JP2001210763A - 半導体モジュ−ル装置 - Google Patents
半導体モジュ−ル装置Info
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- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、簡単な構造で放熱効果の高い半
導体モジュ−ル装置を得ることを目的とするものであ
る。 【解決手段】 この発明にかかる半導体モジュ−ル装置
は、回路基板１と、この回路基板に列状に実装される複
数の半導体部品２と、複数の半導体部品２のそれぞれに
対応する複数のヒ−トスプレッダ３０〜３２とを備え、
複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは対応する複数の半
導体部品２のそれぞれに接触しているとともに、隣り合
うヒ−トスプレッダ同志が接続して列をなし、かつ列の
両端部に配置されるヒ−トスプレッダ３１及び３２が回
路基板に固定されている。
導体モジュ−ル装置を得ることを目的とするものであ
る。 【解決手段】 この発明にかかる半導体モジュ−ル装置
は、回路基板１と、この回路基板に列状に実装される複
数の半導体部品２と、複数の半導体部品２のそれぞれに
対応する複数のヒ−トスプレッダ３０〜３２とを備え、
複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは対応する複数の半
導体部品２のそれぞれに接触しているとともに、隣り合
うヒ−トスプレッダ同志が接続して列をなし、かつ列の
両端部に配置されるヒ−トスプレッダ３１及び３２が回
路基板に固定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体モジュ−
ル装置の構造に関するものであり、特に半導体モジュ−
ル装置に搭載されるメモリの放熱を行うヒ−トスプレッ
ダの構造に関するものである。
ル装置の構造に関するものであり、特に半導体モジュ−
ル装置に搭載されるメモリの放熱を行うヒ−トスプレッ
ダの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メモリ等の半導体部品を搭載する半導体
モジュ−ルでは、これらの半導体部品の機能を正常に発
揮させるために、各半導体部品の温度を基準値以下に保
つ必要がある。特にRumbus DRAMのように高速動作を行
うメモリにおいては、動作時の発熱が激しく、パッケー
ジのジャンクション温度が異常に高くなるため、これを
保証温度以下に保つ技術が必要となる。
モジュ−ルでは、これらの半導体部品の機能を正常に発
揮させるために、各半導体部品の温度を基準値以下に保
つ必要がある。特にRumbus DRAMのように高速動作を行
うメモリにおいては、動作時の発熱が激しく、パッケー
ジのジャンクション温度が異常に高くなるため、これを
保証温度以下に保つ技術が必要となる。
【０００３】回路基板に搭載された半導体部品、例えば
メモリの発熱による温度上昇を防止する手段としては、
ヒ−トスプレッダ(放熱板)を当該メモリに接触させる構
造が一般的である。しかし、一つの回路基板に複数のメ
モリを搭載した場合、回路基板からの各メモリの高さに
若干のばらつきができる。このようにして、個々の高さ
にばらつきを持って搭載された複数のメモリに対して、
１枚のヒ−トスプレッダを用いて放熱をしようとする
と、メモリ毎にヒ−トスプレッダとの間に隙間が生じる
ことになる。
メモリの発熱による温度上昇を防止する手段としては、
ヒ−トスプレッダ(放熱板)を当該メモリに接触させる構
造が一般的である。しかし、一つの回路基板に複数のメ
モリを搭載した場合、回路基板からの各メモリの高さに
若干のばらつきができる。このようにして、個々の高さ
にばらつきを持って搭載された複数のメモリに対して、
１枚のヒ−トスプレッダを用いて放熱をしようとする
と、メモリ毎にヒ−トスプレッダとの間に隙間が生じる
ことになる。
【０００４】このような隙間があるメモリについては、
ヒ−トスプレッダの放熱効果が失われ、温度上昇により
正常な動作が行われなくなるという問題が発生する。そ
こで、従来の半導体モジュ−ル装置では、上記のような
問題点を解消するために、ヒ−トスプレッダと各メモリ
との間に熱伝導性のあるサ−マルシ−トを挿入し、各メ
モリとヒ−トスプレッダとの間に生じる隙間を埋める方
策をとっていた。
ヒ−トスプレッダの放熱効果が失われ、温度上昇により
正常な動作が行われなくなるという問題が発生する。そ
こで、従来の半導体モジュ−ル装置では、上記のような
問題点を解消するために、ヒ−トスプレッダと各メモリ
との間に熱伝導性のあるサ−マルシ−トを挿入し、各メ
モリとヒ−トスプレッダとの間に生じる隙間を埋める方
策をとっていた。
【０００５】図８はこのようなサ−マルシ−トとヒ−ト
スプレッダを採用した従来の半導体モジュ−ル装置の構
造の一例を模式的に示した平面図、また図９はそのA−A
線における断面図である。図において、１はこのエポキ
シ材などで形成された半導体モジュ−ル装置の回路基板
であり、その表面には回路パタ−ン（図示せず）が形成
されている。２はこの回路基板１の回路パタ−ンに電気
的に接続するようにして搭載された複数のメモリであ
る。３は各メモリ２において発生する熱を放熱するため
のヒ−トスプレッダで、比較的熱伝導率の大きいアルミ
ニュウムやその合金などで形成されている。４は、上記
のヒ−トスプレッダ３と各メモリ２との間に介在して、
両者の隙間を埋めるサ−マルシ−トで、熱伝導性の高い
樹脂等により形成されている。また、上記のヒ−トスプ
レッダ３は、サ−マルシ−ト４を介して各メモリ２に密
着するように、回路基板１上にリベット５のような支柱
を用いて固定されている。
スプレッダを採用した従来の半導体モジュ−ル装置の構
造の一例を模式的に示した平面図、また図９はそのA−A
線における断面図である。図において、１はこのエポキ
シ材などで形成された半導体モジュ−ル装置の回路基板
であり、その表面には回路パタ−ン（図示せず）が形成
されている。２はこの回路基板１の回路パタ−ンに電気
的に接続するようにして搭載された複数のメモリであ
る。３は各メモリ２において発生する熱を放熱するため
のヒ−トスプレッダで、比較的熱伝導率の大きいアルミ
ニュウムやその合金などで形成されている。４は、上記
のヒ−トスプレッダ３と各メモリ２との間に介在して、
両者の隙間を埋めるサ−マルシ−トで、熱伝導性の高い
樹脂等により形成されている。また、上記のヒ−トスプ
レッダ３は、サ−マルシ−ト４を介して各メモリ２に密
着するように、回路基板１上にリベット５のような支柱
を用いて固定されている。
【０００６】従来の半導体モジュ−ル装置では、このよ
うな構成とすることにより各メモリ２とヒ−トスプレッ
ダ３との間に生じる隙間をサ−マルシ−ト４で埋めてい
た。そして、各メモリ２から生じる熱をサ−マルシ−ト
