WO2019116787A1 - 導電性ペースト - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a conductive paste capable of obtaining a conductive pattern excellent in electrical characteristics. Specifically, the present invention relates to an electrode of a semiconductor device, an electronic component or the like, and a thermosetting conductive paste that can be used for forming a circuit pattern.
- Conductive pastes containing silver particles are used, for example, to form electrodes of semiconductor devices and electronic components, and circuit patterns.
- the formation of the electrode and circuit pattern by the conductive paste is performed by applying a conductive paste of a predetermined pattern on a substrate or the like by a screen printing method or the like and then heating the conductive paste to obtain a conductive film of a predetermined pattern. Can be done by
- the high temperature baking type conductive paste is a paste which can form a conductive film by baking at a high temperature of about 550 to 900.degree.
- the thermosetting type conductive paste is a paste which can form a conductive film by heating at a relatively low temperature of about room temperature (about 20 ° C.) to about 250 ° C.
- the thermosetting type conductive paste the conductive resin is formed by curing the resin component and adhering the silver particles to each other.
- Patent Document 1 describes an example of a thermosetting conductive paste (composition). Specifically, Patent Document 1 includes (A) silver particles, (B) oxetanyl group-containing polysilsesquioxane, (C) phthalic acid based glycidyl ester type epoxy resin, and (D) cationic polymerization initiator. A thermosetting conductive paste characterized in that it is contained is described.
- Patent Documents 2 to 5 describe compositions containing various polymerization initiators.
- Patent Document 2 describes an adhesive tape composition, which comprises 25 wt% to 75 wt% of an acrylate monomer, 20 wt% to 70 wt% of an epoxy resin, and radical light, based on the total weight of the adhesive tape composition.
- An adhesive tape composition is described which comprises 0.001% to 3% by weight of an initiator, 0% to 10% by weight of fumed silica, and 0.02 to 5% by weight of a cationic thermal initiator. There is.
- Patent Document 3 describes a film-forming composition containing a polysiloxane represented by a predetermined formula and a thermal acid generator which is a quaternary ammonium salt.
- Patent Document 4 describes a resist underlayer film forming composition including a polymer having a structural unit represented by a predetermined formula, and a solvent containing more than 50% by weight of propylene glycol monomethyl ether.
- Patent Document 5 describes a resist underlayer film forming composition including a copolymer having a structural unit represented by a predetermined formula, a crosslinkable compound, a crosslinking catalyst, and a solvent.
- thermosetting conductive paste tends to have a higher specific resistance (electric resistance value) than the conductive film obtained using the high temperature baking conductive paste.
- a thermosetting conductive paste generally uses an epoxy resin as a binder, but if good adhesion and electrical characteristics (specific resistance of 10 ⁇ ⁇ cm or less) are to be compatible, it is generally used. Requires a high temperature heat treatment of over 250.degree.
- An object of the present invention is to provide a thermosetting conductive paste which can be treated at a low temperature (for example, 250 ° C. or less) and can obtain a conductive film having a low specific resistance.
- the present invention has the following composition.
- Configuration 1 of the present invention is a conductive paste containing (A) a conductive component, (B) a thermosetting resin, (C) a compound having a structure of Formula (1), and (D) a solvent.
- A a conductive component
- B a thermosetting resin
- C a compound having a structure of Formula (1)
- D a solvent
- thermosetting conductive paste which can be treated at a low temperature (for example, 250 ° C. or less) and can obtain a conductive film having a low specific resistance.
- Configuration 2 of the present invention is the conductive paste according to Configuration 1 wherein the (A) conductive component is at least one selected from Ag and Cu.
- Configuration 3 of the present invention is the conductive paste according to Configuration 1 or 2, wherein the (A) conductive component is spherical and / or flake-like particles.
- the conductive component is spherical and / or flake-like particles, it is possible to obtain more excellent interparticle conduction.
- Configuration 4 of the present invention is the conductive paste according to any one of configurations 1 to 3, wherein (B) the thermosetting resin comprises an epoxy resin or an acrylic resin.
- thermosetting of the thermosetting resin can be ensured.
- Configuration 5 of the present invention comprises 0.1 to 2.0 parts by weight of the compound of the structure of (C) Formula (1) with respect to 100 parts by weight of (A) the conductive component. It is any conductive paste.
- the compound of the structure of the formula (1) by setting the compound of the structure of the formula (1) to a predetermined ratio, it is possible to more reliably obtain a conductive film having a low specific resistance.
- Configuration 6 of the present invention is the conductive paste according to any of configurations 1 to 5, wherein the solvent (D) comprises ethyl glycol monophenyl ether or butyl carbitol acetate.
- the viscosity of the conductive paste can be appropriately adjusted by using a predetermined solvent.
- a seventh aspect of the present invention is the conductive paste according to any one of the first to sixth aspects, further comprising (E) a phenoxy resin.
- the conductive paste when the conductive paste further contains a phenoxy resin, it is possible to obtain a conductive film having a further lower electrode resistance.
- Configuration 8 of the present invention is the conductive paste according to any of configurations 1 to 7, further including (F) a coupling agent.
- the adhesiveness between the inorganic component such as the conductive component and the thermosetting resin can be further improved.
- Configuration 9 of the present invention is a conductive paste for forming a solar cell electrode using the conductive paste according to any of configurations 1 to 8.
- the conductive paste of the present invention can be preferably used as a conductive paste for forming a solar cell electrode.
- the conductive paste of the present invention is particularly a solar cell using a thin film material such as amorphous silicon, for example, an amorphous silicon solar cell, a heterojunction solar cell and a compound semiconductor solar cell (CIS (CuInSe 2 ) solar cell, CIGS It can be preferably used as a conductive paste for electrode formation of (Copper Indium Gallium Selenide) solar cell, CdTe solar cell and the like.
- Configuration 10 of the present invention is the conductive paste for forming a solar cell electrode according to Configuration 9, wherein the processing temperature at the time of electrode formation is 250 ° C. or less.
- the processing temperature of the conductive paste of the present invention is 250 ° C. or less, the electrode can be formed without adversely affecting the materials constituting the solar cell.
- Configuration 11 of the present invention is the conductive paste according to any of configurations 1 to 8 for forming an electrode on the surface of a transparent electrode.
- the conductive paste of the present invention can form an electrode on the surface of a transparent electrode with relatively low contact resistance without adversely affecting the transparent electrode.
- thermosetting conductive paste which can be treated at a low temperature (for example, 250 ° C. or less) and can obtain a conductive film having a low specific resistance.
- thermosetting conductive paste (simply referred to as "conductive paste” in some cases) of the present invention may be thermally cured at a low temperature (for example, 250 ° C or less) to form an electrode by containing a predetermined component. Is possible. Further, by using the conductive paste of the present invention, a conductive film (electrode) having a low specific resistance can be obtained.
- the “conductive film” refers to a thin film pattern obtained by printing and curing a conductive paste on a surface of a predetermined substrate or the like so as to form a pattern of a predetermined shape.
- the pattern of the predetermined shape includes a pattern of any shape, for example, a linear, dot-like and planar shape.
- the conductive paste of the present invention can be used to form electrodes such as semiconductor devices and electronic components, and conductive films as circuit patterns.
- the conductive paste of the present invention is used not only on the surface of inorganic materials such as semiconductors, oxides and ceramics, but also on low heat resistant substrates such as PET (polyethylene terephthalate) and PEN (polyethylene naphthalate), as electrodes and / or circuits. It can be used to form a pattern.
- the “semiconductor device” means a device using a semiconductor chip, for example, a semiconductor device such as a transistor and an integrated circuit, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP), and a solar It means a device using a semiconductor such as a battery.
- a semiconductor device is a device utilizing the properties of electrons and holes in a semiconductor, and has an electrode for direct or indirect electrical connection to the semiconductor.
- the electrodes of the semiconductor device may need to transmit light.
- a transparent conductive film is used as a material of such an electrode.
- An electrode made of a transparent conductive film is called a transparent electrode.
- Transparent electrodes are used in flat panel displays such as liquid crystal displays (LCDs) and plasma display panels (PDPs), and semiconductor devices such as various solar cells. Examples of solar cells include thin film solar cells such as amorphous silicon solar cells and compound semiconductor solar cells (CIS solar cells, CIGS solar cells, CdTe solar cells, etc.), heterojunction solar cells, crystalline silicon solar cells, etc. Can.
- Transparent electrodes are used, for example, for forming electrodes of flat panel displays, thin film solar cells, heterojunction solar cells and the like.
- An oxide conductive film can be used as a transparent conductive film which is a material of a transparent electrode.
- an indium tin oxide (also referred to as “ITO (Indium Tin Oxide)”) thin film, a tin oxide thin film, a ZnO-based thin film, and the like can be given.
