JP2005101259A - パワーモジュールの組み付け構造及び組み付け方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 従来のパワーモジュールの組み付け構造では、グリスの反力によりパワーモジュールとインバータケースとの間に隙間ができて密着性が確保できず、放熱性が低下してしまっていた。また、インバータケースとパワーモジュールとの間に存在していた空気が逃げ場を失って残留し、隙間が発生する恐れもある。
【解決手段】 パワーモジュール1に装着された放熱板12を、熱伝導性グリス5を介して放熱ケース3に組み付けるパワーモジュール1の組み付け構造であって、放熱板12の放熱ケース3への接合面、及び放熱ケース3の放熱板12への接合面の少なくとも一方に凹溝3a・12aを形成し、放熱板12又は放熱ケース3に、放熱板12と放熱ケース3との間への熱伝導性グリス5の注入孔3bを形成した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、IGBTモジュール等のパワーモジュールの組み付け構造に関し、特に、ケースに対する密着性を向上して放熱性を高めたパワーモジュールの組み付け構造及び組み付け方法に関する。
IGBT素子等の半導体素子を収納したパワーモジュール等のパッケージは、半導体素子からの発熱を放熱するために、冷却体として作用するインバータケース等のケース部材等に取り付けられることが多い。
例えば、パワーモジュールをインバータケースに取り付けた場合は、パワーモジュールとインバータケースとの間に半流動体物である熱伝導性グリスを充填して、パワーモジュールの熱を、熱伝導性グリスを介してインバータケースへ効率良く伝達するように構成している。
また、特許文献1には、パワーモジュールを熱伝導性グリスといった半流動体物を介してインバータケースに取り付けるのと同様に、封止ケースを半流動体物である接着剤を介して配線基板に取り付ける場合の技術が記載されている。
特許文献1に記載の技術は、封止ケースを配線基板に接着する際に、未接着部分の発生を防ぐべく着剤量を多くした場合でも、接着剤が外部にはみ出さないように、余分な接着剤を収容する凹溝を、封止ケースの接着面に形成したものである。
特開平7−130916号公報
前述の、パワーモジュールとインバータケースとの間に熱伝導性グリスを充填する場合には、図5に示すように、熱伝導性グリス105を塗布したインバータケース103上にパワーモジュール101を載置して、両端をボルト106等により締結することで、パワーモジュール101をインバータケース103へ組み付けるようにしていた。
しかし、図6に示すように、熱伝導性グリス105を塗布したインバータケース103にパワーモジュール101を組み付けた場合には、熱伝導性グリス105の流動性が悪いため、ボルト106によりパワーモジュール101を締結する際に、パワーモジュール101が熱伝導性グリス105からの反力を受け、熱伝導性グリス105の両端部を支点Pとして変形し、上に凸の形状となる。
このように、パワーモジュール101が上に凸となるように変形すると、パワーモジュール101の底面と熱伝導性グリス105との間に隙間Qが出来てしまって、パワーモジュール101とインバータケース103との密着性が確保できず、放熱性が低下してしまうこととなる。
また、組み付け時にインバータケース103に塗布された熱伝導性グリスと、パワーモジュール101との間に存在していた空気が逃げ場を失って残留し、隙間Qが発生する恐れもある。
前述の、熱伝導性グリス105の反力により生じる隙間Qや、空気が逃げ場を失うことで生じる隙間Qは、熱伝導性グリス105の塗布量を増しても解消するものではなく、さらに特許文献1に記載される溝のように、パワーモジュール101のインバータケース103との接合面の周縁部に熱伝導性グリス105逃がし用の凹溝を形成しただけでも隙間Qを解消できるものではない。
そこで、本発明においては、パワーモジュールとケースとを確実に密着させて放熱性を高めることができる、パワーモジュールの組み付け構造及び組み付け方法を提供するものである。
上記課題を解決する本発明のパワーモジュールの組み付け構造及び組み付け方法は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項1記載の如く、パワーモジュールに装着された放熱板を、グリスを介して放熱ケースに組み付けるパワーモジュールの組み付け構造であって、放熱板の放熱ケースへの接合面、及び放熱ケースの放熱板への接合面の少なくとも一方に凹溝を形成し、放熱板又は放熱ケースに、放熱板と放熱ケースとの間へのグリス注入用孔を形成した。
このグリス注入用孔からグリスを注入することで、グリスの伸びが助長され、接合面の全面にグリスが広がり易くなる。
その結果、グリスが各凹溝を通じて、放熱板と放熱ケースとの接合面全域に広がり、さらに各凹溝から、接合面の凹溝が形成されていない部分にまでグリスが流れ込んでいき、接合面全体に充填されることとなる。
これにより、パワーモジュールと放熱ケースとの密着性を高めて、パワーモジュールの放熱性を向上させることができる。
また、放熱ケース及び放熱板に凹溝を形成することで、形成しない場合に比べて凹溝形成面の表面積が増加し、充填されたグリスとの接触面積も増加するため、パワーモジュールの放熱性をさらに向上することができる。
また、請求項2記載の如く、前記溝は、放熱板と放熱ケースとの両方に形成され、放熱板に形成される凹溝と放熱ケースに形成される凹溝とが平面視にて交差しており、前記グリス注入用孔は、凹溝3aと凹溝12aとの交差点に配置される。
これにより、凹溝を効率的に放熱板と放熱ケースとの接合面全体に配置することができる。また、グリス注入用孔から注入したグリスを、放熱板の凹溝と放熱ケースの凹溝との両方に直接供給することができ、グリスを効率的に接合面全体に広げることが可能となる。
また、請求項3記載の如く、パワーモジュールに装着された放熱板を、グリスを介して放熱ケースに組み付けるパワーモジュールの組み付け方法であって、前記放熱板の放熱ケースとの接合面、及び放熱ケースの放熱板との接合面には凹溝が形成されており、放熱板と放熱ケースとを組み付けた後に、放熱板又は放熱ケースに形成した、放熱板と放熱ケースとの間へのグリス注入用孔から、熱伝導性グリスを注入する。
このように、グリス注入用孔からグリスを注入することで、グリスの伸びが助長され、接合面の全面にグリスが広がり易くなる。
その結果、グリスが各凹溝を通じて、放熱板と放熱ケースとの接合面全域に広がり、さらに各凹溝から、接合面の凹溝が形成されていない部分にまでグリスが流れ込んでいき、接合面全体に充填されることとなる。
これにより、パワーモジュールと放熱ケースとの密着性を高めて、パワーモジュールの放熱性を向上させることができる。
また、放熱ケース及び放熱板には凹溝が形成されているので、形成しない場合に比べて凹溝形成面の表面積が増加し、充填されたグリスとの接触面積も増加するため、パワーモジュールの放熱性をさらに向上することができる。
本発明によれば、グリスの伸びが助長され、グリスが放熱板と放熱ケースとの接合面全体に充填されることとなる。これにより、パワーモジュールと放熱ケースとの密着性を高めて、パワーモジュールの放熱性を向上させることができる。
また、凹溝が形成された接合面の表面積が増加し、パワーモジュールの放熱性をさらに向上することができる。
さらに、凹溝を効率的に放熱板と放熱ケースとの接合面全体に配置することができ、グリスを効率的に接合面全体に広げることが可能となる。
次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
図1〜図3に示すパワーモジュール1は、IGBT素子等の半導体素子が実装された基板(図示せず)を、合成樹脂等により構成されるハウジング11にて覆い、さらに底部に放熱板12を装着して構成されている。
パワーモジュール1は、熱伝導性グリス5を介して放熱ケース3に組み付けられており、熱伝導性グリス5によりパワーモジュール1の放熱板12と放熱ケース3とを密着させて、パワーモジュール1の半導体素子からの発熱を放熱ケース3へ効率良く伝達するようにしている。
放熱板12の放熱ケース3との接合面(図1における下面)には、複数の凹溝12aが形成されている。複数の凹溝12aは、図2における上下方向に形成され、互いに略平行に配置されている。
凹溝12aは、放熱板12の上下方向における一端から他端まで形成されている。
また、放熱ケース3の放熱板12との接合面(図1における上面)にも、複数の凹溝3aが形成されている。複数の凹溝3aは、図2における左右方向に形成され、互いに略平行に配置されている。
凹溝3aは、放熱ケース3の左右方向における一端から他端まで形成されている。
つまり、放熱板12に形成される凹溝12aと、放熱ケース3に形成される凹溝3aとは平面視にて異なる方向に形成され、略直交している。
ただし、凹溝12aと凹溝3aとは、必ずしも直交していなくても良く、交差していればその交差角度は特に問わない。
このように、凹溝12aと凹溝3aとを、互いに交差するように配置することで、凹溝3a・12aを効率的に放熱板12と放熱ケース3との接合面全体に配置することができる。
また、凹溝12a及び凹溝3aは直線状に形成されているが、途中で屈曲していたり、曲線状に形成されていたりしても良い。
前記熱伝導性グリス5は、放熱板12側の凹溝12a、放熱ケース3側の凹溝3a、及び接合される放熱ケース3の放熱板12との間の隙間Q(図4図示)に充填されている。
図2、図4に示すように、放熱ケース3には、裏面(図4における下面)から上面(図4における上面)にかけて貫通する注入孔3bが形成されており、注入孔3bの裏面側から熱伝導性グリス5を注入し、放熱ケース3の放熱板12との間、及び凹溝3a・12aに熱伝導性グリス5を充填するようにしている。
熱伝導性グリス5の注入孔3bからの注入は、パワーモジュール1と放熱ケース3とをボルトで締結する等して組み付けた後に行う。
なお、注入孔3bは、本実施形態では五箇所に形成されているが、これに限るものではなく、パワーモジュール1の大きさ等に応じて適宜適切な数の注入孔を、適切な個所に形成することができる。
このように、パワーモジュール1と放熱ケース3とを組み付けた状態で注入孔3bから熱伝導性グリス5を注入する場合、パワーモジュール1と放熱ケース3との間に達した熱伝導性グリス5は、凹溝3a及び凹溝12aを通じてパワーモジュール1と放熱ケース3との接合面の全域に広がっていく。
つまり、凹溝3a及び凹溝12aは、それぞれ放熱板12及び放熱ケース3の両端まで形成されているとともに、放熱板12と放熱ケース3との接合面に全体的に形成されている。そして、この凹溝3a及び凹溝12aが、放熱板12と放熱ケース3との空間に存在する空気、及び注入された熱伝導性グリス5の逃げ道となって、空気が閉じ込められることもなく、熱伝導性グリス5の伸びが助長され、全面に広がり易くなる。
その結果、熱伝導性グリス5が、凹溝3a及び凹溝12aを通じて、放熱板12と放熱ケース3との接合面全域に広がり、さらに各凹溝3a・12aから、接合面の凹溝3a・12aが形成されていない部分にまで熱伝導性グリス5が流れ込んでいき、接合面全体に充填されることとなる。
これにより、パワーモジュール1と放熱ケース3との密着性を高めて、パワーモジュール1の放熱性を向上させることができる。
なお、前記注入孔3bは、平面視において凹溝3aと凹溝12aとが交差している個所に形成するのが望ましい。
このように、凹溝3aと凹溝12aとの交差点に配置することにより、熱伝導性グリス5を凹溝3aと凹溝12aとの両方に直接供給することができ、効率的に接合面全体に広げることが可能となる。
また、本実施形態では、凹溝を放熱板12と放熱ケース3との両方に形成しているが、放熱板12及び放熱ケース3の何れか一方のみに形成しても、熱伝導性グリス5の伸びを助長して、広がり易くすることができる。
この場合は、左右方向又は上下方向の一方向のみに凹溝を形成するだけでなく、同一面に左右方向及び上下方向の両方向に凹溝を形成することもできる。
また、注入する熱伝導性グリス5の必要量は、放熱ケース3に形成される凹溝3aの体積分、放熱板12に形成される凹溝12aの体積分、及び放熱ケース3と放熱板12との隙間Qの体積分を加えた量であり、以下のように算出することができる。
まず、放熱ケース3に形成される凹溝3aの深さをh1、幅をd1、放熱ケース3の長手方向寸法(図2における左右方向の寸法)をL1、形成した凹溝3aの本数をm本とすると、凹溝3aの全体積V1は次式(1)により表される。
V1=h1×d1×L1×m・・・(1)
また、放熱板12に形成される凹溝12aの深さをh2、幅をd2、放熱板12の長手方向寸法(図2における上下方向の寸法)をL2、形成した凹溝3aの本数をn本とすると、凹溝12aの全体積V2は次式(2)により表される。
V2=h2×d2×L2×m・・・(2)
さらに、放熱ケース3と放熱板12との隙間寸法の最大値をqとし、放熱板12の下面の面積をsとすると、次式(3)に示す隙間体積V3分の量だけ注入すれば、少なくとも隙間Q全体に熱伝導性グリス5を充填することができる。
V3=q×s・・・(3)
そして、熱伝導性グリス5の必要注入体積Vは、前記体積V1・V2・V3の和であって、次式(4)により表される。
V=V1+V2+V3・・・(4)
この必要注入体積Vだけ熱伝導性グリス5を注入すれば、凹溝3a、凹溝12a、及び隙間Qに確実に熱伝導性グリス5を充填して、放熱ケース3と放熱板12とを密着させることができる。
また、放熱ケース3及び放熱板12に、それぞれ凹溝3a・12aを形成することで、
形成しない場合に比べて凹溝形成面の表面積が増加し、充填された熱伝導性グリス5との接触面積も増加するため、パワーモジュール1の放熱性を向上することができる。
本発明にかかるパワーモジュールの組み付け構造を示す斜視図である。 同じくパワーモジュールの組み付け構造を示す平面図である。 パワーモジュールの組み付け構造を示す部分拡大斜視図である。 放熱板に形成される凹溝、放熱ケースに形成される凹溝、放熱板と放熱ケースとの隙間、及びグリス注入用孔の関係を示す側面断面図である。 従来の組み付け方でパワーモジュールをインバータケースに組み付ける様子を示す側面図である。 従来の組み付け方でパワーモジュールをインバータケースに組み付けた場合に生じるパワーモジュールの変形、及びその変形により発生する隙間を示す側面図である。
符号の説明
1 パワーモジュール
3 放熱ケース
3a 凹溝
3b 注入孔
5 熱伝導性グリス
12 放熱板
12a 凹溝

Claims (3)

  1. パワーモジュールに装着された放熱板を、グリスを介して放熱ケースに組み付けるパワーモジュールの組み付け構造であって、
    放熱板の放熱ケースへの接合面、及び放熱ケースの放熱板への接合面の少なくとも一方に凹溝を形成し、
    放熱板又は放熱ケースに、放熱板と放熱ケースとの間へのグリス注入用孔を形成したことを特徴とするパワーモジュールの組み付け構造。
  2. 前記溝は、放熱板と放熱ケースとの両方に形成され、放熱板に形成される凹溝と放熱ケースに形成される凹溝とが平面視にて交差しており、
    前記グリス注入用孔は、凹溝3aと凹溝12aとの交差点に配置されることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの組み付け構造。
  3. パワーモジュールに装着された放熱板を、グリスを介して放熱ケースに組み付けるパワーモジュールの組み付け方法であって、
    前記放熱板の放熱ケースとの接合面、及び放熱ケースの放熱板との接合面には凹溝が形成されており、
    放熱板と放熱ケースとを組み付けた後に、
    放熱板又は放熱ケースに形成した、放熱板と放熱ケースとの間へのグリス注入用孔から、熱伝導性グリスを注入することを特徴とするパワーモジュールの組み付け方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299817A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009105327A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Toyota Motor Corp 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法
US7782620B2 (en) 2008-05-30 2010-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic apparatus
JP2012074440A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Nidec-Shimpo Corp 発熱素子の放熱構造
JP2013138113A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Toyota Motor Corp 冷却構造
JP2013165202A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Toyota Motor Corp 放熱構造
JP2014056885A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toyota Motor Corp 電子部品
JP2014120576A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Nec Computertechno Ltd 冷却装置、その冷却装置を備える電子装置および冷却方法
WO2016006054A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2016017682A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 日本電産コパル株式会社 撮像装置、光学機器、電子機器、車両および撮像装置の製造方法
JP2017022887A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 ファナック株式会社 取外し可能な放熱器を備えたモータ駆動装置
WO2017119082A1 (ja) * 2016-01-06 2017-07-13 新電元工業株式会社 半導体デバイスの載置台及び車載装置
JP2017195157A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 ミネベアミツミ株式会社 電子機器及びそれを備えた照明装置
US10090225B2 (en) 2016-01-06 2018-10-02 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Placement base for semiconductor device and vehicle equipment

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299817A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2009105327A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Toyota Motor Corp 放熱板付き半導体装置、及びその製造方法
US7782620B2 (en) 2008-05-30 2010-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic apparatus
JP2012074440A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Nidec-Shimpo Corp 発熱素子の放熱構造
JP2013138113A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Toyota Motor Corp 冷却構造
JP2013165202A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Toyota Motor Corp 放熱構造
JP2014056885A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toyota Motor Corp 電子部品
JP2014120576A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Nec Computertechno Ltd 冷却装置、その冷却装置を備える電子装置および冷却方法
WO2016006054A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 三菱電機株式会社 半導体装置
JPWO2016017682A1 (ja) * 2014-08-01 2017-06-08 日本電産コパル株式会社 撮像装置、光学機器、電子機器、車両および撮像装置の製造方法
CN106664358A (zh) * 2014-08-01 2017-05-10 日本电产科宝株式会社 摄像装置、光学设备、电子设备、车辆以及摄像装置的制造方法
WO2016017682A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 日本電産コパル株式会社 撮像装置、光学機器、電子機器、車両および撮像装置の製造方法
US10511754B2 (en) 2014-08-01 2019-12-17 Nidec Copal Corporation Imaging apparatus, optical device, electronic device, vehicle, and imaging-device manufacturing method
JP2017022887A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 ファナック株式会社 取外し可能な放熱器を備えたモータ駆動装置
CN107431050A (zh) * 2016-01-06 2017-12-01 新电元工业株式会社 半导体器件的载置台以及车载装置
JP6244060B2 (ja) * 2016-01-06 2017-12-06 新電元工業株式会社 半導体デバイスの載置台及び車載装置
JPWO2017119082A1 (ja) * 2016-01-06 2018-01-11 新電元工業株式会社 半導体デバイスの載置台及び車載装置
US10090225B2 (en) 2016-01-06 2018-10-02 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Placement base for semiconductor device and vehicle equipment
US10090218B2 (en) 2016-01-06 2018-10-02 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Placement base for semiconductor device and vehicle equipment
WO2017119082A1 (ja) * 2016-01-06 2017-07-13 新電元工業株式会社 半導体デバイスの載置台及び車載装置
CN107355719A (zh) * 2016-04-22 2017-11-17 美蓓亚三美株式会社 电子设备以及具备该电子设备的照明装置
JP2017195157A (ja) * 2016-04-22 2017-10-26 ミネベアミツミ株式会社 電子機器及びそれを備えた照明装置
US10281124B2 (en) 2016-04-22 2019-05-07 Minebea Mitsumi Inc. Electronic device and lighting apparatus
EP3236723B1 (en) * 2016-04-22 2019-08-28 Minebea Mitsumi Inc. Electronic device and lighting apparatus
CN107355719B (zh) * 2016-04-22 2020-02-07 美蓓亚三美株式会社 电子设备以及具备该电子设备的照明装置

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