WO2017119083A1 - 半導体デバイスの載置台及び車載装置 - Google Patents

半導体デバイスの載置台及び車載装置 Download PDF

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    • H10W72/931—Shapes of bond pads

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device mounting table and an in-vehicle device.
  • a semiconductor device covered with a mold resin is placed in a metal casing having a heat radiating portion such as a fin (see, for example, JP 2010-10505 A).
  • a mounting table is provided in the housing, and a semiconductor device is mounted on the mounting table.
  • the semiconductor device mounted on the mounting table is fixed to the fixing portion by a fastening member or the like. Inconvenience may occur because the fixed semiconductor device is warped or the surface of the mounting table is warped.
  • the present invention provides a semiconductor device mounting table and an in-vehicle device capable of eliminating the disadvantages caused by warping of a semiconductor device fixed to a fixed part or warping of the surface of the mounting table.
  • the semiconductor device mounting table comprises: A main body portion on which a semiconductor device is placed, the support portion supporting at least a part of a peripheral edge portion of the semiconductor device, and being located on the inner peripheral side of the support portion and having a height lower than that of the support portion.
  • the semiconductor device is substantially rectangular when viewed from above,
  • the support portion may support four sides of the semiconductor device.
  • the fixing portion has two fixing holes for inserting and fixing a fastening member for fastening the semiconductor device,
  • the two fixing holes may be provided on a diagonal line.
  • the support part is substantially rectangular when viewed from above, and has a first support part and a second support part protruding to the inner peripheral side, The first support part and the second support part may be provided diagonally.
  • the fixing portion has two fixing holes for inserting and fixing a fastening member for fastening the semiconductor device,
  • the fixing hole may be provided in each of the first support part and the second support part.
  • a heat dissipation material may be placed on the bottom surface.
  • the heat dissipation material may be a heat dissipation agent having viscosity.
  • a groove part deeper than the bottom face part may be provided so as to surround the bottom face part intermittently or continuously.
  • the bottom surface portion and the groove portion may be provided adjacent to each other.
  • the fixing portion has at least a fixing hole for inserting and fixing a fastening member for fastening the semiconductor device,
  • the groove portion may be provided between the bottom surface portion and the fixing hole.
  • the in-vehicle device is A semiconductor device; A mounting table having a main body portion on which the semiconductor device is mounted; and a fixing portion for fixing the semiconductor device to the main body portion;
  • the main body has a support part that supports at least a part of the peripheral part of the semiconductor device, and a bottom part that is located on the inner peripheral side of the support part and has a lower height than the support part.
  • the fixing part is provided on the support part,
  • the height difference ⁇ H between the support portion and the bottom portion is the maximum warp H1 to the upper side of the calculated or measured bottom surface portion and the maximum warpage to the lower side of the bottom surface of the calculated or measured semiconductor device. It is larger than the sum of H2 (H1 + H2).
  • the difference ⁇ H in height between the support portion and the bottom surface portion is calculated as the maximum warp H1 to the upper side of the bottom surface portion and to the lower side of the bottom surface of the semiconductor device as calculated or measured. Is larger than the sum (H1 + H2) of the maximum warpage H2. For this reason, even if the bottom surface portion is along the upper side or the bottom surface of the semiconductor device is along the lower side, the semiconductor device can be prevented from coming into contact with the bottom surface portion. For this reason, the inconvenience caused by warping of the semiconductor device fixed to the fixing portion or warping of the surface of the mounting table can be solved.
  • FIG. 1 is an upper plan view of an in-vehicle device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an upper plan view of the semiconductor device mounting table according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an upper plan view showing a mode in which the semiconductor device is mounted on the mounting table according to the embodiment of the present invention.
  • 4 is a cross-sectional view of FIG. 3 taken along line IV-IV of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the height difference ⁇ H between the support portion and the bottom portion and the depth D of the groove portion in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is an upper plan view of an in-vehicle device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an upper plan view of the semiconductor device mounting table according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an upper plan view showing a mode in which the semiconductor device is mounted on the mounting table according to the embodiment of the present invention.
  • 4 is a cross-sectional view of FIG
  • FIG. 6 shows the maximum warpage H1 to the upper side of the calculated bottom surface portion and the maximum warpage H2 to the lower side of the bottom surface of the semiconductor device calculated or measured in the embodiment of the present invention. It is sectional drawing for demonstrating.
