JP6819244B2

JP6819244B2 - 発光装置

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Publication number: JP6819244B2
Application number: JP2016231229A
Authority: JP
Inventors: 真 ▲高▼橋
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2016-11-29
Filing date: 2016-11-29
Publication date: 2021-01-27
Anticipated expiration: 2036-11-29
Also published as: JP2018088485A

Description

本発明は、発光装置に関する。

半導体発光素子（以下「発光素子」とも称する）を備えたＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）などの発光装置が知られている。発光素子は、例えばワイヤを介してパッケージの導電部材と電気的に接合されている。ワイヤとしては、金、銀を用いたワイヤが一般的である。また、ＩＣなどの半導体素子の場合は、銅ワイヤの表面をパラジウムなどの別の金属で被覆した被覆銅ワイヤを用いることが知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１６−１５７７４５号公報

被覆銅ワイヤの先端を電気放電等によって溶融してイニシャルボールを形成すると、芯材の銅が表出してくる。ＩＣなどの場合は、このように銅が表出したとしても特性に影響は与えにくい。しかしながら、発光素子の場合は、表出した銅によって光が吸収されることで、光の取り出し効率が低下するおそれがある。

本発明の実施形態は、以下の構成を含む。
電極を備えた発光素子と、導電部材を備え、上面に発光素子が載置されたパッケージと、銅を主成分とする芯材と、芯材よりも反射率の高い被覆膜とを備えた銅芯ワイヤであって、導電部材又は電極に接続されるボール部と、ボール部から延伸されるループ部と、電極又は導電部材と接続される接続部とを備える銅芯ワイヤと、銅芯ワイヤの前記ボール部を埋設する光反射樹脂と、を備える発光装置。

以上により、発光装置の光取り出し効率の低下を抑制することができる。

図１Ａは、銅芯ワイヤの一例を示す概略斜視図である。図１Ｂは、銅芯ワイヤの一例を示す概略断面図である。図１Ｃは、銅芯ワイヤの一例を示す概略断面図である。図１Ｄは、銅芯ワイヤの一例を示す概略断面図である。図２Ａは、実施形態に係る発光装置の一例を示す概略上面図である。図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線断面における概略断面図である。図２Ｃは、実施形態に係る発光装置の変形例を示す概略断面図である。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の一例を示す概略断面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の変形例を示す概略断面図である。図４Ａは、実施形態に係る発光装置の一例を示す概略上面図である。図４Ｂは、図４Ａの４Ｂ−４Ｂ線断面における概略断面図である。

本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明は、発光装置を以下に限定するものではない。

また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

本実施形態において、発光装置は、発光素子と、パッケージと、銅芯ワイヤと、光反射樹脂と、を備える。パッケージは、上面に導電部材を備える。発光素子は、電極を備える。銅芯ワイヤは、パッケージの導電部材と発光素子の電極とを電気的に接続する。光反射樹脂は、銅芯ワイヤのボール部を埋設する。

図１Ａ〜図１Ｄは、銅芯ワイヤ１５を示す概略図である。図１Ａは銅芯ワイヤ１５の概略斜視図、図１Ｂは銅芯ワイヤ１５の延伸方向に垂直な方向の概略断面図、図１Ｃ及び図１Ｄは銅芯ワイヤ１５の延伸方向に平行な方向の概略断面図である。銅芯ワイヤ１５は、銅を主成分とする芯材１５４と、芯材１５４よりも反射率の高い金属を主成分とする被覆膜１５５とを備えた被覆ワイヤである。

銅芯ワイヤ１５をパッケージの導電部材又は発光素子の電極に接合させる前に、まず、図１Ｃに示すような、キャピラリから繰り出されている銅芯ワイヤ１５の先端を電気放電等によって溶融させる。これにより、図１Ｄに示すような、銅芯ワイヤ１５の径よりも大きな径のイニシャルボール１５７を形成する。このイニシャルボール１５７を、パッケージの導電部材上又は発光素子の電極上に圧着接続されることでボール部が形成される。

