WO2017149966A1 - 電子回路モジュール及び電子回路モジュールの試験方法 - Google Patents

電子回路モジュール及び電子回路モジュールの試験方法 Download PDF

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WO2017149966A1
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circuit module
electronic circuit
layer
test
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孝司 丸山
茂 須田
正己 宮崎
大輔 井口
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アルプス電気株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic circuit module, and more particularly, to an electronic circuit module provided with a test electrode and a test method for the electronic circuit module.
  • test electrode is provided to identify an electronic component that causes a failure during failure analysis. For example, when an electronic component is covered with a sealing resin, the test probe cannot be brought into direct contact with the electronic component. Therefore, an electronic component is connected via a via hole to the bottom layer of the multilayer substrate on which the electronic component is mounted. A plurality of test electrodes connected to the component are provided, and a test probe is brought into contact with the test electrodes to check continuity and the like.
  • a multilayer printed wiring board 900 which is such an electronic circuit module is disclosed in Patent Document 1.
  • the multilayer printed wiring board 900 will be described with reference to FIG.
  • the multilayer printed wiring board 900 is required to check the continuity between the electronic circuits of each layer before mounting the electronic component or the input / output function test between the circuits of each layer after mounting the electronic component.
  • the copper foil 904 in the portion is removed by etching, and the insulating layer 902 exposed in the portion is dissolved and removed with an alkaline aqueous solution to expose the lands 906, 908, and 909 of the inner layer circuit.
  • the lands 906, 908, and 909 are used as check lands 916, 917, and 918 for checking continuity between the electronic circuits of each layer or for function tests.
  • the multilayer printed wiring board 900 areas for exposing the check lands 916, 917, and 918 are required on the uppermost layer and the lowermost layer of the substrate 901. Further, when a part of the electronic circuit such as the wiring pattern is on the uppermost layer and the lowermost layer, it is necessary to avoid the regions and expose the check lands 916, 917, and 918. Therefore, it is necessary to make the area of the substrate 901 larger than the conventional area. As a result, there is a problem that the electronic circuit module cannot be reduced in size.
  • the present invention has been made in view of such a state of the art, and an electronic circuit module that has a test electrode on the inner layer of a multilayer substrate and can be reduced in size, and prior work for performing failure analysis is facilitated.
  • An electronic circuit module test method is provided.
  • an electronic circuit module includes a multilayer board and a plurality of electronic components mounted on the uppermost layer of the multilayer board, and the lowermost layer of the multilayer board has a normal operation.
  • a plurality of necessary land electrodes are provided, and an inner layer of the multilayer substrate is provided with a test electrode connected to the electronic component, and the test electrode and the land electrode are connected to each other.
  • the test electrode is provided at a position overlapping the land electrode in plan view.
  • the test electrode for failure analysis is provided at a position overlapping the land electrode in plan view in the inner layer of the multilayer substrate, so that the test electrode is exposed in the lowermost layer of the multilayer substrate. No area is required to make it happen. Therefore, it is not necessary to increase the area of the lowermost layer of the multilayer substrate, and the electronic circuit module itself can be reduced in size.
  • the test electrode is characterized by being formed by a non-through via hole made of a conductive material.
  • the test electrode since the test electrode is formed by the non-through via hole, the test electrode has a thickness in the thickness direction and the lateral direction of the multilayer substrate. Therefore, the test electrode can be easily exposed even if the precision of the depth to be cut when the insulating layer of the multilayer substrate is cut is poor.
  • At least one of the test electrodes is a first test electrode having a lower end surface provided in a layer one layer above the lowermost layer of the multilayer substrate, The wiring board is not provided in the lowermost layer of the multilayer substrate.
  • the lower end surface of the first test electrode is provided in a layer one layer above the lowermost layer of the multilayer substrate. Therefore, when the test electrode is exposed for failure analysis, It is only necessary to remove the lowermost insulating layer of the multilayer substrate. Moreover, since the wiring pattern is not provided in the lowermost layer of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut.
  • At least one of the test electrodes is a second test electrode provided in the vicinity of the side end portion of the multilayer substrate, and The wiring pattern is not provided at least in the vicinity of the second test electrode.
  • the second test electrode since the second test electrode is provided in the vicinity of the side end portion of the multilayer substrate, the side end portion of the multilayer substrate is exposed when the test electrode is exposed for failure analysis. Just shaving. Further, since the wiring pattern is not provided at least in the vicinity of the second test electrode in the side end portion of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut.
  • the non-through via hole is a stacked via hole formed in a straight line in a direction perpendicular to the uppermost layer of the multilayer substrate.
  • the electronic circuit module configured in this way can minimize the length of the non-through via hole forming the test electrode, it can make it difficult to affect the performance of the electronic circuit module itself.
  • the uppermost layer of the multilayer substrate is provided with a component pad for the electronic component, and the connection land of the uppermost layer of the non-through via hole is shared with the component pad. It has the characteristics.
  • the electronic circuit module configured as described above can improve the space efficiency of wiring by using a pad-on-via in which a connection land on the uppermost layer of a non-through via hole and a component pad are used in common.
  • the electronic component is characterized by being resin-sealed.
  • the electronic circuit module configured as described above does not require the sealing resin to be scraped to expose the test electrode even if the electronic component is sealed with the sealing resin.
  • a first test method for an electronic circuit module includes a multilayer board and a plurality of electronic components mounted on the uppermost layer of the multilayer board, and the lowermost layer of the multilayer board.
  • a test method for an electronic circuit module in which a plurality of land electrodes necessary for normal operation are provided and a test electrode connected to the electronic component is provided on an inner layer of the multilayer substrate.
  • the test electrode is provided at a position overlapping with the land electrode in plan view, and at least one of the test electrodes is a layer whose lower end surface is one layer above the lowest layer of the multilayer substrate.
  • the first test electrode and the land electrode are not connected to each other, the wiring layer is not provided on the lowermost layer of the multilayer substrate, and the lowermost layer of the multilayer substrate is used for analysis. Before shaving To expose the first test electrode, it has the feature that.
  • the lower end surface of the first test electrode is provided in a layer one layer above the lowermost layer of the multilayer substrate.
  • the electrodes it is only necessary to scrape the lowermost insulating layer of the multilayer substrate.
  • the wiring pattern is not provided in the lowermost layer of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.
  • a second test method for an electronic circuit module comprises a multilayer board and a plurality of electronic components mounted on the uppermost layer of the multilayer board, and the lowermost layer of the multilayer board.
  • a test method for an electronic circuit module in which a plurality of land electrodes necessary for normal operation are provided and a test electrode connected to the electronic component is provided on an inner layer of the multilayer substrate.
  • the test electrode is provided at a position overlapping the land electrode in plan view, and at least one of the test electrodes is provided in the vicinity of a side end of the multilayer substrate.
  • the second test electrode is provided in the vicinity of the side end portion of the multilayer substrate, when the test electrode is exposed for failure analysis, It is only necessary to cut the side edge of the multilayer substrate. Further, since the wiring pattern is not provided at least in the vicinity of the second test electrode in the side end portion of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.
  • the test electrode for failure analysis is provided at a position overlapping the land electrode in plan view in the inner layer of the multilayer substrate, so that the test electrode is exposed in the lowermost layer of the multilayer substrate. Does not require space. Therefore, it is not necessary to increase the area of the lowermost layer of the multilayer substrate, and the electronic circuit module itself can be reduced in size.
  • the lower end surface of the first test electrode is provided in a layer one layer above the lowermost layer of the multilayer substrate. It is only necessary to scrape the lowermost insulating layer of the multilayer substrate when exposing the substrate. Moreover, since the wiring pattern is not provided in the lowermost layer of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut.
  • the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated. Furthermore, in the second test method for the electronic circuit module of the present invention, since the second test electrode is provided in the vicinity of the side end portion of the multilayer substrate, the multilayer is used when exposing the test electrode for failure analysis. It is only necessary to cut the side edge of the substrate. Further, since the wiring pattern is not provided at least in the vicinity of the second test electrode in the side end portion of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.