  • FIG. 7 is a drawing corresponding to FIG. 4, and is a cross-sectional view when the semiconductor device is mounted on the mounting table according to the first modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an upper plan view of the semiconductor device mounting table according to the second modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an upper plan view of a semiconductor device mounting table according to the third modification of the embodiment of the present invention.
  • Embodiment ⁇ Configuration The semiconductor device mounting table according to the present embodiment is disposed in an in-vehicle device such as a power supply device used in an automobile, for example.
  • the power supply device is, for example, a metal pedestal 220 for mounting the switching power supply device, and, for example, a metal for electromagnetically shielding the switching power supply device by combining with the pedestal 220.
  • a housing 200 having a cover 210 made of metal is included. Although the inside of the cover 210 is also illustrated in FIG. 1, the inside of the cover 210 is actually covered with the cover 210 and cannot be viewed from the outside.
  • a mounting table 100 is provided in the housing 200.
  • the mounting table 100 of the semiconductor device 90 includes a main body unit 10 on which the semiconductor device 90 is mounted, and a fixing unit 40 for fixing the semiconductor device 90 to the main body unit 10. ,have.
  • the main body portion 10 is located on the inner peripheral side of the support portion 12 that supports at least a part of the peripheral portion of the semiconductor device 90 and is lower in height than the support portion 12.
  • a bottom surface portion 11 As shown in FIG. 2, the fixing portion 40 is provided on the support portion 12.
  • the height difference ⁇ H (see FIG. 5) between the support portion 12 and the bottom surface portion 11 is the calculated or measured maximum warp H1 (see FIG. 6) upward of the bottom surface portion 11 and the calculated or measured semiconductor. It is larger than the sum (H1 + H2) of the maximum warpage H2 (see FIG. 6) to the lower side of the bottom surface of the device 90.
  • the height difference ⁇ H between the support part 12 and the bottom part 11 can be 0.15 mm to 0.30 mm, preferably 0.15 mm to 0.20 mm, and even more preferably. Can be 0.15 mm to 0.17 mm.
  • the mounting table 100 may be made of a metal material.
  • ⁇ H can be made larger than H1 + H2.
  • the upper limit of ⁇ H is 0.30 mm.
  • the upper limit of ⁇ H is preferably 0.20 mm, and more preferably 0.17 mm.
  • the main body 10 of the present embodiment may be substantially rectangular when viewed from above.
  • “upward” means the normal direction side of the mounting surface on which the semiconductor device 90 is mounted.
  • the “substantially rectangular shape” in the present embodiment is sufficient if there are two opposing pairs of sides, and includes, for example, a form in which corners are rounded.
  • the support unit 12 may support at least two sides of the semiconductor device 90 facing each other. Further, the support unit 12 may support four sides of the semiconductor device 90. In the present embodiment, description will be made using a mode in which the support portion 12 supports four sides of the semiconductor device 90.
  • the semiconductor device 90 may have a through hole 91 into which the fastening member 95 is inserted.
  • the substantially rectangular support part 12 may have a first support part 12a and a second support part 12b protruding to the inner peripheral side.
  • the 1st support part 12a and the 2nd support part 12b may be provided on a diagonal (corner part).
  • the fixing hole 40 may be provided in each of the 1st support part 12a and the 2nd support part 12b.
  • the first support portion 12a and the second support portion 12b may be semicircular and protrude toward the inner peripheral side.
  • FIG. 2 shows a mode in which the groove portion 35 is provided so as to continuously surround the bottom surface portion 11
  • FIG. 8 shows a mode in which the groove portion 35 is provided so as to intermittently surround the bottom surface portion 11. It is shown.
  • a heat radiating material such as the heat radiating agent 80 and the heat radiating sheet 81 may be placed on the bottom surface portion 11.
  • FIG. 4 shows an aspect in which the heat radiation agent 80 is placed on the bottom surface portion 11, and
  • FIG. 7 shows an aspect in which the heat radiation sheet 81 is placed on the bottom surface portion 11.
  • the support portion 12 supports the semiconductor device 90 only at the periphery, and the support portion 12 for supporting the semiconductor device 90 on the inner peripheral side from the groove portion 35 may not be provided. Moreover, the bottom face part 11 and the groove part 35 may be provided adjacently (continuously) (see FIG. 4).
  • fins 19 may be provided on the back side of the main body 10. According to such an aspect, heat dissipation can be improved.
  • the height difference ⁇ H between the support portion 12 and the bottom surface portion 11 is the calculated or measured maximum warpage H1 to the upper side of the bottom surface portion 11, and the calculated or measured semiconductor device 90. Is larger than the sum (H1 + H2) of the maximum warpage H2 to the lower side of the bottom surface (see FIGS. 5 and 6). For this reason, even if the bottom surface portion 11 is along the upper side or the bottom surface of the semiconductor device 90 is along the lower side, the semiconductor device 90 can be prevented from coming into contact with the bottom surface portion 11. For this reason, the inconvenience due to warpage of the semiconductor device 90 fixed to the fixing portion 40 or warping of the surface of the mounting table 100 can be solved. As an example of this, the height difference ⁇ H between the support portion 12 and the bottom surface portion 11 can be set to 0.15 mm or more.
  • ⁇ H 0.30 mm or less
  • heat generated in the semiconductor device 90 by the heat radiating sheet 81 (see FIG. 7) or the heat radiating agent 80 (see FIG. 4) can be efficiently transmitted to the mounting table 100.
  • ⁇ H 0.20 mm or less
  • heat generated in the semiconductor device 90 by the heat dissipation sheet 81 or the heat dissipation agent 80 can be efficiently transmitted to the mounting table 100, and ⁇ H is set to 0.17 mm or less, for example.
  • the heat generated in the semiconductor device 90 can be more efficiently transmitted to the mounting table 100 by the heat radiating sheet 81 and the heat radiating agent 80.
  • the support unit 12 supports the semiconductor device 90 in a balanced manner. Can do. For this reason, ⁇ H can be close to a value designed in advance, and the inconvenience due to warpage of the semiconductor device 90 fixed to the fixing portion 40 or warping of the surface of the mounting table 100 can be eliminated.
  • the heat radiating agent 80 is employed as the heat radiating material, the thickness of the heat radiating agent 80 can be made more uniform, and the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100.
  • the semiconductor device 90 when the semiconductor device 90 is substantially rectangular, the semiconductor device 90 is more balanced by the support portion 12 by adopting a mode in which the support portion 12 supports the opposing long sides of the semiconductor device 90. Can be supported.
  • the “substantially rectangular shape” means that there are two pairs of opposing sides, and the two opposing pairs of sides are short and long sides, for example, the corners are rounded. Is also included. Note that the short sides do not have to have the same length, and one of the pair of short sides may be longer than the other. Moreover, even if it says a long side, it does not need to be the same length, and one of a pair of long sides may be longer than the other. However, the shorter side of the longer side needs to be longer than the longer side of the shorter side.
  • the support unit 12 can support the semiconductor device 90 in a more balanced manner. it can. Therefore, ⁇ H can be made closer to a value designed in advance, and the inconvenience caused by warping of the semiconductor device 90 fixed to the fixing portion 40 or warping of the surface of the mounting table 100 can be more reliably eliminated. Can do.
  • the heat radiating agent 80 is adopted as the heat radiating material, the thickness of the heat radiating agent 80 can be made more uniform, and the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100.
  • the semiconductor device 90 when the embodiment in which the two fixing holes 40 are provided on the diagonal line is adopted, it is excellent in that the semiconductor device 90 can be fixed to the mounting table 100 in a balanced manner.
  • the difference in height between the support portion 12 and the bottom surface portion 11 can be made more uniform in the entire surface direction.
  • the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100.
  • the thickness of the heat radiating agent 80 when the heat radiating agent 80 is adopted as the heat radiating material, the thickness of the heat radiating agent 80 can be made more uniform, which is beneficial in that the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100. is there.
  • the substantially rectangular support part 12 has the 1st support part 12a and the 2nd support part 12b which protruded to the inner peripheral side, and the 1st support part 12a and the 2nd support part
  • the semiconductor device 90 can be firmly supported by the first support part 12a and the second support part 12b in the diagonal line having a long length.
  • the length of the diagonal line becomes longer, even if the area for supporting the semiconductor device 90 by the first support portion 12a and the second support portion 12b provided at the corner portion is increased, the height is higher than that of the support portion 12.
  • the low bottom part 11 can be provided widely. For this reason, the inconvenience caused by warping of the semiconductor device 90 fixed to the fixing portion 40 or warping of the surface of the mounting table 100 can be more reliably solved.
  • the space between the bottom surface portion 11 and the bottom surface of the semiconductor device 90 is used.
  • the gap can be filled with a highly heat-dissipating material, and the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100.
