻方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018000654 2018-01-05
JP2018-000654 2018-01-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019135338A1 true WO2019135338A1 (ja) 2019-07-11

Family

ID=67143638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/045797 WO2019135338A1 (ja) 2018-01-05 2018-12-13 組成物及びエッチング方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7333755B2 (ja)
KR (1) KR102598530B1 (ja)
CN (1) CN111542648A (ja)
TW (1) TW201936995A (ja)
WO (1) WO2019135338A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7507041B2 (ja) 2020-08-25 2024-06-27 株式会社Adeka 組成物、エッチング方法、及び回路パターン形成方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020949B1 (ja) * 1969-02-20 1975-07-18
JPS5789482A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Ibm Etching liquid composition
JPS6326385A (ja) * 1986-07-09 1988-02-03 シエ−リング・アクチエンゲゼルシヤフト 銅エツチング水溶液、導体板及び貫通接続回路上の銅のエツチング法及び導体板の直接的な固着貫通接続法
JPH06268255A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Rikagaku Kenkyusho ポーラス・シリコンおよびその製造方法
JPH09209178A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Asahi Denka Kogyo Kk ステンレス鋼のエッチング液組成物
JP2003138389A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Asahi Denka Kogyo Kk エッチング剤組成物及びパターン形成方法
JP2004256901A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング液及びそれを用いる電子基板の製造方法
JP2016536453A (ja) * 2013-10-21 2016-11-24 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ 更なる金属の存在下で銅を選択的に処理する方法
JP2017150069A (ja) * 2016-02-19 2017-08-31 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020949A (ja) * 1973-06-25 1975-03-05
JP3316023B2 (ja) * 1993-03-15 2002-08-19 株式会社東芝 半導体装置
JP2000064067A (ja) * 1998-06-09 2000-02-29 Ebara Densan Ltd エッチング液および銅表面の粗化処理方法
JP2004175839A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Toppan Printing Co Ltd 金属材料のエッチング液及びエッチング方法
JP2004256951A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Yuasa Globe Kk 手袋のオーダメイドシステム
JP4916455B2 (ja) 2008-01-15 2012-04-11 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物
JP4685180B2 (ja) 2009-07-09 2011-05-18 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法
JP2012107286A (ja) 2010-11-17 2012-06-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 銅又は銅合金用エッチング液
JP2012153940A (ja) 2011-01-26 2012-08-16 Mitsubishi Paper Mills Ltd 銅エッチング液
JP5885971B2 (ja) * 2011-09-08 2016-03-16 関東化學株式会社 銅および銅合金のエッチング液
US9301399B2 (en) * 2013-04-23 2016-03-29 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method of treating wiring substrate and wiring substrate manufactured by the same
TWI684674B (zh) * 2015-03-10 2020-02-11 南韓商東友精細化工有限公司 用於蝕刻銅基金屬層的蝕刻劑組合物和使用它的蝕刻方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020949B1 (ja) * 1969-02-20 1975-07-18
JPS5789482A (en) * 1980-11-26 1982-06-03 Ibm Etching liquid composition
JPS6326385A (ja) * 1986-07-09 1988-02-03 シエ−リング・アクチエンゲゼルシヤフト 銅エツチング水溶液、導体板及び貫通接続回路上の銅のエツチング法及び導体板の直接的な固着貫通接続法
JPH06268255A (ja) * 1993-03-11 1994-09-22 Rikagaku Kenkyusho ポーラス・シリコンおよびその製造方法
JPH09209178A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Asahi Denka Kogyo Kk ステンレス鋼のエッチング液組成物
JP2003138389A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Asahi Denka Kogyo Kk エッチング剤組成物及びパターン形成方法
JP2004256901A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング液及びそれを用いる電子基板の製造方法
JP2016536453A (ja) * 2013-10-21 2016-11-24 アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ 更なる金属の存在下で銅を選択的に処理する方法
JP2017150069A (ja) * 2016-02-19 2017-08-31 メック株式会社 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7507041B2 (ja) 2020-08-25 2024-06-27 株式会社Adeka 組成物、エッチング方法、及び回路パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111542648A (zh) 2020-08-14
JPWO2019135338A1 (ja) 2021-01-07
JP7333755B2 (ja) 2023-08-25
KR102598530B1 (ko) 2023-11-06
KR20200105691A (ko) 2020-09-08
TW201936995A (zh) 2019-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4932094B2 (ja) 無電解金めっき液および無電解金めっき方法
JP5933950B2 (ja) 銅または銅合金用エッチング液
JP2012062572A (ja) 銅または銅合金用エッチング液
WO2018025648A1 (ja) スクリーン版用洗浄剤組成物
TW201120247A (en) rial. terial and etching method for copper-containg mate
US10280518B2 (en) Etching liquid composition and etching method
JP6078394B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR20190039093A (ko) 환원 처리와 동시에 사용되는 무전해 도금용 전처리액, 및 프린트 배선 기판의 제조 방법
JP7385597B2 (ja) フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
WO2019135338A1 (ja) 組成物及びエッチング方法
CN112135927B (zh) 组合物和蚀刻方法
WO2018207479A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
WO2020261995A1 (ja) 組成物及びエッチング方法
JP6285983B2 (ja) 銅または銅合金用エッチング液
TWI797093B (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
KR20070115916A (ko) 구리 에칭액 및 에칭 방법
JP7507041B2 (ja) 組成物、エッチング方法、及び回路パターン形成方法
CN114592191A (zh) 蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件
JP2009120870A (ja) エッチング液及び該エッチング液を用いた配線基板の製造方法
JPH08311663A (ja) ニッケル被膜またはニッケル合金被膜の剥離液
TW202223074A (zh) 助焊劑用清潔劑組合物
JP2020128574A (ja) 組成物及びエッチング方法
JP2014101561A (ja) 銅または銅合金用エッチング液
JP7449129B2 (ja) 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2015018957A (ja) 半導体処理液、及びそれを用いた処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18898185

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019563948

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207022371

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18898185

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1