４を介してヒ−トスプレッダ３に伝え、このヒ−トスプ
レッダから空気中に放熱することにより、温度上昇の防
止を図っていた。
うな構成とすることにより各メモリ２とヒ−トスプレッ
ダ３との間に生じる隙間をサ−マルシ−ト４で埋めてい
た。そして、各メモリ２から生じる熱をサ−マルシ−ト
４を介してヒ−トスプレッダ３に伝え、このヒ−トスプ
レッダから空気中に放熱することにより、温度上昇の防
止を図っていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このサ−マル
シ−トは樹脂などの材料によるため、熱伝導率がアルミ
ニュウム材などの金属材料と比較すると低く、メモリで
発生した熱が金属性のヒ−トスプレッダに伝導する際の
熱抵抗の増加を招き、十分な放熱効果が得られないとい
う問題があった。
シ−トは樹脂などの材料によるため、熱伝導率がアルミ
ニュウム材などの金属材料と比較すると低く、メモリで
発生した熱が金属性のヒ−トスプレッダに伝導する際の
熱抵抗の増加を招き、十分な放熱効果が得られないとい
う問題があった。
【０００８】一方、他の従来の半導体モジュ−ル装置の
例として、特開平１１−１５５６６号に記載された発明
のように、ヒ−トスプレッダを柔軟性がありかつ熱伝導
率の高い部材で構成し、メモリとの密着性を高める方策
も考案されている。しかし、このような構成の従来の半
導体モジュ−ル装置においては、そのような要求を満た
すヒ−トスプレッダ用の部材として、特殊な条件で形成
したグラファイトや金属薄膜を多層に積層して形成した
材料など、特殊な部材を使用する必要があり、部材の調
達及び製造コストの面で問題があった。
例として、特開平１１−１５５６６号に記載された発明
のように、ヒ−トスプレッダを柔軟性がありかつ熱伝導
率の高い部材で構成し、メモリとの密着性を高める方策
も考案されている。しかし、このような構成の従来の半
導体モジュ−ル装置においては、そのような要求を満た
すヒ−トスプレッダ用の部材として、特殊な条件で形成
したグラファイトや金属薄膜を多層に積層して形成した
材料など、特殊な部材を使用する必要があり、部材の調
達及び製造コストの面で問題があった。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、放熱効果が高く、しかも
構造が簡単で製造コストが安価な半導体モジュ−ル装置
を提供することを目的とする。
るためになされたものであり、放熱効果が高く、しかも
構造が簡単で製造コストが安価な半導体モジュ−ル装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
モジュ−ル装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基
板と、この回路基板に列状に実装される複数の半導体部
品と、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ
−トスプレッダとを備え、複数のヒ−トスプレッダのそ
れぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触し
ているとともに、隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続
して列をなし、かつ列の両端部に配置されるヒ−トスプ
レッダが回路基板に固定されているようにしたものであ
る。
モジュ−ル装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基
板と、この回路基板に列状に実装される複数の半導体部
品と、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ
−トスプレッダとを備え、複数のヒ−トスプレッダのそ
れぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触し
ているとともに、隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続
して列をなし、かつ列の両端部に配置されるヒ−トスプ
レッダが回路基板に固定されているようにしたものであ
る。
【００１１】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板にマトリクス状に実装される複数の半導体部品
と、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−
トスプレッダとを備え、複数のヒ−トスプレッダのそれ
ぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触して
いるとともに、隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続し
てマトリクスをなし、かつマトリクスの行又は列の両端
部に配置されるヒ−トスプレッダが回路基板に固定され
ているようにしたものである。
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板にマトリクス状に実装される複数の半導体部品
と、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−
トスプレッダとを備え、複数のヒ−トスプレッダのそれ
ぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触して
いるとともに、隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続し
てマトリクスをなし、かつマトリクスの行又は列の両端
部に配置されるヒ−トスプレッダが回路基板に固定され
ているようにしたものである。
【００１２】さらに、この発明にかかる半導体モジュ−
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれ
が、少なくともその１辺に段差部を有しており、その段
差の高さがヒ−トスプレッダの肉厚よりも高く、かつ実
装された状態の半導体部品の高さよりも低くなるように
したものである。
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれ
が、少なくともその１辺に段差部を有しており、その段
差の高さがヒ−トスプレッダの肉厚よりも高く、かつ実
装された状態の半導体部品の高さよりも低くなるように
したものである。
【００１３】さらに、この発明にかかる半導体モジュ−
ル装置は、上記の複数の隣り合うヒ−トスプレッダが半
田により接続されているようにしたものである。
ル装置は、上記の複数の隣り合うヒ−トスプレッダが半
田により接続されているようにしたものである。
