JP2003273307A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JP2003273307A JP2003273307A JP2002073394A JP2002073394A JP2003273307A JP 2003273307 A JP2003273307 A JP 2003273307A JP 2002073394 A JP2002073394 A JP 2002073394A JP 2002073394 A JP2002073394 A JP 2002073394A JP 2003273307 A JP2003273307 A JP 2003273307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- resin
- semiconductor device
- heat sink
- coining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ノッチを設けることなく、機械的応力及び熱適
応力の緩和、放熱効率を向上、樹脂モールド部と放熱板
との機械的結合強化、接着性を向上及び耐湿特性の向上
を図る。 【解決手段】放熱板２の半導体素子搭載部３上に半導体
素子４が固着され、前記半導体素子４と外部リード６ａ
とが内部リード１２を介して電気的に導通され、前記半
導体素子４と前記リード６ａの一部及び放熱板２から延
在させた外部リード６ｂの一部が樹脂封止されて樹脂モ
ールド部７が形成された樹脂封止型半導体装置であっ
て、前記半導体素子４を搭載する側の放熱板２の対向す
る外周縁部に、該放熱板２の板厚よりも薄い板厚とした
第１のコイニング部２２と、第２のコイニング部２３と
を備え、かつ、該第２のコイニング部２３間に跨る少な
くとも１条の溝２４を設ける。
応力の緩和、放熱効率を向上、樹脂モールド部と放熱板
との機械的結合強化、接着性を向上及び耐湿特性の向上
を図る。 【解決手段】放熱板２の半導体素子搭載部３上に半導体
素子４が固着され、前記半導体素子４と外部リード６ａ
とが内部リード１２を介して電気的に導通され、前記半
導体素子４と前記リード６ａの一部及び放熱板２から延
在させた外部リード６ｂの一部が樹脂封止されて樹脂モ
ールド部７が形成された樹脂封止型半導体装置であっ
て、前記半導体素子４を搭載する側の放熱板２の対向す
る外周縁部に、該放熱板２の板厚よりも薄い板厚とした
第１のコイニング部２２と、第２のコイニング部２３と
を備え、かつ、該第２のコイニング部２３間に跨る少な
くとも１条の溝２４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関し、特に半導体素子が搭載・固着される放熱板
の構造に関するものである。
装置に関し、特に半導体素子が搭載・固着される放熱板
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（ａ），（ｂ）に従来のこの種の樹
脂封止型半導体装置の構造例を示す。すなわち、図９は
特公平７ー４４２４７号公報に示されたもので、樹脂封
止型半導体装置１は、放熱板２の上面に当たる半導体素
子搭載部３上に半導体素子４が半田５により固着され、
半導体素子１と外部リード６ａとが内部リード１２を介
して電気的に導通され、該半導体素子１と外部リード６
ａの一部及び放熱板２から延在させた外部リード６ｂの
一部が樹脂封止されて、樹脂モールド部７が形成された
半導体装置である。
脂封止型半導体装置の構造例を示す。すなわち、図９は
特公平７ー４４２４７号公報に示されたもので、樹脂封
止型半導体装置１は、放熱板２の上面に当たる半導体素
子搭載部３上に半導体素子４が半田５により固着され、
半導体素子１と外部リード６ａとが内部リード１２を介
して電気的に導通され、該半導体素子１と外部リード６
ａの一部及び放熱板２から延在させた外部リード６ｂの
一部が樹脂封止されて、樹脂モールド部７が形成された
半導体装置である。
【０００３】上記の構造例では、放熱板２が樹脂モール
ド部７に組み込まれている部分とそうでない部分の境界
領域であって、その長手方向より見て横方向の両側に、
放熱板２の側面の一部をコ字状に切り欠いて形成した互
いに対向する一対のノッチ９と、このノッチ９間を結ぶ
少なくとも１条の溝１０を有している。さらに、上記の
構造例では樹脂モールド部７との結合を容易にするため
に半導体素子搭載部３の外周縁に外方に向かって張り出
すリブ８を備えている。
ド部７に組み込まれている部分とそうでない部分の境界
領域であって、その長手方向より見て横方向の両側に、
放熱板２の側面の一部をコ字状に切り欠いて形成した互
いに対向する一対のノッチ９と、このノッチ９間を結ぶ
少なくとも１条の溝１０を有している。さらに、上記の
構造例では樹脂モールド部７との結合を容易にするため
に半導体素子搭載部３の外周縁に外方に向かって張り出
すリブ８を備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止型半導
体装置は上記のように構成されているので、以下のよう
な解決すべき課題があった。 （１）放熱板２の先端部のタブ１４に形成したねじ取付
孔９を利用して樹脂封止型半導体装置１を回路基板等の
外部部材に取り付ける場合に、半導体素子掲載部３上に
半田固着された半導体素子４に加わる機械的応力を、前
記溝１０及びノッチ９により緩和するようにしている。
