WO2019132027A1 - 電磁波吸収体、電磁波吸収体付物品、及び電磁波吸収体の製造方法 - Google Patents

電磁波吸収体、電磁波吸収体付物品、及び電磁波吸収体の製造方法 Download PDF

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Abstract

電磁波吸収体(1a)は、抵抗層(10)と、導電層(20)と、誘電体層(30)とを備える。導電層(20)は、抵抗層(10)のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。誘電体層(30)は、抵抗層(10)と導電層(20)との間に配置されている。電磁波吸収体(1a)は、第一スリット(15)を有する。第一スリット(15)は、抵抗層(10)において誘電体層(30)に対し遠位の第一主面(10a)から第一主面(10a)に垂直な方向に誘電体層(30)に向かって延びているとともに、抵抗層(10)を複数の第一ブロック(17)に区分している。第一ブロック(17)の第一主面(10a)における最小寸法(D1)は、2mm以上である。

Description

電磁波吸収体、電磁波吸収体付物品、及び電磁波吸収体の製造方法
 本発明は、電磁波吸収体、電磁波吸収体付物品、及び電磁波吸収体の製造方法に関する。
 近年、ミリ波(波長が1~10mm程度、周波数が30~300GHz)又は準ミリ波の領域の電磁波の情報通信媒体としての利用が進んでいる。例えば、車両において、障害物を検知して自動でブレーキをかけたり、周辺車両の速度や車間距離を測定して自車の速度や車間距離を制御したりする、衝突予防システムにおける利用が進んでいる。このような衝突予防システムが正常に動作するには、誤認防止のため、不要な電磁波をできるだけ受信しないようにすることが重要である。したがって、これらの衝突予防システムには、通常、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体が用いられている。
 上記電磁波吸収体には、その電磁波吸収の原理により様々なタイプがある。例えば、電磁波反射層(導電層)と、λ/4(λは吸収対象とする電磁波の波長)に相当する厚みを有する誘電体層と、抵抗薄膜層(抵抗層)と、を設けたタイプ(以下「λ/4型」という)の電磁波吸収体は、材料が比較的安価であり、設計が容易であるため、低コストで作製できることが知られている。このようなλ/4型電磁波吸収体として、例えば、特許文献1には、入射角度の広い領域にわたって機能するという優れた特性を発揮する電磁波吸収体が提案されている。
 また、特許文献2には、曲げ剛性が300MPa・mm4以下に設定されている、λ/4型の電磁波吸収体が記載されている。特許文献2に記載の電磁波吸収体によれば、曲げ剛性が300MPa・mm4以下に設定されているので、例えば、電磁波吸収体を曲面に沿わせて取り付けることが可能である。
特開2003-198179号公報 特開2017-163141号公報
 特許文献2に記載の技術によれば、電磁波吸収体を曲面に取り付けやすい。一方、曲面等を有する物品への取り付けやすさを高める工夫は電磁波吸収体の曲げ剛性を300MPa・mm4以下にすることに限られない。
 そこで、本発明は、曲面等を有する物品に取り付けるのに有利であり、かつ、良好な電磁波吸収性能を発揮するのに有利である、新規な電磁波吸収体を提供する。加えて、本発明は、その電磁波吸収体を備えた物品及びその電磁波吸収体の製造方法を提供する。
 本開示は、
 抵抗層と、
 前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、
 前記抵抗層と前記導電層との間に配置された誘電体層と、を備え、
 第一スリット及び第二スリットの少なくとも1つを有し、
 前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
 前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
 前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、2mm以上であり、
 前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、1mm以上である、
 電磁波吸収体を提供する。
 また、本発明は、
 曲面又はコーナーを有する物品と、
 前記曲面に貼り付けられた、又は、前記コーナーを跨いで貼り付けられた、上記の電磁波吸収体と、を備えた、
 電磁波吸収体付物品を提供する。
 さらに、本発明は、
 抵抗層を提供し、
 前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層を提供し、
 前記抵抗層と前記導電層との間に誘電体層を配置し、
 第一スリット及び第二スリットの少なくとも1つを形成し、
 前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
 前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
 前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、2mm以上であり、
 前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、1mm以上である、
 電磁波吸収体の製造方法を提供する。
 上記の電磁波吸収体は、曲面等を有する物品に取り付けるのに有利であり、かつ、良好な電磁波吸収性能を発揮するのに有利である。
図1は、本発明に係る電磁波吸収体の一例を示す断面図である。 図2は、図1に示す電磁波吸収体の平面図である。 図3は、本発明に係る電磁波吸収体の別の一例を示す断面図である。 図4は、図3に示す電磁波吸収体の平面図である。 図5は、本発明に係る電磁波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。 図6は、本発明に係る電磁波吸収体付物品の一例を示す側面図である。 図7は、本発明に係る電磁波吸収体付物品の別の一例を示す側面図である。 図8は、本発明に係る電磁波吸収体付物品のさらに別の一例を示す側面図である。
 本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。なお、添付の図面において、x軸、y軸、及びz軸は互いに直交しており、z軸は電磁波吸収体の厚み方向に沿って延びている。添付の図面において、x軸正方向は同一の方向であり、y軸正方向は同一の方向であり、z軸正方向は同一の方向である。
