WO2017188278A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017188278A1
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light emitting
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light
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祐治 大森
今井　貞人
宏希 平澤
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シチズン電子株式会社
シチズン時計株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • a COB (Chip On Board) light emitting device in which a light emitting element such as an LED (light emitting diode) element is mounted on a general-purpose substrate such as a ceramic substrate or a metal substrate is known.
  • the LED element is sealed with a translucent resin containing a phosphor, and the light from the LED element and the light obtained by exciting the phosphor with the light from the LED element are mixed.
  • white light or the like can be obtained depending on the application.
  • Patent Document 1 discloses a substrate on which conductor wiring is disposed, a light emitting element placed on the substrate, a light reflecting resin that is disposed around the light emitting element and reflects light from the light emitting element, and a conductor.
  • a light-emitting device having a conductive wire in which a wiring and a light-emitting element are electrically connected and at least a part of which is embedded in a light reflecting resin is described.
  • a convex lens-shaped sealing body is formed above the light emitting element with a light-transmitting resin, and light emitted from the light emitting element is condensed by this lens to improve luminance.
  • Patent Document 2 discloses a flat lead frame having a first lead and a second lead, a light emitting element placed on the first lead, a resin frame surrounding the periphery of the light emitting element, and a resin frame.
  • a light emitting device having a first sealing resin that is filled in and seals the light emitting element and a second sealing resin that covers the resin frame and the first sealing resin is described.
  • the lower end of the inner surface of the resin frame is disposed only on the first lead, and the second resin member covers at least a part of each of the first lead and the second lead on the outer side of the resin frame. Of the back surface of the lead, the region directly under the light emitting element is exposed.
  • the resin frame which becomes the wall portion of the sealing resin for sealing the light emitting element is disposed in the vicinity of the light emitting element, a part of the wire for electrically connecting the light emitting element is covered with the resin frame.
  • the resin frame is made of a relatively soft resin to prevent deformation and disconnection of the wire.
  • the resin frame has low resistance to mounting load applied when the light emitting device is mounted on another substrate, and the resin frame is pressed. Then, the built-in wire may be deformed or disconnected.
  • an object of the present invention is to provide a light emitting device in which a resin frame that becomes a wall portion of a sealing resin is difficult to be deformed.
  • a flat lead frame composed of first and second metal parts separated from each other with an insulating resin interposed therebetween, and the first and second metals mounted on the first metal part via wires
  • a sealing resin that fills a region on the lead frame surrounded by the first resin frame and seals the plurality of light emitting elements, and an outer peripheral side surface of the first resin frame at the outer peripheral end of the lead frame
  • a second resin frame having a hardness higher than that of the first resin frame.
  • the hardness of the first resin frame is preferably in the range of Shore A hardness 30 to 50, and the hardness of the second resin frame is preferably in the range of Shore D hardness 30 to 90.
  • the first resin frame is disposed so as to straddle the first metal portion and the second metal portion immediately above the insulating resin.
  • the resin frame that becomes the wall portion of the sealing resin is less likely to be deformed than in the case where the present configuration is not provided.
  • FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device 1.
  • FIG. (A) to (D) are a top view, a side view, a bottom view, and a cross-sectional view of the light emitting device 1, respectively.
  • (A) and (B) are a top view and a bottom view, respectively, showing the positional relationship between the lead frame 10 and the dam resin 30 in the light emitting device 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a connection relationship of LED elements 20 in the light emitting device 1.
  • 4 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of the light emitting device 1.
  • 3 is a perspective view of the light emitting device 2.
  • FIG. (A) to (D) are a top view, a side view, a bottom view, and a cross-sectional view of the light emitting device 2, respectively.
  • 4 is a diagram illustrating a connection relationship of LED elements 20 in the light emitting device 2.
  • FIG. (A) and (B) are a top view and a bottom view showing the positional relationship between the lead frame 10 and the dam resin 30 in the light emitting device 2, respectively.
  • FIG. 1 is a perspective view of the light emitting device 1.
  • 2A to 2D are a top view, a side view, a bottom view, and a cross-sectional view of the light emitting device 1, respectively.
  • FIG. 2D shows a cross section of the light-emitting device 1 along the line IID-IID in FIG.
  • the light emitting device 1 is an LED package that includes an LED element as a light emitting element and is used as a light source of various lighting devices.
  • the light emitting device 1 includes a lead frame 10, an LED element 20, a dam resin 30, a phosphor-containing resin 40, and an outer peripheral resin 50 as main components.
  • 3A and 3B are a top view and a bottom view showing the positional relationship between the lead frame 10 and the dam resin 30 in the light-emitting device 1, respectively.
  • the lead frame 10 is composed of a first metal part 11 and a second metal part 12 which are separated from each other with an insulating resin 13 interposed therebetween, and has, for example, a 6.5 mm square plate shape.
  • the lead frame 10 is manufactured by cutting out a collective substrate in which a plurality of first metal portions 11 and second metal portions 12 are connected and filled with an insulating resin 13 therebetween. 2B and 3A, the first metal portion 11 and the second metal portion 12 are replaced with another first metal portion 11 and the second metal portion 12 in the collective substrate state.
  • the connecting portions 11A and 12A connected to each other are shown.
  • the first metal part 11 and the second metal part 12 have a substantially rectangular shape, except for the connecting parts 11A and 12A.
  • the first metal part 11 has a mounting region on which the plurality of LED elements 20 are mounted, and as shown in FIGS. 2C and 3A, the first metal part 11 is more than the second metal part 12. large.
  • the material of the first metal part 11 and the second metal part 12 is preferably a metal excellent in heat resistance and heat dissipation, and is made of, for example, copper.
  • the first metal part 11 and the second metal part 12 function as a cathode electrode and an anode electrode of the light emitting device 1, respectively, and these are connected to an external power source to apply a voltage, whereby the light emitting device 1 Emits light.
  • the insulating resin 13 includes a straight portion between the first metal portion 11 and the second metal portion 12, and the first metal portion 11 and the second metal portion 12. It is provided in the outer peripheral part of the metal part 12, and electrically insulates the first metal part 11 and the second metal part 12.
  • a rectangular plate-like member composed of the first metal part 11, the second metal part 12, and the insulating resin 13 corresponds to the substrate of the light emitting device 1.
  • the insulating resin 13 for example, an epoxy resin is used.
  • the first metal part 11 is deeper by half etching. It has been scraped off.
  • a portion where half etching is performed is indicated by hatching.
  • a step 11B is provided at the end of the first metal portion 11 facing the second metal portion 12, and the portion of the step 11B is also filled with the insulating resin 13. Has been. In order to prevent a short circuit between the first metal part 11 and the second metal part 12, it is desired to widen the gap between them as much as possible.
  • the step 11B is provided for two conflicting reasons.
  • the LED element 20 is an example of a light emitting element, and is, for example, an element such as a gallium nitride compound semiconductor that emits light having a wavelength ranging from an ultraviolet region to a blue region.
  • the LED element 20 may be any semiconductor element generally called a light emitting diode, and the material and emission wavelength band are not particularly limited.
  • a total of 16 LED elements 20 of 4 vertical and 4 horizontal are arranged and mounted in a grid pattern.
  • the lower surface of each LED element 20 is fixed to the upper surface of the first metal part 11 with, for example, a transparent insulating adhesive.
  • the arrangement of the LED elements 20 may be different from that shown in the figure, but it is preferable to arrange the LED elements 20 in a square shape as shown in the figure in order to make the light emitting region as narrow as possible to make a point light source.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a connection relationship of the LED elements 20 in the light emitting device 1.
  • the LED element 20 has a pair of element electrodes on its upper surface. As shown in FIG. 4, the element electrodes of the adjacent LED elements 20 are electrically connected to each other by bonding wires 21 (hereinafter simply referred to as wires 21). ing.
  • the material of the wire 21 is, for example, gold, but may be another metal such as silver, copper, platinum, or aluminum, or an alloy thereof.
  • the 16 LED elements 20 are divided into four groups of four arranged in the horizontal direction in FIG. 4, and the four LED elements 20 of each group are connected in series. The group is connected in parallel to the first metal part 11 and the second metal part 12.
  • the wires 21 coming out from the LED elements 20 at the right end are connected to four pads C1 to C4 provided on the upper surface of the first metal part 11, respectively. Also, the wires 21 coming out of the leftmost LED elements 20 in FIG. 4 are connected to four pads A1 to A4 provided on the upper surface of the second metal portion 12, respectively. Thereby, when a voltage is applied between the first metal part 11 and the second metal part 12, a current is supplied to each LED element 20 via the wire 21.
  • the light emitting device 1 is provided with a protective element (zener diode) 25 for protecting the LED element 20.
  • the protection element 25 is connected in parallel with the LED element 20 between the first metal part 11 and the second metal part 12.
  • the protection element 25 is a pad provided on the upper surface of the first metal part 11.
  • Z2 and a pad Z1 provided on the upper surface of the second metal portion 12 are connected via a wire 21.
  • the protection element 25 protects the LED element 20 by bypassing the current when a voltage is applied to the LED element 20 in the reverse direction.
  • the dam resin 30 is an example of a first resin frame, has a square shape, and is disposed on the lead frame 10 so as to surround the 16 LED elements 20.
  • the dam resin 30 is provided to prevent the resin filled as the phosphor-containing resin 40 from flowing out.
  • the dam resin 30 is a white resin having light reflectivity, and the light emitted from the LED element 20 to the side is above the light emitting device 1 (on the side opposite to the lead frame 10 when viewed from the LED element 20).
  • the dam resin 30 is configured by mixing, for example, titanium oxide or aluminum oxide as a reflecting member in an epoxy resin or a silicone resin.
  • the inner end portion of the dam resin 30 is disposed in the vicinity of the LED element 20 in order to narrow the light emitting region, so that the pads C1 to C4 and the pads A1 to A4 shown in FIG. 30 is disposed below. Therefore, a part of the wire 21 connected to the pads C1 to C4 or the pads A1 to A4 is embedded in the dam resin 30.
  • the center line 31 of the dam resin 30 is placed on the insulating resin 13 in a portion of the dam resin 30 that extends in parallel with the longitudinal direction of the second metal portion 12. ing. Therefore, the dam resin 30 is disposed across the first metal part 11 and the second metal part 12 immediately above the insulating resin 13.
  • the inner end of the dam resin 30 may be disposed immediately above the insulating resin 13.
  • the first metal part 11, the second metal part 12, and the insulating resin 13 are arranged immediately below the dam resin 30 so that the joint between the first metal part 11 and the second metal part 12 is provided. This is preferable because the insulating resin 13 can be reinforced with the dam resin 30.
  • the phosphor-containing resin 40 is an example of a sealing resin, and is filled in a region on the first metal part 11 surrounded by the dam resin 30 so that the entire 16 LED elements 20 and the wires 21 are integrated. Cover and protect (seal).
  • the phosphor-containing resin 40 has a substantially rectangular plate shape in the illustrated example, and is fixed on the lead frame 10 by the dam resin 30.
  • a colorless and transparent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, particularly a resin having a heat resistance of about 250 ° C. may be used.
  • the phosphor-containing resin 40 phosphors that convert the wavelength of the emitted light from each LED element 20 are dispersed and mixed.
  • the phosphor-containing resin 40 may contain a yellow phosphor as the phosphor described above.
  • the yellow phosphor is a particulate phosphor material such as YAG (yttrium aluminum garnet) that absorbs blue light emitted from the LED element 20 and converts the wavelength into yellow light.
  • the light emitting device 1 emits white light by mixing the blue light from the LED element 20 that is a blue LED and the yellow light obtained by exciting the yellow phosphor thereby.
  • the phosphor-containing resin 40 may contain a plurality of types of phosphors.
  • the phosphor-containing resin 40 may contain a green phosphor and a red phosphor.
  • the green phosphor is a particulate phosphor material such as (BaSr) 2 SiO 4 : Eu 2+ that absorbs blue light emitted from the LED element 20 and converts the wavelength into green light.
  • the red phosphor is a particulate phosphor material such as CaAlSiN 3 : Eu 2+ that absorbs blue light emitted from the LED element 20 and converts the wavelength into red light.
  • the light emitting device 1 mixes the blue light from the LED element 20 that is a blue LED with the green light and the red light obtained by exciting the green phosphor and the red phosphor thereby white light. Is emitted.
  • the outer peripheral resin 50 is an example of a second resin frame, and covers the outer peripheral side surface of the dam resin 30 at the outer peripheral end portion of the lead frame 10. More specifically, the outer peripheral resin 50 is a square frame surrounding the dam resin 30, and the inner side surface of the outer peripheral resin 50 is in close contact with the outer peripheral side surface of the dam resin 30.
  • the lateral size of the outer peripheral resin 50 is the same as the outer peripheral size of the insulating resin 13 provided on the lead frame 10, and the outer peripheral side surface of the outer peripheral resin 50 corresponds to the outer peripheral side surface of the light emitting device 1. Further, the height of the outer peripheral resin 50 is substantially the same as the height of the dam resin 30.
  • the outer peripheral resin 50 is also a white resin having light reflectivity, and is configured by mixing, for example, titanium oxide or aluminum oxide as a reflecting member in an epoxy resin or a silicone resin, as with the dam resin 30.
  • the number of the LED elements 20 is as small as 4 ⁇ 4, and the diameter of the dam resin 30 is relatively small. Therefore, the outer peripheral resin 50 is provided for reinforcing the package. Since the outer peripheral resin 50 is disposed on the outer peripheral side of the lead frame 10 with respect to the pads C1 to C4 and the pads A1 to A4, the wire 21 is not embedded in the outer peripheral resin 50.
  • the dam resin 30 and the phosphor-containing resin 40 are preferably relatively soft resins in order to prevent disconnection of the built-in wire 21.
  • the hardness of the dam resin 30 is higher than the hardness of the phosphor-containing resin 40.
  • the hardness of the dam resin 30 is preferably in the range of Shore A hardness 30-50.
  • the hardness of the outer peripheral resin 50 is higher than the hardness of the dam resin 30. That is, in the light emitting device 1, the hardness of the phosphor-containing resin 40, the dam resin 30 and the outer peripheral resin 50 increases in this order. As described above, since the dam resin 30 is a relatively soft resin, when the dam resin 30 is pressed when the light emitting device 1 is mounted on another substrate, the built-in wire 21 is deformed or disconnected. There is a risk that. However, in the light emitting device 1, for example, when the light emitting device 1 is picked up by a die collet, the outer peripheral resin 50 is adsorbed, and if the mounting load is applied on the outer peripheral resin 50, the outer peripheral resin 50 acts as a stopper. Deformation is suppressed.
  • the hardness of the outer peripheral resin 50 is set so as to be able to withstand the actual mounting load, but is preferably in the range of Shore D hardness 30 to 90, for example.
  • the mounting area on the first metal part 11 inside the dam resin 30 has a size of about 3 mm square, and each LED element 20 has a size of about 0.7 mm square.
  • the connecting material used for board mounting is conductive. Therefore, the LED elements cannot be brought into close contact with each other, so that a cross gap is formed at the center of the mounting area. For this reason, the amount of light from the LED element supplied to the phosphor in the central portion is reduced, and thereby the amount of radiated light from the central portion of the package is also reduced.
  • the LED element is mounted on a CSP (Chip Size Package)
  • the phosphor is arranged in the LED element itself, there is no phosphor in the central portion of the package, and the reduction in the amount of light becomes more remarkable.
  • the connecting material between the LED element 20 and the substrate may be an insulating material, and the relatively small LED element 20 is less than 0.1 mm. They can be placed close together at a pitch. Therefore, the amount of light in the central portion of the light emitting region does not decrease, and light can be emitted almost uniformly over the entire light emitting region.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of the light emitting device 1.
  • an aggregate substrate in which a plurality of lead frames 10 are connected is manufactured (S1).
  • 16 LED elements 20 are mounted by die bonding on each lead frame 10 provided on the collective substrate (S2), and the LED elements 20 are electrically connected by wires 21. (S3).
  • a dam resin 30 is formed on each lead frame 10 so as to surround the LED elements 20 (S4), and a mounting region surrounded by the dam resin 30 is filled with the phosphor-containing resin 40, The wire 21 is sealed (S5). Thereafter, the outer peripheral resin 50 is formed around the dam resin 30 on each lead frame 10 (S6). As described above, when the outer peripheral resin 50 is formed after the phosphor-containing resin 40 is first filled, the warping of the lead frame 10 when the LED element is mounted is less than when the order is reversed. preferable. Finally, the collective substrate is cut at the connecting portions 11A and 12A of the first metal portion 11 and the second metal portion 12 to obtain individual light emitting devices 1 (S7). This completes the manufacturing process of the light emitting device 1.
  • FIG. 6 is a perspective view of the light emitting device 2.
  • 7A to 7D are a top view, a side view, a bottom view, and a cross-sectional view of the light emitting device 2, respectively.
  • FIG. 7D shows a cross section of the light-emitting device 2 taken along the line VIID-VIID in FIG.
  • the light emitting device 2 includes a lead frame 10, an LED element 20, a dam resin 30, a phosphor-containing resin 40, and a lens resin 60 as main components.
  • the light emitting device 2 is an LED package for illumination similar to the light emitting device 1, but is different from the light emitting device 1 in that it does not have the outer peripheral resin 50 and has a lens resin 60 instead.
  • the light emitting device 2 is different from the light emitting device 1 in that the light emitting device 2 has 20 LED elements 20 that are larger than those of the light emitting device 1.
  • the light emitting device 2 will be described with a focus on differences from the light emitting device 1, and description of points that are common to the light emitting device 1 will be omitted.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a connection relationship of the LED elements 20 in the light emitting device 2.
  • a total of 20 LED elements 20, 5 in length and 4 in width are arranged in a grid (square shape) on the first metal portion 11 of the lead frame 10.
  • the LED elements 20 of the light-emitting device 2 are divided into four groups of four arranged side by side in FIG. 8, and the four LED elements 20 of each group are connected in series, and the five groups are the first metal.
  • the part 11 and the second metal part 12 are connected in parallel.
  • the light emitting region is preferably square rather than rectangular. If the distance between the vertical and horizontal LED elements 20 is adjusted, the light emitting area as a package can be made square. By mounting a plurality of small LED elements, the shape of the light emitting region can be flexibly changed.
  • the wires 21 coming out from the LED elements 20 at the right end in FIG. 8 are connected to five pads C1 to C5 provided on the upper surface of the first metal part 11, respectively. Further, the wire 21 coming out from each LED element 20 at the left end in FIG. 8 is connected to five pads A1 to A5 provided on the upper surface of the second metal portion 12, respectively. Thereby, when a voltage is applied between the first metal part 11 and the second metal part 12, a current is supplied to each LED element 20 via the wire 21. Also in the light emitting device 2, the protective element 25 is connected to the pads Z ⁇ b> 2 and Z ⁇ b> 1 provided on the upper surfaces of the first metal part 11 and the second metal part 12 via the wires 21.
  • FIG. 9A and 9B are a top view and a bottom view showing the positional relationship between the lead frame 10 and the dam resin 30 in the light emitting device 2, respectively.
  • the pads C1 to C5 and the pads A1 to A5 shown in FIG. 8 are arranged under the dam resin 30, and a part of the wire 21 connected to these pads is attached to the dam resin 30. Embedded.
  • the center line 31 of the dam resin 30 is the second The inner end portion of the dam resin 30 overlaps the boundary between the first metal portion 11 and the insulating resin 13. For this reason, the dam resin 30 does not straddle the first metal part 11 and the second metal part 12 in the portion extending in parallel with the longitudinal direction of the second metal part 12, and the second metal part 12 and It is disposed on the insulating resin 13.
  • the lens resin 60 is a substantially hemispherical member disposed on the dam resin 30 and the phosphor-containing resin 40, and is formed by injection molding using a transparent resin such as a silicone resin.
  • the material of the lens resin 60 is preferably one that closely adheres to the dam resin 30 and the phosphor-containing resin 40 so that air does not enter between the dam resin 30 and the phosphor-containing resin 40. It is good that they are the same resin.
  • the lens resin 60 has an outer peripheral portion 61 that is formed integrally with the hemispherical lens portion and covers the outer peripheral side surface of the dam resin 30. That is, in the light emitting device 2, the outer peripheral portion 61 of the lens resin 60 corresponds to the outer peripheral resin 50 of the light emitting device 1.
  • the lateral size of the outer peripheral portion 61 is the same as the outer peripheral size of the insulating resin 13 provided on the lead frame 10, and the outer peripheral side surface of the outer peripheral portion 61 corresponds to the outer peripheral side surface of the light emitting device 2.
  • the lens resin 60 is designed so that the reflection loss due to the light emitted from the LED element 20 being reflected inward at the interface of the lens resin 60 is minimized. That is, the lens resin 60 is designed with a radius of curvature at which light emitted from the LED element 20 enters the lens interface at a right angle. However, since the lens resin 60 becomes too large with respect to the size of the entire package at this radius of curvature, the lens resin 60 is aligned with each side of the rectangular mounting region of the LED element 20 surrounded by the dam resin 30. Four D-cut surfaces 62 are formed.
  • the D-cut surface 62 In order to suppress the reflection loss on the D-cut surface 62, it is preferable that light is emitted from the LED element 20 at an angle that is a little closer to the right angle than the critical angle. This is realized by inclining the D-cut surface 62 toward the LED element 20 with respect to the vertical plane.
  • the inclination angle ⁇ between the D-cut surface 62 and the vertical surface shown in FIG. 7B is, for example, 3 degrees.
  • the magnitude of the inclination angle ⁇ is such that the incident angle of light from the LED element 20 to the D-cut surface 62 is smaller than the critical angle determined by the material of the lens resin 60, and light passes outside the lens resin 60 through the D-cut surface 62. It is determined to be emitted.
  • the amount of light that is emitted from the LED element 20 is reflected inward by the outer peripheral surface of the lens resin 60, and the emitted light is reduced. Since the light can be emitted to the outside of the lens resin 60, the light extraction efficiency is improved.
  • the manufacturing process of the light emitting device 2 is the same as the manufacturing process of the light emitting device 1 except that the formation of the outer peripheral resin 50 in S6 in FIG.
  • the lens resin 60 is collectively formed on the plurality of light emitting devices 2 on the collective substrate using a mold in which four D-cut surfaces 62 are formed.
  • a step 63 is formed in the lens resin 60 at a portion where each D-cut surface 62 and the outer peripheral portion 61 are in contact with each other.
  • the step 63 is formed when the collective substrate is cut for each package (light emitting device 2) in the final stage of the manufacturing process of the light emitting device 2. If the lens resin 60 and the collective substrate are cut at the same time, the step 63 does not appear. However, in this case, the area of the cut portion increases, so that stress is applied to the light-emitting device 2 at the time of cutting, and cracks may occur.
  • the light emitting device 2 when the light emitting device 2 is manufactured, only the lower part from the outer peripheral portion 61 is cut without cutting the D cut surface 62, the outer peripheral portion 61, and the connecting portions 11A and 12A of the lead frame 10 at once.
  • the area of the cut portion becomes relatively small, and the generation of cracks is suppressed.
  • the lens resin 60 is molded with a mold, stress at the time of cutting is not applied to the lens portion, and there is an effect that the adhesion between the collective substrate and the lens is not deteriorated.

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Abstract

封止樹脂の壁部となる樹脂枠が変形し難い発光装置を提供する。発光装置は、絶縁樹脂を間に挟んで互いに隔てられた第１および第２の金属部で構成された平板状のリードフレームと、第１の金属部に実装され、ワイヤを介して第１および第２の金属部に電気的に接続された複数の発光素子と、複数の発光素子を取り囲むようにリードフレーム上に配置された第１の樹脂枠と、複数の発光素子からの出射光の波長を変換する蛍光体を含有し、第１の樹脂枠で囲まれるリードフレーム上の領域に充填されて複数の発光素子を封止する封止樹脂と、リードフレームの外周端部において第１の樹脂枠の外周側面を覆い、第１の樹脂枠よりも硬度が高い第２の樹脂枠とを有する。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　セラミック基板または金属基板などの汎用基板の上にＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子が実装されたＣＯＢ（Chip On Board）の発光装置が知られている。こうした発光装置では、蛍光体を含有する透光性の樹脂によりＬＥＤ素子を封止し、ＬＥＤ素子からの光と、ＬＥＤ素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光とを混合させることにより、用途に応じて白色光などが得られる。
　例えば、特許文献１には、導体配線が配された基板と、基板上に載置された発光素子と、発光素子の周囲に配され、発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、導体配線と発光素子とを導通させ、少なくとも一部が光反射樹脂に埋設されている導電性ワイヤとを有する発光装置が記載されている。
　また、こうした発光装置の中には、光透過性の樹脂で発光素子の上方に凸レンズ形状の封止体を形成し、このレンズにより発光素子からの出射光を集光させて輝度を向上させたものもある（例えば、特許文献２～４を参照）。
　例えば、特許文献２には、第一リードおよび第二リードを有する平板状のリードフレームと、第一リード上に載置された発光素子と、発光素子の周囲を取り囲む樹脂枠と、樹脂枠内に充填され発光素子を封止する第一封止樹脂と、樹脂枠および第一封止樹脂を覆う第二封止樹脂とを有する発光装置が記載されている。この発光装置では、樹脂枠の内面の下端は第一リード上のみに配置され、第二樹脂部材は、樹脂枠の外側において、第一リードと第二リードのそれぞれ少なくとも一部を覆い、第一リードの裏面のうち、発光素子の直下の領域が露出している。
特開２００９－１６４１５７号公報 特開２０１４－２０９６０２号公報 特開２０１０－１８６８１４号公報 特開平１０－２６１８２１号公報
　点光源として使用できる発光装置を実現するためには、発光領域を極力狭くして、複数の発光素子を高密度に実装する必要がある。この場合、発光素子を封止する封止樹脂の壁部となる樹脂枠が発光素子の近傍に配置されるので、発光素子を電気的に接続するワイヤの一部は樹脂枠によって覆われる。樹脂枠はワイヤの変形や断線を防ぐために比較的柔らかい樹脂で形成されるので、例えば発光装置が他の基板に実装されるときに掛けられる実装荷重などへの耐性が弱く、樹脂枠が押圧されると、内蔵するワイヤが変形したり断線したりする恐れがある。
　そこで、本発明は、封止樹脂の壁部となる樹脂枠が変形し難い発光装置を提供することを目的とする。
　絶縁樹脂を間に挟んで互いに隔てられた第１および第２の金属部で構成された平板状のリードフレームと、第１の金属部に実装され、ワイヤを介して第１および第２の金属部に電気的に接続された複数の発光素子と、複数の発光素子を取り囲むようにリードフレーム上に配置された第１の樹脂枠と、複数の発光素子からの出射光の波長を変換する蛍光体を含有し、第１の樹脂枠で囲まれるリードフレーム上の領域に充填されて複数の発光素子を封止する封止樹脂と、リードフレームの外周端部において第１の樹脂枠の外周側面を覆い、第１の樹脂枠よりも硬度が高い第２の樹脂枠とを有することを特徴とする発光装置が提供される。
　上記の発光装置では、第１の樹脂枠の硬度はショアＡ硬度３０～５０の範囲内であり、第２の樹脂枠の硬度はショアＤ硬度３０～９０の範囲内であることが好ましい。
　上記の発光装置では、第１の樹脂枠は、絶縁樹脂の直上において第１の金属部と第２の金属部に跨って配置されていることが好ましい。
　上記の発光装置によれば、本構成を有しない場合と比べて、封止樹脂の壁部となる樹脂枠が変形し難い。
発光装置１の斜視図である。 （Ａ）～（Ｄ）は、それぞれ、発光装置１の上面図、側面図、底面図および断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、発光装置１におけるリードフレーム１０とダム樹脂３０の位置関係を示す上面図および底面図である。 発光装置１におけるＬＥＤ素子２０の接続関係を示す図である。 発光装置１の製造工程の例を示すフローチャートである。 発光装置２の斜視図である。 （Ａ）～（Ｄ）は、それぞれ、発光装置２の上面図、側面図、底面図および断面図である。 発光装置２におけるＬＥＤ素子２０の接続関係を示す図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、発光装置２におけるリードフレーム１０とダム樹脂３０の位置関係を示す上面図および底面図である。
　以下、図面を参照して、発光装置について詳細に説明する。ただし、本発明は図面または以下に記載される実施形態には限定されないことを理解されたい。
　図１は、発光装置１の斜視図である。図２（Ａ）～図２（Ｄ）は、それぞれ、発光装置１の上面図、側面図、底面図および断面図である。図２（Ｄ）は、図２（Ａ）のＩＩＤ－ＩＩＤ線に沿った発光装置１の断面を示す。発光装置１は、発光素子としてＬＥＤ素子を含み、各種の照明装置の光源として利用されるＬＥＤパッケージである。発光装置１は、主要な構成要素として、リードフレーム１０、ＬＥＤ素子２０、ダム樹脂３０、蛍光体含有樹脂４０および外周樹脂５０を有する。
　図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、それぞれ、発光装置１におけるリードフレーム１０とダム樹脂３０の位置関係を示す上面図および底面図である。リードフレーム１０は、絶縁樹脂１３を間に挟んで互いに隔てられた第１の金属部１１および第２の金属部１２で構成され、一例として、６．５ｍｍ角の平板状の形状を有する。リードフレーム１０は、第１の金属部１１および第２の金属部１２が複数個連結されて間に絶縁樹脂１３が充填された集合基板を切り出して作製される。図２（Ｂ）および図３（Ａ）には、集合基板の状態のときに第１の金属部１１および第２の金属部１２を別の第１の金属部１１および第２の金属部１２にそれぞれ連結していた連結部１１Ａ，１２Ａが示されている。
　第１の金属部１１および第２の金属部１２は、連結部１１Ａ，１２Ａを除けば、それぞれほぼ矩形の形状を有する。第１の金属部１１は、その上面に複数のＬＥＤ素子２０が実装される実装領域を有し、図２（Ｃ）および図３（Ａ）に示すように、第２の金属部１２よりも大きい。第１の金属部１１および第２の金属部１２の材質は、耐熱性と放熱性に優れた金属であることが好ましく、例えば銅で構成される。第１の金属部１１および第２の金属部１２は、それぞれ、発光装置１のカソード電極およびアノード電極として機能し、これらが外部電源に接続されて電圧が印加されることによって、発光装置１は発光する。
　絶縁樹脂１３は、図２（Ｃ）および図３（Ａ）に示すように、第１の金属部１１と第２の金属部１２の間の直線部分ならびに第１の金属部１１および第２の金属部１２の外周部分に設けられており、第１の金属部１１と第２の金属部１２を電気的に絶縁する。第１の金属部１１、第２の金属部１２および絶縁樹脂１３で構成される矩形の平板状の部材が、発光装置１の基板に相当する。絶縁樹脂１３としては、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
　図３（Ｂ）に示すように、リードフレーム１０の底面において、第２の金属部１２に面する第１の金属部１１の端部では、ハーフエッチングにより、第１の金属部１１が一段深く削り取られている。図３（Ｂ）では、ハーフエッチングが行われる部分を斜線で示している。これにより、図２（Ｄ）に示すように、第２の金属部１２に面する第１の金属部１１の端部には段差１１Ｂが設けられ、段差１１Ｂの部分にも絶縁樹脂１３が充填されている。第１の金属部１１と第２の金属部１２の間の短絡を防ぐために両者の間隔をなるべく広げたいが、第１の金属部１１の上面におけるＬＥＤ素子２０の実装領域をなるべく広く確保したいという相反する２つの理由により、段差１１Ｂは設けられる。
　ＬＥＤ素子２０は、発光素子の一例であり、例えば、紫外域から青色領域にわたる波長の光を出射する窒化ガリウム系化合物半導体などの素子である。ただし、ＬＥＤ素子２０は、一般に発光ダイオードと呼ばれる半導体素子であればどのようなものでもよく、その材質および発光波長帯域は特に限定されない。発光装置１では、一例として、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示すように、縦４個、横４個の計１６個のＬＥＤ素子２０が格子状に配列して実装されている。各ＬＥＤ素子２０の下面は、例えば透明な絶縁性の接着剤などにより、第１の金属部１１の上面に固定されている。ＬＥＤ素子２０の配列は図示したものとは異なっていてもよいが、発光領域をできるだけ狭くして点光源化するためには、図示した通りにＬＥＤ素子２０を正方形状に配置することが好ましい。
　図４は、発光装置１におけるＬＥＤ素子２０の接続関係を示す図である。ＬＥＤ素子２０は上面に一対の素子電極を有し、図４に示すように、隣接するＬＥＤ素子２０の素子電極は、ボンディングワイヤ２１（以下、単にワイヤ２１という）により相互に電気的に接続されている。ワイヤ２１の材質は、例えば金であるが、銀、銅、白金もしくはアルミニウムなどの他の金属またはそれらの合金であってもよい。発光装置１では、一例として、１６個のＬＥＤ素子２０は、図４の横方向に並ぶ４個ずつの４グループに分けられ、各グループの４個のＬＥＤ素子２０はそれぞれ直列に接続され、４グループは、第１の金属部１１と第２の金属部１２に並列に接続されている。
　図４における右端の各ＬＥＤ素子２０から出たワイヤ２１は、第１の金属部１１の上面に設けられた４個のパッドＣ１～Ｃ４にそれぞれ接続されている。また、図４における左端の各ＬＥＤ素子２０から出たワイヤ２１は、第２の金属部１２の上面に設けられた４個のパッドＡ１～Ａ４にそれぞれ接続されている。これにより、第１の金属部１１と第２の金属部１２の間に電圧が印加されると、各ＬＥＤ素子２０には、ワイヤ２１を介して電流が供給される。
　なお、図４に示すように、発光装置１には、ＬＥＤ素子２０を保護するための保護素子（ツェナーダイオード）２５が設けられている。保護素子２５は、第１の金属部１１と第２の金属部１２の間にＬＥＤ素子２０と並列に接続されており、具体的には、第１の金属部１１の上面に設けられたパッドＺ２と第２の金属部１２の上面に設けられたパッドＺ１に、ワイヤ２１を介して接続されている。これにより、保護素子２５は、ＬＥＤ素子２０に逆方向に電圧がかけられたときに電流をバイパスさせて、ＬＥＤ素子２０を保護する。
　ダム樹脂３０は、第１の樹脂枠の一例であり、ロの字型の形状を有し、１６個のＬＥＤ素子２０を取り囲むようにリードフレーム１０の上に配置されている。ダム樹脂３０は、蛍光体含有樹脂４０として充填された樹脂の流出しを防止するために設けられる。また、ダム樹脂３０は、光反射性を有する白色の樹脂であり、ＬＥＤ素子２０から側方に出射された光を、発光装置１の上方（ＬＥＤ素子２０から見てリードフレーム１０とは反対側）に向けて反射させる。ダム樹脂３０は、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などに、反射部材として酸化チタンまたは酸化アルミニウムなどを混入させて構成される。
　発光装置１では、発光領域を狭くするためにダム樹脂３０の内側端部がＬＥＤ素子２０の近傍に配置されているので、図４に示したパッドＣ１～Ｃ４およびパッドＡ１～Ａ４は、ダム樹脂３０の下に配置されている。このため、パッドＣ１～Ｃ４またはパッドＡ１～Ａ４に接続されるワイヤ２１の一部は、ダム樹脂３０に埋め込まれている。
　図３（Ａ）に示すように、発光装置１では、ダム樹脂３０のうちで第２の金属部１２の長手方向と平行に延びる部分において、ダム樹脂３０の中心線３１は絶縁樹脂１３に載っている。このため、ダム樹脂３０は、絶縁樹脂１３の直上において、第１の金属部１１と第２の金属部１２に跨って配置されている。図示した例とは異なり、例えばダム樹脂３０の内側端部は、絶縁樹脂１３の直上に配置されていてもよい。ただし、ダム樹脂３０の真下に第１の金属部１１、第２の金属部１２および絶縁樹脂１３の３つが配置されている方が、第１の金属部１１と第２の金属部１２のつなぎ目である絶縁樹脂１３をダム樹脂３０で補強できるので好ましい。
　蛍光体含有樹脂４０は、封止樹脂の一例であり、ダム樹脂３０で囲まれる第１の金属部１１上の領域に充填されて、１６個のＬＥＤ素子２０およびワイヤ２１の全体を一体的に被覆し保護（封止）する。蛍光体含有樹脂４０は、図示した例ではほぼ矩形の板状の形状を有し、ダム樹脂３０によりリードフレーム１０上に固定されている。蛍光体含有樹脂４０としては、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などの無色かつ透明な樹脂を、特に２５０℃程度の耐熱性がある樹脂を使用するとよい。
　蛍光体含有樹脂４０には、各ＬＥＤ素子２０からの出射光の波長を変換する蛍光体が分散混入されている。例えば、ＬＥＤ素子２０として青色光を出射する青色ＬＥＤを使用する場合には、蛍光体含有樹脂４０は、上記の蛍光体として黄色蛍光体を含有するとよい。黄色蛍光体は、ＬＥＤ素子２０が出射した青色光を吸収して黄色光に波長変換する、例えばＹＡＧ（yttrium aluminum garnet）などの粒子状の蛍光体材料である。この場合、発光装置１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子２０からの青色光と、それによって黄色蛍光体を励起させて得られる黄色光とを混合させることで、白色光を出射する。
　あるいは、蛍光体含有樹脂４０は、複数種類の蛍光体を含有してもよい。例えば、ＬＥＤ素子２０として青色ＬＥＤを使用する場合には、蛍光体含有樹脂４０は、緑色蛍光体と赤色蛍光体を含有してもよい。緑色蛍光体は、ＬＥＤ素子２０が出射した青色光を吸収して緑色光に波長変換する、例えば（ＢａＳｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋などの粒子状の蛍光体材料である。赤色蛍光体は、ＬＥＤ素子２０が出射した青色光を吸収して赤色光に波長変換する、例えばＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋などの粒子状の蛍光体材料である。この場合、発光装置１は、青色ＬＥＤであるＬＥＤ素子２０からの青色光と、それによって緑色蛍光体および赤色蛍光体を励起させて得られる緑色光および赤色光とを混合させることで、白色光を出射する。
　外周樹脂５０は、第２の樹脂枠の一例であり、リードフレーム１０の外周端部においてダム樹脂３０の外周側面を覆っている。より詳細には、外周樹脂５０は、ダム樹脂３０を取り囲むロの字型の枠体であり、外周樹脂５０の内側側面は、ダム樹脂３０の外周側面に密着している。外周樹脂５０の横方向の大きさは、リードフレーム１０に設けられた絶縁樹脂１３の外周の大きさと同じであり、外周樹脂５０の外周側面は、発光装置１の外周側面に相当する。また、外周樹脂５０の高さは、ダム樹脂３０の高さとほぼ同じである。
　外周樹脂５０も、光反射性を有する白色の樹脂であり、ダム樹脂３０と同様に、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などに、反射部材として酸化チタンまたは酸化アルミニウムなどを混入させて構成される。発光装置１では、ＬＥＤ素子２０の個数が４×４個と少なく、ダム樹脂３０の径が比較的小さいので、外周樹脂５０はパッケージの補強用に設けられている。なお、外周樹脂５０はパッドＣ１～Ｃ４およびパッドＡ１～Ａ４よりもリードフレーム１０の外周側に配置されているため、ワイヤ２１は外周樹脂５０には埋め込まれていない。
　ダム樹脂３０および蛍光体含有樹脂４０は、内蔵するワイヤ２１の断線を防ぐために、比較的柔らかい樹脂であることが好ましい。ただし、ダム樹脂３０はパッケージの枠体として機能するため、ダム樹脂３０の硬度は、蛍光体含有樹脂４０の硬度よりも高い。具体的には、ダム樹脂３０の硬度は、ショアＡ硬度３０～５０の範囲内であることが好ましい。
　また、外周樹脂５０の硬度は、ダム樹脂３０の硬度よりも高い。すなわち、発光装置１では、蛍光体含有樹脂４０、ダム樹脂３０および外周樹脂５０の硬度は、この順に高くなる。上記の通り、ダム樹脂３０は比較的柔らかい樹脂であるため、発光装置１が他の基板に実装されるときに、ダム樹脂３０が押圧されると、内蔵するワイヤ２１が変形したり、断線したりする恐れがある。しかしながら、発光装置１では、例えば、ダイコレットによる発光装置１のピックアップ時には外周樹脂５０を吸着し、実装荷重も外周樹脂５０の上に掛ければ、外周樹脂５０がストッパとして働くので、ダム樹脂３０の変形が抑制される。外周樹脂５０の硬度は、実際の実装荷重に耐えられるように設定されるが、例えば、ショアＤ硬度３０～９０の範囲内であることが好ましい。
　また、発光装置１では、ダム樹脂３０の内側における第１の金属部１１上の実装領域は３ｍｍ角程度の大きさを有し、各ＬＥＤ素子２０は０．７ｍｍ角程度の大きさを有する。仮に、同じ大きさの実装領域に、ＬＥＤ素子２０の２倍の大きさのＬＥＤ素子を４個、フリップチップ実装で４角形状に配置したとすると、基板実装に使用される接続材は導電性であるためＬＥＤ素子同士を密着させられないので、実装領域の中央に十字の隙間ができる。このため、中央部分の蛍光体に供給されるＬＥＤ素子からの光量が低下し、これによってパッケージの中央部分からの放射光量も低下する。ＬＥＤ素子をＣＳＰ（Chip Size Package）実装する場合には、ＬＥＤ素子自体に蛍光体が配置されているため、パッケージの中央部分に蛍光体がなく、光量の低下はより顕著になる。
　一方、発光装置１では、ＬＥＤ素子２０と基板をワイヤ２１で電気的に接続させるため、ＬＥＤ素子２０と基板との接続材は絶縁材でよく、比較的小さなＬＥＤ素子２０を０．１ｍｍ未満のピッチで近接して配置することができる。よって、発光領域の中央部分の光量が低下することはなく、発光領域の全体でほぼ均等に光を出射させることが可能である。
　図５は、発光装置１の製造工程の例を示すフローチャートである。発光装置１の製造時には、まず、リードフレーム１０が複数連結された集合基板が作製される（Ｓ１）。この集合基板に設けられた各リードフレーム１０の上に、図４に示したように、ＬＥＤ素子２０が１６個ずつダイボンドで実装され（Ｓ２）、ＬＥＤ素子２０同士がワイヤ２１で電気的に接続される（Ｓ３）。
　次に、各リードフレーム１０上で、ＬＥＤ素子２０を取り囲むようにダム樹脂３０が形成され（Ｓ４）、ダム樹脂３０により囲まれる実装領域に蛍光体含有樹脂４０が充填されて、ＬＥＤ素子２０とワイヤ２１が封止される（Ｓ５）。その後、各リードフレーム１０上で、ダム樹脂３０の周囲に外周樹脂５０が形成される（Ｓ６）。上記の通り、蛍光体含有樹脂４０を先に充填してから外周樹脂５０を形成する方が、それらの順序を逆にした場合よりも、ＬＥＤ素子実装時のリードフレーム１０の反りが少なくなるので好ましい。最後に、第１の金属部１１および第２の金属部１２の連結部１１Ａ，１２Ａで集合基板を切断することで、個々の発光装置１が得られる（Ｓ７）。以上で、発光装置１の製造工程は終了する。
　図６は、発光装置２の斜視図である。図７（Ａ）～図７（Ｄ）は、それぞれ、発光装置２の上面図、側面図、底面図および断面図である。図７（Ｄ）は、図７（Ａ）のＶＩＩＤ－ＶＩＩＤ線に沿った発光装置２の断面を示す。
　発光装置２は、主要な構成要素として、リードフレーム１０、ＬＥＤ素子２０、ダム樹脂３０、蛍光体含有樹脂４０およびレンズ樹脂６０を有する。発光装置２は、発光装置１と同様の照明用のＬＥＤパッケージであるが、外周樹脂５０を有しておらず、代わりにレンズ樹脂６０を有する点が発光装置１とは異なる。また、発光装置２は、発光装置１よりも多い２０個のＬＥＤ素子２０を有する点が発光装置１とは異なる。以下では、発光装置２について、発光装置１とは異なる点を中心に説明し、発光装置１と共通する点については説明を省略する。
　図８は、発光装置２におけるＬＥＤ素子２０の接続関係を示す図である。発光装置２では、一例として、図８に示すように、縦５個、横４個の計２０個のＬＥＤ素子２０が、リードフレーム１０の第１の金属部１１上に格子状（正方形状）に配列して実装されている。発光装置２のＬＥＤ素子２０は、図８の横方向に並ぶ４個ずつの５グループに分けられ、各グループの４個のＬＥＤ素子２０はそれぞれ直列に接続され、５グループは、第１の金属部１１と第２の金属部１２に並列に接続されている。この場合、光学特性を鑑みると、発光領域は長方形よりも正方形であることが好ましい。縦横のＬＥＤ素子２０同士の間隔を調整すれば、パッケージとしての発光領域を正方形にすることができる。小さなＬＥＤ素子を複数実装することで、発光領域の形状を柔軟に変更することもできる。
　発光装置２では、図８における右端の各ＬＥＤ素子２０から出たワイヤ２１は、第１の金属部１１の上面に設けられた５個のパッドＣ１～Ｃ５にそれぞれ接続されている。また、図８における左端の各ＬＥＤ素子２０から出たワイヤ２１は、第２の金属部１２の上面に設けられた５個のパッドＡ１～Ａ５にそれぞれ接続されている。これにより、第１の金属部１１と第２の金属部１２の間に電圧が印加されると、各ＬＥＤ素子２０には、ワイヤ２１を介して電流が供給される。また、発光装置２でも、第１の金属部１１および第２の金属部１２の上面にそれぞれ設けられたパッドＺ２，Ｚ１に、保護素子２５がワイヤ２１を介して接続されている。
　図９（Ａ）および図９（Ｂ）は、それぞれ、発光装置２におけるリードフレーム１０とダム樹脂３０の位置関係を示す上面図および底面図である。発光装置２でも、図８に示したパッドＣ１～Ｃ５およびパッドＡ１～Ａ５は、ダム樹脂３０の下に配置されており、これらのパッドに接続されるワイヤ２１の一部は、ダム樹脂３０に埋め込まれている。しかしながら、発光装置２では、図９（Ａ）に示すように、ダム樹脂３０のうちで第２の金属部１２の長手方向と平行に延びる部分において、ダム樹脂３０の中心線３１は第２の金属部１２に載っており、ダム樹脂３０の内側端部は第１の金属部１１と絶縁樹脂１３の境界に重なっている。このため、第２の金属部１２の長手方向と平行に延びる部分では、ダム樹脂３０は、第１の金属部１１と第２の金属部１２に跨がらずに、第２の金属部１２および絶縁樹脂１３の上に配置されている。
　レンズ樹脂６０は、ダム樹脂３０および蛍光体含有樹脂４０の上に配置されたほぼ半球状の部材であり、例えばシリコーン樹脂などの透明樹脂を用いて、インジェクション成形により形成される。レンズ樹脂６０の材質は、ダム樹脂３０および蛍光体含有樹脂４０との間に空気が入らないように、それらの樹脂に密着するものであることが好ましく、ダム樹脂３０または蛍光体含有樹脂４０と同じ樹脂であるとよい。
　レンズ樹脂６０は、半球状のレンズ部分と一体的に形成されてダム樹脂３０の外周側面を覆う外周部６１を有する。すなわち、発光装置２では、レンズ樹脂６０の外周部６１が発光装置１の外周樹脂５０に対応する。外周部６１の横方向の大きさは、リードフレーム１０に設けられた絶縁樹脂１３の外周の大きさと同じであり、外周部６１の外周側面は、発光装置２の外周側面に相当する。
　レンズ樹脂６０は、ＬＥＤ素子２０からの出射光がレンズ樹脂６０の界面で内側に反射されることによる反射ロスが最小限になるように設計されている。すなわち、レンズ樹脂６０は、ＬＥＤ素子２０からの出射光がレンズ界面に直角に入射する曲率半径で設計されている。しかしながら、この曲率半径ではパッケージ全体の大きさに対してレンズ樹脂６０が大きくなり過ぎるため、レンズ樹脂６０には、ダム樹脂３０により囲まれるＬＥＤ素子２０の矩形の実装領域の各辺に合わせて、４つのＤカット面６２が形成されている。
　Ｄカット面６２での反射ロスを抑制するためには、ＬＥＤ素子２０から臨界角よりも直角に少しでも近い角度で光が出射されることが好ましい。これは、鉛直面に対してＤカット面６２をＬＥＤ素子２０側に傾斜させることで実現される。図７（Ｂ）に示したＤカット面６２と鉛直面との間の傾斜角θは、例えば３度である。傾斜角θの大きさは、ＬＥＤ素子２０からＤカット面６２への光の入射角がレンズ樹脂６０の材質によって決まる臨界角よりも小さくなり、光がＤカット面６２を通してレンズ樹脂６０の外側に出射されるように定められる。Ｄカット面６２の傾斜角θとダム樹脂３０の高さを適切に設定することにより、ＬＥＤ素子２０からの出射光がレンズ樹脂６０の外周面で内側に反射する光量が低減し、出射光をレンズ樹脂６０の外側に出射させることができるため、光の取出し効率が向上する。
　発光装置２の製造工程は、図５におけるＳ６の外周樹脂５０の形成がレンズ樹脂６０の形成に変わる点を除けば、発光装置１の製造工程と同じである。レンズ樹脂６０は、４つのＤカット面６２が形成されるような金型を用いて、集合基板上における複数の発光装置２の上に一括で形成される。
　図７（Ｂ）に示すように、レンズ樹脂６０には、各Ｄカット面６２と外周部６１とが接触する部分に段差６３が形成されている。段差６３は、発光装置２の製造工程の最終段階で、集合基板をパッケージ（発光装置２）ごとに切断するときに形成される。レンズ樹脂６０と集合基板を同時に切断すれば段差６３は現れないが、その場合には、切断部分の面積が大きくなるので、切断時に発光装置２にストレスが加わり、クラックが発生する恐れがある。しかしながら、発光装置２の製造時には、Ｄカット面６２と外周部６１およびリードフレーム１０の連結部１１Ａ，１２Ａとを一気に切断せずに、外周部６１から下側の部分のみが切断されるので、切断部分の面積が比較的小さくなり、クラックの発生が抑制される。更に、レンズ樹脂６０を金型で成形すれば、切断時のストレスがレンズ部にかからなくなり集合基板とレンズの密着を劣化させないという効果もある。

Claims (3)

  1. 　絶縁樹脂を間に挟んで互いに隔てられた第１および第２の金属部で構成された平板状のリードフレームと、
    　前記第１の金属部に実装され、ワイヤを介して前記第１および第２の金属部に電気的に接続された複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子を取り囲むように前記リードフレーム上に配置された第１の樹脂枠と、
    　前記複数の発光素子からの出射光の波長を変換する蛍光体を含有し、前記第１の樹脂枠で囲まれる前記リードフレーム上の領域に充填されて前記複数の発光素子を封止する封止樹脂と、
    　前記リードフレームの外周端部において前記第１の樹脂枠の外周側面を覆い、前記第１の樹脂枠よりも硬度が高い第２の樹脂枠と、
    　を有することを特徴とする発光装置。
  2. 　前記第１の樹脂枠の硬度はショアＡ硬度３０～５０の範囲内であり、
    　前記第２の樹脂枠の硬度はショアＤ硬度３０～９０の範囲内である、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第１の樹脂枠は、前記絶縁樹脂の直上において前記第１の金属部と前記第２の金属部に跨って配置されている、請求項１または２に記載の発光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841718A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造照明装置的方法
US11322658B2 (en) 2019-01-31 2022-05-03 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6974724B2 (ja) * 2018-03-08 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102018114175A1 (de) * 2018-06-13 2019-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung für ein Display und Verfahren
CN114270092A (zh) * 2019-05-10 2022-04-01 合保照明公司 用于led照明器具的透镜组件
CN114676085B (zh) * 2022-03-25 2023-07-14 苏州浪潮智能科技有限公司 一种ccix总线控制方法、装置、介质

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147851A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
JP2010206039A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2015038939A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2015070134A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015201608A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3492178B2 (ja) * 1997-01-15 2004-02-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US7081644B2 (en) * 2004-02-06 2006-07-25 Barnes Group Inc. Overmolded lens on leadframe and method for overmolding lens on lead frame
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7588967B2 (en) * 2005-05-27 2009-09-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Curable silicone rubber composition and semiconductor device
JP5268082B2 (ja) * 2006-02-22 2013-08-21 シチズン電子株式会社 光半導体装置
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP5119917B2 (ja) * 2007-12-28 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP4780203B2 (ja) 2009-02-10 2011-09-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP5865038B2 (ja) * 2011-11-30 2016-02-17 日東電工株式会社 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置
AT14124U1 (de) * 2012-02-13 2015-04-15 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Flächenverguß
KR101971196B1 (ko) * 2012-09-21 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6200654B2 (ja) * 2013-02-15 2017-09-20 東芝ライテック株式会社 発光モジュール、発光装置および照明装置
JP6476567B2 (ja) * 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6515716B2 (ja) * 2014-07-18 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US9299895B1 (en) * 2014-09-25 2016-03-29 Prolight Opto Technology Corporation Package structure of enhanced lumen light emitting diode
EP3232482A4 (en) * 2014-12-11 2018-05-23 Citizen Electronics Co., Ltd Light emitting device
EP3274765A4 (en) * 2015-03-23 2018-10-17 Intematix Corporation Photoluminescence color display
JP6520736B2 (ja) * 2016-01-28 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 照明装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006147851A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
JP2010206039A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2015038939A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2015070134A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015201608A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3451394A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841718A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造照明装置的方法
US11322658B2 (en) 2019-01-31 2022-05-03 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
US11735697B2 (en) 2019-01-31 2023-08-22 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same

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