  • a heat dissipation agent 80 having viscosity such as heat dissipation grease rather than the heat dissipation sheet 81.
  • the groove portion 35 is formed so as to surround the bottom surface portion 11 continuously (see FIG. 2) or intermittently (see FIG. 8) between the bottom surface portion 11 and the support portion 12. May be provided.
  • the heat radiating agent 80 leaks more reliably to the outside. It is excellent in that it can be prevented.
  • the depth D of the groove part 35 may be larger than the height difference ⁇ H between the support part 12 and the bottom part 11.
  • the depth D of the groove 35 may be 4 to 10 times ⁇ H, and more specifically 5 to 7 times.
  • the heat radiation agent 80 that has spread and spread on the bottom surface portion 11 can be poured into the groove portion 35 as it is.
  • the depth D of the groove 35 10 times or less of ⁇ H, it is possible to prevent a gap from being formed between the heat dissipation agent 80 poured into the groove 35 and the bottom surface of the semiconductor device 90.
  • the depth D of the groove 35 7 times or less of ⁇ H, it is possible to more reliably prevent a gap from being formed between the heat radiation agent 80 poured into the groove 35 and the bottom surface of the semiconductor device 90. For these reasons, the heat generated in the semiconductor device 90 can be efficiently transmitted to the mounting table 100 through the heat radiation agent 80 poured into the groove portion 35.
  • the expanded heat dissipation agent 80 sandwiched between the back surface of the semiconductor device 90 and the bottom surface portion 11 is buried in the fixing hole 40. Can be prevented.

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Abstract

半導体デバイス（９０）の載置台（１００）は、半導体デバイス（９０）が載置される本体部（１０）と、前記半導体デバイス（９０）を前記本体部（１０）に固定するための固定部（４０）と、を備えている。前記本体部（１０）は、支持部（１２）と、前記支持部（１２）の内周側に位置するとともに前記支持部（１２）よりも高さが低くなっている底面部（１１）とを有している。前記支持部（１２）と前記底面部（１１）との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部（１１）の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイス（９０）の底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている。

Description

半導体デバイスの載置台及び車載装置
　本発明は半導体デバイスの載置台及び車載装置に関する。
　従来から、フィン等の放熱部を有する金属製の筐体内にモールド樹脂で覆われた半導体デバイスを載置することが知られている（例えば特開２０１０－１０５０５号等参照）。筐体内には載置台が設けられており、この載置台に半導体デバイスが載置される。載置台に載置された半導体デバイスは、締結部材等によって固定部に固定される。固定された半導体デバイスが反ったり載置台の表面が反ったりすることで、不都合が生じることがあった。
　本発明は、固定部に固定された半導体デバイスが反ったり載置台の表面が反ったりすることによる不都合を解消できる半導体デバイスの載置台及び車載装置を提供する。
　本発明による半導体デバイスの載置台は、
　半導体デバイスが載置される本体部であって、前記半導体デバイスの少なくとも周縁部の一部を支持する支持部と、前記支持部の内周側に位置するとともに前記支持部よりも高さが低くなっている底面部とを有する本体部と、
　前記支持部に設けられ、前記半導体デバイスを前記本体部に固定するための固定部と、
　を備え、