【００１４】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に実装される複数の半導体部品と、複数の半導
体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−トスプレッダと
を備え、複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは対応する
複数の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、
少なくとも対向する２辺が回路基板に固定されているよ
うにしたものである。
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に実装される複数の半導体部品と、複数の半導
体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−トスプレッダと
を備え、複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは対応する
複数の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、
少なくとも対向する２辺が回路基板に固定されているよ
うにしたものである。
【００１５】さらに、この発明にかかる半導体モジュ−
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれに
ついて、回路基板に固定される対向する２辺には、段差
部が設けられており、その段差部の段差の高さが回路基
板に実装した状態の半導体部品の高さに略等しくなるよ
うにしたものである。
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれに
ついて、回路基板に固定される対向する２辺には、段差
部が設けられており、その段差部の段差の高さが回路基
板に実装した状態の半導体部品の高さに略等しくなるよ
うにしたものである。
【００１６】さらに、この発明にかかる半導体モジュ−
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれの
対向する２辺に設けられた段差部が半導体部品の側面部
に接触しているようにしたものである。
ル装置は、上記の複数のヒ−トスプレッダのそれぞれの
対向する２辺に設けられた段差部が半導体部品の側面部
に接触しているようにしたものである。
【００１７】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、複数
の半導体部品のそれぞれに接触するヒ−トスプレッダと
を備え、このヒ−トスプレッダは回路基板に実装された
状態の複数の半導体部品の隙間に対応する部分のそれぞ
れが下方に曲げられて形成された曲げ部を有しており、
この曲げ部の底部のそれぞれが回路基板に固定されてい
るようにしたものである。
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、複数
の半導体部品のそれぞれに接触するヒ−トスプレッダと
を備え、このヒ−トスプレッダは回路基板に実装された
状態の複数の半導体部品の隙間に対応する部分のそれぞ
れが下方に曲げられて形成された曲げ部を有しており、
この曲げ部の底部のそれぞれが回路基板に固定されてい
るようにしたものである。
【００１８】さらに、この発明にかかる半導体半モジュ
−ル装置は、上記のヒ−トスプレッダの曲げ部が半導体
部品の側面部に接触しているようにしたものである。
−ル装置は、上記のヒ−トスプレッダの曲げ部が半導体
部品の側面部に接触しているようにしたものである。
【００１９】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、ヒ−
トスプレッダとを備え、このヒ−トスプレッダは回路基
板に実装された状態の複数の半導体部品の周囲に対応す
る部分に複数の打ち抜き部が設けられており、このヒ−
トスプレッダが半導体部品のそれぞれに接触するように
変形されて回路基板に固定されているものである。
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、ヒ−
トスプレッダとを備え、このヒ−トスプレッダは回路基
板に実装された状態の複数の半導体部品の周囲に対応す
る部分に複数の打ち抜き部が設けられており、このヒ−
トスプレッダが半導体部品のそれぞれに接触するように
変形されて回路基板に固定されているものである。
【００２０】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、ヒ−
トスプレッダと、このヒ−トスプレッダを回路基板に固
定する支柱とを備え、回路基板の内部にはコア材が設け
られており、支柱はこのコア材に接触するようにしたも
のである。
装置は、表面に配線パタ−ンを有する回路基板と、この
回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、ヒ−
トスプレッダと、このヒ−トスプレッダを回路基板に固
定する支柱とを備え、回路基板の内部にはコア材が設け
られており、支柱はこのコア材に接触するようにしたも
のである。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１はこの発明の実施の形態１によるの半導体モジュ−
ル装置の構造を示す平面図、図２は図１のA−A線におけ
る断面図である。図において、１はこの半導体モジュ−
ル装置の回路基板であり、その表面には配線パタ−ン
（図示せず）が形成されている。２はこの回路基板１の
回路パタ−ンに電気的に接続するようにして搭載された
半導体部品である複数のメモリであり、これらメモリ２
は列状に配置されている。このメモリ２の種類として
は、例えばRumbus DRAMのように高速動作を行うため、
発熱が顕著でかつ一定の温度で動作させることを要求さ
れるメモリが考えられる。
ル装置の構造を示す平面図、図２は図１のA−A線におけ
る断面図である。図において、１はこの半導体モジュ−
ル装置の回路基板であり、その表面には配線パタ−ン
（図示せず）が形成されている。２はこの回路基板１の
回路パタ−ンに電気的に接続するようにして搭載された
半導体部品である複数のメモリであり、これらメモリ２
は列状に配置されている。このメモリ２の種類として
は、例えばRumbus DRAMのように高速動作を行うため、
発熱が顕著でかつ一定の温度で動作させることを要求さ
れるメモリが考えられる。
【００２２】３０乃至３２は各メモリ２において発生す
る熱を放熱するための複数のヒ−トスプレッダで、比較
的熱伝導の大きいアルミニュウムやその合金などで形成
されている。ここで各ヒ−トスプレッダ３０乃至３２
は、単体のメモリを覆うのに十分な大きさであり、列状
に配置された単体のメモリの各々に対応して設けられて