- ITO thin films are widely used in flat panel displays, various types of solar cells, and the like.
- a case of a grid-like electrode (simply referred to as “electrode”) may be used. Is formed.
- the conductive paste of the present invention can be used for forming grid-like electrodes on the surface of a transparent electrode.
- high temperatures for example, temperatures exceeding 250.degree.
- the semiconductor chip and / or other materials may be degraded if the treatment is performed.
- an electrode with low specific resistance can be formed at low temperature (for example, 250 ° C. or less).
- thermosetting conductive paste of the present invention a predetermined low resistance electrode can be formed without deterioration of the semiconductor device due to high temperature.
- the conductive paste of the present invention can be suitably used to form an electrode on a transparent conductive film, particularly an ITO thin film.
- the conductive paste of the present invention can be preferably used to form an electrode on the surface of the transparent conductive film of a solar cell.
- Some types of solar cells use materials that are adversely affected by the high temperature heating process.
- the thermosetting conductive paste of the present invention can be preferably used to form an electrode on the surface of the transparent conductive film of such a low heat resistance solar cell.
- Amorphous silicon can be mentioned as a material that is adversely affected by the high temperature heating process.
- a solar cell using amorphous silicon as a material an amorphous silicon solar cell, and a heterojunction solar cell using amorphous silicon and crystalline silicon (hereinafter, simply referred to as "heterojunction solar cell") can be mentioned.
- the thermosetting conductive paste of the present invention can be preferably used in order to form an electrode on the surface of the transparent conductive film of the amorphous silicon solar cell and the heterojunction solar cell.
- thermosetting conductive paste of the present invention With reference to FIG. 1, a heterojunction solar cell, which is a preferred application of the thermosetting conductive paste of the present invention, will be described.
- FIG. 1 the cross-sectional schematic diagram of an example of a heterojunction-type solar cell is shown.
- the heterojunction type solar cell shown in FIG. 1 is an i-type amorphous silicon layer 12 made of intrinsic amorphous silicon on the light incident side surface of an n-type crystalline silicon substrate 10 (for example, a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate).
- a p-type amorphous silicon layer 14a (film thickness of about 10 nm) made of (film thickness of about 10 nm) and p-type amorphous silicon is stacked in this order.
- a transparent conductive film for example, a transparent conductive film 16 (film thickness of about 70 nm) made of indium tin oxide (ITO) is disposed on the p-type amorphous silicon layer 14a.
- a transparent conductive film 16 film thickness of about 70 nm
- ITO indium tin oxide
- a grid-like light incident side electrode 18a is formed on the surface of the transparent conductive film 16.
- an n-type amorphous silicon layer 12 (film thickness of about 10 nm) consisting of intrinsic amorphous silicon and n-type amorphous silicon heavily doped is used.
- Type amorphous silicon layer 14 b (film thickness about 10 nm) is stacked in this order.
- the transparent conductive film 16 and the grid-like back surface electrode 18b are formed on the n-type amorphous silicon layer 14b, similarly to the light incident surface.
- each layer other than the crystalline silicon substrate is all carried out using a method such as plasma CVD method, sputtering method, vapor deposition method or screen printing method. Can be done with
- amorphous silicon is adversely affected by a high-temperature heating process, it is preferable that the temperature at the time of forming the light incident side electrode 18 a and the back surface electrode 18 b on the surface of the transparent conductive film 16 be low. If the thermosetting conductive paste of the present invention is used, it is possible to form the light incident side electrode 18 a and the back surface electrode 18 b having low specific resistance at low temperature (for example, 250 ° C. or less).
- thermosetting conductive paste of the present invention will be described.
- the present invention is a conductive paste comprising (A) a conductive component, (B) a thermosetting resin, (C) a compound of the structure of formula (1), and (D) a solvent.
- thermosetting conductive paste which can be treated at a low temperature (for example, 250 ° C. or less) and can obtain a conductive film having a low specific resistance.
- the conductive paste of the present invention contains (A) a conductive component.
- the conductive component is a conductive particle containing a conductive component such as silver, copper, nickel, aluminum, zinc and / or tin.
- the shape of the conductive particles can be, for example, a shape such as a sphere, a flake, or a needle. Different shapes of conductive particles can be mixed and used.
- the method for producing the conductive particles is not particularly limited, and can be produced by, for example, a reduction method, a grinding method, an electrolysis method, an atomization method, a heat treatment method, or a combination thereof.
- Flaky conductive particles can be produced, for example, by crushing spherical conductive particles with a ball mill or the like.
- the (A) conductive component is preferably spherical and / or flake-like particles.
- the conductive particles contained in the conductive paste of the present invention it is preferable to use a mixture of flake-like conductive particles and spherical conductive particles.
- the preferred mixing ratio (weight ratio) of the flake-like conductive particles to the spherical conductive particles is 1 to 4 for the flake-like conductive particles and 0.25 to 4 for the spherical conductive particles. More preferably, the flaky conductive particles are 1 and the spherical conductive particles are 0.67 to 1.5.
- the most preferable mixing ratio of the flaky conductive particles and the spherical conductive particles is 1: 1.
- the preferred average particle size of the conductive particles is 0.1 ⁇ m to 15 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m, and most preferably 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m.
- the average particle size refers to an average particle size (average particle size of 50% integrated value of all particles: D50) based on a number basis by laser diffraction / scattering type particle size distribution measurement.
- the content of the conductive component (A) contained in the conductive paste of the present invention is preferably 75 to 98% by weight, more preferably 80 to 97% by weight, still more preferably 85% by weight, based on the whole conductive paste. It is ⁇ 95 wt%.
- the (A) conductive component contained in the conductive paste of the present invention is preferably at least one selected from silver (Ag) and copper (Cu). Silver particles and / or copper particles can be used as the (A) conductive component.
- alloy particles of silver and copper can be used alone or together with silver particles and / or copper particles. By using silver and / or copper which is a metal having low resistivity, a conductive film having low resistivity can be obtained.
- the conductivity of silver particles is high. Therefore, silver particles are conventionally used as electrodes for many semiconductor devices, such as solar cells, and have high reliability.
- the conductive paste of the present invention by using silver particles as the conductive component, it is possible to manufacture a highly reliable and high-performance semiconductor device such as a solar cell. Therefore, it is preferable to use silver particles as a main component of the conductive component.
- Copper particles are preferred as electrode materials because they are relatively inexpensive and have high electrical conductivity. By using copper particles as the conductive component, the cost of the conductive paste can be reduced.
- the conductive paste of the present invention may contain metal particles other than silver particles and / or copper particles, or alloy particles with silver particles and / or copper particles, as long as the performance of the application is not impaired. it can.
- the conductive component preferably contains 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, of silver particles with respect to the entire conductive component, and the conductive component is silver More preferably, it consists of particles only.
- the conductive component is composed of only silver particles
- substantially all of the conductive component is silver particles, except for unavoidable impurities. That is, when a conductive component consists only of silver particles, a conductive component can contain the impurity which exists unavoidable besides silver particle. The same applies to other components other than silver particles.
- the conductive paste of the present invention contains (B) a thermosetting resin.
- thermosetting resins include urea resins, melamine resins, amino resins such as guanamine resins; high molecular weight bisphenol A type epoxy resins, branched polyfunctional ones such as p-glycidyloxyphenyldimethyltrisbisphenol A diglycidyl ether Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin such as diglycidyl biphenyl, novolak type epoxy resin, tetrabromobisphenol A type epoxy resin, tris (hydroxyphenyl) methane type epoxy resin, vinyl (3, 4-Cyclohexene) dioxide, 3,4-epoxycyclohexylcarboxylic acid (3,4-epoxycyclohexyl) methyl, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 2- ( , 4-Epoxycyclohexyl) 5,1-spiro (3,4-epoxycyclohexyl)
- the (B) thermosetting resin preferably contains an epoxy resin or an acrylic resin. Further, in the conductive paste of the present invention, the (B) thermosetting resin preferably comprises only an epoxy resin, an acrylic resin or a mixture thereof. By using these thermosetting resins, thermosetting at relatively low temperatures can be ensured.
- the conductive paste of the present invention contains the compound of the structure of (C) formula (1).
- the compound of the structure of Formula (1) has a function as a cationic polymerization initiator in the electroconductive paste of this invention.
- the inventors of the present invention can obtain a conductive film with low specific resistance when the conductive film is formed using a conductive paste containing a compound of the structure of (C) formula (1) as a cationic polymerization initiator. Found out. As shown in FIG. 4, it can be seen that, in the conductive film formed using the conductive paste of the present invention, the fusion of silver particles is in progress. When the conductive paste of the present invention is used, it can be inferred that low specific resistance can be obtained because fusion of silver particles proceeds. However, the present invention is not bound by this assumption.