 図1に示す通り、電磁波吸収体1aは、抵抗層10と、導電層20と、誘電体層30とを備えている。導電層20は、抵抗層10のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。誘電体層30は、抵抗層10と導電層20との間に配置されている。電磁波吸収体1aは、第一スリット15を有する。第一スリット15は、抵抗層10において誘電体層30に対し遠位の第一主面10aから第一主面10aに垂直な方向に誘電体層30に向かって延びているとともに、抵抗層10を複数の第一ブロック17に区分している。図2に示す通り、第一ブロック17の第一主面10aにおける最小寸法D1は、2mm以上である。
 最小寸法D1は、典型的には、第一主面10aを平面視したときに、第一ブロック17の輪郭をなす平面図形において、頂点間の距離の最小値及び互いに交差しない線同士の最短距離のうち小さい方を意味する。この場合、頂点は、角の頂点を意味する。頂点は、直線同士が交差すること、曲線同士が交差すること、又は直線と曲線とが交差することによって形成されうる。一方、第一主面10aを平面視したときに、第一ブロック17の輪郭をなす平面図形の輪郭が弧等の曲線を含み、かつ、平面図形の頂点の数が2以下である場合、最小寸法D1は、平面図形の輪郭上の2つの点と、その平面図形の重心とを通る線分の長さが最小となる方向における寸法である。
 電磁波吸収体1aが第一スリット15を有することにより、第一スリット15の開口が広がるように電磁波吸収体1aを曲げることができ、電磁波吸収体1aが曲がりやすい。また、第一スリット15において隣り合う第一ブロック17同士が押し合うように電磁波吸収体1aを曲げることも可能である。このため、電磁波吸収体1aは、曲面等を有する物品にも取り付けやすい。
 電磁波吸収体1aは、λ/4型電磁波吸収体である。電磁波吸収体1aに、吸収対象とする波長(λO)の電磁波が入射すると、抵抗層10の表面での反射(表面反射)による電磁波と、導電層20における反射(裏面反射)による電磁波とが干渉するように設計されている。第一スリット15は、電磁波の表面反射に影響を及ぼすと考えられる。本発明者らは、抵抗層に形成したスリットが電磁波吸収体の電磁波吸収性能に及ぼす影響について日夜検討を重ねた。その結果、スリットにより区分された抵抗層のブロックの最小寸法が2mm以上であれば、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすいことを新たに見出した。本発明者らは、このような新たな知見に基づいて本発明に係る電磁波吸収体を案出した。
 第一ブロック17の第一主面10aにおける最小寸法D1は、望ましくは4mm以上であり、より望ましくは6mm以上であり、さらに望ましくは10mm以上である。これにより、電磁波吸収体1aの電磁波吸収性能をより高めることができる。
 電磁波吸収体1aの厚さ方向における、第一スリット15の深さは特に制限されないが、第一スリット15は、抵抗層10の内部に底を有していてもよいし、電磁波吸収体1aの厚さ方向に抵抗層10を貫いてもよい。第一主面10aに平行な方向において、第一スリット15の端は、第一主面10aの端に位置していてもよいし、第一主面10aの端から離れて位置していてもよい。なお、第一スリット15は、隣り合う第一ブロック17同士の間に隙間が存在するように形成されていてもよいし、隣り合う第一ブロック17同士が接触できるように形成されていてもよい。第一主面10aに平行な方向において、第一スリット15は、典型的には直線状に延びている。第一スリット15は、曲線状に延びていてもよい。
 第一主面10aが水平であるときに、第一主面10aにおける複数の第一ブロック17の面積は、例えば、複数の第一ブロック17の面積と第一スリット15の開口面積との和の90%以上であり、望ましくは、その和の97%以上であり、より望ましくは、その和の99%以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体1aが良好な電磁波吸収性能を有する。
 図2に示す通り、電磁波吸収体1aは、例えば、複数の第一スリット15を有する。複数の第一スリット15は、例えば、第一スリット群15aを含む。第一スリット群15aは、第一主面10aにおいて互いに平行な複数の第一スリット15からなる。この場合、第一ブロック17の第一主面10aにおける最小寸法D1は、望ましくは、20mm以下である。この場合、電磁波吸収体1aを大きい曲率の曲面を有する物品に取り付けやすい。
 図2に示す通り、電磁波吸収体1aにおける複数の第一スリット15は、例えば、第二スリット群15bをさらに含む。第二スリット群15bは、第一主面10aにおいて互いに平行であり、かつ、第一スリット群15aに含まれる複数の第一スリット15と交わる複数の第一スリット15からなる。この場合、電磁波吸収体1aは、複数の方向に曲げることができるので、複雑な形状を有する物品にも取り付けやすい。
 第一主面10aを平面視したときに、第一ブロック17の輪郭をなす平面図形は、三角形、四角形、又はその他の多角形であってもよいし、その輪郭の一部又は全部が曲線状である図形であってもよい。
 λ/4型電磁波吸収体においては、下記の式(1)に示す通り、誘電体層30の厚み(t)及び誘電体層30の比誘電率(εr)によって吸収対象の電磁波の波長(λO)が決定される。すなわち、誘電体層30の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式(1)においてsqrt(εr)は、比誘電率(εr)の平方根を意味する。誘電体層30の材料及び厚みは、例えば、76~79GHzの周波数を有する電磁波を効果的に吸収できるように定められている。
 λO=4t×sqrt(εr)   式(1)
 JIS(日本工業規格) R 1679:2007に従って測定した、76.5GHzの電磁波を電磁波吸収体1aに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上である。
 λ/4型電磁波吸収体の設計において、伝送理論を用いて抵抗層の前面から見込んだインピーダンスが特性インピーダンスと等しくなるように、抵抗層のシート抵抗が定められる。抵抗層に求められるシート抵抗は、λ/4型電磁波吸収体に入射する電磁波の想定される入射角度によって変動しうる。
 抵抗層10は、例えば、120~800Ω/□のシート抵抗を有する。電磁波吸収体1aに対する電磁波の入射角度が大きいことが想定されても、抵抗層10のシート抵抗を120~800Ω/□の特定のシート抵抗に定めることにより、電磁波吸収体1aが、例えば76~79GHzの電磁波に対して所望の吸収性能を示すことができる。