しかるに、ノッチ９は、放熱板２の端縁を切り欠いて形
成するため、一対のノッチ９の占める面積分だけ放熱板
２の有効面積が減少し、半導体素子４の機能時に発生す
る熱の放熱効率を少なからず妨げる結果となっている。
体装置は上記のように構成されているので、以下のよう
な解決すべき課題があった。 （１）放熱板２の先端部のタブ１４に形成したねじ取付
孔９を利用して樹脂封止型半導体装置１を回路基板等の
外部部材に取り付ける場合に、半導体素子掲載部３上に
半田固着された半導体素子４に加わる機械的応力を、前
記溝１０及びノッチ９により緩和するようにしている。
しかるに、ノッチ９は、放熱板２の端縁を切り欠いて形
成するため、一対のノッチ９の占める面積分だけ放熱板
２の有効面積が減少し、半導体素子４の機能時に発生す
る熱の放熱効率を少なからず妨げる結果となっている。
【０００５】（２）樹脂モールド部７と放熱板２との機
械的結合は、放熱板２の外周縁に設けたリブ８ととも
に、ノッチ９と該ノッチ９間を結ぶ溝１０により強化し
ている。しかし、前記ノッチ９は、放熱板２が樹脂モー
ルド部７に組み込まれている部分とそうでない部分の境
界領域にのみ設けられ、また、溝１０の長さもノッチ９
間を結ぶ長さに限定されるため、相対的にその距離が短
くなり、樹脂モールド部７と放熱板２との十分な機械的
結合を得るには未だ十分な対策となっていない。
械的結合は、放熱板２の外周縁に設けたリブ８ととも
に、ノッチ９と該ノッチ９間を結ぶ溝１０により強化し
ている。しかし、前記ノッチ９は、放熱板２が樹脂モー
ルド部７に組み込まれている部分とそうでない部分の境
界領域にのみ設けられ、また、溝１０の長さもノッチ９
間を結ぶ長さに限定されるため、相対的にその距離が短
くなり、樹脂モールド部７と放熱板２との十分な機械的
結合を得るには未だ十分な対策となっていない。
【０００６】（３）上記（２）により機械的結合が未だ
不十分なところがあるために、樹脂モールド部７と放熱
板２との接着不十分な境界から水分が浸入し、半導体素
子４の耐湿特性を劣化させるおそれがある。
不十分なところがあるために、樹脂モールド部７と放熱
板２との接着不十分な境界から水分が浸入し、半導体素
子４の耐湿特性を劣化させるおそれがある。
【０００７】本発明は、上記の各課題を解決するために
なされたもので、ノッチを設けることなく、機械的応
力及び熱的応力を緩和しつつ、放熱板の占める面積を有
効に使用し、半導体素子の機能時に発生する熱の放熱効
率を向上させること、樹脂モールド部と放熱板との機
械的結合をより一層強固なものにすること、樹脂モー
ルド部と放熱板との接着性を向上させ、半導体素子の耐
湿特性を良好なものとすること、等を目的とした樹脂封
止型半導体装置を提供するものである。
なされたもので、ノッチを設けることなく、機械的応
力及び熱的応力を緩和しつつ、放熱板の占める面積を有
効に使用し、半導体素子の機能時に発生する熱の放熱効
率を向上させること、樹脂モールド部と放熱板との機
械的結合をより一層強固なものにすること、樹脂モー
ルド部と放熱板との接着性を向上させ、半導体素子の耐
湿特性を良好なものとすること、等を目的とした樹脂封
止型半導体装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の樹脂封止型
半導体装置は、放熱板の半導体素子搭載部上に半導体素
子が固着され、前記半導体素子と外部リードとが内部リ
ードを介して電気的に導通され、前記半導体素子と外部
リードの一部及び前記放熱板から延在させた外部リード
の一部とが樹脂封止されて樹脂モールド部が形成された
樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子を搭載
する側の放熱板の対向する外周縁部に、該放熱板の板厚
よりも薄い板厚とした第１の突き出し部と、第２の突き
出し部とを備え、かつ、該第２の突き出し部間に跨る少
なくとも１条の溝を設けたことを特徴とするものであ
る。
半導体装置は、放熱板の半導体素子搭載部上に半導体素
子が固着され、前記半導体素子と外部リードとが内部リ
ードを介して電気的に導通され、前記半導体素子と外部
リードの一部及び前記放熱板から延在させた外部リード
の一部とが樹脂封止されて樹脂モールド部が形成された
樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子を搭載
する側の放熱板の対向する外周縁部に、該放熱板の板厚
よりも薄い板厚とした第１の突き出し部と、第２の突き
出し部とを備え、かつ、該第２の突き出し部間に跨る少
なくとも１条の溝を設けたことを特徴とするものであ
る。
【０００９】第２の発明の樹脂封止型半導体装置は、前
記第２の突き出し部の深さを、前記第１の突き出し部の
深さよりも相対的に深く形成したことを特徴とするもの
である。
記第２の突き出し部の深さを、前記第１の突き出し部の
深さよりも相対的に深く形成したことを特徴とするもの
である。
【００１０】
【作用】第１の発明の樹脂封止型半導体装置では、半導
体素子を搭載する側の放熱板の対向する外周縁部に、該
放熱板の板厚よりも薄い板厚とした第１の突き出し部
と、第２の突き出し部とを備え、かつ、該第２の突き出
し部間に跨る少なくとも１条の溝を設けたので、樹脂封
止型半導体装置を外部部材にねじ止めする際に加わる機
械的応力及び熱的応力を緩和しつつ、半導体素子の機能
時に発生する熱を放熱するための有効面積を損ねること
なく放熱面積を十分確保することができる。