いる。
る熱を放熱するための複数のヒ−トスプレッダで、比較
的熱伝導の大きいアルミニュウムやその合金などで形成
されている。ここで各ヒ−トスプレッダ３０乃至３２
は、単体のメモリを覆うのに十分な大きさであり、列状
に配置された単体のメモリの各々に対応して設けられて
いる。
【００２３】また、当該半導体モジュ−ル装置の回路基
板１上に列状に配置されたメモリのうち、両端部に配置
されたメモリ以外のメモリに対応するヒ−トスプレッダ
３０は、その一対の対抗する辺のうちの一方の辺が下方
に湾曲乃至折れ曲がって段差が形成されている。例え
ば、図２の断面図ではヒ−トスプレッダ３０の左側の１
辺が下方に折れ曲がって段差が形成されている。
板１上に列状に配置されたメモリのうち、両端部に配置
されたメモリ以外のメモリに対応するヒ−トスプレッダ
３０は、その一対の対抗する辺のうちの一方の辺が下方
に湾曲乃至折れ曲がって段差が形成されている。例え
ば、図２の断面図ではヒ−トスプレッダ３０の左側の１
辺が下方に折れ曲がって段差が形成されている。
【００２４】また、上記列状に配置された複数のメモリ
のうち、当該列の一方の端部に配置されたメモリに対応
するヒ−トスプレッダ３１又は３２は、その一対の対抗
する辺のうちのそれぞれの端部側の辺が下方に湾曲乃至
折れ曲がって段差が形成されている。例えば、図１にお
いて、メモリの列の右端に位置するヒ−トスプレッダ３
１はその右側の１辺が下方に折れ曲がって段差が形成さ
れている。一方、左端に位置するヒ−トスプレッダ３２
はその左側の辺が下方に折れ曲がって段差が形成されて
いる。
のうち、当該列の一方の端部に配置されたメモリに対応
するヒ−トスプレッダ３１又は３２は、その一対の対抗
する辺のうちのそれぞれの端部側の辺が下方に湾曲乃至
折れ曲がって段差が形成されている。例えば、図１にお
いて、メモリの列の右端に位置するヒ−トスプレッダ３
１はその右側の１辺が下方に折れ曲がって段差が形成さ
れている。一方、左端に位置するヒ−トスプレッダ３２
はその左側の辺が下方に折れ曲がって段差が形成されて
いる。
【００２５】ここで、ヒ−トスプレッダ３０の１辺に下
方に向かって形成される段差の程度であるが、一般的に
はヒ−トスプレッダの肉厚より高く、かつメモリの高さ
より低いものであればよいが、好ましくは、このヒ−ト
スプレッダの厚さよりやや高い程度である。また、両端
部のヒ−トスプレッダに形成する段差の程度は、回路基
板１に実装したメモリ２の高さと同程度以下が望まし
い。
方に向かって形成される段差の程度であるが、一般的に
はヒ−トスプレッダの肉厚より高く、かつメモリの高さ
より低いものであればよいが、好ましくは、このヒ−ト
スプレッダの厚さよりやや高い程度である。また、両端
部のヒ−トスプレッダに形成する段差の程度は、回路基
板１に実装したメモリ２の高さと同程度以下が望まし
い。
【００２６】上記の各ヒ−トスプレッダ３０乃至３２
は、それぞれが対応するメモリ２の上部に接触した状態
でそれぞれ隣合うヒ−トスプレッダと半田６で繋合わせ
られる。ただし、両端部のヒ−トスプレッダ３１及び３
２はそれぞれの列の外側に位置する辺の段差を回路基板
１にリベット５のような支柱で固定する。
は、それぞれが対応するメモリ２の上部に接触した状態
でそれぞれ隣合うヒ−トスプレッダと半田６で繋合わせ
られる。ただし、両端部のヒ−トスプレッダ３１及び３
２はそれぞれの列の外側に位置する辺の段差を回路基板
１にリベット５のような支柱で固定する。
【００２７】このような構成とすることにより、各メモ
リ２の実装状態の高さにバラツキがあっても、各メモリ
２毎に対応するヒ−トスプレッダ３０乃至３２が接触し
ているため、各メモリで発生した熱がヒ−トスプレッダ
に直接伝導し、放熱を効果的に行うことができる。ま
た、ヒ−トスプレッダ３０乃至３２はそれぞれが半田で
接続されているために、ヒ−トスプレッダ間の熱伝導も
容易に行われ、全体として１枚のヒ−トスプレッダを用
いた場合と同様の放熱効果が得られる。また、このよう
な構造とすることにより、メモリの実装密度が高い場合
でも、回路基板に容易にヒ−トスプレッダを装着するこ
とができ、また製造工程が簡単になる。
リ２の実装状態の高さにバラツキがあっても、各メモリ
２毎に対応するヒ−トスプレッダ３０乃至３２が接触し
ているため、各メモリで発生した熱がヒ−トスプレッダ
に直接伝導し、放熱を効果的に行うことができる。ま
た、ヒ−トスプレッダ３０乃至３２はそれぞれが半田で
接続されているために、ヒ−トスプレッダ間の熱伝導も
容易に行われ、全体として１枚のヒ−トスプレッダを用
いた場合と同様の放熱効果が得られる。また、このよう
な構造とすることにより、メモリの実装密度が高い場合
でも、回路基板に容易にヒ−トスプレッダを装着するこ
とができ、また製造工程が簡単になる。
【００２８】なお、上記の例では、各ヒ−トスプレッダ
を半田で接続することとしたが、半田に代えてリベット
で隣り合うヒ−トスプレッダを接続するようにしてもよ
い。また、半田に代えて、熱伝導性の高い接着剤を用い
ることもできる。さらに、リベットに代わる支柱とし
て、ボルトなどを用いることもできる。
を半田で接続することとしたが、半田に代えてリベット
で隣り合うヒ−トスプレッダを接続するようにしてもよ
い。また、半田に代えて、熱伝導性の高い接着剤を用い
ることもできる。さらに、リベットに代わる支柱とし
て、ボルトなどを用いることもできる。
【００２９】また、上記の例では、メモリが１列に配列
されている場合について、ヒ−トスプレッダも１列に接
続するようにした場合について説明したが、メモリが２
列以上ある場合、又はマトリクス状に配置されている場
合についても適用できる。その際、各列に対応するヒ−
トスプレッダは、列ごとに独立したものであってもよい
し、隣り合う列のヒ−トスプレッダと半田等により接続
してもよい。
されている場合について、ヒ−トスプレッダも１列に接
続するようにした場合について説明したが、メモリが２
列以上ある場合、又はマトリクス状に配置されている場
合についても適用できる。その際、各列に対応するヒ−
トスプレッダは、列ごとに独立したものであってもよい
し、隣り合う列のヒ−トスプレッダと半田等により接続
してもよい。
【００３０】後者の場合、図３の平面図に示すように、
各ヒ−トスプレッダはマトリクス状に配置されることに
なり、そのマトリクスの４つの角部に位置するヒ−トス
プレッダは２辺が隣り合うヒ−トスプレッダと接続して
おり、上記４つの角部を除くマトリクスの外周部に位置
するヒ−トスプレッダは３辺が隣り合うヒ−トスプレッ
ダと接続している。そして、マトリクスの内部に位置す
るヒ−トスプレッダ（図示せず）の場合はそれぞれ４辺
が隣り合うヒ−トスプレッダと接続することになる。
各ヒ−トスプレッダはマトリクス状に配置されることに
なり、そのマトリクスの４つの角部に位置するヒ−トス
プレッダは２辺が隣り合うヒ−トスプレッダと接続して
おり、上記４つの角部を除くマトリクスの外周部に位置
するヒ−トスプレッダは３辺が隣り合うヒ−トスプレッ
ダと接続している。そして、マトリクスの内部に位置す
るヒ−トスプレッダ（図示せず）の場合はそれぞれ４辺
が隣り合うヒ−トスプレッダと接続することになる。
【００３１】次に、このようなヒ−トスプレッダを備え
た、半導体モジュ−ル装置の製造方法を図２を参照して
説明する。まず、回路基板１上に複数のメモリ２を配置
する。ついで、各メモリ２ごとに、ヒ−トスプレッダ３
０乃至３２をメモリ２の上部に密着するように配置す
る。次に、上記の両端部のメモリに対応するヒ−トスプ
レッダ３１及び３２の外側の段差を回路基板１にリベッ
ト５で固定する。
た、半導体モジュ−ル装置の製造方法を図２を参照して
説明する。まず、回路基板１上に複数のメモリ２を配置
する。ついで、各メモリ２ごとに、ヒ−トスプレッダ３
０乃至３２をメモリ２の上部に密着するように配置す
る。次に、上記の両端部のメモリに対応するヒ−トスプ
レッダ３１及び３２の外側の段差を回路基板１にリベッ
ト５で固定する。
【００３２】ついで、この固定した両端部のヒ−トスプ
レッダ３１又は３２の何れか一方のヒ−トスプレッダと
そのヒ−トスプレッダと隣り合うヒ−トスプレッダとを
半田６で繋ぎ合わせる。そして、順次隣り合うヒ−トス
プレッダを同様に繋ぎ合わせて行き、全てのヒ−トスプ
レッダが半田で繋ぎ合わせてあり、かつ両端のヒ−トス
プレッダ３１及び３２が回路基板にリベット５で固定さ
れている図１及び図２のような状態にする。
レッダ３１又は３２の何れか一方のヒ−トスプレッダと
そのヒ−トスプレッダと隣り合うヒ−トスプレッダとを
半田６で繋ぎ合わせる。そして、順次隣り合うヒ−トス
プレッダを同様に繋ぎ合わせて行き、全てのヒ−トスプ
レッダが半田で繋ぎ合わせてあり、かつ両端のヒ−トス
プレッダ３１及び３２が回路基板にリベット５で固定さ
れている図１及び図２のような状態にする。
【００３３】以上説明したように、この発明の実施の形
態１にかかる半導体モジュ−ル装置は、簡略な工程で製
造することができる。
態１にかかる半導体モジュ−ル装置は、簡略な工程で製
造することができる。
【００３４】なお、上記の実施の形態では各ヒ−トスプ
レッダ３０乃至３２を接続するのに半田６を用いている
が、半田に代えて熱伝導性の高い接着剤等を用いてもよ
い。また、上記の製造方法はメモリ及びヒ−トスプレッ
ダがマトリクス状に配置されている場合についても拡張
して適用できることは勿論である。
レッダ３０乃至３２を接続するのに半田６を用いている
が、半田に代えて熱伝導性の高い接着剤等を用いてもよ
い。また、上記の製造方法はメモリ及びヒ−トスプレッ
ダがマトリクス状に配置されている場合についても拡張
して適用できることは勿論である。
【００３５】実施の形態２ 上記の実施の形態１では、各ヒ−トスプレッダが隣り合
うヒ−トスプレッダと接続して１枚のヒ−トスプレッダ
を形成する半導体モジュ−ル装置について説明した。し
かし、この実施の形態２では、各ヒ−トスプレッダが独
立しており、それぞれが各メモリの上部及び側部に密着
しているとともに、回路基板にも固定されている半導体
モジュ−ル装置について説明する。
うヒ−トスプレッダと接続して１枚のヒ−トスプレッダ
を形成する半導体モジュ−ル装置について説明した。し
かし、この実施の形態２では、各ヒ−トスプレッダが独
立しており、それぞれが各メモリの上部及び側部に密着
しているとともに、回路基板にも固定されている半導体
モジュ−ル装置について説明する。
【００３６】図４はこの発明の実施の形態２にかかる半
導体モジュ−ル装置を示す断面図である。図４におい
て、（ａ）は個別のヒ−トスプレッダ３３を半田６を用
いて基板１に固定した場合を示す断面図である。また
（ｂ）は個別のヒ−トスプレッダ３３をリベット５で基
板１に固定した場合を示す断面図である。また、図４に
おいて、その他の部分は実施の形態１で説明したものと
同一であるので、説明を省略する。
導体モジュ−ル装置を示す断面図である。図４におい
て、（ａ）は個別のヒ−トスプレッダ３３を半田６を用
いて基板１に固定した場合を示す断面図である。また
（ｂ）は個別のヒ−トスプレッダ３３をリベット５で基
板１に固定した場合を示す断面図である。また、図４に
おいて、その他の部分は実施の形態１で説明したものと
同一であるので、説明を省略する。
【００３７】図４において、ヒ−トスプレッダ３３のそ
れぞれは、対応するメモリ２の寸法に合わせて両端が折
り曲げられて段差が形成されており、その段差の高さは
メモリ２を回路基板１に搭載した場合とほぼ同一であ
る。図４において、各ヒ−トスプレッダ３３は複数のメ
モリ２のそれぞれの上部に密着して、基板１に半田６又
はリベット５によって固定されている。このため、基板
１に実装された場合の各メモリ２の高さにバラツキがあ
っても、それぞれのヒ−トスプレッダ３３がそれぞれの
メモリ２の上部に密着して固定されており、放熱効果を
着実なものとすることができる。さらに、上記のヒ−ト
スプレッダ３３はメモリ２の側部にも密着するように形
成すれば、放熱効果をより着実なものとすることができ
る。
れぞれは、対応するメモリ２の寸法に合わせて両端が折
り曲げられて段差が形成されており、その段差の高さは
メモリ２を回路基板１に搭載した場合とほぼ同一であ
る。図４において、各ヒ−トスプレッダ３３は複数のメ
モリ２のそれぞれの上部に密着して、基板１に半田６又
はリベット５によって固定されている。このため、基板
１に実装された場合の各メモリ２の高さにバラツキがあ
っても、それぞれのヒ−トスプレッダ３３がそれぞれの
メモリ２の上部に密着して固定されており、放熱効果を
着実なものとすることができる。さらに、上記のヒ−ト
スプレッダ３３はメモリ２の側部にも密着するように形
成すれば、放熱効果をより着実なものとすることができ
る。
【００３８】実施の形態３ 図５はこの発明の実施の形態３にかかる半導体モジュ−
ル装置を示す断面図である。図５において、３４は実施
の形態３にかかる半導体モジュ−ル装置に用いられるヒ
−トスプレッダである。また、５はそのヒ−トスプレッ
ダ３４を回路基板１に固定するためのリベットである。
その他の部分は実施の形態１で説明した内容と同一であ
るので説明を省略する。
ル装置を示す断面図である。図５において、３４は実施
の形態３にかかる半導体モジュ−ル装置に用いられるヒ
−トスプレッダである。また、５はそのヒ−トスプレッ
ダ３４を回路基板１に固定するためのリベットである。
その他の部分は実施の形態１で説明した内容と同一であ
るので説明を省略する。
【００３９】この実施の形態３におけるヒ−トスプレッ
ダ３４は、上記の実施の形態１及び実施の形態２で説明
してきたヒ−トスプレッダ３０乃至３３とは異なり、各
メモリ２に対して独立した構造となっておらず、複数の
メモリ２全てに対応するよう一体的に成形されている。
そして、このヒ−トスプレッダ３４は回路基板１に実装
された複数のメモリ２の間に対応する部分でU字型に折
り曲げられた曲げ部７を有している。
ダ３４は、上記の実施の形態１及び実施の形態２で説明
してきたヒ−トスプレッダ３０乃至３３とは異なり、各
メモリ２に対して独立した構造となっておらず、複数の
メモリ２全てに対応するよう一体的に成形されている。
そして、このヒ−トスプレッダ３４は回路基板１に実装
された複数のメモリ２の間に対応する部分でU字型に折
り曲げられた曲げ部７を有している。
【００４０】さらに、上記のU字型の曲げ部７のそれぞ
れの底部にリベット５を打ち込むことにより、ヒ−トス
プレッダ３４を回路基板１に固定する。ここで、ヒ−ト
スプレッダ３４は、各メモリ２の両側を挟み込み、かつ
メモリ２の上部を押さえつけるようにしてリベットで５
で回路基板１に固定される。その結果、回路基板１に実
装された状態の各メモリ２の間に多少の高さの差があっ
ても、ヒ−トスプレッダ３４の変形により、ヒ−トスプ
レッダ３４が当該複数のメモリ２全ての上部に密着する
ようにして固定される。
れの底部にリベット５を打ち込むことにより、ヒ−トス
プレッダ３４を回路基板１に固定する。ここで、ヒ−ト
スプレッダ３４は、各メモリ２の両側を挟み込み、かつ
メモリ２の上部を押さえつけるようにしてリベットで５
で回路基板１に固定される。その結果、回路基板１に実
装された状態の各メモリ２の間に多少の高さの差があっ
ても、ヒ−トスプレッダ３４の変形により、ヒ−トスプ
レッダ３４が当該複数のメモリ２全ての上部に密着する
ようにして固定される。
【００４１】このため、放熱効果の高い半導体モジュ−
ル装置が簡便な構造で得られることになる。なお、上記
の実施形態３では、ヒ−トスプレッダ３４を回路基板１
に固定するためにリベット５を用いたが、ボルト等を使
用して固定してもよい。また、ヒ−トスプレッダ３４に
曲げ部７をUの字型としたが、他の形状、例えば矩形と
してもよい。また、ヒ−トスプレッダ３４をメモリ２の
上面のみならず側部を接触するように曲げ部を形成して
もよい。そのような構成とすることにより、さらなる放
熱効果が得られる。
ル装置が簡便な構造で得られることになる。なお、上記
の実施形態３では、ヒ−トスプレッダ３４を回路基板１
に固定するためにリベット５を用いたが、ボルト等を使
用して固定してもよい。また、ヒ−トスプレッダ３４に
曲げ部７をUの字型としたが、他の形状、例えば矩形と
してもよい。また、ヒ−トスプレッダ３４をメモリ２の
上面のみならず側部を接触するように曲げ部を形成して
もよい。そのような構成とすることにより、さらなる放
熱効果が得られる。
【００４２】実施の形態４ 図６は、この発明の実施の形態５にかかる半導体モジュ
−ル装置を示す平面図である。図６において、３５はこ
の実施の形態５の半導体モジュ−ル装置に用いられるヒ
−トスプレッダである。その他の構成は実施の形態１に
示したものと同一であるので説明を省略する。ヒ−トス
プレッダ３５は、回路基板１に固定した状態で、メモリ
２のそれぞれに対応する部分の上下左右に矩形状の打ち
抜き部８が形成されている。言いかえると、ヒ−トスプ
レッダ３５の打ち抜き部８は、メモリ２の四方を囲むよ
うに形成されている。
−ル装置を示す平面図である。図６において、３５はこ
の実施の形態５の半導体モジュ−ル装置に用いられるヒ
−トスプレッダである。その他の構成は実施の形態１に
示したものと同一であるので説明を省略する。ヒ−トス
プレッダ３５は、回路基板１に固定した状態で、メモリ
２のそれぞれに対応する部分の上下左右に矩形状の打ち
抜き部８が形成されている。言いかえると、ヒ−トスプ
レッダ３５の打ち抜き部８は、メモリ２の四方を囲むよ
うに形成されている。
【００４３】このような構成とすることにより、ヒ−ト
スプレッダ３５は打ち抜き部８の存在により、容易に変
形することができる。すなわち、ヒ−トスプレッダ３５
を回路基板１に固定した状態で、メモリ２の実装高さの
バラツキによってヒ−トスプレッダ３５とメモリ２との
間に隙間が生じていても、ヒ−トスプレッダ３５を適宜
変形することにより、ヒ−トスプレッダ３５と各メモリ
２とを容易に密着させることができる。その結果、放熱
効果の高い半導体モジュ−ル装置が容易に得られること
になる。
スプレッダ３５は打ち抜き部８の存在により、容易に変
形することができる。すなわち、ヒ−トスプレッダ３５
を回路基板１に固定した状態で、メモリ２の実装高さの
バラツキによってヒ−トスプレッダ３５とメモリ２との
間に隙間が生じていても、ヒ−トスプレッダ３５を適宜
変形することにより、ヒ−トスプレッダ３５と各メモリ
２とを容易に密着させることができる。その結果、放熱
効果の高い半導体モジュ−ル装置が容易に得られること
になる。
【００４４】なお、上記の実施の形態４では、ヒ−トス
プレッダ３５に形成する打ち抜き部の形状を矩形とした
が、他の形状、例えば、楕円形としてもよい。また、比
較的小さい複数の打ち抜き部を、一定の間隔をおいて連
結させるようにしてメモリ２の周囲を囲む構成としても
同様の効果を奏する。さらに、打ち抜き部はヒ−トスプ
レッダの隣り合うメモリの隙間に対応する部分のみに設
けてもよい。
プレッダ３５に形成する打ち抜き部の形状を矩形とした
が、他の形状、例えば、楕円形としてもよい。また、比
較的小さい複数の打ち抜き部を、一定の間隔をおいて連
結させるようにしてメモリ２の周囲を囲む構成としても
同様の効果を奏する。さらに、打ち抜き部はヒ−トスプ
レッダの隣り合うメモリの隙間に対応する部分のみに設
けてもよい。
【００４５】実施の形態５ 図７はこの発明の実施の形態５にかかる半導体モジュ−
ル装置を示す断面図である。図７において、１はこの実
施の形態５にかかる半導体モジュ−ル装置に用いられる
回路基板である。この回路基板１の内部には板状の銅な
どの金属で構成されたメタルコア材９が埋め込まれてい
る。また、５１はヒ−トスプレッダ３を回路基板１に固
定するための支柱としてのボルトであり、メタルコア材
９に接触するように、回路基板１に打ち込まれて固定さ
れている。なお、その他の部分は従来の技術で説明した
内容と同一であるので説明を省略する。
ル装置を示す断面図である。図７において、１はこの実
施の形態５にかかる半導体モジュ−ル装置に用いられる
回路基板である。この回路基板１の内部には板状の銅な
どの金属で構成されたメタルコア材９が埋め込まれてい
る。また、５１はヒ−トスプレッダ３を回路基板１に固
定するための支柱としてのボルトであり、メタルコア材
９に接触するように、回路基板１に打ち込まれて固定さ
れている。なお、その他の部分は従来の技術で説明した
内容と同一であるので説明を省略する。
【００４６】この実施の形態５にかかる半導体モジュ−
ル装置では、回路基板１の内部に板状のメタルコア材９
が埋め込まれており、かつヒ−トスプレッダ３がメタル
コア材９に接触するボルト５１によって固定されている