  • the electronic circuit module of the present invention is a small electronic circuit module having a high-frequency circuit used in, for example, a wireless LAN (Local Area Network) or Bluetooth (registered trademark), and is mounted on an electronic device such as a smartphone. Used.
  • the use of the electronic circuit module of the present invention is not limited to the embodiments described below, and can be appropriately changed. In the description of each drawing, when it is described as right side, left side, upper side, and lower side, these indicate + X side, -X side, + Z side, and -Z side in each drawing, respectively. .
  • FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of the electronic circuit module 100
  • FIG. 2 is a plan view of the electronic circuit module 100 as viewed from above
  • FIG. 3 is a plan view of the electronic circuit module 100 as viewed from below.
  • It is. 4 is a cross-sectional view of the electronic circuit module 100 as viewed from the line AA shown in FIG. 2
  • FIG. 5 is a partially enlarged schematic view of the electronic circuit module 100.
  • FIG. 5 shows a state before the electronic component 31 is resin-sealed.
  • the electronic circuit module 100 includes a rectangular multilayer substrate 10 and a plurality of electronic components 31 mounted on the uppermost layer 10a of the multilayer substrate 10 as shown in FIGS.
  • the multilayer substrate 10 is a six-layer multilayer substrate having an uppermost layer 10a, a lowermost layer 10b, and four inner layers 10c.
  • a wiring pattern 17 is formed on the uppermost layer 10 a of the multilayer substrate 10 and the inner layer 10 c of the multilayer substrate 10, and an electronic circuit 30 is formed by the wiring pattern 17 and a plurality of electronic components 31.
  • the plurality of electronic components 31 are resin-sealed with a sealing resin 35 that covers almost the entire area of the multilayer substrate 10.
  • the sealing resin 35 is a thermosetting molding material in which an epoxy resin is a main component and a silica filler is added, and is used for the purpose of protecting the electronic component 31 on the multilayer substrate 10 from an environment such as heat and humidity. It is done.
  • the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 is provided with a plurality of land electrodes 11 necessary for normal operation, as shown in FIG.
  • the land electrode 11 includes a plurality of first land electrodes 11a and one second land electrode 11b.
  • the plurality of first land electrodes 11 a are used as, for example, a power supply terminal that supplies power to the electronic circuit 30 described above, an input terminal or an output terminal of the electronic circuit 30, and the like.
  • these first land electrodes 11 a are provided along the periphery of the surface of the lowermost layer 10 b of the multilayer substrate 10.
  • the second land electrode 11b is formed in the center of the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 so as to have a larger area than the first land electrode 11a.
  • the second land electrode 11 b is used as a ground terminal of the electronic circuit 30.
  • the second land electrode 11b is formed by one large land pattern, but a plurality of small land patterns may be formed side by side.
  • the plurality of land electrodes 11 provided on the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 are attached to an electronic device such as a smartphone on which the electronic circuit module 100 is mounted by solder or the like, and the electronic circuit 30 is electrically connected to a circuit in the electronic device. Connected to.
  • the electronic circuit module 100 has a test electrode 13 for identifying an electronic component 31 that causes a failure during failure analysis.
  • the test probe cannot be brought into direct contact with the terminal of the electronic component 31. Therefore, it is necessary to provide the test electrode 13 on the side of the multilayer substrate 10 on which the electronic component 31 is mounted.
  • the test electrode 13 is provided on the inner layer 10 c of the multilayer substrate 10 as shown in FIG. 4.
  • the electronic circuit module 100 has a plurality of test electrodes 13. Further, since it is not necessary to provide a test electrode for inspecting the land electrode 11 itself for failure analysis, the test electrode 13 and the land electrode 11 are not connected.
  • the test electrode 13 is connected to an electronic component 31 to be subjected to defect analysis or to a location in the middle of the wiring pattern 17 connecting the plurality of electronic components 31. As shown in FIG. 4, the test electrode 13 is formed by a non-through via hole 20 made of a conductive material. The connection land 20 a of the non-through via hole 20 formed in the uppermost layer 10 a of the multilayer substrate 10 is connected to the electronic component 31.
  • the non-penetrating via hole 20 is not a via hole connected from the uppermost layer 10a to the lowermost layer 10b in the multilayer substrate 10, but is a via hole formed from the uppermost layer 10a or the lowermost layer 10b to the inner layer 10c.
  • the non-through via hole 20 is formed from the uppermost layer 10a to the inner layer 10c.
  • At least one test electrode 13 among the plurality of test electrodes 13 is a first test electrode 13 a, and the lower end surface 14 of the first test electrode 13 a is the lowermost layer 10 b of the multilayer substrate 10. It is provided in a layer one layer above. Accordingly, the test electrode 13 does not exist in the insulating layer 10d between the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 and the layer above it. Further, the wiring pattern 17 is not provided on the lowermost layer 10 b of the multilayer substrate 10.
  • At least one test electrode 13 among the plurality of test electrodes 13 is a second test electrode 13 b, and the second test electrode 13 b is in the vicinity of the side end portion 10 e of the multilayer substrate 10. Is provided. Further, the wiring pattern 17 is not provided at a position at least in the vicinity of the second test electrode 13 b in the side end portion 10 e of the multilayer substrate 10.
  • the second test electrode 13 b in the electronic circuit module 100 has a lower end surface 14 provided in a layer one layer lower than the uppermost layer 10 a of the multilayer substrate 10. That is, the length of the second test electrode 13b is the length of one layer of the insulating layer 10d.
  • the non-penetrating via hole 20 constituting the test electrode 13 is a stacked via hole 21 formed in a straight line in the vertical direction (downward) with respect to the uppermost layer 10a of the multilayer substrate 10.
  • the stacked via hole 21 is a via hole in which all the vias formed in each layer in the inner layer 10c of the multilayer substrate 10 are at the same position in plan view.
  • the test electrode 13 (the first test electrode 13a and the second test electrode 13b) is formed in a substantially cylindrical shape by extending in the direction ( ⁇ Z direction) directly below the connection land 20a on the uppermost layer 10a. Is done. Therefore, when the non-penetrating via hole 20, that is, the test electrode 13 is viewed from above or below in plan view, the non-penetrating via hole 20, that is, the test electrode 13 is formed in a circular shape as shown in FIG. It will be. By forming the stacked via hole 21, the length of the non-penetrating via hole 20 forming the test electrode 13 can be minimized, so that it is difficult to affect the performance of the electronic circuit module 100 itself.
  • the stacked via hole 21 is used as the non-penetrating via hole 20 constituting the test electrode 13.
  • a stacker via having upper and lower vias not located at the same position in plan view is used as the non-penetrating via hole 20. May be used.
  • the via hole 21 is already formed instead of forming the stacked via hole 21 after the layers of the multilayer substrate 10 are stacked.
  • the stacked via holes 21 are formed by laminating each layer vertically.
  • Resin is filled in the opening in the uppermost layer 10a of the non-through via hole 20, and this resin is subjected to metal plating, so that a connection land 20a having no hole in the center is formed on the multilayer substrate 10 as shown in FIG. It is formed on the top layer 10a.
  • the uppermost layer 10a is provided with a component pad 15 for the electronic component 31, and the electronic component 31 is attached to the component pad 15 with solder or the like.
  • connection land 20 a provided in the uppermost layer 10 a of the non-penetrating via hole 20 is shared with the component pad 15. That is, the pad-on-via 23 of the non-through via hole 20 is formed in the uppermost layer 10 a in the multilayer substrate 10.
  • the pad-on-via 23 in the uppermost layer 10a of the multilayer substrate 10 the space efficiency of the wiring in the uppermost layer 10a can be improved.
  • the wiring pattern 17 that connects the plurality of electronic components 31 or between the plurality of electronic components 31 and the land electrode 11 is provided on the uppermost layer 10 a and the inner layer 10 c of the multilayer substrate 10.
  • the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 is not formed. Accordingly, nothing is formed on the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 except for the plurality of land electrodes 11 (first land electrode 11a and second land electrode 11b).
