WO2017077995A1

WO2017077995A1 - 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法

Info

Publication number: WO2017077995A1
Application number: PCT/JP2016/082381
Authority: WO
Inventors: 貴翁斉藤; 庸輔神崎; 中澤　淳; 一篤伊東; 誠二金子
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-11-06
Filing date: 2016-11-01
Publication date: 2017-05-11
Also published as: JP6510067B2; US20180314099A1; CN108352139A; JPWO2017077995A1

Abstract

アレイ基板１１ｂは、ガラス基板ＧＳと、複数の入力端子部２８と、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が３５°以下とされるゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９と、第１平坦化膜端部２０ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度がゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの傾斜角度よりも大きい第１平坦化膜２０と、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ及び第１平坦化膜端部２０ａを跨ぎつつ複数の入力端子部２８に接続される複数の端子配線部２９と、を備える。

Description

表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法

　本発明は、表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法に関する。

　従来の液晶表示装置に用いられる液晶パネルの一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。この特許文献１に記載された液晶パネルを構成するアクティブ素子アレイ基板は、層間絶縁膜端部に、隣り合う実装端子の間に凸部を設けるようにしており、それにより層間絶縁膜が厚く形成されている場合であっても後工程でのレジスト残渣を無くすようにしている。

特開平１１－２４１０１号公報

（発明が解決しようとする課題）
　上記した特許文献１に記載されたアクティブ素子アレイ基板では、金属膜からなる実装端子が層間絶縁膜の下層側に配される構成とされているが、実装端子が層間絶縁膜の上層側に配されて層間絶縁膜端部を跨ぐ配置とされた場合には、次の問題が生じるおそれがある。すなわち、実装端子のパターニングに際して、層間絶縁膜の上層側に成膜した金属膜を、マスクを介してエッチングする場合には、金属膜のうち、層間絶縁膜端部と重畳する部分がエッチングにより除去され難くなるため、除去されずに残留した部分によって隣り合う実装端子間が短絡されるおそれがあったのである。

　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、短絡防止の確実性を向上させることを目的とする。

（課題を解決するための手段）
　本発明の表示基板は、画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分される基板と、前記非表示領域に配される複数の端子部と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されて端部である第１絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間に配される第１絶縁膜であって、前記第１絶縁膜端部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が３５°以下とされる第１絶縁膜と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第１絶縁膜の上層側に配されて端部である第２絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間に配される第２絶縁膜であって、前記第２絶縁膜端部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度が前記第１絶縁膜端部の傾斜角度よりも大きい第２絶縁膜と、少なくとも前記非表示領域にて前記第２絶縁膜の上層側に配される金属膜からなり前記第１絶縁膜端部及び前記第２絶縁膜端部を跨ぎつつ複数の前記端子部に接続される複数の端子配線部と、を備える。

　このように、非表示領域に配される複数の端子部に接続される複数の端子配線部は、第２絶縁膜の上層側に配されて端子部と表示領域との間に位置する第１絶縁膜端部及び第２絶縁膜端部を跨ぐ形で配されている。第２絶縁膜の第２絶縁膜端部は、第１絶縁膜の第１絶縁膜端部に比べると、基板の板面に対する傾斜角度が大きくなっており、このような構成は、例えば当該表示基板の製造に際して第１絶縁膜が第２絶縁膜をマスクとして利用してパターニングされる場合になり易い傾向にある。これに対し、当該表示基板の製造に際して複数の端子配線部をパターニングする際に、例えば第２絶縁膜の上層側に複数の端子配線部となる金属膜を成膜し、その成膜された金属膜を、レジストを介してエッチングする場合には、金属膜のうち、基板の板面に対する傾斜角度が相対的に大きな第１絶縁膜端部と重畳する部分がエッチングにより除去され難い傾向にあり、当該部分が残留すると隣り合う端子配線部間が短絡されることが懸念される。

　その点、第１絶縁膜は、第１絶縁膜端部の少なくとも一部における基板の板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部をパターニングするに際して、複数の端子配線部となる金属膜のうち第１絶縁膜端部の少なくとも一部と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部における第１絶縁膜端部の少なくとも一部と重畳する部分の間に金属膜が残留し難いものとなり、もって隣り合う端子配線部間が短絡される事態が生じ難いものとされる。

　本発明の表示基板の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第２絶縁膜は、第１膜厚部と、前記第１膜厚部に対して前記端子部側に配されるとともに前記第２絶縁膜端部を含んでいて前記第１膜厚部よりも膜厚が薄い第２膜厚部と、から構成される。このようにすれば、第２膜厚部が第１膜厚部よりも膜厚が薄くされることで、仮に第２絶縁膜の膜厚を全域にわたって第１膜厚部と同じにした場合に比べると、第２膜厚部に含まれる第２絶縁膜端部が基板の板面に対してなす傾斜角度が小さくなる。従って、例えば当該表示基板の製造に際して第２絶縁膜をマスクとして利用して第１絶縁膜がパターニングされると、第１絶縁膜端部が基板の板面に対してなす傾斜角度をより小さくすることができる。これにより、第１絶縁膜端部の傾斜角度を３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

（２）前記第１絶縁膜は、前記第１絶縁膜端部が前記基板の板面に対してなす傾斜角度が全域にわたって３５°以下とされる。このようにすれば、第１絶縁膜は、第１絶縁膜端部の全域における基板の板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部をパターニングするに際して、複数の端子配線部となる金属膜のうち第１絶縁膜端部の全域と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部における第１絶縁膜端部の全域と重畳する部分の間に金属膜が残留し難いものとなる。従って、仮に基板の板面に対する傾斜角度が３５°以下となるのが第１絶縁膜端部の一部とされた場合に比べると、隣り合う端子配線部間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

（３）前記第１絶縁膜における前記第１絶縁膜端部には、隣り合う前記端子配線部の間に配されて前記端子部側に向けて突出する突部が設けられており、前記第１絶縁膜端部は、少なくとも前記突部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度が３５°以下とされる。このようにすれば、第１絶縁膜端部のうち少なくとも突部における基板の板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部をパターニングするに際して、複数の端子配線部となる金属膜のうち第１絶縁膜端部のうち少なくとも突部と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなり、もって隣り合う端子配線部間が短絡される事態が生じ難いものとされる。しかも、第１絶縁膜端部における隣り合う端子配線部間の延面距離が突部の分だけ長くなるので、仮に第１絶縁膜端部のうち突部が形成されない部分に端子配線部となる金属膜が残留しても、金属膜の残渣が隣り合う端子配線部間に跨る形で生じ難いものとなる。

（４）前記突部は、突出基端から突出先端までの突出寸法にて前記第２絶縁膜端部の膜厚寸法を除した比率が０．２以下とされる。このようにすれば、仮に突部の突出寸法にて第２絶縁膜端部の膜厚寸法を除した比率が０．２を超えると、第１絶縁膜端部付近に端子配線部となる金属膜が残留し易くなり、隣り合う端子配線部間の短絡が発生し易い傾向にあるものの、上記のように同比率が０．２以下とされることで、第１絶縁膜端部付近に端子配線部となる金属膜が残留し難くなり、隣り合う端子配線部間の短絡が発生し難いものとなる。

　次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記記載の表示基板と、前記表示基板と対向する形で配される対向基板と、を備える。このような構成の表示装置によれば、表示基板における短絡防止の確実性が高いものとされているから、動作信頼性などに優れる。

　本発明の表示基板の製造方法は、画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分されて前記非表示領域に複数の端子部が配される基板に、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第１絶縁膜の上層側に第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、前記第２絶縁膜を、端部である第２絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間にて前記基板の板面に対して傾斜状をなすよう形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜を介して前記第１絶縁膜をエッチングし、端部である第１絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間にて前記基板の板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が前記第２絶縁膜端部の傾斜角度よりも大きく且つ３５°以下となるよう形成する第１絶縁膜形成工程と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第２絶縁膜の上層側に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、前記金属膜の上層側にレジストを形成するレジスト形成工程と、前記レジストを介して前記金属膜をエッチングし、前記第１絶縁膜端部及び前記第２絶縁膜端部を跨ぎつつ複数の前記端子部に接続される複数の端子配線部を形成する端子配線部形成工程と、を少なくとも備える。

　まず、第１絶縁膜成膜工程では、基板において表示領域と非表示領域とに跨る形で第１絶縁膜が成膜され、その後第２絶縁膜成膜工程では、基板において表示領域と非表示領域とに跨る形で第１絶縁膜の上層側に第２絶縁膜が成膜される。第２絶縁膜成膜工程では、第２絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間にて前記基板の板面に対して傾斜状をなすよう第２絶縁膜が形成されるので、その後に行われる第１絶縁膜形成工程では、第２絶縁膜を介して第１絶縁膜がエッチングされる。このとき、第１絶縁膜の第１絶縁膜端部は、第２絶縁膜端部よりも基板の板面に対する傾斜角度が大きくなるものの、少なくとも一部におおける同傾斜角度は３５°以下とされる。その後、金属膜成膜工程を経て表示領域と非表示領域とに跨る形で第２絶縁膜の上層側に金属膜が成膜されたら、レジスト形成工程を経て金属膜の上層側にレジストが形成される。続いて、端子配線部形成工程では、レジストを介して金属膜がエッチングされると、第１絶縁膜端部及び第２絶縁膜端部を跨ぎつつ複数の端子部に接続される複数の端子配線部が形成される。

　ここで、端子配線部形成工程にて金属膜から端子配線部を形成するに際して、レジストを介して金属膜がエッチングされるとき、金属膜のうち、基板の板面に対する傾斜角度が相対的に大きな第１絶縁膜端部と重畳する部分がエッチングにより除去され難い傾向にあり、当該部分が残留すると隣り合う端子配線部間が短絡されることが懸念される。その点、第１絶縁膜は、第１絶縁膜形成工程にて第１絶縁膜端部の少なくとも一部における基板の板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、端子配線部形成工程にて金属膜から端子配線部を形成する際に、金属膜のうち第１絶縁膜端部の少なくとも一部と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部における第１絶縁膜端部の少なくとも一部と重畳する部分の間に金属膜が残留し難いものとなり、もって隣り合う端子配線部間が短絡される事態が生じ難いものとされる。

