JP2000174193A - 放熱板付きリードフレーム - Google Patents
放熱板付きリードフレームInfo
- Publication number
- JP2000174193A JP2000174193A JP34740298A JP34740298A JP2000174193A JP 2000174193 A JP2000174193 A JP 2000174193A JP 34740298 A JP34740298 A JP 34740298A JP 34740298 A JP34740298 A JP 34740298A JP 2000174193 A JP2000174193 A JP 2000174193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- lead frame
- heat
- chip
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田リフロー時におけるパッケージのクラッ
クの発生を防止することにあり、副次的な目的は放熱板
の放熱性を損なわずに異なる大きさのチップサイズに対
応できる放熱板付きリードフレームを提供する。 【解決手段】 半導体チップ１のコーナー部1aが放熱板
２に形成された穴11を通してレジン21で覆われるので、
クラックの起点が補強され、半田リフロー時のパッケー
ジのクラックの発生が防止される。チップ１で発生した
熱は、パッケージの中心から外側に広がるように放熱板
２、インナーリード4a及びアウターリード4bを伝導して
放熱されるが、放熱板２に形成された穴11が放熱板２の
中心から外側に向かって形成されているので、熱流方向
が妨げられることがなく放熱性の低下が最小限に抑えら
れる。チップ１の中心からコーナー部１ａを結ぶ方向に
穴が形成されることにより様々のサイズのチップ１に対
応することができる。
クの発生を防止することにあり、副次的な目的は放熱板
の放熱性を損なわずに異なる大きさのチップサイズに対
応できる放熱板付きリードフレームを提供する。 【解決手段】 半導体チップ１のコーナー部1aが放熱板
２に形成された穴11を通してレジン21で覆われるので、
クラックの起点が補強され、半田リフロー時のパッケー
ジのクラックの発生が防止される。チップ１で発生した
熱は、パッケージの中心から外側に広がるように放熱板
２、インナーリード4a及びアウターリード4bを伝導して
放熱されるが、放熱板２に形成された穴11が放熱板２の
中心から外側に向かって形成されているので、熱流方向
が妨げられることがなく放熱性の低下が最小限に抑えら
れる。チップ１の中心からコーナー部１ａを結ぶ方向に
穴が形成されることにより様々のサイズのチップ１に対
応することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱板付きリード
フレームに関する。
フレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路用のリードフレームの一種にＱ
ＦＰ（Quad Flat Package、四方にリードのあるフラット
パッケージ）用のリードフレームがある。この種のリー
ドフレームに搭載される集積回路としてはＣＰＵが多用
されており、ＣＰＵの処理能力の向上に伴い発熱量が増
加している。このため、リードフレームに放熱板が貼付
けられた放熱板付きリードフレームが用いられるように
なってきた。
ＦＰ（Quad Flat Package、四方にリードのあるフラット
パッケージ）用のリードフレームがある。この種のリー
ドフレームに搭載される集積回路としてはＣＰＵが多用
されており、ＣＰＵの処理能力の向上に伴い発熱量が増
加している。このため、リードフレームに放熱板が貼付
けられた放熱板付きリードフレームが用いられるように
なってきた。
【０００３】放熱板付きリードフレームとしては、耐半
田リフロー性（耐リフロー性）を向上させるため、図１
０に示すように半導体集積回路のチップ１の下の放熱板
２に丸穴３を形成したものや、図１１に示すようにチッ
プ１とリードフレーム４との間の放熱板２に細穴５を形
成したものが用いられている。なお、図１０及び図１１
は従来の放熱板付きリードフレームの概念図である。
田リフロー性（耐リフロー性）を向上させるため、図１
０に示すように半導体集積回路のチップ１の下の放熱板
２に丸穴３を形成したものや、図１１に示すようにチッ
プ１とリードフレーム４との間の放熱板２に細穴５を形
成したものが用いられている。なお、図１０及び図１１
は従来の放熱板付きリードフレームの概念図である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の放熱板付きリードフレームには以下のような問
題がある。
た従来の放熱板付きリードフレームには以下のような問
題がある。
【０００５】(1) モールド成型後の半田リフロー時にチ
ップのコーナー部に大きな応力が発生しやすく、そのチ
ップのコーナー部からクラックが発生するおそれがあ
る。
ップのコーナー部に大きな応力が発生しやすく、そのチ
ップのコーナー部からクラックが発生するおそれがあ
る。
【０００６】(2) 耐半田リフロー性を向上させるため放
熱板に多数の穴を明けると、放熱板の放熱性が損なわれ
てしまう。
熱板に多数の穴を明けると、放熱板の放熱性が損なわれ
てしまう。
【０００７】そこで、本発明の主な目的は、上記課題を