- the conductive paste of the present invention preferably contains 0.1 parts by weight to 2.0 parts by weight of the compound having the structure of the formula (C) of (C) with respect to 100 parts by weight of the conductive component (A). It is more preferable to include .15 to 1.7 parts by weight, and further preferable to include 0.21 to 1.68 parts by weight.
- the conductive paste of the present invention has good storage stability. That is, the conductive paste of the present invention is excellent in temporal stability, and can be stored at normal temperature.
- thermosetting conductive paste of the present invention is a cationic polymerization initiator, to the extent that the effect of the thermosetting conductive paste of the present invention is not impaired, a cation other than the compound of the structure of the above-mentioned (C) formula (1)
- a polymerization initiator can be included.
- cationic polymerization initiators include p-toluenesulfonate, hexafluoroantimonate, hexafluorophosphate, trifluoromethanesulfonate, and perfluorobutanesulfonate.
- the thermosetting conductive paste of the present invention exerts a predetermined effect by containing the compound having the structure of the formula (C) (C). It is preferable to include only the compound of the structure of (C) Formula (1) as an agent.
- the conductive paste of the present invention contains (D) a solvent.
- the viscosity of the conductive paste can be adjusted by the addition of a solvent.
- Examples of the solvent contained in the conductive paste of the present invention include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene and tetralin; ethers such as tetrahydrofuran; ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and isophorone; Lactams such as pyrrolidone and 1-methyl-2-pyrrolidone; ethyl glycol monophenyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether (butyl Carbitols) and ether alcohols such as propylene glycol derivatives corresponding thereto; Esters such as acetic ester response (e.g., butyl carbitol acetate); malonic
- the apparent viscosity of the conductive paste at normal temperature is preferably 100 to 1000 Pa ⁇ s, and is 200 to 800 Pa ⁇ s. Is more preferable, and 300 to 600 Pa ⁇ s is more preferable.
- the viscosity can be measured using a Brookfield viscometer: model HBD (manufactured by Brookfield) at a rotational speed of 5 rpm and a temperature of 25 ° C.
- the viscosity of a conductive paste can be made into a predetermined
- the (D) solvent preferably contains ethyl glycol monophenyl ether or butyl carbitol acetate.
- the viscosity of the conductive paste can be further appropriately adjusted, and the printing characteristics of the printed conductive film can be improved.
- the line width can be thin and constant, the film thickness can be constant, and a shape with a high aspect ratio can be obtained.
- the conductive paste of the present invention can contain the following components in addition to the components (A), (B), (C) and (D) described above.
- the conductive paste of the present invention can contain a thermoplastic resin.
- thermoplastic resins include novolac type phenolic resin, phenoxy resin, butyral resin, cellulose resin, acrylic resin, methacrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, polyamide resin, thermoplastic xylene resin, hydroxystyrene polymer, cellulose derivative And mixtures of two or more of these.
- the conductive paste of the present invention preferably further includes (E) phenoxy resin as a thermoplastic resin.
- a conductive film with even lower electrode resistance can be obtained.
- the conductive paste of the present invention preferably further comprises (F) a coupling agent.
- a coupling agent When the conductive paste further contains a coupling agent, the adhesiveness between the inorganic component such as the conductive component and the thermosetting resin can be further improved.
- the conductive paste of the present invention can further contain at least one selected from the group consisting of inorganic pigments, organic pigments, leveling agents, thixotropic agents, and antifoaming agents.
- the method for producing the conductive paste of the present invention is not particularly limited.
- the conductive paste of the present invention can be produced by charging each component in a predetermined composition into a mixing machine such as a lice machine, a propeller stirrer, a kneader, a three roll mill, and a pot mill and mixing them. .
- the conductive paste of the present invention can be applied to the surface of a transparent electrode or the like by a known method such as screen printing. After the conductive paste is applied to the surface of the transparent electrode or the like, the conductive paste can be heated to a predetermined temperature and cured to form a conductive film.
- the heating temperature for thermosetting of a conductive paste it is preferable that processing temperature at the time of electrode formation is 250 degrees C or less, and it is more preferable that it is 200 degrees C or less.
- the heating temperature for heat curing of the conductive paste is preferably 60 to 250 ° C., more preferably 60 to 200 ° C., and still more preferably 100 to 200 ° C.
- the thickness of the conductive paste applied to the surface of the transparent electrode or the like is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 15 to 80 ⁇ m, and still more preferably 20 to 50 ⁇ m.
- the conductive film obtained by heating the conductive paste of the present invention has features of high adhesion strength to the substrate, low specific resistance (high conductivity), and low contact resistance. Therefore, by using the thermosetting conductive paste of the present invention, a favorable electrode can be formed for a semiconductor device or the like without deterioration of the semiconductor device or the like due to high temperature.
- the conductive paste of the present invention can be used to form electrodes of semiconductor devices, electronic components, circuit patterns, and the like.
- the conductive paste of the present invention may be used not only for semiconductor substrates and ceramic substrates, but also for forming circuit patterns and electrodes on low heat resistant substrates such as PET (polyethylene terephthalate) and PEN (polyethylene naphthalate). it can.
- thermosetting conductive paste of the present invention When an electrode is formed on the surface of a transparent conductive film such as an ITO thin film using the thermosetting conductive paste of the present invention, low contact resistance can be obtained. In particular, when an electrode is formed on an ITO thin film, low contact resistance (for example, contact resistance of 7 m ⁇ ⁇ cm 2 or less) can be obtained relatively easily. Therefore, the thermosetting conductive paste of the present invention can be suitably used to form an electrode on the surface of a transparent conductive film, in particular a transparent electrode made of an ITO thin film.
- the conductive paste of the present invention can be preferably used as a conductive paste for forming a solar cell electrode.
- the conductive paste of the present invention is particularly applicable to solar cells using thin film materials such as amorphous silicon, for example, amorphous silicon solar cells, heterojunction solar cells and compound semiconductor solar cells (CIS solar cells, CIGS solar cells and CdTe It can use preferably as a conductive paste for electrode formation of a solar cell etc.).
- Thin film materials such as amorphous silicon are weak at high temperatures.
- electrode formation can be performed at a relatively low temperature.
- the conductive paste of the present invention can be particularly preferably used for forming an electrode of a heterojunction solar cell having a relatively high conversion efficiency as shown in FIG.
- the processing temperature at the time of electrode formation is 250 degrees C or less, and, as for the electrically conductive paste for solar cell electrode formation of this invention, it is more preferable that it is 200 degrees C or less.
- the electrode at such a temperature it is possible to suppress an adverse effect on a thin film material which is weak to high temperature.
- Table 4 Materials shown in Table 4 were prepared as raw materials of the conductive paste.
- Tables 1 to 3 show the composition of the materials of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4.
- the blending proportions shown in Tables 1 to 3 are parts by weight relative to 100 parts by weight of the conductive component.
- Silver particles A and B shown in Table 4 were used as the conductive component in the formulations shown in Tables 1 to 3.
- Silver particles A The particle shape is in the form of flakes, and the average particle diameter is 3 ⁇ m.
- Silver particle B The particle shape is spherical, and the average particle diameter is 1 ⁇ m.
- thermosetting resins As thermosetting resins, three types of epoxy resins A, B and C shown in Table 4 were used in the formulations shown in Tables 1 to 3.
- Epoxy resin A Alicyclic epoxy resin
- Epoxy resin B Bis A epoxy resin
- Epoxy resin C Polyfunctional epoxy resin
- Cationic Polymerization Initiator As cationic polymerization initiators, five types of cationic polymerization initiators A to D shown in Table 4 were used in the formulations of Tables 1 to 3.
- Cationic polymerization initiator A a cationic polymerization initiator which is a compound having a structure of the formula (1) and is shown as a polymerization initiator A in Table 4.
- Cationic polymerization initiator B a cationic polymerization initiator which is a compound having a structure other than that of the formula (1) and shown as a polymerization initiator B in Table 4.
- Cationic polymerization initiator C a cationic polymerization initiator which is a compound having a structure other than that of the formula (1) and is shown as a polymerization initiator C in Table 4.
- Cationic polymerization initiator D a cationic polymerization initiator which is a compound having a structure other than that of the formula (1) and shown as a polymerization initiator D in Table 4.
- Cationic polymerization initiator E a cationic polymerization initiator which is a compound having a structure other than that of the formula (1) and is shown as a polymerization initiator E in Table 4.
- the material of the above-mentioned predetermined preparation ratio was mixed by a planetary mixer, and was further dispersed by a three-roll mill, and was made into a paste to prepare a conductive paste.
- Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 were measured by the following procedure. That is, an alumina substrate having a width of 15 mm, a length of 15 mm, and a thickness of 200 ⁇ m was prepared. On this substrate, a pattern of a conductive paste as shown in FIG. 2 was printed using a stainless steel screen of 325 mesh.