 抵抗層10は、例えば、インジウム、スズ、及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも一つを主成分とする金属酸化物、導電性高分子、カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤー、及びメタルメッシュのいずれかからなる層(以下、「機能層」という)を含む。抵抗層10におけるシート抵抗の安定性及び抵抗層10の耐久性の観点から、抵抗層10の機能層は、望ましくは酸化インジウムスズ(ITO)からなる。この場合、抵抗層10の機能層を形成する材料は、望ましくは20~40重量%のSnO2を含有するITOであり、より望ましくは25~35重量%のSnO2を含有するITOである。このような範囲でSnO2を含有するITOは、非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境においても抵抗層10のシート抵抗の変動を抑えることができる。抵抗層10のシート抵抗は、例えば機能層に対して測定された値を意味する。本明細書において、「主成分」とは、その材料の特性に影響を与える成分の意味であり、その成分の含有量は、通常、材料全体の50重量%以上である。
 抵抗層10の機能層は、例えば10~100nmの厚みを有し、望ましくは25~50nmの厚みを有する。これにより、電磁波吸収体1aが経時的変化又は環境的変化を受けても抵抗層10のシート抵抗が安定しやすい。
 抵抗層10は、例えば、機能層を支持する支持体をさらに含んでいてもよい。この場合、抵抗層10は、例えば、支持体上にスパッタリング又はコーティング(例えば、バーコーティング)等の成膜方法により機能層を形成することによって作製できる。この場合、支持体は、機能層の厚みを高精度に調節できる補助材としての役割も果たす。抵抗層10の支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、アクリル樹脂、ポリカーボネート(PC)、ポリオレフィン、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、無軸延伸ポリプロピレン(CPP)、又は塩化ビニリデン樹脂である。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層10の支持体の材料は望ましくはPET又はPIである。場合によっては、抵抗層10において支持体を省略可能である。
 抵抗層10が支持体を含む場合、抵抗層10において、機能層が第一主面10aをなしていてもよく、支持体が第一主面10aをなしていてもよい。
 抵抗層10が支持体を含む場合、抵抗層10の支持体は、例えば10~150μmの厚みを有し、望ましくは20~100μmの厚みを有し、より望ましくは30~80μmの厚みを有する。これにより、抵抗層10の曲げ剛性が低く、かつ、抵抗層10の機能層を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。
 抵抗層10は、例えば0.07~5000MPaのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体1aが曲がりやすい。
 例えば、電磁波吸収体1aにおいて電磁波の透過を抑制する観点から、導電層20のシート抵抗はできるだけ小さいことが望ましい。導電層20は、例えば100Ω/□以下のシート抵抗を有し、望ましくは20Ω/□以下のシート抵抗を有する。
 導電層10は、例えば、金属を含む。これにより、導電層10が低いシート抵抗を有しやすい。なお、本明細書において、合金は、金属に含まれる。導電層10に含まれる金属は、例えば、銅、ニッケル、亜鉛、若しくはこれらの合金、アルミニウム、金、又はステンレスである。
 導電層20は、例えば金属箔を含んでいてもよく、導電層20は単一の金属箔によって形成されていてもよい。この場合、金属箔の厚みは、例えば0.1~100μmであり、望ましくは0.1~50μmである。これにより、電磁波吸収体1aにおいて電磁波の透過をより確実に抑制できるとともに、曲面等を有する物品に電磁波吸収体1aを取り付けやすい。金属箔は、例えば、アルミニウム箔、銅箔、金箔、チタン箔、ニッケル箔、マグネシウム箔、アルミニウム合金箔、銅合金箔、金合金箔、チタン合金箔、ニッケル合金箔、マグネシウム合金箔、又はステンレス箔である。なかでも、金属箔としてアルミニウム箔が望ましく使用される。なぜなら、アルミニウム箔は安価に入手でき、電磁波吸収体1aの製造コストを低減できるからである。
 導電層20は、例えば、表面処理された金属粒子を含む層を備えていてもよい。金属粒子において表面処理される金属は、例えば、銅、ニッケル、亜鉛、又はこれらの合金である。金属粒子において表面処理に供される材料は、銀、金、ニッケル、銅、又はコバルトである。中でも、良好な導電性を有する銀で表面処理することが望ましい。例えば、金属粒子における表面処理剤の質量は金属粒子の全体の質量の5~30%であり、望ましくは5~20%であり、より望ましくは10~20%である。この場合、例えば、銀で表面処理する場合に、金属粒子の表面が良好な導電性を有するとともに、金属粒子の原料コストを抑制できる。
 例えば、金属粒子を含む層において金属粒子同士が接触している。金属粒子を含む層は、バインダーを含み、導電層20において金属粒子の表面の少なくとも一部がバインダーに接触して、金属粒子がバインダーに分散している。バインダーは、例えば、アクリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)、ニトリルゴム、エチレン‐プロピレン‐ジエンゴム、シリコーンゴム、又はポリウレタンである。バインダーは、柔軟性及び伸長性の観点から、望ましくはアクリル樹脂又はポリウレタンである。
 金属粒子は、例えば、1~100μmの粒子径を有し、より好ましくは1~50μmの粒子径を有し、さらに好ましくは1~20μmの粒子径を有する。金属粒子が1μm以上の粒子径を有することにより、金属粒子の添加量を抑制しつつ金属粒子同士を接触させやすい。加えて、金属粒子が100μm以下の粒子径を有することにより、導電層20の厚みを低減できるとともに電磁波吸収体1aが曲げられても金属粒子同士が接触した状態が保たれやすい。金属粒子の粒子径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により得られる体積基準の累積分布において50%に相当するメディアン径(D50)である。