解決し、半田リフロー時におけるパッケージのクラック
の発生を防止することにあり、副次的な目的は放熱板の
放熱性を損なわずに異なる大きさのチップサイズに対応
できる放熱板付きリードフレームを提供することにあ
る。
解決し、半田リフロー時におけるパッケージのクラック
の発生を防止することにあり、副次的な目的は放熱板の
放熱性を損なわずに異なる大きさのチップサイズに対応
できる放熱板付きリードフレームを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の放熱板付きリードフレームは、リードフレー
ムに絶縁性接着剤を介して放熱板を貼付けた放熱板付き
リードフレームにおいて、搭載されるチップのコーナー
部の位置の放熱板に穴が形成されているものである。
に本発明の放熱板付きリードフレームは、リードフレー
ムに絶縁性接着剤を介して放熱板を貼付けた放熱板付き
リードフレームにおいて、搭載されるチップのコーナー
部の位置の放熱板に穴が形成されているものである。
【０００９】上記構成に加え本発明の放熱板付きリード
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に長く形成された長円であってもよ
い。
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に長く形成された長円であってもよ
い。
【００１０】上記構成に加え本発明の放熱板付きリード
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に形成された扇型であってもよい。
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に形成された扇型であってもよい。
【００１１】上記構成に加え本発明の放熱板付きリード
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に長く形成された多角形であってもよ
い。
フレームは、穴の形状が放熱板の中心からチップのコー
ナー部を結ぶ方向に長く形成された多角形であってもよ
い。
【００１２】本発明によれば、チップのコーナー部が放
熱板に形成された穴を通してモールドレジンで覆われる
ので、クラックの起点が補強され、半田リフロー時のパ
ッケージのクラックの発生が防止される。
熱板に形成された穴を通してモールドレジンで覆われる
ので、クラックの起点が補強され、半田リフロー時のパ
ッケージのクラックの発生が防止される。
【００１３】また、チップで発生した熱は、パッケージ
の中心から外側に広がるように放熱板、インナーリード
及びアウターリードを伝導して放熱されるが、放熱板に
形成された穴が放熱板の中心から外側に向かって形成さ
れているので、熱流方向が妨げられることがなく放熱性
の低下が最小限に抑えられる。
の中心から外側に広がるように放熱板、インナーリード
及びアウターリードを伝導して放熱されるが、放熱板に
形成された穴が放熱板の中心から外側に向かって形成さ
れているので、熱流方向が妨げられることがなく放熱性
の低下が最小限に抑えられる。
【００１４】さらに、チップの中心からコーナー部を結
ぶ方向に穴が形成されることにより、搭載されるチップ
の大きさが変わっても常にコーナー部が穴の上に位置す
ることになるので、様々のサイズのチップに対応するこ
とができる。
ぶ方向に穴が形成されることにより、搭載されるチップ
の大きさが変わっても常にコーナー部が穴の上に位置す
ることになるので、様々のサイズのチップに対応するこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。なお、図９、１０に示した従
来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
図面に基づいて詳述する。なお、図９、１０に示した従
来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００１６】図１は本発明の放熱板付きリードフレーム
の一実施の形態を示す概念図である。
の一実施の形態を示す概念図である。
【００１７】この放熱板付きリードフレーム１０は、リ
ードフレーム４に絶縁性接着剤（図示せず）を介して貼
付けられる放熱板２に搭載される半導体チップ１のコー
ナー部の位置に穴１１を形成したものである。
ードフレーム４に絶縁性接着剤（図示せず）を介して貼
付けられる放熱板２に搭載される半導体チップ１のコー
ナー部の位置に穴１１を形成したものである。
【００１８】放熱板付きリードフレーム１０をこのよう
に構成したことにより、半導体チップ１のコーナー部１
ａが放熱板２に形成された穴１１を通してモールドレジ
ン（図示せず）で覆われるので、クラックの起点が補強
され、半田リフロー時のパッケージのクラックの発生が
防止される。
に構成したことにより、半導体チップ１のコーナー部１
ａが放熱板２に形成された穴１１を通してモールドレジ
ン（図示せず）で覆われるので、クラックの起点が補強
され、半田リフロー時のパッケージのクラックの発生が
防止される。
【００１９】図２は本発明の放熱板付きリードフレーム
の他の実施の形態を示す概念図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。
【００２０】図１に示した実施の形態との相違点は、放
熱板２の穴１２の形状が放熱板２の中心から半導体チッ
プ１のコーナー部１ａを結ぶ方向に長く形成された長円