  • the test electrode 13 is provided at a position overlapping the land electrode 11 in plan view.
  • test electrodes 13 provided on the left and right sides of the electronic component 31 arranged on the right side in FIG. 4 are respectively provided at positions overlapping the second land electrode 11b in plan view.
  • test electrodes 13 provided on the left and right sides of the electronic component 31 arranged on the left side in FIG. 4 are provided at positions overlapping the first land electrode 11a or the second land electrode 11b in plan view.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the electronic circuit module 100 as seen from the line AA in FIG. 2, showing the first test method.
  • At least one test electrode 13 among the test electrodes 13 is a first test electrode 13a.
  • the first test method of the electronic circuit module is for the first test connected to the electronic component 31 when analyzing the failure of the electronic circuit module 100, for example, when analyzing the failure of the electronic component 31 on the right side in FIG.
  • a grinding part 19 is formed on the multilayer substrate 10 directly below the electrode 13a.
  • the grinding part 19 just below the first test electrode 13a is a drilling hole 19a, and the drilling hole 19a can be formed by drilling the land electrode 11 and the insulating layer 10d formed on the lowermost layer 10b. .
  • the first test method of the electronic circuit module is a test method in which the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 is scraped to expose the first test electrode 13a during analysis.
  • a drill may be used, or laser light may be applied from below the lowermost layer 10b ( ⁇ Z side) of the multilayer substrate 10.
  • the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is exposed by forming the excavation hole 19a in the multilayer substrate 10. As described above, since the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is provided in a layer one layer above the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, the lowermost surface 10b is exposed from the lowermost layer 10b. Only the upper one insulating layer 10d needs to be excavated, and the preliminary work for analysis is facilitated.
  • the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is provided in a layer one layer above the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, but may be provided in other layers. Further, as described above, since the first test electrode 13a is formed by the non-through via hole 20 having a thickness in the thickness direction of the multilayer substrate 10, the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is in which layer. Even if the first test electrode 13a is provided, the first test electrode 13a can be easily exposed regardless of the precision of the depth when the insulating layer 10d of the multilayer substrate 10 is cut.
  • the wiring pattern 17 is not formed on the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, the wiring pattern 17 is not cut when the grinding part 19 (the excavation hole 19a) is formed on the multilayer substrate 10. Therefore, the result is not affected during failure analysis.
  • an inspection probe is applied to the lower end surface 14 of the first test electrode 13a to perform an inspection for failure analysis of the electronic component 31 on the right side. it can.
  • the inspection probe is applied to the lower end surface 14 of the first test electrode 13a through the excavation hole 19a formed in the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, the electronic component 31 is sealed with the sealing resin 35. Even if it is resin-sealed, it is not necessary to scrape the sealing resin 35 in order to expose the first test electrode 13a.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the electronic circuit module 100 as viewed from the line AA in FIG. 2, showing the second test method.
  • At least one test electrode 13 among the test electrodes 13 is a second test electrode 13b.
  • a grinding part 19 (excavation hole 19a) is formed in the multilayer substrate 10 on the left side. That is, the second test method for the electronic circuit module is a test method in which the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 is shaved to expose the second test electrode 13b during analysis.
  • the left side surface of the second test electrode 13b is exposed by forming an excavation hole 19a in the multilayer substrate 10.
  • the second test electrode 13 b is provided in the vicinity of the side end portion 10 e of the multilayer substrate 10. Therefore, only the insulating layer 10d at the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 needs to be excavated, and the preliminary work for analysis is facilitated.
  • the wiring pattern 17 is not provided at least in the vicinity of the second test electrode 13b in the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, when the excavation hole 19a is formed in the multilayer substrate 10, The wiring pattern 17 is not cut. Therefore, the result is not affected during failure analysis.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic circuit module 110 of the second test method / first modification as seen from the line AA shown in FIG. 2, and FIG. 9 shows the second test method / first modification. It is the partial expansion schematic diagram of the electronic circuit module 110 of. 1 to 3 are common to the electronic circuit module 100.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the electronic circuit module 110 of the second test method / first modification as seen from the line AA shown in FIG. 2, and FIG. 9 shows the second test method / first modification.
  • It is the partial expansion schematic diagram of the electronic circuit module 110 of. 1 to 3 are common to the electronic circuit module 100.
  • the difference between the electronic circuit module 110 and the electronic circuit module 100 described above is that the length of the second test electrode 13c of the electronic circuit module 110 is different from the length of the second test electrode 13b of the electronic circuit module 100. Others are the same as those of the electronic circuit module 100. Therefore, the description of the same parts as those of the electronic circuit module 100 is omitted.
  • the electronic circuit module 110 is provided with a second test electrode 13c for the electronic component 31 on the left side in FIG.
  • the second test electrode 13c is provided in the vicinity of the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, and at least a position in the vicinity of the second test electrode 13c in the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 is provided.
  • the wiring pattern 17 is not provided.
  • the second test electrode 13 c in the electronic circuit module 110 has a lower end surface 14 provided in a layer three layers below the uppermost layer 10 a of the multilayer substrate 10. That is, the length of the second test electrode 13c is the length of three layers of the insulating layer 10d.
  • the length of the second test electrode 13c is not limited to the length of three layers, but may be a length corresponding to a plurality of layers.
  • a grinding part 19 is formed at the side end part 10e of the multilayer substrate 10 just beside (left side) of the connected test electrode 13, that is, the second test electrode 13c.
  • the length of the second test electrode 13b is only one layer of the insulating layer 10d. Therefore, when the shape of the electronic circuit module 100 is small, it is extremely necessary to form the excavation hole 19a. It was difficult. However, in the electronic circuit module 110, since the length of the second test electrode 13c is the length of a plurality of layers of the insulating layer 10d (the length of three layers in FIG. 8), the shape of the electronic circuit module 110 is Even if it is small, it becomes easy to form the excavation hole 19a.
  • the excavation hole 19a can be formed in the insulating layer 10d of the side end portion 10e in the multilayer substrate 10 with a drill or the like. Further, a laser beam may be applied from the left side ( ⁇ X side) of the multilayer substrate 10 in order to form the excavation hole 19a.
  • the second test electrode 13c has a length corresponding to a plurality of layers of the insulating layer 10d. However, by appropriately setting the length of the second test electrode 13c, an open stub, a short stub, etc.
  • the stub circuit can be formed. Therefore, a filter circuit such as an impedance matching circuit or a trap circuit can be configured in the electronic circuit 30 using the stub circuit.
  • FIG. 10 is a partially enlarged schematic diagram of the electronic circuit module 110 in the second test method / second modification
  • FIG. 11 is a partially enlarged schematic diagram of the electronic circuit module 110 in the second test method / third modification.
  • the structure of the electronic circuit module 110 in the second test method / second modification and the third modification of the electronic circuit module is the same as that of the electronic circuit module 110 in the second test method / first modification of the electronic circuit module. is there. Therefore, the description of the structure of the electronic circuit module 110 is omitted.
  • the test method is to form the grinding part 19 across the multilayer substrate 10 and the sealing resin 35 of the electronic circuit module 110.
  • the grinding part 19 in the second test method / second modification is a partial grinding part 19b.
  • the partial grinding portion 19b is sharpened with respect to the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 on the side where the electronic component 31 is present and the left side surface (the ⁇ X side surface) of the sealing resin 35, for example, in a half plan view. It is formed in a circle.
  • the partially ground portion 19b By forming the partially ground portion 19b, the non-through via hole 20 for testing the electronic component 31, that is, the second test electrode 13c can be exposed.
  • the partial grinding part 19b does not necessarily have a semicircular shape in plan view but may have a rectangular shape in plan view.
  • the partial grinding part 19b can be formed of a semicircular or rectangular file or the like.
  • the grinding portion 19b can be more easily formed compared to the second test method and the first modification of the electronic circuit module regardless of the position of the second test electrode 13c in the vertical direction. Can be formed.