　本発明の表示基板の製造方法の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第２絶縁膜成膜工程では、前記第２絶縁膜が感光性材料を用いて成膜されており、前記第２絶縁膜形成工程には、フォトマスクとして透過領域及び半透過領域を含むハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて前記第２絶縁膜を露光する露光工程であって、少なくとも前記半透過領域が第２絶縁膜端部の形成予定位置と重畳する位置に配されてなる前記ハーフトーンマスクまたは前記グレートーンマスクを用いるようにした露光工程と、前記第２絶縁膜を現像する現像工程と、が少なくとも含まれる。第２絶縁膜成膜工程では、感光性材料を用いて第２絶縁膜が成膜される。第２絶縁膜形成工程に含まれる露光工程では、透過領域及び半透過領域を含むハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて第２絶縁膜が露光される。その後、現像工程にて第２絶縁膜が現像されることで、第２絶縁膜端部を有する第２絶縁膜が形成される。このうち、露光工程にて用いられるハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、少なくとも半透過領域が第２絶縁膜端部の形成予定位置と重畳する位置に配されているので、露光・現像された第２絶縁膜は、第２絶縁膜端部を含む部分の膜厚が、他の部分の膜厚よりも薄くなる。従って、その後に行われる第１絶縁膜形成工程において、第２絶縁膜を介して第１絶縁膜がエッチングすると、第１絶縁膜端部が基板の板面に対してなす傾斜角度がより小さなものとなる。これにより、第１絶縁膜端部の傾斜角度を３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

（発明の効果）
　本発明によれば、短絡防止の確実性を向上させることができる。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶パネルの平面図液晶パネルを構成するアレイ基板における共通電極の平面配置を表す平面図液晶パネルの表示領域における断面構成を示す概略断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における配線構成を概略的に示す平面図液晶パネルを構成するＣＦ基板の表示領域における配線構成を概略的に示す平面図図４のvi-vi線断面図図４のvii-vii線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の非表示領域における配線構成を概略的に示す平面図図８のix-ix線断面図図８のx-x線断面図比較実験１に係るゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部の傾斜角度と、第３金属膜の残渣の有無と、の関係を示す表液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してグレートーンマスクを介して第１平坦化膜を露光する露光工程を説明するための図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際して現像工程を経て現像された第１平坦化膜を介してゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜をエッチングするゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程を説明するための図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程を経てパターニングされたゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜を示す図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際して第３金属膜を成膜する第３金属膜成膜工程を説明するための図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際して第３金属膜を成膜する第３金属膜成膜工程を説明するための図８のx-x線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してレジスト形成工程を経てパターニングされたフォトレジストを介して第３金属膜をエッチングするエッチング工程を説明するための図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してレジスト形成工程を経てパターニングされたフォトレジストを介して第３金属膜をエッチングするエッチング工程を説明するための図８のx-x線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してエッチング工程を経てパターニングされた端子配線部を示す図８のix-ix線断面図液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してエッチング工程を経て第３金属膜が除去された状態を示す図８のx-x線断面図本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の非表示領域における配線構成を概略的に示す拡大平面図図２１のxxii-xxii線断面図図２１のxxiii-xxiii線断面図図２１のxxiv-xxiv線断面図比較実験２に係る第１平坦化膜の膜厚寸法に対する突部の突出寸法の比率と、第３金属膜の残渣の有無と、の関係を示す表本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の非表示領域における配線構成を概略的に示す拡大平面図図２６のxxvii-xxvii線断面図図２６のxxviii-xxviii線断面図本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の製造に際してハーフトーンマスクを介して第１平坦化膜を露光する露光工程を説明するための断面図

　＜実施形態１＞
　本発明の実施形態１を図１から図２０によって説明する。本実施形態では、位置入力機能を備えた液晶表示装置１０に備えられる液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図３，図６及び図７などの上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

　液晶表示装置１０は、全体として長方形状をなしており、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル１１を備えるとともに、液晶パネル１１に対して裏側に配されて液晶パネル１１に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）などを備える。以下では、液晶表示装置１０の構成部品に関して、液晶パネル１１に関して詳しく説明するものの、バックライト装置などの他の構成部品に関しては周知の通りであるから、詳しい説明は割愛する。

　液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に画像が表示される表示領域（アクティブエリア）ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置に、各種信号などを供給するためのドライバ１２及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示領域ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされ、この非表示領域ＮＡＡは、表示領域ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）と、からなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ１２及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１は、その短辺方向がＸ軸方向と一致し、長辺方向がＹ軸方向と一致し、さらには板面（表示面）の法線方向がＺ軸方向と一致している。また、フレキシブル基板１３における液晶パネル１１側とは反対側の端部には、信号供給源であるコントロール基板（制御回路基板）１４が接続されている。なお、図１では、枠状の一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。

　続いて、液晶パネル１１に実装または接続される部材（ドライバ１２、フレキシブル基板１３及びコントロール基板１４）について順次に説明する。ドライバ１２は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、コントロール基板１４から供給される信号に基づいて作動することで、出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示領域ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ１２は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示領域ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ１２の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

　フレキシブル基板１３は、図１に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りコントロール基板１４に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）に接続されている。このため、フレキシブル基板１３は、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれコントロール基板１４及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、コントロール基板１４側から供給される信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

　コントロール基板１４は、図１に示すように、バックライト装置における裏側に配置される。このコントロール基板１４は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ１２に各種信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。このコントロール基板１４には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

　改めて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間の内部空間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）１１ｃと、を有しており、液晶層１１ｃが両基板１１ａ，１１ｂ間に介在する図示しないシール部によって取り囲まれて封止が図られている。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（表示基板、アクティブマトリクス基板、素子基板）１１ｂとされる。ＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、いずれもガラス製のガラス基板ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。なお、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｄ，１１ｅが貼り付けられている。

　アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）における表示領域ＡＡには、図４及び図６に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：表示素子）１１ｆ及び画素電極１１ｇが多数個マトリクス状（行列状）に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１１ｆ及び画素電極１１ｇの周りには、格子状をなすゲート配線（走査線）１１ｉ及びソース配線（データ線、信号線、素子配線部）１１ｊが取り囲むようにして配設されている。ゲート配線１１ｉとソース配線１１ｊとがそれぞれＴＦＴ１１ｆのゲート電極１１ｆ１とソース電極１１ｆ２とに接続され、画素電極１１ｇがＴＦＴ１１ｆのドレイン電極１１ｆ３に接続されている。そして、ＴＦＴ１１ｆは、ゲート配線１１ｉ及びソース配線１１ｊにそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極１１ｇへの電位の供給が制御されるようになっている。このＴＦＴ１１ｆは、ドレイン電極１１ｆ３とソース電極１１ｆ２とを繋ぐチャネル部１１ｆ４を有している。なお、本実施形態では、各図面においてゲート配線１１ｉの延在方向がＸ軸方向と、ソース配線１１ｊの延在方向がＹ軸方向と、それぞれ一致するものとされている。画素電極１１ｇは、ゲート配線１１ｉ及びソース配線１１ｊにより囲まれた方形の領域に配されており、複数本のスリットが形成されている。この画素電極１１ｇは、ＴＦＴ１１ｆのドレイン電極１１ｆ３に対してＴＦＴ接続部（素子接続部）１１ｐを介して接続されている。また、アレイ基板１１ｂの内面側には、画素電極１１ｇに加えて共通電極１１ｈが設けられており、両電極１１ｇ，１１ｈ間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、アレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるようになっている。つまり、この液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

　アレイ基板１１ｂの内面側には、既知のフォトリソグラフィ法によって各種の膜が積層形成されており、これらの膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図６及び図７に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ）側から順に第１金属膜（ゲート金属膜）１５、ゲート絶縁膜（下層側第１絶縁膜、第１絶縁膜）１６、半導体膜１７、第２金属膜（ソース金属膜）１８、第１層間絶縁膜（上層側第１絶縁膜、第１絶縁膜）１９、第１平坦化膜（第２絶縁膜）２０、第３金属膜（素子接続金属膜、金属膜）２１、第２平坦化膜２２、第４金属膜２３（位置検出配線金属膜）、第１透明電極膜（下層側透明電極膜）２４、第２層間絶縁膜２５、第２透明電極膜（上層側透明電極膜）２６が積層形成されている。なお、図６及び図７では、第２透明電極膜２６のさらに上層側に積層される配向膜１１ｏの図示を省略している。

　第１金属膜１５は、例えばチタン（Ｔｉ）層／アルミニウム（Ａｌ）層／チタン層の３層の積層膜により形成されている。第１金属膜１５は、主にゲート配線１１ｉを構成している。ゲート絶縁膜１６は、図６及び図７に示すように、少なくとも第１金属膜１５の上層側に積層されるものであり、例えば無機材料である酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなる。ゲート絶縁膜１６は、第１金属膜１５（ゲート配線１１ｉ）と第２金属膜１８（ソース配線１１ｊ）との間に介在して相互を絶縁している。半導体膜１７は、ゲート絶縁膜１６の上層側に積層されるものであり、材料として酸化物半導体を用いた薄膜からなるものとされる。半導体膜１７は、主にＴＦＴ１１ｆのチャネル部１１ｆ４を構成している。半導体膜１７をなす具体的な酸化物半導体としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（酸化インジウムガリウム亜鉛）が用いられている。ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。本実施形態では、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを１：１：１の割合で含むＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体を用いる。このような酸化物半導体（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体）は、アモルファスでもよいが、好ましくは結晶質部分を含む結晶性を有するものとされる。結晶性を有する酸化物半導体としては、例えば、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このような酸化物半導体（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体）の結晶構造は、例えば、特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。参考のために、特開２０１２－１３４４７５号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

　第２金属膜１８は、図６及び図７に示すように、少なくとも半導体膜１７の上層側に積層されるものであり、第１金属膜１５と同様に、例えばチタン層／アルミニウム層／チタン層の３層の積層膜により形成されている。第２金属膜１８は、主にソース配線１１ｊ、ソース電極１１ｆ２及びドレイン電極１１ｆ３を構成している。第１層間絶縁膜１９は、少なくとも第２金属膜１８の上層側に積層されるものであり、例えば無機材料である酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる。第１平坦化膜２０は、第１層間絶縁膜１９の上層側に積層されるものであり、例えば有機樹脂材料であるアクリル系樹脂材料（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））からなる。第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０は、第２金属膜１８及び半導体膜１７と第３金属膜２１との間に介在して相互を絶縁している。第３金属膜２１は、少なくとも第１平坦化膜２０の上層側に積層されるものであり、第１金属膜１５及び第２金属膜１８と同様に、例えばチタン層／アルミニウム層／チタン層の３層の積層膜により形成されている。第３金属膜２１は、表示領域ＡＡでは主にＴＦＴ接続部１１ｐを構成しているが、非表示領域ＮＡＡでは後述する入力端子部２８及び端子配線部２９を構成している。