イニシャルボール１５７は、図１Ｄに示すように、溶融されることで芯材１５４と被覆膜１５５との境界がなくなっており、芯材１５４を構成する金属と、被覆膜１５５を構成する金属とが混ざり合った金属混合部となる。イニシャルボール１５７だけでなく、その直上のループ部１５２となる銅芯ワイヤ１５内においても、同様の金属混合部が形成される。この金属混合部は冷却されることで再結晶化された再結晶部１５６となる。

再結晶部１５６は、芯材１５４起因の金属と被覆膜１５５起因の金属との両方を含む。芯材１５４の体積は被覆膜１５５の体積よりも大きいため、再結晶部１５７は、芯材１５４である銅の特性が強く発現する。つまり、Ｃｕ成分を多く含む再結晶部１５７で構成されるボール部１５７は、被覆膜１５５に比して光を吸収し易い。本実施形態では、このように銅成分が表出した部分を光反射樹脂で被覆することで、発光素子からの光が吸収されることを低減することができる。

＜実施形態１＞
図２Ａは、実施形態１に係る発光装置１０を示す概略上面図、図２Ｂは図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線における概略断面図である。発光装置１０は、発光素子１４と、発光素子１４が載置されたパッケージ１１とを備える。発光素子１４は電極１４２を備えており、パッケージ１１は導電部材１３を備える。電極１４２と導電部材１３とは、銅芯ワイヤ１５で電気的に接続される。銅芯ワイヤ１５は、導電部材１３に接続されるボール部１５１と、ボール部１５１から延伸されるループ部１５２と、電極１４２に接続される接続部１５３と、を備える。ボール部１５１は、光反射樹脂１６に埋設される。

パッケージ１１は凹部を備えており、発光素子１４は凹部の底面に配置されている。パッケージ１１は、例えば成形樹脂であり、導電部材１３は例えば金属板の表面にメッキを形成したリードなどである。発光素子１４は凹部の底面において略中央に載置されており、銅芯ワイヤ１５のボール部１５１は、凹部の内側面に近い位置に配置されている。光反射樹脂１６は、ボール部１５１とループ部１５２の一部を覆うと共に、凹部の内側面にも接している。つまり、光反射樹脂１６は凹部の底面と内側面とに接している。これにより光反射樹脂１６とパッケージ１１との接触面積を大きくし、両者の密着性を向上させることができる。

光反射樹脂１６は、ボール部１５１を埋設するとともに、図２Ａに示すように、上面視において発光素子１４の周囲を囲むように環状に形成されている。つまり、１つの光反射樹脂１６で２つのボール部１５１を埋設している。このように、環状に形成した光反射樹脂１６は、図２Ｂに示すように内側面が上側に傾斜した傾斜面とすることができる。これにより、発光素子１４からの光を上方に向かって反射し易くすることができる。つまり、光反射樹脂１６は、銅成分が露出したボール部１５１による光の吸収を抑制することに加え、さらに光の取り出し効率を向上させる部材として用いることができる。特に、パッケージ１１の基材１２として耐熱性や耐光性の低い樹脂材料や、黒色樹脂など光を吸収しやすい材料や、セラミックのような光透過率の高い材料の場合は、このように発光素子の周囲を囲むように光反射樹脂１６を設けることが好ましい。光反射樹脂１６は凹部の内側面の１％以上を被覆するように形成することが好ましく、より好ましくは５％以上である。内側面の全面を覆うように光反射樹脂１６を設けてもよい。あるいは、発光素子１４の上面よりも高い位置の内側面を覆うように設けることが好ましい。

図２Ｃに示す発光装置１０Ａは、光反射樹脂１６Ａは、２つのボール部１５１とループ部１５２の一部を埋設しており、凹部の内壁には接していない。つまり光反射樹脂１６Ａは互いに離間するように別体として形成されている。このように、光反射部材１６Ａとして、ボール部１５１による光の吸収を抑制するのみの部材として用いてもよい。これにより、パッケージの形状或いはパッケージ基材によっては、凹部の内壁に接する図２Ｂよりも、より光の取り出し効率を向上させるまたは、光の取り出し効率低下を防ぐという効果が得られる。

＜実施形態２＞
図３Ａは、実施形態２に係る発光装置２０の一例を示す概略断面図である。実施形態２では、銅芯ワイヤ２５のボール部２５１が発光素子１４の電極１４２上に接続され、接続部２５３がパッケージ１１の導電部材１３に接続されている点が実施形態１と異なる。そのため、ボール部２５１を埋設する光反射樹脂２６が、発光素子１４の上面に形成されている。その他の構成は実施形態１に示す発光装置１０と同様の構成を適用することができる。