　前記支持部と前記底面部との高さの差ΔＨが、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記半導体デバイスは上方から見たときに略矩形状となり、
　前記支持部は、前記半導体デバイスの４辺を支持してもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記固定部は、半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための２つの固定孔を有し、
　前記２つの固定孔は、対角線上に設けられてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記支持部は上方から見たときに略矩形状となり、内周側に突出した第一支持部及び第二支持部を有し、
　前記第一支持部及び前記第二支持部は対角線上に設けられてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記固定部は、前記半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための２つの固定孔を有し、
　前記第一支持部及び前記第二支持部の各々に前記固定孔が設けられてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記底面部には、放熱材料が載置されてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記放熱材料は粘性を有する放熱剤であってもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記底面部と前記支持部との間には、前記底面部を断続的又は連続的に取り囲むようにして、前記底面部よりも深さの深い溝部が設けられてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記底面部と前記溝部とが隣接して設けられてもよい。
　本発明による半導体デバイスの載置台において、
　前記固定部は、半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための少なくとも固定孔を有し、
　前記溝部は、前記底面部と前記固定孔との間に設けられてもよい。
　本発明による車載装置は、
　半導体デバイスと、
　前記半導体デバイスが載置される本体部と、前記半導体デバイスを前記本体部に固定するための固定部と、を有する載置台と、
　を備え、
　前記本体部は、前記半導体デバイスの少なくとも周縁部の一部を支持する支持部と、前記支持部の内周側に位置するとともに前記支持部よりも高さが低くなっている底面部とを有し、
　前記固定部は前記支持部に設けられ、
　前記支持部と前記底面部との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている。
　本発明によれば、支持部と底面部との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている。このため、仮に底面部が上方側へ沿ったり半導体デバイスの底面が下方側へ沿ったりしても、半導体デバイスが底面部と接触することを防止することができる。このため、固定部に固定された半導体デバイスが反ったり載置台の表面が反ったりすることによる不都合を解消できる。
図１は、本発明の実施の形態による車載装置の上方平面図である。 図２は、本発明の実施の形態による半導体デバイスの載置台の上方平面図である。 図３は、本発明の実施の形態による載置台に半導体デバイスを載置した態様を示した上方平面図である。 図４は、図３を図３の直線ＩＶ－ＩＶで切断した断面図である。 図５は、本発明の実施の形態における、支持部と底面部との高さの差ΔＨ、及び、溝部の深さＤを説明するための断面図である。 図６は、本発明の実施の形態における、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１、及び、算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２を説明するための断面図である。 図７は、図４に対応する図面であり、本発明の実施の形態の変形例１による載置台に半導体デバイスを載置した際の断面図である。 図８は、本発明の実施の形態の変形例２による半導体デバイスの載置台の上方平面図である。 図９は、本発明の実施の形態の変形例３による半導体デバイスの載置台の上方平面図である。
実施の形態
《構成》
　本実施の形態による半導体デバイスの載置台は、例えば自動車で用いられる電源装置等の車載装置内に配置される。図１に示すように、電源装置は、例えば、スイッチング電源装置を載置するための例えば金属製の台座２２０と、その台座２２０と組み合わせることでスイッチング電源装置を電磁的に遮蔽するための例えば金属製のカバー２１０とを有する筐体２００を含んでいる。図１ではカバー２１０内も図示しているが、実際にはカバー２１０内はカバー２１０で覆われるため外側から見ることはできない。図１に示すように、筐体２００内に載置台１００が設けられている。
　図２に示すように、半導体デバイス９０（図４参照）の載置台１００は、半導体デバイス９０が載置される本体部１０と、半導体デバイス９０を本体部１０に固定するための固定部４０と、を有している。図４に示すように、本体部１０は、半導体デバイス９０の少なくとも周縁部の一部を支持する支持部１２と、支持部１２の内周側に位置するとともに支持部１２よりも高さが低くなっている底面部１１とを有している。図２に示すように、固定部４０は支持部１２に設けられている。
　支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨ（図５参照）は、算出又は計測された底面部１１の上方側への最大の反りＨ１（図６参照）と算出又は計測された半導体デバイス９０の底面の下方側への最大の反りＨ２（図６参照）との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている。一例としては、支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨは０．１５ｍｍ～０．３０ｍｍとすることができ、好ましくは０．１５ｍｍ～０．２０ｍｍとすることができ、さらにより好ましくは０．１５ｍｍ～０．１７ｍｍとすることができる。なお、放熱性を高めるために載置台１００は金属材料からなってもよい。
　支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨを０．１５ｍｍ以上とすることでΔＨをＨ１＋Ｈ２よりも大きくすることができる。
　他方、支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨを大きくし過ぎると、後述する放熱シート８１（図７参照）を載置したり粘性を有する放熱グリス等の放熱剤８０（図４参照）を塗ったりしたとしても半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００に効率よく伝えられないことがある。このため、一例として、ΔＨの上限を０．３０ｍｍとすることが考えられる。また、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００に効率よく伝えるという観点からは、ΔＨの上限を、０．２０ｍｍとすることが好ましく、０．１７ｍｍとすることがより好ましい。
　図２に示すように、本実施の形態の本体部１０は上方から見たときに略矩形状となっていてもよい。本実施の形態において「上方」とは、半導体デバイス９０を載置する載置面の法線方向側のことを意味している。本実施の形態における「略矩形状」とは、対向する２対の辺が存在すれば足り、例えば角部が丸みを帯びたような態様も含まれている。
　半導体デバイス９０が略矩形状となっている場合には、支持部１２は少なくとも半導体デバイス９０の対向する２辺を支持してもよい。また、支持部１２は、半導体デバイス９０の４辺を支持してもよい。なお本実施の形態では、支持部１２が半導体デバイス９０の４辺を支持する態様を用いて説明する。
　図２等に示す固定部４０は、半導体デバイス９０を締結する例えばネジ等の締結部材９５（図３参照）を挿入して固定するための例えばネジ孔等の固定孔４０であってもよい。固定孔４０は少なくとも２つ設けられてもよい。そして、２つの固定孔４０は、図２及び図８に示すように対角線上に設けられてもよい。なおこのような態様では、図３に示すように、半導体デバイス９０は、締結部材９５が挿入される貫通穴９１を有してもよい。
　また、図２に示すように、略矩形状の支持部１２は、内周側に突出した第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂを有してもよい。第一支持部１２ａと第二支持部１２ｂは対角線上（角部）に設けられてもよい。そして、第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂの各々に固定孔４０が設けられてもよい。図９に示すように、第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂは半円形状で内周側に突出してもよい。
　放熱剤８０を採用する場合には、底面部１１と支持部１２との間に底面部１１を断続的又は連続的に取り囲むようにして、底面部１１よりも深さの深い溝部３５が設けられてもよい。図２は溝部３５が底面部１１を連続的に取り囲むようにして設けられた態様を示したものであり、図８は溝部３５が底面部１１を断続的に取り囲むようにして設けられた態様を示したものである。底面部１１には放熱剤８０、放熱シート８１のような放熱材料が載置されてもよい。図４は底面部１１に放熱剤８０が載置された態様であり、図７は底面部１１に放熱シート８１が載置された態様である。
　支持部１２は周縁のみで半導体デバイス９０を支持し、溝部３５よりも内周側に半導体デバイス９０を支持するための支持部１２が設けられなくてもよい。また、底面部１１と溝部３５とが隣接（連続）して設けられてもよい（図４参照）。また、溝部３５の深さＤ（図５参照）は、底面部１１の深さ（＝支持部１２と底面部１１との高さの差）ΔＨよりも深くしてもよい。この場合には、溝部３５の深さＤを底面部１１の深さΔＨの１０倍以下としたり底面部１１の深さΔＨの７倍以下としたりしてもよい。
　図８に示すように、本体部１０の裏面側にはフィン１９が設けられてもよい。このような態様によれば、放熱性を高めることができる。
《作用・効果》
　次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、まだ説明していないものについて説明する。
　本実施の形態によれば、支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部１１の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイス９０の底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっている（図５及び図６参照）。このため、仮に底面部１１が上方側へ沿ったり半導体デバイス９０の底面が下方側へ沿ったりしても、半導体デバイス９０が底面部１１と接触することを防止することができる。このため、固定部４０に固定された半導体デバイス９０が反ったり載置台１００の表面が反ったりすることによる不都合を解消できる。この一例としては、支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨを０．１５ｍｍ以上とすることができる。
　他方、ΔＨを例えば０．３０ｍｍ以下とすることで放熱シート８１（図７参照）や放熱剤８０（図４参照）によって半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００に効率よく伝えることできる。また、ΔＨを例えば０．２０ｍｍ以下とすることで放熱シート８１や放熱剤８０によって半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００により効率よく伝えることでき、ΔＨを例えば０．１７ｍｍ以下とすることで放熱シート８１や放熱剤８０によって半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００にさらに効率よく伝えることできる。
　半導体デバイス９０が略矩形状となっているときに、支持部１２が半導体デバイス９０の対向する２辺を支持する態様を採用する場合には、支持部１２でバランスよく半導体デバイス９０を支持することができる。このため、ΔＨを予め設計した値に近いものとすることができ、固定部４０に固定された半導体デバイス９０が反ったり載置台１００の表面が反ったりすることによる不都合を解消することができる。とりわけ放熱材料として放熱剤８０を採用した場合には放熱剤８０の厚みをより均一なものとすることができ、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００に効率よく伝えることできる。
　なお、半導体デバイス９０が略長方形状となっている場合には、支持部１２が半導体デバイス９０の対向する長辺を支持する態様を採用することで、支持部１２でよりバランスよく半導体デバイス９０を支持することができる。「略長方形状」とは、対向する２対の辺が存在するとともに、対向する２対の辺が短辺と長辺とになっていれば足り、例えば角部が丸みを帯びたような態様も含まれている。なお、短辺といっても同じ長さである必要はなく、１対の短辺のうちの一方が他方よりも長くなっていてもよい。また、長辺といっても同じ長さである必要はなく、１対の長辺のうちの一方が他方よりも長くなっていてもよい。但し、短辺の長い方の辺よりも長辺の短い方の辺が長くなっている必要はある。
　半導体デバイス９０が略矩形状となっているときに、支持部１２が半導体デバイス９０の４辺を支持する態様を採用する場合には、支持部１２でよりバランスよく半導体デバイス９０を支持することができる。このため、ΔＨを予め設計した値により近いものとすることができ、固定部４０に固定された半導体デバイス９０が反ったり載置台１００の表面が反ったりすることによる不都合をより確実に解消することができる。とりわけ放熱材料として放熱剤８０を採用した場合には放熱剤８０の厚みをより均一なものとすることができ、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００により効率よく伝えることできる。
　図２に示すように、２つの固定孔４０が対角線上に設けられる態様を採用した場合には、半導体デバイス９０を載置台１００に対してバランスよく固定できる点で優れている。このように半導体デバイス９０を載置台１００に対してバランスよく固定することで、支持部１２と底面部１１との高さの差を面方向全体においてより均一なものとすることができる。この結果、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００により効率よく伝えることできる。とりわけ放熱材料として放熱剤８０を採用した場合には放熱剤８０の厚みをより均一なものとすることができ、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００により効率よく伝えることできる点で有益である。
　また、図２及び図８に示すように、略矩形状の支持部１２が内周側に突出した第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂを有し、第一支持部１２ａと第二支持部１２ｂが対角線上に設けられている場合には、長さの長くなる対角線において第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂによってしっかりと半導体デバイス９０を支持することができる。そして、このような第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂを設けることで、支持部１２のうちの他の部分で半導体デバイス９０を支持する面積を減らすことができる。この結果、半導体デバイス９０が反ることで載置台１００の底面部１１と干渉する可能性を低減できる。また、対角線では長さが長くなるので、角部に設けられた第一支持部１２ａ及び第二支持部１２ｂによって半導体デバイス９０を支持する面積が広くなっても、支持部１２よりも高さの低い底面部１１を広く設けることができる。このため、固定部４０に固定された半導体デバイス９０が反ったり載置台１００の表面が反ったりすることによる不都合をより確実に解消することができる。
　なお、半導体デバイス９０を、例えばネジ等の締結部材９５を半導体デバイス９０の貫通穴９１及び例えばネジ孔等のネジの切られた固定孔４０に挿入して固定する態様を採用した場合には（図３参照）、締結部材９５で締め付ける結果、半導体デバイス９０が反りやすいことがある。つまり、締結部材９５で締め付ける結果、半導体デバイス９０と載置台１００との間に「遊び」がなくなる等に起因して、半導体デバイス９０が反りやすいことがある。このため、このような態様では、ΔＨがＨ１＋Ｈ２よりも大きくなる本実施の形態の態様は、より高い効果を発揮することができる。
　底面部１１に放熱剤８０、放熱シート８１のような放熱材料が載置される態様を採用する場合には（図４及び図７参照）、底面部１１と半導体デバイス９０の底面との間の間隙を放熱性の高い物で埋めることができ、半導体デバイス９０で発生する熱を載置台１００により効率よく伝えることできる。底面部１１上で万遍なく広がって均一な放熱効果を実現するという観点からは、放熱シート８１よりも放熱グリス等の粘性を有する放熱剤８０を用いることが好ましい。
　このような放熱剤８０を採用する場合には、底面部１１と支持部１２との間に底面部１１を連続的（図２参照）又は断続的（図８参照）に取り囲むようにして溝部３５が設けられてもよい。このような溝部３５を採用することで、半導体デバイス９０の裏面と底面部１１との間で挟まれた押し広がった放熱剤８０が外部に漏れだすことを防止できる。なお、図２に示すように、底面部１１よりも高さの低い（深さの深い）溝部３５が連続的に設けられている態様によれば、より確実に放熱剤８０が外部に漏れだすことを防止できる点で優れている。
　溝部３５の深さＤは支持部１２と底面部１１との高さの差ΔＨよりも大きくなってもよい。一例として、溝部３５の深さＤはΔＨの４倍～１０倍になってもよく、より限定するならば５倍～７倍となってもよい。溝部３５の深さＤを十分にとることで放熱剤８０が外部に漏れだすことを防止できる。
　また、底面部１１と溝部３５とが隣接して設けられる態様を採用した場合には（図４参照）、底面部１１で押し広がった放熱剤８０をそのまま溝部３５に流し込むことができる。また、溝部３５の深さＤをΔＨの１０倍以下とすることで、溝部３５に流し込まれた放熱剤８０と半導体デバイス９０の底面との間に間隙ができることを防止することができる。溝部３５の深さＤをΔＨの７倍以下とすることで、溝部３５に流し込まれた放熱剤８０と半導体デバイス９０の底面との間に間隙ができることをより確実に防止することができる。これらのことから、半導体デバイス９０で発生する熱を溝部３５に流し込まれた放熱剤８０を介して載置台１００により効率よく伝えることできる。
　底面部１１の周りに底面部１１より深い溝部３５を隣接して設けることで、底面部１１の（略中心部の）上方側への反りを抑えることも期待できる点で有益である。また、一周連続的に底面部１１より深い溝部３５が設けられることで、底面部１１の（略中心部の）上方側への反りをより抑えることも期待できる点で有益である。
　溝部３５が底面部１１と固定孔４０との間に設けられている場合には、半導体デバイス９０の裏面と底面部１１との間で挟まれた押し広がった放熱剤８０が固定孔４０に埋まることを防止できる。
　最後になったが、上述した各実施の形態の記載、変形例の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。
１０　　　　本体部
１１　　　　底面部
１２　　　　支持部
１２ａ　　　第一支持部
１２ｂ　　　第二支持部
２０　　　　突出部
３５　　　　溝部
４０　　　　固定部
８０　　　　放熱剤
９０　　　　半導体デバイス
９５　　　　締結部材
１００　　　載置台
２００　　　筐体

Claims (11)

  1. 　半導体デバイスが載置される本体部であって、前記半導体デバイスの少なくとも周縁部の一部を支持する支持部と、前記支持部の内周側に位置するとともに前記支持部よりも高さが低くなっている底面部とを有する本体部と、
    　前記支持部に設けられ、前記半導体デバイスを前記本体部に固定するための固定部と、
    　を備え、
    　前記支持部と前記底面部との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっていることを特徴とする半導体デバイスの載置台。
  2. 　前記半導体デバイスは上方から見たときに略矩形状となり、
    　前記支持部は、前記半導体デバイスの４辺を支持することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの載置台。
  3. 　前記固定部は、半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための２つの固定孔を有し、
    　前記２つの固定孔は、対角線上に設けられていることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の半導体デバイスの載置台。
  4. 　前記支持部は上方から見たときに略矩形状となり、内周側に突出した第一支持部及び第二支持部を有し、
    　前記第一支持部及び前記第二支持部は対角線上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの載置台。
  5. 　前記固定部は、前記半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための２つの固定孔を有し、
    　前記第一支持部及び前記第二支持部の各々に前記固定孔が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイスの載置台。
  6. 　前記底面部には、放熱材料が載置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体デバイスの載置台。
  7. 　前記放熱材料は粘性を有する放熱剤であることを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイスの載置台。
  8. 　前記底面部と前記支持部との間には、前記底面部を断続的又は連続的に取り囲むようにして、前記底面部よりも深さの深い溝部が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイスの載置台。
  9. 　前記底面部と前記溝部とが隣接して設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイスの載置台。
  10. 　前記固定部は、半導体デバイスを締結する締結部材を挿入して固定するための少なくとも固定孔を有し、
    　前記溝部は、前記底面部と前記固定孔との間に設けられていることを特徴とする請求項８又は９のいずれかに記載の半導体デバイスの載置台。
  11. 　半導体デバイスと、
    　前記半導体デバイスが載置される本体部と、前記半導体デバイスを前記本体部に固定するための固定部と、を有する載置台と、
    　を備え、
    　前記本体部は、前記半導体デバイスの少なくとも周縁部の一部を支持する支持部と、前記支持部の内周側に位置するとともに前記支持部よりも高さが低くなっている底面部とを有し、
    　前記固定部は前記支持部に設けられ、
    　前記支持部と前記底面部との高さの差ΔＨは、算出又は計測された底面部の上方側への最大の反りＨ１と算出又は計測された半導体デバイスの底面の下方側への最大の反りＨ２との和（Ｈ１＋Ｈ２）よりも大きくなっていることを特徴とする車載装置。
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