　第２平坦化膜２２は、図６及び図７に示すように、第３金属膜２１及び第１平坦化膜２０の上層側に積層されるものであり、第１平坦化膜２０と同様に、例えば有機樹脂材料であるアクリル系樹脂材料（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））からなる。第２平坦化膜２２は、第３金属膜２１と第４金属膜２３及び第１透明電極膜２４との間に介在して相互を絶縁している。第４金属膜２３は、少なくとも第２平坦化膜２２の上層側に積層されるものであり、第１金属膜１５、第２金属膜１８及び第３金属膜２１と同様に、例えばチタン層／アルミニウム層／チタン層の３層の積層膜により形成されている。第４金属膜２３は、主に後述する位置検出配線１１ｑを構成している。第１透明電極膜２４は、第４金属膜２３及び第１平坦化膜２０の上層側に積層されるものであり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第１透明電極膜２４は、表示領域ＡＡでは主に共通電極１１ｈを構成しているが、非表示領域ＮＡＡでは後述する保護部３０を構成している。第２層間絶縁膜２５は、少なくとも第１透明電極膜２４の上層側に積層されるものであり、無機材料である窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなる。第２層間絶縁膜２５は、第１透明電極膜２４と第２透明電極膜２６との間に介在して相互を絶縁している。第２透明電極膜２６は、第２層間絶縁膜２５の上層側に積層されるものであり、第１透明電極膜２４と同様に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第２透明電極膜２６は、主に画素電極１１ｇを構成している。上記した各絶縁膜１６，１９，２０，２２，２５のうち、第１平坦化膜２０及び第２平坦化膜２２は、共に有機絶縁膜とされていてその膜厚が他の絶縁膜（無機絶縁膜）１６，１９，２５に比べて厚いものとされ、表面を平坦化する機能を有する。上記した各絶縁膜１６，１９，２０，２２，２５のうち、第１平坦化膜２０及び第２平坦化膜２２を除いたゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第２層間絶縁膜２５は、それぞれ無機絶縁膜であり、その膜厚が有機絶縁膜である第１平坦化膜２０及び第２平坦化膜２２よりも薄いものとされる。

　ＴＦＴ接続部（素子接続部）１１ｐは、図４に示すように、縦長の方形状をなすとともに、ＴＦＴ１１ｆのドレイン電極１１ｆ３と画素電極１１ｇとの双方に対して平面に視て重畳する平面配置とされている。そして、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０のうち、ＴＦＴ接続部１１ｐ及びドレイン電極１１ｆ３の双方と重畳する位置には、図７に示すように、第１ＴＦＴコンタクトホール（第１素子コンタクトホール）ＣＨ１が開口形成されており、この第１ＴＦＴコンタクトホールＣＨ１を通して上層側のＴＦＴ接続部１１ｐが下層側のドレイン電極１１ｆ３に対して接続されている。一方、第２平坦化膜２２及び第２層間絶縁膜２５のうち、ＴＦＴ接続部１１ｐ及びドレイン電極１１ｆ３の双方と重畳し且つ第１ＴＦＴコンタクトホールＣＨ１とは非重畳となる位置には、図６に示すように、第２ＴＦＴコンタクトホール（第２素子コンタクトホール、素子コンタクトホール）ＣＨ２が開口形成されており、この第２ＴＦＴコンタクトホールＣＨ２を通して上層側の画素電極１１ｇが下層側のＴＦＴ接続部１１ｐに対して接続されている。このように、画素電極１１ｇ及びドレイン電極１１ｆ３は、その間に４枚の絶縁膜１９，２０，２２，２５が介在するものの、その中間に配されるＴＦＴ接続部１１ｐを介して相互の接続が図られている。また、共通電極１１ｈのうち、第２ＴＦＴコンタクトホールＣＨ２（ＴＦＴ接続部１１ｐの一部）と重畳する位置には、画素電極１１ｇとの短絡を防止するための開口部ＯＰが形成されている。なお、各絶縁膜１６，１９，２０，２２，２５は、上記した各コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を除いては、アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡにおけるほぼ全域にわたってベタ状に形成されている。

　一方、ＣＦ基板１１ａのうちの表示領域ＡＡの内面側には、図３及び図５に示すように、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１１ｇと対向状をなす位置にカラーフィルタ１１ｋが設けられている。カラーフィルタ１１ｋは、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の三色の着色部がマトリクス状に繰り返し並んで配列されてなる。マトリクス状に配列されるカラーフィルタ１１ｋの各着色部（各画素ＰＸ）の間は、遮光部（ブラックマトリクス）１１ｌによって仕切られている。この遮光部１１ｌによって各着色部を透過する各色の光同士が混ざり合う混色が防がれるようになっている。遮光部１１ｌは、平面に視て格子状をなしていて各着色部の間を仕切る格子状部と、平面に視て枠状（額縁状）をなしていて格子状部を外周側から取り囲む枠状部と、から構成されている。遮光部１１ｌにおける格子状部は、上記したゲート配線１１ｉ及びソース配線１１ｊと平面に視て重畳する配置とされる。遮光部１１ｌにおける枠状部は、シール部に倣って延在しており、平面に視て縦長の方形の枠状をなしている。カラーフィルタ１１ｋ及び遮光部１１ｌの表面には、オーバーコート膜（平坦化膜）１１ｍが内側に重なって設けられている。なお、当該液晶パネル１１においては、カラーフィルタ１１ｋにおける着色部と、それと対向する画素電極１１ｇと、の組によって１つの画素ＰＸが構成されている。画素ＰＸには、カラーフィルタ１１ｋのうちＲの着色部を有する赤色画素と、カラーフィルタ１１ｋのうちＧの着色部を有する緑色画素と、カラーフィルタ１１ｋのうちＢの着色部を有する青色画素と、が含まれている。これら３色の画素ＰＸは、液晶パネル１１の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。このように画素ＰＸは、液晶パネル１１の表示領域ＡＡ内においてマトリクス状に多数が配列されている。また、両基板１１ａ，１１ｂのうち最も内側にあって液晶層１１ｃに接する層としては、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１ｎ，１１ｏがそれぞれ形成されている。

　ところで、本実施形態に係る液晶パネル１１は、既述した通り、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出する位置入力機能（位置検出機能）と、を併有しており、このうちの位置入力機能を発揮するためのタッチパネルパターンを内蔵（インセル化）している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされるものである。タッチパネルパターンは、図２に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂに設けられており、アレイ基板１１ｂにおいてその面内にマトリクス状に並んで配される複数の位置検出電極２７から構成されている。位置検出電極２７は、アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１における表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域とほぼ一致していることになる。ここで、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに表示される画像に基づいて使用者が位置入力をしようと液晶パネル１１の表面に導電体である指（位置検出体）を近づけると、その指と位置検出電極２７との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにある位置検出電極２７にて検出される静電容量には指が近づく前の状態から変化が生じ、指から遠くにある位置検出電極２７とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。なお、位置検出電極２７は、指以外の導電体に対しても寄生容量を形成する場合もあり得る。

　そして、この位置検出電極２７は、アレイ基板１１ｂに設けられた共通電極１１ｈにより構成されている。共通電極１１ｈは、図２に示すように、アレイ基板１１ｂの面内において碁盤目状に分割された複数の分割共通電極１１ｈＳからなり、これら複数の分割共通電極１１ｈＳの個々が位置検出電極２７を構成している。これにより、仮に共通電極１１ｈとは別途に位置検出電極を設けた場合に比べると、構造の簡素化及び低コスト化などを図る上で好適となる。位置検出電極２７（分割共通電極１１ｈＳ）は、Ｘ軸方向（行方向）及びＹ軸方向（列方向）に沿って複数ずつがマトリクス状（行列状）に並んで配されている。位置検出電極２７は、平面に視て方形状をなしており、各辺の寸法が数ｍｍ程度とされている。従って、位置検出電極２７は、平面に視た大きさが画素ＰＸ（画素電極１１ｇ）よりも大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数ずつの画素ＰＸに跨る範囲に配置されている。なお、図２は、位置検出電極２７の配列を模式的に表したものであり、位置検出電極２７の具体的な設置数や配置については図示以外にも適宜に変更可能である。

　複数の位置検出電極（分割共通電極１１ｈＳ）２７には、図２に示すように、複数の位置検出配線１１ｑが接続されている。位置検出配線１１ｑは、表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向、つまりソース配線１１ｊの延在方向（列方向）に沿って直線的に延在しており、接続対象となる位置検出電極２７に応じた長さ寸法を有している。つまり、位置検出配線１１ｑは、表示領域ＡＡ内に配された一方の端部が接続対象となる位置検出電極２７と重畳する配置とされて当該位置検出電極２７に接続されるのに対し、非表示領域ＮＡＡに配された他方の端部がドライバ１２に接続されている。従って、ドライバ１２は、画像表示に際してはＴＦＴ１１ｆを駆動するのに対し、位置検出に際しては位置検出電極２７を駆動するものとされており、表示機能と位置検出機能とを併有している。位置検出配線１１ｑは、既述した通り、第４金属膜２３からなるのに対し、位置検出電極２７は、共通電極１１ｈでもあり、第１透明電極膜２４からなることから、位置検出電極１１ｑは位置検出電極２７に対してコンタクトホールを介することなく直接的に接続されている。従って、位置検出配線１１ｑは、接続対象となる位置検出電極２７に加えて、その位置検出電極２７とドライバ１２との間に存在する他の位置検出電極２７に対しても接続されている。このように同じ列に属する複数の位置検出電極２７（位置検出配線１１ｑの延在方向に沿って並ぶ複数の位置検出電極２７）に対して複数の位置検出配線１１ｑが接続される接続態様であっても、同じ列に属する複数の位置検出配線１１ｑの中から位置検出した位置検出配線１１ｑの組み合わせを抽出することで、実際に位置入力された位置検出電極２７を特定することができる。また、位置検出配線１１ｑは、図４に示すように、平面に視て所定のソース配線１１ｊ（遮光部１１ｌ）と重畳し、画素ＰＸとは非重畳となる位置に配されている。これにより、位置検出配線１１ｑによって画素ＰＸの開口率が低下する事態が避けられている。

　続いて、アレイ基板１１ｂにおける非表示領域ＮＡＡの構成について説明する。アレイ基板１１ｂにおける非表示領域ＮＡＡのうちＣＦ基板１１ａとは重畳しない非重畳部分には、図１に示すように、フレキシブル基板１３の端部及びドライバ１２がそれぞれ取り付けられており、フレキシブル基板１３の端部がアレイ基板１１ｂにおける短辺方向（Ｘ軸方向）に沿った端部に配されるのに対して、ドライバ１２がアレイ基板１１ｂにおいてフレキシブル基板１３よりも表示領域ＡＡ側に位置して配されている。アレイ基板１１ｂにおけるドライバ１２の実装領域には、ドライバ１２に信号を出力するための出力端子部（図示せず）と、ドライバ１２からの信号が入力される入力端子部（端子部）２８と、が設けられている。アレイ基板１１ｂにおけるフレキシブル基板１３の実装領域には、フレキシブル基板１３に接続されるフレキシブル基板用端子部（図示せず）が設けられている。入力端子部２８は、他の端子部（出力端子部及びフレキシブル基板用端子部）に比べてＹ軸方向について表示領域ＡＡに近い配置とされる。

　入力端子部２８は、図８に示すように、ドライバ１２の実装領域において複数が千鳥状に平面配置されており、次述する端子配線部２９に接続されている。端子配線部２９は、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいてＸ軸方向に沿って複数が所定の間隔を空けて並ぶとともにＹ軸方向に沿って延在しており、一方の端部が各入力端子部２８に、他方（表示領域ＡＡ側）の端部が各ソース配線１１ｊの端部に、それぞれ接続されている。なお、ソース配線１１ｊは、その大部分が表示領域ＡＡに配されているが、一部（配線重畳部１１ｊ１を含む）が非表示領域ＮＡＡに至るまで延長されている。入力端子部２８及び端子配線部２９は、図９に示すように、共にＴＦＴ接続部１１ｐと同じ第３金属膜２１からなる。従って、端子配線部２９は、接続対象であるソース配線１１ｊに対して第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０を介して上層側に位置している。端子配線部２９における入力端子部２８側とは反対側の端部と、ソース配線１１ｊにおけるＴＦＴ１１ｆ側とは反対側の端部と、は、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいて互いに平面に視て重畳する配置とされており、そこがそれぞれ配線重畳部１１ｊ１，２９ａとされる。端子配線部２９とソース配線１１ｊとの間に介在する第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０のうち、端子配線部２９及びソース配線１１ｊの配線重畳部１１ｊ１，２９ａと平面に視て重畳する位置には、配線重畳部１１ｊ１，２９ａ同士を接続する配線コンタクトホールＣＨ３が設けられている。これにより、ドライバ１２から出力された信号が、入力端子部２８、端子配線部２９及びソース配線１１ｊを介してＴＦＴ１１ｆのソース電極１１ｆ２に供給されるようになっている。

　これに対し、各絶縁膜１６，１９，２０，２２，２５は、図８及び図９に示すように、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおけるドライバ１２及びフレキシブル基板１３の実装領域近傍では選択的に除去されており、それらの各端部１６ａ，１９ａ，２０ａ，２２ａ，２５ａが、Ｙ軸方向について、表示領域ＡＡと、端子部群のうち最も表示領域ＡＡに近い入力端子部２８と、の間に位置するものとされる。従って、入力端子部２８は、その全域がアレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳ上に直接的に設けられるのに対し、端子配線部２９は、入力端子部２８側の部分がアレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳ上に直接的に設けられるものの、残りの部分（ソース配線１１ｊ側の部分）が第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０の上層側に設けられる。つまり、端子配線部２９は、入力端子部２８側からソース配線１１ｊ側に向かう途中で第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０に乗り上げており、少なくとも第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０における第１層間絶縁膜端部（第１絶縁膜端部）１９ａ及び第１平坦化膜端部（第２絶縁膜端部）２０ａを跨ぐ形で配されている。各絶縁膜１６，１９，２０，２２，２５における各端部１６ａ，１９ａ，２０ａ，２２ａ，２５ａは、いずれもガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしており、いずれも傾斜角度が０°よりも大きくて鋭角とされている。また、各端部１６ａ，１９ａ，２０ａ，２２ａ，２５ａは、Ｚ軸方向について下層側（ガラス基板ＧＳ側）ほどＹ軸方向について入力端子部２８の近くに配されている。

　端子配線部２９における入力端子部２８側の部分であって、自身よりも上層側の各絶縁膜２２，２５とは非重畳となる部分には、図８及び図９に示すように、保護部３０が覆う形で設けられている。保護部３０は、共通電極１１ｈと同じ第１透明電極膜２４からなるものとされ、端子配線部２９の上記部分に加えて入力端子部２８についても覆っている。ここで、アレイ基板１１ｂの製造に際して第１透明電極膜２４を成膜・露光後にウェットエッチングするとき、三層構造の第３金属膜２１からなる端子配線部２９の一部及び入力端子部２８におけるアルミニウム層がチタン層よりもエッチング液によってエッチングされ易いため、端子配線部２９の一部及び入力端子部２８におけるアルミニウム層がチタン層よりも細くなる欠陥、つまりサイドシフトが生じることが懸念される。その点、上記のように保護部３０によって端子配線部２９の一部及び入力端子部２８が覆われていれば、成膜・露光された第１透明電極膜２４をウェットエッチングするときに、端子配線部２９の一部及び入力端子部２８が保護部３０によってエッチング液から保護されるので、端子配線部２９及び入力端子部２８にサイドシフトが生じることが避けられる。

　ところで、本実施形態に係るアレイ基板１１ｂの製造に際しては、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、その上層側に積層された第１平坦化膜２０をマスクとして利用してパターニングされるので、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａが第１平坦化膜端部２０ａよりもガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が相対的に大きくなる傾向にある。一方、アレイ基板１１ｂの製造に際しては、複数の端子配線部２９は、第１平坦化膜２０の上層側に積層される第３金属膜２１を、フォトレジスト（レジスト）Ｒを介してエッチングすることで形成されている（図１７及び図１８を参照）。ここで、第１平坦化膜２０の上層側に積層される第３金属膜２１のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分は、第１平坦化膜端部２０ａと重畳する部分に比べると、上記した傾斜角度の差に起因してエッチングにより除去され難くなっている。第３金属膜２１のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分が除去されずに残留すると、隣り合う端子配線部２９間が短絡されることが懸念される。

　また、上記のように端子配線部２９が部分的にゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０に乗り上げる構成においては、アレイ基板１１ｂの製造に際して端子配線部２９となる第３金属膜２１を成膜した後に露光を行うとき、露光ムラが生じるおそれがある。具体的には、第３金属膜２１の露光工程では、端子配線部２９のうちのゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０とは非重畳となる部分（ガラス基板ＧＳ上に直接載る部分）に焦点を合わせて露光が行われるため、端子配線部２９のうちのゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０と重畳する部分（ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０に乗り上げる部分）に焦点が合わずに露光ムラが発生し、それに起因して端子配線部２９のうちの第ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０と重畳する部分が、図８に示すように、ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０とは非重畳となる部分よりも相対的に太くなる傾向にある。そうなると、隣り合う端子配線部２９の間の間隔は、ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０とは非重畳となる部分よりもゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１９及び第１平坦化膜２０と重畳する部分の方が狭いものとなるため、上記のように第３金属膜２１の残渣がゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜１９ａと重畳する部分に生じると、隣り合う端子配線部２９間がより短絡され易くなってしまうのである。

　そこで、本実施形態では、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、図９及び図１０に示すように、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が０°よりも大きく且つ３５°以下とされている。このような構成によれば、複数の端子配線部２９をパターニングするに際して、第１平坦化膜２０の上層側に積層される第３金属膜２１のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部２９におけるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分の間に第３金属膜２１が残留し難いものとなり、もって隣り合う端子配線部２９間が短絡される事態が生じ難いものとされる。しかも、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が全域にわたって０°よりも大きく且つ３５°以下とされているので、複数の端子配線部２９をパターニングするに際して、第１平坦化膜２０の上層側に積層される第３金属膜２１のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分の全域がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部２９におけるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの全域と重畳する部分の間に第３金属膜２１が残留し難いものとなるので、仮にガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が０°よりも大きく且つ３５°以下となるのがゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの一部とされた場合に比べると、隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。また、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度は、ほぼ等しいものとされる。

　第１平坦化膜２０は、図９及び図１０に示すように、その膜厚が２段階で変化するものとされており、相対的に膜厚が厚い第１膜厚部２０Ａと、第１膜厚部２０Ａに対してＹ軸方向について入力端子部２８側に配されるとともに第１平坦化膜端部２０ａを含んでいて相対的に膜厚が薄い第２膜厚部２０Ｂと、から構成される。このように、第２膜厚部２０Ｂが第１膜厚部２０Ａよりも膜厚が薄くされることで、仮に第１平坦化膜２０の膜厚を全域にわたって第１膜厚部２０Ａと同じにした場合に比べると、第２膜厚部２０Ｂに含まれる第１平坦化膜端部２０ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が小さくなる。従って、アレイ基板１１ｂの製造に際して第１平坦化膜２０をマスクとして利用してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９がパターニングされると、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度をより小さくすることができる。これにより、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの傾斜角度を０°よりも大きく且つ３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　次に、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９のゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度を変化させたとき、第３金属膜２１のうちゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分における残留の有無がどのように変化するかに関して知見を得るべく、以下の比較実験１を行った。この比較実験１では、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が５４°の場合を比較例１とし、４０°の場合を比較例２とし、３５°の場合を実施例１とし、１３°の場合を実施例２とし、５°の場合を実施例３とし、２°の場合を実施例４としている。そして、比較実験１では、これら各比較例及び各実施例に係る各アレイ基板１１ｂにおいて第３金属膜２１を成膜・パターニングした後に、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する位置に第３金属膜２１が残留しているか否かを検査した。実験結果は、図１１に示される表の通りである。比較例１，２では、それぞれ第３金属膜２１の残留が確認されたが、実施例１～４では、いずれも第３金属膜２１の残留が確認されなかった。このような実験結果から、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が３５°を超えると、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する位置に第３金属膜２１が残留して隣り合う端子配線部２９間が短絡されるおそれがあるものの、同傾斜角度が３５°以下であれば（但し、０°は含まない。傾斜角度をθとしたとき、「０°＜θ≦３５°」となり、特に「０°＜θ≦２°を含む条件。）、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する位置に第３金属膜２１が残留せず、隣り合う端子配線部２９間の短絡が防止される確実性が十分に高くなっている、と言える。

　本実施形態に係る液晶パネル１１は以上のような構造であり、続いてその製造方法及び作用について説明する。本実施形態に係る液晶パネル１１は、それぞれ別途に製造したＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂを貼り合わせることで製造されている。以下、液晶パネル１１を構成するアレイ基板１１ｂの製造方法について詳しく説明する。

　アレイ基板１１ｂの製造方法は、第１金属膜１５を成膜してゲート配線１１ｉ及びゲート電極１１ｆ１などを形成する第１金属膜形成工程と、ゲート絶縁膜１６を成膜するゲート絶縁膜成膜工程（下層側第１絶縁膜成膜工程、第１絶縁膜成膜工程）と、半導体膜１７を成膜してチャネル部１１ｆ４などを形成する半導体膜形成工程と、第２金属膜１８を成膜してソース配線１１ｊ、ソース電極１１ｆ２及びドレイン電極１１ｆ３などを形成する第２金属膜形成工程と、第１層間絶縁膜１９を成膜する第１層間絶縁膜成膜工程（上層側第１絶縁膜成膜工程、第１絶縁膜成膜工程）と、第１平坦化膜２０を成膜する第１平坦化膜成膜工程（第２絶縁膜成膜工程）と、第１平坦化膜２０をパターニングして第１平坦化膜端部２０ａを形成する第１平坦化膜形成工程（第２絶縁膜形成工程）と、第１平坦化膜２０をマスクとしてゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９をパターニングするゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程（第１絶縁膜形成工程）と、第３金属膜（金属膜）２１を成膜する第３金属膜成膜工程（金属膜成膜工程）と、第３金属膜２１をパターニングして少なくとも端子配線部２９を形成する端子配線部形成工程と、を少なくとも備える。なお、本実施形態では、第３金属膜２１よりも上層側の各膜２２～２６に係る工程については、説明を省略している。

　アレイ基板１１ｂの製造方法に含まれるゲート絶縁膜成膜工程では、ガラス基板ＧＳの板面及び第１金属膜１５の上層側にゲート絶縁膜１６を成膜している。第１層間絶縁膜成膜工程では、先行してガラス基板ＧＳ上に形成されたゲート絶縁膜１６、半導体膜１７及び第２金属膜１８の上層側に第１層間絶縁膜１９を成膜している。第１層間絶縁膜１９は、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でほぼ全域にわたってベタ状に成膜される。第１平坦化膜成膜工程では、第１層間絶縁膜１９の上層側にポジ型の感光性材料からなる第１平坦化膜２０を成膜している。第１平坦化膜２０は、第１層間絶縁膜１９と同様に、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でほぼ全域にわたってベタ状に成膜されている。

　続いて行われる第１平坦化膜形成工程には、ポジ型の感光性材料からなる第１平坦化膜２０を、フォトマスクであるグレートーンマスクＧＭを介して露光する露光工程と、露光された第１平坦化膜２０を現像する現像工程と、が含まれている。このうち、露光工程で用いられるグレートーンマスクＧＭは、図１２に示すように、透明なガラス基材ＧＭＧＳと、ガラス基材ＧＭＧＳの板面に形成されて光源からの露光光を遮光する遮光膜ＧＭＢＭと、からなる。この遮光膜ＧＭＢＭには、露光装置の解像度以上となる開口部ＧＭＢＭａと、露光装置の解像度以下となるスリットＧＭＢＭｂとが形成されている。遮光膜ＧＭＢＭは、ベタ状の第１平坦化膜２０のうち第１膜厚部２０Ａの形成予定位置と重畳する位置に形成されているのに対し、開口部ＧＭＢＭａは、ベタ状の第１平坦化膜２０のうち、パターニング後の第１平坦化膜２０とは非重畳となる位置（第１平坦化膜端部２０ａよりも入力端子部２８側の部分及び配線コンタクトホールＣＨ３の形成予定位置など）に形成されている。なお、同様の開口部が図示しない第２ＴＦＴコンタクトホールＣＨ２（図６及び図７を参照）の形成予定位置と重畳する位置にも形成されている。この開口部ＧＭＢＭａは、露光光の透過率がほぼ１００％とされる透過領域ＴＡとされる。一方、スリットＧＭＢＭｂは、ベタ状の第１平坦化膜２０のうち第２膜厚部２０Ｂの形成予定位置と重畳する位置に形成されている。つまり、スリットＧＭＢＭｂは、上記開口部ＧＭＢＭａに対してＹ軸方向について表示領域ＡＡ側に隣り合う位置に配されており、複数本が間隔を空けて並んで配されている。これらのスリットＧＭＢＭｂ群は、露光光の透過率が例えば１０％～７０％程度とされる半透過領域ＨＴＡとされる。

　このような構成のグレートーンマスクＧＭを用いて行われる露光工程では、グレートーンマスクＧＭを介して光源からの露光光である紫外線がベタ状の第１平坦化膜２０に照射されると、第１平坦化膜２０のうち開口部ＧＭＢＭａ（透過領域ＴＡ）と重畳する部分では照射光量が相対的に多くなるのに対し、スリットＧＭＢＭｂ群（半透過領域ＨＴＡ）と重畳する部分では照射光量が相対的に少なくなる。従って、引き続いて現像工程を行うと、第１平坦化膜２０は、図１３に示すように、第２膜厚部２０Ｂの膜厚が相対的に薄く、第１膜厚部２０Ａの膜厚が相対的に厚くなる。このように、１回の露光工程を行うことで、膜厚が異なる部分を有する第１平坦化膜２０を形成することができるので、製造に要する時間が短く済む効果が得られる。現像工程を終えてパターニングされた第１平坦化膜２０は、第１平坦化膜端部２０ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしている。第１平坦化膜端部２０ａは、相対的に膜厚が薄い第２膜厚部２０Ｂの一部であることから、仮に第１平坦化膜２０の膜厚を全域にわたって第１膜厚部２０Ａの膜厚と同じに揃えた場合に比べると、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が小さなものとなっている。

　ゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程では、図１３に示すように、第１平坦化膜２０をマスクとしてベタ状のゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９をエッチングするようにしている。ベタ状のゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９のうち、第１平坦化膜２０と重畳する部分（第１平坦化膜２０により覆われる部分）については、エッチングされずに残存するものの、第１平坦化膜２０とは非重畳となる部分（第１平坦化膜２０により覆われない部分）については、図１４に示すように、エッチングされて除去されるようになっている。つまり、エッチングされたゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９には、第１平坦化膜２０の平面形状が転写される。ゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程を終えてパターニングされたゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしている。ここで、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａは、第１平坦化膜２０のうち相対的に膜厚が薄い第２膜厚部２０Ｂにおける第１平坦化膜端部２０ａと重畳していることから、仮に第１平坦化膜２０の膜厚を全域にわたって第１膜厚部２０Ａの膜厚と同じに揃えた場合に比べると、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が小さなものとなる。これにより、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａは、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が第１平坦化膜端部２０ａよりは大きくなるものの、３５°以下に容易に保つことができる。

　第３金属膜成膜工程では、図１５及び図１６に示すように、第１平坦化膜２０の上層側に第３金属膜２１が成膜される。第３金属膜２１は、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でほぼ全域にわたってベタ状に成膜されている。続いて行われる端子配線部形成工程には、ベタ状の第３金属膜２１の上層側にフォトレジストＲをパターニングするレジスト形成工程と、フォトレジストＲを介して第３金属膜２１をエッチングするエッチング工程と、フォトレジストＲを剥離するレジスト剥離工程と、が少なくとも含まれている。レジスト形成工程では、ベタ状の第３金属膜２１の上層側にフォトレジストＲを塗布し、そのフォトレジストＲを所定のフォトマスクを介して露光しその後露光されたフォトレジストＲを現像することで、図１７及び図１８に示すように、フォトレジストＲのパターニングを行う。パターニングされて第３金属膜２１上に残されたフォトレジストＲの形成範囲は、端子配線部２９などの形成範囲と一致するものとされる。

　エッチング工程では、フォトレジストＲをマスクとして利用してベタ状の第３金属膜２１をエッチングしている。エッチング工程を終えた後、レジスト剥離工程を経てフォトレジストＲが剥離される。ベタ状の第３金属膜２１のうち、フォトレジストＲと重畳する部分（フォトレジストＲにより覆われる部分）については、エッチングされずに残存するものの、フォトレジストＲとは非重畳となる部分（フォトレジストＲにより覆われない部分）については、図１９に示すように、エッチングされて除去されるようになっている。つまり、エッチングされた第３金属膜２１には、フォトレジストＲの平面形状が転写されることとなり、それにより、少なくとも端子配線部２９が形成される。このエッチング工程では、ドライエッチングを行うのが好ましいものとされる。ここで、ベタ状の第３金属膜２１において隣り合う端子配線部２９の間に配される部分は、図１８に示すように、フォトレジストＲにより覆われることがないので、エッチング工程においてエッチングにより除去されることになる。しかし、第３金属膜２１において隣り合う端子配線部２９の間に配される部分のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしているため、エッチングにより除去されずに残留してしまうことが懸念される。その点、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が０°よりも大きく且つ３５°以下とされているので、図２０に示すように、第３金属膜２１において隣り合う端子配線部２９の間に配される部分のうち、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分がエッチングにより良好に除去されるようになっている。これにより、隣り合う端子配線部２９の間に第３金属膜２１が除去されずに残留する事態が生じ難いものとなり、もって隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が高いものとなる。なお、この端子配線部形成工程では、端子配線部２９と共にＴＦＴ接続部１１ｐ（図６及び図７を参照）などについても同時に形成されている。

　続いて、液晶パネル１１の作用について説明する。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、位置入力機能を備えているので、その使用者は、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに表示される画像に基づいて指により位置入力を行うことができる。液晶パネル１１のアレイ基板１１ｂに備えられる共通電極１１ｈは、位置検出電極２７でもあるため、表示時にはドライバ１２によって画素電極１１ｇの電位に対する基準となる共通電位（基準電位）が印加されるのに対し、位置検出時にはドライバ１２によって指との間で静電容量を形成するための電位が印加されるようになっている。つまり、ドライバ１２は、一単位期間を表示期間と位置検出期間とに分けて液晶パネル１１の駆動を制御している。

　表示期間においては、ドライバ１２から各ゲート配線１１ｉに走査信号が、各ソース配線１１ｊにデータ信号（画像信号）が、各位置検出配線１１ｑに共通電位信号が、それぞれ供給されるようになっている。このうち、ドライバ１２から出力されるデータ信号は、図４及び図８に示すように、各入力端子部２８及び各端子配線部２９を介して各ソース配線１１ｊに伝送されるようになっている。各ゲート配線１１ｉに供給される走査信号によって選択された行に属する各ＴＦＴ１１ｆがＯＮされると、各ソース配線１１ｊに供給されるデータ信号に応じた電圧がＴＦＴ１１ｆのチャネル部１１ｆ４を介して画素電極１１ｇに印加される。各位置検出配線１１ｑに供給される共通電位信号によって共通電極１１ｈの各分割共通電極１１ｈＳには、同一の共通電位が同じタイミングでもって一括して印加される。各画素電極１１ｇと共通電極１１ｈとの電位差に基づいて各画素ＰＸでは所定の階調でもって表示が行われ、もって液晶パネル１１の表示領域ＡＡには所定の画像が表示される。

　位置検出期間においては、ドライバ１２から各位置検出配線１１ｑに位置検出駆動信号が供給されるようになっている。このとき、液晶表示装置１０の使用者が液晶パネル１１の表示領域ＡＡ内に指でもって位置入力を行った場合には、その指に近い位置検出電極２７と指との間に静電容量が形成される。つまり、指に近い位置検出電極２７は、指との間で静電容量を形成するので、指から遠い位置検出電極２７よりも静電容量が大きなものとなる。ドライバ１２において各位置検出配線１１ｑを介して各位置検出電極２７の静電容量が検出されると、ドライバ１２は、その検出した静電容量の中から変化が生じたものを抽出し、変化が生じた静電容量を伝送した位置検出配線１１ｑに基づいて入力位置に係る位置情報を取得する。これにより、使用者の指による入力位置を検出することができる。

　以上説明したように本実施形態のアレイ基板（表示基板）１１ｂは、画像を表示可能な表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板（基板）ＧＳと、非表示領域ＮＡＡに配される複数の入力端子部（端子部）２８と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されて端部であるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ（第１絶縁膜端部）が複数の入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間に配されるゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９（第１絶縁膜）であって、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が３５°以下とされるゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９の上層側に配されて端部である第１平坦化膜端部（第２絶縁膜端部）２０ａが複数の入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間に配される第１平坦化膜（第２絶縁膜）２０であって、第１平坦化膜端部２０ａがガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度がゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの傾斜角度よりも大きい第１平坦化膜２０と、少なくとも非表示領域ＮＡＡにて第１平坦化膜２０の上層側に配される第３金属膜（金属膜）２１からなりゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ及び第１平坦化膜端部２０ａを跨ぎつつ複数の入力端子部２８に接続される複数の端子配線部２９と、を備える。

　このように、非表示領域ＮＡＡに配される複数の入力端子部２８に接続される複数の端子配線部２９は、第１平坦化膜２０の上層側に配されて入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間に位置するゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ及び第１平坦化膜端部２０ａを跨ぐ形で配されている。第１平坦化膜２０の第１平坦化膜端部２０ａは、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９のゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａに比べると、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が大きくなっており、このような構成は、例えば当該アレイ基板１１ｂの製造に際してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９が第１平坦化膜２０をマスクとして利用してパターニングされる場合になり易い傾向にある。これに対し、当該アレイ基板１１ｂの製造に際して複数の端子配線部２９をパターニングする際に、例えば第１平坦化膜２０の上層側に複数の端子配線部２９となる第３金属膜２１を成膜し、その成膜された第３金属膜２１を、フォトレジストＲを介してエッチングする場合には、第３金属膜２１のうち、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が相対的に大きなゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分がエッチングにより除去され難い傾向にあり、当該部分が残留すると隣り合う端子配線部２９間が短絡されることが懸念される。

　その点、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部におけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部２９をパターニングするに際して、複数の端子配線部２９となる第３金属膜２１のうちゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部２９におけるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部と重畳する部分の間に第３金属膜２１が残留し難いものとなり、もって隣り合う端子配線部２９間が短絡される事態が生じ難いものとされる。

　また、第１平坦化膜２０は、第１膜厚部２０Ａと、第１膜厚部２０Ａに対して入力端子部２８側に配されるとともに第１平坦化膜端部２０ａを含んでいて第１膜厚部２０Ａよりも膜厚が薄い第２膜厚部２０Ｂと、から構成される。このようにすれば、第２膜厚部２０Ｂが第１膜厚部２０Ａよりも膜厚が薄くされることで、仮に第１平坦化膜２０の膜厚を全域にわたって第１膜厚部２０Ａと同じにした場合に比べると、第２膜厚部２０Ｂに含まれる第１平坦化膜端部２０ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が小さくなる。従って、例えば当該アレイ基板１１ｂの製造に際して第１平坦化膜２０をマスクとして利用してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９がパターニングされると、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度をより小さくすることができる。これにより、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの傾斜角度を３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　また、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度が全域にわたって３５°以下とされる。このようにすれば、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの全域におけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部２９をパターニングするに際して、複数の端子配線部２９となる第３金属膜２１のうちゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの全域と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部２９におけるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの全域と重畳する部分の間に第３金属膜２１が残留し難いものとなる。従って、仮にガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下となるのがゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの一部とされた場合に比べると、隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　また、本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、上記したアレイ基板１１ｂと、アレイ基板１１ｂと対向する形で配されるＣＦ基板（対向基板）１１ａと、を備える。このような構成の液晶パネル１１によれば、アレイ基板１１ｂにおける短絡防止の確実性が高いものとされているから、動作信頼性などに優れる。

　また、本実施形態のアレイ基板１１ｂの製造方法は、画像を表示可能な表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示領域ＮＡＡとに区分されて非表示領域ＮＡＡに複数の入力端子部２８が配されるガラス基板ＧＳに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９を成膜するゲート絶縁膜成膜工程及び第１層間絶縁膜成膜工程（第１絶縁膜成膜工程）と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９の上層側に第１平坦化膜２０を成膜する第１平坦化膜成膜工程（第２絶縁膜成膜工程）と、第１平坦化膜２０を、端部である第１平坦化膜端部２０ａが複数の入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間にてガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなすよう形成する第１平坦化膜形成工程（第２絶縁膜形成工程）と、第１平坦化膜２０を介してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９をエッチングし、端部であるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａが複数の入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間にてガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が第１平坦化膜端部２０ａの傾斜角度よりも大きく且つ３５°以下となるよう形成するゲート絶縁膜及び第１層間絶縁膜形成工程（第１絶縁膜形成工程）と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で第１平坦化膜２０の上層側に第３金属膜２１を成膜する第３金属膜成膜工程（金属膜成膜工程）と、第３金属膜２１の上層側にフォトレジスト（レジスト）Ｒを形成するレジスト形成工程と、フォトレジストＲを介して第３金属膜２１をエッチングし、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ及び第１平坦化膜端部２０ａを跨ぎつつ複数の入力端子部２８に接続される複数の端子配線部２９を形成する端子配線部形成工程と、を少なくとも備える。

　まず、ゲート絶縁膜成膜工程及び第１層間絶縁膜成膜工程では、ガラス基板ＧＳにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９が成膜され、その後第１平坦化膜成膜工程では、ガラス基板ＧＳにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９の上層側に第１平坦化膜２０が成膜される。第１平坦化膜成膜工程では、第１平坦化膜端部２０ａが複数の入力端子部２８と表示領域ＡＡとの間にてガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなすよう第１平坦化膜２０が形成されるので、その後に行われるゲート絶縁膜形成工程及び第１層間絶縁膜形成工程では、第１平坦化膜２０を介してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９がエッチングされる。このとき、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９のゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａは、第１平坦化膜端部２０ａよりもガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が大きくなるものの、少なくとも一部におおける同傾斜角度は３５°以下とされる。その後、第３金属膜成膜工程を経て表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で第１平坦化膜２０の上層側に第３金属膜２１が成膜されたら、レジスト形成工程を経て第３金属膜２１の上層側にフォトレジストＲが形成される。続いて、端子配線部形成工程では、フォトレジストＲを介して第３金属膜２１がエッチングされると、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａ及び第１平坦化膜端部２０ａを跨ぎつつ複数の入力端子部２８に接続される複数の端子配線部２９が形成される。

　ここで、端子配線部形成工程にて第３金属膜２１から端子配線部２９を形成するに際して、フォトレジストＲを介して第３金属膜２１がエッチングされるとき、第３金属膜２１のうち、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が相対的に大きなゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａと重畳する部分がエッチングにより除去され難い傾向にあり、当該部分が残留すると隣り合う端子配線部２９間が短絡されることが懸念される。その点、ゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９は、ゲート絶縁膜形成工程及び第１層間絶縁膜形成工程にてゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部におけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、端子配線部形成工程にて第３金属膜２１から端子配線部２９を形成する際に、第３金属膜２１のうちゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなる。これにより、隣り合う端子配線部２９におけるゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの少なくとも一部と重畳する部分の間に第３金属膜２１が残留し難いものとなり、もって隣り合う端子配線部２９間が短絡される事態が生じ難いものとされる。

　また、第１平坦化膜成膜工程では、第１平坦化膜２０が感光性材料を用いて成膜されており、第１平坦化膜形成工程には、フォトマスクとして透過領域ＴＡ及び半透過領域ＨＴＡを含むグレートーンマスクＧＭを用いて第１平坦化膜２０を露光する露光工程であって、少なくとも半透過領域ＨＴＡが第１平坦化膜端部２０ａの形成予定位置と重畳する位置に配されてなるグレートーンマスクＧＭを用いるようにした露光工程と、第１平坦化膜２０を現像する現像工程と、が少なくとも含まれる。

　第１平坦化膜成膜工程では、感光性材料を用いて第１平坦化膜２０が成膜される。第１平坦化膜形成工程に含まれる露光工程では、透過領域ＴＡ及び半透過領域ＨＴＡを含むグレートーンマスクＧＭを用いて第１平坦化膜２０が露光される。その後、現像工程にて第１平坦化膜２０が現像されることで、第１平坦化膜端部２０ａを有する第１平坦化膜２０が形成される。このうち、露光工程にて用いられるグレートーンマスクＧＭは、少なくとも半透過領域ＨＴＡが第１平坦化膜端部２０ａの形成予定位置と重畳する位置に配されているので、露光・現像された第１平坦化膜２０は、第１平坦化膜端部２０ａを含む部分の膜厚が、他の部分の膜厚よりも薄くなる。従って、その後に行われるゲート絶縁膜形成工程及び第１層間絶縁膜形成工程において、第１平坦化膜２０を介してゲート絶縁膜１６及び第１層間絶縁膜１９がエッチングすると、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａがガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度がより小さなものとなる。これにより、ゲート絶縁膜端部１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１９ａの傾斜角度を３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　＜実施形態２＞
　本発明の実施形態２を図２１から図２５によって説明する。この実施形態２では、ゲート絶縁膜１１６、第１層間絶縁膜１１９及び第１平坦化膜１２０に突部３１を設けるようにしたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るアレイ基板１１１ｂにおけるゲート絶縁膜１１６、第１層間絶縁膜１１９及び第１平坦化膜１２０には、図２１に示すように、Ｘ軸方向について隣り合う端子配線部１２９の間に配されてＹ軸方向に沿って入力端子部１２８側に向けて突出する突部３１がゲート絶縁膜端部１１６ａ、第１層間絶縁膜端部１１９ａ及び第１平坦化膜端部１２０ａに設けられている。突部３１は、Ｘ軸方向について隣り合う端子配線部１２９間の中央位置に配されており、図２１に示す左側に隣り合う端子配線部１２９までの距離と、同図右側に隣り合う端子配線部１２９までの距離と、がほぼ等しいものとされる。複数ずつの突部３１及び端子配線部１２９は、Ｘ軸方向に沿って間隔を空けて交互に並ぶ形で配されている。突部３１は、Ｙ軸方向について突出基端側から突出先端側に向けて（入力端子部１２８に近づくほど）幅寸法が小さくなるよう先細り状の平面形状を有しており、具体的には平面に視て三角形状をなしている。なお、本実施形態では、上記のような突部３１を設けるのに伴って、第１平坦化膜１２０の膜厚が上記した実施形態１に記載した第１膜厚部２０Ａの膜厚とほぼ同じとなるよう全域にわたって概ね一定とされている。

　このように突部３１は、突出先端側ほど幅狭とされているので、図２２から図２４に示すように、ガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が、ゲート絶縁膜端部１１６ａ、第１層間絶縁膜端部１１９ａ及び第１平坦化膜端部１２０ａにおいて突部３１が非形成とされた部分における同傾斜角度よりも小さく且つ３５°以下（０°よりは大きい）となっている。詳しくは、アレイ基板１１１ｂの製造に際してゲート絶縁膜１１６及び第１層間絶縁膜１１９に先行してパターニングされる第１平坦化膜１２０において、第１平坦化膜端部１２０ａは、突部３１の形成部分（図２３）が、突部３１の非形成部分（図２２及び図２４）よりもガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が小さなものとなる。従って、この第１平坦化膜１２０をマスクとして利用してパターニングされるゲート絶縁膜１１６及び第１層間絶縁膜１１９において、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａは、突部３１の形成部分（図２３）が、突部３１の非形成部分（図２２及び図２４）よりもガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が小さなものとなり、容易に３５°以下とすることができる。そして、端子配線部１２９となる第３金属膜１２１をパターニングする際には、図２３に示すように、少なくともゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａにおける突部３１の形成部分には第３金属膜１２１が残留し難いものとなっている。ここで、仮に、突部３１の非形成部分においてガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°を上回り、図２４に示すように、当該非形成部分に第３金属膜１２１が残留した場合でも、突部３１の形成部分においてガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下とされることで、図２３に示すように、当該形成部分には第３金属膜１２１が残留し難いものとされているから、残留した第３金属膜１２１が隣り合う端子配線部１２９の間に跨る形態となる事態が生じ難いものとされる。これにより、隣り合う端子配線部１２９間の短絡防止の確実性が十分に高いものとなる。しかも、ゲート絶縁膜端部１１６ａ、第１層間絶縁膜端部１１９ａ及び第１平坦化膜端部１２０ａにおける隣り合う端子配線部１２９間の延面距離が突部３１の分だけ長くなるので、ゲート絶縁膜端部１１６ａ、第１層間絶縁膜端部１１９ａ及び第１平坦化膜端部１２０ａ付近に端子配線部１２９を構成する第３金属膜１２１の残渣が生じることになっても、第３金属膜１２１の残渣が隣り合う端子配線部１２９間に跨る形で生じ難いものとなる。

　さらに好ましくは、突部３１は、図２１及び図２３に示すように、突出基端から突出先端までの突出寸法を「Ｌ」とし、第１平坦化膜端部１２０ａの膜厚寸法を「Ｔ」としたとき、膜厚寸法Ｔを突出寸法Ｌにより除した比率、つまり「Ｔ／Ｌ」が０よりも大きく且つ０．２以下とされている。ここで、比率Ｔ／Ｌを変化させたとき、第３金属膜１２１のうち突部３１と重畳する部分における残留の有無がどのように変化するかに関して知見を得るべく、以下の比較実験２を行った。この比較実験２では、比率Ｔ／Ｌが０．３３の場合を比較例１とし、０．２５の場合を比較例２とし、０．２の場合を実施例１とし、０．１３の場合を実施例２とし、０．０７の場合を実施例３としている。そして、比較実験２では、これら各比較例及び各実施例に係る各アレイ基板１１１ｂにおいて第３金属膜１２１を成膜・パターニングした後に、突部３１と重畳する位置に第３金属膜１２１が残留しているか否かを検査した。実験結果は、図２５に示される表の通りである。比較例１，２では、それぞれ第３金属膜１２１の残留が確認されたが、実施例１～３では、いずれも第３金属膜１２１の残留が確認されなかった。このような実験結果から、比率Ｔ／Ｌが０．２を超えると、突部３１と重畳する位置に第３金属膜１２１が残留して隣り合う端子配線部１２９間が短絡されるおそれがあるものの、比率Ｔ／Ｌが０よりも大きく且つ０．２以下であれば、突部３１と重畳する位置に第３金属膜１２１が残留せず、隣り合う端子配線部１２９間の短絡が防止される確実性が十分に高くなっている、と言える。

　以上説明したように本実施形態によれば、ゲート絶縁膜１１６及び第１層間絶縁膜１１９におけるゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａには、隣り合う端子配線部１２９の間に配されて入力端子部１２８側に向けて突出する突部３１が設けられており、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａは、少なくとも突部３１がガラス基板ＧＳの板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度が３５°以下とされる。このようにすれば、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａのうち少なくとも突部３１におけるガラス基板ＧＳの板面に対する傾斜角度が３５°以下とされているから、複数の端子配線部１２９をパターニングするに際して、複数の端子配線部１２９となる第３金属膜１２１のうちゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａのうち少なくとも突部３１と重畳する部分がエッチングにより除去され易くなり、もって隣り合う端子配線部１２９間が短絡される事態が生じ難いものとされる。しかも、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａにおける隣り合う端子配線部１２９間の延面距離が突部３１の分だけ長くなるので、仮にゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａのうち突部３１が形成されない部分に端子配線部１２９となる第３金属膜１２１が残留しても、第３金属膜１２１の残渣が隣り合う端子配線部１２９間に跨る形で生じ難いものとなる。

　また、突部３１は、突出基端から突出先端までの突出寸法Ｌにて第１平坦化膜端部１２０ａの膜厚寸法Ｔを除した比率Ｔ／Ｌが０．２以下とされる。このようにすれば、仮に突部３１の突出寸法Ｌにて第１平坦化膜端部１２０ａの膜厚寸法Ｔを除した比率Ｔ／Ｌが０．２を超えると、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａ付近に端子配線部１２９となる第３金属膜１２１が残留し易くなり、隣り合う端子配線部１２９間の短絡が発生し易い傾向にあるものの、上記のように同比率Ｔ／Ｌが０．２以下とされることで、ゲート絶縁膜端部１１６ａ及び第１層間絶縁膜端部１１９ａ付近に端子配線部１２９となる第３金属膜１２１が残留し難くなり、隣り合う端子配線部１２９間の短絡が発生し難いものとなる。

　＜実施形態３＞
　本発明の実施形態３を図２６から図２８によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１，２を組み合わせるようにしたものを示す。なお、上記した実施形態１，２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るアレイ基板２１１ｂは、図２６及び図２７に示すように、第１平坦化膜２２０が、第１膜厚部２２０Ａと、第１膜厚部２２０Ａよりも薄い膜厚で第１平坦化膜端部２２０ａを有する第２膜厚部２２０Ｂと、から構成されているのに加えて、ゲート絶縁膜２１６、第１層間絶縁膜２１９及び第１平坦化膜２２０に突部２３１が設けられている。このような構成によれば、ゲート絶縁膜２１６及び第１層間絶縁膜２１９のゲート絶縁膜端部２１６ａ及び第１層間絶縁膜端部２１９ａにおけるガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度を全域にわたって０°よりも大きく且つ３５°以下とすることができるのに加えて、ゲート絶縁膜端部２１６ａ及び第１層間絶縁膜端部２１９ａにおける突部２３１の形成部分におけるガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度を、上記した実施形態２に記載したものよりもさらに小さくすることができる。これにより、隣り合う端子配線部２２９間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　＜実施形態４＞
　本発明の実施形態４を図２９によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１から露光工程にて用いるフォトマスクをハーフトーンマスクＨＭに変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るアレイ基板３１１ｂの製造方法では、第１平坦化膜形成工程に含まれる成膜工程にて第１平坦化膜３２０をポジ型の感光性材料により成膜し、露光工程にてフォトマスクとしてハーフトーンマスクＨＭを用いるようにしている。ハーフトーンマスクＨＭは、図２９に示すように、透明なガラス基材ＨＭＧＳと、ガラス基材ＨＭＧＳの板面に形成されて光源からの露光光を遮光する遮光膜ＨＭＢＭと、ガラス基材ＨＭＧＳの板面に形成されて光源からの露光光を所定の透過率でもって透過する半透過膜ＨＭＨＴと、からなる。遮光膜ＨＭＢＭは、露光光の透過率がほぼ０％とされており、そのうち、ベタ状の第１平坦化膜３２０においてパターニング後の第１平坦化膜３２０とは非重畳となる位置に加えて第２膜厚部３２０Ｂの形成予定位置に開口部ＨＭＢＭａが形成されている。半透過膜ＨＭＨＴは、遮光膜ＨＭＢＭに対してガラス基材ＨＭＧＳ側とは反対側に積層される形で形成されており、露光光の透過率が例えば１０％～７０％程度とされている。半透過膜ＨＭＨＴのうち、ベタ状の第１平坦化膜３２０においてパターニング後の第１平坦化膜３２０とは非重畳となる位置には、開口部ＨＭＨＴａが形成されている。つまり、ハーフトーンマスクＨＭのガラス基材ＨＭＧＳのうち、第１平坦化膜３２０における第２膜厚部３２０Ｂの形成予定位置と重畳する位置には、遮光膜ＨＭＢＭが存在せず、半透過膜ＨＭＨＴのみが存在しており、ここが露光光の透過率が例えば１０％～７０％程度とされる半透過領域ＨＴＡとされる。半透過領域ＨＴＡは、遮光膜ＨＭＢＭの開口部ＨＭＢＭａのうち、半透過膜ＨＭＨＴの開口部ＨＭＨＴａとは非重畳となる範囲とされる。これに対し、半透過膜ＨＭＨＴの開口部ＨＭＨＴａは、露光光の透過率がほぼ１００％とされる透過領域ＴＡとされる。

　このような構成のハーフトーンマスクＨＭを用いて行われる露光工程では、ハーフトーンマスクＨＭを介して光源からの露光光である紫外線がベタ状の第１平坦化膜３２０に照射されると、第１平坦化膜３２０のうち半透過膜ＨＭＨＴの開口部ＨＭＨＴａ（透過領域ＴＡ）と重畳する部分では照射光量が相対的に多くなるのに対し、遮光膜ＨＭＢＭの開口部ＨＭＢＭａのうち、半透過膜ＨＭＨＴの開口部ＨＭＨＴａとは非重畳となる範囲（半透過領域ＨＴＡ）と重畳する部分では照射光量が相対的に少なくなる。従って、引き続いて現像工程を行うと、第１平坦化膜３２０は、第２膜厚部３２０Ｂの膜厚が相対的に薄く、第１膜厚部３２０Ａの膜厚が相対的に厚くなる。このように、１回の露光工程を行うことで、膜厚が異なる部分を有する第１平坦化膜３２０を形成することができるので、製造に要する時間が短く済む効果が得られる。

　以上説明したように本実施形態によれば、第１平坦化膜成膜工程では、第１平坦化膜３２０が感光性材料を用いて成膜されており、第１平坦化膜形成工程には、フォトマスクとして透過領域ＴＡ及び半透過領域ＨＴＡを含むハーフトーンマスクＨＭを用いて第１平坦化膜３２０を露光する露光工程であって、少なくとも半透過領域ＨＴＡが第１平坦化膜端部３２０ａの形成予定位置と重畳する位置に配されてなるハーフトーンマスクＨＭを用いるようにした露光工程と、第１平坦化膜３２０を現像する現像工程と、が少なくとも含まれる。