 導電層20は、金属箔又は金属粒子を含む層を備える場合、これらの層を支持する支持体をさらに備えていてもよい。支持体は、例えば高分子シートである。支持体の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、アクリル樹脂、ポリカーボネート(PC)、ポリオレフィン、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、無軸延伸ポリプロピレン(CPP)、又は塩化ビニリデン樹脂である。導電層20が金属箔である場合、金属箔がPET等のポリエステルでできたシートに重ねられていることが望ましい。なお、導電層20が支持体を有する場合、導電層20のシート抵抗は、金属箔又は金属粒子を含む層に対して測定されたシート抵抗を意味する。
 導電層20が金属箔を含む場合、金属箔の両主面に一対の高分子シートが重ねられていてもよい。これにより、導電層20が高い耐久性を有する。一対の高分子シートは、例えば支持体として例示した上記の材料でできているが、望ましくはPET等のポリエステルでできている。
 導電層20は、例えば4.8~200GPaのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体1aがより確実に曲がりやすい。
 誘電体層30は、例えば、1~20の比誘電率を有する高分子シートによって形成されている。誘電体層30は、望ましくは、2~20の比誘電率を有する高分子シートによって形成されている。これにより、電磁波吸収体1aが所望の電磁波吸収性能を発揮しやすい。誘電体層30の比誘電率は、例えば、自由空間法によって測定できる。
 誘電体層30の高分子シートの材料は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、及びエポキシ樹脂等の合成樹脂、又は、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、及びシリコーンゴム等の合成ゴムである。これらは単独で又は2種以上を組み合せて誘電体層30の高分子シートとして使用できる。誘電体層30の厚みを低減し、電磁波吸収体1aの厚みを低減する観点から、誘電体層30の高分子シートの材料として、ポリウレタン、アクリル樹脂、又はアクリルウレタン樹脂が望ましく使用される。また、成型性及び比誘電率の観点から、誘電体層30の高分子シートの材料として、EVAも望ましく使用できる。
 誘電体層30は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。誘電体層30が複数の層の積層体である場合、誘電体層30の比誘電率は、各層の比誘電率を測定し、得られた各層の比誘電率に誘電体層30全体の厚みに対する各層の厚みの割合を乗じ、これらを加算することにより算出できる。
 誘電体層30は、例えば0.3~6000MPaのヤング率を有する。これにより、電磁波吸収体1aがより確実に曲がりやすい。
 電磁波吸収体1aにおいて、導電層20はスリットを有しない。このため、吸収対象の電磁波が電磁波吸収体1aを透過することをより効果的に抑制できる。
 電磁波吸収体1aにおいて、76.5GHzの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上であり、より望ましくは30dB以上であり、さらに望ましくは40dB以上である。電磁波吸収体1aの透過減衰量は、例えば、キーコム社製の測定装置LAF-26.5Aを用いて、一直線上に配置された送信アンテナと受信アンテナとの間に電磁波吸収体1aを配置して自由空間法によって測定できる。
 電磁波吸収体1aは、様々な観点から変更可能である。例えば、電磁波吸収体1aは、図3及び図4に示す電磁波吸収体1b又は図5に示す電磁波吸収体1cのように変更されてもよい。電磁波吸収体1b及び電磁波吸収体1cは、特に説明する場合を除き、電磁波吸収体1aと同様に構成されている。電磁波吸収体1aの構成要素と同一の又は対応する構成要素には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。電磁波吸収体1aに関する説明は、技術的に矛盾しない限り、電磁波吸収体1b及び電磁波吸収体1cにも当てはまる。
 図3に示す通り、電磁波吸収体1bは、第一スリット15を有しておらず、第二スリット25を有している。第二スリット25は、導電層20において誘電体層30に対し遠位の第二主面20aから第二主面20aに垂直な方向に誘電体層30に向かって延びているとともに、導電層20を複数の第二ブロック27に区分している。図4に示す通り、第二ブロック27の第二主面20aにおける最小寸法D2は、1mm以上である。導電層に形成されたスリットは、電磁波の裏面反射に影響を及ぼすと考えられる。本発明者らは、導電層に形成したスリットが電磁波吸収体の電磁波吸収性能に及ぼす影響についても日夜検討を行った。その結果、スリットにより区分された導電層のブロックの最小寸法が1mm以上であれば、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすいことを新たに見出した。本発明者らは、このような新たな知見に基づいて本発明に係る電磁波吸収体を案出した。
 最小寸法D2は、典型的には、第二主面20aを平面視したときに、第二ブロック27の輪郭をなす平面図形において、頂点間の距離の最小値及び互いに交差しない線同士の最短距離のうち小さい方を意味する。この場合、頂点は、角の頂点を意味する。頂点は、直線同士が交差すること、曲線同士が交差すること、又は直線と曲線とが交差することによって形成されうる。一方、第二主面20aを平面視したときに、第二ブロック27の輪郭をなす平面図形の輪郭が弧等の曲線を含み、かつ、平面図形の頂点の数が2以下である場合、最小寸法D2は、平面図形の輪郭上の2つの点と、その平面図形の重心とを通る線分の長さが最小となる方向における寸法である。
 第二ブロック27の第二主面20aにおける最小寸法D2は、望ましくは2mm以上であり、より望ましくは6mm以上であり、さらに望ましくは10mm以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体が良好な電磁波吸収性能を発揮しやすい。
 電磁波吸収体1bの厚さ方向における、第二スリット25の深さは特に制限されないが、第二スリット25は、導電層20の内部に底を有していてもよいし、第二スリット25は、電磁波吸収体1bの厚さ方向に導電層20を貫いてもよい。第二主面20aに平行な方向において、第二スリット25の端は、第一主面20aの端に位置していてもよいし、第二主面20aの端から離れて位置していてもよい。なお、第二スリット25は、隣り合う第二ブロック27同士の間に隙間が存在するように形成されていてもよいし、隣り合う第二ブロック27同士が接触できるように形成されていてもよい。第二主面20aに平行な方向において、第二スリット25は、典型的には直線状に延びている。第二スリット25は、曲線状に延びていてもよい。