- the specific resistance of the conductive film pattern of the specific resistance measurement sample obtained by heating the conductive pastes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 was measured using a multimeter 2001 type manufactured by Toyo Corporation. It measured by the terminal method. The measurement results are shown in Tables 1 to 3.
- the specific resistance (electrical resistivity) of the conductive film obtained using the conductive paste of Examples 1 to 17 of the present invention is 9.9 ⁇ ⁇ cm (Example 8). It was less. Generally, it can be said that a specific resistance of 10 ⁇ ⁇ cm or less can be suitably used as an electrode.
- the specific resistance (electrical resistivity) of the conductive film obtained by using the conductive pastes of Comparative Examples 1 to 4 is 12.7 ⁇ ⁇ cm (Comparative Example 3) to 22.7 ⁇ ⁇ cm (Comparative) It was the range of example 1). Therefore, it has become clear that by forming the conductive film using the conductive pastes of Examples 1 to 17 of the present invention, lower specific resistance can be obtained.
- the conductive pastes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 were used to form electrodes on the surface of a crystalline silicon substrate having a transparent conductive film, and the contact resistance was measured. Specifically, the contact resistance measurement patterns using the conductive pastes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 are screen printed on the transparent conductive film formed on the surface of the crystalline silicon substrate, The electrode for contact resistance measurement was obtained by heating.
- n-type crystalline silicon substrate (substrate thickness: 200 ⁇ m) was used as the substrate.
- a transparent conductive film was formed on the surface of the n-type crystalline silicon substrate.
- an indium tin oxide thin film ITO thin film
- the sheet resistance of the obtained ITO thin film was 80 ⁇ / square.
- the substrate for contact resistance measurement thus obtained was used for producing an electrode for contact resistance measurement.
- FIG. 3 shows a schematic plan view of a contact resistance measurement pattern used for contact resistance measurement.
- the contact resistance measurement pattern shown in FIG. 3 is a pattern in which seven rectangular electrode patterns each having a width of 0.1 mm and a length of 13.5 mm are arranged such that the pitch interval is 2.05 mm.
- the contact resistance was obtained by the TLM method (Transfer length Method) using GP Solar Power GP4TEST Pro manufactured by GP Solar Co., and the electric resistance between the predetermined rectangular electrode patterns shown in FIG.
- the contact resistance is 10 m ⁇ ⁇ cm 2 or less, it can be used as an electrode on a transparent conductive film.
- the contact resistance is 7 m ⁇ ⁇ cm 2 or less, it can be preferably used as an electrode on a transparent conductive film.
- the contact resistance of the conductive film obtained using the conductive pastes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 to the transparent conductive film (ITO thin film) is 6.4 m ⁇ ⁇ It was less than cm 2 (Example 14). Therefore, the contact resistance in Examples 1 to 17 can be said to be a numerical value range that can be preferably used as an electrode on a transparent conductive film. Although the specific resistance was a high value for Comparative Examples 1 to 4, it can be said that the contact resistance is a good value.
- the printing characteristics were evaluated by measuring the shape of the contact resistance measurement pattern described above.
- the measurement of the shape of the contact resistance measurement pattern was performed using a Confocal microscope OPTELICS H1200 manufactured by Lasertec Corporation and a surface roughness shape measuring machine 1500SD2.
- the printing characteristics of the conductive pastes of Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 4 on the surface of the transparent conductive film (ITO thin film) were good.
- Crystalline silicon substrate 12 i-type amorphous silicon layer 14a p-type amorphous silicon layer 14b n-type amorphous silicon layer 16 transparent conductive film 18a light incident side electrode 18b back surface electrode
Abstract
低温(例えば250℃以下)で処理することが可能であり、比抵抗が低い導電膜を得ることのできる熱硬化型導電性ペーストを提供する (A)導電性成分、(B)熱硬化性樹脂、(C)所定の構造の化合物及び(D)溶剤を含む、導電性ペーストである。
Description
本発明は、電気的特性に優れた導電性パターンを得ることのできる導電性ペーストに関する。具体的には、半導体装置及び電子部品等の電極、並びに回路パターンの形成に用いることができる熱硬化型導電性ペーストに関する。
銀粒子を含有する導電性ペーストは、例えば半導体装置及び電子部品の電極、並びに回路パターンを形成するために用いられている。導電性ペーストによる電極及び回路パターンの形成は、スクリーン印刷法等によって所定のパターンの導電性ペーストを基板等の上に塗布した後、導電性ペーストを加熱し、所定のパターンの導電膜を得ることにより行うことができる。
導電性ペーストには、高温焼成型導電性ペースト及び熱硬化型導電性ペーストの2つのタイプがある。高温焼成型の導電性ペーストは、550~900℃程度の高温で焼成することで導電膜を形成することのできるペーストである。高温焼成型の導電性ペーストの場合、焼成時に導電性ペーストに含まれる樹脂成分は焼失する。熱硬化型の導電性ペーストは、室温(約20℃)~250℃程度の比較的低温で加熱することで導電膜を形成することのできるペーストである。熱硬化型の導電性ペーストの場合、樹脂成分が硬化して銀粒子同士を接着させることにより、導電膜を形成する。
特許文献1には、熱硬化型導電性ペースト(組成物)の例が記載されている。具体的には、特許文献1には、(A)銀粒子、(B)オキセタニル基含有ポリシルセスキオキサン、(C)フタル酸系グリシジルエステル型エポキシ樹脂、及び(D)カチオン重合開始剤を含有することを特徴とする熱硬化型導電性ペーストが記載されている。
