JPH08153838A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH08153838A
JPH08153838A JP29254294A JP29254294A JPH08153838A JP H08153838 A JPH08153838 A JP H08153838A JP 29254294 A JP29254294 A JP 29254294A JP 29254294 A JP29254294 A JP 29254294A JP H08153838 A JPH08153838 A JP H08153838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
heat sink
sink attachment
unevenness
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP29254294A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Matsumura
吉浩 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP29254294A priority Critical patent/JPH08153838A/ja
Publication of JPH08153838A publication Critical patent/JPH08153838A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、放熱容量の変更を容易にした半導
体装置を提供せんとするものである。 【構成】 上表面に凹凸８を設けたパッケージ２と、こ
のパッケージ２の凹凸８に嵌合する凹凸９を下表面に有
するヒートシンクアタッチメント１とからなり、凹凸８
を凹凸９嵌合してパッケージ２にヒートシンクアタッチ
メント１を重ねて成ることを特徴とする半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の放熱性の
向上を目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来のものとしては、半導体素子を封止
したパッケージの表面にヒートシンクアタッチメントを
埋設したものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
は、ヒートシンクアタッチメントの放熱容量が一定であ
ると言う欠点を有していた。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、放熱容量の変更を容易にした半導体装置を提供
せんとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のように、
表面に凹凸８を設けたパッケージ２と、このパッケージ
２の凹凸８に嵌合する凹凸９を有するヒートシンクアタ
ッチメント１とからなり、凹凸８を凹凸９嵌合してパッ
ケージ２にヒートシンクアタッチメント１を重ねて成る
ことを特徴とする半導体装置である。
【０００６】請求項２記載のように、上表面に凹凸８を
設けたパッケージ２と、このパッケージ２の凹凸８に嵌
合する凹凸９を下表面に有するヒートシンクアタッチメ
ント１とからなり、凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ
２にヒートシンクアタッチメント１を重ねて成ることを
特徴とする半導体装置である。
【０００７】請求項３記載のように、下表面に凹凸８を
設けたパッケージ２と、このパッケージ２の凹凸８に嵌
合する凹凸９を上表面に有するヒートシンクアタッチメ
ント１とからなり、凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ
２にヒートシンクアタッチメント１を重ねて成ることを
特徴とする半導体装置である。
【０００８】請求項４記載のように、下表面に凹凸８を
設けたパッケージ２と、このパッケージ２の凹凸８に嵌
合する凹凸９を上表面に有するヒートシンクアタッチメ
ント１とからなり、ヒートシンクアタッチメント１を電
気回路基板７に貫通埋設し、凹凸８を凹凸９嵌合してパ
ッケージ２にヒートシンクアタッチメント１を重ねて成
ることを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
【作 用】請求項１記載の発明によれば、パッケージ２
にヒートシンクアタッチメント１が、凹凸８を凹凸９嵌
合して重合わせられる。
【００１０】請求項２記載の発明によれば、パッケージ
２の上表面にヒートシンクアタッチメント１が、凹凸８
を凹凸９嵌合して重合わせられる。
【００１１】請求項３記載の発明によれば、パッケージ
２の下表面にヒートシンクアタッチメント１が、凹凸８
を凹凸９嵌合して重合わせられる。
【００１２】請求項４記載の発明によれば、パッケージ
２の下表面に電気回路基板７に貫通埋設したヒートシン
クアタッチメント１が、凹凸８を凹凸９嵌合して重合わ
せられる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。
【００１４】図１および図２に本発明の一実施例である
半導体装置を示す。この半導体装置は、上表面に凹凸８
を設けた薄い箱型のパッケージ２と、このパッケージ２
の凹凸８に嵌合する凹凸９を下表面に有する薄い箱型の
ヒートシンクアタッチメント１とからなり、凹凸８を凹
凸９嵌合してパッケージ２にヒートシンクアタッチメン
ト１を重ねて成る。
【００１５】パッケージ２は、合成樹脂製で、ダイパッ
ド５の上に半導体素子４を搭載したもの、リード端子３
の内端部等を封止している。
【００１６】ヒートシンクアタッチメント１は、銅、ア
ルミニュウム等の放熱性の良い金属で造られる。そし
て、その大きさは、放熱すべき容量に対応して形成され
る。
【００１７】凹凸８、９はともに、低い四角柱状の突起
を並設して凸とし、突起間を凹として形成し、凹凸８、
９が相互に緊密に嵌合するようにしている。
【００１８】この実施例のヒートシンクアタッチメント
１は、上表面にも凹凸１０を設け、放熱面積を拡大して
放熱性を高めている。
【００１９】図３および図４に本発明の他の実施例であ
る半導体装置を示す。この半導体装置は、下表面に凹凸
８を設けた薄い箱型のパッケージ２と、このパッケージ
２の凹凸８に嵌合する凹凸９を上表面に有する薄い箱型
のヒートシンクアタッチメント１とからなり、ヒートシ
ンクアタッチメント１の底部を電気回路基板７に貫通埋
設し、凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ２にヒートシ
ンクアタッチメント１を重ねて成る。
【００２０】この半導体装置では、ヒートシンクアタッ
チメント１からの放熱は、主として電気回路基板７を貫
通して裏面に露出した部分から行われ、表面側の半導体
素子４への熱影響を少なくしている。
【００２１】パッケージ２は、合成樹脂製で、ダイパッ
ド５の上に半導体素子４を搭載したもの、リード端子３
の内端部等を封止している。
【００２２】ヒートシンクアタッチメント１は、銅、ア
ルミニュウム等の放熱性の良い金属で造られる。そし
て、その大きさは、放熱すべき容量に対応して形成され
る。
【００２３】凹凸８、９はともに、低い四角柱状の突起
を並設して凸とし、突起間を凹として形成し、凹凸８、
９が相互に緊密に嵌合するようにしている。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この出願に係る請求項１
記載の発明によれば、パッケージ２にヒートシンクアタ
ッチメント１が、凹凸８を凹凸９嵌合して重合わせられ
るので放熱性に優れ、パッケージ２に必要な放熱容量の
ヒートシンクアタッチメント１を取りつけられる。
【００２５】請求項２記載の発明によれば、パッケージ
２の上表面に必要な放熱容量のヒートシンクアタッチメ
ント１が、凹凸８を凹凸９嵌合して重合わせられる。
【００２６】請求項３記載の発明によれば、パッケージ
２の下表面に必要な放熱容量のヒートシンクアタッチメ
ント１が、凹凸８を凹凸９嵌合して重合わせられる。
【００２７】請求項４記載の発明によれば、凹凸８を凹
凸９嵌合して重合わせるヒートシンクアタッチメント１
を電気回路基板７に貫通埋設して実装時のコンパクト化
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図 １】本発明の一実施例を示す分解斜視図。
【図 ２】同上の断面図。
【図 ３】本発明の異なる実施例を示す分解斜視図。
【図 ４】同上の断面図。
【符号の説明】
１ ヒートシンクアタッチメント ２ パッケージ ３ リード端子 ４ 半導体素子 ５ ダイパッド ７ 電気回路基板 ８ 凹凸 ９ 凹凸

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面に凹凸８を設けたパッケージ２と、
    このパッケージ２の凹凸８に嵌合する凹凸９を有するヒ
    ートシンクアタッチメント１とからなり、凹凸８を凹凸
    ９嵌合してパッケージ２にヒートシンクアタッチメント
    １を重ねて成ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 上表面に凹凸８を設けたパッケージ２
    と、このパッケージ２の凹凸８に嵌合する凹凸９を下表
    面に有するヒートシンクアタッチメント１とからなり、
    凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ２にヒートシンクア
    タッチメント１を重ねて成ることを特徴とする半導体装
    置。
  3. 【請求項３】 下表面に凹凸８を設けたパッケージ２
    と、このパッケージ２の凹凸８に嵌合する凹凸９を上表
    面に有するヒートシンクアタッチメント１とからなり、
    凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ２にヒートシンクア
    タッチメント１を重ねて成ることを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 下表面に凹凸８を設けたパッケージ２
    と、このパッケージ２の凹凸８に嵌合する凹凸９を上表
    面に有するヒートシンクアタッチメント１とからなり、
    ヒートシンクアタッチメント１を電気回路基板７に貫通
    埋設し、凹凸８を凹凸９嵌合してパッケージ２にヒート
    シンクアタッチメント１を重ねて成ることを特徴とする
    半導体装置。
JP29254294A 1994-11-28 1994-11-28 半導体装置 Withdrawn JPH08153838A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29254294A JPH08153838A (ja) 1994-11-28 1994-11-28 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29254294A JPH08153838A (ja) 1994-11-28 1994-11-28 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08153838A true JPH08153838A (ja) 1996-06-11

Family

ID=17783136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29254294A Withdrawn JPH08153838A (ja) 1994-11-28 1994-11-28 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08153838A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153069A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toyota Motor Corp 接続装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153069A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Toyota Motor Corp 接続装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6424031B1 (en) Stackable package with heat sink
KR102085176B1 (ko) 이동 단말기 및 방열 및 차폐 구조체
JP2001332670A (ja) 半導体装置の実装構造
JP2020004840A (ja) 電子ユニットおよびその製造方法
US20030209342A1 (en) Cooler assembly
US7365422B2 (en) Package of leadframe with heatsinks
US20030188848A1 (en) Complex heat-radiator
JP2007096191A (ja) 半導体装置および放熱機構付き半導体装置
JPH08153838A (ja) 半導体装置
JP2003100938A (ja) 半導体装置
JP3378174B2 (ja) 高発熱素子の放熱構造
US6580612B2 (en) Electric circuit
JPH06112674A (ja) 電子部品搭載装置用のヒートシンク
JP7130039B2 (ja) 磁性部品
JPH11260968A (ja) 複合半導体装置
JP2000049271A (ja) 半導体装置
JP2003273307A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH062313Y2 (ja) 調光器用放熱器
JPH10189803A (ja) 放熱板への絶縁基板取付構造
JP2962575B2 (ja) 半導体装置
JP4274340B2 (ja) 電子機器
JP2004221111A (ja) 電子機器
JPH039335Y2 (ja)
JPS608444Y2 (ja) プリント基板の発熱体放熱構造
JP2000068671A (ja) 放熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020205