 第二主面20aが水平であるときに、第二主面20aにおける複数の第二ブロック27の面積は、複数の第二ブロック27の面積と第二スリット25の開口面積との和の90%以上である。電磁波吸収体1bが第二スリット25を有していても、第二主面20aにおける複数の第二ブロック27の面積が広いほど、導電層20において吸収対象の電磁波の裏面反射が起こりやすい。その結果、吸収対象の電磁波が電磁波吸収体1bを透過することをより確実に抑制でき、電磁波吸収体1bが良好な電磁波吸収性能を有しやすい。第二主面20aが水平であるときに、第二主面20aにおける複数の第二ブロック27の面積は、望ましくは、複数の第二ブロック27の面積と第二スリット25の開口面積との和の95%以上であり、より望ましくは、その和の99%以上である。これにより、より確実に、電磁波吸収体1bが良好な電磁波吸収性能を有する。
 図4に示す通り、電磁波吸収体1bは、例えば、複数の第二スリット25を有する。複数の第二スリット25は、例えば、第三スリット群25aを有する。第三スリット群25aは、第二主面20aにおいて互いに平行な複数の第二スリット25からなる。この場合、第二ブロック27の第二主面20aにおける最小寸法は、望ましくは、20mm以下である。この場合、電磁波吸収体1bを大きい曲率の曲面を有する物品にも取り付けやすい。
 図4に示す通り、電磁波吸収体1bにおける複数の第二スリット25は、例えば、第四スリット群25bをさらに含む。第四スリット群25bは、第二主面20aにおいて互いに平行であり、かつ、第三スリット群25aに含まれる複数の第二スリット25と交わる複数の第二スリット25からなる。この場合、電磁波吸収体1bは、複数の方向に曲げることができるので、複雑な形状を有する物品にも取り付けやすい。
 第二主面20aを平面視したときに、第二ブロック27の輪郭をなす平面図形は、三角形、四角形、又はその他の多角形であってもよいし、その輪郭の一部又は全部が曲線状である図形であってもよい。
 電磁波吸収体1bにおいて、76.5GHzの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上である。
 JIS R 1679:2007に従って測定した、76.5GHzの電磁波を電磁波吸収体1aに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上であり、より望ましくは30dB以上である。
 図5に示す通り、電磁波吸収体1cは、第一スリット15及び第二スリット25を有する。電磁波吸収体1cにおいて、第一スリット15は、電磁波吸収体1aの第一スリット15と同様に形成できる。加えて、第二スリット25は、電磁波吸収体1bの第二スリット25と同様に形成できる。
 電磁波吸収体1cによれば、第一スリット15の開口が広がるように電磁波吸収体1cを曲げることができるし、第二スリット25の開口が広がるようにも電磁波吸収体1cを曲げることができる。このため、電磁波吸収体1cは、より複雑な表面を有する物品にも取り付けやすい。
 電磁波吸収体1cにおいて、76.5GHzの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上である。
 JIS R 1679:2007に従って測定した、76.5GHzの電磁波を電磁波吸収体1cに垂直入射させたときの反射量の絶対値は、例えば10dB以上であり、望ましくは20dB以上である。
 電磁波吸収体1a、電磁波吸収体1b、及び電磁波吸収体1cを用いて電磁波吸収体付物品を製造できる。図6~8に示す通り、電磁波吸収体付物品は、曲面又はコーナーを有する物品と、曲面に貼り付けられた、又は、コーナーを跨いで貼り付けられた電磁波吸収体とを備える。電磁波吸収体は、典型的には、抵抗層よりも導電層が物品の近くに位置するように貼り付けられる。
 図6に示す通り、電磁波吸収体付物品90aは、曲面C1を有する物品70aと、電磁波吸収体1aとを備えている。電磁波吸収体1aは、例えば、曲面C1に粘着層50によって貼り付けられている。この場合、第一スリット15の開口が広がるように電磁波吸収体1aが曲面C1に沿って変形する。
 図7に示す通り、電磁波吸収体付物品90bは、曲面C2を有する物品70bと、電磁波吸収体1bとを備えている。電磁波吸収体1bは、例えば、曲面C2に粘着層50によって貼り付けられている。この場合、第二スリット25の開口が広がるように電磁波吸収体1bが曲面C2に沿って変形する。
 図8に示す通り、電磁波吸収体付物品90cは、コーナーC3及びコーナーC4を有する物品70cと、電磁波吸収体1cとを備えている。電磁波吸収体1cは、粘着層50によって、コーナーC3及びコーナーC4を跨いで貼り付けられている。この場合、第一スリット15の開口が広がるようにコーナーC3に沿って電磁波吸収体1cが変形し、第二スリット25の開口が広がるようにコーナーC4に沿って電磁波吸収体1cが変形する。
 電磁波吸収体1a、電磁波吸収体1b、及び電磁波吸収体1cは、例えば、以下の(i)~(iv)ステップを含む方法によって製造できる。
(i)抵抗層10を提供する。
(ii)導電層30を提供する。
(iii)抵抗層10と導電層20との間に誘電体層30を配置する。
(iv)第一スリット15及び第二スリット25の少なくとも1つを形成する。
 上記(iii)のステップにおいて、抵抗層10及び誘電体層30は、例えば、粘着剤によって貼り合わせられてもよい。誘電体層30が粘着性を有する場合には、抵抗層10及び誘電体層30は、粘着剤を介在させずに重ね合わせられてもよい。導電層20及び誘電体層30は、例えば、粘着剤によって貼り合わせられてもよい。誘電体層30が粘着性を有する場合には、導電層20及び誘電体層30は、粘着剤を介在させずに重ね合わせられてもよい。
 上記の(iv)のステップにおいて、第一スリット15を形成する場合、例えば、抵抗層10を連続的に形成し、連続的に形成された抵抗層10を切り込んで第一スリット15を形成する。抵抗層10の切り込みは、例えば、トムソン刃、彫刻刀、及び腐食刃等の刃具を用いてなされてもよいし、レーザー加工機を用いてなされてもよい。抵抗層10の切り込みは、抵抗層10と誘電体層30とを重ね合わせた後になされてもよいし、抵抗層10と誘電体層30とを重ね合わせる前になされてもよい。抵抗層10と誘電体層30とを重ね合わせた後に抵抗層10を切り込む場合、誘電体層30が粘着性を有していることが望ましい。なぜなら、切り込みが誘電体層30に及んでも誘電体層30の特性に影響が及びにくいからである。なお、第一主面10aにおいて抵抗層10を非連続に形成して第一スリット15を形成してもよい。
 上記の(iv)のステップにおいて、第二スリット25を形成する場合、例えば、導電層20を連続的に形成し、連続的に形成された導電層20を切り込んで第二スリット25を形成する。導電層20の切り込みは、例えば、トムソン刃、彫刻刀、及び腐食刃等の刃具を用いてなされてもよいし、レーザー加工機を用いてなされてもよい。導電層20の切り込みは、導電層20と誘電体層30とを重ね合わせた後になされてもよいし、導電層20と誘電体層30とを重ね合わせる前になされてもよい。導電層20と誘電体層30とを重ね合わせた後に導電層20を切り込む場合、誘電体層30が粘着性を有していることが望ましい。なぜなら、切り込みが誘電体層30に及んでも誘電体層30の特性に影響が及びにくいからである。なお、第二主面20aにおいて導電層20を非連続に形成して第二スリット25を形成してもよい。
 以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。
 <実施例1>
 ポリエステルからなるフィルム状の支持体(厚み:38μm)に、シート抵抗が390Ω/□になるように30重量%のSnO2を含有するITOを用いて機能層を形成し、実施例1に係る抵抗層を作製した。支持体のヤング率は4700MPaであった。25μmの厚みを有するPETの層、7μmのアルミニウムの層、及び9μmの厚みを有するPETの層がこの順で積層されているアルミニウム箔付きPETフィルムを実施例1に係る導電層として準備した。導電層のヤング率は4880MPaであった。560μmの厚みにプレス成型したアクリル樹脂を実施例1に係る誘電体層として準備した。実施例1に係る誘電体層の弾性率(ヤング率)は0.4MPaであった。誘電体層の比誘電率は2.55であった。実施例1に係る導電層の上に実施例1に係る誘電体層を重ねた。さらに、実施例1に係る誘電体層に実施例1に係る抵抗層の支持体によって形成された主面を向けた状態で、実施例1に係る誘電体層に実施例1に係る抵抗層を重ねた。カッターを用いて、2mm間隔で機能層側から実施例1に係る抵抗層に切り込みを入れ、実施例1に係る抵抗層の全体にわたって図2に示すような互いに直交する直線状の2つのスリット群を形成した。このようにして、実施例1に係る電磁波吸収体を得た。実施例1に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において2mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例2>
 抵抗層へ切り込みを入れる間隔を4mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係る電磁波吸収体を作製した。実施例2に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において4mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例3>
 抵抗層へ切り込みを入れる間隔を6mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係る電磁波吸収体を作製した。実施例3に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において6mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例4>
 抵抗層へ切り込みを入れる間隔を10mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係る電磁波吸収体を作製した。実施例4に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において10mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例5>
 抵抗層への切り込みを入れる間隔を20mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係る電磁波吸収体を作製した。実施例5に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例6>
 下記の点以外は、実施例1と同様にして、実施例6に係る電磁波吸収体を作製した。抵抗層の作製において、23μmの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体を用いた。抵抗層への切り込みを入れる間隔を20mmに調整した。実施例6に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例7>
 抵抗層の支持体を、50μmの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体に変更し、かつ、抵抗層への切り込みを入れる間隔を4mmに調整した以外は、実施例1と同様にして、実施例7に係る電磁波吸収体を得た。実施例7に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において4mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例8>
 下記の点以外は、実施例1と同様にして、実施例8に係る電磁波吸収体を作製した。抵抗層の作製において、125μmの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体を用いた。抵抗層への切り込みを入れる間隔を20mmに調整した。実施例8に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例9>
 100μmの厚みを有するアルミニウム箔を実施例9に係る導電層として準備した。実施例9に係る導電層のヤング率は、69000MPaであった。実施例1に係る導電層の代わりに実施例9に係る導電層を用い、抵抗層への切り込みを入れる間隔を6mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例9に係る電磁波吸収体を作製した。実施例9に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において6mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例10>
 抵抗層への切り込みを入れる間隔を20mmに変更した以外は、実施例9と同様にして、実施例9に係る電磁波吸収体を作製した。実施例9に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、機能層がなす主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <実施例11>