発光素子１４は、積層構造体１４１の上面に正負電極となる一対の電極１４２を備える。つまり、２つの電極１４２を備える。２つの電極１４２に接合される２つのボール部２５１は、それぞれ離間する２つの光反射樹脂２６に埋設されている。発光素子１４の上面を発光面として用いる場合、光反射樹脂２６は小さい面積で形成することが好ましい。そのため、図２Ａに示す例では、銅芯ワイヤのループ部が比較的多めに光反射樹脂に埋設されているのに対し、図３Ａに示す例では、光反射樹脂２６に埋設される銅芯ワイヤ２５のループ部２５２は少ない。

図３Ｂは、実施形態２に係る変形例の一例を示す発光装置２０Ａの概略断面図である。発光装置２０Ａは、発光素子１４の上面の一対の電極１４２が１つの光反射樹脂２６Ａに埋設されている。つまり、発光素子１４の上面のほぼ全面を光反射樹脂２６Ａで被覆している点が図３Ａに示す発光装置２０と異なる。このような発光素子１４は、上面から光が出射されない。つまり、発光素子１４は積層構造体１４１の側面から光が出射される。

また、パッケージ２１が凹部を備えない平板状である点も異なる。凹部を備えないパッケージ２０Ａは、封止部材２７Ａが発光装置２０Ａの側面に位置することになる。つまり、このような発光装置２０Ａは、側面からの光が出射することができる。平板状の基板２１は、基材２２として例えばセラミックなどを用いることができる。導電部材２３は、基材２２の上面に配置される上面導電部材２３１と、下面に配置される下面導電部材２３２と、を備える。上面導電部材２３１と下面導電部材２３２とは、例えばビアなどの内部配線２３３によって導通されている。

発光素子１４は、上面の広い領域が光反射樹脂２６Ａで覆われているため、発光素子１４からの光は上面からは出射されにくい。しかしながら、発光素子１４からの光は側面から出射される。発光装置２０Ａは、凹部を備えない平板状のパッケージ２１であるため、発光素子１４の側面から出射された光は、発光装置２０Ａの側面から外部に出射される。これにより、図３Ａに示す発光装置２０に比して広い配光角度の発光装置とすることができる。

＜実施形態３＞
図４Ａは、実施形態３に係る発光装置３０を示す概略上面図である。図４Ｂは、図４Ａの４Ｂ−４Ｂ線における概略断面図である。実施形態３では、ボール部が、パッケージ３１の導電部材３３の上と、発光素子３４１、３４２の電極の上との両方に接合されている。そのため、光反射部材が導電部材３３上のボール部５５１を被覆する光反射樹脂（第１光反射樹脂）３６１と、電極上のボール部３５１、４５１を被覆する光反射樹脂（第２光反射樹脂）３６２との両方を備える点が実施形態１、２と異なる。

発光装置３０は、平板状のパッケージ３１を備える。詳細には平板状の基材３２の上面に導電部材３３が配置されている。導電部材３３は、一対の電極として機能する２つの導電部材３３ａ、３３ｃを備える。更に、導電部材として機能させることは可能であるが、導通には寄与しない導電部材として、２つの導電部材３３ｂ、３３ｄと、を備える。導電部材３３ａ、３３ｃは、外部接続端子として機能するため、光反射樹脂３６１や封止部材３７で覆われず、外部に露出された部分を備える。導電部材３３ｂは、例えば、最表面が銀などの反射率の高い金属とすることで発光素子からの光を効率よく外部に反射することができる。また、導電部材３３ｄは、カソードマーク又はアノードマークなどの識別記号として機能させることができる。これらの導通に寄与しない導電部材３３ｂ、３３ｄは、必ずしも必須ではなく省略してもよい。

光反射樹脂は、パッケージ３１の導電部材３３上のボール部４４１を被覆する光反射樹脂（第１光反射樹脂３６１）と、発光素子３４１、３４２の電極上のボール部３５１、４５１を被覆する光反射樹脂（第２光反射樹脂３６２）とを備える。また、複数の発光素子を備える。

図４Ａに示す例では、４つの発光素子がパッケージ３１上に載置されている。上側の２つの発光素子及び下側の２つの発光素子は、銅芯ワイヤによってそれぞれ直列配線されている。右側の２つの発光素子は導電部材３３ｃと銅芯ワイヤによって接続され、左側の２つの発光素子は導電部材３３ａと銅芯ワイヤによって接続されている。これにより、上側の２つの発光素子と、下側の２つの発光素子とは、並列配線されている。つまり、発光装置３０は、４つの発光素子が２直列×２並列で接続されている。

尚、発光素子の数や配置、さらに接続方法などは、これに限られるものではない。例えば、発光素子は１つでも構わない。その場合は、発光素子の一方の電極の上に銅芯ワイヤのボール部を接合し、他方の電極は、パッケージ上にボール部を接続した銅芯ワイヤの接続部が接続されていてもよい。また、２以上の発光素子を備える場合、上述のように直列接続と並列接続とを組み合わせた結線をしてもよく、あるいは、全て直列接続、又は全て並列接続などとすることができる。

図４Ｂに示す例において、左側の発光素子を第１発光素子３４１、右側の発光素子を第２発光素子３４２として、以下説明する。また、これら２つの発光素子及びパッケージを接続する３本の銅芯ワイヤを備えている。図４Ｂに示す概略断面図において、パッケージ３１の導電部材３３ａと第１発光素子３４１とを接続する第１銅芯ワイヤ３５、第１発光素子３４１と第２発光素子３４２とを接続する第２銅芯ワイヤ４５、第２発光素子３４２とパッケージ３１の導電部材３３ｃとを接続する第３銅芯ワイヤ５５として、以下説明する。

第１光反射樹脂３６１は、パッケージ３１の導電部材３３上のボール部５５１を埋設するとともに、発光素子を囲むような環状（枠状）に形成されている。この枠状に形成された第１光反射樹脂３６１は、発光素子を封止する封止部材３７を形成するための壁部ともなっている。実施形態１では、凹部の内部に環状の光反射樹脂を備えており、凹部の壁部がパッケージと光反射樹脂とで構成されている。これに対し、実施形態３では、第１光反射樹脂３６１のみで枠状の壁部を構成しており、これにより凹部を形成している。第１光反射樹脂３６１の高さは、発光素子の高さよりも高い。更に、第１光反射樹脂３６１の高さは、銅芯ワイヤの最も高い位置よりも高い。これにより封止部材によってこれらを被覆しやすくすることができる。

尚、ここでは第１光反射樹脂３６１が枠状である例を示しているが、これに限らない。例えば、実施形態１における図２Ｃに示すように、パッケージ上のボール部とその近傍のみを埋設するようにしてもよい。その場合は、封止部材が発光装置の側面を構成するようにしてもよく、あるいは、ボール部を埋設する第１光反射樹脂とは別の光反射樹脂で壁部を形成してもよい。また、図２Ａ等に示すような凹部を備えたパッケージを用いてもよい。

第２光反射樹脂３６２は、発光素子の電極上のボール部を埋設する。詳細には、第１発光素子３４１の電極上に接続されるボール部３５１と、第２発光素子３４２の電極上に接続されるボール部４５１とは、第２光反射樹脂３６２によって埋設されている。

第３銅芯ワイヤ５５は、導電部材３３ｃに接続されたボール部５５１と、ループ部５５２の半分程度が第１光反射樹脂３６１に埋設されている。第３銅芯ワイヤ５５の接続部５５３は第２発光素子３４２の電極に接続される。

第２銅芯ワイヤ４５は、第２発光素子３４２の電極上に接続された第３銅芯ワイヤ５５の接続部５５３の上に、ボール部４５１が接続される。接続部５５３は、第２発光素子３４２の電極の一部を覆うように接続しているため、第２銅芯ワイヤ４５のボール部４５１は、第２発光素子３４２の電極と第３銅芯ワイヤ５５の接続部５５３の両方と接続される。第２銅芯ワイヤ４５のループ部４５２は、そのほとんどが封止部材３７に埋設される。

第１銅芯ワイヤ３５は、第１発光素子３４１の電極上に接続された第２銅芯ワイヤ４５の接続部４５３の上に、ボール部３５１が接続される。接続部４５３は、第１発光素子３４１の電極の一部を覆うように接続しているため、第１銅芯ワイヤ４５のボール部３５１は、第１発光素子３４１の電極と第２銅芯ワイヤ５５の接続部４５３の両方と接続される。第１銅芯ワイヤ３５のループ部３５２の一部及び接続部３５３は、第１光反射樹脂３６１に埋設される。

上述のように、第１銅芯ワイヤ３５と第３銅芯ワイヤ５５とは、第１光反射樹脂３６１と第２光反射樹脂３６２の両方に埋設される。第２銅芯ワイヤ４５は、第２光反射樹脂３６２のみに埋設される。
以下、各部材について詳説する。

（発光素子）
発光素子は、素子基板と発光層を含む半導体層とを含む積層構造体と、電極と、を備える。半導体層を構成するｐ層、発光層、ｎ層としては、特に限定されるものではなく、例えば、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系化合物半導体が好適に用いられる。これらの窒化物半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、発光層は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。尚、素子基板は必ずしも必須ではなく、半導体層のみからなる積層構造体であってもよい。

発光素子が有する一対の電極は、半導体層の同一面側に配置されている。これらの一対の電極は、上述した第１半導体層及び第２半導体層と、それぞれ、電流−電圧特性が直線又は略直線となるようなオーミック接続されるものであれば、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。このような電極は、当該分野で公知の材料及び構成で、任意の厚みで形成することができる。例えば、十数μｍ〜３００μｍが好ましい。

（パッケージ）
パッケージは、発光素子を載置させる部材である。パッケージは、基材と、導電部材と、を備える。パッケージは、導電部材としてリードを備え、基材として樹脂部材を備えた樹脂パッケージを用いることができる。また、パッケージは、基材としてセラミックを用い、導電部材として配線部材を備あえたセラミックパッケージを用いることができる。また、パッケージは、基材としてガラスエポキシを用い、導電部材として配線部材を備えたガラスエポキシパッケージを用いることができる。このようなパッケージは、平板状又は凹部を備えた構造とすることができる。あるいは、パッケージは、金属又はセラミック等の基材の上面に導電部材を備えた板状部材と、描画、貼り合わせ、成形などによって形成した枠体を備えてもよい。

（銅芯ワイヤ）
銅芯ワイヤは、発光素子の電極とパッケージの導電部材とを電気的に接続させる部材である。銅芯ワイヤの芯材は、主として銅を含む。芯材は、銅を１５％以上含むことが好ましい。銅芯ワイヤは、芯材を覆う被覆膜を備える。被覆膜は、芯材よりも反射率の高い金属を含む。例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｄ及びこれらの合金が挙げられる。尚、芯材又は被覆膜は、微量成分としてＣａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌa、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等を含んでいてもよい。その他、不可避不純物を含んでいてもよい。

銅芯ワイヤは、直径が１０μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。また、芯材は、直径が９．５μｍ〜２５μｍ程度とすることができる。被覆部の厚みは、０．５μｍ〜５μｍ程度とすることができる。

（光反射樹脂）
光反射樹脂は、銅芯ワイヤのボール部を埋設する部材である。これにより、銅芯ワイヤのボール部において表出した銅による光の吸収を抑制し、光の取り出し効率の低減を抑制することができる。光反射樹脂を構成する材料としては、発光素子からの光を吸収しにくく、且つ、効率よく反射する部材が好ましい。具体的な反射率としては、少なくとも５０％以上とすることが好ましく、より好ましくは７０％以上である。

また、絶縁性部材が好ましく、発光素子からの光や、外光によって劣化しにくい部材が好ましい。また、ある程度の強度を有するもので、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、より具体的には、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、ＰＰＡやシリコーン樹脂などが挙げられる。これら母体となる樹脂に、発光素子からの光を反射する反射部材（例えばＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２，ＭｇＯ、ＺｎＯ）などを添加することで、効率よく光を反射させることができる。

（封止部材）
封止部材は、透光性の樹脂を含む。また、蛍光体粒子や拡散材等の添加剤を含んでもよい。封止部材は、発光素子、保護素子、ワイヤなど、パッケージに実装される電子部品を、塵芥、水分、外力などから保護する部材である。封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。

透光性の樹脂の具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。また、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。

蛍光体は粒子状であり、蛍光体の形状は、特に限定されないが、例えば、球形又はこれに類似する形状であることが好ましい。蛍光体は、例えば、平均粒径が３μｍ〜３０μｍ程度の粒子である。ここで、平均粒径は、Ｄ５０により定義することができる。また、蛍光体の平均粒径は、例えば、レーザ回折散乱法、画像解析法（走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ））などにより測定することができる。レーザ回折散乱法の粒径測定装置は、例えば島津製作所社製のＳＡＬＤシリーズ（例えばＳＡＬＤ−３１００）を用いることができる。画像解析法は、例えばＪＩＳ−Ｚ８８２７−１：２００８に準ずる。

蛍光体としては、例えば、酸化物系、硫化物系、窒化物系の蛍光体などが挙げられる。例えば、発光素子として青色発光する窒化ガリウム系発光素子を用いる場合、青色光を吸収して黄色〜緑色系発光するＹＡＧ系、ＬＡＧ系、緑色発光するＳｉＡｌＯＮ系（βサイアロン）、ＳＧＳ蛍光体、青色発光するＢＡＭ蛍光体、赤色発光するＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ系、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム（ＫＳＦ系蛍光体；Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体等の蛍光体の単独又は組み合わせが挙げられる。

蛍光体は、例えば、樹脂部材中に１重量部〜２００重量部含まれる。また、このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、などを含有させることもできる。樹脂部材の充填量は、上記電子部品が被覆される量であればよい。

本発明に係る発光装置は、ワイヤを用いた発光装置において、光取り出し効率のよい発光装置とすることができる。

１０、１０Ａ、２０、２０Ａ、３０…発光装置
１１、２１、３１…パッケージ
１２、２２、３２…基材
１３、２３、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ…導電部材
２３１…上面導電配線
２３２…下面導電配線
２３３…内部配線
１４…発光素子（１４１…積層構造体、１４２…電極）
３４１…第１発光素子
３４２…第２発光素子
１５…銅芯ワイヤ（１５１…ボール部、１５２…ループ部、１５３…接続部）
１５４…芯材
１５５…被覆膜
１５６…再結晶領域
１５７…イニシャルボール
２５…銅芯ワイヤ（２５１…ボール部、２５２…ループ部、２５３…接続部）
３５…第１銅芯ワイヤ（３５１…ボール部、３５２…ループ部、３５３…接続部）
４５…第２銅芯ワイヤ（４５１…ボール部、４５２…ループ部、４５３…接続部）
５５…第３銅芯ワイヤ（５５１…ボール部、５５２…ループ部、５５３…接続部）
１６、１６Ａ、２６、２６Ａ…光反射樹脂
３６１…第１光反射樹脂
３６２…第２光反射樹脂
１７、２７、３７…封止部材

Claims

電極を備えた発光素子と、
導電部材を備え、上面に上記発光素子が載置されたパッケージと、
銅を主成分とする芯材と、前記芯材よりも反射率の高い被覆膜とを備えた銅芯ワイヤであって、前記導電部材又は前記電極に接続されるボール部と、前記ボール部から延伸されるループ部と、前記電極又は前記導電部材と接続される接続部とを備える銅芯ワイヤと、
前記銅芯ワイヤの前記ボール部を埋設する光反射樹脂と、
を備える発光装置。
前記光反射樹脂は、前記発光素子を囲むように環状に配置される請求項１記載の発光装置。
前記パッケージは凹部を有し、前記光反射樹脂は前記凹部の内側面と接する請求項１又は請求項２記載の発光装置。
前記パッケージは平板状である請求項１又は請求項２記載の発光装置。
前記光反射樹脂は、前記導電部材に接続される前記ボール部を埋設する第１光反射樹脂と、前記電極に接続される前記ボール部を埋設する第２光反射樹脂とを備える請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
前記被覆膜は、Ａｇを含む請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
前記被覆膜は、Ａｕを含む請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
前記光反射樹脂は、ＴｉＯ_２を含む請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。