である点である。
熱板２の穴１２の形状が放熱板２の中心から半導体チッ
プ１のコーナー部１ａを結ぶ方向に長く形成された長円
である点である。
【００２１】このような放熱板付きリードフレーム１３
において、半導体チップ１で発生した熱は、パッケージ
の中心から外側に広がるように放熱板２、リードフレー
ム４を伝導して放熱されるが、放熱板２に形成された穴
１２が放熱板２の中心から外側に向かって形成されてい
るので、熱流方向が妨げられることがなく放熱性の低下
が最小限に抑えられる。また、半導体チップ１の中心か
らコーナー部１ａを結ぶ方向に穴１２が形成されている
ので、搭載される半導体チップ１の大きさが変わっても
常にコーナー部１ａが穴１２の上に位置することになる
ので、様々のサイズの半導体チップ１に対応することが
できる。
において、半導体チップ１で発生した熱は、パッケージ
の中心から外側に広がるように放熱板２、リードフレー
ム４を伝導して放熱されるが、放熱板２に形成された穴
１２が放熱板２の中心から外側に向かって形成されてい
るので、熱流方向が妨げられることがなく放熱性の低下
が最小限に抑えられる。また、半導体チップ１の中心か
らコーナー部１ａを結ぶ方向に穴１２が形成されている
ので、搭載される半導体チップ１の大きさが変わっても
常にコーナー部１ａが穴１２の上に位置することになる
ので、様々のサイズの半導体チップ１に対応することが
できる。
【００２２】図３は本発明の放熱板付きリードフレーム
の他の実施の形態を示す概念図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。
【００２３】図２に示した実施の形態との相違点は、穴
１４の形状が放熱板２の中心から半導体チップ１のコー
ナー部１ａを結ぶ方向に形成された扇型である点であ
る。
１４の形状が放熱板２の中心から半導体チップ１のコー
ナー部１ａを結ぶ方向に形成された扇型である点であ
る。
【００２４】このような放熱板付きリードフレーム１５
においても図２に示した実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
においても図２に示した実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
【００２５】図４は本発明の放熱板付きリードフレーム
の他の実施の形態を示す概念図である。
の他の実施の形態を示す概念図である。
【００２６】図２に示した実施の形態との相違点は、穴
１６の形状が放熱板２の中心から半導体チップ１のコー
ナー部１ａを結ぶ方向に長く形成された多角形である点
である。
１６の形状が放熱板２の中心から半導体チップ１のコー
ナー部１ａを結ぶ方向に長く形成された多角形である点
である。
【００２７】このような放熱板付きリードフレーム１７
においても図２に示した実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
においても図２に示した実施の形態と同様の効果が得ら
れる。
【００２８】
【実施例】以下数値を挙げて説明するが限定されるもの
ではない。
ではない。
【００２９】（実施例１）図５は本発明の放熱板付きリ
ードフレームの一実施例を示す概念図であり、図２に示
した放熱板付きリードフレームと同様の構成を有してい
る。図６は図５に示した放熱板付きリードフレームのＡ
−Ａ線断面図である。図７は図５に示した放熱板付きリ
ードフレームを用いたフラットタイプパッケージの断面
図である。
ードフレームの一実施例を示す概念図であり、図２に示
した放熱板付きリードフレームと同様の構成を有してい
る。図６は図５に示した放熱板付きリードフレームのＡ
−Ａ線断面図である。図７は図５に示した放熱板付きリ
ードフレームを用いたフラットタイプパッケージの断面
図である。
【００３０】図５及び図６に示す放熱板付きリードフレ
ームは以下のようにして形成した。
ームは以下のようにして形成した。
【００３１】厚さ約０．１０５ｍｍの圧延銅条に、ポリ
イミドを主成分とするガラス転移温度Ｔｇ＝２３０℃の
熱可塑性絶縁性の接着剤１８を塗布し、乾燥させた後溶
媒を除去する。接着剤１８の厚さは２０〜３０μｍとし
た。この接着剤付きの圧延銅条を幅約３５ｍｍにスリッ
トする。スリットした接着剤付きの圧延銅条を２０ｍｍ
角に切断したものが放熱板２である。この放熱板２を、
銅合金製の２０８ピンＱＦＰ用リードフレーム４のイン
ナーリード４ａの先端部のＡｇめっき面４ａａの裏面に
接着剤１８を介して貼付ける。接着剤１８を介して貼付
けるときの温度は約３５０℃とした。銅条、すなわち放
熱板２の半導体チップ１が搭載される位置の４箇所のコ
ーナー部１ａに金型の打ち抜きによって穴１２を明ける
ことにより放熱板付きリードフレームが得られる。
イミドを主成分とするガラス転移温度Ｔｇ＝２３０℃の
熱可塑性絶縁性の接着剤１８を塗布し、乾燥させた後溶
媒を除去する。接着剤１８の厚さは２０〜３０μｍとし
た。この接着剤付きの圧延銅条を幅約３５ｍｍにスリッ
トする。スリットした接着剤付きの圧延銅条を２０ｍｍ
角に切断したものが放熱板２である。この放熱板２を、
銅合金製の２０８ピンＱＦＰ用リードフレーム４のイン
ナーリード４ａの先端部のＡｇめっき面４ａａの裏面に
接着剤１８を介して貼付ける。接着剤１８を介して貼付
けるときの温度は約３５０℃とした。銅条、すなわち放
熱板２の半導体チップ１が搭載される位置の４箇所のコ
ーナー部１ａに金型の打ち抜きによって穴１２を明ける
ことにより放熱板付きリードフレームが得られる。
【００３２】ここで、銅条としては、圧延銅条だけでな
く、電解銅条を使用することもできる。さらに、これら
の銅条の露出面（接着剤を塗布しない面）に粗化処理及
び耐酸化性処理を施すことは、モールド樹脂との密着性
を高め、耐リフロー性を向上させるのに有効である。
く、電解銅条を使用することもできる。さらに、これら
の銅条の露出面（接着剤を塗布しない面）に粗化処理及
び耐酸化性処理を施すことは、モールド樹脂との密着性
を高め、耐リフロー性を向上させるのに有効である。
【００３３】接着剤としては、熱可塑性接着剤だけでな
く、熱硬化性接着剤を使用することもできる。
く、熱硬化性接着剤を使用することもできる。
【００３４】放熱板への上記穴明け加工は、放熱板をリ
ードフレームに貼付けた後でもよいが、貼付ける前の接
着剤付き銅条に予め穴を明けることも可能である。
ードフレームに貼付けた後でもよいが、貼付ける前の接
着剤付き銅条に予め穴を明けることも可能である。
【００３５】このような放熱板付きリードフレームの放
熱板２の中心にＡｇペースト１９を用いて１０ｍｍ角の
半導体チップ１を固定し、半導体チップ１のボンディン
グパッドとインナーリードのＡｇメッキ面４ａとを金ワ
イヤ２０でボンディングし、モールドレジン２１でモー
ルドし、アウターリード４ｂを切断した後成型を行うこ
とにより、２８ｍｍ角の放熱板付きＱＦＰプラスチック
パッケージが形成される（図７）。
熱板２の中心にＡｇペースト１９を用いて１０ｍｍ角の
半導体チップ１を固定し、半導体チップ１のボンディン
グパッドとインナーリードのＡｇメッキ面４ａとを金ワ
イヤ２０でボンディングし、モールドレジン２１でモー
ルドし、アウターリード４ｂを切断した後成型を行うこ
とにより、２８ｍｍ角の放熱板付きＱＦＰプラスチック
パッケージが形成される（図７）。
【００３６】（比較例１、２）次に、耐半田リフロー性
の良い穴の位置を検討するため、図８に示すように放熱
板２に穴を開けない場合（比較例１）と、半導体チップ
１のコーナー部１ａではなく、図９に示すように半導体
チップ１の各辺の中央部１ｂに穴２２を開けた場合（比
較例２）と、実施例１とを比較する。
の良い穴の位置を検討するため、図８に示すように放熱
板２に穴を開けない場合（比較例１）と、半導体チップ
１のコーナー部１ａではなく、図９に示すように半導体
チップ１の各辺の中央部１ｂに穴２２を開けた場合（比
較例２）と、実施例１とを比較する。
【００３７】図８及び図９は放熱板付きリードフレーム
の比較例の概念図である。
の比較例の概念図である。
【００３８】これらのリードフレームを用いたプラスチ
ックパッケージの放熱性を表わす熱抵抗の測定と、耐リ
フロー性を調べるため、プラスチックパッケージを８５
℃／８５％の恒温槽中に所定の時間収容して吸湿させた
後、ＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ；赤外光）リフローを最高
温度２４５℃で行い、プラスチックパッケージ内の剥離
やクラックの有無を調査した。その結果を表１に示す。
ックパッケージの放熱性を表わす熱抵抗の測定と、耐リ
フロー性を調べるため、プラスチックパッケージを８５
℃／８５％の恒温槽中に所定の時間収容して吸湿させた
後、ＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ；赤外光）リフローを最高
温度２４５℃で行い、プラスチックパッケージ内の剥離
やクラックの有無を調査した。その結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】結果として、放熱板に穴を明けることによ
って比較例１に比べ、実施例１、比較例２では熱抵抗が
高くなっている。つまり、放熱性が多少悪くなっている
が、穴を開けた方が耐半田リフロー性は向上する。ま
た、穴の位置は比較例２よりも実施例１の方が耐半田リ
フロー性が良いことが確認された。
って比較例１に比べ、実施例１、比較例２では熱抵抗が
高くなっている。つまり、放熱性が多少悪くなっている
が、穴を開けた方が耐半田リフロー性は向上する。ま
た、穴の位置は比較例２よりも実施例１の方が耐半田リ
フロー性が良いことが確認された。
【００４１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４２】(1) 半田リフロー時におけるパッケージの
クラックの発生を防止することができる。
クラックの発生を防止することができる。
【００４３】(2) 放熱板の放熱性を損なわずに異なる大
きさのチップサイズに対応できる放熱板付きリードフレ
ームの提供を実現できる。
きさのチップサイズに対応できる放熱板付きリードフレ
ームの提供を実現できる。
【図１】本発明の放熱板付きリードフレームの一実施の
形態を示す概念図である。
形態を示す概念図である。
【図２】本発明の放熱板付きリードフレームの他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図３】本発明の放熱板付きリードフレームの他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図４】本発明の放熱板付きリードフレームの他の実施
の形態を示す概念図である。
の形態を示す概念図である。
【図５】本発明の放熱板付きリードフレームの一実施例
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図６】図５に示した放熱板付きリードフレームのＡ−
Ａ線断面図である。
Ａ線断面図である。
【図７】図５に示した放熱板付きリードフレームを用い
たフラットタイプパッケージの断面図である。
たフラットタイプパッケージの断面図である。
【図８】放熱板付きリードフレームの比較例の概念図で
ある。
ある。
【図９】放熱板付きリードフレームの比較例の概念図で
ある。
ある。
【図１０】従来の放熱板付きリードフレームの概念図で
ある。
ある。
【図１１】従来の放熱板付きリードフレームの概念図で
ある。
ある。
１ 半導体チップ（チップ） １ａ コーナー部 ２ 放熱板 ４ リードフレーム ４ａ インナーリード ４ｂ アウターリード １１ 穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 洋 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB01 BC05 BD01 BE01 5F067 AA03 AA06 AA07 AB03 BE10 CA03 CC02 DE09
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームに絶縁性接着剤を介して
放熱板を貼付けた放熱板付きリードフレームにおいて、
搭載されるチップのコーナー部の位置の放熱板に穴が形
成されていることを特徴とする放熱板付きリードフレー
ム。 - 【請求項２】 上記穴の形状が上記放熱板の中心からチ
ップのコーナー部を結ぶ方向に長く形成された長円であ
る請求項１に記載の放熱板付きリードフレーム。 - 【請求項３】 上記穴の形状が上記放熱板の中心からチ
ップのコーナー部を結ぶ方向に形成された扇型である請
求項１に記載の放熱板付きリードフレーム。 - 【請求項４】 上記穴の形状が上記放熱板の中心からチ
ップのコーナー部を結ぶ方向に長く形成された多角形で
ある請求項１に記載の放熱板付きリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34740298A JP2000174193A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 放熱板付きリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34740298A JP2000174193A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 放熱板付きリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174193A true JP2000174193A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18389986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34740298A Pending JP2000174193A (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 放熱板付きリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174193A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395673B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-08-25 | 에쓰에쓰아이 주식회사 | 반도체 조립 프레임의 제조 방법 및 그 조립체 |
| JP2008034881A (ja) * | 2007-10-18 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| CN100378972C (zh) * | 2005-03-08 | 2008-04-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 散热器及使用该散热器的封装体 |
| JP2008283213A (ja) * | 2008-07-18 | 2008-11-20 | Panasonic Corp | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US7952177B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-05-31 | Panasonic Corporation | Resin-sealed semiconductor device, leadframe with die pads, and manufacturing method for leadframe with die pads |
| US8981543B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of forming the same |
-
1998
- 1998-12-07 JP JP34740298A patent/JP2000174193A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395673B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-08-25 | 에쓰에쓰아이 주식회사 | 반도체 조립 프레임의 제조 방법 및 그 조립체 |
| US7952177B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-05-31 | Panasonic Corporation | Resin-sealed semiconductor device, leadframe with die pads, and manufacturing method for leadframe with die pads |
| CN100378972C (zh) * | 2005-03-08 | 2008-04-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 散热器及使用该散热器的封装体 |
| JP2008034881A (ja) * | 2007-10-18 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP4601656B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2010-12-22 | パナソニック株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008283213A (ja) * | 2008-07-18 | 2008-11-20 | Panasonic Corp | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP4695672B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-06-08 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| US8981543B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of forming the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6520437B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20010045644A1 (en) | Semiconductor package having heat sink at the outer surface | |
| JPS6344749A (ja) | 半導体装置及びこれに用いるリードフレーム | |
| JP2000058735A (ja) | リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| TW510158B (en) | Heat dissipation structure for semiconductor device | |
| JP2000174193A (ja) | 放熱板付きリードフレーム | |
| US9355945B1 (en) | Semiconductor device with heat-dissipating lead frame | |
| JPS6180842A (ja) | 半導体装置 | |
| WO1996002943A1 (en) | Thermally enhanced leadframe | |
| JPH10313081A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08181268A (ja) | 半導体装置 | |
| US20210143076A1 (en) | Heat sink board, manufacturing method thereof, and semiconductor package including the same | |
| JP2004119610A (ja) | リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001053212A (ja) | Ｉｃパッケージおよびその製造方法 | |
| KR100771233B1 (ko) | 고전력용 반도체 패키지 | |
| JP3100833B2 (ja) | プラスティック・パッケージ | |
| JPH03109755A (ja) | 樹脂封止型ｉｃ | |
| JP2944588B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム | |
| KR0137944Y1 (ko) | 반도체 패키지의 열 방출 장치 | |
| JPH03276788A (ja) | 集積回路搭載用セラミックス基板 | |
| JPS6120770Y2 (ja) | ||
| KR100859700B1 (ko) | 양호한 열방출을 위한 패드 노출형 반도체 패키지 | |
| JP2000124361A (ja) | 接着剤塗布Ｃｕ条、高放熱性リードフレーム及び高放熱性パッケージ | |
| JPH11111749A (ja) | 半導体装置とそれに用いられる回路部材およびそれらの製造方法 | |
| JPH07153890A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |