WO2019097750A1 - フィルムコンデンサ、及び、金属化フィルム - Google Patents

フィルムコンデンサ、及び、金属化フィルム Download PDF

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film capacitor
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智道 市川
智生 稲倉
小林 真一
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株式会社村田製作所
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/32Wound capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a film capacitor and a metallized film.
  • a film capacitor having a structure in which a metallized film in which a metal layer is provided on one surface of a dielectric resin film is laminated using a flexible resin film as a dielectric.
  • Patent Document 1 describes that a dielectric resin film made of a thermosetting resin is used.
  • the resin composition constituting the dielectric resin film described in Patent Document 1 is a cured product obtained by the reaction of at least two types of organic materials including the first organic material and the second organic material,
  • the first organic material is a polyol
  • the second organic material is an isocyanate compound, an epoxy resin or a melamine resin having a plurality of functional groups in the molecule, a methylene group (CH 2 group), an aromatic ring,
  • film capacitors are required to have usable heat resistance in a high temperature range of 125 ° C. or higher.
  • the difference between the thermal expansion coefficients of the metal layer and the resin film is large, particularly when the film capacitor is repeatedly used in a high temperature range, the load on the resin film becomes high due to the thermal expansion difference between the two.
  • the metal layer of the metallized film may be damaged, such as peeling of the metal layer or generation of a crack in the metal layer.
  • the glass transition point of the resin composition can be 130 ° C. or higher by reacting at least two types of organic materials to obtain a cured product, the heat resistance of the dielectric resin film is increased. It is said that the temperature can be raised, and the guaranteed temperature of the film capacitor can be raised to, for example, 125.degree.
  • Patent Document 1 the heat resistance at the time of using the film capacitor repeatedly in a high temperature range has not been studied.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and to provide a film capacitor which is excellent in heat resistance when repeatedly used in a high temperature range and in which breakage of a metal layer of a metallized film is suppressed. To aim. Another object of the present invention is to provide a metallized film for the above film capacitor.
  • the film capacitor of the present invention is a film capacitor comprising a metallized film in which a metal layer is provided on one side of a dielectric resin film, and the thermal expansion coefficient of the metallized film is ⁇ P , the heat of the metal layer is when the expansion coefficient was alpha M, the value of alpha P / alpha M is equal to or is 5.1 or less.
  • the value of ⁇ P / ⁇ M is preferably 1.1 or more.
  • the value of ⁇ P / ⁇ M is preferably 4.3 or less. More preferably, the value of ⁇ P / ⁇ M is 1.3 or more.
  • the thickness of the dielectric resin film is preferably more than 0.5 ⁇ m and less than 10 ⁇ m, and more preferably 2 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the thickness of the metal layer is preferably 5 nm or more and 40 nm or less.
  • the metal layer preferably contains any one selected from the group consisting of aluminum, titanium, zinc, magnesium, tin and nickel.
  • the dielectric resin film preferably contains a resin having at least one of a urethane bond and a urea bond as a main component.
  • the dielectric resin film may contain a curable resin as a main component.
  • the dielectric resin film may contain at least one of an isocyanate group and a hydroxyl group.
  • the dielectric resin film may contain a thermoplastic resin as a main component.
  • the metallized film of the present invention is a metallized film including a dielectric resin film and a metal layer provided on one surface of the dielectric resin film, and the thermal expansion coefficient of the metallized film is ⁇ P, when the thermal expansion coefficient of the metal layer was changed to alpha M, the value of alpha P / alpha M is equal to or is 5.1 or less.
  • the value of ⁇ P / ⁇ M is preferably 1.1 or more.
  • the thickness of the dielectric resin film is preferably more than 0.5 ⁇ m and less than 10 ⁇ m.
  • the film capacitor which is excellent in the heat resistance at the time of using repeatedly in a high temperature range, and in which the failure
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the film capacitor of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing an example of a metallized film used for the film capacitor shown in FIG.
  • the film capacitor and the metallized film of the present invention will be described.
  • the present invention is not limited to the following configurations, and can be appropriately modified and applied without departing from the scope of the present invention. Combinations of two or more of the individual desirable features of the invention described below are also inventions.
  • the film capacitor of the present invention comprises a metallized film in which a metal layer is provided on one side of a dielectric resin film.
  • the metallized film used for the film capacitor of this invention is also one of this invention.
  • the film capacitor of the present invention may be a laminated film capacitor in which the first metallized film and the second metallized film are laminated.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the film capacitor of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing an example of a metallized film used for the film capacitor shown in FIG.
  • the film capacitor 1 shown in FIG. 1 is a wound film capacitor, and includes the first metallized film 11 and the second metallized film 12 in a wound state.
  • the first metallized film 11 is formed of a first dielectric resin film 21 and a first metal layer (a first metal layer provided on one surface of the first dielectric resin film 21).
  • the second metallized film 12 includes a second dielectric resin film 22 and a second metal layer (second counter electrode) provided on one surface of the second dielectric resin film 22. It has 32 and.
  • the film capacitor 1 further includes a first external terminal electrode 41 electrically connected to the first metal layer 31, and a second external terminal electrode 42 electrically connected to the second metal layer 32. Is equipped.
  • the film capacitor 1 is configured by winding the first metallized film 11 and the second metallized film 12 in a laminated state.
  • the second dielectric resin film 22 may have a configuration different from that of the first dielectric resin film 21, but preferably has the same configuration as that of the first dielectric resin film 21. .
  • the first metal layer 31 is formed to reach one side edge on one side of the first dielectric resin film 21 but not to reach the other side edge.
  • the second metal layer 32 is formed so as not to reach one side edge on one side of the second dielectric resin film 22 but to reach the other side edge.
  • the first metal layer 31 and the second metal layer 32 are made of, for example, an aluminum layer or the like.
  • the end of the first metal layer 31 on the side reaching the side edge of the first dielectric resin film 21, and the second dielectric resin in the second metal layer 32 As shown in FIG. 1, the end of the first metal layer 31 on the side reaching the side edge of the first dielectric resin film 21, and the second dielectric resin in the second metal layer 32.
  • the first dielectric resin film 21 and the second dielectric resin film 22 are in the width direction of each other so that the end on the side reaching the side edge of the film 22 is exposed from the laminated film together (see FIG. In 2), it is shifted and laminated in the direction shown by W).
  • the first metal layer 31 and the second metal layer 32 By winding the first dielectric resin film 21 and the second dielectric resin film 22 in a laminated state, the first metal layer 31 and the second metal layer 32 are exposed at the end. Keeping the state, it is in the stacked state.
  • the first dielectric resin film 21 and the second dielectric resin are made such that the second dielectric resin film 22 is on the outside of the first dielectric resin film 21.
  • Each of the films 22 is wound so that each of the first metal layer 31 and the second metal layer 32 faces inward.
  • the first external terminal electrode 41 and the second external terminal electrode 42 are formed by spraying, for example, zinc or the like on each end face of the capacitor body obtained as described above.
  • the first external terminal electrode 41 contacts the exposed end of the first metal layer 31 and is thereby electrically connected to the first metal layer 31.
  • the second external terminal electrode 42 is in contact with the exposed end of the second metal layer 32, and thereby electrically connected to the second metal layer 32.
  • the wound body of the dielectric resin film is pressed into a flat shape such as an ellipse or an oval and has a more compact shape.
  • the film capacitor of the present invention may have a cylindrical winding axis. The winding axis is disposed on the central axis of the wound dielectric resin film, and serves as a winding axis when the dielectric resin film is wound.
  • the film capacitor according to the present invention is characterized in that the value of ⁇ P / ⁇ M is 5.1 or less, where ⁇ P is the thermal expansion coefficient of the metallized film and ⁇ M is the thermal expansion coefficient of the metal layer. Do.
  • the value of ⁇ P / ⁇ M which is the ratio of the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film to the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer, is 5.1 or less. Damage to the metal layer of the metallized film is suppressed when used. Specifically, when the film capacitor is subjected to a heat cycle test in which heating to 135 ° C. and cooling to -55 ° C. are repeated, generation of cracks in the metal layer and peeling of the metal layer are suppressed. Ru.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film can be calculated from the dimensional change of the metallized film at 25 ° C. to 135 ° C. by a thermal mechanical analysis (TMA) method.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ P is preferably measured in the width direction (direction indicated by W in FIG. 2) of the metallized film.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer can be the thermal expansion coefficient of each metal described in “Engineer's Book Technical Data Collection 19 Edition (Boregin Equipment Co., Ltd.)”.
  • the linear expansion coefficient (alpha) M of a metal layer can be specified by analyzing the composition of a metal. Specifically, it is possible to calculate the coefficient of linear expansion of a composite metal composed of a combination of two or more types of metals according to a composite rule known by the following formula (for example, http: //www.gitc .Pref.nagano.lg.jp / pdf / H18kenho / 1-8-4.pdf).
  • Thermal expansion coefficient of composite metal (thermal expansion coefficient of metal A) ⁇ (volume ratio of metal A) + (thermal expansion coefficient of metal B) ⁇ (volume ratio of metal B)
  • the value of ⁇ P / ⁇ M is preferably 4.3 or less.
  • the lower limit of the value of ⁇ P / ⁇ M is not particularly limited, but if the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film is too small relative to the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer, the metallized film tends to become brittle. Therefore, the value of ⁇ P / ⁇ M is preferably 1.1 or more, and more preferably 1.3 or more.
  • the dielectric resin film preferably contains as a main component a resin having at least one of a urethane bond and a urea bond.
  • a resin having at least one of a urethane bond and a urea bond examples include a urethane resin having a urethane bond, and a urea resin (also referred to as a urea resin) having a urea bond (also referred to as a urea bond).
  • it may be a resin having both urethane bond and urea bond.
  • a curable resin, a vapor deposition polymerization film, etc. described later can be mentioned.
  • the presence of a urethane bond and / or a urea bond can be confirmed using a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR).
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • the term "main component” means a component having the largest proportion (wt%), preferably a component having a proportion greater than 50 wt%. Therefore, the film for a film capacitor of the present invention may contain, as components other than the main component, for example, additives such as silicone resin, and uncured portions of starting materials such as the first organic material and the second organic material described later. Good.
  • the dielectric resin film may contain a curable resin as a main component.
  • the curable resin may be a thermosetting resin or a photocurable resin.
  • the curable resin may or may not have at least one of a urethane bond and a urea bond.
  • thermosetting resin means a resin that can be cured by heat, and does not limit the curing method. Therefore, as long as it is a resin that can be cured by heat, a resin cured by a method other than heat (for example, light, electron beam, etc.) is also included in the thermosetting resin. In addition, depending on the material, the reaction may start due to the reactivity of the material itself, and a thermosetting resin is also used for a resin whose curing proceeds without applying heat or light from the outside. The same applies to the photocurable resin, and the curing method is not limited.
  • the dielectric resin film may contain a vapor deposition polymerization film as a main component.
  • the vapor deposition polymerization film may or may not have at least one of a urethane bond and a urea bond.
  • the vapor deposition polymerization film is basically included in the curable resin.
  • the dielectric resin film is preferably made of a cured product of the first organic material and the second organic material.
  • a cured product obtained by reacting a hydroxyl group (OH group) of the first organic material and an isocyanate group (NCO group) of the second organic material may be mentioned.
  • the uncured portion of the starting material may remain in the film.
  • the dielectric resin film may contain at least one of an isocyanate group (NCO group) and a hydroxyl group (OH group).
  • the dielectric resin film may contain either one of an isocyanate group and a hydroxyl group, or may contain both an isocyanate group and a hydroxyl group.
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • the first organic material is preferably a polyol having a plurality of hydroxyl groups (OH groups) in the molecule.
  • a polyol polyether polyol, polyester polyol, polyvinyl acetoacetal etc. are mentioned, for example.
  • Two or more organic materials may be used in combination as the first organic material.
  • phenoxy resins belonging to polyether polyols are preferred.
  • the second organic material is preferably an isocyanate compound, an epoxy resin or a melamine resin having a plurality of functional groups in the molecule. Two or more organic materials may be used in combination as the second organic material.
  • isocyanate compound examples include aromatic polyisocyanates such as diphenylmethane diisocyanate (MDI) and tolylene diisocyanate (TDI), and aliphatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate (HDI). It may be a modified product of these polyisocyanates, for example, a modified product having carbodiimide or urethane. Among them, aromatic polyisocyanates are preferred, and MDI is more preferred.
  • MDI diphenylmethane diisocyanate
  • TDI tolylene diisocyanate
  • HDI hexamethylene diisocyanate
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is a resin having an epoxy ring, and examples thereof include bisphenol A epoxy resin, biphenyl skeleton epoxy resin, cyclopentadiene skeleton epoxy resin, naphthalene skeleton epoxy resin and the like.
  • the melamine resin is not particularly limited as long as it is an organic nitrogen compound having a triazine ring at the center of the structure and three amino groups in the periphery thereof, and examples thereof include alkylated melamine resins and the like. In addition, it may be a modified substance of melamine.
  • the dielectric resin film is preferably obtained by forming a resin solution containing the first organic material and the second organic material into a film, and then heat treating and curing.
  • the dielectric resin film may contain a thermoplastic resin as a main component.
  • thermoplastic resin include highly crystalline polypropylene, polyether sulfone, polyether imide, polyallyl arylate and the like.
  • the dielectric resin film can also contain an additive for adding another function.
  • smoothness can be provided by adding a leveling agent.
  • the additive is more preferably a material that has a functional group that reacts with a hydroxyl group and / or an isocyanate group, and forms a part of the crosslinked structure of the cured product.
  • a resin having at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, a silanol group and a carboxyl group can be mentioned.
  • the thickness of the dielectric resin film is not particularly limited, but if the film is too thin, it tends to become brittle. Therefore, the thickness of the dielectric resin film is preferably more than 0.5 ⁇ m, and more preferably 2 ⁇ m or more. On the other hand, when the film is too thick, defects such as cracks tend to occur at the time of film formation. Therefore, the thickness of the dielectric resin film is preferably less than 10 ⁇ m, and more preferably 6 ⁇ m or less. The thickness of the dielectric resin film can be measured using an optical film thickness meter.
  • the type of metal contained in the metal layer is not particularly limited, but the metal layer is preferably aluminum (Al), titanium (Ti), zinc (Zn), magnesium (Mg), tin (Sn) and It is preferable to include any one selected from the group consisting of nickel (Ni).
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, but from the viewpoint of suppressing the breakage of the metal layer, the thickness of the metal layer is preferably 5 nm or more and 40 nm or less.
  • the thickness of the metal layer can be specified by observing a cross section obtained by cutting the metallized film in the thickness direction using an electron microscope such as a field emission scanning electron microscope (FE-SEM).
  • the film capacitor according to the present invention can be applied to known applications, but can extend the life of equipment used in an environment where temperature change at high temperatures is large, so an electric compressor mounted in an automobile or industrial equipment It is suitably used for power electronics devices such as / pumps, chargers, DC-DC converters, drive inverters and the like.
  • Example 1 Samples 1 to 6 were produced under the conditions shown in Table 1.
  • a phenoxy resin was prepared as a first organic material (shown as organic material 1 in Table 1), and diphenylmethane diisocyanate (MDI) was prepared as a second organic material (shown as organic material 2 in Table 1).
  • MDI diphenylmethane diisocyanate
  • a phenoxy resin the phenoxy resin which is a high molecular weight bisphenol A epoxy resin which has an epoxy group at the terminal was used.
  • MDI diphenylmethane diisocyanate was used.
  • a resin solution obtained by mixing the first organic material and the second organic material was molded on a PET film by a doctor blade coater to obtain an uncured film.
  • a dielectric resin film (hereinafter, also simply referred to as a film) was obtained.
  • heat treatment was performed at 180 ° C. for 2 hours, and in Samples 2 to 6, heat treatment was performed at 180 ° C. for 10 hours.
  • the film after curing was a urethane resin having a urethane bond and was also a urea resin having a urea bond.
  • the film thickness after hardening was 3 micrometers.
  • three places were measured in the position where the film of length 10 cm was spaced apart every 2 cm, and the average was computed.
  • a metallized film was obtained by vapor-depositing aluminum to be a counter electrode (metal layer) on the film surface to a thickness of 20 nm and peeling it from the PET substrate. After winding the metallized film, an external electrode was formed of the sprayed metal to make a 20 ⁇ F film capacitor.
  • Table 1 shows values of the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer, the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film, and ⁇ P / ⁇ M.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer was the thermal expansion coefficient of each metal described in “Engineering's Book Technical Data Collection 19”.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film was calculated from the dimensional change of the metallized film at 25 ° C. to 135 ° C. by a thermal mechanical analysis (TMA) method.
  • TMA thermal mechanical analysis
  • a heat cycle test was performed on each film capacitor by repeating heating to 135 ° C. and cooling to -55 ° C.
  • the temperature raising rate and the temperature lowering rate were tested under the condition that the change from the lower temperature limit to the upper temperature limit and the change from the upper temperature limit to the lower temperature limit were each within 5 minutes.
  • the holding time at each temperature was 30 minutes.
  • the metallized film was collected 1 m in the lengthwise direction, and the deposition surface of the metal layer was observed. The case where the number of cracks generated in the metal layer was zero was evaluated as ⁇ (good), and the case where one or more cracks were generated was evaluated as x (defect).
  • the bending test of the metallized film which comprises each film capacitor was done. Ten 1 cm ⁇ 5 cm strip-shaped test pieces were produced and ten bending tests were carried out to confirm whether or not breakage occurred. The case where the number of breakage was 0 was regarded as ⁇ (good), the case of 1 to 3 was regarded as ⁇ (acceptable), and the case of 4 or more was regarded as x (defect).
  • the result of determination 2 is x. This is because if the thermal expansion coefficient alpha P of the metallized film is too small for the thermal expansion coefficient alpha M of the metal layer, presumably because the metallized film becomes fragile.
  • Example 2 [Production of film capacitor] Samples 11 to 24 were produced under the conditions shown in Table 2.
  • a film capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal species of the metal layer, the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer, and the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film were changed. .
  • the film thickness was 3 ⁇ m, and the thickness of the metal layer was 20 nm.
  • Example 3 [Production of film capacitor] Samples 31 to 38 were produced under the conditions shown in Table 3.
  • a film capacitor was manufactured in the same manner as Example 1 except that the thickness of the dielectric resin film, the thickness of the metal layer, the metal species of the metal layer, and the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer were changed. Made.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film was 75 ppm / ° C.
  • Judgment method Tests of judgments 1, 2 and 3 were carried out for the film capacitors of Samples 31 to 38.
  • the methods of determinations 1 and 2 are the same as in the first embodiment.
  • the metal is made smaller by reducing the thermal expansion coefficient ⁇ P of the metallized film relative to the thermal expansion coefficient ⁇ M of the metal layer It is believed that layer breakage can be suppressed.
  • the result of the judgment 2 is ⁇ . It is considered that this is because the film becomes brittle if it is too thin.
  • the result of the judgment 3 is ⁇ . It is considered that this is because when the film is too thick, the amount of solvent contained in the uncured film is large, and a crack is easily generated at the time of curing.
  • Example 4 [Production of film capacitor] Samples 41 to 43 were produced under the conditions shown in Table 4.
  • a film capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the material of the dielectric resin film was changed.
  • the film thickness was 3 ⁇ m, and the thickness of the metal layer was 20 nm.
  • polyvinyl acetoacetal PVAA
  • tolylene is used as the second organic material (shown as organic material 2 in Table 4).
  • An isocyanate TDI
  • Trimethylpropanol-modified tolylene diisocyanate was used as TDI.
  • phenoxy resin was used as the first organic material
  • melamine resin was used as the second organic material.
  • a phenoxy resin the phenoxy resin which is a high molecular weight bisphenol A epoxy resin which has an epoxy group at the terminal was used.
  • An alkylated melamine resin was used as the melamine resin.
  • a phenoxy resin was used as the first organic material, and an epoxy resin was used as the second organic material.
  • a phenoxy resin the phenoxy resin which is a high molecular weight bisphenol A epoxy resin which has an epoxy group at the terminal was used.
  • a novolac epoxy resin was used as the epoxy resin.
  • 0.1% imidazole catalyst was added as a catalyst.
  • Judgment method Tests of judgments 1, 2 and 3 were carried out on the film capacitors of Samples 41 to 43.
  • the method of determinations 1 and 2 is the same as that of the first embodiment, and the method of determination 3 is the same as that of the third embodiment.
  • Example 5 [Production of film capacitor] Samples 51 to 55 were produced under the conditions shown in Table 5. In Example 5, a film capacitor was produced in the same manner as in Example 1 except that the material and thickness of the dielectric resin film were changed. In Samples 51 to 55, a thermoplastic resin was used as the material of the dielectric resin film. The thickness of the metal layer was 20 nm.
  • Judgment method The test of judgment 1 was performed on the film capacitors of Samples 51 to 55. The method of determination 1 is the same as that of the first embodiment.
  • Example 5 From Table 5, it was confirmed that the same results as in Example 1 were obtained even when a thermoplastic resin was used as the material of the dielectric resin film.

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Abstract

本発明のフィルムコンデンサは、誘電体樹脂フィルムの一方の面に金属層が設けられた金属化フィルムを備えるフィルムコンデンサであって、上記金属化フィルムの熱膨張係数をα、上記金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とする。

Description

フィルムコンデンサ、及び、金属化フィルム
本発明は、フィルムコンデンサ、及び、金属化フィルムに関する。
コンデンサの一種として、可撓性のある樹脂フィルムを誘電体として用いて、誘電体樹脂フィルムの一方の面に金属層が設けられた金属化フィルムを積層した構造のフィルムコンデンサがある。
フィルムコンデンサ用の誘電体樹脂フィルムとして、例えば、特許文献1には、熱硬化性樹脂からなる誘電体樹脂フィルムを用いることが記載されている。特許文献1に記載の誘電体樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、第1の有機材料及び第2の有機材料を含む少なくとも2種類の有機材料が反応して得られた硬化物であり、上記第1の有機材料がポリオールであり、上記第2の有機材料が、分子内に複数の官能基を持つ、イソシアネート化合物、エポキシ樹脂又はメラミン樹脂であり、メチレン基(CH基)、芳香環及びエーテル基(-O-基)から選ばれる、モル分極率の比較的小さい少なくとも1種の官能基を含む、第1の原子団と、水酸基(OH基)、アミノ基(NH基)及びカルボニル基(C=O基)から選ばれる、モル分極率の比較的大きい少なくとも1種の官能基を含む、第2の原子団とを備え、(第1の原子団の吸収帯強度の総和)/(第2の原子団の吸収帯強度の総和)で表わされる値が1.0以上であることを特徴としている。
特許第5794380号公報
近年、フィルムコンデンサには、125℃以上の高温域において使用可能な耐熱性が求められている。一方で、金属層と樹脂フィルムとでは熱膨張係数の差が大きいため、特に、フィルムコンデンサを高温域で繰り返し使用すると、両者の熱膨張差から樹脂フィルムへの負荷が高くなる。その結果、金属層が剥がれたり、金属層にクラックが発生したりする等、金属化フィルムの金属層が破損する虞がある。
特許文献1によれば、少なくとも2種類の有機材料が反応して硬化物を得ることにより、樹脂組成物のガラス転移点を130℃以上とすることができるため、誘電体樹脂フィルムの耐熱性が高くなり、フィルムコンデンサの保証温度を例えば125℃以上と高くすることができるとされている。
しかし、特許文献1においては、フィルムコンデンサを高温域で繰り返し使用する際の耐熱性については検討されていなかった。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、高温域で繰り返し使用した際の耐熱性に優れ、金属化フィルムの金属層の破損が抑制されるフィルムコンデンサを提供することを目的とする。本発明はまた、上記フィルムコンデンサ用の金属化フィルムを提供することを目的とする。
本発明のフィルムコンデンサは、誘電体樹脂フィルムの一方の面に金属層が設けられた金属化フィルムを備えるフィルムコンデンサであって、上記金属化フィルムの熱膨張係数をα、上記金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とする。
本発明のフィルムコンデンサにおいては、上記α/αの値が1.1以上であることが好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいては、上記α/αの値が4.3以下であることが好ましい。また、上記α/αの値が1.3以上であることがより好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記誘電体樹脂フィルムの厚みは、0.5μmを超え、10μm未満であることが好ましく、2μm以上、6μm以下であることがより好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記金属層の厚みは、5nm以上、40nm以下であることが好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記金属層は、アルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、スズ及びニッケルからなる群より選ばれるいずれか1種を含むことが好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記誘電体樹脂フィルムは、ウレタン結合及びユリア結合の少なくとも一方を有する樹脂を主成分として含むことが好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記誘電体樹脂フィルムは、硬化性樹脂を主成分として含んでもよい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記誘電体樹脂フィルムは、イソシアネート基及び水酸基の少なくとも一方を含んでもよい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、上記誘電体樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を主成分として含んでもよい。
本発明の金属化フィルムは、誘電体樹脂フィルムと、上記誘電体樹脂フィルムの一方の面に設けられた金属層と、を備える金属化フィルムであって、上記金属化フィルムの熱膨張係数をα、上記金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とする。
本発明の金属化フィルムにおいては、上記α/αの値が1.1以上であることが好ましい。
本発明の金属化フィルムにおいて、上記誘電体樹脂フィルムの厚みは、0.5μmを超え、10μm未満であることが好ましい。
本発明によれば、高温域で繰り返し使用した際の耐熱性に優れ、金属化フィルムの金属層の破損が抑制されるフィルムコンデンサを提供することができる。
図1は、本発明のフィルムコンデンサの一例を模式的に示す断面図である。 図2は、図1に示すフィルムコンデンサに用いられる金属化フィルムの一例を模式的に示す斜視図である。
以下、本発明のフィルムコンデンサ、及び、金属化フィルムについて説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
[フィルムコンデンサ]
本発明のフィルムコンデンサは、誘電体樹脂フィルムの一方の面に金属層が設けられた金属化フィルムを備えている。なお、本発明のフィルムコンデンサに用いられる金属化フィルムもまた、本発明の1つである。
以下、本発明のフィルムコンデンサの一実施形態として、第1の金属化フィルムと、第2の金属化フィルムとが積層された状態で巻回されてなる巻回型のフィルムコンデンサを例にとって説明する。
なお、本発明のフィルムコンデンサは、第1の金属化フィルムと、第2の金属化フィルムとが積層されてなる積層型のフィルムコンデンサであってもよい。
図1は、本発明のフィルムコンデンサの一例を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示すフィルムコンデンサに用いられる金属化フィルムの一例を模式的に示す斜視図である。
図1に示すフィルムコンデンサ1は、巻回型のフィルムコンデンサであり、巻回状態の第1の金属化フィルム11及び第2の金属化フィルム12を備えている。図2に示すように、第1の金属化フィルム11は、第1の誘電体樹脂フィルム21と、第1の誘電体樹脂フィルム21の一方の面に設けられた第1の金属層(第1の対向電極)31とを備えている。同様に、第2の金属化フィルム12は、第2の誘電体樹脂フィルム22と、第2の誘電体樹脂フィルム22の一方の面に設けられた第2の金属層(第2の対向電極)32とを備えている。
図1に示すように、第1の金属層31及び第2の金属層32は、第1の誘電体樹脂フィルム21又は第2の誘電体樹脂フィルム22を挟んで互いに対向している。フィルムコンデンサ1は、さらに、第1の金属層31に電気的に接続される第1の外部端子電極41、及び、第2の金属層32に電気的に接続される第2の外部端子電極42を備えている。
第1の金属化フィルム11と第2の金属化フィルム12とが積層された状態で巻回されることによって、フィルムコンデンサ1が構成されている。第2の誘電体樹脂フィルム22は、第1の誘電体樹脂フィルム21と異なる構成を有していてもよいが、第1の誘電体樹脂フィルム21と同一の構成を有していることが好ましい。