ことにより、メモリ２で発生した熱は、ヒ−トスプレッ
ダ３及びボルト５１を通じてメタルコア材９に伝達され
る。このため、メモリ２で発生した熱はヒ−トスプレッ
ダ３から空気中に放熱するばかりでなく、メタルコア材
９にも放熱される。よって、この実施の形態５にかかる
半導体モジュ−ル装置では、簡便な構造で高い放熱効果
が期待できるという効果を奏する。
ル装置では、回路基板１の内部に板状のメタルコア材９
が埋め込まれており、かつヒ−トスプレッダ３がメタル
コア材９に接触するボルト５１によって固定されている
ことにより、メモリ２で発生した熱は、ヒ−トスプレッ
ダ３及びボルト５１を通じてメタルコア材９に伝達され
る。このため、メモリ２で発生した熱はヒ−トスプレッ
ダ３から空気中に放熱するばかりでなく、メタルコア材
９にも放熱される。よって、この実施の形態５にかかる
半導体モジュ−ル装置では、簡便な構造で高い放熱効果
が期待できるという効果を奏する。
【００４７】なお、上記の実施の形態５では、メタルコ
ア材９として板状の銅を用いたが、他の形状又は材料を
用いてもよい。例えば、メタルコア材の形状を棒状やフ
ィン状にすることができる。また、メタルコア材の材料
をアルミや、金属材以外の熱伝導性の高い物質にするこ
とも可能である。さらに、メタルコア材を複数用いて構
成してもよい。例えば、板状のメタルコア材を複数枚重
ねて構成することも可能である。
ア材９として板状の銅を用いたが、他の形状又は材料を
用いてもよい。例えば、メタルコア材の形状を棒状やフ
ィン状にすることができる。また、メタルコア材の材料
をアルミや、金属材以外の熱伝導性の高い物質にするこ
とも可能である。さらに、メタルコア材を複数用いて構
成してもよい。例えば、板状のメタルコア材を複数枚重
ねて構成することも可能である。
【００４８】また、上記の実施の形態５では、従来の技
術で説明したものと同様のヒ−トスプレッダ３を用いた
場合について説明した。しかし、これに限られず、実施
の形態１乃至４で説明したそれぞれのヒ−トスプレッダ
を、この実施の形態５で説明した半導体モジュ−ル装置
に適用してもよい。かかる場合は、この実施の形態５で
説明した効果に加え、実施の形態１乃至４の効果が併せ
て発揮されることはいうまでもない。
術で説明したものと同様のヒ−トスプレッダ３を用いた
場合について説明した。しかし、これに限られず、実施
の形態１乃至４で説明したそれぞれのヒ−トスプレッダ
を、この実施の形態５で説明した半導体モジュ−ル装置
に適用してもよい。かかる場合は、この実施の形態５で
説明した効果に加え、実施の形態１乃至４の効果が併せ
て発揮されることはいうまでもない。
【００４９】
【発明の効果】この発明にかかる半導体モジュ−ル装置
は、複数のヒ−トスプレッダのそれぞれが対応する複数
の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、隣り
合うヒ−トスプレッダ同志が接続して列をなし、かつ列
の両端部に配置されるヒ−トスプレッダが回路基板に固
定されているようにしたので、簡単な構造で放熱効果の
高い半導体モジュ−ル装置が得られる効果がある。
は、複数のヒ−トスプレッダのそれぞれが対応する複数
の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、隣り
合うヒ−トスプレッダ同志が接続して列をなし、かつ列
の両端部に配置されるヒ−トスプレッダが回路基板に固
定されているようにしたので、簡単な構造で放熱効果の
高い半導体モジュ−ル装置が得られる効果がある。
【００５０】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数の
ヒ−トスプレッダを備え、複数のヒ−トスプレッダのそ
れぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触し
ているとともに、少なくとも対向する２辺が回路基板に
固定されているようにしたので、簡単な構造で放熱効果
の高い半導体モジュ−ル装置が得られる効果がある。
装置は、複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数の
ヒ−トスプレッダを備え、複数のヒ−トスプレッダのそ
れぞれは対応する複数の半導体部品のそれぞれに接触し
ているとともに、少なくとも対向する２辺が回路基板に
固定されているようにしたので、簡単な構造で放熱効果
の高い半導体モジュ−ル装置が得られる効果がある。
【００５１】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、ヒ−トスプレッダの回路基板に実装された状態
の複数の半導体部品の隙間に対応する部分のそれぞれが
下方に曲げられて形成された曲げ部を有しており、この
曲げ部の底部のそれぞれが回路基板に固定されているよ
うにしたので、簡単な構造で放熱効果の高い半導体モジ
ュ−ル装置が得られる効果がある。
装置は、ヒ−トスプレッダの回路基板に実装された状態
の複数の半導体部品の隙間に対応する部分のそれぞれが
下方に曲げられて形成された曲げ部を有しており、この
曲げ部の底部のそれぞれが回路基板に固定されているよ
うにしたので、簡単な構造で放熱効果の高い半導体モジ
ュ−ル装置が得られる効果がある。
【００５２】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、ヒ−トスプレッダの回路基板に実装された状態
の半導体部品の周囲に対応する部分に複数の打ち抜き部
が設けられており、このヒ−トスプレッダが半導体部品
のそれぞれに接触するように変形されているので、簡単
な構造で放熱効果の高い半導体モジュ−ル装置が得られ
る効果がある。
装置は、ヒ−トスプレッダの回路基板に実装された状態
の半導体部品の周囲に対応する部分に複数の打ち抜き部
が設けられており、このヒ−トスプレッダが半導体部品
のそれぞれに接触するように変形されているので、簡単
な構造で放熱効果の高い半導体モジュ−ル装置が得られ
る効果がある。
【００５３】また、この発明にかかる半導体モジュ−ル
装置は、回路基板の内部にコア材を設け、ヒ−トスプレ
ッダを回路基板に固定する支柱をコア材に接触するよう
に配したので、簡単な構造で放熱効果の高い半導体モジ
ュ−ル装置が得られる効果がある。
装置は、回路基板の内部にコア材を設け、ヒ−トスプレ
ッダを回路基板に固定する支柱をコア材に接触するよう
に配したので、簡単な構造で放熱効果の高い半導体モジ
ュ−ル装置が得られる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１の半導体モジュ−ル
装置を示す平面図。
装置を示す平面図。
【図２】 この発明の実施の形態１の半導体モジュ−ル
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図３】 この発明の実施の形態１の半導体モジュ−ル
装置を示す平面図。
装置を示す平面図。
【図４】 この発明の実施の形態２の半導体モジュ−ル
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図５】 この発明の実施の形態３の半導体モジュ−ル
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図６】 この発明の実施の形態４の半導体モジュ−ル
装置を示す平面図。
装置を示す平面図。
【図７】 この発明の実施の形態５の半導体モジュ−ル
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図８】 従来の半導体モジュ−ル装置を示す平面図。
【図９】 従来の半導体モジュ−ル装置を示す断面図。
１ 回路基板 ２ 半導体部品 ３０、３１、３２、３３、３４、３５ ヒ−トスプレッ
ダ ５ リベット ５１ ボルト ６ 半田 ７ 曲げ部 ８ 打ち抜き部 ９ コア材
ダ ５ リベット ５１ ボルト ６ 半田 ７ 曲げ部 ８ 打ち抜き部 ９ コア材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠井 正昭 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB01 BC03 BC05 BC06 BC33
Claims (11)
- 【請求項１】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、 前記複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−
トスプレッダとを備えた半導体モジュ−ル装置であっ
て、 前記複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは前記対応する
複数の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、 隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続して列をなし、 かつ、前記列の両端部に配置されるヒ−トスプレッダが
前記回路基板に固定されていることを特徴とする半導体
モジュ−ル装置。 - 【請求項２】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板にマトリクス状に実装される複数の半導体
部品と、 前記複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−
トスプレッダとを備えた半導体モジュ−ル装置であっ
て、 前記複数のヒ−トスプレッダのそれぞれは前記対応する
複数の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、 隣り合うヒ−トスプレッダ同志が接続してマトリクスを
なし、 かつ前記マトリクスの行又は列の両端部に配置されるヒ
−トスプレッダが前記回路基板に固定されていることを
特徴とする半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項３】 前記複数のヒ−トスプレッダのそれぞれ
は、 少なくともその１辺に段差部を有しており、 その段差の高さが前記ヒ−トスプレッダの肉厚よりも高
く、 かつ、前記実装された半導体部品の高さよりも低いこと
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体モジュ
−ル装置。 - 【請求項４】 前記隣り合うヒ−トスプレッダは、半田
により接続されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項５】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板に実装される複数の半導体部品と、 前記複数の半導体部品のそれぞれに対応する複数のヒ−
トスプレッダとを備えた半導体モジュ−ル装置であっ
て、 前記複数のヒ−トスプレッダのそれぞれが前記対応する
複数の半導体部品のそれぞれに接触しているとともに、 前記複数のヒ−トスプレッダのそれぞれの少なくとも対
向する２辺が前記回路基板に固定されていることを特徴
とする半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項６】 前記複数のヒ−トスプレッダの前記回路
基板に固定される対向する２辺には段差部が設けられて
おり、 その段差部の段差の高さが前記回路基板に実装した状態
の半導体部品の高さに略等しいことを特徴とする請求項
５記載の半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項７】 前記段差部が前記半導体部品の側面部に
接触していることを特徴とする請求項６記載の半導体モ
ジュ−ル装置。 - 【請求項８】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、 前記複数の半導体部品のそれぞれに接触するヒ−トスプ
レッダとを備えた半導体モジュ−ル装置であって、 前記ヒ−トスプレッダは、前記回路基板に実装された状
態の複数の半導体部品の隙間に対応する部分のそれぞれ
が下方に曲げられて形成された曲げ部を有しており、 この曲げ部の底部のそれぞれが前記回路基板に固定され
ていることを特徴とする半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項９】 前記ヒ−トスプレッダの曲げ部が前記半
導体部品の側面部に接触していることを特徴とする請求
項８記載の半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項１０】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、 ヒ−トスプレッダとを備えた半導体モジュ−ル装置であ
って、 前記ヒ−トスプレッダには前記回路基板に実装された状
態の複数の半導体部品の周囲に対応する部分に複数の打
ち抜き部が設けられており、 前記ヒ−トスプレッダが前記半導体部品のそれぞれに接
触するように変形されて前記回路基板に固定されている
ことを特徴とする半導体モジュ−ル装置。 - 【請求項１１】 表面に配線パタ−ンを有する回路基板
と、 この回路基板に列状に実装される複数の半導体部品と、 ヒ−トスプレッダと、 このヒ−トスプレッダを前記回路基板に固定する支柱と
を備えた半導体モジュ−ル装置であって、 前記回路基板の内部にはコア材が設けられており、 前記支柱はこのコア材に接触していることを特徴とする
半導体モジュ−ル装置。
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