体素子を搭載する側の放熱板の対向する外周縁部に、該
放熱板の板厚よりも薄い板厚とした第１の突き出し部
と、第２の突き出し部とを備え、かつ、該第２の突き出
し部間に跨る少なくとも１条の溝を設けたので、樹脂封
止型半導体装置を外部部材にねじ止めする際に加わる機
械的応力及び熱的応力を緩和しつつ、半導体素子の機能
時に発生する熱を放熱するための有効面積を損ねること
なく放熱面積を十分確保することができる。
【００１１】特に、第２の突き出し部間に跨る少なくと
も１条の溝を設けたので、樹脂封止型半導体装置を放熱
板の先端部のタブに設けた取付孔を介して外部部材にね
じ止めする場合に、外部部材あるいは放熱板の取付孔周
縁の平坦度に問題があったとしても該溝により機械的応
力を吸収し、半導体素子に悪影響を与えることがなくな
る。
も１条の溝を設けたので、樹脂封止型半導体装置を放熱
板の先端部のタブに設けた取付孔を介して外部部材にね
じ止めする場合に、外部部材あるいは放熱板の取付孔周
縁の平坦度に問題があったとしても該溝により機械的応
力を吸収し、半導体素子に悪影響を与えることがなくな
る。
【００１２】第２の発明の樹脂封止型半導体装置では、
第２の突き出し部の深さを、第１の突き出し部の深さよ
りも相対的に深く形成したので、一連の深さに形成する
ものに比較して封止樹脂との接着面積が増加し、樹脂と
金属製の放熱板との機械的結合強化が図られる。
第２の突き出し部の深さを、第１の突き出し部の深さよ
りも相対的に深く形成したので、一連の深さに形成する
ものに比較して封止樹脂との接着面積が増加し、樹脂と
金属製の放熱板との機械的結合強化が図られる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を、図を参照して説
明する。図１は本発明の第１の実施例を示し、同図
（ａ）は樹脂封止型半導体装置の一部を示す平面図、同
図（ｂ）はその側面図である。これらの図において、本
発明の樹脂封止型半導体装置２１は、従来構造と同様
に、一連のリードフレームから形成された放熱板２の半
導体素子搭載部３上に、半導体素子４が半田５により固
着され、半導体素子４と外部リード６ａとが内部リード
１２により電気的に導通されている。また、前記半導体
素子４と外部リード６ａ及び放熱板２から延在させた中
央の外部リード６ｂの一部が樹脂封止され樹脂モールド
部７を形成している。
明する。図１は本発明の第１の実施例を示し、同図
（ａ）は樹脂封止型半導体装置の一部を示す平面図、同
図（ｂ）はその側面図である。これらの図において、本
発明の樹脂封止型半導体装置２１は、従来構造と同様
に、一連のリードフレームから形成された放熱板２の半
導体素子搭載部３上に、半導体素子４が半田５により固
着され、半導体素子４と外部リード６ａとが内部リード
１２により電気的に導通されている。また、前記半導体
素子４と外部リード６ａ及び放熱板２から延在させた中
央の外部リード６ｂの一部が樹脂封止され樹脂モールド
部７を形成している。
【００１４】そして、前記半導体素子４を搭載する側の
放熱板２の対向する外周縁部に、該放熱板２の板厚より
も薄い板厚とした第１の突き出し部２２（以下、第１の
コイニング部という。）と、第２の突き出し部２３（以
下、第２のコイニング部という。）とが形成されてい
る。これら第１コイニング部２２及び第２のコイニング
部２３の形状には特に限定されないが、例えば図２
（ａ），（ｂ）に示すように放熱板２の該周縁部から外
方に向かって烏口状に突き出す形状となっている。な
お、図２（ａ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ線に沿う断
面図、図２（ｂ）は図１（ａ）におけるＹ−Ｙ線に沿う
断面図である。
放熱板２の対向する外周縁部に、該放熱板２の板厚より
も薄い板厚とした第１の突き出し部２２（以下、第１の
コイニング部という。）と、第２の突き出し部２３（以
下、第２のコイニング部という。）とが形成されてい
る。これら第１コイニング部２２及び第２のコイニング
部２３の形状には特に限定されないが、例えば図２
（ａ），（ｂ）に示すように放熱板２の該周縁部から外
方に向かって烏口状に突き出す形状となっている。な
お、図２（ａ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ線に沿う断
面図、図２（ｂ）は図１（ａ）におけるＹ−Ｙ線に沿う
断面図である。
【００１５】さらに、第２のコイニング部２３（図１で
は左右一対）に跨る少なくとも１条の溝２４が設けられ
ている。この溝２４の条数についても限定されるもので
はなく、また、第２コイニング部２３への掛かり方も種
々の方法があり、例えば図３（ａ），（ｂ），（ｃ）等
の掛かり方、乃至は跨り方がある。勿論、これらについ
ても特に限定されるものではない。
は左右一対）に跨る少なくとも１条の溝２４が設けられ
ている。この溝２４の条数についても限定されるもので
はなく、また、第２コイニング部２３への掛かり方も種
々の方法があり、例えば図３（ａ），（ｂ），（ｃ）等
の掛かり方、乃至は跨り方がある。勿論、これらについ
ても特に限定されるものではない。
【００１６】また、溝２４の形状についても、例えば、
図４（ａ）〜（ｄ）に示すようにコ字状溝（ａ）、Ｖ字
状溝（ｂ）、Ｕ字状溝（ｃ）、２段溝（ｄ）等、種々の
形状が考えられる。さらに、図５は溝２４の種々の平面
配置形状を示し、（ａ）は両端の第２のコイニング部２
３に対してクランク状に折れ曲がった形状のもの、
（ｂ）は円弧状になったもの、（ｃ）は前縁部に対して
も設けた第２コイニング部２３と側縁部に設けた第２の
コイニング部２３間を斜めに繋ぐ形状のもの、（ｄ）
は、（ｃ）と同様に配置した第２コイニング２３間をＬ
字状の溝２４で繋いだものを示している。しかし、この
溝２４の平面配置形状についても特に限定されるもので
はない。
図４（ａ）〜（ｄ）に示すようにコ字状溝（ａ）、Ｖ字
状溝（ｂ）、Ｕ字状溝（ｃ）、２段溝（ｄ）等、種々の
形状が考えられる。さらに、図５は溝２４の種々の平面
配置形状を示し、（ａ）は両端の第２のコイニング部２
３に対してクランク状に折れ曲がった形状のもの、
（ｂ）は円弧状になったもの、（ｃ）は前縁部に対して
も設けた第２コイニング部２３と側縁部に設けた第２の
コイニング部２３間を斜めに繋ぐ形状のもの、（ｄ）
は、（ｃ）と同様に配置した第２コイニング２３間をＬ
字状の溝２４で繋いだものを示している。しかし、この
溝２４の平面配置形状についても特に限定されるもので
はない。
【００１７】次に、図６に本発明の第２の実施例を示
す。このこの実施例では、図示のように、第２のコイニ
ング部２３を、第１のコイニング部２２の長手方向両端
に隣接して合計４箇所設け、かつ、幅方向で互いに対向
する第２のコイニング部２３間を跨ぐように深さの異な
る２段型の溝２４を形成したものである。この溝２４
は、図６（ａ）のＡ部拡大図として図７に示すように、
深さが相対的に浅く口幅の広い第１段の口縁溝２５と、
相対的に底の深い第２段の円弧溝２６とが一連なるよう
に設けられている。
す。このこの実施例では、図示のように、第２のコイニ
ング部２３を、第１のコイニング部２２の長手方向両端
に隣接して合計４箇所設け、かつ、幅方向で互いに対向
する第２のコイニング部２３間を跨ぐように深さの異な
る２段型の溝２４を形成したものである。この溝２４
は、図６（ａ）のＡ部拡大図として図７に示すように、
深さが相対的に浅く口幅の広い第１段の口縁溝２５と、
相対的に底の深い第２段の円弧溝２６とが一連なるよう
に設けられている。
【００１８】なお、上記第１のコイニング部２２と第２
のコイニング部２３の具体的寸法例を示せば次の通りで
ある。図７において、ｔ１＝１．３ｍｍ、ｔ２＝０．６
５ｍｍ、ｔ３＝０．３ｍｍである。この寸法例で分かる
ように、第１のコイニング部２２の深さｔ３は、放熱板
２の板厚ｔ１の約１／４程度であり、また、第２のコイ
ニング部２３の深さｔ２は、放熱板２の板厚ｔ１の約１
／２程度であるが、これらの深さについては当該コイニ
ング部２２，２３の長さや形成するコイニング部の数等
により適宜設計されるものである。
のコイニング部２３の具体的寸法例を示せば次の通りで
ある。図７において、ｔ１＝１．３ｍｍ、ｔ２＝０．６
５ｍｍ、ｔ３＝０．３ｍｍである。この寸法例で分かる
ように、第１のコイニング部２２の深さｔ３は、放熱板
２の板厚ｔ１の約１／４程度であり、また、第２のコイ
ニング部２３の深さｔ２は、放熱板２の板厚ｔ１の約１
／２程度であるが、これらの深さについては当該コイニ
ング部２２，２３の長さや形成するコイニング部の数等
により適宜設計されるものである。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成したので概
略以下のような効果を奏する。 （１）第１及び第２のコイニング部と、第２のコイニン
グ部間に跨る溝の形成による相乗効果によって、ねじ取
付孔を利用して樹脂封止型半導体装置を回路基板等の外
部部材に取り付ける場合に、あるいは、半田等を利用し
て樹脂封止型半導体装置を回路基板等の外部部材に面付
けする場合に、半導体素子に加わる機械的応力及び半導
体素子の機能時の熱的応力を緩和することができる。 （２）従来構造のように放熱板の端縁の一部切り欠いて
形成したノッチを有することなく、外方に向かって突き
出し形状のコイニング部を形成するようにしたので、放
熱板としての有効面積を効果的に使用することができ、
半導体素子の機能時に発生する熱の放熱効率を向上させ
ることができる。 （３）深さの異なる第１のコイニング部と第２のコイニ
ング部を設け、しかも第２コイニング部間を跨ぐ溝を形
成したので、接着面積が増加し、樹脂モールド部と放熱
板との機械的結合をより一層強固なものにすることがで
きる。 （４）上記（３）より樹脂モールド部と放熱板との接着
性を向上させる結果、半導体素子の耐湿特性を良好なも
のとすることができる。
略以下のような効果を奏する。 （１）第１及び第２のコイニング部と、第２のコイニン
グ部間に跨る溝の形成による相乗効果によって、ねじ取
付孔を利用して樹脂封止型半導体装置を回路基板等の外
部部材に取り付ける場合に、あるいは、半田等を利用し
て樹脂封止型半導体装置を回路基板等の外部部材に面付
けする場合に、半導体素子に加わる機械的応力及び半導
体素子の機能時の熱的応力を緩和することができる。 （２）従来構造のように放熱板の端縁の一部切り欠いて
形成したノッチを有することなく、外方に向かって突き
出し形状のコイニング部を形成するようにしたので、放
熱板としての有効面積を効果的に使用することができ、
半導体素子の機能時に発生する熱の放熱効率を向上させ
ることができる。 （３）深さの異なる第１のコイニング部と第２のコイニ
ング部を設け、しかも第２コイニング部間を跨ぐ溝を形
成したので、接着面積が増加し、樹脂モールド部と放熱
板との機械的結合をより一層強固なものにすることがで
きる。 （４）上記（３）より樹脂モールド部と放熱板との接着
性を向上させる結果、半導体素子の耐湿特性を良好なも
のとすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例である樹脂封止型半導体
装置を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
装置を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）におけるＸ−Ｘ線に沿う
拡大断面図、（ｂ）は、図１（ａ）におけるＹ−Ｙ線に
沿う拡大断面図である。
拡大断面図、（ｂ）は、図１（ａ）におけるＹ−Ｙ線に
沿う拡大断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ第２のコ
イニング部に跨る溝の跨り方の例を示す斜視図である。
イニング部に跨る溝の跨り方の例を示す斜視図である。
【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ
上記溝の断面形状の例を示す断面図である。
上記溝の断面形状の例を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ
上記溝の平面形状の例を示す平面図である。
上記溝の平面形状の例を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例である樹脂封止型半導体
装置を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
装置を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図
である。
【図７】図６（ｂ）におけるＡ部拡大図である。
【図８】従来のこの種の樹脂封止型半導体装置の構造例
を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図であ
る。
を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図であ
る。
１，２１ 樹脂封止型半導体装置
２ 放熱板
３ 半導体素子搭載部
４ 半導体素子
５ 半田
６ａ，６ｂ 外部リード
７ 樹脂モールド部
８ リブ
９ ノッチ
１０，２４ 溝
１１ 取付孔
１２ 内部リード
１４ タブ
２２ 第１のコイニング部
２３ 第２のコイニング部
フロントページの続き
(72)発明者 赤澤 康友
神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 5F067 AA06 AB01 AB10 BE04 CA03
CA04 CA07 DE09 EA04
Claims (2)
- 【請求項１】放熱板の半導体素子搭載部上に半導体素子
が固着され、前記半導体素子と外部リードとが内部リー
ドを介して電気的に導通され、前記半導体素子と外部リ
ードの一部及び前記放熱板から延在させた外部リードの
一部とが樹脂封止されて樹脂モールド部が形成された樹
脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子を搭載す
る側の放熱板の対向する外周縁部に、該放熱板の板厚よ
りも薄い板厚とした第１の突き出し部と、第２の突き出
し部とを備え、かつ、該第２の突き出し部間に跨る少な
くとも１条の溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項２】前記第２の突き出し部の深さは、前記第１
の突き出し部の深さよりも相対的に深く形成したことを
特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073394A JP3871587B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073394A JP3871587B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273307A true JP2003273307A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3871587B2 JP3871587B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=29203069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002073394A Expired - Fee Related JP3871587B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3871587B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034601A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010010567A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010244944A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Toyota Motor Corp | 導電性ペースト材料とそれを用いた半導体装置 |
| EP2077579A4 (en) * | 2007-08-13 | 2014-10-08 | Onamba Co Ltd | DIODE MOUNTED ON TWIN CHIPS |
-
2002
- 2002-03-18 JP JP2002073394A patent/JP3871587B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008034601A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP2077579A4 (en) * | 2007-08-13 | 2014-10-08 | Onamba Co Ltd | DIODE MOUNTED ON TWIN CHIPS |
| JP2010010567A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010244944A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Toyota Motor Corp | 導電性ペースト材料とそれを用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3871587B2 (ja) | 2007-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6329706B1 (en) | Leadframe using chip pad as heat conducting path and semiconductor package adopting the same | |
| KR950030323A (ko) | 반도체 장치와 반도체 장치의 생산방법 및 반도체 모듈 | |
| JPH09260550A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006203052A (ja) | 表面実装型半導体素子 | |
| JP4390317B2 (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージ | |
| JP6365322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6653199B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7365422B2 (en) | Package of leadframe with heatsinks | |
| JP2003273307A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2010003858A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6378558A (ja) | 電子装置 | |
| JPS6180842A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000174193A (ja) | 放熱板付きリードフレーム | |
| JP2000049271A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6242549Y2 (ja) | ||
| JP2005012085A (ja) | 半導体モジュールの電極構造 | |
| JPH10189803A (ja) | 放熱板への絶縁基板取付構造 | |
| KR20110080902A (ko) | Ｌｅｄ 패키지 | |
| JP3533363B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH08181268A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07231065A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03109755A (ja) | 樹脂封止型ｉｃ | |
| JPS59152653A (ja) | レジンパツケ−ジ型半導体装置 | |
| JPH0522391B2 (ja) | ||
| JPS62224049A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060609 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060703 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060724 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061016 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061017 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3871587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151027 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |