WO2017057927A1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈 Download PDF

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삼페이토모히로
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엘지이노텍 주식회사
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Definitions

  • the embodiment relates to a light emitting device.
  • the embodiment relates to a method of manufacturing a light emitting device.
  • the embodiment relates to a light emitting module having a light emitting element.
  • Embodiments relate to a lighting device or a display device having a light emitting device or a light emitting module.
  • a light emitting device for example, a light emitting diode (Light Emitting Diode) is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing the existing fluorescent lamps, incandescent lamps.
  • a light emitting diode Light Emitting Diode
  • light emitting diodes Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten, or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharge with phosphors. .
  • Light emitting diodes are increasingly used as light sources of lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic signs, street lamps, and indicator lamps used indoors and outdoors.
  • the embodiment provides a light emitting device having a new heat dissipation structure.
  • the embodiment provides a light emitting device in which a support member having a low thermal resistance is disposed in an opening of a resin member and a light emitting chip is disposed on the support member having a low thermal resistance.
  • the embodiment provides a light emitting device including a light emitting device having a first support member made of a resin material and a second support member made of a ceramic material, wherein one or a plurality of light emitting chips are disposed on the second support member, and a light emitting module having the same. .
  • the embodiment provides a light emitting device having a lead electrode disposed between a second support member and a light emitting chip, and a light emitting module having the same.
  • the embodiment provides a light emitting device capable of adhering a second support member to an opening of the first support member by using an adhesive layer, and a method of manufacturing the same.
  • the embodiment provides a light emitting module in which a second support member made of ceramic material for insulation and heat dissipation of the light emitting chip is disposed in the first support member, and a third support member made of metal material for non-insulation and heat dissipation of the control component is provided. do.
  • the light emitting module includes a first support member having a first opening and a second opening; A second support member disposed at the first opening of the first support member; A third support member disposed at the second opening of the first support member; A first lead electrode disposed on the second support member; A second lead electrode disposed on at least one of the first and second support members; A light emitting chip disposed on the second support member and electrically connected to the first and second lead electrodes; A control component disposed on the third support member; And a conductive layer disposed below the first, second and third support members, wherein the first support member comprises a resin material, the second support member comprises a ceramic material, and the third support member.
  • the member comprises a metal material.
  • a light emitting module including: a first support member having a first opening and a second opening that penetrate in a vertical direction; A second support member disposed at the first opening of the first support member; A third support member disposed at the second opening of the first support member; An adhesive member on the first and second openings; A first lead electrode disposed on the second support member; A second lead electrode disposed on at least one of the first and second support members; A light emitting chip disposed on the second support member and electrically connected to the first and second lead electrodes; A control component disposed on the third support member; And a heat dissipation pattern between the third support member and the control component, wherein the first support member comprises a resin material, the second support member comprises a ceramic material, and the third support member is a metal material.
  • the first support member has a multilayer structure made of different materials, and the second and third support members include a thickness thinner than the thickness of the first support member.
  • the conductive layer may be connected to the second and third support members.
  • a heat dissipation pattern may be disposed between the third support member and the control component, and the heat dissipation pattern may be electrically separated from the control component.
  • the phosphor layer disposed on the light emitting chip A reflective member made of a resin material disposed around the light emitting chip; And a protective member made of a resin material disposed around the reflective member.
  • the first adhesive member disposed on the first opening and bonded between the first support member and the second support member is the first lead electrode and the conductive layer
  • the first adhesive member may include at least one of a first adhesive portion disposed on an upper edge portion of the second support member and a second adhesive portion disposed on an outer edge portion of the second support member.
  • it may include a second adhesive member disposed on the second opening and adhered between the first support member and the third support member.
  • the first support member may include a first resin layer, a second resin layer under the first resin layer, an adhesive layer between the first and second resin layers, a first metal layer on the first resin layer, and A second metal layer may be included under the second resin layer, and the adhesive layer may be connected to the first adhesive member.
  • the adhesive layer and the adhesive member may include the same material
  • the second support member may include at least one of aluminum nitride, silicon carbide, alumina, zirconium oxide, silicon nitride, and boron nitride. have.
  • it may include a heat dissipation plate having a plurality of heat dissipation fins under the conductive layer.
  • the adhesive member may include a first adhesive member disposed on the first opening and adhered between the first support member and the second support member, and the first supporting member disposed on the second opening. And a second adhesive member adhered between the third supporting member, the first adhesive member overlapping the second supporting member in a vertical direction, and the second adhesive member perpendicular to the third supporting member. Can be nested.
  • the embodiment can improve heat dissipation efficiency of the light emitting chip and the light emitting device.
  • the embodiment provides a light emitting device having a second support member made of a ceramic material in which a light emitting chip is disposed in an opening of a first support member made of a resin material.
  • the metal layers are disposed on the upper and lower surfaces of the ceramic support member on which the light emitting chips are disposed, thereby improving heat dissipation efficiency.
  • the embodiment can provide a light emitting device having improved heat dissipation efficiency.
  • the embodiment can provide a light emitting device having a slim thickness by disposing a ceramic support member in an opening of a resin support member.
  • different heat dissipation members for insulation and non-insulation may be disposed in the resin substrate, thereby improving heat dissipation characteristics according to chip and component types.
  • the embodiment can improve the reliability of the light emitting device and the light emitting module having the same.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a light emitting device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view along the A-A side of the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating another example of the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a first modified example of the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 5 is a second modified example of the light emitting device of FIG. 2.
  • FIG. 6 is a detailed configuration of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 7 is a view illustrating a surface state of a lead electrode positioned on an adhesive member in the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 8 is a view showing the surface state of the lead electrode according to the increase in the thickness of the adhesive member in the light emitting device of FIG.
  • FIG. 9 is a first modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 10 is a second modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • 11 is a third modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 13 is a fifth modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 15 is a seventh modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 16 is an eighth modified example of the adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • 17 is a ninth modified example of an adhesive member of the light emitting device of FIG. 5.
  • FIG. 18 is a view showing a light emitting module having a light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 19 is a side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 18.
  • FIG. 20 is a first modified example of the light emitting module of FIG. 18.
  • FIG. 21 is a second modified example of the light emitting module of FIG. 18.
  • FIG. 22 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting module according to a second embodiment.
  • FIG. 23 is another example of the light emitting module of FIG. 22.
  • 24 to 30 are views illustrating a manufacturing process of the light emitting device of FIG. 2.
  • 31 is a view illustrating a light emitting chip according to an embodiment.
  • 32 is a view showing another example of a light emitting chip according to the embodiment.
  • each layer, region, pattern, or structure is “on” or “under” the substrate, each layer, layer, pad, or pattern.
  • “on” and “under” are both formed “directly” or “indirectly” through another layer.
  • the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a light emitting device according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of the light emitting device of FIG. 1.
  • the light emitting device 100 includes a first support member 110 having an opening 150 and a second support member positioned in the opening 150 of the first support member 110. 131, a light emitting chip 101 on the second support member 131, a first lead electrode 161 disposed between the second support member 131 and the light emitting chip 101, and A second lead electrode 163 is disposed on at least one of the first and second support members 110 and 131, and a conductive layer 165 is disposed below the first and second support members 110 and 131.
  • the light emitting chip 101 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light.
  • the light emitting chip 101 may include, for example, at least one of a UV (Ultraviolet) LED, a red LED, a blue LED, a green LED, a yellow green LED, or a white LED.
  • the light emitting chip 101 may include at least one of a horizontal LED chip structure in which two electrodes in a chip are disposed adjacent to each other, or a vertical LED chip structure in which two electrodes are disposed to be opposite to each other, but is not limited thereto. Do not. According to the embodiment, a vertical chip having a conductive support member may be disposed below the light emitting chip 101 to improve heat dissipation efficiency.
  • the light emitting chip 101 When the light emitting chip 101 is a vertical LED chip, the light emitting chip 101 may be connected to the second lead electrode 163 by a wire 105. As another example, when the light emitting chip 101 is a horizontal LED chip, the light emitting chip 101 may be connected to the first and second lead electrodes 161 and 163 by a wire 105, but the present invention is not limited thereto. When the light emitting chip 101 is mounted in a flip chip method, the light emitting chip 101 may be bonded to the first and second lead electrodes 161 and 163.
  • the first support member 110 includes a resin material
  • the second support member 131 includes a non-metal or ceramic material.
  • the first support member 110 may be a resin substrate or an insulating substrate
  • the second support member 131 may be a ceramic substrate or a heat dissipation substrate.
  • the first and second support members 110 and 131 may include different materials.
  • the first and second support members 110 and 131 may include materials having different thermal resistances.
  • the first support member 110 may have a multi-layered structure of different materials
  • the second support member 131 may include a single layer or a multi-layered structure of a single material.
  • the first support member 110 may include at least one of a resin material, for example, a FR (fluororesins) series or a CEM (Composite Epoxy Material) series.
  • the light emitting device 100 according to the embodiment may reduce the manufacturing cost and the material cost by using the first support member 110, and may provide a light weight.
  • the second support member 131 may be made of a material having higher thermal conductivity and lower thermal resistance than the resin material.
  • the second support member 131 may be formed of, for example, oxides, carbides, and nitrides formed by combining metal elements such as silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), and the like with oxygen, carbon, and nitrogen. Can be done.
  • the second support member 131 may include aluminum nitride (AlN).
  • the second supporting member 131 may be formed of silicon carbide (SiC), alumina (Al 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or boron nitride (BN).
  • the second support member 131 may be made of a material having a thermal conductivity of 60 W / mK or more for heat dissipation.
  • the first support member 110 includes an opening 150.
  • the opening 150 may be provided in a shape penetrating the inside of the first support member 110 in the Z-axis direction.
  • the top view shape of the opening 150 may include at least one of a polygonal shape, a circle, or an ellipse shape, but is not limited thereto.
  • the second support member 131 may be disposed in the opening 150. Accordingly, since the second supporting member 131 under the light emitting chip 101 is disposed in the substrate, a short heat dissipation path can be secured without increasing the thickness of the light emitting device 100.
  • the second support member 131 may have lengths Y2 and X2 in the Y-axis or X-axis direction smaller than lengths in the Y-axis or X-axis direction of the opening 150.
  • the lengths Y2 and X2 of the Y and X-axis directions of the second support member 131 may be smaller than the lengths Y1 and X1 of the Y and X-axis directions of the first support member 110. It may have a relationship of the length Y1> Y2, and may have a relationship of the length X1> X2. Accordingly, the first support member 110 may face the circumference of the second support member 131.
  • the second support member 131 may be disposed in an area of the first support member 110.
  • the first and second supporting members 110 and 131 may overlap each other in the X-axis direction and may not be overlapped in the Z-axis direction.
  • the Y-axis direction may be a direction orthogonal to the X-axis direction
  • the Z-axis direction may be a direction orthogonal to the X-axis and Y-axis directions.
  • the Y-axis direction may be described as the first axis direction, the X-axis direction as the second axis direction, and the Z-axis direction as the third axis direction.
  • the second support is performed. Both side surfaces of the member 131 in the X-axis direction may not face the first support member 110.
  • the second supporting member 131 is inserted into the opening 150 as shown in FIG. 1.
  • metal layers 118 and 119 may be disposed on at least one of the resin layers 111 and 113, and at least one of the upper and lower surfaces of the resin layers 111 and 113.
  • the resin layers 111 and 113 may include, for example, the first resin layer 111 and the second resin layer 113 disposed in the Z-axis direction.
  • the first resin layer 111 is disposed between the second resin layer 113 and the metal layer 118, and the second resin layer 113 is disposed between the first resin layer 111 and the metal layer 119. Can be arranged.
  • a second metal layer 119 may be disposed on an upper surface of the first resin layer 111 and a lower surface of the first metal layer 118 and the second resin layer 113.
  • the first metal layer 118 may contact the top surface of the first resin layer 111
  • the second metal layer 119 may contact the bottom surface of the second resin layer 113.
  • the resin layers 111 and 113 and the metal layers 118 and 119 may be disposed to overlap each other in the Z-axis direction.
  • the resin layers 111 and 113 and the metal layers 118 and 119 may be disposed not to overlap the second support member 131 in the Z-axis direction.
  • the resin layers 111 and 113 and the metal layers 118 and 119 may have the opening 150.
  • the first and second resin layers 111 and 113 may be formed of the same resin material, for example, FR series or CEM series.
  • the first and second metal layers 118 and 119 may include titanium (Ti), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), and platinum (Pt). ), Tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) may be formed of at least one or an alloy thereof, and may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the first and second resin layers 111 and 113 may be made of different resin materials, but are not limited thereto.
  • the first metal layer 118 may be selectively disposed on a portion or the entire area of the upper surface of the first support member 110 according to the pattern shape, but is not limited thereto.
  • the first metal layer 118 may be separated into electrode patterns P3 and P4 selectively connected to different lead electrodes 161 and 163.
  • the second metal layer 119 may be selectively disposed on a portion or the entire area of the lower surface of the first support member 110 according to the pattern shape, but is not limited thereto.
  • the second metal layer 119 may be provided as a heat radiation path or a power path, but is not limited thereto.
  • the first support member 110 may include an adhesive layer 115 between the first and second resin layers 111 and 113.
  • the adhesive layer 115 bonds the first and second resin layers 111 and 113.
  • the adhesive layer 115 may include at least one of silicon, epoxy, or prepreg. When the first and second resin layers 111 and 113 are single layers, the adhesive layer 115 may be removed, but is not limited thereto.
  • metal layers 138 and 139 may be disposed on at least one of an upper surface and a lower surface of the second support member 131.
  • the metal layers 138 and 139 include a third metal layer 138 on an upper surface of the second support member 131 and a fourth metal layer 139 on a lower surface of the second support member 131.
  • the third metal layer 138 overlaps the second support member 131 in the Z-axis direction and may be used as a path for transferring heat and supplying current.
  • the third metal layer 138 may be electrically connected to the first metal layer 118.
  • the fourth metal layer 139 overlaps the second support member 131 in the Z-axis direction and may be used as a heat transfer path.
  • the fourth metal layer 139 may be electrically insulated from the second metal layer 119.
  • the third and fourth metal layers 138 and 139 may be disposed in regions that do not overlap in the Z-axis direction of the first and second metal layers 118 and 119.
  • the third and fourth metal layers 138 and 139 may include titanium (Ti), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), and platinum (Pt). ), Tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) may be formed of at least one or an alloy thereof, and may be formed in a single layer or multiple layers.
  • the second support member 131 and the third and fourth metal layers 138 and 139 may be defined as a ceramic substrate or an insulating heat dissipation substrate.
  • the third metal layer 138 may be spaced apart from an upper edge of the second support member 131.
  • the third metal layer 138 may be separated into at least two electrode patterns P1 and P2.
  • the at least two electrode patterns P1 and P2 may be in contact with the second support member 131 and electrically connected to the light emitting chip 101.
  • the at least two electrode patterns P1 and P2 may be separated by a gap 109, but is not limited thereto.
  • the at least two electrode patterns P1 and P2 include a first electrode pattern P1 and a second electrode pattern P2, and the first electrode pattern P1 includes the light emitting chip 101 and the second electrode. It may be disposed between the support members 131.
  • the first electrode pattern P1 may be disposed between the first lead electrode 161 and the second support member 131, and the second electrode pattern P2 may be formed of the second lead electrode 163 and the first lead pattern 162. It may be disposed between the two support members (131).
  • the first electrode pattern P1 and the second electrode pattern P2 may be spaced apart from the top edge of the second support member 131. If the first electrode pattern P1 and the second electrode pattern P2 are present at the top edge, the first electrode pattern P1 and the second electrode pattern P2 may be connected to each other along the top edge as shown in FIG. 1, thereby causing an electrical short problem. .
  • the fourth metal layer 139 may be spaced apart from the bottom edge of the second support member 131.
  • the fourth metal layer 139 is an electrical wire
  • the fourth metal layer 139 may be spaced apart from the bottom edge of the second support member 131 to prevent electrical interference. Accordingly, even when the electrical pattern using the fourth metal layer 139 of the second support member 131 is designed, the electrical short problem can be solved.
  • the lower surface area of the third metal layer 138 may have an area smaller than the upper surface area of the second support member 131.
  • An upper surface area of the fourth metal layer 139 may have an area smaller than that of the lower surface of the second support member 131. Accordingly, the electrical interference problem caused by the third and fourth metal layers 138 and 139 may be reduced, and a heat dissipation path may be provided.
  • the thickness B1 of the first support member 110 may be thicker than the thickness B2 of the second support member 131 in the Z-axis direction.
  • the sum of the thicknesses of the second support member 131 and the third and fourth metal layers 138 and 139 may be equal to the thickness B1 of the first support member 110, but is not limited thereto. Since the thickness B2 is formed to be thicker than the sum of the thicknesses of the first and second resin layers 111 and 113, the second support member 131 may secure sufficient heat dissipation surface area.
  • the adhesive member 151 is disposed between the first and second support members 110 and 131.
  • the adhesive member 151 is adhered between the first and second support members 110 and 131.
  • the adhesive member 151 may be in contact with the first and second resin layers 111 and 113 and the adhesive layer 115.
  • An upper portion of the adhesive member 151 may be disposed between the first and third metal layers 118 and 138.
  • the upper portion of the adhesive member 151 may be disposed at the same height or lower than the upper surface of the first support member 110. If the upper portion of the adhesive member 151 is disposed higher than the upper surface of the first support member 110, the surfaces of the lead electrodes 161 and 163 may be roughly formed.
  • a lower portion of the adhesive member 151 may be disposed between the second and fourth metal layers 119 and 139.
  • the lower portion of the adhesive member 151 may be disposed to be the same as or higher than the lower surface of the first support member 110. If the upper portion of the adhesive member 151 protrudes from the lower surface of the first support member 110, the surface of the conductive layer 165 may be roughly formed.
  • a portion of the adhesive member 151 may overlap the second support member 131 in the Z-axis direction.
  • the adhesive member 151 may not overlap or partially overlap with the first support member 110 in the Z-axis direction.
  • the adhesive member 151 may be disposed on at least one of an upper surface and a lower surface of at least one of the first and second support members 110 and 131.
  • the adhesive member 151 may include a first adhesive portion 153 disposed on an upper edge portion of the second support member 131 and a second adhesive portion 155 disposed on an outer edge portion of the bottom surface of the second support member 131. It can include any one or both.
  • the first adhesive part 153 and the second adhesive part 155 may extend inwardly from the adhesive member 151.
  • the first adhesive part 153 may be adhered to the upper circumference of the second support member 131 and disposed below the circumference of the third metal layer 138 and the lead electrodes 161 and 163.
  • the first adhesive part 153 may be attached to the second support member 131 and the lead electrodes 161 and 163.
  • the first adhesive part 153 may also be exposed on the gap part 109 as shown in FIG. 1, but is not limited thereto.
  • the thickness of the first adhesive part 153 may be the same as or thinner than the thickness of the third metal layer 138. If the thickness of the first adhesive part 153 is thicker than the thickness of the third metal layer 138, the surfaces of the lead electrodes 161 and 163 may not be uniform.
  • the second adhesive part 155 may be bonded around the lower surface of the second support member 131 and disposed around the fourth metal layer 139.
  • the thickness of the second adhesive part 155 may be the same as or thinner than the thickness of the fourth metal layer 139.
  • the second adhesive part 155 may be attached to the second support member 131 and the conductive layer 165.
  • the adhesive member 151 may be made of the same material as the adhesive layer 115 and may include, for example, at least one of silicon, epoxy, or prepreg. As another example, the adhesive member 151 may be formed of a material different from that of the adhesive layer 115 among the adhesive.
  • the first lead electrode 161 is disposed on the second support member 131, and a part of the first lead electrode 161 is disposed in a second region of the first support member 110, for example, a third electrode pattern of the first metal layer 118 ( P3) can extend over.
  • the second lead electrode 163 may be disposed on the first region of the first support member 110, for example, on the fourth electrode pattern P4 of the first metal layer 118, and a part of the second lead electrode 163 may be disposed on the second support member 110. It may extend over the electrode pattern P2 of 131.
  • the first and second regions of the first support member 110 may be different regions.
  • the first lead electrode 161 may be connected to the first electrode pattern P1 of the third metal layer 138 and the third electrode pattern P3 of the first metal layer 118.
  • the first lead electrode 161 may be disposed to overlap the second region of the second support member 131, the adhesive member 151, and the first support member 110 in the Z-axis direction.
  • the light emitting chip 101 may overlap the second support member 131 in the Z-axis direction without overlapping the first support member 110 in the Z-axis direction, and may have a heat dissipation path in the Z-axis direction.
  • the light emitting chip 101 may overlap the first lead electrode 161 and the second support member 131 in a vertical direction, and may be bonded to the first lead electrode 161 by a bonding material.
  • the bonding material includes a conductive material, for example, a solder material.
  • the bonding material may be an insulating material, for example, silicon or epoxy.
  • the second lead electrode 163 may be disposed on the first region of the first support member 110, the adhesive member 151, and the second support member 131.
  • the second lead electrode 163 may be connected to the second electrode pattern P2 of the third metal layer 138 and the fourth electrode pattern P4 of the first metal layer 118.
  • the first and second lead electrodes 161 and 163 may be pads, and may include metals different from the first to fourth metal layers 118, 119, 138, and 139, for example, titanium (Ti), palladium (Pd), copper (Cu), At least one of nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an optional alloy thereof It can be formed in a single layer or multiple layers.
  • metals different from the first to fourth metal layers 118, 119, 138, and 139 for example, titanium (Ti), palladium (Pd), copper (Cu), At least one of nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an optional alloy thereof It can be formed in a single layer or multiple layers.
  • a protective layer (not shown) may be disposed on the first and second lead electrodes 161 and 163 to protect the surface, and the protective layer may include a solder resist material.
  • the conductive layer 165 is disposed below the second support member 131.
  • the conductive layer 165 dissipates heat conducted from the second support member 131 under the second support member 131.
  • the conductive layer 165 may extend below the first support member 110.
  • the conductive layer 165 may be disposed under the second and fourth metal layers 119 and 139.
  • the conductive layer 165 may have a length in a Y-axis or an X-axis direction wider than a length in the Y-axis or X-axis direction of the second support member 131 to diffuse the conducted heat.
  • a portion of the conductive layer 165 may overlap the adhesive member 151 in the Z-axis direction.
  • the conductive layer 165 may include a metal different from the first to fourth metal layers 118, 119, 138, and 139, for example, titanium (Ti), palladium (Pd), copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). ), At least one of chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or an optional alloy thereof. .
  • the conductive layer 165 may include the same metal as the first and second lead electrodes 161 and 163, but is not limited thereto.
  • the light emitting chip 101 is connected to the first lead electrode 161 and the second lead electrode 163.
  • the light emitting chip 101 may be bonded and electrically connected to the first lead electrode 161 and may be connected to the second lead electrode 163 by a wire 105.
  • the light emitting chip 101 is driven by receiving power from the first and second lead electrodes 161 and 163 to emit light. Heat generated from the light emitting chip 101 may be conducted to the first lead electrode 161, the second support member 131, and the conductive layer 165.
  • One or more light emitting chips 101 may be disposed on the second support member 131, but embodiments are not limited thereto.
  • the plurality of light emitting chips 101 may be connected in series or in parallel, but is not limited thereto.
  • the light emitting device 100 may minimize thermal resistance between the light emitting chip 101 and the second support member 131 in a region where the light emitting chip 101 is disposed.
  • an insulating adhesive that may be disposed between the light emitting chip 101 and the second support member 131 may be removed to suppress an increase in thermal resistance.
  • the light emitting device 100 according to the embodiment may improve the heat dissipation efficiency by disposing a second support member 131 made of ceramic material in a region where the light emitting chip 101 is mounted.
  • the first support member 110 made of a resin material is disposed around the second support member 131, and thus, through a circuit pattern or a via hole on the first support member 110. Electrical connection with the back may be easy.
  • other control parts may be further mounted on the first support member 110.
  • FIG. 4 is another example of the light emitting device of FIG. 2.
  • the light emitting device includes a first support member 110 having an opening 150, a second support member 131 positioned at an opening 150 of the first support member 110, and The light emitting chip 101 on the second supporting member 131, the first lead electrode 161 disposed between the second supporting member 131 and the light emitting chip 101, and the first and second supporting members.
  • the light transmitting layer 171 may be disposed on the surface of the light emitting chip 101, for example, on the side surface and the top surface of the light emitting chip 101.
  • the light transmission layer 171 may include a resin material such as silicon or epoxy.
  • the upper surface of the light transmission layer 171 may be located above the height of the high point of the wire 105, but is not limited thereto.
  • the light transmitting layer 171 may include impurities such as a phosphor, a diffusing agent, or a scattering agent, but is not limited thereto.
  • the light transmitting layer 171 may overlap the second supporting member 131 in the Z-axis direction, and a portion of the light transmitting layer 171 may have a gap portion between the first and second lead electrodes 161 and 163. 109). Accordingly, it is possible to block moisture penetration through the gap portion 109. A portion of the light transmitting layer 171 may be in contact with the top surface of the second support member 131. Accordingly, the heat dissipation efficiency of the light transmitting layer 171 may be improved.
  • the light emitting device includes a light emitting chip 101, a first supporting member 110 having an opening 150, and an opening 150 of the first supporting member 110.
  • a second support member 131 disposed below the first support member; a first lead electrode 161 disposed between the second support member 131 and the light emitting chip 101;
  • a second lead electrode 163 on at least one of the support members 110 and 131, a conductive layer 165 under the first and second support members 110 and 131, and a phosphor layer on the light emitting chip 101.
  • a reflective member 175 is included around the light emitting chip 101.
  • the phosphor layer 173 is disposed on an upper surface of the light emitting chip 101.
  • the phosphor layer 173 may be further formed on the side surface of the light emitting chip 101, but is not limited thereto.
  • the phosphor layer 173 wavelength converts some light emitted from the light emitting chip 101.
  • the phosphor layer 173 may include a phosphor in a silicon or epoxy resin, and the phosphor may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a yellow phosphor, but is not limited thereto.
  • the phosphor may be selectively formed among, for example, YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.
  • the reflective member 175 may be disposed around the light emitting chip 101 and the phosphor layer 173.
  • the reflective member 175 reflects the light incident from the light emitting chip 101, so that the light is extracted through the phosphor layer 173.
  • the reflective member 175 may include a non-metallic material or an insulating material.
  • the reflective member 175 may be formed of a resin material such as silicon or epoxy.
  • the reflective member 175 may include impurities having a refractive index higher than that of the resin material.
  • the reflective member 175 may include at least one of compounds such as oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr.
  • the upper surface of the reflective member 175 may be located higher than the high point of the wire 105. Accordingly, the reflective member 175 may protect the wire 105.
  • An upper surface of the reflective member 175 may be flat or further away from the light emitting chip 101, and the height may gradually decrease or the thickness thereof may gradually decrease.
  • the reflective member 175 may be disposed to overlap the second support member 131 in the Z-axis direction, and may be in contact with the first and second lead electrodes 161 and 163.
  • the reflective member 175 may radiate heat through the surface through heat conduction by the impurities.
  • a portion of the reflective member 175 may or may not overlap with the first support member 110 in the Z-axis direction.
  • a portion of the reflective member 175 may be disposed in the gap portion 109 to be in contact with the second support member 131.
  • An optical lens or an optical sheet may be disposed on one or a plurality of light emitting chips 101 according to an embodiment, but embodiments are not limited thereto.
  • the light emitting device may have the lead electrode 163 as shown in FIG. 7 or 8 according to the thickness D1 of the adhesive member 151 disposed between the first and second support members 110 and 131. Concave portions 160 and 160A may be generated. If the recessed portion 160A of the lead electrode 163 as shown in FIG. 8 is deeper, a problem may occur in which the lead electrode 163 is opened.
  • the thickness D1 of the adhesive member 151 may be 300 ⁇ m or less, for example, in a range of 25 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • fine recesses 160 may be generated on the surface of the lead electrode 163 as shown in FIG. 7. Since the depth T2 of 160 is formed to be 1/3 or less of the thickness T1 of the lead electrodes 161 and 163, an open failure of the lead electrodes 161 and 163 may not occur.
  • the thickness D1 of the adhesive member 151 is less than 25 ⁇ m, stress relaxation is not performed in the direction of the adhesive member 151, so that the crack is applied to the second support member 131 in the thermal shock test. There is a problem that can occur.
  • the thickness D4 of the adhesive member 151 exceeds 300 ⁇ m as shown in FIG. 8, surface metal treatment is difficult and the lead electrodes 161 and 163 on the adhesive member 151 have a depth T3 of the concave portion 160A. Digging deeply, a failure in which the lead electrodes 161 and 163 open may occur.
  • the first adhesive part 153 of the adhesive member 151 prevents an electrical short problem between the electrode patterns P1 and P2 at the upper edge of the second support member 131.
  • the first adhesive part 153 may have a width D3 of 50 ⁇ m or more, for example, in a range of 50 ⁇ m to 150 ⁇ m. If the width D3 of the first adhesive part 153 is smaller than the range, an electrical interference problem between adjacent patterns P1 and P2 may occur. If the width D3 of the first adhesive part 153 is larger than the range, the surface of the lead electrodes 161 and 163 may be affected. Can give
  • the second adhesive part 155 may prevent an electrical short problem between the electrode patterns on the bottom surface of the second support member 131.
  • the width D2 of the second adhesive part 155 may be formed to be the same as or wider than the width D3 of the first adhesive part 153, and may have a width in a range of 50 ⁇ m or more, for example, 70 ⁇ m to 200 ⁇ m. It can have When the width D2 of the second adhesive part 155 is smaller than the range, an electrical interference problem may occur between the electrode patterns, and when the width D2 of the second adhesive part 155 is larger than the range, the surface of the conductive layer 165 may be affected.
  • the adhesive member 151 is disposed between the first support member 110 and the second support member 131 and includes a first adhesive part 153.
  • the first adhesive part 153 is adhered to the upper outer edge of the second support member 131 and is disposed between the third metal layer 138 and the first metal layer 118.
  • the first adhesive part 153 may prevent the first and second electrode patterns P1 and P2 from being connected to each other through a region of the opening 109.
  • the adhesive member 151 may not include the second adhesive portion, and a lower portion thereof may be disposed between the second metal layer 119 and the fourth metal layer 139.
  • the conductive layer 165 is not a power supply layer, since the fourth metal layer 139 extends to the second adhesive region, the thermal conduction efficiency by the fourth metal layer 139 may be improved.
  • the adhesive member 151 may have a second adhesive part 155 without a first adhesive part.
  • the second adhesive part 155 may prevent electrical short between the electrode patterns of the fourth metal layer 139 at the outer edge of the lower surface of the second support member 131.
  • an upper portion of the adhesive member 151 may be disposed between the third metal layer 138 and the first metal layer 118, and the gap portion 109 may have a first electrode pattern on the second support member 131.
  • the second electrode pattern P2 and P1 may be separated. Accordingly, even if the first adhesive portion of the adhesive member 151 is removed, the electrical short problem on the second support member 131 can be solved by the gap portion 109.
  • the second support member 131 includes at least one of a first recess 6A disposed at the top edge and a second recess 6B disposed at the bottom edge.
  • the first recess 6A may be disposed along the upper edge of the second support member 131 and may be formed stepped from the upper surface.
  • the second recess 6B may be formed along the bottom edge of the second support member 131 and may be formed stepped from the bottom surface.
  • the adhesive member 151 is disposed between the first and second supporting members 110 and 131, the first adhesive part 153 is disposed in the first recess 6A, and the second adhesive part 155 is formed of a first adhesive member 151.
  • the first adhesive part 153 may be disposed between the third metal layer 138 and the first metal layer 118, and the second adhesive part 155 may be disposed between the second metal layer 119 and the fourth metal layer 139. Can be placed in.
  • the first adhesive part 153 may have an increased adhesive area and may prevent a short from occurring on the upper surface of the second support member 131.
  • Widths of the first and second recesses 6A and 6B may be the same widths as the widths of the first and second adhesive parts 153 and 155, and may be, for example, in a range of 25 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the width of the first and second recesses 6A and 6B may be used to prevent interference between adjacent electrode patterns.
  • the second support member 131 may include a first recess 6A around the upper portion, and the second recess around the lower portion may be deleted. Since the first adhesive part 153 is disposed in the first recess 6A, the short problem in the upper portion of the second support member 131 may be solved and the adhesion area with the lead electrodes 161 and 163 may be improved.
  • a second recess 6B may be provided around the lower portion of the second support member 131, and the first recess around the upper portion may be deleted. Since the second adhesive part 155 is disposed in the second recess 6B, the short problem in the lower portion of the second support member 131 may be solved and the adhesion area with the conductive layer 165 may be improved.
  • the adhesive member 151 is disposed between the first and second support members 110 and 131 in the opening 150 of the first support member 110.
  • An upper portion of the adhesive member 151 may be in contact with a region between the first and third metal layers 118 and 138 and below the first and second lead electrodes 161 and 163. Since the upper part of the adhesive member 151 does not have a separate adhesive part, the gap part 109 may separate the electrode patterns P1 and P2 of the third metal layer 138 from each other.
  • a lower portion of the adhesive member 151 may be disposed on the region between the second and fourth metal layers 119 and 139 and the conductive layer 165.
  • the adhesive member 151 is bonded between the first and second support members 110 and 131, and a first recess 6A is disposed around the upper portion of the second support member 131.
  • the first adhesive part 154 of the adhesive member 151 may be disposed in the first recess 6A.
  • a second recess 6B may be disposed around the lower portion of the second support member 131, and a second adhesive part 156 of the adhesive member 151 may be disposed in the second recess 6B.
  • a protrusion 15 is disposed between the first and second recesses 6A and 6B.
  • the adhesive member 151 may protrude upward from the top surface of the second support member 131 or may not protrude below the bottom surface of the second support member 131. Accordingly, the protrusions 3A and 3B of the first and second lead electrodes 161 and 163 may protrude into an area between the first and third metal layers 118 and 138 to be attached to the first adhesive part 154. The protrusions 5A and 5B of the conductive layer 165 may protrude into an area between the second and fourth metal layers 119 and 139 to contact the second adhesive part 156. In such a light emitting device, even if the first adhesive part 154 does not protrude above the upper surface of the second support member 131, the electrical short problem may be prevented by the gap part 109.
  • the protrusion 15 may be disposed between the recesses 6A and 6B and may be disposed adjacent to the first support member 110. Accordingly, the second support member 131 may have a spacing between the protrusion 15 and the first support member 110 to be smaller than the spacing between the recesses 6A and 6B.
  • the adhesive member 151 may be disposed between the first and second support members 110 and 131.
  • a side surface of the second support member 131 may include a groove 16 recessed in an inward direction, and the protrusion 16 of the adhesive member 151 may be disposed in the groove 16.
  • the depth of the groove 16 may be formed in a range in which the heat radiation efficiency does not decrease and the strength of the second support member 131 does not decrease.
  • An upper portion of the adhesive member 151 may protrude upward from an upper surface of the second support member 131, and a lower portion of the adhesive member 151 may protrude below a lower surface of the second support member 131.
  • the adhesive member 151 is disposed between the first and second support members 110 and 131, the first adhesive part 153A extending inwardly into the upper surface of the first support member 110, and At least one or both of the second adhesive parts 155A extending inwardly of the bottom surface of the first support member 110 may be included.
  • the first adhesive part 153A may extend to a region adjacent to the opening 150 of the upper surface of the first support member 110 and be disposed between the first and third metal layers 118 and 138.
  • the second adhesive part 155A may extend to an area of the lower surface of the first support member 110 adjacent to the opening 150 and be disposed between the second and fourth metal layers 119 and 139.
  • the first and second adhesive parts 153A and 155A of the adhesive member 151 are disposed on the first support member 110, thereby improving the heat dissipation surface area of the second support member 151.
  • FIG. 18 is a perspective view illustrating a light emitting module having a light emitting device according to a second embodiment
  • FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the B-B side of the light emitting module of FIG. 18.
  • the light emitting module 100A includes a plurality of light emitting chips 101, a first supporting member 110 having an opening 150, and openings of the first supporting member 110.
  • a second support member 131 disposed on the light emitting chip 101 and disposed below the light emitting chip 101, and a first lead electrode 161 disposed on the second support member 131 and connected to the light emitting chip 101.
  • a second lead electrode 163 on at least one of the first and second support members 110 and 131, and a conductive layer 165 under the first and second support members 110 and 131.
  • An optical lens may be disposed on the plurality of light emitting chips 101 according to the embodiment, but embodiments are not limited thereto.
  • the first and second support members 110 and 131 may be formed of the same material as the material disclosed above.
  • the adhesive member 151 may be disposed between the first and second support members 110 and 131, and adhere the first and second support members 110 and 131 to each other.
  • a first metal layer 118 and a second metal layer 119 may be disposed on an upper surface of the first support member 110, and each of the first and second metal layers 118 and 119 may be formed as an electrode pattern. It can be separated into the area of.
  • a plurality of electrode patterns P1 and P2 may be disposed on the second support member 131 according to the pattern shape of the third metal layer 138.
  • the light emitting chip 101 may be disposed on the first electrode pattern P1 among the plurality of electrode patterns P1 and P2, and may be electrically connected to each of the light emitting chips 101.
  • the second electrode pattern P2 of the plurality of electrode patterns P1 and P2 may be selectively connected to the first electrode pattern P1, for example, by a wire 105.
  • the plurality of light emitting chips 101 may be connected in series or in parallel by the plurality of electrode patterns P1 and P2 on the second support member 131.
  • the first lead electrode 161 disposed on the second support member 131 may extend onto the second area of the first support member 110.
  • the second lead electrode 163 may extend from the first region of the first support member 110 to the top surface of the first support member 110.
  • the first lead electrode 161 and the second lead electrode 163 may be selectively connected to the electrode patterns P1 and P2.
  • Electrode terminals 191 and 193 may be formed on the first support member 110, and at least one hole 181 or at least one via hole 183 may be disposed in a predetermined region.
  • a conductive layer 165 may be disposed below the second support member 131, and the conductive layer 165 may extend below the first support member 110.
  • the conductive layer 165 dissipates heat conducted from the second support member 131.
  • Protective layers 188 may be formed on the first and second lead electrodes 161 and 163.
  • the protective layer 188 may protect the first and second lead electrodes 161 and 163, and may be formed of a solder resist material.
  • FIG. 20 is another example of the light emitting module of FIG. 19.
  • the light emitting module further includes a heat dissipation plate 210 under the light emitting module.
  • the heat dissipation plate 210 may be connected to the conductive layer 165 disposed under the first and second support members 110 and 131.
  • the heat dissipation plate 210 includes a support plate 211 and a lower heat dissipation fin 213, and the support plate 211 is adhered to the conductive layer 165 with an adhesive or the first support member 110. It may be fastened to the fastening member 205 through the hole 181 of the.
  • a connector terminal 207 may be inserted into and connected to the via hole 183, and the connector 202 may be electrically connected to the second lead electrode 163.
  • a phosphor layer 173 is disposed on the light emitting chip 101, and the phosphor layer 173 converts a wavelength of some light emitted from the light emitting chip 101.
  • a reflective member 175 may be disposed around the light emitting chip 101, and the reflective member 175 reflects light emitted in a lateral direction of the light emitting chip 101 to cover the phosphor layer 173. To be extracted.
  • the light emitting module may include a control component 201 disposed on at least one of the first and second lead electrodes 161 and 163 of the first support member 110.
  • the control component 201 may be a passive device or an active device for controlling the driving of the plurality of light emitting chips 101, but is not limited thereto.
  • the protection member 220 may be disposed on the control component 201, and the protection member 220 may include an insulating material, for example, an epoxy or silicon material.
  • the connector 202 may be connected to the light emitting module, but is not limited thereto.
  • FIG. 22 is a side sectional view showing a light emitting module having a light emitting device according to the second embodiment.
  • the first support member 110 includes a second support member 131 and a third support member 132 spaced apart from each other.
  • the first support member 110 may include first and second openings 150 and 150B, and a second support member 131 is disposed on the first opening 150, and the second opening 150B may be provided. ) May be disposed a third support member 132.
  • the first opening 150 has the same configuration as the opening according to the embodiment, with reference to the description of the embodiment disclosed above.
  • the second support member 131 includes a ceramic material which is an insulating heat dissipating material.
  • the second support member 131 may be formed of, for example, oxides, carbides, etc., in which metal elements such as silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), etc. are combined with oxygen, carbon, nitrogen, or the like. It may be made of nitride.
  • the second support member 131 may include aluminum nitride (AlN).
  • the second supporting member 131 may be formed of silicon carbide (SiC), alumina (Al 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or boron nitride (BN). It may include at least one.
  • the first and second lead electrodes 161 and 163 disposed on the second support member 131 may be electrically connected to the light emitting chip 101.
  • the light emitting chip 101 may be implemented as a vertical chip having an electrode, for example, a conductive support member at the bottom thereof.
  • the second support member 131 has a high thermal conductivity, so that the second support member 131 can quickly radiate or conduct heat conducted to the first lead electrode 161 through the lower conductive support member of the light emitting chip 101. Since the second support member 131 blocks electric conduction, it may provide only a heat dissipation path of the light emitting chip 101. Accordingly, the second support member 131 may be formed of a material having a heat dissipation property and a non-insulation property, for example, a ceramic material.
  • the third support member 132 may have a heat dissipation property and may be formed of a conductive material, for example, a metal material.
  • the metal material may include, for example, at least one of copper (Cu), copper alloy (Cu-alloy), aluminum (Al), and aluminum alloy (Al-Alloy).
  • the third support member 132 may include a carbon material.
  • the third support member 132 may be formed of a metal material in a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.
  • the third support member 132 may be disposed in the second opening 150B and may contact the resin layers 111 and 113 of the first support member 110, but the embodiment is not limited thereto.
  • the thickness of the third support member 132 may be thinner than the thickness of the first support member 110.
  • the first and second openings 151 and 151B may penetrate in the vertical direction in different regions of the first support member 110.
  • Control parts 201 and 201A for controlling the light emitting chip 101 may be disposed on the first and third support members 110 and 132, and may be connected to the light emitting chip 101.
  • the control components 201 and 201A may include passive or active components such as control ICs, transformers, resistors, condensers, and the like, and a heating component 201A may be disposed on the third support member 132.
  • the heat generating part 201A is disposed between the third support member 132 and the heat dissipation pattern 164, and is electrically connected to the fifth and sixth electrode patterns P5 and P6 adjacent to the heat dissipation pattern 164. Can be.
  • the heat dissipation pattern 164 is electrically separated from the fifth and sixth electrode patterns P5 and P6 or the control components 201 and 201A.
  • the heat dissipation pattern 164 may have a larger area than the top surface of the third support member 132 and may be disposed between the heat dissipation member 132 and the heat generating part 201A.
  • the heating component 201A may be electrically insulated from the heat dissipation pattern 164. Accordingly, the third support member 132 may be electrically insulated from the heat generating part 201A and radiate heat generated from the heat generating part 201A.
  • the thickness of the third support member 132 may be the same thickness or thicker than the second support member 131, but is not limited thereto.
  • the thickness of the third support member 132 may be formed to be the same or thinner than the thickness of the first support member 110, but is not limited thereto.
  • the upper surface of the third support member 132 may be disposed larger than the lower surface area of the heating component 201A, and the size thereof may vary depending on the size of the heating component 201A.
  • the second and third support members 131 and 132 are formed to have a thickness exposed to the top and bottom surfaces of the first support member 110 through the first and second openings 151 and 151B of the first support member 110. Can be.
  • the conductive layer 165 disposed below the first support member 110 may be connected to the second and third support members 131 and 132, and may be conducted through the second and third support members 131 and 132. The heat can be diffused and radiated.
  • a phosphor layer 173 may be disposed on the light emitting chip 101, and a reflective member 175 may be disposed around the light emitting chip 101, and a protective member may be disposed around the reflective member 175. 220 may be disposed.
  • the protection member 220 may prevent the control components 201 and 202A from being exposed.
  • the outer portions 21 and 22 of the protective member 220 may be disposed around the lead electrodes 161 and 163 and the electrode patterns P5 and P6, and the first resin layer of the first support member 110 may be disposed. Can be contacted on (111). Moisture penetration can be prevented by the outer portions 21 and 22 of the protective member 220.
  • Vias or via holes 184 are disposed in the first support member 110, and the vias or via holes 184 may be arranged in an arbitrary electrode pattern, for example, the sixth electrode pattern P6 and the lower electrode 166. Can be connected to the connector 202.
  • FIG. 23 is another example of the light emitting module of FIG. 22.
  • the light emitting module has a first opening 150 and a second opening 150B in the first supporting member 110, and a second supporting member 131 and the first opening 150 in the first opening 150.
  • the third support member 132 is disposed in the second opening 150B.
  • the first opening 150 may have a top view shape having a circular shape, a polygonal shape, and an irregular shape, but is not limited thereto.
  • the second opening 150B may be circular, polygonal, or irregular in shape, but is not limited thereto.
  • the second support member 131 may be attached to the resin layers 111 and 113 of the first support member 110 by the first adhesive member 151 within the first opening 150.
  • Reference numeral 151 refers to the description of the adhesive member disclosed in the embodiment.
  • the second adhesive member 151B in the second opening 150B may be disposed between the heat dissipation pattern 164 and the third conductive layer 165.
  • the second adhesive member 151B may contact the heat dissipation pattern 164 and the third conductive layer 165.
  • the second adhesive member 151B may be selected in the same manner as the materials and shapes of the adhesive members of FIGS. 2 and 9 to 17, but is not limited thereto.
  • the second support member 131 may be made of a material having insulation and heat dissipation, and will be referred to the description above.
  • One or a plurality of light emitting chips 101 may be disposed on the second support member 131, but embodiments are not limited thereto.
  • the third support member 132 may be attached to the resin layers 111 and 113 of the first support member 110 by the second contact member 151B in the second opening 150B.
  • the second contact member 151B may overlap with the third support member 132 in a vertical direction. Since the second adhesive member 151B in the second opening 150B has the same configuration as the adhesive member disclosed in the embodiment, the above description will be referred to.
  • the third support member 132 may include a material having non-insulation and heat dissipation.
  • One or a plurality of heat generating parts 201A may be disposed on the third support member 132, but is not limited thereto.
  • 24 to 30 are views illustrating a manufacturing process of the light emitting device of FIG. 2.
  • the first resin substrate 110A may include a first resin layer 111 and a first metal layer 118 thereon, and the second resin substrate 110B may include a second resin layer 113 and a lower portion thereof.
  • the second metal layer 119 may be included.
  • the first and second resin substrates 110A and 110B are attached to the adhesive layer 115. Accordingly, as shown in FIG. 24, the first support member 110 may be formed.
  • the second support member 131 is positioned in the opening 150 and then inserted.
  • the second support member 131 may include a ceramic material, and metal layers 138 and 139 may be disposed on at least one of an upper surface and a lower surface.
  • the metal layers 138 and 139 of the second support member 131 may include an electrode pattern, but are not limited thereto.
  • the upper and outer edge portions R1 and R2 of the second support member 131 may be regions in which the third and fourth electrode layers 138 and 139 are not formed, but are not limited thereto.
  • the first and second compression plates 251 and 256 may be used as shown in FIG. 27.
  • the upper and lower parts of the support members 110 and 131 are compressed.
  • the adhesive layer 115 disposed between the first and second resin layers 111 and 113 may be compressed to move to the opening 150.
  • the adhesive material moved to the opening 150 is an adhesive member 151 to adhere the first and second support members 110 and 131.
  • the adhesive member 151 extends to the upper and outer edges of the upper and lower surfaces of the second support member 131 to form first and second adhesive parts 153 and 155.
  • lead electrodes 161A and a conductive layer 165 are formed on upper and lower surfaces of the first and second support members 110 and 131 by a plating process.
  • the lead electrode 161A may be formed on the entire upper surface of the first and second support members 110 and 151 or may be selectively formed.
  • the conductive layer 165 may be formed on the entire lower surface of the first and second support members 110 and 151 or may be selectively formed.
  • a hole or a via hole may be formed in the first support member 110 before the plating process, but is not limited thereto.
  • the lead electrode 161A is etched to form a gap portion 109 to form a plurality of lead electrodes 161 and 163 for the pattern shape.
  • the conductive layer 165 may also be etched in a required pattern form by an etching process, but is not limited thereto.
  • the light emitting chip 101 is disposed on the first lead electrode 161 disposed on the second support member 131.
  • the light emitting chip 101 may be bonded to the first lead electrode 161 by using a bonding material, and may be electrically connected to the first and second lead electrodes 161 and 163.
  • the light emitting chip 101 has been described as a vertical chip as an example, but may be a horizontal chip, but is not limited thereto.
  • the light emitting chip 101 may be mounted in the form of a flip chip, but is not limited thereto.
  • a phosphor layer or a light transmitting layer may be disposed on the light emitting chip 101, and a reflective member may be disposed around the light emitting chip 101, but is not limited thereto.
  • 31 is a side cross-sectional view illustrating an example of a horizontal light emitting chip according to an embodiment.
  • the light emitting chip includes a substrate 311, a buffer layer 312, a light emitting structure 310, a first electrode 316, and a second electrode 317.
  • the substrate 311 includes a substrate of a light transmissive or non-transparent material, and also includes a conductive or insulating substrate.
  • the buffer layer 312 reduces the lattice constant difference between the substrate 311 and the material of the light emitting structure 310 and may be formed of a nitride semiconductor.
  • a nitride semiconductor layer that is not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 312 and the light emitting structure 310 to improve crystal quality.
  • the light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, an active layer 314, and a second conductive semiconductor layer 315.
  • the first conductive semiconductor layer 313 is formed of a group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, and the first conductive semiconductor layer 313 is formed by In x Al y Ga 1 -x-. a composition formula of y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the first conductive semiconductor layer 313 is, for example, a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP. It may include.
  • the first conductive semiconductor layer 313 is an n-type semiconductor layer, and the first conductive dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.
  • a first cladding layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 313 and the active layer 314.
  • the first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap may be formed to be greater than or equal to the band gap of the active layer 314.
  • the first cladding layer is formed of a first conductive type and serves to restrain the carrier.
  • the active layer 314 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313 and optionally includes a single quantum well, a multi-quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do.
  • the active layer 314 includes a cycle of a well layer and a barrier layer.
  • the well layer includes a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1), and the barrier layer is In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1) may be included.
  • the period of the well layer / barrier layer may be formed in one or more cycles using, for example, a stacked structure of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / InAlGaN.
  • the barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than that of the well layer.
  • the second conductive semiconductor layer 315 is formed on the active layer 314.
  • the second conductive semiconductor layer 315 may be a semiconductor doped with a second conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the second conductive semiconductor layer 315 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.
  • the second conductive semiconductor layer 315 is a p-type semiconductor layer, and the second conductive dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
  • the second conductive semiconductor layer 315 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure.
  • the superlattice structure of the second conductive semiconductor layer 315 may abnormally diffuse the current included in the voltage to protect the active layer 314.
  • the conductive type of the light emitting structure 310 may be disposed to be reversed.
  • the first conductive semiconductor layer 313 may be a P-type semiconductor layer
  • the second conductive semiconductor layer 315 may be an n-type semiconductor layer. can do.
  • the first conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be further disposed on the second conductive semiconductor layer 315.
  • the light emitting structure 310 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.
  • p is a p-type semiconductor layer
  • n is an n-type semiconductor layer
  • the uppermost layer of the light emitting structure 310 will be described as the second conductive semiconductor layer 315.
  • the first electrode 316 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313, and the second electrode 317 has a current diffusion layer on the second conductive semiconductor layer 315.
  • FIG. 32 is a view showing another example of a light emitting chip according to the embodiment. In describing the embodiment, the same parts as in FIG. 31 are omitted and will be briefly described.
  • a contact layer 321 is formed under the light emitting structure 310, a reflective layer 324 is formed under the contact layer 321, and the reflective layer ( A support member 325 is formed under the 324, and a protective layer 323 may be formed around the reflective layer 324 and the light emitting structure 310.
  • the light emitting chip may be formed by forming a contact layer 321 and a protective layer 323, a reflective layer 324, and a support member 325 under the second conductive semiconductor layer 315 and then removing the growth substrate. have.
  • the contact layer 321 is in ohmic contact with a lower layer of the light emitting structure 310, for example, the second conductive semiconductor layer 315, and the material may be selected from a metal oxide, a metal nitride, an insulating material, and a conductive material.
  • ITO Indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • IAZO indium aluminum zinc oxide
  • IGZO indium gallium zinc oxide
  • IGTO indium gallium tin oxide
  • ATO antimony tin oxide
  • GZO gallium zinc oxide
  • Ag Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and any combination of these Can be formed.
  • the metal material and the light-transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and the like can be formed in a multi-layer, for example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like can be laminated. Inside the contact layer 321 may be further formed a layer for blocking the current to correspond to the electrode 316.
  • the protective layer 323 may be selected from a metal oxide or an insulating material, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), or IGZO.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • IZAO indium aluminum zinc oxide
  • IGZO indium gallium zinc oxide
  • IGTO indium gallium tin oxide
  • AZO aluminum zinc oxide
  • ATO antimony tin oxide
  • GZO gallium zinc oxide
  • the protective layer 323 may be formed using a sputtering method or a deposition method, and may prevent a metal such as the reflective layer 324 from shorting the layers of the
  • the reflective layer 324 may be formed of a material made of a metal, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and a combination thereof.
  • the reflective layer 324 may be formed larger than the width of the light emitting structure 310, which may improve the light reflection efficiency.
  • a metal layer for bonding and a metal layer for heat diffusion may be further disposed between the reflective layer 324 and the support member 325, but the present invention is not limited thereto.
  • the support member 325 may be a base substrate as a conductive support member, and may include copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). It may be metal or may be implemented with a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC).
  • a bonding layer may be further formed between the support member 325 and the reflective layer 324, and the bonding layer may bond the two layers to each other.
  • the disclosed light emitting chip is one example and is not limited to the features disclosed above. The light emitting chip may be selectively applied to the above embodiment of the light emitting device, but is not limited thereto.
  • the embodiment can be applied to a light emitting module or a lighting module having a light emitting device having improved heat dissipation efficiency.
  • the embodiment can apply the light emitting device having improved heat dissipation efficiency to various lighting devices.
  • a light emitting device having improved heat dissipation efficiency may be applied to various display devices.

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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1개구부 및 제2개구부를 갖는 제1지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제1개구부에 배치된 제2지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제2개구부에 배치된 제3지지 부재; 상기 제2지지 부재 상에 배치된 제1리드 전극; 상기 제1 및 제2지지 부재 중 적어도 하나의 위에 배치된 제2리드 전극; 상기 제2지지 부재 상에서 상기 제1 및 제2리드 전극과 전기적으로 연결된 발광 칩; 상기 제3지지 부재 상에 배치된 제어 부품; 및 상기 제1, 제2 및 제3지지 부재 아래에 배치된 전도층을 포함하며, 상기 제1지지 부재는 수지 재질을 포함하며, 상기 제2지지 부재는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 제3지지 부재는 금속 재질을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시 예는 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
실시 예는 발광 소자를 갖는 발광 모듈에 관한 것이다.
실시 예는 발광 소자 또는 발광 모듈을 갖는 조명 장치 또는 표시 장치에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등, 지시등과 같은 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 새로운 방열 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 수지 부재의 개구부에 열 저항이 낮은 지지 부재를 배치하고 상기 열 저항이 낮은 지지 부재 상에 발광 칩을 배치한 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 수지 재질의 제1지지 부재와 세라믹 재질의 제2지지 부재 사이를 접착시키고, 상기 제2지지 부재 상에 하나 또는 복수의 발광 칩이 배치된 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 제2지지 부재와 발광 칩 사이에 리드 전극이 배치된 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 제1지지 부재의 개구부에 접착층을 이용하여 제2지지 부재를 접착시켜 줄 수 있는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시 예는 제1지지 부재 내에 발광 칩의 절연 및 방열을 위한 세라믹 재질의 제2지지 부재를 배치하고, 제어 부품의 비절연 및 방열을 위한 금속 재질의 제3지지 부재를 배치한 발광 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 제1개구부 및 제2개구부를 갖는 제1지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제1개구부에 배치된 제2지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제2개구부에 배치된 제3지지 부재; 상기 제2지지 부재 상에 배치된 제1리드 전극; 상기 제1 및 제2지지 부재 중 적어도 하나의 위에 배치된 제2리드 전극; 상기 제2지지 부재 상에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 전극과 전기적으로 연결된 발광 칩; 상기 제3지지 부재 상에 배치된 제어 부품; 및 상기 제1, 제2 및 제3지지 부재 아래에 배치된 전도층을 포함하며, 상기 제1지지 부재는 수지 재질을 포함하며, 상기 제2지지 부재는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 제3지지 부재는 금속 재질을 포함한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 수직 방향으로 관통되는 제1개구부 및 제2개구부를 갖는 제1지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제1개구부에 배치된 제2지지 부재; 상기 제1지지 부재의 제2개구부에 배치된 제3지지 부재; 상기 제1,2개구부에 접착 부재; 상기 제2지지 부재 상에 배치된 제1리드 전극; 상기 제1 및 제2지지 부재 중 적어도 하나의 위에 배치된 제2리드 전극; 상기 제2지지 부재 상에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 전극과 전기적으로 연결된 발광 칩; 상기 제3지지 부재 상에 배치된 제어 부품; 및 상기 제3지지 부재와 상기 제어 부품 사이에 방열 패턴을 포함하며, 상기 제1지지 부재는 수지 재질을 포함하며, 상기 제2지지 부재는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 제3지지 부재는 금속 재질을 포함하며, 상기 제1지지 부재는 서로 다른 재질로 다층 구조를 가지며, 상기 제2,3지지 부재는 상기 제1지지 부재의 두께보다 얇은 두께를 포함한다.
실시 예에 의하면, 상기 전도층은 상기 제2 및 제3지지 부재에 연결될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제3지지 부재와 상기 제어 부품 사이에 배치된 방열 패턴을 포함하며, 상기 방열 패턴은 상기 제어 부품과 전기적으로 분리될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광 칩 상에 배치된 형광체층; 상기 발광 칩 둘레에 배치된 수지 재질의 반사 부재; 및 상기 반사 부재 둘레에 배치된 수지 재질의 보호 부재 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1개구부에 배치되며 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재 사이에 접착된 제1접착 부재를 포함하며, 상기 제1접착 부재는 상기 제1리드 전극 및 상기 전도층에 접촉되며, 상기 제1접착부재는 상기 제2지지 부재의 상면 외곽부에 배치된 제1접착부 및 상기 제2지지 부재의 하면 외곽부에 배치된 제2접착부 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2개구부에 배치되고 상기 제1지지 부재와 상기 제3지지 부재 사이에 접착된 제2접착 부재를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1지지 부재는 제1수지층, 상기 제1수지층 아래에 제2수지층, 상기 제1 및 제2수지층 사이에 접착층, 상기 제1수지층 위에 제1금속층 및 상기 제2수지층 아래에 제2금속층을 포함하며, 상기 접착층은 상기 제1접착 부재에 연결될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 접착층 및 상기 접착부재는 동일 재질을 포함할 수 있고, 상기 제2지지 부재는 질화 알루미늄, 탄화규소, 알루미나, 산화지르코늄, 질화규소, 및 질소화붕소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면,상기 전도층 아래에 복수의 방열 핀을 갖는 방열 판을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 접착 부재는, 상기 제1개구부에 배치되며 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재 사이에 접착된 제1접착 부재 및, 상기 제2개구부에 배치되고 상기 제1지지 부재와 상기 제3지지 부재 사이에 접착된 제2접착 부재를 포함하며, 상기 제1접착부재는 상기 제2지지 부재와 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제2접착 부재는 상기 제3지지 부재와 수직 방향으로 중첩될 수 있다.
실시 예는 발광 칩 및 발광 소자의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 수지 재질의 제1 지지 부재의 개구부에 발광 칩이 배치된 세라믹 재질의 제2지지 부재를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 칩이 배치된 세라믹 재질의 지지 부재의 상면 및 하면에 금속층이 배치되어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 방열 효율이 개선된 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시 예는 세라믹 재질의 지지 부재를 수지 재질의 지지 부재의 개구부에 배치함으로써, 발광 소자를 슬림한 두께로 제공할 수 있다.
실시 예는 수지 기판 내에 절연 및 비 절연을 위한 서로 다른 방열 부재를 배치하여, 칩 및 부품 종류에 따라 방열 특성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 제1변형 예이다.
도 5는 도 2의 발광 소자의 제2변형 예이다.
도 6은 도 5의 발광 소자의 상세 구성이다.
도 7은 도 5의 발광 소자에서 접착부재 상에 위치한 리드 전극의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 5의 발광 소자에서 접착부재의 두께 증가에 따른 리드 전극의 표면 상태를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제1변형 예이다.
도 10은 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제2변형 예이다.
도 11은 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제3변형 예이다.
도 12는 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제4변형 예이다.
도 13은 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제5변형 예이다.
도 14는 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제6변형 예이다.
도 15는 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제7변형 예이다.
도 16은 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제8변형 예이다.
도 17은 도 5의 발광 소자의 접착 부재의 제9변형 예이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 19는 도 18의 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 20은 도 18의 발광 모듈의 제1변형 예이다.
도 21은 도 18의 발광 모듈의 제2변형 예이다.
도 22는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 23은 도22의 발광 모듈의 다른 예이다.
도 24 내지 도 30은 도 2의 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 31은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 32는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다. 첨부된 도면의 전체에 걸쳐, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면부호로 지칭되며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자(100)는 개구부(150)를 갖는 제1지지 부재(110)와, 상기 제1지지 부재(110)의 개구부(150)에 위치하는 제2지지 부재(131)와, 상기 제2지지 부재(131) 상에 발광 칩(101)과, 상기 제2지지 부재(131)와 상기 발광 칩(101) 사이에 배치된 제1리드 전극(161)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 중 적어도 하나의 위에 제2리드 전극(163)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)의 아래에 전도층(165)을 포함한다.
상기 발광 칩(101)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(101)은, 예컨대 UV(Ultraviolet) LED, 적색 LED, 청색 LED, 녹색 LED, 엘로우 그린(yellow green) LED, 또는 백색 LED 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 칩(101)은 칩 내의 두 전극이 서로 인접하게 배치된 수평형 LED 칩 구조, 또는 두 전극이 서로 반대측에 배치된 수직형 LED 칩 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 발광 칩(101)의 하부에 전도성 지지부재를 갖는 수직형 칩을 배치하여, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 칩(101)이 수직형 LED 칩인 경우, 와이어(105)로 제2리드 전극(163)에 연결될 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 칩(101)이 수평형 LED 칩인 경우, 제1 및 제2리드 전극(161,163)에 와이어(105)로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(101)이 플립 칩 방식으로 탑재된 경우, 상기 제1 및 제2리드 전극(161,163) 상에 본딩될 수 있다.
상기 제1지지 부재(110)는 수지 재질을 포함하며, 상기 제2지지 부재(131)는 비 금속 또는 세라믹 재질을 포함한다. 상기 제1지지 부재(110)는 수지 기판 또는 절연 기판일 수 있으며, 상기 제2지지 부재(131)는 세라믹 기판 또는 방열 기판일 수 있다. 상기 제1,2지지 부재(110,131)는 서로 다른 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1,2지지 부재(110,131)는 열 저항이 다른 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1지지 부재(110)은 서로 다른 재질로 다층 구조를 가지며, 상기 제2지지 부재(131)은 단일 물질로 단층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다.
상기 제1지지 부재(110)는 수지 재질 예컨대, FR(fluororesins) 계열, CEM(Composite Epoxy Material) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(100)는 제1지지 부재(110)를 이용함으로써, 제조 비용 및 재료 비용을 절감할 수 있으며 경량화로 제공할 수 있다.
상기 제2지지 부재(131)는 수지 재질에 비해 열 전도도가 높고 열 저항이 낮은 재질일 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 예컨대, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등과 같은 금속원소가 산소, 탄소, 질소 등과 결합하여 만든 산화물, 탄화물, 질화물로 이루어질 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 질화 알루미늄(AlN) 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 다른 예로서, 탄화규소(SiC), 알루미나(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 질화규소(Si3N4), 질소화붕소(BN) 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 열 전도율을 보면, AlN은 70~250W/mK, BN은 60-200W/ｍK, Si3N4은 60-90W/mK, Si는 150W/ｍK, SiC는 270W/ｍK, Al2O3 및 ZrO2는 20-30 W/mK일 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 방열을 위해 열 전도율이 60W/mK 이상인 재질일 수 있다.
상기 제1지지 부재(110)는 도 2와 같이, 개구부(150)를 포함한다. 상기 개구부(150)은 상기 제1지지 부재(110) 내부를 Z축 방향으로 관통되는 형상으로 제공될 수 있다. 상기 개구부(150)의 탑뷰 형상은 다각형 형상, 원 또는 타원 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 개구부(150)에는 제2지지 부재(131)가 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 칩(101) 아래의 제2지지 부재(131)가 기판 내에 배치되므로, 발광 소자(100)의 두께를 증가시키지 않고 짧은 방열 경로를 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 1과 같이, 상기 제2지지 부재(131)는 Y축 또는 X축 방향의 길이(Y2,X2)가 상기 개구부(150)의 Y축 또는 X축 방향의 길이보다 작을 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)의 Y축 및 X축 방향의 길이(Y2,X2)는 상기 제1지지 부재(110)의 Y축 및 X축 방향의 길이(Y1,X1)보다 작을 수 있다. 상기 길이 Y1>Y2의 관계를 가지며, 상기 길이 X1>X2의 관계를 가질 수 있다. 이에 따라 상기 제2지지 부재(131)의 둘레에는 제1지지 부재(110)가 대면할 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)은 제1지지 부재(110)의 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1,2지지 부재(110,131)은 X축 방향과 Y축 방향으로 중첩되며 Z축 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 Y축 방향은 X축 방향과 직교하는 방향이며, 상기 Z축 방향은 X축 및 Y축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 실시 예의 편의를 위해, Y축 방향은 제1축 방향, X축 방향은 제2축 방향, Z축 방향은 제3축 방향으로 설명될 수 있다.
다른 예로서, 도 3과 같이, 상기 개구부(150)의 제2축 방향의 길이가 상기 제2지지 부재(131)의 제2축 방향의 길이(X3)와 같거나 작은 경우, 상기 제2지지 부재(131)의 X축 방향의 양 측면은 상기 제1지지 부재(110)와 대면하지 않을 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해, 도 1과 같이 개구부(150) 내에 제2지지 부재(131)이 삽입된 구조로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 상기 제1지지 부재(110)는, 적어도 하나의 수지층(111,113), 및 상기 수지층(111,113)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 금속층(118,119)이 배치될 수 있다. 상기 수지층(111,113)은 예컨대, Z축 방향으로 배치된 제1수지층(111) 및 제2수지층(113)을 포함할 수 있다. 상기 제1수지층(111)은 상기 제2수지층(113)과 금속층(118) 사이에 배치되며, 상기 제2수지층(113)은 제1수지층(111)과 금속층(119) 사이에 배치될 수 있다. 상기 금속층(118,119)은 예컨대, 상기 제1수지층(111)의 상면에 제1금속층(118) 및 상기 제2수지층(113)의 하면에 제2금속층(119)이 배치될 수 있다. 상기 제1금속층(118)은 상기 제1수지층(111)의 상면에 접촉될 수 있고, 상기 제2금속층(119)은 상기 제2수지층(113)의 하면에 접촉될 수 있다. 상기 수지층(111,113) 및 금속층(118,119)은 Z축 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 수지층(111,113) 및 금속층(118,119)은 상기 제2지지 부재(131)과 Z축 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 상기 수지층(111,113) 및 금속층(118,119)은 상기 개구부(150)를 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2수지층(111,113)은 동일한 수지 재질 예컨대, FR 계열 또는 CEM 계열로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속층(118,119)은 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2수지층(111,113)은 서로 다른 수지 재질일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1금속층(118)은 패턴 형상에 따라 상기 제1지지 부재(110)의 상면 일부 또는 전 영역에 선택적으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1금속층(118)은 서로 다른 리드 전극(161,163)과 선택적으로 연결되는 전극 패턴(P3,P4)으로 분리될 수 있다. 상기 제2금속층(119)은 패턴 형상에 따라 상기 제1지지 부재(110)의 하면 일부 또는 전 영역에 선택적으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2금속층(119)은 방열 경로로 제공되거나, 전원 경로로 제공될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1지지 부재(110)는 상기 제1 및 제2수지층(111,113) 사이에 접착층(115)을 포함할 수 있다. 상기 접착층(115)은 제1 및 제2수지층(111,113)을 접착시켜 준다. 상기 접착층(115)은 실리콘, 에폭시 또는 프리프레그(Prepreg) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2수지층(111,113)이 단일 층인 경우 상기 접착층(115)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제2지지 부재(131)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 금속층(138,139)이 배치될 수 있다. 상기 금속층(138,139)은 상기 제2지지 부재(131)의 상면에 제3금속층(138) 및 하면에 제4금속층(139)을 포함한다. 상기 제3금속층(138)은 상기 제2지지 부재(131)와 Z축 방향으로 중첩되며 열을 전달하고 전류를 공급하는 경로로 사용될 수 있다. 상기 제3금속층(138)은 제1금속층(118)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제4금속층(139)은 상기 제2지지 부재(131)와 Z축 방향으로 중첩되며 열 전달 경로로 사용될 수 있다. 상기 제4금속층(139)은 상기 제2금속층(119)와 전기적으로 절연될 수 있다. 상기 제3,4금속층(138,139)은 제1,2금속층(118,119)의 Z축 방향으로 중첩되지 않는 영역에 배치될 수 있다.
상기 제3 및 제4금속층(138,139)은 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2지지 부재(131) 및 제3 및 제4금속층(138,139)은 세라믹 기판 또는 절연성 방열 기판으로 정의할 수 있다.
상기 제3금속층(138)은 상기 제2지지 부재(131)의 상면 에지(edge)로부터 이격될 수 있다. 상기 제3금속층(138)은 적어도 2개의 전극 패턴(P1,P2)으로 분리될 수 있다. 상기 적어도 2개의 전극 패턴(P1,P2)은 상기 제2지지 부재(131) 상에 접촉되며 상기 발광 칩(101)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 적어도 2개의 전극 패턴(P1,P2)은 간극부(gap)(109)에 의해 분리될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 적어도 2개의 전극 패턴(P1,P2)은 제1전극 패턴(P1) 및 제2전극 패턴(P2)을 포함하며, 상기 제1전극 패턴(P1)은 상기 발광 칩(101)과 상기 제2지지 부재(131) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1전극 패턴(P1)은 상기 제1리드 전극(161)과 제2지지 부재(131) 사이에 배치될 수 있고, 제2전극 패턴(P2)은 상기 제2리드 전극(163)과 제2지지 부재(131) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1전극 패턴(P1) 및 제2전극 패턴(P2)은 상기 제2지지 부재(131)의 상면 에지(edge)로부터 이격될 수 있다. 만약, 상기 제1전극 패턴(P1) 및 제2전극 패턴(P2)이 상면 에지에 존재하는 경우, 도 1과 같이 상면 에지를 따라 서로 연결될 수 있어 전기적인 쇼트(short) 문제가 발생될 수 있다.
상기 제4금속층(139)은 상기 제2지지 부재(131)의 하면 에지로부터 이격될 수 있다. 상기 제4금속층(139)이 전기적인 배선인 경우, 전기적인 간섭 방지를 위해 상기 제2지지 부재(131)의 하면 에지로부터 이격될 수 있다. 이에 따라 제2지지 부재(131)의 제4금속층(139)을 이용한 전기적인 패턴을 설계하더라도, 전기적인 쇼트 문제를 해결할 수 있다.
상기 제3금속층(138)의 하면 면적은 상기 제2지지 부재(131)의 상면 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다. 상기 제4금속층(139)의 상면 면적은 상기 제2지지 부재(131)의 하면 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다. 이에 따라 제3,4금속층(138,139)에 의한 전기적인 간섭 문제를 줄일 수 있고 방열 경로를 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1지지부재(110)의 두께(B1)는 Z축 방향으로 상기 제2지지 부재(131)의 두께(B2)보다 두꺼울 수 있다. 상기 제2지지 부재(131), 제3 및 제4금속층(138,139)의 두께의 합은 상기 제1지지부재(110)의 두께(B1)와 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2지지 부재(131)는 두께(B2)가 상기 제1 및 제2수지층(111,113)의 두께의 합보다 두껍게 형성되므로, 충분한 방열 표면적을 확보할 수 있다.
상기 접착 부재(151)는 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치된다. 상기 접착 부재(151)는 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 접착된다. 상기 접착 부재(151)는 상기 제1,2수지층(111,113)과 상기 접착층(115)에 접촉될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 상부는 제1 및 제3금속층(118,138) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(151)의 상부는 상기 제1지지 부재(110)의 상면과 같은 높이이거나 낮게 배치될 수 있다. 만약 상기 접착 부재(151)의 상부가 상기 제1지지 부재(110)의 상면보다 높게 배치된 경우 리드 전극(161,163)의 표면이 러프(rough)하게 형성될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 하부는 제2 및 제4금속층(119,139) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(151)의 하부는 상기 제1지지 부재(110)의 하면과 같거나 높게 배치될 수 있다. 만약 상기 접착 부재(151)의 상부가 제1지지 부재(110)의 하면보다 돌출된 경우 전도층(165)의 표면이 러프(rough)하게 형성될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 일부는 Z축 방향으로 제2지지 부재(131)과 중첩될 수 있다. 상기 접착 부재(151)는 Z축 방향으로 제1지지 부재(110)과 중첩되지 않거나 부분적으로 중첩될 수 있다. 예컨대, 상기 접착 부재(151)는 상기 제1,2지지 부재(110,131) 중 적어도 하나의 상면 및 하면 중 적어도 하나의 위에 배치될 수 있다. 상기 접착 부재(151)는 제2지지 부재(131)의 상면 외곽부에 배치된 제1접착부(153), 및 상기 제2지지 부재(131)의 하면 외곽부에 배치된 제2접착부(155) 중 어느 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1접착부(153) 및 상기 제2접착부(155)는 상기 접착 부재(151)로부터 내측 방향으로 연장될 수 있다.
상기 제1접착부(153)는 상기 제2지지 부재(131)의 상면 둘레에 접착되며 상기 제3금속층(138)의 둘레 및 리드 전극(161,163)의 아래에 배치될 수 있다. 이러한 제1접착부(153)는 제2지지 부재(131) 및 리드 전극(161,163)과 접착될 수 있다.
상기 제1접착부(153)는 도 1과 같이 간극부(109) 상에도 노출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1접착부(153)의 두께는 상기 제3금속층(138)의 두께와 동일하거나 얇을 수 있다. 상기 제1접착부(153)의 두께가 상기 제3금속층(138)의 두께보다 두꺼운 경우, 리드 전극(161,163)의 표면이 균일하지 않는 문제가 있다.
상기 제2접착부(155)는 상기 제2지지 부재(131)의 하면 둘레에 접착되며, 상기 제4금속층(139)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2접착부(155)의 두께는 상기 제4금속층(139)의 두께와 동일하거나 얇을 수 있다. 상기 제2접착부(155)의 두께가 상기 제4금속층(139)의 두께보다 두꺼운 경우, 하부에 배치된 리드 전극(161,163)의 표면이 균일하지 않는 문제가 있다. 이러한 제2접착부(155)는 제2지지 부재(131) 및 전도층(165)과의 접착될 수 있다.
상기 접착 부재(151)는 상기 접착층(115)과 동일한 재질일 수 있으며, 예컨대 실리콘, 에폭시 또는 프리프레그(Prepreg) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 접착 부재(151)는 상기 접착제 중에서 상기 접착층(115)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1리드 전극(161)은 상기 제2지지 부재(131) 위에 배치되며, 일부가 제1지지 부재(110)의 제2영역 예컨대, 제1금속층(118)의 제3전극 패턴(P3) 위로 연장될 수 있다. 상기 제2리드 전극(163)은 상기 제1지지 부재(110)의 제1영역 예컨대, 제1금속층(118)의 제4전극 패턴(P4) 위에 배치될 수 있으며, 일부가 제2지지 부재(131)의 전극 패턴(P2) 위로 연장될 수 있다. 상기 제1지지 부재(110)의 제1 및 제2영역은 서로 다른 영역일 수 있다.
상기 제1리드 전극(161)은 상기 제3금속층(138)의 제1전극 패턴(P1) 및 제1금속층(118)의 제3전극 패턴(P3)에 연결될 수 있다. 상기 제1리드 전극(161)은 제2지지 부재(131), 접착 부재(151) 및 제1지지 부재(110)의 제2영역과 Z축 방향으로 중첩(overlap)되게 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 제1지지 부재(110)과 Z축 방향으로 중첩되지 않고 제2지지 부재(131)과 Z축 방향으로 중첩되어, Z축 방향으로 방열 경로를 가질 수 있다.
여기서, 상기 발광 칩(101)은 상기 제1리드 전극(161) 및 상기 제2지지 부재(131)와 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제1리드 전극(161)과 본딩 물질로 본딩될 수 있다. 상기 발광 칩(101)이 제1리드 전극(161)에 본딩된 경우, 그 본딩 물질은 전도성 재질 예컨대, 솔더 재질을 포함한다. 상기 발광 칩(101)과 상기 제1리드 전극(161) 사이에 전기적인 연결이 필요 없는 경우, 상기 본딩 물질은 절연성 재질 예컨대, 실리콘 또는 에폭시 재질일 수 있다.
상기 제2리드 전극(163)은 상기 제1지지 부재(110)의 제1영역, 상기 접착 부재(151), 및 제2지지 부재(131) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2리드 전극(163)은 상기 제3금속층(138)의 제2전극 패턴(P2) 및 제1금속층(118)의 제4전극 패턴(P4)과 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 전극(161,163)은 패드로서, 상기 제1내지 제4금속층(118,119,138,139)과 다른 금속을 포함할 수 있으며, 예컨대 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 전극(161,163) 상에는 표면 보호를 위해 보호층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 보호층은 솔더 레지스트 재질을 포함할 수 있다.
한편, 상기 전도층(165)은 상기 제2지지 부재(131) 아래에 배치된다. 상기 전도층(165)은 상기 제2지지 부재(131) 아래에서 상기 제2지지 부재(131)로부터 전도된 열을 방열하게 된다. 상기 전도층(165)은 상기 제1지지 부재(110) 아래에 연장될 수 있다. 상기 전도층(165)은 상기 제2 및 제4금속층(119,139) 아래에 배치될 수 있다. 상기 전도층(165)은 Y축 또는 X축 방향의 길이가 상기 제2지지 부재(131)의 Y축 또는 X축 방향의 길이보다 넓게 배치되어, 전도된 열을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전도층(165)의 일부는 상기 접착 부재(151)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있다.
상기 전도층(165)은 상기 제1내지 제4금속층(118,119,138,139)과 다른 금속을 포함할 수 있으며, 예컨대 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 전도층(165)은 상기 제1 및 제2리드 전극(161,163)과 동일한 금속을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(101)은 제1리드 전극(161)과 제2리드 전극(163)에 연결된다. 상기 발광 칩(101)은 제1리드 전극(161)에 본딩되어 전기적으로 연결되고, 상기 제2리드 전극(163)과 와이어(105)로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 제1 및 제2리드 전극(161,163)으로부터 전원을 공급받아 구동되어 광을 방출하게 된다. 상기 발광 칩(101)으로부터 발생된 열은 상기 제1리드 전극(161), 제2지지 부재(131), 및 전도층(165)으로 전도될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 칩(101)은 상기 제2지지 부재(131) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 발광 칩(101)은 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자(100)는 발광 칩(101)이 배치된 영역에 상기 발광 칩(101)과 제2지지 부재(131) 사이에 열 저항을 최소화시켜 줄 수 있다. 이 경우 상기 발광 칩(101)과 제2지지 부재(131) 사이에 배치될 수 있는 절연성 접착제를 제거하여, 열 저항의 상승을 억제할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(100)는 발광 칩(101)이 탑재된 영역에 세라믹 재질의 제2지지 부재(131)를 배치하여, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(100)는 제2지지 부재(131)의 둘레에 수지 재질의 제1지지 부재(110)를 배치함으로써, 제1지지 부재(110) 상에서의 회로 패턴이나 비아 홀을 통해 배면과의 전기적인 연결이 용이할 수 있다. 또한 제1지지 부재(110) 상에 다른 제어 부품을 더 탑재할 수도 있다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 다른 예이다.
도 4를 참조하면, 발광 소자는 개구부(150)를 갖는 제1지지 부재(110)와, 상기 제1지지 부재(110)의 개구부(150)에 위치하한 제2지지 부재(131)와, 상기 제2지지 부재(131) 위에 발광 칩(101)과, 상기 제2지지 부재(131)와 상기 발광 칩(101) 사이에 배치된 제1리드 전극(161)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 중 적어도 하나의 위에 제2리드 전극(163)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)의 아래에 전도층(165)과, 상기 발광 칩(101) 상에 투광층(171)을 포함한다.
상기 투광층(171)은 발광 칩(101)의 표면 예컨대, 발광 칩(101)의 측면 및 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 투광층(171)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다.
상기 투광층(171)의 상면은 와이어(105)의 고점 높이보다 위에 위치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광층(171) 내에는 형광체, 확산제 또는 산란제와 같은 불순물을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 투광층(171)은 상기 제2지지 부재(131)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있으며, 상기 투광층(171)의 일부는 상기 제1 및 제2리드 전극(161,163) 사이의 간극부(109)에 형성될 수 있다. 이에 따라 간극부(109)를 통한 습기 침투를 차단할 수 있다. 상기 투광층(171)의 일부는 상기 제2지지 부재(131)의 상면과 접촉될 수 있다. 이에 따라 상기 투광층(171)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 5를 참조하면, 발광 소자는 발광 칩(101)과, 개구부(150)를 갖는 제1지지 부재(110)와, 상기 제1지지 부재(110)의 개구부(150)에 위치하며 상기 발광 칩(101) 아래에 배치된 제2지지 부재(131)와, 상기 제2지지 부재(131)와 상기 발광 칩(101) 사이에 배치된 제1리드 전극(161)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 중 적어도 하나의 위에 제2리드 전극(163)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)의 아래에 전도층(165)과, 상기 발광 칩(101) 상에 형광체층(173), 상기 발광 칩(101)의 둘레에 반사 부재(175)를 포함한다.
상기 형광체층(173)은 상기 발광 칩(101)의 상면 위에 배치된다. 상기 형광체층(173)은 상기 발광 칩(101)의 측면에도 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 형광체층(173)은 상기 발광 칩(101)으로부터 방출된 일부 광을 파장 변환하게 된다. 상기 형광체층(173)은 실리콘 또는 에폭시 수지 내에 형광체를 포함하며, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 반사 부재(175)는 발광 칩(101) 및 형광체층(173)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(175)는 상기 발광 칩(101)으로부터 입사된 광을 반사시켜 주어, 상기 형광체층(173)을 통해 광이 추출되도록 한다.
상기 반사 부재(175)는 비 금속 재질 또는 절연 재질을 포함하며, 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(175)는 내부에 상기 수지 재질의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 불순물을 포함할 수 있다. 상기 반사 부재(175)는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다.
상기 반사 부재(175)의 상면은 상기 와이어(105)의 고점보다 높게 위치될 수 있다. 이에 따라 반사 부재(175)는 상기 와이어(105)를 보호할 수 있다. 상기 반사 부재(175)의 상면은 플랫하거나 발광 칩(101)로부터 멀어질수록 높이가 점차 낮아지거나 두께가 점차 작아질 수 있다.
상기 반사 부재(175)는 상기 제2지지 부재(131)와 Z축 방향으로 중첩(overlap)되게 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2리드 전극(161,163)에 접촉될 수 있다. 이러한 반사 부재(175)는 상기 불순물에 의한 열 전도를 통해 표면을 통해 방열할 수 있다. 상기 반사 부재(175)의 일부는 상기 제1지지 부재(110)과 Z축 방향으로 중첩되거나 중첩되지 않을 수 있다. 상기 반사 부재(175)의 일부는 간극부(109) 내에 배치되어 제2지지 부재(131)과 접촉될 수 있다.
실시 예에 따른 하나 또는 복수의 발광 칩(101) 상에는 광학 렌즈 또는 광학 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자는 도 6과 같이, 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치된 접착 부재(151)의 두께(D1)에 따라 도 7 또는 도 8과 같은 리드 전극(163)에 오목부(160,160A)가 발생될 수 있다. 만약, 도 8과 같은 리드 전극(163)의 오목부(160A)가 더 깊게 된 경우, 리드 전극(163)이 오픈(Open)되는 문제가 발생될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 두께(D1)는 300㎛ 이하 예컨대, 25㎛ 내지 200㎛ 범위일 수 있다. 상기 접착 부재(151)의 두께(D1)가 25㎛ 내지 200㎛ 범위인 경우, 도 7과 같이 상기 리드 전극(163)의 표면에 미세한 오목부(160)가 발생될 수 있으며, 상기 오목부(160)의 깊이(T2)가 상기 리드 전극(161,163)의 두께(T1)의 1/3 이하로 형성되므로, 리드 전극(161,163)의 오픈 불량이 발생되지 않을 수 있다.
만약, 상기 접착 부재(151)의 두께(D1)가 25㎛ 미만인 경우 상기 접착 부재(151)의 방향으로 응력 완화가 이루어지지 않아, 열 충격 시험에서 상기 제2지지 부재(131)에 크랙(Crack)이 발생될 수 있는 문제가 있다. 도 8과 같이 상기 접착 부재(151)의 두께(D4)가 300㎛ 초과한 경우, 표면 메탈 처리가 어렵고 접착 부재(151) 상의 리드 전극(161,163)이 오목부(160A)의 깊이(T3)가 깊게 패여, 리드 전극(161,163)이 오픈되는 불량이 발생될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 제1접착부(153)로 인해 제2지지 부재(131)의 상면 에지에서의 전극 패턴(P1,P2) 간의 전기적인 쇼트 문제를 방지할 수 있다. 상기 제1접착부(153)는 50㎛ 이상 예컨대, 50㎛ 내지 150㎛ 범위의 너비(D3)일 수 있다. 상기 제1접착부(153)의 너비(D3)가 상기 범위보다 작은 경우 인접한 패턴(P1,P2) 간의 전기적인 간섭 문제가 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 리드 전극(161,163)들의 표면에 영향을 줄 수 있다.
상기 제2접착부(155)는 제2지지 부재(131)의 하면에 전극 패턴이 형성된 경우, 상기 제2지지 부재(131)의 하면에서 전극 패턴 간의 전기적인 쇼트 문제를 방지할 수 있다. 상기 제2접착부(155)의 너비(D2)는 상기 제1접착부(153)의 너비(D3)와 동일하거나 더 넓은 너비로 형성될 수 있으며, 50㎛ 이상 예컨대, 70㎛ 내지 200㎛ 범위의 너비를 가질 수 있다. 상기 제2접착부(155)의 너비(D2)가 상기 범위보다 작은 경우 전극 패턴 간의 전기적인 간섭 문제가 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 전도층(165)의 표면에 영향을 줄 수 있다.
도 9내지 도 17은 도 2의 발광 소자의 다른 변형 예들이다. 이러한 변형 예들의 설명에 있어서, 상기와 동일한 구성은 상기의 설명을 참조하며 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 접착 부재(151)는 제1지지 부재(110)와 제2지지 부재(131) 사이에 배치되며, 제1접착부(153)를 구비한다. 상기 제1접착부(153)는 상기 제2지지 부재(131)의 상면 외곽부 상에 접착되며 제3금속층(138)과 제1금속층(118) 사이에 배치된다. 상기 제1접착부(153)는 상기 제1, 2전극 패턴(P1,P2)이 개구부(109)의 영역을 통해 서로 연결되는 것을 방지할 수 있다.
상기 접착 부재(151)는 제2접착부를 구비하지 않고, 하부가 제2금속층(119)과 제4금속층(139) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 전도층(165)이 급전 층이 아닌 경우, 제4금속층(139)이 제2접착부 영역까지 연장되므로, 제4금속층(139)에 의한 열 전도 효율은 개선될 수 있다.
도 10을 참조하면, 접착 부재(151)는 제1접착부 없이 제2접착부(155)를 구비한 구조이다. 상기 제2접착부(155)는 전도층(165)이 급전 층인 경우, 제2지지 부재(131)의 하면 외곽부에서의 제4금속층(139)의 전극 패턴간의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있다.
또한 상기 접착 부재(151)의 상부는 상기 제3금속층(138)과 제1금속층(118) 사이에 배치될 수 있고, 간극부(109)는 상기 제2지지 부재(131) 상의 제1전극 패턴(P1)과 제2전극 패턴(P2)을 분리시켜 줄 수 있다. 이에 따라 접착 부재(151)의 제1접착부를 제거하더라도, 간극부(109)에 의해 제2지지 부재(131) 상에서의 전기적인 쇼트 문제를 해결할 수 있다.
도 11을 참조하면, 제2지지 부재(131)는 상면 에지에 배치된 제1리세스(6A) 및 하면 에지에 배치된 제2리세스(6B) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1리세스(6A)는 상기 제2지지 부재(131)의 상면 에지를 따라 배치될 수 있으며, 상면으로부터 단차지게 형성될 수 있다. 상기 제2리세스(6B)는 제2지지 부재(131)의 하면 에지를 따라 형성될 수 있으며, 하면으로부터 단차지게 형성될 수 있다.
상기 접착 부재(151)는 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치되며, 제1접착부(153)는 상기 제1 리세스(6A)에 배치되고, 상기 제2접착부(155)는 제2리세스(6B)에 배치될 수 있다.
상기 제1접착부(153)는 제3금속층(138)과 제1금속층(118) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제2접착부(155)는 제2금속층(119)과 제4금속층(139) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 제1접착부(153)는 접착 면적이 증가될 수 있고 상기 제2지지 부재(131)의 상면에서의 쇼트 발생을 방지할 수 있다.
상기 제1 및 제2리세스(6A,6B)의 너비는 상기 제1, 2접착부(153,155)의 너비와 동일한 너비일 수 있으며, 예컨대 25㎛ 내지 300㎛ 범위일 수 있다. 이러한 제1, 2리세스(6A,6B)의 너비를 이용하여 인접한 전극 패턴 간의 간섭을 방지할 수 있다.
도 12를 참조하면, 제2지지 부재(131)는 상부 둘레에 제1리세스(6A)를 구비하고, 하부 둘레의 제2리세스는 삭제될 수 있다. 상기 제1리세스(6A)에는 제1접착부(153)가 배치되므로 제2지지 부재(131) 상부에서의 쇼트 문제를 해결하고 리드 전극(161,163)과의 접착 면적을 개선시켜 줄 수 있다.
도 13을 참조하면, 제2지지 부재(131)의 하부 둘레에 제2리세스(6B)를 구비하고, 상부 둘레의 제1리세스는 삭제될 수 있다. 상기 제2리세스(6B)에는 제2접착부(155)가 배치되므로 제2지지 부재(131) 하부에서의 쇼트 문제를 해결하고 전도층(165)과의 접착 면적을 개선시켜 줄 수 있다.
도 14를 참조하면, 접착 부재(151)는 제1지지 부재(110)의 개구부(150) 내에서 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치된다. 상기 접착 부재(151)의 상부는 제1 및 제3금속층(118,138) 사이의 영역과 제1 및 제2리드 전극(161,163) 아래에 접촉될 수 있다. 이러한 접착 부재(151)의 상부가 별도의 접착부를 구비하지 않게 되므로, 간극부(109)는 제3금속층(138)의 전극 패턴(P1,P2)을 서로 분리시켜 줄 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 하부는 제2 및 제4금속층(119,139) 사이의 영역과 전도층(165) 상에 배치될 수 있다.
도 15를 참조하면, 접착 부재(151)는 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 접착되며, 상기 제2지지 부재(131)의 상부 둘레에는 제1리세스(6A)가 배치된다. 상기 제1리세스(6A)에는 접착 부재(151)의 제1접착부(154)가 배치될 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)의 하부 둘레에는 제2리세스(6B)가 배치되고 상기 제2리세스(6B)에는 접착 부재(151)의 제2접착부(156)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(6A,6B) 사이에는 돌출부(15)가 배치된다.
여기서, 접착 부재(151)는 도 11과 달리, 제2지지 부재(131)의 상면보다 위로 돌출되거나 하면보다 아래로 돌출되지 않을 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2리드 전극(161,163)의 돌기(3A,3B)는 상기 제1 및 제3금속층(118,138) 사이의 영역으로 돌출되어 상기 제1접착부(154)에 접착될 수 있다. 상기 전도층(165)의 돌기(5A,5B)는 상기 제2 및 제4금속층(119,139) 사이의 영역으로 돌출되어 상기 제2접착부(156)에 접촉될 수 있다. 이러한 발광 소자는 제1접착부(154)가 제2지지 부재(131)의 상면보다 위로 돌출되지 않더라도, 간극부(109)에 의해 전기적인 쇼트 문제를 방지할 수 있다.
상기 돌출부(15)는 리세스(6A,6B) 사이에 배치되며 제1지지부재(110)에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제2지지부재(131)은 돌출부(15)와 제1지지 부재(110) 사이의 간격이 상기 리세스(6A,6B)가 배치된 부분의 간격보다 좁게 배치될 수 있다.
도 16을 참조하면, 접착 부재(151)는 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)의 측면에는 내측 방향으로 함몰된 홈(16)을 포함하며, 상기 홈(16)에는 상기 접착 부재(151)의 돌출부(152)가 배치될 수 있다. 상기 홈(16)의 깊이는 방열 효율이 저하되지 않고 상기 제2지지 부재(131)의 강도가 저하되지 않는 범위로 형성될 수 있다.
상기 접착 부재(151)의 상부는 상기 제2지지 부재(131)의 상면보다 위로 돌출되며, 하부는 상기 제2지지 부재(131)의 하면보다 아래에 돌출될 수 있다.
도 17을 참조하면, 접착 부재(151)는 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치되며, 상기 제1지지 부재(110)의 상면 내측으로 연장된 제1접착부(153A)와, 상기 제1지지 부재(110)의 하면 내측으로 연장된 제2접착부(155A) 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1접착부(153A)는 상기 제1지지 부재(110)의 상면 중 개구부(150)에 인접한 영역으로 연장되어, 상기 제1 및 제3금속층(118,138) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2접착부(155A)는 상기 제1지지 부재(110)의 하면 중 개구부(150)에 인접한 영역으로 연장되어 제2 및 제4금속층(119,139) 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자는 접착 부재(151)의 제1 및 제2접착부(153A,155A)가 제1지지 부재(110) 상에 배치됨으로써, 제2지지 부재(151)의 방열 표면적을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제2지지 부재(131) 상의 제3금속층(138)은 미리 정해진 전극 패턴(P1,P2)이 간극부(109)에 의해 분리될 수 있다. 이에 따라 제2지지 부재(131) 상에서의 전극 패턴(P1,P2) 간의 쇼트 문제를 해결할 수 있다.
도 18은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 사시도이며, 도 19는 도 18의 발광 모듈의 B-B측 단면도이다. 실시 예에 따른 발광 모듈을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기의 설명을 참조하기로 한다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 발광 모듈(100A)은 복수의 발광 칩(101)과, 개구부(150)를 갖는 제1지지 부재(110)와, 상기 제1지지 부재(110)의 개구부(150)에 위치하며 상기 발광 칩(101) 아래에 배치된 제2지지 부재(131)와, 상기 제2지지 부재(131) 상에 배치되고 상기 발광 칩(101)과 연결된 제1리드 전극(161)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 중 적어도 하나의 위에 제2리드 전극(163)과, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)의 아래에 전도층(165)을 포함한다. 실시 예에 따른 복수의 발광 칩(101) 상에는 광학 렌즈가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1, 2지지 부재(110,131)의 재질은 상기에 개시된 재질과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 접착 부재(151)는 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)를 서로 접착시켜 줄 수 있다.
상기 제1지지 부재(110)의 상면에는 제1금속층(118) 및 하면에는 제2금속층(119)이 배치될 수 있고, 상기 제1 및 제2금속층(118,119) 각각은 전극 패턴으로 하나 또는 복수의 영역으로 분리될 수 있다.
상기 제2지지 부재(131) 상에는 제3금속층(138)의 패턴 형태에 따라 다수의 전극 패턴(P1,P2)이 배치될 수 있다. 상기 다수의 전극 패턴(P1,P2) 중 제1전극 패턴(P1)은 위에 발광 칩(101)이 배치될 수 있으며, 각 발광 칩(101)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 다수의 전극 패턴(P1,P2) 중 제2전극 패턴(P2)은 상기 제1전극 패턴(P1)과 선택적으로 연결될 수 있으며, 예컨대 와이어(105)로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(101)은 제2지지 부재(131) 상에서 상기 다수의 전극 패턴(P1,P2)에 의해 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
상기 제2지지 부재(131) 상에 배치된 제1리드 전극(161)은 상기 제1지지 부재(110)의 제2영역 상으로 연장될 수 있다. 상기 제2리드 전극(163)은 상기 제1지지 부재(110)의 제1영역으로부터 제1지지 부재(110)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제1리드 전극(161) 및 제2리드 전극(163)은 상기 전극 패턴(P1,P2)과 선택적으로 연결될 수 있다.
상기 제1지지 부재(110) 상에는 전극 단자(191,193)가 형성될 수 있으며, 소정 영역에는 적어도 하나의 구멍(181) 또는 적어도 하나의 비아 홀(183)이 배치될 수 있다.
상기 제2지지 부재(131)의 하부에는 전도층(165)이 배치되며, 상기 전도층(165)은 상기 제1지지 부재(110)의 하부로 연장될 수 있다. 이러한 전도층(165)은 제2지지 부재(131)로부터 전도된 열을 방열하게 된다.
상기 제 1 및 제2리드 전극(161,163) 상에는 보호층(188)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(188)은 상기 제 1 및 제2리드 전극(161,163)을 보호할 수 있으며, 솔더 레지스트 재질로 형성될 수 있다.
도 20은 도 19의 발광 모듈의 다른 예이다.
도 20을 참조하면, 발광 모듈은 하부에 방열 판(210)을 더 포함한다. 상기 방열 판(210)은 제1 및 제2지지 부재(110,131) 아래에 배치된 전도층(165)에 연결될 수 있다. 상기 방열 판(210)은 지지 플레이트(211) 및 하부 방열 핀(213)을 포함하며, 상기 지지 플레이트(211)는 접착제로 상기 전도층(165)에 접착되거나, 상기 제1지지 부재(110)의 구멍(181)을 통해 체결 부재(205)로 체결될 수 있다.
또한 상기 비아 홀(183)에는 커넥터 단자(207)가 삽입되어 연결되고, 커넥터(202)가 제2리드 전극(163)과 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 상기 발광 칩(101)의 상에는 형광체층(173)이 배치되며, 상기 형광체층(173)은 발광 칩(101)으로부터 방출된 일부 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 발광 칩(101)의 둘레에는 반사 부재(175)가 배치될 수 있으며, 상기 반사 부재(175)는 상기 발광 칩(101)의 측 방향으로 방출되는 광을 반사하여 상기 형광체층(173)을 통해 추출되도록 한다.
도 21을 참조하면, 발광 모듈은 제1지지 부재(110)의 제1 및 제2리드 전극(161,163) 중 적어도 하나에 배치된 제어 부품(201)을 포함할 수 있다. 상기 제어 부품(201)은 상기 복수의 발광 칩(101)의 구동을 제어하기 위한 수동 소자 또는 능동 소자일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제어 부품(201) 상에는 보호 부재(220)가 배치될 수 있으며, 상기 보호 부재(220)는 절연성 재질 예컨대, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈에는 커넥터(202)가 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 22는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 22를 참조하면, 제1지지 부재(110) 내에는 서로 이격된 제2지지 부재(131) 및 제3지지 부재(132)를 포함한다. 상기 제1지지 부재(110)는 제1 및 제2개구부(150,150B)를 구비할 수 있으며, 상기 제1개구부(150)에는 제2지지 부재(131)이 배치되고, 상기 제2개구부(150B)에는 제3지지 부재(132)가 배치될 수 있다. 상기 제1개구부(150)는 실시 예에 따른 개구부와 동일한 구성으로서, 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
상기 제2지지 부재(131)는 절연성 방열 재질인 세라믹 재질을 포함한다. 상기 제2지지 부재(131)는 예컨대, 예컨대, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등과 같은 금속원소가 산소, 탄소, 질소 등과 결합하여 만든 산화물, 탄화물, 질화물로 이루어질 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 질화 알루미늄(AlN) 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 다른 예로서, 탄화규소(SiC), 알루미나(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 질화규소(Si3N4), 질소화붕소(BN) 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2지지 부재(131) 상에 배치된 제1 및 제2리드 전극(161,163)은 상기 발광 칩(101)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 발광 칩(101)은 하부에 전극 예컨대, 전도성 지지부재를 갖는 수직형 칩으로 구현될 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 열 전도율이 높아 상기 발광 칩(101)의 하부 전도성 지지부재를 통해 제1리드 전극(161)으로 전도된 열을 빠르게 방열하거나 전도할 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)는 전기 전도는 차단해 주게 되므로, 상기 발광 칩(101)의 방열 경로만을 제공할 수 있다. 이에 따라 상기 제2지지 부재(131)는 방열 특성과 비 절연 특성을 갖는 재질 예컨대, 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
상기 제3지지 부재(132)는 방열 특성을 갖고 전도성 물질 예컨대, 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 금속 재질은 예컨대, 구리(Cu), 구리 합금(Cu-alloy), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-Alloy) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제3지지 부재(132)는 탄소 재질을 포함할 수 있다. 상기 제3지지 부재(132)는 금속 재질이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제3지지 부재(132)는 제2개구부(150B)에 배치되고, 상기 제1지지 부재(110)의 수지층(111,113)에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3지지 부재(132)의 두께는 상기 제1지지 부재(110)의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 제1,2개구부(151,151B)는 상기 제1지지 부재(110)의 서로 다른 영역에서 수직 방향으로 관통될 수 있다.
상기 제1,3지지 부재(110,132) 상에는 상기 발광 칩(101)의 제어를 위한 제어 부품(201,201A)이 배치되어, 상기 발광 칩(101)과 회로적으로 연결될 수 있다. 상기 제어 부품(201,201A)은 수동 또는 능동 부품 예컨대, 제어용 IC, 트랜스, 저항, 콘덴서 등과 같은 부품을 포함할 수 있으며, 상기 부품 중에서 발열 부품(201A)은 상기 제3지지 부재(132) 상에 배치될 수 있다. 상기 발열 부품(201A)은 상기 제3지지 부재(132)와 방열 패턴(164) 사이에 배치되고, 상기 방열 패턴(164)에 인접한 제5 및 제6전극 패턴(P5,P6)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 방열 패턴(164)은 상기 제5,6전극 패턴(P5,P6)이나 제어 부품(201,201A)과 전기적으로 분리된다. 상기 방열 패턴(164)은 상기 제3지지 부재(132)의 상면 면적보다 큰 면적을 갖고 상기 방열 부재(132)와 발열 부품(201A) 사이에 배치될 수 있다.
상기 발열 부품(201A)은 하부에 별도의 전극 경로를 구비하지 않기 때문에, 방열 패턴(164)과 전기적으로 절연될 수 있다. 이에 따라 상기 제3지지 부재(132)는 상기 발열 부품(201A)과 전기적으로 절연되고 상기 발열 부품(201A)로부터 발생된 열을 방열할 수 있다.
상기 제3지지 부재(132)의 두께는 상기 제2지지 부재(131)와 동일한 두께이거나 더 두꺼운 두께를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3지지 부재(132)의 두께는 상기 제1지지 부재(110)의 두께와 동일하거나 얇은 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제3지지 부재(132)의 상면은 발열 부품(201A)의 하면 면적보다 크게 배치될 수 있고, 그 사이즈는 상기 발열 부품(201A)의 크기에 따라 달라질 수 있다.
상기 제2 및 제3지지 부재(131,132)는 상기 제1지지 부재(110)의 제1,2개구부(151,151B)를 통해 상기 제1지지 부재(110)의 상면과 하면에 노출되는 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1지지 부재(110)의 아래에 배치된 전도층(165)은 상기 제2 및 제3지지 부재(131,132)에 연결될 수 있으며, 상기 제2 및 제3지지 부재(131,132)를 통해 전도된 열을 확산시켜 방열할 수 있다.
상기 발광 칩(101) 상에는 형광체층(173)이 배치될 수 있고, 상기 발광 칩(101)의 둘레에는 반사 부재(175)가 배치될 수 있으며, 상기 반사 부재(175)의 둘레에는 보호 부재(220)가 배치될 수 있다. 상기 보호 부재(220)는 상기 제어 부품(201,202A)이 노출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호 부재(220)의 외곽부(21,22)는 상기 리드 전극(161,163) 및 전극 패턴(P5,P6)의 둘레에 배치될 수 있고, 상기 제1지지 부재(110)의 제1수지층(111) 상에 접촉될 수 있다. 이러한 보호 부재(220)의 외곽부(21,22)에 의해 습기 침투를 방지할 수 있다.
상기 제1지지 부재(110) 내에는 비아 또는 비아 홀(184)이 배치되며, 상기 비아 또는 비아 홀(184)는 임의의 전극 패턴 예컨대, 제6전극 패턴(P6)과 하부 전극(166)을 연결시켜 커넥터(202)에 연결될 수 있다.
도 23은 도 22의 발광 모듈의 다른 예이다.
도 23을 참조하면, 발광 모듈은 제1지지 부재(110) 내에 제1개구부(150) 및 제2개구부(150B)를 갖고, 상기 제1개구부(150) 내에 제2지지 부재(131) 및 상기 제2개구부(150B) 내에 제3지지 부재(132)를 배치한다.
상기 제1개구부(150)는 탑뷰 형상이 원형, 다각형, 비 정형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2개구부(150B)는 상기 원형, 다각형, 비 정형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2지지 부재(131)는 상기 제1개구부(150) 내에서 제1접착 부재(151)로 제1지지 부재(110)의 수지층(111,113)에 접착될 수 있고, 이러한 제1접착 부재(151)는 실시 예에 개시된 접착 부재의 설명을 참조하기로 한다.
상기 제2개구부(150B) 내의 제2접착 부재(151B)는 방열 패턴(164)과 상기 제3전도층(165) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2접착 부재(151B)는 상기 방열 패턴(164)과 제3전도층(165)에 접촉될 수 있다. 상기 제2접착 부재(151B)는 도 2, 도 9 내지 도 17의 접착 부재의 재질 및 형상과 동일하게 선택될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2지지 부재(131)는 절연성 및 방열성을 갖는 재질일 수 있으며, 상기의 설명을 참조하기로 한다. 상기 제2지지 부재(131) 상에는 하나 또는 복수의 발광 칩(101)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제3지지 부재(132)는 상기 제2개구부(150B) 내에서 제2접촉 부재(151B)에 의해 제1지지 부재(110)의 수지층(111,113)에 접착될 수 있다. 상기 제2접촉 부재(151B)는 상기 제3지지 부재(132)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이러한 제2개구부(150B) 내의 제2접착 부재(151B)는 실시 예에 개시된 접착 부재와 동일한 구성이므로 상기의 설명을 참조하기로 한다. 상기 제3지지 부재(132)는 비 절연성 및 방열성을 갖는 재질을 포함할 수 있다. 상기 제3지지 부재(132) 상에는 하나 또는 복수의 발열 부품(201A)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 24 내지 도 30은 도 2의 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 제1수지 기판(110A), 접착층(115) 및 제2수지 기판(110B)에 개구부(150A)를 형성한 후 정렬하게 된다. 상기 제1수지 기판(110A)는 제1수지층(111) 및 그 위에 제1금속층(118)을 포함할 수 있으며, 상기 제2수지 기판(110B)은 제2수지층(113) 및 그 아래에 제2금속층(119)을 포함할 수 있다.
상기 제1수지 기판(110A) 및 제2수지 기판(110B) 사이에 접착층(115)을 위치시킨 후, 상기 접착층(115)으로 상기 제1 및 제2수지 기판(110A,110B)을 부착시킨다. 이에 따라 도 24와 같이 제1지지 부재(110)로 형성될 수 있다.
그리고, 제2지지 부재(131)를 상기 개구부(150)에 위치시킨 후, 삽입하게 된다. 상기 제2지지 부재(131)는 세라믹 재질을 포함하며, 상면 및 하면 중 적어도 하나에 금속층(138,139)이 배치될 수 있다. 상기 제2지지 부재(131)의 금속층(138,139)는 전극 패턴을 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2지지 부재(131)의 상면 외곽부(R1) 및 하면 외곽부(R2)에는 상기 제3 및 제4전극층(138,139)이 형성되지 않는 영역일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 26과 같이, 제1지지 부재(110)의 개구부(150)에 제2지지 부재(131)가 배치되면, 도 27과 같이 상/하 압착 플레이트(251,256)를 이용하여 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131)의 상/하부를 압착시켜 준다.
이때 상기 제1 및 제2 수지층(111,113) 사이에 배치된 접착층(115)이 압착되어, 상기 개구부(150)로 이동하게 된다. 상기 개구부(150)로 이동된 접착 물질은 접착 부재(151)로서, 제1 및 제2지지 부재(110,131)를 접착시켜 준다.
상기 접착 부재(151)는 상기 제2지지 부재(131)의 상면 외곽부 및 하면 외곽부로 연장되어, 제1 및 제2접착부(153,155)를 형성하게 된다.
도 28을 참조하면, 상기 제1 및 제2지지 부재(110,131) 상면 및 하면에 도금 공정에 의해 리드 전극(161A) 및 전도층(165)을 형성하게 된다. 상기 리드 전극(161A)은 제1, 2지지 부재(110,151)의 상면 전 영역에 형성되거나, 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 전도층(165)은 상기 제1, 2지지 부재(110,151)의 하면 전 영역에 형성되거나 선택적으로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 도금 공정 전에 상기 제1지지 부재(110) 내에 구멍 또는 비아 홀을 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 28 및 도 29를 참조하면, 패턴 형상을 위해, 상기 리드 전극(161A)을 에칭하여, 간극부(109)를 형성하여 복수의 리드 전극(161,163)으로 구분하게 된다. 또한 전도층(165)도 에칭 공정에 의해 필요한 패턴 형태로 에칭될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 30을 참조하면, 상기 제2지지 부재(131) 상에 배치된 제1리드 전극(161) 위에 발광 칩(101)을 배치하게 된다. 상기 발광 칩(101)은 본딩 물질로 제1리드 전극(161)에 본딩될 수 있고, 상기 제 1 및 제2리드 전극(161,163)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 칩(101)은 수직형 칩을 예로 설명하였으나, 수평형 칩일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 칩(101)은 플립 칩 형태로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 칩(101) 상에는 형광체층 또는 투광층이 배치될 수 있고, 상기 발광 칩(101)의 둘레에는 반사 부재가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 31은 실시 예에 따른 수평형 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 31을 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다.
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
도 32는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 31과 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.
도 32를 참조하면, 실시 예에 따른 수직형 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지 부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.
이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지 부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다.
상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지 부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 지지 부재(325)는 전도성 지지부재로서, 베이스 기판일 수 있으며, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지 부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예는 방열 효율이 개선된 발광 소자를 갖는 발광 모듈이나 조명 모듈에 적용할 수 있다.
실시 예는 방열 효율이 개선된 발광 소자를 다양한 조명 장치에 적용할 수 있다.
실시 예는 방열 효율이 개선된 발광 소자를 다양한 표시 장치에 적용할 수 있다.

Claims (20)

  1. 제1개구부 및 제2개구부를 갖는 제1지지 부재;
    상기 제1지지 부재의 제1개구부에 배치된 제2지지 부재;
    상기 제1지지 부재의 제2개구부에 배치된 제3지지 부재;
    상기 제2지지 부재 상에 배치된 제1리드 전극;
    상기 제1 및 제2지지 부재 중 적어도 하나의 위에 배치된 제2리드 전극;
    상기 제2지지 부재 상에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 전극과 전기적으로 연결된 발광 칩;
    상기 제3지지 부재 상에 배치된 제어 부품; 및
    상기 제1, 제2 및 제3지지 부재 아래에 배치된 전도층을 포함하며,
    상기 제1지지 부재는 수지 재질을 포함하며,
    상기 제2지지 부재는 세라믹 재질을 포함하며,
    상기 제3지지 부재는 금속 재질을 포함하는 발광 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전도층은 상기 제2 및 제3지지 부재에 연결되는 발광 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제3지지 부재와 상기 제어 부품 사이에 배치된 방열 패턴을 포함하며,
    상기 방열 패턴은 상기 제어 부품과 전기적으로 분리되는 발광 모듈.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 칩 상에 배치된 형광체층; 상기 발광 칩 둘레에 배치된 수지 재질의 반사 부재; 및 상기 반사 부재 둘레에 배치된 수지 재질의 보호 부재 중 적어도 하나를 포함하는 발광 모듈.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1개구부에 배치되며 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재 사이에 접착된 제1접착 부재를 포함하는 발광 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1접착 부재는 상기 제1리드 전극 및 상기 전도층에 접촉되는 발광 모듈.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2개구부에 배치되고 상기 제1지지 부재와 상기 제3지지 부재 사이에 접착된 제2접착 부재를 포함하는 발광 모듈.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1접착부재는 상기 제2지지 부재의 상면 외곽부에 배치된 제1접착부 및 상기 제2지지 부재의 하면 외곽부에 배치된 제2접착부 중 적어도 하나를 포함하는 발광 모듈.
  9. 제5에 있어서,
    상기 제1지지 부재는 제1수지층, 상기 제1수지층 아래에 제2수지층, 상기 제1 및 제2수지층 사이에 접착층, 상기 제1수지층 위에 제1금속층 및 상기 제2수지층 아래에 제2금속층을 포함하며,
    상기 접착층은 상기 제1접착 부재에 연결되는 발광 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접착층 및 상기 접착부재는 동일 재질을 포함하는 발광 모듈.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제2지지 부재는 질화 알루미늄, 탄화규소, 알루미나, 산화지르코늄, 질화규소, 및 질소화붕소 중 적어도 하나를 포함하는 발광 모듈.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 전도층 아래에 복수의 방열 핀을 갖는 방열 판을 포함하는 발광 모듈.
  13. 수직 방향으로 관통되는 제1개구부 및 제2개구부를 갖는 제1지지 부재;
    상기 제1지지 부재의 제1개구부에 배치된 제2지지 부재;
    상기 제1지지 부재의 제2개구부에 배치된 제3지지 부재;
    상기 제1,2개구부에 접착 부재;
    상기 제2지지 부재 상에 배치된 제1리드 전극;
    상기 제1 및 제2지지 부재 중 적어도 하나의 위에 배치된 제2리드 전극;
    상기 제2지지 부재 상에 배치되고 상기 제1 및 제2리드 전극과 전기적으로 연결된 발광 칩;
    상기 제3지지 부재 상에 배치된 제어 부품; 및
    상기 제3지지 부재와 상기 제어 부품 사이에 방열 패턴을 포함하며,
    상기 제1지지 부재는 수지 재질을 포함하며,
    상기 제2지지 부재는 세라믹 재질을 포함하며,
    상기 제3지지 부재는 금속 재질을 포함하며,
    상기 제1지지 부재는 서로 다른 재질로 다층 구조를 가지며,
    상기 제2,3지지 부재는 상기 제1지지 부재의 두께보다 얇은 두께를 갖는 발광 모듈.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 방열 패턴은 상기 제3지지 부재의 상면 면적보다 큰 면적을 갖는 발광 모듈.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3지지 부재 아래에 배치된 전도층을 포함하며,
    상기 전도층은 상기 제2 및 제3지지 부재에 연결되는 발광 모듈.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 방열 패턴은 상기 제어 부품과 전기적으로 분리되는 발광 모듈.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 칩 상에 배치된 형광체층; 및 상기 발광 칩 둘레에 배치된 수지 재질의 반사 부재를 포함하며,
    상기 형광체층 및 상기 반사 부재는 상기 제2지지 부재와 수직 방향으로 중첩되는 발광 모듈.
  18. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 부재는,
    상기 제1개구부에 배치되며 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재 사이에 접착된 제1접착 부재 및,
    상기 제2개구부에 배치되고 상기 제1지지 부재와 상기 제3지지 부재 사이에 접착된 제2접착 부재를 포함하는 발광 모듈.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1접착부재는 상기 제2지지 부재와 수직 방향으로 중첩되며,
    상기 제2접착 부재는 상기 제3지지 부재와 수직 방향으로 중첩되는 발광 모듈.
  20. 제18에 있어서,
    상기 제1지지 부재는 제1수지층, 상기 제1수지층 아래에 제2수지층, 상기 제1 및 제2수지층 사이에 접착층, 상기 제1수지층 위에 제1금속층 및 상기 제2수지층 아래에 제2금속층을 포함하며,
    상기 접착층은 상기 제1접착 부재에 연결되는 발광 모듈.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220148210A (ko) * 2020-02-20 2022-11-04 로커스 아이피 컴퍼니 엘엘씨 개선된 콘크리트 조성물과 이를 생산하는 방법
CN112201739B (zh) * 2020-10-30 2022-02-15 上海中航光电子有限公司 发光结构、背光模组、显示模组以及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060004A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 光部品支持基板及びその製造方法
JP2009140717A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
KR20110046728A (ko) * 2009-10-29 2011-05-06 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
JP2012209537A (ja) * 2011-03-16 2012-10-25 Napura:Kk 照明装置、ディスプレイ、及び信号灯
JP5625706B2 (ja) * 2010-10-01 2014-11-19 住友ベークライト株式会社 積層体の製造方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50149708A (ko) * 1974-05-22 1975-12-01
JPS575356A (en) * 1980-06-13 1982-01-12 Toshiba Corp Hybrid integrated circuit device
JPS649644A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Fujitsu Ltd Hybrid integrated circuit substrate
JPH0361556A (ja) * 1989-07-31 1991-03-18 Ricoh Co Ltd 光プリントヘッド
JP3520540B2 (ja) * 1993-12-07 2004-04-19 株式会社デンソー 多層基板
CN1206464A (zh) 1995-11-26 1999-01-27 Pmi精密测量有限公司 铸金含金量的测定方法
JP3824076B2 (ja) * 1996-10-17 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 フィルムキャリアテープの製造方法
JP3608205B2 (ja) * 1996-10-17 2005-01-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに回路基板
US6818477B2 (en) * 2001-11-26 2004-11-16 Powerwave Technologies, Inc. Method of mounting a component in an edge-plated hole formed in a printed circuit board
JP2003197835A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Tdk Corp 電力増幅モジュール及び電力増幅モジュール用要素集合体
JP2004214249A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Renesas Technology Corp 半導体モジュール
EP1603170B1 (en) 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
CN101740560B (zh) * 2003-04-01 2012-11-21 夏普株式会社 发光装置、背侧光照射装置、显示装置
JP2005033068A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 高周波回路用基板の製造方法及び高周波電子装置
US20050180111A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Bamesberger Brett E. Low thermal stress composite heat sink assembly
JP5060017B2 (ja) * 2004-08-12 2012-10-31 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ
US7626829B2 (en) * 2004-10-27 2009-12-01 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and manufacturing method of the multilayer printed wiring board
JP4948777B2 (ja) * 2005-03-16 2012-06-06 ローム株式会社 光通信モジュール
JP2007042668A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP2007149814A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd 回路基板及び回路基板の製造方法
US20100177519A1 (en) 2006-01-23 2010-07-15 Schlitz Daniel J Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system
TWI289947B (en) * 2006-03-17 2007-11-11 Ind Tech Res Inst Bendable solid state planar light source, a flexible substrate therefor, and a manufacturing method therewith
JP5114130B2 (ja) * 2007-08-24 2013-01-09 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法、及び半導体装置
EP2101550B1 (de) 2008-03-14 2011-07-13 Asetronics AG Isoliertes Metallsubstrat mit einem metallenen Implantat
DE102008016458A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leiterplatte
JP2009289772A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
US7858441B2 (en) * 2008-12-08 2010-12-28 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor package with semiconductor core structure and method of forming same
GB2467797B (en) 2009-02-17 2013-10-16 Hsien-Jung Huang Single full-colour LED with driving mechanism
US8400782B2 (en) * 2009-07-24 2013-03-19 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
KR101178785B1 (ko) * 2009-11-25 2012-09-07 파나소닉 주식회사 적층판, 금속박 클래드 적층판, 프린트 배선판 및 회로 기판 및 led 백라이트 유닛, led 조명 장치, 적층판의 제조 방법
JP5457851B2 (ja) * 2010-01-19 2014-04-02 パナソニック株式会社 照明器具
US8426961B2 (en) * 2010-06-25 2013-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Embedded 3D interposer structure
JP2012033855A (ja) * 2010-07-01 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101049698B1 (ko) 2010-11-02 2011-07-15 한국세라믹기술원 Ｌｅｄ 어레이 모듈 및 이의 제조방법
KR101181105B1 (ko) 2010-12-24 2012-09-07 엘지이노텍 주식회사 방열회로기판 및 그 제조 방법
US9704793B2 (en) 2011-01-04 2017-07-11 Napra Co., Ltd. Substrate for electronic device and electronic device
KR101215078B1 (ko) 2011-04-27 2012-12-24 주식회사 알.에프.텍 인쇄회로기판 및 그의 제조방법
US8878221B2 (en) 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
JP6005440B2 (ja) * 2011-08-22 2016-10-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット
KR101891620B1 (ko) 2011-09-22 2018-08-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5766593B2 (ja) * 2011-12-09 2015-08-19 日本特殊陶業株式会社 発光素子搭載用配線基板
CN103999210B (zh) * 2011-12-22 2016-11-02 京瓷株式会社 布线基板以及电子装置
DE102012104494A1 (de) * 2012-05-24 2013-11-28 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
JP6064415B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102012108107A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
JP6535598B2 (ja) 2012-11-07 2019-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー フィルタ及び保護層を含む発光デバイス
WO2015073438A1 (en) 2013-11-15 2015-05-21 Reald Inc. Directional backlights with light emitting element packages
KR101593631B1 (ko) * 2014-01-24 2016-02-12 광운대학교 산학협력단 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN203910851U (zh) 2014-05-23 2014-10-29 晶科电子（广州）有限公司 一种白光led芯片
CN104022207B (zh) 2014-05-23 2018-05-18 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led芯片及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060004A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 光部品支持基板及びその製造方法
JP2009140717A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
KR20110046728A (ko) * 2009-10-29 2011-05-06 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
JP5625706B2 (ja) * 2010-10-01 2014-11-19 住友ベークライト株式会社 積層体の製造方法
JP2012209537A (ja) * 2011-03-16 2012-10-25 Napura:Kk 照明装置、ディスプレイ、及び信号灯

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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