第1の金属層31は、第1の誘電体樹脂フィルム21の一方の面において一方側縁にまで届くが、他方側縁にまで届かないように形成される。他方、第2の金属層32は、第2の誘電体樹脂フィルム22の一方の面において一方側縁にまで届かないが、他方側縁にまで届くように形成される。第1の金属層31及び第2の金属層32は、例えばアルミニウム層などから構成される。
図1に示すように、第1の金属層31における第1の誘電体樹脂フィルム21の側縁にまで届いている側の端部、及び、第2の金属層32における第2の誘電体樹脂フィルム22の側縁にまで届いている側の端部がともに積層されたフィルムから露出するように、第1の誘電体樹脂フィルム21と第2の誘電体樹脂フィルム22とが互いに幅方向(図2中、Wで示す方向)にずらされて積層される。第1の誘電体樹脂フィルム21及び第2の誘電体樹脂フィルム22は、積層された状態で巻回されることによって、第1の金属層31及び第2の金属層32が端部で露出した状態を保持して、積み重なった状態とされる。
図1に示すフィルムコンデンサ1では、第2の誘電体樹脂フィルム22が第1の誘電体樹脂フィルム21の外側になるように、かつ、第1の誘電体樹脂フィルム21及び第2の誘電体樹脂フィルム22の各々について、第1の金属層31及び第2の金属層32の各々が内方に向くように巻回されている。
第1の外部端子電極41及び第2の外部端子電極42は、上述のようにして得られたコンデンサ本体の各端面上に、例えば亜鉛などを溶射することによって形成される。第1の外部端子電極41は、第1の金属層31の露出端部と接触し、それによって第1の金属層31と電気的に接続される。他方、第2の外部端子電極42は、第2の金属層32の露出端部と接触し、それによって第2の金属層32と電気的に接続される。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムの巻回体は、断面形状が楕円又は長円のような扁平形状にプレスされ、よりコンパクトな形状とされることが好ましい。なお、本発明のフィルムコンデンサは、円柱状の巻回軸を備えていてもよい。巻回軸は、巻回状態の誘電体樹脂フィルムの中心軸線上に配置されるものであり、誘電体樹脂フィルムを巻回する際の巻軸となるものである。
本発明のフィルムコンデンサにおいては、金属化フィルムの熱膨張係数をα、金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とする。
本発明のフィルムコンデンサでは、金属層の熱膨張係数αに対する金属化フィルムの熱膨張係数αの比であるα/αの値を5.1以下とすることにより、高温域で繰り返し使用した際における金属化フィルムの金属層の破損が抑制される。具体的には、フィルムコンデンサに対して135℃への加熱と-55℃への冷却を繰り返すヒートサイクル試験を行った場合において、金属層へのクラックの発生、及び、金属層の剥がれが抑制される。
金属化フィルムの熱膨張係数αは、熱機械分析(TMA)法により、金属化フィルムの25℃から135℃における寸法変化率から算出することができる。
なお、上記熱膨張係数αは、金属化フィルムの幅方向(図2中、Wで示す方向)で測定することが好ましい。
金属層の熱膨張係数αは、「エンジニアズブック 技術データ集19版(兵進装備株式会社)」に記載されている各金属の熱膨張係数を用いることができる。
なお、金属層が2種類以上の金属の組み合わせからなる場合には、金属の組成を分析することにより、金属層の線膨張係数αを特定することができる。具体的には、以下の式で知られている複合則により、2種類以上の金属の組み合わせからなる複合金属の線膨張係数を算出することが可能である(例えば、http://www.gitc.pref.nagano.lg.jp/pdf/H18kenho/1-8-4.pdf参照)。
 複合金属の熱膨張係数=(金属Aの熱膨張係数)×(金属Aの体積比率)+(金属Bの熱膨張係数)×(金属Bの体積比率)
金属層の破損を抑制する観点から、α/αの値は、4.3以下であることが好ましい。
α/αの値の下限は特に限定されないが、金属層の熱膨張係数αに対して金属化フィルムの熱膨張係数αが小さすぎると金属化フィルムが脆くなりやすくなる。そのため、α/αの値は、1.1以上であることが好ましく、1.3以上であることがより好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、ウレタン結合及びユリア結合の少なくとも一方を有する樹脂を主成分として含むことが好ましい。このような樹脂としては、例えば、ウレタン結合を有するウレタン樹脂、ユリア結合(ウレア結合ともいう)を有するユリア樹脂(ウレア樹脂ともいう)等が挙げられる。また、ウレタン結合及びユリア結合の両方を有する樹脂であってもよい。具体的には、後述する硬化性樹脂、蒸着重合膜等が挙げられる。
なお、ウレタン結合及び/又はユリア結合の存在は、フーリエ変換赤外分光光度計(FT-IR)を用いて確認することができる。
本明細書において、「主成分」とは、存在割合(重量%)が最も大きい成分を意味し、好ましくは、存在割合が50重量%を超える成分を意味する。したがって、本発明のフィルムコンデンサ用フィルムは、主成分以外の成分として、例えば、シリコーン樹脂等の添加剤や、後述する第1有機材料及び第2有機材料等の出発材料の未硬化部分を含んでもよい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、硬化性樹脂を主成分として含んでもよい。硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよいし、光硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は、ウレタン結合及びユリア結合の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよい。
本明細書において、熱硬化性樹脂とは、熱で硬化し得る樹脂を意味しており、硬化方法を限定するものではない。したがって、熱で硬化し得る樹脂である限り、熱以外の方法(例えば、光、電子ビームなど)で硬化した樹脂も熱硬化性樹脂に含まれる。また、材料によっては材料自体が持つ反応性によって反応が開始する場合があり、必ずしも外部から熱又は光等を与えずに硬化が進むものについても熱硬化性樹脂とする。光硬化性樹脂についても同様であり、硬化方法を限定するものではない。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、蒸着重合膜を主成分として含んでもよい。蒸着重合膜は、ウレタン結合及びユリア結合の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよい。なお、蒸着重合膜は、基本的には、硬化性樹脂に含まれる。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、第1有機材料と第2有機材料との硬化物からなることが好ましい。例えば、第1有機材料が有する水酸基(OH基)と第2有機材料が有するイソシアネート基(NCO基)とが反応して得られる硬化物等が挙げられる。
上記の反応によって硬化物を得る場合、出発材料の未硬化部分がフィルム中に残留してもよい。例えば、誘電体樹脂フィルムは、イソシアネート基(NCO基)及び水酸基(OH基)の少なくとも一方を含んでもよい。この場合、誘電体樹脂フィルムは、イソシアネート基及び水酸基のいずれか一方を含んでもよいし、イソシアネート基及び水酸基の両方を含んでもよい。
なお、イソシアネート基及び/又は水酸基の存在は、フーリエ変換赤外分光光度計(FT-IR)を用いて確認することができる。
第1有機材料は、分子内に複数の水酸基(OH基)を有するポリオールであることが好ましい。ポリオールとしては、例えば、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリビニルアセトアセタール等が挙げられる。第1有機材料として、2種以上の有機材料を併用してもよい。第1有機材料の中では、ポリエーテルポリオールに属するフェノキシ樹脂が好ましい。