 ポリエステルからなるフィルム状の支持体(厚み:38μm)に、シート抵抗が390Ω/□になるように30重量%のSnO2を含有するITOを用いて機能層を形成し、実施例11に係る抵抗層を作製した。支持体のヤング率は4700MPaであった。25μmの厚みを有するPETの層、7μmのアルミニウムの層、及び9μmの厚みを有するPETの層がこの順で積層されているアルミニウム箔付きPETフィルムを実施例11に係る導電層として準備した。導電層のヤング率は4880MPaであった。560μmの厚みにプレス成型したアクリル樹脂を実施例11に係る誘電体層として準備した。実施例11に係る誘電体層の弾性率(ヤング率)は0.4MPaであった。誘電体層の比誘電率は2.55であった。実施例11に係る導電層の上に実施例11に係る誘電体層を重ねた。さらに、実施例11に係る誘電体層に実施例11に係る抵抗層の支持体によって形成された主面を向けた状態で、実施例11に係る誘電体層に実施例11に係る抵抗層を重ねた。実施例11に係る導電層の誘電体層から遠いPETの層の側からカッターを用いて、1mm間隔で実施例11に係る導電層に切り込みを入れ、実施例11に係る導電層の全体にわたって図4に示すような互いに直交する直線状の2つのスリット群を形成した。このようにして、実施例11に係る電磁波吸収体を得た。実施例11に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、誘電体層から遠いPETの層がなす主面において1mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例12>
 導電層への切り込みを入れる間隔を2mmに変更した以外は、実施例11と同様にして、実施例12に係る電磁波吸収体を作製した。実施例12に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、誘電体層から遠いPETの層がなす主面において2mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例13>
 導電層への切り込みを入れる間隔を6mmに変更した以外は、実施例11と同様にして、実施例13に係る電磁波吸収体を作製した。実施例13に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、誘電体層から遠いPETの層がなす主面において6mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例14>
 導電層への切り込みを入れる間隔を10mmに変更した以外は、実施例11と同様にして、実施例14に係る電磁波吸収体を作製した。実施例14に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、誘電体層から遠いPETの層がなす主面において10mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例15>
 導電層への切り込みを入れる間隔を20mmに変更した以外は、実施例11と同様にして、実施例15に係る電磁波吸収体を作製した。実施例15に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、導電層の主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例16>
 抵抗層の支持体を、50μmの厚みを有するポリエステルからなるフィルム状の支持体に変更し、かつ、導電層への切り込みを入れる間隔を2mmに調整した以外は、実施例11と同様にして、実施例16に係る電磁波吸収体を得た。実施例16に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、導電層の主面において2mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例17>
 100μmの厚みを有するアルミニウム箔を実施例17に係る導電層として準備した。実施例17に係る導電層のヤング率は、69000MPaであった。実施例11に係る導電層の代わりに実施例17に係る導電層を用い、かつ、導電層への切り込みを入れる間隔を2mmに調整した以外は、実施例11と同様にして、実施例17に係る電磁波吸収体を得た。実施例17に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、導電層の主面において2mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <実施例18>
 導電層への切り込みを入れる間隔を20mmに変更した以外は、実施例17と同様にして、実施例18に係る電磁波吸収体を作製した。実施例18に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、導電層の主面において20mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 <比較例1>
 抵抗層に切り込みを入れることを省略した以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係る電磁波吸収体を作製した。
 <比較例2>
 抵抗層へ切り込みを入れる間隔を1mmに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例2に係る電磁波吸収体を作製した。比較例1に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、抵抗層の機能層がなす主面において1mmの最小寸法を有する複数のブロックに抵抗層が区分されていた。
 <比較例3>
 導電層への切り込みを入れる間隔を0.5mmに変更した以外は、実施例11と同様にして、比較例3に係る電磁波吸収体を作製した。比較例3に係る電磁波吸収体において、直線状の2つのスリット群によって、導電層の主面において0.5mmの最小寸法を有する複数のブロックに導電層が区分されていた。
 (電磁波吸収性能の評価)
 キーコム社製の測定装置LAF-26.5Aを用いて、JIS R 1679:2007に従って、各実施例に係る電磁波吸収体並びに各比較例に係る電磁波吸収体に76.5GHzの電磁波を垂直入射させたときの反射量を測定した。結果を表1に示す。加えて、キーコム社製の測定装置LAF-26.5Aを用いて、各実施例に係る電磁波吸収体並びに各比較例に係る電磁波吸収体に、76.5GHzの電磁波を垂直入射させたときの透過減衰量を測定した。透過減衰量の測定は、一直線上に配置された送信アンテナと受信アンテナとの間に電磁波吸収体を配置して自由空間法によって行った。結果を表1に示す。表1に示す通り、各実施例に係る電磁波吸収体において、吸収量の絶対値が10dB以上であり、かつ、透過減衰量が10dB以上であった。一方、比較例2に係る電磁波吸収体では、吸収量の絶対値が10dBを下回っており、比較例3に係る電磁波吸収体では、透過減衰量が10dBを下回っていた。
 (曲げ性の評価)
 50mmの外径及び100mmの長さを有する金属製の円柱A並びに100mmの外径及び100mmの長さを有する金属製の円柱Bを準備した。各実施例及び各比較例に係る電磁波吸収体を円柱A又は円柱Bを跨ぐように円柱の側面に沿って配置して電磁波吸収体の一端を固定し、電磁波吸収体の他端に5Nの力を加えた。電磁波吸収体の円柱A又は円柱Bの軸線に平行な方向における長さは、100mmであった。このとき、電磁波吸収体が円柱A又は円柱Bに密着しているか否かを確認した。電磁波吸収体が円柱Aに密着していた場合を「a」と評価した。電磁波吸収体が円柱Aには密着しなかったものの円柱Bには密着していた場合を「b」と評価した。電磁波吸収体が円柱Aにも円柱Bにも密着しなかった場合を「c」と評価した。結果を表1に示す。表1に示す通り、各実施例に係る電磁波吸収体は、少なくとも円柱Bには密着し、良好な曲げ性を有していた。一方、比較例1に係る電磁波吸収体は円柱Aにも円柱Bにも密着できず、良好な曲げ性を有するとは言い難かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 1a、1b、1c 電磁波吸収体
 10       抵抗層
 10a      第一主面
 15       第一スリット
 15a      第一スリット群
 15b      第二スリット群
 17       第一ブロック
 20       導電層
 20a      第二主面
 25       第二スリット
 25a      第三スリット群
 25b      第四スリット群
 27       第二ブロック
 30       誘電体層

Claims (11)

  1.  抵抗層と、
     前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、
     前記抵抗層と前記導電層との間に配置された誘電体層と、を備え、
     第一スリット及び第二スリットの少なくとも1つを有し、
     前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
     前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
     前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、2mm以上であり、
     前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、1mm以上である、
     電磁波吸収体。
  2.  前記第二スリットを有し、
     前記第二主面が水平であるときに、前記第二主面における前記複数の第二ブロックの面積は、前記複数の第二ブロックの前記面積と前記第二スリットの開口面積との和の90%以上である、請求項1に記載の電磁波吸収体。
  3.  複数の前記第一スリットを有し、
     前記複数の前記第一スリットは、前記第一主面において互いに平行な複数の前記第一スリットからなる第一スリット群を含み、
     前記第一ブロックの前記第一主面における前記最小寸法は、20mm以下である、請求項1又は2に記載の電磁波吸収体。
  4.  前記複数の前記第一スリットは、前記第一主面において互いに平行であり、かつ、前記第一スリット群に含まれる前記複数の前記第一スリットと交わる複数の前記第一スリットからなる第二スリット群をさらに含む、請求項3に記載の電磁波吸収体。
  5.  複数の前記第二スリットを有し、
     前記複数の前記第二スリットは、前記第二主面において互いに平行な複数の前記第二スリットからなる第三スリット群を含み、
     前記第二ブロックの前記第二主面における前記最小寸法は、20mm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
  6.  前記複数の前記第二スリットは、前記第二主面において互いに平行であり、かつ、前記第三スリット群に含まれる前記複数の前記第二スリットと交わる複数の前記第二スリットからなる第四スリット群をさらに含む、請求項5に記載の電磁波吸収体。
  7.  前記抵抗層は、120~800Ω/□のシート抵抗を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
  8.  曲面又はコーナーを有する物品と、
     前記曲面に貼り付けられた、又は、前記コーナーを跨いで貼り付けられた、請求項1~7のいずれか1項に記載の電磁波吸収体と、を備えた、
     電磁波吸収体付物品。
  9.  抵抗層を提供し、
     前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層を提供し、
     前記抵抗層と前記導電層との間に誘電体層を配置し、
     第一スリット及び第二スリットの少なくとも1つを形成し、
     前記第一スリットは、前記抵抗層において前記誘電体層に対し遠位の第一主面から前記第一主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記抵抗層を複数の第一ブロックに区分し、
     前記第二スリットは、前記導電層において前記誘電体層に対し遠位の第二主面から前記第二主面に垂直な方向に前記誘電体層に向かって延びているとともに、前記導電層を複数の第二ブロックに区分し、
     前記第一ブロックの前記第一主面における最小寸法は、2mm以上であり、
     前記第二ブロックの前記第二主面における最小寸法は、1mm以上である、
     電磁波吸収体の製造方法。
  10.  前記抵抗層を連続的に形成し、連続的に形成された前記抵抗層を切り込んで前記第一スリットを形成する、又は、前記第一主面において前記抵抗層を非連続に形成して前記第一スリットを形成する、請求項9に記載の製造方法。
  11.  前記導電層を連続的に形成し、連続的に形成された前記導電層を切り込んで前記第二スリットを形成する、又は、前記第二主面において前記導電層を非連続に形成して前記第二スリットを形成する、請求項9に記載の製造方法。
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