TWI621285B - 發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供具備密接性良好的密封樹脂之發光裝置。該發光裝置包含:基板10,其具有基體11、設於基體11之一面之複數個配線部12、覆蓋配線部12且於其一部分具有開口15a之覆膜15;發光元件30,其配置於覆膜15之開口15a內之基板10上,於較覆膜15更高之位置具有上表面;第1樹脂40,其配置於至少為覆膜15之開口15a內且發光元件30之周圍;第2樹脂20,其密封基板10與發光元件30;且第2樹脂20接觸於第1樹脂40而配置。
Description
本發明係關於基板及於發光元件上具備密封構件之發光裝置。
自先前以來提出有具備配置於基板上之發光元件等之發光裝置。而且,於該發光裝置中,為了確保發光元件之亮度及指向性等,而以具有帶透鏡效果之形狀等之透明之密封樹脂覆蓋發光元件(例如專利文獻1)。
專利文獻1:日本專利特開2007-201171號公報
然而,自基板較高地突出之透鏡狀之密封樹脂存在易於因來自外部之衝擊等而自基板剝離之情形。
本發明係鑒於上述課題而完成者,其目的在於提供一種具備更良好之密接性之密封樹脂之發光裝置。
本發明包含以下發明。
(1)一種發光裝置,其包含:基板,其具有基體、設於上述基體之一面之複數個配線部、覆蓋該配線部且於其一部分具有開口之覆膜;發光元件,其配置於上述覆膜之開口內之基板上,於較上述覆膜更
高之位置具有上表面;第1樹脂,其配置於至少為上述覆膜之開口內且上述發光元件之周圍;第2樹脂,其密封上述基板與上述發光元件;且該第2樹脂接觸於上述第1樹脂而配置。
(2)如上述發光裝置,其中上述第1樹脂及第2樹脂包含同一聚合物。
(3)如上述任一發光裝置,其中上述第1樹脂自上述覆膜之開口內配置至上述覆膜上。
(4)如上述任一發光裝置,其中上述第2樹脂之外緣配置於上述覆膜上。
(5)如上述任一發光裝置,其中上述第2樹脂之外緣配置於上述覆膜上方且上述第1樹脂上。
(6)如上述任一發光裝置,其中上述第2樹脂之外緣於上述覆膜之開口內配置於第1樹脂上。
(7)如上述任一發光裝置,其中上述第1樹脂進而包含反射材料。
根據本發明,能夠提供具有密接性良好之密封樹脂之發光裝置。
10‧‧‧基板
11‧‧‧基體
12、13‧‧‧配線部
14‧‧‧槽部
15‧‧‧覆膜
15a‧‧‧開口
16‧‧‧導線
20‧‧‧第2樹脂
30‧‧‧發光元件
35‧‧‧接合構件
40、41‧‧‧第1樹脂
100、200、300、400、500‧‧‧發光裝置
a、b、c、d‧‧‧第2樹脂之外緣
圖1A係表示本發明之發光裝置之一實施方式之概要俯視圖。
圖1B係表示本發明之發光裝置之一實施方式之概要剖面圖。
圖2係表示本發明之發光裝置之另一實施方式之概要剖面圖。
圖3係表示本發明之發光裝置之又一實施方式之概要剖面圖。
圖4係表示本發明之發光裝置之再一實施方式之概要剖面圖。
圖5係表示本發明之發光裝置之又一實施方式之概要剖面圖。
本發明之發光裝置主要包含基板、發光元件、第1樹脂、第2樹脂。
基板至少包括基體、設於基體上之複數個配線部、及設於配線部上之覆膜。
基體係作為發光裝置之母體之構件,可根據目的或用途等而使用適當之材料形成。作為材料,可考慮發光元件之安裝、光反射率、與其他構件之密接性等而適當選擇,例如列舉包含塑膠、玻璃、陶瓷等絕緣性材料者。具體而言,較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等樹脂。特別係於發光元件之安裝中使用焊料之情形時,更佳為使用耐熱性高之聚醯亞胺。又,形成基體之材料中亦可含有光反射率高之材料(例如氧化鈦等白色填充劑等)。
基體之厚度並無特別限定,例如可設為10μm~數mm左右之厚度。基體亦可具有撓性,於該情形時,可列舉10μm~100μm左右。
基體可根據目的或用途等設為適當之形狀(大小、長度)。例如列舉四邊形、長方形、多邊形、圓形、橢圓形及將該等組合而成之形狀等。於將本發明之發光裝置使用於直管之螢光燈等之情形時,較佳設為具有與短邊方向之寬度相比為10倍以上之長度之長條形狀。具體而言,於設為約120cm之直管型之照明之情形時,可設為寬度為0.5cm~5cm、長度為30cm~120cm之基體等。特別係於使用撓性之基體之情形時,由於可使之彎曲或折彎等變形使用,故可使用較直管型照明之寬度、長度大數mm~數cm左右之基體。
又,於撓性之基體情形時,可組合復數個部分並以卷對卷方式製造該長條形狀之基體(基板)。該情形時,亦可於基體具有嚙孔。
複數個配線部為可連接外部電源之導電構件,配置於基體之一面上,與發光元件直接或間接連接。配線部例如可由銅及鋁等金屬或合金之單層或積層結構之導電性薄膜形成。配線部不僅配置於基體之一面上,亦
可根據基體之種類而配置於其內部或另一面。
配線部之厚度並無特別限定,可適用該領域中通常使用之基板所具備之配線部之厚度。例如可列舉數μm~數mm左右。特別係如上所述,於使用具有撓性之基體之情形時,配線部較佳為不損害其撓性之厚度,例如可設為8μm~150μm左右之厚度。
複數個配線部之形狀(圖案)並無特別限定,通常可列舉與搭載發光元件之基板等上之配線之形狀或圖案相同或一致之形狀等,進而較佳為考慮散熱性及/或強度等而設定其形狀。例如可利用曲軸形狀、三角形、四邊形等多邊形、圓、橢圓等無角之形狀、於該等形狀部分性地具有凹凸之形狀等中之一種或將該等組合利用。再者,配線部之角部較佳為帶有弧度。
複數個配線部以相互分開之方式配置,並且除了配置有直接或間接地與發光元件電性連接之配線部(即有助於導電之配線部)之外,還可配置為相同或不同之形狀等且無助於通電之配線部。無助於通電之該配線部可使散熱構件或發光元件作為載置部而發揮功能。例如於基體為長方形之情形時,無助於通電之該配線部較佳為延長至長邊方向之端部,並且於短邊方向配置於配線部之兩側。又,可預先於配線部配置外部連接用端子。例如可配置連接器等而自外部電源對發光元件供電。
該配線部特別係於配置於具有撓性之基體之情形時,藉由使其一部分配置於基體之大致整體上(較佳為無間斷地配置),而可減輕基板彎曲之情形時等之向發光元件及第2樹脂之應力負載。具體而言,於使用長條形狀之基體之情形時,較佳為於其長邊方向較長地配置,更佳為以長邊方向之1/3~1倍之長度配置。
可助於導電之配線部只要包含正極端子與負極端子即可,構成一對端子之各者之配線部之數量並無特別限定。例如一對端子之各者可僅包含一個端子,亦可包含複數個端子。
可助於導電之配線部較佳為例如與一對外部配線連接。由此,自外部配線供給電力。又,較佳為一對外部配線與周知之連接器(未圖示)等連接。
如此,配線部藉由以較大面積組合配置具有各種形狀之配線部,而可提高發光裝置之配置自由度。例如於基體為長方形之情形時,可將於長邊方向三個三個地排列、於短邊方向兩個兩個地排列之六個發光元件作為一個區塊而並聯連接,且藉由可作為一對端子發揮功能之配線部將於長邊方向排列之十二個區塊串聯連接等。又,基體為大致正方形、圓形或橢圓形狀,亦可為將一個發光元件連接於通常之各正負配線部者。
又,配線部藉由以儘可能大之面積設置於基體之一面上,而可提高散熱性。
再者,於基體之一表面,複數個配線部彼此分離,因此,為了實現該分離,而具有未設置配線部之槽部(即,基體露出之部分)。由於槽部配置於配線部之間,故其形狀與配線部之形狀對應,例如可列舉曲軸形狀。槽部之寬度較配線部之寬度窄,換言之,較佳為配線部以較大面積設置,例如可設為0.05mm~5mm左右。
進而,於配線部(包含有助於/無助於導電之配線部兩者)以較大之面積整面地配置於基體之一表面之情形時,例如即便使用具有撓性之基體,亦可保持其撓性並且附加適當之強度,從而可有效地防止因撓性基板之折彎而引起之配線部之斷線、基板自身之斷裂等。具體而言,相對於基體之面積較佳為以50%以上、更佳為以70%以上、最佳為以90%以上之面積設置配線部。
覆蓋配線部之覆膜較佳為可作為自發光元件出射之光之反射膜發揮功能之覆膜。該覆膜如下所述,於其一部分具有使配線部露出之開口,較佳為除了該開口之外覆蓋基板表面之大致整面,較佳為亦覆蓋上述之配線
間之槽部。
如上所述,覆膜於其一部分具有開口。為了將發光元件與正負兩個配線部連接,開口以使配線部露出之方式配置。開口之形狀及大小並無特別限定,較佳為可使發光元件電性連接於配線部之最小限度之大小。於倒裝晶片安裝之情形時,較佳為於一個開口部內使槽之一部分露出。
通常,根據作為發光裝置之輸出及配光等調整所需之發光元件之數量及配置,由此決定開口部之個數及位置。可設置與發光元件之個數相同之個數之開口部、或與發光元件之個數不同之個數之開口部。例如於需要20個發光元件之情形時、及使各發光元件載置於一個開口之情形時,於覆膜配置20個開口。或者,於一個開口部載置兩個發光元件之情形時,配置10個開口部。根據情形,亦可不於開口內載置發光元件,例如於將發光裝置以幾個等級(例如輸出不同之發光裝置)製作之情形時,藉由使用相同之基板(即為設於覆膜上之開口部之數量及配置相同者),且設為未載置發光元件之開口部而可使輸出不同。又,亦可於連接器等之用以對發光元件通電之區域配置無覆膜之區域(開口)。
覆膜較佳為由反射發光元件之出射光及藉由後述之波長轉換構件轉換之波長之光之材料形成。作為該材料,可列舉例如苯酚樹脂、環氧樹脂、BT(bismaleimide triazine,雙馬來醯亞胺-三氮雜苯)樹脂、PPA(polyphthalamide,聚鄰苯二甲醯胺)、矽酮樹脂、尿醛樹脂等樹脂。又,於該等材料中亦可含有例如SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等填充劑。
覆膜較佳為以較薄之厚度設置,特別佳為以發光元件之上表面位於較覆膜更高之位置之方式配置。藉由設為該厚度,可將後述之第1樹脂配置於發光元件之側面。其結果能夠獲得較廣之配光特性,特別適合用於照明之情形等。
發光元件於基板上之上述之覆膜之開口部之內側跨過兩個配線部配置或配置於一個配線部上。藉由該配置,可將發光元件電性連接於成為正負對之配線部。
複數個發光元件係以使作為發光裝置所需之輸出及配光充足之方式決定其個數及/或色調及/或配置。因此,根據此而如上所述般調整配線部及/或覆膜之開口部等形狀及位置等。
發光元件具有半導體構造、p側電極、n側電極。
半導體構造例如可藉由依序積層於具有透光性之藍寶石基板上之包含氮化鎵系半導體之n型層、活性層及p型層等而形成。但是並不限於氮化鎵系半導體,亦可使用II-VI族、III-V族半導體中之任一種。
n側電極及p側電極可藉由周知之電極材料之單層膜或積層膜而形成。
發光元件可倒裝晶片安裝於基板上,亦可面向上安裝於基板上。
於倒裝晶片安裝之情形時,發光元件之p側電極及n側電極經由一對接合構件分別與一對配線部連接。作為接合構件,可使用Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系、Au-Sn系等之焊料、Au等金屬之凸塊等。
於面向上安裝之情形時,發光元件藉由樹脂等絕緣性接合構件、上述之導電性之接合構件而固定於基體上(配線部上),藉由導線與配線部電性連接。於發光元件之基板為導電性之基板之情形時,藉由上述之接合構件電性連接。
於發光裝置之基板之一表面不僅配置發光元件,還可配置齊納二極體等保護元件或相關零件。該保護元件及相關零件可一同配置於載置有發光元件之開口內,此外亦可另行設置開口,並配置於該開口內。但是,較佳為配置於不吸收來自發光元件之光之位置,由於不需要與發光元件同等
數量之保護元件,因此,例如於複數個發光元件串聯連接之配線部載置一個保護元件,此時,較佳為與發光元件之配置無關地載置於連接器附近等任意之位置。
於發光元件之周圍配置有第1樹脂。若該第1樹脂至少配置於設於覆膜之開口內,則可配置至覆膜之開口之外周即覆膜上,無論有無配線部,例如均可配置於配線部間之槽部及/或發光元件之正下方。
較佳為第1樹脂接觸於發光元件之外緣(側面)。通常,發光元件向基板上之搭載係使用接合構件等進行,但該接合構件及/或基體之一部分表面(例如配線部等)等通常較構成第1樹脂之材料更易產生因光導致之劣化。因此,於發光元件之附近,於該接合構件及/或基體之一部分表面等被第1樹脂覆蓋之情形時,不會將自發光元件出射之較強之光直接照射至接合構件及/或基體等,因此,能夠有效防止構成發光裝置之構件之光劣化。
第1樹脂之與發光元件為相反側之端部可為後述之第2樹脂之外緣內,亦可與外緣一致,還可為外緣外,但其中較佳為與外緣大致一致或者配置於外緣外。由此,易於確保第1樹脂與第2樹脂之接觸面積,因此能夠使第2樹脂更牢固地與發光裝置特別係第1樹脂密接。
換言之,第1樹脂之大小即自光取出方向觀察發光裝置時之平面面積,相對於除發光元件之平面面積以外之密封樹脂(第2樹脂)之平面面積可相等,亦可大於或小於密封樹脂(第2樹脂)之平面面積。特別係其為除發光元件之平面面積以外之密封樹脂之平面面積之1/5~3倍左右,較佳為1/4~3倍左右,更佳為1/3~1.5倍。如此,若第1樹脂配置之平面面積較大,則如下所述,與第2樹脂之接觸面積增大,因此,藉由兩者之密接性,能夠使發光裝置之第2樹脂之密接性更牢固。
第1樹脂例如可以數μm~數百μm左右之範圍內之膜厚進行配置。特別係,較佳為與發光元件接觸之部分為與發光元件之側面高度相當之膜厚以下。於第1樹脂配置於整個開口內之情形時,較佳為與開口之外緣接觸之部分係與開口之深度相當之膜厚以下。特別係,較佳為自發光元件向其外側(相對於發光元件之中心而為外側)減少之厚度。
第1樹脂例如可藉由含有矽酮樹脂組成物、改性矽酮樹脂組成物、環氧樹脂組成物、改性環氧樹脂組成物、丙烯酸樹脂組成物等、矽酮樹脂、環氧樹脂、尿醛樹脂、氟樹脂及包含該等樹脂之至少一種以上之混合樹脂等作為基礎聚合物之樹脂而形成。其中,較佳為含有矽酮樹脂、環氧樹脂等作為基礎聚合物之樹脂。於此,基礎聚合物係指構成第1樹脂之材料中含有重量最多之樹脂。又,第1樹脂例如較佳為含有SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等反射材料及/或擴散材料。由此,能夠高效地反射光。
構成第1樹脂之材料可單獨使用或組合兩種以上使用。由此,可調整光之反射率,又,可調整樹脂之線膨脹係數。
第2樹脂於基板上密封(覆蓋)發光元件。較佳為對於來自發光元件之光具有透光性且具有耐光性及絕緣性之樹脂。該第2樹脂可以覆蓋上述之覆膜之整個開口之方式配置,亦可以未覆蓋一部分之方式配置。此處之透光性係指透射發光元件之出射光之60%左右以上之性質,較佳為透射70%以上或者80%以上之光之性質。
第2樹脂具體而言可藉由矽酮樹脂組成物、改性矽酮樹脂組成物、環氧樹脂組成物、改性環氧樹脂組成物、丙烯酸樹脂組成物等、矽酮樹脂、環氧樹脂、尿醛樹脂、氟樹脂及包含該等樹脂之至少一種以上之混合樹脂等樹脂而形成。
特別係第2樹脂包含與上述之第1樹脂相同之聚合物,特別佳為包含與構成第1樹脂之基礎聚合物相同之聚合物而形成,更佳為包含與第1樹脂之基礎聚合物相同之聚合物作為基礎聚合物而形成。因此,於第2樹脂與第1樹脂接觸之部位,兩者之匹配性、融合性及相溶性良好,因此,能夠進一步確保與第1樹脂之密接性,從而能夠實現第2樹脂之於發光裝置之牢固之密接性。
第2樹脂較佳為含有吸收自發光元件出射之光並將該光轉換成不同波長之光之螢光體等波長轉換構件。作為該波長轉換構件,可列舉例如氧化物系、硫化物系、氮化物系之螢光體等。例如於使用發藍色光之氮化鎵系發光元件作為發光元件之情形時,較佳為吸收藍色光並發出黃色~綠色系光之YAG系、LAG系、發綠色光之SiAlON系、發紅色光之SCASN、CASN系之螢光體單獨使用或組合使用該等。特別係於液晶顯示器、電視之背光源等之用於顯示裝置之發光裝置中,較佳為組合使用SiAlON系螢光體與SCASN螢光體。又,作為照明用途,較佳為組合使用YAG系或LAG系之螢光體與SCASN或CASN螢光體。
又,第2樹脂亦可含有光散射材料(硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等)。
第2樹脂之形狀並無別限定,但考慮自發光元件出射之光之配光性及指向性,較佳為設為凹透鏡、凸透鏡。其中最佳為設為半球形狀之凸透鏡。
第2樹脂之大小並無特別限定,可考慮發光裝置之亮度、指向性等而適當調整。特別係第2樹脂較佳為設為可更大地確保與第1樹脂之接觸面積之大小,但於使用撓性基板作為基板之情形時,較佳為不損害撓性基板之撓性之程度之大小。例如可列舉能夠覆蓋整個發光元件之大小以上。又,可列舉發光元件之一邊之長度之10倍左右以下,較佳為2倍左右之直徑或
長度以下。具體而言,可列舉一邊(直徑)為1mm~4mm左右。
第2樹脂之外緣可配置於覆膜上,亦可配置於覆膜之上方且第1樹脂上,還可於覆膜之開口內配置於第1樹脂上。
以下,基於附圖對關於本發明之發光裝置之具體實施形態進行說明。
如圖1A及圖1B所示,該實施形態1之發光裝置100具有基板10、配置於基板10之表面之發光元件30、配置於發光元件30之周圍之第1樹脂40、及於基板10上覆蓋發光元件30之第2樹脂20。
基板10藉由如下積層構造而形成,該積層構造中積層有:基體11,其包含聚醯亞胺(膜厚25μm左右)且具有撓性;配線部12(膜厚35μm左右),其設置於該基體11之一面且藉由槽部14而分離;及覆膜15(膜厚15μm左右,包含含氧化鈦之矽酮系樹脂),其覆蓋於該配線部12上且具有絕緣性。
基板10為了與發光元件30電性連接而於其一部分區域使配線部12間之槽部14、及配線部12藉由開口15a自覆膜15露出。
配線部12中之一對配線部與外部端子連接(未圖示)。
發光元件30具有半導體構造、p側電極、n側電極(未圖示)。半導體構造於一部分區域除去p型半導體層及發光層而使n型半導體層露出,於其露出面形成有n側電極。於p型半導體層之上表面形成有p側電極。因此,n側電極與p側電極相對於半導體構造而形成於同一面側。
該發光元件30使配置有n側電極及p側電極之面朝下,藉由接合構件35而電性連接於自基板10之覆膜15露出之一對配線部12。接合構件35通常自發光元件30之邊緣向其外周突出而配置。
於基板10表面之配置有發光元件30之區域之周圍配置有第1樹脂40。
第1樹脂40例如藉由含有30重量%左右之氧化鈦之矽酮樹脂而形成。
該第1樹脂40自發光元件30之外緣且接合構件35上配置至發光元件之外周且覆膜15之整個開口內及覆膜15上。第1樹脂40之厚度於發光元件30側為與發光元件30之高度大致相同之厚度,且於接合構件35上逐漸變薄,於覆膜15上為10μm左右之厚度。
又,第1樹脂40之自發光元件30側端部至其相反側之端部之長度為1mm左右。
如此,於第1樹脂40於發光元件30之外周以較大之面積配置之情形時,通常能夠使與接合構件35、配線部12等之密接性欠佳之第2樹脂20與密接性更佳之第1樹脂40以更大面積接觸,因此,能夠使第2樹脂20相對於基板10牢固地密接。
又,第1樹脂40之反射率較接合構件35、配線部12高,故能夠更有效率地進行自發光元件之光取出。
於搭載有發光元件30之基板10上、且發光元件30、配置於其周圍之第1樹脂40、自該第1樹脂40之正下方配置至發光元件30之外側之覆膜15上形成有第2樹脂20。第2樹脂20例如藉由含有10重量%左右之螢光體(LAG.SCASN)之矽酮樹脂而形成。即,第2樹脂20包含與構成第1樹脂之聚合物同種類之聚合物。
第2樹脂20之外緣a配置於基板10之覆膜15上。第2樹脂20藉由澆注等而成形為半圓球狀。
第2樹脂20之直徑例如為3.5mm左右。
如此,第2樹脂20含有與第1樹脂40相同之基礎聚合物而配置,因此,能夠確保兩者之密接性。
特別係,於該發光裝置100中,於第1樹脂40之整個表面及配置於覆膜15上之部分之整個側面,第1樹脂40與第2樹脂20接觸,因此,能夠更
進一步確保兩者之接觸面積。進而,由於含有相同之基礎聚合物而配置,因此兩者之匹配性、融合性及相溶性良好,由此能夠成為密接性更牢固者。
又,可藉由第1樹脂40覆蓋接合構件35及配線部12之表面及該等之界面、配線部12與覆膜15之界面,因此可有效地防止該等部位之光劣化、及因光劣化導致之剝離等。
該實施形態2之發光裝置200例如如圖2所示,第2樹脂20之外緣以自遍及至基板10之覆膜15上之第1樹脂40之端部配置至發光元件30之中心側之方式使第2樹脂20之直徑減小,除此之外,具有與發光元件100實質上相同之構成。
即,該發光裝置200之第2樹脂20之外緣b隔著第1樹脂40而配置於覆膜15之上方。
第2樹脂20之直徑例如為2mm左右。
於該發光裝置200中,亦具有與實施形態1之發光裝置100相同之效果。
該實施形態3之發光裝置300例如如圖3所示,第1樹脂41僅配置於覆膜15之開口內,除此之外,具有與發光裝置100實質上相同之構成。
再者,該發光裝置300之第2樹脂20之外緣c配置於基板10之覆膜15上。
於該發光裝置300中,亦具有與實施形態1之發光裝置100相同之效果。
特別係,藉由使形成於覆膜15之開口更大,而即便第1樹脂41未遍及至覆膜15上,亦能夠確保更大之第2樹脂20相對於第1樹脂41之接觸面
積,因此,自兩者之密接性來看可確保第2樹脂20向基板10之密接性。
該實施形態4之發光裝置400例如如圖4所示,第2樹脂20之外緣以自遍及至基板10之覆膜15上之第1樹脂41之端部配置至發光元件30之中心側之方式使第2樹脂20之直徑減小,除此之外,具有與發光元件300實質上相同之構成。
即,該發光裝置400之第2樹脂20之外緣d隔著第1樹脂41而配置於覆膜15之上方。
第2樹脂20之直徑例如為2mm左右。
於該發光裝置200中,亦具有與實施形態3之發光裝置300相同之效果。
該實施形態5之發光裝置500例如如圖5所示,面向上安裝發光元件30,發光元件30之n側電極及p側電極(未圖示)分別藉由導線16電性連接於配線部12,該導線16之一部分被第1樹脂41覆蓋,除此之外,具有與發光元件100實質上相同之構成。
於該發光裝置500中,亦具有與實施形態1之發光裝置100相同之效果。
進而,可藉由第1樹脂40覆蓋導線16與配線部12之連接部位,因此,能夠有效地防止該等部位之光劣化及因光劣化導致之剝離、斷線等。
本發明之發光裝置能夠用於照明用光源、各種指示燈用光源、車載用光源、顯示器用光源、液晶之背光源用光源、感測器用光源、信號機、車載零件、看板用字型燈等各種光源。
Claims (6)
- 一種發光裝置,其特徵在於包含: 基板,其具有基體、設於上述基體之一面以及另一面之複數個配線部、及覆蓋設於上述基體之一面之配線部且於其一部分具有開口之覆膜; 發光元件,其配置於上述覆膜之開口內之上述配線部上,於較上述覆膜更高之位置具有上表面; 第1樹脂,其至少配置於上述覆膜之開口內且上述發光元件之周圍;及 第2樹脂,其密封上述基板與上述發光元件,其外緣配置於上述覆膜上;且 於上述第2樹脂的外側露出上述覆膜, 配置於上述另一面之配線無助於通電。
- 如請求項1之發光裝置,其中上述配線部除了上述一面以及另一面之外,還設於內部。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述發光元件為多個,上述覆膜以上述發光元件配置一個的方式具有多個開口。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述發光元件經倒裝晶片安裝。
- 如請求項4之發光裝置,其中上述發光元件以焊料安裝。
- 如請求項1或2之發光裝置,其中上述第2樹脂為半球形狀。
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JP7064127B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-05-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR20230015314A (ko) * | 2020-05-22 | 2023-01-31 | 도레이 카부시키가이샤 | Led 기판, 적층체, 및 led 기판의 제조 방법 |
CN112652696B (zh) * | 2021-01-14 | 2022-12-20 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种led发光装置及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060138621A1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and a module based thereon |
US20080157333A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | Chipmos Technologies Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
US6849932B2 (en) * | 2002-09-03 | 2005-02-01 | Ultratera Corporation | Double-sided thermally enhanced IC chip package |
JP2004172160A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Denso Corp | 発光素子 |
TWI419375B (zh) * | 2005-02-18 | 2013-12-11 | Nichia Corp | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
JP3992059B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-10-17 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2007201420A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法 |
US7521728B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-04-21 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same |
JP4049186B2 (ja) | 2006-01-26 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置 |
TWI313943B (en) * | 2006-10-24 | 2009-08-21 | Chipmos Technologies Inc | Light emitting chip package and manufacturing thereof |
JP4877779B2 (ja) | 2006-11-09 | 2012-02-15 | 株式会社アキタ電子システムズ | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
EP1928026A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Illumination device with semiconductor light-emitting elements |
JP4826470B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-11-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4983347B2 (ja) | 2007-04-03 | 2012-07-25 | ソニー株式会社 | 発光装置及び光源装置 |
KR100894561B1 (ko) * | 2007-07-13 | 2009-04-24 | (주)마이크로샤인 | 렌즈 타입의 광 분포/조정 발광 다이오드 패키지 제조 방법 |
JP5332921B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-11-06 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
DE102010021011A1 (de) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht |
JP2012009793A (ja) | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置 |
JP5582048B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-09-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012176846A patent/JP5994472B2/ja active Active
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2013
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060138621A1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and a module based thereon |
US20080157333A1 (en) * | 2007-01-03 | 2008-07-03 | Chipmos Technologies Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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