  • the grinding unit 19 extends over the entire left surface of the multilayer substrate 10 and the sealing resin 35 of the electronic circuit module 110. This is a test method for forming.
  • the grinding part 19 in the second test method and the third modification is a whole surface grinding part 19c.
  • the whole surface grinding portion 19c scrapes the entire surface of the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 and the left side surface of the sealing resin 35 (the surface on the -X side), thereby left side of the multilayer substrate 10 and the sealing resin 35. This is formed by cutting the surface.
  • the entire ground portion 19c By forming the entire ground portion 19c, the non-through via hole 20 for testing the electronic component 31, that is, the second test electrode 13c can be exposed.
  • the partial grinding part 19c can be formed with a flat file or the like.
  • the grinding part 19c is formed, compared with the second test method, the first modification, and the second modification of the electronic circuit module, regardless of the position of the second test electrode 13c in the Z direction and the Y direction. Further, the grinding part 19 can be formed more easily.
  • the test electrode 13 for failure analysis is provided at a position overlapping the land electrode 11 in plan view in the inner layer 10 c of the multilayer substrate 10, so that the test electrode 13 is provided on the lowermost layer 10 b of the multilayer substrate 10. There is no need for an area to expose the film. Therefore, it is not necessary to increase the area of the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, and the electronic circuit module 100 itself can be downsized.
  • the test electrode 13 since the test electrode 13 is formed by the non-penetrating via hole 20, the test electrode 13 has a thickness in the thickness direction and the lateral direction of the multilayer substrate 10. Therefore, the test electrode 13 can be easily exposed even if the precision of the depth to be cut when the insulating layer 10d of the multilayer substrate 10 is cut is poor.
  • the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is provided in a layer one layer higher than the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, when the test electrode 13 is exposed for failure analysis, It is only necessary to scrape the insulating layer 10d of the lowermost layer 10b. Further, since the wiring pattern 17 is not provided in the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, the wiring pattern 17 is not cut.
  • the second test electrode 13b is provided in the vicinity of the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, only the side end portion 10e of the multilayer substrate 10 is shaved when exposing the test electrode 13 for failure analysis. Good. Further, since the wiring pattern 17 is not provided at least in the vicinity of the second test electrode 13b in the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, the wiring pattern 17 is not cut.
  • the length of the non-through via hole 20 forming the test electrode 13 can be minimized by the stacked via hole 21, it is possible to make it difficult to affect the performance of the electronic circuit module 100 itself.
  • the space efficiency of the wiring can be improved.
  • the first test method for the electronic circuit module is such that the lower end surface 14 of the first test electrode 13a is provided in a layer one layer above the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, so that it is used for testing for failure analysis.
  • the insulating layer 10d of the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10 need only be shaved.
  • the wiring pattern 17 is not provided in the lowermost layer 10b of the multilayer substrate 10, the wiring pattern 17 is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.
  • the second test electrode 13b is provided in the vicinity of the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, when the test electrode 13 is exposed for failure analysis, It is only necessary to scrape the side end portion 10e of the multilayer substrate 10. Further, since the wiring pattern 17 is not provided at least in the vicinity of the second test electrode 13b in the side end portion 10e of the multilayer substrate 10, the wiring pattern 17 is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.
  • the test electrode for failure analysis is provided at the position overlapping the land electrode in plan view in the inner layer of the multilayer substrate, so that the test electrode is provided on the lowermost layer of the multilayer substrate.
  • An area for exposing the electrode is not required. Therefore, it is not necessary to increase the area of the lowermost layer of the multilayer substrate, and the electronic circuit module itself can be reduced in size.
  • the lower end surface of the first test electrode is provided in a layer one layer above the lowermost layer of the multilayer substrate. It is only necessary to scrape the lowermost insulating layer of the multilayer substrate when exposing the substrate.
  • the wiring pattern is not provided in the lowermost layer of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated. Furthermore, in the second test method for an electronic circuit module according to the present invention, the second test electrode is provided in the vicinity of the side end portion of the multilayer substrate. It is only necessary to cut the side edge of the substrate. Further, since the wiring pattern is not provided at least in the vicinity of the second test electrode in the side end portion of the multilayer substrate, the wiring pattern is not cut. Therefore, the preliminary work for performing the failure analysis is facilitated.

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Abstract

【課題】テスト用電極を多層基板の内層に有すると共に小型化が可能な電子回路モジュール、及び不良解析を行なうための事前作業が容易になる電子回路モジュールの試験方法を提供する。 【解決手段】多層基板10と、多層基板10の最上層10aに実装された複数の電子部品31と、を備えた電子回路モジュール100であって、多層基板10の最下層10bには、通常動作に必要な複数のランド電極11が設けられていると共に、多層基板10の内層10cには、電子部品31に接続されたテスト用電極13が設けられており、テスト用電極13とランド電極11とが接続されておらず、テスト用電極13が、平面視でランド電極11と重なる位置に設けられている。

Description

電子回路モジュール及び電子回路モジュールの試験方法
 本発明は、電子回路モジュールに関し、特に、テスト用電極が設けられた電子回路モジュール及び当該電子回路モジュールの試験方法に関する。
 近年、テスト用電極が設けられた電子回路モジュールが開発されている。テスト用電極は、不良解析時に不良の原因となる電子部品の特定を行なうために設けられるものである。例えば、電子部品が封止樹脂で覆われている場合、当該電子部品に直接テスト用プローブを接触させることができないため、電子部品の搭載されている多層基板の最下層に、ビアホールを介して電子部品に接続された複数のテスト用電極を設け、そのテスト用電極にテスト用プローブを接触させて、導通等のチェックを行う。
 しかし、電子回路モジュールを動作させるために必要な複数のランド電極以外に、複数のテスト用電極を多層基板の最下層に設けなければならないため、多層基板の面積を大きくせざるを得ず、電子回路モジュールの大型化に繋がってしまっていた。そこで、テスト用電極を多層基板の最下層に設けないで済むようにした電子回路モジュールが開発されている。このような電子回路モジュールである多層プリント配線板900が特許文献1に開示されている。以下、多層プリント配線板900について図12を用いて説明する。
 多層プリント配線板900は、電子部品搭載前における各層の電子回路間の導通チェック又は、電子部品搭載後における各層の回路間の入出力機能試験をするために、基板901の片面又は両面の所要の部分の銅箔904をエッチング除去すると共にその部分に露出した絶縁層902をアルカリ性水溶液にて溶解除去して内層回路のランド906、908、及び909を露出させる。そして、各ランド906、908、及び909を各層の電子回路間の導通チェック用又は機能試験用のチェックランド916、917、及び918とした。
 このような構成によって、内層回路のランドを利用して各層の電子回路間の導通チェック用又は機能試験用のチェックランドを設けることができる。
特開平07-007272号公報
 しかしながら、多層プリント配線板900では、チェックランド916、917、及び918を露出させるための領域が基板901の最上層及び最下層に必要とされる。また、配線パターン等の電子回路の一部が最上層及び最下層にあると、その領域を避けてチェックランド916、917、及び918を露出させるようにする必要がある。そのため、基板901の面積を従来の面積より大きくする必要があった。その結果、電子回路モジュールを小型化することができないという問題があった。
 本発明はこのような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、テスト用電極を多層基板の内層に有すると共に小型化が可能な電子回路モジュール、及び不良解析を行なうための事前作業が容易になる電子回路モジュールの試験方法を提供する。
 上記課題を解決するために本発明の電子回路モジュールは、多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられており、前記テスト用電極と前記ランド電極とが接続されておらず、前記テスト用電極が、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設けられている、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、不良解析のためのテスト用電極を、多層基板の内層における平面視でランド電極と重なる位置に設けたので、多層基板の最下層にテスト用電極を露出させるための領域を必要としない。そのため、多層基板の最下層の面積を大きくする必要がなく、電子回路モジュール自身を小型化することが可能となる。
 また、上記の構成において、前記テスト用電極は、導電性材料からなる非貫通ビアホールによって形成されている、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、テスト用電極が非貫通ビアホールによって形成されているため、テスト用電極が多層基板の厚さ方向及び横方向に厚みを有する。そのため、多層基板の絶縁層を削る際の削る深さの精度が悪くても、テスト用電極を容易に露出させることができる。
 また、上記の構成において、前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極は、その下端面が前記多層基板の最下層より1層上の層に設けられた第1テスト用電極となり、前記多層基板の最下層には配線パターンが設けられていない、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、第1テスト用電極の下端面が多層基板の最下層より1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の最下層の絶縁層を削るだけで良い。また、多層基板の最下層に配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。
 また、上記の構成において、前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極は、前記多層基板の側端部の近傍に設けられた第2テスト用電極となり、前記多層基板の側端部のうちの少なくとも前記第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていない、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、第2テスト用電極が多層基板の側端部の近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の側端部を削るだけで良い。また、多層基板の側端部のうちの少なくとも第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。
 また、上記の構成において、前記非貫通ビアホールは、前記多層基板の最上層に対して垂直方向に一直線状に形成されるスタックト・ビアホールである、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、テスト用電極を形成する非貫通ビアホールの長さを必要最小限にできるので、電子回路モジュール自身の性能への影響を出にくくすることができる。
 また、上記の構成において、前記多層基板の最上層には、前記電子部品用の部品パッドが設けられており、前記非貫通ビアホールの最上層の接続ランドが前記部品パッドと共通化されている、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、非貫通ビアホールの最上層の接続ランドと部品パッドとが共通化されたパッド・オン・ビアを用いることにより、配線のスペース効率を良くすることができる。
 また、上記の構成において、前記電子部品が樹脂封止されている、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールは、電子部品が封止樹脂によって樹脂封止されていても、テスト用電極を露出させるために封止樹脂を削る必要が無い。
 上記課題を解決するために本発明の電子回路モジュールの第1の試験方法は、多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられた電子回路モジュールの試験方法であって、前記テスト用電極を、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設け、前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極を、その下端面が前記多層基板の最下層より1層上の層に設けられた第1テスト用電極とし、前記第1テスト用電極と前記ランド電極とを接続せず、前記多層基板の最下層には配線パターンを設けず、解析時に前記多層基板の最下層を削って前記第1テスト用電極を露出させる、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールの第1の試験方法は、第1テスト用電極の下端面が多層基板の最下層より1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の最下層の絶縁層を削るだけで良い。また、多層基板の最下層に配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
 上記課題を解決するために本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法は、多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられた電子回路モジュールの試験方法であって、前記テスト用電極を、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設け、前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極を、前記多層基板の側端部の近傍に設けられた第2テスト用電極とし、前記第2テスト用電極と前記ランド電極とを接続せず、前記多層基板の側端部のうちの少なくとも前記第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンを設けず、解析時に前記多層基板の側端部を削って前記第2テスト用電極を露出させる、という特徴を有する。
 このように構成された電子回路モジュールの第2の試験方法は、第2テスト用電極が多層基板の側端部の近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の側端部を削るだけで良い。また、多層基板の側端部のうちの少なくとも第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
 本発明の電子回路モジュールは、不良解析のためのテスト用電極を、多層基板の内層における平面視でランド電極と重なる位置に設けたので、多層基板の最下層にテスト用電極を露出させるための領域を必要としない。そのため、多層基板の最下層の面積を大きくする必要がなく、電子回路モジュール自身を小型化することが可能となる。また、本発明の電子回路モジュールの第1の試験方法は、第1テスト用電極の下端面が多層基板の最下層より1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の最下層の絶縁層を削るだけで良い。また、多層基板の最下層に配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。更に、本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法は、第2テスト用電極が多層基板の側端部の近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の側端部を削るだけで良い。また、多層基板の側端部のうちの少なくとも第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
本発明の電子回路モジュールの外観を示す斜視図である。 電子回路モジュールを上方から見た平面図である。 電子回路モジュールを下方から見た平面図である。 電子回路モジュールの断面図である。 電子回路モジュールの部分拡大模式図である。 電子回路モジュールの第1の試験方法を示す断面図である。 電子回路モジュールの第2の試験方法を示す断面図である。 上記第2の試験方法の第1変形例を示す断面図である。 上記第2の試験方法の第1変形例を示す部分拡大模式図である。 上記第2の試験方法の第2変形例を示す部分拡大模式図である。 上記第2の試験方法の第3変形例を示す部分拡大模式図である。 従来例に関わる多層プリント配線板の断面図である。
 以下、本発明の電子回路モジュール及び電子回路モジュールの試験方法について図面を参照しながら説明する。本発明の電子回路モジュールは、例えば、無線LAN(Local Area Network)やブルートゥース(登録商標)等に使用される、高周波回路を有する小型の電子回路モジュールであり、スマートフォン等の電子機器に搭載されて用いられる。本発明の電子回路モジュールの用途については、以下説明する実施形態に限定されるものではなく適宜変更が可能である。尚、各図面に対する説明の中で、右側、左側、上側、下側と記載している場合、これらは、それぞれ各図面内で+X側、-X側、+Z側、-Z側を示している。
 [実施形態]
 最初に、図1乃至図5を参照して、本発明の実施形態に係る電子回路モジュール100の構造について説明する。図1は、電子回路モジュール100の外観を示す斜視図であり、図2は、電子回路モジュール100を上方から見た平面図であり、図3は、電子回路モジュール100を下方から見た平面図である。また、図4は、図2に示すA-A線から見た電子回路モジュール100の断面図であり、図5は、電子回路モジュール100の部分拡大模式図である。尚、図5は、電子部品31が樹脂封止される前の状態を示している。
 電子回路モジュール100は、図1及び図2に示すように、矩形形状をした多層基板10と、多層基板10の最上層10aに実装された複数の電子部品31と、を備えている。多層基板10は、図4に示すように、最上層10a、最下層10b、及び4層の内層10cを有する6層の多層基板となっている。多層基板10の最上層10a上及び多層基板10の内層10cには、配線パターン17が形成されており、これら配線パターン17と複数の電子部品31とによって電子回路30が形成されている。
 複数の電子部品31は、多層基板10のほぼ全域を覆う封止樹脂35によって樹脂封止されている。封止樹脂35は、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材等を加えた熱硬化性成形材料で、多層基板10上の電子部品31を熱や湿度などの環境から保護することを目的として用いられる。
 多層基板10の最下層10bには、図3に示すように、通常動作に必要な複数のランド電極11が設けられている。ランド電極11は、複数の第1ランド電極11aと1つの第2ランド電極11bとで構成されている。複数の第1ランド電極11aは、例えば、上述した電子回路30に電源を供給する電源端子や電子回路30の入力端子や出力端子等として用いられる。電子回路モジュール100では、これらの第1ランド電極11aは、多層基板10の最下層10bの面の周辺に沿って設けられている。
 第2ランド電極11bは、多層基板10の最下層10bの中央に、第1ランド電極11aよりも大きな面積を有して形成されている。第2ランド電極11bは、電子回路30のグランド端子として用いられる。尚、第2ランド電極11bは、電子回路モジュール100では、1つの大きなランドパターンによって形成されているが、小さなランドパターンが複数並べられて形成されていても良い。
 多層基板10の最下層10bに設けられた複数のランド電極11は電子回路モジュール100が搭載されるスマートフォン等の電子機器に半田等によって取り付けられ、電子回路30が、電子機器内の回路に電気的に接続される。
 電子回路モジュール100は、不良解析時に不良の原因となる電子部品31の特定を行なうためのテスト用電極13を有している。電子回路モジュール100の場合、電子部品31が封止樹脂35で覆われているため、当該電子部品31の有する端子に直接テスト用プローブを接触させることができない。そのため、テスト用電極13を電子部品31の搭載されている多層基板10の側に設ける必要がある。電子回路モジュール100では、図4に示すように、テスト用電極13を多層基板10の内層10cに設けた。尚、電子回路モジュール100では、テスト用電極13を複数有している。また、不良解析のためにランド電極11自体を検査するためのテスト用の電極を設ける必要がないため、テスト用電極13とランド電極11とは接続されていない。
 テスト用電極13は、不良解析の対象となる電子部品31に、又は複数の電子部品31を結んでいる配線パターン17の途中の個所に接続されている。テスト用電極13は、図4に示すように、導電性材料からなる非貫通ビアホール20によって形成されている。また、多層基板10の最上層10aに形成される非貫通ビアホール20の接続ランド20aは電子部品31に接続されている。
 非貫通ビアホール20は、多層基板10において最上層10aから最下層10bまで繋がっているビアホールではなく、最上層10a又は最下層10bから内層10cまでに形成されたビアホールである。電子回路モジュール100では、最上層10aから内層10cまでに形成された非貫通ビアホール20である。
 複数のテスト用電極13のうちの少なくとも1つのテスト用電極13は、第1テスト用電極13aとなっており、この第1テスト用電極13aは、その下端面14が多層基板10の最下層10bより1層上の層に設けられている。従って、多層基板10の最下層10bとその上の層の間の絶縁層10dには、テスト用電極13が存在しない。また、多層基板10の最下層10bには、配線パターン17が設けられていない。
 また、複数のテスト用電極13のうちの少なくとも1つのテスト用電極13は、第2テスト用電極13bとなっており、この第2テスト用電極13bは、多層基板10の側端部10eの近傍に設けられている。また、多層基板10の側端部10eのうちの少なくとも第2テスト用電極13bの近傍となる位置には配線パターン17が設けられていない。尚、電子回路モジュール100における第2テスト用電極13bは、その下端面14が多層基板10の最上層10aより1層下の層に設けられている。即ち、第2テスト用電極13bの長さは、絶縁層10dの1層分の長さを有している。
 電子回路モジュール100では、テスト用電極13を構成する非貫通ビアホール20は、多層基板10の最上層10aに対して垂直方向(下方向)に一直線状に形成されるスタックト・ビアホール21である。スタックト・ビアホール21は、多層基板10の内層10cにおいて、各層に形成されているビアが、全て平面視で同一の位置にあるビアホールである。
 従って、テスト用電極13(第1テスト用電極13a及び第2テスト用電極13b)は、最上層10a上の接続ランド20aから真下の方向(-Z方向)に延伸して、略円柱形状に形成される。そのため、非貫通ビアホール20即ちテスト用電極13を平面視で上方向又は下方向から見ると、図2又は図3に示すように、非貫通ビアホール20即ちテスト用電極13が円形状に形成されることになる。スタックト・ビアホール21を形成させることによって、テスト用電極13を形成する非貫通ビアホール20の長さを必要最小限にできるので、電子回路モジュール100自身の性能への影響を出にくくすることができる。
 尚、電子回路モジュール100では、テスト用電極13を構成する非貫通ビアホール20としてスタックト・ビアホール21を使用したが、非貫通ビアホール20として上下のビアが平面視で同一位置にないスタッカード・ビアを使用しても良い。また、電子回路モジュール100では、多層基板10にスタックト・ビアホール21を形成する際に、多層基板10の各層が積層された後にスタックト・ビアホール21を形成させるのではなく、既にビアホールが形成されている各層を上下に積層させてスタックト・ビアホール21を形成させる形態としている。
 非貫通ビアホール20の最上層10aにおける開口部には樹脂が埋められ、この樹脂に金属メッキが施されて、図5に示すように、中央に穴を有さない接続ランド20aが多層基板10の最上層10a上に形成される。また、最上層10aには、電子部品31用の部品パッド15が設けられており、電子部品31が半田等によって部品パッド15に取り付けられる。
 電子回路モジュール100では、非貫通ビアホール20の最上層10aに設けられている接続ランド20aが当該部品パッド15と共通化されている。即ち、多層基板10における最上層10aに非貫通ビアホール20のパッド・オン・ビア23が形成されている。多層基板10の最上層10aにパッド・オン・ビア23を形成させることにより、最上層10aにおける配線のスペース効率を良くすることができる。
 また、図4に示すように、複数の電子部品31同士又は、複数の電子部品31とランド電極11とを繋ぐ配線パターン17は、多層基板10の最上層10a及び内層10cに設けられているが、前述したように、多層基板10の最下層10bには形成されていない。従って、多層基板10の最下層10bには、複数のランド電極11(第1ランド電極11a及び第2ランド電極11b)以外何も形成されていない。更に、テスト用電極13は、平面視でランド電極11と重なる位置に設けられている。
 例えば、図4における右側に配置された電子部品31の左右に設けられたテスト用電極13はそれぞれ、平面視で第2ランド電極11bと重なる位置に設けられている。また、図4における左側に配置された電子部品31の左右に設けられたテスト用電極13はそれぞれ、平面視で第1ランド電極11a又は第2ランド電極11bと重なる位置に設けられている。
 次に、図6を参照して、本発明の電子回路モジュールの第1の試験方法における電子回路モジュール100の状態、即ち不良解析を行なうための事前作業時における電子回路モジュール100の状態について説明する。図6は、上記第1の試験方法を示す、電子回路モジュール100の図2のA-A線から見た断面図である。
 図6に示すように、テスト用電極13のうちの少なくとも1つのテスト用電極13は、第1テスト用電極13aとなっている。電子回路モジュールの第1の試験方法は、電子回路モジュール100を不良解析する場合、例えば、図6における右側の電子部品31に対して不良解析する場合、電子部品31に接続された第1テスト用電極13aの真下の多層基板10に研削部19を形成させる。第1テスト用電極13aの真下における研削部19は掘削穴19aであり、掘削穴19aは、最下層10b上に形成されているランド電極11及び絶縁層10dを掘削することによって形成させることができる。
 即ち、電子回路モジュールの第1の試験方法は、解析時に多層基板10の最下層10bを削って第1テスト用電極13aを露出させる試験方法である。尚、掘削穴19aを形成させるために、ドリルを使用するようにしても良いし、多層基板10の最下層10bの下側(-Z側)からレーザ光を当てるようにしても良い。
 多層基板10に掘削穴19aを形成させることによって第1テスト用電極13aの下端面14を露出させる。前述したように、第1テスト用電極13aの下端面14は、多層基板10の最下層10bより1層上の層に設けられているため、下端面14を露出させるために、最下層10bより上の1層分の絶縁層10dだけを掘削すれば良く、解析を行なうための事前作業が容易になる。
 尚、第1テスト用電極13aの下端面14の真下における最下層10b及び絶縁層10dだけでなく、多層基板10の最下層10b全て及び最下層10bより上の1層分の絶縁層10d全てを掘削することで、テスト用電極13の下端面14を露出させるようにしても良い。
 また、電子回路モジュール100では、第1テスト用電極13aの下端面14を多層基板10の最下層10bより1層上の層に設けたが、それ以外の層に設けても良い。また、前述したように、第1テスト用電極13aが多層基板10の厚さ方向に厚みを有する非貫通ビアホール20で形成されているため、第1テスト用電極13aの下端面14がどの層に設けられていても、多層基板10の絶縁層10dを削る際の削る深さの精度に関わらず、第1テスト用電極13aを容易に露出させることができる。
 また、多層基板10の最下層10bに配線パターン17が形成されていないため、多層基板10に研削部19(掘削穴19a)を形成させる際に、配線パターン17を切断してしまうことがない。従って、不良解析時、その結果に影響を与えることがない。
 多層基板10に掘削穴19aを形成させた後に、第1テスト用電極13aの下端面14に検査用のプローブを当てることによって、右側にある電子部品31に対する不良解析のための検査を行なうことができる。他の電子部品31に形成された第1テスト用電極13aについても同様である。このように、多層基板10の最下層10bに形成させた掘削穴19aを介して第1テスト用電極13aの下端面14に検査用のプローブを当てるようにしたため、電子部品31が封止樹脂35によって樹脂封止されていても、第1テスト用電極13aを露出させるために封止樹脂35を削る必要がない。
 次に、図7を参照して、本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法における電子回路モジュール100の状態、即ち不良解析を行なうための事前作業時における電子回路モジュール100の状態について説明する。図7は、第2の試験方法を示す、電子回路モジュール100の図2のA-A線から見た断面図である。
 図7に示すように、テスト用電極13のうちの少なくとも1つのテスト用電極13は、第2テスト用電極13bとなっている。電子回路モジュール100の、例えば、図7における左側の電子部品31の左側部分に対して不良解析する場合、電子部品31の左側に接続されたテスト用電極13、即ち第2テスト用電極13bの真横(左側)の多層基板10に研削部19(掘削穴19a)を形成させる。即ち、電子回路モジュールの第2の試験方法は、解析時に多層基板10の側端部10eを削って第2テスト用電極13bを露出させる試験方法である。
 多層基板10に掘削穴19aを形成させることによって第2テスト用電極13bの左側の面を露出させる。前述したように、第2テスト用電極13bは、多層基板10の側端部10eの近傍に設けられている。従って、多層基板10の側端部10eの絶縁層10dだけを掘削すれば良く、解析を行なうための事前作業が容易になる。
 また、多層基板10の側端部10eのうちの少なくとも第2テスト用電極13bの近傍となる位置には配線パターン17が設けられていないため、多層基板10に掘削穴19aを形成させる際に、配線パターン17を切断してしまうことがない。従って、不良解析時、その結果に影響を与えることがない。
 第2テスト用電極13bまで達する研削部19(掘削穴19a)を多層基板10に形成させた後に、第2テスト用電極13bの左側の面に検査用のプローブを当てることによって、図7における左側にある電子部品31に対する不良解析のための検査を行なうことができる。
 次に、図8及び図9を参照して、本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法における電子回路モジュール110の状態、即ち不良解析を行なうための事前作業時における電子回路モジュール110の状態について説明する。図8は、第2の試験方法・第1変形例の電子回路モジュール110の図2に示すA-A線から見た断面図であり、図9は、第2の試験方法・第1変形例の電子回路モジュール110の部分拡大模式図である。尚、図1乃至図3は、電子回路モジュール100と共通である。
 電子回路モジュール110と前述した電子回路モジュール100との相違点は、電子回路モジュール110の第2テスト用電極13cの長さが、電子回路モジュール100の第2テスト用電極13bの長さと異なるだけであり、その他については、電子回路モジュール100と同様である。従って、電子回路モジュール100と同様の部分については、その説明を省略する。
 図8及び図9に示すように、電子回路モジュール110には、図8における左側の電子部品31に対し、第2テスト用電極13cが形成されている。この第2テスト用電極13cは、多層基板10の側端部10eの近傍に設けられており、多層基板10の側端部10eのうちの少なくとも第2テスト用電極13cの近傍となる位置には配線パターン17が設けられていない。電子回路モジュール110における第2テスト用電極13cは、図8に示すように、その下端面14が多層基板10の最上層10aより3層下の層に設けられている。即ち、第2テスト用電極13cの長さは、絶縁層10dの3層分の長さを有している。尚、第2テスト用電極13cの長さは、3層分の長さに限らず複数層分の長さを有していれば良い。
 電子回路モジュール110の、図8における左側の電子部品31の左側部分に対して不良解析する場合、電子回路モジュール100の場合と同様、図8及び図9に示すように、電子部品31の左側に接続されたテスト用電極13即ち第2テスト用電極13cの真横(左側)における多層基板10の側端部10eに研削部19(掘削穴19a)を形成させる。
 電子回路モジュール100の場合、第2テスト用電極13bの長さが絶縁層10dの1層分の長さしかなかったため、電子回路モジュール100の形状が小さいときには、掘削穴19aを形成させることが非常に困難であった。しかし、電子回路モジュール110では、第2テスト用電極13cの長さが絶縁層10dの複数層分の長さ(図8では3層分の長さ)があるため、電子回路モジュール110の形状が小さくても、掘削穴19aを形成させることが容易になる。
 掘削穴19aは、多層基板10における側端部10eの絶縁層10dにドリル等で形成させることができる。また、掘削穴19aを形成させるために、多層基板10の左側(-X側)からレーザ光を当てるようにしても良い。
 尚、第2テスト用電極13cは、絶縁層10dの複数層分の長さを有しているが、第2テスト用電極13cの長さを適切に設定することにより、オープンスタブやショートスタブ等のスタブ回路を形成させることができる。そのため、当該スタブ回路を利用して、電子回路30内にインピーダンス整合回路やトラップ回路等のフィルタ回路を構成させることが可能となる。
 次に、図10及び図11を参照して、本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法・第2変形例及び第3変形例の電子回路モジュール110の状態、即ち不良解析を行なうための事前作業時における電子回路モジュール110の状態について説明する。図10は、第2の試験方法・第2変形例における電子回路モジュール110の部分拡大模式図であり、図11は、第2の試験方法・第3変形例における電子回路モジュール110の部分拡大模式図である。
 電子回路モジュールの第2の試験方法・第2変形例及び第3変形例における電子回路モジュール110の構造は、電子回路モジュールの第2の試験方法・第1変形例における電子回路モジュール110と同一である。従って、電子回路モジュール110の構造については、その説明を省略する。
 電子回路モジュールの第2の試験方法・第2変形例においては、図10に示すように、電子回路モジュール110の多層基板10及び封止樹脂35に亘って研削部19を形成させる試験方法である。上記第2の試験方法・第2変形例における研削部19は、部分研削部19bである。
 部分研削部19bは、電子部品31が存在する側の多層基板10の側端部10e及び封止樹脂35の左側の面(-X側の面)に対して削り進めることによって、例えば平面視半円形に形成される。部分研削部19bを形成することによって、電子部品31の試験用のための非貫通ビアホール20、即ち第2テスト用電極13cを露出させることができる。
尚、部分研削部19bは、必ずしも平面視半円形ではなく、平面視矩形状であっても良い。部分研削部19bは、半円形状又は矩形状のヤスリ等で形成させることができる。
 電子回路モジュールの第2の試験方法・第2変形例においては、電子回路モジュール110の形状が小さい場合であっても、電子回路モジュール110の左側(-X側)における外形の上下に亘って部分研削部19bを形成させているので、第2テスト用電極13cの上下方向における位置に関わらず、電子回路モジュールの第2の試験方法・第1変形例に比べて、より容易に研削部19を形成させることができる。
 電子回路モジュールの第2の試験方法・第3変形例においては、図11に示すように、電子回路モジュール110の、多層基板10及び封止樹脂35の左側の面の全面に亘って研削部19を形成させる試験方法である。上記第2の試験方法・第3変形例における研削部19は、全面研削部19cである。
 全面研削部19cは、多層基板10の側端部10e及び封止樹脂35の左側の面(-X側の面)の全面に対して削り進めることによって、多層基板10及び封止樹脂35の左側の面が削られて形成される。全面研削部19cを形成することによって、電子部品31の試験用のための非貫通ビアホール20、即ち第2テスト用電極13cを露出させることができる。部分研削部19cは、平面状のヤスリ等で形成させることができる。
 電子回路モジュールの第2の試験方法・第3変形例においては、電子回路モジュール110の形状が非常に小さい場合であっても、電子回路モジュール110の-X側における外形面の全面に亘って全面研削部19cを形成させているので、第2テスト用電極13cのZ方向及びY方向における位置に関わらず、電子回路モジュールの第2の試験方法・第1変形例及び第2変形例に比べて、更に容易に研削部19を形成させることができる。
 以下、本実施形態としたことによる効果について説明する。
 電子回路モジュール100は、不良解析のためのテスト用電極13を、多層基板10の内層10cにおける平面視でランド電極11と重なる位置に設けたので、多層基板10の最下層10bにテスト用電極13を露出させるための領域を必要としない。そのため、多層基板10の最下層10bの面積を大きくする必要がなく、電子回路モジュール100自身を小型化することが可能となる。
 また、テスト用電極13が非貫通ビアホール20によって形成されているため、テスト用電極13が多層基板10の厚さ方向及び横方向に厚みを有する。そのため、多層基板10の絶縁層10dを削る際の削る深さの精度が悪くても、テスト用電極13を容易に露出させることができる。
 また、第1テスト用電極13aの下端面14が多層基板10の最下層10bより1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極13を露出させる際に多層基板10の最下層10bの絶縁層10dを削るだけで良い。また、多層基板10の最下層10bに配線パターン17が設けられていないので、配線パターン17を切断してしまうことがない。
 また、第2テスト用電極13bが多層基板10の側端部10eの近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極13を露出させる際に多層基板10の側端部10eを削るだけで良い。また、多層基板10の側端部10eのうちの少なくとも第2テスト用電極13bの近傍となる位置には配線パターン17が設けられていないので、配線パターン17を切断してしまうことがない。
 また、スタックト・ビアホール21によって、テスト用電極13を形成する非貫通ビアホール20の長さを必要最小限にできるので、電子回路モジュール100自身の性能への影響を出にくくすることができる。
 また、非貫通ビアホール20の最上層10aの接続ランド20aと部品パッド15とが共通化されたパッド・オン・ビア23を用いることにより、配線のスペース効率を良くすることができる。
 また、電子部品31が封止樹脂35によって樹脂封止されていても、テスト用電極13を露出させるために封止樹脂35を削る必要が無い。
 また、電子回路モジュールの第1の試験方法は、第1テスト用電極13aの下端面14が多層基板10の最下層10bより1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極13を露出させる際に多層基板10の最下層10bの絶縁層10dを削るだけで良い。また、多層基板10の最下層10bに配線パターン17が設けられていないので、配線パターン17を切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
 また、電子回路モジュールの第2の試験方法は、第2テスト用電極13bが多層基板10の側端部10eの近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極13を露出させる際に多層基板10の側端部10eを削るだけで良い。また、多層基板10の側端部10eのうちの少なくとも第2テスト用電極13bの近傍となる位置には配線パターン17が設けられていないので、配線パターン17を切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
 以上説明したように、本発明の電子回路モジュールは、不良解析のためのテスト用電極を、多層基板の内層における平面視でランド電極と重なる位置に設けたので、多層基板の最下層にテスト用電極を露出させるための領域を必要としない。そのため、多層基板の最下層の面積を大きくする必要がなく、電子回路モジュール自身を小型化することが可能となる。また、本発明の電子回路モジュールの第1の試験方法は、第1テスト用電極の下端面が多層基板の最下層より1層上の層に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の最下層の絶縁層を削るだけで良い。また、多層基板の最下層に配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。更に、本発明の電子回路モジュールの第2の試験方法は、第2テスト用電極が多層基板の側端部の近傍に設けられているので、不良解析のためテスト用電極を露出させる際に多層基板の側端部を削るだけで良い。また、多層基板の側端部のうちの少なくとも第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていないので、配線パターンを切断してしまうことがない。そのため、不良解析を行なうための事前作業が容易になる。
 本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能である。
 10    多層基板
 10a   最上層
 10b   最下層
 10c   内層
 10d   絶縁層
 10e   側端部
 11    ランド電極
 11a   第1ランド電極
 11b   第2ランド電極
 13    テスト用電極
 13a   第1テスト用電極
 13b   第2テスト用電極
 13c   第2テスト用電極
 14    下端面
 15    部品パッド
 17    配線パターン
 19    研削部
 19a   掘削穴
 19b   部分研削部
 19c   全面研削部
 20    非貫通ビアホール
 20a   接続ランド
 21    スタックト・ビアホール
 23    パッド・オン・ビア
 30    電子回路
 31    電子部品
 35    封止樹脂
 100   電子回路モジュール
 110   電子回路モジュール
 

Claims (9)

  1.  多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、
     前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられており、
     前記テスト用電極と前記ランド電極とが接続されておらず、
     前記テスト用電極が、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設けられている、
    ことを特徴とする電子回路モジュール。
  2.  前記テスト用電極は、導電性材料からなる非貫通ビアホールによって形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の電子回路モジュール。
  3.  前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極は、その下端面が前記多層基板の最下層より1層上の層に設けられた第1テスト用電極となり、
     前記多層基板の最下層には配線パターンが設けられていない、
    ことを特徴とする請求項2に記載の電子回路モジュール。
  4.  前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極は、前記多層基板の側端部の近傍に設けられた第2テスト用電極となり、
     前記多層基板の側端部のうちの少なくとも前記第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンが設けられていない、
    ことを特徴とする請求項2に記載の電子回路モジュール。
  5.  前記非貫通ビアホールは、前記多層基板の最上層に対して垂直方向に一直線状に形成されるスタックト・ビアホールである、
    ことを特徴とする請求項2乃至請求項4の何れかに記載の電子回路モジュール。
  6.  前記多層基板の最上層には、前記電子部品用の部品パッドが設けられており、前記非貫通ビアホールの最上層の接続ランドが前記部品パッドと共通化されている、
    ことを特徴とする請求項2乃至請求項5の何れかに記載の電子回路モジュール。
  7.  前記電子部品が樹脂封止されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れかに記載の電子回路モジュール。
  8.  多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、
     前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられた電子回路モジュールの試験方法であって、
     前記テスト用電極を、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設け、
     前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極を、その下端面が前記多層基板の最下層より1層上の層に設けられた第1テスト用電極とし、
     前記第1テスト用電極と前記ランド電極とを接続せず、
     前記多層基板の最下層には配線パターンを設けず、
     解析時に前記多層基板の最下層を削って前記第1テスト用電極を露出させる、
    ことを特徴とする電子回路モジュールの試験方法。
  9.  多層基板と、前記多層基板の最上層に実装された複数の電子部品と、を備え、
     前記多層基板の最下層には、通常動作に必要な複数のランド電極が設けられていると共に、前記多層基板の内層には、前記電子部品に接続されたテスト用電極が設けられた電子回路モジュールの試験方法であって、
     前記テスト用電極を、平面視で前記ランド電極と重なる位置に設け、
     前記テスト用電極のうちの少なくとも1つのテスト用電極を、前記多層基板の側端部の近傍に設けられた第2テスト用電極とし、
     前記第2テスト用電極と前記ランド電極とを接続せず、
     前記多層基板の側端部のうちの少なくとも前記第2テスト用電極の近傍となる位置には配線パターンを設けず、
     解析時に前記多層基板の側端部を削って前記第2テスト用電極を露出させる、
    ことを特徴とする電子回路モジュールの試験方法。
     
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077272A (ja) 1993-06-15 1995-01-10 Cmk Corp 多層プリント配線板
JP2003249766A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Mitsubishi Electric Corp 中間層回路の特性評価方法
JP2010056272A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板の製造方法
JP2011071450A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Murata Mfg Co Ltd 部品内蔵基板の製造方法
JP2016086109A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 株式会社リコー プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法およびプリント配線基板の検査方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3190111B2 (ja) * 1992-04-23 2001-07-23 ティーディーケイ株式会社 多層配線基板および誘電体層材料
JP3154594B2 (ja) * 1993-07-13 2001-04-09 日本特殊陶業株式会社 キャパシタ内蔵多層配線基板とその製造方法
JP3232002B2 (ja) * 1996-07-29 2001-11-26 京セラ株式会社 配線基板
JP2002232146A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Murata Mfg Co Ltd ビアホール導体用組成物ならびに多層セラミック基板およびその製造方法
JP4611010B2 (ja) * 2004-12-10 2011-01-12 日立ビアメカニクス株式会社 多層回路基板の製造方法
JP2008218925A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Fujitsu Ltd 配線板、配線板の製造方法及び検査方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077272A (ja) 1993-06-15 1995-01-10 Cmk Corp 多層プリント配線板
JP2003249766A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Mitsubishi Electric Corp 中間層回路の特性評価方法
JP2010056272A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板の製造方法
JP2011071450A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Murata Mfg Co Ltd 部品内蔵基板の製造方法
JP2016086109A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 株式会社リコー プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法およびプリント配線基板の検査方法

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