特許文献2~5には、各種の重合開始剤を含む組成物が記載されている。
特許文献2には、接着テープ組成物であって、前記接着テープ組成物の総重量に対して、アクリレートモノマー25重量%~75重量%と、エポキシ樹脂20重量%~70重量%と、ラジカル光開始剤0.001重量%~3重量%と、フュームドシリカ0重量%~10重量%と、カチオン性熱開始剤0.02~5重量%と、を含む、接着テープ組成物が記載されている。
特許文献3には、所定の式で表されるポリシロキサンと、第4級アンモニウム塩である熱酸発生剤とを含有する膜形成性組成物が記載されている。
特許文献4には、所定の式で表される構造単位を有するポリマーと、プロピレングリコールモノメチルエーテルが50重量%を超えて含有する溶剤とを含む、レジスト下層膜形成組成物が記載されている。
特許文献5には、所定の式で表される構造単位を有する共重合体、架橋性化合物、架橋触媒並びに溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物が記載されている。
熱硬化型導電性ペーストを用いて得られた導電膜は、高温焼成型導電性ペーストを用いて得られた導電膜よりも比抵抗(電気抵抗値)が高くなる傾向がある。例えば、熱硬化型導電性ペーストは、一般的にバインダーとしてエポキシ樹脂を使用しているが、良好な密着性と電気的特性(10μΩ・cm以下の比抵抗)を両立しようとすると、一般的には、250℃超の高温の加熱処理が必要となる。
本発明は、低温(例えば250℃以下)で処理することが可能であり、比抵抗が低い導電膜を得ることのできる熱硬化型導電性ペーストを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
本発明の構成1によれば、低温(例えば250℃以下)で処理することが可能であり、比抵抗が低い導電膜を得ることのできる熱硬化型導電性ペーストを得ることができる。
(構成2)
本発明の構成2は、(A)導電性成分が、Ag及びCuから選択される少なくとも1種である、構成1の導電性ペーストである。
本発明の構成2は、(A)導電性成分が、Ag及びCuから選択される少なくとも1種である、構成1の導電性ペーストである。
本発明の構成2によれば、比抵抗が低い金属を用いることができるので、より低い比抵抗の導電膜を得ることができる。
(構成3)
本発明の構成3は、(A)導電性成分が、球状及び/又はフレーク状の粒子である、構成1又は2の導電性ペーストである。
本発明の構成3は、(A)導電性成分が、球状及び/又はフレーク状の粒子である、構成1又は2の導電性ペーストである。
本発明の構成3によれば、導電性成分が、球状及び/又はフレーク状の粒子であることにより、より優れた粒子間の導通を得ることができる。
(構成4)
本発明の構成4は、(B)熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含む、構成1から3のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成4は、(B)熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含む、構成1から3のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成4によれば、熱硬化性樹脂の熱硬化を確実にできる。
(構成5)
本発明の構成5は、(C)式(1)の構造の化合物を、(A)導電性成分100重量部に対して0.1重量部~2.0重量部含む、構成1から4のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成5は、(C)式(1)の構造の化合物を、(A)導電性成分100重量部に対して0.1重量部~2.0重量部含む、構成1から4のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成5によれば、式(1)の構造の化合物を所定の割合にすることにより、比抵抗が低い導電膜を得ることを、より確実にできる。
(構成6)
本発明の構成6は、(D)溶剤が、エチルグリコールモノフェニルエーテル又はブチルカルビトールアセテートを含む、構成1から5のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成6は、(D)溶剤が、エチルグリコールモノフェニルエーテル又はブチルカルビトールアセテートを含む、構成1から5のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成6によれば、所定の溶剤を用いることにより、導電性ペーストの粘度を適切に調節することができる。
(構成7)
本発明の構成7は、(E)フェノキシ樹脂をさらに含む、構成1から6のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成7は、(E)フェノキシ樹脂をさらに含む、構成1から6のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成7によれば、導電性ペーストがさらにフェノキシ樹脂を含むことにより、電極抵抗がさらに低い導電膜を得ることができる。
(構成8)
本発明の構成8は、(F)カップリング剤をさらに含む、構成1から7のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成8は、(F)カップリング剤をさらに含む、構成1から7のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成8によれば、導電性ペーストがさらにカップリング剤を含むことにより、導電性成分等の無機成分と、熱硬化性樹脂との接着性をより良好なものにすることができる。
(構成9)
本発明の構成9は、構成1から8のいずれかの導電性ペーストを用いた太陽電池電極形成用の導電性ペーストである。
本発明の構成9は、構成1から8のいずれかの導電性ペーストを用いた太陽電池電極形成用の導電性ペーストである。
本発明の導電性ペーストは、太陽電池電極形成用の導電性ペーストとして、好ましく用いることができる。本発明の導電性ペーストは、特に、アモルファスシリコン系等の薄膜材料を用いた太陽電池、例えば、アモルファスシリコン太陽電池、ヘテロ接合型太陽電池及び化合物半導体太陽電池(CIS(CuInSe2)太陽電池、CIGS(Copper Indium Gallium Selenide)太陽電池及びCdTe太陽電池等)の電極形成用の導電性ペーストとして、好ましく用いることができる。
(構成10)
本発明の構成10は、電極形成時の処理温度が250℃以下である構成9の太陽電池電極形成用の導電性ペーストである。
本発明の構成10は、電極形成時の処理温度が250℃以下である構成9の太陽電池電極形成用の導電性ペーストである。
本発明の導電性ペーストの処理温度は250℃以下なので、太陽電池を構成する材料に悪影響を及ぼさずに電極を形成することができる。
(構成11)
本発明の構成11は、透明電極の表面に電極を形成するための、構成1から8のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の構成11は、透明電極の表面に電極を形成するための、構成1から8のいずれかの導電性ペーストである。
本発明の導電性ペーストは、透明電極に悪影響を及ぼさずに、比較的低い接触抵抗で透明電極の表面に電極を形成することができる。
本発明によれば、低温(例えば250℃以下)で処理することが可能であり、比抵抗が低い導電膜を得ることのできる熱硬化型導電性ペーストを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化する際の形態であって、本発明をその範囲内に限定するものではない。
本発明の熱硬化型導電性ペースト(単に、「導電性ペースト」という場合がある。)は、所定の成分を含むことにより、低温(例えば250℃以下)で熱硬化させて電極を形成することが可能である。また、本発明の導電性ペーストを用いることにより、比抵抗が低い導電膜(電極)を得ることができる。
本明細書において、「導電膜」とは、導電性ペーストを所定の基板等の表面に、所定の形状のパターンとなるように印刷等をし、硬化させた薄膜状のパターンのことをいう。所定の形状のパターンとしては、任意の形状、例えば、線状、ドット状及び平面状の形状のパターンを含む。
本発明の導電性ペーストは、半導体装置及び電子部品等の電極、並びに回路パターンとしての導電膜を形成するために用いることができる。本発明の導電性ペーストは、半導体、酸化物及びセラミック等の無機材料の表面だけでなく、PET(ポリエチレンテレフタレート)及びPEN(ポリエチレンナフタレート)等の耐熱性の低い基板に、電極及び/又は回路パターンを形成するために用いることができる。
本明細書において、「半導体装置」とは、半導体チップを用いた装置、例えば、トランジスタ及び集積回路等の半導体装置、液晶ディスプレイ(LCD)及びプラズマディスプレイパネル(PDP)等のフラットパネルディスプレイ、並びに太陽電池等の半導体を用いた装置のことを意味する。半導体装置は、半導体内の電子及びホールの性質を利用した装置であり、半導体への直接的又は間接的な電気的接続のための電極を有する。
半導体装置の電極が、光の透過を必要とする場合がある。そのような電極の材料として、透明導電膜が用いられる。透明導電膜を材料とする電極のことを、透明電極という。透明電極は、液晶ディスプレイ(LCD)及びプラズマディスプレイパネル(PDP)等のフラットパネルディスプレイ、並びに各種の太陽電池等の半導体装置に用いられている。太陽電池としては、アモルファスシリコン太陽電池及び化合物半導体太陽電池(CIS太陽電池、CIGS太陽電池及びCdTe太陽電池等)等の薄膜太陽電池、ヘテロ接合型太陽電池、並びに結晶系シリコン太陽電池等を挙げることができる。透明電極は、例えばフラットパネルディスプレイ、薄膜太陽電池及びヘテロ接合型太陽電池等の電極形成に用いられている。
透明電極の材料である透明導電膜としては、酸化物導電膜を用いることができる。酸化物導電膜として、酸化インジウムスズ(「ITO(Indium Tin Oxide)」ともいう。)薄膜、酸化スズ薄膜、及びZnO系薄膜等を挙げることができる。現在、ITO薄膜は、フラットパネルディスプレイ、並びに各種の太陽電池等に多く用いられている。半導体装置への光の入射、又は半導体装置からの光の出射を妨げないように、透明電極に対して電気的接続をするために、格子(grid)状の電極(単に「電極」という場合がある。)が形成される。本発明の導電性ペーストは、透明電極の表面への、格子状の電極の形成のために用いることができる。
半導体装置の半導体の材料の種類、電子部品の材料の種類、並びに半導体装置及び電子部品等を構成する半導体以外の材料の種類によっては、電極形成の工程において、高温、例えば250℃を超える温度での処理をした場合、半導体チップ及び/又はそれ以外の材料が劣化することがある。本発明の導電性ペーストを用いることにより、低温(例えば250℃以下)で比抵抗が低い電極を形成することができる。本発明の熱硬化型導電性ペーストを用いることにより、半導体装置が高温により劣化することなく、所定の低抵抗の電極を形成することができる。
本発明の導電性ペーストを用いて、透明導電膜へ電極を形成した場合、低い接触抵抗を得ることができる。特に、ITO薄膜へ電極を形成した場合、低い接触抵抗(例えば7mΩ・cm2以下の接触抵抗)を比較的容易に得ることができる。したがって、本発明の導電性ペーストは、透明導電膜、特にITO薄膜へ電極を形成するために好適に用いることができる。
本発明の導電性ペーストは、太陽電池の透明導電膜の表面に電極を形成するために、好ましく用いることができる。太陽電池の種類によっては、高温の加熱工程により悪影響を受ける材料を用いる場合がある。本発明の熱硬化型導電性ペーストは、特に、このような耐熱性の低い太陽電池の透明導電膜の表面に電極を形成するために、好ましく用いることができる。高温の加熱工程により悪影響を受ける材料としては、アモルファスシリコンを挙げることができる。アモルファスシリコンを材料として用いる太陽電池としては、アモルファスシリコン太陽電池、並びにアモルファスシリコン及び結晶シリコンを用いたヘテロ接合型太陽電池(以下、単に「ヘテロ接合型太陽電池」という。)を挙げることができる。本発明の熱硬化型導電性ペーストは、アモルファスシリコン太陽電池及びヘテロ接合型太陽電池の透明導電膜の表面に電極を形成するために、好ましく用いることができる。
図1を参照して、本発明の熱硬化型導電性ペーストの好ましい用途であるヘテロ接合型太陽電池について、説明する。
図1に、ヘテロ接合型太陽電池の一例の断面模式図を示す。図1に示すヘテロ接合型太陽電池は、n型の結晶系シリコン基板10(例えば、単結晶シリコン基板又は多結晶シリコン基板)の光入射側表面に、真性アモルファスシリコンからなるi型アモルファスシリコン層12(膜厚約10nm)及びp型アモルファスシリコンからなるp型アモルファスシリコン層14a(膜厚約10nm)がこの順に積層されている。p型アモルファスシリコン層14aの上には透明導電膜、例えば酸化インジウムスズ(ITO)からなる透明導電膜16(膜厚約70nm)が配置される。透明導電膜16の表面には、スリット状の光入射側表面を得るために、格子(grid)状の光入射側電極18aが形成される。
また、図1に示すように、結晶系シリコン基板10の裏面には、真性アモルファスシリコンからなるi型アモルファスシリコン層12(膜厚約10nm)及び高濃度にドープされたn型アモルファスシリコンからなるn型アモルファスシリコン層14b(膜厚約10nm)がこの順に積層されている。n型アモルファスシリコン層14bの上には、光入射側表面と同様に、透明導電膜16及び格子状の裏面電極18bが形成される。
図1に示すヘテロ接合型太陽電池の場合、結晶系シリコン基板以外の各層の形成を、プラズマCVD法、スパッタリング法、蒸着法、又はスクリーン印刷法等の方法を用いて全て約200℃以下の温度で行うことができる。また、アモルファスシリコンは、高温の加熱工程により悪影響を受けるため、透明導電膜16の表面に光入射側電極18a及び裏面電極18bを形成する際の温度は、低温であることが好ましい。本発明の熱硬化型導電性ペーストを用いるならば、低温(例えば250℃以下)で、比抵抗が低い光入射側電極18a及び裏面電極18bを形成することができる。
次に、本発明の熱硬化型導電性ペーストについて説明する。
本発明によれば、低温(例えば250℃以下)で処理することが可能であり、比抵抗が低い導電膜を得ることのできる熱硬化型導電性ペーストを得ることができる。
<(A)導電性成分>
本発明の導電性ペーストは、(A)導電性成分を含む。
本発明の導電性ペーストは、(A)導電性成分を含む。
導電性成分とは、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛及び/又はスズ等の導電性成分を含む導電性粒子である。導電性粒子の形状は、例えば、球状、フレーク状、又は針状等の形状であることができる。異なる形状の導電性粒子を混合して用いることができる。
導電性粒子の製造方法は、特に限定されず、例えば、還元法、粉砕法、電解法、アトマイズ法、熱処理法、又はそれらの組み合わせによって製造することができる。フレーク状の導電性粒子は、例えば球状の導電性粒子をボールミル等によって押し潰すことによって製造することができる。
本発明の導電性ペーストは、(A)導電性成分が、球状及び/又はフレーク状の粒子であることが好ましい。
導電膜の比抵抗を低下させる観点からは、フレーク状の導電性粒子を用いることが好ましい。しかし、フレーク状の導電性粒子のみを用いた場合、導電性ペーストの粘度が高くなり、取り扱い性が悪化する(チクソ性が高くなる)。したがって、本発明の導電性ペーストに含まれる導電性粒子としては、フレーク状の導電性粒子と、球状の導電性粒子とを混合したものを使用することが好ましい。フレーク状の導電性粒子と球状の導電性粒子との好ましい混合比率(重量比)は、フレーク状の導電性粒子が1に対して、球状の導電性粒子が0.25~4である。より好ましくは、フレーク状の導電性粒子が1に対して、球状の導電性粒子が0.67~1.5である。フレーク状の導電性粒子と球状の導電性粒子との最も好ましい混合比率は、1:1である。
導電性粒子の好ましい平均粒子径は、0.1μm~15μmであり、より好ましくは、0.5μm~10μmであり、最も好ましくは、0.5μm~5μmである。本明細書において平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定による、個数基準に基づく平均粒子径(全粒子の積算値50%の平均粒子径:D50)をいう。導電性粒子の平均粒子径が上記の範囲にある場合、導電性ペーストを加熱して得られる電極及び回路パターンの表面の状態が良好になる。また、導電性ペーストを加熱して得られる電極及び回路パターンの電気的特性が向上する。
本発明の導電性ペーストに含まれる(A)導電性成分の含有量は、導電性ペースト全体に対して好ましくは75~98重量%であり、より好ましくは80~97重量%、さらに好ましくは85~95重量%である。
本発明の導電性ペーストに含まれる(A)導電性成分としては、(A)導電性成分が、銀(Ag)及び銅(Cu)から選択される少なくとも1種であることが好ましい。(A)導電性成分として、銀粒子及び/又は銅粒子を用いることができる。また、(A)導電性成分として、銀及び銅の合金粒子を、単独で、又は銀粒子及び/又は銅粒子と共に、用いることができる。比抵抗が低い金属である銀及び/又は銅を用いることにより、比抵抗が低い導電膜を得ることができる。
銀粒子の導電率が高い。そのため、銀粒子は、多くの半導体装置、例えば太陽電池用の電極として、従来から用いられており、信頼性が高い。本発明の導電性ペーストの場合、導電性成分として、銀粒子を用いることにより、信頼性が高く、高性能の半導体装置、例えば太陽電池を製造することができる。そのため、銀粒子を、導電性成分の主要成分として用いることが好ましい。
銅粒子は、比較的低価格であり、高い導電率を有するため、電極材料として好ましい。導電性成分として銅粒子を用いることにより、導電性ペーストのコストを低くすることができる。
本発明の導電性ペーストには、その用途の性能が損なわれない範囲で、銀粒子及び/若しくは銅粒子以外の他の金属粒子、又は銀粒子及び/若しくは銅粒子との合金粒子を含むことができる。低い電気抵抗及び高い信頼性を得る点から、導電性成分は銀粒子を導電性成分全体に対して80重量%以上含むことが好ましく、90重量%以上含むことがより好ましく、導電性成分は銀粒子のみからなることがさらに好ましい。
なお、「導電性成分は銀粒子のみからなる」とは、不可避的に存在する不純物を除き、実質的に導電性成分の全部が銀粒子であることを意味する。すなわち、導電性成分が銀粒子のみからなる場合には、導電性成分は、銀粒子以外に、不可避的に存在する不純物を含有することができる。銀粒子以外の他の成分についても同様である。
<(B)熱硬化性樹脂>
本発明の導電性ペーストは、(B)熱硬化性樹脂を含む。
本発明の導電性ペーストは、(B)熱硬化性樹脂を含む。
熱硬化性樹脂の例として、尿素樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂のようなアミノ樹脂;高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂、p-グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールAジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジグリシジルビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂、トリス(ヒドロキシルフェニル)メタン型エポキシ樹脂、ビニル(3,4-シクロヘキセン)ジオキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルカルボン酸(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチル、アジピン酸ビス(3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル)、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)5,1-スピロ(3,4-エポキシシクロヘキシル)-m-ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、3-メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル-p-アミノフェノール、テトラグリシジル-m-キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス(アミノメチル)シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂、1,3-ジグリシジル-5-メチル-5-エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂、1,3-ビス(3-グリシドキシプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂;オキセタン樹脂;レゾール型フェノール樹脂、アルキルレゾール型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、アルキルノボラック型フェノール樹脂、アラルキルノボラック型フェノール樹脂、アリルフェノールのようなフェノール樹脂;シリコーンエポキシ、シリコーンポリエステルのようなシリコーン変性樹脂;ビスマレイミド、ポリイミド樹脂等を挙げることができる。
本発明の導電性ペーストは、(B)熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含むことが好ましい。また、本発明の導電性ペーストは、(B)熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、アクリル樹脂又はそれらの混合物のみからなることが好ましい。これらの熱硬化性樹脂を用いることにより、比較的低温での熱硬化を確実にできる。
(C)式(1)の構造の化合物は、本発明の導電性ペーストにおいて、カチオン重合開始剤としての機能を有する。本発明の発明者らは、カチオン重合開始剤として(C)式(1)の構造の化合物を含む導電性ペーストを用いて導電膜を形成した場合、低い比抵抗の導電膜を得ることができることを見出した。図4に示すように、本発明の導電性ペーストを用いて形成した導電膜では、銀粒子の融着が進んでいることが見て取れる。本発明の導電性ペーストを用いた場合、銀粒子の融着が進むため、低い比抵抗を得ることができるものと推測できる。ただし、本発明は、この推測に拘束されるものではない。
本発明の導電性ペーストは、(C)式(1)の構造の化合物が、(A)導電性成分100重量部に対して0.1重量部~2.0重量部含むことが好ましくは0.15~1.7重量部含むことがより好ましく、0.21~1.68重量部含むことがさらに好ましい。式(1)の構造の化合物を所定の割合にすることにより、比抵抗が低い導電膜を得ることを、より確実にできる。
(C)式(1)の構造の化合物は、所定の温度になるまで硬化反応が開始しない。そのため、本発明の導電性ペーストは、保管安定性が良好である。すなわち、本発明の導電性ペーストは、経時安定性に優れており、常温保管が可能である。
本発明の熱硬化型導電性ペーストは、カチオン重合開始剤として、本発明の熱硬化型導電性ペーストの効果を妨げない範囲で、上述の(C)式(1)の構造の化合物以外のカチオン重合開始剤を含むことができる。そのようなカチオン重合開始剤としては、p-トルエンスルホン酸塩、六フッ化アンチモン酸塩、六フッ化リン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、及びパーフルオロブタンスルホン酸塩などを挙げることができる。本発明の熱硬化型導電性ペーストは、(C)式(1)の構造の化合物が含まれることにより、所定の効果を奏することから、本発明の熱硬化型導電性ペーストは、カチオン重合開始剤として(C)式(1)の構造の化合物のみを含むことが好ましい。
<(D)溶剤>
本発明の導電性ペーストは、(D)溶剤を含む。(D)溶剤の添加により、導電性ペーストの粘度を調整することができる。
本発明の導電性ペーストは、(D)溶剤を含む。(D)溶剤の添加により、導電性ペーストの粘度を調整することができる。
本発明の導電性ペーストに含まれる溶剤の例として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素;テトラヒドロフラン等のエーテル類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類;2-ピロリドン、1-メチル-2-ピロリドン等のラクタム類;エチルグリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルカルビトール)、及び、これらに対応するプロピレングリコール誘導体等のエーテルアルコール類;それらに対応する酢酸エステル等のエステル類(例えば、ブチルカルビトールアセテート);マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸のメチルエステルあるいはエチルエステル等のジエステル類を挙げることができる。これらの中では、エチルグリコールモノフェニルエーテル及びブチルカルビトールアセテートから選択される少なくとも一つを好ましく用いることができる。
本発明の導電性ペーストをスクリーン印刷によって透明導電膜等の表面に塗布する場合、導電性ペーストの常温における見かけ粘度は、100~1000Pa・sであることが好ましく、200~800Pa・sであることがより好ましく、300~600Pa・sであることがさらに好ましい。なお、粘度は、ブルックフィールド粘度計:HBD型(ブルックフィールド社製)を用いて、回転速度5rpm、温度25℃で測定した値を用いることができる。導電性ペースト中の(D)溶剤の配合量を調整することにより、導電性ペーストの粘度を所定の範囲にすることができる。
本発明の導電性ペーストは、(D)溶剤が、エチルグリコールモノフェニルエーテル又はブチルカルビトールアセテートを含むことが好ましい。所定の溶剤を用いることにより、導電性ペーストの粘度をさらに適切に調整することができ、印刷される導電膜の印刷特性を向上することができる。具体的には、導電膜のパターンが細線形状である場合には、線幅を細く一定にすることができ、膜厚を一定にすることができ、高いアスペクト比の形状とすることができる。
<その他の成分>
本発明の導電性ペーストは、上述の(A)、(B)、(C)及び(D)成分以外に、下記の成分を含むことができる。
本発明の導電性ペーストは、上述の(A)、(B)、(C)及び(D)成分以外に、下記の成分を含むことができる。
本発明の導電性ペーストは、熱可塑性樹脂を含むことができる。熱可塑性樹脂の例として、ノボラック型フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、熱可塑性のキシレン樹脂、ヒドロキシスチレン系重合体、セルロース誘導体、及び、これらのうち2種以上の混合物が挙げられる。
本発明の導電性ペーストは、熱可塑性樹脂として、(E)フェノキシ樹脂をさらに含むことが好ましい。導電性ペーストがさらにフェノキシ樹脂を含むことにより、電極抵抗がさらに低い導電膜を得ることができる。
本発明の導電性ペーストは、(F)カップリング剤をさらに含むことが好ましい。導電性ペーストがさらにカップリング剤を含むことにより、導電性成分等の無機成分と、熱硬化性樹脂との接着性をより良好なものにすることができる。
本発明の導電性ペーストは、さらに、無機顔料、有機顔料、レベリング剤、チキソトロピック剤、及び消泡剤からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことができる。
本発明の導電性ペーストの製造方法は、特に限定されない。本発明の導電性ペーストは、各成分を、所定の配合で、ライカイ機、プロペラ撹拌機、ニーダー、三本ロールミル、及びポットミル等の混合機に投入し、混合することにより、製造することができる。
本発明の導電性ペーストは、スクリーン印刷法等の公知の方法によって透明電極等の表面に塗布することができる。導電性ペーストを透明電極等の表面に塗布した後、導電性ペーストを所定の温度に加熱して硬化することにより、導電膜を形成することができる。
導電性ペーストの熱硬化のための加熱温度は、電極形成時の処理温度が250℃以下であることが好ましく、200℃以下であることがより好ましい。具体的には、導電性ペーストの熱硬化のための加熱温度は、好ましくは60~250℃であり、より好ましくは60~200℃、さらに好ましくは100~200℃である。
透明電極等の表面に塗布する導電性ペーストの厚みは、好ましくは10~100μmであり、より好ましくは15~80μmであり、さらに好ましくは20~50μmである。
本発明の導電性ペーストを加熱して得られた導電膜は、基板に対する密着強度が高い、比抵抗が低い(導電性が高い)、及び接触抵抗が低いという特徴を有している。そのため、本発明の熱硬化型導電性ペーストを用いることにより、半導体装置等が高温により劣化することなく、半導体装置等に対して良好な電極を形成することができる。
本発明の導電性ペーストは、半導体装置、電子部品の電極及び回路パターン等の形成に用いることができる。本発明の導電性ペーストは、半導体基板及びセラミック基板等だけでなく、PET(ポリエチレンテレフタレート)及びPEN(ポリエチレンナフタレート)等の耐熱性の低い基板へ回路パターンや電極を形成するために用いることができる。
本発明の熱硬化型導電性ペーストを用いて、ITO薄膜等の透明導電膜の表面へ電極を形成した場合、低い接触抵抗を得ることができる。特に、ITO薄膜へ電極を形成した場合、低い接触抵抗(例えば7mΩ・cm2以下の接触抵抗)を比較的容易に得ることができる。したがって、本発明の熱硬化型導電性ペーストは、透明導電膜、特にITO薄膜を材料とする透明電極の表面に電極を形成するために好適に用いることができる。
本発明の導電性ペーストは、太陽電池電極形成用の導電性ペーストとして好ましく用いることができる。本発明の導電性ペーストは、特に、アモルファスシリコン系等の薄膜材料を用いた太陽電池、例えば、アモルファスシリコン太陽電池、ヘテロ接合型太陽電池及び化合物半導体太陽電池(CIS太陽電池、CIGS太陽電池及びCdTe太陽電池等)の電極形成用の導電性ペーストとして、好ましく用いることができる。アモルファスシリコン系等の薄膜材料は高温に弱い。本発明の導電性ペーストを用いることにより、比較的低温での電極形成を行うことができる。本発明の導電性ペーストは、図1に示すような、比較的変換効率の高いヘテロ接合型太陽電池の電極形成のために、特に好ましく用いることができる。
本発明の太陽電池電極形成用の導電性ペーストは、電極形成時の処理温度が250℃以下であることが好ましく、200℃以下であることがより好ましい。このような温度で電極形成を行うことにより、高温に弱い薄膜材料に対する悪影響を抑制することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
[導電性ペーストの調整]
導電性ペーストの原料として、表4に示す材料を準備した。表1~3に、実施例1~17及び比較例1~4の材料の配合を示す。表1~3に示される配合割合は、導電性成分100重量部に対する重量部である。
導電性ペーストの原料として、表4に示す材料を準備した。表1~3に、実施例1~17及び比較例1~4の材料の配合を示す。表1~3に示される配合割合は、導電性成分100重量部に対する重量部である。
(A)導電性成分
導電性成分として、表4に示す銀粒子A及びBの2種類を、表1~3に示す配合で用いた。
銀粒子A:粒子形状はフレーク状で、平均粒子径は3μmである。
銀粒子B:粒子形状は球状で、平均粒子径は1μmである。
導電性成分として、表4に示す銀粒子A及びBの2種類を、表1~3に示す配合で用いた。
銀粒子A:粒子形状はフレーク状で、平均粒子径は3μmである。
銀粒子B:粒子形状は球状で、平均粒子径は1μmである。
(B)熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂として、表4に示すエポキシ樹脂A、B及びCの3種類を、表1~3に示す配合で用いた。
エポキシ樹脂A:脂環式エポキシ樹脂
エポキシ樹脂B:ビスAエポキシ樹脂
エポキシ樹脂C:多官能エポキシ樹脂
熱硬化性樹脂として、表4に示すエポキシ樹脂A、B及びCの3種類を、表1~3に示す配合で用いた。
エポキシ樹脂A:脂環式エポキシ樹脂
エポキシ樹脂B:ビスAエポキシ樹脂
エポキシ樹脂C:多官能エポキシ樹脂
(C)カチオン重合開始剤
カチオン重合開始剤として、表4に示すカチオン重合開始剤A~Dの5種類を、表1~3の配合で用いた。
カチオン重合開始剤A:式(1)の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Aとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤B:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Bとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤C:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Cとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤D:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Dとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤E:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Eとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤として、表4に示すカチオン重合開始剤A~Dの5種類を、表1~3の配合で用いた。
カチオン重合開始剤A:式(1)の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Aとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤B:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Bとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤C:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Cとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤D:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Dとして示すカチオン重合開始剤。
カチオン重合開始剤E:式(1)以外の構造の化合物であり、表4に重合開始剤Eとして示すカチオン重合開始剤。
(D)溶剤
溶剤として、表4に示す溶剤A及びBの2種類を、表1~3に示す配合で用いた。
溶剤として、表4に示す溶剤A及びBの2種類を、表1~3に示す配合で用いた。
(E)フェノキシ樹脂
表4に示すフェノキシ樹脂を、表1~3に示す配合で用いた。
表4に示すフェノキシ樹脂を、表1~3に示す配合で用いた。
(F)カップリング剤
表4に示すカップリング剤を、表1~3に示す配合で用いた。
表4に示すカップリング剤を、表1~3に示す配合で用いた。
上記(A)~(F)の各成分を表1~3に示す重量比で混合して、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを調製した。
次に、上述の所定の調製割合の材料を、プラネタリーミキサーで混合し、さらに三本ロールミルで分散し、ペースト化することによって導電性ペーストを調製した。
[比抵抗の測定]
実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを加熱して得られた導電膜の比抵抗(電気抵抗率)を測定した。
実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを加熱して得られた導電膜の比抵抗(電気抵抗率)を測定した。
実施例1~17及び比較例1~4の比抵抗は、以下の手順で測定した。すなわち、幅15mm、長さ15mm、厚さ200μmのアルミナ基板を準備した。この基板上に、325メッシュのステンレス製スクリーンを用いて、図2に示すような導電性ペーストからなるパターンを印刷した。
次に、基板上に塗布した実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストからなるパターンを、200℃で30分間加熱して、比抵抗測定用試料を得た。
実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを加熱して得られた、比抵抗測定用試料の導電膜パターンの比抵抗を、東陽テクニカ社製マルチメーター2001型を用いて、4端子法で測定した。測定結果を表1~3に示す。
なお、比抵抗測定用試料として、同じ条件のものを4個作製し、測定値は4個の平均値として求めた。
表1~3から明らかなように、本発明の実施例1~17の導電性ペーストを用いて得られた導電膜の比抵抗(電気抵抗率)は、9.9μΩ・cm(実施例8)以下だった。一般的に、10μΩ・cm以下の比抵抗であれば、電極として好適に使用できるといえる。これに対して、比較例1~4の導電性ペーストを用いて得られた導電膜の比抵抗(電気抵抗率)は、12.7μΩ・cm(比較例3)~22.7μΩ・cm(比較例1)の範囲だった。したがって、本発明の実施例1~17の導電性ペーストを用いて導電膜を形成することにより、より低い比抵抗を得ることができることが明らかとなった。
[接触抵抗の測定]
実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを用いて、透明導電膜を有する結晶系シリコン基板の表面に電極を形成し、接触抵抗を測定した。具体的には、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを用いた接触抵抗測定用パターンを、結晶系シリコン基板の表面に形成された透明導電膜の上にスクリーン印刷し、加熱することにより、接触抵抗測定用電極を得た。
実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを用いて、透明導電膜を有する結晶系シリコン基板の表面に電極を形成し、接触抵抗を測定した。具体的には、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを用いた接触抵抗測定用パターンを、結晶系シリコン基板の表面に形成された透明導電膜の上にスクリーン印刷し、加熱することにより、接触抵抗測定用電極を得た。
基板として、n型結晶系シリコン基板(基板厚み200μm)を用いた。
次に、n型結晶系シリコン基板の表面に、透明導電膜を形成した。具体的には、酸化インジウム及び酸化スズを含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、酸化インジウムスズ薄膜(ITO薄膜)を形成した。得られたITO薄膜のシート抵抗は、80Ω/squareだった。このようにして得られた接触抵抗測定用基板を、接触抵抗測定用電極の作製のために使用した。
接触抵抗測定用基板への導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷法によって行った。上述の基板上に、膜厚が約30μmになるように接触抵抗測定用パターンを印刷し、その後、200℃で30分間加熱して、接触抵抗測定用試料を得た。図3に、接触抵抗測定のために用いた接触抵抗測定用パターンの平面模式図を示す。図3に示す接触抵抗測定用パターンは、幅0.1mm、長さ13.5mmの7つの長方形の電極パターンを、ピッチ間隔が2.05mmになるように配置したパターンである。
接触抵抗測定用試料として、同じ条件のものを3個作製し、測定値は3個の平均値として求めた。
接触抵抗は、図2に示す所定の長方形の電極パターン間の電気抵抗をGP Solar社製GP 4TEST Proを用い、TLM法(Transfer length Method)により求めた。接触抵抗が10mΩ・cm2以下である場合には、透明導電膜上の電極として使用可能である。接触抵抗が7mΩ・cm2以下である場合には透明導電膜上の電極として好ましく使用することができる。
表1~3から明らかなように、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストを用いて得られた導電膜の透明導電膜(ITO薄膜)に対する接触抵抗は、6.4mΩ・cm2(実施例14)以下だった。したがって、実施例1~17の接触抵抗に関しては、透明導電膜上の電極として好ましく使用することができる数値範囲であるといえる。なお、比較例1~4に関して、比抵抗は高い値であったが、接触抵抗は良好な値であるといえる。
[印刷特性の評価]
上述の接触抵抗測定用パターンの形状を測定することにより、印刷特性の評価を行った。接触抵抗測定用パターンの形状の測定は、レーザーテック社製コンフォーカル顕微鏡OPTELICS H1200及び表面粗さ形状測定機1500SD2を用いて行った。表1~3に記号「○」として示すように、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストの透明導電膜(ITO薄膜)の表面への印刷特性は良好だった。
上述の接触抵抗測定用パターンの形状を測定することにより、印刷特性の評価を行った。接触抵抗測定用パターンの形状の測定は、レーザーテック社製コンフォーカル顕微鏡OPTELICS H1200及び表面粗さ形状測定機1500SD2を用いて行った。表1~3に記号「○」として示すように、実施例1~17及び比較例1~4の導電性ペーストの透明導電膜(ITO薄膜)の表面への印刷特性は良好だった。
[電子顕微鏡を用いた導電膜の評価]
上述の比抵抗の測定によって得られた導電膜のうち、実施例3及び比較例1の導電膜の断面状態を、電子顕微鏡を用いて観察した。図4に示す実施例3の断面状態では、銀粒子の融着が進んでいることが見て取れる。これに対して、図5に示す比較例1の断面状態では、実施例3と比べて、銀粒子の融着が進んでいないことが見て取れる。本発明の導電性ペーストの場合、所定のカチオン重合開始剤を用いることにより、銀粒子の融着が進むため、低い比抵抗を得ることができるものと推測できる。ただし、本発明は、この推測に拘束されるものではない。
上述の比抵抗の測定によって得られた導電膜のうち、実施例3及び比較例1の導電膜の断面状態を、電子顕微鏡を用いて観察した。図4に示す実施例3の断面状態では、銀粒子の融着が進んでいることが見て取れる。これに対して、図5に示す比較例1の断面状態では、実施例3と比べて、銀粒子の融着が進んでいないことが見て取れる。本発明の導電性ペーストの場合、所定のカチオン重合開始剤を用いることにより、銀粒子の融着が進むため、低い比抵抗を得ることができるものと推測できる。ただし、本発明は、この推測に拘束されるものではない。
10 結晶系シリコン基板
12 i型アモルファスシリコン層
14a p型アモルファスシリコン層
14b n型アモルファスシリコン層
16 透明導電膜
18a 光入射側電極
18b 裏面電極
12 i型アモルファスシリコン層
14a p型アモルファスシリコン層
14b n型アモルファスシリコン層
16 透明導電膜
18a 光入射側電極
18b 裏面電極
Claims (11)
- (A)導電性成分が、銀及び銅から選択される少なくとも1種である、請求項1に記載の導電性ペースト。
- (A)導電性成分が、球状及び/又はフレーク状の粒子である、請求項1又は2に記載の導電性ペースト。
- (B)熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
- (C)式(1)の構造の化合物を、(A)導電性成分100重量部に対して0.1重量部~2.0重量部含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
- (D)溶剤が、エチルグリコールモノフェニルエーテル又はブチルカルビトールアセテートを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
- (E)フェノキシ樹脂をさらに含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
- (F)カップリング剤をさらに含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の導電性ペーストを用いた太陽電池電極形成用の導電性ペースト。
- 電極形成時の処理温度が250℃以下である請求項9に記載の太陽電池電極形成用の導電性ペースト。
- 透明電極の表面に電極を形成するための、請求項1から8のいずれか1項に記載の導電性ペースト。
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