　第１平坦化膜成膜工程では、感光性材料を用いて第１平坦化膜３２０が成膜される。第１平坦化膜形成工程に含まれる露光工程では、透過領域ＴＡ及び半透過領域ＨＴＡを含むハーフトーンマスクＨＭを用いて第１平坦化膜３２０が露光される。その後、現像工程にて第１平坦化膜３２０が現像されることで、第１平坦化膜端部３２０ａを有する第１平坦化膜３２０が形成される。このうち、露光工程にて用いられるハーフトーンマスクＨＭは、少なくとも半透過領域ＨＴＡが第１平坦化膜端部３２０ａの形成予定位置と重畳する位置に配されているので、露光・現像された第１平坦化膜３２０は、第１平坦化膜端部３２０ａを含む部分の膜厚が、他の部分の膜厚よりも薄くなる。従って、その後に行われるゲート絶縁膜形成工程及び第１層間絶縁膜形成工程において、第１平坦化膜３２０を介してゲート絶縁膜３１６及び第１層間絶縁膜３１９がエッチングすると、ゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部がガラス基板ＧＳの板面に対してなす傾斜角度がより小さなものとなる。これにより、ゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部の傾斜角度を０°よりも大きく且つ３５°以下に容易に保つことができるので、隣り合う端子配線部間の短絡防止の確実性が一層高いものとなる。

　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した各実施形態では、端子配線部がＴＦＴ接続部と同じ第３金属膜からなる場合を示したが、端子配線部が位置検出配線と同じ第４金属膜からなる構成であっても構わない。

　（２）上記した各実施形態では、入力端子部がＴＦＴ接続部と同じ第３金属膜からなる場合を示したが、入力端子部が位置検出配線と同じ第４金属膜からなる構成、入力端子部がソース配線などと同じ第２金属膜からなる構成、入力端子部がゲート配線などと同じ第１金属膜からなる構成、などとすることも可能である。

　（３）上記した各実施形態では、端子配線部がソース配線に接続される場合を示したが、端子配線部がゲート配線や位置検出配線などのソース配線以外の配線に接続される構成であっても構わない。

　（４）上記した各実施形態では、第１平坦化膜の下層側に第１層間絶縁膜が積層される構成を示したが、第１層間絶縁膜を省略することも可能である。

　（５）上記した実施形態２，３では、突部の平面形状が三角形とされた場合を示したが、突部の平面形状は三角形以外にも台形状、円形状（半円形状）、楕円形状（半楕円形状）、方形状、五角形以上の多角形などであってもよい。

　（６）上記した実施形態１，３の変形例として、第１平坦化膜を構成する感光性材料をネガ型とすることも可能である。その場合は、ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクにおける透過領域と遮光領域とを、実施形態１，３に記載したものとは逆にすればよい。

　（７）上記した各実施形態では、使用者が自身の指によって位置入力を行う場合を示したが、タッチペンなど指以外の位置入力体でもって位置入力することも可能である。

　（８）上記した各実施形態では、位置検出電極が共通電極と共用化された場合を示したが、共通電極とは別途に位置検出電極を設けることも可能である。

　（９）上記した各実施形態では、タッチパネルパターン（位置検出電極及び位置検出配線など）が液晶パネルに内蔵されたインセルタイプを示したが、いわゆるオンセルタイプやアウトセルタイプの液晶パネルであっても構わない。特に、アウトセルタイプの液晶パネルにおいては、液晶パネルが位置検出機能（タッチパネルパターン）を持つことがないものとされる。

　（１０）上記した各実施形態では、位置検出機能（タッチパネルパターン）を備えた液晶表示装置を示したが、位置検出機能を持たない液晶表示装置にも本発明は適用可能である。

　（１１）上記した各実施形態では、平面形状が長方形とされる液晶パネルについて示したが、平面形状が正方形、円形、楕円形などとされる液晶パネルにも本発明は適用可能である。

　（１２）上記した各実施形態では、ドライバが液晶パネルのアレイ基板に対してＣＯＧ実装される場合を示したが、ドライバがフレキシブル基板に対してＣＯＦ（Chip On Film）実装される構成であってもよい。

　（１３）上記した各実施形態では、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜が酸化物半導体材料からなる場合を例示したが、それ以外にも、例えばポリシリコン（多結晶化されたシリコン（多結晶シリコン）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon））やアモルファスシリコンを半導体膜の材料として用いることも可能である。

　（１４）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。

　（１５）上記した各実施形態では、液晶パネルのカラーフィルタが赤色、緑色及び青色の３色構成とされたものを例示したが、赤色、緑色及び青色の各着色部に、黄色の着色部を加えて４色構成としたカラーフィルタを備えたものにも本発明は適用可能である。

　（１６）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされる液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。

　（１７）上記した各実施形態では、液晶パネルのスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶パネルにも適用可能であり、カラー表示する液晶パネル以外にも、白黒表示する液晶パネルにも適用可能である。

　（１８）上記した各実施形態では、液晶パネルを例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、有機ＥＬパネル、ＥＰＤ（電気泳動ディスプレイパネル）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示パネルなど）にも本発明は適用可能である。

　（１９）上記した実施形態１の比較実験１では、ゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部の傾斜角度を２°，５°，１３°，３５°とした各実施例での実験結果を例示したが、ゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部の傾斜角度を０°より大きくて２°より小さい範囲とした場合や、２°より大きくて５°より小さい範囲とした場合や、５°より大きくて１３°より小さい範囲とした場合や、１３°より大きくて３５°より小さい範囲とした場合であっても同様の「残渣無」との実験結果が得られる可能性が高く、ゲート絶縁膜端部及び第１層間絶縁膜端部の傾斜角度を上記のような各範囲とした構成を採ることも可能である。

　（２０）上記した実施形態２の比較実験２では、比率Ｔ／Ｌを０．２，０．１３，０．０７とした各実施例での実験結果を例示したが、比率Ｔ／Ｌを０．２より小さくて０．１３より大きい範囲とした場合や０．１３より小さくて０．０７より大きい範囲とした場合や０．０７より小さくて０より大きい範囲とした場合であっても同様の「残渣無」との実験結果が得られる可能性が高く、比率Ｔ／Ｌを上記のような各範囲とした構成を採ることも可能である。

　１１...液晶パネル（表示装置）、１１ａ...ＣＦ基板（対向基板）、１１ｂ，１１１ｂ，２１１ｂ，３１１ｂ...アレイ基板（表示基板）、１６，１１６，２１６...ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）、１６ａ，１１６ａ，２１６ａ...ゲート絶縁膜端部（第１絶縁膜端部）、１９，１１９，２１９...第１層間絶縁膜（第１絶縁膜）、１９ａ，１１９ａ，２１９ａ...第１層間絶縁膜端部（第１絶縁膜端部）、２０，１２０，２２０，３２０...第１平坦化膜（第２絶縁膜）、２０ａ，１２０ａ，２２０ａ，３２０ａ...第１平坦化膜端部（第２絶縁膜端部）、２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ...第１膜厚部、２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ...第２膜厚部、２１，１２１...第３金属膜（金属膜）、２８，１２８...入力端子部（端子部）、２９，１２９，２２９...端子配線部、３１，２３１...突部、ＡＡ...表示領域、ＧＭ...グレートーンマスク、ＧＳ...ガラス基板（基板）、ＨＭ...ハーフトーンマスク、ＨＴＡ...半透過領域、Ｌ...突出寸法、ＮＡＡ...非表示領域、Ｒ...フォトレジスト（レジスト）、Ｔ...膜厚寸法、ＴＡ...透過領域

Claims

　画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分される基板と、
　前記非表示領域に配される複数の端子部と、
　前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されて端部である第１絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間に配される第１絶縁膜であって、前記第１絶縁膜端部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が３５°以下とされる第１絶縁膜と、
　前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第１絶縁膜の上層側に配されて端部である第２絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間に配される第２絶縁膜であって、前記第２絶縁膜端部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度が前記第１絶縁膜端部の傾斜角度よりも大きい第２絶縁膜と、
　少なくとも前記非表示領域にて前記第２絶縁膜の上層側に配される金属膜からなり前記第１絶縁膜端部及び前記第２絶縁膜端部を跨ぎつつ複数の前記端子部に接続される複数の端子配線部と、を備える表示基板。
　前記第２絶縁膜は、第１膜厚部と、前記第１膜厚部に対して前記端子部側に配されるとともに前記第２絶縁膜端部を含んでいて前記第１膜厚部よりも膜厚が薄い第２膜厚部と、から構成される請求項１記載の表示基板。
　前記第１絶縁膜は、前記第１絶縁膜端部が前記基板の板面に対してなす傾斜角度が全域にわたって３５°以下とされる請求項１または請求項２記載の表示基板。
　前記第１絶縁膜における前記第１絶縁膜端部には、隣り合う前記端子配線部の間に配されて前記端子部側に向けて突出する突部が設けられており、
　前記第１絶縁膜端部は、少なくとも前記突部が前記基板の板面に対して傾斜状をなしていてその傾斜角度が３５°以下とされる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示基板。
　前記突部は、突出基端から突出先端までの突出寸法にて前記第２絶縁膜端部の膜厚寸法を除した比率が０．２以下とされる請求項４記載の表示基板。
　請求項１から請求項５のいずれか１項に記載された表示基板と、前記表示基板と対向する形で配される対向基板と、を備える表示装置。
　画像を表示可能な表示領域と前記表示領域を取り囲む形で外周側に配される非表示領域とに区分されて前記非表示領域に複数の端子部が配される基板に、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で第１絶縁膜を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、
　前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第１絶縁膜の上層側に第２絶縁膜を成膜する第２絶縁膜成膜工程と、
　前記第２絶縁膜を、端部である第２絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間にて前記基板の板面に対して傾斜状をなすよう形成する第２絶縁膜形成工程と、
　前記第２絶縁膜を介して前記第１絶縁膜をエッチングし、端部である第１絶縁膜端部が複数の前記端子部と前記表示領域との間にて前記基板の板面に対して傾斜状をなしていて少なくとも一部における傾斜角度が前記第２絶縁膜端部の傾斜角度よりも大きく且つ３５°以下となるよう形成する第１絶縁膜形成工程と、
　前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で前記第２絶縁膜の上層側に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
　前記金属膜の上層側にレジストを形成するレジスト形成工程と、
　前記レジストを介して前記金属膜をエッチングし、前記第１絶縁膜端部及び前記第２絶縁膜端部を跨ぎつつ複数の前記端子部に接続される複数の端子配線部を形成する端子配線部形成工程と、を少なくとも備える表示基板の製造方法。
　前記第２絶縁膜成膜工程では、前記第２絶縁膜が感光性材料を用いて成膜されており、
　前記第２絶縁膜形成工程には、
　フォトマスクとして透過領域及び半透過領域を含むハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて前記第２絶縁膜を露光する露光工程であって、少なくとも前記半透過領域が第２絶縁膜端部の形成予定位置と重畳する位置に配されてなる前記ハーフトーンマスクまたは前記グレートーンマスクを用いるようにした露光工程と、
　前記第２絶縁膜を現像する現像工程と、が少なくとも含まれる請求項７記載の表示基板の製造方法。