第2有機材料は、分子内に複数の官能基を有する、イソシアネート化合物、エポキシ樹脂又はメラミン樹脂であることが好ましい。第2有機材料として、2種以上の有機材料を併用してもよい。
イソシアネート化合物としては、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)及びトリレンジイソシアネート(TDI)等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらのポリイソシアネートの変性体、例えば、カルボジイミド又はウレタン等を有する変性体であってもよい。中でも、芳香族ポリイソシアネートが好ましく、MDIがより好ましい。
エポキシ樹脂としては、エポキシ環を有する樹脂であれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格エポキシ樹脂、シクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂、ナフタレン骨格エポキシ樹脂等が挙げられる。
メラミン樹脂としては、構造の中心にトリアジン環、その周辺にアミノ基3個を有する有機窒素化合物であれば特に限定されず、例えば、アルキル化メラミン樹脂等が挙げられる。その他、メラミンの変性体であってもよい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、好ましくは、第1有機材料及び第2有機材料を含む樹脂溶液をフィルム状に成形し、次いで、熱処理して硬化させることによって得られる。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を主成分として含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、高結晶性ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアリルアリレート等が挙げられる。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムは、他の機能を付加するための添加剤を含むこともできる。例えば、レベリング剤を添加することで平滑性を付与することができる。添加剤は、水酸基及び/又はイソシアネート基と反応する官能基を有し、硬化物の架橋構造の一部を形成する材料であることがより好ましい。このような材料としては、例えば、エポキシ基、シラノール基及びカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも1種の官能基を有する樹脂等が挙げられる。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、誘電体樹脂フィルムの厚みは特に限定されないが、フィルムが薄すぎると脆くなりやすくなる。そのため、誘電体樹脂フィルムの厚みは、0.5μmを超えることが好ましく、2μm以上であることがより好ましい。一方、フィルムが厚すぎると、成膜時にクラック等の欠陥が発生しやすくなる。そのため、誘電体樹脂フィルムの厚みは、10μm未満であることが好ましく、6μm以下であることがより好ましい。
なお、誘電体樹脂フィルムの厚みは、光学式膜厚計を用いて測定することができる。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、金属層に含まれる金属の種類は特に限定されないが、金属層は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)、スズ(Sn)及びニッケル(Ni)からなる群より選ばれるいずれか1種を含むことが好ましい。
本発明のフィルムコンデンサにおいて、金属層の厚みは特に限定されないが、金属層の破損を抑制する観点から、金属層の厚みは、5nm以上、40nm以下であることが好ましい。
なお、金属層の厚みは、金属化フィルムを厚み方向に切断した断面を、電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)等の電子顕微鏡を用いて観察することにより特定することができる。
本発明のフィルムコンデンサは、公知の用途に適用することができるが、高温での温度変化が大きい環境で使用される機器の長寿命化が図れるため、自動車や産業機器に搭載される、電動コンプレッサー/ポンプ、チャージャー、DC-DCコンバータ、駆動用インバータ等のパワーエレクトロニクス機器に好適に用いられる。
以下、本発明のフィルムコンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1)
表1に示す条件で試料1~6を作製した。
第1有機材料(表1中、有機材料1と示す)として、フェノキシ樹脂を用意し、第2有機材料(表1中、有機材料2と示す)として、ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)を用意した。フェノキシ樹脂としては、末端にエポキシ基を持つ高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂であるフェノキシ樹脂を用いた。MDIとしては、ジフェニルメタンジイソシアネートを用いた。
次に、上記第1有機材料と上記第2有機材料とを混合して得られた樹脂溶液を、ドクターブレードコーターにより、PETフィルム上で成形し、未硬化フィルムを得た。表1に示す条件で熱処理して硬化することにより、誘電体樹脂フィルム(以下、単にフィルムともいう)を得た。試料1では、180℃、2時間で熱処理を行い、試料2~6では、180℃、10時間で熱処理を行った。
硬化後のフィルムは、ウレタン結合を有するウレタン樹脂であり、ユリア結合を有するユリア樹脂でもあった。また、硬化後のフィルム厚みは、3μmであった。なお、フィルム厚みを求める際には、長さ10cmのフィルムを2cm毎に離隔された位置にて3箇所を測定し、その平均を算出した。
フィルム表面に対向電極(金属層)となるアルミニウムを厚み20nmとなるように蒸着し、PET基材から剥離することで、金属化フィルムを得た。金属化フィルムを巻回した後、溶射金属により外部電極を形成し、20μFのフィルムコンデンサを作製した。
表1に、金属層の熱膨張係数α、金属化フィルムの熱膨張係数α、及び、α/αの値を示す。
金属層の熱膨張係数αは、「エンジニアズブック 技術データ集19版」に記載されている各金属の熱膨張係数を用いた。
金属化フィルムの熱膨張係数αは、熱機械分析(TMA)法により、金属化フィルムの25℃から135℃における寸法変化率から算出した。なお、上記熱膨張係数αは、金属化フィルムの幅方向で測定した。
[判定方法]
試料1~6のフィルムコンデンサについて、判定1及び2の試験を実施した。
判定1では、各フィルムコンデンサに対して135℃への加熱と-55℃への冷却を繰り返すヒートサイクル試験を行った。昇温速度及び降温速度は、温度下限から温度上限への変化、及び、温度上限から温度下限への変化がそれぞれ5分以内となるような条件で試験を行った。また、各温度での保持時間は30分間とした。2000サイクル後のフィルムコンデンサを分解した後、金属化フィルムを長さ方向に1m採取し、金属層の蒸着面を観察した。金属層に発生しているクラックが0個の場合を○(良)、1個以上の場合を×(不良)とした。
判定2では、各フィルムコンデンサを構成する金属化フィルムの折曲試験を行った。1cm×5cmの短冊状の試験片を10個作製し、それぞれ10回の折曲試験を実施して、破断するか否かを確認した。破断数が0個の場合を○(良)、1~3個の場合を△(可)、4個以上の場合を×(不良)とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
表1において、試料番号に*を付したものは、本発明の範囲外の比較例である。
判定1の結果から、金属層の熱膨張係数αに対して金属化フィルムの熱膨張係数αを小さくすることにより、金属層の破損を抑制することができると考えられる。
α/αの値が0.8である試料2、及び、α/αの値が1.0である試料3では、判定2の結果が×となった。これは、金属層の熱膨張係数αに対して金属化フィルムの熱膨張係数αが小さすぎると、金属化フィルムが脆くなるためと考えられる。
(実施例2)
[フィルムコンデンサの作製]
表2に示す条件で試料11~24を作製した。
実施例2では、金属層の金属種、金属層の熱膨張係数α、及び、金属化フィルムの熱膨張係数αを変更したことを除いて、実施例1と同様にフィルムコンデンサを作製した。フィルム厚みは3μm、金属層の厚みは20nmとした。
[判定方法]
試料11~24のフィルムコンデンサについて、判定1の試験を実施した。判定1の方法は、実施例1と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
表2において、試料番号に*を付したものは、本発明の範囲外の比較例である。
判定1の結果から、金属層の金属種に関わらず、金属層の熱膨張係数αに対して金属化フィルムの熱膨張係数αを小さくすることにより、金属層の破損を抑制することができると考えられる。
(実施例3)
[フィルムコンデンサの作製]
表3に示す条件で試料31~38を作製した。
実施例3では、誘電体樹脂フィルムの厚み、金属層の厚み、金属層の金属種、及び、金属層の熱膨張係数αを変更したことを除いて、実施例1と同様にフィルムコンデンサを作製した。金属化フィルムの熱膨張係数αは75ppm/℃とした。
[判定方法]
試料31~38のフィルムコンデンサについて、判定1、2及び3の試験を実施した。判定1及び2の方法は、実施例1と同様である。
判定3では、10cm×10cmの未蒸着フィルムを作製し、光学顕微鏡観察により塗膜欠陥(クラック)の個数を計測した。欠陥の個数が0個の場合を○(良)、1~2個の場合を△(可)、3個以上の場合を×(不良)とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
表3において、試料番号に*を付したものは、本発明の範囲外の比較例である。
判定1の結果から、誘電体樹脂フィルムの厚み、及び、金属層の厚みに関わらず、金属層の熱膨張係数αに対して金属化フィルムの熱膨張係数αを小さくすることにより、金属層の破損を抑制することができると考えられる。
誘電体樹脂フィルムの厚みが0.5μmである試料37では、判定2の結果が△となった。これは、フィルムが薄すぎると脆くなるためと考えられる。
一方、誘電体樹脂フィルムの厚みが10μmである試料38では、判定3の結果が△となった。これは、フィルムが厚すぎると、未硬化フィルムに含まれる溶剤の量が多くなり、硬化時にクラックが発生しやすくなるためと考えられる。
(実施例4)
[フィルムコンデンサの作製]
表4に示す条件で試料41~43を作製した。
実施例4では、誘電体樹脂フィルムの材料を変更したことを除いて、実施例1と同様にフィルムコンデンサを作製した。フィルム厚みは3μm、金属層の厚みは20nmとした。
試料41では、第1有機材料(表4中、有機材料1と示す)として、ポリビニルアセトアセタール(PVAA)を使用し、第2有機材料(表4中、有機材料2と示す)として、トリレンジイソシアネート(TDI)を使用した。TDIとしては、トリメチルプロパノール変性トリレンジイソシアネートを用いた。
試料42では、第1有機材料として、フェノキシ樹脂を使用し、第2有機材料として、メラミン樹脂を使用した。フェノキシ樹脂としては、末端にエポキシ基を持つ高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂であるフェノキシ樹脂を用いた。メラミン樹脂としては、アルキル化メラミン樹脂を用いた。
試料43では、第1有機材料として、フェノキシ樹脂を使用し、第2有機材料として、エポキシ樹脂を使用した。フェノキシ樹脂としては、末端にエポキシ基を持つ高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂であるフェノキシ樹脂を用いた。エポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂を用いた。硬化反応を進めるため、触媒として0.1%のイミダゾール触媒を添加した。
[判定方法]
試料41~43のフィルムコンデンサについて、判定1、2及び3の試験を実施した。判定1及び2の方法は、実施例1と同様であり、判定3の方法は、実施例3と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
表4より、誘電体樹脂フィルムの材料を変更した場合においても、実施例1及び実施例3と同様の結果が得られることが確認された。
(実施例5)
[フィルムコンデンサの作製]
表5に示す条件で試料51~55を作製した。
実施例5では、誘電体樹脂フィルムの材料及び厚みを変更したことを除いて、実施例1と同様にフィルムコンデンサを作製した。試料51~55では、誘電体樹脂フィルムの材料として熱可塑性樹脂を用いた。金属層の厚みは20nmとした。
[判定方法]
試料51~55のフィルムコンデンサについて、判定1の試験を実施した。判定1の方法は、実施例1と同様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
表5において、試料番号に*を付したものは、本発明の範囲外の比較例である。
表5より、誘電体樹脂フィルムの材料として熱可塑性樹脂を用いた場合においても、実施例1と同様の結果が得られることが確認された。
1 フィルムコンデンサ
11 第1の金属化フィルム
12 第2の金属化フィルム
21 第1の誘電体樹脂フィルム
22 第2の誘電体樹脂フィルム
31 第1の対向電極(第1の金属層)
32 第2の対向電極(第2の金属層)
41 第1の外部端子電極
42 第2の外部端子電極

Claims (15)

  1. 誘電体樹脂フィルムの一方の面に金属層が設けられた金属化フィルムを備えるフィルムコンデンサであって、
    前記金属化フィルムの熱膨張係数をα、前記金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とするフィルムコンデンサ。
  2. 前記α/αの値が1.1以上である請求項1に記載のフィルムコンデンサ。
  3. 前記α/αの値が4.3以下である請求項1に記載のフィルムコンデンサ。
  4. 前記α/αの値が1.3以上である請求項3に記載のフィルムコンデンサ。
  5. 前記誘電体樹脂フィルムの厚みは、0.5μmを超え、10μm未満である請求項1又は2に記載のフィルムコンデンサ。
  6. 前記誘電体樹脂フィルムの厚みは、2μm以上、6μm以下である請求項3又は4に記載のフィルムコンデンサ。
  7. 前記金属層の厚みは、5nm以上、40nm以下である請求項5又は6に記載のフィルムコンデンサ。
  8. 前記金属層は、アルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、スズ及びニッケルからなる群より選ばれるいずれか1種を含む請求項1~7のいずれか1項に記載のフィルムコンデンサ。
  9. 前記誘電体樹脂フィルムは、ウレタン結合及びユリア結合の少なくとも一方を有する樹脂を主成分として含む請求項8に記載のフィルムコンデンサ。
  10. 前記誘電体樹脂フィルムは、硬化性樹脂を主成分として含む請求項8又は9に記載のフィルムコンデンサ。
  11. 前記誘電体樹脂フィルムは、イソシアネート基及び水酸基の少なくとも一方を含む請求項8~10のいずれか1項に記載のフィルムコンデンサ。
  12. 前記誘電体樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を主成分として含む請求項8に記載のフィルムコンデンサ。
  13. 誘電体樹脂フィルムと、
    前記誘電体樹脂フィルムの一方の面に設けられた金属層と、を備える金属化フィルムであって、
    前記金属化フィルムの熱膨張係数をα、前記金属層の熱膨張係数をαとしたとき、α/αの値が5.1以下であることを特徴とする金属化フィルム。
  14. 前記α/αの値が1.1以上である請求項13に記載の金属化フィルム。
  15. 前記誘電体樹脂フィルムの厚みは、0.5μmを超え、10μm未満である請求項13又は14に記載の金属化フィルム。
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